Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Гайслер, Алексей Владимирович

• Гайслер, Алексей Владимирович
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Гайслер, Алексей Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ...................................................................................................9

ГЛАВА 1. Самоорганизованные ЫваАз квантовые точки как основа сверхминиатюрных неклассических излучателей света....................................................................20

1.1. Технологии получения квантовых точек. Методы селективного позиционирования квантовых точек КТ........................................................................................20

1.2. Спектр энергетических состояний ГпОаАэ квантовых точек................................32

1.3. Статистика фотонов в классических и неклассических излучателях. Полупроводниковые квантовые точки как излучатели одиночных фотонов и фотонных пар, запутанных по поляризации.................................................................................................45

1.4. Полупроводниковые микрорезонаторы. Эффекты квантовой электродинамики в микрорезонаторах ................................................................................................50

ГЛАВА 2. Методики экспериментов и расчетов.....................................................58

2.1. Методика атомно - силовой микроскопии......................................................59

2.2. Методики макро- и микролюминесценции.....................................................59

2.3. Одномерная модель характеристических матриц для расчета оптических параметров полупроводниковых микрорезнаторов.................................................................66

2.4. Трехмерная модель собственных мод для расчета оптических характеристик— ......70

ГЛАВА 3. Структурные и люминесцентные характеристики массивов ЬЮаАв квантовых

точек...........................................................................................................72

3.1 Конструкция исследуемых структур..............................................................72

3.2. Спектры макро- и микролюминесценции 1пОаАз квантовых точек........................76

3.3. Характеризация квантовых точек с использованием методики атомно - силовой микроскопии .....................................................................................................83

3.4. Метод селективного позиционирования InGaAs квантовых точек.........................91

ГЛАВА 4. Полупроводниковый брэгговский микрорезонатор с селективно позиционированными InGaAs квантовыми точками................................................................96

4.1. Конструкция микрорезонатора......................................................................96

4.2. Расчет характеристик микрорезонаторов: резонансная частота, добротность, объем моды, фактор Парселла..................................................................................103

4.3. Внешняя квантовая эффективность брэгговского микрорезонатора и расходимость излучения......................................................................................................115

4.4. Методика подготовки лабораторных образцов микрорезонаторов........................122

4.5. Вольт - амперные характеристики излучателей..............................................130

4.6. Спектры электролюминесценции полупроводниковых микрорезонаторов с InGaAs квантовыми точками.....................................................................................133

ГЛАВА 5. Тонкая структура экситонных состояний InGaAs квантовых точек..............136

5.1. Расщепление экситонных состояний в InGaAs квантовых точках. Генерация фотонных пар, запутанных по поляризации.................................................................136

5.2. Методика определения расщепления экситонных состояний.............................139

5.3. Тонкая структура экситонных состояний для квантовых точек, выращенных с малым временем прерывания роста............................................................................144

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.............................................................................................146

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

149

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек для создания миниатюрных неклассических излучателей»

ВВЕДЕНИЕ

Полупроводниковые структуры нанометрового размера, в которых носители заряда локализованы в трех направлениях (нульмерные структуры или квантовые точки (КТ)) [111], по праву называют твердотельными «искусственными атомами», так как их электронный спектр представляет собой набор дискретных уровней, но в отличие от «природных атомов» электронный спектр полупроводниковых КТ не строго задан, а может быть «искусственно» модифицирован и адаптирован под конкретную физическую или прикладную задачу.

Квантовые точки на основе 1пОаЛз [1-6] относятся к числу наиболее интенсивно исследуемых систем, поскольку они представляют большой интерес для практических применений, а также могут быть использованы в качестве модельного объекта при решении фундаментальных задач физики твердого тела. Уникальной особенностью 1гЮаА$ КТ является широкий спектральный диапазон, достигающий -400 нм, включающий в себя первый и второй телекоммуникационные стандарты (~0.9 мкм, 1.3 мкм).

Использование 1пСаАз КТ значительно расширяет возможности полупроводниковой наноэлектроники и нанофотоники, открывает перспективы создания приборов нового поколения: элементов памяти с быстрым временем записи и большим временем хранения информации, эффективных фотоприемников, лазеров, излучателей одиночных фотонов (ИОФ) и излучателей фотонных пар (ИФП), запутанных по поляризации [11 -18].

Создание эффективных излучателей одиночных фотонов и излучателей фотонных пар является абсолютным пределом миниатюризации светоизлучателей и потому является одной из наиболее актуальных и фундаментальных проблем оптики и квантовой электроники в целом, а также, и твердотельной нанофотоники, в частности.

Эффективные излучатели одиночных фотонов могут найти разнообразные применения в системах квантовой криптографии, квантовых вычислений, создании эталонов оптической мощности и проведении прецизионных спектральных экспериментов, включая эксперименты в области квантовой электродинамики [9, 19 - 25]. Излучатели фотонных пар, запутанных по поляризации, также могут являться важным ресурсом для реализации ряда протоколов квантовой криптографии и квантовых вычислений [18, 26 - 29].

Излучатель одиночных фотонов - фотонный источник, в котором под действием управляющего сигнала (и только под действием этого сигнала) излучается один (и только один) фотон. Его излучение характеризуется неклассической суб-пуассоновской статистикой, а идеальный ИОФ генерирует однофотонные Фоковские состояния (световой поток с нулевым шумом) [6, 9, 18 - 20]. ИОФ может быть реализован только на основе изолированной квантовой системы: одиночного атома, молекулы, центра окраски или «искусственного атома» (полупроводниковой квантовой точки). Приборная реализация эффективных излучателей одиночных фотонов относится к числу наиболее сложных задач нанотехнологий. Для ее выполнения необходимо:

1. локализовать квантовую систему;

2. эффективно накачать ее;

3. эффективно собрать излучение.

Все три перечисленные выше проблемы принципиально разрешимы с использованием современных полупроводниковых технологий, позволяющих интегрировать одиночную полупроводниковую квантовую точку (КТ) в полупроводниковый микрорезонатор. Неоспоримым достоинством полупроводниковых ИОФ является также возможность токовой накачки КТ, что позволяет разрабатывать полностью твердотельные излучатели в виде миниатюрных светоизлучающих диодов.

В последние годы направления исследований в этой области сосредоточены на поисках оптимальных технологий получения и позиционирования квантовых точек, на разработке наиболее эффективных способов накачки полупроводниковых квантовых точек, на разработке конструкции микрорезонатора, обеспечивающего максимальную внешнюю квантовую эффективность и минимальную расходимость излучения [6, 9,21 - 25].

В работе О. Бенсона и др. [26] было обосновано, что пары запутанных фотонов могут излучаться одиночными полупроводниковыми КТ в процессе каскадной рекомбинации биэкситона и экситона в случае, если экситонные состояния вырождены по энергии или же их расщепление ЛЕ« не превышает естественную ширину экситонных уровней Г\ -Ь/тх, где гх - время жизни экситона. В этом случае излучается пара фотонов, запутанных по поляризации [18, 27 - 29]. Важно подчеркнуть, что ИФП на основе полупроводниковых КТ также может быть реализован в виде миниатюрного светоизлучающего диода.

В реальных КТ расщепление экситонных состояний АЕР$, как правило, многократно превышает естественную ширину экситонных уровней Гх, что обусловлено отклонением формы КТ от идеальной, наличием пьезопотенциала, индуцированного встроенными механическими напряжениями [18, 27, 28]. Это является основным препятствием в создании излучателей фотонных пар с запутанной поляризацией на основе КТ. Исследование факторов, задающих величину ЛЕрз, а также условий, при которых расщепление экситонных состояний подавляется до уровня Гх является наиболее актуальной задачей на пути практической реализации ИФП на базе полупроводниковых КТ.

В соответствии с этим, были сформулированы две основные цели диссертационной работы:

Разработка и реализация полностью полупроводникового высокоэффективного Брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов с токовой накачкой селективно позиционированных InGaAs квантовых точек.

Поиски условий, при которых расщепление экситонных состояний в InGaAs квантовых точках подавляется до уровня AEfs « /х , необходимого для генерации пар запутанных фотонов.

Для их достижения были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Изучение структурных и оптических характеристик InGaAs КТ с использованием методов атомно-силовой микроскопии (АСМ) и фотолюминесценции (ФЛ), с целью получения структур с заданной низкой плотностью КТ (dKr ^ Ю8 см"2) и малой дисперсией их размеров.

2. Разработка и реализация способа селективного позиционирования InGaAs КТ, при котором КТ формируются лишь в пределах заданной апертуры микронного размера.

3. Разработка конструкции полностью полупроводникового Брэгговского микрорезонатора на основе селективно позиционированных InGaAs КТ с токовой накачкой. Расчет и оптимизация оптических характеристик микрорезонатора с целью достижения высокой внешней квантовой эффективности и низкого уровня расходимости выходного излучения. Расчет электрофизических характеристик полупроводникового микрорезонатора и оптимизация его конструкции с целью достижения высокого уровня токового ограничения в пределах AlGaAs апертуры.

