Рентгенодифракционные методы исследования эпитаксиальных структур с градиентом деформации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Багов, Алий Николаевич

• Багов, Алий Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Багов, Алий Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ВЗАИМОСВЯЗЬ СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ С ФИЗИЧЕСКИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

1.1. Деформации, напряжения и основные физические характеристики полупроводниковых гетероструктур и сверхрешеток.

1.2 Кубическая и гексагональная фазы в гетероэпитаксиальной структуре GaP/Zn(Mg)S.

1.3. Влияние напряжений и величины НПР на критическую толщину псевдоморфного эпитаксиального слоя.

1.4. Вычисление критических толщин псевдоморфных слоев.

1.5. Цель исследования и постановка задачи.

ГЛАВА II. КОНТИНУАЛЬНАЯ ТЕОРИЯ УПРУГОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР.

2.1. Тензор НПР и полная система уравнений континуальной теории упругости гетероструктур.

2.2. Компоненты тензора упругой жесткости для гетероструктур кубической и гексагональной сингоний.

2.3. Система уравнений для решения задачи упруго- и пластически деформированного состояния гетероструктур.

2.4.Многослойная гетероструктура произвольного типа.

2.5. Упруго- и пластически деформированная двухслойная гетероструктура.

ГЛАВА III. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДЕФОРМАЦИЙ, ВЕЛИЧИНЫ НЕСООТВЕТСТВИЯ И КОНЦЕНТРАЦИЙ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ В

ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ.

3.1. Рентгенодифрактометрическое измерение деформаций и кривизны гетероструктур.

3.2. Рентгенодифрактометрическое измерение концентраций в гетероструктурах четырехкомпонентных твердых растворов.

ГЛАВА IV. РЕНТГЕНОДИФРАКТОМЕТРИЧЕСКОЕ ИЗМЕРЕНИЕ ГРАДИЕНТА ДЕФОРМАЦИИ.

4.1. Определение градиента деформации в приповерхностных слоях гомо- и гетероструктур.

4.2. Динамическая рентгеновская дифракция в эпитаксиальной сверхрешетке и гетероструктуре с переходным слоем с различной электронной плотностью в слоях.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Рентгенодифракционные методы исследования эпитаксиальных структур с градиентом деформации»

Актуальность.

Существенное улучшение качества традиционных полупроводниковых материалов таких как кремний и германий, а также освоение новых - группы АШВУ и А В , позволили перейти к созданию не только сверхбольших и сверхбыстродействующих интегральных схем, но и принципиально новых оп-тоэлектронных и СВЧ-приборов, а также существенно повысить степень миниатюризации микроэлектронных устройств. Несмотря на то, что традиционным "материалом номер один" по-прежнему остается кремний [1], развитие твердотельной электронной техники связано с широким вовлечением в современную твердотельную электронику новых полупроводниковых материалов [2-8].

Перспективы развития твердотельной электроники связываются, прежде всего, с арсенидом галлия, фосфидом индия, тройными и, что очень важно, четверными изопериодическими твердыми растворами на основе групп AinBv и AnBVI [3]. Эти материалы технологически несравненно более сложны, чем кремний, и к их качеству также предъявляются достаточно жесткие требования. Так необходимы бездислокационные монокристаллы больших размеров с равномерным распределением легирующих примесей и собственных точечных дефектов. К эпитаксиальным пленкам этих материалов предъявляются еще и свои, специфические требования [5].

Характерно, что в ультратонких пленках изменяется ряд физических (например, полупроводниковых) характеристик системы, заданных первоначально концентрацией твердого раствора, а значит и величиной несоответствия параметров решеток (НПР). Так, в частности, для гетероструктур полупроводниковых соединений АШВУ существует определенная взаимосвязь между структурными характеристиками (НПР, пластическая деформация, напряжения) и такими физическими характеристиками, как, например, квантовый выход излуча-тельной рекомбинации, полуширина и энергия максимума краевой полосы фотолюминесценции, ширина запрещенной зоны, поляризация излучения в ин-жекционных гетеролазерах [9-12].

Одним из основных параметров, определяющих структурное совершенство и физические свойства гетероструктур, является величина НПР [5,9-13]. Корректный расчет НПР и напряжений в пленках трех- и четырехкомпонент-ных твердых растворов возможен только при наличии необходимой информации о пластической и полной деформации системы. В связи с этим экспериментальные измерения деформации системы и развитие количественных методов расчетов НПР, его градиента и напряжений имеет не только важное научное, но и прикладное значение.

В настоящее время существуют различные прямые и косвенные методы измерения деформаций и напряжений в гетероструктурах, например, [.9-13,1519]. К косвенным методам относятся различные пьезооптические методы, основанные на измерении диэлектрической проницаемости в оптическом диапазоне длин волн, расщеплении экситонных линий поглощения, смещении края поглощения, сдвиги полос фотолюминесценции и др. Недостатком всех косвенных методов является невозможность послойного определения тензора деформации в многослойной гетероструктуре. В этом отношении прямые методы, основанные на дифракции излучения рентгеновского диапазона длин волн, обладают существенным преимуществом. Из прямых методов, наиболее перспективными с точки зрения неразрушающего анализа гетероструктур и экспресс-ности получения экспериментальных данных являются: метод кривых качания [17], метод измерения кривизны [18] и метод широкорасходящегося пучка [19]. Однако до последнего времени слабо освещены возможности этих методов с точки зрения повышения их чувствительности и получения наиболее полной информации о полях деформации в многослойной гетероструктуре.

