Кинетика кристаллизации и фазовых превращений при термическом отжиге тонких сегнетоэлектрических пленок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Борисова, Екатерина Александровна

• Борисова, Екатерина Александровна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Борисова, Екатерина Александровна

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Сегнетоэлектрические тонкие пленки.

1.1.1. Основные характеристики тонких сегнетоэлектрических пленок

1.1.2. Технологии получения сегнетоэлектрических пленок

1.1.2.1. Химические методы получения сегнетоэлектрических пленок

1.1.2.2. Напыление

1.2. Кристаллизация тонких пленок. ^

1.2.1. Влияние подложки на процесс кристаллизации

1.2.2. Зависимость процесса кристаллизации от скорости нагрева

1.3. Теоретическое описание кинетики кристаллизации 24 1.3.1 Кинетика кристаллизации при постоянной температуре

1.3.2. Кинетика кристаллизации при постоянной скорости нагрева

1.3.3. Определение энергии активации при кристаллизации

1.3.4. Особенности кристаллизации в системах конечных размеров

1.4. Основные методы исследования кинетики кристаллизации тонких пленок

1.4.1. Рентгенографические исследования

1.4.2. Исследование процессов фазовых превращений с помощью оптической и электронной микроскопии

1.4.3. Измерения прошедшего и отраженного света при кристаллизации

1.5. Тонкие пленки исследуемых материалов

1.5.1. Германат свинца

1.5.2. Титанат бария стронция 44 1.5.2. Цирконат-титанат свинца

1.6. Фазовые превращения при отжиге PZT пленок

ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ, МЕТОДИКИ

И ОБРАЗЦЫ

2.1. Экспериментальные установки

2.1.1. Оптические термостаты и условия отжига

2.1.2. Установка для измерения параметров рассеяния света в процессе отжига

2.1.3. Установка для регистрации изменения морфологии пленок в процессе высокотемпературного отжига

2.1.4. Установка для измерения угловой зависимости рассеянного света на частично закристаллизованных образцах

2.2. Основные характеристики и методики получения исследованных пленок

2.2.3.Германат свинца

2.2.2.Титанат бария стронция

2.2.1. Цирконат-титанат свинца

2.3. Методики измерений и обработки результатов

2.3.3. Методика рентгенографических исследований

2.3.2. Методика измерения интегральной интенсивности рассеянного света

2.3.3. Методика измерения и обработки угловой зависимости интенсивности рассеянного света

2.3.4. Методика визуализации эволюции морфологии пленок при отжиге и дальнейшая обработка оптической информации

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ПЛЕНКАХ ГЕРМАНАТА СВИНЦА

3.1. Измерение интегральной интенсивности рассеянного света при кристаллизации пленок германата свинца

3.2. Определение энергии активации процесса кристаллизации германата свинца

3.3. Кластерный анализ угловой зависимости интенсивности рассеянного света

3.4. Краткие выводы

ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ НЕТЕКСТУРОВАННОГО ПЕРОВСКИТА ПРИ ОТЖИГЕ ПЛЕНОК ТЙТАНАТА БАРИЯ СТРОНЦИЯ И ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА ^

4.1. Кристаллизация пленок титаната бария стронция

4.2. Исследования фазового превращения в пленках цирконатата-титаната свинца

4.3. Краткие выводы '

ГЛАВА 5. ПЛЕНКИ ЦИРКОНАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА НАНЕСЕННЫЕ НА ТЕКСТУРОВАННУЮ ПЛАТИНУ

5.1. Интегральные характеристики фазового превращения пирохлор перовскит при отжиге пленок PZT

5.1.1. Отжиг пленок с постоянной скоростью нагрева. Связь интегральной интенсивности рассеянного света и текстуры фазы перовскита

5.1.2. Определение энергии активации процесса фазового превращения пирохлор-перовскит в пленках Р2Т

5.1.3. Изотермический отжиг пленок Р2Т

5.2. Интегральные характеристики при изотермическом отжиге пленок РЬ]?^го)53гПо5470з при быстром нагреве

5.2.1. Низкая температура пиролиза

5.2.2. Высокая температура пиролиза

5.3. Измерения интенсивности рассеянного света непосредственно в процессе быстрого отжига

5.4. Изменение морфологии пленок при отжиге с быстрым нагревом

5.5. Краткие выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Кинетика кристаллизации и фазовых превращений при термическом отжиге тонких сегнетоэлектрических пленок»

В последнее десятилетие особое внимание уделяется исследованию физических характеристик и методов получения сегнетоэлектрических пленок в связи с расширением применения интегральных схем, содержащих сегнетоэлектрики (интегральные сегнетоэлектрики). Основной технологической 4 проблемой является создание тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов с заданными свойствами, которые необходимы, в частности, для изготовления энергонезависимой памяти со сверхвысокой плотностью записи информации.

