Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в составных структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Загороднюк, Роман Александрович

• Загороднюк, Роман Александрович
• кандидат наук
• 2016

Оглавление диссертации кандидат наук Загороднюк, Роман Александрович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в двухслойной мишени

Введение

1.1. Геометрия процесса излучения

1.2. Двух-волновое приближение динамической теории дифракции18

1.3. Амплитуда излучения

1.4. Спектрально-угловая плотность излучения

Основные результаты Главы 1

Глава 2. Когерентное рентгеновское излучение в непоглощающей двуслойной мишени

Введение

2.1. Спектрально-угловая плотность ПРИ и ДПИв непоглощающей мишени

2.2. Свойства спектров ПРИ и ДПИ

2.3. Угловые плотности ПРИ и ДПИ

2.4. Численные расчеты

Основные результаты Главы 2

Глава 3. Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в трехслойной структуре

3.1. Введение

3.2. Амплитуда излучения

3.3. Спектрально-угловая плотность излучения

3.4. Исследование спектрально угловых свойств излучения

Основные результаты Главы 3

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в составных структурах»

Введение

Излучение релятивистского электрона обычно рассматривается отдельно в кристалле или в аморфной среде. При пересечении релятивистским электроном аморфной пластинки на ее границах генерируется переходное излучение [1,2], которое далее распространяется в направлении близком к направлению скорости электрона. Переходное излучение несмотря на то, что открыто уже сравнительно давно, продолжает и в настоящее время интенсивно исследоваться, особенно для переходов в виде сложных поверхностей при различных внешних условиях [3-8]. Значительный интерес к переходному излучению релятивистских электронов связан с возможностью создания на его основе источника рентгеновского излучения [9]. Необходимо отметить, что переходное излучение релятивистского электрона имеет высокую интенсивность и распространяется в малом угловом диапазоне, однако характеризуется широким спектральным распределением, в то время как для приложений в медицине, микроэлектронике, физике твердого тела и др. требуются интенсивные монохроматические источники излучения. Одним из наиболее перспективных механизмом излучения является дифрагированное переходное излучение (ДПИ) релятивистских электронов в кристаллах [10-13], которое возникает вследствие динамической дифракции на атомных плоскостях кристаллической мишени фотонов переходного излучения, генерируемого на передней границе кристалла. ДПИ является результатом динамической дифракции фотонов переходного излучения на атомных плоскостях кристалла в направлении рассеяния Брэгга и проявляется в узком спектральном диапазоне, что безусловно дает ДПИ преимущество при создании монохроматического источника рентгеновского излучения, по сравнению с переходным излучением, которое имеет широкий спектр. При пересечении релятивистским

электроном монокристаллической пластинки вместе с ДПИ генерируется

3

параметрическое рентгеновское излучение (ПРИ) [14-16], фотоны которого движутся в направлении рассеяния Брэгга вместе с фотонами ДПИ. ПРИ является следствием рассеяния псевдо-фотонов кулоновского поля релятивистского электрона на системе параллельных атомных плоскостей кристалла, ответственных и за дифрагирование фотонов ПИ и соответственно за генерацию ДПИ. В настоящее время используются два различных подхода в описании ПРИ: кинематический [17,18] и динамический [15,16,19]. Кинематический подход учитывает взаимодействия каждого атома только с первичной, или преломленной электромагнитной волной в кристалле. В этом подходе, в отличие от динамического, пренебрегают взаимодействием атома с волновым полем, создаваемым в кристалле совокупным рассеянием волн на всех других атомах, то есть не учитывают многоволновое рассеяние. Важно, что в рамках кинематического подхода не может быть рассмотрено дифрагированное переходное излучение. Когерентное рентгеновское излучения релятивистских электронов в периодической атомной структуре исследовалось многими научными группами [20-51]. Процесс когерентного рентгеновского излучения релятивистских электронов в кристаллах и периодических слоистых средах в рамках динамической теории дифракции рентгеновских волн в последнее время исследовался в ряде работ (см. например, [52-64]).

В настоящей работе впервые исследуется процесс когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона в двух составных структурах: первая состоит из аморфного и монокристаллического слоя, а вторая из и аморфного слоя, вакуума и монокристаллического слоя. Необходимо отметить, что, хотя экспериментальные работы проводились и с составными мишенями [65-69], но теоретических работ в этом направлении исследований не было. Необходимо отметить, что в указанных экспериментальных работах была показана возможность

увеличения спектрально-угловой плотности когерентного рентгеновского излучения за счет комбинации сред.

В настоящей диссертационной работе впервые развита теория когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, равномерно пересекающего составные структуры: «аморфный слой-кристаллический слой» и «аморфный слой - вакуум-кристаллический слой» состоящие из аморфного и кристаллического слоев, и получены и исследованы выражения, описывающие спектрально -угловые распределения ПРИ и ДПИ в рассматриваемых составных структурах.

