Методы и средства контроля и улучшения качества многосегментных PIN-фотодиодов с охранным кольцом тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат технических наук Куроедов, Александр Вениаминович

• Куроедов, Александр Вениаминович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Куроедов, Александр Вениаминович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Проблемы контроля надежности и контроля фотоприемников на основе кремния.

1.1. Фотоприемники видимого, Ж и УФ спектра.

1.2. Вопросы надежности, испытаний на надежность в нормальном и форсированном режимах, основные виды дефектов, выявляемых при испытаниях.

1.3 Анализ отказов полупроводниковых приборов и ИМС.

Выводы.

ГЛАВА II. Разработка экспресс-методов контроля и повышения надежности многосегментных РШ-фотодиодов с охранным кольцом

2.1. Элементы технологии и конструкции.

2.2. Разработка методов диагностики путем проведения испытаний на безотказность в номинальном и форсированном режимах.

2.3. Разработка методов диагностики многосегментных РШ-фотодиодов с охранным кольцом по интегральным и дифференциальным вольт-амперным характеристикам [51-55].

2.3.1. Анализ В АХ «идеальных» ФД.

2.3.2. Диагностика «неидеальных» ФД по интегральным и дифференциальным параметрам ВАХ [51, 52, 54, 56].

2.3.2.1. Экспериментальные результаты.

2.3.2.2. Обсуждение экспериментальных результатов.

2.3.3. Радиационно-термические способы повышения надежности РШ-фотодиодов с охранным кольцом [59].

Выводы.

ГЛАВА III. Исследование фотоэлектрических дефектов и неоднородности р-п- и РШ-фотодиодных структур с помощью сканирующего лазерного зонда.

3.1. Установка и методика контроля крупномасштабных неоднородностей фотодиодных структур с помощью лазерного сканирующего зонда.

3.2. Установка и методика контроля микронеоднородностей фотодиодных структур с помощью лазерного зонда.

3.2.1. Назначение и область применения установки.

3.2.2. Технические данные.

3.2.3. Состав контрольно-измерительной системы.

3.2.4. Методика оценки однородности и локальных дефектов.

3.2.5. Фототок в р-п-переходе, освещаемом параллельно плоскости перехода слабо поглощаемым светом.

3.3. Результаты исследований дефектов и однородности p+-n- и PINфотодиодных структур.

Выводы.

ГЛАВА IV. Рентгеновские топографические и дифрактометрические исследования дефектов структуры PIN-фотодйодов типа ФДК-146 и ФУЛ-113 с охранным кольцом.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Методы и средства контроля и улучшения качества многосегментных PIN-фотодиодов с охранным кольцом»

Данная работа посвящена исследованию физико-химических основ деградации многосегментных РШ-фотодиодов (ФД) с охранным кольцом, разработке экспресс-методов контроля и отбраковки потенциально ненадежных приборов и разработке конструктивно-технологических и радиа-ционно-термических способов повышения надежности.

За рубежом с целью отбраковки потенциально ненадежных полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных микросхем (ИМС) применяют различные виды испытаний, наиболее эффективными из которых, по-видимому, являются предусмотренные стандартом М1Ь-8П)-750 для ПП и М1Ь-8ТО-883 для ИМС. Они включают визуальный контроль структуры перед герметизацией, выдержку при повышенной температуре, тепловые удары, термоциклирование, механические удары, центрофугирование, проверку на герметичность, измерение электрических параметров при крайних значениях температуры, термоэлектротренировку и контроль внешнего вида готовых изделий.

Выдержка при высокой температуре позволяет выявить проколы в слое окисла и дефекты, связанные с ионной нестабильностью окисла. Тепловые и механические удары, а также постоянное ускорение позволяют устранить приборы с негерметичными корпусами, с ненадежными контактами. Испытания на воздействие линейного ускорения (центрифугирование) имеет смысл для проверки электроразводки, изготовленной из сравнительно «тяжелой» золотой проволоки, т.к. усилия, возникающие при центрифугировании в алюминиевой проволоке и соединениях, очень малы. Испытания на тепловой удар вместе с тем могут привести к выявлению скрытых дефектов.

Методы термоэлектротренировки ПП и ИМС широко применяются как на заводах-изготовителях элементной базы, так и у конструкторов и разработчиков электронной аппаратуры.

