Источник экстремального УФ излучения (γ-13,5 нм) на основе разряда типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Иванов, Александр Сергеевич

• Иванов, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Иванов, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ИСТОЧНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ

ЭУФ ЛИТОГРАФИИ

1.1. Основные принципы ЭУФ литографии и требования, предъявляемые к источнику излучения

1.2. Источники селективного излучения для ЭУФ литографии

1.2.1. Литий

1.2.2. Ксенон

1.2.3. Олово

1.3. Методы получения высокотемпературной плазмы, излучающей в ЭУФ диапазоне

1.3.1. Генерация плазмы лазерным излучением

1.3.2. Разрядные способы получения плазмы

ГЛАВА 2. ИСТОЧНИК ЭУФ ИЗЛУЧЕНИЯ

НА ОСНОВЕ РАЗРЯДА ТИПА ЛАЗЕРНОИНДУЦИРОВАННОЙ

ВАКУУМНОЙ ИСКРЫ

2.1. Экспериментальная установка и ее основные функциональные системы

2.2. Электрические схемы возбуждения разряда

2.3. Методика измерения параметров ЭУФ излучения и других характеристик источника

ГЛАВА 3. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ ПРИ РАБОТЕ

ИСТОЧНИКА ЭУФ ИЗЛУЧЕНИЯ

3.1. Инициирование разряда импульсом лазерного излучения

3.2. Основные физические процессы, происходящие в разряде

3.2.1. Процессы пинчевания и генерация ЭУФ излучения при катодном инициировании разряда

3.2.2. Особенности генерации ЭУФ излучения при анодном инициировании разряда

3.3. Эффекты, возникающие при работе источника ЭУФ излучения в импульсно-периодическом режиме

3.4. Продукты эрозии электродов и методы защиты элементов оптической системы

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ИНИЦИИРУЮЩЕГО ЛАЗЕРНОГО ИМПУЛЬСА И СХЕМЫ ВОЗБУЖДЕНИЯ РАЗРЯДА НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ИСТОЧНИКА ЭУФ ИЗЛУЧЕНИЯ

4.1. Воздействие параметров лазерного импульса на характеристики источника ЭУФ излучения

4.2. Влияние параметров схемы возбуждения разряда на характеристики источника ЭУФ излучения

4.2.1. Энергия ЭУФ излучения и эффективность источника

4.2.2. Временная структура ЭУФ излучения и пространственные характеристики излучающей плазмы

4.3. Стабилизация разряда при использовании схемы возбуждения с предварительным разрядом

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Источник экстремального УФ излучения (γ-13,5 нм) на основе разряда типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова»

Интенсивное развитие микроэлектроники происходит, прежде всего, за счет уменьшения характерных размеров элементов интегральных схем, в результате чего увеличивается быстродействие, уменьшаются энергопотребление и стоимость производства, повышается миниатюризация электронных схем.

Для производства интегральных схем используется технология проекционной оптической фотолитографии, в которой изображение фотошаблона (маски) переносится на кремневую пластину, покрытую фоточувствительным слоем (фоторезистом) [1,2]. Дальнейшая обработка засвеченного фоторезиста приводит к формированию необходимых элементов интегральных схем на кремневой пластине. В настоящее время в качестве источников излучения для фотолитографии используются эксимерные АгБ лазеры с длиной волны излучения X ~ 193 нм. С помощью данного источника излучения можно изготавливать интегральные схемы с характерным размером элементов до 45-г65 нм [Зч-5].

Для дальнейшего уменьшения характерных размеров элементов интегральных схем можно использовать источник излучения с меньшей длиной волны, например эксимерный лазер с X ~ 157 нм. Однако данное излучение сильно поглощается традиционными оптическими материалами и даже газом между элементами оптической системы [6,7].

Другой способ заключается в использовании технологии иммерсионной литографии, когда применение жидкости с большим коэффициентом преломления п позволяет добиться увеличения разрешения оптической системы. Так, использование воды с п ~ 1,43 приводит к уменьшению характерных размеров элементов интегральных схем до ~ 32-И 5 нм [8,9]. Однако, разработка не токсичных жидкостей, слабо поглощающих излучение с X ~ 193 нм, с еще большим коэффициентом преломления, и соответствующего им фоторезиста, встречает значительные трудности [10-МЗ].

В данных условиях для дальнейшего развития микроэлектроники становится актуальным создание следующего поколения промышленных литографических систем. В качестве альтернативы рассматриваются четыре технологии: электронно-пучковой проекционной литографии (ЭППЛ), ионно-пучковой проекционной литографии (ИППЛ), рентгеновской литографии (РЛ) и экстремальной ультрафиолетовой литографии (ЭУФЛ) [14]. Наиболее перспективной из них считается ЭУФ литография, использующая излучение с X ~ 114-14 нм, по следующим причинам:

- ЭУФЛ и РЛ обеспечивают большую производительность, чем ЭППЛ и ИППЛ, вследствие отсутствия стохастического кулоновского взаимодействия, которое связывает производительность литографической системы и ее разрешение.

