Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Болесов, Игорь Анатольевич

• Болесов, Игорь Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Болесов, Игорь Анатольевич

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Физические основы работы pin-ФД и влияние 10 поверхности на их характеристики.

1.1.1 Особенности работы фотодиодов.

1.1.2 Влияние поверхности на ВАХ диода. 11 1.1.3. Методы устранения влияния поверхности.

1.2. Влияние облучения на свойства кремния.

1.2.1 Облучение ионами В+ и BF2+.

1.2.2 Влияние облучения ионами азота.

1.2.3 Влияние облучения другими ионами.

1.3. Применение ионной имплантации в технологии 20 изготовления полупроводниковых приборов.

1.3.1 Применение ИИ для формирования активных областей.

1.3.2 Применение ИИ для модификации и управления 23 свойствами ранее сформированных структур.

1.3.3 Применение ИИ для формирования изолирующих слоев.

1.4. Выводы главы 1.

Глава 2. Методики исследований, разработка измерительных 29 методик и результаты исследований диффузионных планарных pin-структур.

2.1 Объект исследования

2.2 Маршрут изготовления pin-фотодиодов.

2.3 Методики исследований

2.3.1 Методика измерения ВАХ pin-структур.

2.3.2 Измерение сопротивления канала.

2.3.3 Измерение времени жизни неосновных носителей заряда 34 в базе по переходным характеристикам (метод Лэкса).

2.3.4 Разработка экспресс-методики измерения C-V 35 характеристик МДП-структур.

2.3.5 Разработка методики измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов.

2.4. Результаты исследований диффузионных планарных pin- 50 структур.

2.4.1 Результаты локального и полного стравливания 52 защитной пленки SiC>2.

2.4.2 Результаты изучения C-V-характеристик МДП-структур.

2.4.3 Обсуждение результатов экспериментов.

2.5. Выводы главы 2.

Глава 3. Исследование влияния топологических приемов и 64 имплантационного геттерирования на ВАХ диффузионных pin-структур.

3.1. Результаты формирования внешнего стоп-канала.

3.1.1 Внешний диффузионный стоп-канал.

3.1.2 Внешний имплантационный стоп-канал.

3.1.2.1 Внешний стоп-канал, сформированный низкодозовым 69 подлегированием.

3.1.2.2 Внешний стоп-канал, сформированный низкодозовой 72 двухстадийной имплантацией ионов бора.

3.1.2.3 Внешний стоп-канал, сформированный имплантацией 75 средних доз ионов В+ через пленку Si02.

3.1.2.4 Обсуждение результатов по внешнему стоп-каналу.

3.2. Результаты применения комбинированного стоп-канала.

3.2.1. Диффузионный комбинированный стоп-канал.

3.2.2. Комбинированный имплантационный стоп-канал.

3.2.2.1 Комбинированный стоп-канал, сформированный 83 низкодозовым легированием.

3.2.2.2 Комбинированный стоп-канал, сформированный 85 имплантацией ионов В+ через пленку S1O2 со средними дозами.

3.2.2.3 Комбинированный стоп-канал, сформированный 87 высокодозовой имплантацией ионов В+ через пленку Si02

3.2.2.4. Обсуждение результатов по комбинированному стоп-каналу.

3.3. Результаты применения имплантации ионов BF2+ для 89 геттерирования pin-структур.

3.4. Выводы главы

Глава 4. Результаты ионных обработок поверхности, 92 направленных на устранение недостатков диффузионной технологии.

4.1. Сравнение результатов имплантации ионов N"1" и N2+.

4.2. Имплантация ионов N2+ после формирования 94 меза-структуры.

4.3. Имплантация ионов N2+ после подлегирования 101 приповерхностной области бором.

4.4. Результаты имплантационного геттерирования защитной 106 пленки Si02 и границы раздела Si-Si02.

