Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Приходько, Кирилл Евгеньевич

• Приходько, Кирилл Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Приходько, Кирилл Евгеньевич

Введение.

1 Влияние электронного и ионного облучения на структуру и свойства металлов и диэлектриков.

1.1 Взаимодействие электронов с твердым телом.

1.2 Кристаллические фазы углерода.

1.2.1 Гексагональный графит.

1.2.2 Ромбоэдрический графит.

1.2.3 Кубический алмаз.

1.2.4 Гексагональный алмаз.

1.2.5 Фуллерены, нанотрубки и "луковичный" углерод.

1.3 Радиационные повреждения твердых тел в процессе электронного облучения.

1.3.1 Обзор экспериментальных данных по определению пороговой энергии смещения атомов в кристаллических и аморфных материалах.

1.3.2 Зависимость пороговой энергии смещения от температуры.

1.4 Аморфизация под действием электронного и ионного облучения.

1.4.1 Аморфизация интерметаллидных и керамических материалов.

1.4.2 Аморфизация графита под действием облучения.

1.5 Кристаллизация под действием электронного облучения.

2 Методы измерения параметров микроструктуры в экспериментах по электронному облучению.

2.1 Измерение параметров решетки и линейных размеров кристаллитов. . 44 2.1.1 Измерение АХС/ХС в графите.

2.1.2 Измерение А с/с кристаллического графита в процессе облучения.

2.1.3 Измерение Ас/с аморфизированного графита.

2.2 Измерение плотности потока электронов через образец.

2.3 Измерение пороговой энергии смещения атомов углерода в графите

2.3.1 Методика поиска интервала энергии, содержащего Ed.

2.3.2 Методика сравнения дозных зависимостей.

3 Определение параметров взаимодействия электронов с атомами углерода в графите.

3.1 Определение пороговой энергии смещения Ed в графите при разных температурах.

3.1.1 Особенности определения Ed в экспериментах по облучению материалов in situ в электронном микроскопе.

3.1.2 Определение Ed при температуре —190°С.

3.1.3 Определение Ed при температуре 20°С.

3.1.4 Определение Ed при температуре 500°С.

3.1.5 Определение Ed при температуре 600°С.

3.1.6 Определение Ed при температуре 950°С.

3.1.7 Температурная зависимость Ed в графите.

3.2 Определение пороговой энергии смещения нерегулярных атомов в частично аморфизированном графите.

4 Аморфизация и кристаллизация графита под действием электронного облучения.

4.1 Эволюция картины микродифракции и изображений облучаемого участка в процессе аморфизации.

4.2 Разделение диффузной и брэгговской составляющей дифракции на начальном этапе аморфизации.

4.3 Дозные зависимости Ас/с и АХС/ХС графита в процессе облучения при различных температурах и энергиях электронов.

4.3.1 Комнатная температура.

4.3.2 Азотная температура.

4.3.3 Зависимость вида дозной зависимости от типа облучаемого участка.из

4.4 Кристаллизация аморфизированного графита.

4.4.1 Влияние термической подвижности атомов на перестройку структуры аморфизированного графита.

4.4.2 Кристаллизация под действием электронного облучения.

4.5 Радиационно-индуцированное фазовое превращение в аморфизирован-ном графите.

5 Модель аморфизации и кристаллизации под действием электронного облучения.

5.1 Обоснование основных положений модели.

5.2 Дозные зависимости количества атомов различного типа в графите в процессе облучения.

5.2.1 Графитоподобные преципитаты.

5.2.2 Преципитаты в виде молекулярных скоплений.

5.2.3 Сильносвязанные преципитаты.

5.3 Связь между Ас/с и концентрациями нерегулярных атомов и атомов в преципитатах.

5.3.1 Приближение плоских преципитатов одинакового размера.

5.3.2 Приближение постоянного числа преципитатов.

5.3.3 Эффективность надпороговых и подпороговых процессов.

5.4 Анализ экспериментальной дозной зависимости относительного изменения параметра решетки.

5.5 Структурные аспекты образования алмазоподобных преципитатов в графите.

5.5.1 Переход ромбоэдрического графита в кубический алмаз.

5.5.2 Переход гексагонального графита в гексагональный алмаз.

