Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Казаков, Дмитрий Витальевич

• Казаков, Дмитрий Витальевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Казаков, Дмитрий Витальевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Литературный обзор.

§1. Вторичные процессы в рентгеновской дифракции.

§2. Угловое распределение интенсивности рассеяния рентгеновских лучей вблизи узла обратной решетки.

ГЛАВА 2. Стат истическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей многослойных структурах.

ГЛАВА 3. Статистическая теория дифракции от эпитаксиальных слоев применительно ктрехосевой дифрактометрии.

ГЛАВА 4. Теория дифракции на сверхрешетке сложного композиционного состава.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей на планарных гетероструктурах»

Планарные гетероструктуры - это многослойные системы, которые используются в полупроводниковых приборах. Развитие оптики и электроники требует создания новых полупроводниковых структур с размерами порядка 10~9м. Такие объекты получили название наноструктуры или наностистемы. Наиболее распространенными методами изготовления полупроводниковых структур являются ионная имплантация, молекулярно-лучевая эпитаксия, диффузное внедрение и различные способы парофазного эпитаксиального роста. Даже самые передовые технологии не позволяют создавать структуры с идеальной кристаллической решеткой, в результате чего в объеме кристалла могут возникать различного рода дефекты [1-6]. Полупроводниковые приборы, размеры которых порядка нанометров, требуют строгого анализа их атомно-кристаллической структуры. Физические свойства и дальнейшее применение таких объектов определяются качеством кристаллической решетки материалов.

Исходным материалом для создания планарных гетероструктур служат элементы четвертой группы таблицы Менделеева, соединения третьей и пятой групп вида А|ПВУ и соединения АИВУ|. Наиболее популярными являются композиции на основе Б!, йе, бинарные соединения ваЫ, СаАэ, А1Аб, А1БЬ, 1пЫ, 1пР, 1пАб, СсГГе, Сс18е и т.д. [7]. Ввиду ограниченности состава бинарных соединений для получения материалов с более сложными электрофизическими свойствами предпочтение отдают их тройным и более сложным химическим композициям [8]. В результате такой компоновки можно добиваться непрерывного изменения параметра решетки структуры, создавать многослойные системы твердых растворов из комбинаций соединений АШВУ [9]. При этом если имеет место закон Вегарда, то зависимость объема элементарной ячейки от концентрации должна иметь линейный характер, однако в ряде случаев для трехкомпонентных твердых растворов закон Вегарда может не выполняться. Напряжения приводят к возникновению деформаций кристаллической решетки.

Поскольку разного рода полупроводниковые материалы обладают разными уровнями валентности и проводимости, то на их гетерогранице возникает изгиб энергетических зон [10]. Электроны в такой системе могут свободно двигаться вдоль границы раздела материалов. Последовательный рост двух гетеропереходов приводит к образованию квантовой ямы с одним или несколькими уровнями энергии. Квантовые нити ограничивают движение электронов в двух направлениях. Объекты, в которых движение электрона ограничено но всем направлениям, получили название квантовых точек [11, 12].

Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия - это эффективный неразрушающий метод исследования кристаллических гетероструктур [13 -15], при этом анализ дифракционной картины требует учета когерентного и диффузного рассеяния. Когерентный канал рассеяния определяется состоянием «средней» (напряженной) кристаллической решетки. Формирование диффузного поля рассеяния происходит в результате взаимодействия рентгеновского излучения с дефектами кристаллической структуры. Непосредственное взаимодействие рентгеновского излучения с веществом сопровождается различного рода вторичными процессами, при этом за выход вторичных процессов отвечает как когерентная, так и диффузная составляющие рентгеновского поля. Следовательно, угловое распределение коэффициента дифракционного отражения и выход вторичных процессов содержат важную информацию о структурных характеристиках кристаллических нанобъектов.