Очевидно, что для кристаллизации и получения необходимой фазы и текстуры пленку подвергают дополнительной термической обработке при высокой температуре. Так как отжигать приходите^ не только сегнетоэлектрический материал, но и многослойную полупроводниковую структуру, то необходимо минимизировать температуру и время отжига. Показано, что наилучшие результаты удается получить при кратковременном отжиге с быстрым разогревом. Известно, что параметры пленок сильно зависят от неконтролируемых деталей этого быстрого процесса (длительностью несколько десятков секунд). В этой связи исследования кинетики кристаллизации и фазовых превращений исключительно важны для создания сегнетоэлектрических пленок.

Кроме того, исследования сверхбыстрых фазовых превращений в сильно неравновесных системах представляют собой важную научную проблему.

Особый интерес представляет формирование определенной кристаллической текстуры. При наличии текстуры полярная ось кристаллов располагается вдоль некоторого выделенного направления. Поэтому суммарная поляризация в текстурованной пленке увеличивается по сравнению с хаотической ориентацией зерен.

К моменту начала выполнения работы единственным методом изучения кинетики фазового превращения являлось рентгенографическое исследование в процессе отжига. Однако длительное время, необходимое для измерений, не позволяет использовать этот метод для изучения быстрого отжига. Таким образом, только создание нового метода открывает возможности непосредственно в процессе отжига изучать кинетику кристаллизации и фазовых превращений.

Цель и задачи работы

Целью работы являлось исследование кинетики кристаллизации и фазовых превращений непосредственно в процессе термического отжига тонких пленок с использованием упругого рассеяния света.

Для реализации поставленной цели были решены следующие задачи:

• создание экспериментальной установки для измерения параметров рассеянного света при отжиге пленок,

• исследование изменения морфологии поверхности при кристаллизации аморфных пленок модельного^ сегнетоэлектрика германата свинца Pb5Ge30l 1 (PGO),

• измерение характеристик упругого рассеяния света при отжиге с быстрым нагревом для выявления кинетики фазового превращения пирохлор-перовскит в пленках PZT и кристаллизации пленок титаната бария стронция (Ba,Sr)Ti03 (BST),

• выявление связи между изменением параметров рассеянного света и формированием кристаллической текстуры пленок на примере PZT на основании комплексных экспериментальных исследований,

• исследование влияния текстуры подложки на формирования текстурованного перовскита в пленках PZT.

Объекты исследования. В качестве модельного материала для отработки методов изучения кинетики кристаллизации аморфных пленок с помощью рассеяния света был выбран одноосный сегнетоэлектрик германат свинца Pb5Ge30ll (PGO). Это хорошо изученный сегнетоэлектрик, который может быть легко получен в аморфном состоянии и кристаллизуется при сравнительно низких температурах.

Исследования кинетики кристаллизации в BST были стимулированы тем, что, обладая большой диэлектрической проницаемостью, он является основным кандидатом для создания элементов динамической памяти (DRAM) новых поколений.

Основное внимание уделялось исследованию кинетики фазового превращения пирохлор-перовскит, а также формированию текстуры в пленках PZT; Значительный практический интерес к этим исследованиям обусловлен возможностью использования PZT в широком круге интегральных устройств, особенно для создания элементов энергонезависимой памяти.

Научная новизна работы заключается в следующем: впервые изучена кинетика кристаллизации и фазового превращения в пленках непосредственно в процессе быстрого термического отжига благодаря использованию метода упругого рассеяния света, впервые определены энергии активации процесса кристаллизации в PGO и

-фазового превращения пирохлор-перовскит в PZT из температурных зависимостей интенсивности рассеянного света при различных скоростях нагрева, впервые установлена связь между параметрами рассеяния света и рентгеноструктурными характеристиками при фазовом превращении пирохлор-перовскит в пленках PZT, определены основные параметры, характеризующие кинетику кристаллизации пленок В ST.

Практическая ценность. Разработана и апробирована оригинальная методика исследования кинетики кристаллизации аморфных пленок и фазовых превращений в тонких пленках, которая может быть использована для оптимизации технологий изготовления тонких пленок с заданными характеристиками.

