Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат химических наук Максимов, Александр Дмитриевич

• Максимов, Александр Дмитриевич
• кандидат химических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат химических наук Максимов, Александр Дмитриевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Фотодиоды из 1п8Ь - особенности, параметры, технология производства

1.1. Принцип работы фотодиода

1.2. Теория вольт-амперной характеристики р-п-перехода

Теория идеального р-п-перехода

Теория Шокли-Нойса-Саа

1.3. Влияние поверхности

1.4. Шумы ФД

1.5. Основные параметры и их зависимость от конструктивно-технологических особенностей ФД

Токовая чувствительность

Пороговая чувствительность

Спектральная характеристика

1.6. Технологии изготовления ФД из ГпБЬ

Сплавная технология

Диффузионная технология

Эпитаксиальная технология

Результаты применения ионной имплантации для создания ФД на 1пБЬ

Особенности процессов дефектообразования, происходящих при имплантации

ионов Ве+в 1п8Ь

Базовая имплантационная технология изготовления ФД из 1пБЬ

1.7. Постановка задач по усовершенствованию и унификации базовой имплантационной технологии фотодиодов из Ы>Ь

Исследование особенностей превращения дефектной структуры имплантированных слоев и разработка режимов имплантационного легирования с применением постимплантационного импульсного фотонного отжига излучением

галогенных ламп

Изучение особенностей отслоений покрытий на кристаллах приборных структур, разработка модели и предложений по повышению адгезионной прочности пленок на ионно-легированных приборных структурах

Исследование возможности и преимуществ унификации базовой имплантационной технологии для ФД, производимых по технологии-предшественнице

Определение возможности применения эпитаксиальных пленок, выращенных

продольной кристаллизацией на сапфире для изготовления фотодиодов

Глава 2. Методики и установки для проведения экспериментов и измерений

2.1. Методики проведения экспериментов

2.1.1. В части исследования особенностей превращения дефектной структуры имплантированных слоев и разработка режимов имплантационного легирования с применением постимплантационного ИФО излучением галогенных ламп

Исследуемые образцы и методики измерений, использованные для разработки метода экспресс-оценки эффективности отжига и определения

оптимальных режимов ИФО

Установка импульсного фотонного отжига «Оникс-1»

Фото диодные структуры, исследованные методом наведенного тока

2.1.2. В части изучения особенностей отслоений покрытий на кристаллах приборных структур, разработка модели и предложений по повышению адгезионной прочности пленок на ионно-легированных приборных структурах

2.1.3. В части исследования возможности и преимуществ унификации базовой имплантационной технологии для ФД, производимых по технологии-предшественнице

ФД, изготовленные по радиационно-сплавной технологии

ФД, изготовленные по базовой имплантационной технологии

2.1.4. В части определения возможности применения эпитаксиальных пленок, выращенных продольной кристаллизацией на сапфире для изготовления фотодиодов

2.2. Методики измерений

2.2.1. Измерение эффекта Холла

2.2.2. Измерение термо-э.д.с

2.2.3. Эллипсометрия

2.2.4. Метод наведенного тока

2.2.5. Рентгеновская топография

2.2.6. Вольт-амперные характеристики и спектр плотности мощности шума

2.2.7. Измерение фотоэлектрических параметров фотоприемников

Глава 3. Результаты исследований особенностей превращения дефектной структуры имплантированных слоев и разработки режимов имплантационного легирования с применением постимплантационного импульсного фотонного отжига излучением галогенных ламп

3.1. Разработка экспресс-метода оценки эффективности отжига дефектов, введенных при ионной имплантации в InSb

3.2. Определение оптимальных режимов постимплантационного отжига излучением галогенных ламп

Определение оптимальных температур отжига

Исследование влияния стадийности отжига

Определение оптимальных параметров ИФО

3.3. Исследование фотодиодных структур методом наведенного тока

Анализ изображений, полученных в режиме НТ

Расчет диффузионных длин носителей заряда

3.4. Выводы по главе 3

Глава 4. Результаты изучения особенностей отслоений покрытий на кристаллах

приборных структур, разработки модели и предложений по повышению адгезионной прочности пленок на ионно-легированных приборных структурах

