Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Блохин, Сергей Анатольевич

• Блохин, Сергей Анатольевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Блохин, Сергей Анатольевич

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА.1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Селективное окисление AlGaAs.

1.1.1. Технология селективного окисления.

1.1.2. Химия окисления.

1.1.3. Кинетика процесса окисления.

1.1.4. Микроструктура оксида.

1.1.5. Механическая стабильность структур.

1.2. Полупроводниковые микродисковые лазеры.

1.2.1. Конструкция.

1.2.1. Квантовые точки в качестве активной области микродисковых лазеров.

1.3. Поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикальных mhkp0pe30hat0p0bs.

1.3.1. Распределенные брэгговские отражатели.

1.3.2. Активная область ПИЛВМ.

1.3.3. Токовое ограничение в ПИЛВМ.

1.3.4. Спектральное согласование спектра усиление имодовой структуры ПИЛВМ

1.3.5. Тепловое сопротивление.

1.3.6. Одномодовая генерация.

ГЛАВА.2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКИ.

2.1. Рост гетероструктур методом молекулярно-пучковой эпитаксии.

2.2. Аппаратная реализация процесса селективного окисления.

2.3. Методика подготовки образцов и особенности проведения экспериментов

2.4. Метод оценки механических напряжений в структурах GaAs/(AlGa)xOy.

ГЛАВА.З. ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ СЕЛЕКТИВНОГО ОКИСЛЕНИЯ.

3.1. Особенности кинетики образования оксида.

3.2. Исследование механических напряжений в структурах GaAs/(AlGa)xOy.

3.3. Влияние высокотемпературного отжига на микроструктуру оксида.

3.4. Латерально-вертикальное окисление.

Создание оксидных слоев со сложным профилем.

ГЛАВА.4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МИКРОДИСКОВ НА ОСНОВЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК С АСИММЕТРИЧНЫМ ВОЛНОВОДОМ, СФОРМИРОВАННЫМ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ОКИСЛЕНИЯ.

4.1. Аналитическая модель полупроводникового микродиска.

4.2. Лазерная генерация в микродисках с квантовыми точками в качестве активной области.

4.2.1 Микро диско вые лазеры на основе субмонослойных InGaAs квантовых точек.

4.2.2 Микродисковые лазеры на основе InAs/InGaAs квантовых точек.

ГЛАВА.5. ПОВЕРХНОСТНО-ИЗЛУЧАЮЩИЕ ЛАЗЕРЫ НА ОСНОВЕ ВЕРТИКАЛЬНЫХ МИКРОРЕЗОНАТОРОВ С СУБМОНОСЛОЙНЫМИ INGAAS КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ.

5.1. Выбор конструкции прибора.

5.2. Экспериментальная реализация ПИЛВМ.

5.3. Оптические потери.

5.4. Оптимальное согласование резонансной длины волны и спектра усиления активной области ПИЛВМ.

5.5. Тепловое сопротивление.

5.6. Одномодовый режим генерации.

5.7. Поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикальных микрорезонаторов с фотонным кристаллом.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs»

На сегодняшний день полупроводниковые лазеры являются ключевыми элементами в быстродействующих волоконно-оптических линиях связи (BOJ1C), устройствах оптической записи информации, высокопроизводительных компьютерных системах и локальных вычислительных сетях (ЛВС). Рост процессорных мощностей компьютеров -удвоение производительности процессоров каждые полтора-два года, а вместе с ним и потребностей современных компьютерных приложений требует все большей пропускной способности оптических систем. Так, за 20 лет тактовая частота процессора возросла от мегагерц до гигагерц, а пропускная способность Ethernet - от Мбит/с до Гбит/с, причем уже сейчас есть работающие прототипы Ethernet со скоростью передачи 10 Гбит/с. При таких высоких скоростях медные кабели обеспечивают малую дальность передачи информации порядка 30 метров (специальные кабели не более 100 метров), тогда как применение оптических волокон позволяет увеличить дальность на несколько порядков. Традиционные полосковые лазеры обладают большой расходимостью светового пучка и широким спектром излучения, что приводит к малому коэффициенту ввода света в одномодовое оптическое волокно и ограничению дальности передачи информации при требуемом уровне битовых потерь менее Ю"10, соответственно. Дальнейшее увеличение скорости передачи данных возможно лишь при уменьшении влияния волновой и модальной дисперсии волокна, для чего лазеры должны работать в одномодовом одночастотном режиме. Следует отметить, что рост быстродействия лазеров должен сопровождаться ростом средней оптической мощности для поддержания того же уровня шумов на один импульс, что ограничит возможность применения приборов диапазона 850 нм. Таким образом, все возрастающие требования, предъявляемые к современным лазерам, используемых в системах передачи, обработки и хранении информации, обуславливают необходимость повышения спектрального и пространственного совершенства излучения, что делает актуальным разработку новых конструкций приборов.

На данный момент наиболее перспективными типами полупроводниковых микролазеров являются поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикального микрорезонатора (ПИЛВМ), в которых оптическая волна распространяется в направлении, перпендикулярном к плоскости активной области (в направлении роста) [1], и микродисковые лазеры (МДЛ), где свет распространяется в плоскости активного слоя [2]. В случае ПИЛВМ высокодобротный резонатор формируется с помощью распределенных брэгговских отражателей (РБО), тогда как в МДЛ - за счет полного внутреннего отражения на границе полупроводник-воздух в плоскости микродиска и сильного волноводного эффекта в направлении роста структуры. В случае ПИЛВМ высокодобротный резонатор формируется с помощью распределенных брэгговских отражателей (РБО), тогда как в МДЛ за счет полного внутреннего отражения на границе полупроводник-воздух в плоскости микродиска и сильного волноводного эффекта в направлении роста структуры. С одной стороны, ПИЛВМ являются наиболее перспективным ключевым компонентом ВОЛС и ЛВС благодаря более высокой эффективности ввода света в волокно и более узкой спектральной ширине линии излучения. Кроме того, интегральные массивы ПИЛВМ представляются наиболее оптимальным решением построения оптических межсоединений. С другой стороны, МДЛ удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым к базовым элементам в оптоэлектронных интегральных схемах: малые пороговые токи и рассеиваемые мощности, возможность одномодового режима лазерной генерации с фиксированной поляризацией излучения и возможность интеграции с волноводами в плоскости пластины с использованием ближнепольного вывода света, к Несмотря на очевидный прогресс в создании полупроводниковых микролазеров и обширные исследования, ведущиеся в данной области оптоэлектроники, до сих пор существует ряд серьезных проблем. К их числу относится проблема низкой механической стабильности и высокого теплового сопротивлений традиционных МДЛ, что является главным лимитирующим фактором при получении лазерной генерации в непрерывном режиме при комнатной температуре. Ключевой проблемой практического применения ПИЛВМ является и задача получения высокой выходной мощности в режиме стабильной одномодовой генерации.

