Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Пятилова Ольга Вениаминовна

• Пятилова Ольга Вениаминовна
• кандидат наук
• 2015

Оглавление диссертации кандидат наук Пятилова Ольга Вениаминовна

Введение

ГЛАВА 1. Аналитический обзор

1.1 Современные представления о процессах формирования наноразмерных систем

1.2 Методы формирования массивов наночастиц металлов

1.3 Обзор состояния устройств резистивной памяти на основе наноразмерных

23

активных слоев

1.3.1 Выбор состава материала активного слоя

1.3.2 Контроль толщины слоя Л§28

1.3.3 Влияние морфологии поверхности активного слоя Л§28 на его

31

электрические свойства

1.4 Источники питания на основе наноструктурированной поверхности

33

кремния

1.5 Применение металлических наноструктур для формирования слоев кремния

34

с развитой поверхностью

1.6 Выводы и постановка задач на диссертационную работу

ГЛАВА 2. Методики проведения экспериментов и исследований

2.1 Методика предварительной подготовки кремниевых подложек

2.1.1 Очистка поверхности

2.1.2 Методика нанесения тонких пленок на кремниевую поверхность для формирования подслоя

2.1.3 Методика нанесения тонких пленок серебра методом вакуумно-

45

термического испарения

2.2 Методика формирования массива кластеров серебра

2.2.1 Методика формирования массива кластеров серебра методом плавления-

46

диспергирования тонких пленок

2.2.2 Методика формирования массива кластеров серебра осаждением из

водного раствора HF/AgNO3

2.2.3 Маршрут синтеза кластерного массива Ag

2.3 Метод CVD для гомогенного и гетерогенного формирования кластеров

железа

2.4 Методика формирования наноразмерных структур Л§28 как

функционального материала для твердого мемристора

2.4.1 Формирование тонких слоев Л§28 методом молекулярного наслаивания 81ЬЛЯ

2.4.2 Формирование массива кластеров Л§28 при низкотемпературной сульфидизации

2.5 Формирование наноструктурированного кремния методом химического

57

травления с использованием каталитически активного серебра

2.6 Методики исследования морфологии поверхности и состава

сформированных наноструктур

2.7 Исследование кластерного массива Ag/Ag2S методом КР-спектроскопии

2.8 Методика исследования мемристивных свойств твердого электролита -массива кластеров Л§28

2.8.1 Методика исследования ВАХ системы: проводящий кантилевер- массив кластер ов Л§2

2.8.2 Методика исследования ВАХ системы: двухзондовая установка- тонкие

пленки и массив кластеров Л§28

ГЛАВА 3. Закономерности распада пленок серебра толщиной менее 150 нм на инертной поверхности 8Ю2 при нагреве в вакууме

3.1 Исследование эволюции массивов кластеров серебра, сформированных методом плавления-диспергирования пленок толщиной 12-130 нм на инертной

65

поверхности

3.2 Исследование эволюции массивов кластеров серебра, сформированных методом плавления-диспергирования пленок толщиной 1 -10 нм на инертной

70

поверхности

3.3 Теоретическая модель, описывающая процесс плавления-диспергирования тонких пленок серебра толщиной 1-130 нм

3.3.1 Теория гетерогенного плавления

3.3.2 Теория гетерогенной нуклеации

3.3.3 Испарение и конденсация

3.4 Исследование массивов кластеров железа, сформированных осаждением из

газовой фазы при гомогенной и гетерогенной нуклеации

3.4.1 Пиролиз ферроцена как источника железа

3.4.2 Гомогенная и гетерогенная нуклеация кластеров железа

3.5 Расчет функции распределения кластеров по размеру при гетерогенной и

88

гомогенной нуклеации

3.5.1 Распределение кластеров железа по размеру при гетерогенной нуклеации

на поверхности Si и SiO2

3.5.2 Распределение кластеров серебра по размерам при плавлении-

99

диспергировании тонких пленок толщиной 1-130 нм

Выводы по главе

ГЛАВА 4. Формирование наноструктур Ag2S в качестве запоминающего слоя в

103

устройствах резистивной памяти

4.1 Формирование кластерного массива Ag/Ag2S на поверхности SiO2 и Cu/C

103

для создания запоминающего слоя

4.1.1 Разработка метода низкотемпературной сульфидизации кластерного

103

массива Ag/Ag2S

4.1.2 Компьютерная трехмерная визуализация процесса сульфидизации нанокластеров серебра на полупроводниковых подложках

4.1.3 Вольт-амперные характеристики сформированных массивов кластеров Ag/Ag2S

4.2 Формирование тонких пленок Ag2S на поверхности Si/Ti методом ионного

121

наслаивания для создания элемента резистивной памяти

4.2.1 Формирование и исследование морфологии поверхности, а также состава

121

тонких пленок Ag2S толщиной 15-120 нм

4.2.2 Вольт-амперные характеристики пленок Ag2S толщиной 15-120 нм

Выводы по главе

ГЛАВА 5. Исследование каталитических свойств масок серебра для нелитографического метода создания наноструктурированной поверхности

131

кремния

5.1 Синтез наноструктур Si с использованием тонкопленочного катализатора

5.2 Синтез наноструктур Si с использованием ионного катализатора

5.3 Синтез наноструктур Si с использованием кластерного катализатора

5.3.1 Массив кластеров серебра, сформированный методом плавления-

диспергирования тонких пленок толщиной 6 и 50 нм

5.3.2 Массив кластеров серебра, сформированный осаждением из раствора

5.4 Создание локально расположенных областей кремния для Р-вольтаических

144

источников питания

5.4.1 Теоретический расчет мощности батарейки на основе структуры Si с

145

развитой поверхностью

5.4.2 Металл-стимулированное локальное травление областей кремния с

148

использованием маски серебра как катализатора

Выводы по главе

Основные результаты и выводы

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЯ

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники»

Актуальность работы.

Кластеры металлов представляют интерес для опто- и наноэлектроники, биомедицины, энергетики и биологии. Интерес вызван тем, что свойства таких систем существенно отличаются от свойств объемного материала [1]. Известно, что с размерами нанокластеров существенно изменяются температура плавления, теплоемкость, теплопроводность и другие термодинамические свойства [2, 3]. Например, в нанокластерах Ti и W наблюдаются несвойственная для металлов фотопроводимость, аномальная электропроводность, высокие значения диэлектрической проницаемости [4-6].

Особое распространение в опто- и наноэлектронике получили кластеры серебра [7-9]. Существует несколько способов их формирования, в частности осаждение из растворов [10-12], конденсация паров металлов [13], электрохимическое осаждение [14-15] и др. Еще одним методом формирования кластеров серебра является плавление-диспергирование тонких пленок Ag, осажденных на инертную поверхность [16]. Метод позволяет формировать массивы кластеров в широком диапазоне размеров без использования дорогостоящего литографического оборудования.

Кластеры серебра могут быть модифицированы в Ag2S низкотемпературной сульфидизацией для формирования запоминающих слоев для создания резистивной памяти с программируемой металлизацией [17]. Помимо низкотемпературной сульфидизации существует несколько способов формирования сульфида серебра, в частности, электрохимическое осаждение [18], ионное наслаивание SILAR (successive ionic layer adsorbtion and reaction) [19] и др. Для практического применения решающую роль играют геометрические параметры массива кластеров серебра, так как они определяют геометрические параметры кластеров Ag2S, которые, в свою очередь, влияют на свойства запоминающего устройства. Так, например, использование в качестве активного слоя пленок или сверхплотных кластерных сред может привести к изменению, перезаписи или удалению записанной информации. Среды с низкой плотностью имеют малый объем записанной информации.

Кроме того, кластеры серебра могут применяться в качестве масочных покрытий для получения наноразмерных столбчатых и пористых структур в кристаллах монокристаллического кремния различной ориентацией поверхности [20]. Плотность кластерного массива определяет морфологию поверхности формируемых наноструктурированных слоев.

Таким образом, исследование процессов синтеза нанокластерных массивов с контролируемыми геометрическими параметрами методом плавления-диспергирования тонких пленок и формирования наноструктур на их основе низкотемпературными методами, а также выработка теоретических подходов к описанию протекающих процессов и разработка на базе этих подходов принципов создания технологических процессов, совместимых с маршрутами производства изделий нано- и микросистемной техники, сенсорики, микро-, нано- и оптоэлектроники, являются актуальными.

Целью диссертационной работы является изучение особенностей синтеза массивов кластеров серебра с заданными параметрами и полупроводниковых структур на их основе.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

- изучить эволюцию тонких пленок серебра толщиной от 1-130 нм в процессе нагрева в вакууме, осажденных на инертную поверхность SiO2 вакуумно-термическим испарением;

- определить влияние толщины и времени отжига исходной пленки на эволюцию кластерного массива;

- провести исследование влияния материала подложки, времени низкотемпературной сульфидизации на геометрические параметры и состав гетерогенных кластерных структур Ag/Ag2S;

- провести исследование толщины, морфологии поверхности и состава островковых пленок сульфида серебра, сформированных методом SILAR (successive ionic layer adsorption and reaction) в зависимости от количества циклов осаждения;

- разработать оптимальный метод измерения вольт-амперных характеристик массива кластеров Ag/Ag2S и тонких пленок Ag2S, а также выявить зависимость параметров ВАХ от морфологии поверхности сформированных структур;

- исследовать применимость сформированных структур Ag/Ag2S и тонких пленок Ag2S в качестве слоев для создания устройств резистивной памяти;

- изучить влияние морфологии маски серебра (тонкие пленки, массив кластеров серебра, сформированных плавлением-диспергированием тонких пленок и осаждением из водного раствора HF/AgNO3) на геометрию поверхности структурированного слоя Si, сформированного химическим травлением;

- провести исследование процесса травления, инициированного серебром, в зависимости от концентрации ионов серебра в растворе;

- в зависимости от морфологии поверхности структурированного химическим травлением слоя кремния провести моделирование оптимального бетавольтаического источника тока на основе радиоактивного №-63;

- разработать метод формирования развитой поверхности Si с использованием масок серебра-катализатора площадью до 1 мм2.

Научная новизна состоит в следующем:

1 Разработан теоретический подход, учитывающий гетерогенное плавление, нуклеацию, конденсацию, к объяснению плавления-диспергирования пленок серебра толщиной менее 150 нм при температурах отжига 500- 1070 К, нанесенных на инертные поверхности.

2 Разработан теоретический подход к описанию бимодального распределения массива кластеров серебра, формируемых плавлением-диспергированием пленок толщиной 12-130 нм, основанный на известной физико-химической модели образования кластеров железа из ферроцена на поверхностях Si и SiO2, учитывающей состав поверхности подложки и металла, типа решетки кластеров.

3 Установлены зависимости напряжения переключения и ионной проводимости островковых пленок Ag2S от морфологии их поверхности.

4 Впервые обнаружено, что в результате жидкостного травления кремния с использованием серебра в качестве катализатора, образуется водонерастворимый

осадок силиката серебра Ag2SiO3, что способствует самопроизвольной остановке процесса за счет перехода Л§+ в связанное состояние.

Практическая значимость результатов работы состоит в следующем:

1 Определены технологические условия создания массива кластеров серебра с унимодальным и бимодальным распределением по размерам в широком диапазоне, что позволит контролировать их размер и плотность распределения для применения в технологии микро-, опто- и наноэлектроники.

2 Предложен метод создания запоминающих слоев Ag2S для устройств резистивной памяти, основанный на низкотемпературной сульфидизации и SILAR осаждении.

3 Разработан оптимальный способ измерения ВАХ, позволяющий регистрировать режимы переключения в мемристорных структурах на основе Л828.