4.1. Механизмы образования анодной окисной пленки и ее взаимодействия с пленкой SiOx

4.2. Анализ фотографий картин отслоения пленок SiOx

4.3. Анализ рентгеновских топограмм фотодиодных линеек

4.4. Выводы по главе 4

Глава 5. Результаты исследований возможности и преимуществ унификации базовой

имплантационной технологии для ФД, производимых по технологии-предшественнице

5.1. Результаты измерений фотоэлектрических параметров ФД

5.2. Измерение спектров плотности мощности шума

5.3. Выводы по главе 5

Глава 6. Результаты исследований по определению возможности создания по базовой имплантационной технологии матричного фоточувствительного кристалла на основе

эпитаксиальной пленки, полученной на сапфире методом продольной кристаллизации

6.1. Выводы по главе 6

Выводы по работе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия»

Введение

Актуальность темы

В настоящее время для детектирования инфракрасного излучения в спектральном диапазоне длин волн (1+5,5) мкм используются фотодиоды (ФД) из антимонида индия. Такие ФД широко применяются в медицинских тепловизорах, спектрофотометрах, спектрометрах Фурье, анализаторах газов и в приборах специального назначения. Технология производства ФД из 1п8Ь прошла длинный эволюционный путь к современной базовой имплантационной, минуя сплавные и эпитаксиальные методы формирования р-и-переходов, а затем и диффузионные. Технология изготовления ФД с применением ионной имплантации обладает рядом таких неоспоримых преимуществ как возможность создания мелкозалегающих /?-я-переходов, контроля профиля концентрации примеси, воспроизведения практически любой конфигурации и размерности фоточувствительного элемента.

Современная базовая имплантационная технология разработана совместно ГНЦ РФ ФГУП «НПО «Орион» и ОАО «Московский Завод «Сапфир», где она и применяется для производства ФД из 1п8Ь начиная с 1988 года. Концептуальными особенностями этой технологии являются:

- Применение локальной имплантации ионов Ве+ для создания малоразмерного планарного р+-я-перехода.

- Отжиг осуществляется в стационарном режиме, проводимом в диффузионной печи при Т=375°С в течение 30 минут под капсулирующей пленкой 8Ю2.

- Защита поверхности осуществляется двухслойным диэлектриком -выращенной собственной анодной окисной плёнкой (АОП) и напыляемым затем слоем 8ЮХ.

- Металлизация осуществляется нанесением слоя Сг+Аи.

- Важным элементом базовой топологии является охранное кольцо (ОК), представляющее собой дополнительный короткозамкнутый р+-п-переход, окаймляющий площадку, линейку или матрицу площадок.

Опыт многолетнего производства фотодиодов из ЪгёЬ по базовой планарной имплантационной технологии, а также научно-исследовательские работы, проводимые в центральном конструкторском бюро ОАО «Московский Завод «Сапфир», позволили определить ряд технических проблем, в рамках которых целесообразно усовершенствование серийной технологии.

Во-первых, процесс постимплантационного отжига, осуществляемый в стационарном режиме, требует наличия капсулирующей пленки 8Ю2, наносимой низкотемпературным окислением токсичного моносилана. Сам отжиг осуществляется в атмосфере взрывоопасного водорода. Поэтому актуальной задачей является разработка альтернативных, более технологичных процессов отжига, не требующих применения токсичных и взрывоопасных газов.

Во-вторых, нерешённой до настоящего времени задачей является отслоение защитной плёнки 8ЮХ от АОП. По этой причине в осенне-зимний период бракуется до 20% фотодиодных кристаллов, а в жаркие летние месяцы производство полностью останавливается. Поэтому чрезвычайно актуален поиск путей устранения или ослабления этого явления.

В-третьих, к моменту начала работы над диссертацией, по радиационно-сплавной технологии изготавливался растровый двухплощадочный ФД в составе ФПУ БС-19. Задача перевода этого прибора на базовую имплантационную технологию важна для унификации технологии всей производимой продукции, что позволит снизить себестоимость, упростить технологии, повысить выход годных, экономить материалы и электроэнергию,

а также улучшить фотоэлектрические параметры приборов.

