Микроволновые исследования мягких мод в сегнетополупроводниках и сегнетоэлектриках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Папротны, Влодзимеж Игнатьевич

• Папротны, Влодзимеж Игнатьевич
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Папротны, Влодзимеж Игнатьевич

ВЕДЕНИЕ.2 зава I. ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И СЕГНЕТОЭЛЕКТ-РИКАХ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ МИКРОВОЛНОВЫМИ МЯГКИМИ МОДАМИ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).9

1.1. Дисперсия диэлектрической проницаемости в кристаллах семейства SbSI на микроволнах . 9

1.2. Структурный фазовый переход в полупроводнике TlGaSe2.13

1.3. Мягкая мода и сегнетоэлектрические свойства в полупроводнике Sn2P2Sg.18

1.4. Сегнетоэлектрические свойства и релаксационная динамика квазиодномерных кристаллов CsiHj^D^PO^ в области сегнетоэлектрического фазового перехода. 22

1.5. Сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах RbHSO^ и его дейтированном аналоге.26 лава II. МЕТОД МИКРОВОЛНОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ МЯГКИХ МОД [152] .31

2.1. Измерение и расчет диэлектрических спектров . 31

2.2. Приготовление образцов . 36 лава III. МИКРОВОЛНОВЫЕ МЯГКИЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МОДЫ

В КРИСТАЛЛАХ СЕГНЕТО ПОЛУ ПРОВОДНИКОВ.39

3.1. Мягкая мода в кристаллах твердых растворов SbSI1xBrx [153].40

3.2. Микроволновая сегнетоэлектрическая дисперсия образованная мягкой модой в кристаллах ХГС-2 154, ].52

3.3. Проблема мягкой моды в кристаллах TlGaSe2 I 15б] 61

3.4. Диэлектрические характеристики кристаллов Sn2F|Sg на СВЧ.68 лава 1У. СЕГНЕТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЯГКИЕ МОДЫ В КРИСТАЛЛАХ ТИПА CsH2POA И RbHS0A С ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ ПОРЯДОК-БЕСПОРЯДОК. 73

4.1. Релаксационная динамика в квазиодномерных сегне-тоэлектриках типа С5(Н1х°х^2Р0А • • * 74

4.2. Мягкая релаксационная мода в кристаллах кислого сульфата рубидия [159] . 90

4.3. Влияние изотопического эффекта на мягкую моду в дейтированном аналоге РЬНБОд [160] . 102

ШОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.109

СЛОЖЕНИЕ.III

ЯТЕРАТУРА.116

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроволновые исследования мягких мод в сегнетополупроводниках и сегнетоэлектриках»

Актуальность темы. В последнее время все больше внимание тривлекает обширный класс кристаллов, в которых происходятк-гурные фазовые переходы, обусловленные изменением симметрии ре-иетки. Обладая свойствами, уникальными по сравнению с магнитными фазовыми переходами, на изучение которых опиралось развитие сеории,ктурные фазовые переходы являются более сложными по ;воей природе и их исследование расширяет тем самым наши пред-зтавления о фазовых переходах вообще. Кроме того, большой интерес кктурным фазовым переходам обусловлен большими возмож-юстями технического использования связанных с ними явлений. Наболев ярко эти явления проявляются в сегнетоэлектриках.

Принципиальную роль в развитии динамической теории сегнето-электрических фазовых переходов сыграла разработанная В.Л.Гинзбургом, В.Кокреном и И.Андерсоном концепция мягкой моды, соглас-ю которой сегнетоэлектрический фазовый переход типа смещения )бусловлен обращением в нуль частоты одной из поперечных опти-[еских мод колебаний решетки. Эта концепция, в дальнейшем успеш-ю распространенная и на фазовые переходы типа порядок-беспоря-юк, нашла свое подтверждение во многих экспериментах. Широкие [сследования динамики решетки в последние годы показали однако, [то часто мягкая мода "замораживается", т.е. ее частота в точке базового перехода не обращается в нуль, а имеет конечное значе-[ие и в спектрах рассеяния света в области фазового перехода пошляется центральный пик, поведение которого и отражает критиче-;кую динамику. При этом выяснилось, что традиционное разделение )азовых переходов на переходы типа смещения и порядок-беспорядок [ри динамическом.рассмотрении является в сильной степени услов-[ым - реальные кристаллы часто трудно отнести к какому-либо пре-;ельному случаю. В связи с этим актуальной является задача де гального исследования динамики сегнетоэлектрических фазовых переходов в широком интервале частот, включающем СВЧ диапазон,который во временном масштабе соответствует двум типам движения истиц - быстрому, связанному с малыми колебаниями относительно «х квазиравновесного положения, и медленному, связанному со статистическим разупорядочением последних, и тем самым позволяет юлучить важную информацию относительно вклада обоих типов дви-кения в динамику фазового перехода.

Состояние вопроса. В качестве объектов исследований выбраны сристаллы, в которых исследования динамики фазового перехода в области СВЧ не проводились, либо проводились недостаточно де -гально: сегнетополупроводниковые твердые растворы БЬЯ. Вг Л л

1 легированные БЬБ1 кристаллы - ХГС-2, полупроводниковые кри -зталлы ТЮа$в2 . и сегнетоэлектрики с водородными связями СзН2Р04 , ^НБОд и РЬН03О07$О4 .

