Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазона на основе самоформируемых структур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Демидова, Юлия Брониславовна

• Демидова, Юлия Брониславовна
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Демидова, Юлия Брониславовна

Гл. Рд. Прд. НАЗВАНИЕ

Введение.

1 Анализ состояния и тенденции развития сверхскоростных транзисторных структур и ИС на их основе.

1.1 Тенденции развития биполярных технологий.

1.2 Основные приемы самоформирования. Параметры структур.

1.3 Боковая диэлектрическая изоляция - как способ точной локализации элементов.

1.4 Поликристаллический и аморфный кремний - как многофункциональные материалы и элементы самоформирования.

1.5 Сверхинтегрированные биполярные и полевые транзисторные структуры.

1.6 Методы изменения конфигурации структур по рисунку базовых областей.

1.7 Методы изменения конфигурации структур по рисунку меза коллекторных областей.

1.8 Методы изменения конфигурации структур по рисунку изолирующих областей.

1.9 Оптимизация параметров структур и перспективы их развития

1.10 Выводы.

2 Методы самосовмещения и самоформирования, их применение.

2.1 Метод создания самосовмещенной резистивной маски.

2.1.1 Практические способы создания самосовмещенной 33 резистивной маски.

2.2 Самосовмещенные локальные маски, самоформируемые на боковых стенках опорного элемента.

2.2.1 Метод создания локальной вертикальной маски спейсерного типа с характерным скругленным краем

2.2.2 Метод создания локальной наклонной маски спейсерного типа с характерным скругленным краем

2.3 Методы создания боковой диэлектрической изоляции.

Рд. Прд. НАЗВАНИЕ

2.3.1 Метод создания самосовмещенных мелких областей изоляции горизонтального типа (ГИО).

2.3.2 Методы создания областей боковой диэлектрической изоляции сверхтонких и ультратонких эмиттерных 39 переходов (БДИЭ).

2.4 Сравнение биполярных структур, формируемых относительно различных опорных контуров самосовмещения.

2.4.1 Структуры, формируемые относительно эмиттерных областей.

2.4.2 Структуры, формируемые относительно базовых областей.

2.4.3 Структуры, формируемые относительно коллекторных областей.

2.4.4 Структуры, формируемые относительно изолирующих областей.

2.5 Методики контроля параметров трехмерных элементов. Контроль полноты вскрытия субмикронных окон.

2.6 Конструкция и топология реализуемой структуры.

2.7 Выводы.

Математическое моделирование высокочастотного широкополосного усилителя с активными и пассивными СВЧ элементами с учетом паразитных влияний выводов.

3.1 Выбор схемы широкополосного усилителя.

3.2 Расчет параметров модели транзистора, приближенной к реальной.

3.3 Результаты расчетов широкополосного усилителя.

3.4 Фактор шума.

3.5 Выводы.

Конструктивно-технологический базис микросхемы высокочастотного широкополосного усилителя.

4.1 Конструктивные особенности разработанного базиса.

Гл. Рд. Прд. НАЗВАНИЕ

4.2 Технологический маршрут изготовления микросхемы.

4.3 Рисунки к технологическому маршруту.

4.4 Выводы.

5 Экспериментальные исследования критичных мест в конструкции СВЧ транзисторных структур и технологии их изготовления.

5.1 Исследования распределений концентраций примесей в биполярных СВЧ транзисторных структурах.

5.2 Диффузионные коллекторные области.

5.3 Глубокий низкоомный коллекторный контакт; нижняя обкладка конденсатора. 5.4 Выбор технологических режимов формирования резисторов ^ на основе пленок поликристаллического кремния.

5.5 Формирование противоинверсионных областей под основной горизонтальной областью изоляции.

5.6 Формирование глубоких и узких изолирующих областей щелевого типа и противоинверсионных р - слоев на донных участках этих щелей.

