Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Калитеевская, Наталия Алексеевна

• Калитеевская, Наталия Алексеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2001

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Калитеевская, Наталия Алексеевна

Содержание.

Введение.

Глава 1. Современные проблемы литографии.

1.1 Основные понятия литографии.

1.1.1 Фотолитография, ее свойства.

1.1.2 Фоторезисты. Классификация. Основные характеристики. 24 1.1.3. Основные технологические факторы в полупроводниковом производстве.

1.2 Успехи фотолитографии.

1.2.1. Неоптические методы литографии.

1.2.2.Сравнение оптических и неоптических видов литографии.

1.2.3. Оптическая литография.

1.2.4. Рентгеновская технология.

1.3. Основные области использования ВУФ излучения в полупроводниковой технологии.

1.4. Фоторезисты для ВУФ.

1.4.1. Применения неорганических резистов.

1.5. Источники ВУФ.

1.5.1. Эксимерные лазеры.

1.5.2. Лазерно-плазменные источники.

1.5.3. Лазеры с диодной накачкой.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками»

Актуальность темы.

Развитие микроэлектроники связано, в первую очередь, с непрерывным уменьшением минимального характеристического размера элементов интегральной схемы amin. На сегодняшний день уже достигнуто субмикронное разрешение, характеризуемое amin~0.18мкм [1]. В ближайшие несколько лет ожидается появление приборных структур с характерными размерами менее 0.1 мкм. По мнению полупроводниковой промышленной

Ассоциации (Semiconductor Industry Assosiation, SIA) первые интегральные схемы с характерными размерами 130, 100, 70 и 50нм появятся соответственно в 2003, 2006, 2009 и 2012 годах [2]. Важным преимуществом технологий фотолитографического формирования микрорисунка является возможность одновременного и параллельного переноса изображения, состоящего из многих миллионов элементарных фрагментов, обеспечиваемая волновым характером оптических процессов. Это предопределило высокую технико-экономическую эффективность метода. В настоящее время уровень интеграции увеличивается в четыре раза примерно каждые три года. К 1999 году он достиг величины 21 миллион транзисторов на кристалл и в 2000 году продолжилось развитие литографического процесса на данном уровне с размерами элементов 150нм и 175 нм [3]. До последнего времени прогресс обеспечивался за счет улучшения дизайна, а также за счет усовершенствований фотолитографии, использовавшей часть видимого и ближний ультрафиолетовый диапазон электромагнитного излучения. Однако, возможности оптических систем ограничены дифракционным пределом, а дальнейшее уменьшение длины волны наталкивается на проблемы выхода в вакуумноультрафиолетовый диапазон (отсутствие прозрачных материалов, эффективных источников излучения, необходимость вакуумировать оптический путь). Однако, наиболее принципиальным и практически незатронутым оказывается, по-видимому, проблема фоторезиста, эффективно и высококонтрастно работающего в рабочей области длин волн.

Упомянутое обстоятельство и предопределило концентрацию основных усилий на проблемах взаимодействия вакуумного ультрафиолетового (ВУФ) излучения с тонкими пленками различных материалов с целью изыскания эффективного фоторезиста, обладающего высококонтрастными свойствами в ВУФ-диапазоне. Только высокий контраст передачи изображения может выступить в роли компенсатора отрицательного эффекта низкой числовой апертуры зеркальной проекционной оптической системы при формировании микрорисунка интегральной схемы. Притом применение зеркальной оптики становится неизбежным уже при длинах волн меньше 157 нм.

До настоящего времени в качестве фоторезиста (ФР) в основном использовались органические материалы. С целью увеличения их стойкости, чувствительности к актиничному излучению и контраста применяли смолы, сенсибилизаторы и контраст-усиливающие добавки, но использование ВУФ излучения в качестве актиничного излучения позволяет пересмотреть основные концепции формирования ФР, и, в частности, включить в рассмотрение неорганические материалы, в которых более вероятны процессы, существенно увеличивающие контраст передачи изображения.

К ВУФу относят диапазон А-=10-200нм; с коротковолновой стороны он граничит с мягким рентгеном, и граница А~10нм здесь не слишком строго обозначена. Длинноволновая граница А,~200нм ВУФ связана с сильным поглощением излучения атмосферой, по причине которого оптический путь должен вакуумироваться. Что же касается оптических материалов, прозрачных в ВУФ, то их выбор ограничен, а материалов, прозрачных при ^<100нм не существует. Это, в частности, ограничивало наши экспериментальные возможности. По этой причине при выполнении данной работы проводились исследования по взаимодействию ВУФ в диапазоне 100-250нм с различными материалами.

Целью диссертационной работы является теоретическое и экспериментальное исследование физических явлений, происходящих при взаимодействии интенсивного лазерного излучения вакуумного ультрафиолетового диапазона с широким кругом тонкопленочных покрытий неорганических материалов. Полученные результаты могут быть использованы для формирования изображения топологического рисунка интегральной схемы (ИС) как в случае контактной литографии, так и в случае проекционной литографии, основанной на пошаговом экспонировании топологических рисунков слоев отдельных ИС или их фрагментов при посредстве узкой спектральной полосы вакуумно-ультрафиолетового (ВУФ) излучения, выбираемой в диапазоне длин волн от 100 до 250 нм. Источником ВУФ в настоящей работе является эксимерный лазер.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые:

1. Выполнен анализ процесса формирования изображения в контактной литографии с зазором. Показано, что выбором геометрии экспонирования может быть достигнуто существенное улучшение разрешающей способности.

2. Выполнен эксперимент, подтверждающий возможность получения рисунка с размерами меньшими длины волны актиничного излучения.