Весьма перспективным решением указанных проблем является использование полупроводниковых оптических микрорезонаторов, сформированных при помощи селективного окисления А1-содержащих слоев [3]. Уникальность данной технологии состоит в том, что она позволяет создавать скрытые диэлектрические слои высокого структурного качества с требуемыми электрическим и оптическими параметрами в едином процессе и может быть применена для обеспечения эффективного токового и оптического ограничений одновременно. В тоже время проблемы воспроизводимости и стабильности параметров селективного окисления А1-содержащих слоев, а также механической надежности приборов после окисления до сих пор остаются нерешенными. Следует отметить, что волповодный эффект оксидной апертуры и неоднородная инжекция носителей по площади токовой апертуры, свойственная для ПИЛВМ, могут приводить к возникновению генерации на модах шепчущей галереи и оказывать негативное влияние на лазерные характеристики ПИЛВМ [4]. Таким образом, необходимы как отдельные, так и комплексные исследования взаимодействия света с веществом в МДЛ и ПИЛВМ, что чрезвычайно важно для понимания физических основ работы микролазеров обоих типов.

В связи с эффектами латеральной локализации носителей и, соответственно, подавлением эффектов растекания и поверхностной рекомбинации, наибольший интерес для использования в микролазерах представляют собой квантоворазмерные гетероструктуры с размерностью ниже, чем два - квантовые проволоки и квантовые точки. Кроме того, для лазеров на основе квантовых точек теоретически предсказаны, и экспериментально продемонстрированы, сверхвысокая температурная стабильность порогового тока и значительное снижение самой величины пороговой плотности тока по сравнению с лазерами на квантовых ямах [5]. Таким образом, создание и исследование микролазеров на основе гетероструктур с In(Ga)As квантовыми точками, в которых токовое и оптическое ограничение сформированы методом селективного окисления AlGaAs слоев, имеет исключительно важное значение, как для современной оптоэлектроники и полупроводниковой нанотехнологии, так и для физики полупроводников.

Научная новизна работы:

1. Впервые разработана универсальная методика получения многослойных структур оксид-полупроводпик, позволяющая получать в едином процессе сложные профили окисления, как в вертикальном, так и в латеральном направлении.

2. Исследованы зависимости механических напряжений, возникающих в GaAs/(AIGa)xOy структурах при селективном окислении слоев AlGaAs, от режимов технологического процесса.

3. Впервые созданы и исследованы высокодобротные полупроводниковые микродисковые лазеры на In(Ga)As квантовых точках с асимметричным волноводом воздух/СаАз/(АЮа)хОу, сформированным методом селективного окисления. Продемонстрирован эффект подавления спектралыюй диффузии носителей и их транспорта в In(Ga)As квантовых точках, позволивший получить лазерную генерацию в микролазерах в непрерывном режиме при оптической накачке при комнатной температуре.

4. Предложен и апробирован новый метод определения величины расстройки максимума спектра усиления активной области и резонансной длины волны для поверхностно-излучающих лазеров на основе вертикальных микрорезонаторов.

5. Впервые созданы и исследованы мощные (до 4 мВт) одномодовые поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикальных микрорезонаторов с субмонослойными InGaAs квантовыми точками в качестве активной области и применением латерального профилирования эффективного коэффициента преломления структуры с помощью волповодного эффекта оксидной токовой апертуры и формирования на поверхности структуры фотонного кристалла.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

Положение 1

In-situ высокотемпературный отжиг в атмосфере азота обеспечивает эффективное удаление остаточных продуктов реакции селективного окисления слоев AlGaAs и приводит к трансформации аморфного оксида а-(АЮа)хОу в поликристаллическую 7-(AlGa)xOy фазу, обладающую высокой механической стабильностью и теплопроводностью.

Положение 2

Использование InAs/InGaAs квантовых точек с высокой энергией локализации носителей и асимметричного волновода B03flyx/GaAs/(AlGa)xOy, сформированного методом селективного окисления, позволяет достичь лазерной генерации в непрерывном режиме при комнатной температуре в полупроводниковом микродисковом лазере.

Положение 3

Применение субмонослойных InGaAs квантовых точек в качестве активной области поверхностно-излучающих лазеров с полупроводниковыми проводящими зеркалами позволяет получить сверхнизкие внутренние оптические потери, высокую дифференциальную эффективность и выходную оптическую мощность до 4 мВт в одномодовом режиме непрерывной генерации при оптимальном дизайне оксидной апертуры.

Положение 4

Формирование фотонного кристалла в верхнем распределенном брэгговском отражателе позволяет подавить генерацию мод высокого порядка и получить одномодовую генерацию с высокой выходной мощностью (до 3.8мВт) в поверхностно-излучающем лазере на основе вертикального микрорезонатора с оксидной токовой апертурой большого диаметра во всем диапазоне токов накачки.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Блохин, Сергей Анатольевич

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1*. Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, С.А. Блохин, Ю.Г. Мусихин, А.Е.Жуков, М.В. Максимов, Н.Д. Захаров, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, P. Werner, F. Guffart, D. Bimberg, «Оптические и структурные свойства массивов квантовых точек InAs, осажденных в матрицу InxGai.xAs на подложке GaAs», Физика Техника Полупроводников, 38, 867 (2003)

2*. Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, А.С. Шуленков, С.В. Чумак, Е.В. Никитина, С.А. Блохин, М.М. Кулагина, Е.С. Семенова, Д.А. Лившиц, М.В. Максимов, В.М. Устинов, «Конструкция и технология изготовления матриц вертикально-излучающих лазеров», Физика Техника Полупроводников, 39, 487 (2005) 3*. С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.В. Сахаров, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев, А.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Д.А. Бедарев, Е.В. Никитина, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, «Исследование механических напряжений в селективно-оксидированных GaAs/(AlGa)xOy структурах», Физика Техника Полупроводников, 39, 782 (2005)