4. Создание лабораторных образцов Брэгговских микрорезонаторов на основе селективно позиционированных InGaAs КТ и исследование их оптических и электрофизических характеристик с целью экспериментальной проверки возможности использования данного типа микрорезонаторов для приборной реализации излучателей одиночных фотонов.

5. Исследование методом криогенной микрофотолюминесценции тонкой структуры экситонных состояний 1гЮаА8 КТ, полученных по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста, с целью выявления субансамблей КТ с низким уровнем расщепления экситонных состояний ЛКр5 « Гх .

Научная новизна работы:

1. Предложен подход к селективному позиционированию ЫОаАя КТ в пределах внутреннего диаметра АЮаАэ апертурного кольца, обеспечивающий формирование КТ лишь в пределах ОэАб площадок микронного размера.

2. Обнаружены и интерпретированы эффекты немонотонного поведения параметров модового объема, фактора Парселла, внешней квантовой эффективности от значений апертуры микрорезонатора, что позволило определить оптимальные значения апертур для достижения максимальной внешней квантовой эффективности.

3. В структурах с ¡пОаАэ КТ, выращенными по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста, обнаружены подгруппы КТ с расщеплением экситонных состояний, не превышающим естественную ширину экситонных уровней Гх.

Практическая значимость работы:

1. Практическую ценность представляет способ формирования массивов ГпОаАэ КТ низкой плотности, основанный на использовании механизма Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста.

2. Практическую значимость имеет конструкция разработанного Брэгговского микрорезонатора, сочетающая в себе эффективное токовое и оптическое ограничение в пределах АЮаАв апертуры, высокую внешнюю квантовую эффективность и низкий уровень расходимости выходного излучения. Данный тип резонатора может быть

использован не только для создания ИОФ, а также и при создании лазеров с вертикальным резонатором.

3. Практическую значимость имеют результаты исследования расщепления экситонных состояний ГпАб КТ, демонстрирующие АЕр$ « /х, что открывает перспективы создания излучателей фотонных пар на основе структур данного типа.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Процесс формирования ЫваАв КТ по механизму Странского - Крастанова с малым временем прерывания роста является эффективным способом получения массивов КТ с низкой плотностью {<Лкт — Ю8 см"2) и малой дисперсией размера (-10%).

2. Выращивание ГгЮаАз КТ в пределах ОаАэ площадок, окруженных слоями АЮаАз, является эффективным методом селективного позиционирования КТ, обеспечивающим формирование КТ лишь в пределах апертурной области микрнного размера.

3. Разработан полностью полупроводниковый брэгговский микрорезонатор для миниатюрных неклассических излучателей, состоящий из согласованных по параметру решетки полупроводниковых слоев, что делает его устойчивым к термоциклированию и работе при криогенных температурах. Микрорезонатор сочетает в себе эффективное токовое и оптическое ограничение, характеризуется высоким уровнем внешней квантовой эффективности (до 80 %) и низким уровнем расходимости выходного излучения (ЫА < 0,2).

4. Структуры 1пОаАз КТ, выращенные по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста, содержат субансамбли КТ с ЛЕ^ ~ Гх, пригодных для создания излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации.

Достоверность и надежность представленных в диссертационной работе результатов обеспечиваются применением современных методов экспериментального исследования, использованием апробированных моделей для расчета электрофизических и оптических характеристик исследуемых структур, воспроизводимостью результатов и совпадением экспериментальных данных с расчетными.

Личный вклад соискателя в работу заключался в участии в постановке целей и задач исследования, проведении спектральных экспериментов, а также экспериментов с использованием методики АСМ, проведении расчетов оптических и электрофизических характеристик Брэгговских микрорезонаторов, в экспериментальном исследовании этих характеристик, анализе и интерпретации экспериментальных данных, написании научных статей и подготовке докладов на конференции, а также представлении полученных результатов на конференциях.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

• Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур, г. Новосибирск, (2014).

• XVIII Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, (2014).

• XI Российская конференция по физике полупроводников, Санкт-Петербург, (2013).

• 2nd International Conference "Mesoscopic Structures: Fundamentals and Applications", Russia, Berdsk, Novosibirsk (2013).

• Научная студенческая конференция «Дни науки НГТУ-2011», Новосибирск, (2011).

• Научная студенческая конференция «Дни науки НГТУ-2010», Новосибирск, (2010).

• 16th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Russia,

Vladivostok, (2008).

Публикации:

По теме диссертации опубликовано 12 работ, 5 статей (из них 4 статьи в рецензируемых журналах, входящих в перечень ВАК), а также 7 работ в сборниках тезисов российских и международных конференций. Структура и объем диссертации:

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Объем диссертации составляет 172 страницы, включая 46 рисунков и 4 таблицы. Список цитированной литературы включает 169 наименований, список работ автора по теме диссертации - 12 наименований.

Первая глава носит обзорный характер, в ней приводятся данные о методах получения InGaAs квантовых точек, методах селективного позиционирования КТ, энергетическом спектре КТ, возможности использования InGaAs квантовых точек в качестве основы сверхминиатюрных излучателей - излучателей одиночных фотонов и излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации. В ней представлены данные о типах полупроводниковых микрорезонаторов, которые могут быть использованы для создания сверхминиатюрных неклассических излучателей света. Дается обоснование, что Брэгговский микрорезонатор представляет наибольший интерес для практической реализации ИОФ и ИФП с высокой внешней квантовой эффективностью. Рассмотрены эффекты квантовой электродинамики микрорезонаторов: эффекты слабой и сильной связи, и отмечено, что эффекты слабой связи (эффект Парселла) имеют первостепенное значение для разработки микрорезонаторов для ИОФ и ИФП, так как фактором Парселла Fp в значительной мере определяются параметры внешней квантовой эффективности и быстродействия излучателей.

Вторая глава посвящена описанию методик исследования, используемых автором лично при выполнении работы.

К числу экспериментальных методик относятся:

1. Методика атомно-силовой микроскопии (АСМ), которая использовалась для изучения профилей поверхности исследуемых структур. Она применялась для определения размеров и плотности InGaAs КТ, характера распределения КТ по поверхности. АСМ методика использовалась так же для контроля ряда технологических операций: контроля качества поверхности GaAs перед повторным ростом и точного определения глубины травления.

2. Спектральные методики, которые использовались для регистрации спектров фотолюминесценции, электролюминесценции и отражения.

Для разработки конструкции Брэгговского микрорезонатора и расчета его характеристик, а также для отработки режимов роста многослойных структур, применялись две расчетные модели:

1. Одномерная модель характеристических матриц.

2. Трехмерная модель собственных мод.

Третья глава содержит результаты исследования InGaAs КТ с использованием методики атомно - силовой микроскопии и фотолюминесценции, включая методику микрофотолюминесценции. С использованием данных АСМ и ФЛ, проанализирован набор параметров КТ, таких как, плотность, размеры, дисперсия размеров, характер распределения КТ по поверхности, энергетический спектр КТ. На основе полученных результатов сформулирован подход для формирования структур InGaAs КТ с низкой плотностью и высокой однородностью, необходимых для создания неклассических излучателей на основе одиночных КТ.

В последнем параграфе главы приводится описание предложенного метода селективного позиционирования 1гЮаАз КТ, основанного на выращивании КТ на СаАБ площадках микронного размера, окруженных слоями АЮаАз.

Четвертая глава содержит результаты разработки брэгговского микрорезонатора с селективно позиционированными 1пАз квантовыми точками для миниатюрных неклассических излучателей. В главе приводится описание конструкции микрорезонатора, приводятся результаты расчетов основных характеристик микрорезонатора, таких как, резонансная частота, добротность, объем моды, фактор Парселла. Отмечается высокий уровень оптического ограничения для фундаментальной моды в пределах апертурной области, которое задается АЮаАэ апертурным кольцом.

Приводятся результаты расчетов внешней квантовой эффективности и расходимости выходного излучения. Отмечается, что в резонаторах данного типа может быть реализована высокая внешняя квантовая эффективность (до 80 %), при этом расходимость выходного излучения не превышает ЫА < 0.2, что задает высокую эффективность ввода излучения в стандартное оптоволокно.

В главе приводится описание методики подготовки лабораторных образцов излучателей на основе 1гЮаАз КТ и разработанных микрорезонаторов. Приведены расчетные и экспериментальные данные по ВАХ лабораторных образцов излучателей. Полученные данные демонстрируют высокий уровень токового ограничения в пределах апертурной области, которое задается АЮаАБ кольцом.

Приводятся результаты исследования спектров электролюминесценции лабораторных образцов излучателей. Демонстрируются спектры лабораторных образцов излучателей, где проявляется вклад одиночных ¡пСаАэ КТ. При наименьших уровнях токового возбуждения, спектры содержат одиночные, узкие пики, отвечающие рекомбинации экситонов.

