Электроразрядные лазерные и плазменные источники излучения УФ и ВУФ диапазона с высокой частотой следования импульсов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.13, доктор физико-математических наук Виноходов, Александр Юрьевич

• Виноходов, Александр Юрьевич
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Виноходов, Александр Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ЛАЗЕРНЫХ И ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ВУФ ДИАПАЗОНА, ИСПОЛЬЗУЮЩИХСЯ В СОВРЕМЕННЫХ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ТЕХНОЛОГИЯХ

1.1. Эксимерные лазеры для оптической литографии

1.2. Плазменные источники излучения для ВУФ литографии

1.2.1. Особенности ВУФ литографии

1.2.2. Источники излучения ВУФ литографии

1.3. Эксимерные лазеры для материальных процессов

1.3.1. Микрообработка материалов

1.3.2. Лазерная кристаллизация кремния в производстве жидкокристаллических экранов

ГЛАВА II. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ФАКТОРОВ, ОПРЕДЕЛЯЮЩИХ ДОСТИЖЕНИЕ ВЫСОКОЙ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ЭЛЕКТРОРАЗРЯДНЫХ ЭКСИМЕРНЫХ ЛАЗЕРОВ

2.1. Параметры, определяющие эффективность эксимерных лазеров

2.1.1. Условия получения эффективной генерации

2.1.2. Лазеры с максимальной эффективностью и максимальной частотой следования импульсов

2.2. Газодинамические процессы в газовом контуре эксимерных лазеров

2.2.1. Влияние акустических колебаний на выходные параметры ХеС1-импульсно-периодического эксимерного лазера (ИПЭЛ)

2.2.2. Расчет параметра £ для ХеС1-ИПЭЛ

2.2.3. Пространственное распределение энерговклада при импульсно-периодическом режиме (ИПР)

2.2.4. Влияние области нагретого разрядом газа на характеристики ИПЭЛ

2.3. Влияние приэлектродных процессов на контрагирование объёмного разряда в ИПЭЛ

2.3.1. Экспериментальное моделирование приэлектродных процессов и их влияние на контрагирование разряда в ИПР

2.3.2. Режимы воздействия лазерного импульса на электрод

2.3.3. Влияние приэлектродных процессов на выходные параметры ХеС1-ИПЭЛ

2.4.Выводы к главе II

ГЛАВА III. XeCl-ЛАЗЕРЫ

3.1. XeCl-ИПЭЛ с энергией генерации ~1 Дж

3.1.1. ХеСЬлазер со средней мощностью излучения 420 Вт

3.1.2. ХеС1-лазеры с компактными газодинамическими контурами

3.2.Широкоапертурные ХеС1-лазеры

3.2.1. Пространственно-временные и энергетические характеристики излучения широкоаппертурного (7х7см2) ХеС1-лазера

3.2.2. Влияние неоднородности предыонизации на характеристики разряда широкоапертурного ХеС1-лазера

3.2.3. ХеС1-лазер со средней мощностью 600 Вт

3.3. Расходимость излучения ХеС1-лазера при ИПР

3.3.1. Увеличение расходимости излучения ХеС1-лазера при ИПР

3.3.2. Влияние акустических колебаний на расходимость излучения ХеС1-лазера

3.4. ВКР-преобразование излучения ХеС1-лазера в сжатом Н2 в ИПР

3.4.1. Эффективность ВКР-преобразование излучения ХеС1-лазера в сжатом Н

3.4.2. Влияние ИПР на эффективность ВКР-преобразования

3.5. Выводы к главе III

ГЛАВА IV. KrF-ЛАЗЕРЫ

4.1. Высокоэффективные KrF-лазеры

4.1.1. Особенности газопродувной и электроразрядной систем KrF-лазеров с компактными газодинамическими контурами

4.1.2. Влияние распределения электрического поля на характеристики KrF-лазера

4.1.3. Эффекты ограничения средней мощности в компактных KrF-ИПЭЛ 15£

4.2. KrF-лазер с высокой средней мощностью

4.2.1. Особенности функциональных систем лазера

4.2.2. Выходные характеристики лазера

4.3. KrF-лазеры с высокой частотой следования импульсов

4.3.1. KrF-лазер со средней мощностью 650 Вт

4.3.2. KrF лазер с частотой следования импульсов 5 кГц

4.4.Выводы к главе IV

ГЛАВА V. ArF- И XeF-ЛАЗЕРЫ 204 5.1. Высокоэффективные ArF-лазеры

5.2. АгР-лазеры с высокой частотой следования импульсов

5.2.1. АгР-лазер со средней мощностью 300 Вт

5.2.2. АгР-лазер с частотой следования импульсов 6 кГц 215 5.2.3 Исследование выноса области нагретого разрядом газа