5.7 Исследование критичных мест в конструкции и технологии формирования СВЧ транзисторных структур с точно локализованными элементами. f 5.7.1 Метод создания самосовмещенной резистивной маски

5.7.2 Псевдоэмиттерные области и области боковой диэлектрической изоляции эмитгерных переходов.

5.7.3 Горизонтальные изолирующие области.

5.7.4 Области контактной пассивнй базы (КПБ) на основе поликремния.

5.8 Выводы.

6 Конструктивно-топологический базис изготовления схемы СВЧ широкополосного усилителя. ф 6.1 Конструктивно-технологические ограничения на разработку кристалла микросхемы радиочастотного диапазона

Гл. Рд. Прд. НАЗВАНИЕ широкополосного усилителя (ШУ) с малым уровнем шумов.

6.1.1 Общие положения.

6.1.2 Эскизный технологический маршрут.

6.1.3 Параметры физической структуры.

6.1.4 Технологические ограничения на топологическое проектирование.

6.1.4.1 Ограничения используемого фотолитографического оборудования.

6.1.4.2 Минимальные размеры областей, зазоры и перекрытия.

6.1.5 Состав тестового кристалла микросхемы СВЧ ШУ.

6.1.6 Перечень технологических слоев.

6.2 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазона на основе самоформируемых структур»

АКТУАЛЬНОСТЬ В последние годы наблюдается заметный рост новых технологий микроэлектроники и увеличение рынка продаж интегральных схем радиочастотного и микроволнового диапазона для создания глобальной информационной системы XXI века. На базе беспроводной техники выполняются практически все информационные сети, как коммерческие (типа'Тлобальная решетка" - Global Grade), так и военные (типа "Театр тактических действий" - Tactical Theater). Кроме того (см. Гл.1), дальнейшее развитие сверхпроизводительных и сверхбыстродействующих супер-ЭВМ, новых мини-супер-ЭВМ, бортовых вычислительных устройств, сверхбыстродействующих оптоэлектронных телекоммуникационных систем и систем спутниковой связи требует разработки нового поколения сверхскоростных ИС, БИС, СБИС и УБИС на базе транзисторных структур (ТС) с субмикронными размерами. Новая элементная база может быть реализована с применением новых методов самосовмещения (МСС) и методов самоформирования (МСФ) при минимальном числе критичных процессов литографии. Эти методы позволят изготавливать самоформируемые транзисторные структуры (СТС) с субмикронными размерами элементов. Создание ряда радиочастотных схем для навигационных систем связи с улучшенными характеристиками по линейности, потребляемой мощности и уровню шумов требует разработки дешевых биполярных СТС на кремнии с граничной частотой fT и максимальной частотой генерации fmax в диапазоне 15-50 ГГц.

В докторских диссертациях Янушониса С.С., Луканова Н.М., Саурова А.Н. рассматривались вопросы, связанные с применением различных методов самосовмещения и самоформирования к быстродействующим транзисторам. Однако, в этих работах не были рассмотрены проблемы, связанные с самоформированием СВЧ биполярных транзисторных структур полоскового типа с предельно узкой пассивной областью базы для резкого уменьшения наразитной емкости перехода коллектор-база, а также не рассмотрены вопросы, связанные со сведением к минимуму паразитных эффектов, возникающих при использовании реактивноионного травления и вопросы, связанные с устранением узких (критичных) мест в конструкции и технологии изготовления таких СВЧ структур.

Таким образом, актуальной является проблема по созданию нового конструктивно-технологического базиса, основанного на комплексном применении специальных методов точной локализации субмикронных элементов и способов их самоформирования, который позволит существенно минимизировать размеры элементов СТС и улучшить их характеристические параметры. При этом разработанный базис должен в определенной степени быть пригодным в перспективе и для формирования СТС при использовании новых материалов SiGe, GaAs и InP, которые необходимы для достижения fT и fmax в диапазоне 100 - 500 ГГц.