Кристаллы типа БЬБ! испытывают фазовый переход, который галяется промежуточным между типа смещения и порядок-беспорядок. !ягкая мода, наблюдаемая в ИК спектрах, не объясняет ни большое шачение статической диэлектрической проницаемости, ни ее тем-¡ературное поведение согласно закону Кюри-Вейсса. В СВЧ области з этих соединениях обнаружена передемпфированная мягкая резонанс-гая мода, дающая основной вклад в статическую диэлектрическую 1роницаемостьг обусловленная сильным энгармонизмом колебаний 1ТОМОВ. Замещения атомов сильно влияют на параметры мягкой моды з твердых растворах.

В SbSl. Br фазовый переход наблюдается во всем диапа

I Л Л юне концентрации в интервале температур от 295 до 22,8 К, а в ТС-2 - при температуре Тс = 330 К. Динамика фазового перехода з этих соединениях в области СВЧ не изучалась.

Недавно в полупроводниковом кристалле ТЮаБе^ в субмилли-•етровом диапазоне частот была обнаружена мягкая сегнетоэлектри

- ч ческая мода, частота которой переходит в СВЧ область. В инфракрасных спектрах и спектрах К? эта мода не наблюдалась из-за исключительно низкой ее частоты. Особенностью этой моды в субмиллиметровом диапазоне частот вблизи фазового перехода является изменение характера ее динамики от резонансного в релаксационный. Тепловые, оптические и диэлектрические эксперименты на низких частотах указывают на возможность существования вблизи т в Т1Э а Бе.несоразмерной фазы. Поведение мягкой моды вблизи с 2 точки фазового перехода Тс не исследовано. Противоречивые данные относительно динамики фазового перехода в кристаллах

Э п 2 Р2

Кристаллы СбН^РОд и РЬНБОд - сегнетоэлектрики с водородными связями. Однако, если в СбЬ^РС^ водородные связи играют решающую роль в сегнетоэлектрическом упорядочении, то в 13ЬН50д протоны на этих связях упорядочены как в сегнетофазе, так и в парафазе. Квазиодномерный характер взаимодействий в кристаллах типа СбЬ^РОд отражается в ряде особенностей физиче -ских свойств вблизи температуры Кюри: диэлектрических, тепловых, упругих, оптических. Релаксационная динамика параметра порядка о в этих кристаллах изучена только на частотах до 10 Гц и в субмиллиметровой области спектра вблизи Т. и описывалась на основе микротеорий, базирующихся на квазиодномерной модели Изинга, однако вопрос о применимости данной модели остается открытым, отсутствовали экспериментальные данные диэлектрической дисперсии в СВЧ области.

Для кристаллов кислого сульфата рубидия надежных данных о характере диэлектрической дисперсии в основной области частот о от 10 до 100 ГГц не существует. На частотах до 10* Гц динамика фазового перехода в описывается релаксационной мягкой модой, но имеются разные данные относительно величины времени релаксации мягкой моды К . В субмиллиметровом диапазоне частот шсперсия диэлектрической проницаемости описывалась уравнением 1ередемпфированного осциллятора. В сантиметровом и миллиметро-зом диапазонах частот сообщалось о появлении нового механизма дисперсии диэлектрической проницаемости, имеющего резонансный характер. Таким образом, неясно, сегнетоэлектрическая динамика и тр сристаллов РЬНБОд в диапазоне частот от 1СГ до 10х Гц обус-ювлена одной и той же релаксационной мягкой модой, или имеются пополнительные возбуждения типа резонансной мягкой моды, характерные для фазовых переходов типа смещения.

Цель работы заключается в исследовании мягких мод в сегне-го-полупроводниковых кристаллах БЬБ^^Вг^ , ХГС-2, ТЮа$е2 , Sn2P2Sg и сегнетоэлектрических кристаллах с водородными связями СэЬ^РО^ , РЬНБОд и ^ЬН^дОдуБОд в широком температурам интервале методом СВЧ диэлектрической спектроскопии.

Научная новизна работы состоит в том, что методом диэлектрической СВЧ спектроскопии впервые исследовано поведение мягких зегнетоэлектрических мод в кристаллах ХГС-2, БЬБЬ Вг

I-X X

ГЮа5е2 (частично в Бг^^^б^ и СбЬ^РОд , а также проведе-зы детальные измерения диэлектрических спектров для кристаллов ЗЬНБОд и КЬНддОдуБО^ . в частности установлено, что:

- динамика фазового перехода в кристаллах БЬ$1|хВгх и ХГС-2 определяется передемпфированной резонансной мягкой сегнетоэлектрической модой, которая лежит в СВЧ диапазоне, причем модифицирующие примеси в ХГС-2 сильно увеличивают константу затухания мягкой моды по сравнению с чистым БЬБГ и приближают ее к релаксационной моде, а фазовый переход - к переходу порядок-беспорядок;

- мягкая сегнетоэлектрическая резонансная мода в кристаллах ТЮа$е2 "замораживается" в СВЧ диапазоне и ее частота не снижается ниже 60 ГГц. Вблизи фазового перехода,

- б в предполагаемой несоразмерной фазе, характер моды определяется очень большой константой затухания;

- динамика фазового перехода в кристаллах Csb^PO^ определяется одной мягкой релаксационной модой и хорошо описывается в рамках динамической квазиодномерной модели в приближении двухчастичного кластера;

- в кристаллах типа RbHSO^ динамика фазового перехода во h TP всем диапазоне частот от 10 до 10 Гц определяется одной мягкой релаксационной модой и описывается в рамках модели Митсуи для сегнетовой соли; замещение водорода дейтерием (изотопический эффект) незначительно меняет параметры мягкой моды.