На защиту выносится:

1. Использование методики измерения интегральной и угловой зависимости интенсивности света, отраженного от поверхности пленок непосредственно в процессе отжига для исследования кинетики кристаллизации и фазовых превращений в тонких пленках.

2. Применение модифицированной формулы Колмогорова - Аврами для описания процесса кристаллизации и фазовых превращений при изотермическом отжиге и постоянной скорости нагрева.

3. Использование кластерного анализа для описания кинетики кристаллизации как фазового перехода перколяционного типа.

4. Обнаружение связи между изменением параметров света рассеянного поверхностью пленок и рентгенографических характеристик при фазовом переходе пирохлор-перовскит в пленках PZT и при кристаллизации пленок В ST.

5. Варианты кинетики фазового превращения при быстром высокотемпературном термическом отжиге в пленках PZT с различной температурой пиролиза. -а'

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на 1Х-ом Международном симпозиуме по применению сегнетоэлектриков (ISAF IX, 1994, University Park, PA, USA), на VII-ом, XI-ом и XII-ом международных симпозиумах по Интегральным сегнетоэлектрикам (ISIF VII, 1995 и ISIF XI, 1999, Colorado Springs, СО, USA, ISIF XII, 2000, Aachen, Germany), на 1-ой Азиатской конференции по Сегнетоэлектрикам (AMF I, 1995, Xi'an, China), на Осенних конференциях Общества Материаловедения (MRS FM, 1995, 1996, 1997 и 1998, Boston, MA, USA), на Весенних конференциях Общества Материаловедения (MRS SM, 1996 и 1999, San Francisco, CA, USA), на III-ей Европейской конференции по применению полярных диэлектриков (ECAPD III, 1996, Bled, Slovenia), на IX-ой Международной конференции по Сегнетоэлектричеству (IMF IX, 1997, Seoul, Korea), на 1-ом и 11-ом Всероссийских семинарах "Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении" (1997, Москва и 1999, Воронеж), на совместной Международной конференции ISAF XI, ECAPD IV и Electroceramics VI (1998, Montreux, Switzerland), на XV-ой Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (1999, Ростов-на-Дону, Азов) и на 1Х-ой Европейской конференции по Сегнетоэлектричеству (EMF'IX, 1999, Praha, Czech Republic), на 18-ой Международной конференции секции физики твердого тела Европейского физического сообщества (18th General Conference of Condensed Matter Division of European Physical Society, Montreux, Switzerland, 2000).

Публикации и вклад автора. Основные результаты исследований опубликованы в 27 печатных работах, из них 5 статей во всероссийских и зарубежных печатных изданиях. Диссертационная работа выполнена в рамках исследований, проводимых в лаборатории сегнетоэлектриков НИИ ФПМ при Уральском государственном университете им. A.M. Горького, при частичной поддержке Грантов № 93-02-2451 и № 96-02-19588 РФФИ, Гранта Министерства общего и профессионального образования Российской Федерации, Гранта № NMV300 Международного научного фонда ISF и Российского Правительства, Соросовского фонда (гранты а96-2031 и а97-2849) и Президента российской Федерации (стипендия аспиранта за 1997-98 учебный год).

Экспериментальные результаты исследования рассеяния света на частично закристаллизованных образцах получены лично автором. Автор принимал участие в исследовании кинетики кристаллизации и фазовых превращений в пленках PZT и BST, и обсуждении результатов под руководством профессора Шура В.Я. Математическая обработка, анализ и обобщение полученных данных, а так же формулировка выводов по результатам исследований проведены автором диссертации.

Образцы для исследований были предоставлены следующими группами:

• пленки PGO - Институтом Физики Микроструктур РАН, Нижний Новгород;

• золь-гель пленки PZT - Material Research Laboratory, Penn. State University, University Park, PA, USA;

• золь-гель пленки PZT с 10% избытком свинца и пленки BST - IWE Institute fur Werkstoffe der Electronic, Rhein.-Wesff. Technishen Hochschule, Aachen, Germany.

Сотрудниками лаборатории сегнетоэлектриков, в коллективе которых автор работал в 1998-2000 гг., осуществлены следующие работы: изготовлен малоинерционный термостат с быстрым радиационным нагревом (к.ф.м.н.

Негашев С.А. и к.ф.м.н. Субботин А.Л.), проведены рентгеноструктурные исследования образцов (к.ф.м.н. Бланкова Е.Б.), создана установка, позволяющая регистрировать изменения морфологии пленок при отжиге (к.ф.м.н. Субботин А.Л.), написано программное обеспечение автоматизированной установки для измерения интенсивности рассеянного света в процессе отжига (н.с. Макаров С.Д.).