5.5.3 Структурные аспекты атомной перестройки под действием облучения при низких температурах.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите»

Облучение металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов ионами или электронами приводит к изменениям их свойств, а в ряде случаев сопровождается фазовыми превращениями, вызывающими изменения кристаллической структуры, электронных, электрических и теплофизических свойств веществ.

Фазовые превращения кристаллических тел под действием облучения, связанные со структурной перестройкой атомов материала без протекания ядерных реакций, возможны только в том случае, если реализуются смещения атомов вещества в результате воздействия частиц, что и даёт возможность осуществлять атомные перестройки кристалла. Пороговая энергия смещения атома из узла кристаллической решетки, т.е. минимальная энергия, которую необходимо передать атому, чтобы образовалась стабильная пара Френкеля, зависит от кристаллической структуры, типа связей между атомами и других параметров и изменяется от десятка до нескольких сотен эВ. Экспериментально установлено, что для широкого круга веществ величина пороговой энергии смещения зависит от температуры облучения.

Если температура, при которой проводится облучение, достаточно низкая, чтобы обеспечить слабую подвижность точечных дефектов, образующихся под действием облучения, то в некоторых случаях наблюдается разрушение дальнего порядка в расположении атомов кристалла, и происходит переход материала из кристаллического состояния в аморфное. Температура, ниже которой возможно инициировать процесс аморфизации под действием облучения, зависит от материала, типа используемого облучения и изменяется от нескольких градусов до нескольких сотен градусов Кельвина.

Как показывает опыт, после аморфизации кристаллического материала происходит снижение пороговой энергии смещения атомов по сравнению с кристаллическим состоянием, что дает возможность осуществлять атомные перестройки аморфной структуры под действием подпорогового облучения (т.е. такого облучения, когда атомам вещества передаётся энергия меньше пороговой энергии смещения в кристаллическом состоянии), это может приводить к кристаллизации вещества. Кристаллизация под действием подпорогового облучения может в ряде случаев приводить к образованию кристаллических фаз, которые отсутствуют на равновесных диаграммах состояния, и их получение возможно исключительно под действием облучения.

Воздействие подпорогового облучения на аморфизированный под действием над-порогового облучения материал, открывает уникальные возможности для его дальнейшей модификации, поскольку при подавлении термической миграции атомов создаются условия, позволяющие целенаправленно перестраивать и формировать структуру ближнего порядка и инициировать кристаллизацию новых неравновесных фаз. Нельзя сказать, что такой механизм позволит в будущем реализовать любую наперёд заданную кристаллическую структуру, поскольку, безусловно, здесь мы имеем дело с формированием хотя и метастабильных, но всё же таких фаз, которые принципиально возможны в природе в соответствии с законами взаимодействия атомов и симметрии кристаллических тел. Однако при нормальных условиях такие фазы не реализуются по целому ряду причин, например из-за большей стабильности других кристаллических модификаций при заданных условиях кристаллизации или недостаточной подвижности атомов в областях существования таких фаз. Вопросы о том, какие метастабильные фазы могут образовываться под действием облучения и какие параметры облучения необходимо использовать для осуществления фазовых переходов путём радиационного воздействия, требует серьёзного экспериментального исследования для формирования представлений относительно общих закономерностей подобных превращений.

Кроме того, снижение пороговой энергии смещения наблюдается в зонах, где локализуются повреждения кристаллических материалов, которые возникают в результате различных воздействий, например, при ионной имплантации, широко применяемой в процессе создания электронных полупроводниковых устройств. Использование подпорогового облучения открывает возможность осуществлять радиационно-индуцированный отжиг поврежденных зон без внесения нарушений в кристаллические области материала, не вызывая при этом перераспределения легирующих элементов, как это происходит при термическом отжиге.

Создание радиационных технологий синтеза новых кристаллических соединений и модификации поврежденных структур требует экспериментального определения величин пороговых энергий смещения атомов при разной температуре, а также детального изучения как процессов образования повреждений при надпороговом облучении, так и процессов перестройки атомной структуры под действием подпо-рогового облучения. Необходимо отметить, что до настоящего времени не было предпринято каких-либо серьёзных попыток комплексного изучения процессов подобного рода.