АКТУАЛЬНОСТЬ настоящей диссертационной работы определяется:

- важностью исследования процессов когерентного рентгеновского излучения релятивистских электронов в структурах, состоящих из аморфной и кристаллической пластин;

- высокой востребованностью динамической теории когерентного рентгеновского излучения релятивистских электронов в составных структурах «аморфный слой-кристаллический слой» и «аморфный слой-вакуум-кристаллический слой» для физики излучения в сложных составных структурах;

- необходимостью поиска путей повышения интенсивности когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона для прикладных задач.

ЦЕЛЬЮ РАБОТЫ является развитие динамической теории когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего составные структуры и исследование динамических и интерференционных эффектов в этих структурах.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ

1. Впервые развита динамическая теория когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего структуру «аморфный слой-кристаллический слой». На основе

двухволнового приближения динамической теории дифракции впервые получены выражения, описывающие спектрально -угловые характеристики ПРИ и ДПИ в этой структуре.

- Впервые показано, что при увеличении отношения плотности аморфной среды к плотности кристаллической спектрально-угловая и угловая плотности ДПИ релятивистского электрона в структуре «аморфный слой-кристаллический слой» возрастает, а спектрально-угловая и угловая плотности ПРИ не изменяются.

- Впервые показано, что в случае, когда аморфная среда является более плотной, чем кристаллическая, основной вклад в спектрально -угловую плотность ДПИ релятивистского электрона в двухслойной структуре дает волна переходного излучения, возбуждаемая на первой границе. Впервые показаны особенности влияния интерференции волн ПИ от первой и второй границ составной двухслойной мишени «аморфный слой-кристаллический слой» на спектрально -угловые характеристики ДПИ.

2. Впервые построена динамическая теория когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего структуру «аморфный слой-вакуум-кристаллический слой». На основе двух волнового приближения динамической теории дифракции впервые получены выражения, описывающие спектральные угловые характеристики параметрического рентгеновского излучения и дифрагированного переходного излучений.

-Впервые показана возможность существенного увеличения спектрально-угловой плотности ДПИ за счет суммарного вклада в него волн переходных излучений от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя в условиях их конструктивной интерференции.

- Впервые показано, что существуют условия полного подавления ДПИ в рассматриваемой трехслойной структуре за счет деструктивной

интерференции волн переходного излучения от аморфного слоя и входной поверхности кристаллического слоя, что может дать возможность безфонового наблюдения ПРИ релятивистского электрона в тонкой кристаллической пластинке, где пики спектров ДПИ и ПРИ трудно различимы.

- Впервые показано, что при увеличении асимметрии отражения электромагнитного поля относительно поверхности мишени (т.е. при уменьшении угла падения электрона на мишень и фиксированном угле вв), существенно растет спектральная плотность ДПИ в рассматриваемой трехслойной структуре. Данный эффект приводит к значительному росту угловой плотности.

- Впервые показано, что для увеличения угловой плотности ДПИ за счет конструктивной интерференции волн ПИ от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя достаточно, чтобы интерференция была конструктивной в максимуме угловой плотности, который однозначно определяется энергией электрона. Показано, что вклад интерференционного слагаемого может быть существенным даже при небольшом вкладе в суммарную угловую плотность ДПИ волн ПИ от передней границы кристаллического слоя.

- Впервые показано, что при увеличении отношения реальных частей диэлектрической восприимчивости аморфного и кристаллического слоев (отношения плотностей материалов слоев) угловая плотность ДПИ релятивистского электрона в трехслойной структуре «аморфный слой-вакуум-кристаллический слой» существенно растет.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РАБОТЫ определяется:

- возможностью использование результатов, полученных в настоящей диссертационной работе, при постановке новых экспериментов в области физики когерентного излучения релятивистских электронов в

структурированных мишенях, расчета оптимальных условий эксперимента и интерпретации данных измерений;

- возможностью использования результатов работы для увеличения интенсивности квазимонохроматических перестраиваемых по энергии источников рентгеновского излучения, строящихся на основе взаимодействия пучков релятивистских электронов средних энергий со структурированными средами.

ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ:

1. Спектрально-угловая плотность ДПИ релятивистского электрона, пересекающего структуру «аморфный слой-кристаллический слой», возрастает при увеличении отношения реальных частей диэлектрических восприимчивостей аморфной среды и кристаллической (отношения плотностей материалов). Данный эффект позволяет увеличить угловую плотность ДПИ.

2. Существенное увеличение спектрально-угловой плотности ДПИ релятивистского электрона пересекающего структуру «аморфный слой-вакуум-кристаллический слой» возможно за счет суммарного вклада в него волн переходных излучений от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя в условиях их конструктивной интерференции. В случае деструктивной интерференции волн переходного излучения в данной структуре возможно безфоновое наблюдения ПРИ в случае тонкого кристаллического слоя в структуре, когда пики спектров ДПИ и ПРИ могут быть трудно различимы.

3. Существенный рост спектрально -угловой плотности ДПИ релятивистского электрона, пересекающего структуру «аморфный слой - вакуум - кристаллический слой» может быть получен за счет изменения асимметрии отражения поля волны ПИ относительно

поверхности мишени. Данный эффект приводит к значительному росту и угловой плотности ДПИ.

4. Для увеличения угловой плотности ДПИ за счет конструктивной интерференции волн ПИ от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя достаточно, чтобы интерференция была конструктивной в направлении, соответствующем максимуму угловой плотности ДПИ.