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 148 страниц, включая 43 рисунка и 12 таблиц. Список литературы содержит 120 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Борисова, Екатерина Александровна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенных исследований можно сделать следующие основные выводы:

1. Разработана оригинальная методика исследования кинетики фазовых превращений, сопровождаемых изменением морфологии пленок, основанная на in situ измерении упругого рассеяния света и последующей математической обработки результатов измерений. Методика апробирована для исследования кинетики кристаллизации. Новый метод может быть использован при исследовании широкого круга кинетических явлений. 2. Кинетика кристаллизация в пленках германата свинца рассмотрена как фазовый переход перколяционного типа с критической зависимостью размеров кластеров кристаллической фазы от времени. Наблюдалось количественное согласие между средними размерами кристаллитов, определенными из рассеяния света, и результатами измерений с помощью сканирующего электронного микроскопа. Определена зависимость количества кристаллитов от времени.

3. Измерение интегральной интенсивности рассеяния света при различных скоростях нагрева позволило определить энергии активации: процесса кристаллизации в германате свинца QPGo = (2.5 ± 0.1) эВ и фазового превращения пирохлор-перовскит в пленках цирконата-титаната свинца Qpzt = (2.4 ± 0.2) эВ.

4. Установлено, что при кристаллизации пленок титаната бария стронция при постоянной скорости нагрева растут только зародыши кристаллической фазы, возникшие в процессе пиролиза. Определены параметры, характеризующие кинетику кристаллизации и температура старта (Tst= 638°С).

5. Процесс фазового перехода в пленках PZT был разделен на основные стадии, соответствующие росту текстурованного перовскита: "задержки", "быстрого" и "медленного" роста и рекристаллизации, которые сопровождаются выраженными изменениями в рассеянии света. Установлено, что переход от

136 быстрой к медленной стадии соответствует изменению размерности роста перовскита (геометрической катастрофе).

6. Показано, что при отжиге пленок PZT текстура определяется только нижним электродом. Обнаружен эффект блокирования роста текстурованного перовскита зернами нетекстурованного перовскита, образовавшимися при пиролизе. Исследована кинетика поверхностного распада фазы перовскита в результате продолжительного отжига при высокой температуре.

7. Впервые анализ in situ измерений интегральной интенсивности рассеянного света и эволюции морфологии поверхности пленок в процессе быстрого термического отжига позволил определить кинетику фазового превращения без рентгенографических исследований. «а

В заключении автор выражает благодарность научному руководителю Шуру В.Я., принимавшему непосредственное участие в работе, за постановку задачи, Негашеву С.А, Бланковой Е.Б., Субботину A.JI. и Макарову С.Д. за помощь в проведении эксперимента, а также Susan Trolier-McKinstry, ученых из Института Физики Микроструктур РАН Нижнего Новгорода и Института электротехники при Рейн-Вестфальском технологическом университете за предоставленные пленки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Борисова, Екатерина Александровна, 2000 год

1. Aungkavattana. P., Haartz. В., Rund. С. О., Trolier - McKinstry. S., 1.-situ X - ray studies of phase transformations in lead zirconate titanate thin films during annealing. II J. Thin Solid Films, 1995, V268, N 1-2, pp. 102-107

2. Avrami M. Kinetics of phase change. I. General theory. // J.Chem. Phys., 1939, V.7, p.l 103-1112.

3. Avrami M. Kinetics of phase change. II. General theory. II J.Chem. Phys., 1940, V.8, p.212-221.

4. Avrami M. Kinetics of phase change. III. General theory. // J.Chem. Phys., 1941, V. 9, p.177-185.

5. Baltz A. , //J.Appl.Phys., 196, V. 334,1575-1583.

6. Brooks K. G., Reaney I. M., Klissurska R., Huang Y., Bursill L., Setter N., Orientation of rapid thermally annealed lead zirconate titanate thin films on (111) Pt substrates, // J. Mater. Res., 1994, V. 9, N.10, p. 2540-2553.

7. Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. Sol-gel processing of РЬТЮз, PbZr03, PZT and PLZT thin films. // British Ceramics Proceedings (G.B.), October 1985, N.36, p. 107-121.

8. Bursill L.A., Brooks K. G., Crystallization of sol-gel derived lead-zirconate-titanate thin films in argon and oxygen atmosphere. // J.Apl.Phys., 1994, V. 75, N 9, p. 4501-4509.