4.5. Выводы главы 4. 110 Основные результаты и выводы 113 Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации»

Актуальность работы обусловлена тем, что pin-фотодиоды относятся к наиболее востребованным приборам фотоэлектроники специального назначения. Главное их применение - в объектах, наводимых по лазерному лучу с длиной волны 1,06 мкм. Разработаны и по диффузионной технологии серийно изготавливаются на ОАО «МЗ «Сапфир» pin-фотодиоды первого поколения, стыкующиеся с предварительными усилителями, и выпускающиеся в составе фотоприемного устройства. При переходе к разработке pin-фотодиодов новых поколений с повышенными требованиями к фотоэлектрическим параметрам на основе имеющейся производственной базы, как правило, наблюдаются "сбои", приводящие к резкому и длительному снижению или вообще утере выхода годных приборов.

Эти "сбои" обусловлены наличием неконтролируемых примесей в химических реактивах и газах, используемых в технологических процессах, неконтролируемых потоков примесных атомов, выделяющихся при термических обработках, а также "сбоями" в режимах проведения термообработок. Зачастую поиск причин снижения выхода годных продолжается длительное время и не всегда удается четко определить его причины. В этих случаях проще бывает найти возможность устранить следствие этих причин.

В этом смысле огромные возможности дает значительно продвинувшийся к настоящему времени метод ионной имплантации. Метод позволяет модифицировать свойства кристаллов и аморфных пленок, изменяя их в диапазоне свойств от полуметалла до диэлектрика, позволяет эффективно и в высшей степени управляемо создавать слои, выполняющие функции стоков дефектов и быстродиффундирующих атомов. К тому же метод, как правило, сопровождается низкотемпературными термообработками, щадящими объемные свойства кристалла. В то же время ионная имплантация проигрывает в конкуренции с диффузионной технологией по качеству металлургической границы р-п-переходов и диэлектрическим свойствам защитных диэлектрических пленок, использующихся одновременно и как маска при локальных процессах диффузии.

Отсюда следует, что и с точки зрения достижения наилучших характеристик создаваемых приборов и экономической эффективности перспективно сочетание диффузионных и имплантационных процессов в технологии полупроводниковых приборов, в том числе pin-фотодиодов.

Цель работы заключается в том, чтобы в процессе разработки pin-фотодиода нового поколения на основе имеющейся технологической базы ОАО «МЗ «Сапфир» провести комплексные исследования характеристик изготавливаемых приборных структур, выявить наиболее характерные недостатки имеющейся технологии и определить возможности устранить последствия этих недостатков за счет разработанных имплантационных процессов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. В планарных диффузионных pin-структурах на Si обнаружен размерный эффект продольной поверхностной миграции положительных ионов из защитной пленки Si02, показывающий необходимость полного удаления защитной пленки, содержащей эти ионы.

2. Показана более высокая эффективность ионов N2+ по сравнению с ионами N+ при поверхностных обработках планарных диффузионных п+-р переходов. Результат объясняется более эффективным дефектообразованием в Si при имплантации ионов N2+.

3. Показано, что дефектные поверхностные слои, сформированные ионной имплантацией, обладают способностью устранять поверхностные инверсионные слои, сформированные положительным зарядом, встроенным в защитную пленку Si02 на поверхности p-Si.

4. Обнаружен эффект повышения защитных свойств планарных п+-р переходов дефектными поверхностными слоями, созданными имплантацией ионов N2+, при предварительном подлегировании поверхности с применением имплантации ионов бора.

Эффект объясняется повышением дефектности слоев, формируемых ионной имплантацией, при большей степени легирования за счет повышения эффективности связывания имплантационных дефектов при наличии примесных атомов.

5. Обнаружена возможность низкотемпературного (500С) геттерирования подвижных ионов в защитной термической пленке Si02 дефектами, введенными в пленку имплантацией ионов N2+ Показано положительное влияние такого геттерирования на ВАХ планарных диффузионных п+-р переходов pin-структур.

6. Показана возможность повышения эффективности геттерирования базовой области планарных диффузионных pin-структур при применении имплантации ионов BF2+ после диффузионного подлегировании. При этом время жизни неосновных носителей заряда в базе возрастет в 1,5-2 раза.