Актуальной задачей является создание матричного фотоприемного устройства (ФПУ) на основе 1п8Ь. Так как в технологии матричных ФПУ засветка осуществляется с обратной р-и-переходу стороны (со стороны базы), то к толщине базовой области матричного кристалла предъявляется требование меньше диффузионной длины носителей заряда, составляющей менее 15мкм. Получить подобную пластину из объемного монокристалла затруднительно технически и достаточно трудозатратно. Поэтому в рамках планарной имплантационной технологии перспективным направлением для изготовления матричных кристаллов является замена исходных пластин 1п8Ь на эпитаксиальные пленки с оптически прозрачными подложками.

Цель данной работы - усовершенствование и унификация базовой имплантационной технологии фотодиодов из антимонида индия.

Для достижения этой цели поставлены следующие задачи:

1. Исследование особенностей превращения дефектной структуры имплантированных слоев и разработка режимов имплантационного легирования с применением постимплантационного импульсного фотонного отжига излучением галогенных ламп.

2. Изучение особенностей отслоений покрытий на кристаллах приборных структур, разработка модели и предложений по повышению адгезионной прочности пленок на ионно-легированных приборных структурах.

3. Показать возможности и преимущества унификации базовой имплантационной технологии для ФД, производимых по технологии-предшественнице.

4. Определение возможности применения эпитаксиальных пленок,

выращенных продольной кристаллизацией на сапфире, для изготовления фотодиодов.

Научная новизна работы

1. Установлено, что наиболее эффективный отжиг дефектов структуры имплантированного ионами Ве+ слоя 1п8Ь с применением излучения галогенных ламп происходит при двухстадийном режиме. Разработаны модельные представления этого явления.

2. Обнаружено положительное влияние предварительной имплантации кристалла и последующего отжига, произведенных до формирования анодной окисной пленки, на прочность адгезии пленки 8ЮХ к анодной окисной пленке. Описаны модельные представления этого явления.

3. Определены при исследованиях металлургической границы ионнолегированных //-«-переходов методом наведенного тока значения диффузионной длины дырок в базовой области и за планарной границей р+-п-перехода в зависимости от степени легирования исходных кристаллов.

Практическая значимость

1. Разработана методика экспресс-оценки эффективности отжига радиационных дефектов, заключающаяся в измерении напряжения термо-э.д.с. на легированном слое и расчете по этому напряжению значения концентрации основных носителей заряда.

2. Определены режимы импульсного фотонного отжига, позволяющие получить наилучшие структурные свойства слоев 1п8Ь р-типа проводимости, имплантированных ионами Ве+.

3. Предложены рекомендации по топологии имплантированной ионами Ве+ области для повышения прочности адгезии пленки 8ЮХ в приборных структурах.

4. Установлены пределы возможного практического применения эпитаксиальных пленок, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, для создания матричного фотоприемного устройства на ¡пБЬ.

Работа выполнена на кафедре «Материалы микро-, опто- и наноэлектроники» Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего профессионального образования «Московский государственный университет тонких химических технологий имени М.В. Ломоносова» (МИТХТ) и в ОАО «Московский завод «Сапфир».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты исследований и модельные представления особенностей импульсного фотонного отжига дефектов, образованных имплантацией ионов Ве+ в кристаллы 1п8Ь при малых дозах и энергиях. Режимы изготовления слоев р-типа проводимости на 1п8Ь с применением импульсного фотонного отжига, рекомендуемые к внедрению в серийное производство.

2. Результаты исследований прочности адгезии защитной пленки 8ЮХ к анодной окисной пленке и модельные представления о механизме повышения прочности адгезии. Рекомендации в серийную технологию по повышению прочности адгезии защитной пленки 8ЮХ на кристаллах приборных структур.

3. Предложения по унификации технологии изготовления серийного фотодиода ФПУ БС-19 и результаты сравнительного исследования приборов, изготовленных по предложению и по технологии-предшественнице.