9. Bursill L.A., Reaney I. M., Vijay D.P., Desu S.B. Comparison of lead zirconate titanate thin films on rutthenium oxide and platinum electrodes, // J.Apl.Phys., 1994, V. 75, N3, p. 1521-1525.

10. Carim A.H., Tuttle B.A., Doughty D.H., Martinez S.L., Microstructure of solution-processed lead zirconate titanate (PZT) thin films. // J.Am.Ceram.Soc., 1991, V. 74, N6, p. 1455-1458.

11. Chen C.J., Wu E.T., Xu Y.H., Chen C.K., Mackenzie J.D. Sol-gel derived ferroelectric PZT thin films on dopped silicon substrate. // Proceedings of First Symposium on IntegratedFerroelectrics CMC-89, 1989, p. 185-188.

12. Chen J., Udayakumar K.R., Brooks K.G., Cross L.E., Rapid thermal annealing of sol-gel derived lead zirconate titanate thin films. // J.Apl.Phys., 1992, V. 71, N 9, p.4465-4469.

13. Chen K.C., Janah A., Mackenzie J.D. Crystallization of oxide films derived from metal-organic precursors. // Material Research Society Symposium Proceedings, 1986, V. 73,p.l20-127. ~

14. Chen S. Y., Chen I. W., Temperature-time texture transition of Pb(Zr4xTix)C>3 thin films: I, role ofPb rich intermediate phase, II J. Am. Ceram. Soc., 1994, V. 77, N9, p. 2332-2336.

15. Chen S. Y., Chen I. W., Temperature-time texture transition of Pb(ZrixTix)C>3 thin films: II, heat treatment and compositional effects, II J. Am. Ceram. Soc., 1994, V. 77, N9, p. 2337-2344.

16. Cross L.E., Cline T.W, Contribution on the dielectric response from charged domain walls in ferroelectric Pb5Ge30j j. II Ferroelectrics, 1976, V. 11, N. 1-4, p. 333-336.

17. Fox G. R., Trolier-McKnistry S., Krupanidhi S. B., Pt/Ti/Si02/Si substrate, J. Mater. Res., 1995, V. 10, N. 6, p. 1-8.

18. Fukushima J., Kodaria K., Matsushita T. Preparation of ferroelectric PZT films by thermal decomposition of organometalic compaunds. // Journal of Material Science, 1984, V. 19, p. 595-598.

19. Goosey M.T, Watson I.M., Patel A., Whatmore R.M. Pyroelectric ceramics from aloxide derived gels. // Chemtronics, 1988, V. 3, p. 103-106.

20. Goosey M.T, Watson I.M., Patel A., Whatmore R.M., Ainger F.W. Preparation of electroceramics from metal organics precursors. // ISAF 88, Zurich 1988, p. 77.

21. Goosey M.T. Advanced electro-ceramics from solution. // 1988 Plessey Research and Technology Research Review, 1988, p. 83-88.

22. Greer A.L. Crystallization kinetics ofFeggB20 glass. J. Acta-Metalurgica., 1982, V.30, p.171-192.

23. Griswold E. M., Sayer M., Weaver L., A study of phase transformations in rapid thermal processed sol-gel PZT using glancing angle X-ray difraction, Integrated Ferroelectrics, 1995, V.8, p. 109-120.

24. Griswold E. M., Weaver L., Cadler I. D., Sayer M., Rapid thermal processing and crystallization kinetics in lead zirconate titanate (PZT) thin films, Mat. Res. Soc. Symp. Proc, 1995, V. 361, p. 389-394.

25. Griswold E. M., Weaver L., Mclntyre D.S., Sayer M., Cadler I.D., Crystallization in rapid thermal processed PZT: platinum and ruthenium oxide"elecftrodes, Integrated Ferroelectrics, 1995, V. 10, p. 123-130.

26. Griswold E. M., Weaver L., Sayer M., Cadler I.D., Phase transformations in rapid thermal processed lead zirconate titanate, // J. Mater. Res., 1995, V. 10, N. 12, p. 3149-3159.

27. Griswold E. M., Weaver L., Sayer M., Czerwinski F., Szpunar J., Crystallization kinetics in ferroelectric thin films: viability of atomic force microscopy, // Micron, 1995, V. 26, p. 559-564.

28. Henderson D.W. Thermal analysis of non-isothermal crystallization kinetics in glass forming liquids. // J. of Non-Crystalline Solids, 1979, V. 30, p. 301-315.

29. Huffman M., Gealy F. D., Kammerdiner L., Zurcher P., Zhu J. G., Al-Jassim M. M., Echer C. Microstructural, compositional and electrical characterization of ferroelectric lead zirconate titanate thin films, // Ferroelectrics, 1992, V. 134, p. 303-312.