Данная работа посвящена развитию теории дифракции на кристаллических структурах с учетом когерентного и диффузного каналов рассеяния. В первой главе приведен обзор литературы по проблеме изучения кристаллических объектов с помощью рентгенодифракционных методов и методов вторичных процессов. Во второй главе получены общие выражения для интенсивности когерентной и диффузной компонент выхода вторичных процессов от градиентной кристаллической структуры с произвольным законом изменения межплоскостного расстояния. Показано влияние диффузного и когерентного каналов рассеяния на угловое распределение вторичных процессов. В третьей главе получено аналитическое решение для углового распределения когерентной и диффузной составляющих интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в близи узла обратной решетки от гетероструктуры применительно к методу трехосевой дифрактометрии. Показано влияние напряжений и дефектов на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Теория использована для исследования гетероструктур 1пСаН/СаЫ/А1Ы/А120з и 1пР/1пСаАзР/1пР с ультратонкими слоями. В четвертой главе в рамках статистического подхода впервые получены выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в обратном пространстве от сверхрешетки со сложным композиционным составом. Изучено влияние структурных параметров сверхрешетки на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Показана связь полученных выражений с решением для двухкомпонентной сверхрешетки.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Казаков, Дмитрий Витальевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные, новые и существенные результаты диссертационной работы состоят в следующем.

1. В рамках статистической теории получены выражения для углового распределения выхода вторичных процессов из градиентного (многослойного) кристалла, содержащего статистически распределенные дефекты. Показано, что кривые выхода вторичных процессов чувствительны к наличию хаотически распределенных дефектов и малых искажений кристаллической решетки в тонких приповерхностных слоях градиентного кристалла. По экспериментальным данным двух-, трехкристальной дифрактометрии и выхода фотоэлектронов получены характеристики кристалла 1пР, имплантированного ионами Ре+.

2. В рамках статистического подхода впервые рассмотрена дифракция рентгеновских лучей на наноразмерных гетероструктурах с учетом когерентного и диффузного рассеяния. Получены аналитические выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент рассеянной интенсивности рентгеновского излучения вблизи узла обратной решетки. Показано влияние напряжений и дефектов на угловые зависимости рассеянной интенсивности. Теория использована для исследования гетероструктур 1пОаЖЗаМ/А1Ы/А12Оз и ГпРЛпваАзРЛпР с ультратонкими слоями. Сравнение экспериментальных данных и теоретических расчетов позволило получить информацию о структуре многослойных систем.

3. В рамках статистического подхода впервые получены выражения для угловых распределений когерентной и диффузной компонент интенсивности рассеяния рентгеновских лучей в обратном пространстве от сверхрешетки со сложным композиционным составом. Изучено влияние структурных параметров сверхрешетки на угловые зависимости интенсивности рассеяния. Показана связь полученных выражений с решениями для двухкомпонентной сверхрешетки. Установлено, что дополнительная структурная модуляция сверхрешетки приводит к изменению углового распределения когерентной интенсивности рассеяния. Сравнением экспериментальных данных с результатами численного моделирования углового распределения интенсивности рассеяния рентгеновских лучей вблизи узла обратной решетки вычислены структурные параметры сверхрешетки 1п8Ь/1пСа8Ь/1п8Ь/1пА5.

Полученные результаты дают возможность развития теоретических и экспериментальных методов исследований структурного совершенства материалов современной микро-, нано- и оптоэлектроники. Для практических целей могут быть использованы:

• выражения для углового распределения выхода вторичных процессов в условиях динамической дифракции рентгеновских лучей для определения структурных параметров градиентных кристаллов;

• аналитические выражения для углового распределения когерентной и диффузной составляющих рассеянной интенсивности рентгеновского излучения от гетероструктур с деформациями решетки и хаотически распределенными дефектами;

• решения для углового распределения когерентной и диффузной составляющих интенсивности рассеяния рентгеновских лучей от св'ерхрешеток сложного композиционного состава для изучения их структурных характеристик.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Казаков, Дмитрий Витальевич, 2007 год

1. Tabuchi, М. Determination of composition distributions in InP/InGaAs/InP quantum-well structures by X-ray crystal truncation rod scattering and quantum levels / M. Tabuchi et. al. // Journal of Crystal Growth. 1998. - Vol. 186. -P. 48-54.