5.3. ХеР-лазер с частотой следования 5,5 кГц

5.4.Выводы к главе V

ГЛАВА VI. ПЛАЗМЕННЫЕ ВУФ ИСТОЧНИКИ С ВЫСОКОЙ СРЕДНЕЙ

МОЩНОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ бЛ.Устройство источников ВУФ излучения на основе разряда типа 2>пинч и методы регистрации их параметров

6.1.1. Функциональные системы источников

6.1.2. Источники первого поколения

6.1.3. Источники второго поколения

6.1.4. Высокотемпературная керамика лайнера источников

6.1.5. Система регистрации параметров ВУФ излучения

6.2. Процесс формирования разряда типа Z-пинч

6.3. Особенности режима вклада энергии в разряд

6.4. Спектр излучения ВУФ источника на основе разряда в Хе

6.5. Зависимость характеристик ВУФ источника от давления Хе

6.6. Энергетические параметры ВУФ источников

6.6.1. Источники первого поколения

6.6.2. Источники второго поколения

6.7. Пространственные характеристики излучающей плазмы

6.8. Импульсно-периодический режим работы источников

6.9.Выводы к главе VI

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электроразрядные лазерные и плазменные источники излучения УФ и ВУФ диапазона с высокой частотой следования импульсов»

Эксимерные молекулы представляют широкий класс молекул, существующих только в возбужденных состояниях. Впервые генерация на эксимерных переходах получена при электронном возбуждении жидкого ксенона (^=175 нм) в 1970 г. [1], хотя идея получения генерации в конденсированных инертных газов впервые была высказана еще в 1966 г. [2,3]. Первые сообщения о эксимерных лазерах на галогенидах инертных газов появились в 1975 г. [4,5]. Лучшими генерационными характеристиками среди них обладают лазеры на эксимерных молекулах АгР (Я=193 нм), КгС1 (222 нм), КгР (248 нм), ХеС1 (308 нм) и ХеР (351, 353, 480 нм). Отличительной особенностью этих лазеров является то, что они работают на лазерных переходах между двумя электронными состояниями, верхний из которых имеет потенциальный минимум, а нижний является разлетным (АгР, КгС1, КгР), либо слабо связанным (ХеС1, ХеР), поэтому инверсия населенности в таких системах может достигать 100%. Этим же обусловлено наличие в них относительно широкой полосы усиления (0,1-Ю,5 нм), что вместе с малым радиационным

8 9 временем жизни возбужденных состояний (10 -г 10 с) вызывает необходимость использования накачки с высоким уровнем мощности.

Актуальность работы. Благодаря уникальным генерационным характеристикам (УФ диапазону излучения, высокой импульсной и средней мощности), а также использованию относительно простого и надежного способа накачки самостоятельным разрядом, эксимерные лазеры на галогенидах инертных газов нашли широкое применение во многих современных технологиях и научных исследованиях. Наиболее эффективно импульсно-периодические эксимерные лазеры (ИПЭЛ) применяются в микроэлектронной промышленности, в частности более коротковолновые КгР-и АгР-лазеры, имеющие частоту следования импульсов несколько килогерц и энергию генерации до 100 мДж - в УФ литографии [6,7], ХеС1-лазеры с энергией более 1 Дж и частотой следования несколько сотен герц - в технологии производства тонкопленочных транзисторов, применяемых в жидкокристаллических экранах [8-12]. Следует также отметить широкое внедрение ИПЭЛ в процессы микрообработки материалов, модификации поверхности, очистки материалов [13-19], экологического мониторинга [20,21], медицине [22]. Мировые продажи ИПЭЛ в 2000 г. составили 367 млн. долларов США [23], причём большая часть этой суммы (267 млн.) была израсходована на производство эксимерных лазеров, использующихся в микроэлектронных технологиях.