30. Huffman M., Goral J. P., Al-Jassim M. M., Echer C., Structural and chemical composition investigation of thin lead zirconate titanate films, // J. Vac. Sci. Technol.A, 1992, V. 10, N. 4, p. 1584-1591.

31. Jana P. and Pandey R. K., Thin film deposition of barium strontium titanate by metal organic decomposition technique // Integrated Ferroelectrics, 1997. Vol. 17. pp.153-163.

32. Kissindger H.E. Reaction Kinetics in differential thermal analysis. // J. Analitical Chemistry., 1957, V.29, p. 1702-1706.

33. Kissindger H.E., II J. Research Natl. Bur. Standarts., 1956, V.57, p.217-221.

34. Klee M., De Veirman A., Van de Weijer P., Mackens U., Van Hal H., Analytical study of the growth of polycrystalline titanate thin films, // Philips J. Res., 1993, V. 47, p. 263-285.

35. Klee M., Eusemann R., Waser R., Brand W., Processing and electrical properties of Pb(ZrxTi jx)03 (x=0,2-0,75) films: comparison of metallo-organic decomposition and sol-gel processes, // J. Apl. Phys., 1992, V. 72, N. 4, p. 1566-1576.

36. Klee M., Larsen P. K., Ferroelectric thin films for memory aplications: sol-gel processing and decomposition of organo-metallic compounds, // Ferroelectrics, 1992, V. 133, p. 91-96.

37. Klee M., Mackens U., De Veirman A., Pb(ZxTij.x)03 films produced by a modified sol-gel technique: thin film growth and electrical properties, // Ferroelectrics, 1993, V. 140, p. 211-218.

38. Klee M., Waser R., Updoped and doped perovskite films: sol-gel processing and characterization, II Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1992, V. 243, p. 437-442.

39. Kleer G., Schmitt H., Muser H. E., Ehses K. H. Sputtered ferroelectric thin films of lead germanate, // Ferroelectrics, 1980, V. 26, p. 757-760.

40. Klissurska R.D., Brooks K. G., Reaney I. M., Pawlaczyk C., Kosec M., Setter N. Effect of Nb doping on the microstructure of sol-gel derived PZT thin films. // J.Amer.Ceram.Soc. 1995, V.78, N6, p. 1513-1520.

41. Krupanidhi S.B. Recent advances in deposition of ferroelectric thin films. // Integrated Ferroelectrics., 1992, V. 1, N2-4, p. 11-31.

42. Krupanidhi S.B. Recent Advances in physical vapor growth processes for ferroelectric thin films. II J. Vac. Sci. Technol., 1992, V. A10(4), p. 1569-1577.

43. Krupanidhi S.B., Hu H., Kumar V. Multi-Ion-Beam, reactive sputter deposition of ferroelectric Pb(Zr,Ti)03 thin films, II J. Apl. Phys., 1992, V. 71, N. 1, p. 376-388.

44. Krupanidhi S.B., Maffei N., Roy D., Peng C.J. Growth of ferroelectric oxide thin films by excimer laser ablation, // J. Vac. Sci. Technol., 1992, A10(4), p. 1815-1820.

45. Lee W.J., Kim H.G., Electrical properties of barium strontium (BST) thin films deposited on Pt base electrodes // Integrated Ferroelectrics, 1995, V. 11, pp. 111119.

46. Libera M., Chen M., Time resolved reflection and transmisión studies of amorphous Ge - Te - Thin - film crystallisation. // J.Apl. Phys., 1993, V.73, N5, p.2227-2282.

47. Libera M., Evolution of crystalline microstructure in GeTe thin films for optical storage aplications. // MRS SM, San Fr., USA, 1994, p. 1-12.

48. Libera M., Chen M., Rubin K., Germanium supersaturation during cristallisation of amorphous Te Ge - Sn - thin films. II J. Mater. Res., 1991, V. 6, N. 12, p. 26662676.

49. Madsen, Griswold E.M., Weaver L., Domain structures in Pb(Zr,Ti)03 and PbTiC>3 thin films, // J. Mater. Res., 1997, V. 12, N 10, p. 2612-2616.

50. Mansingh A., Krupanidhi S.B. Preparation and properties of thermally evaporated lead germanate films, II J. Apl. Phys. , 1980, V. 51, N. 10, p. 5408-5412.

51. Mansour S.A., West R.W. Dependence of ferroelectric and fatigue behaviors of PZT films on microstructure and oritntation. // Integrated Ferisoelectrics, 1992, V.l, N1, p.57-71.

