Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Галиярова, Нина Михайловна

• Галиярова, Нина Михайловна
• доктор физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Галиярова, Нина Михайловна

ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ГЛАВА 1.

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ КАК МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА (аналитический обзор литературы)

1.1. Основные направления физики релаксационных явлений

1.2 Макроскопическое описание дисперсии диэлектрической проницаемости. Дебаевский диэлектрический отклик

1.3 Представления о распределении времен релаксации

1.3.1 Симметричные спектры е*

1.3.2 Несимметричные спектры 8*

1.3.3 Дискретный диэлектрический спектр

1.4. Влияние проводимости на диэлектрические спектры

1.4.1. Сквозная и прыжковая проводимость

1.4.2. Проводимость в теории протекания

1.4.3. Закономерности низкочастотного диэлектрического отклика и проводимости

1.5. Доменные границы и дефекты в диэлектрическом отклике сегнетоэлектриков в низкочастотных полях

1.5.1. Экспериментальные исследования диэлектрических свойств в слабых и ультраслабых полях

1.5.2. Модельные и микроскопические теории динамики доменных границ и диэлектрического отклика

1.6. Феноменологическое описание диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в окрестностях фазовых переходов

1.6.1. Равновесные диэлектрические свойства 56 1.6.1.1 .Теория самосогласованного поля 56 1.6.1.2.Флуктуационная теория фазовых переходов

1.6.2. Динамический диэлектрический отклик.

1.6.3. Релаксация поляризации в неравновесной термодинамике

1.6.4. Феноменологические типы дефектов в сегнетоэлектриках

1.6.5. Полидоменные сегнетоэлектрики 63 1.6.5.1 .Термодинамическое описание 63 1.6.5.2.Механизмы переполяризации и нелинейность диэлектрического отклика

1.7 Теория скейлинга в физике конденсированного состояния 70 1.7.1.0 понятии фрактала и фрактальных размерностях

1.7.2. Критические явления в теории протекания

1.7.3. Концепция мультифракталов

1.7.4 Фрактальные множества времен событий и диэлектрический отклик фрактальных систем

1.8 Выводы по обзору литературы 81 1.9. Задачи, объекты и методы исследования

ГЛАВА 2.

УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА ФРАКТАЛЬНЫХ СИСТЕМ

2.1 Основные типы диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков

2.2. Линейный вариант неравновесной термодинамики и его фрактальный аналог в описании диэлектрических спектров двухфазной или полидоменной системы

2.2.1. Простейшие типы дисперсии диэлектрической проницаемости однородных систем в слабых полях

2.2.2. Закономерности эволюции диэлектрических спектров при изменении соотношения сил, действующих на доменные границы. Параметры подобия

2.2.3. Фрактальный диэлектрический отклик. Подобие диэлектрических спектров в слабых полях

2.3. Фрактальность доменов, доменных границ и областей переполяризации

2.3.1. Статические доменные конфигурации

2.3.2. Автомодельносгь движения доменных границ

2.4. Физический смысл дробно-дифференциальных уравнений динамики доменных границ

2.4.1. Самоподобие областей переполяризации и немарковский характер коуловской дисперсии е*

2.4.2. Временные функции диэлектрического отклика и муль-тифрактальность коуловской релаксации на временной шкапе

2.4.3. Монофрактальность частотного и временного отклика релаксоров. Сравнение с другими видами отклика Выводы к главе

ГЛАВА 3.

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ОТКЛИК ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ, ОБРАТИМОЕ ДВИЖЕНИЕ ДОМЕННЫХ ГРАНИЦ И РОЛЬ ДЕФЕКТОВ

3.1 Задачи и объекты исследования

3.2 Особенности диэлектрического отклика при обратимом движении доменных границ

3.2.1. Влияние концентрации и подвижности доменных границ на коуловскую дисперсию диэлектрической проницаемости

3.2.2 Температурные зависимости параметров коуловской дисперсии е*

3.2.3 Реверсивные зависимости параметров коуловской дисперсии б* (на примере RS)

3.2.4 Эволюция коуловской дисперсии б* при старении

3.2.5 Две доменные области дисперсии. В чем различие?

3.2.6 Характеристики обратимого упруго-вязкого движения доменных границ

3.2.7. Фрактальные свойства доменных границ в CDP

3.3 Дефекты: релаксация поляризации и последействие

3.3.1. Низкочастотная релаксация недоменного происхождения

3.3.2. Доменная релаксация и последствие (ретардация)

3.3.2.1. Феноменологическое рассмотрение

3.3.2.2. Сравнение процессов релаксации и ретардации 163 Выводы к главе

ГЛАВА 4.

ЛИНЕЙНАЯ ДИСПЕРСИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ Введение

4.1 ИНЧ D+ линейная дисперсия б* и необратимое движение доменных и межфазных границ

4.1.1. Прыжковая проводимость и неупругая поляризация

4.1.2. Коуловская и линейная D+ дисперсия s* в окрестности фазового перехода триглицинсульфата

4.1.2.1 Влияние температуры, амплитуды поля и облучения на параметры TGS

4.1.2.2 Влияние старения на линейную //-дисперсию s*

4.1.2.3 Характеристики упругого и неупругого движения доменных границ

4.2 Движение доменных границ по модели Фрелиха

4.3 Эволюция линейной дисперсии 8* при фазовом переходе в TGS и xr-TGS

4.4. Линейная дисперсия 8* в окрестностях фазовых переходов кристаллов группы сегнетовой соли

4.5. Спектры s*, 1/е* и электропроводности титаната бария

4.6. Виды линейной дисперсии s* в пьезокерамике

4.6.1. If, D° и D~ типы линейной дисперсии 8*

4.6.2. Дополнительность локальных и фрактально-волновых представлений в описании дисперсии Выводы к главе

ГЛАВА 5.

ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ И ПРЕДПЕРЕХОДНЫЕ ЯВЛЕНИЯ Введение

5.1 Температурные зависимости диэлектрической проницаемости: отклонения от закона Кюри-Вейсса, доменный вклад и влияние дефектов

5.1.1. Закон Кюри-Вейсса и отклонения от него

5.1.1.1. Результаты экспериментальных исследований

5.1.1.2. Термодинамический анализ равновесных свойств

5.1.1.3. Термодинамический анализ неравновесных свойств

5.1.1.3. Термодинамический анализ неравновесных свойств

5.1.2. Дефекты сегнетовой соли.

5.1.2.1 Перераспределение дефектов при старении

5.1.2.2 Феноменологическая классификация дефектов

5.1.3. Влияние радиационных дефектов на диэлектрические свойства триглицинсульфата

5.1.4. Закон Кюри-Вейсса в морфотропной области керамики PZTNB

5.2 Критическое замедление ИНЧ релаксации

5.2.1 Дисперсия 8* в TGS и xr-TGS

5.2.2 Коуловская и линейные виды дисперсии в сегнетовой соли. Особенности низкотемпературного ФП.

5.2.3 Диссипация и корреляционные эффекты

5.2.4. Свойство масштабной инвариантности

5.2.5. Перколяционнные свойства и динамический скейлинг

5.2.6. Фрактальная модель кроссовера от активационного механизма к критическому замедлению

5.2.7. Замедление как результат коллективных взаимодействий 272 Выводы к главе

ГЛАВА 6.

КООПЕРАТИВНЫЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ОТКЛИКЕ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ

Введение

6.1. Кинетика переполяризации

6.1.1. Экспериментальные факты и основные положения

6.1.2. Нелинейный диэлектрический отклик в слабых полях

6.1.3. Средние и сильные поля

6.1.3.1 Изменение удельной поверхности границ

6.1.3.2 Самоафинность и подобие диэлектрических спектров

6.1.3.3 Подобие амплитудных зависимостей диэлектрической проницаемости и потерь 299 6.1.3.4. Боковое и торцевое движение доменных границ в условиях взаимодействия с электронной подсистемой

6.2 Термический гистерезис в области морфотропного перехода пьезокерамики PZTNB

6.3 Коллективная доменная динамика

6.3.1.1 Диэлектрические свойства молибдата гадолиния в области стохастического отклика

6.3.1.2 Доменная структура молибдата гадолиния и особенности движения доменных границ

6.3.1.3 Совместное движение ортогональных доменных границ 314 6.3.2 Отрицательные диэлектрические потери 315 6.3.2.1. Влияние экранирования на диэлектрические спектры

6.3.2.2. Связь с диэлектрически ненаблюдаемыми процессами

6.3.2.3 Параметрические и автоколебания доменных границ

6.4. Влияние предыстории на действующие силы

Выводы к главе

ГЛАВА 7.

ФРАКТАЛЬНО-СИНЕРГЕТИЧЕСКАЯ КОНЦЕПЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Введение

7.1 Неэкспоненциальные функции памяти и фрактальность диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков

7.2 Немарковская релаксация как кооперативный процесс

7.3 О связи фрактальных и статистических свойств

7.4. Статистическая модель самоорганизации доменной структуры

7.5. Спонтанное движение доменных границ и сопутствующие процессы как источники шума

7.6. Симметрийный аспект диэлектрического отклика фрактальных систем и их динамической самоорганизации

Выводы к главе

ВЫВОДЫ

Список используемых сокращений и обозначений

Благодарности

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Диэлектрическая спектроскопия сегнетоэлектриков, фрактальность и механизмы движения доменных и межфазных границ»

Актуальность научного направления и темы.

Настоящая работа находится в русле фундаментальной проблемы физики конденсированного состояния вещества - исследования физических процессов, происходящих в реальных (неупорядоченных, частично упорядоченных или содержащих дефекты) кристаллах. На современном этапе усилия исследователей сосредоточены на изучении динамического поведения и неравновесных состояний неоднородных нелинейных систем. На этом пути возникло фрактально-синергетическое направление в материаловедении, разработаны новые технологии управления свойствами материалов, произошло стремительное развитие многофункциональной микроэлектроники.

Перспективную тенденцию в развитии электронной техники определяет идея управления свойствами сегнетоэлектрических материалов путем полевых воздействий на доменную структуру, воплотившаяся в области «доменной инженерии». Разрабатываются и применяются акусто-, опто- и диэлектронные устройства на основе сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков. Современные технологии и перспективы их дальнейшего развития связаны с принципиально новым подходом - управлением параметрами динамических неоднородностей среды и доменных границ, традиционно считавшихся вредными дефектами материала. В связи с этим исследования механизмов движения доменных и межфазных границ, их взаимодействия с дефектами, естественной и вызванной внешними воздействиями эволюции доменной структуры и связанных с нею изменений диэлектрических свойств являются особенно актуальными.

Диссертация посвящена экспериментальному исследованию и теоретическому анализу механизмов движения доменных и межфазных границ (ДГ и МГ) в сегнетоэлектрических монокристаллах и керамике по диэлектрическому отклику исследуемого материала. Наиболее информативным для целей настоящей работы является метод диэлектрической спектроскопии (исследования зависимости комплексной диэлектрической проницаемости е* от частоты электрического гармонического поля) в области низких и инфранизких частот (НЧ, ИНЧ), где времена релаксации поляризации определяются динамикой ДГ и МГ. Для исследования квазиравновесных состояний применялись слабые поля, не искажающие доменную структуру сегнетоэлектрика. Изучение неравновесных состояний и нелинейных динамических процессов поляризации проводилось в сильных полях до полной переполяризации.

Теоретическую основу метода диэлектрической спектроскопии составляют неравновесная термодинамика, теория поля, модельные барьерные и микроскопические динамические теории, развитые для однородных сред. В последние десятилетия развиты термодинамические теории точечных и протяженных дефектов, методами теории поля описано и смоделировано взаимодействие ДГ с дефектами. Однако теория поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в переменных полях до последнего времени строилась на простейших моделях (например, дебаевской) релаксации и ограничивалась рассмотрением квазиравновесных процессов и единственного механизма поляризации.

Развитие диэлектрической спектроскопии, ориентированное на изучение механизмов поляризации в сегнетолектрических кристаллах с доменами, кластерами и дефектами имеет фундаментальное значение и практические приложения. В настоящей работе изучены экспериментально и описаны теоретически отклонения от дебаевской релаксации и спектры недебаевского типа, применены неравновесная термодинамика в сочетании с синергетическими моделями, перколяционной и фрактальной теориями, в которых неоднородность и нелинейность исследуемого неоднородного объекта приняты во внимание как основной фактор, а не как малые поправки, слабо возмущающие систему.

Прикладные аспекты настоящего исследования связаны с востребованностью сегнетоэлектрических монокристаллов и керамики современной техникой (гидроакустикой, квантовой электроникой, интегральной оптикой, радиотехникой). Перспективными и применяемыми в настоящее время материалами являются кристаллы групп триглицинсульфата (в высокочувствительных пиропри-емниках и пировидиконах), дищдрофосфата калия (в лазерных технологиях, голографии), молибдата гадолиния (в акусто- и оптоэлектронике, устройствах памяти с электрическим и оптическим считыванием информации), титаната бария, триглицинеульфата и др. (в качестве активных материалов лазеров). Выявление механизмов движения доменных границ может дать широкий выбор методов для разработки устройств, основанных на управлении перемещением и свойствами доменных границ. Исследования закономерностей эволюции диэлектрических свойств важны, с одной стороны, для управления переключательными свойствами нелинейных элементов, а с другой стороны, - для обеспечения стабильности работы устройств на основе сегнетоэлектриков.

Указанными обстоятельствами продиктованы задачи как экспериментальных исследований диэлектрических спектров полидоменных сегнетоэлектриков в широких диапазонах изменения температуры, частоты, амплитуды поля, при различных воздействиях на доменную структуру и в зависимости от предыстории образцов, так и теоретического анализа происходящих процессов.

Цель и задачи работы

Целью настоящей работы является исследование НЧ, ИНЧ диэлектрического отклика реальных сегнетоэлектриков и родственных материалов, изучение механизмов движения доменных и межфазных границ и проявлений их фрактальных закономерностей в свойствах релаксационных параметров.

Для достижения данной цели решались следующие задачи:

1) экспериментально исследовать диэлектрические спектры сегнетоэлектрических монокристаллов и неупорядоченных материалов в зависимости от внешних воздействий, предыстории объектов, наличия в них дефектов;

2) выполнить теоретический анализ фрактального диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков в рамках термодинамического и фрактального формализма для основных механизмов движения доменных границ; разработать методы анализа диэлектрических спектров недебаевского типа; исследовать эволюцию диэлектрического отклика с учетом эффекта экранирования в процессах установления поляризации;

3) определить количественные характеристики упругого и неупругого релаксационных движений доменных границ, исследовать влияние дефектов, факторов предыстории, неэргодичности системы;

4) исследовать особенности диэлектрического отклика, связанные с фазовым переходом (ФП), предпереходными явлениями и изменениями доменной структуры на основе анализа параметров релаксации и ретардации, фрактальных размерностей и критических индексов исследуемых свойств;

5) исследовать проявления нестабильности диэлектрических свойств, возникновения нелинейного и стохастического отклика и проанализировать их с учетом взаимосвязи процессов поляризации и экранирования;

6) выявить причины универсальности диэлектрического отклика конденсированного состояния вещества, и особенностей эволюции фрактальных свойств в сегнетоэлектрических материалах с доменными и межфазными границами.

Объекты и метод исследования

Исследованы модельные сегнетоэлектрические монокристаллы группы сегнетовой соли (RS) и триглицинсульфат (TGS), не исследованные ранее в ИНЧ диапазоне дигидрофосфат цезия (CDP), титанат бария (ТВ), молибдат гадолиния (GMO), неоднородные диэлектрики на основе нитрида алюминия (A1N), пьезокерамика на основе цирконата-титаната свинца с модифицирующими добавками (PZT-35, PZTNB-1 и PZT-19). С целью выявления роли дефектов в диэлектрическом отклике исследованы монокристаллы: сегнетова соль с примесями лития (LRS), карбамида (CRS), дефектами дегидратации (dh-RS), триглицинсульфат с радиационными дефектами (xr-TGS), дейтерированные монокристаллы DRS, DTGS и DCDP.

Выбор объектов исследования обеспечивает разнообразие свойств материалов и дает возможность апробации развиваемых методов анализа диэлектрических спектров на модельных кристаллах. Кристаллы различаются по принадлежности к различным кристаллографическим классам, роду фазового перехода и его микроскопическому механизму, форме и типу доменных границ в кристаллах, наличию или отсутствию сегнетоэлектрических, сегнетоэластиче-ских, пироэлектрических и полупроводниковых свойств.

Монокристаллы RS, TGS, CDP и их примесные и дейтерированные аналоги выращены в ИКАН им. А.В. Шубникова (В.П. Константиновой, Н.Г. Максимовой, Н.М. Щагиной). Там же осуществлялось рентгеновское облучение (Т.Р. Волк). На поверхности кристаллов, полированных до оптического качества, наносились серебряные или золотые электроды путем напыления в вакууме или накатывая фольги. Образцы пьезокерамики изготовлены в СКТБ завода «Аврора», электроды нанесены вжиганием серебряной пасты. Образцы для диэлектрических измерений представляли собой тонкие плоскопараллельные пластины, толщиной много меньшей поперечных размеров (в среднем от 0,5 до 4 мм).

Измерения комплексной диэлектрической проницаемости е* = е' - is" выполнены в диапазоне частот от 10"1 до 104 Гц, в отдельных случаях до 106 Гц мостовым методом с раздельным определением ее действительной г' и мнимой е" составляющих, разработанным к.ф.-м.н. Э.С. Поповым. Изготовление и совершенствование установки выполнено к.т.н. Гориным С.В. и аспирантом Васильевым Д.Г. под руководством Э.С. Попова и при участии БЛ. Четвергова. Установки соответствуют международным метрологическим стандартам и позволяют выполнять измерения с погрешностями не более бе' < ± 0,5 % и бе" < ± 1 %. Температурная стабилизация осуществлялась с точностью ± 0,005°С (в отдельных экспериментах с точностью ± 0,01°С) при длительности стабилизации температуры от получаса до суток. Релаксационные параметры рассчитывались путем минимизации относительных отклонений расчетных значений от экспериментальных данных на основе разработанных автором программ. При хорошо разрешенных областях дисперсии погрешность расчета времени релаксации не превышает 3 %, остальных параметров 1 %. Амплитуда измерительного поля варьировалась в зависимости от целей и объектов исследования от 10"2 В-см"1 (ультраслабые поля) до сильных полей, превышающих коэрцитивное поле. Одновременно применялись постоянные электрические поля или механические напряжения, позволяющие варьировать концентрацию доменных границ.

Наряду с диэлектрическими измерениями для ряда кристаллов (RS, TGS, ТВ, GMO) исследовались закономерности эволюции доменной структуры и характера движения ДГ на оптических микроскопах ММР-2Р и Neophot-21.

Научная новизна результатов состоит в развитии методов анализа диэлектрических спектров и объяснении их природы на основе представлений о фрактальности и других проявлений самоорганизации неоднородных систем, к которым относятся реальные сегнетоэлектрики.

Получены следующие новые результаты.

1. Для неравновесной двухфазной (полидоменной) фрактальной системы на основе ее термодинамического и модельного описания с использованием дробно-дифференциальных уравнений обосновано существование различных типов диэлектрического отклика и выполнена обобщенная классификация диэлектрических спектров по механизмам движения доменных границ. Показано, что дробно-степенная и «смешанная» статистика времен релаксации обусловлена немарковским характером процессов (зависимостью действующих на доменные границы сил от предыстории объекта и коррелированностью механизмов поляризации). Спонтанное движение доменных границ может быть источником фрактальных шумов, в том числе броуновского и фликкер-шума.

2. На основе полученных уравнений исследованы различные виды линейной дисперсии диэлектрической проницаемости и проводимости и выявлены их доменные и транспортные механизмы с учетом фрактальности среды.

3. Впервые по диэлектрическим спектрам RS, TGS, CDP в зависимости от температуры, частоты и амплитуды измерительного поля, наличия дефектов проведено сравнительное исследование упругого и неупругого движения доменных границ, изучены изменения их фрактальных свойств. Для кристалла CDP обнаружены и изучены проявления неэргодичности.