В данной работе проведено изучение процессов аморфизации кристаллического графита под действием надпорогового электронного облучения и последующей кристаллизации под действием подпорогового электронного облучения in situ в колонне электронного микроскопа. Кристаллический графит является удачным материалом для проведения экспериментов по изучению таких превращений, поскольку он аморфизируется при температурах, ниже комнатной, и имеет пороговую энергию смещения Ed ~ 20.30 эВ, что позволяет проводить эксперименты с использованием электронных микроскопов с ускоряющим напряжением до 200 кВ.

Цель работы. Целью данной работы явилось:

Изучение процессов аморфизации и кристаллизации графита под действием электронного облучения.

Разработка методики измерения кристаллографических параметров решетки графита в условиях частичной аморфизации.

Изучение зависимости величины пороговой энергии смещения атомов углерода в графите от температуры облучения.

Исследование возможности и условий осуществления фазовых превращений в графите с образованием диэлектрической фазы под действием электронного облучения при низких температурах.

Изучение структуры образующейся диэлектрической кристаллической фазы.

Разработка модельных представлений, описывающих основные закономерности процессов, протекающих при аморфизации и кристаллизации графита под действием облучения.

Научная новизна работы.

1. Применительно к графиту по данным электронной дифракции разработана методика измерения параметров решетки в условиях его частичной аморфизации, включающая определение параметров всех дифракционных линий и фона электронограммы.

2. Экспериментально определены значения пороговой энергии смещения атомов углерода в кристаллическом графите вдоль базисных плоскостей при температурах — 190, 20, 500, 600 и 950°С. Впервые для графита получена зависимость пороговой энергии смещения от температуры облучения. Экспериментально установлена верхняя граница энергетического интервала, содержащего пороговую энергию смещения атомов углерода в аморфизированном графите Еп и показано, что Еп < Е^.

3. Получены дозные зависимости относительного изменения параметра решетки 'с'графита при облучении надпороговыми и подпороговыми электронами. Впервые показано, что данные зависимости для случая надпорогового облучения являются немонотонными.

4. Впервые экспериментально показана возможность образования новой диэлектрической фазы углерода в графите под действием облучения электронами с энергией 200 кэВ при температуре —190°С . При этом изучена дифракционная картина от данной фазы и установлено, что её структура соответствует структуре гексагональной модификации алмаза (лонсдейлита), также выявлено ориентационное соответствие между выделениями новой фазы и матрицей. Кроме того установлено, что кристаллы новой фазы проявляют радиационную стойкость по отношению к облучению электронами с энергией 200 кэВ, т.е. характеризуются пороговой энергией смещения атомов углерода большей, чем 43 эВ.

5. Разработана модель процессов, происходящих в графите в процессе аморфи-зации и кристаллизации под действием облучения со смешанным спектром передаваемых энергий. Показано, что немонотонная дозная зависимость относительного изменения параметра решетки в процессе облучения возможна только в случае образования сильносвязанных (алмазоподобных) преципитатов в матрице. Предложена модель атомной перестройки ромбоэдрической и гексагональной модификаций графита в кубический алмаз и лонсдейлит под действием облучения при низких температурах.

Практическая значимость работы.

1. Разработана методика определения параметра решетки и построения дозной зависимости А с/с графита в условиях частичной аморфизации, которая может быть использована при анализе процессов аморфизации кристаллических и кристаллизации аморфных материалов вне зависимости от типа излучения, используемого для получения дифракционных данных. Кроме того, эта методика позволяет разделять вклады различных дифракционных составляющих при анализе картин дифракции от поли- и моно-кристаллических объектов.

2. Установленные значения пороговой энергии Ел и её температурная зависимость должны учитываться в расчётах радиационной повреждаемости графита в ядерных энергетических установках и при планировании экспериментов по радиационной физике.

3. Установлены закономерности протекания процессов аморфизации и кристаллизации под действием облучения, сопровождающиеся образованием радиационно-стойкой кристаллической фазы. Данные закономерности могут быть использованы для разработки методов направленной модификации кристаллических и аморфных материалов под воздействием облучения, а также для создания новых радиационных технологий.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Методика измерения параметров решетки графита в условиях частичной амор-физации по данным электронной дифракции.

2. Экспериментально установленные значения пороговой энергии смещения атомов углерода в кристаллическом графите. Полученная температурная зависимость величины пороговой энергии смещения атомов углерода в графите.