ЦЕЛЬЮ диссертационной работы является создание и исследование конструктивно-технологического базиса для микросхем радиочастотного диапазона на основе самоформируемых структур.

Для достижения поставленной цели необходимо решить ЗАДАЧИ:

1) Провести анализ состояния и тенденций развития самоформируемых транзисторных структур (СТС) и ИС на их основе.

2) На основе проведенного анализа определить объект исследований — конструктивно-топологический и структурно-технологический базис для реализации СВЧ СТС и СВЧ ИС применительно к имеющемуся в ГУ НПК «ТЦ» оборудованию и материалам.

3) С целью оценки пригодности выбранного базиса для проектирования СВЧ ИС на кремнии провести анализ и моделирование характеристических параметров микросхемы конкретного типа.

4) Для экспериментальной оценки возможности воспроизведения базиса разработать детализированные конструктивные схемы и технологический маршрут изготовления СВЧ СТС и СВЧ ИС.

5) Провести анализ и экспериментальные исследования критичных узлов в конструкции СВЧ СТС и технологии их изготовления.

6) С учетом выбранных МСС и МСФ и применительно к выбранному базису разработать конструктивно-технологические ограничения (КТО) на проектирование топологии СВЧ микросхем с технологическими и тестовыми структурами.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА работы состоит в следующем:

1. Разработан новый конструктивно-технологический базис (для проектирования и изготовлния СВЧ сверхинтегрированных структур и радиочастотных микросхем), основанный на комплексном применении методов точной локализации субмикронных элементов и способов их самоформирования.

2. С помощью специализированного приборно-технологического моделирования САПР проведена оценка пригодности базиса для проектирования и изготовления СВЧ ИС на кремнии. Моделирование параметров выбранной микросхемы малошумящего широкополосного усилителя (МШУ) помогло определить основные закономерности, связывающие конструктивно-технологические параметры СВЧ СТС с электрическими характеристиками СВЧ ИС. Получена модель МШУ с рабочей частотой до 2,4 ГГц при коэффициенте шума 1,196 дБ (граничная частота базового проектируемого транзистора fT = (15 - 25) ГТц. Полученные параметры подтверждают пригодность использования базиса на основе кремния для изготовления радиочастотных микросхем.

3. Разработаны процессы создания составной диэлектрической изоляции элементов, включающей глубокие (7-8 мкм) и узкие (1,4 - 2 мкм) щели, разделяющие активные элементы в сплошном скрытом слое, толстые (1,9 - 2,0 мкм) области LOCOS - изоляции для уменыпенния паразитных эффектов взаимодействия СВЧ сигналов и специализированные области горизонтальной изоляции для самоформирования предельно узких (0,3 — 0,4 мкм) пассивных областей базы.

4. Экспериментально показана возможность самосовмещения и самоформирования пассивных и активных элементов СТС (горизонтальных изолирующих областей, областей пассивной базы на основе поликремния, снейсерных областей составной боковой диэлектрической изоляции тонкослойных эмиттерных переходов, областей соединительной и активной базы, пассивных и активных областей эмиттера) при использовании одного некритичного типового (1,2 мкм) литографического процесса и ряда самосовмещенных резистивных масок на основе фоторезиста без использования фотошаблонов.

5. В рамках выбранного базиса экспериментально найдены технологические решения для реализации критичных узлов в конструкции и технологии изготовления СТС.

6. Выявлены зависимости в распределениях концентраций легирующих примесей при диффузии бора и мышьяка для формирования сверхтонких слоев СТС с резкими концентрационными градиентами при вариациях различных параметров процессов отжига.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ результатов, полученных в диссертационной работе:

1. Разработаны технологические маршруты реализации базовых МСС и МСФ.

2. На основе МСС и МСФ разработана конструкция СВЧ СТС с субмикронными размерами элементов и с высоким уровнем самоформирования, имеющая горизонтально расположенные предельно узкие пассивные области базы и обеспечивающая малые значения паразитных сопротивлений эмиттера, базы и коллектора, а также малые значения паразитных емкостей перехода коллектор-база.