5. Угловая плотность ДПИ в условиях конструктивной интерференции волн переходного излучения от аморфного слоя и входной поверхности кристаллического слоя в максимуме угловой плотности ДПИ существенно растет при увеличении отношения реальных частей диэлектрической восприимчивости аморфного и кристаллического слоев (отношения плотностей материалов).

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ

Результаты настоящей диссертации апробированы на 44-й международной конференции по физике взаимодействия быстрых заряженных частиц с кристаллами, Москва, МГУ, 2014 г.; на 12-й конференции по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям, Харьков, ННЦ ХФТИ, 2014 г.; на 11-й международной конференции «Физические явления в твердых телах», Харьков, ХНУ, 2013; на 6-й международной конференции «International Conference Charged & Neutral Particles Channeling Phenomena» - Channeling-2014, Италия, и опубликованы в работах [70-81].

Диссертационная работы проводилась в рамках проектной части государственного задания № 3.500.2014/K в сфере научной деятельности Министерства образования и науки Российской федерации.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА заключается в получении численных результатов работы, в выполнении значительной части аналитических

расчетов по всей теме диссертации, участии в постановке решаемых задач и интерпретации полученных результатов. Автором сформулированы основные результаты диссертационной работы и написан текст диссертации.

Диссертация состоит из введения, двух глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации 93 страницы.

Первая глава настоящей диссертационной работы посвящена развитию динамической теории когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего двухслойную структуру «аморфный слой - кристаллический слой». Процесс генерации и распространения рентгеновских волн в кристаллическом слое рассматривается в рамках двухволнового приближения динамической теории дифракции в геометрии рассеяния Лауэ. Используя хорошо известную систему уравнений в двух волновом приближении динамической теории дифракции для Фурье-образа электрического поля, найдены решения для электрического поля впереди мишени, в аморфном слое, в кристаллическом слое, а также позади мишени в направлении рассеяния Брэгга. При этом решение в аморфной среде состоит из одной свободной волны, а в кристаллической из двух волн. Для определения амплитуды поля излучения в направлении рассеяния Брэгга в работе используется обычные граничные условия на трех границах: между вакуумом и аморфной средой, между аморфной средой и кристаллической средой и между кристаллической средой и вакуумом. Далее получено выражение, описывающее амплитуду когерентного рентгеновского излучения в двухслойной мишени. Так как в настоящей диссертационной работе рассмотрение процесса излучения релятивистского электрона в комбинированной среде, состоящей из аморфной и кристаллической пластин, ограниченно прямолинейным движением электрона, то вклад в суммарный выход излучения вносят два механизма излучения:

дифрагированное переходное излучение и параметрическое рентгеновское излучение. Далее общая амплитуда когерентного рентгеновского излучения разделяется на амплитуды излучений ДПИ и ПРИ. Амплитуда ПРИ релятивистского электрона представлена в виде двух слагаемых, соответствующих двум рентгеновских волнам, возбуждаемым в кристаллической среде. Амплитуда дифрагированного переходного излучения в рассматриваемой двухслойной мишени включает в себя переходное излучение, возникающее на первой и второй границах, и далее дифрагированное на системе параллельных атомных плоскостей кристаллического слоя. Выражения для амплитуд ПРИ и ДПИ получены из общей амплитуды когерентного излучения и позволяют исследовать влияние интерференции ПРИ и ДПИ на результирующее излучение из мишени, а также влияние интерференции переходных излучений от разных границ комбинированной среды на вклад ДПИ. Далее получены выражения. Описывающие спектрально-угловые плотности ПРИ и ДПИ релятивистского электрона в рассматриваемой двухслойной структуре. Необходимо отметить, что полученные в рамках динамической теории дифракции в первой главе выражения, описывающие спектрально -угловые плотности ПРИ и ДПИ релятивистского электрона в рассматриваемой структуре, являются главным результатом настоящей главы диссертации. Данные выражения учитывают асимметрию отражения поля в кристаллической пластинке относительно поверхности мишени.

Вторая глава настоящей диссертационной работы посвящена выявлению и анализу эффектов не связанных с поглощением. Рассмотрен простой случай тонкой непоглощающей мишени и получены выражения, описывающие спектрально-угловые характеристики ПРИ и ДПИ для тонкой мишени. Выражение, описывающее спектрально -угловую плотность дифрагированного переходного излучения, представлено в виде суммы слагаемых, описывающих дифрагированные излучения от первой и