2. Tabuchi, M. X-ray CTR scattering measurements of InP/InGaAs/InP interface structures fabricated by different growth processes / M. Tabuchi et al. // Applied Surface Science. 2000. - Vol. 159 - 160. - P. 250 - 255.

3. Tabuchi, M. Distribution of InAs atoms in InP/InPAs (1 monolayer)/InP heterostructures measured by X-ray crystal truncation rod scattering / M. Tabuchi et al. // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 81 № 1. - P. 112 - 115.

4. Takeda, Yo. X-ray crystal truncation rod scattering of AsH3-exposed InP/InPAs/InP single heterostructures / Yo. Takeda et al. // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 66 № 3. - P. 332 - 334.

5. Takeda, Yo. Layer structures analysis of Er 5-doped InP by X-ray truncation rod scattering / Yo. Takeda et al. // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 82, № 2. -P. 635-638.

6. Tabuchi, M. Atomic level interface structure of InP/InPAs/InP measured by X-ray crystal truncation rod scattering / M. Tabuchi et al. // Journal of Crystal Growth. 1995. Vol. 146. - P. 148 - 152.

7. Булей, Дж. Твердые растворы соединений AmBv / Дж. Булей // Полупроводниковые соединения AmBv. -М.: Металлургия. 1967. С. 6 - 40.

8. Мильвидский, М. Г. Закономерности дефектообразования в гетероэпитаксиальных структурах соединений AniBv для оптоэлектроники (обзор) / М. Г Мильвидский, В. В. Освенский // Кристаллография. 1977. -Т. 22-С. 431 -447.

9. Penning, P. Anomalous Transmission x-rays in Elastically Deformed Crystals / P. Penning, D. Polder // Philips, Res. Repts. -1961.- Vol. 16. P. 416 - 440.

10. Springholz, G. Vertical and lateral ordering in self-organized quantum dot superlattices / G. Springholz et al. // Physica E. 2001. - Vol. 9. - P. 149 - 163.

11. И. Кульбачинский, В. А. Полупроводниковые квантовые точки // Соросовский образовательный журнал. 2001. - Т. 7, № 4. - С. 98 - 104.

12. Alhassid, Y. The statistical theory of quantum dots / Y. Alhassid // Reviews of Modern Physics. 2000. - Vol. 72, № 4. - P.895 - 968.

13. O'Donnell, K. P. Structural analysis of InGaN epilayers / K. P. O'Donnell et al. // Journal of Physics: Condensed Matter. 2001. - Vol. 13. - P. 6977 -6991.

14. Krost, A. Indium nanowires in thick (InGaN) layers as determined by X-ray analysis / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76, № 11. - P. 1395 -1397.

15. Schmidbauer, M. X-ray diffuse scattering on self-organized Mesoscopic structures / M. Schmidbauer, M. Hanke, R. Kohler // Cryst. Res. Technol. 2002. -Vol. 37.-P. 3-34.

16. Афанасьев, A. M. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / А. М. Афанасьев, В. Г. Кон // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1978. -Т. 74, вып. 1.-С. 300-313.

17. Афанасьев, А. М. Исследование тонких приповерхностных слоев полупроводниковых материалов / А. М. Афанасьев, Б. Г. Захаров, Р. М. Имамов и др. // Электронная промышленность. 1980. - вып. 11 (95) -12 (96).-С. 47-50.

18. Прохоров, А. М. Физический энциклопедический словарь /

19. A. М. Прохоров. -М: Сов. энцикл., 1984. 944 с.

20. Бушуев, В. А. Вторичные процессы в рентгеновской оптике /

21. B. А. Бушуев, P.II. Кузьмин. М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1990. - 112 с.

22. Kovalchuk, М. V. Photoeffect under the conditions of dynamical X-ray diffraction / M. V. Kovalchuk, I. A. Vartanyantz, V. G. Kohn // Acta Crystal. -1987.-A43.-P. 180-187.