4 Разработана лабораторная технология химического травления пластин монокристаллического кремния, инициированного серебром, с использованием различной формы маски катализатора, в частности массива кластеров и ионосодержащего Ag+ раствора, для управления морфологией поверхности структурированных слоев Si.

5 Разработана технология металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50х50 мкм, 100х100 мкм, 500х500 мкм), представляющих интерес для создания преобразователей энергии, в частности бета-вольтаических источников питания.

Научные положения, выносимые на защиту:

1 Распределение массива кластеров серебра, формируемых при отжиге пленок на поверхности SiO2, в частности унимодальное и бимодальное, определяется одновременным протеканием процессов диспергирования-коалесценции, испарения-конденсации, скорость и направление протекания которых зависят от температуры нагрева и толщины исходных пленок.

2 Напряжение переключения и ионная проводимость островковых пленок зависят от диаметра зерен и толщины сульфидного слоя.

3 Механизм саморегулируемого травления пластин монокристаллического кремния с использованием серебра как катализатора, основанный на образовании нерастворимого соединения катализатора Ag2SiO3.

Достоверность полученных результатов обеспечивается проведением исследований по апробированным методикам, на аттестованных исследовательских установках, а также согласованности результатов исследования с результатами, опубликованными в ведущих российских и зарубежных журналах.

Реализация результатов работы.

Результаты исследований были использованы при выполнении следующих проектов, где аспирант являлся руководителем:

- № 83-ИПП-Гр.асп-МФХ «Изучение кинетики распада и испарения тонких пленок серебра на поверхности $Ю2», проводимого по заданию министерства образования и науки РФ.

Полученные экспериментальные результаты также были использованы при подготовке отчетов по проектам: № 1194 (в рамках государственного задания); № 11.2551.2014/К (в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности); №13-08-01159 (в рамках грантов РФФИ), что подтверждено актом об использовании.

Результаты работы использованы при разработке учебно-методического комплекса МИЭТ в курсе лекций и лабораторного практикума по дисциплинам «Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники», «Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем», «Гибридные нанокомпозиты в нанотехнологии», а также бакалаврских и магистерских выпускных работ, что подтверждено актом об использовании.

Образцы наноструктурированного кремния, сформированные химическим травлением с использованием кластеров серебра в качестве катализатора, были использованы в Институте нанотехнологий микроэлектроники РАН при выполнении научно-исследовательских работ в рамках Госзадания, проводимых по программе фундаментальных исследований РАН, что подтверждено актом о внедрении.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: 18-я Всероссийская межвузовская научно-

техническая конференция студентов и аспирантов.- М. МИЭТ.- 2011; 13 международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Ульяновск, Россия, 2011; 19-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов.- М. МИЭТ.- 2012; International Conference on Nanoscience+Technology: Scanning probe microcopies and related techniques, Париж, Франция, 2012; Discussion meeting on thermodynamics of alloys, Пула, Хорватия, 2012; International conference «Micro- and Nanoelectronics-2012», Звенигород, Россия, 2012; Всероссийская молодежная научная конференция «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», г. Долгопрудный, Россия, 2012; 20-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов.- М. МИЭТ.- 2013; Second Asian Scool-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Владивосток, Россия, 2013 (победитель в номинации Лучший устный доклад); школа молодых ученых «Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологии и микросистем», Ульяновск, Россия, 2013; VI Международная научная конференция «Функциональная база наноэлектроники», г. Алушта, Украина, 2013; NANOTECH MEET Tunisia 2014 joint international conferences (NANOTECH MEET TUNISIA 2014), Хаммамет, Тунис, 2014; 21-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов.- М. МИЭТ.- 2014; XII International Conference on Nanostructured Materials (NANO 2014), Москва, Россия; The International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014" (ICMNE-2014), Москва, Россия, Звенигород, 2014.

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 12 работ (11 статей в журналах из перечня ВАК), 4 научно-технических отчета по НИР, получено 1 свидетельство о регистрации программы ЭВМ.

Личный вклад автора состоит в организации и постановке задач на исследования, непосредственном участии в их проведении, в анализе результатов исследований, в обобщении и обосновании всех защищаемых положений.

Соответствие паспорту научной специальности. Диссертация полностью соответствует паспорту научной специальности 05.27.06 - технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники, в частности областям исследований: разработка и

исследование физико-технологических и физико-химических принципов создания новых и совершенствования традиционных материалов и приборов электронной техники, включая полупроводники, диэлектрики, металлы, технологические среды и приборы микроэлектроники и функциональной электроники; физико-химические исследования технологических процессов получения новых и совершенствования существующих материалов электронной техники.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти основных глав с выводами, общих выводов, содержит 175 страниц машинописного текста, включая 13 таблиц, 87 рисунков, 53 формулы, 3 приложения и список использованных источников отечественных и зарубежных авторов из 199 наименований.

Результаты, полученные в диссертации, изложены в следующих основных публикациях:

Публикации в изданиях, рекомендованных ВАК России.

1. Булярский, С.В. Роль поверхностного натяжения в формировании кластеров катализаторов при росте углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2009. -№ 3 (11). -С. 126-132.

2. Bulyarskii, S.V. Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth / S.V. Bulyarskii, O.V. Pyatilova, A.V. Tsygantsov, A.S. Basaev, V.A. Galperin, A.A. Pavlov, Y.P. Shaman / Semiconductors. - 2010. - Т. 44. - № 13. - С. 1718-1722.

3. Булярский, С.В. Термодинамика формирования кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, Ю.П. Шаман // Известия ВУЗов. Электроника. - 2010. - № 1(81). - С. 50-56.

4. Булярский, С.В. Расчет параметров нуклеации кластеров катализаторов для синтеза углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, Ю.П. Шаман // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2010. -№3(83). -С. 38-43.

5. Булярский, С.В. Гомогенное и гетерогенное формирование кластеров катализаторов для роста углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, А.С. Басаев,

В.А. Галперин, А.А. Павлов, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, Ю.П. Шаман // Нано-и микросистемная техника. -2010. -№7(120). -С. 2-8.

6. Пятилова, О.В. Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C / О.В. Пятилова, А.В. Сыса, А.Н. Белов, А.А. Раскин // Нанотехника.-2012.-№3 (31). - С. 60-63.

7. Gromov, D. G. Specific Features of the Formation of Arrays of Silver Clusters from a Thin Film on a SiO2 Surface / D. G. Gromov, O. V. Pyatilova, S. V. Bulyarskii, A. N. Belov, A. A. Raskin // Physics of the Solid State. - 2013. - Vol. 55. - № 3. - P. 619-623.

8. Belov, A.N. Study of silver cluster formation from thin films on inert surface / A. N. Belov, S.V. Bulyarsky, D.G. Gromov, L.M. Pavlova, O.V. Pyatilova // Calphad.-2014.-Vol.44.-P.138-141.

9. Pyatilova, O.V. Role of Ag+ ion concentration on metal-assisted chemical etching of silicon / O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina, A.N.Belov // Solid State Phenomena. - 2014. - Vol. 213. -Р.103-108.

10. Pyatilova, O. Nanostructured chalcogenide materials for memory switching devices / O. Pyatilova; S. Gavrilov; R. Rozanov; A. Zheleznyakova; A. Belov; V. Shevyakov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. - 2014. - Vol.9440.- P.944007-1-944007-9.

11. Zhigalov, V. Reversible and non-reversible changes in nanostructured Si in humid atmosphere / O. Pyatilova; S. Timoshenkov; S. Gavrilov // Proc. SPIE 9440, International Conference on Micro- and Nano-Electronics. - 2014.- Vol.9440.-P.94400B-1-94400B-8.

Материалы российских конференций.

1. Пятилова, О.В. Термодинамика процесса образования кластеров железа при гомогенной и гетерогенной нуклеации с использованием ферроцена / О.В. Пятилова // Микроэлектроника и информатика -2011. 18-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. -М: Тезисы докладов. - С.51.

2. Громов, Д.Г. Изучение кинетики распада и испарения тонких пленок серебра на поверхности SiO2 ниже температуры плавления / Громов Д.Г., Пятилова

О.В. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы. Труды 13 международной конференции. - 2011. -Ульяновск: Тезисы докладов. - с. 44-45.

3. Пятилова, О.В. Исследование процессов формирования и эволюции массива кластеров серебра на инертной поверхности / Пятилова О.В. // Микроэлектроника и информатика -2012. 19-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. - М: Тезисы докладов.-с.41.

4. Пятилова, О.В. Формирование наноразмерных структур кремния с использованием металла как катализатора / О.В. Пятилова, А.В. Монастырный // Микроэлектроника и информатика -2013. 20-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. - М: Тезисы докладов.-С. 63.

5. Пятилова, О.В. Исследование процесса травления кремния с использованием в качестве катализатора пленок серебра и платины / О.В. Пятилова, С.А. Гаврилов // Физические проблемы наноэлектроники, нанотехнологии и микросистем. Труды школы молодых ученых, Ульяновск. -2013. - С. 121-126.

6. Пятилова, О.В. Формирование наноструктурированных слоев кремния с использованием массива кластеров серебра в качестве катализатора / О.В. Пятилова, А.В. Монастырный // Микроэлектроника и информатика -2014. 21-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. -М: Тезисы докладов.- С. 46.

Материалы международных конференций.

1. Pyatilova, O. Formation features of array silver clusters from thin film on SiO2 surface / O. Pyatilova, D. Gromov, A. Belov, S. Bulyarsky // International Conference on Nanoscience+Technology: Scanning probe microcopies and related techniques. - Paris, France Jul. 23 - 27, 2012. - Р.229.

2. Belov, A.N. Study of silver cluster formation from thin films on inert surface / A.N. Belov, S.V. Bulyarsky, D.G. Gromov, L.M. Pavlova, O.V. Pyatilova // Discussion meeting on thermodynamics of alloys. - Pula, Croatia, September 23-28, 2012.-P2-76.

3. Belov, A. Formation of Ag clusters for resistive memory cells from thin film / A. Belov, D. Gromov, O. Pyatilova, O. Sakharov, A. Trifonov // International conference

«Micro- and Nanoelectronics-2012». - Russia, Moscow-Zvenigorod, October 1-5, 2012.-P2-16.

4. Gavrilov, S.A. Formation of the silicon nanostructures by metal-assisted chemical etching / S.A. Gavrilov, O.V. Pyatilova, Ya.S. Grishina, A.N. Belov // Second Asian Scool-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials. -Vladivostok, Russia, August 20-27, 2013. - P. 103-104.

5. Громов, Д.Г. Формирование кластерных массивов серебра из тонких пленок термическим отжигом / Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, А.С. Шулятьев, А.Ю. Трифонов // Сборник научных трудов VI Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники» - г. Алушта, 30 сент.-4 окт. 2013.- С.177-180.

6. Pyatilova, O.V. I-V curves investigation of the Ag2S thin films formed by SILAR method / O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.N. Belov, A.V. Zheleznyakova, R.Yu. Rozanov, P.I. Lazarenko, A.A. Raskin // NANOTECH MEET Tunisia 2014 joint international conferences. - Hammamet, Tunisia, Apr. 24 - 26, 2014. - Р.14.

7. Pyatilova, O. Study of Silicon Etching Using Platinum Thin Films as Catalyst / O. Pyatilova // XII international conference on Nanostructured Materials (NANO 2014) - Russia, Moscow, July 13-18, 2014. - Р. 11.012.

8. Pyatilova, O. Nanostructured chalcogenide materials for memory switching devices / O. Pyatilova, R. Rozanov, S. Gavrilov, A. Zheleznyakova, A. Belov, V. Shevyakov // The International Conference "Micro- and Nanoelectronics - 2014" (ICMNE-2014). - Russia, October 6-10, 2014. - Р1-25.

Материалы научно-технических конкурсов.