- ЭУФЛ, по сравнению с РЛ, является уменьшающей проекционной технологией, что существенно ослабляет требования к маске.

- ЭУФЛ продолжает технологию проекционной оптической фотолитографии и основывается на ее технологической базе.

Одной из ключевых проблем ЭУФ литографии является создание интенсивного ЭУФ источника с высокой средней мощностью излучения. Существует два принципиальных подхода к получению излучения в ЭУФ области спектра: синхротронное излучение и излучение плазмы.

Известно, что заряженная частица, двигающаяся с ускорением, генерирует электромагнитное излучение. Это явление лежит в основе синхротронных источников ЭУФ излучения, в которых излучение генерируется релятивистскими электронами, ускоряемыми в магнитном поле [14-И 6]. Однако данные источники не нашли промышленного применения вследствие очень высокой стоимости строительства установки, ее больших размеров и массы, а также необходимости применения специальной защиты.

Альтернативный подход заключается в создании плазмы с температурой несколько десятков эВ, которая генерирует излучение в ЭУФ области спектра. Такую плазму можно создавать, например, с помощью воздействия на материал мишени мощного лазерного излучения. В настоящее время происходит интенсивное развитие подобных лазерных источников ЭУФ излучения [17-Т-21]. Несмотря на ряд преимуществ, системы с лазерным методом получения плазмы имеют существенные недостатки, связанные прежде всего с низкой величиной общего КПД, вызванного низкой эффективностью получения мощного лазерного излучения, а также высокой стоимостью системы и большими затратами на ее эксплуатацию.

Другой разновидностью плазменных источников ЭУФ излучения являются разрядные источники, в которых создание и нагрев плазмы осуществляется с помощью электрического разряда [22-ь24]. Нагрев плазмы до нужной температуры в данных источниках происходит благодаря использованию пинч-эффекта, когда разрядная плазма начинает сжиматься под действием собственного магнитного поля, что приводит к повышению ее температуры до десятков и сотен эВ. Основными преимуществами подобных источников является относительно высокий уровень общего КПД, они имеют малые габариты и массу, а также существенно дешевле.

В настоящее время наиболее перспективными с точки зрения получения максимальной эффективности, высокой средней мощности и возможностей дальнейшего масштабирования являются разрядные источники ЭУФ излучения на основе разряда типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова [25-^27].

Таким образом, исследование физических процессов образования высокотемпературной плазмы и генерации ЭУФ излучения в разряде типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова является важной и актуальной задачей для создания источника ЭУФ излучения.

Целью диссертационной работы являлось исследование физических процессов, происходящих в разряде типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова, и их влияния на энергетические и пространственные характеристики ЭУФ излучения, соответствующие требованиям ЭУФ литографии.

Достижение поставленной цели потребовало решения следующих основных задач: исследования физических процессов, происходящих при инициировании разряда лазерным излучением, и определения оптимальных параметров лазерного импульса для достижения максимальных выходных характеристик источника ЭУФ излучения.

- исследования физических процессов, происходящих в разряде типа вакуумной искры, и их влияния на выходные параметры источника ЭУФ излучения.

- поиска режимов возбуждения разрядного импульса, способствующих эффективной генерации ЭУФ излучения с требуемыми для ЭУФ литографии энергетическими и пространственными параметрами.

Методы работы. При решении перечисленных задач основным методом являлся физический эксперимент с привлечением методов численного моделирования изучаемых физических процессов и интерпретация полученных экспериментальных данных на основе теоретического анализа.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1) Обнаружено, что для достижения максимальной эффективности источника ЭУФ излучения на основе разряда типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова необходимо обеспечить достижение плотностью мощности лазерного импульса некоторого порогового значения, которое зависит от длины волны лазерного излучения, размеров фокального пятна и расстояния между электродами.

2) Установлено, что существует оптимальное значение скорости нарастания разрядного тока, при котором эффективность источника ЭУФ излучения достигает максимального значения.

3) Обнаружено, что осуществление предварительного разряда приводит к уменьшению пространственных размеров плазмы, генерирующей ЭУФ излучение.

4) Обнаружен эффект повышения эффективности ЭУФ источника при наличии временной задержки между моментом коммутации межэлектродного промежутка инициирующей лазерной плазмой и началом разрядного импульса. При этом оптимальное значение временной задержки зависит от плотности мощности инициирующего лазерного излучения.

5) Установлена природа энергетической и пространственной нестабильности ЭУФ излучения, связанная с модификацией профиля поверхности электрода, облучаемого инициирующим лазерным импульсом.