Не менее важным является следующее обстоятельство. При расчете НПР и напряжений по измеренным деформациям [9, 16, 20-23] следует последовательно и, по возможности, полно провести учет следующих факторов: вклад пластической деформации, изменение компонент тензора упругой жесткости.

Кроме того, необходимо учесть соотношения между толщинами эпитаксиаль-ных слоев и подложки, а также конкретную функциональную зависимость концентрации твердого раствора, а значит и НПР в глубь кристалла. Последовательный учет всех этих факторов позволяет не только корректно рассчитать НПР и напряжения, но и прогнозировать изменение упруго-напряженного состояния гетероструктуры в процессе изготовления приборов. Наличие такой информации должно стимулировать построение количественных зависимостей между НПР, пластической деформацией и напряжениями с одной стороны и физическими характеристиками с другой, а также установление причин их взаимосвязи с условиями роста.

Контроль качества таких структур с заданными физическими свойствами осуществляется различными способами, однако рентгеновская дифракция, и дифрактометрйя "в частности, является пока одним из наиболее экспрессных и эффективных неразрушающих методов определения параметров реальной структуры [10-12].

В связи с вышеизложенным, разработка специальных рентгенодифрак-тометрических методов диагностики и исследования деформационного состояния гетероструктур является актуальной и имеет важное практическое значение.

Цель работы.

Развитие континуальной теории упругости гетероструктур гексагональной системы с целью расчета величины несоответствия параметров решетки (НПР) по измеренным рентгенодифракционным (РД) методом компонентам тензора деформации.

Развитие и создание рентгенодифрактометрического метода определения деформации и градиента деформации в гетероструктурах твердых растворов.

Создание рентгенодифрактометрического метода определения обеих концентраций в гетероструктурах четырехкомпонентных твердых растворов полупроводников группы AinBv.

Теоретическое рассмотрение динамической рентгеновской дифракции в эпитаксиальной сверхрешетке и в гетероструктуре с переходной областью с различной электронной плотностью в слоях.

Научная новизна.

1. На основе решения задачи кинематической рентгеновской дифракции в структуре с градиентом деформации создан рентгенодифрактометрический (РД) способ определения деформации и градиента деформации в тонких приповерхностных слоях и гетеро- и гомоструктур неоднородных составов.

2. Создан специальный РД способ измерения обеих концентраций в гетеро-струкатурах четырехкомпонентных твердых растворов полупроводников группы A,nBv.

3. Рассчитаны коэффициенты корреляции, позволяющие вычислить НПР по измеряемым РД методам компонентам тензора деформации для гетерострукту-ры гексагональной системы.

4. Проведено теоретическое рассмотрение задачи динамической рентгеновской дифракции в эпитаксиальной сверхрешетке и в гетероструктуре с переходной областью с учетом различия электронной плотности в слоях.

Научная и практическая значимость.

Разработанные и реализованные в диссертации РД методы позволяют определять ряд структурных параметров принципиальных для технологии эпи-таксиальных систем. Информация об этих структурных параметрах важна для получения эпитаксиальных систем с заданными физическими свойствами. Результаты диссертации представляют методическую основу для измерения деформаций, градиента деформации и толщины интерфейса на гетерограницах с использованием предложенного способа РД анализа.

Способы, развитые в диссертации, были использованы для контроля технологии при производстве кремниевых структур и гетероструктур соединений AinBv, и, кроме того, были использованы в учебном процессе при чтении лекций по спецкурсу "Рентгенодифрактометрический анализ гетероструктур" на физическом факультете КБГУ.

Главные защищаемые положения.

1. Рентгенодифрактометрический метод определения деформации и градиента деформации в тонких приповерхностных слоях неоднородного состава.

2. Рентгенодифрактометрический метод определения обеих концентраций в гетероструктурах четырехкомпонентных твердых растворов полупроводников группы AmBv.

3. Полученные аналитические выражения для коэффициентов корреляции позволяют рассчитать Hi IP по измеряемым РД методом компонентам тензора деформации для гетероструктуры гексагональной системы.

4. Существенным результатом теоретического рассмотрения динамической рентгеновской дифракции в эпитаксиальной сверхрешетке и в структуре с переходной областью с различной электронной плотностью и различным периодом решетки в слоях является следующее. Задача динамической дифракции описывается единственным модифицированным параметром когерентности, который представляет собой определенную комбинацию исходных четырех параметров и лишь в частном случае чисто деформационной сверхрешетки сводится к известному ранее параметру когерентности. При обращении в ноль модифицированного параметра когерентности сверхрешетка и структура с переходным слоем по отношению к рассеянию рентгеновской волны ведут себя как идеальный кристалл с некоторой модифицированной электронной плотностью.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации были доложены и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

1. Научно-техническая конференция по электронной технике. Нальчик. НЭВ3.1980.