4. Результаты исследования возможности применения эпитаксиальных пленок, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, для изготовления планарного малоразмерного фотодиода.

Личный вклад

Участие в постановке задач исследований, измерениях, обработка и интерпретация полученных результатов.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на I Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Нижний Новгород, 2006).

Публикации

По результатам диссертационной работы имеется 4 публикации. Заявка на изобретение.

Структура и объем работы

Диссертационная работа состоит из введения, 6 глав, выводов и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет 135 страниц машинописного текста, содержит 12 таблиц и 36 рисунков.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Максимов, Александр Дмитриевич

Выводы по работе

1. Разработана методика экспресс-контроля результатов отжига радиационных дефектов в слоях 1п8Ь, имплантированных ионами Ве+, по измеренному напряжению термо-э.д.с.

2. Показано, что наиболее эффективный отжиг радиационных дефектов, образованных при имплантации кристаллов 1п8Ь ионами Ве+ с энергией не

1А О более 40 кэВ и дозой не более 1,2-10 см' происходит при двухстадийном режиме отжига. Полученные данные позволяют сделать вывод о наличии в имплантированном слое двух типов дефектов донорного типа, компенсирующих проводимость р-типа, обусловленную электрически активными атомами Ве:

1) скопления У1п (вакансий в позициях 1п);

2) ассоциаты точечных дефектов, в состав которых могут входить ¥'1п и

1п],8Ь,,Ве] (атомы Ве, 1п и 8Ь в междоузельных позициях).

3. Определены режимы и условия импульсного фотонного отжига для использования в серийной технологии: двухстадийный режим со следующими параметрами:

1-ая стадия: температура образца в импульсе Т1=300-330°С при длительности импульса Т1=(40-120)с;

2-ая стадия: температура образца в импульсе Т2=385-400°С при длительности импульса т2=(10-20)с.

4. Проведены исследования фотодиодов, изготовленных с применением ИФО, и показано преимущество структурных свойств //-«-переходов таких ФД. Определены характерные значения диффузионной длины в базовой области и на переферии//-«-переходов:

- диффузионная длина дырок в базе для исходных кристаллов марок ИСЭ-0, ИСЭ-1 и ИСЭ-2в составляет не менее 10 мкм, а для кристаллов марки ИСЭ-3 - около 5 мкм;

- диффузионная длина дырок вблизи поверхности за пределами планарной границы р+-п перехода составляет 8-10 мкм независимо от марки использовавшихся кристаллов.

5. Изучены особенности отслоения пассивирующих слоев 8ЮХ от защитной анодной окисной пленки. Обнаружено положительное влияние имплантации ионов Ве+ и последующего отжига на прочность адгезии слоя 8ЮХ к АОП, выращенной на таком кристалле. Развиты модельные представления этого явления. Разработаны рекомендации по повышению прочности адгезии для внедрения в серийную технологию, которые заключаются в проведении имплантации ионов бериллия по всей поверхности кристалла за пределами планарных границ рабочих р+-п-переходов и отжига с последующим стравливанием тонкого слоя кристалла.

6. Показаны возможность и преимущества замены радиационно-сплавной технологии, применяемой для изготовления серийно выпускаемых фотодиодов ФПУ БС-19, на базовую имплантационную. Изучены В АХ, спектральные характеристики, спектральные плотности мощности шума и фотоэлектрические параметры приборов, изготовленных по технологии-предшественнице, в сравнении с приборами, произведенными по имплантационной технологии. Показано, что унификация привела к повышению в 2-3 раза пороговых параметров, увеличению термостойкости, повышению квантовой эффективности, снижению темновых токов, увеличению пробивных напряжений и повышению выхода годных ФД. Унифицированная технология фотодиодов и ФПУ БС-19 внедрена в производство.

7. Показано, что фотодиоды, изготовленные на эпитаксиальных пленках 1п8Ь, полученных продольной кристаллизацией на сапфире, по сигналам, шумам и пороговой чувствительности в 2-3 раза уступают приборам, изготовленным по серийной технологии на объемных монокристаллах. Причина заключается в зернистости и внутренних механических напряжениях пленок, получаемых продольной кристаллизацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Максимов, Александр Дмитриевич, 2012 год

Список цитированной литературы.