Основные защищаемые положения:

1. Динамика сегнетоэлектрических фазовых переходов в фистал-iax ХГС-2, TlGaSe2 и твердых растворах SbSI^xBrx на СВЧ >бусловлена сильным энгармонизмом внутрикристаллических взаимо-шйствий и связана с мягкими передемпфированными резонансными юдами; характерной чертой является "замораживание" частоты этих юд на частотах СВЧ диапазона и "crossover" между фазовым пе-)еходом типа смещения и порядок-беспорядок.

2. Релаксационные мягкие моды в сегнетоэлектрических кри-¡таллах CsbLPO, и RbH, D SO, являются единственными модами,

Z н 1-Х X ч тветственными за дисперсию диэлектрической проницаемости в ди

1 то шазоне частот от 10 до 10 Гц. Динамика фазового перехода в -sb^PO^ описывается динамической квазиодномерной моделью йзин-•а в приближении двухчастичного кластера, а в кристаллах типа ^bHSO^ - моделью аналогичной модели Митсуи для сегнетовой соли.

Практическая значимость работы состоит в том, что в ней вы-влена и изучена в широком диапазоне СВЧ целая группа особо ан-армоничных (нелинейных) сегнетоэлектрических соединений, проявяягощих свойства, благодаря которым эти материалы могут успешно применяться в качестве нелинейных или поглощающих СВЧ излучение элементов в диапазоне дециметровых, сантиметровых и миллиметровых длин волн.

Апробация работы. Основные результаты работы доложены и обсуждены на всесоюзных и международных конференциях: Научно-технической конференции "Новые способы преобразования энергии и новые активные материалы в акустике" (Ленинград, 1983), Всесоюзной конференции "Методы и средства измерений электромагнитных характеристик материалов на ВЧ и СВЧ" (Новосибирск, 1983), 1У Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Малага, Испания, 1983), III Советско-японском симпозиуме по сегнетоэлектричеству (Новосибирск, 1984) и представлены на У1 Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Кобе, Япония, 1985).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ .

Структура и объем. Диссертация состоит из введения четырех глав.и приложения.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Папротны, Влодзимеж Игнатьевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Методом микроволновой диэлектрической спектроскопии впервые сследованы микроволновые спектры отражения, рассчитаны спектры омплексной диэлектрической проницаемости и изучено поведение ягких резонансных и релаксационных мод в сегнетополупроводнико-ых кристаллах SbS®гх » ХГС-2, TlGaSe2 , и егнетоэлектрических кристаллах с водородными связями Csl^PO^, ibHSO^ и RbHggDQySO^ . установлено, что:

1. В кристаллах SbSL| Вг , ХГС-2 и TlGaSe2 дисперсия иэлектрической проницаемости в микроволновом диапазоне частот бусловлена мягкой передемпфированной резонансной сегнетоэлектической модой, частота которой зависит от температуры по закону 2 г = А(Т - Т0), вблизи температуры Кюри лежит в диапазоне СВЧ обусловливает высокое значение статической диэлектрической про-ицаемости и ее зависимость по закону Юори-Вейсса. Столь низко-астотная мягкая резонансная мода является результатом сильного нгармонизма решеток этих кристаллов.

2. В кристаллах типа SbSI ( SbSI<jxBrx и ХГС-2) изоморф-ые замещения I—»Вг и модифицирующие примеси приводят к ильному изменению параметров мягкой моды, главным образом кон-ганты затухания и приближают мягкую моду к релаксационной.

3. В кристаллах TlGaSe2 дисперсия диэлектрической прони-аемости в микроволновом и субмиллиметровом диапазонах обуслов-зна одной и той же мягкой резонансной модой. Начиная с темпе-атуры фазового перехода в несоразмерную фазу ( Tj = 420 К), задание моды критически растет, а частота "замораживается" при = 60 ГГц. При этом мягкая мода меняет свой характер на релак-щионный.

4. В перечисленных в п.о сегнетополупроводниковых кристал-IX в динамике сегнетоэлектрического фазового перехода наблюда

- но гея "crossover" между фазовым переходом типа смещения и поря-эк-беспорядок.

5. Сегнетоэлектрические фазовые переходы в кристаллах с во-эродными связями типа Csb^PO^ и RbHSO^ являются "чистыми" греходами порядок-беспорядок. Микроволновые спектры диэлектри-зской проницаемости совместно с литературными данными радиоча-готных и субмиллиметровых измерений показали, что динамика фа-эвых переходов обусловлена одной мягкой релаксационной сегнето-кектрической модой.

6. Квазиодномерный характер межмолекулярных взаимодействий кристаллах Dx^РОд, обусловливающий ряд статических динамических свойств этих сегнетоэлектриков, успешно описывает-i в рамках предложенной квазиодномерной модели Изинга в прибли-знии двухчастичного кластера.

7. Модель Митсуи для сегнетовой соли, описывающая фазовый греход в системе частиц, движущихся в одночастичном асимметрич->м двухминимумном потенциале, хорошо отражает микромеханизм фа-)вого перехода в кристаллах типа RbH^^D^O^. Изотопическое шещение водорода дейтерием приводит главным образом к измене-го температуры Кюри и незначительно меняет параметры мягкой >ды.