4*. S.V. Chumak, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.S. Shulenkov, A.E. Zhukov, A.P. Vasil'ev, S.A. Blokhin, M.M. Kulagina, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, «Matrix of vertical-cavity surface-emitting lasers with combined AlGaO/GaAs-AlGaAs/GaAs DBRs», Proceedings of 13th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 20-25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.100

5*. S.A. Blokhin, A.N. Smirnov, A.G. Gladyshev, N.V. Kryzhanovskaya, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.G. Kuzmenkov, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, E.V. Nikitina, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, «Mechanical stress in selective oxidized GaAs/(AlGa)xOy structures», Proceedings of 13th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», 20-25 June, 2005, St-Petersburg, Russia, pp.312

6*. N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, A.P. Vasil'ev, S.A. Blokhin, M.M. Kulagina, A.S. Shulenkov, S.V. Chumak, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, «Intra-cavity contacted quantum well and quantum dot VCSELs with AlGaO/GaAs and AlGaAs/GaAsDBR», 5th Belarusian-Russian Workshop, 1-5 June, 2005, Minsk, Belarus, pp.164 7*. С.А. Блохин, А.Н. Смирнов, А.Г. Гладышев, Н.В. Крыжановская, Н.А. Малеев,

A.Е. Жуков, Е.С. Семенова, Е.В. Никитина, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов,

B.М. Устинов, «Исследование GaAs/(AlGa)xOy структур полученных методом селективнооксидирования слоев AIGaAs», Тезисы докладов VII Российская Конференция по Физике Полупроводников, 18-23 Сентября, 2005, Звенигород, Россия, стр.314 8*. С.А. Блохин Н.В. Крыжановская, А.Г. Гладышев, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Е.М. Аракчеева, Е.М. Танклевская, А.Е. Жуков, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, Э. Шток, Д. Бимберг, «Оптические исследования микродисков на основе субмонослойных InGaAs КТ с асимметричным волноводом, сформированным методом селективного оксидирования», Физика Техника Полупроводников, 40, 482 (2006)

9*. С.А. Блохин, Н.А. Малеев, А.Г. Кузьменков, Ю.М. Шерняков, И.И. Новиков, Н.Ю. Гордеев, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский, В.И. Кучинский, М.М. Кулагина, М.В. Максимов, В.М. Устинов, А.Р. Ковш, С.С. Михрин, Н.Н. Леденцов, «Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных InGaAs квантовых точек», Физика Техника Полупроводников, 40, 633 (2006)

10*. S.A. Blokhin, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.V. Sakharov, M.M. Kulagina, Yu.M. Shernyakov, I.I. Novikov, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, N.N. Ledentsov, G. Lin, J.Y. Chi, «High-performance vertical-cavity surface-emitting lasers based on sub-monolayer InGaAs quantum dots», Proceedings of Int. Workshop on Semiconductor Quantum Dot based Devices and Applications, 16-17 March, 2006, Paris, France, pp.45

11*. N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, N.A. Maleev, A.G. Kuzmenkov, A.E. Zhukov, E.S. Semenova, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochy, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, A.P. Vasil'ev, E. Stock, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, «Room-temperature lasing at 1.3 цт in microdisk with InAs/InGaAs Quantum Dots», Proceedings of Int. Workshop on Semiconductor Quantum Dot based Devices and Applications, 16-17 March, 2006, Paris, France, pp.41

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Блохин, Сергей Анатольевич, 2006 год

1. H.Soda, K.Iga, C.Kitahara, Y.Suematsu, «GalnAsP/InP surface emitting injection lasers», Jpn. Appl. Phys., 18, 2329 (1979)

2. S.L.McCall, A.F.J.Levi, R.E.Slusher, S.J.Pearton, R.A.Logan, «Whispering-gallery mode microdisk lasers», Appl. Phys. Lett., 60, 289, (1992)

3. J.M.Dallesasse, N.Holonyak, A.R.Sugg, T.A.Richard, N.El-Zein, «Hydrolyzation oxidation of AlxGai.xAs-AlAs-GaAs quantum well heterostructure and superlattices», Appl. Phys. Lett., 57, 2844, (1990)

4. H.Deng, Q.Deng, D.G.Deppe, «Native-oxide laterally confined whispering-gallery mode laser with vertical emission», Appl. Phys. Lett., 69, 3120(1996)

5. Y.Arakawa, H.Sakaki, «Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current» Phys. Lett., 40, 939 (1982)

6. C.Hilsum, A.C.Rose-Innes, SemiconductingIII-VCompounds, Pergamon, Oxford, 1961

7. R.D.Dupuis, P.D.Dapkus, R.D.Yingling, L.A.Moudly, «High-efficiency GaAlAs/GaAs heterostructure solar dells grown by metal organic chemical vapor deposition», Appl. Phys. Lett., 31, 201 (1977)

8. R.P.H.Chang, C.C.Chang, J.J.Coleman, R.L.Kauffman, W.R.Wagner, L.C.Feldman, «Physical and electrical properties of plasma-grown oxide on Gao.64Alo.36As», J. Appl. Phys., 48,5384(1977)

9. C.W.Fischer, S.W.Teare, «Anodic oxidation of AlGaAs and detection of the AlGaAs-GaAs heterojunction interface», J. Appl. Phys., 67, 2608 (1990)

10. W.T.Tsang, «Self-terminating thermal oxidation of AlAs epilayers grown on GaAs by molecular beam epitaxy», Appl. Phys. Lett., 33, 426 (1978)

11. A.Bek, A.Aydinli, J.G.Champlain, R.Naone, N.Dagli, «А study of wet oxidized AlxGai. xAs for integrated optics», IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 436 (1999)

12. T.Kitatani, «Characterization of the refractive index of lateral-oxidation-formed AlxOy by spectroscopic ellipsometry», Jpn. J. Appl. Phys., 41, 2954 (2002)

13. K.D.Choquette, K.M.Geib, H.C.Chui, B.E.Hammons, H.Q.Hou, T.J.Drummond, «Selective oxidation of buried AlGaAs versus AlAs layers», Appll. Phys. Lett., 69, 1385 (1996)