1. Филачев A.M., Тришенков М.А., Таубкин И.И. Твердотельная фотоэлектроника. М, Физматкнига, 2011.

2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М, Энергия, 1984.

3. Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов. Издательство томского университета, 1989.

4. Шокли В., Нойс Р., Саа К. Генерация и рекомбинация носителей тока в слое объемного заряда и характеристики р-п перехода, 1957.

5. Под. ред. В.И. Стафеева. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М, Радио и связь, 1984.

6. Келдыш JI.B. Таммовские состояния и физика поверхности твердого тела. «Природа», 1985, №9.

7. Праттон М. Введение в физику поверхности. Удмуртский государственный университет, 2000.

8. Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов В.В., Талимов A.B. Повышение термостойкости фотодиодов на InSb. Прикладная физика, 2002, 56-62.

9. Fujisada H., Sasase T. An influence of isolate gate on Be-ion-implanted p+-n junctions on InSb. J. Journal of Applied Physics, v.23, 3, 1984.

10. Ion Implanted InSb Photodetectors. Betz, H., et al. Institut fur Festkorpertechnologie, pp. 551-554.

11. Под ред.Р.Дж.Киеса .Фотоприемники видимого и ИК диапазонов. М, Радио и связь, 1985.

12. Букингем М. Шумы в электронных приборах и системах. М, 1986.

13. Астахов В.П., Кернер B.C. и др. Механизм взрывных шумов р-п переходов. Микроэлектроника, вып.5, 1989.

14. Кернер B.C., Кузнецова Е.М. Тезисы докладов IV Всесоюзной конференции «Флуктационные явления в физических системах». Пущино, 1985.

15. Хадсон Р. Инфракрасные системы. М, Мир, 1972.

16. Круз П., Макглоуин Л., Макквистан Р. Основы инфракрасной техники. М, 1964.

17. Шоль Ж., Марфан И., Мюнш М. Приемники инфракрасного излучения. М, Мир, 1969.

18. Ван-дер-Зил А. Флуктуационные явления в полупроводниках. М, 1961.

19. Hsu S., Whittier R., Mead С. Solid State Electronics, v.13, 1970.

20. Vincent, John David. Fundamentals of Infrared Detector Operation and Testing. New York : John Wiley & Sons (A Wiley-Interscience Publication), 1989.

21. Гуляев A.M., Карпов B.B., Мирошникова И.Н. Расчет параметров фотоприемников. М, МЭИ, 1997.

22. Аксененко М.Д. Бараночников M.JI. Приемники оптического излучения. М, Радио и связь, 1987.

23. Тарасов В.В. Якушенков Ю.Г. Инфракрасные системы «смотрящего» типа. М, Логос, 2004.

24. Dereniak, Eustace L. and Crowe, Devon G. Optical Radiation Detectors. New York : John Wiley & Sons, 1984.

25. Keyes, R. J. Optical and Infrared Detectors. Verlag : Springer, 1977.

26. Siklisky, Vadim. InSb. Ioffe Physico-Technical Institute: New Semiconductor Materials, Characteristics and Properties, 2001.

27. Косогов O.B., Марамзина A.M. Новый приемник излучения. Вопросы оборонной техники, сер. 11, вып.4, 1968.

28. Laser Focus Buyers Guide. January, 1979.

29. Комплект технической документации ОС2.003.023. НПО «Орион», 1982.

30. Hurwitz С., Dounely Y. Planar InSb photodiodes fabricated by Be and Mg ion implantations. Solid-State Electronics, v. 18, 1975.

31. Верходанов С.П., Герасименко H.H. Линейки ФП с р-n переходами, созданными легированием InSb ионами Mg. Спецэлектроника, сер.2, вып.2, 1980.

32. Diffusion of Cadmium Into InSb. Catagnus, P.C., Polansky, C. and Spratt, J.P. 1973, Solid-State Electronics, pp. 633-635.