Приведенные данные экспериментально подтверждают возможность создания неклассических излучателей на базе разработанной конструкции микрорезонатора.

В пятой главе исследуется тонкая структура экситонных состояний 1гЮаАз квантовых точек. Описывается схема генерации фотонных пар, запутанных по поляризации, при каскадной рекомбинации биэкситона и экситона в ¡пваАз КТ. Отмечается, что этот процесс возможен только в совершенных КТ, для которых величина расщепления экситонных состояний не превышает естественную ширину линии экситона, ЛЕ^ < /х-

Приводится описание методики определения величины АЕРЗ, в основе которой лежит идентификация экситонных пиков в спектрах микролюминесценции и апрроксимация экспериментальных пиков контурами Лоренца, что позволяет поднять точность определения параметра ЛЕ^. Погрешность определения АЕр$, с использованием апрроксимаци пиков контурами Лоренца, составляла 07^ = ±1.6 мкэВ, что сравнимо с естественной шириной экситонных пиков

Приводятся результаты исследования параметра ЛЕ^ для 135 ГпОаАэ КТ, выращенных по механизму Странского - Крастанова, в режиме малого прерывания роста. Анализируется зависимость ЛЕу5 от энергии экситона. Наиболее важной особенностью полученной зависимости является наличие группы КТ с энергией экситонов в интервале 1.3-И .4 эВ, для которых ЛЕр$ близка к нулю в пределах точности измерений о«' = ±1.6 мкэВ. Очевидно, что данная выборка КТ представляет большой интерес для создания ИФП.

В заключении сформулированы основные результаты и выводы диссертации.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Гайслер, Алексей Владимирович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулируем основные результаты и выводы работы:

1. С использованием методик атомно-силовой микроскопии и фотолюминесценции установлено, что процесс формирования InGaAs КТ по механизму Странского -Крастанова с малым временем прерывания роста является эффективным способом получения массивов КТ с низкой плотностью (d¡cr < 108 см"2), необходимых для создания устройств на основе одиночных квантовых точек.

2. Показано, что выращивание InGaAs КТ в пределах GaAs площадок микронного размера, окруженных слоями AlGaAs, является эффективным методом селективного позиционирования КТ, обеспечивающим формирование КТ лишь в пределах апертуры, задаваемой внутренним диаметром AlGaAs кольца.

3. Разработан полностью полупроводниковый брэгговский микрорезонатор для миниатюрных неклассических излучателей, состоящий из согласованных по параметру решетки полупроводниковых слоев, что делает его устойчивым к термоциклированию и работе при криогенных температурах. Микрорезонатор сочетает в себе эффективную токовую накачку селективно позиционированных КТ, высокий уровень оптического ограничения фундаментальной моды в пределах апертуры, высокий уровень внешней квантовой эффективности и низкий уровень расходимости выходного излучения.

4. Проведены расчеты электрофизических характеристик pin - гетероструктуры брэгговского микрорезонатора, демонстрирующие эффективность токового ограничения Ксс = JaIj'b ^ Ю3, что соответствует полученным экспериментальным данным.

5. Проведены расчеты основных оптических характеристик брэгговского микрорезонатора. Обнаружены и интерпретированы эффекты немонотонного поведения параметров модового объема, фактора Парселла, внешней квантовой эффективности от значений апертуры микрорезонатора, что позволило определить оптимальные значения апертур для достижения максимальной внешней квантовой эффективности. Максимальное значение внешней квантовой эффективности составляет Г]ех,егпа! =88 % при диаметре АЮаАэ апертуры ВА = 0.7 мкм и значении добротности <2 & 104.

6. Показано, что расходимость выходного излучения для фундаментальной моды микрорезонатора не превышает ЫА = 0.2, что задает высокую эффективность ввода излучения в стандартное оптоволокно.

7. Изготовленные лабораторные образцы излучателей при криогенных температурах в пределах резонансной области демонстрируют в спектрах электролюминесценции узкие пики, отвечающие излучению одиночных ¡пОаАэ КТ, что является экспериментальным подтверждением возможности создания ИОФ на основе предложенной конструкции микрорезонатора.

8. Методом криогенной микрофотолюминесценции исследована тонкая структура экситонных состояний 1пОаАз КТ. Установлено, что структуры 1пОаАз КТ, выращенные по механизму Странского-Крастанова с малым временем прерывания роста, содержат субансамбли КТ с АЕ^ « Гх, пригодных для создания излучателей фотонных пар, запутанных по поляризации.

Диссертационная работа выполнена в Институте Физики Полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского Отделения РАН и соответсвует тематике исследований, проводимых в институте.

Личный вклад автора в работу заключался в участии в постановке целей и задач исследования, проведении спектральных экспериментов, а также экспериментов с использованием методики АСМ, проведении расчетов оптических и электрофизических характеристик брэгтовских микрорезонаторов, в экспериментальном исследовании этих характеристик, анализе и интерпретации экспериментальных данных, написании научных статей и подготовке докладов на конференции, а также представлении полученных результатов на конференциях.

Экспериментальная часть исследований выполнялась на оборудовании Центра коллективного пользования «Наноструктуры», лабораторий института «Нанодиагностки и нанолитографии» (Лаборатория № 20), «Физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5» (Лаборатория № 26), «Молекулярно - лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5» (Лаборатория № 37). Хочу высказать слова глубокой благодарности всем сотрудникам этих лабораторий, принимавших участие в работе.

Особые слова благодарности хочу высказать своему руководителю, к.ф.-м.н., с.н.с., Щеглову Дмитрию Владимировичу за постоянную помощь и поддержку в работе и учебе, которая оказывается мне уже на протяжении семи лет, начиная с третьего курса университета, в процессе обучения в аспирантуре и по настоящее время.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Гайслер, Алексей Владимирович, 2015 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ Список публикаций по теме диссертации

AI. Гайслер В.А. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно позиционированных InAs квантовых точек и брэгтовских микрорезонаторов / В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Физика и техника полупроводников.-2015. -Т.49. Вып.1 -С.35-40. А2. Гайслер A.B. Полупроводниковый брэгговский микрорезонатор для излучателей одиночных фотонов / А. В. Гайслер, Д. В. Щеглов // Доклады АН ВШ РФ. -2014. -№4(25) -С. 21 -32. A3. Гайслер A.B. Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек / А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Письма в ЖЭТФ. -2013. -Т. 97. Вып. 5-С. 313-318. A4. Гайслер A.B. Спектроскопия одиночных InAs квантовых точек / А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Автометрия. - 2013. - Т. 49. №5 - С. 93-99.

А5. Гайслер В.А. Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых нано-струтур / В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, А. С. Ярошевич, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. К. Калагин, А. И. Торопов, М. М. Качалова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, В. М. Шаяхметов, О.И.

Семенова, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, Д.Б. Третьяков, И.И.Бетеров, В.М.Энтин, И.И.Рябцев, А. В. Латышев, А. J1. Асеев // Юбилейный сборник избранных трудов трудов Института физики полупроводников им. A.B. Ржанова СО РАН (1964-2014), г. Новосибирск, изд. «Параллель», ISBN 978-598901-144-5, - 2014. - С.378 - 400. А6. Гайслер В.А. Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов / В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качалова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В.К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 10-14 марта 2014 г., Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета. - 2014. - Т. 2. - С.427-428. А7. Гайслер В.А. Сверхминиатюрные излучатели на основе полупроводниковых квантовых ям и квантовых точек / В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, А. С. Ярошевич, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. К. Калагин, А. И. Торопов, М. М. Ка-чанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, В. М. Шаяхметов, О.И. Семенова, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, Д.Б. Третьяков, И.И.Бетеров, В.М.Энтин, И.И.Рябцев, А. В. Латышев, А. Л. Асеев // Тезисы докладов Конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур, 15-18 сентября 2014 г. Новосибирск. - 2014. - С.39. А8. Гайслер A.B. Исследование тонкой структуры экситонных состояний InAs квантовых точек / A.B. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев //

Тезисы XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16-20 сентября 2013г., Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, -2013.-С.52.

А9. Gaysler A.V. Excitonic States Spectroscopy of InAs Quantum Dots / A. V. Gaysler, A. S. Jaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Sheglov, V. A. Gaysler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev // Proceedings of 2nd International Conference "Mesoscopic Structures: Fundamentals and Applications", 23 June - 29 June 2013, Hotel Bylina, Berdsk, Novosibirsk. - 2013. - P.43-44.

A10. Гайслер A.B. Исследование структурных и оптических характеристик InGaAs квантовых точек / А.В. Гайслер // Материалы научной студенческой конференции «Дни науки НГТУ-2011», Новосибирск. - 2011. - С.35.

All. Гайслер А.В. Локальное анодное окисление поверхности полупроводников с использованием атомно-силового микроскопа / А.В. Гайслер // Материалы научной студенческой конференции «Дни науки НГТУ-2010», Новосибирск. - 2010. - С.25.