Заключение

В сегнетоэлектрических кристаллах- СбШ^О^РОд и {ЬН1х0х$04 фазовый переход обусловлен мягкими релакса-ионными модами. В кристаллах С^^О^РОд частота моды и е диэлектрический вклад меняются нелинейно с температурой, что вязано с проявлением квазиодномерного характера этих кристал-ов. Динамические и статические свойства СбШ. П )оРО, в обла

1-х x ¿. н ти фазового перехода хорошо описываются в рамках квазиодномерой модели йзинга в приближении двухчастичного кластера.

Характер микромеханизма поляризации в кристаллах кислого ульфата рубидия правильно отражает модель Митсуи, в которой ионы >Од движутся в одночастичном двухминимумном асимметричном по-енциале. В отличие от Csl^PO^ , в кристаллах PbH^D^SO^ зотопический эффект только незначительно меняет параметры мятой моды. Отмеченные в работах [135] и [136] дополнительные воз-уждения резонансного характера на СВЧ в кристаллах типа }bH1xDxS0/f не существуют.

- 109

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Папротны, Влодзимеж Игнатьевич, 1985 год

1. Kalesinskas V., Grigas J., Audzionis A., Zickus K. Microwave resonant dielectric dispersion in SbSq ySeQ yL crystals.

2. Phase Transitions, 1982, v. 3, No 3» pp. 217-226. Блинц P., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки /Пер. с англ. под ред. А.А.Шувалова. М#: Мир, 1975. - 398 с.

3. Harbeke G., Steigmeier Б.Р., Wehner R.K. Soft phonon mode coupling in SbSI. Solid State Commun., 1970, v. 8, No 21, pp. 1765-1768.

4. Teng M.K., Balkanski M., Massot M. Soft-phonon couplings in the pressure induced phase transition in SbSI. - Phys. Rev. В, 1972, v. 5, No 3, PP. IO3I-IO34.

5. Petzelt J. Far infrared reflectivity of SbSI. Phys. Stat. Sol. (b), 1969, v. 36, No 1, pp. 321-ЗЗЗ.

6. Koutsoudakis A., Louizis J., Bartsokas A., Siapkas D. Par infrared reflectivity spectra of AyByjCyjj compounds. Perro-electrics, 1976, v. 12, No 1-4, pp. I3I-I33.

7. Bartsokas A., Siapkas D. Anharmonic effects in the far infrared reflectivity spectra of SbSI SbSBr system. - Perroelect-rics, 1980, v. 25, No 1-4, pp. 561-564.- 117

8. Iwasaki H.Dielectric constant of SbSI single crystals on the frequency of 9*3 Gc/s observed by means of reflection coefficient. J. Phys. Soc. Japan, 1969, v. 27» Ho 2, pp. 513-514-.

9. Hosoya M., Nakamura E. Dielectric properties of SbSI at microwave frequencies. Jap. J. Appl. Phys., 1970, v. 9» No 5, PP. 552-556.

10. Григас Й., Беляцкас P. Микроволновая резонансная диэлектрическая дисперсия в параэлектрической фазе кристаллов sbsi.-ФТТ, 1978, т. 20, Я 12, с. 3675-3680.

11. Беляцкас Р., Григас Й. Исследование диэлектрической проницаемости SbSI на СВЧ. Центральная мода. Лит. физ. сборник, 1979, т. 19, Л 2, с. 243-258.

12. Калесинскас В., Жичкус К., Аудзионис А. Диэлектрические свойства кристаллов SbSel, BiSel и BiSI на СВЧ. ФТТ, 1981, т. 23, * 5, с. 1502-1503.

13. Ealesinskas V., Grigas J., JankeviSius R., Audzionis A. Soft mode in the microwave dielectric spectra of the SbSI BiSI system. - Phys. Stat. Sol. (b), 1983$ v. 115, Ho 1, pp. Kll-K13.

14. Григас Й.П. Фазовые переходы ж сегнетоэлектрические явления в кристаллах семейства антимонита. Дис. . д-ра физ.-мат. наук. - Вильнюс, 1980. - 333 с.

15. Калесинскас В.А. Мягкая мода в микроволновых спектрах диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков типа SbSI.- Дис. . канд. физ.-мат. наук. вильнюс, 1983. - 144 с.- 118

16. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы /Пер. с англ. под ред. В.В.Леманова и др. М.: Мир,1981.-736 с.э. Onodera Т. Dynamic susceptibility of classical enharmonicoscillator. Progr. Theor. Phys., 1970, v. 44, No 6, pp.14771499.

17. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вища шкода, 1980.398 с.

18. Guseinov G.D., Ramazanzade A.M., Kerimova E.M., Ismailov M.Z. About a group of three-component compounds being analogous to binary semiconductors of the type. Phys, Stat.

19. Sol., 1967, v. 22, No 2, pp. K117-K122. ). Гусейнов Г .Д., Сеидов Ф.М., Пашаев A.M., Халилов Х.Я.,Нани Р.Г.-Исследование системы HS-GaS.- Изв. АН СССР, серия Неорганические материалы, 1972, т. 8, * I, с. 170.

20. Guseinov G.D., Mooser E., Kerimova E.M., Gamidov R.S., Alek-seev 1,1., Ismailov M.Z. On some properties of TllnSg (Se2, Te2) single crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, No 1, PP. 33-34.

21. Gasanly N.M., Goncharov A.F., Melnik N.N., Ragimov A.S., Та- 120 girov V.I. Optical phonons and structure of TlGaS2, TlGaSe2 and TllnSg layer single crystals. Phys. Stat. Sol. (h),1983, v. 116, No 2, pp. 427-443.