3. Разработаны технологические маршруты реализации самосогласованных основных узлов СВЧ СТС с применением МСС и МСФ.

4. Разработан общий технологический маршрут, который может быть использован для реализации радиочастотных микросхем.

5. На основе проведенного анализа и экспериментальных исследований критичных узлов в конструкции и технологии изготовления СВЧ СТС определены условия реализации СВЧ СТС.

6. Разработаны КТО на проектирование топологии СВЧ ИС, которые обеспечивают минимальный размер (ширину меза-области эмиттера) 1,2 мкм.

7. Выбранный базис позволяет в едином технологическом маршруте реализовать активные и пассивные элементы СВЧ ИС.

Практическая значимость работы подтверждена актом об использовании результатов диссертационной работы.

АПРОБАЦИЯ И РЕАЛИЗАЦИЯ результатов диссертации. Разработанные конструкции и технология изготовления интегральных элементов микросхем использованы в ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ в рамках НИР:

1. «Создание перспективных сверхскоростных кремниевых биполярных и полевых нанотранзисторных структур на основе методов самосовмещения и самоформирования», шифр «Лига-21», № Г.р 01990011105, 2000г.

2. «Создание сверхскоростных кремниевых транзисторов и интегральных схем на их основе; Разработка кремниевых нанотранзисторов с использованием методов самоформирования», шифр «Лоск-16», № Г.р. 01990006423, 2001г.;

3. «Комплексное исследование возможностей методов самоформирования для создания перспективной элементной базы сверхбыстродействующих СБИС и микромеханических систем», шифр «Линейка-3», № Г.р. 01.200.111.838,2003г.

ПУБЛИКАЦИИ. По материалам диссертации было опубликовано 16 работ, включая 6 статей (1С-6С в списке литературы), 10 тезисов докладов на научно-технических конференциях (1Т-10Т в списке литературы).

ПРЕДСТАВЛЯЮТСЯ К ЗАЩИТЕ:

1. Новый конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазона на основе СВЧ СТС.

2. Особенности комплексного применения новых МСС и МСФ, позволяющих реализовать СВЧ СТС с учетом специфики влияния критичных узлов в конструкции и технологии их изготовления.

3. Принцип изготовления комбинированной диэлектрической изоляции элементов, включающей глубокие и узкие щели, утолщенные области LOCOS - изоляции и специализированные области горизонтальной изоляции.

4. Процесс точного позиционирования субмикронных элементов путем создания самосовмещенной резистивной маски (СРМ) без использования фотошаблонов.

5. Процесс самоформирования субмикронных областей боковой диэлектрической изоляции сверхтонких переходов эмитгер-база (БДИЭ).

ОБЪЕМ И СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ.

Диссертация состоит из введения, 6 глав с выводами, заключения, списка использованной литературы из 70 наименований. Содержание диссертации изложено на 168 страницах, включая 166 страниц текста, 110 рисунков и 14 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Демидова, Юлия Брониславовна

Основные результаты проделанной работы:

1. Исследованы самоформируемые транзисторные структуры (СТС), которые создаются на принципах точной локализации элементов с использованием косвенных и прямых методов литографии. Проведен анализ нескольких типов СТС с различным уровнем самоформирования. Определены методы самосовмещения (МСС) и методы самоформировани (МСФ), позволяющие реализовать субмикронные СТС. В результате анализа для реализации выбрана сверхинтегрированная конструкция СТС с опорным контуром самосовмещения по эмиттерным областям и минимальным топологическим размером 1,2 мкм.