А12. Gaisler A.V. Nanopatterning of oxide thin films using atomic force microscopy local anodic oxidation / A.V. Gaisler, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev // Proceedings of International school for young scientists within the framework of 16th international symposium "Nanostructures: Physics and Technology" , July 14-18, 2008, Vladivostok, Russia. -2008.-P.48.

Список цитированной литературы

1. Bimberg D. Quantum dot heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N. N. Ledentsov // - Toronto: John Wiley & Sons, 2001. - 328 p.

2. Алферов Ж .И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии / Ж.И. Алферов // Успехи Физических Наук. - 2002. - Т. 172, №9. -С. 1068-1086.

3. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур /Ж.И. Алферов // Физика и техника полупроводников. - 1998. Т.32, №1. - С.3-18.

4. Леденцов H.H. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н. Н. Леденцов, В. М, Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бим-берг // Физика и техника полупроводников. -1998. Т.32, №4. - С.385 - 410.

5. Nano-optoelectronics: Concepts, Physics and Devices / ed. M. Grundmann // Berlin - Heidelberg - New York: Springer-Verlag. -2002. —442 p.

6. Semiconductor Nanostructures / ed. Bimberg D. // Berlin - Heidelberg - New York: Springer-Verlag. -2008. -357 p.

7. Tsu R. Superlattice to Nanoelectronics / R.Tsu // Amsterdam: Elsevier, -2005. - 325 p.

8. Yoffe A.D. Semiconductor quantum dots and relat ed systems: electronic, optical, luminescence and related prope rties of low dimensional systems / A.D. Yoffe // Advances in Physics. - 2001. -Vol. 50, N.l. - P. 1-208.

9. Single Quantum Dots Fundamentals, Application and New Concepts / ed. P. Michler// Berlin - Heidelberg - New York: Springer-Verlag. -2003, -352 p.

10. Ivchenko E.L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures / E.L. Ivchenko // Alpha Science International Ltd., -2005, -427 p.

11. Bimberg D. A tribute to Zhores Ivanovitch Alferov, a pioneer who changed our way of daily life / D.Bimberg// Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 010301-1-3.

12. Ledentsov N.N. Quantum dot laser / N. N. Ledentsov // Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol.26, -P.014001-1-8.

13. Stock E. High-speed single-photon source based on self-organized quantum dots / E. Stock, W. Unrau, A. Lochmann, J. A. Tofflinger, M. Ozturk, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, V. A. Haisler, D. Bimberg // Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 014003-1-4.

14. Zhukhov E. Quantum dot lasers with controllable spectral and modal characteristics / E. Zhukov, M. V. Maximov, N. Yu. Gordeev, A. V. Savelyev, D. A. Livshits, A. R. Kovsh// Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 014004-1-7.

15. Fiol G. 1.3 urn range 40 GHz quantum-dot mode-locked laser under external continuous wave light injection or optical feedback / G. Fiol, M Kleinert, D. Arsenijevic and D Bimberg // Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 014006-1-5.

16. Kim. J. Influence of the pump wavelength on the gain and phase recovery of quantum-dot semiconductor optical amplifiers /J. Kim, C. Meuer, D. Bimberg, G. Eisenstein // Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 014007-1-7.

17. Marent A. The QD-Flash: a quantum dot-based memory device / A. Marent, T. Nowozin, M. Geller, D. Bimberg // Semicond. Sei. Technol. -2011. -Vol. 26, -P. 014026-1-7.

18. Single Semiconductor Quantum Dots / ed. P. Michler//Springer, Berlin. -2009. -389 p.

19. Gisin N. Quantum cryptography / N. Gisin, G. Ribordy, W. Tittel, H. Zbinden // , Rev. Modern Phys. -2002. -Vol. 74, -P. 145 - 195.

20. Walls F. Quantum Optics/ F. Walls, G. J. Milburn // Springer-Verlag, Berlin. -2008. -357 p.

21. Lochmann A. Electrically driven single quantum dot polarised single photon emitter /A. Lochmann, E. Stock, O. Schulz, F. Hopfer, D. Bimberg, V.A. Haisler, A.I. Toropov, A.K. Bakarov, A.K. Kalagin // Electr. Lett., -2006. -Vol.42, №13. -P.774-775.

22. Lochmann A. Electrically pumped, micro-cavity based single photon source driven at 1 GHz /A. Lochmann, E. Stock, J.A. Tofflinger, W. Unrau, A. Toropov, A. Bakarov, V. Haisler, D. Bimberg // Electr. Lett., -2009. -Vol.45, №11. -P.566-567.

23. Munnix M.C. Quantum-Dot-Based Single Photon Emitters / M. C. Munnix, A. Lochmann, D. Bimberg, V.A. Haisler // IEEE J. Quant. Electr. -2009. -Vol.45, №19. -P.1084-1088.

24. Strittmatter A. Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor /A. Strittmatter, A. Schliwa, J.-H. Schulze, T. D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I. A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U. W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. Haisler// Appl. Phys. Lett. -2012. -Vol.100. -P.093111-1-3.

25. Self-Assembled Quantum Dots / ed. Z.M. Wang // Springer Science+Business Media, LLC, N.Y. -2008. -463 p.

26. Benson O. Regulated and Entangled Photons from a Single Quantum Dot / O. Benson, C. Santori, M.Pelton, Y. Yamamoto // Phys. Rev. Lett. -2000. -Vol.84, №11. -P.2513-2516.

27. Seguin R. Control of fine-structure splitting and excitonic binding energies in selected individual InAs/GaAs quantum dots / R. Seguin, A. Schliwa, T.D. Germann, S. Rodt, K. Potschke, A. Strittmatter, U. W. Pohl, D. Bimberg, M. Winkelnkemper, T. Hammerschmidt, P. Kratzer // Appl. Phys. Lett. -2006. -Vol.89. -P.263109-1-3.

28. Seguin R. Quantum - dot size dependence of exciton fine - structure splitting / R. Seguin, A. Schliwa, S. Rodt, K. Potschke, U. W. Pohl, D. Bimberg // Physica E. - 2006. - Vol. 32. -P. 101-103.

29. Bimberg D. Quantum dots: promises and accomplishments / D. Bimberg, U. W. Pohl // Materials Today. - 2011. - Vol. 14, №9. - P. 388 - 397.

30. Nowozin T. Linking structural and electronic properties of high - purity self - assembled GaSb/GaAs quantum dots / T. Nowozin, A. Marent, L. Bonato, A. Schliwa, D. Bimberg, E.

P. Smakman, J. K. Garleff, P. M. Koenraad, R. J. Young, M. Hayne // Physical Review B. -2012. - Vol. 86. - P. 035305 - 1 - 6.

31. Shamirzaev T. S. Exciton recombination dynamics in an ensemble of fln,Al)As/AlAs quantum dots with indirect band - gap and type -1 band alignment / T. S. Shamirzaev, J. Debus, D. S. Abramkin, D. Dunker, D. R. Yakovlev, D. V. Dmitriev, A. K. Gutakovskii, L. S. Braginsky, K. S. Zhuravlev, M. Bayer //Physical Review B. - 2011. - Vol. 84. - P. 155318 -1-9.

32. Shamirzaev T. S. Carrier dynamics in InAs/AlAs quantum dots: lack in carrier transfer from wetting layer t o quantum dots / T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. V. Nenashev, K. S. Zhuravlev, F F. Trojanek, B. Dzurnak, P. Maly // Nanotechnology. - 2010. -Vol. 21.-P. 155 703-1-7.

33. Shamirzaev T. S. Photoluminescence of a single InAs/AlAs quantum dot / T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinsky, A. K. Kalagin, K. S. Zhuravlev // Phys. stat. sol. (c) - 2008. -Vol. 5,N.7. - P. 2528-2529.

34. Shamirzaev T.S. Photoluminescence kinetics in InAs quantum dots in an indirect bandgap AlGaAs matrix / T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinsky, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, S. Schulze, C. von Borczyskowski, D. R. T. Zahn // Proceedings of 12th International Symposium on Nanostructures: Physics and Technology, (St Petersburg, Russia, 21-25 June 2004). P. 260-261.

35. Ostapenko I. A. Large internal dipole moment in InGaN/GaN quantum dots / I. A. Ostapenko, G. Honig, C. Kindel, S. Rodt, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg // Applied Physics Letters. - 2010. - Vol. 97. - P. 063103 -1 - 3.

36. Winkelnkemper M. Polarized emission lines from single InGaN/GaN quantum dots: Role of the valence - band structure of wurtzite Group - III nitrides / M. Winkelnkemper, R. Se-

guin, S. Rodt, A. Schliwa, L. Reissmann, A. Strittmatter, A. Hoffmann, D. Bimberg // Physica E. - 2008. - Vol. 40. - P. 2217 - 2219.