4. Обнаружено экспериментально и обосновано теоретически критическое замедление процессов а и |3 релаксации, связанных с движением доменных и межфазных границ. Исследован динамический скейлинг в областях ФП.

5. Выявлены фрактальность доменных границ, участки их автомодельного движения и определены фрактальные размерности. Установлены причины фрактального диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков.

6. Исследовано поведение релаксационных параметров в области стохастического диэлектрического отклика GMO. Обнаружен экспериментально и исследован теоретически диэлектрический отклик GMO с отрицательными вкладами в диэлектрическую проницаемость и диэлектрические потери.

Научная и практическая значимость исследований:

• Диэлектрический отклик полидоменных сегнетоэлектриков, принадлежащих различным кристаллофизическим классам, является универсальным. Его описание может быть адекватно проведено на основе единого фрактально-синергетического подхода с учетом механизмов движения доменных границ.

• Результаты комплексного исследования релаксации и последействия, выявленная роль консервативных и диссипативных процессов в происхождении типа диэлектрического отклика и проявлении его фрактальности, немарковский характер этих процессов отражают фундаментальные свойства неоднородных конденсированных сред.

• Предложенные методы описания и анализа диэлектрических спектров обеспечивают более точное прогнозирование диэлектрического отклика и определение набора характеристик неупорядоченных систем. Новые методы диэлектрической спектроскопии и полученные результаты представляют теоретический и практический интерес.

• Обнаруженные закономерности критического замедления расширяют представления о фазовых переходах в неоднородных системах и динамике их протекания. В области ФП релаксационные параметры и их изменения чувствительны к структуре неоднородных сегнетоэлектрических материалов и могут служить показателями их качества.

• Полученная информация о характеристиках доменных границ в кристаллах с дефектами имеет большое значение для разработки элементов многофункциональной электроники, управление которыми осуществляется через воздействие на доменную структуру, систему дефектов, перемещение границ и их фрактальные свойства.

• Экспериментальное обнаружение и проведенный анализ стохастического отклика и отрицательных диэлектрических потерь полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов в области ИНЧ представляют интерес для дальнейшего развития нелинейной динамики, физики реальных сегнетоэлектриков, а также для разработок сегнетоактивных материалов с нетрадиционными возможностями управления их свойствами.

• Сегнетоэлектрик в электрическом поле является нелинейной открытой системой, а изменение его доменной структуры может носить характер самоорганизации. Поэтому фрактально-синергетический подход к полидоменным сегнетоэлектрическим системам оправдан и перспективен как в фундаментальных, так и прикладных исследованиях.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту:

1. Существует несколько универсальных для конденсированного состояния, в том числе для полидоменных сегнетоэлектриков с дефектами, типов диэлектрического отклика, общим свойством которых является наличие распределения времен релаксации, обусловленного фрактальностъю системы. Различие типов дисперсии е* доменного происхождения обусловлено соотношением действующих на доменные границы сил и видом функции памяти.

2. Термодинамическое и модельное описание фрактальной полидоменной системы на основе дробно-дифференциальных уравнений эквивалентно учету функций памяти дробно-степенного или дробно-экспоненциального вида и означает немарковский (зависящий от предыстории) характер релаксации поляризации. Порядок 0 < р < 1 дробной производной по времени в кинетических уравнениях, характеризующий долю некоррелированных актов рассеяния после потери памяти о предыдущих состояниях, выражает антиперсистентное движение доменных границ в условиях смягчения вязкого трения, то есть, аномального характера диффузии (субдиффузии) дефектов, создающих торможение.

3. На параметры НЧ, ИНЧ диэлектрических спектров главным образом влияют структурные особенности мезоскопического масштаба, взаимодействие доменных границ с дефектами и электронной подсистемой, а не микроструктура вещества, природа переносимого заряда или род фазового перехода.

4. Полученные на основе диэлектрических спектров количественные характеристики доменных границ, в том числе фрактальные, вносят новый вклад в существующие представления о поляризации реальных сегнетоэлектриков.

5. Имеются интервалы температур, частот и напряженностей электрического поля, где имеет место подобие диэлектрических спектров, а изменение параметров релаксации и ретардации соответствует гипотезе динамического скей-линга. При значительной вариации внешних воздействий наблюдается муль-тифрактальное поведение, изменение соотношения вкладов одновременно протекающих процессов и критическая смена ведущего механизма поляризации.

6. Закономерности эволюции диэлектрических спектров и механизмов поляризации в средних и сильных полях, явления стохастичности и возникновение отрицательных диэлектрических потерь отражают этапы самоорганизации ме-зоскопической системы за счет коллективных процессов.

7. Характерные свойства диэлектрического отклика полидоменных сегнетоэлектриков: нелинейность, критическая (бифуркационная) смена механизмов поляризации, их кооперативный характер, самоорганизация доменной структуры и системы дефектов, - типичны для синергетической системы.

Личный вклад автора.

Результаты, изложенные в диссертации, получены в период с 1977 по 2006 год на кафедре физики ВолгГАСУ. Работа выполнена в развитие исследований предшественников (Шильников, 1989; Донцова, 1990) механизмов движения доменных границ на основе разработки методов диэлькометрического анализа и применения фракгально-синергетических представлений. Большинство экспериментальных данных получено лично автором. Часть экспериментов выполнена совместно с коллегами и аспирантами под руководством автора и при непосредственном участии в измерениях. В экспериментальных исследованиях диэлектрических свойств принимали участие: к.т.н. С.В. Горин, к.ф.-м.н. Е.Г. Надолинская, к.ф.-м.н. В.А. Федорихин, д.ф.-м.н. А.И. Бурханов и аспиранты Д.Г Васильев и JI.X Вологирова. Исследования ВЧ диэлектрических спектров выполнены совместно с проф. Г. Арльтом (Институт электротехники г.Аахен, Германия). Микроскопическое изучение доменных структур и явлений переполяризации выполнено совместно с д.ф.-м.н. Л.И. Донцовой, к.т.н. С.В. Гориным и аспирантами А.Б. Бей и А. П. Поздняковым. В обсуждении отдельных результатов исследования приняли участие д.ф.-м.н. А.В. Шильников, к.ф.-м.н. Э.С. Попов, д.ф.-м.н. Л.И. Донцова, к.т.н. С.В. Горин, д.ф.-м.н. Л.А. Шувалов, д.ф.-м.н. А.С. Сигов и д.ф.-м.н. Т.Р. Волк. Постановка цели и задач диссертационного исследования, полный теоретический анализ, включая разработку моделей и компьютерных программ для расчета релаксационных параметров и характеристик доменных границ, а также впервые выполненные экспериментальные и теоретические исследования необратимого движения доменных границ, стохастического отклика и отрицательных потерь выполнены автором лично.

Тема работы соответствовала планам научно-исследовательских работ ГКНТ СССР и РСФСР, академии наук СССР и РАН в области естественных наук по направлениям «Физика твердого тела» и «Физика и химия неорганических материалов», а также приоритетным направлениям, поддерживаемым Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 94-7.10-3014).

Достоверность полученных результатов и выводов обеспечивает:

• высокое качество экспериментальных измерений, выполненных в условиях точной и длительной термостабилизации исследуемых объектов; многовариантная постановка экспериментов с изменением предыстории образцов и характера воздействий (электрические поля, механические напряжения, отжиг, длительное старение, скорость нагревания или охлаждения);

• проведение визуальных наблюдений за изменениями доменной структуры в условиях, соответствующих диэлектрическим измерениям;

• применение компьютерных методов для расшифровки и моделирования диэлектрических спектров, апробация моделей на широком классе диэлектрических материалов;

• использование для анализа данных современных теоретических представлений (теории фазовых переходов, теории динамического скейлинга, методов фрактальной физики, теории протекания и синергетики);

• соответствие результатов аналитических и численных решений, соотнесение полученных данных с работами других авторов, предшественников и представителей разных научных школ.

Публикации и апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались на следующих симпозиумах и конференциях: IX Всесоюзное совещание в по сегнетоэлектричеству (Ростов/Д 1979); Всесоюзный семинар «Фазовые переходы в сегнетоэлектри-ках» (Москва 1984); 6-ая Европейская конференция по сегнетоэлектричеству (Познань, Польша 1987), VI Всесоюзная конференция по физике диэлектриков (Томск 1988), IV и V Всесоюзные школы-семинары по физике сегнетоэласти-ков (Днепропетровск 1988, Ужгород 1991), III Всесоюзная конференция по физико-химическим основам технологии сегнетоэлектрических и родственных материалов (Звенигород 1988); 9, 11, 12 Всесоюзные и 13-17 Всероссийские конференции по физике сегнетоэлектриков (Черновцы 1986, Ростов-на-Дону 1989, Тверь 1992, Иваново 1995, Ростов-на-Дону 1999, Тверь 2002, Пенза 2005); I Советско-польский симпозиум по физике сегнетоэлектриков и родственных материалов. (1989, Черновцы); Всесоюзная конференция «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров 1990); Всесоюзная конференция «Современные проблемы физики и ее приложений» (Москва 1990); IY Всесоюзная конференция «Актуальные проблемы получения и применения сегне-то-, пьезо-, пироэлектрических и родственных им материалов» (Москва 1991); 5-ый Русско-Японский симпозиум по сегнетоэлектричеству (Москва 1994); Международная конференция «Электрическая релаксация в высокоомных материалах: Релаксация-94» (Санкт-Петербург 1994 г); Международный семинар «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж 1993, 1995, 2004); Международный семинар по сегнетоэлектрическим релаксорам (Дубна 1996); 6-й и

7-ый международные семинары по физике сегнетоэлектриков (Воронеж 1994, Казань 1997); 7-ой международный семинар по сегнетоэлектрикам (Корея, 1997); IX Международная конференция «Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах» (Тула 1997); 1-ая Международная конференция по проблемам самоорганизации и управления в сложных коммуникационных пространствах НООТЕХ-97 (Санкт-Петербург 1997); 1-7 международные симпозиумы по доменным и мезоскопическим структурам ферроиков ISFD: (Россия, Волгоград 1989; Франция, Нант 1992; Польша, Закопане 1994; Австрия, Вена 1996; США, Пенсильвания 1998; Франция, 2002); Международная конференция по материаловедению и физике конденсированного состояния (Молдова, 2001); 7 Международный симпозиум по сегнетоэлектричеству RCBJSF-7 (Санкт-Петербург 2002), семинар памяти В.М. Рудяка «Процессы переключения в сег-нетоэлектриках и сегнетоэластиках» (Тверь 2002); Международный семинар по физике сегнетоэластиков (Воронеж 1994, 2003); 2-ой Международной конференции по физике электронных материалов ФИЭМ-02 (Калуга 2005).

По теме диссертации опубликовано 160 работ, из них 59 статей в рецензируемых изданиях, в том числе 29 работ, соответствующих перечню ВАК. Результаты исследований, включенные в диссертацию, достаточно полно отражают 46 статей, список которых приведен в конце автореферата. При участии автора разработаны методы контроля качества пьезоэлектрических и сегнето-керамических материалов и применены в производстве сегнетоэлектрической керамики (г. Волгоград), имеется патент на изобретение [47].

Структура работы.

Диссертация состоит из введения, семи глав, заключения, списка цитируемой литературы и приложения. Общий объем диссертации составляет 380 страниц, 124 рисунка, 43 таблицы и список литературы из 678 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Галиярова, Нина Михайловна

ВЫВОДЫ

1. Выявлены экспериментально и получены в рамках термодинамического описания полидоменной системы универсальные для конденсированного состояния типы диэлектрических спектров е*(ю), свидетельствующие о фрактальности сегнетоэлектрика с доменами и кластерами. Показано, что диэлектрический отклик в области НЧ и ИНЧ зависит от свойств доменной структуры (соотношения консервативных и диссипативных сил, природы фрактальности, наличия коллективных процессов, особенностей потенциального рельефа и механизмов потерь энергии), а не от микроструктуры вещества.

2. Универсальность диэлектрического отклика в слабых полях обусловлена фундаментальным характером поведения термодинамической системы вблизи состояния равновесия и соответствует принципу Пригожина. Временная корре-лированность процессов релаксации приводит к самоорганизации системы и автомодельному характеру движения доменных границ (ДГ).

3. Обратимому релаксационному движению доменных границ в сегнетоэлектриках соответствуют виды дисперсии е* Коула-Коула, Дэвидсона-Коула, Кольрауша-Вильямса-Ваттса, Гаврилиака-Негами. Статистический смысл функций распределения времен релаксации отражает немарковский характер фрактальных процессов, описываемой различными функциями памяти.

4. ИНЧ /)+-линейная дисперсия е* возникает при исчезновении возвращающих сил, например, при неупругом, контролируемом только вязким трением движении доменных границ, при делокализации носителей зарядов и прыжковой проводимости, при экранировании поляризации на внутренних поверхностях и в приэлектродном слое.

5. «D0- и D~y> типы линейной дисперсии е* (отрезки прямых нулевого и отрицательного наклона) характерны для процессов стеклования, «замораживания» доменных границ и дефектов, размытых фазовых переходов и фрактальных систем с проводимостью поляронного типа (кристаллы группы RS, CDP, пьезокерамика в области морфотропного перехода).

6. На основе предложенных методов расчета получены количественные характеристики доменных границ: модельные коэффициенты упругости и вязкого трения, скорости, подвижности и податливости. Выполнено сравнение обратимого упругого движения доменных границ разной степени жесткости (RS, CDP), обратимого и необратимого движения доменных границ в TGS. Изучено изменение характеристик доменных границ вблизи фазовых переходов, в условиях неэргодичности, при «замораживании» доменных границ (CDP) и дефектов (RS), при наличии дефектов изотопического и изовалентного замещения.

7. Формирование и эволюция доменной структуры происходит в ходе самоорганизации термодинамической системы в условиях согласованного протекания всех процессов (при взаимодействии границ с дефектами, экранирующими зарядами, поляроно-подобными состояниями). Вдали от состояний равновесия признаками самоорганизации являются нестабильность и стохастичность диэлектрического отклика, отрицательные вклады в диэлектрическую проницаемость и потери. Вблизи состояний равновесия отклик фрактальной структуры сегнетоэлектрика характеризуют заниженные по сравнению с откликом идеальной структуры диэлектрические потери. Критическая динамика осуществляется путем согласованного протекания кооперативных процессов в соответствии с динамическим скейлингом.

8. Впервые обнаружено критическое замедление НЧ и ИНЧ процессов релаксации доменно-кластерной природы в области ФП, определены критические индексы и сопоставлены с теоретическими оценками. Обоснование наблюдаемых критических зависимостей времен релаксации для коуловской и линейной дисперсии дано с учетом скейлинга коэффициентов упругости и трения. Отмечено совпадение критических показателей с индексами теории протекания, теорией динамического скейлинга и моделями фрактальных систем.

9. Выявлена высокая чувствительность динамической дробной размерности и других фрактальных параметров к изменению свойств доменных и межфазных границ и механизмов поляризации, в частности, к смене упругого движения границ на пластическое, доменной природы релаксации на кластерную.

10. Экспериментально установленные закономерности НЧ-, ИНЧ- диэлектрических спектров полидоменных сегнетоэлектриков, их теоретическое описание и соответствие результатам фрактального анализа доменных границ показывают плодотворность применения фрактальных представлений к сегнето-электрическим системам с доменными границами, кластерами и дефектами. Фрактальный характер диэлектрического отклика и критического поведения релаксационных параметров обусловлен: 1) фрактальной геометрией границ, определяющей скейлинговые свойства коэффициента упругости, 2) аномальной диффузией дефектов, определяющей скейлинговые свойства коэффициента трения, 3) самоподобием доменной структуры и областей поляризации, 4) «смешанной» статистикой, коррелированностью и немарковским характером процессов релаксации, выражающемся в явлениях последействия.

В работе получен также ряд результатов частного характера, из которых наиболее важными являются следующие:

1. Выявлены закономерности временной эволюции диэлектрических спектров при изменении свойств доменных границ и условия самоподобия (постоянство параметров гомохронности и динамической дробной размерности D).

2. По диэлектрическим спектрам TGS в слабых и ультра слабых полях выявлены экспоненциальные зависимости наиболее вероятной скорости упругого движения доменных границ от амплитуды поля и линейный закон в случае их пластического движения ДГ, согласующиеся с визуальными наблюдениями и известивши моделями. Установлена связь эффективного и модельного коэффициентов вязкости с коэффициентом диэлектрической вязкости по Рудяку.

3. Исследованы причины взаимных превращений выявленных типов дисперсии. По превращению коуловского спектра е* в £)+-линейную дисперсию вблизи высокотемпературного фазового перехода выявлено уменьшение силы пиннинга доменных границ ионами лития в решетке RS (превращение сильного дефекта в слабый). На основе количественных оценок установлено увеличение жесткости доменных границ при дейтерировании и легировании карбамидом RS, рентгеновском облучении TGS, длительном старении, понижении температуры, «замораживании» протона в одном из положений связи Н -О-Н в CDP, изучено изменение коэффициента вязкости и других характеристик границ.

4. Установлена связь механизмов поляризации и электропроводности, выявлено образование поляронов малого радиуса и прыжковая проводимость по поверхностным состояниям. Определены энергии активации релаксации поляризации (для различных типов движения доменных границ), максвелл- вагне-ровской релаксации и электропроводности (в GMO, дейтерированных кристаллах DTGS, DRS, DCDP, титанате бария, сегнетоэлектрической керамике).

5. В рамках термодинамического подхода на основе последовательного учета изменения взаимодействия ДГ с дефектами, концентрации ДГ и механизмов поляризации дано описание диэлектрического отклика в широких диапазонах изменения электрического поля (от ультраслабого до переполяризующего) и температуры (включая область фазового перехода). Особенности диэлектрического отклика описаны на основе моделей взаимосвязи доменных границ друг с другом и сопутствующими процессами.

Совокупность развитых методов анализа диэлектрических спектров, полученных результатов и научных положений составляет фрактально- синергети-ческую концепцию диэлектрической спектроскопии сегнетоэлектриков и родственных материалов, открывающую новые возможности изучения механизмов поляризации и последействия в реальных кристаллах и неупорядоченных средах, что представляет собой крупный научный вклад в физику конденсированного состояния.

Используемые сокращения и обозначения Сокращения

АГ - антифазные границы ДГ - доменные границы ДС - диэлектрические спектры МГ- межфазные границы

НЧ, ИНЧ - низко и инфранизкочастотные диапазоны электромагнитного поля или соответствующие области дисперсии е* МФГ - морфотропная фазовая граница; ФП - фазовый переход

D+, if, D~ - обозначения линейных областей дисперсии б* с прямыми положительного, нулевого и отрицательного наклонов

CDP (DCDP) - дигидрофосфат цезия (дейтерированный); GMO - молибдат гадолиния;

RS, (LRS, DRS) - сегнетова соль (с примесями лития, дейтерированная); TGS (DTGS, xr-TGS) - триглицинсульфат (дейтерированный, подвергнутый рентгеновскому облучению).

Обозначения а - параметры функций распределения времен релаксации Коула-Коула и Гаврилиака-Негами;

Р - параметр распределения времен релаксации для видов дисперсии диэлектрической проницаемости: //-линейной, Дэвидсона-Коула, Гаврилиака-Негами и Вильямса-Ваттса;

Р*=1/е* - комплексный диэлектрический модуль; С и d- постоянные Кюри-Вейсса для параэлектрической и сегнетоэлектрической фаз; Р - вектор поляризации;

Тс- температура фазового перехода (обычно определяется по пересечению полученных экстраполяцией линейных участков температурных зависимостей обратных диэлектрических проницаемостей из параэлектрической и сегнетоэлектрической фаз; Ае - амплитуда дисперсии; е* - комплексная диэлектрическая проницаемость; es- статическая диэлектрическая проницаемость; Soo— высокочастотный предел области дисперсии; ео- электрическая постоянная; температуры Кюри-Вейсса при экстраполяции из параэлектрической и сегнетоэлектрической фаз ; т - время релаксации (индексы а, Р, .обозначают типы дисперсии); v и со - частота и циклическая частота. Ф - степень поляризации.