33. Pearton, S. J. and Abernathy, C. R. Topics in Growth and Device Processing of III-V Semiconductors. Singapore : World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., 1996.

34. Верходанов С.П., Герасименко H.H. Линейки ФП с р-n переходами, созданными легированием InSb ионами Mg. Спецэлектроника, сер.2, вып.2, 1980.

35. Белотелов С.В. и др. Характеристики планарных фотодиодов на InSb, изготовленных внедрением ионов Ве+. Микроэлектроника, вып.1, 1979.

36. Данилов Ю.А., Туловчиков B.C. Аномальное радиационное разупорядочение InSb при ионной имплантации. ФТП, т. 14, вып. 1,1980.

37. Robeck I., Kasai I. Photodiodes with high photosensivity, produced by Be+-ions implantation. Electron Device Meeting, Washington, DC, 1981.

38. Васильев B.K., Горенков C.H. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантационных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения. ФТП, т. 18, вып. 1,1984.

39. М. Shaanan, R. Kalish, V. Richter. Changes in InSb as a result of ion implantation. Solid State Institute, Technion — Israel Institute of Technology, Haifa, 2002.

40. Богатырев В.А., Качурин Г.А., Смирнов C.JI. Внедрение ионов в InSb при повышенных температурах. ФТП, т. 12, вып.1, 1978.

41. Данилов Ю.А., Попов Ю.С., Туловчиков B.C. Глубокое проникновение дефектов в InSb при имплантации. Сб. Труды XI Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. МГУ, 1982.

42. Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Сидорова Г.Ю. и др. Дефектные области за пределами пробегов ионов при имплантации бериллия в InSb. ВОТ, cep.ll, вып. 1-2,1993.

43. Васильев В.К., Горенков С.Н. Исследование низкоуровневых нарушений в имплантационных монокристаллах InSb методом характеристического рентгеновского излучения. ФТП, т. 18, вып. 1,1984.

44. Данилов Ю.А., Максимов С.К., Павлов П.В. Связь структурных изменений в InSb с условиями процесса ионного внедрения. Электронная техника, сер.7. вып.1, 1989.

45. Риссел X, Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1978.

46. B.C. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981.

47. И.Г. Стоянова, Н.А. Скакун, А.С. Трохин. Локализация атомов бериллия в кристаллической решетке антимонида индия при ионной имплантации // Поверхность: Физика химия механика. 1988, №8.

48. Г.Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974.

49. A. Declemya, Т. Sauvageb, Е. Kotaic, P. Levequed, M.I. Abd El-Atie. Be-and Mg-ion implantation-induced damage in InSb // Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 4, Issues 1-3,6 February 2001.

50. A. Hoglund. Electronic Structure Calculations of Point Defects in Semiconductors // Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 316, 2007.

51. П.К. Кашкаров. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах // Соросовский образовательный журнал. 1999, №1.

52. Isao Fujisawa. Type Conversion of InSb from p to n by Ion Bombardment and Laser Irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 19, 1980.

53. Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпов B.B.// Письма в ЖТФ 1998. Т. 24, № 6, С.72.

54. Астахов В.П., Борисов С.Р., Варганов С.В., Демидова Л.В., Дудкин В.Ф. и др.// Патент SU 1589963 Al от 17.01.95.

55. Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Кернер Б.С, Осипов В.В., Смолин О.В., Таубкин И.И.// Микроэлектроника 1989. Т. 18. Вып. 5. С.455.

56. Курбатов Л.Н., Стоянова И.Г., Трохимчук П.П., Трохин A.C. Лазерный отжиг полупроводниковых соединений AinBv. Доклады академии наук, том 268, №3, 1983.

57. Астахов В.П., Дудкин В.Ф., Карпов В.В. Применение импульсного лампового отжига в технологии изготовления фотодиодов из InSb. ВОТ, сер. 11, вып. 1-2,1993.

58. Астахов В.П., Данилов Ю.А. и др. Особенности импульсного фотонного отжига антимонида индия. Физика и химия обработки материалов, №1,1988.