6) Проведено сравнительное исследование энергетических и пространственных характеристик ЭУФ излучения при разной полярности электродов. Найдено, что по совокупности параметров более предпочтительным для использования в ЭУФ литографии является облучение инициирующим лазерным импульсом катода.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и содержит 153 страницы машинописного текста, 134 рисунка, 2 таблицы и список цитируемой литературы из 141 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Иванов, Александр Сергеевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Диссертационная работа посвящена исследованию физических процессов, происходящих в разряде типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова, и их влиянию на энергетические и пространственные характеристики источника излучения для ЭУФ литографии. Основные результаты диссертации могут быть сформулированы следующем образом:

1. В разряде типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова параметры лазерной плазмы существенно влияют на эффективность источника ЭУФ излучения. Существует пороговое значение плотности мощности лазерного излучения, которое зависит от длины волны лазера, размеров фокального пятна и межэлектродного расстояния, при превышении которого зависимость эффективности ЭУФ источника в диапазоне длин волн Х~ 13,5 ± 0,135 нм достигает насыщения.

2. Скорость нарастания разрядного тока является ключевым параметром, определяющим динамику сжатия плазмы в перетяжке. Существует оптимальное значение скорости нарастания разрядного тока dl/dt ~ 0,4-1012 А/с, при котором эффективность источника ЭУФ излучения достигает максимального значения.

3. Наличие предварительного разряда приводит к уменьшению характерных размеров плазмы, излучающей в ЭУФ диапазоне.

4. Обнаружен эффект повышения эффективности ЭУФ источника при наличии временной задержки между моментом коммутации межэлектродного промежутка инициирующей лазерной плазмой и началом разрядного импульса. При этом оптимальное значение временной задержки зависит от плотности мощности инициирующего лазерного излучения.

5. Установлено, что природа энергетической и пространственной нестабильности при работе источника ЭУФ излучения с твердым оловом в импульсно-периодическом режиме заключается в нестабильности замыкания разряда вследствие модификации профиля поверхности электрода под действием разряда.

6. Проведено сравнительное исследование работы источника ЭУФ излучения при разной полярности электродов. Найдено, что по совокупности энергетических и пространственных характеристик более предпочтительным для использования в ЭУФ литографии является облучение инициирующим лазерным импульсом катода.

В результате проведенных экспериментальных и теоретических исследований были определены основные физические закономерности, влияющие на энергетические и пространственные характеристики источника ЭУФ излучения на основе разряда типа лазерноиндуцированной вакуумной искры в парах олова.

Результаты исследований, представленные в работе, были использованы при создании различных модификаций источников излучения в ЭУФ диапазоне спектра, в том числе для ЭУФ литографии, работающих с высокой частотой следования импульсов (до 4 кГц) и обладающих высокой средней мощностью излучения (сотни Вт).

139

Благодарности

Автор выражает глубокую благодарность д.ф.-м.н. А.Ю. Виноходову и д.ф.-м.н., профессору В.М. Борисову за поддержку и эффективное научное руководство, сотрудникам Лаборатории импульсных лазерных систем ГНЦ РФ ТРИНИТИ д.ф.-м.н. О.Б. Христофорову, к.ф.-м.н. Ю.Б. Кирюхину, A.B. Ельцову, В.А. Мищенко, A.B. Прокофьеву за многолетнее творческое сотрудничество в совместной работе, В.И. Андропову, М.А. Васину, Л.Б. Юркову, А.И. Петрову, A.M. Давидовскому, Н.Я. Смирнову, В.Н. Трофимову за помощь при проведении экспериментов, а также К.В. Воскрецову, A.B. Страхову, А.И. Кольченко, И.С. Маркову и М.И. Дьяконенко за обеспечение работы на этапе проектирования и изготовления экспериментального оборудования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Иванов, Александр Сергеевич, 2008 год

1. H. J. Levinson, W.H. Arnold. Optical Lithography / Handbook of microlithography, micromachining, and microfabrication. Volume 1: Microlithography / P. Rai-Choudhury Editor. Bellingham: SPIE Press, 1997. -768 p.

2. S.J. Holmes, P.H. Mitchell, M.C. Hakey. Manufacturing with DUV lithography // IBM J. of Research and Development. 1997. - V.41. - № 1,2 . - P. 7-20.

3. Yan Borodovsky. Marching to the beat of Moor's Law // Proc. SPIE. 2006. - V.6153.-P. 615301.

4. R. Rubingh, M. Moers, M. Suddendorf, P. Vanoppen, A. Kisteman, M. Thier, V. Blahnik, E. Piper. Lithographic Performance of a Dual Stage, 0.93NA ArF Step&Scan System // Proc. SPIE. 2005. - V.5754. - P. 681-692.

5. Xiangqun Miao, Xumou Xu, Yongmei Chen, Chris Ordonio, Chris Bencher, Chris Ngai. RET application in 45-nm node and 32-nm node contact hole dry ArF lithography process development // Proc. SPIE. 2007. - V.6520. - P. 6520IF.

6. D.M. Williamson. DUV or EUV, that is the question // Proc. SPIE. 2000. -V.4146. - P. 1-12.

7. Jan Mulkens, Thomas J. Fahey, James A. McClay, Judon M. D.Stoeldraijer, Patrick Wong, Martin Brunotte, Birgit Mecking. 157-nm technology: Where are we today? // Proc. SPIE. 2002. - V.4691. - P.613-625.