3. Выполнен анализ процессов взаимодействия излучения с фоторезистом и построена модель, учитывающая нелинейные свойства фоторезиста.

4. Теоретически описан эффект усиления контраста передачи изображения, как за счет зависимости коэффициента поглощения от интенсивности света, так и за счет нелинейной оптической чувствительности.

5. Исследовано взаимодействие ряда неорганических тонких пленок с излучением ArF и KrF эксимерного лазера, в том числе определены пороги абляции для тонких пленок оксида индия, оксида титана, оксида хрома, твердых растворов сульфида самария/сульфида иттрия, алмазоподобных пленок.

Научная и практическая значимость работы заключается в следующем:

1. Выполненный анализ возможности получения периодического рисунка ИС в условиях контактной литографии, когда линейные размеры фотошаблона и величина зазора между фотошаблоном и поверхностью образца значительно превосходят линейные размера площади, на которой создается рисунок, показывает, что необходимая конфигурация рисунка может быть сформирована, даже при условии зазора на порядок превосходящего длину волны излучения.

2. Показано, что в контактной печати возможно формирование периодического рисунка ИС с периодом в два раза меньшим периода фотошаблона, в том случае, если параметры процесса экспозиции (длина волны излучения, период фотошаблона, зазор между фотошаблоном и поверхностью фоторезиста) подобраны оптимальным образом.

3. Экспериментально доказана возможность создания рисунка с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения, даже при значительном зазоре между подложкой и поверхностью фоторезиста.

4. Изучена физическая картина взаимодействия мощного ВУФ излучения с неорганическими фоторезистами в условиях нелинейного фотохимического взаимодействия и предложена система уравнений, адекватно описывающая такие процессы.

5. Показано, что в случае использования мощного импульса актиничного излучения, в условиях, когда экспозиция начинает зависеть от интенсивности излучения, возможно увеличение крутизны стенок рельефа изображения при правильном выборе интенсивности излучения, что создает возможность увеличения контраста передачи изображения в ВУФ литографии.

6. В результате проведенных исследований ряда неорганических материалов показана возможность использования пленок оксида титана и алмазоподобных пленок в безрезистивном литографическом процессе и определены пороговые энергии.

Совокупность представленных в диссертации исследований позволяет сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. В условиях контактной литографии с регулируемым зазором и фотошаблоном с периодическим рисунком, протяженность которого превосходит линейные размеры экспонируемой площадки и величину зазора, теоретически возможно формирование интерференционной картины с периодом, равным заданному, даже если зазор на порядок превосходит длину волны излучения, а также получение изображения с периодом в два раза меньшим периода рисунка фотошаблона.

2. Возможность экспериментального получения периодического рисунка в слое As2S3 с характерными размерами меньшими длины волны актиничного излучения, при использовании ВУФ излучения является следствием не только использования протяженного фотошаблона (по п. 1), но и нелинейного взаимодействия излучения с материалом.

3. При облучении поверхности неорганических материалов ВУФ излучением большой мощности имеет место нарушение закона взаимозаместимости длительности экспозиции и интенсивности света, которое может быть объяснено на основе модели нелинейного фотохимического преобразования.

4. Процесс формирования скрытого изображения в тонких пленках неорганических материалов может быть описан системой дифференциальных уравнений, аналогичной уравнениям Дилла с введением нелинейного коэффициента, описывающего фотохимические преобразования.

5. Взаимодействие импульсного ВУФ излучения большой мощности приводит к фотопотемнению слоев, изменению фотостимулированной растворимости и абляции. Рисунок интегральной схемы может быть сформирован на поверхности и оксида индия, оксида титана и алмазоподобных пленках под воздействием вакуумного ультрафиолетового излучения без последующей химической обработки (режим абляции). Пороги абляции в данных материалах составляют соответственно 40мДж/см2 (А-=193нм), 28 мДж/см2(А,=248нм), 2 ОмДж/см2(А,=193 нм). Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на Международном симпозиуме SPIE по микролитографии (Санта-Клара, США, 1996г.), на Международной конференции "Прикладная оптика 96" (Санкт-Петербург, Россия, 1996г.), II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники" (Санкт-Петербург, Россия, 2000г.), Международной конференции NLMI-10 (Пушкин, Россия, 2000). Публикации. Основные результаты работы опубликованы в 10 печатных работах, в том числе 6 в рецензируемых изданиях.

Диссертация оформлена в пяти главах.

Первая глава посвящена обзору литературы по современным проблемам литографии. Даются основные понятия и характеристики литографического процесса. Описываются основные технологические факторы в полупроводниковом производстве.

Рассмотрены задачи, которые требуют решения для дальнейшего развития литографии. В качестве перспективных методов приведены различные методы: электронная литография, электронная/ионная печать с зазором, ионолитография, оптическая литография, рентгеновская литография. Отмечены основные области, нуждающиеся в развитии. Для оптической литографии подчеркнуты преимущества использования эксимерных лазеров. В том числе отмечена возможность безрезистного формирования рисунка. Рассмотрены проблемы, возникающие при интеграции эксимерных лазеров в литографический процесс. Описаны основные области использования ВУФ излучения в полупроводниковой технологии (ростовые технологии, процессы травления, субмикронная литография). Для дальнейшего успешного развития литографии с использованием эксимерных лазеров следует решить проблемы: фоторезистов для ВУФ, поиск оптимального источника ВУФ (эксимерные лазеры, лазерно-плазменные источники, лазеры с диодной накачкой), проблемы оптики для ВУФ диапазона, интеграция источника ВУФ в литографический процесс.