Практическая значимость:

1. Разработана и внедрена в производство экспресс-методика измерения и расчета C-V характеристик тестовых МДП- структур для технологического контроля процессов окисления при изготовлении диффузионных pin-структур.

2. Разработана методика измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда и скорости поверхностной рекомбинации в тонких полупроводниковых пластинах на основе формирования симметричных р-п переходов на противоположных сторонах пластины и измерения сигналов фотоответа при двух полярностях приложенного к такой структуре напряжения и двух диаметрах пучках воздействующего излучения.

3. Разработан и предложен для практического применения метод поверхностной обработки, приводящей к уменьшению темновых токов диффузионных pin- структур за счет введения дефектов при имплантации периферии всех п+-р переходов после стравливания защитной пленки Si02 ионами N2+ (Е=100кэВ, Ф=6-1016см"2) и предварительного имплантационного

13 2 0 подлегирования (В , Е = ЮОкэ В Ф = 6-10 см" , 800 С в течение 2 часов в атмосфере азота).

4. Предложен и рекомендован для внедрения в серийную технологию метод формирования стоп-канала, заключающийся в имплантации ионов В+ (Е=100 кэВ, Ф=3,61014 см'2) через защитную пленку Si02 толщиной ~ 0,55 мкм.

5. Предложен и рекомендован для внедрения в серийную технологию метод геттерирования подвижных ионов в защитной пленке S1O2 диффузионных pin-структур, включающий обработку пленки имплантацией ионов N2+ (Е=60 кэВ, Ф=М016 см"2) и последующий низкотемпературный отжиг (500°С в 1 час в потоке азота).

6. Предложен и рекомендован к внедрению в серийную технологию метод дополнительного геттерирования диффузионных pin-структур, позволяющий в 1,5-2 раза увеличить время жизни неосновных носителей заряда в базе. Метод заключается в имплантации ионов BF2+ (Е=100 кэВ,

1 S "У

Ф=310 см" ) в обратную сторону пластины с последующим отжигом при температуре 900°С в течение 1 часа после формирования омического контакта загонкой бора.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследований влияния поверхностной обработки, приводящей к уменьшению темновых токов диффузионных pin- структур за счет введения дефектов при имплантации периферии всех п'-р переходов после стравливания защитной пленки Si02 ионами N+ и N2+ (Е=100кэВ, Ф=(1-г6)-1016 см"2) и предварительного имплантационного подлегирования

13 2°

В , Е=100 кэВ Ф=6-10 см' , 800 С в течение 2 часов в атмосфере азота).

2. Результаты формирования стоп-канала имплантацией ионов В+ (Е=100 кэВ, Ф=3,61014 см"2) через защитную пленку Si02 толщиной ~ 0,55 мкм.

3. Результаты генерирования подвижных ионов в защитной пленке

Si02 диффузионных pin-структур за счет обработки пленки имплантацией

16 2 ионов N2 (Е=60 кэВ, Ф=Ы0 см" ) и последующего низкотемпературного отжига (500°С, 1 час в потоке азота).

4. Результаты дополнительного геттерирования диффузионных pin-структур, позволяющего в 1,5-2 раза увеличить время жизни неосновных носителей заряда в базе. Метод заключается в имплантации ионов BF2+

I ^ 2

Е=100 кэВ, Ф=310 см" ) в обратную сторону пластины после формирования на ней омического контакта загонкой бора с последующим отжигом при температуре 900°С в течение 1 часа. Апробация работы:

Основные результаты диссертации отражены в 5 публикациях (см. страницу 115) и докладывались на XVII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборами ночного видения (Москва, 2000 г.), Международном научно-методическом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» 3-6 декабря 2002г.

Структура и объем диссертационной работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных результатов и выводов и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 127 страниц машинописного текста, включая 40 рисунков и 20 таблиц. Список литературы состоит из 134 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Болесов, Игорь Анатольевич

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Проведены комплексные исследования приборных и тестовых структур 8-площадочных квадрантных планарных pin-фотодиодов с охранным кольцом, изготавливавшихся в условиях серийного производства ОАО «Московский завод «САПФИР». Показано, что р-n переходы изготавливаемых приборных структур на основе высокоомного p-Si имеют более совершенную металлургическую границу и более высокую степень геттерирования объема кристалла по сравнению с прибором-прототипом. В то же время для изготовленных pin-фотодиодов характерны избыточные темновые токи, делающие фотодиоды несоответствующими требованиям по этому параметру. Избыточные темновые токи обусловлены утечкой по поверхностному каналу, наводимому в Si быстродиффундирующими ионами в защитной пленке Si02.