Благодарности

Считаю приятным долгом отметить, что настоящая работа состоялась благодаря привлечению автора к исследованию свойств сегнетоэлектриков и многолетнему сотрудничеству с д.ф.-м.н. А.В. Шильниковым.

Особая роль в этой работе принадлежит моему учителю со студенческой скамьи профессору ВГПИ Э.С. Попову, чьи научные взгляды и высокая требовательность способствовали ее выполнению на достигнутом уровне.

С благодарностью вспоминаю научные встречи и краткое сотрудничество с профессорами Л.А. Шуваловым, А.С. Сиговым и Т.Р. Волк. Определяющую роль на ключевых этапах настоящей работы сыграли научные встречи с профессорами В.М. Рудяком, И.С. Резом, Б.А. Струковым, А.П. Леванюком, Ю.М. Поплавко, М.Д. Глинчук, Б. Хильчер, Л.Н. Камышевой, Н.Н. Крайник, Н.Д. Гавриловой.

Особую благодарность хочу выразить выдающимся специалистам в области диэлектрической спектроскопии: профессору В.В. Левину (за школу научного поиска в годы аспирантуры), а также профессорам А.К. Йоншеру и Й.П. Григасу за плодотворные дискуссии.

С благодарностью за переданную любовь к неравновесной термодинамике вспоминаю профессора М.И. Шахпаронова.

Чувство огромной благодарности выражаю профессору Г. Арльту за исследовательскую работу в технологическом университете г. Аахен (Германия), глубокие обсуждения, искренность и дружескую поддержку.

Благодарю за помощь и сотрудничество коллег и аспирантов кафедры физики ВолгГАСУ к.ф.-м.н. В.А. Федорихина, к.ф.-м.н. Е.Г. Надолинскую, д.ф.-м.н. А.И. Бурханова, аспирантов Д.Г Васильева, Л.Х Вологирову, А.Б. Бей и А. П. Позднякова. За трогательную любовь к науке, многолетнее научное сотрудничество и компьютерную поддержку благодарю моего бывшего студента к.п.н. Я.И. Корчмарюка.

Исключительно важным для меня было сотрудничество с профессором Л.И. Донцовой, ее опыт по визуальному исследованию доменных механизмов переполяризации, ее научное подвижничество и бесценный дар дружбы.

Незабываемы трудные и счастливые времена самоотверженных трудов, в которых самое активное участие принимал к.ф.-м.н. Горин Станислав Васильевич. Светлой его памяти посвящаю эту работу.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Галиярова, Нина Михайловна, 2006 год

1. Дебай П. Полярные молекулы. М. Л.: ГНТИ. 1931.247 с.

2. Van Vleck J.H. The Theoiy of Electric and Magnetic Susceptibilites: Oxford. 1932.

3. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.-Л.: Гостехиз-дат. 1949.500 с.

4. Bdttcher С J.F. Theory of electric Polarization. Amsterdam, London, NY: Elsenier Publich-ing Company. 1952. 492 p.

5. Ландау Л.Д. Электродинамика сплошных сред / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц // М.: физ.-мат.лит. 1959.532 с

6. Фрёлих Г. Теория диэлектриков. М.: ИЛ. 1960.252 с.

7. Хиппель А.Р. Диэлектрики и волны. М.: ИЛ. 1960.439 с.

8. Браун В. Диэлектрики. М.: ИЛ. 1961.326 с.

9. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968.395 с.

10. Hill N.E. Dielectric Properties and Molecular Behavior / N.E. Hill, W.E. Vaughan, A.H. Price, M. Davies // London.: Van Nostrand Reinhold.1969.393 p.

11. Губкин A.H. Физика диэлектриков. M.: Высшая школа. 1971.272 с.

12. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. Киев: Вшца школа. 1976.408 с.

13. Bottcher C.J.F. Theoiy of Electric Polarization V.n. / C.J.F. Bottcher, P. Bordewijk // Oxford. New York. 1978. Elsevier Scientific Publishing Company. Amsterdam. 563 p.

14. Jonscher A.K. Dielectric Relaxation in Solids. London.Chelsea Dielectric Press. 1983.380p.

15. Левин B.B. Диэлектрическая спектроскопия как метод изучения строения и молекулярной подвижности жидкостей. Ч. I и П. М.: МГУ. 1986.501 с.

16. Arlt G. Werkstoffer der Electritechnik. Aachen: RWTH. 1989.495 p.

17. Grigas Jonas P. Microwave Dielectric Spectroscopy of Ferroelectrics and Related Materials. Ferroelectricity and Related Phenomena Series Ed. Taylor G. & Shuvalov L. Vol.9: Gordon & Breach Harwood academic. 1996.416 p.

18. Jonscher A.K. Universal Relaxation Law. London: Chelsea dielectric Press. 1996.415 p.

19. Бори M., Динамическая теория кристаллических решеток / М. Бори, Хуан Кунь. // М.: ИЛ. 1958.488 с.

20. Займан Дж. Электроны и фотоны. Теория явлений переноса в твердых телах. М.: ИЛ. 1962.488 с.

21. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.-Л.: Физматгиз. 1962.

22. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир. 1966.

23. Китгель И. Квантовая теория твердых тел. М. Наука. 1967.

24. Киттель И. Введение в физику твердого тела. М.: Наука. 1978. 798 с.

25. Шкловский Б.И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос // М.: Наука. 1979.

26. Бонч-Бруевич В.Л. Электронная теория неупорядоченных полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Крайпер, А.Г. Миронов, Р. Эндерлайн, Б. Эссер // М.: Наука. 1981.384 с.

27. Лифшиц И.М. Введение в теорию неупорядоченных систем / И.М. Лифшиц, С.А. Гре-дескул, Л .А. Пастур // М.: Наука. 1982.360 с.

28. Пекар С.И. Исследования по электронной теории кристаллов: Гостехиздат. 1951.256с.

29. Гуревич В.Л. Кинетика фононных систем. М.: Наука. 1980.400 с.

30. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М.: Наука. 1973. 327с.

31. Блинц Р. Сегнетолектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки / Р. Блинц, В. Жекш //М.: Мир. 1975.398 с.

32. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. М.: Наука. 1976.408 с.

33. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл (титанат бария). М.:Наука.1974.295 с.

34. Ландау Л.Д. Статистическая физика/Л.Д. Ландау, Е.Н.Лифшиц// М.:Наука.1976.584 с.

35. Ландау Л.Д. К теории фазовых переходов // Собр. тр. М.: Наука. 1969. T.l. С.234-261

36. Лифшиц Е.Н. К теории фазовых переходов второго рода.// ЖЭТФ. 1941. С.255-268

37. Гинзбург В.Л. Теория сегнетоэлектрических явлений // У ФН.1949.Т.38.С.490-525

38. Devonshire A.F. Theory of Barium Titanate: Part I, П. // Phil. Mag.l949.V.40. P.1040-1063; 1951.V.42. № 333. P.1040-1079

39. Cochran W. Crystal Stability and the Theory of Ferroelectricity // Adv. Phys. 1960. V.9.P.387-424,1961. V.10.P.401

40. Кенциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: ИЛ. 1960.234 с.

41. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане // М.: Мир. 1965.

42. Барфут Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. М.: Мир. 1970.352 с.

43. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В. А. Исупов, Н.Н. Крайних, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур // Л.: Наука, Ленингр. отд. 1971. 476 с.

44. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат. 1972

45. Струков Б.А. Сегнетоэлектричество. М.: Наука. 1979

46. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлекгрики. М.: Наука. 1979

47. Сонин А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А.С. Сонин, Б.А. Струков // М.: Высшая школа. 1970.272 с.

48. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества М.: Атомиздат. 1973.472 с.

49. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / МЛайнс, А.Гласс // М.: Мир. 1981.736 с.

50. Гуфан Ю.М. Структурные фазовые переходы. М.: Наука. 1982.304 с.

51. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк // М.: Наука. 1983.240 с.

52. Брус А. Структурные фазовые переходы / А. Брус, Р. Каули // М.: Мир. 1984.408 с.

53. Смоленский Г.А. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайних, Р.Е. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин // Л.: Наука.1985. 396с.

54. Веневцев Ю.Н. Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария / Ю.Н. Веневцев, Е.Д. Политова, С. А. Иванов // М.: Химия. 1985.256 с.

55. Изюмов Ю.В. Фазовые переходы и симметрия кристаллов / Ю.В. Изюмов, В.Н. Сыромятников // М.: Наука. 1984.248 с.

56. Фишер М. Природа критического состояния. М.: Мир. 1968.221 с.

57. Стенли Г. Фазовые переходы и критические явления. М.: Мир. 1973.419 с.

58. Паташинский А.З. Флуктуационная теория фазовых переходов / А.З. Паташинский, В.П. Покровский // М.: Наука.1975.255 с.

59. Ма Ш. Современная теория критических явлений М.: Мир. 1980.298 с.

60. Levanyuk А.Р. Defects and Structural Phase Transitions / A.P. Levanyuk, A.S. Sigov A.S. // (Ferroelectricity and Related Phenomena. Series Ed. Taylor G. & Shuvalov L. Vol.6) Gordon & Breach Harwood academic. 1988.208 p.

61. Рудяк B.M. Процессы переключения в нелинейных кристаллах. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1986.248 с.

62. Рез И.С. Диэлектрики. Основные свойства и применение в электронике. М.: Радио и связь. 1989.288 с.

63. Де Гроот С. Неравновесная термодинамика / С. Де Гроот, П. Мазур // М. Мир. 1964. 456 с.

64. Miiser М. Thermodynamic Theory of Relaxation Phenomena / M. Mflser, J. Petersson // Fortschritte der Physik 1971. Bd.19. № 9. P.559-612.

65. Пригожин И. Химическая термодинамика / И. Пригожин, Р. Дефей // Новосибирск: Наука. 1966.280 с.

66. Глесстон С. Теория абсолютных скоростей реакций / С. Глесстон С., К. Лейдер, Г. Эйринг//М.: ИЛ. 1948.

67. Шахпаронов М.И. Механизмы быстрых процессов в жидкостях. М.: Высшая школа. 1980.352.с.

68. Галиярова Н.М. Диэлектрическая спектроскопия NjN-диметилформамида, диметил-сульфоксида и их растворов. Дисс. канд. физ.-мат. н. М.: 1977

69. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Л.: Наука. Ленингр.отд. 1975.592 с.

70. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Дэвис // Т. 1,2. М.: Мир. 1982.663 с.

71. Бартенев Г.М. Релаксационные процессы в стеклообразных системах / Г.М. Бартенев, Д.С. Сандидов // Новосибирск: Наука. 1986.235 с.

72. Бонч-Бруевич В.Л. Квазиклассическая теория движения частиц в случайном поле // В кн.: «Статистическая физика и квантовая теория поля» Под ред Н.Н.Боголюбова. М.: Наука. 1973.

73. Займан Дж. Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем. М.: Мир. 1982.592 с.

74. Гинзбург С.Л. Необратимые явления в спиновых стеклах. М.: Наука. 1989.152 с.

75. Mandelbrot В.В. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco:W.H.Freeman,1982.460p.

76. Фракталы в физике. M.: Мир. 1988

77. Федер Е. Фракталы. М.: Мир. 1991

78. Пригожин И. Неравновесная статистическая механика. М: Мир. 1964.314 с.

79. Хаазе Р. Термодинамика необратимых процессов. М.: Мир. 1967.544 с.

80. Зубарев Д.Н. Неравновесная статистическая термодинамика. М.:Наука. 1971.415 с.

81. Гленсдорф П. Термодинамическая теория структуры, устойчивости и флуктуаций / П. Гленсдорф, И. Пригожин // М.: Мир. 1973.280 с.

82. Пригожин И. От существующего к возникающему. М.: Наука. 1985.327 с.

83. Пригожин И. Порядок из хаоса/И. Пригожин, И. Стенгерс // М.: Прогресс. 1986.432 с.

84. Пригожин И.Время. Хаос. Квант /И. Пригожин, И. Стенгерс//М.: Прогресс. 1994.266 с.

85. Николис Г. Самоорганизация в неравновесных системах / Г. Николис, И. Пригожин // Мир. 1979.512с.

86. Николис Г. Динамика иерархических систем. М.:Мир.1989.488 с.

87. Николис Г. Познание сложного / Г. Николис, И. Пригожин// М.:Мир.1990.342 с.

88. Стратонович Р.Л. Нелинейная неравновесная термодинамика. М.:Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1985.480 с.

89. Хакен Г. Синергетика. М.: Мир. 1981.350 с.

90. Хакен Г. Синергетика. Иерархия неустойчивостей в самоорганизующихся системах и устройствах. М.: Мир. 1985.420 с.

91. Иванова. Синергетика и фракталы в материаловедении / Иванова, А.С. Баланкин, И.Ж. Бунин, А.А.Оксогоев // М.: Наука. 1994.383 с.

92. Cole K.S. Dispersion and Absoption in Dielectrics / K.S. Cole, R.H. Cole // J. Chem. Phys. 1941. V.9.P.341-351

93. Cole R.H. Theory of dielectric polarization and relaxation // In: Progress in Dielectrics. Lon-don.l961.V.3. P.49-100.

94. Davidson D.W. Dielectric relaxation in Glycerol, Propylene Glycol and n-Propanol / D.W. Davidson, R.H. Cole //J. Chem. Phys. 1951. V.19. P.1484-1490.

95. Davidson D.W. Dielectric relaxation in liquids // Can. J. Chem. 1961. №39. P.571-594.

96. Cole R.H. Dielectric relaxation in solid hydrogen halides / R.H. Cole, S. Havriliak // Discuss. Far. Soc. 1957, №23. P.31-38.

97. Havriliak S. On Dielectric Properties of Solid Hydrogen and Deuterium Halides / S. Havriliak, R. Cole, Jr. Cole // J. Chem.Phys.1955. V.23. P.2455

98. Bordewijk P. Comparison between macroscopic and molecular relaxation behavior for polar dielectrics.// Adv. Mol. Relax. Proc. 1973. V.5.P.285-300.

99. Heller B. The Distribution Functions of relaxation Phenomena in Dielectrics / B. Heller, J. Mrazek // ACTA Technica CSAV. 1973. N 6. P.515-527

100. Le Traon A. Cole-Cole Plots and Distribution Functions of Decay Times. A New General Relation between a and Ат/т0 // Phys. Stat. Sol. a. 1974. V.24. N1. P.K19-K22

101. Daniel V. Dielectric Relaxation. London: Acad. Press. 1967.

102. Salter C. Representation of Dielectric Relaxation Data // In.: Proceedings of Int. Conf. of Dielectric Materials. Measurements and Applications. 1979. V.3 P.132-135

103. Williams G. Non-Symmtrical Dielectric Relaxation Behavior Arising From a Simple Empirical Decay Function / G. Williams, D.C. Watts // Trans. Faraday Soc.l970.V.66. P. 80-85

104. Williams G. North A.M. Further Consideration of Non-Symmtrical Dielectric Relaxation Behavior Arising From a Simple Empirical Decay Function / G. Williams, D.C. Watts, S.B. Dey // Trans.Faraday Soc.l971.V.67. P.1323-1335

105. Kohlrausch R. Theory des elektrischen Riickstandes in der Leidener flasche // Annalen der Physik und Chemie (Poggendorff). 1854. IV-91. P.56-82 & P.179-214

106. Kohlrausch R. Uber die elastische Nachwirkung bci der Torsion // Annalen der Physik und Chemie (Poggendorff) zweite Serie. 1863. № 119, S.937-968

107. Matsumoto A. Dielectric Relaxation of Nonrigid Molecule at Lower Temperature / A. Ma-tsumoto, K. Higashi // J. Chem. Phys. 1962. V.36. P.1776-1780

108. Тихонов A.H. Методы решения некорректных задач / А.Н. Тихонов, В.Я. Арсении // М.: Наука. 1979.288 с.

109. Стефанович В.А. Физические механизмы, приводящие к распределению времен релаксации в разупорядоченных диэлектриках / В.А. Стефанович, М.Д. Глинчук, Б. Хилчер, Е.В. Кириченко // ФТТ. 2002. Т. 44. вып. 5. С. 906-911

110. Sheppard R.J. Alternative Interpretations of Dielectric Measurements with Particular Reference to Polar Liquids/R.J. Sheppard, E.H. Grant//Adv. Mol. Relax. Proc. 1974. V.6.P.61-67.

111. Jonscher A.K. The "Universal" Dielectric Response // Nature (London). 1977. V.267. P. 673-679

112. Jonscher A.K. Low-Frequency Dielectric Dispersion in Tri-Glycine Sulphate / A.K. Jon-scher, D.C. Dube // Ferroelectrics 1978. V.17. P. 533-536

113. Von Schweidler E. Studien fiber die Anomalien in Verhalten der Dielectrica // Annalen der Physic. 1907. V. 4(24). P.711-770

114. Шильников A.B. Роль доменных и фазовых границ в процессах низко- и инфранизко-частотной поляризации и переполяризации модельных сегнетоэлектриков. АР дисс. д-ра физ.-мат. Наук. Саласпилс. 1988.

115. Турик А.В. Физические свойства полидоменных моно- и поликристаллических сегнетоэлектриков. АР дисс. д-ра физ.-мат. Наук. Ростов-на-Дону. 1979.

116. Landolt Н.Н. Physikalisch-Chemishe Tabellen/H.H. Landolt, R. B6rnstein//Berlin.l950-1961

117. Ахадов Я.Ю. Диэлектрические свойства чистых жидкостей. М.: Изд-во стандартов. 1972.263 с.

118. Ахадов Я.Ю. Диэлектрические свойства бинарных растворов. М.: Наука. Гл. ред. Физ.-мат. Лит. 1977.400 с.

119. Шахпаронов М.И. Методы исследования теплового движения молекул и строения жидкостей. М.: МГУ. 1963.282 с.

120. Исупов В.А. Сосуществование фаз в твердых растворах титаната-цирконата свинца // ФТТ. 2001. вып. 12. С. 2166-2169

121. Arlt G. Internal bias in ferroelectric ceramics: origin and time dependence / G. Arlt, H. Neumann // Ferroelectrics. 1988 V.87. P.109-120

122. Lohkamper R. Internal bias in acceptor-doped ВаТЮз ceramics: Numerical evaluation of increase and decrease / R. Lohkamper, H. Neumann, G. Arlt // J. Appl. Phys. 1990. V.68, №8. P.4220-4224.

123. Dederichs H. Aging of Fe-Doped PZT Ceramics and the Domain Wall Contributions to the Dielectric Constant / H. Dederichs, G. Arlt // Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281-292.

124. Arlt G. Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Constants by Domain Wall Damping in Ferroelectic Ceramics/ G. Arlt, H. Dederichs// Ferroelectrics. 1980. V.29. N 1-2., P.47-50

125. Сандидов Д.С. Физические свойства неупорядоченных структур / Д.С. Сандидов, Г.М. Бартенев // Новосибирск: Наука. 1982.259 с.

126. Hochli U.T. Orientational glasses / U.T. Hochli, К. Knor, A. Loidl // Adv. Phys.1990. V.39, №5. P.405-615.

127. Bruckner H.J. Dielectric relaxation of mixed crystals of Rbi.x(NH4)x H2PO4 at microwave frequencies / H.J. Bruckner, E. Courtens, H.G. Unrugh // Z. Phys. B. Condensed Matter. 1988. V.73. P.337-342.

128. Гриднев С.А. Диэлектрическая релаксация в смешанных кристаллах дигидрофосфата калия-аммония / С.А.Гриднев, JI.H. Короткое, JI.A. Шувалов, Р.М. Федосюк // Кристаллография. 1994. Т.39. №1. С.102-105.

129. Gridnev S.A. Nonequilibrium dielectric permittivity of Ki.x (NFLO* h2po4 solid solution / S.A. Gridnev, L.N. Korotkov, L.A. Shuvalov // Ferroelectrics. 1993. V.144. P.157-165.

130. Baranov A.I. Dielectric anomalies above the glass transition temperature in the mixed Ki. „(ЫВДДОД crystals / A.I. Baranov, L.A. Shuvalov, V.H. Shmidt // Ferroelectrics. 1992. V.127. P.245-250

131. Баранов А.И. Аномалии протонной проводимости при структурных фазовых переходах в кристаллах с водородными связями // Изв. АН СССР. Сер.физич. 1987. Т.51, вып. 12. С.2146-2155.