второй границ, а также их интерференционного слагаемого. Далее получены выражения, описывающие угловые плотности ДПИ и ПРИ. В настоящей главе диссертационной работы проводится аналитический и численный анализ полученных выражений с целью выявления свойств рассматриваемых излучений. Показано, что при увеличении отношения плотности аморфной среды к плотности кристаллической спектрально -угловая плотность ДПИ возрастает, и при этом спектрально-угловая плотность ПРИ не изменяется. Выявлено, что данный эффект приводит и к росту угловой плотности ДПИ. Показано, что в случае, когда аморфная среда является более плотной, чем кристаллическая, основной вклад в спектрально-угловую плотность ДПИ дает волна переходного излучения, возбуждаемая на первой границе. При этом интерференционное слагаемое оказывается более существенным, чем слагаемое, определяющее вклад волны, возбуждаемой на второй границе рассматриваемой структуры. При уменьшении плотности аморфной среды интерференционное слагаемое может давать деструктивный вклад в спектрально -угловую плотность ДПИ. Если же плотность аморфной среды существенно уменьшить, то вклад в суммарное ДПИ волны переходного излучения, возбужденной на второй границе, может стать подавляющим. При энергиях излучающих электронов, при которых вклад ПРИ в суммарную угловую плотность является определяющим, ДПИ может привести к различным деформациям или осцилляциям в угловой плотности суммарного когерентного излучения, характер которых при фиксированной толщине кристаллического слоя зависит от толщины аморфного слоя.

Третья глава настоящей диссертационной работы посвящена развитию динамической теории когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего трехслойную структуру «аморфный слой - вакуум - кристаллический слой». Рассматривается излучение релятивистского электрона пересекающего трехслойную

структуру, состоящую из двух аморфных и кристаллического слоев «аморфный слой - аморфный слой - кристаллический слой». Посредством аналитических процедур, аналогичных представленным в первой главе диссертации, получены выражение описывающие амплитуды излучений ДПИ и ПРИ в такой структуре. Выражение для амплитуды ПРИ совпадает с выражением полученной в Главе 1, так как ПРИ генерируется только в кристаллическом слое. Отметим, что, хотя спектрально -угловые характеристики ПРИ в монокристаллическом слое не зависят от характеристик аморфных сред и от структуры части мишени перед отражающим монокристаллическим слоем, но интерференция ПРИ и ДПИ существенно зависит от нее. Явное выделение выражений для амплитуд ПРИ и ДПИ позволило рассмотреть в настоящей работе интерференцию этих механизмов излучения. Далее рассматривается амплитуда ДПИ для случая, когда второй слой является вакуумом, то есть рассматривается структура «аморфный слой - вакуум - кристаллический слой». Для выявления и анализа динамических эффектов, не связанных с поглощением, рассмотрен простой случай тонкой непоглощающей мишени. Получено выражение, описывающее амплитуду ДПИ в структуре «аморфный слой - вакуум - кристаллический слой». В полученном выражении первое слагаемое в квадратных скобках соответствует переходному излучению, генерируемому в аморфном слое, а второе соответствует ПИ, генерируемому на входной поверхности в кристаллическом слое. Далее получено выражение, описывающее спектрально-угловую плотность ДПИ в рассматриваемой трехслойной мишени «аморфная среда - вакуум - кристалл». В это выражение входят слагаемые, описывающие спектрально-угловые плотности ДПИ, соответствующие волнам переходных излучений, генерируемых в аморфном слое, на передней границе кристаллического слоя и слагаемое, описывающее интерференцию этих волн. Так как ДПИ релятивистского

электрона из рассматриваемой трехслойной структуры сопровождается генерацией ПРИ в кристаллическом слое, а также интерференцией этих механизмов излучений, то было получено выражение описывающие спектрально-угловую плотность ПРИ и выражение, описывающее интерференцию ПРИ и ДПИ. Затем были получены выражения, описывающие угловые плотности ДПИ, ПРИ и их интерференцию в рассматриваемой трехслойной структуре. Далее в главе проводится аналитический, а затем и численный анализ этих выражений с целью выявления свойств рассматриваемых излучений. Показана возможность существенного увеличения спектрально-угловой плотности ДПИ за счет суммарного вклада волн переходных излучений от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя в условиях их конструктивной интерференции. Показано, что в случае деструктивной интерференции волн переходного излучения от аморфного слоя и входной поверхности кристаллического слоя существуют условия полного подавления ДПИ в рассматриваемой трехслойной структуре, что может дать возможность безфонового наблюдения ПРИ в тонкой кристаллической пластинке, где пики спектров ДПИ и ПРИ трудно различимы. Показано, что при увеличении асимметрии отражения электромагнитного поля относительно поверхности мишени (при уменьшении угла падения электрона на мишень при фиксированном угле Брэгга вв), существенно растет спектральная плотность ДПИ. Данный эффект приводит и к значительному росту угловой плотности. Показано, что для увеличения угловой плотности ДПИ за счет конструктивной интерференции волн ПИ от аморфного слоя и передней границы кристаллического слоя, достаточно, чтобы условия интерференции были выполнены в максимуме угловой плотности, положение которого зависит от энергии электрона. Показано, что интерференционное слагаемое может быть существенным даже при небольшом вкладе в суммарную угловую плотность ДПИ волн ПИ от

передней границы кристаллического слоя. Показано, что при увеличении отношения реальных частей диэлектрической восприимчивости аморфного и кристаллического слоев угловая плотность ДПИ существенно растет в условиях конструктивной интерференции волн переходного излучения от аморфного слоя и входной поверхности кристаллического слоя в максимуме угловой плотности ДПИ.