Во второй главе приводятся основные принципы работы эксимерного лазера, а также описание методики эксперимента.

Работа проводилась на исследовательском стенде с контактным литографом и эксимерным излучателем, позволяющем работать на длине волны 248нм (KrF) и 193нм (ArF). В состав экспериментального стенда входит установка совмещения и экспонирования, что позволяет провести полный цикл исследований, включая создание рисунка ИС. Приводятся оптические схемы экспериментов, используемые для проведения предварительных экспериментов по взаимодействию излучения с поверхностью различных материалов, а также для экспериментов по созданию рисунка на поверхности образца. В последнем случае для выравнивания освещенности использовались растры дифракционных линз. Для определения разрешающей способности использовались штриховые миры: с минимальным размером элементов атш=300нм и с amin= 100 нм (шаг 200 нм).

В состав экспериментальной установки, помимо излучателя света, входит технологический блок с энергетической и газовой системами, а так же вакуумным оборудованием. Данный блок предназначен как для обеспечения стабильной работы лазера в режиме излучения, так и для замены газовой смеси после ее деградации. Приведена газовая и электрическая схема лазера.

Третья глава содержит результаты, полученные в результате численного моделирования процесса контактной литографии в условиях, когда длина волны актиничного излучения вдвое превосходит межэлементный зазор, а зазор между шаблоном и подложкой велик. Показано, что при определенных соотношениях длины волны, периода структуры и зазора в условиях контактной печати возможно получение изображения с периодом в два раза меньшим периода рисунка фотошаблона.

Задача нахождения освещенности в произвольной точке на поверхности фоторезиста решается на основе модели бесконечного фотошаблона с абсолютно непрозрачным, бесконечно тонким покрытием. Для решения используется дифракционная формула Кирхгофа [5]. Получено распределение интенсивности на поверхности фоторезиста при засветке излучением с длиной волны 2=193нм, соответствующей длине волны излучения эксимерного лазера на ArF, через фотошаблон с периодом 200нм для различных величин зазора. Можно заметить, качество передачи изображения примерно одинаково, причем характеризуется достаточно высоким световым контрастом К (K=(Imax-Imin)/(Imax+Imin)). При определенных величинах зазора амплитуды основных и дополнительных максимумов сравниваются, и распределение интенсивности засветки представляет собой периодическую функцию с периодом вдвое меньшим периода рисунка фотошаблона.

Была так же произведена прямая проверка возможности получения сверхвысокого разрешения контактной печати на пленках AS2S3 при использовании импульсного излучения эксимерного лазера. Анализ электронно-микроскопических изображений полученных нами образцов показывает реализацию минимального размера, характеризуемого шириной штриха amiri= 80нм, что в 2.5 раза меньше длины волны. Уменьшение ширины штриха, по-видимому, связано с интерференционной засветкой тени. Край полосы AS2S3 является весьма крутым, и величина размытия не превышает нескольких нанометров.

Четвертая глава. В главе 4 разработано теоретическое описание процесса фотохимического превращения пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), в частности AsSe. С помощью предложенной модели проведен анализ результатов экспериментов по исследованию фотопотемнения тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников под действием импульсного излучения ArF эксимерного лазера с длиной волны излучения 193 нм

Моделирование фотохимических превращений позитивного фоторезиста описывается известными уравнениями Дилла [6]. В модели Дилла оптическая чувствительность не зависит от интенсивности света, из чего следует, что экспозиция, необходимая для засветки пленки, не зависит от интенсивности падающего света. Проведенные эксперименты показали, что в неорганических тонких пленках, например, в случае ХСП, интенсивность света существенно влияет на необходимую экспозицию. Для адекватного описания фотоиндуцированных трансформаций в халькогенидных полупроводниках система уравнений Дилла была модифицирована.

Показаны экспериментальные [7] и расчетные зависимости фотопотемнения пленок AsSe толщиной 200 нм, под действием импульсного излучения эксимерного лазера. При моделировании были использованы следующие значения параметров, обеспечивающие наилучшее согласие результатов расчетов с экспериментальными данными: чуствительность С = 3 • 10-3 ^, пороговая интенсивность Ith = 1.7 • 104 .

Проведены расчеты, показывающие, что в случае "нелинейных" фоторезистов, у которых скорость фотохимического преобразования не прямо пропорциональна интенсивности падающего света, правильный подбор интенсивности падающего света и дозы облучения позволяет достичь сужения переходной области между засвеченными и незасвеченными участками, что приводит к улучшению качества передачи изображения при фотолитографии.

Таким образом, предложенная модель для теоретического описания фотоиндуцированных трансформаций в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, в которых нарушается закон взаимозаменяемости длительности экспозиции и интенсивности света, позволила объяснить эффект усиления контраста передачи изображения. Проведенное моделирование экспериментов по фотопотемнению пленок AsSe, позволяет утверждать, что предложенная модель достаточно адекватно описывает фотоиндуцированные трансформации халькогенидных стеклообразных полупроводников.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Калитеевская, Наталия Алексеевна

Основные результаты работы изложены в следующих публикациях: 1. L.G.Gladysheva, N.A.Kaliteevskaya, R.P.Seisyan, D.V.Smirnov, S.R.Babushkin, M.A.Vasilevski. High-resolution capability for contact printing by pulsed excimer laser radiation in thin films.// SPIE Proceedings -Vol. 2723.- 1996.-33.

2. Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян, Д.В.Смирнов. Возможность осуществления контактной литографии периодических структур с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения.// Письма в ЖТФ.- т.22,-1996.-вып. 15 .-С.73-77.