2. Научно-техническая конференция по электронной технике. Нальчик. НЭВ3.1981.

3. IV Всесоюзное совещание "Дефекты структуры в полупроводниках". Новосибирск. 1984.

4. Конференция "Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследования". Киев. 1985.

5. Российская конференция "Приборы и техника ночного видения" Нальчик. 2002 г.

6. 2-я Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФП-2) с участием зарубежных ученых». Материалы конференции. - Черновцы: Рута, 2004 г.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 14 работ [23-36]. Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и основных результатов, изложенных на 136 страницах текста, включающих 24 рисунка, 22 таблицы. В конце диссертации приведен список литературы из 153 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Багов, Алий Николаевич

Основные результаты диссертационного исследования сводятся к следующему.

1. Для гетероструктур состоящих из эпитаксиальных пленок твердых растворов развиты рентгенодифрактометрические методы определения компонент тензора деформации и градиента деформации, по направлению перпендикулярному гетерогранице. Показано, что в рентгенодифракционном эксперименте измеряется в общем случае некоторая усредненная разность между величиной полной деформации и пластической.

2. Для корректного определения несоответствия параметров решеток по компонентам тензора деформации рассчитаны коэффициенты корреляции для гексагональной и кубической систем.

3. Это позволяет по рентгенодифрактометрическим экспериментальным данным не только рассчитать величину несоответствия, эпюру напряжений, оценить плотность дислокаций и размер области сосредоточения их на гетерогранице.

4. Корректное определение несоответствия параметров решеток в гетероструктуре позволило создать рентгенодифрактометрический метод определения обеих концентраций в гетероструктурах четырехкомпонентных твердых растворов полупроводников группы АШВУ.

5. Проведено теоретическое рассмотрение динамической рентгеновской дифракции в эпитаксиальной сверхрешетке с различной электронной плотностью в слоях. Выкладки носят общий характер и никак не связаны с конкретным видом модели свекрхрешетки. Существенным результатом данного теоретического рассмотрения является следующее. В общем случае, когда в сверхрешетке имеются слои различного состава и периода решетки, динамическая дифракция описывается посредством единственного параметра, который представляет собой определенную комбинацию исходных четырех параметров и лишь в частном случае чисто деформационной сверхрешетки сводится к известному параметру когерентности. В сверхрешетке с переменной электронной плотностью и деформацией существует принципиальная возможность обращения в ноль величины модифицированного параметра когерентности. Таким образом, данная сверхрешетка по отношению к рентгеновской дифракции ведет себя как идеальный кристалл с некоторой модифицированной электронной плотностью, поскольку "возмущающая" матрица, ответственная за формирование кривой дифракционного отражения от сверхрешетки, оказывается равной нулю.

6. При теоретическом рассмотрении задачи динамической рентгеновской дифракции в двойной гетероструктуре с переходным слоем проведено обобщение ранее известного решения с учетом изменения электронной плотности. Показано, что задача может быть формально сведена к случаю чистой деформации с введением обобщенного параметра когерентности. Получено выражение для коэффициента отражения, из которого следует, что в случае центросимметричного кристалла влияние модуляции электронной плотности сказывается только на пленке. Рассмотрен частный случай резкого градиента деформации в переходной области и оценена возможность получения информации о переходной области по данным рентгеновской дифракции.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Багов, Алий Николаевич, 2005 год

1. Валиев К.А. Микроэлектроника и пути развития. М.: Наука, 1986. 142с.

2. Алферов Ж.И. Гетероструктуры и их применение в оптоэлектронике //Вестник АН СССР.1976.Вып.7.С.28-40.

3. Мильвидский М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. 144 с.

4. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998, Т.32.№1. С.3-18.

5. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Закономерности дефектообразования в гетероэпитаксиальных структурах соединений АЗВ5 для оптоэлектроники // Кристаллография. 1977. Т.22. Вып.2. С.431-447.

6. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. М.: Мир, 1985. 494 с.

7. Суэмацу Я., Араи С. Интегрально-оптический подход к разработке перспективных полупроводниковых лазеров // ТИИЭР. 1987. Т.75. №11. С. 38-55.

8. Форрест С.Р. Оптоэлектронные интегральные схемы // ТИИЭР. 1987. Т.75. №11. С. 55-65.

9. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Развитие рентгенодифрактометрического метода определения деформаций, напряжений и несоответствия в гетерострук-турах. // Методы структурного анализа. М.: Наука. 1989. С. 188-204.

10. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Деформации и напряжения в многослойных эпитаксиальных кристаллических структурах. Рентгенодифракционные методы их определения. // Кристаллография. 1989. Т.34. Вып.З. С. 776-800.

11. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. X-Ray Diffraction Methods for Determination of Stresses and Strains in Multilayer Monocrystal Films. // Crystallography Reviews. 1993.V.3. P.257-328.

12. Бушуев B.A., Кютт P.H., Хапачев Ю.П. "Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок". Под ред. Ю.П. Хапачева. Рекомендовано

13. Госкомитетом РФ по высшему образованию для использования в учебном процессе. Нальчик: Кабардино-Балкарский госуниверситет, 1996. 186 с.

14. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983. 304с.

15. Чернов А.А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография. М.: Наука, 1980. Т.З. С.7-232.

16. Kavanagh K.L., Capano М.А., Hobbs L.W. Asymmetrical in dislocation densities, surface morphology? and strain of GalnAs/GaAs singl heterolayers// J. Appl. Phys. 1988. V.64. N 10. P. 4843-4852.

17. Устинов B.M., Захаров Б.Г. Макронапряжения в эпитаксиальных структурах на основе соединений AIIIBV // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1977. Вып. 4 (492). 34 с.

18. Ishida К., Matsui J., Kamejima Т., Sakuma I. X-ray Study of AlGaAs Epitaxial Layers, //phys. stat. sol. (a). 1975. V.31. N 1. P.255-262.

19. Cohen B.G., Focht M.W. X-Ray measurement of Elastic strain and annealing in Semicinductors. // Solid state Electronics. 1970. V. 13. N 1. P. 105-112.

20. Арсентьев И.Н, Берт H.A., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С.96 -100.

21. Олсен Г.Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур AIIIBV. // Рост кристаллов. М.: Мир, 1981. Вып. 2. С. 9-79.

22. Segmuller A. Characterization of Epitaxial Films by X-Ray Diffraction. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V.29. P.352.

23. Ortner B. Simultaneous Determination of the Lattice Constant and Elastic Strain in Cubic Single Crystal. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V. 29. P. 387.

24. Оганов A.E., Хапачев Ю.П., Кулик B.B., Аринина А.Т., Кетенчиева Ф.А., Багов А.Н.Зависимость качества фона видикона от текстуры селенида кадмия./

25. Научно-техническая конференция по электронной технике. Тезисы докладов. Серия 4.ЦНИИ "Электроника", М.,1980, Вып.8(153),с.33-36.

26. Хапачев Ю.П., Оганов А.Е., Аринина А.Т., Багов А.Н., Кетенчиева Ф.А., Хоконова Ж.Х. Влияние неоднородной по площади фотомишени текстуры на качество фона видикона/ Сборник "Физика межфазных явлений". КБГУ, Нальчик. 1980.С. 171-173.

27. Оганов А.Е., Багдасарян Т.Г., Багов А.Н. Экспериментальные видиконы для визуализации рентгенгтопографических картин. Физика и химия поверхности. КБГУ. Нальчик .1982.С.95-97.

28. Дышеков А.А., Хапачев Б.С., Багов А.Н. Напряжения несоответствия в пленках кремния и германия, выращенных на подложках алмаза. Сборник статей "Физико-химия межфазных явлений". Нальчик. КБГУ. 1986.

29. Отчет о НИР. № ГР-01.88.0090371. Разработка специальных рентгено-дифракционных методик контроля ЛПД // Ю.П.Хапачев, Т.И.Оранова, А.Н.Багов, А.А.Дышеков./ Нальчик. КБГУ. 1988.

30. Отчет о НИР. № ГР- 0199.0003300. инв.№02.20.0005335. Рентгенострук-турный анализ гетероструктур и сверхрешеток.// Ю.П.хапачев, А.Н.Багов, А.А.Дышеков /Нальчик. КБГУ.1999.

31. Ташилов А.С., Багов А.Н., Динаев Ю.А., Хапачев Ю.П.Влияние деформации и ее градиента на технические характеристики кремниевых лавиннопро-летных диодов. Вестник КБГУ. сер.физ. Нальчик.2004.

32. Багов А.Н., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое измерение концентраций в гетероструктурах четырехкомпонентных твердых растворов. Вестник КБГУ. сер.физ. Нальчик.2004.

33. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П., Багов А.Н. Динамическая рентгеновская дифракция в эпитаксиальной сверхрешетке с различной электронной плотностью в слоях. Поверхность.2005.№2.С.59-63.

34. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П., Барашев М.Н., Кютт Р.Н., Багов А.Н. Рентгенодифрактометрическое исследование двухслойной гетероструктуры с переходным слоем с учетом изменения электронной плотности. Поверхность. №6.С.13-1.7.

35. Capasso F.C., Tsang W.T., William G. Staircase Solid-state photomultipliers and avalanche Photodiodes with Enhanced Ionization rates Ratio // IEEE Trans. On Electron Devices. 1983. V.30. N.4. P.381-390.

36. Роуэлл Дж.М. Материалы для фотоники. // В мире науки: Пер. с анг.-. 1986. №12. С.87-97.

37. Бессолов В.Н., Именков А.Н., Конников С.Г. и др. Квантовая эффективность пластически деформированных варизонных Gal-xAlxP. // ФТП. 1983. Т. 13. Вып. 12. С.2173-2176.

38. Уманский В.Е., Конников С.Г., Гарбузов Д.З. и др. Влияние несоответствия постоянных решетки на квантовый выход излучательной рекомбинации гетероструктур. // ФТП. 1982. Т. 16. Вып. 8. С.1496-1499.