Глава 1. Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в двухслойной мишени

Введение

В рамках двух волнового приближения динамической теории дифракции развита теория когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона, пересекающего составную двухслойную структуру «аморфный слой - кристаллический слой». Динамическая дифракция рентгеновских фотонов ПРИ и ДПИ в кристаллической пластинке рассматривается в геометрии рассеяния Лауэ в условиях асимметричного отражения поля относительно поверхности мишени. В рамках двух волнового приближения динамической теории дифракции в работе получены выражения, описывающие спектрально-угловые распределения ПРИ и ДПИ в рассматриваемой двухслойной мишени.

1.1. Геометрия процесса излучения

Рассмотрим релятивистский электрон, пересекающий со скоростью V

мишень, состоящую из аморфного и кристаллического слоев (рис.1.1) с толщинами соответственно а и Ь . Диэлектрическую восприимчивость аморфной среды обозначим %а, а диэлектрические восприимчивости кристаллической среды х и хш. На рис 1.1. в и в' - углы излучения, вв -

угол Брэгга (угол между скоростью электрона V и атомными плоскостями), 8 - угол между поверхностью и рассматриваемыми атомными плоскостями кристалла, к и к - волновые вектора падающего

и дифрагированного фотонов соответственно, g - вектор обратной решетки системы дифрагирующих атомных плоскостей кристалла. При пересечении релятивистским электроном первой (вакуум-аморфная среда) и второй (аморфная среда-кристалл) границ мишени возникает переходное излучение, которое затем дифрагирует в кристаллическом слое на системе параллельных атомных плоскостей кристалла, порождая в направлении рассеяния Брэгга (в направлении волнового вектора к = к + g (рис.1.1))

Рис. 1.1. Геометрия процесса излучения и система обозначений используемых величин; в ив' - углы излучения, вв - угол Брэгга (угол между скоростью электрона V и атомными плоскостями), 8 - угол между поверхностью и рассматриваемыми атомными плоскостями кристаллического слоя, к и к - волновые вектора подающего и

дифрагированного фотона.

дифрагированное переходное излучение, выходящее из мишени через третью границу системы кристалл - вакуум вместе с параметрическим рентгеновским излучением, возникающим в кристаллической пластинке. В зависимости от параметров аморфного слоя и угла падения электрона на мишень возможна конструктивная или деструктивная интерференция волн ПИ, возбужденных на первых двух границах и дающих вклад в выход ДПИ. Распространение рентгеновских волн в кристаллической среде будем рассматривать в рамках двухволнового приближения динамической теории дифракции.

1.2. Двух-волновое приближение динамической теории дифракции

Рассмотрим электромагнитные процессы в кристаллической среде,

характеризующейся комплексной диэлектрической проницаемостью

е(ю, r) = 1 + r), (1.1)

t

где z(®, r) = Z0(®) + E Zg (®)exP( igr), r) - диэлектрическая

g

восприимчивость, Zg (®>) = Zg (w) + iZg (w) - коэффициент Фурье

разложения диэлектрической восприимчивости кристалла по векторам обратной решетки g, z0 (ю) - средняя диэлектрическая восприимчивость. Магнитная проницаемость вещества в интересующей нас области относительных высоких рентгеновских частот равна единице, уравнения Максвелла в этом случае имеют следующий вид

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Загороднюк, Роман Александрович, 2016 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Гинзбург, В.Л. Излучение равномерно движущегося электрона, возникающее при его переходе из одной среды в другую / В.Л. Гинзбург, И.М. Франк / ЖЭТФ - 1945. - Т. 16. - С. 15.

2. Гинзбург, В.Л. Переходное излучение и переходное рассеяние / В.Л. Гинзбург, В.Н. Цытович // М.: Наука. - 1984. - C. 360.

3. Кольцов А.В., Серов А.В. // ЖЭТФ - 2013. - Т.143. - С. 844.

4. Серов А.В., Болотовский Б.М. // ЖЭТФ. - 2007. - T. 131. - C. 994.

5. Рязанов М.И. // ЖЭТФ. - 2004. - Т. 125. - С. 543.

6. Potylitsyn A.P., Rezaev R.O. // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2006. - V. -252. P. - 44.

7. Sergeeva D.Yu., Tishchenko A.A., Strikhanov M.N. // Nucl. Instr. and Meth B. - 2013. V. - 309. P. - 189.

8. Shul'ga N.F., SyshchenkoV.V. // Nucl. Instr. and Meth B. - 2003. V. - 201 P. - 78.

9. Rullhusen R., Novel Radiation Sources Using Relativistic Electrons. -Singapore / Rullhusen R., Artru X. and Dhez P.// World Scientific, - 1999.

10. Caticha, A. Transition-diffracted radiation and the Cerenkov emission of x rays / A. Caticha // Phys.Rev. A. - 1989. - V. 40. - P. 4322.

11. Baryshevsky, V. G. Parametric X-ray radiation at a small angle near the velocity direction of the relativistic particle/ V. G. Baryshevsky // Nucl. Instr. and Meth. A. - 1997. - V. 122. - P. 13.

12. Artru, X. Parametric X-rays and diffracted transition radiation in perfect and mosaic crystals/ X. Artru, P. Rullhusen // Nucl. Instr. and Meth. B. -1998. - V. 145. - P. 1.