2. Проведено исследование влияния ряда параметров СВЧ СТС на характеристики выбранной (для оценки пригодности использования базиса) схемы малошумящего широкополосного усилителя (МШУ). Результаты расчетов и анализа с использованием компьютерного моделирования позволили учесть степень влияния исследуемых параметров на работу МШУ при повышении рабочей частоты:

- показано, что на амплитудно-частотную характеристику и коэффициент передачи по мощности СТС и МШУ значительное влияние оказывают параметры: AREA; BF; NF; VAF; NE; VAR; MJC; MJS; TF (см. гл. 3), а также величины индуктивностей, емкостей и волновых сопротивлений выводов корпуса, контактных площадок, резисторов из поликремния и конденсаторов, взаимосвязанных микрополосковых линий межсоединений с изолирующими областями между ними. Показано, что одним из важнейших характеристических параметров оптимизации усилителя является площадь эмиттера Аэ, значение которой для данной конструкции составило 72 мкм2;

- смоделирована схема МШУ, разработана топология кристалла и определены номиналы элементов схемы. В результате анализа и комплексного моделирования полной конструкции МШУ на кремнии получены основные характеристики усилителя: потребляемый ток в полосе рабочих частот (100 МГц - 2,5 ГГц) составил 9,49 мА при напряжении питания 3 В, коэффициент шума не более ЗдБ, минимальный коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН) по входу 1,5, максимальный КСВН входа 1,6 , КСВН выхода не хуже 2, развязка выхода.с.входом, нахуже 20 дБ. Максимальный коэффициент усиления 13,2 дБ в частотных точках 250 МГц и 1,65 ГГц, минимальный коэффициент усиления 8,5 дБ на частоте 3 ГГц, неравномерность коэффициента усиления в полосе частот 100 МГц - 2 ГГц составила 0,4 дБ.

Таким образом, представленный конструктивно-технологический базис может быть использован для проектирования и изготовления на кремнии СВЧ сверхинтегрированных транзисторов и СВЧ микросхем радиочастотного диапазона.

3. Для создания СВЧ ИС разработан детализированный конструктивно-технологический базис на основе комплексного использования новых МСС и МСФ, обеспечивающих реализацию субмикронных элементов и их точную локализацию при минимальном числе используемых критичных процессов фотолитографии с проектными нормами 1,2 мкм и горизонтальным расположением предельно узких (0,3 - 0,5 мкм) пассивных областей базы. Особенностями базиса являются: использование комбинированной изоляции (щелевая изоляция; изоляция типа Locos; горизонтальные изолирующие области на основе пиролитического диоксида кремния); применение углубленных сильнолегированных п+ - контактных коллекторных областей и нижних обкладок конденсаторов; введение многослойной сиситемы на основе временных слоев для формирования элемента опорного рельефа самоформирования (ОРС); применение самосовмещенной резистивной маски (СРМ) без использования фотошаблонов при самоформировании некоторых элементов СТС; введение для защиты боковой поверхности ОРС от воздействия селективных травителей (применяемых на различных этапах формирования структуры) наружных тонких маскирующих областей спейсерного типа на основе Si3N4; применение составных областей боковой диэлектрической изоляции (БДИЭ), самоформируемых на внутренней поверхности маскирующих областей спейсерного типа (МОСТ).

Использование сплошных скрытых слоев (ССС), глубокой щелевой изоляции и утолщенных- областей- основной- изоляции позволяет существенно повысить эффективность передачи СВЧ сигнала по межсоединениям за счет использования низкоомного ССС в качестве второй обкладки полосковой линии передачи, создавать высококачественный омический контакт к специально утоненной подложке Si, что приводит к уменьшению теплового сопротивления кристалла микросхемы и создает хорошие условия для развязки входных и выходных цепей относительно сплошной Си шины общей Земли под кристаллом.

4. Исследовались особенности в распределениях концентраций бора и мышьяка с предварительным отжигом бора в областях базы и без отжига. Показано, что для получения сверхтонкой структуры с шириной активной базы менее 100 нм необходимо проводить легирование BF+2 с малой энергией при использовании окончательного процесса быстрого (загрузка и выгрузка в течение 3 секунд с выдержкой в зоне 20 секунд) высокотемпературного (1030°С) отжига.