23. Ковальчук, M. В. Рентгеновские стоячие волны новый метод исследования структуры кристаллов / М. В. Ковальчук, В. Г. Кон // Успехи физических наук. - 1986. - Т. 149, вып. 1. - С. 69 - 102.

24. Ефимов, О. H Внешний фотоэффект при динамическом рассеянии рентгеновских лучей / О. Н. Ефимов, В. Н. Щемелев, М. В. Круглов // Ученые записки ЛГУ. 1974. № 370. - С. 83 - 86.

25. Щемелев, В. Н. Внешний фотоэффект из совершенных кристаллов германия в условиях брэгговского (111) отражения рентгеновских лучей / В. Н. Щемелев, М. В. Круглов// ФТТ. - 1972. - Т. 14, вып. 12. - С. 3556 -3563.

26. Kikuta, S, Variation of the yield of the electrons émission from a silicon single crystal with the diffraction condition of exiting X-rays / S. Kikuta, T. Takahashi, Y. Tuzi // Phys. Lett. A. 1975, - Vol. 50, - P. 453 - 454.

27. Калашников, H. П. Внешний фотоэффект при дифракции рентгеновских лучей в кристаллах / Н. П. Калашников, Б. В. Каленов, Ю.А. Матвеев и др. // ФТТ. 1982. - Т. 24, вып. 3. - С. 677 - 860.

28. Круглов, М.В. Фотоэмиссия при брэгговской дифракции рентгеновских лучей в кристалле с аморфной пленкой / М.В. Круглов, Е.А. Созонтов, В.Н. Щемелев, и др. // Кристаллография 1977. - Т. 22. - С. 693 - 697.

29. Бронштейн, И. М. Вторичная электронная эмиссия / И. М. Бронштейн, Б. Ф. Фрайман М.: Наука, 1969.

30. Афанасьев, А. М. Определение вероятности выхода фотоэлектронов различных энергий в кристаллах / А. М. Афанасьев, Р. М. Имамов, 3. А. Игамкулов и др. // Кристаллография. 1994. - Т. 39, № 2. - С. 250 -257.

31. Koppensteiner, E. Investigation of strain-symmetrized and pseudomorphic SimGen superlattices by X-ray reciprocal space mapping / E. Koppensteiner et al. // J. Appl. Phys. 1994. - Vol. 76, № 6. - P. 3489 -3501.

32. Darhuber, A. A. Structural characterization of self-assembled quantum dot structures by X-ray diffraction techniques / A. A. Darhuber et al. // Thin Solid Films. 1997. - Vol. 306. - P. 198 - 204.

33. Ашкрофт, H. Физика твердого тела / H. Ашкрофт, H. Мермии. M.: Мир, 1979.-Т. 1.

34. Kovats, Z. Residual strain in Ge pyramids on Si(l 11) investigated by X-ray crystal truncated rod scattering / Z. Kovats et al. // Physical review B. 2000. -Vol. 62.№ 12.-P. 8223-8231.

35. Nordlund, K. Diffuse X-ray streaks from stacking faults in Si analyzed by atomistic simulations / K. Nordlund et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. - Vol. 76 № 7. - P.846 - 848.

36. Pereira, S. Strain and composition distributions in wurtzite InGaN/GaN layers extracted from X-ray reciprocal space mapping / S. Pereira et a!. // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 80, № 21 - P. 3913 - 3915.

37. Pereira, S. Interpretation of double X-ray diffraction peaks from InGaN layers / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 79, № 10. - P. 1432 - 1434.

38. Pereira, S. Compositional dependence of the strain-free optical band gap in InxGa,xN layers / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 78, № 15. -P. 2137-2139.

39. Pereira, S. Structural and optical properties of InGaN/GaN layers close to the critical layers thickness / S. Pereira et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 81, №7,-P. 1207-1209.