13. Nasonov, N. Influence of the density effect upon the parametric X-rays of high energy particles / N.N. Nasonov // Phys. Lett A - 1998. - V. 246. - P. 148.

14. Тер-Микаэлян М.Л. Влияние среды на электромагнитные процессы при высоких энергиях. // Ереван: АН АрмССР, - 1969. - C. - 459.

15. Гарибян Г.М. Квантовая макроскопическая теория излучения равномерно движущейся заряженной частицы в кристалле / Г.М. Гарибян, Ян Ши // ЖЭТФ. - 1971. - Т. 61. - С. 930 - 943.

16. Барышевский, В.Г. О переходном излучении - квантов в кристалле. / В.Г. Барышевский, И.Д. Феранчук // ЖЭТФ. - 1971. - Т. 61. -С.944 - 948.

17. Nitta H.// Phys.Lett.A. - 1991. - V. - 158. P. - 270.

18. Feranchuk I.D., Ivashin A.V. // J. Physique. - 1985. V. - 46. P. - 1981.

19. Baryshevsky, V.G. Parametric X-rays from ultrarelativistic electrons in a crystal : theory and possibilities of practical utilization / V.G. Baryshevsky, I.D. Feranchuk // J. Physique (Paris) - 1983. - V. 44. - P. 913.

20. Shchagin A.V., Khizhnyak N.A., Fiorito R.B., Rule D.W., Artru X.// Nucl. Instr. and Meth. В. - 2001. -V.173. - p.154 - 159.

21. Brenzinger K.-H., Limburg В., Backe H., Dambac h S., Euteneuer H., Hagenbuck F., Herberg C., Kaiser K.H., Kettig 0., Kube G., Lauth W., Schope H., Walcher Th.// Phys. Rev. Lett. - 1997. - V.79. - p. 2462-2465.

22. Brenzinger K.-H., Herberg С., Limburg В., Backe H., Dambach S., Euteneuer H., Hagenbuck F., Hartmann H., Johann K., Kaiser K.H., Kettig 0., Knies G., Kube G., Lauth W., Schope H., Walcher Th. Z.// Phys. A. - 1997. -V.358. -p. 107-114.

23. Morokhovskii V.V., Schmodt K.H., Buschhorn G., Freudenberger J., Genz H., Kotthaus R., Richter A., Rzepka M., Weinmann P.M.// Phys. Rev. Lett. - 1997. - V.79 - p.4389-4392.

24. Morokhovskii V.V., Freudenberger J., Genz H., Richter A., Schmodt K.H., Buschhorn G., Kotthaus R., Rzepka M., Weinmann P.M. //Nucl. Instr. and Meth. В. - 1998. -V. 145. - p. 14-18.

25. Andreyashkin M.Yu., Kaplin V.V., Uglov S.R., Zabaev V.N., Piestmp M.A. //Appl. Phys. Lett. - 1998.- V. 72. - p. 1385-1387.

26. Тер-Микаелян М.Л.// Известия ВУЗов, Физика. -2001. - Т. 44. -с. 108 -116.

27. Блажевич С.В., Гришин В.К., Ишханов Б.С., Насонов Н.Н., Петухов В.П., Чепурнов А.С., Шведунов В.И. //Извести ВУЗов, Физика. -2001. - Т. 44. - C.66 - 80.

28. Внуков И.Е., Калинин Б.Н., Науменко Г.А., Падалко Д.В., Потылицин А.П. // Известия ВУЗов, Физика. -2001. - Т. 44. - с.53 - 65.

29. Н.Н.Насонов, А.В.Носков, В.И.Сергиенко, В.Г.Сыщенко Об эффекте аномального фотопоглощения в параметрическом рентгеновском излучении // Известия ВУЗов. Физика. - 2001.- Т.44 - №6. - C. 75- 83.

30. Адищев Ю.Н., Верзилов В.А., Внуков И.Е., Вуколов А.В., Киряков А.А., Потылицин А.П. // Извести ВУЗов, Физика. -2001. - Т. 44. -C.45- 52.

31. Chefonov O.V, Kalinin B.N., Naumenko G.A., Padaiko D.V., Potylitsin A.P., Vhukov I.E., Endo I., Inoue M. //Nucl. Instr. and Meth.B. -2001. - V. 173. - P. 18-26.

32. Chouffani К., Andreyashkin M.Yu., Endo I., Masuda J., Takahashi Т., Takashima Y. //Nucl. Instr. and Meth. В. - 2001. -V. 173. - P. 241-252.

33. Imanishi N, Nasonov N., Yajima K.// Nucl. Instr. Meth. B. - 2001. -V. 173. - P. 227.

34. Kalinin B.N., Naumenko G.A., Padaiko D.V., Potylitsin A.P., Vnukov I.E.// Nucl. Instr. and Meth. В - 2001. - V. 173. - P.253-261.

35. Kaplin V.V., Kuznetsov S.I, Timchenko N.A., Uglov S.R., Zabaev V.N. // Nucl. Instr. and Meth. В - 2001. - V. 173. - P.238-240.