14. D.L.Huffaker, C.C.Lin, J.Shin, D.G.Deppe, «Resonant cavity light emitting diode with an AUVGaAs reflector», Appl. Phys. Lett., 66, 3096 (1995)

15. E.I.Chen, N.Holonyak, S.A.Maranowski, «AlxGai.xAs-GaAs metal-oxide semiconductor field effect transistors formed by lateral water vapor oxidation of AlAs», Appl. Phys. Lett., 66, 2688 (1995)

16. A.Fiore, V.Berger, E.Rosencher, N.Laurent, S.Teilmann, N.Vodjdani, J.Nagle, «Huge birefringence in selectively oxidized GaAs/AlAs optical waveguides», Appl. Phys. Lett., 68, 1320(1996)

17. D.S.Song, J.K.Hwang, C.K.Kim, D.H.Jang, Y.H.Lee, «InGaAsP microdisk lasers on AlxOy», IEEE Photonics Technol Lett., 12, 954 (2000)

18. D.L.Huffaker, D.G.Deppe, K.Kummar, T.J.Rogers, «Native-oxide defined ring contact for low threshold vertical-cavity lasers», Appl. Phys. Lett., 65, 97 (1994)

19. K.M.Geib, K.D.Choquette, H.Q.Hou, B.E.Hammons, «Fabrication issues of oxide-confined VCSELs», Proceedings ofSPIE, 3003, 69 (1997)

20. K.D.Choquette, K.M.Geib, C.I.H.Ashby, R.D.Twesten, O.Blum, H.Q.Hou, D.M.Follstaedt, B.E.Hammons, D.Mathes, R.Hull, «Advances in Selective Wet Oxidation of AlGaAs Alloys», IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 3, 916 (1997)

21. M.Arai, N.Nishiyama, S.Shinada, F.Koyama, K.Iga, «AlAs oxidation system with H20 vaporizer for oxide-confined surface emitting lasers», Jpn. J. Appl. Phys., 39, 3468 (2000)

22. A.Sakamoto, H.Nakayama, T.Nakamura, «Fabrication control during AlAs oxidation of the VCSELs via optical probing technique of AlAs lateral oxidation», Proceedings of SPIE, 4649, 211 (2002)

23. H.Sai, F.Koyama, K.Iga, «Precise aperture control of oxidized GaAs surface emitting laser using in-situ monitored oxidation process», Proceedings of 2003 Int. Symp. on Compound Semiconductors, 25-27 August, 2003, San Diego, USA, 239 (2003)

24. S.A.Feld, J.P.Loehr, R.E.Sherriff, J.Wiemeri, R.Kaspi, «In situ optical monitoring of AlAs wet oxidation using a novel low-temperature low-pressure steam furnace design», IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 197 (1998)

25. A.R.Sugg, N.Holonyak, J.E.Baker, F.A.Kish, J.M.Dallesasse, «Native oxide stabilization of AIAs-GaAs heterostructures», Appll. Phys. Lett., 58, 1199 (1991)

26. C.I.H.Ashby, J.P.Sullivan, K.D.Choquette, K.M.Geib, H.Q.Hou, «Wet oxidation of AIGaAs: The role of hydrogen», J. Appl. Phys., 82, 3134, (1997)

27. L.A.Coldren, H.Temkin, C.W.Wilmsen, Vertical cavity surface emitting lasers, Cambridge Univ. Press, 1999

28. C.I.H.Ashby, M.M.Bridges, A.A.Allerman, B.E.Hammons, H.Q.Hou, «Origin of the time dependence of wet oxidation of AIGaAs», Appl. Phys. Lett., 75, 73 (1999)

29. B.E.Deal, A.S.Grove, «General relationship for the thermal oxidation of silicon», J. Appl. Phys., 36, 3770 (1965)

30. M.Ochiai, G.E.Giudice, H.Temkin, J.W.Scott, T.M.Cockerill, «Kinetics of thermal oxidation of AlAs in water vapor», Appl. Phys.Lett., 68, 1898 (1996)

31. R.S.Burton, T.E.Schlesinger, «Wet thermal oxidation of AIxGai.xAs compounds», J. Appl. Phys., 76, 5503 (1994)

32. H.Nickel, «А detailed experimental study of the wet oxidation kinetics of AlxGai-xAs layers», J. Appl. Phys., 78, 5201 (1995)

33. J.H.Kim, D.H.Lim, K.S.Kim, G.M.Yang, K.Y.Lim, H.J.Lee, «Lateral wet oxidation of AlxGai-xAs-GaAs depending on its structure», Appl. Phys. Lett., 69, 3357 (1996)

34. F.A.Kish, S.A.Maranowski, G.E.Hofler, N.Holonyak, S.J.Caracci, J.M.Dallesasse, K.C.Hsieh, «Dependence on doping type (p/n) of the water vapor oxidation of high gap AlxGai.xAs», Appl. Phys. Lett., 60, 3165 (1992)

35. K.D.Choquette, R.P.Schneider, K.L.Lear, K.M.Geib, «Low threshold voltage vertical-cavity lasers fabricated by selective oxidation», Electron. Lett., 30,2043 (1994)

36. G.M.Yang, D.H.Lim, J.H.Kim, K.Y.Lim, H.J.Lee, «Selective oxidation of AlGaAs/GaAs structure and its application to vertical cavity lasers», Jpn. J. Appl. Phys., 37, 1391 (1998)

37. R.L.Naone, L.A.Coldren, «Surface energy model for the thickness dependence of the lateral oxidation of AlAs», J. Appl. Phys., 82, 2277 (1997)

38. O.Blum, C.I.H.Ashby, H.Q.Hou, «Barrier layer thickness control of selective wet oxidation of AIGaAs for embedded optical elements», Appl. Phys. Lett., 70, 2870 (1997)

39. R.L.Naone, E.R.Hegbloom, B.J.Thibeault, L.A.Coldren, «Oxidation of AIGaAs layers for tapered apertures in vertical cavity lasers», Electron. Lett., 33, 300 (1997)

40. R.D.Twesten, D.M.Follstaedt, K.D.Choquette, «Microstructure and interface properties of laterally oxidized AlxGai.xAs», Proceedings of SPIE, 3003, 55 (1997)