132. Короткова Т.Н. Влияние состава на температуру «статического замораживания» протонных стекол семейства кн2ро4 / Т.Н. Короткова, JI.H. Короткое, JI.A. Шувалов, P.M. Федосюк // Кристаллография. 1996. Т.41. № 3. С.505-509.

133. НЗ.Гриднев С.А. Компьютерное моделирование дисперсии диэлектрической проницаемости в твердом растворе 0.945PMN-0.055PZT/ С.А. Гриднев, А.А. Глазунов, А.Н. Цоцорин // Изв. АН. Сер. физич. 2003. Т. 67. № 8. С.1100-1104

134. Anderson J.E. Molecular relaxation in fluctuational enviroment / J.E. Anderson, R. Ullman //J. Chem. Phys. 1967. V.47. P.2178-2184.

135. Левицкий P.P. Теория протонного упорядочения в сегнето- и антисегнетоэлектриках типа ортофосфатов / P.P. Левицкий, Н.А. Кориневский, И.В. Стасюк // УФЖ. 1974. Т. 19. № 8. С. 1289-1298

136. Stasyuk I.V. Collective Vibrations of Protons in Compounds of КНгРО^Туре. The Cluster Approximation / I.V. Stasyuk, R.R. Levitsky, N.A. Korinevsky II Phys. Stat. sol. (b). 1979. V.91. P.541-550

137. Levitsky R.R. Dynamics of Ferroactive Crystals of Orthophosphate-Type / R.R. Levitsky, I.V. Stasyuk, N.A. Korinevsky//Ferroelectrics. 1978. V.21. P.481-483

138. Кориневский H.A. Динамическая теория ортофосфатов в кластерном приближении / Н.А. Кориневский, Р.Р. Левицкий // ТМФ. 1980. Т.42. № 8. С.416-429

139. Petzelt J. Dielectric Spectroscopy of Paraelectric Soft Modes / J. Petzelt, G.V. Kozlov, A.A. Volkov//Ferroelectrics. 1987. V.73.P.101-123.

140. Mitsui T. Theory of the Ferroelectric Effect in Rochelle Salt // Phys. Rev. 1958. V.l 11. N 5. P. 1259-1267

141. Sandy F. Dielectric Relaxation in Rochelle Salt / F. Sandy, R.V. Jones // Phys. Rev. 1968. V.168.N 2. P. 481-493

142. Yoshimisa K. Relaxation Process in Ferroelectrics near Curie Temperature / K. Yoshimisa, T. Matsubaia // Progr. Theor. Phys. Suppl.1968. Extra number. P. 109-136

143. Zeks B. Dynamics of Ferroelectric Rochelle Salt / B. Zeks, G.C. Shukla, R. Blinc // Phys. Rev.B.1971. V.3. N 7. P. 2306-2311

144. Zeks B. Dynamics of Ferroelectric Rochelle Salt / B. Zeks, G.C. Shukla, R. Blinc // J. Phys. Suppl.1972. V.33. N 4. P. C2-67-C2-68

145. Unruch H.-G. Critical Slowing Down at Ferroelectrics Transitions / H.-G. Unruch, H.J. Wahl // Phys. Stat. sol. (a). 1972. V.9. P.l 19-124

146. НШ R.M. High-Frequency Behavior of Hydrigen-Bonded Ferroelectric Triglycine Sulphate and KD2P04 / R.M. Hill, S.K. Ichiki // Phys.Rev.l963.V.132.N 4.P.1603-1608

147. Вакс В.Г Микроскопические теории структурных фазовых переходов типа порядок-беспорядок в кристаллах / В.Г. Вакс, В.И. Зиненко, В.Е. Шнейдер // УФН. 1983. Т.141. № 4. С.629-674

148. Власова А.А. Релаксационная динамика модели Изинга в кластерном приближении / А.А. Власова, В.Е. Шнейдер//ЖЭТФ. 1977. Т.73. № 10. С. 1493-1498

149. Левицкий P.P. Релаксационные процессы, описываемые моделью Изинга. Кластерное приближение / P.P. Левицкий, И.Р. Зачек, В.И. Вараницкий // УФЖ. 1979. Т.24. № 10. С.1486-1495

150. Левицкий P.P. Релаксационная динамика сегнетоактивных соединений типа порядок-беспорядок с асимметричным одночастичным потенциалом с двумя минимумами / P.P. Левицкий, И.Р. Зачек, В.И. Вараницкий // УФЖ. 1980. Т.25. № 11. С. 1766-1771

151. Квятковский О.Е. Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах / О.Е. Квятковский, Е.Г. Максимов // УФН. 1988. Т. 154. № 1. С.З- 48

152. Волков А.А. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли / А.А. Волков, Г.В. Козлов, С.П. Лебедев // ЖЭТФ. 1980. Т.79. № 4. С.1430-1437

153. Волков А.А. Субмиллиметровые диэлектрические спектры сегнетовой соли / А.А. Волков, Г.В. Козлов, С.П. Лебедев // ФТТ. 1982. Т.24. № 2. С.555

154. Волков А.А. Мягкая мода в кристаллах сегнетовой соли/ А.А. Волков, Г.В. Козлов, Е.Б. Крюкова, С.П. Лебедев // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1983. Т.47. № 4. С.679-686

155. Волков А.А. Новое о мягких модах в классических сегнетоэлектриках / А.А. Волков, Г.В. Козлов, Я. Пещелт// Изв. АН СССР. Сер. Физич.1987. Т.51. № 12. С.2202-2207

156. Kanda Е. Critical Slowing Down in the One-Dimensional Ferroelectric CSH2PO4 / E. Kanda, A. Tamaki, T. Fujimura//J.Phys. Soc. C: Solid State Phys. 1982. V.15. P.3401-3410

157. Крюкова E.B. Сегнетоэлектрическая динамика кристаллов CSH2PO4// ФТТ. 1984. Т.26. № 3. С.717-723

158. Kozlov G.V. Relaxation Mode in Dielectric Spectra of CsH2P04 / G.V. Kozlov, E.V. Kriukova, S.P. Lebedev, J. Grigas, W. Paprotny, Y. Uesu // Ferroelectrics. 1984. V.54. P.321-324

159. Deguchi K. Static and Dynamic Critical Properties of Dielectric Constant in Ferroelectric CsH2P04 and csd2po4 / K. Deguchi, E. Okane, E. Nakamura // J.Phys. SocJpn. 1982. V.51.N 2. P.349-350

160. Levstik A. Dielectric Relaxation in Pseudo-One-Dimensional CSD2PO4 / A. Levstik, B. Zeks, I. Levstik, H.-G. Unruch, G. Luther, H. Roemer // Phys. Rev.B.1983. V.27. N 9. P.5706-5711

161. Levitsky R.R. Relaxational Dynamics of Quasi-one-Dimensional CSD2PO4 / R.R. Levitsky, I.R. Zachek, E.V. Mits, J. Grigas, W. Paprotny // Ferroelectrics. 1986. V.67. P. 109-124

162. Левицкий P.P. Релаксационная динамика дейтерированных квазиодномерных сегнетоэлектриков с водородными связями / Левицкий, И.Р. Зачек, Е.В. Миц // (Препринт АН УСССР. Ин-т Теор. Физ. ИТФ-84-161 Р): Киев. 1984.36 с.

163. Ginzburg V.L. Comments on the Region of Applicatibity of the Landau Theoiy for Structural Phase Transition / V.L. Ginzburg, A.P. Levanyuk, A.A. Sobyanin // Ferroelectrics. 1987.V.73. P.171-182

164. Юдин B.B. Случайные координационные деревья Кейли для сеточных мезоструктур кварцевых и металлических стекол/ В.В. Юдин, Т.А. Писаренко, Е.А Любченко, Е.Г. Савчук // Кристаллография. 1999. Т. 44, № 3. С. 413-421

165. Эллиот Р. Теория и свойства случайно неупорядоченных кристаллов и связанных с ними физических систем / Р. Эллиот, Дж. Крамхансл, П. Лис // В сб.: «Теория и свойства неупорядоченных материалов». М.: Мир. 1977. С.11-248

166. Звягин И.П. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках. М.:1984

167. Бёттгер X. Частотная зависимость прыжковой проводимости в неупорядоченных системах / X. Бётггер X., В.В. Брыксин // ФТТ. 1976. Т.18. № 7. С.1888-1894

168. Лифшиц И.М. Флуктуационные уровни в неупорядоченных системах / И.М. Лифшиц, С.А. Гредескул, Л.А. Пастур // Физика низких температур. 1976. № 2. С. 1093

169. Пикус Ф.Г. Крупномасштабные флуктуации потенциала в плоских слоях с примесями / Ф.Г. Пикус, А.Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1989. Т.96. №9. С.985

170. Шкловский Б.И. Энергия активации прыжковой проводимости / Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос//ФТТ1.1979. Т.13. С.2192

171. Ларкин А.И. Активационная проводимость в неупорядоченных системах с большой длиной локализации / А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий // ЖЭТФ. 1982. Т.83. №9. С.1140

172. Ларкин А.И. Квантовомеханическое туннелирование с диссипацией. Предэспоненци-альный множитель / А.И. Ларкин, Ю.Н. Овчинников // ЖЭТФ. 1984. Т.86, №2. С.719

173. Нгуен В.М. Туннельные прыжки в неупорядоченной системе / В.М. Нгуен, Б.З. Спи-вак, Б.И. Шкловский //ЖЭТФ. 1985. Т.69. №11. С. 1770

174. Скал А.С.Топология бесконечного кластера в теории протекания и теория прыжковой проводимости /А.С. Скал, Б.И. Шкловский // ФТТ. 1974. Т.8, №8. С. 1586-1592

175. Аппель Дж. Поляроны / Дж. Аппель, Ю.А. Фирсов // М. 1975.423 с.

176. Шкловский Б.И. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред / Б.И. Шкловский, А.П. Эфрос // УФН. 1975. Т.117. С.401

177. Шкловский Б.И. Неомическая прыжковая проводимость // ФТП. 1976. Т. 10. №.8. С. 1440-1448

178. Киркпатрик С. Перколяция и проводимость // В сб. «Теория и свойства неупорядоченных материалов». М.: Мир. 1977. С.249-292

179. Kirkpatric S. Percolation and Conduction // Rev. Mod. Phys. 1973. V.45. P.574-588

180. Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях // ФТП. 1979. Т.13. №.1. С.93-97

181. Эфрос АЛ. Физика и геометрия беспорядка. М.: Наука. 1982.176 с.

182. Hammersley J.M. Origins of Percolation Theory // In: Percolation Structures and Processes. Ann. Isr. Phys. Soc.1983. V.5. P.47-57

183. Gurvich Yu.A. Non-Ohmic Conductivity in the Exponential Band Tail/ Yu.A. Gurvich, A.P. Melnikov, L.N. Shestakov, E.M. Gershenzon // Pis'ma v ZhETF. V.60. # 12. P.845-848

184. Сатанин A.M. Нелинейная проводимость неупорядоченной среды на пороге протекания / А.М. Сатанин, С.В. Хорьков, А.Ю. Угольников // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.62. №4. С.301-304

185. Брыксин В.В. Теория транспортных явлений в неупорядоченных твердых телах // ФТТ. 1984. Т.26, №5. С.1362-1373

186. Пригодин В.Н. Частотная зависимость прыжковой проводимости в квазиодномерной системе с сильным беспорядком // ЖЭТФ. 1984. Т.86. № 1. С.242

187. Пригодны В.Н. Самосогласованный расчет прыжкового переноса в квазиодномерной системе с беспорядком / В.НЛригодин, А.Н. Самухин // ФТТ. 1984. Т.26. № 5. С.1344-1348

188. Брыксин В.В. Прыжковый перенос адиабатическими и неадиабатическими полярона-ми малого радиуса в неупорядоченных системах // В.В. Брыксин, А.Н. Самухин // ФТТ. 1986. Т.28. № 9. С.2737-2746

189. Носова В.И. Локальная модель полярона в сегнетоэлектрике / В.И. Носова, В.Н. Федосов // Изв. РАН. Серия физ. 1993. Т. 57, вып. 6. С. 125-127.

190. Брыксин В.В.Частотная зависимость перескоковой проводимости двумерных неупорядоченных систем / В.В. Брыксин, П. Кляйнерт // ФТТ. 1995. Т.37, №6. С.1637-1642

191. Солодуха А.М. Особенности прыжковой проводимости в висмутсодержащей оксидной слоистой керамике / А.М. Солодуха, З.А. Либерман // ФТТ. 2001. Т.43. №11. С.1966-1968

192. Мясников А.В. Самосогласованная теория локализации в пространствах с размерностью 2 < d < 4 / А.В. Мясников, Садовский М.В. // ФТТ. 1982. Т.24. №.12. С.3569-3574

193. Глинчук М.Д. Автолокализованные состояния носителей и диэлектрический гистерезис в неупорядоченных дипольных системах / М.Д. Глинчук, В.А. Стефанович, Л. Ястрабик // ФТТ. 1998. Т. 40. вып. 4. С. 722-727

194. Белоненко М.В. Локализованные состояния заряженной частицы в сегнетоэлектриче-ском кристалле / М.В. Белоненко, В. Немеш // Укр. Физ. Журн. 1999. Т. 44, № 7. С. 871-874

195. Belonenko М.В. Localized polaron Type States in ferroelectrics-ferroelastics / M.B.Belonenko, E.N. Demushkina//Ferroelectrics. 2005. V. 316. P. 139-146

196. Вихнин B.C. Релаксорные свойства пленок, поверхностей и границ раздела: эффект поляронов малого радиуса / B.C. Вихнин, А.С. Сигов // Изв. АН. Сер. Физич. 2003. Т.67. № 8. С. 1139-1141

197. Кудашев А.С. Исследование особенностей диэлектрических и поляризационных свойств сегнетоэлектрических пленок ЦТС и ТБС. Автореф. Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. Волгоград. 2004.20 с.

198. Олемской А.И. Самосогласованная теория локализации в узельном и волновом представлениях // УФН. 1996. Т. 166. № 7. С. 697-715

199. Савенко Ф.И., Тимонин П.Н. Критическая динамика стекольного перехода в монокристаллах твердых растворов магнониобата-титаната свинца // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1993. Т.57. № 7. С.200-204

200. Timonin P.N. Scailing theory of relaxation and dispersion in dipole- and spin-glasses // Ferroelectrics /1997. V.199. P. 95-101

201. Алхимов В.И. Эффект исключенного объема в статистике самоизбегающих блужданий. // УФН. 1994. Т164. № 6. С.561-601

202. Иоффе Л.Б. Иерархическая структура спинового стекла Эдвардса Андерсена / Л.Б. Иоффе, М.В. Фейгельман //ЖЭТФ. 1985. Т.89, №2(8). Р.654-679.

203. Гинзбург С.Л. Уравнение необратимого отклика в спиновых стеклах. // ЖЭТФ. 1983. Т.85, №6(12). Р.2171-2184.

204. Гинзбург С.Л. Неэргодичность и неравновесность спиновых стекол // ЖЭТФ. 1986. Т.90, №2. С.754

205. Гинзбург С.Л. Теория неэргодичности структурных стекол в квантовом случае. // ЖЭТФ. 1988. Т.94, №9. С.235

206. Гинзбург С.Л. Неэргодичность и неравновесность спиновых стекол в квантовом случае. // ЖЭТФ. 1989. Т.96, №7. С.270

207. Jonsher А.К. The Universal Dielectric Response: a Review of Data and Their New Interpretation. // Phys. Thin Films. 1990. V. 11. P.205-317

208. Jonscher A.K. A new understanding of the dielectric relaxation of solids // J. Mat. Sci. 1991. V.26, №6. P.1618-1655

209. Jonscher A.K. Relaxation of Polarization // Appl. Phys. A. Solids and Surfaces. 1992. V.55. P.135-138.

210. Jonscher A.K. Energy Criterion in the Interpretation of Dielectric Relaxation // Appl. Phys. A. Solids and Surfaces. 1993. V.56. P.405-408

211. Бунин А.Л. О природе универсальных свойств аморфных твердых тел / А.Л. Бунин, Ю. Каган // ЖЭТФ. 1996. Т.109, №1. С.299-324.

212. Гуревич В.М. Переходные процессы проводимости в керамике ВаТЮз на постоянном токе / В.М. Гуревич, И.С. Рез // ФТТ. 1960. Т.2. № 4. С. 673-678

213. K3nzig W. Space Charge Layer Near the Surface of Ferroelectric // Phys. Rev. 1955. V.98. N2. P.549-550

214. Кунин ВЛ. Роль кристаллической фазы и приэлекгродных слоев в процессе электрического старения ВаТЮз и SrTi03 / В.Я. Кунин, А.Н. Цикин, А. Шакиров // Электронная техника. Серия IX. Радиокомпоненты. 1968. № 4. С.74-80

215. Бородин В.З. О природе внутренних полей в сегнетоэлектриках / В.З. Бородин, О.П. Крамаров, С.П. Кривцова и др.// Изв.АН СССР.Сер. Физич.1969.Т.ЗЗ.№ 7,С.1101-1105

216. Borodin V.Z. Physical Properties and Structure of Surface Layers in Unipolar crystals of BaTi03 / V.Z. Borodin, E.Ya Schneider // Ferroelectrics. 1976. V.13. № 1-4. P.407-409

217. Wurfel P. Depolarization Effects in Thin Ferroelectric Films / P. Wurfel, J.P. Batra // Ferroelectrics. 1976. V.12. N 1. P.55-61

218. Борю дина B.A. Фазовые границы и явления экранирования в кристаллах ВаТЮз. АР Дисс. канд. Ростов-на Дону. 1985

219. Бородин В.З. Униполярное состояние многоосных сегнетоэлектриков (на примере семейства пировскита). Дисс. докт.Ростов-на Дону. 1986

220. Бородин В.З. Геометрия фазовой границы и особенности экранирования поля спонтанной поляризации в кристаллах ВаТЮз / В.З. Бородин, А.А. Corp, В.А. Бородина, Ю.Ф. Мальцев, И.Я. Никифоров // Изв. АН СССР.Сер. физ. 1975.Т.39. № 4. С.766-769

221. Дмитриев С.Т. К вопросу об экранировании поля спонтанной поляризации носителями заряда в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ.1980.Т.78. № 1.С.412-419

222. Шур В.Я. Экранирование спонтанной поляризации в германате свинца / В.Я. Шур,

223. B.В. Летучев, Ю.А. Попов / ФТТ. 1982. Т.24. № 9. С.2854-2856

224. Шур В.Я. Топография внутреннего поля в монокристаллах германата свинца / ВЛ. Шур, Ю.А. Попов, Г.В. Солдатов // ФТТ. 1983. Т.25. № 1. С.265-267

225. Шур В.Я. Доменная структура одноосных сегнетоэлектриков и процессы экранирования. АР дисс— докт. физ.-мат наук. Свердловск. 1990

226. Shur V.Ya. Dynamics of Plane Domain Walls in Lead Germanate and Gadolinium Molyb-date / V.Ya. Shur, A.L. Gruverman, V.P. Kuminov, N.A. Tonkachyova // Ferroelectrics.1990. V.lll. P.197-206

227. Мерц В. Образование домена и движение доменной стенки в сегнетоэлектрическом монокристалле // В сб. «Физика диэлектриков». М.: Изд-во АН СССР. С.286-289.

228. Merz W.G. Domain Formation and Domain Wall motions in Ferroelectric ВаТЮз single crystals // Phys. Rev. 1954. V.95. №3. P.690-698.