С целью ускорения испытаний их часто производят при повышенной, вплоть до 300°С, температуре. Однако при этом могут возникнуть несвойственные при обычных условиях эксплуатации дефекты.

Для выявления потенциальных дефектов применяют испытания в форсированном режиме, при повышенной температуре, когда имеет место ускорение различных физико-химических процессов деградации, а иногда и улучшение параметров приборов. Применяется также форсированный электрический режим или сочетание воздействия повышенной температуры и электрического воздействия. Ускорение физико-химических процессов при повышении температуры описывается уравнением Аррениуса. Обобщением данного уравнения, учитывающим термическое воздействие электрической мощности, является модель Эйринга. В то же время при проведении испытаний необходимо следить, чтобы не были нарушены условия автомодельности процессов, которые могут приводить к отказам. Так, при испытаниях приборов, имеющих золотые контакты, температура р-п-перехода не должна превышать 370°С, т.к. при более высокой температуре образуется эвтектический сплав золото-кремний и могут иметь место специфические отказы, не возникающие при эксплуатации при обычной температуре. Если деградация связана с конденсированием влаги, то температура испытаний не должна превышать 100°С, т.к. при более высокой температуре вода испаряется. При испытаниях на длительную наработку, особенно при температуре 200-300°С, могут иметь место как изменение параметров во времени, так и параметрические отказы, связанные с миграцией ионов натрия в диэлектрической пленке. Поэтому, как правило, температура при ускоренных испытаниях не должна превышать 250-260°С. Сочетание температуры и обратного смещения, в частности, кремниевых ФД при ускоренных испытаниях (УИ), позволяют выявить деградацию, связанную с зарядовой нестабильностью слоя окисла, способствующей формированию каналов в приповерхностном слое, которые приводят к существенному росту темнового тока и низкочастотных шумов, а также уменьшению фоточувствительности. УИ при повышенной плотности позволяют ускорить электромиграцию ионов золота и алюминия, а также натрия в окисной пленке.

При анализе интенсивности отказов в оценке надежности следует оценивать влияние четырех воздействий: тока, напряжения, температуры и влажности.

В настоящее время для целей диагностики и идентификации отказов применяют электронные микроскопы, растровую (сканирующую) микроскопию (РЭМ). Электронный луч в сканирующем электронном микроскопе можно использовать в качестве зонда, позволяющего выявить токи утечки и места их возникновения. С помощью рентгеновского микроанализатора можно проводить неразрушающий качественный и количественный микроанализ образцов малого объема и площади и идентифицировать загрязнения и посторонние примеси на поверхности, электромиграцию примесей, контролировать химический состав диэлектрических и проводящих слоев, образование интерметаллических соединений в местах контакта золота с кремнием и др. металлами.

Оже-спектроскопия обеспечивает более высокую, чем электронная микроскопия, чувствительность при определении легких элементов, в частности, профиля распределения легирующей примеси. Для анализа активной области, неоднородности, наличия дефектов и механических напряжений используют лазерное сканирование. Инфракрасная спектроскопия позволяет обнаружить плохую фиксацию кристалла кремния к основанию корпуса, неоднородности в металлических слоях и т.д. Кроме того, широко применяется рентгеновская спектроскопия, ионное микрозондирование, растровая акустическая микроскопия, растровая ИК-микроскопия и др. методы.

Общая характеристика диссертации.

Актуальность работы.

Многосегментные РГК-фотодиоды с охранным кольцом широко применяются в гражданской и бортовой аппаратуре и оргтехнике, включая космическую. Для этих приборов первостепенное значение приобретают не только проблемы качества, но и надежности, т.е. обеспечение низкой интенсивности параметрических и катастрофических отказов при длительной эксплуатации.

Актуальность диссертации обусловлена необходимостью разработки комплексных методов и средств диагностики и контроля надежности и создания конструктивно-технологических и радиационно-термических способов ее повышения.

Цель работы и задачи исследования

Разработка физико-химических и физических методов экспресс-контроля для выявления скрытых дефектов, определяющих надежность, и способов улучшения качества и надежности многосегментных Р1Ы-ФД с охранным кольцом.