3. Дозные зависимости относительного изменения параметра решетки А с/с и линейных размеров АХС/ХС при аморфизации кристаллического графита и кристаллизации аморфизированного графита.

4. Экспериментально установленные условия образования радиационно стойкой кристаллической фазы углерода в ходе электронного облучения кристаллического графита.

•5. Модель процессов, происходящих в графите при аморфизации и кристаллизации под действием электронного облучения.

Публикации.Основные результаты диссертации опубликованы в 4 статьях, а также представлены в 4 тезисах на конференциях, а также в 5 тематических отчётах.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Приходько, Кирилл Евгеньевич

Общие выводы.

1. Методами аналитической трансмиссионной электронной микроскопии исследованы процессы аморфизации и кристаллизации, происходящие в графите под действием электронного облучения, а также установлены температурные интервалы и другие условия облучения, которые вызывают в нём фазовые превращения.

2. Разработана методика измерения параметров решётки графита в условиях частичной аморфизации, включающая определение параметров всех дифракционных линий и фона некогерентного рассеяния по данным электронной дифракции.

3. Определена величина пороговой энергии смещения (Ев ) атомов углерода в кристаллическом графите при температурах —190"С и 20°С, когда наблюдается его аморфизация, а также в интервале температур эксплуатации ядерных энергетических установок 500.950°С. Впервые показано уменьшение величины пороговой энергии смещения атомов в кристаллическом графите при увеличении температуры облучения. Получена зависимость пороговой энергии смещения атомов в кристаллическом графите от температуры облучения.

4. Экспериментально установлена верхняя граница энергетического интервала, содержащего пороговую энергию смещения атомов в углерода в аморфизиро-ванном графите при 20°С . Показано, что пороговая энергия смещения атомов в аморфизированном графите меньше пороговой энергии смещения атомов в кристаллическом графите. ции под действием электронного облучения при температурах — 190°С и 20°С . Показано, что дозные зависимости А с/с имеют немонотонный характер.

6. Изучены дозные зависимости относительного изменения параметра решетки Дс/с , линейных размеров АХС/ХС аморфизированного графита в процессе его облучения подпороговыми электронами при 20°С . Показано, что подпо-роговое облучение вызывает кристаллизацию аморфизированного графита.

7. Изучены закономерности протекания процессов радиационного повреждения кристаллического графита при — 190°С и 20°С в зависимости от энергии электронов.

8. Экспериментально установлено образование новой диэлектрической фазы углерода в графите под действием облучения электронами с энергией 200 кэВ при температуре —190°С . Показано, что кристаллы новой фазы проявляют радиационную стойкость по отношению к облучению электронами с энергией 200 кэВ, т.е. характеризуются пороговой энергией смещения атомов углерода больше, чем 43 эВ.

9. Получена дифракционная картина от частиц новой фазы и экспериментальные данные по морфологии ее распределения в матрице. Установлено соответствие между ориентацией частиц новой фазы и матрицы. На основании анализа полученных дифракционных данных сделано заключение о том, что расположение атомов в кристаллах новой фазы соответствует структуре гексагонального алмаза (лонсдейлита).

10. Разработана модель процессов, происходящих в графите в процессе аморфи-зации и кристаллизации под действием облучения со смешанным спектром передаваемых энергий. Показано, что немонотонная дознал зависимость относительного изменения параметра решетки возможна только в случае образования сильносвязанных (алмазоподобных) преципитатов в матрице в процессе облучения. Предложена модель атомной перестройки ромбоэдрической и гексагональной модификаций графита в кубический алмаз и лонсдейлит под действием облучения при низких температурах.

Автор выражает искреннюю признательность своему научному руководителю профессору, д.т.н. Гуровичу Б.А. за постоянную помощь и внимание к работе, сотрудникам РНЦ "Курчатовский институт" профессору, д.т.н. Платонову Г1.А., д.т.н. Штромбаху Я.И., к.ф-м.н. Чугунову O.K., д.т.н. Николаенко В.А., к.т.н. Карпухину В.П., д.т.н. Кулешовой Е.А., Невзорову B.H., к.ф-м.н. Астраханцеву М.С., Домантовскому А.Г., Горшкову А.Г. за полезные обсуждения результатов экспериментов и помощь в работе. Автор благодарит к.т.н. Слободинову E.H., Слободино-ва Л.Г., Слободинова И.Л., Мер Н.И., Карпачёва И.И. и Баханова Д.И. за помощь в процессе подготовки диссертации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Приходько, Кирилл Евгеньевич, 1999 год

1. Большая повреждающая способность ионов для получения подпорогового пучка, что требует использования ионов с малой энергией, что достаточно сложно с технической точки зрения.