В последнее время в связи с поступательным развитием микроэлектронной промышленности возникла необходимость в создании более коротковолновых, чем эксимерные лазеры, источников излучения, предназначенных для литографических установок следующего поколения. В настоящее время одним из наиболее перспективных подходов для создания такого источника представляется излучение высокотемпературной ксеноновой плазмы, создаваемой в разряде типа 2-пинч и излучающей вблизи коротковолновой границы ВУФ диапазона, в диапазоне так называемого экстремального УФ (5-г20 нм) [24].

Эффективность использования как эксимерных лазеров, так и источников ВУФ диапазона в различных технологиях зависит, прежде всего, от их средней мощности излучения, частоты следования импульсов, пространственных параметров и надежности работы. г

Одной из основных задач, возникающих при создании и исследовании ИПЭЛ, является выявление причин, ограничивающих достижение высокой средней мощности и высокой частоты следования импульсов. В этой связи необходимо найти экспериментальные условия получения эффективной генерации для различных типов электроразрядных эксимерных лазеров в импульсном режиме и сохранить ее в импульсно-периодическом режиме (ИПР). Эти условия могут отличаться не только для лазеров на различных эксимерных молекулах, но и для лазеров на одной и той же эксимерной молекуле, но имеющих различную комбинацию выходных параметров, в частности обладающих либо максимальной эффективностью и энергией генерации, либо максимальной частотой следования импульсов. Разряд в газовых лазерах в ИПР осуществляется в среде, имеющей возмущения, вызванных предыдущими разрядными импульсами. Из возможных причин, уменьшающих энергию генерации в ИПР и ограничивающих максимальную частоту следования импульсов, следует отметить, прежде всего, газодинамические процессы, включающие акустические колебания [25,26] и неэффективный вынос области'нагретого газа [27,28], а также приэлектродные явления [29]. В данной работе эти факторы рассмотрены применительно к ИПЭЛ.

В диссертационной работе представлены результаты исследований электроразрядных лазеров на эксимерных молекулах ХеС1, ЮР1, АгБ и ХеБ с различной комбинацией энергии генерации Ег и частоты следования импульсов /:ЕГ<% Дж и/< 6 кГц.

На первом этапе наши исследования, начавшиеся в 1983 г., касались в основном ХеС1-ИПЭЛ. К тому времени максимальная средняя мощность IV и энергия генерации, полученные на электроразрядных ХеС1-ИПЭЛ, составляли соответственно 40 Вт и 1 Дж [30], к 1985 г. в нескольких лабораториях была продемонстрирована средняя мощность ¿Г=150-г300 Вт [31,32]. На двухмодульном ХеС1-ИПЭЛ с использованием относительно простой схемы возбуждения разряда и искровой УФ предыонизации нам удалось получить рекордную для электроразрядных ИПЭЛ УУ=420 Вт при /квОО Гц [33]. Параллельно нами проводились работы, направленные на создание широкоапертурных ХеС1-ИПЭЛ с энергией генерации 3-^10 Дж и Ж=0,5-И кВт [34,35]. Проводились также исследования о влиянии акустических колебаний, возникающих в газодинамическом контуре (ГДК) лазера, на расходимость лазерного излучения близкую к дифракционному пределу 10"4ч-10"5 рад.

Для целого ряда применений представляется необходимым расширить диапазон длин волн эксимерных лазеров, наиболее эффективно это можно сделать с помощью ВКР-преобразования в сжатом водороде. Были определены зависимости эффективности ВКР-преобразования излучения ХеСЬИПЭЛ от параметров накачивающего излучения и рассеивающей среды, как в импульсном режиме, так и ИПР при/< 600 Гц.

Некоторые из результатов проведенных исследований ХеС1-ИПЭЛ были изложены в кандидатской диссертации [36].

Во многих технологиях, например, микролитографии, микрообработке материалов, экологическом мониторинге и т.д., использование ЮГ-лазера более эффективно по сравнению с ХеС1-лазером. Это связано, прежде всего, с его меньшей длиной волны излучения. Однако получение генерации киловаттного уровня средней мощности для КгР-ИПЭЛ представляется более сложной задачей, чем для ХеС1-ИПЭЛ. Объясняется это тем, что для получения эффективной генерации в КгР-лазерах требуется более высокая интенсивность накачки и соответственно меньшая индуктивность разрядного контура, чем для ХеС1-лазеров. В таких условиях сложнее обеспечить пространственную однородность разряда в сильно электроотрицательной газовой смеси, так как развитие неустойчивости объемного разряда в газовой смеси ЮГ-лазера происходит всего за ~50 не. Поэтому для получения КгР-генерации с высокой средней мощностью нами были применены другие подходы. Первый из них основан на высокоэффективной генерации (кпд ~4%) с энергией в импульсе ~1 Дж и частотой следования импульсов несколько сотен герц. В сочетании со специально разработанными компактными газодинамическими контурами (ГДК) этот подход был реализован в нескольких прототипах коммерческих КгР-ИПЭЛ, максимально достигнутая средняя мощность генерации на одном из лазеров составила 630 Вт при ^600 Гц. Второй подход был реализован в 2-х прототипах коммерческих КгР-ИПЭЛ и основан на использовании относительно небольшой энергии генерации (менее 200 мДж) и высокой (более