1. Пятилова, О.В. Формирование массива наноструктур серебро/сульфид серебра как элемента резистивной памяти / О.В. Пятилова // Всероссийский конкурс научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области технических наук : материалы работ победителей и лауреатов конкурса.-СПб. : Изд-во Политехн. ун-та, 2012. - С.312.

ГЛАВА 1 Аналитический обзор

1.1 Современные представления о процессах формирования наноразмерных систем

В настоящее время одними из перспективных наноструктур для опто- и наноэлектроники являются самоорганизующиеся высокодисперсные среды, в частности, кластеры и наночастицы металлов и полупроводников. В последние два десятилетия интерес к изучению наноразмерных частиц, в том числе металлических, значительно возрос. В первую очередь это связано с тем, что наноразмерные объекты существенно отличаются своими свойствами от макрообъектов [1]. Например, в нанокластерах металлов Т^ W и сплавов FeNi наблюдаются несвойственная для металлов фотопроводимость, аномальная электропроводность, аномально высокие значения диэлектрической проницаемости [4-6]. Известно, что с размерами нанокластеров существенно изменяются температура плавления, теплоемкость, теплопроводность и другие термодинамические свойства [2, 3]. В качестве типичного примера можно привести золото, которое будучи объемным материалом, представляет собой немагнитный желтый благородный металл. Но частицы Au диаметром 10 нм поглощают зеленый свет и таким образом становятся красными. Частицы размером 2-3 нм проявляют сильные магнитные свойства, а более мелкие частицы могут даже быть изолятором [21].

Такое поведение наночастиц связано с проявлением размерных эффектов [22-25]. Нанокристаллы имеют значительную удельную поверхность, которая заметно увеличивает их реакционную способность. Для сферической наночастицы с диметром d и толщиной поверхностного слоя 8 доля поверхностного слоя в

общем ее объеме V определяется выражением 6 — [3, 26-27]. При диаметре частиц

й

менее 1 нм практически вся она может переходить в особое состояние и приобретать свойства поверхностного слоя. Наночастицы размером 1-10 нм могут проявлять различный характер в зависимости от материала.

С энергетической точки зрения нанокристаллам выгодно находиться в состояниях, при которых их поверхностная энергия минимальна [28, 29]. Это условие выполняется для кристаллических структур, характеризующихся плотнейшими упаковками. Поэтому для нанокристаллов наиболее предпочтительны гранецентрированная кубическая (ГЦК) и гексагональная потноупакованная (ГПУ) структуры. Так, например, электронографические исследования показывают, что нанокристаллы ряда металлов (№, Та, Мо, W) размером 5-10 нм имеют ГЦК или ГПУ решетки, в то время как в обычном состоянии эти металлы имеют объемно-центрированную (ОЦК) решетку [3].

Переход от массивных к наноразмерным кристаллам сопровождается изменением не только способа упаковки атомов в решетке, но и значения межатомных расстояний и периодов кристаллической решетки [30]. Например, методом электронографии установлено, что уменьшение размера нанокристаллов А1 от 20 до 6 нм приводит к уменьшению периода решетки на 1,5% [31].

По электронографическим данным, при уменьшении диаметра D частиц Gd, ТЬ, Dy, Ег, Ей, Yb от 8 до 5 нм сохранялись гексагональная плотноупакованная структура и параметры решетки, характерные для массивных металлов; при дальнейшем уменьшении размера частиц наблюдалось заметное уменьшение параметров решетки [32]. Но одновременно с этим изменялся вид электронограмм, что свидетельствует о структурном превращении - переходе от гексагональной плотноупакованной (ГПУ) к ГЦК-структуре, а не об уменьшении параметров ГПУ-решетки. Действительно, в наночастицах редкоземельных металлов рентгеновским методом обнаружен структурный переход от ГПУ к ГЦК-решетке. Основной вопрос состоит в том, уменьшаются или увеличиваются периоды решетки при уменьшении размера частиц и при каком размере наночастиц это изменение становится заметным.

Уменьшение периода решетки металлических частиц объясняли образованием вакансий типа термических и увеличением их концентрации при уменьшении размера частиц [33]. Повышенная концентрация вакансий рассматривалась как следствие всестороннего сжатия под действием избыточного давления Лапласа Др = 2с/г, создаваемого поверхностным натяжением, величина которого повышается с уменьшением размера частиц г; а также

нескомпенсированность для сравнительно малых наночастиц межатомных связей атомов поверхности в отличие от атомов, расположенных внутри наночастиц, и, как следствие, сокращение расстояний между атомными плоскостями вблизи поверхности наночастиц [3].

1.2 Методы формирования массивов наночастиц металлов

Существуют различные критерии классификации методов получения наночастиц и наноматериалов [34]:

1. по типу процесса: химические (осаждение, золь-гель метод, термическое разложение или пиролиз, газофазные химические реакции, химическое восстановление, гидролиз, электроосаждение, фото- и радиационно-химическое восстановление, криохимический синтез), физические (испарение/конденсация, фазовые переходы, газофазный синтез нанопорошков с контролируемой температурой и атмосферой и т.д.), механические (измельчение, механосинтез, механическое легирование), биологические - внутриклеточный и внеклеточный методы синтеза;

2. в зависимости от среды проведения процесса получения наночастиц и наноматериалов: в жидкой фазе, в газовой фазе, с участием плазмы, механохимический синтез наночастиц;

3. по энергетическим затратам: высокоэнергетические и низкоэнергетические методы.

В качестве примеров методов синтеза наночастиц и наноматериалов можно привести следующие: метод газофазных реакций [35-38], метод осаждения из растворов [10-12], золь-гель метод [39-41], методы воздействия различными излучениями (микроволновый нагрев [42-44], ультрафиолетовое излучение [45, 46], у-излучение [47, 48]), метод электрохимического осаждения [49-51], матричный (темплатный) синтез [52, 53], микроэмульсионный метод [54, 55], метод криохимического синтеза [56, 57], гидро- и сольвотермальный синтез [58], самораспространяющийся высокотемпературный синтез [59], механосинтез [60], кавитационно-гидродинамический синтез [61] и др..

Другим методом формирования кластеров металлов является метод плавления-диспергирования тонких пленок, осажденных на инертную поверхность [16, 62-64]. Механизм этого явления еще не до конца изучен, хотя известно, что в одних случаях в зависимости от температуры отжига из тонкой пленки образуются кластеры микронного размера, а в других — нанометрового. Существенное влияние оказывает состав поверхности, на которую было произведено осаждение. Так в [65] показано, что температура плавления пленки меди толщиной 50 нм понижается относительно справочной температуры плавления меди на -250К, если она осаждена на поверхность аморфного сплава Та-Ш-Ы, и на -320 К, если на поверхность аморфного углерода. В [66] показано, что эффект плавления полимерных тонких полиэтиленовых пленок различной толщины на поверхностях кремния, алюминия и полиимида также различен (рисунок 1.1).

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Пятилова Ольга Вениаминовна, 2015 год

источников питания

В настоящем разделе представлена технология металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50х50 мкм, 100X100 мкм, 500X500 мкм), представляющих интерес для создания преобразователей энергии, в частности бета-вольтаических источников питания. Создание развитой поверхности 81 способствует повышению мощности батарейки за счет увеличения площади контакта источника Р-частиц и поверхности полупроводника.

5.4.1 Теоретический расчет мощности батарейки на основе структуры 81 с

развитой поверхностью

Основная задача настоящего раздела - теоретическое моделирование мощности батарейки на основе кремния с развитой поверхностью с учетом использования в качестве источника радиоактивного излучения 63№.

На рисунке 5.12 представлена схема для формирования развитой поверхности кремния с использованием маски серебра как катализатора.

1-нанесение маски серебра; 2-травление кремния, удаление пористого слоя; 3-

создание р-п перехода Рисунок 5.12 - Схема для формирования развитой поверхности кремния с использованием маски серебра как катализатора

На рисунке 5.13 показана схема развитой поверхности кремния, заполненной радиоизотопом никеля-63.

Рисунок 5.13 - Заполнение пустот радиоизотопом N1-63

В Таблице 5.3 показаны необходимые для расчета мощности батарейки параметры радиоизотопа N1-63 [197] и p-n диода на основе пористого кремния, облученного бета-источником N1-63, как было рассчитано в [198].

Таблица 5.3 Параметры радиоизотопа 63№ и Р-вольтаической батарейки на

основе пористого кремния

Удельная Период Средняя Напряжение п, %

активность полураспада, энергия Р- открытой цепи

(г/мКи) год излучения (кэВ) (Уос), В

1,8-10-5 100,2 16,7 0,79 0,44 5

В зависимости от параметров слоя кремния с развитой поверхностью, а именно от длины, ширины пустот и столбцов (аь а2, а3) и высоты слоя к мощность батарейки будет меняться. Схематичное представление такой структуры показано на рисунке 5.14.

Рисунок 5.14 - Схематичное представление структуры с развитой поверхностью на основе монокристаллического кремния

Расчеты мощности Р-вольтаической батарейки проводили с помощью компьютерной программы MathCad для образца с площадью поверхности 1 см с учетом аь а2, а3, к. Масса радиоизотопа внутри структуры кремния расчитывается:

m = Ур (5.7)

где V-объем пустот в кремниевой структуре, р-плотность №-63.

Число распадов №-63 в секунду:

dN/dt = №1п2/Тш, (5.8)

где N = ш/ц N , Т1/2= 100 лет = 100-365-24-3600 = 31,5 108 с для №-63.

Исходя из данных Таблицы 5.3, п-коэффициент эффективности Р-частиц, способных к генерации электрон-дырочных пар (ЕНР), принимает значение 5%, тогда для расчета эффективных электронов, испускаемых радиоизотопом никеля за 1 с, (5.8) необходимо помножить на 0,05. По данным [197] Р-частица, испускаемая №-63 со средней кинетической энергией 16,7 кэВ теоретически может генерировать приблизительно 5000 ЕНР. Количество ЕНР может быть рассчитано с

учетом средней энергии электронов, испускаемых радиоизотопом, и энергии ионизации кремния (3,3 эВ).

Таким образом, количество электронов и дырок, генерируемых за 1 с, принимает значение:

5000- 0,05- Шп2/Тш (5.9)

Ток, генерируемый радиоизотопом:

10 = д- (Нп+^)/1 (5.10)

Максимальная мощность, вырабатываемая батарейкой:

Рпих=Уос-1о-ге (5.11)

где Уое , ББ - данные из Таблицы 5.3.

Таблица 5.4 Расчетные выходные данные для Р-вольтаической батарейки с учетом различных параметров трехмерной структуры кремния аь а2, а3, к

Параметры структуры, м Масса никеля, осажденного в структуру, г (5.7) Число ЕНР, генерируемых Р- частицами радиоактивного изотопа (5.9) 10-ток, генерируемый радиоизотопом, А(5.10) Мощность батарейки, нВт (5.11)

а1=а2=0,5 10-3 а3=5 10-5 И=10-6 1,610-4 7,6-1010 2,5-10-8 8,5

а1=а2=а3=10-3 И=10-6 4,45 10-4 г 2,3-Ю11 7,45 10-8 26

а!=а2=а3=5 10-5 И=10-6 4,45 10-4 г 2,3-Ю11 7,45 10-8 26

Таким образом, как видно из расчетов, представленных в Таблице 5.4 и теоретических данных [197, 198], вырабатываемая мощность бета-вольтаической батарейки, облучаемой N1-63, на основе трехмерной поверхности кремния превышает мощность планарной батарейки, облучаемой тем же радиоизотопом, в 100 раз. Максимальная мощность батарейки наблюдается при условии, когда коэффициент пропорциональности между кремнием и пустотами равен Увеличение высоты кремниевых структур в п раз приводит к увеличению мощности батарейки в п раз. Данные расчеты были произведены без учета глубины залегания р-п перехода, без учета диффузионной длины свободного пробега носителей заряда в никеле (Ьм1).