8. Masahiko Okumura, Jun Ishikawa, Masato Hamatani, Masahiro Nei. Mass production level ArF immersion exposure tool // Proc. SPIE. 2006. - V.6154. - P. 61541U.

9. Yasuhiro Ohmura, Toshiharu Nakashima, Hiroyuki Nagasaka, Ayako Sukegawa, Satoshi Ishiyama, Koichi Kamijo, Masahiko Shinkai, Soichi Owa. Current status of high-index immersion lithography development // Proc. SPIE. -2007.-V.6520.-P. 652006.

10. A. Whittaker, I. Blakey, H. Liu, D. Hill, G. George, W. Conley, P. Zimmerman. High RI Resist Polymers for 193 nm Immersion Lithography // Proc. SPIE. 2005. - V.5753. - P. 827-835.

11. J. Taylor, R. Shayib, S. Goh, C. Chambers, W. Conley, S. Lin, C. Wilson. Fluids and resist for hyper NA immersion lithography // Proc. SPIE. 2005. -V.5753.-P. 836-846.

12. S. Peng, R. French, W. Qiu, R. Wheland, M. Yang, M. Lemon, M. Crawford. Second Generation Fluids for 193 nm Immersion Lithography // Proc. SPIE. 2005. - V.5754. - P. 427-434.

13. Benschop J.P.H., Denger U., Ockwell D.C. EUCLIDES: First phase completed! // Proc. SPIE. 2000. - V.3997. - P.34-47.

14. Jos P. H. Benchop, Anton J. J. van Dijsseldonk, Winfried M. Kaiser, David C. Ockwell. EUCLIDES: European EUVL program // J. Vac. Sei. Technol. 1999. - V.B 17. -№6. -P. 2978-2981.

15. D.T. Attwood. Soft x-rays and extreme ultraviolet radiation: principles and applications. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 1999. - 470 p.

16. U. Stamm, K. Gabel. Technology for LPP Sources / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. Bellingham: SPIE Press, 2006. - 1057 p.

17. M. Richardson, C.-S. Koay, K. Takenoshita, C. Keyser, S. George, M. Al-Rabban, V. Bakshi. Laser Plasma EUV Sources based on Droplet Target Technology / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. Bellingham: SPIE Press, 2006.- 1057 p.

18. Igor V. Fomenkov, David C. Brandt, Alexander N. Bykanov, Alexander I. Ershov, William N. Partlo, David W. Myers, Norbert R. Böwering, Georgiy O. Vaschenko, Oleh V. Khodykin, Jerzy R. Hoffman, Ernesto Vargas L., Rodney D.

19. Simmons, Juan A. Chavez, Christopher P. Chrobak. Laser-produced plasma source system development // Proc. SPIE. 2007. - V.6517. - P. 65173J.

20. V. Borisov, A. Eltsov, A. Ivanov, O. Khristoforov, Yu. Kirykhin, V. Mischenko, A. Prokofiev, A. Vinokhodov, V. Vodchits. EUV sources using Xe and Sn discharge plasmas // Journal of Physics D. Applied Physics. 2004. - V.37. -№23. - P. 3254-3265.

21. J. Pankert, R. Apetz, K. Bergmann, G. Derra at al. Integrating Philips' extreme UV source in the alpha-tools // Proc. SPIE. 2005. - V.5751. - P. 260-271.

22. J. Pankert, R. Apetz, K. Bergmann, M. Damen at all. EUV Sources for the Alpha-Tools // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P. 61510Q1-61510Q9.

23. Bjorkholm J.E. EUV Lithography The Successor to Optical Lithography? // Intel Technology Journal. - 1998. - Q3. - P. 1-8.

24. Ulrich W., Beiersdorfer S., Mann H.-J. Trends in Optical Design of Projection Lenses for UV- and EUV- Lithography // Proc. SPIE. 2000. - V.4146. -P. 13-24.

25. Banine V., Benschop J.P.H., Leenders M., Moors R. The Relationship Between an EUV Source and the Performance of an EUV Lithographic System // Proc. SPIE. 2000. - V.3997. - P.126-135.

26. Физические величины: Справочник / Под ред. И. С. Григорьева и Е. 3. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. - 700 с.

27. Р. Сейсян. Нанолитография СБИС в экстремально дальнем вакуумном ультрафиолете (Обзор) // Журнал технической физики. 2005. - Т.75. - № 5. -С. 1-13.

28. К. Ota, У. Watanabe, V. Banine, Н. Franken. EUV Source Requirements for EUV Lithography / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. -Bellingham: SPIE Press, 2006. 1057 p.

29. Stamm U., Ahmad I., Borisov V.M., Vinokhodov A.Yu. et al. High power EUV sources for lithography A comparison laser produced plasma and gas discharge produced plasma // Proc. SPIE. - 2002. - V.4688. - P.122-133.

30. R. Brained, P. Trefonas, J. Lammers, С. Cutler, J. Mackevich, A. Trefonas, S. Robertson. Shot noise, LER and quantum efficiency of EUV photoresists // Proc. SPIE. 2004. - V.5374. - P.74-85.