Данная цель достигалась постановкой и решением следующих задач:

1. Созданием на базе персонального компьютера автоматизированной системы для измерения и анализа интегральных и дифференциальных параметров и характеристик и выявления дефектных структур.

2. Проведением испытаний на безотказность, длительную наработку при температурах 20, 55, 70 и 85°С и ресурсных испытаний на основе соотношений Аррениуса.

3. Разработкой конструктивно-технологических методов повышения надежности.

4. Разработкой радиационно-термических методов снижения интенсивности отказов и увеличения времени безотказной работы более чем в два раза.

5. Разработкой аппаратуры и методики лазерного сканирования для контроля однородности электрофизических и оптических параметров и характеристик структур, выявления скрытых объемных и поверхностных дефектов.

6. Применением методов рентгеновской топографии (РТГ) и рентгеновской дифрактометрии (РД) для обнаружения скрытых дефектов исходных пластин и возникающих в ходе технологических операций.

Научная новизна заключается в:

1. использовании классических моделей монополярной и двойной ин-жекции, ш- и п-параметров для диагностики и обнаружения ФД с отклонениями от идеальных электрических и фотоэлектрических характеристик вследствие получения объемных и поверхностных дефектов;

2. установлении разных механизмов деградации характеристик сегментов и колец при длительной наработке: «быстрой», связанной с процессами на поверхности у колец, и «медленной», вызванной объемными эффектами, у сегментов;

3. выявлении основной причины параметрических отказов при длительной наработке: эффективном росте темнового тока колец при практической неизменности темнового тока сегментов;

4. предложении конструктивно-технологичсеских и радиационно-термических методов подавления «быстрой» деградации путем создания дополнительных пассивных колец, легирования свободной поверхности бором, замены диоксида кремния фосфорно-силикатным стеклом, облучения нейтронами или гамма квантами;

5. установлении методом лазерного сканирования макро- и микронеод-нородностей первого и второго типа в местах выхода ¡-области на поверхность кристалла или находящихся внутри сегментов и приводящих к появлению максимумов фототока и усилению низкочастотных шумов;

6. определении методами РТГ и РД деформации и несоответствия параметров кристаллической решетки легированных фосфором слоев и исходного р-кремния, а также находящихся под слоем диэлектрика;

7. обнаружении значительного неоднородного упругого изгиба пластин с разными радиусами, изменяющимися от образца к образцу, и заполированных царапин под оптически гладкой поверхностью кристалла, приводящих к росту темнового тока, проявлению неоднородности фототока и появлению избыточных шумов;

8. обнаружении на границе кремния и диэлектрика специфических дефектов в виде звездочек, которые являются либо частицами кварца в аморфной пленке, либо представляют собой трехлучевые трещины, обусловленные анизотропией упругих свойств кристалла в плоскости (111).

Практическая ценность работы заключается в:

1. разработке на базе персонального компьютера автоматизированной системы для измерения вольт-амперных характеристик, ш- и п-параметров, фоточувствительности, шумов и др. параметров и характеристик и пакета программ для анализа результатов измерения;

2. создании аппаратуры и методики контроля однородности и дефектов фотодиодных структур путем лазерного сканирования;

3. использовании рентгеновских методов выявления скрытых дефектов исходного материала и возникающих в ходе технологического цикла изготовления ФД;

4. разработке конструктивно-технологических и радиационно-термических методов повышения надежности.

Реализация и внедрение результатов работы.

Результаты использованы для контроля качества и надежности, диагностики и отбраковки дефектных структур на различных этапах технологического цикла изготовления серийных фотодиодов на заводе ОАО «Кварц», ГНЦ РФ ФГУП «НПО «Орион». Они нашли отражение в отчетах по хоздоговорным темам с заводом ОАО «Кварц» и », ГНЦ РФ ФГУП «НПО «Орион»: «Использование деградационных процессов при испытаниях на надежность, установление причин отказов и диагностика кремниевых фотодиодов» (НИР Д-90-78, шифр «Тропа»), «Разработка методов диагностики и исследования деградации и надежности фотоприемников»

НИОКР ПС-363), «Разработка средств отбраковки потенциально ненадежных кристаллов и микросхем: лазерной и жидкокристаллической дефектоскопии, рентгеновской топографии, радиационно-термической обработки» (НИОКР ПСГ-902).