22. Isaacs T.J., Feichtner J.D. Growth and optical properties of TlGaSe2 and yS-TlInS^. J. Sol. State Chemistry, 1975, v. 14, No 3, PP. 260-263.

23. Волков А.А., Гончаров Ю.г., Козлов Г.в., Сардарлы P.M. Расщепление мягкой моды в кристалле TlGaSe2. Письма в 1ЭТФ,1984, т. 39, Л 7, с. 293-295.

24. Алиев Р.А., Аллахвердиев К.Р., Баранов А.И., Иванов Н.Р., Сардарлы P.M. Сегнетоэлектричество и структурные фазовые переходы в кристаллах семейства TllnS2.- ФТТ, 1984, т. 26,1. Л 5, с. I27I-I276.

25. Абдулаева С.Г., Абдинбеков С.С., Гусейнов Г.Г. О кристаллической структуре соединений nV11^1 (MII:E-Inf Ga;X-S, Se). Докл. АН Азерб. ССР, 1980, т. 36, Л 8, с. 34-38.

26. Гусейнов Г.Д., Алиева М.Х., Абдуллаева С.Г., Алиев Р.А., Абдинбеков С.С. О процессах рекомбинации и прилипания в монокристаллах TlGaSe2.- Изв. АН АзССР, серия физ.-тех. и мат. н., 1979, Я 4, с. 63-67.

27. Abdullaeva S.G., Belenkii G.L., Mamedov N.T. Near-Band-Edgeoptical properties of T1GaS2XSe2(l-x) crystals .-Phys.

28. Stat. Sol. (b),,1980, v. 102, No 1, pp. K19-K22.

29. Абдуллаева С.Г., Беленький Г.Л., Мамедов Н.Т. Экситонные состояния в слоистых полупроводниках T1Gas2xSe2(i-x)*~ ФТП, 1981, т. 15, М 5, с. 943-948.

30. Abdullaeva S.G., Mamedov N.T., Orudzhev G.S. Band structure of

31. Вахрушев С.Б., Жданова В.В., Квятковский Б.Е., Окунева Н.М.,

32. Аллахвердиев К.Р., Алиев Р.А., Сардарлы P.M. Несоизмеримыйфазовый переход в кристалле TllnS2.- Письма в ЖЭТ$, 1984,т. 39, £ 6, с. 245-247.к Волков А.А., Гончаров Ю.Г., Козлов Г.В., Аллахвердиев К.Р.,

33. Сардарлы P.M. Структурные фазовые переходы в кристаллах

34. TlInS2. ФТТ, 1983, т. 25, Н 12, с. 3583-3585.i. Carpentier C.D., Nitsche R. Vapour growth and crystal dataof the thio(seleno)-hypodiphosphates Sn2P2Sg, SngPgSe^ ,

35. PbgPgSg, Pb2P2Se^ and their mixed crystals.- Mat. Res. Bull.,1974, v. 9, Ho 4, pp. 401-410.

36. Nitsche R., Wild R. Crystal growth of metal phosphorussulfur compounds by vapour transport.- Mat. Res. Bull.,1970, v. 5, No 6, pp. 419-424. . Carpentier C.D., Nitsche R. Perroelectricity in Sn2P2S6.

37. Mat. Res. Bull., 1974, v. 9, No 8, pp. 1097-1100.

38. Бутурлакин А.П., Гурзан М.И., Сливка В.Ю. Сегнетоэлектриче-ские свойства кристаллов si^p^.- фтт, 1977, т. 19, * 7, с. I990-1993.

39. Высочанский D.M., Сливка B.D., Бутурлакин А.П., Гурзан М.Й., Чепур Д.В. Мягкая мода в Sn2P2S6. ФТТ, 1978, т. 20, Л I, с. 90-93.

40. Сливка B.D., Высочанский D.M., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Мягкая мода, взаимодействие мод и критическое рэлеевское рассеяние света в Sn2P2S6. ФТТ, 1978, т. 20, Л 12, с. 35303532.

41. Высочанский D.M., Сливка В.Ю., Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И., Чепур Д.В. Поляризационные спектры комбинационного рассеяния сегнетополупроводника Sr^PgSg. ФТТ, 1979, т. 21, Ä I, с. 2II-2I5.

42. Высочанский Ю.М., Сливка В.Ю., Коперлес Б.М., Гурзан М.Й., Чепур Д.В. Сегнетоактивная мягкая мода в твердых растворах-Л^б и Sn2P2(sl-xSexV ФТГ' 1979 ' т- 21 • Л 5, с. I497-I50I.

43. Высочанский D.M., Сливка В.Ю., Ворошилов Ю.В., Гурзан М.И.,

44. Чепур Д.В. Модель фазового перехода в сегнетополупроводнике

45. Sn2p2S6 и Д^амика его решетки.- ФТТ, 1979, т.21, Л 8, с. 2402-2408.

46. It oil K., Hagiwara T., Nakamura E. Order-disorder type phase transition in ferroelectric CsD2P0^ studied by X-ray structure analysis. J. Phys. Soc. Japan, 1983, v. 52, No 8, pp. 2626-2629.

47. Matsunaga H., Itoh Nakamura E. X-ray structural study of ferroelectric cesium dihydrogen phosphate at room temperature. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 48, No 6, pp. 2011-2014.

48. Prazer B.C., Semmingsen D., Ellenson W.D., Shirane G. One-dimensional ordering in ferroelectric CsD2P0^ and CsHgPO^ as studied with neutron scattering. Phys. Rev. B, 1979» v. 20, No 7, PP* 2745-2754.