39. Konnikov S.G. et al. The Influence of Lattice Mismatch upon Defects Generation and Luminescent Characteristics of Heterostructures in the GaP-InP System. // Cryst. Research and Technol. 1981. V. 16. N 2. P. 169-174.

40. Арсентьев И.Н., Берт H.A., Конников С.Г., Уманский В.Е. Определение упругих напряжений в гетероструктурах методом широкорасходящегося пучка рентгеновских лучей. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С.96 -100.

41. Берт Н.А., Гореленок А.Т., Конников С.Г. и др. Экспериментальное определение различия коэффициентов термического расширения в гетероструктурах. //ЖТФ. 1981. Т.51. Вып. 8. С. 1018 -1020.

42. Konnikov S.G., Umansky V.E. Energy Band-Gap in Elastic-strained Heteroepitaxial Layers. // Cryst. Res. Technol. 1985. V.20. N 10. P. 1381-1386.

43. Елюхин B.A., Кочарян B.P., Портной В.Л. Рыбкин Б.С.Особенности генерации когерентного излучения в гетероструктурах с плавным волновым слоем. И Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып.4. С.244-246.

44. Ахмедов Д., Бежан Н.П., Берт Н.А. Влияние внутренних деформаций на поляризацию излучения в гетеролазерных структурах In-InGaAsP. // Письма в ЖТФ. 1980. Т.6. Вып. 12. С.705-708.

45. Брагинская Б.Г., Елюхин В.А., Кучинский В.И. и др. Особенности поляризации когерентного излучения, генерируемого в многослойных гетероструктурах. //ЖТФ. 1983. Т.53. №9. С.1843-1845.

46. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. М.: Мир, 1983. T.I. -299 е., Т.П.-364 с.

47. Besser P.J. et al. A stress model for heteroepitaxial magnetic oxide films grown by chemical vapor deposition. // Mat. Res. Bui. 1971. V.6. P.l 111-1124.

48. Besser P.J. et al. Film/substrate matching requirements for bubble domain formation in CVD garnet films. // Magnetism and Magnetic Materials. 1971. AIP Conf. Proc. 5. American Institute of Physics. N.-Y. 1972. Part 1. P. 125-129.

49. Klokholm E. et al. Epinaxial strains and fracture in garnet films. // Magnetism and Magnetic Materials. 1971. AIP Conf. Proc. 5. American Institute of Phys-ics. N.-Y. 1972. Part 1. P. 105-109.

50. Speriosu V.S., Wilts C.H. X-ray rocking curve and ferromagnetic resonance investigations of ion-implanted magnetic garnet. // J. Appl. Phys. 1983. V.54. N 6. P.3325-3343.

51. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. 384 с.

52. Balluffi R. W., Blakely J.M. Special Aspect of Diffusion in thin Films. // Thin Solid Films. 1975. V.25. N 2. P.363-392.

53. Любов Б.Я. Диффузионные процессы в неоднородных твердых растворах (обзор). // Физика и химия обработки материалов. 1976. №2. С.77-104.

54. Келдыш JI.B. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла. // ФТТ. 1962. Т.4. Вып.8. С.2265-2267.

55. Кастальский А.А. Новые оптические и электрические эффекты в стоячей световой волне. // Письма в ЖЭТФ. 1969. Т. 10. №7. С.328 -332.

56. Кастальский А.А., Хусаинов А.Х. О новой возможности получения периодической подрешетки в твердых телах. // ФТП. 1970. Т.4. Вып.8. С.1198-1201.

57. Волков В.А., Пинскер Т.Н. Квантовый эффект размеров в пленках переменной толщины. // ФТТ. 1971. Т.13. Вып.5. С.1360 -1363.

58. Esaki L., Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors. // IBM J. research and development. 1970. V.44. No.l. P.61-65.

59. Алферов Ж.И., Жиляев Ю.В., Шмарцев Ю.В. Расщепление зоны проводимости в "сверхрешетке" на основе GaPxAsl-x. // ФТП. 1971. Т.5. Вып.1. С.196-198.

60. Blakeslee А.Е., Aliotta C.F. Van-made Superlattice Crystals. // IBM J. Research and Development. 1970. V.14. N 2. P.686-688.

61. Есаки JI. Путешествие в страну туннелирования. // УФН. 1975. Т.И6. Вып.4. С.569 -583.

62. Стафеев В.И. Супермногослойные структуры с р-n переходами. // ФТП. 1971.Т.5. Вып.З. С.408-410.

63. Винецкий В.Д., Кухтарев Н.В., Семенов А.К. Анизотропия электропроводности, обусловленная распределение легирующей примеси. // ФТП. 1972. Т.б.Вып. 6. С.1007-1014.

64. Тавгер Б.А., Демиховский В.А. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках. // УФН. 1968. Т.96. Вып.1. С.61-86.

65. Шик А.Я. Сверхрешетки периодические полупроводниковые структуры (обзор). // ФТП. 1974. Т.8. Вып. 10. С. 1841-1864.

66. Сурис Р.С. Сверхрешетки в решении проблемы создания материалов функциональной микроэлектроники. // Электронная промышленность. 1977. Вып.6(60). С.52-58.

67. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 240с.

68. Esaki L. Bird's eye view on the evolution of semiconductor superlattices and quantum wells. // Journal of Quantum Electronics. 1986. V.QE-22. N.9. P. 1611-1624.

69. Capasso F., Mohammed K., Cho A. Resonant Tunneling Through Double Barriers, Perpendicular Quantum Transport Phenomena in Superlattices, and Their Device Applications. // J. Quant. Electron. 1986. V.QE-22. N 9. P. 1611.

70. Виноградов A.B., Зельдович Б.Я. О многослойных зеркалах для рентгеновского и далекого ультрафиолетового излучения. // Оптика и спектроскопия. 1977. Т.42. Вып. 4. С.709-714.

71. Abeles В., Tiedje Т. Amorphous semiconductor superlattices. // Phys. Rev. Lett. 1983. V.51. No.21. P.2003-2006.

72. Ogino Т., Mizushima Y. Long-range interaction in multi-layered amorphous film structure. // Japan J. Appl. Phys. 1983. V.22. No.l 1. P.l674-1651.

73. Schuller I.K. New class of layered materials. // Phys. Rev. Lett. 1980. V.44. No. 24. P. 1597-1600.

74. Meyer K.E., Felcher G.P., Sinha S.K., Schuller I.K. Models of diffraction from layered ultrathin coherent structures. // J. Appl. Phys. 1981. V.52. No. 11. P.6608-6610.

75. Khan M.R., Chun C.S.L., Felcher G.P., et al Structural, elastic and transport anomalies in molybdenum/nickel superlattices. // Phys. Rev. B. 1983. V.B27. No 12. P.7186-7193.

76. Clemens B.M., Gay J.G. Effect of layer-thickness fluctuation on superlattice diffraction. // Phys. Rev. B. 1987. V.B35. No 17. P.9337-9400.

77. Onoda M., Sato M. Superlattice structure of superconducting Bi-Sr-Cu-0 system. // Solid State Communication. 1988. V.67. No. 8. P.799-804.

78. Ariosa D. Elastic model for partially coherent growth of metallic superlattices. I. Interdiffusion, strain, and misfit dislocation. // Phys. Rev. B. 1988. V.B37, No 5. P.2415-2420. II. Coherent to a Partitially Coherent Transition. P.2421-2425.

79. Locquet J.-P., Neerinck D., Stockman L., et al. Long-range order and lattice mismatch in metallic superlattice. // Phys. Rev. B. 1988. V.B38, No 5. P.3572-3575.

80. Melo L.V., Trindade I., From M., Freitas P.P., Teixeira N., da Silva M.F., Soares J.C. Structural characterization of Co-Re superlattices. //1989. J. Appl. Phys. V. 70. No 12. P. 7370-7373.

81. Ortner B. Simultaneous Determination of the Lattice Constant and Elastic Strain in Cubic Single Crystal. // Advances in X-Ray Analysis. New-York and London: Plenum Press, 1986. V. 29. P. 387.

82. Bean J.C., Feldman L.C., Fiory A.T. et al. GexSil-x. Si straned-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy. // J. Vac. Sci. Technol. 1984. V.A2. P.436-438.

83. Ortner В., Bauer G. (lll)CdTe Epitaxy on (100) GaAs Substrates. // J. of Cryst. Growth. 1988. V.92. N 1. P.69-76.

84. Shahzad K., Olego D.J., Cammack D.A. Thickness dependence of strains in strained-layer superlattices. // Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N 17. P.1416-1418.

85. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Deffects in Epitaxial Multilayers // J. of Cryst. Growth. 1974. V.27. N 1. P.l 18-125.

86. Osbourn G.C. Electeonic structure of GaAsP/GaP straintd-layer superlattices with X < 0,5. // J. Vac. Sci. Technol. 1982. V.21. N 2. P.469-472.

87. Wood D.M., Wei S.-H., Zunger A. Thermodynamic Instability of Ultra-thin Semiconductor Superlattices: The (001)(GaAs)l(AlAs)l Structure. // Phys. Rev. Lett. 1987. V.58, No 11. P.l 123-1126.

88. Елюхин B.A., Сорокина Л.П. Энергия внутренней деформации и возможность упорядочения в твердых растворах АхЗВ1-хЗС5. // Доклады АН СССР. 1986. Т.287. № 6. С.1384-1386.

89. Khapachev Yu.P. The theory of dynamical X-ray diffraction on a superlattice. //Phys. stat. sol.(b). 1983. V.120, No.l. P.155-163.

90. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Динамическая дифракция рентгеновских лучей в кристаллических сверхрешетках (обзор). // Металлофизика. 1991. Т. 13. №7. С.65-85.

91. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П., Тарасов Д.А. Динамическая рентгеновская дифракция в сверхрешетках с различным градиентом деформации в переходной области. // ФТТ. 1996. Т.38. Вып.5. С. 1375-1386.

92. Dyshekov А.А., Khapachev Yu.P., Tarasov D.A. X-ray dynamical diffraction on superlattice with unequal layer thicknesses. // II Nuovo cimento. 1997. V.19. P.531-536.

93. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическая дифракция рентгеновских лучей в сверхрешетках. // Успехи физики металлов. 2001. Т.2, №4. С.281-351.

94. Хапачев Ю.П., Дышеков А.А. . Теория динамической рентгеновской дифракции в сверхрешетках. Допущено МО РФ в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений физических специальностей. КБГУ. Нальчик.2002.С.96.

95. Молодкин В.Б., Шпак А.П., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическое рассеяние рентгеновского и синхротронного излучения в сверхрешетках. Рент-генодифракционная кристаллооптика сверхрешеток, (монография). Киев. «Ака-демпериодика» .2004.С.120.

96. Кютт Р.Н., Улин В.П., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Идентификация гексагональной фазы в эпитаксиальной системе GaP/Zn(Mg)S. // ЖТФ. 1996. Т.66. Вып. 12. С.39-47.

97. Кютт Р.Н., Елюхин В.А., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрическое исследование гексагональной модификации GaP. // Поверхность. 2001. №6. С.12-15.

98. Конников С.Г., Улин В.П., Шайович Я.Л. Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов. // а.с. №1730218 от 03.01.1992.

99. Кютт Р.Н., Сорокин Л.М., Аргунова Т.С., Рувимов С.С. Рентгенодифрак-ционное исследование дислокационной структуры в МЛЭ-системах с высоким уровнем несоответствия параметров решеток. // ФТТ. 1994. Т.36. № 9. С.2700-2714.

100. Шаскольская М.П. Кристаллография. М., 1976, 391 с.

101. Аргунова Т.С., Рувимов С.С., Сорокин Л.М., Шульпина И.Л. 60° дислокации несоответствия в гетероструктурах типа InGaAs/GaAs(001). // ФТТ.-1985. Т. 27, Вып. 10. С. 2960-2964.

102. Аргунова Т.С., Рувимов С.С., Шульпина И.Л. Рентгенотопографическое определение знаков дислокаций несоответствия. // ФТТ. 1986. Т.28, Вып.4. С. 1052-1057.

103. Красильников B.C., Югова Т.Г., Бублик В.Т. Влияние состава твердых растворов на условия когерентного роста эпитаксиальных слоев GalnAsP. // Кристаллография. 1988. Т.ЗЗ,Вып.-С. 1469-1477.

104. Matthews J.W., Mader S., Light T.B. Accommodation of misfit across the interface between crystals of semiconducting elements or compounds. // J.Appl. Phys. 1970. V.41. N9. P.3800-3804.

105. Matthews J.W. Defects associated with the accommodation of misfit between crystals.//J.Vac.Sci. andTechnol. 1975. V.12,N1. P.126-133.

106. Прохоров И.А., Захаров Б.Г. Влияние толщины подложки на образование дислокаций несоответствия в эпитаксиальных структурах. // Кристаллография.1982. Т.27, вып.2. С.354-357.

107. Прохоров И.А., Захаров Б.Г., Кунакина О.Н., Акимов Г.Г. Дислокационная структура эпитаксиальных слоев с малым несоответствием. // Поверхность.1983. Вып.5. С.23-30.

108. Горелик С.С., Захаров Б.Г., Прохоров И.А.,Устинов В.М. // Поверхность. 1988.-№2. С. 87-93.

109. Van der Merwe J.H., Jesser W.A. Anexactly solvable model for calculation critical misfit and thickness in epitaxial superlattices: Layers of equal elastic constants and thicknesses. //J. Appl. Phys. 1988. V.63. No5. P. 1509-1517.

110. Van der Leur R. H. V., Schellingerhout A.J.G., at al. // J. Appl. Phys. 1988. V. 64. No6. P. 3043-3050.

111. Roitburd A.L. Equilibrium Structure of Epitaxial Layers. // phys. stat. sol.(a).-1976. V.37. P. 329-339.

112. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат. 1972. 604 с.

113. Теодосиу К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М.: Мир. 1985. 352 с.

114. Инденбом В.Л., Альшиц В.И., Чернов В.М. Дислокации в анизотропной теории упругости. // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ. Л.: Наука, 1980. С.23-76.

115. Галушко М.А., Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Влияние пластической деформации подложки на профиль напряжений и критическую толщину эпитаксиальной пленки. //Металлофизика. 1993.Т.15.№5.-С.71-79.

116. Chu S.N.G., Macrander A.T., Strege K.E., Johnston W.D. Misfit stress in InGaAs/InP heteroepitaxial structures grown by vapor-phase epitaxy// J. Appl. Phys. 1985. V.57.N2. P. 249-257.

117. Сиротин Ю.И., Шаскольская М.П. Основы кристаллофизики. М.: Наука. 1975. 680 с.

118. Itoh N., Okamoto К. A new technique for crystallographic characterization of heteroepitaxial crystal films //J. Appl. Phys. 1988. V.63. N 5. P.1486-1493.

119. Пинскер З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M: Наука, 1982. 390 с.