Анализ экспериментальных данных в [199] показал, что ток генерации кремниевых пористых структур принимает максимальное значение при йр-п равной 3,2 мкм. Оптимальными параметрами структуры, представленной на рисунке 5.13, являются ширина микроканала (а3), равная 2,5-3 мкм и расстояние между каналами, равное 10-12 мкм (а!) [199]. С учетом технологических параметров процесса химического травления кремния с использованием серебра как катализатора, а3 принимает значение 10-12 мкм.

Толщина слоя кремния (к) определяется технологическими параметрами процесса химического травления кремния с использованием серебра как катализатора. Минимальная толщина формируемого слоя к не должна быть меньше глубины залегания р-п перехода для возможности генерации электрон-дырочных пар в кремнии. Данный факт объясняется тем, что частицы, испускаемые изотопом, рекомбинируют в верхнем слое, не успев долететь до области генерации носителей заряда или ОПЗ.

5.4.2 Металл-стимулированное локальное травление областей кремния с использованием маски серебра как катализатора

Как было показано в 5.4.1, мощность бета-вольтаического источника энергии определяется толщиной структурированного слоя кремния. Следовательно, важной задачей является тщательный контроль толщины к (рисунок 5.15). Цель настоящего раздела - разработка технологии металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50х50 мкм, 100х100 мкм, 500X500 мкм) для контроля геометрических параметров слоев кремния с развитой поверхностью.

Для определения влияния геометрии маски на морфологию

формируемых областей на пластину монокристаллического кремния диаметром 100 мм нанесли пленку толщиной 50 нм, представляющую собой расположенные в шахматном порядке квадраты серебра со стороной /=50, 100 и 500 мкм.

После нанесения маски серебра пластину подвергали травлению в водном растворе плавиковой кислоты и перекиси водорода (25/10) до момента полной остановки процесса травления при температуре Т=300 К (рисунок 5.15).

а б в

Рисунок 5.15-Изображения с оптического микроскопа, полученные после травления монокристаллического кремния при Т=300 К через маску серебра с длиной ребра квадрата /=500х500 мкм (а), /=100х100 мкм (б), /=50х50 мкм (в)

Из рисунка 5.15 установлено, что травление кремния происходит только на поверхности, предварительно покрытой пленкой серебра, что подтверждает полученные ранее в п.5.1 результаты. Травление приводит к образованию наноструктурированного кремния- рог-81, расположенного строго между квадратами монокристаллического 81. Чем меньше длина ребра маски /, тем больше отношение рог-81/81 за счет диффузии катализатора Ag на ближние области чистого кремния. Далее образцы помещали в водный раствор №ОИ для растворения рог-81 (рисунок 5.16).

б

где Рисунок 5.16 - Структуры кремния, полученные в результате растворения рог-81 для различного значения /=500х500 мкм (а,г), /=100х100 мкм (б,д), /=50х50

мкм (в,е): вид сверху (а-в) и скол (г-е)

а

в

Таким образом, была разработана технология металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50X50 мкм, 100X100 мкм, 500X500 мкм), представляющих интерес для создания преобразователей энергии, в частности бета-вольтаических источников питания.

Выводы по главе 5

1. Разработана лабораторная технология химического травления пластин монокристаллического кремния, инициированного серебром, с использованием различной формы маски катализатора, в частности массива кластеров и ионосодержащего Ag+ раствора, для управления морфологией поверхности структурированных слоев Si.

2. Показано, что геометрия каталитического слоя (от массива наноразмерных кластеров до сплошной пленки, ионосодержащий раствор) определяет морфологию поверхностного структурированного химическим травлением слоя кремния.

3. Выявлено, что результатом использования пленок серебра толщиной 30100 нм в качестве катализатора является формирование массива нитевидных кристаллов кремния. Травление кремния с использованием кластерного массива (плавление-диспергирование пленок серебра и осаждение из водного раствора AgNO3) приводит к формированию пористого слоя с различной пористостью.

4. Впервые обнаружено, что в результате жидкостного травления кремния с использованием серебра в качестве катализатора, образуется водонерастворимый осадок силиката серебра Ag2SiO3, что способствует самопроизвольной остановке процесса за счет перехода Ag+ в связанное состояние.

5. Описан механизм саморегулируемого травления пластин монокристаллического кремния с использованием серебра как катализатора, основанный на образовании нерастворимого соединения катализатора Ag2SiO3.

6. Разработана технология металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50X50 мкм, 100X100 мкм, 500X500 мкм), представляющих интерес для создания преобразователей энергии, в частности бета-вольтаических источников питания.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

Основным результатом работы является установленные особенности синтеза массивов кластеров серебра и полупроводниковых структур на их основе для создания элементов функциональной электроники.

Результаты и выводы по работе заключаются в следующем:

1. Разработан теоретический подход, учитывающий гетерогенное плавление, нуклеацию, конденсацию, к объяснению плавления-диспергирования пленок серебра толщиной менее 150 нм при температурах отжига 500-1070 К, нанесенные на инертные поверхности.

2. Разработан теоретический подход к описанию бимодального распределения массива кластеров серебра, формируемых плавлением-диспергированием пленок толщиной 12-130 нм, основанный на известной физико-химической модели образования кластеров железа из ферроцена на поверхностях Si и SiO2, учитывающей состав поверхности подложки и металла, типа решетки кластеров.

3. Определены технологические условия создания массива кластеров серебра с унимодальным и бимодальным распределением по размерам в широком диапазоне, что позволит контролировать их размер и плотность распределения для применения в технологии микро-, опто- и наноэлектроники.

4. Распределение массива кластеров серебра, формируемых при отжиге пленок на поверхности SiO2, в частности унимодальное и бимодальное, определяется одновременным протеканием процессов диспергирования-коалесценции, испарения-конденсации, скорость и направление протекания которых зависят от температуры нагрева и толщины исходной пленки.

5. Предложен метод создания запоминающих слоев Ag2S для устройств резистивной памяти, основанный на низкотемпературной сульфидизации и SILAR осаждении.

6. Установлены зависимости напряжения переключения и ионной проводимости островковых пленок Ag2S от морфологии их поверхности, а именно диаметра зерен и толщины сульфидного слоя.

7. Разработана лабораторная технология химического травления пластин монокристаллического кремния, инициированного серебром, с использованием

различной формы маски катализатора, в частности массива кластеров и ионосодержащего Ag+ раствора, для управления морфологией поверхности структурированных слоев Si.

8. Разработана технология металл-стимулированного локального травления областей кремния в широком диапазоне размеров (50X50 мкм, 100X100 мкм, 500X500 мкм), представляющих интерес для создания преобразователей энергии, в частности бета-вольтаических источников питания.

9. Установлен механизм саморегулируемого травления пластин монокристаллического кремния с использованием серебра как катализатора, основанный на образовании нерастворимого соединения катализатора Ag2SiO3.

10. Впервые обнаружено, что в результате жидкостного травления кремния с использованием серебра в качестве катализатора, образуется водонерастворимый осадок силиката серебра Ag2SiO3, что способствует самопроизвольной остановке процесса за счет перехода Ag+ в связанное состояние.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Громов, Д.Г. Особенности формирования массива кластеров серебра из тонкой пленки на поверхности SiO2 / Д.Г. Громов, О.В. Пятилова, С.В. Булярский, А.Н. Белов, А.А. Раскин // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55. -№ 3. - С. 562-566.

2. Ахкубеков, А.А. Фазовые переходы в наноматериалах. / А.А. Ахкубеков, Б.С. Карамурзов, В.А. Созаев. - Нальчик: Кабардино-Балкар. ун-т, 2008. - 206 с.

3. Гусев, А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. / А.И. Гусев. - М.: Физматлит, 2005. - 416 с.

4. Болтаев, А.П. Обнаружение фотопроводимости в сверхтонких металлических пленках в видимой и инфракрасной областях спектра / А.П. Болтаев, Н.А. Пенин, А.О. Погосов, Ф.А. Пудонин // ЖЭТФ. -2003.- Т. 123.- № 5.-С. 1067-1072.

5. Болтаев, А.П. Влияние слабого электрического поля на проводимость в тонких металлических пленках / А.П. Болтаев, Ф.А. Пудонин // ЖЭТФ. -2006. - Т. 130. -№ 3. - С. 500-505.

6. Болтаев, А.П. Аномально высокая низкочастотная эффективная диэлектрическая проницаемость в системе металлических наноостровов / А.П. Болтаев, Ф.А. Пудонин // ЖЭТФ. - 2008. - Т. 134. - № 3. -С. 587-594.

7. Geyer, N. Ag-Mediated Charge Transport during Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon Nanowires / N. Geyer, B. Fuhrmann, H. S. Leipner, P. Werner // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2013. - Vol.5. - №10.- Р. 4302-4308.

8. Krause, S. Optical Tracking of Single Ag Clusters in Nanostructured Water Films / S. Krause, M. Hartmann, I. Kahle, M. Neumann, M. Heidernatsch, ' S. Spange, and Ch. von Borczyskowski // J. Phys. Chem.- 2013.-Vol.117.-P. 24822-24829.

9. Hirose, Y. Polarity dependent memory switching and behavior of Ag dendrite in Ag photodoped amorphous As2S3 films / Y. Hirose, H. Hirose // Journal of Applied Physics. - 1976. - Т. 47. - №. 6. - С. 2767-2772.

10. Sung, K-M. Synthesis of Monofunctionalized Gold Nanoparticles by Fmoc Solid-Phase Reactions / Sung K-M., Mosley D.V., Peelle B.R., Zhang S., Jacobson J. M. // J. Am. Chem. Soc.- 2004.- Vol.126. - № 16. - P. 5064-5065.

11. Turkevich, J. A study of the nucleation and growth processes in the synthesis of colloidal gold / Turkevich J., Stevenson P.C., Hillier J. // Discuss.Faradae Soc. - 1951. - Vol. 11. - P. 55-75.

12. Henglein, A. Chemistry of Agn aggregates in aqueous solution: non-metallic oligomeric clusters and metallic particles / A. Henglein, P. Mulvaney and T. Linnert // Faraday Discussion. - 1991. - Vol. 92. - P. 31-44.

13. Шабатина, Т. И. Комплексообразование и рост нанокластеров в системах металл-мезогенные цианобифенилы / Т. И. Шабатина, Е. В. Вовк, В. А. Тимошенко, Ю. Н. Морозов, Г. Б. Сергеев // Вестн. Моск. Ун-та. Сер. 2. Химия. -2001. - Т. 42. - № 5.-Р.314-317.

14. Reicha, F. M. Preparation of silver nanoparticles in the presence of chitosan by electrochemical method / F. M. Reicha, A. Sarhana, M. I. Abdel-Hamida, I. M. El-Sherbiny // Carbohydrate Polymers. - 2012. - Vol. 89. - № 1. - P. 236-244.

15. Huang, R.-H. Facile Synthesis of Silver Nanoparticles by Electrochemical Method in the Presence of Sodium Montmorillonite / R.-H. Huang, W.-K. Chao, R.-S. Yu, R.-T. Huang, K.-L. Hsueh, and F.-Sh. Shieu // J. Electrochem. - 2012. -Vol. 159. -№6. - Р. E122-E126.

16. Гомоюнова, М.В. Кристаллическое строение кластеров серебра, сформированных на поверхности Si(100) - 2x 1 / М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Н.С. Фараджев // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24. - № 7. - Р. 51-56.

17. Liang, Ch. Resistance switching of an individual Ag2S/Ag nanowire heterostructure / Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono // Nanotechnology.-2007.-Vol. 18.-P. 485202-485207.