После проведения компьютерного моделирования и ряда экспериментов выбраны режимы формирования для основных областей: глубокий низкоомный п+ - коллекторный контакт; резисторы на основе пленки поликремния (0,45 ± 0,05 мкм) с типовым значением Rs = 100 Ом/кв и Rs = 200 Ом/кв; противоинверсионный канал под изоляцией типа Locos; противоинверсионный канал в донной части щелей.

5. Для выбранной конструкции СВЧ СТС и технологии изготовления проведены экспериментальные исследования критичных мест, возникающих при: создание самосовмещенной резистивной маски (СРМ) путем однократного заполнения канавок фоторезистом с последующим удалением материала заполнителя с горизонтальных участков меза-областей; формировании псевдо-эмиттерных областей на основе исходной многослойной структуры (МС); создании наружных маскирующих областей спейсерного типа на основе пленок Si02T и Si3N4\ получении точно локализованных и предельно узких пассивных базовых окон а слое, горизонтальных изолирующих. областей; самоформировании областей контактной пассивной базы на основе пленки поликремния.

Разработанный базис позволяет независимо от других процессов контролировать глубину перераспределения легирующей примеси и ее интегральную концентрацию под областями боковой диэлектрической изоляции эмиттерных переходов (БДИЭ) для целенаправленного варьирования величинами сопротивления базы, пробивного напряжения эмиттерных переходов, токов утечки и коэффициента усиления. Отличительная особенность базиса состоит в том, что при использовании одного и того же комплекта фотошаблонов можно формировать биполярные СТС по различным технологическим маршрутам, включая, помимо рассмотренного, СТС с вертикально расположенными пассивными р+-областями базы, СТС с использованием гетеробазового перехода на основе сверхтонких базовых слоев из сплава Si-Ge-B, СТС с использованим гетеробазового перехода на основе сверхтонких базовых слоев, легированных ионами бора и ионами германия, а также СТС с применением гомоэмиттерных переходов.

6. Разработаны конструктивно-технологические ограничения на проектирование топологии, которые обеспечивают минимальный топологический размер - ширину меза-области эмиттера 1,2 мкм. При этом получение субмикронных размеров ТС обеспечивается путем проведения ряда селективных и самосогласованных процессов и применения разработанных МСС и МСФ.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Демидова, Юлия Брониславовна, 2004 год

1. А.С. СССР. N439863, М. Кл. НО 1L19/00. Способ изготовления активных элементов интегральных схем. Луканов Н.М., Лебедев В.В., Любушкин Е.Н., Шварц К.-Г.М., Щербинин А.А. Заявл.13.07.70. Опубл. 19.04.1974.

2. Янушонис С.С., Янушонене В.Ю. Самоформирование в полупроводниковой технологии // Вильнюс: Мокслас. 1985. 192 с.

3. Луканов Н.М. Состояние и перспективы разработки конструктивно-технологической базы для сверхбыстродействующих БИС и СБИС // Итоги науки и техники. Сер. ЭЛЕКТРОНИКА. ВИНИТИ. Т.27. М.: 1990. С. 3-32.

4. Naramura Т. and Nishizawa Н. Recent progress in bipolar transistor technology // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. №3. p. 390-398.

5. Warnock J.D. Silicon bipolar device structures for digital applications: technology trends and future directions // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. №3. P. 377-389.

6. Красников Г.Я., Дорофеев А.П., Савенков B.H., Дайнеко А.В. БИКМОП ИС -новая перспективная элементная база хмикроэлектроники // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 1(151). М.: 1997. С. 60-63.

7. Сауров А.Н. Методы самоформирования в микроэлектронике // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. М.: 1997. №5. С. 41-47.

8. Nakamura М. Challenges in semiconductor technology for multy-megabit network services. 1998 IEEE International Solid-State Circuits Conference. (ISSCC98) .P.16-20.