37. Kindel C. Exciton fine - structure splitting in GaN/AlN quantum dots / С. Kindel, S. Kako, T. Kawano, H. Oishi, Y. Arakawa, G. Honig, M. Winkelnkemper, A. Schliwa, A. Hoffmann, D. Bimberg // Physical Review В. - 2010. - Vol. 81. - P. 241309 - 1 - 4.

38. Ostapenko I. A. Exciton acoustic - phonon coupling in single GaN/AlN quantum dots / I. A. Ostapenko, G. Honig, S. Rodt, A. Schliwa, A. Hoffmann, D. Bimberg, M. - R. Dachner, M. Richter, A. Knorr, S. Kako, Y. Arakawa // Physical Review B. - 2012. - Vol. 85. - P. 081303- 1 -4.

39. Deppe D.G. Quantum dimensionality, entropy, and the modulation response of quantum dot lasers / D.G. Deppe, D.L. Huffaker // Appl. Phys. Lett. -2000. -Vol.77, №21. -P.3325 -3327.

v

40. Bhattacharya P. Tunnel injection In04Ga0 6As/GaAs quantum dot lasers with 15 GHz

modulation bandwidth at room temperature / P. Bhattacharya, S. Ghosh // Appl. Phys. Lett. -2002. -Vol.80, №19. -P.3482 - 3484.

41. Stiff-Roberts A.D. Raster-scan imaging with normal-incidence, midinfrared InAs/GaAs quantum dot infrared photodetectors / A. D. Stiff-Roberts, S. Chakrabarti, S. Pradhan, B. Kochman, P. Bhattacharya // Appl. Phys. Lett. -2002. -Vol.80, №18. -P.3265 - 3267.

42. Леденцов H.H. Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs / H.H. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев // Физика и техника полупроводников. -1994. - Т.28, №8. - С. 1483 - 1487.

43. Малеев H.A. Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм / H.A. Малеев, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.Ю. Егоров, В.М. Устинов, И.Л. Крестников, A.B. Лунев, A.B. Сахаров,

Б.В. Воловик, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников. -1999. - Т.ЗЗ, №5. - С.629 - 633.

44. Грундман М. Основы физики полупроводников: Нанофизика и технические приложения / М. Грундман // Москва, Физматлит. - 2012. - 771 с.

45. Молекулярно - лучевая эпитаксия и гетероструктуры / под ред. Ченга Л. и Плога К. // Москва, Мир. - 1989. - 582 с.

46. Tsao J. Y. Materials Fundamentals of Molecular Beam Epitaxy / J.Y. Tsao // San - Diego, Academic Press. - 2010. - 301 p.

47. May G.S. Fundamentals of Semiconductor Fabrication / G.S. May, S.M. Sze // Toronto, John Wiley & Sons. - 2004. - 305 p.

48. Stringfellow G. Organometallic Vapor — Phase Epitaxy: Theory and Practice / G. Stringfellow // San - Diego, Academic Press. - 1999. - 572 p.

49. Случинская И.А. Основы материаловедения и технологии полупроводников / И.А. Случинская // Москва, Мир. - 2002. - 376 с.

50. Shchukin V.A. Epitaxy of Nanostructures / V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg // -Berlin, Springer. -2003. - 387 p.

51. Li L.H. Growth - interruption - induced low - density InAs quantum dots on GaAs / L.H. Li, N. Chauvin, G. Patriarche, В. Alloing, A. Fiore // J. Appl. Phys. - 2008. -Vol.104. -P.083508 — 1 - 4.

52. Krzyzewski T. J. Ripening and annealing effects in InAs / GaAs (001) quantum dot formation / T.J. Krzyzewski, T.S. Jones // J. Appl. Phys. - 2004. -Vol.96, № 1. -P.668 - 674.

53. Muller - Kirsch L. Temporal evolution of GaSb/GaAs quantum dot formation / L. Muller -Kirsch, R. Heitz, U. W. Pohl, D. Bimberg // Appl. Phys. Lett. - 2001. -Vol.79, № 7. -P. 1027- 1029.

54. Pohl U. W. Evolution of a multimodal distribution of self - organized InAs/GaAs quantum dots / U. W. Pohl, K. Potschke, A. Schliwa, F. Guffarth, D. Bimberg, N. D. Zakharov, P. Werner, M. B. Lifshits, V. A. Shchukin, D. E. Jesson // Phys. Rev. B. - 2005. -Vol.72. -P.245332 - 1 - 7.

55. Kiravittaya S. Photoluminescence linewidth narrowing of InAs/GaAs self - assembled quantum dots / S. Kiravittaya, Y. Nakamura, O. G. Schmidt // Physica E. - 2002. -Vol.13. -P.224 - 228.

56. Joyce P. B. Effect of growth rate on the size, composition, and optical properties of InAs/GaAs quantum dots grown by molecular - beam epitaxy // P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, S. Malik, D. Childs, R. Murray // Phys. Rev. B. - 2000. -Vol.62, № 16. -P. 10891 - 10895.

57. Patella F. Single quantum dot emission by nanoscale selective growth of InAs on GaAs: A bottom - up approach / F. Patella, F. Arciprete, E. Placidi, M. Fanfoni, A. Balzarotti, A. Vinattieri, L. Cavigli, M. Abbarchi, M. Gurioli, L. Lunghi, A. Gerardino // Appl. Phys. Lett. - 2008. -Vol.93. -P.231904 - 1 - 3.

58. Reitzenstein S. Cavity quantum electrodynamics studies with site-controlled InGaAs quantum dots integrated into high quality microcavities / S. Reitzenstein, C. Schneider, F. Albert, A. Huggenberger, T. Heindel, M. Lerner, S. Stobbe, P. Weinmann, P. Lodahl, S. Hofling, M. Kamp, L. Worschech, A. Forchel // Quantum Dots and Nanostructures: Synthesis, Characterization and Modeling VIII, Proc. of SPIE. - 2011. -Vol.7947. -P.794702 - 1 -11.

59. Lee H.S. Selective area wavelength tuning of InAs/GaAs quantum dots obtained by Ti02 and Si02 layer patterning / H.S. Lee, A Rastelli, S. Kiravittaya, P. Atkinson, C.C. Bof Bufon, I. Monch, O.G. Scmidt // Appl. Phys. Lett. -2009. -Vol.94. -P.161906 - 1 - 3.

60. Tatebayashi J. Area-controlled growth of InAs quantum dots and improvement of density and size distribution / J. Tatebayashi, M. Nishioka, T. Someya, Y. Arakawa // Appl. Phys. Lett. - 2000. -Vol.77, № 21. -P.3382 - 3384.

61. Schuh D. Controlled positioning of self-assembled InAs quantum dots on (110) GaAs / D. Schuh, J. Bauer, E. Uccelli, R. Schulz, A. Kress, F. Hofbauer, J.J. Finley, G. Abstreiter // Phys. E. - 2005. -Vol.26. -P.72 - 76.

62. Mehta M. Intentionally positioned self-assembled InAs quantum dots in an electroluminescent p-i-n junction diode / M. Mehta, D. Reuter, A. Melnikov, A.D. Wieck, S.M. de Vasconcellos, T. Baumgarten, A. Zrenner, C. Meier // Phys. E. - 2010. -Vol.42. -P.2749 -2752.

63. Umeda T. InAs quantum dot formation on GaAs pyramids by selective area MOVPE / T. Umeda, K. Kumakura, J. Motohisa, T. Fukui // Phys. E. - 1998. -Vol.2. -P.714 - 719.

64. Konkar A. Stress-engineered spatially selective self-assembly of strained InAs quantum dots on nonplanar patterned GaAs(OOl) substrates / A. Konkar, A. Madhukar, P. Chen // Appl. Phys. Lett. - 1998. -Vol.72, № 2. -P.220 - 222.

65. Hahn C.-K. Formation of single and double self-organized InAs quantum dot by selective area metal-organic vapor phase epitaxy / C.-K. Hahn, J. Motohisa, T. Fukui // Appl. Phys. Lett. - 2000. -Vol.76, № 26. -P.3947 - 3949.

66. Wang H. Planarization of InP pyramids containing integrated InAs quantum dots and their optical properties / H. Wang, J. Yuan, R. P. J. van Veldhoven, T. de Vries, B. Smalbrugge, E. J. Geluk, R. Notzel // Journ. Appl. Phys. - 2010. -Vol.108. -P. 104308 - 1 - 104308 - 4.

67. Tsui R. Selective positioning of InAs self-organized quantum dots on sun-250 nm GaAs facets / R. Tsui, R. Zhang, K. Shiralagi, H. Goronkin // Appl. Phys. Lett. - 1997. -Vol.71, № 22. -P.3254 - 3256.

68. Kim J.S. Height-controlled InAs quantum dots by using a thin InGaAs layer / J.S. Kim, P.W. Yu, J.I. Lee, J.S. Kim, S.G. Kim, J.-Y. Leem, M. Jeon // Appl. Phys. Lett. - 2002. -Vol.80, № 25. -P.4714 - 4716.