18. Bouroushian, M. Electrochemistry of Metal Chalcogenides / M. Bouroushian // Springer: Verlag Berlin Heidelberg, 2010. - 358 p.

19. Pathan, H.M. Photoelectrochemical investigation of Ag2S thin films deposited by SILAR method / H.M. Pathan, P.V. Salunkhe, B.R. Sankapal, C.D. Lokhande // Materials Chemistry and Physics. -2001. - Vol. 72. -P. 105-108.

20. Peng, K. Motility of Metal Nanoparticles in Silicon and Induced Anisotropic Silicon Etching / K. Peng, A. Lu, R. Zhang, Sh.-T. Lee // Adv. Funct. Mater. - 2008. -Vol. 18. -P. 3026-3035.

21. Roduner, E. Size matters: Why nanomaterials are different / E. Roduner // Chem. Soc. Rev. - 2006. -Vol. 35. - P. 583-592.

22. Lai, S. L. Size-Dependent Melting Properties of Small Tin Particles: Nanocalorimetric Measurements / S. L. Lai, J. Y. Guo, V. Petrova, G. Ramanath, and L. H. Allen // Phys. Rev. Lett. - 1996. - Vol. 77, P. 99-102.

23. Shandiz A. M. Melting entropy and enthalpy of metallic nanoparticles / A. Shandiz M.; A. Safaei // Materials Letters. - 2008. - Vol. 62. -№ 24. - Р. 3954-3956.

24. Safaei, A. Size-dependent thermal stability and the smallest nanocrystal / A. Safaei, M. A. Shandiz // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. -2009. - Vol. 41. -№ 3. -Р. 359-364.

25. Berry, R. S. Entropy and Phase Coexistence in Clusters: Metals vs. Nonmetals / R. S. Berry and B. M. Smirnov // Entropy. - 2010. - Vol. 12. -№5. - Р.1303-1324.

26. Tolman, R.C. The effect of droplet size on surface tension / R.C. Tolman // J. Chem. Phys.- 1949. - Vol. 17. - № 2.- P. 333-337.

27. Булярский, С. В. Нуклеация кластеров катализаторов при росте углеродных нанотрубок / С.В. Булярский // Журнал технической физики. - 2011. -Т.81. - № 11. - С.64-70.

28. Щукин, Е.Д. Коллоидная химия: Учеб. для университетов и химико-технолог.вузов/ Е.Д. Щукин, А.В. Перцев, Е.А. Амелина. - 3-е изд., перераб. и доп.

- М.: Высш.шк., 2004. - 445 с.: ил.

29. Громов, Д.Г. Проявление гетерогенного механизма при плавлении малоразмерных систем / Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов // ФТТ. - 2009. -Vol. 51. - № 10. - P.2012-2021.

30. Liu, X. D. The lattice expansion in nanometre-sized Ni polycrystals / X. D. Liu, H. Y. Zhang, K. Lu and Z. Q. Hu // J. Phys.: Condens. Matter. - 1994. - Vol. 6. -L497.

31. Гаврилов, С.А. Учебное пособие по дисциплине «Физико-химия наноструктурированных материалов» / С.А. Гаврилов, Д.Г. Громов, А.Е. Миронов.

- Учебно-методический комплекс. - М.: МИЭТ, 2009. - 149 с.

32. Скрипов, В.П. Спонтанная кристаллизация переохлажденных жидкостей: Зарождение кристаллов в жидкостях и аморф. твердых телах / В. П. Скрипов, В. П. Коверда . - М. : Наука, 1984 . - 230 с. : ил.

33. Лидоренко, H. С. Изв. АН СССР. Металлы // Лидоренко H. С, Чижик С. П., Гладких Н. Т. и др. -1981. - № 6. - 91 с.

34. Santra, A.K. Ag clusters on ultra-thin, ordered SiO2 films / A.K. Santra, B.K. Min, D.W. // Surface Science. - 2002. - Vol. 515. - L475-L479.

35. Jensen, P. Growth of nanostructures by cluster deposition: Experiments and simple models / P. Jensen // Rev. Mod. Phys. - 1999. - Vol.71.- P. 1695-1735.

36. Wegner, K. Cluster beam deposition: a tool for nanoscale science and technology / K. Wegner, P. Piseri, H. V. Tafreshi and P. Milani // J. Phys.D: Appl. Phys.

- 2006. -Vol. 39. - R439-R459.

37. Bulyarskii, S.V. Thermodynamics of the formation of catalyst clusters for carbon nanotube growth / S.V. Bulyarskii, O.V. Pyatilova, A.V. Tsygantsov, A.S. Basaev, V.A. Galperin, A.A. Pavlov, Y.P. Shaman // Semiconductors. - 2010. - Vol. 44.

- № 13. - P. 1718-1722.

38. Lin, C.A. Synthesis, characterization, and bioconjugation of fluorescent gold nanoclusters toward biological labeling applications / C.A. Lin, T.Y. Yang, C.H. Lee, S.H. Huang, R.A. Sperling, M. Zanella, J.K. Li, J.L. Shen, H.H. Wang, H.I.Yeh, W.J. Parak, W.H. Chang // Nano. - 2009. - Vol. 3. - №2. - P. 395-401.

39. Brinker, C. J. Sol-gel science: the physics and chemistry of sol-gel processing / C. J. Brinker, W. S. George // Academic press, 2013.

40. Pierre, A.C. Chemistry of aerogels and their applications / Pierre A.C., Pajonk G.M. // Chem Rev. - 2002. - Vol. 102. -P. 4243-4265.

41. Hector, A.L. Materials synthesis using oxide free sol-gel systems / Hector A.L. // Chem Soc Rev. - 2007. -Vol. 36. -P. 1745-1753.

42. Gerbec, J. A. Microwave-Enhanced Reaction Rates for Nanoparticle Synthesis / J. A. Gerbec, D. Magana, A. Washington, and G. F. Strouse // J. Am. Chem. Soc. - 2005. - Vol.127. - №45. - Р. 15791-15800.

43. Seol, S.K. Microwave synthesis of gold nanoparticles: effect of applied microwave power and solution pH / S.K. Seol, D.Kim, S.Jung, and Y. Hwu // Materials Chemistry and Physics. - 2011. - Vol. 131. -№ 1-2. - Р. 331-335.

44. Kim, D. Microwave-accelerated energy-efficient esterification of free fatty acid with a heterogeneous catalyst / D. Kim, J. Choi, G. J. Kim et al. // Bioresource Technology. -2011. - Vol. 102.-№ 3. -Р. 3639-3641.

45. Okabe H. // Photochemistry of small molecules, Pergamon Press, 1978.

46. Emelianov, A. Formation of nanoparticles by photolysis from metal and carbon bearing molecules / A. Emelianov, A. Eremin, H. Jander, H.Gg. Wagner // Z. Phys. Chem. - 2003. - Vol.217. - P.1361-1368.

47. Ершов, Б.Г. Образование долгоживущих кластеров и нуклеация серебра при у-облучении водных растворов AgCЮ4,содержащих полифосфат / Б.Г. Ершов, Е. В. Абхалимов, Н. Л. Сухов // Химия высоких энергий. - 2005. - Т. 39. - № 2. - С. 83-87.

48. Ершов, Б. Г. Механизм нуклеации серебра при радиационно-химическом восстановлении его ионов в водных растворах, содержащих полифосфат / Б. Г. Ершов, Е. В. Абхалимов // Коллоидный журнал. - 2006. - Т. 68. - № 4. -С. 459-466.

49. Michelakaki, E. Mesoscopic Ni particles and nanowires by pulsed electrodeposition into porous Si / E. Michelakaki, K. Valalaki, A. G. Nassiopoulou // J Nanopart Res. - 2013. - Т. 15. - №. 4. - С. 1-9.

50. Reicha, F. M. Preparation of silver nanoparticles in the presence of chitosan by electrochemical method / F. M. Reicha, A. Sarhana, M. I. Abdel-Hamida, I. M. El-Sherbiny // Carbohydrate polymers. - 2012. - Т. 89. - №. 1. - С. 236-244.

51. Huang, K. Facile Synthesis of Silver Nanoparticles by Electrochemical Method in the Presence of Sodium Montmorillonite / Huang K., Wen-Kai Ch., Yu R.-S., Huang R.-T., Hsueh K.-L., and Shieu F.-Sh. // J. Electrochem. Soc. - 2012. -Vol. 159. -№6. - E122-E126.

52. Houk, R. Silver Cluster Formation, Dynamics, and Chemistry in Metal-Organic Frameworks / R. Houk, B. W. Jacobs, F. El Gabaly and al. // Nano Lett.- 2009. -Vol.9. - №10. - Р.3413-3418.

53. Андриевский, Р.А. Наноструктурные материалы / Андриевский Р.А., Рагуля А.В. - М.: Издательский центр «Академия», 2005, 192 с.

54. Martinez-Rodriguez R. Synthesis of Pt Nanoparticles in Water-in-Oil Microemulsion: Effect of HCl on Their Surface Structure / R. A. Martinez-Rodriguez, F. J. Vidal-Iglesias, J. Solla-Gullon, C. R. Cabrera, and J. M. Feliu // J. Am. Chem. Soc.-2014. - Vol.136. - №4. - Р. 1280-1283.

55. Ganguli, A. K. Microemulsion route to the synthesis of nanoparticles / A. K. Ganguli, T. Ahmad, S. Vaidya, and J. Ahmed // Pure and Applied Chemistry. - 2008. -Т. 80. - №. 11. - С. 2451-2477.

56. Choi, S.H. Structural and electrochemical properties of Li1+xNi0.5Mn0.5O2+s (0 6 x 6 0.7) cathode materials for lithium-ion batteries / S.H. Choi, O.A. Shlyakhtin, J. Kim, Y.S. Yoon // Journal of Power Sources. —2005. — V. 140. — P. 355-360.

57. Shi, S.J. Synthesis and electrochemical performance of Lii.i3iMn0.504Ni0.243Co0.i22O2 cathode materials for lithium ion batteries via freeze drying / S.J. Shi, J.P. Tu et al. // Journal of Power Sources. — 2013. — V. 221. — P. 300-307.

58. Demianets, L.N. Mechanism of zinc oxide single crystal growth under hydrothermal conditions / L.N. Demianets, D.V. Kostomarov // Ann. Chim. Sd. Mat. -2001. - Vol. 26. - P. 193-198.

59. Сычев, А. Е. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез наноматериалов / А. Е. Сычев, А. Г. Мержанов // Успехи химии. - 2004. - Т. 73. - № 2. -С. 157-170.

60. Алымов, М.И. Методы получения нанопорошков [Текст] / М. И. Алымов 2004. - 21 с.

61. Стебелева, О. П. Кавитационный синтез наноструктурированного углеродного материала: диссертация на соискание уч.степени канд.техн.наук: 05.16.06/ Стебелева Олеся Павловна. - Красноярск, 2011. - 134 с.

62. Jiran, E. Capillary instabilities in thin, continuous films / E. Jiran, C. V. Thompson // Thin Solid Films. - 1992. - Т. 208. - №. 1. - С. 23-28.

63. Beszeda, I. Morphological evolution of thin gold films studied by Auger electron spectroscopy in beading conditions / I. Beszeda, I. A. Szabo, E. G. Gontier-Moya //Applied Physics A. - 2004. - Т. 78. - №. 7. - С. 1079-1084.

64. Громов, Д.Г. Кинетика процесса плавления-диспергирования тонких пленок меди / Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев, Р.М. Аммосов // ФТТ. -2007. - Т. 49.-№ 1.-С. 172-178.

65. Громов, Д.Г. Факторы, определяющие температуру плавления тонких пленок Cu и Ni на инертных поверхностях / Д.Г. Громов, С.А. Гаврилов, Е.Н. Редичев и др. // Журнал физической химии. - 2006. - Т.80, № 10. - С.1856-1862.