40. Wang, H. AIN/AlGaN superlattices as dislocation filter for low-threading-dislocation thick AlGaN on sapphire / H. Wang et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. -Vol. 81,№4,-P. 604-606.

41. Schuster, M. High-resolution X-ray diffraction and X-ray standing wave analyses of (AlAs)m(GaAs)n short-period superlattices / M. Schuster et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. - Vol. 28, - P. A206 - A211.

42. Kyutt, R. N. Broadening of submonolayer CdSe sheets in CdSe/ZnSe superlattices studied by X-ray diffraction / R. N. Kyutt et al. // Appl. Phys. Lett. -1999. Vol. 75, № 3. - P. 373 - 375.

43. Krost, A. High-resolution X-ray analysis of compressively straind 1.55 pm GalnAs/AlGalnAs multiquantum well structures near the critical thickness / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol. 67, № 22. - P. 3325 - 3327.

44. Krost, A. In enrichment in (In,Ga)As/GaAs quantum dots studies by highresolution X-ray diffraction and pole figure analysis / A. Krost et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. - Vol. 75, № 19. - P. 2957 - 2959.

45. Stierle, A. High resolution X-ray characterization of Co films on AI2O3 / A. Stierle et al. //J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 73, № 10. - P. 4808-4814.

46. Brandt, 0. Determination of strain state and composition of highly mismatched group-Ill nitride heterostructures by X-ray diffraction / 0. Brandt et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. - Vol. 35. - P. 577 - 585.

47. Darhuber, A. A. Quantitative analysis of elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots / A. A. Darhuber et al. // Physica. 1996. - B227. - P. 11 - 16.

48. Holy, V. High-Resolution X-ray Scattering From Thin Films and Multilayers / V. Holy et al. // Springer Tracts in Modern Physics. 1999. - Vol. 149. - 258 p.

49. Li, J. H. Evolution of mosaic structure in Sio?Ge03 epilayers grown on Si(OOl) substrates / J. H. Li et al. // // J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 86, № 3 -P. 1292-1297.

50. Mudie, S. T. Collection of reciprocal space maps using imaging plates at Australian National Beamline Facility at the Photon Factory / S. T. Mudie et al./ J. Synchrotron Rad. 2004. - Vol. 11. - P. 406 - 413.

51. Nesterets, Y. I. The statistical kinematical theory of X-ray diffraction as applied to reciprocal-space mapping / Y. I. Nesterets, V. I. Punegov // Acta Cryst. -2000.-A56.-P. 540-548.

52. Alexe, G. Studies of misfit dislocation denseties in II VI laser structures by diffuse X-ray scattering / G. Alexe et al. // Phys. Stat. Sol. (b). - 2002. -Vol. 229, № l.-P. 193-196.

53. Srikant, V. Mosaic structures in epitaxial thin films large lattice mismatch / V. Srikant et al. // J. Appl. Phys. 1997. - Vol. 82, № 9. - P. 4286 - 4295.

54. Sztucki, M. X-ray analysis of temperature induced defect structures in boron implanted silicon / M. Sztucki et al. // J. Appl. Phys. 2002. - Vol. 92, № 7. -P. 3694-3703.

55. Wiebach, Th. Strain and composition in SiGe nanoscale islands studied by X-ray scattering / Th. Wiebach // Physical review B. 2000. - Vol. 61, № 8. -P. 5571 -5578.

56. Zaus, R. An Improved deviation parameter for simulation of dynamical X-ray diffraction on epitaxic heterostructures / R. Zaus et. al. //J. Appl. Cryst. 1993. -Vol. 26.-P. 801-811.

57. Iida, A. Separate measurements of dynamic and kinematic X-ray diffractions from silicon crystals with a tripleaxis diffractometer // Phys. Status Solidi. 1979. -Vol. 51(2)-P. 533 -542.

58. Gerhard, T. High-resolution X-ray diffraction study of degrading ZnSe-based laser diodes / T. Gerhard, D. Albert, W. Faschinger // Journal of Crystal Growth. -2000.-Vol. 214-P. 1049-1053.