120. Хапачев Ю.П., Чуховский Ф.Н. Брэгговская дифракция рентгеновских лучей в кристалле с переходным слоем. // ФТТ. 1984. Т.26, Вып. 5. С.1319-1325.

121. Chukhovskii F.N., Khapachev Yu.P. Exact solution of the Takagi-Taupin equation for dynamical X-ray Bragg diffraction by a crystal with a transition layer. // Phys. stat. sol.(a). 1985. V.88. No 1. P.69-76.

122. Носков А.Г., Стенин С.И., Труханов E.M. Измерение кривизны монокристаллов на двухкристальном спектрометре с использованием Ка и К(3 пучков. //ПТЭ. 1982. №2. С.181-183.

123. Носков А.Г., Труханов Е.М. Повышение чувствительности метода измерения кривизны монокристаллов на рентгеновском спектрометре. // ПТЭ. 1985. №5. С.173-175.

124. Лидер В.В. Способ определения радиуса кривизны монокристаллических пластин. А.С. №920480. 1986. Бюл. №27.

125. Многокомпонентные твердые растворы и их применение в оптоэлектро-нике./ Ж.И.Алферов, Д.З.Гарбузов, Л.М. Долгинов и др.//Вестник АН СССР. 1978.N4.C.31-38.

126. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. -М.:Энергия, 1978.-136 с.

127. Гуляев Ю.В., Кузнецов Г.Ф., Хапачев Ю.П. Рентгенодифрактометрический метод определения концентраций в гетероструктурах четырехкомпонент-ных твердых растворов//Доклады АН СССР.-1983.Т.268, N2.-C.351-353.

128. International tables for X-Ray Crystallography. Vol.III/ Physical and chemical tables. Birminham, England. 1968.-P.202-207.

129. Новикова С.И. Тепловое расширение твердых тел. М.: Наука. 1974.-294 с.

130. Джеймс Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. -М.: Ин-лит.,1950. 572 с.

131. Hornstra J.,Battels W.J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds. J of Ciyst.Growth. 1978.V.44. P.513-517.

132. Афанасьев A.M., Фанченко C.C. О восстановлении профилей нарушений тонких приповерхностных слоев по рентгенодифракционным данным. // Доклады АН СССР. 1986. Т.287. №6. С. 1395-1399.

133. Петрашень П.В., Чуховский Ф.Н. Восстановление фазы рентгеновской волны, дифрагированной на слоистой монокристаллической структуре. // Доклады АН СССР. 1989. Т.309. №1. С. 105-109.

134. Лидер В.В.,Чуховский Ф.Н., Хапачев Ю.П., Барашев М.Н. Рентгенодиф-рактометрическиое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(lll) и InGaP/GaAs(lll) на основе модели постоянного градиента деформации. //ФТТ. 1989. Т.31, вып.4. С.74-81.

135. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическая рентгеновская дифракция в кристалле с экспоненциальным градиентом деформации. I. Точное аналитическое решение и основные качественные особенности волнового поля. // Поверхность. 1998. № 3. С.20-26.

136. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. Динамическая рентгеновская дифракция в кристалле с экспоненциальным градиентом деформации. II. Дифракция в случае резкого градиента деформации. // Поверхность. 1998. Вып.6. С.21-30.

137. Анализ поверхности методами Ожерентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. // Под редакцией Д. Бриггса и М.П. Сиха. М: Мир, 1987. 432 с.

138. З.Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. Под редакцией Л. Фирменса. М.: Мир. 1981.-352 с.

139. Петрашень П.В. О возможности определения деформации тонкого легированного слоя дифракционными методами. // ФТТ. 1975. Вып. 9. С.2814-2816.

140. Kyutt R.N., Petrashen P.V., Sorokin L.M. Strain profiles in ion-doped silikon obtained from X-rocking curves. // Phys. stat. sol.(a) 1980. V.60. No.2. P.381-389.

141. Afanasev A.M., Kovalchuk M.V., Kovev E.K., and Kohn V.G. X-ray diffraction in a perfect crystal with distributed surface layer. // Phys. stat. sol. (a). 1977. V.42. P.415-422.

142. Справочник по специальным функциям. Под ред. М. Абрамовича и И. Стиган. М.: Наука, 1979. 832 с.

143. Колпаков А.В. Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах с одномерным изменением периода решетки. М.: МГУ. 1988. 127 с.

144. Бушуев В.А., Хапачев Ю.П., Лидер В.В. Исследование поверхностной неоднородности деформации в эпитаксиальной структуре Inl-xGaxP/(l 1 l)GaAs. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 23. С.74-78.

145. Шухостанов А.К., Ташилов А.С. успехи в конструировании мощных кремниевых лавинно-пролетных диодов миллиметрового диапазона. Электронная промышленность. 1992. Вып.6.с.53-56

146. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989. 240 с.

147. Алферов Ж.И. // ЖТФ. 1998. Т.32. № 1. С.З.

148. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. // Рентгеновская оптика-2003. Материалы совещания. Нижний Новгород. 2003. С. 233.

149. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 1998. № 3. С.20.

150. Дышеков А.А., Хапачев Ю.П. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 1998. №. 6. С.21.