Апробация работы.

Основные результаты докладывались на Российской научно-технической конференции «Методы и средства оценки и повышения надежности приборов, устройств и систем» г. Саратов, июнь-июль 1994 г.; на МНТК «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры» г. Севастополь (Крым), сентябрь 1996 г. и сентябрь 1997 г.; «Информационные технологии в науке, технике и образовании» Аланья (Турция), май 2004 г., г. Севастополь, сентябрь 2004 г.; «Информационные технологии и моделирование электронных приборов и техпроцессов в целях обеспечения качества и надежности аппаратуры» Сафага (Египет), май 2005 г., Сусс (Тунис) октябрь 2005 г.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ и три отчета по НИОКР.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Основная часть диссертации изложена на 118 страницах машинописного текста, содержит 37 рисунков и 8 таблиц, а также имеет четыре приложения, изложенных на 19 страницах машинописного текста.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», Куроедов, Александр Вениаминович

Выводы

1. Разработана методика рентгеновской топографии и рентгеновской дифрактометрии для контроля исходных пластин и структур после основных технологических операций.

2. С помощью РД-метода установлено существование неодноосного неоднородного изгиба структур. Не обнаружено влияние различной обработки поверхности на изгиб пластин.

3. Из рентгенодифрактограмм установлено присутствие двух пограничных слоев с отличными от кремния периодами кристаллической решетки и величиной деформации 6,3-10"4 и 2,3 которые, по-видимому, связаны с различием коэффициентов термического расширения кремния и диоксида кремния и образованием промежуточного слоя под металлическим электродом вследствие диффузии хрома и золота в кремний.

4. Из анализа рентгеновских топограмм зарегистрировано два типа структур ФДК-146 с диэлектрической пленкой «зеленого» и «красного» цвета (толщиной 0,18 и 0,25 мкм соответственно), причем у структур второго типа зарегистрирован больший упругий изгиб и больший уровень упругих напряжений вследствие более толстой диэлектрической пленки («красного» цвета).

5. В структурах первого типа с более тонкой диэлектрической пленкой («зеленого» цвета) обнаружены грубые дефекты - заполированные царапины под оптически гладкой поверхностью кремния, которые возникли в результате механической обработки (резки и шлифовки), которые могут служить стоками для примесей и дефектов, являются причиной ускоренной диффузии фосфора и создания проводящих каналов между сегментами и кольцом.

6. В структурах второго типа также наблюдали массивы густо расположенных царапин, плотность которых на границе одних сегментов достигала 250 см-1, в то время как у других она составляла 30 см-1, которые проявлялись с хорошим контрастом только под слоем золота омического контакта кольца.

7. Массивы царапин не проявлялись на участках рентгенограмм, соответствующих площади сегментов, вследствие больших деформаций под относительно толстым слоем диэлектрика («зеленого» цвета), где происходил распад рентгеновского волнового поля, несущего информацию о дефектах в приповерхностном слое, что позволило наблюдать специфические дефекты в пленке диэлектрика: двух-трехлучевые «звездочки», которые представляли собой локальные монокристаллы кварца или трещины в диэлектрике.

8. В структурах ФУЛ-113, имеющих наибольшие деформации или несоответствия периодов решетки и большой разброс деформаций в разных ФД, зарегистрировано большое число равносторонних треугольников, стороны которых являются отрезками дислокаций, варьируются в пределах 130-330 мкм, плотность достигает 2,0-103 см-2 в одних сегментах и снижается на порядок в других.

107

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Работа носит комплексный характер и посвящена разработке методов контроля параметров для повышения надежности многосегментных РШ-фотодиодов с охранным кольцом.

Одним из методов контроля были предложены испытания на безотказность в форсированном режиме при повышенной температуре (до 100°С). Эти испытания, проведенные в течение 1000 ч. с последующим измерением темнового тока колец при 85°С, позволили выявить до 30% потенциально ненадежных фотодиодов, однако требовали дополнительных затрат на оборудование, операторов и существенно повышали время технологического процесса. Однако наиболее существенным недостатком является снижение ресурса и продолжительности последующей безотказной работы.