2. Малая проникающая способность ионов приводит к тому, что модификацию материала можно проводить только в весьма тонких приповерхностных слоях, особенно принимая во внимание малую энергию инов (см. предыдущий пункт).

3. Борн M. Атомная физика. M.: Мир. С.300. 1965.

4. McKinley W.A., Feshbach H.//Phys.Rev. V.74. P.1759. 1948.

5. Келли Б. Радиационное повреждение твёрдых тел. М.: Атомиздат. С.235. 1970.

6. Ман Л.И., Малиновский Ю.А., Семилетов С.А.//Кристаллография. Т.35. Вып.4. СС.1029-1038. 1990.

7. Guo Y., Karasawa N., Goddard W.A.//Nature. V.351. P.464. 1991.

8. Елецкий А.В., Смирнов Б.М.//УФН. T.165. N.9. С.977-1009. 1995.

9. Iijima S.//Nature. V.354. P.56. 1991.

10. Ebbesen T.W., Ajayan P.M.//Nature. V.358. P.220. 1992.

11. Kiang C-H., et al.//J.Phys.Chem. V.98. P.6612. 1994.

12. Huira H., et al.//Nature. V.367. P.348. 1994.

13. Banhart F. et al.//Chem.Phys.Lett. V.269. PP.349-355. 1997.

14. Banhart F.//J.Appl.Phys. V.81. N.8. PP.3440-3445. 1997.

15. Mitchell Т.Е. et. al. Fundamental aspects of radiation damage in metals. Tennessee: P.73-79. 1975.

16. Quelard G. et. al.//Rad.Eff. V.39. N.l. P.45-46. (1978)

17. Biget M.E. et. al. Fundamental aspects of radiation damage in metals. Tennessee: P.66-72. 1975.

18. Kenik E.A., Mitchell T.E.//Phyl.Mag. V.32. N.4. P.815-831. 1975.

19. Audourd A.//Proc.Int.Conf.CAE Centre D'Etudes Nucléaires de Saclay, P.174. 1983.

20. Грен Дж. ред. Основы аналитической электронной микроскопии, М.: Металлургия, 1990, 583с.

21. Mitchell Т.Е. et. al. Fundamental aspects of radiation damage in metals. Tennessee: P.73-79. 1975.

22. Quelard G. et. al.//Rad.Eff. V.39. N.l. P.45-46. (1978)

23. Beuneu F., Bois P.//Phys.Rev.B. V.37. N.ll. PP.6041-6049. 1988.35.36.37.38.39.40.41.42.43.44.45.46.47.48.49.50.51.52.53.

24. Kenik E.A., Mitchell T.E.//Phyl.Mag. V.32. N.4. P.815-831. 1975. Urban K., Yoshida N.//Rad.Eff. V.42. N.l-2. PP.1-15. 1979.

25. Audourd A.//Proc.Int.Conf.CAE Centre D'Etudes Nucléaires de Saclay, P.174. 1983.

26. Audourd A. et al.//Rad.Eff. V.62. N.2-4. PP.161-165. 1982.

27. Jinnan Yu. Proc. IAEA meeting, New Mexico, USA, 20-22 May 1985 (ed.Piksaikin V.). PP.31-43. 1986.

28. Zhukov V.P. Ryabenko A.V.//Rad.Eff. V.82. N.l-2. PP.85-95. 1984.

29. Pells G.P. Stathopouls A.Y.//Rad.Eff. V.74. N.l-4. PP.181-192. 1983.

30. Agnew P.//Phil.Mag.A. V.65. N.2. PP.355-361. 1992.

31. Koike J. Parkin D.M.//Appl.Phys.Let. V.60. N.12. PP.1450-1452. 1992.

32. Берман JI.С. и др.//Физика и техника полупроводников. Т.24. N.10. СС.1816-1832. 1990.