41. S.Guha, F.Agahi, B.Pezeshki, J.A.Kash, D.W.Kisker, N.A.Bojarczuk, «Microstructure of AlGaAs-oxide heterolayers formed by wet oxidation», Appl. Phys. Lett., 68, 906 (1996)

42. R.D.Twesten, D.M.Follstaedt, K.D.Choquette, R.P.Schneider, «Microstructure of laterally oxidized AlxGai.xAs layers in vertical-cavity lasers», Appl. Phys. Lett., 69, 19 (1996)

43. T.Takamori, K.Takemasa, T.Kamijoh, «Interface structure of selectively oxidized AlAs/GaAs», Appl. Phys. Lett., 69, 659 (1996)

44. O.Durand, F.Wyckzisk, J.Olivier, M.Magis, P.Galtier, A.De Rossi, M.Calligaro, V.Ortiz, V.Berger, G.Leo, G.Assanto, «Contraction of aluminum oxide thin layers in optical heterostructures», Appl. Phys. Lett., 83, 2554 (2003)

45. M.H.Macdougal, H.Zhao, P.D.Dapkus, M.Ziari, W.H.Steier, «Wide-bandwidth distributed Bragg reflectors using oxide/GaAs multilayers», Electron. Lett., 30, 1147 (1994)

46. F.Sfigakis, P.Paddon, V.Pacradouni, M.Adamcyk, C.Nicoll, A.R.Cowan, T.Tiedje, J.F.Young, «Near-infrared refractive index of thick, laterally oxidized AlGaAs cladding layers», IEEE Light. Technol., 18, 199 (2000)

47. T.Takamori, K.Takemasa, T.Kamijoh, «Compositional abruptness of wet-oxidized AlAs/GaAs interface», Appl. Surf. Science, 117/118, 705 (1997)

48. J.C.Ferrer, Z.Liliental-Webera, «Improvement of the interface quality during thermal oxidation of Al0.98Ga0.02As layers due to the presence of low-temperature-grown GaAs», Appl. Phys. Lett., 77, 205 (2000)

49. K.D.Choquette, K.L.Lex, R.P.Schneider, K.M.Geib, J.J.Figiel, R.Hull, «Fabrication and performance of selectively oxidized vertical-cavity lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1237 (1995)

50. K.L.Lear, S.P.Kilcoyne, R.P.Schneider, J.A.Nevers, «Life testing oxide confined VCSELs: Too good to last?», Proceedings of SPIE, 2683, 114 (1996)

51. H.Q.Jia, H.Chen, W.C.Wang, W.X.Wang, W.Li, Q.Huang, J.Zhou, «Study of thermal stability during wet oxidation of AlAs», J. Crystal Growth, 223, 484 (2001)

52. H.Q.Jia, H.Chen, W.C.Wang, W.X.Wang, W.Li, Q.Huang, J.Zhou, Q.K.Xue, «Improved thermal stability of wet-oxidized AlAs», Appl. Phys. Lett., 80, 974 (2002)

53. B.Gayral, J.M.Gerard, A.Lemaitre, C.Dupuis, L.Manin, J.L.Pelouard, «High-Q wet-etched GaAs microdisks containing In As quantum boxes», Appl. Phys. Lett., 75, 1908 (1999)

54. R.E.Slusher, A.F.J.Levi, U.Mohideen, S.L.McCall, S.J.Pearton, R.A.Logan, «Threshold characteristics of semiconductor microdisk lasers», Appl. Phys. Lett., 63, 1310 (1993)

55. C.Seassal, P.Rojo-Romeo, X.Letartre, P.Viktorovitch, G.Hollinger, E.Jalaguier, S.Pocas, B.Aspar, «InP microdisk lasers on silicon wafer: CW room temperature operation at 1.6 цт», Electron. Lett., 31, 222, (2001).

56. N.Yongqiang, W.Shengli, W.Lijun, UJiuling, F.Dehui, L.Yun, V.U.Dongjiang, J.Yixin, «Microcavity effect and InGaAsIInGaAsP MQW microdisk laser», Proceedings of SPIE, 3547, 164(1998)

57. M.Fujita, K.Teshima, T.Baba, «Low-Threshold Continuous-Wave Lasing in Photopumped GalnAsP Microdisk Lasers», Jpn. J. Appl. Phys., 40, L875 (2001)

58. A.F.J.Levi, R.E.Slusher, S.L.McCall, J.L.Glass, S.J.Pearton, R.A.Logan, «Directional light coupling from microdisk lasers», Appl. Phys. Lett., 62, 561, (1993)

59. S.Shi, D.W.Prather, L.Yang, J.Kolodzey, «Influence of support structure on microdisk resonator performance», Opt. Eng., 42, 383 (2003)

60. T.Baba, D.Sano, «Low-Threshold Lasing and Purcell Effect in Microdisk Lasers at Room Temperature», IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 9, 1340 (2003)

61. U.Mohideen, W.S.Hobson, S.J.Peat-ton, F.Ren, R.E.Slusher, «GaAs/AIGaAs microdisk lasers», Appl. Phys. Lett., 64, 1911 (1994)

62. R.E.Slusher, S.L.McCall, U.Mohideen, A.F.J.Levis, «Microdisk lasers», Proceedings of SPIE, 2145, 36 (1994)

63. M.Arzberger, G.Bohm, M.C.Amann, G.Abstreiter, «Continuous room-temperature operation of electrically pumped quantum dot microcylinder lasers», Appl. Phys. Lett., 79, 1766 (2001)

64. B.Corbett, W.M.Kelly, «Surface recombination in dry etched AlGaAs/GaAs double heterostructure p-i-n mesa diodes», Appl. Phys. Lett., 62, 87 (1993)

65. N.C.Frateschi, A.P.Kanjamala, A.F.J.Levi, T.Tanbun-Ek, «Polarization of lasing emission in microdisk laser diodes», Appl. Phys. Lett., 66, 1859 (1995)

66. T.Baba, M.Fujita, A.Sakai, M.Kihara, R.Watanabe, «basing Characteristics of GalnAsP-InP Strained Quantum-Well Microdisk Injection Lasers with Diameter of 2-1 Оцт», IEEE Photon. Technol. Lett., 9, 878 (1997)

67. M.Fujita, K.Inoshita, T.Baba, «Room temperature continuous wave lasing characteristics of GalnAsP/InP microdisk injection laser», Electron. Lett., 34, 278 (1998)