2. Изучены возможности снижения темновых токов топологическими приемами: созданием стоп-каналов двух типов методами диффузии и ионной имплантации - внешнего (за пределами охранного кольца) и - внешнего в сочетании с промежуточным (между площадками). Показана результативность применения внешнего стоп-канала. Второй тип стоп-канала требует тщательного подбора режимов и условий ионной имплантации.

3.Определены возможности устранения поверхностных токов утечки с применением ионных обработок двумя способами:

- имплантационным низкодозовым подлегированием периферии р-п т 2 переходов атомами бора (В , Е=100 кэВ, Ф=610 см" ) и отжигом (Т|=600°С, t|=30 мин и Т2=900°С, t2=60 мин) с последующей высокодозовой имплантацией ионов N2+ (Е=100 кэВ, Ф= 6-1016 см"2); геттерированием подвижных ионов из защитной пленки Si02

Ъ 15 2 имплантацией ионов N2 (Е=100 кэВ, Ф= 6-10 см" ) в периферийные области защищенного р-n перехода с последующим отжигом (Т=500°С, t=2-H- ч, в атмосфере азота).

Оба способа позволяют довести значение темновых токов до требуемого уровня. Второй способ рекомендован для внедрения в серийную технологию.

4.Разработан способ дополнительного геттерирования кристалла (после завершения формирования приборной структуры имплантацией обратной стороны пластины ионами BF2+ (Е=100 кэВ, Ф= 31015 см"2) с последующим отжигом при температуре 900°С в течение 1 часа в атмосфере азота). Способ позволяет увеличить значение т в базе готовой структуры на 20-^50%. Способ рекомендован для внедрения в серийную технологию.

5. Разработана экспресс-методика определения концентрации основных носителей заряда в поверхностной области Si и встроенного заряда в диэлектрике МДП-структуры без формирования омического контакта к полупроводнику и напыления контактных слоев на диэлектрик и полупроводник. Метод основан на измерении C-V характеристики МДП-структуры с прижимными индиевыми контактами и ее корректировки на основе результатов измерения добротности структуры. Способ внедрен в серийную технологию pin-ФД.

6. Предложен способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда и скорости поверхностной рекомбинации в тонких (d<L) пластинах полупроводника. Способ заключается в создании планарных симметричных р+-п (п+-р) переходов на обеих сторонах пластины и измерении токов, возбуждаемых световым или электронным пучком двух диаметров при обеих полярностях напряжения, прикладываемого к пластине. Расчетные формулы выведены на основе теории фототранзистора с «оторванной» базой.

Перечень работ, опубликованных по теме диссертации

1. В.П. Астахов, И.А. Болесов, Д.А. Гиндин, В.В.Карпов, К.В.Сорокин О влиянии поверхностных и контактных явлений на характеристики фотодиодов на п-кремнии // Прикладная физика, №1, 2002г., с.48-55.

2. В.П. Астахов, И.А. Болесов, Е.Ф. Карпенко, В.В. Карпов, П.И. Лапин, Н.В. Филиппенко О возможностях применения ионных обработок при производстве pin-фотодиодов на кремнии. / Тезисы докладов XVII Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения 27-31 мая 2002 г, Москва, Россия.

3. В.П. Астахов, И.А. Болесов, В.В. Карпов, Н.В. Филиппенко. // Результаты поверхностной обработки периферии планарных р-п-переходов ртфотодиодов на кремнии / Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Доклады Международного научно-методического семинара 3-6 декабря 2002г. - М., 2003. с.88-96.