59. Kinne, A. Image Plates as One-Dimensional Detectors in I Iigh-Resolution X-ray Diffraction / A. Kinne et al. // Journal of Appl. Cryst. 1998. - Vol. 31, -P. 446-452.

60. Butler, B. D. High-energy X-ray diffuse scattering using Weissenberg flat-cone geometry / B. D. Butler et al. // Journal of Appl. Cryst. 2000. - Vol. 33 -P. 1046- 1050.

61. Welberry, T. R. High-energy diffuse scattering on the 1-ID beamline at the Advanced Photon Source / T. R. Welberry et al. // Synchrotron Radiation. -2003.-Vol. 10.-P. 284-486.

62. Pavlov, К. M. Statistical dynamical theory of X-ray diffraction in the Bragg case: application to triple-crystal diffractometry / M. P. Pavlov, V. I. Punegov // Acta. Cryst. 2000. - A56. - P. 227 - 234.

63. Faleev, N. Influence of long-range lateral ordering in structures with quantum dots on the spatial distribution of diffracted X-ray radiation / N. Faleev et al. // Japanese J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 38. - P. 818 - 821.

64. Rettig, R. X-ray diffraction study of intentionally disordered (GaIn)As/Ga(PAs) heterostructures / R. Rettig et al. // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 84, № l.-P. 237-247.

65. Rettig, R. Growth and structural properties of GaIn)As/Ga(PAs) intentionally disordered superlattice structures grown by metalorganic vapor phase epitaxy / R. Rettig et al. //Journal of Crystal Growth. 1997. - Vol. 170. - P. 748 - 751.

66. Schmidbauer, M. Controling planar and vertical ordering in three-dimensional (In,Ga)As quantum dot lattices by GaAs surface orientation / M. Schmidbauer et al. // Physical review letters. 2006. - Vol. 96, 066108. -P. 1-4.

67. Pal, D. Structural characterization of InAs/GaAs quantum-dot nanostructures / D.Pal et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 78, № 26. - P. 4133 - 4135.

68. Gonzalez, J. C. X-ray determination of vertical ordering of InAs quantum dots in InAs/GaAs multilayers / J. C. Gonzalez et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 78, №8. -P. 1056- 1058.

69. Holy, V. Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high resolution X-ray diffraction / V. Holy et al. // Solid-State Electronics. 1996. -Vol. 40.-P. 373-377.

70. Koppensteiner, E. Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse X-ray scattering / E. Koppensteiner et al. // Applied Physics. 1995. - Vol. 28 - P. 114 - 119.

71. Li, J. H. Evolution of strain relaxation in compositionally graded SiixGex films on Si(001) / J. H. Li et al. // Applied Physics Letters. 1995. - Vol. 67, №2-P. 223-225.

72. Darhuber, A. A. Structural characterization of self-assembled Ge dot multilayers by X-ray diffraction and reflectivity methods / A. A. Darhuber et al. // Physica E. 1998. - Vol. 2. - P. 189-793.

73. Holy, V. Coplanar and grazing incidence X-ray-diffraction investigation of self-organized SiGe quantum dot multilayers / V. Holy et al. // Physical review B. 1998. - Vol. 58, № 12. - P. 7934 - 7943.

74. Kegel, I. Vertical alignment of multilayered quantum dots studied by X-ray grazing-incidence diffraction / I. Kegel et al. // Physical review B. 1999. -Vol. 60, № 4. - P. 2516-2521.

75. Meduna, M. X-ray reflectivity of self-assembled structures in SiGe multilayers and comparison with atomic force microscopy / M. Meduna et al. // J. Appl. Phys. 2001. - Vol. 89, № 9. - P. 4836 - 4842.

76. Holy, V. Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers / V. Holy et al. // Physical review B. 1998. - Vol. 57, № 19. - P. 12435 - 12442.