3. Л.Г.Гладышева, Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян, Д.В.Смирнов. Получение периодических структур с шириной полосы 0.1 мкм контактной печатью на тонких пленках сульфида мышьяка при использовании импульсного излучения эксимерного лазера.// Письма в ЖТФ. т.22.-1996.-вып.15.-с.91-94.

4. Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян, Д.В.Смирнов. Возможность осуществления контактной литографии периодических структур с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения.// Тезисы конференции "Прикладная оптика 96".-1996.-218.

5. Н.А.Калитеевская, О.И.Коньков, Е.И.Теруков, Р.П.Сейсян. Исследование порога абляции для аморфных алмазоподобных пленок под действием излучения ArF эксимерного лазера.// Тезисы докладов II Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". Санкт-Петербург.- 3-5 июля 2000 г.- С. 65.

6. Н.А.Калитеевская, О.И.Коньков, Е.И.Теруков, Р.П.Сейсян. Исследование порога абляции для аморфных алмазоподобных пленок под действием излучения ArF эксимерного лазера.// Письма в ЖТФ.-т.26.-2000.-вып. 23. -С.11-15.

7. Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян. Моделирование фотохимических превращений и фотопотемнения пленок фоторезистов под действием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения.// ФТП.-т.34- 2000.-вып.7.- С.857-860.

8. Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян. Эффект усиления контраста передачи изображения при взаимодействии ультрафиолетового излучения с пленками неорганических фоторезистов.// ФТП.-т.35.-2001.-вып.2.- С.233-236.

9. N. A. Kaliteevskaya, R.P.Seisyan. Modelling of photochemical changes and photodarkening of AS2S3 films under pulse vacuum ultraviolet radiation.// Proc.SPIE.-v.4423.-2001.- in press.

10.Н.А.Калитеевская, Р.П.Сейсян. Эффект усиления контраста передачи изображения при взаимодействии ультрафиолетового излучения с пленками неорганических фоторезистов.// Известия Академии наук. Серия физическая.- том 65.-2001.-N.4.- с.475-477.

Заключение

Диссертационная работа посвящена исследованию физических явлений, происходящих при взаимодействии интенсивного лазерного излучения вакуумного ультрафиолетового диапазона с широким кругом тонкопленочных покрытий неорганических материалов.

Основными результатами диссертационной работы являются следующие:

1. На основе модели бесконечного фотошаблона в условиях контактной печати показана возможность формирования периодического рисунка, даже в том случае, если длины волны превосходит межэлементный зазор.

2. При точном регулировании зазора между фотошаблоном и поверхностью фоторезиста можно управлять интерференционной картиной на поверхности фоторезиста.

3. Выполнен эксперимент по контактной литографии рисунка с размерами в 2.5 раза меньшими, чем длина волны актиничного излучения. Получено amin =8 Онм, что соответствует разрешающей способности R=6250 при использовании тонких пленок AS2S3 и актиничного излучения 193 нм.

4. Создана модель, описывающая преобразования, происходящие в фоторезисте под действием актиничного излучения. Разработанная модель распространяет известную для позитивных органических фоторезистов модель Дилла на случай нелинейных преобразований, реализующихся в неорганических материалах под действием импульсного ВУФ излучения.

5. Предложено феноменологическое описание зависимости изменения концентрации исходного материала от интенсивности, учитывающее пороговый характер данной зависимости.

6. Определены параметры пленок AsSe как фоторезиста для литографии с использованием излучения AtF(A,=193hm) эксимерного лазера, в том числе

3 3 оптическая чувствительность 0=3-10" см /Дж и пороговая интенсивность Ith= 1.7-104 Дж/см3 - с.

7. На основе модели фотопотемнения предложено объяснение нарушения закона взаимозаместимости длительности экспозиции и интенсивности света и эффекта усиления контраста передачи изображения.

8. Изучено влияние нарушения закона взаимозаместимости длительности экспозиции и интенсивности света на формирование изображения при фотолитографии. Получено, что существует интенсивность излучения, при которой достигается минимальная ширина переходной области между засвеченными и незасвеченными участками.

9. В широком круге материалов показано, что можно добиться эффектов: фотопотемнения, изменения растворимости, абляции, перспективных для целей создания микроприборов с субмикроннами размерами элементов рисунка.

10.В алмазоподобных пленках, пленках оксида титана и оксида индия под воздействием вакуумного ультрафиолетового излучения наблюдается абляция материала. Пороги абляции в данных материалах составляют

9 2 2 соответственно 20мДж/см (А,=193нм), 28 мДж/см (^=248нм), 40 мДж/см (А,= 193нм). В материалах Cr203, Cr203:Cr, SmxYixS (х=0.83, 0.85, 1) под действием излучения А,=248нм аблятивного удаления материала зафиксировано не было.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Калитеевская, Наталия Алексеевна, 2001 год

1. M.J.Flynn, P.Hung, K.W.Rudd. Deep-submicron microprocessor design issues.//IEEE Micro.-V.19.-1999.-N4.-P.l 1-22.

2. Keisuke Nakazawa, Toshio Onodera, Masaru Sasago. Approach to Next-Generation Optical Lithography.//Jpn. J. Appl. Phys.-Vol.38.-1999.-N5A.-P.3001-3002.

3. A.K.Wong, R.Ferguson, S.Mansfielf, A.Molless, D.Samuels, R.Schuster, A.Thomas. Level-specific lithography optimization for 1-Gb DRAM.//IEEE Transactions on semiconductor manufacturing.-V.13.-2000.-Nl.-P.76-85.

4. Thomas A. Znotins. Excimer lasers: an emerging technology in Semiconductor processing.//Solid State Technlogy.-Vol.29.-1986.-N9.-P.99-104.