229. Merz W.G. Domain Properties in BaTi03 // Phys. Rev. 1952. V.88, №2. P.421-422.

230. Janovec V. Anti-parallel Ferroelectric Domains in Surface Space-Charge Layers ofBaTi03// Csech. J. Phys. 1959. V.9. №4. P.468-480

231. Dvofak V. On Surface Layers in BaTi03 Single Crystals // Csech. J. Phys. 1959. V.9. №6. P.710-716

232. Montegi H. The Surface Layer in Barium Titanate Single Crystal / H. Montegi, S. Hoshino // J. Phys. Soc. Jap. 1970.V.29. N 1. P. 202-209

233. Дудкевич В.П. О поверхностном слое титаната бария / В.П. Дудкевич, И.Н. Захар-ченко, B.C. Бондаренко и др. // Кристаллография. 1973. Т.18. № 5. С.1095-1097

234. Тихомирова Н.А. О причинах ориентирования нематических жидких кристаллов на поверхности скола триглицинсульфата / Н.А. Тихомирова, Л.И. Донцова, С.А. Пикин, А.В. Гинзберг, П.В. Адоменас // Кристаллография. 1978. Т.23. № 6. С.1234-1247

235. Донцова Л.И. Дефекты и их роль в процессах переполяризации и формирования внутренних смещающих полей в сегнетоэлектриках / Л.И. Донцова, Н.А. Тихомирова, Л.А. Шувалов // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 1. С.158-175

236. Донцова Л.И. Доменная структура и процессы 180°-ной переполяризации модельных сегнетоэлектриков. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Воронеж. 1991

237. Фесенко Е.Г. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов / Е.Г. Фесенко, В.Г. Гавриляченко, А.Ф. Семенчев // Ростов-на-Дону.: РГУ.1990.186 с.

238. Даринский Б.М. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектрических пленках со свободными носителями заряда / Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сидоркин // Кристаллография. 1991. Т.36, №3. С.757-758.

239. Robels U. Domain Wall Clamping in Ferroelectrics by Orientation of Defects / U. Robels,

240. G. Arlt//J. Appl. Phys. 1993.V.73 (7). P.3454-3460

241. Турик A.B. К теории полей деполяризации в сегнетоэлектрических кристаллах конечной толщины/А.В. Турик, Е.И. Бондаренко // В кн.: Титанат бария. М.: наука. 1973. С.127-132

242. Смоленский Г.В. Исследование термодеполяризационного эффекта в сегнетоэлектриках / Г.В. Смоленский, А.И. Таганцев, А.Л. Холкин и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1983.Т.47. № 3.C.598-603

243. Bursian E.V. The Correlation of Parameters Characterizing the Phase Transition and Electronic Processes in Some Ferroelectrics / E.V. Bursian, J.G. Girshberg, A.V. Buzhnikov // Ferroelectrics. 1976. V.13. N1-4. P.371

244. Иванчик И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков // ФТТ. 1961. Т.З. № 12. С.3731-3742

245. Гуро Г.М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г.М. Гуро, И.И. Иванчик,

246. H.Ф. Ковтонюк// ФТТ. 1968. Т.10. № 1. С.135-143

247. Гуро Г.М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г.М. Гуро, И.И. Иванчик, Н.Ф. Ковтонюк // В кн.: Титанат бария. М.: Наука. 1973. С.71-77

248. Селюк Б.В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических кристаллов // Кристаллография. 1974. Т. 19. № 2. С .221-227

249. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир. 1977.562 с.

250. Сатанин А.М. Вероятность локализации электрона на глубоких уровнях в неупорядоченной системе // ФТТ. 1982. Т.24. №5. С1340-1396

251. Дэвисон С. Поверхностные (таммовские) состояния / С. Дэвисон, Дж. Левин // М.: Мир. 1973.232 с.

252. Винокур В.М. Система джозефсоновских контактов как модель спинового стекла /

253. B.М. Винокур ДБ. Иоффе,А.И. Ларкин,М.В. Фейгельман//ЖЭТФ. 1987.Т.93,№7. С.343

254. Шульвас-Сорокина Р.Д. К вопросу о времени релаксации в кристаллах сегнетовой соли//ЖЭТФ. 1937.Т.7. № 12. С.1440-1447

255. Попов Э.С. Электрические свойства сегнетовой соли при двухчастотном воздействии / Э.С. Попов, С.Л. Рапопорт, А.В. Шилышков // Изв.АН СССР, сер. Физ. 1967. Т. 31. № 7.1. C.1199-1201

256. Шильников А.В. О различии механизмов движения доменных стенок в кристаллах сегнетовой соли вблизи верхней и нижней точек Кюри / А.В. Шильников, Э.С. Попов, C.JI. Рапопорт//Кристаллография. 1969. Т. 14. №6. С. 1028-1032

257. Шилышков А.В. О диэлектрических свойствах кристаллов сегнетовой соли в низкочастотных полях различных амплитуд / А.В. Шильников, Э.С. Попов, СЛ. Рапопорт, JI.A. Шувалов // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970.С.106-125

258. Попов Э.С. К вопросу о переполяризации сегнетоэлектриков в слабых переменных полях / Э.С. Попов, СЛ. Рапопорт // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970. С.45-54

259. Шильников А.В. Низкочастотная диэлектрическая дисперсия в кристаллах сегнетовой соли / А.В. Шильников, Э.С. Попов, СЛ. Рапопорт, JI.A. Шувалов // Кристаллография. 1970. Т. 15. №6. С.1176-1181

260. Gurk P. Contribution of Domain Wall Motion to the Permittivity Rochelle Salt // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V.10. P.407-414

261. Unruh H.-G. Rash ablufende ferroelectrische Nachwirkungserschei-nungen / H.-G. Unruh, H. Muser // Z. angew. Phys. 1962. Bd.14. H.3-5. S.121-125

262. Unruh H.-G. Uber Gitterfehler, ferroelektrische Nachwirkungserscheinungen und dielec-trische Relaxation in Seignettesalz // Z. angew. Phys.1963. Bd.16. H.5. S.315-324

263. Unruh H.-G. On the Influence of Crystal Defects upon Ferroelectric Properties // Europ. Meet. On Ferroel. Saarbrucken. Stuttgart. 1970. P. 167-180

264. Ramires R. Low-frequency response of Rochelle Salt near the upper Curie point / R. Ramires, C. Prieto, J.A. Gonsalo // Acta Phys. Polon. 1987. A.72. N 5. P.659-663

265. Fousek J. Relaxation of 90° Domain Walls of ВаТЮз and their Equation of Motion / J. Fousek, B. Brezina//J. Phys. Soc. Jap. 1961. V.19. N 6. P.830-838

266. Фоусек Я. Частотные зависимости движения 90°-ных доменных стенок в титанате бария / Я. Фоусек, Б. Бржезина // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1964. Т.28. Т 4. С.717-721

267. Fousek J. The Contribution of Domain Walls to the Small-Signal Complex Permittivity of BaTi03 // Chechosl. Phys. B. 1965. V.15. N.6. P.412-417

268. Lawless W.N. Small-Signal Permittivity of the Stationary (100)-180° Domain Wall in ВаТЮз / W.N. Lawless, J. Fousek // J. Phys. Soc. Jap. 1970. V.28. N 2. P.419-424

269. Турик A.B. Влияние доменной структуры на СВЧ-дисперсию в монокристалле тита-ната бария // В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Вып. 2. Новочеркасск. 1975

270. Taurel L. Etude de revolution du cours du temps d'un monocristal de sulfate de glycogole / L. Taurel, P. Lauginie // C.R. Acad. Sci. 1961. V.253 B. N.22. P.B2511-B2513

271. Giletta F. Etude ultramicroscopique de sulfate de glycogole // C.R. Acad. Sci. 1966. V.263 B. N.19. P.B1071-B1072

272. Giletta F. Relaxation dielectrique daus les cristaux de sulfate de glycogole multidomains / F. Giletta, P. Lauginie, L. Taurel // C.R. Acad. Sci. 1970. V.270 B. N.l P.B94-B96

273. Giletta F. Dielectric Relaxation in Multi-Domain TGS Single Crystals // Phys. State Sol. (a). 1972. V.12. P.143-151

274. Fousek J. The Contribution of Domain Wall Oscillations to the Small-Signal Permittivity of Triglycine Sulfate / J. Fousek, V. Janousek // Phys. Stat. Sol. 1966. V.13. P.195-206

275. Петров B.M. Релаксация доменных стенок в триглицинсульфате / В.М. Петров, О.И. Коган // Кристаллография. 1970. Т.15. № 5. С.1018-1021

276. Шильников А.В. Некоторые диэлектрические свойства полидоменных кристаллов сегнетовой соли, триглицинсульфата и дигидрофосфата калия. АР. Дисс. канд. физ.-мат. Наук. Воронеж. 1972

277. Dudler R. Dielectric Behavior of Pure BaTi03 at Ultra Low Frequences / R. Dudler, J. Albere, H. Miirser//Ferroelectrics. 1978. V. 21. N. 1-2. P.381-383

278. Донцова JI.H. Динамика доменов и диэлектрические свойства кристаллов ТГС в синусоидальных электрических полях/Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, А.В. Шильников, Н.А. Тихомирова// Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1986. С. 123-139.

279. Савин А.М. Об одном механизме низкочастотной диэлектрической проницаемости в сегнетоэлектриках / A.M. Савин, Э.С. Попов, А.В. Шильников // ФТТ. 1986. Т.28. № 8. С. 2470-2473

280. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in ferroelectric TGS / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin, S.D. Milovidova // Phys. Stat. Sol. (a). 1984. V.84. P.K115-K120

281. Камышева Л.Н. Температурная зависимость времени релаксации поляризации в кристалле ТГС / Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, Т.Н. Панкова // Вопросы физики формообразования и фазовых превращений. Калинин. 1985. С.151-156

282. Гриднев С.А. Вклад динамики доменных границ в диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектриков в окрестности точки Кюри / С.А. Гриднев, Б.М. Даринский, В.Н. Федосов // Физика и химия обработки материалов. 1979. №1. С. 117-120

283. Гриднев С.А. Механизм низкочастотных диэлектрических потерь вблизи точек фазовых переходов П рода. / С.А. Гриднев, Б.М. Даринский, В.Н. Нечаев // ФТТ. 1981. Т.23. № 8. С.2474-2477.

284. С.А.Гриднев. Температурные изменения порогового поля диэлектрических потерь триглицинсульфата / С.А. Гриднев, В.Н. Нечаев, В.М. Попов, Л.А. Шувалов // ФТТ. 1985. Т.27.№1.С.З-7.

285. Ю.Камышева Л.Н. Особенности поляризационных свойств дигидрофосфата цезия, обусловленные наличием доменной структуры / Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин, А.С. Сидоркин, Ю.С. Бухман // Кристаллография. 1981. Т.26. №1. С.540 545

286. Kamysheva L.N. The «freezing» of regularities of the domain structure in the CDP crystal resulting from the structural reconstruction of the domain walls / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, A.S. Sidorkin // Ferroelectrics. 1981. V.33. P.37-40

287. Камышева Л.Н. Диэлектрическая релаксация кристаллов KDP и CDP. // Сегнетоэлек-трики и пьезоэлектрики. Калинин. 1982. С.48-52.

288. Kamysheva L.N. Dielectric relaxation in crystals of kh2po4 group / L.N. Kamysheva, A.S. Sidorkin//Ferroelectrics. 1984. V.55. P.205-208

289. Камышева JI.H. Диэлектрическая релаксация в кристаллах группы КН2РО4/Л.Н. Ка-мышева^А.С. Сидоркии,И.Н. Зиновьева//Изв.АН СССР.Сер.физ. 1984. Т.48. №6. С. 1057-1060

290. Kamysheva L.N. The reguliriaties of the electrophysical properties of the KDP group crystals connected with the domain structure dynamics / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin // Ferroelectrics. 1987. V.71.P. 281-296

291. Камышева JI.H. Макроскоскопические свойства совершенных и дефектных водород-содержащих монокристаллов сегнетоэлектриков, связанные с доменной структурой. АР Дисс. докг. Физ.-мат. Наук. Воронеж. 1987

292. Гриднев С.А. Сегнетоэлектрические кристаллы группы КН2РО4 / С.А. Гриднев, JI.H. Камышева, А.С. Сидоркин // Воронеж. 1981.116 с.

293. З/P.Kuramoto К. Domain freezing of КН2РО4 single crystal / К. Kuramoto, H. Modegi, E. Na-kamura // Japan. J. Appl. Phys. 1985. V.24, Suppl. 24-2. P.562-564

294. Прасолов Б.Н. Медленные релаксационные процессы в сегнетоэлектриках и сегнето-эластиках: Автореф. Дис. Д-а физ.-мат. Наук/ ВПИ. Воронеж. 1992.28 с.

295. Прасолов Б.Н. Релаксационные явления в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках, обусловленные динамикой доменных границ// Изв.АН.Сер Физ. 1993. Т.57. № 6. С. 57-60.

296. Шильников А.В. Доменные процессы в кристалле SrxBai.xNb206 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизкочастотных полей/А.В. Шильников, А.И. Бурханов, Р.Э. Уза-ков, М.А. Шуваев, В.И. Сильверсгов // Изв. АН, сер. Физ. 1995. Т.59. № 9. С. 65-68

297. KrUger G. Domain Wall Motion Concept to Describe Ferroelectric Rhombohedral PLZT Ceramics // Ferroelectrics. 1976. V.l 1. N 5-6. P.417^22

298. Турик A.B. Об ориентационном вкладе в диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие постоянные сегнетокерамики / А.В. Турик, А.И. Чернобабов // ЖТФ. 1977. Т.47. №9. С.1944-1948

299. Турик А.В. Об ориентационном вкладе в физические константы поликристаллических сегнетоэлектриков / А.В. Турик, А.И. Чернобабов // В кн.: Актуальные проблемы современной физики сегнетоэлектрических явлений. Калинин: КГУ. 1978. С.165-173

300. Arlt G. Complex Elastic, Dielectric and Piezoelectric Constants by Domain Wall Damping in Ferroelectic Ceramics / G. Arlt, H. Dederichs/ZFerroelectrics. 1980. V.29. N 1-2, P. 47-50

301. Herbiet R. Domain Wall and Volume Contributions to Material Properties of PZT Ceramics / R. Herbiet, U. Robels, H. Dederichs, G. Arlt // Ferroelectrics. 1989. V.98. P.107-121

302. Dederichs H. Aging of Fe-Doped PZT Ceramics and the Domain Wall Contributions to the Dielectric Constant/H. Dederichs, G. Arlt//Ferroelectrics. 1986. V.68. P.281-292

303. Бурханов А.И. Диэлектрические и электромеханические свойства сегнетокерамики (1-х) PMN-xPZT / А.И. Бурханов, А.В. Шильников, А.В. Сопит, А.Г. Лучанинов // ФТТ. 2000. Т.42.вып. 5. С. 910-916

304. Burkhanov АЛ. Dielectric memory effect of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) doped PLZT ceramics / A.I. Burkhanov, A.V. Shilnikov // Ferroelectrics. 1992. V. 131. P.267-273

305. Цедрик M.C. Вклад доменов в диэлектрическую проницаемость триглицинсульфата. I. Влияние условий выращивания / М.С. Цедрик, Г.А. Заборовский // Свойства и структура газов, жидкостей и твердых тел. Минск. 1974. С.27-35.

306. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск.: Наука и техника. 1986 г. 216 с.

307. Юрин В.А. Влияние примесей и ядерных излучений на электрические свойства некоторых сегнетоэлектриков. АР дисс. канд. Физ.-мат. Наук. М. 1963

308. ЗЗ^.Желудев И.С. Некоторые физические свойства кристаллов сегнетовой соли, подвергшейся радиоактивному облучению / И.С. Желудев, В.А. Юрии // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1960. Т.24. № 11. С. 1334-1336.

309. Мудрый В.Е. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в кристаллах триглицинсульфата с примесью а-аланина / В.Е. Мудрый, В.А. Юрин // В Сб.: Сегнетоэлектрики и пье-зоэлектрики. Калинин: КГУ. 1977. С.49-55

310. Соловьев С.П. Радиацонная физика сегнетоэлектриков типа титаната бария / С.П. Соловьев, Кузьмин // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1970. Т.34. № 12. С. 2604-2611

311. Пепшков Е.В. Радиационные эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент: "ФАН" УзССР.1986.140 с. Пещиков Е.В. Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов Ташкент: ФАН, УзССР. 1979.114 с.

312. Lauginie P. Dielectric constant of triglycine sulfate // Proc. Intern. Meet Ferroel. Prague. 1966. V.2. P. 76-80

313. Hilczer B. Effect of X- and y- radiation on the switching processes in triglycine sulfate // Proc. Intern. Meet. Ferroel. Prague. 1966. V.2. P. 155-158

314. Pawlaczyk Cz. Influence of Radiation Defects on Dielectric Dispersion of Triglycine Sulfate / Cz. Pawlaczyk, G. Luther// Fizika Dielektrikow i Radiospectroskopia. 1976. V.VIII. P.175-188

315. Pawlaczyk Cz. Influence of Crystal Lattice Defects on Ferroelectric Dispersion of Triglycine Sulfate / Cz. Pawlaczyk, G. Luther, H. Murser // phys. Stat. sol. (b). 1979. V.91. P.629-631

316. Pawlowski A. Influence of Radiation Defects on the Critical Behaviour Triglycine Sulfate Single Crystals // Fizika dielektrikov i radiospektroskopia.1977. V.9 N 2. P.223-228 Hilczer В., Pawlowsky A. // Ferroelectrics. 1980 V.25. P.487-490

317. Павлячик Ч. Диэлектрическая аномалия в точке Кюри реальных сегнетоэлектриков // Изв. АН СССР Сер. Физич. 1991. Т.55. № 3. С.448-456

318. Kamysheva L.N. The influence of defects on the process of polarization relaxation in TGS crystals / L.N. Kamysheva, S.N. Drozhdin, O.M. Serdyuk II Phys.Stat.Sol.(a).1986.V.97.P.K29-K34

319. Stankowska J. Correlation between the domain structure and dielectric properties of the TGS crystall // Ferroelectrics. 1978. V.22. P.753-754.