33. Nakai К., Kinoshita С., Matsunaga A.//Ultramicroscopy. V.39. РР.361-368. 1991.

34. Abe H., Naromoto H.//Proc.Mater.Res.Soc. V.373. PP.383-388. 1995.

35. Kioke J. et al.//Beam. Proc. of Adv. Mater. PP.519-536. 1993.

36. Drosd R., Kosel T.//J.Nucl.Mat. V.69-70. P.804. 1978.

37. Barnard R.S. Ph.D.Thesis. Case Westen Reserve University. 1977.

38. Pells G.P. and Phillips D.C.//J.Nucl.Mat. V.80. N.2. PP.207-214. 1979.

39. Saile В.//Phys.Stat.Solidy.A. V.89. N.2. PP.K143-K145. 1985.

40. Urban K. Saile B. Zag W.//Proc. Yamada conf.5 on point defect interaction in metals. Tokyo: Tokyo Press. PP.783-788,830-831. 1982.54.55.o6.57.58.59.60.61.62.63.64.65.66.67.68.69.70.71.72.73.

41. Mogro-Camero A. et al. Metastable Materials Formation by Ion Implantation. North-Holland. Amsterdam. P.203. 1982.

42. Mori H. et al.//Scripta Metall. V.18. P.783. 1984.1.ui H. et al.//Acta Metall. V.37. N.5. PP.1337-1342. 1989.

43. Takayama S.//J.Matter.Sci. V.ll. P.164. 1976.1.zzi D.E. Meshii M.//Scripta Metall. V.20. P.943. 1986.

44. Giessen B.C.//Proc. 4th Int. Conf. on Rapidly Quenched metals. Sendai. P.213. 1981.

45. Nastasi M. et al.//Appl.Phys.Let. V.53. N.14. PP.1326-1328. 1988. Motta A.T.//J.Nucl.Mat. V.244. N.3. PP.227-250. 1997.

46. Motta A.T.//Proc.Int.Conf.on Evolution of Met. during Irrad. Muskoka. Canada. P.22. 1994.

47. Sakata T. et al.//Nippon Seramikkusu Kyokai Ronbunshi V.97. N.3. PP.295-301. 1989.

48. Mori H. et al.//Jap.J.Appl.Phys. V.22. N.2. PP.L94-L96. 1983.

49. Niwase K., Sugimoto M., Tanabe T., Fujita F.E.//J.Nucl.Mat. V.155-157. PP.303306. 1988.

50. Shtrombakh Ya.I.,Gurovich B.A.,Platonov P.A.,Alekseev V.M.//J.Nucl.Mat. V.225. P.273. (1995).

51. Matsunaga A., Kinoshita C., Nakai K., Tomokiyo Y.//J.Nucl.Mat. V.179-181. PP.457-460. 1991.

52. Kushita K., Nojou K.//Ultramicroscopy. V.35. PP.289-293. 1991.

53. Kushita K.N., Nojou K., Furuno S.//J.Nucl.Mat. V.191-194. PP.351-355. 1992.

54. Kushita K.N., Nojou K., Furuno S. et al.//J.Nucl.Mat. V.191-194. PP.346-350. 1992.

55. Williams J.S. Surface Modification and Alloying (eds. J.M. Poate, G. Foti and D.C. Jacobin. Plenum. New York. P.133. 1983.

56. Olson G.L.,Roth J.A.//Mater. Sci. Rep. V.3. P.l. 1988.

57. Sadana D.K.//Nucl. Instrm. Meth. V.B7-8. P.375. 1985.

58. Parson J.R., Balluffi R.W., Koehler J.S.//Appl. Phys.Lett. V.l. P.57. 1962.

59. Ruault M.О., Chaumont J., Pennison J.M., Bourret A.//Philos. Mag. V.A50. P.667. 1984.

60. Vavilov V.S., Kiv A.E., Niyazova O.R.//Phys. Status Solidi(a). V.32. P.ll. 1975.

61. Bench M.W.,Robertson I.M., Kirk M.A. Phase Formation ond Moditication by Beam Solid Interactions (eds. G.S. Was, L.E. Rehn and D. Follstaedt): Materials Research Society. Pinsburgh PA. P.27. 1992.

62. Jencic I., Bench M.W., Robertson A.M., Kirk M.A. in Microstrurure of Irradiated Materials (eds. I.M. Robertsoa, L.E. Rehn, S.J. Zinkle and W.J. Phythian): Materials Research Society. Pittsburgh PA. P.481. 1995.