36. Potylitsyn A.P., Serdyutsky V.A., Mazunin A.V., Strikhanov M.N. // Nucl. Instr. and Meth. В - 2001. - V. 173. - P.27 - 29.

37. Nasonov N.N, Noskov A.V. On the parametric X - rays along an emitting particle velocity// Nucl. Instr. and Meth. B - 2003. - V. 201. - P.67-77.

38. Kubankin A.S., Nasonov N.N., Sergienko V.I., Vnukov I.E. An investigation of the parametric X - rays along the velocity of emitting particle // Nucl. Instr. and Meth. B - 2003. - V. 201. - P.97 - 113.

39. V.G. Baryshevsky and A.A. Gurinovich// Nucl. Instr. and Meth. B -2006. - V. 252. - P.92 - 101.

40. Y. Hayakawa, I. Sato, K. Hayakawa, T. Tanaka, A. Mori, T. Kuwada, T. Sakai, K. Nogami, K. Nakao and T. Sakae// Nucl. Instr. and Meth. B - 2006. - V. 252. - P.102 - 110.

41. Yu.N. Adischev, S.V. Afanasiev, V.V. Boiko, A.N. Efimov, Yu.V. Efremov, A.S. Gogolev, A.D. Kovalenko, Yu.L. Pivovarov, A.P. Potylitsyn, S.V. Romanov, Sh.Z. Saifulin, E.A. Silaev, A.M. Taratin, S.P. Timoshenkov, S.R. Uglov, V.I. Volkov, M.A. Voevodin and V.N. Zabaev // Nucl. Instr. and Meth. B - 2006. - V. 252. - P.111 - 117.

42. Akira Mori, Yasushi Hayakawa, Akio Kidokoro, Isamu Sato, Toshinari Tanaka, Ken Hayakawa, Kouji Kobayashi and Hisashi Ohshima // Nucl. Instr. and Meth. B - 2006. - V. 252. - P.118 - 123.

43. A. Kubankin, V. Likhachev, N. Nasonov, A. Rakitjansky and P. Zhukova // Nucl. Instr. and Meth. B - 2006. - V. 252. - P. 124 - 130.

44. Y. Takabayashi, I. Endo, K. Ueda, C. Moriyoshi, A.V. Shchagin// Nucl. Instr. and Meth. B - 2006. - V. 243. - P.453 - 456.

45. K.B. Korotchenko, Yu.L. Pivovarov and T.A. Tukhfatullin// Nucl. Instr. and Meth. B - 2008. - V. 266. - P.3755 - 3757.

46. Y. Hayakawa, K. Hayakawa, M. Inagaki, T. Kuwada, K. Nakao, K. Nogami, T. Sakae, T. Sakai, I. Sato, Y. Takahashi and T. Tanaka// Nucl. Instr. and Meth. B - 2008. - V. 266. - P.3758 - 3769.

47. Kubankin A.S., Nasonov N.N., Sergienko V.I., Vnukov I.E. // Nucl. Instr. Meth. B. - 2003. - V. 201. - P. 97.

48. Nasonov N.N., Kaplin V.V., Uglov S.R., et al. // Nucl. Instr. Meth. В. 2005. - V. 227. - P. 41.

49. Y. Hayakawa, K. Hayakava, M. Inagaki et all // Book of Abstracts VIII International Symposium: Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures (RREPS-09), September 7-11, 2009, Zvenigorod, Russia - P.36.

50. Nasonov N.// Physics Letters A. - 2001. - V. 292. - P. 146-149.

51. А. Н. Алейник, А. Н. Балдин, Е. А. Богомазова, И .Е. Внуков и др. //Письма в ЖЭТФ - 2004. - Т.80 - Р. 447.

52. (20) Nasonov N. // Physics Letters A. - 2001. - V.292. - P. 146-149.

53. Nasonov N., Noskov A. // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2003. - V. 201. -P. 67.

54. Nasonov N.N., Zhukova P., Piestrup M.A., Park H. // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2006. - V. 251. - P. 96-98.

55. Blazhevich S., Noskov A. // Nucl. Nucl. Instr. and Meth. B. - 2006. -V. 252. - P. 69.

56. Blazhevich S.V., Noskov A.V. // Nucl. Instr. and Meth. B. - 2008. - V. 266. - P. 3770.

57. Blazhevich S., Noskov A. // ЖЭТФ. - 2009. - Т.136. - P. 1043.

58. Блажевич С. В., Носков А.В. //ЖТФ. - 2010. - Т. 80. - Вып.3. - С.

1-9.

59. Блажевич С. В., Носков А.В. //ЖТФ. - 2008. - Т.78. - Вып.9. - С. 84-90.

60. Блажевич С. В., Колосова И.В., Носков А.В. // ЖЭТФ. - 2012. Т.141. - Вып.4. - С.627.

61. Blazhevich S.,Noskov A. // Nucl. Instr. and Meth. B. 2013. V. 309. P. 70-75.

62. Yu.A. Goponov, S.A. Laktionova, O.O. Pligina, M.A. Sidnin, I.E. Vnukov // Nucl. Instr. andMeth. B. - 2015. - V. 355. - P. 150-154.