320. Камышева JI.H. Импульсная переполяризация сегнетоэлектрического кристалла CDP/ JI.H. Камышева, С.Н. Дрождин, Ю.С. Золоторубов, О.А. Косарева // Изв. РАН СССР. Сер. Физич. 1995. Т.59. № 9. С.81-84

321. Донцова Л.И. Особенности самопроизвольного движения доменных стенок в монокристаллах триглицинсульфата и титаната бария / Л.И. Донцова, Э.С. Попов // В сб. Физика диэлектриков и полупроводников. 1978. Волгоград: ВПИ. С. 106-115

322. Малиново кий В.К. О релаксационных токах в твердых телах / В.К. Малиновский, Б.И. Стурман // ЖЭТФ. 1980.Т.79. вып.1/7. С.207-215

323. Malinovski V.I. Relaxation Currents in Nonequilibrium Ferroelectric Crystal TGS / V.I. Ma-linovski, S.V. Mednikov, L.A. Shuvalov, V.I. Sturman, T.R. Volk // Ferroelectrics. 1981. V.39. N •A P.1209—1216

324. Michalczyk M. Wplyw defectow wprowadzonych pzer napromieniownie na przewodnicino elektryczne siarczanie troiglicyny / M. Michalczyk, B. Hilczer // Fizika Dielektrikow i Radiospectroskopia. 1977. VJX. P. 217-222

325. Hilczer B. Electric conductivity of TGS, pure and with lattice defects / B. Hilczer, M. Michalczyk // Ferroelectrics. 1978. V. 22. P.721-723

326. Meyer K.R. Domain Structure Investigations in Triglycine Sulfate Single Crystals / K.R. Meyer, Cz. Pawlaczyk, B. Hilczer, R. Scoz// Kristall und Technik.l975.V.10,N 7.P.759-764

327. Milovidova S.D. Electret Effect in Triglycine Sulfate / S.D. Milovidova, N.D. Gavrilova, L.N. Kamisheva, V.K. Novik // Ferroelectrics. 1978 V.17. P.103-104

328. Fletcher S.R. Structural Studies of Triglycine Sulfate. Part I: Low Radiation Dose (Structure A) / S.R. Fletcher, E.T. Keve, A.C. Scapski // Ferroelectrics. 1976. V.14. P.775 -778

329. Fleteher S.R. Structural Studies of Triglycine Sulfate. Part П: After X-irradiation Field Treatment (Structure B) / S.R. Fletcher, E.T. Keve, A.C. Scapski//Tem>electrics.l976.V.14.789-799

330. Гусаров А.И. Долговременная кинетика активационных спектров пострадиационной релаксации в стеклах / А.И. Гусаров, А.Д. Дмитрюк, А.Н. Кононов, В.А. Машков // ЖЭТФ. 1990. Т. 97. №2. С.525-540

331. Медников С.В. Релаксационные токи и униполярность в некоторых полярных диэлектриках. Автореф. Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. М. 1983

332. Мелешина В.А. К вопросу о природе униполярности сегнетоэлектрического триглицинсульфата / В.А. Мелешина, И.С. Рез // Изв. АН СССР, сер. Физ. 1964.Т. 28. №4. С.735-740

333. Шульга С.З. Процессы образования и стабилизации парамагнитных радиационных дефектов в у-облученных кристаллах ТГС / С.З. Шульга, А.П. Демьянчук // Журн. Прикл. Спектроскопии. 1980. Т.22, вып. 2. С.307-312

334. Volk T.R. Relaxation Currents in Ferroelectrics / T.R. Volk, S.V. Mednikov, L.A. Shuvalov //Ferroelectrics. 1982. V.43. N P. 163-169

335. Tikhomirova N.A. Study of Domain Dynamics in TGS using nematic liquid crystals / N.A. Tikhomirova, L.I. Dontsova, A.V. Shilnikov // Ferroelectrics. 1980. V. 29. N 1-2, P. 51-53

336. Тихомирова H.A. Динамика доменной структуры коллинеарных сегнетоэлектрических кристаллов / Н.А. Тихомирова, JI.A. Шувалов, Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, Л.З. Потиха // Кристаллография. 1986. Т. 31. № 11. С. 1151-1159

337. Донцова Л.И. Общие закономерности в формировании доменной структуры чистых и примесных кристаллов ТГС / Л.И. Донцова, Н.А. Тихомирова, Л.Г. Булатова, Р.В. Корина // Кристаллография. 1988. Т. 33. № 2. С. 450-458

338. Донцова Л.И. Дефекты в облученных кристаллах триглицинсульфата / Л.И. Донцова, Н.А. Тихомирова, В.И. Дорогин, Л.И. Черкасова // Труды Всес. Конф. "Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов" Александров: ВНИИСИМС. 1990.Т.2. С.48-55

339. Донцова Л.И. Доменная структура и процессы 1Ш°-ной переполяризации модельных сегнетоэлектриков. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Воронеж. 1991.

340. Селюк Б.В. Проявление внутреннего поля в кристаллах ТГС / Б.В. Селюк, Н.Д. Гаври-лова, В.К. Новик // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39. №5. С. 1052-1066

341. Павлячик Ч. Влияние радиационных дефектов на внутреннее смещающее поле в кристаллах триглицинсульфата / Ч. Павлячик, А. Павловский, Б. Хильчер // Кристаллография. 1979. Т.24. № 5. С.1076-1078

342. Arlt G. Internal bias in ferroelectric ceramics: origin and time dependence / G. Arlt, H. Neumann//Ferroelectrics. 1988 V.87. P.109-120

343. Lohkamper R. Internal bias in acceptor-doped ВаТЮз ceramics: Numerical evaluation of increase and decrease/R.Lohkamper, H.Neumann, G.Arlt// J.Appl.Phys.1990. V.68, №8. P.4220-4224

344. Kittel C. Domain Boundary Motion in Ferroelectric Crystals and the Dielectric Constant at High Frequency // Phys. Rev. 1951. V.83. N 2. P.458

345. Kittel C. Ferromagnetic Domain Theory / C. Kittel, J.K. Gait // Solid State Phys. NY: Acad. Press INC. Publ. 1956. V.3. P.437-564

346. Санников Д.Г. Дисперсия в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. 1961. Т.41. № 1. С.133-138

347. Санников Д.Г. К теории движения доменных границ в сегнетоэлектриках // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1964. Т.28. № 4. С.703-707

348. Санников Д.Г. К феноменологической теории переменных во времени процессов в с сегнетоэлектриках и ферритах. АР дисс. канд. фнз.-мат. наук. М.1962

349. Mazur J. The Temperature Hysteresis of Electric Permittivity of TGS Single Crystals / J. Mazur, A. Jaskiewicz // Acta Physica Polonica. 1968. F.5(l 1). P.859-865

350. Лайхтман Б.Д. Изгибные колебания доменных стенок и диэлектрическая дисперсия в сегнетоэлектриках // ФТТ. 1973. Т.15. № 1. С.93-102

351. Демьянов В.В. Динамическая поляризация и потери в сегнетоэлектриках / В.В. Демьянов, С.П. Соловьев // ЖЭТФ. 1968.Т.54.№ 5. С.1543-1553

352. Даринский Б.М. Движение 180° доменной границы в сегнетоэлектриках типа перов-скита/Б.М. Даринский, В.Н. Федосов// Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1971. Т.35. № 9. С.1795-1797

353. Федосов В.Н. Квазиупругие смещения доменных границ в сегнетоэлектриках / В.Н. Федосов, А.С. Сидоркин // ФТТ. 1976. Т. 18. № 6. С.1661-1668

354. Сидоркин А.С. Влияние подвижных точечных дефектов на процессы переполяризации сегнетоэлектриков / А.С. Сидоркин, В.Н. Федосов // ФТТ. 1977. Т.19. № 6. С.1756-1759

355. Федосов В.Н. Влияние двумерного упорядочения на подвижность доменных границ /

356. B.Н. Федосов, А.С. Сидоркин // ФТТ. 1977. Т.19. № 8. С.1323-1326

357. Федосов В.Н. Стационарное движение узких сегнетоэлектрических стенок // ФТТ. Т.21.№4.1979. С.983-986

358. Даринский Б.М. Межфазная граница в сегнетоэлектриках / Б.М. Даринский, В.Н. Нечаев, В.Н. Федосов // ФТТ. 1985. Т.27. №. С.1129-1132

359. Сидоркин А.С. Строение доменных границ в сегнетоэлектриках с точечными заряженными дефектами / А.С. Сидоркин, Б.М. Даринский // ФТТ. Т. 28. № 1.1986. С. 285-288

360. Даринский Б.М. Фононный механизм торможения 90°-ных доменных границ в сегнетоэлектриках / Б.М. Даринский, С.К. Гурков // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39. №4.1. C.682-685

361. Лучанинов А.Г. Пьезоэлектрический эффект в неполярных гетерогенных сегнетоэлектрических материалах: ВолгГАСА. Волгоград, 2002.277 с.

362. Mason W.P. Piesoelectric Crystals and Their Applications in Ultrasonics. 1964. New York: Van Nostrand Company. P. 234-254

363. Tagantsev A.K. Permittivity Enhancement Due to Domain Walls Interacting with Repulsive Defects / A.K. Tagantsev, J.Fousek// Ferroelectrics. 1999. V. 221. P. 193-198

364. Нечаев В.Н. О динамике доменных границ в сегнетоэлектриках и ферромагнетиках / В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин // ФТТ. 1988. Т.30. №6. С.1908-1910

365. Нечаев В.Н. Об обобщенном выражении для конфигурационной силы, действующей на границу доменов в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках / В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин // ФТТ. 1988. Т.30. №8. С.2286-2291

366. Нечаев В.Н. Динамическая теория границ доменов и межфазных границ в сегнетоэла-стиках/В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин//Изв. АН СССР. Сер.физич. 1989. Т.53. №7. С.1267-1275

367. Nechaev V.N. The dynamic theory of domain boundaries in ferroelectrics and ferromagnetics / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin // Ferroelectrics. 1989. V.98. №1/2. P.253-270.

368. Нечаев В.Н. Микроскопическая динамическая теория границ доменов и межфазных границ в сегнетоэлектрических кристаллах. / В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин // Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1990. Т.54. №4. С.637-647.

369. Нечаев В.Н. Об изгибных колебаниях 90° границ в сегнетоэлектриках. // ФТТ. 1990. Т.32. №7. С.2090-2093.

370. Nechaev V.N. Bending vibrations of domain boundaries in ferroelectrics and ferroelastics. / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin, V.V. Dezhin // Ferroelectrics. 1990. V.l 11. P.133-140.

371. Нечаев B.H. Об изгибных колебаниях межфазных границ в кристаллах / В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. №3. С.719-724.

372. Нечаев В.Н. Макроскопическая динамика доменных и межфазных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках-сегнетоэлектриках / В.Н. Нечаев, А.М. Рощупкин // Изв. РАН. Сер. Физ. 1995. Т.59. №9. С.11-25

373. Даринский Б.М. Колебания доменных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках с точечными дефектами / Б.М. Даринский, А.С. Сидоркин, А.М. Косцов // Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1991. Т.55. № 3. С.583-590

374. Darinskii B.M. The interaction between a dislocation and domain in ferroelastics / B.M. Darinskii, V.N. Nechaev, A.M. Perevosnikov // Ferroelectrics. 1983. V.48. №1-2-3. P.17-20.

375. Нечаев В.Н. Взаимодействие дислокации с доменной границей в сегнетоэлектрике // ФТТ. 1991. Т.ЗЗ. №5. С. 1563-1568.

376. Илларионов И.В. Влияние упругих полей точечных дефектов на физические свойства вещества / И.В. Илларионов, В.Н. Нечаев // Изв. Вузов. Физика. 1985. №10. С.91-94.

377. Darinskii В.М. The Interaction Energy between a Charge and a Ferroelectric Domain Wall / B.M. Darinskii, V.N. Nechaev, V.N. Fedosov // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V.59 №2. P.701-705.

378. Nechaev V.N. On the generalized expression of the configuration force acting on the interfaces and domain boundaries of ferroelectric polycrystals / V.N. Nechaev, A.M. Roshupkin // Ferroelectrics. 1989. V.90. №1/2/34. P.29-34.

379. Ю.Чернышева M.A. Механическое двойникование в кристаллах сегнетовой соли // Докл. АН СССР. 1950. Т.74. № 2. С.247-249

380. Чернышева М.А. Влияние электрического поля на двойниковое строение кристаллов сегнетовой соли // Докл. АН СССР. 1951. Т.81. № 6. С.1065-1068

381. Рапопорт C.JI. Исследование переполяризации сегнетовой соли: Дисс. Канд. Физ.-мат. Наук. 1948.114 с.

382. Попов Э.С. Процессы переполяризации монокристаллов титаната бария при двух частотном воздействии / Э.С. Попов, C.JI. Рапопорт // Кристаллография. 1968. Т. 13. С.278-283

383. Донцова Л.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС / Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, Э.С. Попов и др. // Кристаллография. 1982. Т. 27. №2. С. 305

384. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит. 2000.240 с.

385. Афоникова Н.С. Строение межфазных границ между доменами в KDP / Н.С. Афони-кова, И.М. Шмытько // XI Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков. Тезисы докладов. Т.2. Киев. 1986. С. 268

386. Турик А.В. Релаксационная поляризация и структурный беспорядок в сегнетоэлектриках / А.В. Турик, Н.Б. Шевченко // В кн.: Сегнетоэлектрики. Р/Д: Изд-во Рост.ун-та. 1983.

387. Robels U. Shift and Deformation of Histeresis Curve of Ferroelectrics by Defects: An Electrostatic Model / U. Robels, J.H. Calderwood, G. Arlt // J. Appl. Phys. 1995.V.77 (8). P.4002-4008

388. Gridnev S.A. Influence of electron conductivity on internal friction. / S.A. Gridnev, B.M. Darinskii, V.N. Nechaev // Ferroelectrics. 1982. V.46. №1-2. P.5-11.

389. Турик А.В. Инфранизкочастотная дисперсия в титанате свинца / А.В. Турик, В Л. Мащенко, Г.И. Хасабова, АД. Феронов // ФТТ. 1975. Т. 17. вып. 8. С. 2389-2391421 .Kittel С. Theory of Antiferroelecric Crystals //Phys. Rev. 1951. V.82. N 5. P.729-732

390. Леванюк А.П. Феноменологическая теория сегнетоэлектрического фазового перехода / А.П. Леванюк, Д.Г. Санников // ФТТ. 1970. Т. 12. № 10. С.2993-3000

391. Санников Д.Г. Термодинамическая теория структурных фазовых переходов различного типа на примере сегнетоэлектриков. АР дисс. докт. физ.-мат. наук. М.1981

392. Aizu К. Possible species of ferroelectric crystals and of simultaneousely ferroelectric and ferroelastic crystals // J. Phys. Soc. Jap. 1969. V.27. N 2. P.387-396

393. Subkinds of the 22 kinds of ferroelectrics, complexity in the narrower sense, and ferro-antiferroelectric phase formations // J. Phys. Soc. Jap. 1966. V.21. № 3. P.2154-2167

394. Мелешина B.A. Доменные стенки, антифазные границы и дислокации в кристаллах молибдата гадолиния / В.А. Мелепшна, ВЛ. Инденбом, Х.С. Багдасаров, Т.М. Полховская // Кристаллография. 1973. Т. 18, вып. 6. С.1218—1226

395. Dvof3k V. A Thermodynamic Theory of gadolinium molybdate // Phys.Stat. Sl.(b). 1971. V.46. P.763-772

396. Леванюк А.П. Несобственные сегнетоэлектрики / А.П. Леванюк, Д.Г. Санников // УФН. 1974. Т.112. № 4. С.561-589

397. Желудев И.С. Сегнетоэлектрические фазовые переходы и симметрия кристаллов / И.С. Желудев, Л.А. Шувалов // Кристаллография. 1956. Т.1. № 6. С. 681 Желудев И.С. Симметрия и ее приложения. М.: Атомиздат. 1973.472 с.

398. Вильсон К. Ренормализационная группа и 8-разложение/К.Вильсон, Дж.Когут//М.1975

399. Боголюбов Н.Н. Приложение ренормализационной группы к улучшению формул теории возмущений / Н.Н. Боголюбов, Д.В. Широков // ДАН СССР. 1955. Т.103.№3. С.391

400. Широков Д.В. Ренормгруппа и функциональная автомодельность в различных областях физики // ШФ. 1984. Т.60. С.218

401. Kadanoff L.P. // Physics.1966. V.2.P.263

402. Toledano J.C. Order Parameter Symmetries and Free Energy Expansions for Purely Ferroelectric Transitions / J.C. Toledano, P. Toledano H Phys. Rev. В. 1980. V.21. N 3. P. 1139-1172

403. Гуфан Ю.М. Термодинамическая теория фазовых переходов. Ростов: Изд. Рост. Унта. 1982.

404. Холоденко Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. Рига: Зинатне. 1971.225 с.

405. Санников Д.Г. Феноменологическая теория фазовых переходов в сегнетовой соли // ФТТ. 1978. Т.20. №10. С.2994-3001

406. Крюкова Е.Б. Сегнетова соль система с «двойной» критической точкой / Е.Б. Крюкова, А.А.Собянин // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1987. Т.51. № 12. С.2090-2097

407. Леванюк А.П. Влияние дефектов на свойства сегнетоэластиков вблизи точек фазовых переходов/А.П. Леванюк, А.С. Сигов//Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1979. Т.43. № 8. С.1561-1566

408. Леванюк А.П. Влияние дефектов на свойства сегнетоэлектриков и родственных материалов вблизи точки фазового перехода второго рода / А.П. Леванюк, А.С. Сигов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1981. Т.45. № 9. С.1640-1645

409. Леванюк А.П. Аномалии термодинамических величин дефектами вблизи точки фазового перехода в системе с дефектами типа случайная температура / А.П. Леванюк, Б.В. Мо-щинский, А.С. Сигов // ФТТ. 1981. Т.23. № 7. С.2037-2041

410. Леванюк А.П. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов / А.П. Леванюк, В.В. Осипов, А.С. Сигов, А.А. Собянин // ЖЭТФ. 1979. Т.76. № 1. С.345-368

411. Грабинский Н.В. Термодинамические свойства кристаллов с поляризованными дефектами вблизи точки фазового перехода / Н.В. Грабинский, А.П. Леванюк, А.С. Сигов // ФТТ. 1982. Т.24. № 7. С.1936-1946

412. Лебедев Н.И. Поляризованные дефекты и аномалии свойств кристаллов при фазовых переходах / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк, А.С. Сигов //ЖЭТФ. 1983. Т.25. № 10. С.1423-1436

413. Морозов А.И. Точечный дефект вблизи точки структурного перехода / А.И. Морозов, А.С. Сигов // ФТТ. 1983. Т.25. № 5. С.1352-1356

414. Лебедев Н.И. Дефекты вблизи точек фазовых переходов: приближение квазиизолированных дефектов / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк, А.И. Морозов, А.С. Сигов // ФТТ. 1983. Т.25. № 10. С.2975-2978

415. Леванюк А.П. Структурные фазовые переходы с дефектами / А.П. Леванюк, А.С. Сигов // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1985. Т.49. № 2. С.219-226

416. Сигов А.С., Особенности физических свойств кристаллов с дефектами вблизи структурных и магнитных фазовых переходов. Диссдокт. Физ.-мат. Наук. М. МГУ. 1985.

417. Сигов А.С. Особенности процессов релаксации вблизи точек фазового перехода втро-го рода в кристаллах с дефектами // В кн.: Современные проблемы физики релаксационных явлений. Воронеж. 1981. С.З-16

418. Лебедев Н.И. Особенности низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости однооосного сегнетоэлектрика с заряженными дефектами / Н.И. Лебедев, А.П. Леванюк,

419. A.С. Сигов // ФТТ. 1987. Т.29. № 9. С.2666-2670

420. Даринский Б.М. Аномалии физических свойств сегнетоэлектриков, содержащих заряженные примеси / Б.М. Даринский, В.Н. Нечаев, В.Н. Федосов // ФТТ. 1980. Т.22. № 10. С.З129-3132

421. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах. М.: Мир. 1977.306 с.

422. Жирнов В.А. К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках // ЖЭТФ. 1958. Т.35. №5(11). С.1175-1180

423. Булаевский Л.Н. Термодинамическая теория доменных стенок в сегнетоэлектриках типа перовскита // ФТТ. 1963. Т.5. №2. С.3183-3187

424. Иванчик И.И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков // ФТТ. 1961. Т.З. вып. 12. С.3731-3742

425. Даринский Б.М. Строение 90°-ной доменной границы в ВаТЮз / Б.М. Даринский,

426. B.Н. Федосов // ФТТ. 1971. Т.13. №1. С.22-27

427. Suda F. Orientation of the Ferroelectric Domain Wall in Triglycine Sulfate Crystals / F. Suda, J. Hatano, H. Futano // J. Phys. Soc. Jap. 1976. V. 41. N 1. P. 188-193

428. Ройтбурд А.Л. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии // УФН. 1974. Т.113. С. 69-104

429. Ройтбурд А.Л. Равновесие фаз в твердом теле // ФТТ. 1986. Т.28. № 10 С.3051-3054

430. Марченко В.И. О доменной структуре сегнетоэлектриков // ЖЭТФ. 1970. Т.77. вып. 6.1. C.2419-2421

431. Ройтбурд А.Л. Неустойчивость приграничных областей и образование зигзагообразных междоменных и межфазных границ // Письма ЖЭТФ. 1988. Т.47. вып. 3. С.141-143

432. Даринский Б.М. Строение доменной границы в сегнетоэлектриках-полупроводниках / Б.М. Даринский, В.Н. Федосов // ФТП. 1978. Т.12. вып. 3. С.603-605

433. Сидоркин А.С. Строение доменной границы в сегнетоэлектриках / А.С. Сидоркин, Б.М. Даринский // ФТТ. 1986. Т.28. № 9. С.285-288

434. Федосов В.Н. Термодинамические параметры полидоменного одноосного сегнетоэлектрика // ФТТ. 1980. Т.22.В.11.С.3269-3272

435. Ченский Е.В. Теория фазовых переходов в неоднородные состояния в ограниченных сегнетоэлектриках во внешнем электрическом поле / Е.В. Ченский, В.В. Тарасенко // ЖЭТФ. 1982. Т.83. вып.З. С.1089-1099

436. Даринский Б.М. Доменная структура в пленках сегнетоэлектрических и пироэлектрических кристаллов / Б.М. Даринский, А.П. Лазарев, А.С. Сигов // Изв. РАН. Сер. Физ. 1996.Т.60.№10 С. 177-185

437. Pavlov S.V. Rearrangment of Domain Structure in Ferroelectrics near Isostructural Phase Transitions // Ferroelectrics. 1993. V.145. P.33-38

438. Гаврилова Н.Д., Новик B.K., Павлов С.В. Динамика протонов и диэлектрические свойства сегнетоэлектриков / Н.Д. Гаврилова, В.К. Новик, С.В. Павлов // Изв. РАН. Сер. Физ. 1993. Т.57, №6. С. 128-131

439. Preisach F. Ober die magnetiche Nachwiikung // Zs. Phys. 1935.V.94. N 5. S.277-302

440. Кондорский Е.И. О гистерезисе ферромагнетиков //ЖЭТФ. 1940. Т. 10. вып. 4. С.420-440

441. Ишлинский А.Ю. Об уравнениях пространственного деформирования не вполне упругих и вязко-пластических тел. // Изв. АН СССР. ОТН 1945. № 3.