52. Mansour S.A., Binford D.A., West R.W., Dependence of ferroelectric and fatigue behaviors of PZT films oh annealed conditions. // Integrated Ferroelectrics, 1992, V. 1, N1, p.43-57.

53. Nanamatsi S., Sujiama H,, Doi K., Kondo Y. Ferroelectricity in Pb5Ge30ji. // J. Phys.Soc.Jap., 1971, V. 31, N. 2, p.616.

54. Newnham R., Cross L.E. Ambidextrous crystals. // Endeaverour, 1977, N. 33, p. 118.

55. Peng C. H., Desu S. B., Structure development study of Pb(Zr,Ti)03 thin films by an optical method, II J. Am. Ceram. Soc., 1994, V. 77, N. 6, p. 1486-1492.

56. Peng C.J., Roy D., Krupanidhi S.B. Oriented lead germanate thin films by excimer laser ablation, // J. Apl. Phys. Lett., 1992, V. 60, N. 7, p. 827-829.

57. Roy D., Krupanidhi S.B., Dougherty J.P. Excimer laser ablation of ferroelectric Pb(Zr,Ti)03 thin films with low pressure direct-current glow discharge, // J. Vac. Set TechnoL, 1992, A10, N. 4 , p. 1827-1831.

58. Schmitt H. Sputtered pyroelectric films of lead germanate, // Proceedings of the international symposium on trends and new applications in thin films, Strasburg, March 17-20, 1987, V. l,p. 195-199.

59. Schmitt H., Karthein R., Kleer G. Production and properties of undoped and doped lead germanate thin films, // Ferroelectrics, 1983, V. 51, p. 35-39.

60. Schmitt H., Kleer G. Reactive sputtering of ferroelectric lead germanate Pb5Ge30 . . II 4 colloque international sur les plasmas et la pulverization cathodique, 1982, 13-15 September.

61. Schmitt H., Kleer G. Transformation from the glassy state in sputtered amorphous films of the ferroelectric lead germanate Pb5Ge30n, // J. Mat. Res. Bull., 1985, V. 20, p. 829-833.

62. Schmitt H., Muser H. E., Karthein R., Kleer G. Properties of updoped and doped ferroelectric lead germanate thin films, // Ferroelectrics, 1984, V. 56, p. 141-144.

63. Sedlar M and Sayer M., Chivukala V., Characterization of doped BST thin films prepared by a modified sol gel method II Integrated Ferroelectricf 1995, V. 10, pp. 113-121.

64. Shang Y., Hou, J., Kwo R. K., Watts J.-Y., Cheng, D. K. Fork, Structural and dielectric properties of Bao?5Sro55Ti03 thin films grown on Si by off-axis sputtering // Integrated Ferroelectrics, 1995, V. 10, pp. 343-350.

65. Shi L., Krupanidhi S.B., Haertling G.H., Development of ferroelectric Pb(ZrxTi\. X)C>3 thin films by metallo organic decomposition and rapid thermal annealing. // Integrated Ferroelectrics, 1992, V. 1, N1, p.99-111.

66. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Crystal growth and domain structure evolution. 11 Ferroelectrics, 1993, V. 142, p. 1-7.

67. Shur V.Ya., Blankova E.B., Subbotin A.L., Borisova E.A., Bolten D., Gerhardt R., Waser R. Crystallization kinetics, texture and ferroelectric characteristics of sol-gel PZT thin films. II Abstracts of the MRS FM'98, Boston, December 1998, p 296.

68. Shur V.Ya., Blankova E.B., Subbotin A.L., Borisova E.A., Bolten D., Gerhardt R., Waser R. Kinetics of texture formation during rapid thermal annealing of sol-gel

69. PZT films. // Abstracts of 11th International Symposium on Integrated Ferroelectrics, Colorado Springs, CO, USA, 7-10 March, 1999, p. 155P.

70. Shur V.Ya., Blankova E.B., Subbotin A.L., Borisova E.A., Bolten D., Gerhardt R., Waser R. Crystallization kinetics and texture of sol-gel PZT thin films. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1999, V. 541, p. 363-368.

71. Shur V.Ya., Negashev S.A., Subbotin A.L. and Borisova E.A. Crystallization kinetics of amorphous ferroelectric films. // Ferroelectrics, 1997, V. 196, p. 183186.