69. Chithrani D. Optical spectroscopy of single, site-selected, InAs/InP self-assembled quantum dots / D. Chithrani, R.L. Williams, J. Lefebvre, P.J. Poole, G.C. Aers // Appl. Phys. Lett. -2004. -Vol.84, № 6. -P.978 - 980.

70. Zhou D. Submicron active-passive integration with position and number controlled InAs/InP (100) quantum dots (1.55 pm wavelength region) by selective-area growth / D. Zhou, S. Anantathanasarn, P.J. van Veldhoven, F.W.M. van Otten, T.J. Eijkemans, T. de Vries, E. Smalbrugge, R.Notzel // Appl. Phys. Lett. -2007. -Vol.91. -P.131102 -1 - 131102-3.

71. An H. Optical properties of InAs quantum dots formed on GaAs pyramids / H. An, J. Motohisa // Appl. Phys. Lett. - 2000. -Vol.77, № 3. -P.385 -387.

72. Wang H. Distribution control of 1.55 pm InAs quantum dots down to small numbers on truncated InP pyramids grown by selective area metal organic vapor phase epitaxy / H. Wang, J. Yuan, T. Rieger, P.J. van Veldhoven, P. Nouwens, T.J. Eijkemans, T. de Vries, B. Smalbrugge. E.J.Geluk, R. Notzel // Appl. Phys. Lett. - 2009. -Vol.94. -P.143103 -1143103-3.

73. Gopfert S. Room temperature single-electron memory and light sensor with three-dimentionally positioned InAs quantum dots / S. Gopfert, L. Worschech, S. Lingemann, C. Schneder, D. Press, S. Yofling, A. Forchel // Appl. Phys. Lett. - 2010. -Vol.97. -P.222112 -1-222112-3.

74. Hsieh T.-P. Selective growth of InAs quantum dots on patterned GaAs / T.-P. Hsieh, P.-C. Chiu, Y.-C. Liu, N.-T. Yeh, W.-J. Ho, J.-I. Chyi // Journ. Vac. Sci. Technol. B. - 2005. -Vol.23, № 1. -P.262 — 266.

75. Wang Zh.M. Localized formation of InAs quantum dots on shallow-patterned GaAs (100) / Zh.M. Wang, J.H. Lee, B.L. Liang, W.T. Black, V.P. Kunets, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Appl. Phys. Lett. -2006. -Vol.88. -P.233102 -1-233102-3.

76. Kitamura M. In situ fabrication of self-aligned InGaAs quantum dots on GaAs multiatomic steps by metalorganic chemical vapor deposition / M. Ritamura, M. Nishioka, J. Oshinowo, Y. Arakawa // Appl. Phys. Lett. - 1995. -Vol.66, №26. -P.3663 -3665.

77. Lee B.C. Selective growth of single InAs quantum dots using strain engineering / B.C. Lee, S.D. Lin, C.P. Lee, H.M. Lee, J.C. Wu, K.W. Sun // Appl. Phys. Lett. - 2002. -Vol.80, №2. -P.326 -328.

78. Hyon C.K. Application of atomic-force-microscope direct patternig to selective positioning of InAs quantum dots on GaAs / C.K. Hyon, S.C. Choi, S.-H. Song, S.W. Hwang, M.H. Son, D. Ahn, Y.J. Park, E.R. Kim // Appl. Phys. Lett. - 2000. -Vol.77, №16. -P.2607 -2609.

79. Martin-Sanchez J. Site-controlled lateral arrangements of InAs quantum dots grown on GaAs(OOl) patterned substrates by atomic force microscopy local oxidation nanolithography / J. Martin-Sanchez, P. Alonso-González, J. Herranz, Y. Gonzalez, L. Gonzalez // Nano-technology. - 2009. -Vol.20. -P. 125302 -1-125302-7.

80. Lee J.Y. Filling of hole arrays with InAs quantum dots / J.Y. Lee, M.J. Noordhoek, P. Smereka, H. McKay, J. M. Millunchick // Nanotechnology. - 2009. -Vol.20. -P.285305 -1285305-6.

81. Kiravittaya S, Multi-scale ordering of self-assembled InAs/GaAs(001) quantum dots / S. Kiravittaya, R. Songmuang, A. Rastelli, H. Heidemeyer, O.G.Schmidt // Nanoscale Res. Lett. -2006. -Vol.1. -P. 1 -10.

82. Cui. C.X. Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate / C.X. Cui, Y.H. Chen, Y.Y. Ren, B. Xu, P. Jin, C. Zhao, Z.G. Wang // Superlattices and Microstructures. - 2006. -Vol.39. -P.446 - 453.

83. Notzel R. Lateral Ordering, Positioning, and Number Control of Self-Organized Quantum Dots: The Key to Future Functional Nanophotonic Devices / R. Notzel, N. Sritirawisarn, E. Selcuk, S. Anantathanasarn // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. -2008. -Vol.14, №4. -P. 1140 - 1149.

84. Ellis D. J. P. Oxide - apertured microcavity single - photon emitting diode / D. J. P. Ellis, A. J. Bennett, A. J. Shields, P. Atkinson, D. A. Ritchie // Appl. Phys. Lett. - 2007. -Vol.90. -P.233514— 1 -3.

85. Ellis D. J. P. Electrically addressing a single self - assembled quantum dot / D. J. P. Ellis, A. J. Bennett, A. J. Shields, P. Atkinson, D. A. Ritchie // Appl. Phys. Lett. - 2006. -Vol.88. -P.133509- 1 -3.

86. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Design, Fabrication, Characterization, and Applicatios / ed. C.W. Wilmsen, H. Temkin, L.A. Coldren // Cambrige: Cambrige University Press.-1999.-455 p.

87. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applicions / ed. J. Cheng, N.K. Dutta // Amsterdam: Gordon and Breach Sciene Publishers. - 2000. - 323 p.

88. Mutig A. High Speed VCSELs for Optical Interconnects. Doctoral Thesis accepted by Technical University of Berlin, Germany / A. Mutig // Berlin Heidelberg: Springer - Verlag. -2011.-169 p.

89. Леденцов H. H. Новое поколение вертикально - излучающих лазеров как ключевой элемент компьютерно - коммуникационной эры / Н. Н. Леденцов, Дж. А. Лотт // Успехи физических наук. - 2011. -Т.181, № 8. -С.884 -890.

90. Iga К. Surface - Emitting Laser - Its Birth and Generation of New Optoelectronics Field / K. Iga // IEEE Journal on Selected Topics in Quantum Electronics. - 2000. -Vol.6, No. 6. -P.1201 -1215.

91. Iga K. Vertical - Cavity Surface - Emitting Laser: Its Conception and Evolution / K. Iga // Japanese Journal of Applied Physics. -2008. -Vol.47, No. 1. -P.l -10.

92. Strittmatter A. Lateral positioning of InGaAs quantum dots using a buried stressor / A. Strittmatter, A. Schliwa, J.-H. Schulze, T.D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I.A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U.W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. Haisler // Appl. Phys. Lett.-2012.-Vol.100.-P.093111 - 1 -3.

93. Strittmatter A. Site - controlled quantum dot growth on buried oxide stressor layers / A. Strittmatter, A. Holzbecher, A. Schliwa, J.-H. Schulze, D. Quandt, T.D. Germann, A. Dreismann, O. Hitzemann, E. Stock, I.A. Ostapenko, S. Rodt, W. Unrau, U.W. Pohl, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. Haisler // Phys. Status Solidi A. - 2012. -Vol.209, No. 12. -P.2411 -2420.

94. Kohmoto S. Site - controlled self - organization of individual InAs quantum dots by scanning tunneling probe - assisted nanolithography / S. Kohmoto, H. Nakamura, T. Ishikawa, K. Asakawa // Appl. Phys. Lett. - 1999. -Vol.75, No. 22. -P.3488 - 3490.

95. Sheglov D.V. Nano-pattering on flat surfaces by AFM Tip / D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev // AIP proceedings, Scanning Tunneling Microscopy, Spectroscopy and Related Techniquies, 12th International Conf. - 2003. - CP696. - P.550.

96. Sheglov D.V. Peculiarities of nanooxidation on flat surface / D.V. Sheglov, A.V. Prozorov, D.A. Nasimov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev // Phys. Low - Dimension Structures. - 2002. No 5/6.-P. 239-247.

97. Ткаченко B.A. Амплитуда осцилляций Аронова - Бома в малых баллистических интерферометрах / В.А. Ткаченко, Квон З.Д., Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов,

0.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, A.J1. Асеев // Письма в ЖЭТФ. - 2004. - Т. 93, В. 3. - С. 168-172.