66. Wang, Y. Substrate effect on the melting temperature of thin polyethylene films / Y. Wang, M. Rafailovich, J. Sokolov, D. Gersappe, T. Araki, Y. Zou, A. D. L. Kilcoyne, H. Ade, G. Marom, and A. Lustiger //Physical review letters. - 2006. - Т. 96. -№. 2. - С. 028303.

67. Гладких, Н.Т. Понижение температуры плавления тонких пленок висмута на различных подложках / Н.Т. Гладких, Р.И. Зайчик, В.П. Лебедев, Л.С. Палатник, В.И. Хоткевич - Вкн.: Поверхностная диффузия и растекание. - М.: Наука, 1969. С. 222.

68. Doppelt, P. Copper CVD precursors and processes for advanced metallization / P. Doppelt // Microelectronic Engineering. - 1997. - Vol. 37/38. - P. 89-95.

69. Gladkikh, N.T Melting point lowering of thin metal films (Me = In, Sn, Bi, Pb) in Al/Me/Al film system / N.T Gladkikh, S.I Bogatyrenko, A.P Kryshtal, R Anton // Applied Surface Science. -2003. - Vol. 219. -№ 3-4. - P. 338-346.

70. Krishna, H. Thickness-dependent spontaneous dewetting morphology of ultrathin Ag films / H. Krishna, R. Sachan, J. Strader, C. Favazza, M. Khenner and R. Kalyanaraman // Nanotechnology. - 2010. - Т. 21. - № 15. - С. 155601.

71. Gladkih, N. Nachweis grofier Schmel zpunktemie drigung bei dunnen Metalls chichten / N. Gladkih, R. Niedermayer // Phys. status solidi. - 1966. - Bd 15. - S. 181.

72. Xu, C.H. Enhanced thermal stability of monodispersed silver cluster arrays assembled on block copolymer scaffolds / C.H. Xu, X. Chen, Y.J. Liu, B. Xie, M. Han, F.Q. Song, G.H. Wang // Nanotechnology. - 2010. - Vol. 21. - P. 195304-195310.

73. Ruffino, F. Growth morphology of nanoscale sputter-deposited Au films on amorphous soft polymeric substrates / F. Ruffino, V. Torrisi, G. Marletta, M.G. Grimaldi. // Applied Physics A. - 2011. - Т. 103. - № 4. - С. 939-949.

74. Vehkamäki, H. Classical nucleation theory in multicomponent systems / Vehkamäki H. - Springer Science & Business Media, 2006.

75. Holten, V. Kinetic theory applied to nucleation and droplet growth / Holten V., van Dongen M. E. H. // Nucleation and Atmospheric Aerosols. - Springer Netherlands, 2007. - С. 92-96.

76. С.В. Булярский Углеродные нанотрубки: технология, управление свойствами, применение: моногр. / С.В. Булярский - Ульяновск: ООО «Стержень», 2011. - 478 с.

77. Guzman, M. Synthesis and antibacterial activity of silver nanoparticles against gram-positive and gram-negative bacteria / M. Guzman, J. Dille, G. S. Stéphane // Nanomedicine: Nanotechnology, Biology and Medicine. - 2012. - Vol. 8. - № 1. - Р. 37-45.

78. Shahverdi, A. R. Synthesis and effect of silver nanoparticles on the antibacterial activity of different antibiotics against Staphylococcus aureus and Escherichia coli / Shahverdi A.R., Fakhimi A., Shahverdi H.R., Minaian S. // Nanomedicine: Nanotechnology, Biology and Medicine. - 2007. - Vol. 3. - № 2. -Р.168-171.

79. Charlier, J.-С. Microscopic growth mechanisms for carbon nanotubes / J.-С. Charlier, X. Blase, A. DeVita, R. Car. // Science - 1997. - Vol. 275. - P. 646-650.

80. Charlier, J.-С. Microscopic growth mechanisms for carbon and boron-nitride nanotubes / J.-С. Charlier, X. Blase, A. De Vita, R. Car // Appl. Phys. - 1999. - Vol. 68. - Р. 267-273.

81. Geyer, N. Ag-Mediated Charge Transport during Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon Nanowires / N. Geyer, B. Fuhrmann, H. S. Leipner, P. Werner // ACS Appl. Mater. Interfaces. - 2013. - Vol.5. - №10.- Р. 4302-4308.

82. Lee, T.-H. Discrete two-terminal single nanocluster quantum optoelectronic logic operations at room temperature / T.-H. Lee, R.M. Dickson // Proc. of the National Academy of Sciences of the USA. - 2003. - Vol. 100. - P. 3043-3046.

83 Пятилова, О.В. Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C / Пятилова О.В., Сыса А.В., Белов А.Н., Раскин А.А. // Нанотехника. - 2012. - Vol. 3. - №31.- С. 60-62.

84. Boboila S. Write Endurance in Flash Drives: Measurements and Analysis / S. Boboila, P. Desnoyers //FAST. - 2010. - Т. 10. - С. 9-9.

85. Renesas Technology, "Grandis to Collaborate on Development of 65 nm MRAM Employing Spin Torque Transfer", (1 December 2005). www.phys.org/news8655.html.

86. Lower Switching Current for Spin-Torque Transfer in Magnetic Storage Devices such as Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM). University of Minnesota. Retrieved 15 August 2011.

87. "Magnetic nanoparticles breakthrough could help shrink digital storage". Gizmag.com. Retrieved 2014-01-09.

88. Thakoor, S. Optically addressed ferroelectric memory and its applications / Thakoor S., Olson E., Nixon R. H. // Integrated Ferroelectrics. - 1994. - T. 4. - №. 3. -C. 257-269.

89. Kozicki, M. N. Nanoscale effects in devices based on chalcogenide solid solutions / M. N. Kozicki, C. Gopalan, M. Balakrishnan, M. Park, M. Mitkova // Superlattices and Microstructures. - 2000. - T. 27. - №. 5. - C. 485-488.

90. Kozicki, M. N. Nonvolatile memory based on solid electrolytes / M. N. Kozicki, C. Gopalan, M. Balakrishnan, M. Park, M. Mitkova // Non-Volatile Memory Technology Symposium. - 2004. - C. 10-17.

91. Kozicki, M. Electrodeposit formation in solid electrolytes / M. Kozicki, C. Ratnakumar, and M. Mitkova // Proceedings of Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS). - 2006. - P.111-115.

92. Morales, M. M. Resistive switching in mixed conductors: Ag2S as a model system. - Leiden Institute of Physics, Faculty of Science, Leiden University, 2012.

93. Chaitanya, I. Metal-semiconductor-metal junctions with silver sulfide barrier layer. Presentation at American Physical Society March Meeting, Baltimore, MD; 2006 I. Chaitanya // Unpublished.

94. Khaleel, M.K. Fabrication and Study of Memory Cell Switching Properties Based on Cu2S Compound / M. K. Khaleel, T. F. Hassan //Al-Rafadain Engineering Journal. - 2012. - T. 20. - № 6.

95. Antonaia, A. Transport mechanism and IR structural characterisation of evaporated amorphous WO3 films / A. Antonaia, M.C. Santoro, G. Fameli and T. Polichetti //Thin Solid Films. - 2003. - T. 426. - № 1. - C. 281-287.

96. Liang, C. Resistance switching in anodic oxidized amorphous TiO2 films / Ch. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa, M. Aono //Applied physics express. - 2008. - T. 1. - № 6. - C. 064002.

97. Jou, S. Resistance Switching Properties in Cu/Cu-SiO2/TaN Device Jou S., Hwang B., Li C. //Proceedings of the World Congress on Engineering. - London, UK, 2011. - T. 1. - C. 14961499.

98. Chen, F. T. Resistance switching for RRAM applications / F. T. Chen, H. Y. Lee, Y. Sh. Chen, Y. Y. Hsu, L. J. Zhang, P. Sh. Chen, W. S. Chen, and al. //Science China Information Sciences. - 2011. - Т. 54. - № 5. - С. 1073-1086.

99. Liao, Z. M. Evolution of resistive switching over bias duration of single Ag2S nanowires / Z.M. Liao, H. Chong, H.-Z. Zhang, D.-S. Wang, and D. P. Yu //Applied Physics Letters. - 2010. - Т. 96. - № 20. - С. 203109-203109-3.

100. Jun, J. H. Switching memory cells constructed on plastic substrates with silver selenide nanoparticles / J. H. Jun, K^ho, J. Yun, S. Kim //Journal of materials science. - 2011. - Т. 46. - № 21. - С. 6767-6771.

101. Thakoor, S. Solid state thin film memistor for electronic neural networks / S. Thakoor, A. Moopenn, T. Daud, and A. P. Thakoor //Journal of Applied Physics. - 1990.

- Т. 67. - № 6. - С. 3132-3135.

102. Liang, C. Template synthesis of M/M2S (M=Ag, Cu) hetero-nanowires by electrochemical technique / C. Liang, K. Terabe, T. Hasegawa , M. Aono // Solid State Ionics. - 2006. - Vol. 177. -P. 2527-2531.

103. Chen, L. Nonvolatile memory devices with Cu2S and Cu-Pc bilayered films L. Chen, Y. Xia, X. Liang, K. Yin, J. Yin, Z. Liu, and Y. Chen //Applied Physics Letters.

- 2007. - Т. 91. - № 7. - С. 073511-073511-3.

104. De Leo C. Senior Project Report //California Polytechnic State University. -

2007.

105. Yang, J. J. Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices / J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart and R. S. Williams //Nature nanotechnology. - 2008. - Т. 3. - № 7. - С. 429-433.

106. Wang, F. The effects of active layer thickness on Programmable Metallization Cell based on Ag-Ge-S / F. Wang, P.W. Dunn, M. Jain, C. De Leo and N. Vickers // Solid-State Electronics. - 2011. - Т. 61. - № 1. - С. 33-37.

107. Waser, R. et al. Function by defects at the atomic scale-New concepts for non-volatile memories R. Waser, R. Dittmann, M. Salinga and M. Wuttig //Solid-State Electronics. - 2010. - Т. 54. - № 9. - С. 830-840.

108. Kozicki, M. N. Nanoscale memory elements based on solid-state electrolytes M. N. Kozicki, M. Park, M. Mitkova //Nanotechnology, IEEE Transactions on. - 2005. -Т. 4. - № 3. - С. 331-338.

109. Dewar, M. J. S. Ground states of molecules. 38. The MNDO method. Approximations and parameters / M. J. S. Dewar, W. Thiel // Journal of the American Chemical Society. - 1977. - Т. 99. - № 15. - С. 4899-4907.

110. Halgren, T. A. Self consistent field wavefunctions for complex molecules. The approximation of partial retention of diatomic differential overlap / T. A. Halgren, W. N. Lipscomb // The Journal of Chemical Physics. - 1973. - Т. 58. - № 4. - С. 15691591.

111. Salem, L. Die elektronischen Eigenschaften von Diradikalen / L. Salem, C. Rowland //Angewandte Chemie. - 1972. - Т. 84. - № 3. - С. 86-106.

112. Балапанов, М.Х. Суперионная проводимость и диффузия катионов в сульфиде меди, легированном алюминием и магнием / М.Х. Балапанов, И.Б. Зиннуров, У.Х. Мухамедьянов, Р.Ш. Мусалимов // Вестник ОГУ- 2007. - № 6. - С. 134-136.

113. Balapanov, M. K. Ionic conductivity and chemical diffusion in superionic LixCu2- xS (0< x< 0.25) / M. Kh. Balapanov, I. G. Gafurov, U.Kh.Mukhamed'yanov, R. A. Yakshibaev, R. Kh. Ishembetov // Physica status solidi (b). - 2004. - Т. 241. - № 1. -С. 114-119.