77. Holy, V. Diffuse X-ray reflection from multilayers with stepped interfaces / V. Holy et al. // Physical review B. 1997. - Vol. 55, № 15. - P. 9960 - 9968.

78. Springholz, G. Nearly perfect 3D ordering in IV VI quantum dot superlattices with ABCABC. vertical stacking sequence / G. Springholz et al. // Physica E. - 2000. - Vol. 7. - P.870 - 875.

79. Holy, V. Lateral and vertical ordering of self-assempled PbSe quantum dots by high-resolution X-ray diffraction / V. Holy et al. // Physica B. 2000. Vol. 283.-P.65-68.

80. Springholz, G. Self-organized growth of free-dimensional IV VI semiconductor quantum dot crystals with fcc-like vertical stacking and tunablelattice constant / G. Springholz et al. // Surface Science. 2000. - Vol. 454 -456.-P. 657-670.

81. Biasing, J. The origin of stress reduction by low-temperature A1N interlayers / J. Biasing et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. - Vol. 81, № 15. - P. 2722 - 2724.

82. Yang, B. Structural characterization of thin GaN epilayers directly grown on on-axis 6H-SiC(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy / B. Yang et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. - Vol. 73, № 26. - P. 3869 - 3871.

83. Bourret, A. Strain relaxation in (0001) AIN/GaN heterostructures / A. Bourret et al.// Physical review B. 2001. - Vol. 63. - P. 245307-1 - 245307-13.

84. Kistenmacher, T. J. Real and reciprocal space mapping of the mosaic dispersion in self-nucleated AlxGai.xN thin films on (0.01) sapphire/ T. J. Kistenmacher et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. - Vol. 67, № 25, - P. 3771 -3773.

85. Fewster, P. F. Detailed structural analysis of semiconductors with X-ray scattering / P. F. Fewster et al. // Materials Science in Semiconductor Processing. -2001.-Vol. 4.-P. 575-481.

86. Chinko, K. Buffer layer strain transfer in AIN/GaN near critical thickness / K. Chinko et al. // J. Appl. Phys. 1999. - Vol. 85, № 8. - P. 4040 - 4044.

87. Chinko, K. Critical thickness of GaN thin films on sapphire (0001) / K. Chinko et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. - Vol. 69, № 16. - P. 2358 - 2360.

88. Kozlowski, J. Structural characterization of (Al,Ga)N epitaxial layers by means of X-ray diffractometry / J. Kozlowski et al. // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. -Vol. 228, № 2. -P. 415-418.

89. Chamrad, V. Structure and ordering of GaN quantum dot multilayers / V. Chamrad et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. - Vol. 79 № 13 - P. 1971 - 1973.

90. Domagala, J. Z. X-ray diffraction studies of epitaxial laterally overgrown (ELOG) GaN layers on sapphire substrates / J. Z. Domagala et al. // Journal of Crystal Growth. 2002. - Vol. 245. - P. 37 - 49.

91. Kapolnek, D. Structural evolution in epitaxial metalorganic chemical vapor deposition grown GaN films on sapphire / D. Kapolnek et al. / Appl. Phys. Lett. -1995.-Vol. 67, № 11.- P. 1541-1543.

92. Mudie, S. High-resolution X-ray diffractometry investigation of interface layers in GaN/AIN structures grown on sapphire substrates / S. Mudie et al. // Surface Review and Letters. 2003. - Vol. 10. - P. 513 - 517.

93. Miceli, P. F. X-ray scattering from rotational disorder in epitaxial films: An unconventional mosaic crystal / P. F. Miceli, C. J. Palmstrom // Physical review B. 1995. - Vol. 51, № 8. - P. 5506 - 5509.

94. Miceli, P. F. Growth morphology of epitaxial ErAs/GaAs by X-ray extended range specular reflectivity / P. F. Miceli et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. -Vol. 61,№ 17.-P. 2060-2062.

95. Miceli, P. F. X-ray scattering study of lattice relaxation in ErAs epitaxial layers on GaAs / P. F. Miceli et al.// Appl. Phys. Lett. 1991. - Vol. 58, № 15. -P. 1602- 1604.