9. Washio K. et al. Self-aligned metal/IDP Si bipolar technology with 12-ps ECL and 45- GHz dynamic frequency divider // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. №11. P. 2078-2082.

10. Matsuzava A. Potential of RF Si-MOS LSI technology // Proc. of SPIE.- Austin, Texas. 1-2 October 1997. V. 3212. P. 88-96. (SPIE—The International Society for Optical Engineering, Microelectronic Device Technology).

11. Harame D. High performance BiCMOS process integration: trends, issues, and future, directions.// Proceeding-o£.the-1997 Bipolar/BiCMQS.Circuits.ancLTechnology Meeting -U.S., September 28-30 (IEEE BCTM. 1997). P. 36-43.

12. Сауров Л.Н. Графическая модель самоформирования интегральных структур // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. М.: 1998. №1. С. 61-70.

13. Sasaki Н. Multimedia : Future and impact for semiconductor technology // International Electron Devices Meeting (IEDM).1997. Washington, DC. December 7-10. 1997. P. 3-8.

14. Washio K., Ohue E., Oda K. et all A selective-epitaxial SiGe HBT with SMI electrodes featuring 9.3-ps ECL-gate delay // IEDM. 1997. P. 795-798.

15. Oda K., Ohue E., Tanabe M. et al. 130-GHz fT SiGe HBT technology // IEDM. 1997. P.791-794.

16. Sung J.M., Chiu T.-Y. et al. A high performance super self-aligned 3V/5V BiCMOS technology with extremely low parasitics for low-power mixed-signal1 applications // IEEE Trans. Electron Devices.1995. V.42. №3. P. 513-521.

17. Shishiguchi S., Yasunaga Т., Aoyama T. et al. Si selective epitaxial growth' technology using UHV-CVD*and its-application to-LSI® fabrication'// Proc. of SPIE.- Austin, Texas. 1-2 October 1997. V.3212. P. 106-117.

18. Onai Т., Ohue E., Idei Y. et al. Self-aligned complementary bipolar technology for low- power dissipation and ultra-high-speed LSI's // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. №3. P. 413-417.

19. Iinuma Т., Itoh N., Nakajima H. et al. Sub-20 ps high-speed ECL bipolar transistor with low parasitic architecture // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. №3. P. 399-405.

20. Wei W., Koster R., Jansen S. et al. Low-power, ultra-low capacitance bipolar transistor compa-tible with mainstream CMOS // ESSDERC'95. 1995. P. 425-428.

21. Yoshino H.Nii. et al. 0.3 цт BiCMOS technology for mixed analog/digital' application systems // IEEE BCTM. 1997. P. 68-79.

22. Галушков А.И., Сауров A.H., Шабратов t Д.В. Методы самосовмещения и самоформиро-вания в технологии изготовления СБИС // Российская конференция с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94". Звенигород, 28 ноября -3 декабря 1994. С. 341-342.

23. Nanvber L.K. et al. Optimization-of fully implanted-NPN's for high-frequency operation // IEEE Trans, on Electron Devices. 1996. V.43. №6. P. 1038-1040.

24. Schreiber H.-U. Novel oxide planarization for integrated high-speed Si/SiGe heterojunction bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1996. V.43. №6. P. 10361037.

25. De Pontcharra J. et al. A 30-GHz fT quasi-self-aligned single-poly bipolar technology // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. №11. P. 2091-2097.

26. Niel S., Rozeau O., Ailloud L. et al. A 54 GHz fmax implanted base 0.35цт single-polysilicon bipolar technology// IEDM. 1997. P. 807-810.

27. Emons C.H.H. et al. A new high-performance CMOS-compatible reduced-area bipolar transistor // IEEE BCTM. 1997. P. 44-47.

28. Ishii K., Ichino H., Kobayashi Y., Yamaguchi C. High-bit-rate, high-input-sensitivity decision circuit using Si bipolar technology // IEEE J. of Solid-State Circuts. 1994. V.29. №5. P. 546-550.