5. Г.Н.Березин, А.В.Никитин, Р.А.Сурис. Оптические основы контактной фотолитографии.- М.:Радио и связь, 1982.

6. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.-М.: Высш. шк., 1986.-368 е., ил.

7. У.Моро. Микролиторафия. Принципы, методы, материалы.; пер. с англ. под ред. Р.Х.Тимерова.-М.:Мир, 1990.-1240 с.

8. M.Bolsen, G.Buhr, H.Merrem, and К.Van Werden. One micron lithography using a dyed resist on highly reflective topography .//Solid State Technology.-Vol.29.-1986.-N.2.-P.83-88.

9. Avtar S. Oberai. Lithography challenges of the future.//Solid State Technology.-Vol.30.-1987.-N9.-P. 123-128.

10. R.DeJule. Lithography: 0.18|um and beyond.// http:\www.semiconductor.net. February 1998.

11. Р.П.Сейсян. Скрытый кризис микроэлектроники на пороге XXI века.//Окно в микромир.-Т. 1 .-2000.-N1 .-С. 11-19.

12. M.Rothschild, D.J.Ehrlich. A review of excimer laser projection lithography .//J. Vac.Sci.Technol. B.-Yol.6.-1988.-Nl.-P.l-17.

13. R.DeJule. Optical lithography: 100 nm and beyond.// http:\www.semiconductor.net. Sept. 1998.

14. Kazuhiro Kudo, Takashi Iwabuchi, Katsuhiko Muton at al. Study of hydogen vacuum-ultraviolet light sources for submicron lithography.//Jpn.J.Appl.Phys.-Vol.29.-1990.-Nl 1.-P.2572-2576.

15. Katsuhiko Mutoh, Takashi Iwabuchi, Kazuhiro Kudo at al. Nanometer pattern transfer by VUV lithography with a D2 lamp.//Jpn.J.Appl.Phys.-Vol.29.-1990.-N11.-P.2559-2562.

16. H.H.G.Jellinek, R.Srinivasan. Theory of Etching of polimers by far-ultraviolet, high-intensity pulsed laser and long-term irradiation.//J.Phys.Chem.-Vol.88.-1984.-P.3048-3051.

17. M.Rothschild, D.J.Ehrlich Attainment of 0.13-цт lines andspaces by excimer-laser projection lithography in "diamond-like" carbon-resist.//J.Vac.Sci.Technol.B-Vol.5.-1987.-Nl-P. 389-390.

18. Henry I. Smith. A model for comparing latitude in ultraviolet, deep-ultraviolet, and x-ray lithography .//J. Vac.Sci.Technol.B.-Vol. 6.-1988.-N1.-P.346-349.

19. J.H.Brannon. Micropattering of surfaces by excimer laser projection.// J. Vac. Sci.Technol.B.-Vol.7.-1989.-N5 .-P. 1064-1071.

20. E.A.Chandross, E. Reichmanis, C.W.Wilkins at al. Photoresist for deep UV lithography//Solid State Technology.-Vol.24.-1981.-N8.-P.81-85.

21. Yoshiko Hara. Lithography advance cuts patterns below 0.1 jli.// http://techweb.cmp.com/ect/news/98/988news/litho.htm 25-Jan-98

22. Xiaodong Fang, Minoru Tachiki, Takeshi Kobayashi. Excimer laser ablation of Ru02 observed by a streak camera.//J.Appl.Phys.-Vol. 85.-1999.-N4.-P.2402-2407.

23. Yasuyuki Tsuboi, Masaharu Goto, Akira Itaya. Thin films formation of poly(N-vinylcarbazole) by laser ablation deposition.//.!.Appl.Phys.-Vol.85.-1999.-N8.-P.4189-4195.

24. R.Srinivasan. Kinetics of ablative photodecomposition of organic polimers in the far ultraviolet (193nm).//J.Vac.Sci.Technol.-Vol.B 1.-1983.-N4.-P.923-926.

25. Е.Г.Бараш, А.Ю.Кабин, В.М.Любин, Р.П.Сейсян. Воздействие импульсного вакуумного ультрафиолета на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников AsSe и As2S3.//)KT<&.-T.62-1992.-B.3.-C. 106-113.

26. David Seeger. Chemically amplified resists for advanced lithography: Road to success or detour?//Solid State Technology.-Vol.40.-1997.-N6.-P.l 15-121.

27. Derbyshire K. Issues in advanced lithography.//Solid State Technology.-Vol.40.-1997.-N5.-P. 133-138.

28. Hawryluk A.M., Ceglio N.M., Markle D.A. EUV lithography.//Solid State Technology.-Vol.40.-1997.-N7.-P. 151-159.

29. D.A.Tichenor, G.D.Kubiak, R.H.Stulen Extreme ultraviolet lithography for circuit fabrication at 0.1 (im feature size.// SPIE Proceed. Application of Laser Plasma Radiation II (Invited Paper).(12-14 July, 1995. San Diego, California)-V.2523-P. 23-28.

30. James H. Brannon, Karen W. Brannon Ultraviolet photoetching of copper.//J.Vac.Sci.Technol. B-Vol.7.-1989.-No.5.-P. 1275-1283.

31. V.Craciun, W.Boyd, D.Craciun, P.Andreazza, J.Perriere. Vacuum ultraviolet annealing of hydroxyapatite films grown by pulsed laser deposition.//J. Appl. Phys.-V.85.-1999.-N12.-P.8410-8414.

32. F.Foulon, M.Green. Though-wafer via fabrication in gallium arsenide by excimer laser projection pattering etching.//J.Vac.Sci.Technol.B.-V.ll.-1993.-N5.-P.1854-1858.