1 кГц) частоте следования импульсов. В этом случае достигнутая в одном из лазеров максимальная средняя мощность излучения составила~650 Вт при Jk3,5 кГц. До настоящего времени средняя мощность излучения >600 Вт, полученная нами на разных лазерах, является рекордной для электроразрядных KrF-ИПЭЛ.

Еще более сложные задачи возникают при исследовании и разработке ArF-лазеров с высокой частотой следования импульсов. Связано это с тем, что для ArF-лазеров требуется еще большая интенсивность накачки, чем для KrF-лазеров. Кроме того, коротковолновое излучение ArF-лазера вместе с агрессивным фтором оказывает сильное фотохимическое воздействие на используемые внутри ГДК конструктивные материалы, что сильно затрудняет процесс пассивации лазера и отрицательно сказывается на ресурсе газовой смеси лазера. Проведенные исследования позволили нам в рамках того же экспериментального подхода, что и для KrF-ИПЭЛ с высокой частотой следования импульсов, получить высокоэффективную (кпд ~2 %) генерацию на ArF-молекуле с высокими средней мощностью (100-г300 Вт) и частотой следования импульсов (4-^-6 кГц). Было создано 2 прототипа коммерческих ArF-ИПЭЛ. Этот же экспериментальный подход был применен нами и при создании XeF-ИПЭЛ с высокой частотой следования импульсов.

Исследования как ArF-ИПЭЛ, так и KrF-ИПЭЛ с высокой частотой следования импульсов проводилась нами в рамках программы по разработке лазерных источников излучения для литографических установок совместно с германской фирмой "Lambda Physik". Логика развития микроэлектронной промышленности привела к необходимости разработки литографических установок следующего поколения, основанных на источниках со значительно более коротковолновым излучением, чем у эксимерных лазеров. Наиболее перспективным в настоящей время признано излучение ВУФ диапазона с центром излучения на Л= 13,5 нм [37-39], что связано с разработкой зеркал с большим коэффициентом отражения на этой длине волны. Одним из наиболее обещающих физических подходов для получения такого излучения является излучение высокотемпературной разрядной плазмы в ксеноне. Поэтому начатые нами в 1999 г. работы по исследованию и разработке источников ВУФ диапазона на основе разряда типа Z-пинч в Хе явились логическим продолжением работ по созданию источников излучения для микролитографии. Проведенные исследования позволили создать электроразрядные источники с Л= 13,5 нм (АА/Л=2%) с высокой средней мощностью (150 Вт/27Г ср), высокой частотой следования импульсов (1,5 кГц) и небольшими размерами (~1-г2 мм), предназначенные для литографии следующего поколения.

Основной целью диссертационной работы являлось экспериментальное изучение физических закономерностей, связанных с получением эффективной генерации электроразрядных эксимерных лазеров с длинами волн излучения 353, 308, 248, 193 нм и эффективного излучения ВУФ диапазона (Л=13,5 нм) на основе высокотемпературной разрядной плазмы в Хе при высоких частотах следования импульсов, а также создание на основе проведенных исследований эксимерных лазеров и ВУФ источников с высокой средней мощностью.

Достижение поставленной цели потребовало решения следующих задач:

1. Экспериментального исследования эффективных режимов возбуждения разряда в различных типах эксимерных лазеров, имеющих различные комбинации выходных параметров.

2. Создания около 2-х десятков различных ИПЭЛ, обладающих широким диапазоном выходных параметров, в числе которых длина волны излучения, энергия в импульсе, частота следования импульсов, средняя мощность, расходимость, длительность импульса излучения и ресурс работы. Для чего предстояло разработать: схемы возбуждения разряда; системы УФ предыонизации; электродные системы; компактные и эффективные ГДК на основе осевых и диаметральных вентиляторов.