31. N. Harned, B. Blum, H. Meijer, H. Meiling, P. Kuerz. Progress on the realization of EUV lithography // Proc. of 4th International Symposium on EUV Lithography. San Diego, USA. - 2005. - http://www.sematech.org/

32. Fabio E. Zocchi, Enrico Buratti, Valentino Rigato. Design and optimization of collectors for extreme ultra-violet lithography // Proc. SPIE. 2006. - V. 6153. -P. 615310T.

33. Барсуков O.A., Ельяшевич M.A. Основы атомной физики. М.: Научный мир, 2006. - 648 с.

34. William Partlo, Igor Fomenkov, Daniel Birx. EUV (13.5 nm) Light Generation Using a Dense Plasma Focus Device // Proc. SPIE. 1999. - V.3676. -P.846-858.

35. Marc A. Klosner, William T. Silfast. High-temperature lithium metal-vapor capillary discharge extreme-ultraviolet source at 13.5 nm // Applied Optics. -2000.-V.39. -№21. -P.3678-3682.

36. V. Bakshi. EUV Source Technology: Challenges and Status / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. Bellingham: SPIE Press, 2006. - 1057 p.

37. S.A. George, W. Silfast, K. Takenoshita, R. Bernath, C.-S. Koay, G. Shimkaveg, M. Richardson. EUV Generation from Lithium Laser Plasma for Lithography // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P.615143.

38. Лукьянов С.Ю., Ковальский Н.Г. Горячая плазма и управляемый ядерный синтез. М.: МИФИ, 1999. - 432 с.

39. Яценко А.С. Оптические спектры Н- и Не- подобных ионов. -Новосибирск: Наука, 2003. 216 с.

40. E.R. Kieft, К. Garloff, J.J.A.M. van der Mullen, V. Banine. Comparison of experimental and simulated extreme ultraviolet spectra of xenon and tin discharges // Physical Review E. 2005. - V.71. - P. 036402 1-12.

41. William T. Silfast. Intense EUV Incoherent Plasma Sources for EUV Lithography and Other Applications // IEEE Journal of Quantum Electronics. -1999. V.35. - № 5. - P. 700-706.

42. Вайнштейн Л.А., Шевелько В.П. Структура и характеристики ионов в горячей плазме. М.: Наука, 1986. - 216 с.

43. Арцимович JI.A. Управляемые термоядерные реакции. М.: Гос. изд. физ.-мат. лит., 1961. - 468 с.

44. М. Richardson, C.-S. Коау, К. Takenoshita, С. Keyser, М. Al-Rabban, Е. Fujiwara. The case for tin as an EUV source // Proc. of 2nd International EUVL Symposium. Antwerp, Belgium. - 2003. - http://www.sematech.org/

45. G. O'Sullivan. EUV emission from Xe and Sn plasmas: comparison between experimental results and calculations // Proc. of 2nd International EUVL Symposium. Antwerp, Belgium. - 2003. - http://www.sematech.org/

46. J. Pankert, K. Bergman, O. Rosier, W. Neff at all. Philips' EUV Lamp: Status and Roadmap // Proc. of 2nd International EUVL Symposium. Antwerp, Belgium. - 2003. - http://www.sematech.org/

47. A. Sasaki, K. Nishihara, A. Sunahara, T. Nishikawa, F. Koike, K. Kagawa, H. Tanuma. Analysis of the Emission Spectrum of Xe and Sn // Proc. SPIE. -2006. V.6151. - P.61513W1-61513W8.

48. S. George, C.-S. Коау, K. Takenoshita, R. Bernath, C. Keyser, M. Al-Rabban, V. Bakshi, H. Scott, M. Richardson. EUV spectroscopy of mass-limited Sn-dopped laser microplasmas // Proc. SPIE. 2005. - V.5751. - P.779 -788.

49. B. Hansson, H. Hertz. Liquid-Xenon-Jet LPP Source / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. Bellingham: SPIE Press, 2006. - 1057 p.

50. S. Ellwi, A. Comley, M. Brownell. Spatially and Temporally Multiplexed Laser Modules for LPP Sources / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. Bellingham: SPIE Press, 2006. - 1057 p.

51. I. Fomenkov, D. Myers, B. Hansson, D. Brandt, A. Ershov, B. Klene. EUV Source System Development Update: Advancing Along the Path to HVM // Proc. SPIE. 2005. - V.5751. - P.248-259.

52. I. Fomenkov, B. Hansson at all. High Power Low Cost Drive Laser for LPP Source //Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P.61513X1-61513X9.

53. T. Abe, M. Moriya, H. Someya, G. Soumagne, T. Suganuma, T. Watanabe, A. Sumitani, H. Mizoguchi. KrF Laser Driven Xenon Plasma Light Source of a Small Field Exposure Tool // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P.61513T1-61513T5.

54. T. Ariga, H. Hoshino, T. Miura, A. Endo. High Power Pulsed C02 Laser for EUV Lithography//Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P.61513M1-61513M8.