63. Jencic I., Bench M.W., Robertson I.M., Kirk M.A.//J.Appl. Phys. V.78. P.974. 1995.

64. Robertson I.M., Jencic I.//J.Nucl.Mater. V.239. PP.273-278. 1996.

65. Хирш П. и др. Электронная микроскопия тонких кристаллов, М.: Мир, 1968. 574с.

66. Shtrombakh Ya.I.,Gurovich B.A.,Platonov P.A.,Alekseev V.M.//J.Nucl.Mat. V.225. P.273. (1995).

67. Banhart F.,Ajayan P.M.//Nature. V.382. P.433. (1996)

68. Кривоглаз M.A. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах, Киев: Нукова Думка, 1984, 287с.

69. Вяткин С.Е. и др. Ядерный графит. М.: Атомиздат. 1967. 279с.

70. Hayakawa M. Oka M.//J.Appl.Cryst. V.14. P.145. 1981.

71. Koike J. Parkin D.M. Mitchell T.E.//Appl.Phys.Let. V.60. N.12. P.1450. 1992.

72. Гурович Б.А.,Приходько К.Е. Исследование аморфизации графита под действием электронного облучения при температуре 20°С и — 190°С . //Вопросы Атомной Науки и Техники, сер. "Физика радиационных повреждений". 1997. Вып.1(65)-2(66). с.156-164.

73. Приходько К.Е.,Гурович Б.А. Кинетика образования алмазоподобных преципитатов в графите в результате воздействия электронного облучения.//Вопросы Атомной Науки и Техники, сер. "Физика радиационных повреждений". 1999. Вып.1(73)-2(74). с.143-156.

74. Приходько К.Е.,Гурович Б.А. Образование сильносвязанных углеродных кластеров в результате воздействия электронного облучения.//Тезисы докл. Маждународной конференции по росту и физике кристаллов памяти M.П.Шаскольской, МИСиС. 1998. с.126.

75. Приходько К.Е.,Гурович Б.А. Особенности радиационного повреждения реакторного графита при низких температурах.//Материаловедение. 2000. 1. с.33-47.

76. Платонов П.А. Радиационные повреждения графита в ядерных реакторах.//Материалы симпозиума в ИАЭ им. И.В.Курчатова:М. 1966. СС.3-56.

77. Butler J.E. et al.//Phil.Trans.R.Coc. London V.A342. PP.209-224. 1993.

78. Angus J.С. et al.//Phil.Trans.R.Coc. London V.A342. PP.195-208. 1993.

79. Badziag P. et al.//Nature. V.343. PP.244-245. 1990.

80. Belton D.N. Schmeig S.//J.Surf.Sci. V.233. PP.131-140. 1990.

81. Waite M.M. Shah S.//J.Appl.Phys.Lett. V.60. PP.2344-2346. 1992.

82. Li Z. et al.//J.Appl.Phys. V.73. PP.711-715. 1993.

83. Walter R.L. Lambrecht, et al.//Nature. V.364. PP.607-610. 1993.

84. Курдюмов A.B. и др.//Сверхтвердые материалы. N.3. С. 19-22. 1981.

85. Фарафонтов В.И.,Калашников Я.А.//ЖФХ. Т.50. N.4. С.830-838. 1976.

86. Bundy F.Р., Kasper J.S.//J.Chem.Phys. V.46. N.9. РР.3437-3446. 1967.

87. Курдюмов A.B. и др.//Сверхтвердые материалы. N.4. С.17-25. 1984.

88. Gamarnik M.//Phys.Rev. V.B54. Р.2150. 1996.

89. Католог дифракции рентгеновских лучей на порошковых кристаллических материалах (ASTM). Международный центр дифракционных данных. США. 1977.

90. Шелехов Е.В. База данных по структурам кристаллических веществ М.:МИСиС. 1999.

91. Миркин Л.И. Рентгеноструктурный анализ. Идентифицирование рентгенограмм. М.: Наука. 1981. С.496.

92. Бокий Г.Б. Введение в кристаллохимию. М.:Изд. Моск. Университета. 1954. С.500.

93. Ормонт Б.Ф. Структуры неорганических веществ. М.:Ленинград. 1950. С.968.