68. S.M.K.Thiyagarajan, A.F.J.Levi, C.K.Lin, I.Kim, P.D.Dapkus, S.J.Pearton, D.G.Deppe, «Continuous room-temperature operation of optically pumped InGaAs/InGaAsP microdisk lasersElectron. Lett., 34, 2333 (1998)

69. B.Corbett, J.Justice, L.Considine, S.Walsh, W.M.Kelly, «Low-Threshold Lasing in Novel Microdisk Geometries», IEEE Photon. Technol. Lett., 8, 855 (1996)

70. D.S.Song, J.K.Hwang, C.K.Kim, I.Y.Han, D.H.Jang, Y.H.Lee, «InGaAsP Microdisk Lasers on AlxOy», IEEE Photon. Technol. Lett., 12, 954 (2000)

71. M.Fujita, R.Ushigome, T.Baba, A.Matsutani, F.Koyama, K.Iga, «GalnAsP Microcylinder (Microdisk) Injection Laser with AlInAs(Ox) Claddings», Jpn. J. Appl. Phys., 40, 5338 (2001)

72. S.M.K.Thiyagarajan, D.A.Cohen, A.F.J.Levi, S.Ryu, R.Li, P.D.Dapkus, «Continuous room-temperature operation of microdisk laser diodes», Electron. Lett., 35, 1252 (1999)

73. A.F.J.Levi, R.E.Slusher, S.L.McCall, S.J.Pearton, W.S.Hobson, «Room-temperature lasing action in Ino.51Gao.49P/Ino.2Gao.8As microcylinder laser diodes», Appl. Phys. Lett., 62, 2021 (1993)

74. P.Micher, A.Kiraz, L.Zhang, C.Becher, E.Hu, A.Imamoglu, «Laser emission from quantum dots in microdisk structures», Appl. Phys. Lett., 77, 184 (2000)

75. H.Cao, J.Y.Xu, W.H.Xiang, Y.Ma, S.-H.Chang, S.T.Ho, G.S.Solomon, «Optically pumped InAs quantum dot microdisk lasers», Appl. Phys. Lett., 76, 3519 (2000)

76. T.Ide, T.Baba, J.Tatebayashi, S.Imamoto, T.Nakaoka, Y.Arakawa, «Lasing characteristics of InAs quantum-dot microdisk from 3 К to room temperature», Appl. Phys. Lett., 85, 1326 (2004)

77. T.Yang, O.Shchekin, J.D.O'Brien, D.G.Deppe, «Room temperature, continuous-wave lasing near 1300nm in microdisks with quantum dot active regions», Electron. Lett., 39, 1657 (2003)

78. B.Gayral, J.M.Gerard, «Strong Purcell effect for InAs quantum boxes in high-Q wet-etched microdisks», Physica E, 7, 641 (2000)

79. L.Zhang, E.Hu, «Lasing Emission of InGaAs Quantum Dot Microdisk Diodes», IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 6 (2004)

80. А.Е.Жуков, А.Р.Ковш, В.М.Устинов, «Температурная зависимость усиления лазеров на основе массивов квантовых точек с неоднородно уширенной плотностью состояний», Физика Техника Полупроводников, 33, 1395 (1999)

81. J.Cheng, N.K.Dutta, Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applications, Gordon and Breach Scienca Publishers, 2000

82. J.A.Lott, N.N.Ledentsov, V.M.Ustinov, N.A.Maleev, A.E.Zhukov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, B.V.Volovik, Zh.I.Alferov, D.Bimberg, «InAs-InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3цт», Electron. Lett. 36, 1384 (2000)

83. V.M.Ustinov, A.E.Zhukov, A.Y.Egorov, N.A.Maleev, Quantum dot lasers, Oxford University Press, 2003

84. V.M.Ustinov, N.A.Maleev, A.R.Kovsh, A.E.Zhukov, «Quantum dot VCSELs», Phys. Stat. Sol. (a), 202, 396 (2005)

85. J.K.Kim, R.L.Naone, L.A.Coldren, «Lateral carrier confinement in miniature lasers using quantum dots», IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., 6, 504 (2000)

86. I.L.Krestnikov, N.N.Ledentsov, A.Hoffmann, D.Bimberg, «Arrays of Two-Dimensional Islands Formed by Submonolayer Insertions: Growth, Properties, Devices», Phys. Stat. Sol. (a), 183, 207 (2001)

87. I.P.Soshnikov, O.M.Gorbenko, A.O.Golubok, N.N.Ledentsov, «Composition Analysis of Coherent Nanoinsertions of Solid Solutions on the Basis of High-Resolution Electron Micrographs», Semiconductors, 35,361 (2001)

88. J.W.Scott, B.J.Thibeault, D.B.Young, L.A.Coldren F.H.Peters, «High efficiency submilliamp vertical-cavity lasers with intracavity contacts», IEEE Photon. Technol. Lett., 6, 678 (1994)

89. D.B.Yong, A.Kapila, J.W.Scott, V.Malhitra, L.A.Coldren, «Reduced threshold vertical-cavity surface-emitting lasers», Electron. Lett., 30, 233 (1994)

90. K.D.Choquette, G.Hasnain, J.P.Mannaerts, J.D.Wynn, R.C.Wetzel, M.Hong, R.S.Freund, R.E.Leibenguth, «Vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by vacuum integrated processing», IEEE Photon. Technol. Lett., 4, 951 (1992)

91. K.L.Lear, K.D.Choquette, R.P.Schneider, S.P.Kilcoyne, K.M.Geib, «Selectively oxidized vertical-cavity surface-emitting lasers with 50% power conversion efficiency», Electron. Lett., 31,208 (1995)

92. M.Osinski, W.Nakwaski, «Thermal effects in vertical-cavity surface-emitting lasers», Int. J. of High Speed Electronics and System, 5, 139 (1994)

93. M.S.Unlii, S.Strite, «Resonant cavity enhanced photonic devices», J. Appl. Phys., 78, 6071995)

94. Х.Кейси, М.Паниш, Лазеры на гетероструктурах, Москва: Мир, 1981

95. G.Hasnain, K.Tai, L.Yang, Y.H.Wang, R.J.Fischer, J.D.Wynn, B.Weir, N.K.Dutta, A.Y.Cho, «Performance of Gain-Guided Surface Emitting Lasers with Semiconductor Distributed Bragg Reflectors», IEEE J. Quantum Electron., 27, 1377 (1991)