3. Экспериментального и теоретического исследования физических причин, вызывающих неоднородное протекание объемного разряда в средах ИПЭЛ, снижающих энергию генерации лазерных импульсов, препятствующих достижению высокой средней мощности и высокой частоты следования импульсов, а также ухудшающих качество лазерного луча.

4. Исследования динамики установления стационарных значений параметров излучения ИПЭЛ от импульса к импульсу.

5. Создания плазменных источников ВУФ излучения с Я= 13,5 нм на основе разряда типа Z-пинч в Хе с высокими средней мощностью излучения и частотой следования импульсов, имеющих небольшой (~1-г2 мм) размер излучающей плазмы. Для чего предстояло разработать: схемы возбуждения разряда, способные работать с высокой частотой следования импульсов в течение длительного времени; высоковольтный и заземленные узлы источника, включающие эффективно охлаждаемые электродные системы и обеспечивающие минимальную индуктивностью разрядного контура; систему дифференциальной вакуумной откачки; систему диагностики ВУФ излучения.

6. Поиска режимов возбуждения разряда типа 2-пинч и параметров газовой среды в плазменном ВУФ источнике, способствующих получению эффективного ВУФ излучения с требуемыми размерами излучающей плазмы.

Методы исследований. При решении перечисленных задач в качестве основного метода использовался физический эксперимент, применялись также методы численного моделирования и оценочные расчеты.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем: 1. Проведены сравнительные исследования оптимальных условий поддержания разряда в различных эксимерных лазерах, позволившие выявить различия в зависимости эффективности генерации от разрядных параметров для лазеров, отличающихся не только типом эксимерной молекулы (ХеР, ХеС1, КгИ и АгР), но и комбинацией выходных характеристик: эффективностью и энергией генерации с одной стороны, частотой следования импульсов с другой. Впервые достигнута эффективность генерации КгР- и АгР-лазеров 3,9% и 2,1%, соответственно.

2. В различных электроразрядных эксимерных лазерах исследованы основные физические факторы, влияющие на формирование объемного разряда в импульсно-периодическом режиме и определяющие достижение высокой средней мощности излучения при увеличении частоты следования импульсов. Созданы электроразрядные эксимерные лазеры, на которых впервые получена средняя мощность излучения на XeCl-, KrF- и ArF-молекулах 420, 650 и 300 Вт, соответственно, что в 1,4-г1,8 раза превышает значения, достигнутые другими исследователями.

3. Определены параметры электроразрядных систем и газовых сред, позволившие впервые получить объемный разряд и генерацию в газовых смесях ArF-, KrF- и XeF-лазеров с частотой следования импульсов 5^6 кГц. Установлено, что использование в этих лазерах УФ предыонизации от скользящего разряда обеспечивает более высокую однородность объемного разряда и значительно улучшает выходные характеристики лазеров по сравнению с искровой УФ предыонизацией.

4. Обнаружено, что для электроразрядных эксимерных лазеров динамика энергии генерации от импульса к импульсу при высоких (>1 кГц) частотах следования имеет общий характер: наблюдается уменьшение энергии генерации после первого оборота газа по контуру, которое сменяется ее ростом по мере разогрева электродов. Найдено, что наиболее сильно эти эффекты проявляются в ArF-лазерах.

5. Установлено, что градиенты плотности газа и/или продукты плазмохимических реакций, возникающие в газовом контуре лазеров от предыдущих разрядных импульсов, в большей степени влияют на процесс формирования объемного разряда и выходные характеристики ArF-лазеров, чем KrF-лазеров.

6. Впервые созданы плазменные источники ВУФ излучения (Д=13,5±0,135 нм) на основе разряда типа Z-пинч в Хе со средней мощностью излучения 150 Вт/2л ср, внутренней эффективностью 1,3%/2тг ср, частотой следования импульсов 1,5 кГц, размером излучающей плазмы 0,3 х 1,7 мм2 и ресурсом п более 5-10 импульсов, пригодные для литографических установок следующего поколения.

7. Выявлены параметры электрофизической установки, определяющие энергетические и пространственные характеристики источника ВУФ излучения на основе разряда типа Z-uиnч в ксеноне. Определены условия, позволяющие получать излучающую плазму с малыми (~1 мм) размерами. Найдено, что в ВУФ источнике, имеющем в качестве высоковольтного электрода анод, энергетические характеристики излучения в диапазоне /1=13,5 нм могут значительно превосходить характеристики источника, имеющего в качестве высоковольтного электрода катод.