98. Atkinson P. Site-controlled growth and luminescence of InAs quantum dots using in situ Ga-assisted deoxidation of patterned substrates / P. Atkinson, S. Kiravittaya, M. Benyoucef,

A. Rastelli, O. G. Schmidt // Appl. Phys. Lett. - 2008. -Vol.93, No.10. -P.101903 - 1 - 3.

99. Albert F. Quantum efficiency and oscillator strength of site-controlled InAs quantum dots / F. Albert, S. Stobbe, C. Schneider, T. Heindel, S. Reitzenstein, S. Hofling, P. Lodahl, L. Worschech, A. Forchel // Appl. Phys. Lett. - 2010. -Vol.96, No. 15. -P.151102 - 1 - 3.

100. Heitz R. Shape-dependent properties of self-organized quantum dots: Few-particle states and exciton-phonon coupling / R. Heitz, S. Rodt, A. Schliwa, D. Bimberg // Phys. Stat. Sol.

B. - 2003. -Vol.238. - P. 273 - 280.

101. Stier O. Shape and composition effects on excitons and biexcitons in quantum dots / O. Stier, R. Heitz, A. Schliwa, D. Bimberg // Phys. Stat. Sol. A. - 2002. -Vol.190. - P. 477 -484.

102. Stier O. Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band-k.p theory / O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg // Phys. Rev. B. - 1999. - Vol.59. - P. 5688 -5701.

103. Rodt S. Correlation of structural and few-particle properties of self-organized InAs/GaAs quantum dots / S. Rodt, A. Schliwa, K. Potschke, F. Guffart, D. Bimberg // Phys. Rev. B. -2005.- Vol.71, No. 15.- P. 155325- 1-7.

104. Shields A.J. Self-assembled quantum dots as a source of single photons and photon pairs / A.J. Shields, R.M. Stevenson, R.M. Thompson, M.B. Ward, Z. Yuan, B.E. Kardynal, P. See,

1. Farrer, C. Lobo, K. Cooper, D.A. Ritchie // Phys. Stat. Sol. B. - 2003. - Vol.238, No.2. -P. 353-359.

105. Bennet A.J. Electrical control of the uncertainty in the time of single photon emission events / A.J. Bennet, D.C. Unit, P. See, A.J. Shields, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol.72. - P. 033316 -1- 4.

106. Fattal D. Indistiguishable single photons from a quantum dot / D. Fattal, C. Santori, J. Vuchkovic, G.S. Solomon, Y. Yamamoto // Phys. Stat. Sol. B. - 2003. - Vol.238, No. 2. -P. 305 - 308.

107. Buckley S. Engineered quantum dot single - photon sources / S. Buckley, K. Rivoire, J. Vuckovic // Reports on Progress in Physics. - 2012. - Vol.75. - P. 126503 - 1 - 27.

108. Heitz R. Shell-like formation of self-organized InAs/GaAs quantum dots / R. Heitz, F. Guffarth, K. Potschke, A. Schliwa, D.Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner // Phys. Rev. B. -2005. -Vol.71. -P.045325-1- 7.

109. Schliwa A. Electronic Properties of Self-Organized Quantum Dots / A. Schliwa // Ph. D. Thesis, Technische Universität Berlin. - 2007. - 117 p.

110. Давыдов A.C. Квантовая механика / A.C. Давыдов // Издательство «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, Москва. - 1973. - 704 с.

111. Краснопевцев Е.А. Квантовая механика в приложениях к физике твердого тела / Е.А.Краснопевцев // Издательство «НГТУ», Новосибирск. — 2010. — 355 с.

112. Seguin R Electronic Fine Structure and Recombination Dynamics in Single InAs Quantum Dots / R. Seguin // Ph. D. Thesis, Technische Universität Berlin. - 2008, -122 p.

113. Bayer M. Fine structure of neutral and charged excitons in self-assembled In(Ga)As/(Al)GaAs quantum dots / M. Bayer, G. Ortner, O. Stern, A. Kuther, A.A. Gorbunov, A. Forchel, P. Hawrylak, S. Fafard, K. Hinzer, T.L. Reinecke, S.N. Walck, J.P. Reithmaier, F. Klopf, F. Schafer // Phys. Rev. В. - 2002. - Vol. 65, No. 19. - P. 195315 -1 -23.

114.Bimberg D. Flying Q-bits and Entangled Photons Enabling Quantum Cryptography / D. Bimberg // Proc. 2009 International Nano-Optoelectronics Workshop, Stocholm, Sweden and Berlin, Germany. - 2009. P. 54 - 55.

115. Stevenson R.M. Control of Exciton Fine Structure Splitting in Quantum Dots / R.M. Stevenson, R.J. Young, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie, A. Shields // Acta Physica Polonica A. -2006. - Vol. 110, No. 3. - P. 311 - 318.

116. Мирошниченко Г.П. Источники и детекторы одиночных фотонов на основе микро- и нанооптических структур / Г.П. Мирошниченко // Наносистемы: физика, химия, математика. - 2011. -Т. 2, №1. С.47 - 63.

117. Beveratos A. Quantum optics with quantum dots: Towards semiconductor sources of quantum light for quantum information processing / A. Beveratos, I. Abram, J.-M. Gerard, I. Robert-Philip // The European Physics Journal D. -2014. - Vol. 68. - P. 377 - 1 - 14.

118. Stevenson R.M. Indistinguishable Entangled Photons Generated by a Light-Emitting Diode / R.M. Stevenson, C.L. Salter, J. Nilsson, A.J. Bennet, M.B. Ward, I. Farrer, D.A. Ritchie, A. Shields // Phys. Rev. Lett. -2012. -Vol. 108. -P. 040503 - 1 - 5.

119.Hafenbrak R. Triggered polarization - entangled photo pairs from quantum dot up to 30K / R. Hafenbrak, S.M. Ulrich, P. Michler, L. Wang, A. Rastelli, O.G. Sshmidt // New Journ. Phys. - 2007. - Vol. 9. - P. 315 - 1 - 10.

120. Hudson A.J. Coherence of an Entangled Exciton-Photon State / A.J. Hudson, R.M. Stevenson, A.J. Bennett, R.J. Young, C.A. Nicolli, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie, A.J. Shields // Phys. Rev. Lett. -2007. - Vol.99. -P. 266802 -1 -4.

121. Stevenson R.M. A semiconductor source of triggered entangled photon pairs / R.M. Stevenson, R.J. Young, P. Atkinson, K. Cooper, D.A. Ritchie, A.J. Shields // Nature. -2006. -Vol.439, No 12. -P. 179- 182.

122. Bengtsson I. Geometry of Quantum States: An Introduction to Quantum Entanglement /1. Bengtsson, K. Zyczkowski // Cambridge University Press. - 2008. - 432 p.

123.Nielsen M.A. Quantum Computation and Quantum Information / M. A. Nielsen, I. L.Chuang // Cambridge University Press. - 2010. - 670 p.

124. Валиев К.А. Квантовые компьютеры и квантовые вычисления / К.А. Валиев // Успехи физических наук. - 2005, - Т. 175. - С. 3 - 39.

125. Pan J.-W. Entanglement purification for quantum communication / J.-W. Pan, C. Simon, C. Brukner, A. Zeilinger // Nature. -2001. -Vol. 410. - P. 1067 - 1070.

126.Briegel H.-J. Quantum Repeaters: The Role of Imperfect Local Operations in Quantum Communication / H.-J. Briegel, W. Dur, J.I. Cirac, P. Zoller // Phys. Rev. Lett. - 1998. -Vol. 81, No. 26. - P. 5932 - 5935.

127. Knill E. A scheme for efficient quantum computation with linear optics / E. Knill, R. Laflamme, G.J. Milburn // Nature. -2001. -Vol. 409. - P. 46 - 52.

128. Mitschke F. Fiber optics: physics and technology / F. Mitschke // Berlin, Springer - Verlag. -2009.-290 p.

129. Салех Б. Оптика и фотоника: принципы и применения / Б. Салех, М. Тейх // Пер. с англ.: Учебное пособие. В 2 т., Долгопрудный, Издательский Дом «Интеллект». -2012.-Т.2.-784 с.

130. Nanoscale Photonics and Optoelectronics / Ed. Z.M. Wang, A. Neogi // New York, Dordrecht, Heidelberg, London, Springer. -2010.-231 p.

131. Салех Б. Оптика и фотоника: принципы и применения / Б. Салех, М. Тейх // Пер. с англ.: Учебное пособие. В 2 т., Долгопрудный, Издательский Дом «Интеллект». -2012.-Т. 1.-760 с.

132. Yamamoto Y. Semiconductor Cavity Quantum Electrodynamics / Y. Yamamoto, F. Tassone, H. Cao // Berlin, Heidelberg, New York, Springer - Verlag. - 2000. - 154 p.

133. Confined Photon Systems: Fundamentals and Applications / Ed. H. Benisty, J.-M. Gerard, R. Houdre, J. Rarity, C. Weisbuch // Berlin, Heidelberg, New York, Barcelona, Hong Kong, London, Paris, Tokyo, Springer - Verlag. -1999. - 496 p.