96. M.A.Afromovitz, «Thermal Conductivuty of Gai.xAlxAs alloys», J. Appl. Phys., 44, 1292 (1973)

97. T.Wipiejewski, D.B.Young, B.J.Thibeault, L.A.Coldren, «Thermal Crosstalk in 4x4 Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Arrays», IEEE Photon. Technol. Lett., 8, 9801996)

98. K.M.Lascola, W.Yuen, C.J.Chang-Hasnain, «Structural Dependence of the Thermal Resistance of Vertical Cavity Surface Emitting Lasers», Proceedings of the IEEE/LEOS Summer Topical Meeting, 11-15 August, 1997, Montreal, Canada, pp.79

99. R.S.Geels, B.J.Thibeault, S.W.Corzine, J.W.Scott, L.A.Coldren, «Design and Characterization of Ino.2Gao.8As MQW Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers», IEEE J. Quantum Electron., 29, 2977 (1993)

100. A.N.AL-Omari, K.L.Lear, «VCSELs With a Self-Aligned Contact and Copper-Plated Heatsink», IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 1767 (2005)

101. A.V.Krishnamoorthy, K.W.Goossen, L.M.F.Chirovsky, R.G.Rozier, P.Chandramani, W.S.Hobson, S.P.Hui, J.Lopata, J.A.Walker, L.A.D'Asaro, «16x16 VCSEL Array Flip-Chip Bonded to CMOS VLSI Circuit», IEEE Photon. Technol. Lett., 12, 1073 (2000)

102. H.Roscher, R.Michalzik, «Low Thermal Resistance FlipChip Bonding of 850 nm 2-D VCSEL Arrays Capable of 10 Gbit/s/ch Operation», Proceedings of 16th Annual Metting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 26-30 October, 2003, Tuscon, USA, pp.511

103. C.Choi, L.Lin, Y.Liu, R.T.Chen, «Performance Analysis of Ю-цт-Thick VCSEL Array in Fully Embedded Board Level Guided-Wave Optoelectronic Interconnects», IEEE Light. Technol., 21, 1531 (2003)

104. R.A.Morgan, G.D.Guth, M.W.Focht, M.T.Asom, K.Kojima, L.E.Rogers, S.E.Callis, «Transverse Mode Control of Vertical-Cavity Top-Surface-Emitting Lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 4, 374 (1993)

105. C.Jung, R.Jager, M.Grabherr, P.Schnitzer, R.Michalzik, B.Weigl, S.Muller, K.J.Ebeling, «4.8 mW singlemode oxide confined top surface emitting vertical-cavity laser diodes», Electron. Lett., 33, 1790 (1993)

106. N.Ueki, A.Sakamoto, T.Nakamura, H.Nakayama, J.Sakurai, H.Otoma, Y.Miyamoto, M.Yoshikawa, M.Fuse, «Single-Transverse-Mode 3.4-mW Emission of Oxide-Confined 780-nm VCSEL's», IEEE Photon. Technol. Lett., 11, 1539 (1999)

107. N.Nishiyama, M.Arai, S.Shinada, K.Suzuki, F.Koyama, K.Iga, «Multi-Oxide Layer Structure for Single-Mode Operation in Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 12, 606 (2000)

108. T.H.Hsueh, H.C.Kuo, F.I.Lai, L.H.Laih, S.C.Wang, «High-speed characteristics of large-area single-transverse-mode vertical-cavity surface-emitting lasers», Electron. Lett., 39, 1519 (2003)

109. H.J.Unold, M.C.Riedl, S.W.Z.Mahmoud, RJager, K.J.Ebeling, «Long monolithic cavity VCSELs for high singlemode output power», Electron. Lett., 37, 178 (2001)

110. D.Zhou, L.J.Mawst, «High-Power Single-Mode Antiresonant Reflecting Optical Waveguide-Type Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers», IEEE J. Quantum Electron., 38, 1599 (2002)

111. M.A.Hadley, G.C.Wilson, K.Y.Lau, J.S.Smith, «High single-transverse-mode output from external-cavity surface-emitting laser diodes», Appl. Phys. Lett., 63, 1607(1993)

112. G.A.Keeler, D.K.Serkland, K.M.Geib, G.M.Peake, A.Mar, «Single Transverse Mode Operation of Electrically Pumped Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers With Micromirrors», IEEE Photon. Technol. Lett., 17, 522 (2005)

113. H.J.Unold, M.Grabherr, F.Eberhard, F.Mederer, R.Jager, M.Riedl, K.J.Ebeling, «Increased-area oxidised single-fundamental mode VCSEL with self-aligned shallow etched surface relief», Electron. Lett., 35, 1340 (1999)

114. H.J.Unold, S.W.Z.Mahmoud, R.Jager, M.Grabherr, R.Michalzik, K.J.Ebeling, «Large-Area Single-Mode VCSELs and the Self-Aligned Surface Relief», IEEE J. Selected Topics in Quantum Electron., 7, 386 (2001)

115. A.Haglund, J.S.Gustavsson, J.Vukusic, P.Modh, A.Larsson, «Single Fundamental-Mode Output Power Exceeding 6 mW From VCSELs With a Shallow Surface Relief», IEEE Photon. Technol. Lett., 16, 368 (2004)

116. A.Furukawa, S.Sasaki, M.Hoshi, A.Matsuzono, K.Moritoh, T.Baba, «High-power single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers with triangular holey structure», Appl. Phys. Lett., 85,5161 (2004)

117. P.O.Leisher, A.J.Danner, J.J.Raftery, K.D.Choquette, «Proton implanted singlemode holey vertical-cavity surface-emitting lasers», Electron. Lett., 41, 1010 (2005)

118. D.S.Song, S.H.Kim, H.G.Park, C.K.Kim, Y.H.Lee, «Single-fiindamental-mode photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting lasers», Appl. Phys. Lett., 80, 3901 (2002)

119. H.P.D.Yang, F.I.Lai, Y.H.Chang, H.C.Yu, C.P.Sung, H.C.Kuo, S.C.Wang, S.Y.Lin, J.Y. Chi, «Singlemode (SMSR > 40 dB) proton-implanted photonic crystal vertical-cavity surface-emitting lasers», Electron. Lett., 41, 326 (2005)