59. Арбузов С.Н., Зигель В.В. и др. Формирование АОП и свойства МДП-структур на InSb. Физика окисных пленок, 1982.

60. Файзуллин Ф.Ф. и др. Анодное окисление InSb в растворе гидроокиси калия. Электрохимия, т.5, вып.5, 1989.

61. Алехин А.П., Лаврищев В.П., Сорокин И.Н. Кинетика анодирования антимонида индия в сернокислых растворах. ЭТ, Микроэлектроника, вып.З, 1975.

62. Лезина Т.Д. и др. Кинетика анодного окисления InSb в растворе орто-фосфорной кислоты. Электрохимия, вып.11, 1981.

63. Алехин А.П., Комарец И.В., Лаврищев В.П., Сорокин И.Н. Электролит для анодного окисления InSb. A.c. №495971 от 20.10.1973.

64. Давыдов В.Н., Лезина Т.Д. Влияние условий анодирования антимонида индия на характеристики МОП-структур. Микроэлектроника, т. 12, вып.2, 1983.

65. Евстафьева Н.И., Ежов В.П., Зиновьев В.Г., Карпов В.В., Лиходед В.Н. О возможных причинах нестабильности собственного анодного оксида антимонида индия. Физико-химические процессы в микроэлектронике. Сборник научных трудов, 1990.

66. Аристов и др. Состав АОП на InSb. Поверхность, №9, 1985.53.3ахарчук и др. Фазовый анализ окисных слоев на InSb методомвольтамперметрии на угольно-пастовом электроде. Известия Сибирского отделения АН СССР, сер.4, №4, вып.2, 1980.

67. Wilmsen. Химический состав и строение термического и АО на соединениях АЗВ5. J. Vac. Sei. Technol., v. 13, 1976.

68. Hung R., You E. Surface study of anodized indium antimonide. J.Journ. of Applied Physics, v.41, 5, 1970.

69. Арбузов C.H., Зигель B.B., Колбин M.H. и др. Электронная спектроскопия анодного окисла и свойства МДП-структур на антимониде индия. Поверхность, №8, 1983.

70. Малиновская Т.Д., Рояк А.Я., Фефелова И.И. Структурно-морфологические закономерности формирования анодных оксидов на соединениях АЗВ5. Поверхность, №1, 1991.

71. Бекетов Г.В., Бибик В.Ф. и др. Механизм роста анодного окисла на InSb. УФЖ, №4, 1988.

72. Якимов Е.Б.// Зав. Лаб. 2002. Т. 68. С. 63.

73. Wu С .J., Wittry D.B.// J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 2827.

74. Kuiken H.K., van Opdorp CM J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 2077.

75. Donolato С. // Appl. Phys. Lett. 1985. V.46 P. 270.

76. Alex F Bielajew. Fundamentals of the Monte Carlo method for neutral and charged particle transport. Ann Arbor: The University of Michigan. P. 348.

77. Reimer L. Monte Carlo simulation MOCASIM. Software manual. Alte Schanze 22, D - 48159 Munster, Germany.

78. Падалко А.Г., Саныгин В.П., Шевченко В.Я. Направленная кристаллизация и структура тонких слоев InSb на сапфире. М, Неорг. мат. 1978. Т. 14.

79. Технологическая документация ОС5.399.ЮО.

80. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М, Энергоатомиздат,1985.

81. Семененко JI.B., Усова В.А. Исследование системы InSb- анодный окисел методом эллипсометрии. Микроэлектроника, т.9, вып.1, 1980.

82. В.А. Швец. Эллипсометрия - прецизионный метод контроля тонкопленочных структур с субнанометровым разрешением / Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, Н.Н. Михайлов // Институт физики полупроводников СО РАН, 2008.

83. N. Vaidya , Н. Huang and D. Liang. Grown-in Defects of InSb Crystals: Models and Computation // Department of Mathematics & Statistics, York University. Toronto, Canada M3J 1P3, 2005. P. 9.

84. Астахов В.П., Гиндин Д.А., Карпенко Е.Ф. и др. // Прикладная физика. 2000. №3. С. 115.