Поэтому были разработаны экспресс-методы контроля безотказности и надежности, основанные на изучении физико-химических процессов, протекающих в объеме, на поверхности диэлектрической пленки и на границе раздела кремния с диоксидом кремния.

Для разработки экспресс-метода контроля и изучения физико-химических причин деградации были исследованы интегральные и дифференциальные ш- и п-параметры прямых и обратных вольт-амперных характеристик (ВАХ) и выявлены приборы с «идеальными» и дефектными характеристиками.

Было установлено, что причиной аномально больших темновых токов колец и их зависимости от времени наработки являются поверхностные эффекты и зарядовая нестабильность диэлектрической пленки 8Юг с внешней стороны кольца, повышенная скорость поверхностной рекомбинации и увеличение размеров каналов в ходе наработки.

По виду ВАХ, ш- и п-параметрам ФД были разбиты на группы потенциально надежных и ненадежных приборов и результаты предварительной экспресс-диагностики были подтверждены последующими испытаниями в форсированном режиме.

Для снижения влияния поверхностных эффектов, являющихся причиной повышенной величины темнового тока кольца и аномально сильной ее зависимости от времени наработки, был предложен метод легирования свободной поверхности бором или создания второго пассивного кольца п+-типа проводимости.

Эффективным методом снижения скорости деградации темновых токов колец явилось облучение готовых структур нейтронами или гамма квантами с последующим термическим отжигом. ФД, облученные нейтронами, имели скорость деградации в 5,1 раза, а гамма квантами - в 6 раз ниже, чем стандартные ФД.

Для исследования дефектов и неоднородностей ФД был использован метод лазерного сканирования, который позволил выявить места локализации сильного электрического поля на границах п+- и i-областей на поверхности. Кроме того, были обнаружены дефекты внутри сегментов, связанные частично с дислокациями, которые являлись причиной повышенного фототока и низкочастотных шумов.

Для обнаружения скрытых дефектов исходных кристаллов и возникших в ходе технологического цикла были использованы методы рентгеновской топографии и дифрактометрии. С помощью этих методов было установлено существование полностью неоднородного изгиба всех структур, который являлся следствием либо создания диэлектрической пленки на лицевой стороне пластины, либо сплошного двухслойного покрытия хром-золото на противоположной стороне.

В структурах с относительно небольшим упругим изгибом обнаружены грубые механические дефекты - заполированные царапины, которые не фиксируются оптическими методами. Они являлись стоками для примесей и дефектов и областями для ускоренной диффузии фосфора, что приводило к возникновению каналов проводимости между сегментами и кольцами, повышая темновые токи и шум. В структурах второго типа с малым радиусом кривизны на границе раздела диоксида кремния (фосфор-но-силикатного стекла) и кремния наблюдались специфические дефекты, связанные с локальной кристаллизацией кварца или с трещинами в диэлектрике.

110

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Куроедов, Александр Вениаминович, 2007 год

1. Анисимова И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полу-проводниовые фотоприемники//М.: Радио и связь. 1984.

2. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов//М.: Радио и свзь. 1985.

3. Ушакова М.Б. Современные полупроводниковые фотоэлектрические приемники//М.: ВИНИТИ. 1988. Вып.12. С. 85-128.

4. Продукция НПО «Орион» для гражданского приборостроения и народного хозяйства//И.: Информтехника. 1993.

5. Аксененко М.Д., Бараночников M.JI. Приемники оптического излу-чения//М.: Радио и связь. 1987.

6. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразо-ватели//М.: Сов. радио. 1971.

7. Левашенко Г.Н., Годованюк В.Н., Мазаев Н.В., Шимановский А.Б Новый кремниевый фотоприемник//ЭП. 1996. № 1. С.63-64.

8. Lazarus M.G. and Price R.W. Pulsed Optical Switching of Junction Pho-totransistors//Solid StElectr. 1997. V. N9. P.1251-1255.

9. Optoelectronics. Date Book. Siemens. 1993.

10. Zeto M. Et.al. Performance Dependence of Large Area Silicon p-i-n Photodiodes Upon Epitaxial Thickness//Solid St.Electr. 1997. V. N47.P.1083-1087.

11. Garren L.D., Schow C.L. and Campbell A. Silicon Based Integrated N MOS p-i-n Photoreceiver.//IEEE Trans.Electr.Dev. 1966. V.43. N3. P.411-417.