4. И.А. Болесов, В.П. Астахов, В.В. Карпов. Измерение диффузионной длины неосновных носителей заряда в тонких пластинах полупроводниковых кристаллов. // Приборы и техника эксперимента, № 2, 2003г., с.93-95.

5. В.П. Астахов, И.А. Болесов, Е.Ф. Карпенко, В.В. Карпов, П.И. Лапин, Н.В. Филиппенко. Результаты ионных обработок поверхности при изготовлении pin-фотодиодов на кремнии. // Прикладная физика, №5, 2003г., с. 106-111.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Болесов, Игорь Анатольевич, 2004 год

1. Зи С., "Физика полупроводниковых приборов", Москва, Энергия, 1984, с.580.

2. Wendland P., Optical Spectra, v. 7, N 10, 1973, р.33-36.

3. Климанов Е.А., Кулыманов А.В., Лисейкин В.П., Юнгерман В.М., "О вольтамперной характеристике кремниевого p-i-n-фотодиода большой площади, работающего в режиме полного истощения", Радиотехника и Электроника, 1976, N9, с. 1967-1974.

4. Шокли В., Нойс Р., Саа К.,"Проблемы кремниевых р-п-переходов", Успехи Физических Наук, 1962, т.77, Вып.З, с.327-341.

5. Schmalzwasser Н., Richter A., Wissenschaftliche Zeitschrift der Friedrich Schiller Universitaet Jena, v. 35, N 4, 1986, p.505-508.

6. Вавилов B.C., "Радиационные методы в твердотельной электронике", Москва, Радио и связь, 1990, с. 184.

7. Евсеев Ю.А., Челноков В.Е., "Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов.", Москва, Энергия, 1973, с.240.

8. Шалимова К.В., "Физика полупроводников", Москва, Энергоатомиздат, 1985, с.280.

9. Литвинов P.O., "Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов.", Киев, Наукова думка, 1972, с.310.

10. Ю.Пикус Г.Е., "Физика поверхности полупроводников", Москва, Наука, 1989, с.240.

11. П.Вул Б.М., "Физика диэлектриков и полупроводников", Москва, Наука, 1988, с.370.

12. Narayan J., Holland O.W., Journal of the Electrochemical Society, v. 131, N 11, 1984, p.2651-2663.

13. И.Агаларзаде П.С., Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода, под редакцией Челнокова В.Е., Москва, Изд. Сов. Радио, 1978.

14. M.Adler M.S., Power Electronics Specialists Conference, 1975, Calverliti, p.300-304.

15. Wendland P., Silicon Photodiodes, Electro-Optical systems design, N8,1970.

16. Mindok R.M., Horak J.B., Труды конференции "Электрооптические системы", США, май, 1971.

17. Juhson J.С., An investigation of inwersion layer induced leakade current in abrupt p-n junctions, Solid-State Electronics, v. 13, 1970, 1167-1174.

18. Кофтонюк Н.Ф., Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик, Москва, Изд. Энергия, 1976.

19. Tandon J.C, Roulston D.J., Chamberlain S.J, Solid-State Electronics, 1972, 15, 669.

20. Ригман M., Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором, Москва, Изд. Сов. радио, 1971.

21. Белова Г.А., Федорович Ю.В., Инверсионные слои на поверхности сплавных и планарных кремниевых переходов, Электронное приборостроение, 1968, вып.4, с.32-44.

22. Вылеталина О.В., Дзюбанова В.В., Дракин И.А., "Использование ионной имплантации для модификации свойств кремния и создания интегральных схем", Электронная промышленность, N 1, 1994, с.60-64.

23. Бобилева И.Г., Виноградов Р.Н. и др., "Особенности легирования кремния ионами В+ и BF2+", Электронная техника, 1981, серия 2, вып. 145.

24. Geipel Н., Tice W., "Critical microstructure for ion-implantation gettering effects in silicon", Appl. Phys. Lett., 1977, v.30, №9, p. 325-327.

25. Seidel Т.Е., Meek R.L., Cullis A.G., "Direct comparison of ion and diffusion gettering of Au in silicon", J. Appl. Phys., 1975, v.46, №2, p. 600609.