49. Iwata T., Koyano N., Shibuya I. A neutron diffraction study of the ferroelectric transition of CsHgPO^. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 49, No 1, pp. 304-307.

50. Semmingsen D., Ellenson W.D., Prazer B.C., Shirane G. Neutron-scattering study of the ferroelectric phase transition in CsD2P04. Phys. Rev. Letters, 1977, v. 38, No 22, pp. 12991302.

51. Younblood R., Prazer B.C., Eckert J., Shirane G. Neutron scattering study of the pressure dependence of short-range order in CsD2P04. Phys. Rev. B, 1980, v. 22, No 1, pp. 228-235.

52. Baranov A.I., Ryabkin V.S., Shuvalov L.A. Some dielectric properties of the CsCH^^)^ crystals. isoelectrics, 1980, v. 25, Ho 5-6, pp. 471-474.j

53. Deguchi E., Okaue E., Hakamura E. Effects of deuteration on the dielectric properties of ferroelectric CsHgPO^. I. Static dielectric properties. J. Phys. Soc. Japan, 1982, v.51, Ho 11, pp. 3569-3574.

54. Deguchi K., Hakamura E., Okaue E., Aramaki H. Effects of deuteration on the dielectric properties of ferroelectric CsEgPO^. II. Dynamic dielectric properties. J. Phys. Soc. Japan,1982, v. 51, Ho 11, pp. 3575-3582.

55. Levstik A., £eks В., Levstik I., Unruh E.G., Luther G., Roe-mer H. Dielectric relaxation in pseudo-one dimensional ferroelectric CsDgPO^. Phys. Rev. B, 1983, v. 27, Ho 9, PP.57065711.

56. Крюкова Е.Б. Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов CsHgPO^. ФТТ, 1984, т. 26, Н 3, с. 717-723.- 126

57. Аксенов В.А., Дидык А.Ю., Плакида H.M. О затухании ультразвука в квазиодномерных сегнетоэлектриках. Письма в 1ЭТФ,1983, т. 38, Л 4, с. 157-159.

58. Wada М., Sawada A., Ishibashi I. Some high-temperature properties and the raman scattering spectra of CsHgPO^. J, Phys. Soc. Japan, 1979» v. 47, No 5, pp. 1571-1574.

59. Kasahara M., Aoki M., Tatsuzaki I. Raman study of the phase transition in CsH2P04 and CsD2P0^. Ferroelectrics, 1984, v. 55, No 1-4, pp. 47-50.

60. Ushio S. Temperature variations of optical indicatrix and birefringence in ferroelectric CsH2P0^. J. Phys. Soc.Japan,1984, v. 53, No 9, PP. 3242-3249.

61. Ushio S., Nakamura E., Matsunaga H., Deguchi K. Birefringence of ferroelectric cesium dihydrogen phosphate, CsELjPO^. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 49, No 5, pp. 2085-2086.

62. Deguchi Okaue E., Abe K., Hakamura E. Anomalous behaviour of spontaneous strain in ferroelectric CsH2P0^. -J. Phys. Soc. Japan, 1981, v. 50, Ho 9, pp. 2783-2784,

63. Hakamura E., Abe Deguchi K. Quasi-one-dimensional behaviour of thermal expansion in ferroelectric CsH^PO^. J. Phys. Soc. Japan, 1984, v. 53, No 5, PP. 1614-1616.

64. Deguchi K., Okaue E., Ushio S., Hakamura E., Abe K. Dilato-metric study of the phase transition of quasi-one-dimensional ferroelectric CsH2P04. J. Phys. Soc. Japan, 1984, v.53, Ho 9, PP. 3074-3080.

65. Gesi K., Ozawa K. Effect of hydrostatic pressure on the ferroelectric phase transitions in CsH2P0^ and CsD^O^. Japan J. Appl. Phys., 1978, v. 17, Ho 2, pp. 435-436.

66. Yasuda H,, Okamoto M., Shimizu H., Pujimoto S., Yoshino K., Inuishi Y. Pressure induced antiferroelectricity in ferroelectric CsHgPO^. - Phys. Rev. Letters, 1978, v. 41, Ho 19, pp. 1311-1314.

67. Yasuda H., Fujimoto S., Okamoto M., Shimizu H., Yoshino K., Inuishi Y. Pressure and temperature dependence of the dielectric properties of CsHgPO^ and CsDgPO^. Phys. Rev. B, 1979, v. 20, Ho 7, PP. 2755-2764.

68. Rapoport E., Clark J.B., Richter P.W, Pressure phase relations of RbHgPO^, CsHgPO^ and KDgPO^. J. Sol. St. Chem., 1978, v. 24-, Ho 3-4, PP. 423-433.

69. Blinc R., Lozar B., TopiS B., burner S. ^^Cs spin-lattice relaxation in pseudo-one-dimensional CsH2P0^. J. Phys. C ,1983, v. 16, Ho 25, PP. 5053-5062.

70. Kanda E., Fujimura T. HMR of Cs1^ in ferroelectric CsHgPO^.-J. Phys. Soc. Japan, 1977, v. 45, Ho 5, pp. 1813-1814-.- 128

71. Topiö B., Rutar V., Slak J., Burgar M.I., Punier S., Blinc R. Deuteron magnetic resonance and relaxation study of the pseudo-one-dimensional ferroelectric transition in CsDgPO^.-Phys. Rev. B, 1980, v. 21, Ho 7, PP. 2695-2701.