442. Брокате М. Оптимальное управление системами, описывемое обыкновенными дифференциальными уравнениями с нелинейными характеристиками гистерезисного типа // Автоматика и телемеханика. 1991. № 12. С.З , 1992. № 1. С.

443. Pulvari C.F. Phenomenological Theoiy of Polarization Reversal in ВаТЮз Single Ciystals / C.F. Pulvari, W. Kuebler // J. Appl. Phys. 1958. V.29. N 9. P.1315-1321

444. Nakatani N. One-dimensional model of polarization reversal in TGS // Jap. J. Appl. Phys. Pt. 2.1989. V.28, N 28-2. P.143-146

445. Fang P.H. Ferroelectric Switching and the Sievert Integral / P.H. Fang, A. Stegum bene // J. Appl. Phys. 1963. V.34. N 2. P.284-286

446. Красносельский M.A. Операторы гистерезисных нелинейностей / М.А. Красносельский, А.В. Покровский // В кн.: Теория операторов в функциональных пространствах. Новосибирск: Наука. 1967. С.167-168

447. Янкович Б. О возможности аппроксимации петли гистерезиза // В Сб.: Труды Y Международной конференции по нелинейным колебаниям. Киев. 1970. С.503-514

448. Березовский А.А. Математическая модель гистерезиса / А.А. Березовский, Л.П. Нижних // В Сб.: Труды Y Международной конференции по нелинейным колебаниям. Киев. 1970. С.68-71

449. Покровский А.В. К теории гистерезисных нелинейностей // ДАН СССР. 1973. Т.20. №6. С. 1284-1287

450. Chua L.O. Mathematic Model for Dynamic Histeresis Loops / L.O. Chua, K.A. Stromstor // Int. J. Eng. Sci. 1971. V.9. P.435-450

451. Нерсесян B.C. Математическая модель гистерезисных циклов // В Сб.: Труды Горь-ковского политехнического института. Горький. 1975. Т.31. вып.2. С.4-25

452. Карпов А.И. Математическая модель диэлектрического гистерезиса / А.И. Карпов, Ю.М. Поплавко // В Сб.: Свойства сегнетоэлектриков. Минск. 1982. С.3-10

453. Карпов А.И. Гармонический анализ процессов переполяризации монокристаллов ТГС в синусоидальном электрическом поле / А.И. Карпов, Ю.М. Поплавко // Изв. АН СССР. Сер.физ. 1984. Т.48 Jfe 6. С.1193-1196

454. Рудяк В.М. Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках // Изв. АН СССР, серия физич. 1984. Т.48. № 6. С.1042-1056

455. Акулов Н.С. К теории кривых поляризации сегнетоэлектриков // ЖЭТФ. 1959. Т.36. № 4. С.1085-1087

456. Жаров С.Н. Описание петли диэлектрического гистерезиса и коэрцитивного поля кристаллов триглицинсульфата на инфранизких частотах / С.Н. Жаров, В.П. Каменцев // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезэлектрики. Калинин: КГУ. 1987. С.99-103

457. Клят О.И. Исследование диэлектрического гистерезиса на сверхнизких частотах / О.И. Клят, А.Б. Ляхов // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезэлектрики. Калинин: КГУ. 1987. С.171-174

458. Битлер А.Л. Применение линейной неравновесной термодинамики к описанию процесса переполяризации сегнетоэлектриков / А.Л. Битлер, В.М. , Л.М. Щербаков // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1984. Т.48. № 6. С.1158-1161

459. Рудяк В.М. Исследование эффекта Баркгаузена в кристаллах триглицинсульфата / В.М. Рудяк, В.Е. Камаев // Изв. АН СССР, серия физич. 1965. Т.29. № 11. С.937-942.

460. Горностаев В.Ф. Явления «запаздывания» в процессе переполяризации монокристалла ТГС // В Сб. Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Калинин. КГУ.1981.С.52-58

461. Бородин В.З. Образование зародышей доменов при переключении сегнетоэлектриков / В.З. Бородин, Э.Я. Шнейдер // В сб.сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики. Тверь. 1993. с. 144146

462. Турик А.В. Статистический метод исследования процессов переполяризации керамических сегнетоэлектриков // ФТТ. 1963. Т.5. №9. С.2406-2408

463. Мельгуй М.А. К теории гистерезисных явлений в сегнетоэлектриках // ДАН СССР. 1965. Т.К. №9. С.581-584

464. Stadler H.L. Nucleation and Growth of Ferroelectric domains in ВаТЮз at fields from 2 to 450 kV/cm / H.L. Stadler, P.J. Zachmanidis // J. Appl. Phys. 1968. V.34. №11 .P.3255-3260

465. Stadler H.L. Temperature dependence of 180° wall velocity in ВаТЮз / H.L. Stadler, P.J. Zachmanidis // J.Appl.Phys.l964.V.35. №10.2895-2899.

466. Mitsui T. Domain Structure of Rochelle Salt and KH2P04 / T. Mitsui, J. Furiichi // Phys. Rev. 1953. V. 90. N 2. P. 193-202

467. Abe R. Optical Study of the Resultant Movement of Many Walls in Rochelle Salt // J. Phys. Soc. Jap. 1958. V.13. N.3 P.244-249

468. Little E. Dynamic behavior of domain walls in barium titanate // Phys. Rev. 1957. V.98 N 4. P.978-984

469. Drougard M.E. Detailed study of switching current in barium titanate // J. Appl. Phys. 1960. V.31.N2. P. 352-355

470. Fatuzzo E. Switching mechanism in triglycine sulfate and other ferroelectrics / E. Fatuzzo, W.J. Mere // Phys. Rev. 1959. V.l 16. N 1. P. 61-68

471. Fatuzzo E. Theoretical consideration on the switching transient in ferroelectrics // Phys. Rev. 1962. V.l 27. N 6. P. 1999-2005;

472. E. Fatuzzo, W.J. Merz. Ferroelektrisity. AmsterdamrNorth-Holland, 1967

473. Nakamura T. Kinematic theoiy of ferroelectric domain growth // J. Phys. Soc. Japan. 1960. V.l 5, #8. P.1379—1386

474. Miller R.C. Mechanism for the sidewise motion of the 180° domain walls in barium titanate / R.C. Miller, G. Weinreicn // Phys.Rev. 1960. V.l 17. N.6. P.1460-1466

475. Струков Б.А. Исследование равновесной структуры в кристаллах триглицинсульфата вблизи температуры фазового перехода / Б.А. Струков, В.А. Мелепшна, В.И. Калинин, С.А. Тараскин // Кристаллография. 1972. Т.17. вып. 6. С.1166-1170

476. Миллер Р. Боковое смещение 180°-й стенки в монокристаллах ВаТЮз // Физика диэлектриков. М.: Изд-во АН СССР. 1960. С.329-338

477. Hayashi М. Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. I. General formulation //J.Phys. Soc. Japan. 1972. V.33. N.3. P.616-628;

478. Hayashi M. Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. П. Application to barium titanate // J.Phys. Soc. Japan. 1973. V.34. N.5. P.1240-1244;

479. Hayashi M. A Note on the Domain Wall Motion in Ferroelectric Switching // J. Appl. Phys. Soc. Japan. 1973. V.34, №5. P. 1686

480. Colins M.A. Dynamics of Domain Walls in Ferroelectric Materials. 1.Theory / M.A. Colins,

481. A. Blumen, J.F. Currie, J. Ross //Phys. Rev.l979.V.19. №7.P.3630-3655

482. Федосов B.H. Движение сегнетоэлектрических доменных границ в сильных полях /

483. B.Н. Федосов, Е.И. Чурсина//Физ. Низк. Темп.1979. Т.5.№6. с.656-658

484. Nettleton R.E. Lattice dynamical theory of switching in barium titanate // J. Appl. Phys. 1967. V.38.N7. P.2775-2786

485. Хильчер Б. Энергия активации движения доменных стенок в кристаллах ТГС с дефектами // Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1975. Т.39, № 4. С. 846-849

486. Combs J.А. Возможная модель для описания процесса переполяризации сегнетоэлектриков в слабых электрических полях / J.A. Combs, Е.В. Бурцев, С.П. Червонобродов II Кристаллография. 1982. Т.27. № 5. С.843-850

487. Бурцев Е.В. К расчету критического зародыша на межфазной границе в полярной среде (на примере 180°-й доменной границы в сегнетоэлектриках) / Е.В. Бурцев, С.П. Червоноб-родов//ДАН СССР. 1986. Т.294. Т4. С. 828-831.

488. Chervonobrodov С.Р. Orientational instability of domain boundary in ferroelectrics / C.P. Chervonobrodov, A.L. Roytbuid // Ferroelectrics. 1988. V.83. P. 109-112

489. Bursian E.V. The importance of the unlocal piezoeffect in domain structure formation in ferroelectrics. // Ferroelectrics. 2004. V.307. P. 177-179

490. Combs J.A. Single-kink dynamics in a one-dimensional atomic chain: A nonlinear atomistic theory and numerical simulation / J.A. Combs, S. Yip // Phys. Rev. B. 1983. V.28. N 12. P.6873-6885

491. Wada T. Brownian motion of domain wall and diffusion constants / T. Wada, T.R. Schriffer // Phys. Rev. B. 1978. V.18. N8. P.3897-3912

492. Донцова JI.И. Закономерности динамики доменов в процессе переполяризации кристаллов ТГС / Л.И. Донцова, Л.Г. Булатова, Э.С. Попов и др. // Кристаллография. 1982. Т. 27. №2. С. 305

493. Большакова Н.Н. Процессы перестройки доменной структуры и эффект Баркгаузена в чистых и примесных кристаллах триглицинсулфата / Н.Н. Большакова, В.М. Рудяк // Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1991. Т.55. № 3. С.606-612

494. Романюк Н.А. Изучение медленных процессов электрической поляризации сегнетовой соли по наблюдениям за доменной структурой / Н.А. Романюк, И.С. Желудев // Кристаллография. 1960. Т.5. № 3. С.403-408

495. Wieder Н.Н. Ferroelectric Polarization Reversal in Rochelle Salt // Phys. Rev. 1958. V.10. N 1. P.29-36

496. Wieder H.H. Activation field and Coercitivity of ferroelectric barium titanate // J. Appl.phys.1957. V.28. N.3 P. 367-369

497. Кукушкин C.A. Термодинамика и кинетика начальных стадий переключения в сегнетоэлектриках/ С.А. Кукушкин, А.В. Осипов // ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 1. С.80-87

498. Кукушкин С.А. Кинетика переключения в сегнетоэлектриках / С.А. Кукушкин, А. В. Осипов // ФТТ. 2001. Т. 43, вып. 1. С.88-95

499. Юрин В.А. Влияние термической обработки на электрические свойства сегнетовой соли, содержащей примеси / В.А. Юрин, И.С. Желудев // Кристаллография. 1959. Т.4. № 2. С.253-255

500. Моравец Ф. Изменение ширины доменов в кристаллах триглицинсульфата со временем / Ф. Моравец, В.П. Константинова // Кристаллография. 1968. Т. 13. № 2. С.284-289

501. Stankowska J. Ageing process in triglicine sulfate single crystals // Acta Phys. Polon.1967. V.31. № 3. P.527-544

502. Pajak Z. Dielectric Investigation of the Perovscite Type Ferroelectrics. Part 2. Ageing process in Ferroelectrics //Acta Phys. Polon.1959. V.18. № 5. P.507-520

503. Константинова В.П. Исследование доменной структуры триглицинсульфата при старении / В.П. Константинова, Я. Станковска // Кристаллография. 1971. Т. 16. № 1. С. 15 8-163

504. Мисарова А. Старение монокристаллов титаната бария // ФТТ. 1960. Т.2. № 6. С. 1276-1282

505. Шильников А.В. Рентгеноструктурные исследования некоторых эффектов переполяризации ЦТС-19 в сильных электрических полях / А.В. Шильников, Л.Д. Гришина, Я.В. Гришин // Рукопись депон. ВИНИТИ № 8534-И87.1987.20.12.

506. Тихомирова Н.А. Визуализация динамики доменной структуры в коллинеарных сегнетоэлектриках / Н.А. Тихомирова, Л.И. Донцова, С.А. Пикин, Л.А. Шувалов // Письма в ЖЭТФ. 1979. Т.29, вып.1. с.38-40.

507. Shur V.Ya. Field Induced Evolution of Heterophase Structure in PLZT Relaxor Ceramics / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, V.P. Kuminov, G.G. Lomakin, S.S. Beloglazov, A. Sternberg, A. Krumins//Ferroelectrics. 1997. V.199. P.159-171

508. Ozaki T. Ferroelectric Domain Structure Charaterized by Prefractals of the Pentad Cantor Sets in kh2po4// Ferroelectrics.1995. V.172. P.65-77

509. Shur V.Ya. Geometric Transformation of the Ferroelecrric Domain Structure in Electric Field / V.Ya. Shur, E.L. Rumyantsev, S.D.Makarov // Ferroelectrics.1995. V.172. P.361-372

510. Pulvary C.F., Kuebler V. Phenomenological theory of polarization reversal in ВаТЮз single crystals // J. Appl. Phys. 19 5. V.29, # 9. P.1315-1321

511. Попов Э.С. Об унипопярности частных циклов и электрическом последействии кристаллов триглицинсульфата // Физика диэлектриков и полупроводников. Волгоград. 1970. С.89-95

512. Шильников А.В. Диэлектрические свойства монокристаллов дейтерированного триглицинсульфата (DTGS) в ультраслабых низко- и инфранизкочастотных полях / А.В. Шильников, Л .А. Шувалов, А.П. Поздняков, А.В. Сопит // ФТТ. 1999. Т. 41. вып. 6. С.1073-1075

513. Дрождин С.Н. Диэлектрическая релаксация в кристаллах дейтерированного триглицинсульфата / С.Н. Дрозвдин С.Н., М.А. Куянцев // ФТТ. 1998. Т. 40. вып. 8. С.1542-1545

514. Иванов В.В. Диэлектрическая релаксация в кристаллах ТГС и ДТГС при изменении внешнего электрического поля и температуры/ В.В. Иванов, М.В. Колышева, Е.А. Клевцова, В.В. Макаров // Материаловедение. 2001. № 7. С. 6-9

515. Лучанинов А.Г. Остаточная поляризация и пьезоэффект в керамике ЦТСНВ-1 / А.Г. Лучанинов, А.В. Шильников // Изв. АН СССР, сер. Физич. 1983. Т.47. № 4. С.816-813

516. Ченский Е.В. О монодоменной поляризации сегнетоэлектриков с фазовым переходом первого рода // ФТТ. 1970. Т. 12. №2. С.586-592

517. Гуро Г.М. Полупроводниковые свойства титаната бария / Г.М. Гуро, И.И. Иванчик, Н.Ф. Ковтанюк // ФТТ. 1968. Т.10. №1. С.135-143

518. Ченский Е.В. Термодинамические соотношения для доменной структуры сегнетоэлектриков //ФТТ. 1972. Т. 14. Вып. 8. С.2241-2246

519. Турик А.В. Промежуточная моноклинная фаза и электромеханические взаимодействия в кристаллах *РЬТЮэ-н(1-*)РЬ(2п1/зМ>2/з)Оз / А.В. Турик, В.Ю. Тополов // ФТТ. 2002. Т.44, вып. 7. С. 1295-1301

520. Тополов В.Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердых растворах PbxZr^Oj / В.Ю.Тополов, А.В. Турик // ФТТ. 2001. Т.43, вып. 8. С.1525-1527

521. Ролов Б.Н. Физика размытых фазовых переходов / Б.Н. Ролов, В.Е. Юркевич // Ростов-на-Дону: РГУ.1983

522. Сидоркин А.С. Формирование доменной структуры в сегнетоэлектриках в условиях экранирования поляризации зарядами на поверхностных состояниях и свободными носителями заряда / А.С. Сидоркин, Б.М. Даринский, А.С. Сигов // ФТТ. 1997. Т. 39, № 5. С.922-924

523. Сидоркин А.А. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью / А.А. Сидоркин, А.С. Сидоркин, О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова // ФТТ. 2002. Т. 44, № 2. С.344-345

524. Голицина О.М. Релаксация радиационных дефектов в облученном триглицинсульфате / О.М. Голицина, Л.Н. Камышева, С.Н. Дрождин // ФТТ.1998. Т.40, № 1. С.116-117

525. Берсукер И.Б. Вибронные взаимодействия в молекулах и кристаллах / И.Б. Берсукер, В.З. Полингер // М.: Наука.1983.

526. Бурсиан Э.В. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. / Э.В. Бурсиан, Я.Г. Гирш-берг // М.: Прометей. 1989.197 с.

527. Берсукер И.П. Вибронная теория сегнетоэлектрическтва и структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках.// В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика. Л.1983.156.С.С.8-32

528. Консин И.П. О вибронной теории сегнетоэлектриков / И.П. Консин, Н.Н. Кристоф-фель. В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика//Л. 1983.156.С. С. 32-68

529. Бурсиан Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках // В сб.: Межзонная модель сегнетоэлектрика// Л. 1983.156.С. С. 88-107

530. Современная кристаллография / Л.А. Шувалов, А.А. Урусовская, И.С. Желудев и др. Физические свойства кристаллов (в 4-х томах) // М.: Наука, 1981.

531. Hausdorff G. Dimension und auberes // Mab. Math. Ann. 1919. V.79. P 157-179

532. Mandelbrot B.B. Les objets fractals: forme, hasard et dimension. Paris: Flammarion. 1975

533. Mandelbrot B.B.Fractals,Form,Chance and Dimension. San-Francisko: Freeman W-H. 1977

534. Mandelbrot B.B. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco:W.H.Freeman,1982.460 p.

535. Mandelbrot B.B. Fractals in Physics: Squing Clusters, Diffusions, Fractal Measures, and the Unicity of Fractal Dimensionality//J. Stat. Phys. 1984. V. 34. N 5/6. P.895-930

536. Мандельброт Б.Б. Самоафинные фрактальные множества. I. Основные фрактальные размерности. П. Размерности длины и поверхности. Ш. Аномалии хаусдорфовой размерности и их смысл // В сб.: Фракталы в физике. М.: Мир. 1988. С. 9-29,30-35,36-47

537. Соколов И.М. Размерности и другие геометрические критические показатели в теории протекания// УФН. 1986. Т. 150. № 2. С. 221-255

538. Бершадский А.Г. Крупномасштабные фрактальные структуры в лабораторной турбулентности, океане и астрофизике // УФН. 1990. Т.160. № 12. С.189-194

539. Иванова В.С. Синергетика и фракталы в материаловедении / В.С. Иванова, А.С. Баланкин, И.Ж. Бунин, А.А. Оксогоев // М: Наука. 1994.383 с.