12. Гаценко Л.С., Головнер Т.М., Горшкова Г.Н. Au-Si поверхностно-барьерные детекторы с повышенной чувствительностью к ближней ультрафиолетовой области//ПТЭ. 1976. № 2. С.272-273.

13. Зозуля Ю.И., Мамачаю И.М., Масиян А.Р. Фотоприемник для фото-метрии//ОМП. 1981. № 11. С.54-55.

14. Muench W., Gessert C. and Kolniger M. Photodiodes and Junction Field-Effect Transistors with Hight UV Sensitive//IEEE. 1976. V.ED 23. N10. P. 1203-1207.

15. Таубкин И.И., Кочеров В.Ф., Залетаев Н.Б. Физические явления в монокристаллческих примесных фоторезсторах//М.: Информтехни-ка. 1992.

16. Yuan Н.Х. and Perera A.G. Space Charge Analysis of Si n+-I Structures with application to Far Infrared Detectors//Solid St.Electr.1996. V.39. N5. P.621-629.

17. Бакиров М.Я. Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах//ФТП. 1977. Т.31. № 5. С.520-522.

18. Green V.A., Zhao J., Wang A. and Wenham S.B. 45% Efficient Silicon Photovoltaic Cell under Monochromatic Light/ЛЕЕЕ Electr.Device Lett. 1992. N12. P.313-319.

19. Матричные ИК датчики. Обзоры. Иностранная техника и экономика средств связи. М.: ЦООНТИ «ЭКОС. 1989. Вып. 5.

20. Амбозяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М.: Сов.Радио. 1970.

21. Dash W.C., Newman R. Intrisic Optical Absorption in Single Grystal Germanium and Silicon at 77 and 300 K//Phys.Rev. 1955. V.99. P. 11511156.

22. Mocc Т. Оптические свойства полупроводников. M.: ИЛ. 1961. 365 с.

23. Степанова Г.А,, Закиров Р.Х. Двойной фототранзистор, чувствительный к координате светового пятна//ПТЭ 1978. № 4. С. 242-244.

24. Зюганов О.М., Свечников С.В. Фотопотенциометры//Техника, Киев.

25. Srivastava А.К., De Winter J.C. Caneau С., Poltack M.A. and Zyskind J.L. High Performance GalnAsSb/GaSb p-n photodiodes for the 1,8-2,3 |im wavelength range//Appl.Phys.Lett. 1986. V.48. N7. P.903-904.

26. Михайлова М.П., Андреев И.А., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Моисеев К. Д., Яковлев ВГП. Гетеропереходы II типа GaInAsSb/InSb//OTn 1955. Выгао4ю С.678-687.

27. Михайлова М.П., Стусь И.М., Слободчиков C.B., Зотова И.В., Матвеева Б.А., Талалакин Г.Н. Фотодиоды на основе твердых растворов InAsixSbx для спектрального диапазона 3-5 мкм//ФТП 1996. Вып.9. СЛ 613-1621.

28. Жуков А.Г., Горюнов А.Н., Кальфа А.А Тепловизионные приборы и их применение//М.: Радио и связь. 1983.

29. Тымкул В.М., Ананич М.И. Системы тепловидения. Новосибирск: СГТА. 1995.

30. Ллойд Дж. Системы тепловидения. Перевод с англ. под. ред. Василь-ченко Н.В. М.: Мир. 1978.

31. Жуков А.Г. Создание быстродействующих тепловизоров для применения в медицине и народном хозяйстве. Автореф.докт.дисс. М. 1993.

32. Драгун B.JL, Филатов С.А. Вычислительная термография: применение в медицине. Минск: Навука i тэхшка. 1992.

33. Савиных В.П., Соломатин В.А. Оптико-электронные системы дистанционного зондирования. М.: Недра. 1995.

34. Мирошников М.М. Инфракрасная техника в России/Юптический журнал. 1992. № 12. С. 18-24.

35. Гуляев Ю.В., Марков А.Г., Коренева Д.Г., Фишер A.M. Система динамической термографии человека// Зарубежная РЭ. 1966. № 2. С.75-80.