72. Takeuchi , Abe R. ESR study of the ferroelectric phase transition in CsH^PO^. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 49, Ho 4, pp. 1413-1420.

73. Aksenov V.L., Didyk A.Xu., Plakida n.M. Ultrasonic attenuation in quasi-one-dimensional ferroelectrics. Phys. Stat. Sol. (b), 1984, v. 124, Ho 1, pp. 45-54.

74. Scalapino D.J., Imry I., Pinkus P. Generalized Ginzburg-Lan-dau theory of pseudo-one-dimensional systems. Phys. Rev.

75. B, 1975» v. 11, Ho 5, pp. 2042-2056.5. de Carvalho A.V., Salinas S.R. Theory of the phase transition in the quasi-one-dimensional hydrogen-bonded ferroelectric crystal PbHPO^. J. Phys. Soc. Japan, 1978, v. 44, No 1, pp. 238-245.

76. Zumer S. Pseudo-one-dimensional kinetic Ising model. Phys. Rev. B, 1980, v. 21, No 3, pp. 1298-1303.

77. Glauber R.J. Time-dependent statistics of the Ising model.-J. Math. Phys., 1963, v. 4, No 2, pp. 294-307.

78. B. Suzuki M., Kubo R. Dynamics of the Ising model near the critical point. J. Phys. Soc. Japan, 1968, v. 24, No 1, PP. 51-59.

79. Kanda Yoshizawa M., Yamakami T., Fujimura T. Specific heat study of ferroelectric CsHgPO^ and CsDgPO^. J. Phys.

80. C, 1982, v. 15, No 33» pp. 6823-6831.

81. D. Ashmore J.P., Petch H.E. The structure of RbHSO^ in its pa-raelectric phase. Can. J. Phys., 1975, v. 53, No 24, pp. 2694-2702.

82. Kasahara M., Tatsuzaki I. Study 011 the temperature dependence of 8?Rb electric field gradients in RbDSO^ by NMR. -J. Phys. Soc. Japan, 1974, v. 36, No 3, pp. 786-792.

83. Kasahara M., Tatsuzaki X. Study on the ferroelectric phase transition in RbDSO^ by NMR. I. Deuteron magnetic resonance in paraelectric phase. J. Phys. Soc. Japan, 1974, v. 37, No 1, pp. 167-170.

84. Kasahara M. Tatsuzaki I. Study on the ferroelectric phase transition in RbDSO^ by NMR. II. Deuteron magnetic resonance in ferroelectric phase. J. Phys. Soc. Japan, 1975, v. 38, No 5, PP. 1389-1393.

85. Бажулин П.А., Мясникова Т.П., Раков A.B. Исследование колебательных спектров некоторых сегнетоэлектриков методом комбинационного рассеяния света. ФТТ, 1963, т. 5, #7, с.1783-1790.

86. Мясникова Т.П., Яценко А.Ф. Изменения в инфракрасных спектрах NH4HS04, RbHS04 и (NH4)2S04 при сегнетоэлектрических фазовых переходах. ФТТ, 1962, т. 4, £ 3, с. 653-656.

87. Gesi К., Ozawa К. Effect of hydrostatic pressure on the phase transition in ferroelectric RbHSO^and RbDSO^. J. Phys. Soc. Japan, 1975,. v. 38, No 2, pp. 459-462.

88. Левицкий P.P., Зачек И.Р., Вараницкий В.И. Релаксационная динамика сегнетоэлектрика RbHSO^.- ФТТ, 1980, т. 22, I 9, с. 2750-2755.- 130

89. JO. Ichikawa M. A dielectric study of the isotope effect in ferroelectric RbHSO^. J. Phys. Soc. Japan, 1979, v. 47,1. Ho 5, PP. 1562-1566.

90. Флеров И.Н., Иекорнев И.м. Фазовый переход в одноосном сег-нетоэлектрике RbHSO^, ФТТ, 1976 , т. 18, Л 12, с. 36663669.

91. Kajikawa Н,, Ozaki Т., Hakamura Е. Dielectric critical phenomena in RbHSO^- J. Phys. Soc. Japan, 1977, v. 43, Ho 3, PP. 937-941.

92. Иекорнев И.М., Флеров И.Н. Тепловое расширение сегнетоэлект-рических кристаллов семейства гидросульфата аммония. ФТТ, 1978, т. 20, Л 9, с. 2649-2653.

93. Ozaki Т. Dielectric dispersion in Ferroelectric RbESO^. -J. Phys. Soc.-Japan, 1980, v. 49, Ho 1, pp. 234-241.

94. Красиков B.C., Огурцов С.В., Ушаткин Е.Ф. Высокочастотная диэлектрическая дисперсия в сегнетоэлектрических кислых сульфатах. ФТТ, 1981, т. 23, Л II, с. 3425-3428.

95. Красиков B.C., Ушаткин Е.Ф., Огурцов С.В. Диэлектрическая дисперсия RbHSO^ в области сегнетоэлектрического фазового перехода. ФТТ, 1979, т. 21, Л 2, с. 617-620.

96. Амбразявичене B.C., Волков А.А., Козлов Г.В., Красиков B.C., Крюкова Е.Б. Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов RbHS04. ФТТ, 1983, т. 25, Л 6, с. I605-I6II.

97. Kawashima R., Tatsuzaki I. Ultrasonic study near the ferroelectric phase transition in RbHSO^. J. Phys. Soc. Japan, 1978, v. 44, Ho 2, pp. 509-514.