33. S.Chichibu, T.Nii, T.Akane, S.Matsumoto. Use of tertiarybutylarsine in ArF excimer laser doping of arsenic into silicon.//J.Vac.Sci.Technol.B.-V.l 1.-1993.-N2.-P.341-343.

34. T.F.Deutsch, M.W.Geis. Self-developing UV photoresist using excimer laser exposure.//J.Appl.Phys.-V.54.-1983.-N12.-P.7201-7204.

35. D.J.Ehrlich, J.Y.Tsao, C.O.Bozler. Submicron pattering by projected excimer-laser-beam induced chemistry.//Vac.Sci.Technol.B.-V.3.-1985.-N1 .-P. 1 -8.

36. L.F.Johnson. Optical writting of dence 1000 A features in photoresist.//Appl.Opt.-Vol.21.-1982.-Nl 1-P. 1892-1893.

37. M.Rothschild, C.Arnone, DJ.Ehrlich. Excimer-laser etching of diamond and hard carbon films by direct writing and optical projection.//J.Vac.Sci.Technol.B-Vol.4.-N1.-P. 310-314.

38. M.Latta, R.Moor, S.Rice, K.Jain. Excimer laser projection photoetching.//J.Appl.Phys.-V.56.-1984.-N2.-P.586-588.

39. J.Canning. Challenges of Next-Generation lithography.// httpAwww.semiconductor.net. September 2000

40. С.С.Андреев. С.А.Булгакова, С.В.Гапонов и др. Исследования в области проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона (Ъ®13нм) в ИФМ РАН. Материалы рабочего совещания "Рентгеновская оптика-99" Нижний Новгород. 1-4 марта 1999г.

41. Г.Н.Кулипанов, А.Н.Скринский. Использование синхротронного изучения: состояние и перспективы.//УФН-Т.122.-1977.- В.З.-С. 369-418.

42. S.V.Bobashev, A.V.Golubev, D.A.Mosesyan et al. Focusing of soft x-rays from a laser-plasma source by multilayer mirror.//Tech.Phys.-V.40.-1995.-N.10.-P.1011-1016.

43. Xin Xu, J.I.Steinfeld. UV-laser photodeposition of iron films from Fe(CO)5 '• role of gas-phase and surface dissociation processes.//Appl.Surf.Sci.-Vol.45.-1990.-P. 281-300.

44. D.B.Chrisey, G.K.Hubler. Pulsed Laser Deposition of Thin Films.- New York: Wiley.-1994.

45. V.Craciun, D. Craucin, P.Andreazza, J.Pettiere, I.Boyd. Vacuum ultraviolet annealing of thin films grown by pulsed laser deposition.//Appl.Surf.Sci.-V.138-139.-1999.-P.587-592.

46. K.Obata, K.Sugioka, H.Takai, K.Midorikawa. TiN growth on Si(100) by pulsed laser deposition using homogenized KrF excimer laser beam.//Appl.Surf.Sci.-V.138-139.-1999.-P.335-339.

47. A.Mechler, P.Heszler, Z.Kantor, T.Szorenyi, Z.Bor. Excimer laser irradiation induced formation of diamond-like carbon layer on graphite.//Appl.Surf.Sci.-V. 138-139.-1999.-P. 174-178.

48. G.L.Loper, M.D.Tabat. Submicrometer-resolution etching of integrated circuit meterials with laser-generated atomic 'fluorine.//J.Appl.Phys.-Vol.58.-1985.-N9.-P.3649-3650.

49. S.Gloor, W.Luthy, H.P.Weber, S.M.Pimenov, V.G.Ralchenko, V.I.Konov, A.V.Khomich. UY laser polishing of thick diamond films for IR windows.//Appl.Surf.Sci.-V. 13 8-139.-1999.-P. 135-139.

50. Y.F.Lu, Y.Zhang, Y.H.Wan, W.D.Song. Laser cleaning of silicon surface with deposition of different liquid films.//Appl.Surf.Sci.-V.138-139.-1999.-P.140-144.

51. K.Mann, B.Wolff-Rottke, F.Muller. Cleaning of optical surfaces by excimer laser radiation.//Appl.Surf.Sci.-V.96-98.-1996.-P.463-468.

52. T.Sameshima. Laser beam application to thin film transistors.//Appl.Surf.Sci.-V.96-98.-1996.-P.352-358.

53. K.Zimmer, D.Hirsch, F.Bigl. Excimer laser machining for the fabrication of analogous microstructures.//Appl.Surf.Sci.-V.96-98.-1996.-P.425-429.

54. A.Hand. Industry pushes ahead with 157 nm lithography.// http:\www.semiconductor.net. October 2000

55. T.Lippert, R.L.Webb, S.C.Langford, J.T.Dickinson. Dopan induced ablation of poly(metil methacrylate) at 308 nm.//J.Appl.Phys.-Vol. 85.-1999.-N3.-P.1838-1847.

56. S.W.Pang, R.R.Kunz, M.Rothschild, R.B.Goodman, M.W.Horn. Aluminum oxides as imaging materials for 193-nm excimer laser lithography.//Vac.Sci.Technol.B.-V.7.-1985.- N6.-P. 1624-1628.

57. S.Takahashi, M.Ohashi, S.Fukatsu, Y.Shiraki, R.Ito. Sub-100 nm pattern formation using a novel lithography with SiNx resist by focused ion beam exposure and dry-etchong development.//Vac.Sci.Technol.B.-V.ll.-1993-N2.-P.268-235.