26. Meek R.L., Seidel Т.Е., Cullis A.G., "Diffusion gettering of Au and Cu in silicon", J. Electrochemical Society, 1975, v. 122, №6, p. 786-796.

27. M.V. Whelan «Graphical relations between surface parameter of silicon, to be used in connection with MOS-capacitance measurements», Philips Res. Repts 20, 620-632, 1965.

28. Reeson K.J.,Nucl. Instr. a. Meth., v.B 19/20, 1987, p.269.

29. Качурин ГЛ., Попов В.П., Плотников A.E., "Имплантация азота в кремний.", Физика и техника полупроводников, т.23, вып.З, 1989, с.434-438.

30. Spinelli P. е.а., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research", 1985,Vol.B10/l l,Nl,p.501-505

31. Астахов В.П., "О механизме образования химического соединения ионным внедрением.", Электронная техника, Серия «Материалы», вып.5, 1975, с.66-73.

32. Rimini R., Garnero A., Nucl. Instr. a. Meth., v.B55, 1991, p.561.

33. Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович B.H., "Влияние природы бомбардирубщих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии.", Физика и техника полупроводников, т.32, вып.5, 1998, с.523-526.

34. Svensson B.G., Phys. Rev., v.B52, 1995, p.2522

35. Аброян И.А., Никулина Л.М., "Накопление дефектов в кремнии при последовательном облучении ионами аргона и азота.", Физика и техника полупроводников, т.ЗО, вып. 10, 1996, с. 1893-1897.

36. Glaser Е., Physica Status Solidi, v. A62, N 2, 1982, p.603-614.

37. Mogro-CoMpero A., Defects of Silicon Symposium, San Francisco,1983,p.595-603

38. Holldack K., Kerkow H., Ferntrap W., Phys. St. Sol., v.A94, 1986, p.357.

39. Жуковский П.В., "Влияние условий ионной имплантации на дефектообразование в кремнии.", Физика и техника полупроводников, т.26, вып. 1, 1992, с.150-158.

40. Мейер Дж., Эриксон Л., "Ионное легирование полупроводников", Москва, "Мир", 1973, с.260.

41. Eaglesham D., Phys. World, v.41, N 4, 1995.

42. Narayan J., Defects in Semiconductors, v. 2, 1980, p. 191-207.

43. Булгаков Ю.В., Игнатова E.A., "Особенности термической перестройки радиационных дефектов в кремнии, облученном протонами, дейтронами и альфа-частицами.", Физика и техника полупроводников, т. 14, вып.10, 1980, с.2065-2066

44. Антонова И.В., Качурин Г.А., Шаймеев С.С., Тысченко И.Е., "Формирование электрически активных центров за областью торможения ионов при высокотемпературной имплантации в Si.", Физика и техника полупроводников, т.ЗО, вып. 11, 1996, с.2017-2024

45. Pichler P., Schork R., Klauser Т., Ryssel Н., Appl. Phys. Lett., v.60, 1992, p.953.

46. Schulz M., Metall-Semiconductor Contacts Conference, 1974, London, p.226-233.

47. Kurjata-Pfitzner E., Surfase Technology, v. 10, N 4, 1980, p.259-275

48. Струков Ф.В., Астахов В.П., Борискина JI.В., "Геттерирующая активность дефектов имплантационного происхождения в кремнии.", Поверхность. Физика, Химия, Механика, N6, 1989, с.92-99.

49. Астахов В.П., Дроздов Ю.Н., Карашев Т.Б., Рубцов В.А., Стоянова И.Г., "Свойства pin-диодов, изготовленных внедрением ионов с изменяющейся энергией", Электронная техника, Сер.7,1980,Вып.3(150);

50. Bourguet P., Dupart М., Revue de physique appliquel, 1980,N15,p.647-652;

51. Chiu T.Y., Oldham W.G., International Conference of Ion Implantation: Equipment and Technology, Berlin, 1983,p.465-472

52. Заявка Японии (JP) N 60-94768.