540. Mandelbrot В.В. Physical Properties of New Fractal Model of Percolation Clusters / B.B. Mandelbrot, J.Gefen // Phys. Rev. Lett. 1984. V.52. N 21. P. 1853-1856

541. Aharony A. Multifractality on Percolation Clusters // In: Time-Dependent Effects in Disordered Materials. New York: Plenum Press. P.163-171

542. Aharony A. Percolation, Fractals, and Anomalous Diffusion // J. Stat. Phys. 1984. V. 34. N 5/6. P.930

543. Gefen J. Anomalous Diffusion on Percolation Clusters / J. Gefen, A. Aharony, S. Alexander // Phys. Rev. Lett. 1983. V.50. P. 77-80

544. Gefen J. Critical Phenomena on Fractal Lattices// J. Gefen, B.B. Mandelbrot, A. Aharony // Phys. Rev. Lett. 1980. V.45. N 11. P. 855-858

545. Смирнов Б.Н. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука. 1991

546. Смирнов Б.Н. Фрактальные кластеры // УФН. 1986. Т. 149, № 2. С.177-217

547. Hurst Н.Е., Black R.P., Simaika Y.M. Long-Term Storage: An Experimental Study. London: Constable, 1965

548. Mandelbrot B.B. Fractional Brownian motions, fractional noises and applications./ B.B. Mandelbrot, J.W. Van Ness // SIAM Rev. 1968. V.10. P. 422^37

549. Paladin G. Anomalous Scaling Laws in Multiftactal Objects/ G. Paladin, A.Vulpiani // Phys. Rep. 1987. V.l 56. No. 4. P. 147-225

550. Gordon J.M., Goldman А.М., Maps J., Costello D.,Tiberio R., Whitehead B. Superconducting-normal Phase Boundary of a Fractal Network in a Magnetic Field // Phys. Rev. Lett. 1986. V.56. P. 2280-2283

551. Алхимов В.И. Эффект исключенного объема в статистике самоизбегающих блужданий // УФН. 1994. Т. 164 №6. С.561-601

552. Малиновский В.К О наноструктуре неупорядоченных тел / В.К. Малиновский, В.Н. Новиков, А.П. Соколов // УФН. 1993. Т.165. №5. С.119-124

553. Нигматуллин Р.Р. Дробный интеграл и его физическая интерпретация // ТМФ. 1992. Т.90. С. 354-367

554. Самко С.Г. Интегралы и производные дробного порядка и некоторые их приложения / С.Г. Самко, А.А. Килбас, О.И. Маричев // Минск: Наука и техника, 1987.688 с.

555. Нигматуллин P.P. Диэлектрическая релаксация типа Коула-Коула и самоподобный процесс релаксации / P.P. Нишатуллин, Я.Е. Рябов // Изв. Вузов. Физика. 1997, № 4. С.6-11

556. Божокин С.Б. Фракталы и мультифракталы / С.Б. Божокин, Д.А. Паршин // Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2001.128 с.

557. Шредер М. Фракталы, хаос, степенные законы. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». 2001.528 с607.де Жен П. Идеи скейлинга в физике полимеров. М.: Мир,1982.368 с.

558. Учайкин В.В. Автомодельная аномальная диффузия и устойчивые законы // УФН. 2003. Т. 173. №8. С.847

559. Учайкин В.В. Фрактальные блуждания и блуждания на фракталах // ЖТФ. 2004. Т. 74. № 7. С.123-126

560. Корженевский АЛ. Фрактальная природа крупномасштабных неоднородных состояний в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом / АЛ. Корженевский, JI.C. Камзи-на, О.Ю. Коршунов // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т.61, №. 3. С. 214-216

561. Корженевский A.JI. Аномальная диффузия света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом /A.JI. Корженевский, Л.С.Камзина//ФТТ.1998.Т.40№ 8.С.1537-1541

562. Шур В .Я. Кинетика фрактальных кластеров при фазовых превращениях в релаксор-ной PLZT керамике / ВЛ. Шур, Г.Г. Ломакин, В.П. Куминов, Д.В. Пелегов, С.С. Белоглазов, С.В. Славиковский, ИЛ. Соркин // ФТТ. 1999. Т.41. № 3. С. 505-509

563. Шур В.Я. Фрактальные кластеры в ЦТСЛ керамике: эволюция в электрическом поле /

564. B.Я. Шур, Г.Г. Ломакин, С.С. Белоглазов, Д.В. Пелегов, Ф.Э. В.П. Круминып, А.Р. Штернберг// Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. 1999. вып. 1.5. С. 48-52

565. Мейланов Р.П. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации / Р.П. Мейланов, С.А.Садыков // ЖТФ. 1999. Т. 69. № 5. С.128-129

566. Встовский Г.В. Введение в мультифрактальную параметризацию структур материалов / Г.В. Встовский, А.Г. Колмаков, И.Ж. Бунин // М.-Ижевск: РХД. 2001.116 с.

567. Титов В.В. Мультифрактальные свойства зеренных структур в бинарной системе на основе ниобата натрия с неизоструктурными компонентами / В.В.Титов, Л.А. Резниченко,

568. C.В.Титов, В.Д. Комаров, В.А. Ахназарова//Письма в ЖТФ. 2004. Т.20, вып. 7. С. 42-47

569. Диткин В.А., Прудников А.П. Справочник по операционному исчислению. М.: ВШ. 1965.466 с

570. Работнов Ю.Н. Элементы наследственной механики твердых тел. М.:Наука. 1977.384с.

571. Работнов Ю.Н. Таблицы дробно-экспоненициальных функций отрицательных параметров и интеграла от нее / Ю.Н.Работнов, Л.Х.Палерник, Е.Н.Звонов // М.:Наука. 1969.132 с.

572. Белоненко М.Б. Нелинейные фоторефрактивные и динамические процессы в сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок. Дисс. Д-ра физ.-мат. Наук. Волгоград. 1998.

573. Белоненко М.Б. Разбавленные изинговые системы. Размытие фазового перехода. Неэргодичность / М.Б. Белоненко, Д.А. Дмитриев // Препринт.Волгоград:ВГУ.2000.32 с.

574. Белоненко М.Б. Универсальные свойства фрактальной размерности на пороге протекания / М.Б. Белоненко, В.А. Титов // Вестник Волгоградского государственного университета. Сер. Математика. Физика. 1996. Вып.1. С. 140-144

575. Удодов В.Н. Одномерно разупорядоченные состояния в рамках теории перколяции / В.Н. Удодов, Игнатенко B.C., Симоненко М.Б., Потекаев А.И. // Изв. Вузов. Физика. 1997, № 4. С.109-110

576. Feigenbaum М. J. The universal metric properties of nonlinear transromation // J. Statist. Phys. 1979. V. 21. P. 669-706

577. Фейгенбаум M. Универсальность в поведении нелинейных систем // УФН. 1983. Т. 143.В.2. С. 343-374

578. Солодуха А.М. Фрактальная размерность странного аттрактора для хаотических колебаний в контуре с сегнетоэлектриком / А.М. Солодуха, Л.П. Нестеренко // ФТТ. 1996. Т.38, №6. С. 1896-1898

579. Сидоркин А.С. Нелинейная динамика в электрическом контуре с сегнетоэлектриком/

580. A.С. Сидоркин, А.М. Солодуха, Л.П. Нестеренко // ФТТ. 1997. Т. 39. № 5. С.918-919

581. Солодуха А.М. Моделирование хаотической динамики для электрического контура с сегнетоэлектриком /А.М. Солодуха, Л.П. Нестеренко // Изв. АН. Сер. Физич. 1997. Т. 61. № 5. С.1009—1011

582. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум со спектром 1/f в твердых телах // УФН. 1985. Т. 45, вып. 2. С.285-328

583. Weissman M.V. 1/F noise and other slow? Nonexponentional kinetics in condensed matter// Rev. Mod. Phys. 1988. V. 60, N 2, P.537.

584. Гудыма Ю.В. llf шум в конденсированных средах: связь с неравновесным фазовым переходом // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. вып. 18. С. 1-5

585. Bak P., Tang С., Wiesenfeld К. Self-organized criticality: An explanation of 1 If noise // Phys. Rev. Letters. 1987. V. 59. P. 381-384

586. Bak P., Tang C., Wiesenfeld K. Self-organized criticality // Phys. Rev. A. 1988. V. 38. P. 364-374

587. Скоков В.Н.Самоорганизация критического состояния и 1 If флуктуации при взаимодействии фазовых переходов в распределенной системе / В.Н. Скоков, В.П. Коверда // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. вып. 20. С.13-19

588. Скоков В.Н. Масштабные преобразования Mf флуктуаций при неравновесных фазовых переходах / В.Н. Скоков, В.П. Коверда // ЖТФ. 2004. Т. 74. вып. 9. С.4-8

589. Коверда В.П. 1 If- шум при неравновесном фазовом переходе / В.П. Коверда, В.Н. Скоков, В.П. Скрипов // ЖЭТФ. 1998. Т. 113. вып. 5. С.1748

590. Дыкхне А.М. Устойчивочсь и хаос в двумерных случайно-неоднородных средах и LC-цепочках / А.М. Дыкхне, А.А.Снарский, М.И. Женировский// УФН.2004.Т.174.№ 8.С.887-894

591. Crawford FW. Impedance Characteristics of Mercury-Vapor Plasma // J. Appl. Phys. 1962. V. 33,1, P. 20-25

592. Barkley J.R. Antiphase boundaries and their interactions with domain walls in ferroelastic-ferroelectric Gd2(Mo04)3 / J.R. Barkley, W. Jeitschko // J. Appl. Phys. 1973. V.44, № 3. P.938-94

593. Шур В.Я. Особенности полевых зависимостей параметров переключения в молибдате гадолиния. / В.Я. Шур, В.В. Летучев, Е.Л. Румянцев, Т.Б. Чарикова. // Журнал технической физики, т. 55, в. 8,1985, с. 1666-1669

594. Алексеев А.Н. Особенности переключения молибдата гадолиния знакопеременным электрическим полем. / А.Н. Алексеев, М.В. Злоказов, АЛ. Проклов, Н.А. Тихомирова, Л.А. Шувалов. // Изв. АН СССР, серия физическая 1984. Т. 48, №6, С. 1123 -1125

595. Алексеев А.Н. Процессы формирования и перестройки регулярных ориентированных доменных структур в монокристалле молибдата гадолиния / А.Н. Алексеев, АЛ. Проклов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. т.50, №2. С. 407 411

596. Большакова Н.Н. Исследование перестройки доменной структуры монокристаллов молибдата гадолиния / Н.Н. Большакова, Н.С. Комлякова, Г.М. Некрасова, Т.М. Полховская,

597. B.М. Рудяк. // Изв. АН СССР Сер. физ. 1981, Т. 45, №9. С. 1666 -1671

598. Большакова Н.Н. Влияние одноосных механических напряжений на процессы перестройки доменной структуры монокристаллов молибдата гадолиния / Н.Н. Большакова, И.Д. Соколова, И.И. Сорокина, В.М.Рудяк.//Изв. АН СССР.Сер.физ.1986.Т.50, №7, С. 1442 -1444

599. Алексеев А.Н. Кинетика зигзагообразных доменных границ в молибдате гадолиния. / А.Н. Алексеев, A.JI. Проклов, Н.А. Тихомирова, Л. А. Шувалов. // Кристаллография. 1987. Т.32, вып.5. С. 1189-1195

600. Ройтбурд АЛ. Неустойчивость приграничных областей и образование зигзагообразных междоменных и межфазных границ // Письма в ЖЭТФ. Т.47. вып.З, С. 141 -143

601. Алексеев А.Н. Процессы формирования и перестройки регулярных ориентированных доменных структур в монокристалле молибдата гадолиния / А.Н. Алексеев, A.JI. Проклов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1986. т.50, №2. С. 407 411

602. Сонин Э.Б. Циркуляционные линии и движение антифазных границ в несобственном сегнетоэлектрике. / Э.Б. Сонин, А.К. Таганцев //ЖЭТФ. 1988. Т.94, вып.2, С. 315 328

603. Флерова С.А. Люминисценция кристаллов молибдата гадолиния при неравновесном состоянии доменной структуры / С.А. Флерова, В.Г. Таран, О.Е. Бочков // ФТТ. 1982. Т. 23, №2. С. 873-875

604. Флерова С.А. Переполяризация и люминисценция монокристаллов Gd2(MoC>4)3 / С.А. Флерова, В.Г. Таран, О.Е. Бочков. // Кристаллография. Т. 27.1982. В. 2. С. 302 304

605. Флерова С.А. Люминисценция при переключении кристаллов, обладающими сенето-электрическими и сегнетоэластическими свойствами / С.А. Флерова, В.Г. Таран // Изв. АН СССР, серия физич., 1979. Т. 43, № 8. С. 1745 -1748

606. Домрачев Г.А. Приложение теории алгебраических систем для создания иерархии структур твердых тел, образующихся в равновесных и неравновесных условиях / Г.А. Домрачеев, А.И. Лазарев // ФТТ. 1999. Т. 41, № 5. С. 799 804

607. Киоссе Г.А. Кристаллохимия винной кислоты, ее простых и комплексных солей // В кн.: Кристаллические структуры неорганических соединений. Кишинев: Штиница, 1974. С. 103-126

608. Beevers С.А., Hughes W. Crystal Structure of Rochelle Salt // Proc. Roy. Soc., Ser. A. 1941. V.177. P. 251-259

609. Филиппова И.Г., Киоссе Г.А. Кристаллические структуры сегнетоэлектриков семейства сегнетовой соли и твердых растворов на ее основе // В кн.: Структурные исследования неорганических и органических соединений. Кишинев: Штиница, 1985. С. 97-108

610. Shiozaki Y, Shimizu К., Suzuki Е., Nozaki R. Structural Change in the Paraelectric Phase of Rochelle Salt//J. Kor. Phys. Soc. 1998. V.32. P.S192-S194

611. Попов Э.С. Мост для измерения электрических параметров сегнетоэлектриков // Исследования по физике сегнетоэлектриков. Саратов: Изд-во Саратовского ун-та. 1966. С.24-26

612. Штраус В.Д. Диэлектрический спектрометр. А.С. 855536, 957127 СССР // Всемирная выставка достижений молодых изобретателей. Болгария. 1985

613. ATM 150-70. Методы определения диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь твердых изоляционных материалов на переменном токе // Сб. стандартов США. 1970. ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ № 25. С. 188-207

614. Klitm H. Dielectric measuring method at ultralow frequencies using a transient recorder/H. Klitm, H. Dederichs //Rev. Sci. Instrum. 1984. V.55 (6). P. 995-996

615. Гладкий B.B. О двух видах релаксации поляризации полидоменных сегнетоэлектриков в электрическом поле / В.В. Гладкий, В.А. Кириков, Е.С. Иванова, С.В. Нехлюдов // ФГГ. 1999. Т. 41. № 3. С.499-504

616. Цах Р. Диэлектрическая нелинейность некоторых сегнетоэлектрических кристаллов // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т.55. № 3. С.474-480

617. Солодуха А.М. Хаотические колебания, фракталы и сечение Пуанкаре // Волновые процессы в неоднородных и нелинейных средах: Мат-лы семинаров НОЦ. Воронеж. В ГУ. 2003. С.370-384

618. Солодуха А.М. Сечение Пуанкаре фазового портрета нелинейного RLC-контура, содержащего сегнетоэлектрик / А.М. Солодуха, А.С. Сидоркин, А.А. Шевченко // ФТТ. 1993. Т35, №7. С.204&2049.

619. Сасов А.С. Моделирование динамики прстранственной структуры сегнетоэлектриче-ского кристалла триглицинсульфата / А.С. Сасов, М.Б. Белоненко // ФТТ. 2006. т.48, № 6. С.1067-1068

620. Лотонов A.M. Диэлектрическая дисперсия как признак появления полярной фазы в сегнетоэлектриках / А.М. Лотонов, В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова// ФТТ. 2006. Е.48, № 6. С. 969-972

621. Мейланов Р.П. Особенности фазовой траектории «фрактального» осциллятора/ Р.П. Мейланов, М.С. Янполов // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, № 1.С. 67-70

622. Дыхне A.M. Аномальный избыточный шум в неоднородных упругих телах./ А.М.Дыхне, В.В. Зосимов, С.А.Рыбак // ДАН СССР. 1995. Т.345. с.467-471,

623. Анищенко B.C. Стохастический резонанс как индуцированный шумом эффект увеличения степени порядка / B.C. Анищенко и др.//Успехи физ. Наук. 1999. Т. 169, № 1. С. 7-38

624. Шильников А. В. Исследование влияния процесса старения кристалла сегнетовой соли на параметры релаксации электрической поляризации при стационарных и нестационарных температурных условиях / А. В. Шильников,

625. Э. С. Попов, С. В. Горин, Н. М. Галиярова, Л. А. Шувалов // сб. : «Физика диэлектриков и полупроводников». Волгоград: ВПИ, 1981. С. 74-85.

626. Galiyarova N. M. Electric Field and Shearing Stress Effect on Rochelle Salt Dielectric Spectrum Parameters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin, A. V. Shil'nikov, D. G. Vasil'ev // Ferroelectric Letters. 1988. V. 8. № 5/6. P. 109-112.

627. Shil'nikov А. V. On Ferroelectric Sigle Crystalls' Reversible Domain Walls Motion in LF and ILF Electric Fields / A. V. Shil'nikov, N. M. Galiyarova,

628. S. V. Gorin, E. G. Nadolinskaya, D. G. Vasil'ev, L. H. Vologuirova // Ferroelectrics, 1989. V. 98. P. 3-14.

629. Шильников А. В. О низкочастотных диэлектрических свойствах кристаллов KDP и RbDP / А. В. Шильников, JI. А. Шувалов, JI. X. Вологирова,

630. Н. М. Галиярова, С. В. Горин // сб.: «Труды Всесоюзной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» 17-22 сентября 1990 г.» Ч. 1. Александров : ВНИИСИМС. С. 314-318.

631. Galiyarova N. М. Infralow-Frequency Dispersion of Dielectric Permittivity Due to Irreversible Domain Walls Motion Near Phase Transition Point in Triglycine Sulfate // Ferroelectrics, 1990. V. 111.P. 171-179.

632. С. В. Горин, Л. X. Вологирова, А. В. Шильников, Л. А. Шувалов // Изв. АН СССР. Сер. физич., 1990. Т. 54. № 4. С. 795-800.

633. Вологирова JI. X. О природе плато на температурных зависимостях диэлектрической проницаемости дигидрофосфата цезия / Л. X. Вологирова,

634. Галиярова Н. М. Эволюция диэлектрических спектров при изменении соотношения определяющих движение доменных стенок упругих вязких и инертных сил // сб.: «Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики». Тверь : ТГУ, 1993. С. 54-70.

635. ЪТалиярова Н. М. Критическое замедление низкочастотной релаксации в дейтериро-ванном триглицинсульфате / Н. М. Галиярова, В. А. Федорихин, JI. И. Донцова, А. В. Шильников // Изв. РАН. Сер. физич., 1996. Т. 60. № 10. С. 142-149.

636. Galiyarova N. М. Fractal Features of Ferroelectrics with Domains and Clusters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin, L. I. Dontsova // J.Korean Phys. Soc., 1998.V. 32. P. S771-S773.

637. Galiyarova N. M. Fractal Features of Dielectric Response of Ferroelectrics with Domains and Clusters / N. M. Galiyarova, S. V. Gorin // Ferroelectrics, 1999.V. 222. P. 373-379.

638. Galiyarova N. M. Fractal Features of Domain Boundaries / N. M. Galiyarova, L. I. Dontsova // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 269-274.

639. Galiyarova N. M. Fractal Dielectric Response of Multldomain Ferroelectrics from the Irreversible Thermodynamics Standpoint // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 381-383.

640. Galiyarova N. M. To the Response of Some Fractal Nonlinear Systems / N. M. Galiyarova, Y. I. Korchmariyuk // Ferroelectrics, 1999. V. 222. P. 389-395.

641. H. М. Галиярова, А. Б. Бей // Вестник ВолгГАСУ, Сер. Естеств. науки, вып. № 3 (10), 2004. С. 68-73.

642. Galiyarova N. М. Fractal Dimensionalities and Microstructural Parameters of Piezoceramic PZTNB-1 / N. M. Galiyarova, A. B. Bey, E. A. Kuznetzov, Y. I. Korchmariyuk // Ferroelectrics, 2004. V. 307. P. 205-211.