134. Kim J. Nonclassical Light from Semiconductor Lasers and LEDs / J.Kim, S. Somani, Y. Yamamoto // Berlin, Heidelberg, New York, Springer - Verlag. -2001. -244p.

135. Purcell E. Resonance Absorption by Nuclear Magnetic Moments in a Solid / E. Purcell, H. Torrey, R. Pound // Phys. Rev. - 1946. - Vol.69, No. 1-2. - P.37.

136. Reitzenstein S. Cavity quantum electrodynamics studies with site-controlled InGaAs quantum dots integrated into high quality microcavities / S. Reitzenstein, C. Schneider, F. Albert, A. Huggenberger, T. Heindel, M. Lermer, S. Stobbe, P. Weinmann, P. Lodahl, S. Hofling, M. Kamp, L. Worschech, A. Forchel // Proc. of SPIE. - 2011. - Vol. 7947. P. 794702 - 1 -11.

137. Vuckovic J. Optimization of three-dimensional micropost microcavities for cavity quantum electrodynamics / J. Vuckovic, M. Pelton, A. Scherer, Y. Yamamoto // Phys. Rev. A. -2002. -Vol.66.-P. 023808- 1 -9.

138. Binning G. Atomic force microscope / G. Binning, C.F. Quate, Ch. Gerber // Phys. Rev. Lett. -1986. -Vol.56, No.9. P. 930-933.

139. Миронов В. JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В.Л. Миронов // Н. Новгород, Изд. Института физики микроструктур. - 2004. - 114 с.

140. Физика, Большой энциклопедический словарь / под ред. А. М. Прохорова // Москва, изд. Большая Российская энциклопедия. -1999. - 943 с.

141. Справочник по лазерам, том 1, / Пер. с англ. под ред. А. М. Прохорова // Москва, изд. Советское радио. -1978. -504 с.

142. Борн М. Основы оптики / М. Борн, Э. Вольф // Москва, Изд. «Наука», Главная редакция физико-математической литературы. - 1973. - 720 с.

143. Yeh P. Optical waves in layered media / P. Yeh // Singapore, John Wiley & Sons. — 1991. - 406 p.

144. Handbook of Optical Constants of Solids / Ed. by E.D. Palik // San Diego, London, Boston, New York, Sydney, Tokyo, Toronto, Academic Press. -1998. - 804 p.

145. Aspnes D.E. Optical properties of AlGaAs / D.E. Aspnes, S.M. Kelso, R.A. Logan, R. Bhat // J. Appl. Phys. -1986. -Vol.60, No.2. -P.754 - 767.

146. Aspnes D.E. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb from 1.5 to 6.0 eV / D.E. Aspnes, A.A. Studna // Phys. Rev. B. - 1983. Vol.27, No.2, -P.985- 1009.

147. Adachi S. GaAs, AlAs and AlxGai-xAs: material parameters for use in research and device applications / S. Adachi // J. Appl. Phys. -1985. -Vol. 58, No.3. - P. R1 - R29.

148. Numerical techniques for microwave and millimeter wave passive structures / Ed. by T. Itoh // Wiley Interscience Publication. - 1989. - 720 p.

149. Taflove A. Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method, 2nd edition / A. Taflove, S. Hagness // Artech House. - 2000. - 866 p.

150. Bienstman P. Rigorous and efficient modelling of wavelength scale photonic components / P. Bienstman // Dissertation, Gent University, Faculty for information technologies. - 2000. -171 p.

151. Bienstman P. Comparison of optical VCSEL models on the simulation of oxide-confined devices / P. Bienstman, R. Baets, J. Vukusic, A. Larsson, M.J. Noble, M. Brunner, K. Gulden, P. Debernardi, L. Fratta, G.P. Bava, M. Wenzel, B. Klein, O. Conradi, R. Pregla, S.A. Riyopoulos, J.-F.P. Seurin, L.Ch. Shun // IEEE J. Quant. Electron. - 2001. - Vol.37, No. 12. -P. 1618-1631.

152. CAMFR: CAvity Modelling FRamework (http://camfr.sourceforge.net/)

153. Fiore A. High-Efficiency Light-Emitting Diodes at « 1.3 |ш1 Using InAs-InGaAs Quantum Dots / A. Fiore, U. Oesterle, R.P. Stanley, M. Ilegems // IEEE Photonics Technology Letters. -2000.-Vol. 12, No.12. - P.1601 - 1603.

154. Leon R. Nucleation Transition for InGaAs Islads on Vicinal (100) GaAs / R. Leon, T.J. Senden, Y. Kim, C. Jagadish, A. Clark // Phys. Rev. B. - 1997. Vol.78, No.26. - P.4942 -4945.

155. Patella F. Tracing the two- or three-dimentional transiton in the InAs/GaAs (001) heteroepitaxial growth / F. Paletta, S. Nufris, F. Arciprete, M. Fanfoni, E. Placidi, A. Sgarlata, A. Balzarotti // Phys. Rev. B. - 2003. Vol.67. - P.205308 - 1 - 5.

156. Placidi E. InAs/ GaAs(OOl) epitaxy: kinetic effect in the two-dimensional to three-dmensional transition / E. Placidi, F. Arciprete, M. Fanfoni, F. Paletta, E. Orsini, A. Balzarotti // J. Phys: Condensed Matter. -2007. - Vol. 19. - P. 225006 -1 -21.

157. Arciprete F. How kinetics drives the two to three-dimensional transition in semiconuctotorstrained heterostructures: The case of InAs/GaAs (001) / F. Arciprete, E. Placidi, V. Sessi, M. Fantori, F. Patella, A. Balzaotti // Appl. Phys. Lett. - 2006. -Vol.89. -P.041904 - 1 - 3.

158. Patella F. Morphological instabilities of the InAs/GaAs (001) interface and their effect on the self-assembling of InAs quantum-dot arrays / F. Paella, F. Arciprete, E. Placidi, S. Nufris, M. Fantori, A. Sgarlata, D. Schiumarini // Appl. Phys. Lett. - 2002. -Vol.81, No. 12. -P. 2270-2272.

159.Пихтин A. H. Оптическая и квантовая электроника / А. Н. Пихтин // Москва, изд. Высшая школа. -2001. - 573 с.

160. Clawson A. R. Guide to references on III - V semiconductor chemical etching / A. R. Claw-son // Materials Science and Engineering. - 2001. - Vol. 31. - P. 1 - 438.

161. Sun X. Selective wet etching of Al07Ga0 3As layer in concentrated HC1 solution for peeling off GaAs microtips / X. Sun, L. Ни, H. Song, Z. Li, D. Li, H. Jiang, G. Miao // Solid - State Electronics. - 2009. - Vol. 53. - P. 1032 - 1035.

162. Воробьев А.Б. Формирование однослойного массива наночастиц для просвечивающей электронной микроскопии / А.Б. Воробьев, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц, В.А. Селезнев // Журнал технической физики. - 2000. -Т. 70, В.6. - С.116 - 118.

163. Sale Т. Е. Vertical Cavity Surface Emitting Lasers / Т. E. Sale // New York, Wiley. - 1995. -312 p.

164. Winston D.W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices / D.W. Winston // The Thesis for the Doctor of Philosophy degree. Department of Electrical and Computer Engineering. Faculty of the Graduate School of the University of Colorado at Boulder. -1996.- 186 p.

165. Winston D.W. Optoelectronic Device Simulation of Bragg Reflectors and Their Influence on Surface-Emitting Laser Characteristics / D.W. Winston, R.E. Hayes // IEEE Journal of Quantum Electronics. -1998. -Vol.34, No. 4. - P.707-715.

166. Khaetskii A.V. Spin relaxation in semiconductor quantum dots / A.V. Khaetskii, Yu.V. Nazarov II Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 61. - P. 12639 - 12642.

167. Seguin R. Control of fine-structure splitting and excitonic binding energies in selected individual InAs/ GaAs quantum dots / R. Seguin, A. Schliwa, T. D. Germann, S. Rodt, K. Potschke, A. Strittmatter, U. W. Pohl, D. Bimberg, M. Winkelnkemper, T. Hammerschmidt, P. Kratzer // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89. - P. 263109- 1 -3.

168. Young R. J. Inversion of exciton level splitting in quantum dots / R. J. Young, R. M. Stevenson, A. J. Shields, P. Atkinson, K. Cooper, D. A. Ritchie, К. M. Groom, A. I. Tartakovskii, M. S. Skolnick // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 113305 - 1 - 4.

169. Seidl S. Statistics of quantum dot exciton fine structure splittings and their polarization orientations / S. Seidl, B.D. Gerardot, P.A. Dalgarno, K. Kowalik, A.W. Holleitner, P.M. Petroff, K. Karrai, R.J. Warburton // Physica E. - 2008. - Vol. 40. - P. 2153 - 2155.