114. Kadrgulov, R.F. Phase Relations, Ionic Transport and Diffusion in the Alloys of Cu2S-Ag2S Mixed Conductors / R.F. Kadrgulov, R.A. Yakshibaev and M.A. Khasanov // lonics. - 2001. - Vol. 7 - P. 156-160.

115. Третьяков, Ю.Д. Принципы создания новых твердофазных материалов / Третьяков Ю.Д., Метлин Ю.Г. // Журн. Всерос. хим. общества. - 1991. - Т. 26. - C. 265.

116. Panneerselvam, A. The CVD of silver sulfide and silver thin films from a homoleptic crystalline single-source precursor / A. Panneerselvam, M.A. Malik, P. O'Brien and J. Raftery // Journal of Materials Chemistry. - 2008. - Т. 18. - № 27. - С. 3264-3269.

117. Meherzi-Maghraoui H. Structural, optical and transport properties of Ag2S films deposited chemically from aqueous solution / H. Meherzi-Maghraoui, M. Dachraoui, S. Belgacem, K.D. Buhre, R. Kunst, P.Cowache and D. Lincot // Thin Solid Films. - 1996. - Т. 288. - № 1. - С. 217-223.

118. Rodriguez, A. N. Structural, optical and electrical properties of chemically deposited silver sulfide thin films / A. N. Rodriguez, M. T. S. Nair, P. K. Nair // Semiconductor science and technology. - 2005. - Т. 20. - №. 6. - С. 576-585.

119. Lekshmi, I. C. Controlled synthesis and characterization of Ag2S films with varied microstructures and its role as asymmetric barrier layer in trilayer junctions with dissimilar electrodes / I. C. Lekshmi, G. Berera, Y. Afsar, G. X. Miao, T. Nagahama, T. Santos, , J. S. Moodera // Journal of Applied Physics. - 2008. - Т. 103. - № 9. - С. 093719.

120. Hasegawa, T. Learning Abilities Achieved by a Single Solid State Atomic Switch / M. Kundu, K. Terabe, T. Hasegawa and M. Aono //Advanced Materials. - 2010. - Т. 22. - № 16. - С. 1831-1834.

121. El-Nahass, M. M. Structural, optical and electrical properties of thermally evaporated Ag2S thin films / M.M. El-Nahassa, A.A.M. Faraga, E.M. Ibrahimb, S. Abd-El-Rahman //Vacuum. - 2004. - Т. 72. - № 4. - С. 453-460.

122. Wang, D. Fabrication and characterization of extended arrays of Ag2S/Ag nanodot resistive switches / D. Wang, L. Liu, Y. Kim, Z. Huang, D. Pantel, D. Hesse, and M. Alexe //Applied Physics Letters. - 2011. - Т. 98. - № 24. - С. 243109.

123. Пятилова, О.В. Формирование наноструктур Ag/Ag2S для элементов резистивной памяти на поверхности SiO2 и Cu/C / О.В. Пятилова, А.В. Сыса, А.Н. Белов, А.А. Раскин // Нанотехника.-2012.-№3 (31). - С. 60-63.

124. Belov A. N. Synthesis of Ag/Ag2S Nanoclusters Resistive Switches for Memory Cells / A. N Belov, O. V. Pyatilova, M. I. Vorobiev // Advances in Nanoparticles. - 2014. - Vol. 3. - P. 1-4.

125. Pathan, H. M. Deposition of metal chalcogenide thin films by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method / Pathan H. M., Lokhande C. D. // Bulletin of Materials Science. - 2004. - Т. 27. - № 2. - С. 85-111.

126. Zhuang, W. W. Novel colossal magnetoresistive thin film nonvolatile resistance random access memory (RRAM) / W. W. Zhuang, W. Pan, D. B. Ulrich, J. J. Lee, L. Stecker, A. Burmaster and al. // Electron Devices Meeting, 2002. IEDM'02. International. - IEEE, 2002. - С. 193-196.

127. Baek, I. G. Highly scalable nonvolatile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses / I.G.Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J.

Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U.-I. Chung and J. T. Moon // Electron Devices Meeting. - IEDM Technical Digest. IEEE International. -IEEE, 2004. - C. 587-590.

128. Chen, A. Non-volatile resistive switching for advanced memory applications / A. Chen, S. Haddad, Y. C. Wu, T. N. Fang, Z. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk and M. Taguchi // Electron Devices Meeting, 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. - IEEE, 2005. - C. 746-749.

129. Lee, M. J. 2-stack 1D-1R cross-point structure with oxide diodes as switch elements for high density resistance RAM applications / M-J. Lee , Y. Park , B-S. Kang , S-E. Ahn , C. Lee , K. Kim , W. Xianyu , G. Stefanovich, J-H. Lee, S-J. Chung , Y-H. Kim , C-S. Lee , J-B. Park , I-G. Baek and I-K. Yoo //Electron Devices Meeting, 2007. IEDM 2007. IEEE International. - IEEE, 2007. - C. 771-774.

130. Tsunoda, K. Low power and high speed switching of Ti-doped NiO ReRAM under the unipolar voltage source of less than 3 V / K. Tsunoda, K. Kinoshita, H. Noshiro, Y. Yamazaki, T. Iizuka, Y. Ito, A. Takahashi, A. Okano, Y. Sato,T. Fukano, M. Aoki and Y. Sugiyama // Electron Devices Meeting, 2007. IEDM 2007. IEEE International. - IEEE, 2007. - C. 767-770.

131. Wei, Z. Highly reliable TaOx ReRAM and direct evidence of redox reaction mechanism / Z. Wei, Y. Kanzawa, K. Arita, Y. Katoh, K. Kawai, S. Muraoka, S. Mitani, S. Fujii, K. Katayama, M. Iijima, and al. //Electron Devices Meeting, 2008. - IEDM 2008. - IEEE International. - IEEE, 2008. - C. 1-4.

132. Yang, J. J. High switching endurance in TaOx memristive devices / J. J. Yang, M.-X. Zhang, J. P. Strachan, F. Miao, M. D. Pickett, R. D. Kelley, G. M. Ribeiro, and R. S. Williams //Applied Physics Letters. - 2010. - T. 97. - № 23. - C. 232102.

133. Lee, M. J. A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5- x/TaO2- x bilayer structures / M-J.Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y-B. Kim, C-J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U-I. Chung, InK. Yoo and K. Kim // Nature materials. - 2011. - T. 10. - № 8. - C. 625-630.

134. Chartier, C. Metal-assisted chemical etching of silicon in HF-H2O2 / C. Chartier, S. Bastide, C. Lervy-Clerment // Electrochimica Acta. - 2008. - T. 53. - № 17. - C. 5509-5516.

135. Peng, K. Aligned Single Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications / K. Peng, Y. Wu, Y. Yan, J. Zhu // Small. - 2005. - Т. 1. - № 11. - С. 1062-1067.

136. Peng K. Motility of Metal Nanoparticles in Silicon and Induced Anisotropic Silicon Etching / K. Peng, A. Lu, R. Zhang, and S. T. Lee // Adv. Funct. Mater. - 2008.18. - Р.3026-3035.

137. Бондаренко, В.П. Легированный эрбием окисленный пористый кремний для интегральных оптических волноводов / В.П. Бондаренко, В.А. Яковцева, Л.Н. Долгий, Н.Н. Ворозов, Н.М. Казючиц, Л. Цыбесков, Ф. Фуше // Письма в ЖТФ. -1999. - Т. 25. - Вып. 17. - C. 69-73.

138. Лазарук, С.К. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния / Лазарук С.К., Лешок А.А., Лабунов В.А., Борисенко В.Е. // ФТП. - 2005. - Т. 39. - Вып. 1. - C. 149-152.

139. Лазарук, С. К. Использование процессов горения и взрыва наноструктурированного пористого кремния в микросистемных устройствах / С.К. Лазарук, А.В. Долбик, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41. - № 9. - С. 1130-1134.

140. Горячев, Д. Н. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. -2010. - Т. 44. - № 12. - С. 1636-1639.

141. Акципетров, О. А. Анизотропные фотонные кристаллы и микрорезонаторы на основе мезопористого кремния / О.А. Акципетров, Т.В. Долгова, И.В. Соболева, А.А. Федянин // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47. - № 1. - С. 150-152.

142. Астрова, Е. В. Кварцевые микротрубки на основе макропористого кремния / Е.В. Астрова, Т.Н. Боровинская, Т.С. Перова, М.В. Заморянская // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38. - № 9. - C. 1121-1124.

143. Жарова, Ю.А. Технология получения гетеропереходов в решетке двумерного фотонного кристалла на основе макропористого кремния / Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Астрова, А.В. Балдычева, В.А. Толмачев, Т.С. Перова // ФТП. 2011. - Т. 45. - Вып. 8. - C. 1136-1143.

144. Yao, S. Design and simulation of betavoltaic battery using large-grain polysilicon / S. Yao , Z. Song , X. Wang, H. San, Y. Yu // Applied Radiation and Isotopes. - 2012. - Т. 70. - № 10. - С. 2388-2394.

145. Нагорнов, Ю. С. Влияние зарядки на бета-вольтаический эффект с использованием радионуклида никель-63 / Ю.С. Нагорнов, Е.С. Пчелинцева, В.В. Светухин, Б.М. Костишко // Известия высших учебных заведений. - 2011. - № 87. -С.90-92.

146. Tang, X. B. Optimization design and analysis of Si-63Ni betavoltaic battery / X. B. Tang, B. Xiao, D. Ding, Y. P. Liu and D. Chen // Science China Technological Sciences. - 2012. - Т. 55. - № 4. - С. 990-996.

147. Liu, Y. P. Optimization and temperature effects on sandwich betavoltaic microbattery / Y. Liu, X. Tang, Z. Xu, P. Wang, D. Chen // Science China Technological Sciences. - 2014. - Т. 57. - № 1. - С. 14-18.

148. Frye, C. D. Synthesis of icosahedral boron arsenide nanowires for betavoltaic applications / C.D. Frye, J.H. Edgar, Y. Zhang, L.O. Nyakiti, D.K. Gaskill // MRS Proceedings. - Cambridge University Press. - 2012. - Т. 1439. - С. 69-75.

149. Cheng, Z. J. High open-circuit voltage betavoltaic cell based on GaN pin homojunction / Z.J. Cheng, H.S. San, Z.H. Feng, B. Liu, X.Y. Chen // Electronics letters.

- 2011. - Т. 47. - № 12. - С. 720-722.

150. Li, X. Y. 63Ni schottky barrier nuclear battery of 4H-SiC / X.-Y. Li, Y. Ren, X.-J. Chen, D.-Y. Qiao, W.-Z. Yuan // Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry.

- 2011. - Т. 287. - № 1. - С. 173-176.

151. Lee, C. L. Pore formation in silicon by wet etching using micrometre-sized metal particles as catalysts / C. L. Lee, K. Tsujino, Y. Kanda, S. Ikeda and M. Matsumura //Journal of Materials Chemistry. - 2008. - Т. 18. - № 9. - С. 1015-1020.

152. Kim, J. A continuous process for Si nanowires with prescribed lengths / J. Kim, H. Rhua, W. Lee // J ournal of Materials Chemistry. - 2011. - Т. 21. - № 40. - С. 15889-15894.

153. Xiu, Y. Hierarchical silicon etched structures for controlled hydrophobicity/superhydrophobicity / Y. Xiu, L. Zhu, D. W. Hess, and C. P. Wong // Nano letters. - 2007. - Т. 7. - № 11. - С. 3388-3393.

154. Huang, Z. Extended arrays of vertically aligned sub-10 nm diameter [100] Si nanowires by metal-assisted chemical etching / Z. Huang, X. Zhang, M. Reiche, L. Liu, W. Lee, T. Shimizu, S. Senz, and U. Gosele // Nano letters. - 2008. - T. 8. - № 9. - C. 3046-3051.