72. Shur V.Ya., Negashev S.A., Subbotin A.L., Blankova E.B., Borisova E.A. Crystallization kinetics of amorphous ferroelectric films. // Abstracts Book of 1st Asian Meeting on Ferroelectrics, Xi'an, China, October 5-8, 1995, p. 163.

73. Shur V.Ya., Negashev S.A., Subbotin A.L., Borisova E.A., Trolier-McKinstry S. In situ investigation of crystallization kinetics in PZT films by light scattering. // Materials Research Society Symposium Proceedings, 1996, V. 433, pp. 351-356.

74. Shur V.Ya., Rumyantsev E.L., Volegov V.V., Pelegov D.V., Borisova E.A., Zykov S.A. Evolution of the fractal surface of amorphous films during crystallization. // Abstracts of MRS 1995 Fall Meeting, Boston, MA, USA, November 27 December 1, 1995, p. 403.

75. Shur V.Ya., Subbotin A.L., Borisova E.A., Pelegov D.V., Sorkin I., Ivanov R., Trolier-McKinstry S. Evolution of surface morphology of sol-gel films during crystallization. //Abstracts of the MRS FM'97, Boston, December 1-5, 1997, p. 15.

76. Sloope B. W., Tiller C.O., // J.Appl.Phys., 1961, V. 32, pp. 1331-1338.

77. Sreenivas K., Sayer M., Characterization of Pb(Zr,Ti)C>3 thin films deposited from multi-element metal targets, II J. Apl. Phys., 1988, V. 64, N. 3, p. 1484-1493.

78. Trolier-McKinstry S., Chen J., Vedam K., Newnham R. E., In-situ annealing studies of sol-gel ferroelectric thin films by spectroscopic ellipsometry, // J. Amer. Ceram. Soc.,1995, V. 78, p. 1907-1913.

79. Voigt J. A., Tuttle B.A., Headley T.J., D.L. Lampa, The pyrochlore-to-perovskite transformation in solution-derived lead zirconate titanate thin films, // Mat. Res. Soc. Symp. Prog., 1995, V. 361, p. 395-402.

80. Wilkinson A. P., Speck J. S., and Cheetham A. K., In situ X-ray diffraction study of crystallization kinetics in PbZrixTix03 (PZT, x = 0,0, 0,55, 1,0), // Chem. Mater., 1994, V. 6, p. 750-754.

81. Yi G., Wu A., Sayer M. Preparation of Pb(Zr,Ti)C>3 thin films by sol-gel processing: electrical, optical and electro-optic properties. // J. Appl.Phys. (USA), 1988, V. 64, N. 5, p. 2717-2724.

82. Yi G., Wu Z., Sayer M., Preparation of Pb(Zr,Ti)C>3 thin films by sol gel processing: electrical, optical, and electro-optic properties, // J. Apl. Phys., 1988, V. 64, N. 5, p. 2717-2723.

83. Акустические кристаллы II Блистанов A.A., Бондаренко B.C., Переломова Н.В. и др., Москва, изд-во Наука, 1982, 362 с.

84. Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. Феноменологический подход. II Изд-во "Наука", М. 1980, 88с.

85. Юб.Берри Р., Холл П., Гаррис М, Тонкопленочная технология. М., Энергия, 1972,334 с.

86. Буш A.A., Веневцев Ю.Н Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе PbO-GeÖ2■ Возможные области их применения. //Москва, НИИТЭХИМ, 1981, с. 70.

87. Гулд X., Тобочник Я. Компътерное моделирование в физике. II Москва, изд. Мир, 1990,ч. 2, с.139-174.

88. Гулд X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в иризике. II Москва, изд. Мир, 1990, ч.2, с.92-124.

89. Ю.Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И., Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность. II Москва, изд. Высшая школа, 1986, 463 е.

90. Ш.Колмогоров А.Н. К статистической теории кристаллизации кристаллов.// Известия АН СССР, сер. мат.-1937, N3, с.355-358.

91. Мэтьюз Дж. Н., Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме. // Физика тонких пленок т. 4., Москва, изд. Мир, 1970, с. 167-227.

92. НЗ.Пронин И.П., Зайцева Н.В., Каптелов Е.Ю., Афанасьев В.П. Оптический контроль однофазности тонких поликристаллических сегнетоэлектрических пленок со структурой перовскита. // Ж. Изв. Акад. Наук, серия физическая, 1997, Т. 61, N2, с. 379-382.

93. Сперанская Е.И. Форма и природа германата свинца. // Ж. неорг. химии, I960, Т. 5, вып.2, с. 421-432.

94. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Физика металлов. II Москва, изд. Атомиздат, 1978, с.352.