58. V.A. Burtsev. Insationarity of e-beam pumping processes in short-pulse-duration gas lasers of VUV-range.// Proceed. 12-th Intern. Conf. on High Power Particle Beams. BEAMs'98. (Haifa, Israel, June 27-30, 1998).-V.II.-P.703-706.

59. T.W.Barbee, S.Mrowska S., M.C.Hettrick.//Appl.Opt.-YoI.24.-1985.-P.883.

60. A.M.Hawryluk, L.G.Seppala. Soft X-ray projection lithography using an X-ray reduction camera.// J.Vac.Sci.Technol.B.- V.6.-1988.-N2.- P.2162-2166.

61. T.M.Baer Diod laser pumping of solid-state lasers.//Laser focus.-June 1986.-P.82-92.

62. L.Marshall. Will solid-state lasers get the green light ?//Laser Focus World.-Vol.31.- 1995.-N2.-P.87-96.

63. L.Marshall. Diode-pumped lasers begin to fulfill promise.//Laser Focus World.-Vol.34.- 1998.-N6.-P.63-72.

64. Y.Kawamura, K.Toyoda, S.Namba. Effective deep ultraviolet photoetching of polymethyl metharcylate by an excimer laser.// Appl.Phys.Lett.-Vol.40.-1982.-P.374-375.68.0razio Svelto. Principles of laser. Plenum Press. New York and London.

65. Басов Ю.Г. и др. Серийные эксимерные лазеры.//3арубежная электронная техника.-1985-N5 .-С.45-67.

66. S.V.Bobashev, A.V.Golubev, D.A.Mosesyan et al. Focusing of soft к-rays from a laser-plasma source by multilayer miiror.//Tech.Phys.-V.40.-1995.-N.10.-P.1011-1016.

67. Бобров С.Т., Гейсух Г.И., Туркевич Ю.Г. Оптика дифракционных элементов и систем. Л.Машиностроение, 1986. - 223с.

68. L.F.Johnson, G.W.Kammlottv, K.A.Ingersoll. Generation of periodic surface corrugations.// Appl.Optics.-Vol. 17.-1978.-N8.-P. 1165-1181.

69. Ж.И.Алферев, С.А.Гуревич, Р.Ф.Казаринов, М.Н.Мизеров, Е.JI.Портной, Р.П.Сейсян, Р.А.Сурис. ПГК со сверхмалой расходимостью излучения.//ФТП-Т.8.-1974.-В.4.-С.832-833.

70. D.A.McGillis, D.L. Fehrs. Photolithigraphic Linewidth Control.//IEEE Transactions on electron devices.-Vol. ED-22.-1975.-N7.

71. М.Борн, Э.Вольф. Основы оптики. М.: Наука, 1973.- 720 с.

72. Н.И.Калитеевский Волновая оптика.- М.:Наука, 1995.

73. Burn Jeng Lin. Electromagnetic Near-Fielf Diffraction of a medium slit.// J.Opt.Society of America.-Vol.62.-No8.-P.976-981.

74. Dill, W.P. Hornberger, P.S. Hauge, //IEEE Transaction on electron devices.-Vol.ED-22.-1995.-N.7.-P.445-452.

75. Н.А.Калитеевская, О.И.Коньков, Е.И.Теруков, Р.П.Сейсян. Исследование порога абляции для аморфных алмазоподобных пленок под действием излучения ArF эксимерного лазера.//Письма в ЖТФ.-Т.26.-В.23.-С.11-15.

76. В.Г.Беспалов, А.П.Жевлаков, Д.О.Лещенко и др. Пространственная когерентность излучения электроразрядных ХеС1-лазеров.//Оптика и спектоскопия.-Т.80.-1996.-К5.-С.871-876.

77. V.Mastelaro, S.Benazeth, H.Dexpert. Exafs study of Ag-As-S ionic conductor glasses.// Journal de physique IV. -Vol.2.-1992.-C2.-P. 195-200.

78. C.J.Benmore, P.S.Salmon. Structure of fast-ion conducting and semiconducing glassy chalcogenide alloys.// Phys.Rev.Lett.-Vol.73.-1994.-N2.-P.264-267.

79. V.Lyubin, M.Klebanov, T V.ikhomirov, G.Adriaenssens Appearance and reorientation of photoinduced anisotropy in chalcogenide glassy films.// Journal of non-crystalline solids. -Vol.200. Part2.-1996.- P.719-722.

80. G.J.Adriaenssens, V.K.Tikhomirov, S.R.Elliott Mechanism and kinetics of photoinduced anisotropy in chalcogenide glasses.// Journal of non-crystalline solids. -Vol.230- Part B.-1998.-P. 688-693.

81. M.Brun, H.Klewe-Nebenius, G.Pfennig, E.Bychkov, H.J.Ache Production and surface analytical characterization of various chalcogenide glass thin films for analytical microdevices.//Surface & coating technology.-Vol.97.-1997.-No.l-3.-P.707-712.

82. V.Palyok, A.Mishak, I.Szabo, D.L.Beke, A.Kikineshi. Photoinduced transformation and holographic recording in nanolayerad a-Se/As2S3 and AsSe/ As2S3 films.//Appl.Phys.A.- Vol.68.-1999.- N4.-P.489-492.

83. V.M.Lubin, A.M.Sedykh, N.N.Smirnova, V.P.Shilo Inorganic photoresists based on chalcogenide glassy semiconductors.// Soviet Microelectronics. -Vol. 18.-1989.-N.6.-P.303-305.