120. A.J.Danner, T.S.Kim, K.D.Choquette, «Single fundamental mode photonic crystal vertical cavity laser with improved output power», Electron. Lett., 41, 325 (2005) M.Creusen, F.de Btyun, F.Karouta, W.C. van der Vleuten, T.G. van de Roer,

121. E.Smalbrugge, B.H. van Roy, «Sealing Method of Dry-Etched AlAs/GaAs Top Mirrors in Vertical Cavity Surface Emitting Lasers», Electrochemical and Solid-State Letters, 2, 83(1999)

122. F.Cerdeira, C.J.Buchenauer, F.H.Pollak, M.Cardona, «Stress-Induced Shifts of First-Order Raman Frequencies of Diamond- and Zinc-Blende-Type Semiconductors», Physical Review B, 5, 580 (1972)

123. G.Landa, R.Carles, C.Fontaine, E.Bedel, A.Munoz-Yague, «Optical determination of strains in heterostructures: GaAs/Si as an example», Appl. Phys. Lett., 66, 196 (1989)

124. H.А.Малеев, А.Р.Ковш, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, С.С.Михрин, А.Г.Кузьменков, Д.А.Бедарев, Ю.М.Задиранов, М.А.Кулагина, Ю.М.Шерпяков, А.С.Шуленков,

125. B.А.Быковский, Ю.М.Соловьев, С. МбПег, Н.Н.Леденцов, В.М.Устинов, «Конструкция и технология изготовления вертикально-излучающих лазеров с непроводящими эпитаксиальными зеркалами», Физика Техника Полупроводников, 37, 1265 (2003)

126. J.P.Landesman, A.Fiore, J.Nagle, V.Berger, E.Rosencher, P.Puech, Appl. Phys. Lett., 71, 2520 (1997)

127. R.Nozaki, A.Nakagawa, D.Sano, T.Baba, «Ultralow Threshold and Single-Mode Lasing in Microgear Lasers and Its Fusion With Quasi-Periodic Photonic Crystals», IEEE J. Sel. Top. Quantum Electronic., 9, 1355 (2003)

128. A.I.Rahachou, I.V.Zozoulenko, «Effects of boundary roughness on a Q factor of whispering-gallery-mode lasing microdisk cavities», J. Appl. Phys., 94, 7929 (2003)

129. T.Ide, T.Baba, «Room temperature continuous wave lasing in InAs quantum-dot microdisks with air cladding», Optics Express, 13, 1615 (2005)

130. D.I.Babic, J.Piprek, K.Streubel, R.P.Mirin, N.M.Margalit, D.E.Mars, J.E.Bowers, E.L.Hu, «Design and analysis of double-fused 1.55/mi vertical-cavity lasers», IEEE J. Quantum Electron., 33, 1369 (1997)

131. P.D.Floyd, B.J.Thibeault, E.R.Hebblom, J.Ko, L.A.Coldren, J.L.Merz, «Comparison of optical losses in dielectric-apertured vertical-cavity lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 8,590(1996)

132. E.R.Hegblom, D.I.Babic, B.J.Thibeault, L.A.Coldren, «Estimation of scattering losses in dielectrically apertured vertical cavity lasers», Appl. Phys. Lett., 68, 1757 (1996)

133. T.Makino, J.D.Evans, G.Mak, «Maximum output power and maximum operating temperature of quantum well lasers», Appl. Phys. Lett., 71, 2871 (1997)

134. M. Борн, Э. Вольф, Основы оптики, Москва: Наука, 1970

135. M.Jungo, F.M. di Sopra, D.Erni, W.Baechtold, «Scaling effects on vertical-cavity surface-emitting lasers static and dynamic behavior», J.Appl. Phys., 91, 5550 (2002)

136. G.M.Yang, M.H.MacDugal, V.Pudikov, P.D.Dapkus, «Influence of mirror reflectivity on laser performance of very-low-threshold vertical-cavity surface-emitting lasers», IEEE Photon. Technol. Lett., 7, 1228 (1995)

137. D.B.Young, J.W.Scott, F.H.Peters, M.G.Peters, M.L.Majewski, B.J.Thibeault, S.W.Corzine, L.A.Coldren, «Enhanced performance of offset-gain high-barrier vertical-cavity surface-emitting lasers», IEEE J. Quantum Electron., 29, 2013 (1993)

138. J.W.Scott, R.S.Geels, S.W.Corzine, L.A.Coldren, «Modeling temperature effects and spatial hole burning to optimize vertical-cavity surface-emitting laser performance», IEEE J. Quantum Electron., 29, 1295 (1993)

139. С.М.Захаров, «Перекрестное взаимное тепловое влияние в матрицах поверхностно излучающих лазеров с вертикальным выводом излучения», Физика Техника Полупроводников, 35, 499 (2001)

140. W.Nakwaski, M.Osinski, «Thermal resistance of top-surface-emitting vertical-cavity semiconductor lasers and monolithic two-dimensional arrays», Electron. Lett., 28, 572(1992)

141. G.R.Hadley, «Effective index model for vertical-cavity surface-emitting lasers», Opt. Lett., 20, 1483 (1995)

142. G.P.Agrawal, Fiber-Optic Communication Systems, New York: Wiley, 1997.

143. T.A.Birks, J.C.Knight, P.St.J.Russell, «Endlessly single-mode photonic crystal fiber», Opt. Lett., 22, 961 (1997)

144. N.Yokouchi, A.J.Danner, K.D.Choquette, «Two-Dimensional Photonic Crystal Confined Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers», IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 9, 1439 (2003)

145. J.C.Knight, T.A.Birks, P.St. J.Russell, J.P. de Sandro, «Properties of photonic crystal fiber and the effective index model», J.Opt.Soc.Amer.Ser.A, 15, 748 (1998)

146. N.Yokouchi, A.J.Danner, K.D.Choquette, «Etching depth dependence of the effective refractive index in two-dimensional photonic-crystal-patterned vertical-cavity surface-emitting laser structures», Л;?/,/. Phys. Lett., 82, 1344 (2003)

147. N.A.Mortensen, M.D.Nielsen, J.R.Folkenberg, A.Petersson, H.R.Simonsen, «Improved large-mode-area endlessly single-mode photonic crystal fibers», Opt. Lett., 28, 393 (2003)