98. Я. А.С. 938200 (СССР). Способ определения £* нитевидных кристаллов на СВЧ / Григас Й.П., Шугуров В.К., Брилингас А.И. -Опубл. в Б.И., 1982, # 23.

99. Калесинскас В.А., Котов М.Н., Шугуров В.К. Определение диэлектрической проницаемости и потерь в полупроводниковом стержне из измерений коэффициента отражения на СВЧ. Изв. ВУЗ. Радиофизика, 1982, т. 25, #3, с. 363-364.

100. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. -М.: Физматгиз, 1963. 403 с.

101. Беляцкас Р.П. Диэлектрическая дисперсия в цепочных нитевидных кристаллах SbSI на СВЧ. Дисс. . канд. физ.-мат. наук. - Вильнюс, 1979. - 135 с.1. У УТ УТТ

102. Герзанич Е.И., Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики типа А В V11.-М.: Наука, 1982. 228 с.

103. Inushima Т., Uchinokura К., Sasahara К., Matsuura R., Yoshi-zaki R. Raman spectra and soft modes in ferroelectric SbSBr.-Perroelectrics, 1981, v. 38, Ho 9» PP. 885-888.

104. Hiche R., Roetschi H., Wild P. Hew ferroelectric V«VI.VII. compounds of the SbSI type.- Appl. Phys. Lett., 1964, v. 4, No 12, pp. 210-211.

105. Teng U.K., Massot M., Chaves M.R., Amaral M.H. Ziolkiewicz S., Young W. Tr¿critical point induced by atomic substitution in B^Sb^SI. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 63, Ho 2, pp. 605-615.

106. Gervais P. Displacive order - disorder crossover in ferro-electrics. - Perroelectrics, 1984, v. 53, Ho 1-4, pp. 91-98.

107. Калесинскас В., Григас Й., Папротный В. Метод СВЧ спектроскопии нитевидных кристаллов. В сб.: Методы и средства измерений электромагнитных характеристик материалов на ВЧ и СВЧ. - Новосибирск, 1983, с. 39.

108. Калесинскас В., Григас Й., Папротный В., Спицына В. Мягкие моды в кристаллах системы SbSI SbSBr.- ФТТ, 1983, т.25, JE 3, С. 738-745.

109. Папротный В., Григас Й., Сыркин Л.Н. Мягкая микроволновая мода в кристаллах ХГС-2. ФТТ, 1983, т. 25, Л 10, с. 31834 3185.

110. Папротный В., Григас Й., Сыркин Л.Н. СВЧ дисперсия в халько-гениде сурьмы 2. - Лит. физ. сборник, 1984, т. 24, л2,с. 72-80.

111. Paprotny W., Grigas J. Microwave study of the soft ferroelectric mode in TlGaSe2. Perroelectrics, 1985, v. 60 f pp. 135-143.

112. Kozlov G.V., Kriukova E.V., Lebedev S.P., Grigas J., Paprotny W., Uesu Y. Relaxational mode in dielectric spectra of CsH^PO^. Perroelectrics, 1984, v. 54, Ho 1-4, pp.321324. (

113. Levitsky R.R., Grigas J., Mits E.V., Paprotny W., Zachek I.R. Relaxational dynamics of quasi-one-dimensional CsDgPO^-type ferroelectrics. Perroelectries, 1985, v. 62 , pp. 213-219.

114. Paprotny W., Grigas J., Levitsky R.R., Kutny I.V., Krasi-kov V.S. Relaxational dielectric dynamics of RbHSO^ crystalsat microwaves. Perroelectrics, 1984, v. 58 , pp. 175-186.

115. Григас Й., Зачек И.P., Красиков B.C., Кутннй И.В., Левицкий P.P., Папротный В. Изотопический эффект в RbHSO^. -Лит. физ. сборник, 1984, т. ХХ1У, Я 6, с. 33-45.

116. Levitsky R.R., Korinevsky N.A., Stasyuk I.V. Distribution functions and thermodinamical properties of KD2p0^ and ND4D2P04 type crystals. Phys. Stat. Sol. (b), 1978, v.88, Ho 1, pp. 51-63.

117. Stasyuk I.V., Levitsky R.R. The role of proton-proton interaction in the phase transition of ferroelectrics with hydrogen bonds. Phys. Stat. Sol., 1970, v. 39, No 1, pp. K35-K38.

118. Zeks В., Schukla L.C., Blinc R. Dynamics of ferroelectric Rochelle salt. Phys. Rev. B, 1971, v. 3, No 7, pp. 23062309.

119. Powell D.R., Macdonald J.R. A rapidly convergent iterative method for the solution of the generalized nonlinear least squares problem. The Computer J., 1972, v. 15, No 2,pp. 148-155.

120. Southwell W.H. Pitting data to nonlinear functions with uncertainties in all measurement variables. The Computer J.,1976, v. 19, No 1, pp. 69-73.

121. Konczak S., Nowak M. The estimation of semiconductor parameters using least squares in photomagnetoelectric investigations. Phys. Stat. Sol. (a), 1981, v. 63, No 1, pp. 305311.

122. Britt H.I., Luecke R.E. The estimation of parameters in nonlinear, implicit models. Technometrics, 1973, v. 15, No 2, pp. 233-247.

123. Marquardt D.W. An algorittmi for least-squares estimationof nonlinear parameters. SIAM J. of Computing, 1963» v.11, Ho 2, pp. 431-441.