8. Впервые созданы электрофизические установки, позволяющие при небольшой вкладываемой энергии (~10 Дж) формировать разряд типа Т-ттпч с размерами ~1 мм, током до 50 кА, способные к длительной непрерывной работе при частотах следования импульсов 1-г2 кГц и вводимой в разряд удельной мощности -15 кВт/см3. Установки могут быть использованы для получения излучения в диапазоне длин волн 5-ь20 нм с высокой средней мощностью.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 6 глав, общих выводов, заключения и содержит 276 страниц машинописного текста, 204 рисунка, 9 таблиц и список цитируемой литературы из 246 наименований.

Заключение диссертации по теме «Электрофизика, электрофизические установки», Виноходов, Александр Юрьевич

Основные результаты работы.

1. Впервые реализован объемный разряд и получена генерация с частотой следования импульсов 6 и 5,5 кГц в газовых смесях соответственно АгР- и ХеР-лазеров. Установлена совокупность независимых факторов, способствующих увеличению максимальной частоты следования импульсов в электроразрядных АгР-лазерах без увеличения скорости продува газовой смеси, включающих параметры предыонизационного излучения, газовой смеси, электродной системы.

2. Получена рекордная средняя мощность излучения 300 Вт для электроразрядных АгР-лазеров.

3. Показано, что использование в АгР- и ХеР-лазерах УФ предыонизации от скользящего разряда вместо искровой УФ предыонизации позволяет получать более высокую однородность разряда и сохранять ее на высоких частотах следования импульсов, и как следствие, существенно улучшать выходные характеристики лазера.

4. Установлено, что в АгР-лазерах параметры генерации улучшаются при разогреве газовой смеси до 40° и уменьшении длительности фронта нарастания напряжения на электродах до 50 не.

5 В АгР-лазерах с высокой частотой следования импульсов (/М кГц) обнаружены эффекты: начального спада энергии генерации после первого оборота газа по контуру, и последующего подъёма, зависящего от частоты следования импульсов. Основной причиной начального снижения энергии генерации являются продукты плазмохимических реакций, а последующего подъема - разогрев электродов. Обнаруженные эффекты носят общий характер для всех эксимерных лазеров, однако наиболее ярко проявляются в АгР-лазерах.

6. Показано, что в АгР-лазерах с высокой частотой следования импульсов требуются значительно большие коэффициенты смены газовой смеси в межэлектродном промежутке, чем в других эксимерных лазерах. В АгР-лазерах существует оптимальный диапазон скоростей продува газа в межэлектродном промежутке, при которых коэффициент смены газовой смеси имеет минимальное значение.

Практическим результатом исследований, изложенных в V главе, явилось создание 2-х прототипов коммерческих АгР-лазеров со средней мощностью излучения до 300 Вт и максимальной частотой следования импульсов до 6 кГц, а также создание прототипа коммерческого ХеР-лазера с максимальной частотой следования импульсов 5,5 кГц.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Виноходов, Александр Юрьевич, 2004 год

1. Экспериментальному исследованию плазменных источников на основе разряда типа Z-nинч в Хе, излучающих в ВУФ диапазоне с центром на Л=13,5 нм, посвящена настоящая глава.

2. Устройство источников ВУФ излучения на основе разряда типа г-пинч и методы регистрации их параметров61.1. Функциональные системы источников 212,233-240.

3. При напуске рабочего газа, осуществлявшегося через натекатель 7 и систему

4. Хе в разрядном объеме Ю'ч-Ю' торр, давление Хе в вакуумной камере составляло 10'3-тТ0'2 торр.

5. Все системы источника обладали большим ресурсом и могли поддерживать его непрерывную работу при частотах следования импульсов свыше 1,5 кГц в течение нескольких часов.61.2. Источники первого поколения 233-236.

6. Рнс.6.2, ВУФ источник первого поколения (а); поперечное сечение разрядной части источника (б): 1-пипч, 2-керамическая трубка, 3-катод, 4-анод, 5-отверстие для вакуумной откачки и вывода ВУФ излучения; фотография катодного и анодного узлов (в)

7. Вторая отличительная особенность источников 2-ого поколения связана с необходимостью повышения средней мощности излучения источника и ресурса его разрядной системы. Поэтому