53. Schmidt I.B., Nucl. Instr. a. Meth., v.A377, 1996, p.514.

54. Европейский патент (ЕР) N 0196122.59.Патент ГДР (DD) N 232138.

55. Неустроев В.П., Антонова И.В., Попов В.П., "Формирование донорных центров при различных давлениях в кремнии, облученном ионами кислорода.", Физика и техника полупроводников, т.ЗЗ, вып. 10, 1999, с.1153-115761 .Заявка Японии (JP) N 61 -198681.

56. Патент США (US) N 3933527.

57. Александров О.В., Шевченко Б.Н., Каменец А.В., "Влияние радиационных дефектов на обратные токи кремниевых р-п-переходов.", Физика и техника полупроводников, т.26, вып.5, 1992, с.868-871

58. Вербицкая Е.М., Еремин В.К., Иванов A.M., Строкан Н.Б., Ли 3., Шмидт Б., "Радиационное воздействие дейтронов на приемники излучения из высокоомного кремния.", Физика и техника полупроводников, т.27, вып.7, 1993, с.1113-1120

59. Патент Франции (FR) N 2357065.

60. Заявка Японии (JP) N 60-79718.67.Патент ГДР (DD) N 277552

61. Патент Великобритании (GB) N 2183092

62. Крылов Д.Г., Ладынин Е.А., Галеев А.П., "Модель радиационного накопления в системе Si-Si02.", Физика и техника полупроводников, т.26, вып.7, 1992, с.1347-1351.

63. Макхамов Ш., Турсунов Н.А., Ашуров А., "Об особенностях образования радиационных дефектов в кремниевых структурах.", Журнал технической физики, т.69, вып. 1, 1999, с. 121-123

64. Астахов В.П., Рубцов В.А., Аранович P.M., Павлов П.В., "Эффекты изменения энергии ионов, воздействующих на мишень при имплантации", Физика и техника полупроводников, т. 15, № 6, 1981, с. 1140-1144

65. Гавриков Г.А., Думиш JT.K., Шевченко Б.Н., "Протонное облучение в управлении параметрами полупроводниковых приборов.", Электронная техника, Серия 7, Вып. 1(104), 1981, с.8-12

66. Европейский патент (ЕР) N 688055.

67. Международный патент (WO)N 94/05036.

68. Патент ФРГ (DE) N 2638956.

69. Патент ФРГ (DE) N 3208087.

70. Патент США (US) N 4584028.78.Патент ГДР (DD) N 249997

71. Патент США (US) N 4902647.

72. Патент США (US) N 5198371.

73. Патент США (US) N 5518935.

74. А.с. N705921, Астахов В.П., Аранович P.M., Бромберг Б.В., Дудник В.Я., "Способ создания планарного мелкозалегающего р-п-перехода"83.Патент ГДР (DD) N 257714.84.Патент ГДР (DD) N 259060.85.Патент ГДР (DD) N 264087.

75. Патент США (US) N 5173438.

76. Патент США (US) N 5538916.

77. Заявка Японии (JP) N 61-198746.

78. Заявка Японии (JP) N 63-17227.

79. Патент Германии (DE) N 19618861. 91 .Патент США (US) N 3976511.

80. Патент США (US) N 5358877.

81. Патент США (US) N 5418375.94.Патент ГДР (DD) N 249997.95.Патент ФРГ (DE) N 3743734

82. Патент США (US) N 4131793.

83. Патент США (US) N 5436175.

84. Патент США (US) N 5589407.99.Патент ГДР (DD) N 267135.

85. Патент США (US) N 5395771.

86. Патент Великобритании (GB) N 1478003.

87. Патент Великобритании (GB) N 2211991.

88. Заявка Японии (JP) N 52-3277.104. Патент ГДР (DD) N 255029.105. Патент ГДР (DD) N 270798.

89. Патент США (US) N 4706377.

90. Патент США (US) N 5143858.

91. Европейский патент (ЕР) N 0437702

92. Европейский патент (ЕР) N 671760.

93. Патент США (US) N 5508211.

94. Патент США (US) N 5783841.

95. Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н., "Исследование вакансионных дефектов в монокристаллическом кремнии, облученном при 77 К.", Физика и техника полупроводников, т.29, вып.2, 1995, с.335-345.

96. Аброян И.А., Беляков B.C., Никулина Л.М., Титов А.И., "Влияние распределения бора на профили дефектов при облучении кремния легкими ионами.", Физика и техника полупроводников, т.15, вып.4, 1981, с.740-745.

97. Смирнов Л.С., "Вопросы радиационной технологии полупроводников", Новосибирск, Наука, 1980, с.294.

98. Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А., "Пассивация примеси и радиационных дефектов водородом в кремнии р-типа.", Физика и техника полупроводников, т.22, вып.6, 1988, с. 1020-1024.

99. Морозов Н.П., Тетельбаум Д.И., "Глубокое проникновение радиационных дефектов из ионно-имплантированного слоя в объем полупроводника.", Физика и техника полупроводников, т. 17, вып.5, 1983, с.838-842.

100. Булгаков Ю.В., Яценко Л.А., "Исследование профиля радиационно-нарушенных слоев в кремнии методом растекания тока зонда.", Микроэлектроника, т.9, N 4, 1980, с.68-74.

101. Лугаков П.Ф., Лукъяница В.В., Муша В.В., "Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном р-кремнии.", Физика и техника полупроводников, т.20, вып. 10, 1986, с. 1894-1896.

102. Козловский В.В., Ломасов В.Н., "Протонно-стимулированная диффузия имплантированных в кремний бора и фосфора.", Физика и техника полупроводников, т.21, вып.2, 1987, с.360-362.

103. Бобрикова О.В., Обрехт М.С., Стась В.Ф., "Зарядовые состояния первичных радиационных дефектов и процессы дефектообразования в ОПЗ кремниевых диодных структур.", Физика и техника полупроводников, т.25, вып.5, 1991, с.829-837.

104. Наумова О.В., Смирнов JI.C., Стась В.Ф., "Природа центров Ес-0.37 эВ и образование высокоомных слоев в кремнии п-типа проводимости.", Физика и техника полупроводников, т.31, вып.8, 1997, с.993-996.

105. Колесников Н.В., Мальханов С.Е., "Спектр и пространственное распределение радиационных дефектов в облученном протонами кремнии.", Физика и техника полупроводников, т.22, вып.З, 1988, с.534-536.

106. Кучинский П.В., Ломако В.М., Шалевич A.M., "Особенности возникновения и свойства дефектов в n-Si после облучения и последующего термического отжига.", Физика и техника полупроводников, т.28, вып. 11,1994, с. 1928-1936.

107. Колковский И.И., Лукъяница В.В., "Особенности накопления радиационных дефектов вакансионного и межузельного типов в бездислокационном кремнии с различным содержанием кислорода.", Физика и техника полупроводников, т.31, вып.4, 1997, с.405-409.

108. Кучинский П.В., Ломако В.М., Нетрунин А.П., "Инжекционная, электорополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в р-кремнии.", Физика и техника полупроводников, т.23, вып.9, 1989, с.1625-1628.

109. С.М. Рыбкин «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Физматгиз, М., 1963

110. А. Амброзяк «Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов», М., 1970

111. И.П. Степаненко «Основы теории транзисторов и транзисторных схем», «Энергия», М., 1977

112. Я.А. Федотов «Основы физики полупроводниковых приборов», «Советское радио», М., 1963

113. P.M. Аранович, В.П. Астахов, Б.В. Бромберг, В.И. Бендер, В .Я. Дудник, И.П. Таратута «Ионно-легированые р-n структуры на кремниикак усилители электронных потоков». «Электронная техника» серия 4, вып. 4, 1978.

114. М.И. Иглицын, Ю.А. Концевой, А.И. Сидоров «ЖТФ», т. 27, вып. 11, 2461, 1957.

115. В.П.Астахов, Д.А.Гиндин, В.В.Карпов, К.В.Сорокин, "О влиянии сопротивления поверхностного канала на темновой ток квадрантных pin-фотодиодов на кремнии", Прикладная физика, 1999, №1-2, с. 79-86.