29. Konaka S., Ugajin M., Matsuda T. Deep submicrometer super self-aligned Si bipolar technology with 25.4 ps ECL // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. V.41. №1. P. 44-49.

30. Sato F., Hashimoto T. et al. Sub-20 ps ECL circuits with high-performance super self-aligned, selectively grown-SiGe. base. (SSSB). bipolar, transistors.// lEEE-.Trans.Electron Devices. 1995. V.42. №3. P. 483-488.

31. Uchino Т., Shiba T. et al. Very-high-speed silicon bipolar transistors with in-situ doped polisi-licon emitter and rapid vapor-phase doping base // IEEE Trans. Electron* Devices. 1995. V.42. №3. P. 406-411.

32. Onai T. et ai. 12-ps ECL using low-base-resistance Si bipolar transistor by self-aligned metal/IDP technology // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. V.44. №12. P. 2207-2212.

33. Onai Т., Nakazato K. et al. Fully radiative current path structure (FRACS) for sub -0,1 |im, emitter transistor// IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. №1. P. 23-30.

34. Rhee H-S., Yu H-K., and Lee J-H. A new bipolar transistor technology for GHz level VLSI and RF ICs application // 5 th Internationale Conference on VLSI and CAD. 1997. October 13-15. Seoul.-Korea. P. 281-283.

35. Lukanov N.M. et al. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Series Microelectronics. 1991. №1(1). P. 54-55 ( in Russia ).

36. Rinaldi N.F. On the modeling of polysilicon emitter bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. №3. P. 395-403.

37. Ng K.K., Frei M.R., King C.A. Reevaluation of the ft x BVCC0 limit on Si bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. №8. P. 1854-1855.

38. Wu H-C., Kuo J.B. A compact velocity- overshoot model for deep-submicron bipolar devices considering energy transport // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. №2. P. 417- 422.

39. Hafizi M. New submicron HBT 1С technology demonstrates ultra-fast, low-power integrated circuits // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. №9. P. 1862-1868.

40. Filder A. et al. 46 Gb/s DEMUX, 50Gb/s MUX, and 30 GHz static frequency divider. in.silicoikbi-pola£ technology // IEEEJ.Solid-Stat&Circuits^i996.-Y.31.№4. P. 481-486.

41. Rein H.-M and Moller M. Design consideration for very-high-speed Si-bipolar IC's operating up to 50 Gb/s // IEEE J. Solid-State Circuits. 1996. V.31. №8. P. 1076-1090.

42. Washio K., , Ohue E.Oda K. et al. 95 GHz fT self-aligned selective epitaxial SiGe HBT with SMI electrodes // IEEE ISSCC. 1998. P. 312-313.

43. Masuda N., Ohhata K., Ohue E.Oda K. et al. 40 Gb/s analog 1С chipset for optical receiver using SiGe HBTs. IEEE ISSCC. 1998. P. 314-315.

44. Suzuki H., et al. InP/InGaAs HBT ICs for 40-Gb/s optical transmission systems. // GaAs Symposium Tech. Digest., Oct. 1997. (см. 11.).

45. Галушков А.И., Кривошеина Т.Г., Кудрявцев А.Н., Луканов Н.М., Романов

46. И.М. Оптимизация распределений концентрации легирующих примесей в тонкослойных иfсверхтонкослойных транзисторных структурах // Микроэлектроника и информатика-97. Межвузовская4научно-техническая конференция, Ч.1.-М.: МГИЭТ, Зеленоград, март 1997. С.27.

47. УТВЕРЖДАЮ Заместитель директорарюлогическийДентр» МИЭТ1. Шелепин Н.А.2004г.w^-т—1. АКТ

48. Об использовании результатов диссертационной работы Демидовой Юлии Брониславовны «Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазонана основе самоформируемых структур»