36. Гуляев Ю.В., Марков А.Г., Захаров П.В., Коренева Л.Г. Система динамической термографии для биологии и медицины//3арубежная РЭ. 1996. № 3. С.76-80,

37. Прокопило С.А. Адаптивные оптико-электронные средства дистанционного зондирования//Зарубежная РЭ. 1994. № 6. С.37-48.

38. Data Book. Optoeleecrtoybcs//1986. Р.101-123/

39. Lazer Focus Buyers Guides. 1983. 18 th Edition, Detectors, semiconductors. P. 52-59.

40. Фотоприемники видимого и ИК-диапазонов (пер. с англ. Под ред. Р.Дж.Кисса). M.: Радио и связь. 1985. 328 с.

41. Godfrey L&F&Silicon photodiodes making and right choice//The photonics design and application handbook//1985. P.l 140-1142.

42. Solid state detectors//l 986. 8 p.

43. Ya-min, See J. Reductors on leakage current of large-area//IEEE transaction on electron devices//1984. V.ED. 28. N4. P.412-416.

44. Рыжиков И.В., Куроедов A.B. Анализ интегральных и дифференциальных ВАХ PIN-фотодиодов с охранным кольцом//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем»//М.: МГАПИ. 1998. С. 1220.

45. Куроедов A.B., Рыжиков И.В. Диагностика PIN-фотодиодов с охранным кольцом по дифференциальным и интегральным параметрам// В сб. «Моделирование и исследование сложных систем»//М.: МГАПИ. 1998. С.21-25.

46. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М.: Изд-во иностр. литер.-1053.-714 с.

47. Sah S.T., Noyce R.N., Schokley W. "Carrier generation and recombination in p-n-junctions and p-n-junction characteristics." // Proc. IRE.-1957-V.45-P. 1228-1235.

48. Hall R.N. Powerr ectifiers and transistors.//Proc.TRE.-1952.-P.1512-1518.

49. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Глубокие примесные уровни в широкозонных полупроводниках. Ташкент: «Фан». Узбекской ССР.-1971-204с.

50. Shokley W., et. al. Mobile electric charges in insulating oxides with application to oxide coverod p-n-junctions//Surfage Science, 1964, v. 2, p.277-288.

51. Schroen W. Reliability improvement by process control//10 th Ann. proc.1. reliability/Phys. Symp. 1972, p. 42-48.Schroen W. Failure analysis of Surfage inversion//« ann. Proc. Reliability/ Phys. Symp. 1973, p. 111-123.

52. Евстропов B.B., Калинин Б.Н., Царенков Б.В. Неклассический тер-мо-инжекционный ток в GaP р-п-структурах/ ФТП.-1983.-Т. 17.-с.599-606.

53. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда р-п-структуры//ФТП.-1984.-Т. 18-Вып. Ю.-с. 18521858.

54. Евстропов В.В., Киселев К.В., Петрович И.Л., Царенков Б.В. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр//ФТП-984.-Т. 18.-С.902-912.

55. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. Москва: Мир, 1973.416 с.

56. Rose A., Lampert M.//Phys. Rev. 1959. 113. Р.1227-1232.

57. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977.672 с.

58. Виктор П.А., Зотов В.В. Сердюк В.В. Формирование неоднородно-стей в монокристаллах CdS при пропускании фототока вследствие дрейфа заряженных рекомбинационных центров//ФТП. 1979. Т. 13. № 11. С. 2259-2262.

59. Бродовой В.А., Гозак А.Ч., Пека Г.А., Смоляр А.Н. Исследование распределения поля в симметричных структурах из арсенида галлия с S-образной вольт-амперной характеристикой//ФТП. 1981. Т.15. № 5. С.988-990.

60. Бойко В.А., Рыбин В.Н. Исследование неоднородностей полупроводников импульсным методом темнового зонда//Укр.физ.журн. 1983. Т. 28. № 11. С.1705-1710.

61. Беляев Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М. Определение некоторых физических параметров полупроводников фотоэлектрическим мето-дом//Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по физике полупроводников, 17-19 сентября 1985 г., г. Минск. 1985. С. 150-151.

62. Кузнецов Г.Ф. Неразрушающий рентгенотопографический контроль монокристаллических материалов А1ИВу//Электронная техника. Сер.8. Управление качеством и стандартизация. 1978. Вып. 3(65). С.39-65.