63. Бакланов Д.А., Внуков И.Е., Гришин В.К., Ермаков А.Н., Жандармов Ю.В., Шатохин Р.А. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2010. - №2 3. - С. 26-36.

64. Балдин А.Н., Внуков И.Е., Калинин Б.Н., Каратаева Е.А.// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.

- 2006. - № 4. - С. 72-85.

65. М.Ю.Андреяшкин, В.Н. Забаев, К. Иошида, В.В. Каплин, Е.И. Розум, С.Р. Углов, И. Эндо//Письма в ЖЭТФ, - 1995. - Том. 62. - Вып. 10.

- С. 770-774.

66. М.Ю.Андреяшкин, В.Н. Забаев, В.В. Каплин, К. Накаяма, С.Р. Углов, И. Эндо//Письма в ЖЭТФ. - 1997. - Том. 65. - Вып. 8. С. 594-774.

67. K. Nakayama, M. Sekimura, I. Yanase, I. Endo, Y. Takashima, V. Kaplin, A. Potylitsin//Nucl. Instr. and Meth. B. - 1998. - V.145. - P.236.

68. Y. Takashima, K. Aramitsu, I. Endo, A. Fukumi et al. //Nucl. Instr. and Meth. B. - 1998. - V. 145. - P. 25.

69. V.V. Kaplin, S.I. Kuznetsov, N.A. Timchenko, S.R. Uglov, V.N. Zabaev// Nucl. Instr. and Meth. B. 2001. - V. 173. - P. 238.

70. S.V. Blazhevich, R.A. Zagorodnyuk, A.V. Noskov, Interference effects in radiation by the relativistic electron in the structure of "amorphous matter layers-single crystal"// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2015. - Vol. 355. -P. 114-120.

71. S. V. Blazhevich, R. A. Zagorodnyuk, A.V. Noskov, Diffracted Transient Radiation of a Relativistic Electron in a Bilayer Target// Technical Physics. - 2015 - V. 60. - N. 6. - P. 789-797.

72. С.В. Блажевич, Р.А. Загороднюк, А.В. Носков, Дифрагированное переходное излучение релятивистского электрона в двухслойной мишени// Журнал технической физики. - 2015. - Том 85. - Вып. 6. - С.1-8.

73. S. V. Blazhevich, R. A. Zagorodnyuk, A.V. Noskov, Diffracted Transition Radiation of a Relativistic Electron in a Three-Layer Structure// Journal of Experimental and Theoretical Physics. - 2014. - V. 119 - N.4. -P.641-650.

74. С.В. Блажевич, Р.А. Загороднюк, А.В. Носков, Дифрагированное переходное излучение релятивистского электрона в трехслойной структуре// ЖЭТФ. - 2014. - Т. 146. - Вып. 4(10). - С. 730-740.

75. S. V. Blazhevich, R. A. Zagorodnyuk, A.V. Noskov, Coherent X-ray Radiation of a Relativistic Electron in a bilayer amorphous layer-single crystal target // Russian Physics Journal. - V. 57. - N.7. - November, 2014. - P.898-906.

76. С.В. Блажевич, Р.А. Загороднюк, А.В. Носков, Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в двуслойной мишени «аморфный слой - монокристалл»// Известия ВУЗов. Физика. - 2014. -Т.57. - №№7. - С. 33-40.

77. С.В. Блажевич, Р.А. Загороднюк, А.В. Носков, Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в двуслойной мишени «аморфный слой-монокристалл»// Тезисы докладов XI международной конференции «Физические явления в твердых телах». - Харьков. - ХНУ. 3-6 декабря, 2013. - С.167.

78. С.В. Блажевич, Р.А. Загороднюк, А.В. Носков Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в комбинированной среде// Тезисы докладов XII конференции по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям. - Украина, Харьков. - ННЦ ХФТИ. - 17-21 марта 2014 г. - С.108.

79. Блажевич С.В., Загороднюк Р.А., Омельченко Е.И., А.В. Носков, Когерентное рентгеновское излучение релятивистского электрона в трехслойной структуре// Тезисы докладов XLIV международной

Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. - Москва, МГУ. - 27 мая - 29 мая, 2014 г. - С. 45

80. Блажевич С.В., Загороднюк Р.А., А.В. Носков, Дифрагированное переходное излучение релятивистского электрона в двухслойной структуре// Тезисы докладов XLIV международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. - Москва, МГУ. - 27 мая - 29 мая, 2014 г. - С. 51

81. S.V. Blazhevich, R.A. Zagorodnyuk, A.V. Noskov, Interference Effects in the Radiation of the Relativistic Electron in the Structure of "Amorphous Matter Layers-Single Crystal"// Abstracts of the 6th International Conference Channeling 2014 - Charged & Neutral Particles Channeling Phenomena. - Capri (NA), Italy. - October 5-10, 2014. - P.111.

82. Базылев, В.А. Излучение быстрых частиц в веществе и внешних полях / В.А. Базылев, Н.К. Жеваго. - M.: Наука - 1987. - C. 272.

83. Пинскер З.Г., Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах. М.: Наука - 1974. - С. 369.