55. K. Nishihara, A. Sasaki, A. Sunahara, T. Nishikawa. Conversion Efficiency of LPP Sources / EUV Sources for Lithography / Vivek Bakshi Editor. -Bellingham: SPIE Press, 2006. 1057 p.

56. I. Fomenkov, B. Hansson et al. LPP EUV Source Development for HVM // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. - P.61510R1-61510R10.

57. S. George, W. Silfvast, K. Takenoshita, R. Bernath, C.-S. Koay, G. Shimkaveg, M. Richardson, M. Al-Rabban, H. Scott. EUV Generation from Lithium Laser Plasma for Lithography // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. -P.6151431-6151438.

58. M. McGeoch. Radio-frequency-preionized xenon z-pinch source for extreme ultraviolet lithography // Appl. Opt. 1998. - V.37. - № 9. - P.1651-1658.

59. M. McGeoch. High power extreme ultraviolet source based on a z-pinch // Proc. SPIE. 1999. - V.3676. - P.671-701.

60. M. McGeoch. Power scaling of a z-pinch extreme ultraviolet source // Proc. SPIE. 2000. - V.3997. - P.861-866.

61. K. Bergman, G. Schriver, O. Rosier, M. Muller, W. Neff, R. Lebert. Highly repetitive, extreme-ultraviolet radiation source based on a gas-discharge plasma // Appl. Opt. 1999. - V.38. - №.25. - P.5413-5417.

62. K. Bergman, O. Rosier, W. Neff, R. Lebert. Pinch-plasma radiation source for extreme-ultraviolet lithography with a kilohertz repetition frequency // Appl. Opt. -2000. V.39. - № 22. - P.3833-3837.

63. J. Pankert. Hollow Cathode Triggered Pinch Plasma Source for EUV Lithography // International EUV Source Workshop (SEMATECH). Matsue, Japan. - 2001. - http ://www. sematech.org/

64. J. Pankert. Update of Philips Extreme UV Source. // International EUV Source Workshop (SEMATECH). Dallas, USA. - 2002. -http://www.sematech.org/

65. W. Partlo, I. Fomenkov, D. Birx. EUV (13.5 nm) light generation using a dense plasma focus device // Proc. SPIE. 1999. - V.3676. - P.846-858.

66. W. Partlo, I. Fomenkov, I. Oliver, D. Birx. Development of an EUV (13.5 nm) light source employing a dense plasma focus in lithium vapor // Proc. SPIE. -2000. V.3997. - P.136-156.

67. W. Partlo, I. Fomenkov, R. Ness, I. Oliver, S. Melnychuk, J. Rauch. Progress toward use of a dense plasma focus as a light source for production EUV lithography // Proc. SPIE. 2001. - V.4343. - P.232-248.

68. I. Fomenkov, W. Partlo, I. Oliver, R. Ness, S. Melnychuk, O. Khodykin, N. Boewering. Optimization of a dense plasma focus device as a light source for EUV lithography // Proc. SPIE. 2002. - V.4688. - P.634-647.

69. U. Stamm, V. Borisov, I. Ahmad, S. Gotze, A. Ivanov, O. Khristoforov, J. Kleinschmidt, V. Korobotchko, J. Ringling, G. Schriever, A. Vinokhodov. Development of high power EUV sources for lithography // Proc. SPIE. 2002. -V.4688. - P.626-633.

70. B.M. Борисов, А.Ю. Виноходов, A.C. Иванов, Ю.Б. Кирюхин, С.В. Миронов, В.А. Мищенко, A.B. Прокофьев, О.Б. Христофоров. Мощный газоразрядный источник ВУФ (13.5 нм) излучения // Физика плазмы. 2002. -Т. 28. -№ Ю.-С. 952-956.

71. Месяц Г.А. Генерирование мощных наносекундных импульсов. М.: Сов. Радио, 1974. - 256 с.83. http ://www-cxro .lbl. gov/opticalconstants/

72. Дж. Реди. Действие мощного лазерного излучения. М.: Мир, 1974. -470 с.

73. Афанасьев Ю.В., Ананьин О.Б. Образование плазмы с помощью мощного лазерного излучения // Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е. Фортова. М.: Наука, 2000. - Вводный том II. - С. 339-346.

74. Ананьин О.Б., Афанасьев Ю.В., Быковский Ю.А., Крохин О.Н. Лазерная плазма: Физика и применения. М.: МИФИ, 2003. - 400 с.

75. Коротеев Н.И., Шумай И.Л. Физика мощного лазерного излучения. -М.: Наука, 1991.-310 с.

76. Хора X. Физика лазерной плазмы. М.: Энергоатомиздат, 1986. - 272 с.

77. Конов В.И., Пименов С.М., Чаплиев Н.И. Новые методы и результаты исследований инициирования приповерхностной лазерной плазмы // Известия АН СССР. Серия физическая. 1989. - Т.53. - № 3. - С. 423-430.

78. Гайдаренко Д.В., Леонов А.Г., Чехов Д.И. Характеристики и динамика разлета эрозионной плазмы, образованной УФ излучением ХеС1 лазера // Физика плазмы. 1991. -Т.17. -№ 8. - С. 918-923.