84. S.V.Mamedov, M.D.Mikhailov, V.G.Pogoreva, O.A.Yakovuk //Inorganic materials. -Vol.23.-1987.-N11 .-P. 1592-1595.

85. A.V.Razin Calculation of certain photochemical properties of glasses in the GeSe2- As2S3; As2S3- As2Te3, AsSe-AsTe, and As2S3-Se systems.// Inorganic materials.- Vol. 17.-1981.- N2.-P. 162-165.

86. V.Lyubin, M.Klebanov. Photoinduced generation and reorientation of linear dichroism in AsSe glassy films.// Phys.Rev.B- Yol.53.-1996.-N.18.-P. 1192411926.

87. A.A.Kikineshi, V.I Mikla., D.G.Semak, M.M.Shiplyak A study of non-isothermal relaxation in the photographic AsSe layer recording.// Ukrainskii Fizicheskii zhurnal. -Vol.28.-1983.-N5.-P. 786-788.

88. A.V.Legin, E.A.Bychkov, Y.G.Vlasov. Thin layer chemical sensors based on chemically deposited and modified chalcogenide glasses.// Sensors and actuators В.- Vol. 15.-1993.-N1 -3.-P. 184-187.

89. И.О.Коньков, И.Н.Трапезникова, Е.И.Теруков. Подвижность электронов и плотность состояний в а-С:Н.// ФТП.- Т.28.-1994.-В.8.-С.1406.

90. A.Callegari, A.T.Pomerene, H.J.Hovel, E.B.Babich, S.Purushothaman, J.M.Shaw. Optical properties of hydrogenated amorphous-carbon film for attenuated phase-shift mask applications. //J.Vac.Sci.Technol.B.-Vol.ll.-1999.-N6.-P.2697-2699.

91. И.О.Коньков, И.Н.Капитонов, И.Н.Трапезникова, Е.И.Теруков. Измерение количества свободного и связанного водорода в аморфном углероде. //Письма в ЖТФ.- 1997.-Т.23.-В. 1 .-С. 3-8.

92. O.I.Kon'kov, E.I.Terukov, I.N.Trapeznikova. Fabrication and properties of low-temperature tetrahedral amorphous carbon films. //Semiconductors.- V.30.-1996.-N12.- P. 1138-1139.

93. Hamberg, C. G. Granqvist. Evaporated Sn-dopted ln203 films: basic optical properties and applications to energy-efficient windows.// J. Appl. Phys.-Vol.60.-1986.-N11.-R.123-160.

94. W.A. Badway, H.H. Afifand, E.M. Elgar. Optical and photovoltaic characteristics of in-modified Sn02 thin films.//J. Electrochem. Soc.-Vol.l37.-1990.-P.1592.

95. K.L Chopre, S. Major, D.K. Pandya,// Thin Solid Films.-Vol. 102.-1983.-N.l.

96. G.B.Shinn, F.Steigerwald, H.Stieglar, R.Saurbrey, F.K.Tittel, W.L.Wilson. Excimer laser photoablation of silicon. //J.Vac.Sci.Technol.B.-Vol.4.-1986.-N.6.-P.1273-1277

97. Younggun Han, Donghwan Kim, Jun-Sik Cho, Seok-Keun Koh, Yo Seung Song, //Solar Energy Material and Solar Cells.-Vol.65.-2000.-P.211-218.

98. D. Sueva, S.S. Georgiev, N. Nedev, A. Toneva, N.Chuikov, //Vacuum.-Vol.58.-2000.-N.2-3.-P.308-314.

99. S.Fahler, H.-U. Krebs. Calculations and experiments of material removal and kinetic energy during pulsed laser ablation of metals.//Appl.Surf.Sci.-Vol.96-98.-1996.-P.61-65.

100. A.D.Boardman, Bcresswell, J.Anderson. An analitical model for the laser ablation of materials.// Appl.Surf.Sci.-Vol.96-98.-1996.-P.55-60.

101. B.Salle, C.Chaleard, V.Detalla et al. Laser ablation efficiency of metal samples with UV laser nanosecond pulses.// Appl.Surf.Sci.-Vol.138-139.-1999.-P.302-305.

102. J.Wang, H.Niino, A.Yabe. Laser ablation of poly(methylmethacrylate) doped with aromatic compounds: laser intensity dependence of absorption coefficient. //Jap.J.Appl.Phys.-Vol.38.-Partl.-1999.-N.2A.-P.871-876.

103. R.Sauerbrey, G.H.Pettit. Theory for the etching of organic materials by ultraviolet laser pulses.//Appl.Phys.Lett.-Vol.55.-1989.-N5 .-P.421 -423.

104. G.S.Herman, Y.Gao, T.T.Tran, J.Osterwalder. X-ray photoelectron diffraction study of anatase thin film: ТЮ2(001).// Surf.Sci.-Vol.447.-2000.-P.201-211.

105. H.Norenberg, F.Dinelli, G.A.D.Briggs. The surface structure of Ti02(001) after high temperature annealing studied by AFM, STM, and optical microscopy.//Surf.Sci.-Vol.446.-1996.-L83-L88.

106. P.E.Dyer, R.Srinivasan.//Appl.Phys.Lett.-Vol.48.-1986.-P.445.

107. G.Gorodetsky, T.G.Kazyaka, R.L.Melcher, R.Srinivasan. Calometric and acoustic study of ultraviolet laser ablation of polymer.//Appl.Phys.Lett.-Vol.46.-1985.-N9.-P.828-830.

108. V.Srinivasan, Mark A.Smrtic, S.V.Babu. Excimer laser etching of polymers.//J. Appl.Phys.-Vol.59.-1986.-N11 .-P.3 861-3867.

109. F.W.Dabby, U.C. Раек./ЯЕЕЕ J.Quantum. Electron.-Vol.QE-8.-1972.-P.106.