96. Miceli, P. F. Specular and diffuse reflectivity from thin films containing misfit dislocations / P. F. Miceli et al.// Physica B. 1996. - Vol. 221. - P. 230 -234.

97. Krost, A. High-resolution X-ray diffraction of self-organized InGaAs/GaAs quantum dot structures / A. Krost et al. // Applied Physics. 1996. - V68, № 6. -P. 785-787.

98. Бушуев, В. А. Статистическая динамическая теория вторичных процессов в условиях дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / В. А. Бушуев // ФТТ. 1995. - Т. 37, № 1. - С. 249-260.

99. Пунегов, В. И. Влияние многократного диффузного рассеяния на динамическую дифракцию рентгеновских лучей в слоисто-неоднородных кристаллах с микродефектами / В.И. Пунегов, А.В. Харченко // Кристаллография. 1998. - Т.46, № 6. - С. 1078 - 1084.

100. Пунегов, В. И. Погашение сателлитных максимумов сверхрешетки с периодически распределенными дефектами / В. И. Пунегов // ФТТ. 1995. -Т. 37, №4.-С. 1134- 1148.

101. Бушуев, В. А. Влияние дефектов структуры на угловое распределение рентгеновской дифракции в кристаллах с нарушенным поверхностным слоем / В. А. Бушуев // ФТТ. 1989. - Т. 31, № 11. - С. 70 - 78.

102. Mukhamedzanov, Е. Kh. Photoelectrons in X-ray standing-wave technique: potentialities in crystal layer investigation / E. Kh. Mukhamedzanov // U Nuovo Cimento. 1997. - Vol. 19D, № 24. - P. 501 - 511.

103. Пунегов, В. И. Рассеяние синхротронного излучения на InGaN наноструктурах: эксперимент и численное моделирование / В.И. Пунегов и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2005. - № 8. - С. 25 - 31.

104. Джафаров, Т. Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. / Т. Д. Джафаров. JI.: Наука, 1978. - 208 с.

105. Boulle, A. Reciprocal-space mapping of epitaxic thin films with crystallite size and shape polydispersity / A. Boulle et al. // Acta. Cryst. 2006. - A62. -P. 11-20.

106. Пунегов В.И. Длина корреляции в статистической теории рентгеновской дифракции на одномерно искаженных кристаллах с дефектами. 2. Периодическая деформация. // Кристаллография. 1996. -Т. 41, №2.-С. 212-218.

107. Херман, М. Полупроводниковые сверхрешетки / М. Херман. М.: Мир, 1989.-240 с.

108. Esaki, L. Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors / L. Esaki, R. Tsu // IBM J. Res. Develop. 1970. - Vol. 14, № 1. -P. 61-65.

109. Esaki, L. Proc. 12th Int. Conf. Low Temp. Phys / L. Esaki et al. // Acad. Press of Japan. 1971. - P. 551 - 553.

110. Esaki, L. Polytype Superlattices and Multi-Heterojunctions / L. Esaki, et al. // Japanese J. Appl. Phys. -1981.- Vol. 20, № 7. P. L529 - L532.

111. Пунегов, В. И. Кинематическая рентгеновская дифракция на политипной сверхрешетке с дефектами / В. И. Пунегов, Я. И. Нестерец // Письма в ЖТФ. 1994. - Т. 20, № 16. - С. 62 - 67.

112. Мильвидский, М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике / М. Г. Мильвидский. М.: Наука, 1986. - С. 144.

113. Пунегов, В. И. Рентгеновская дифракция на полупроводниковой сверхрешетке с микродефектами / В. И. Пунегов // Письма в ЖТФ. 1992. -Т. 18, № 4. - С. 65-70.

114. Punegov, V. I. X-ray diffraction from multilayer structures with statistically distributed microdefects / V. I. Punegov // Phys. Stat. Sol. (a). 1993. - Vol. 136, № l.-P. 9- 19.145