79. E.R. Kieft, J.J.A.M. van der Mullen, V. Banine. Subnanosecond Thomson scattering on a vacuum arc discharge in tin vapor // Physical Review E. 2005. -V.72. - P. 026415.

80. E.B. Евстратов, М.Ф. Каневский, A.M, Ковалевич, Ю.Ю. Степанов. Эволюция плазмы, возникающей при облучении металлической поверхности излучением ХеО-лазера // Квантовая электроника. 1988. - Т.15. - № 3. - С. 557-559.

81. В.П. Агеев, A.A. Горбунов, В.И. Конов. Отражение излучения ХеС1-лазера от алюминиевой мишени в присутствии эрозионной плазмы // Квантовая электроника. 1989. - Т.16. - № 6. - С. 1214-1220.

82. Ю.П. Райзер. Лазерная искра и распространение разрядов. М.: Наука, 1974.-308 с.

83. М.П. Чучман, А.К. Жуаибов. Эмиссионные характеристики и параметры плазмы лазерного факела на основе германия // Физика плазмы. -2008. Т.34. - № 4. - С. 340-346.

84. Бурцев В.А., Калинин Н.В., Лучинский A.B. Электрический взрыв проводников и его применение в электрофизических установках. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 288 с.

85. Месяц Г.А. Эктоны в вакуумном разряде: пробой, искра, дуга. М.: Наука, 2000. - 424 с.

86. Месяц Г.А. Эктон лавина электронов из металла // Успехи физических наук. - 1995. - Т. 165. - № 6. - С. 601-626.

87. Burkhard Juttner. Cathode spots of electric arcs // Journal of Physics D: Applied Physics. 2001. - V.34. - № 17. - P. R103-R123.

88. Зверев Е.А., Красов В.И., Кринберг И.А., Паперный B.JI. Формирование микропинча и генерация многозарядных ионов на фронте токонесущего плазменного факела // Физика плазмы. 2005. - Т.31. - № 10. -С. 909-922.

89. Спектроскопия многозарядных ионов в горячей плазме / Аглицкий Е.В., Вихров В.В., Гулов А.В., Иванов В.В., Иванова Е.П., Киселюс Р.С. и др. -М.: Наука, 1991.-206 с.

90. Мейерович Б.Э. Канал сильного тока. М.: ООО «Фима», 1999. - 376 с.

91. Имшенник B.C., Боброва Н.А. Динамика столкновительной плазмы. -М.: Энергоатомиздат, 1997. 320 с.

92. Koshelev K.N., Pereira N.R. Plasma points and radiative collapse in vacuum sparks // Journal of Applied Physics. 1991. - V.69. - № 10. - P. R21-R43.

93. Вихрев B.B., Иванов B.B., Кошелев K.H. Формирование и развитие микропинчевой области в вакуумной искре // Физика плазмы. 1982. - Т.8. -№6. -С. 1211-1219.

94. Долгов А.Н. Скейлинг по току излучательных характеристик микропинчевого разряда // Физика плазмы. 2005. - Т.31. - № 8. - С. 733-741.

95. E.R. Kieft, J.J.A.M. van der Mullen, G.M.W. Kroesen, V. Banine, K.N. Koshelev. Characterization of a vacuum-arc discharge in tin vapor using time-resolved plasma imaging and extreme ultraviolet spectrometry // Physical Review E.-2005.-V.71.-P. 026409.

96. E.R. Kieft, J.J.A.M. van der Mullen, G.M.W. Kroesen, V. Banine, K.N. Koshelev. Collective Thomson scattering experiments on a tin vapor discharge in the prepinch phase // Physical Review E. 2004. - V.70. - P. 056413.

97. P.S. Antsiferov, K.N. Koshelev, A.E. Kramida, A.M.Panin. Two regimes of micropinching in a low-inductance vacuum spark // Journal of Physics D: Applied Physics. 1989. - V.22. - № 8. - P. 1073-1077.

98. B.B. Вихрев, В.Д. Королев. Генерация нейтронов в Z-пинчах // Физика плазмы. 2007. - Т.ЗЗ. - № 5. - С. 397-423.

99. Анисимов С.И., Иванов М.Ф., Медведев Ю.В., Швец В.Ф. Ускорение примесных ионов при расширении плазмы в вакуум // Физика плазмы. 1982.- Т.8. № 5. - С. 1045-1048.

100. В.И. Зайцев, Г.С. Волков, A.B. Карташов, Н.И. Лахтюшко. Коллективное ускорение ионов при распаде сильноточного Z-пинча // Физика плазмы. 2008. - Т.34. - № 3. - С. 195-198.

101. Ю.В. Коробкин, И.В. Романов, A.A. Рупасов, A.C. Шиканов. Неустойчивости вакуумного разряда при лазерном инициировании катодного пятна // Журнал технической физики. 2005. - Т.75. - № 9. - С. 34-39.

102. А.Н. Долгов, В.К. Ляпидевский, Д.Е. Прохорович, A.C. Савелов, Г.Х. Салахутдинов. Исследование структуры и динамики излучающей плазмы в микропинчевом разряде // Физика плазмы. 2005. - Т.31. - № 2. - С. 192-202.

103. А.Н. Долгов, В.В. Вихрев. Исследование генерации надтепловых электронов в микропинчевом разряде // Физика плазмы. 2005. - Т.31. - № 3.- С. 290-297.

104. А.Н. Долгов, Т.Н. Салахутдинов. Процессы переноса вещества в быстром Z-пинчевом разряде (малоиндуктивная вакуумная искра) // Физика плазмы. 2003. - Т.29. - № 9. - С. 818-825.

105. Филиппов Н.В. Обзор экспериментальных работ, выполненных в ИАЭ им. Курчатова, по исследованию плазменного фокуса // Физика плазмы.- 1983.-Т.9.-№ 1.-С. 25-44.

106. Воробьев B.C. Приповерхностная лазерная плазма // Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е. Фортова. М.: Наука, 2000. -Вводный том III. - С. 138-149.

107. Королев Ю.Д., Месяц Г.А. Автоэмиссионные и взрывные процессы в газовом разряде. Новосибирск: Наука, 1982. - 356 с.

108. Литвинов Е.А. Разряды типа дугового // Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е. Фортова. М.: Наука, 2000. -Вводный том II. - С.80-115.

109. Школьник С.М. Вакуумная дуга // Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е. Фортова. М.: Наука, 2000. - Вводный том II. - С. 115132.

110. Н. Meiling, V. Banine, P. Kurz, N. Hamed, В. Blum, H. Meijer. Development of the ASML alpha demo tool // Proc. SPIE. 2005. - V.5751. - P. 90-101.

111. H. Meiling, H. Meijer, V. Banine, R. Moors, R. Groeneveld, H.-J. Voorma, U. Mickan, B. Wolschrijn, B. Mertens, G. van Baars, P. Kurz, N. Harned. First performance results of the ASML alpha demo tool // Proc. SPIE. 2006. - V.6151. -P. 6151008.

112. W. Soer, D. Klunder, M. van Herpen, L. Bakker, V. Banine. Debris mitigation for EUV sources using directional gas flows // Proc. SPIE. 2006. -V.6151. - P. 61514B.

113. J. Jonkers. High power extreme ultra-violet (EUV) light sources for future lithography // Plasma Sources Sci. Technol. 2006. - V.15. - P. S8-S16.

114. Keith C. Thompson, Shailendra N. Srivastava, Erik L. Antonsen, David N. Ruzic. Debris mitigation techniques for a Sn- and Xe-fueled EUV-light source // Proc. SPIE. 2007. - V.6517. - P. 65173L.

115. H. Komori, Y. Imai, G. Soumagne, T. Abe, T. Suganuma, A. Endo. Magnetic field ion mitigation for EUV light source // Proc. SPIE. 2005. - V.5751. -P. 859-866.

116. P. Mora. Theoretical model of absorption of laser light by a plasma // Physics of fluids. 1982. - V.25. - № 6. - P. 1051-1056.

117. К. Лонгмайр. Физика плазмы. — M.: Атомиздат, 1966. 342 с.

118. Д. Дж. Роуз, М. Кларк. Физика плазмы и управляемые термоядерные реакции. М.: Госатомиздат, 1963. - 488 с.1. Q L^i

119. Колошников Г.В., Кошелев K.H., Сидельнрсов Ю.В., Чурилов С.С. Лазерное инициирование разряда малоиндуктивной вакуумной искры // Физика плазмы. 1985. - Т. 11. - № 2. - С. 254-258.

120. K.N. Koshelev et al. Spectroscopic diagnostic of EUV radiating plasmas and optimization of EUVL sources // EUV Source Workshop.- San Jose, USA. -2005. - http://www.sematech.org/

121. И.Н. Сливков. Электроизоляция и разряд в вакууме. М.: Атомиздат, 1972.-304 с.

122. С.П. Горбунов, В.И. Красов, В.Л. Паперный, Ю.В. Коробкин, И.В. Романов. Перенос массы и заряда катодным факелом низкоиндуктивной вакуумной искры // Письма в ЖТФ. 2005. - Т.31. - № 22. - С. 87-94.

123. Г.В. Буткевич, Г.С. Белкин, H.A. Ведешенков, М.А. Жаворонков. Электрическая эрозия сильноточных контактов и электродов. М.: Энергия, 1978.-256 с.

124. Диагностика турбулентной плазмы / Волков Я.Ф., Дятлов В.Г., Митина H.H. Киев: Наук, думка, 1983. - 144 с.

125. А.Е. Гурей, А.Н. Долгов, Д.Е. Прохорович, A.C. Савелов, A.A. Тихомиров. Корреляция параметров ионной эмиссии и рентгеновского излучения из плазмы микропичевого разряда // Физика плазмы. 2004. - Т.30. - № 1.-С. 41-46.

126. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1992. - 536 с.