155. Yae, S. Catalytic activity of noble metals for metal-assisted chemical etching of silicon / S. Yae //Nanoscale research letters. - 2012. - T. 7. - № 1. - C. 1-5.

156. Huang Z. Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon: A Review / Z. Huang, N. Geyer, P. Werner, J. Boor , and Ulrich Gosele // Adv. Mater. - 2011. -Vol. 23. -P.285-308.

157. Li X. Metal-assisted chemical etching in HF/H2O2 produces porous silicon / X. Li, P. W. Bohn // Applied Physics Letters. - 2000. - T. 77. - № 16. - C. 2572-2574.

158. Peng, K. Q. Metal-Particle-Induced, Highly Localized Site-Specific Etching of Si and Formation of Single-Crystalline Si Nanowires in Aqueous Fluoride ACHTUNGTRENUNG Solution / K. Q. Peng , H. Fang , J. J. Hu , Y. Wu , J. Zhu , Y. J. Yan , S. Lee // Chem.-Eur. J. - 2006. - Vol. 12. - P. 7942-7947.

159. Peng, K. Fabrication of large area silicon nanowire p-n junction diode arrays / K. Q. Peng , Z. P. Huang , J. Zhu // Advanced Materials. - 2004. - T. 16. - № 1. - C. 73-76.

160. Peng, K. Simultaneous gold deposition and formation of silicon nanowire arrays / K. Q. Peng, J. Zhu // Journal of Electroanalytical Chemistry. - 2003. - T. 558. -C. 35-39.

161. Peng, K. Morphological selection of electroless metal deposits on silicon in aqueous fluoride solution / K. Peng, J. Zhu // Electrochimica Acta. - 2004. - T. 49. - № 16. - C. 2563-2568.

162. Peng, K. Q. Fabrication of Single Crystalline Silicon Nanowires by Scratching a Silicon Surface with Catalytic Metal Particles / K. Q. Peng, J. J. Hu, Y. J. Yan, Y. Wu, H. Fang, Y. Xu, S. T. Lee,J. Zhu // Advanced Functional Materials. - 2006.

- T. 16. - № 3. - C. 387-394.

163. Fang, H. Silver catalysis in the fabrication of silicon nanowire arrays / Z. P. Huang, Y. Wu, H. Fang , N. Deng, T. L. Ren, J. Zhu // Nanotechnology. - 2006. - T. 17.

- № 15. - C. 3768.

164. Huang, Z. Ordered arrays of vertically aligned [110] silicon nanowires by suppressing the crystallographically preferred< 100> etching directions / Z. P. Huang, T. Shimizu, S. Senz, Z. Zhang, X. X. Zhang, W. Lee, N. Geyer, U. Gosele //Nano letters. -2009. - Т. 9. - № 7. - С. 2519-2525.

165. Huang, Z. Fabrication of silicon nanowire arrays with controlled diameter, length, and density / Z. P. Huang, H. Fang, J. Zhu //Advanced materials. - 2007. - Т. 19. - № 5. - С. 744-748.

166. Choi, W. K. Synthesis of silicon nanowires and nanofin arrays using interference lithography and catalytic etching / W. K. Choi, T. H. Liew, and M. K. Dawood, Henry I. Smith, C. V. Thompson, M. H. Hong //Nano letters. - 2008. - Т. 8. -№ 11. - С. 3799-3802.

167. Hadjersi, T. Oxidizing agent concentration effect on metal-assisted electroless etching mechanism in HF-oxidizing agent-H2O solutions / T. Hadjersi // Applied surface science. - 2007. - Т. 253. - № 9. - С. 4156-4160.

168. Cheng, S. L. A study of the synthesis, characterization, and kinetics of vertical silicon nanowire arrays on (001) Si substrates / S. L. Cheng, C. H. Chung, H. C. Lee // Journal of The Electrochemical Society. - 2008. - Т. 155. - № 11. - С. D711-D714.

169. Huang, Z. Oxidation rate effect on the direction of metal-assisted chemical and electrochemical etching of silicon / Z. Huang, T. Shimizu, S. Senz, Z. Zhang, N. Geyer, and U. Gosele //The Journal of Physical Chemistry C. - 2010. - Т. 114. - № 24. -С. 10683-10690.

170. Кицюк, Е. П. Особенности низкотемпературного плавления и распада на капли тонких пленок серебра / Е. П. Кицюк, Д. Г. Громов, Е. Н. Редичев, И. В. Сагунова. - Физикохимия поверхности и защита материалов. -2012. -Т. 48. - № 3. -С. 256-261.

171. Jung, Y.J. Mechanism of selective growth of carbon nanotubes on SiO2/Si patterns / Y.J. Jung, B. Wei, R. Vajtai // Nanoletters. - 2003. - Vol. 3. - № 4. - P. 561.

172. Kravtchenko, D. A. Synthesis of AIIBVI semiconductor nanocrystals by electrochemical deposition and SILAR techniques / D. A. Kravtchenko, S. A. Gavrilov, A. V. Zheleznyakova // Micro-and Nanoelectronics 2005. - International Society for Optics and Photonics, 2006. - С. 62600E-62600E-8.

173. Gavrilov, S.A.The influence of solution-precursors on optical properties of In2S3 films deposited by successive ionic layer adsorption and reaction / S.A. Gavrilov, A.V. Zheleznyakova, E.N. Redichev, N.I. Popenko // Semiconductors. -2010. - Vol.44. -№13 -P. 1649-1653.

174. Bulyarskii, S.V. Homogeneous and heterogeneous formation of clusters of catalysts for carbon nanotubes growth / S.V. Bulyarskii, A.S. Basaev, V.A. Galperin, A.A. Pavlov, O.V. Pyatilova, A.V. Tsygantsov, Yu.P. Shaman // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - Т. 5. - С. 122.

175. Булярский, С.В. Роль поверхностного натяжения в формировании кластеров катализаторов при росте углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2009. - № 3. - С. 126-132.

176. Булярский, С.В. Расчет параметров нуклеации кластеров катализаторов для синтеза углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, О.В. Пятилова, А.В. Цыганцов, А.С. Басаев, В.А. Галперин, А.А. Павлов, Ю.П. Шаман // Известия высших учебных заведений. Электроника. - 2010. - № 3(83). - С. 38-43.

177. Belov, A.N. Study of silver cluster formation from thin films on inert surface / A.N. Belov, S.V. Bulyarsky, D.G. Gromov, L.M. Pavlova, O.V. Pyatilova // Calphad.-

2014.-Vol.44.-P.138-141.

178. Debenedetti, P. G. Metastable liquids: concepts and principles / P.G.Debenedetti. - Princeton University Press, 1996.

179. Frenkel, J. Kinetic Theory of Liquids / J. Frenkel. - Oxford University Press,

1946.

180. Laaksonen, A. Nucleation: Measurements, theory, and atmospheric applications / A. Laaksonen, V. Talenquer, D.W. Oxtoby // Annual Review of Physical Chemistry. - 1995. - Т. 46. - № 1. - С. 489-524.

181. Chaikin, P.M. Principles of Condensed Matter Physics / P.M. Chaikin, T.C. Lubensky. - Cambridge University Press, Cambridge, 1995.

182. Громов, Д.Г. Исследование начальных стадий конденсации Ag и Au на поверхности аморфного углерода при термическом испарении в вакууме / Д.Г. Громов, Л.М. Павлова, А.И. Савицкий, А.Ю. Трифонов // Физика твердого тела. -

2015. - Т.57. - C.163-169.

183. Александров, Ю. А. Термодинамическое разложение органических производных переходных металлов // Ю.А. Александров, Л.М. Дягилева, Е.И. Цыганова.- М.: Наука. - 1993.-203 с.

184. Булярский, С.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский, В.П. Олейников // Phys. Stas. Sol. (b).-1987.-141 с.

185. Булярский, С.В., Олейников В.П. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский, В.П. Олейников // Phys. Stas. Sol. (b).-1988. - 146с.

186. Смирнов, Б. М. Процессы в плазме и газах с участием кластеров Б. М. Смирнов // Успехи физических наук. - 1997. - Т. 167. - № 11. - С. 1169-1200.

187. Paule, R. C. Analysis of interlaboratory measurements on the vapor pressure of gold / R. C. Paule, J. Mandel // Pure and Applied Chemistry. - 1972. - Т. 31. - № 3. -С. 371-394.

188. Martina, I. Micro-raman characterisation of silver corrosion products: instrumental set up and reference database / I. Martina, R. Wiesinger, D. Jembrih-Simburger, M. Schreiner // e-PS .- 2012. -Vol. 9. -P. 1-8

189. Мартынов, И. С. Радиационное превращение гексагональной структу-ры серебра в кубическую при облучении ионами гелия // И.С. Мартынов, В.В. Красильников, И.Н. Перепелкин, В.В. Ружицкий, Я. Э. Генди. - 2006. - №1. - С.49 -56.

190. Braunstein, P. Metal clusters in chemistry / P.Braunstein, L.A.Oro, P.R. Raithby. - Wiley-VCH, 1999, p.1798.

191. Morales-Masis M. Towards a quantitative description of solid electrolyte conductance switches / M. Morales-Masis, H. Wiemhoferb and J. M. van Ruitenbeeka // Nanoscale. - 2010. - Vol. 2. -P. 2275-2280.

192. Morales-Masis, M. Bulk and Surface Nucleation Processes in Ag2S Conductance Switches / M. Morales-Masis, H. Wiemhoferb and J. M. van Ruitenbeeka, T. Hasegawa // Physical Review B. -2011. - Vol. 84. - № 11. - С. 115310.

193. West, A. R. Solid State Chemistry and Its Applications, 1985 -742 p.

194. Goroshko, D. L. Influence of the Si (100)-c(4x10)-Al surface phase on formation and electrical properties of thin iron films / D. L. Goroshko, N. G. Galkin, and A. S. Gouralnik // Journal of Applied Physics. -2010. -Vol.107. -P. 063709-1-063709-7.

195. Pyatilova, O. V. Role of Ag+ Ion Concentration on Metal-Assisted Chemical Etching of Silicon / O.V. Pyatilova, S.A. Gavrilov, A.A. Dronov, Ya.S. Grishina and A.N.Belov // Solid State Phenomena. - 2014. - Т. 213. - С. 103-108.

196. De, G. Copper-ruby monoliths by the sol-gel process / G. De, A. Licciulli, C. Massaro, L. Tapfer, M. Catalano, G. Battaglin, C. Meneghini, P.Mazzoldi // Journal of non-crystalline solids. - 1996. - Т. 201. - № 3. - С. 250-255.

197. Guo, H. Betavoltaic microbatteries using porous silicon / H. Guo, H. Yang, Y. Zhang //Micro Electro Mechanical Systems, 2007. MEMS. IEEE 20th International Conference on. - IEEE, 2007. - С. 867-870.

198. Wu, K.A theoretical study on silicon betavoltaics using Ni-63 / Wu K., Dai C., Guo H. // Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS), 2011 IEEE International Conference on. - IEEE, 2011. - С. 724-727.

199. Нагорнов, Ю.С. Современные аспекты применения бетавольтаического эффекта / Нагорнов Ю.С. - Ульяновск: УлГПУ, 2012. 113 с.

ТВЕРЖДАЮ" ктор МИЭТ ^Игнатова И.Г.

15 г.

АКТ

об использовании в учебном процессе Национального исследовательского университета «МИЭТ» результатов диссертационной работы Пятиловой О.В.

«Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники»

Настоящим подтверждается, что результаты диссертационной работы Пятиловой О.В. «Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники» использовались в учебном процессе МИЭТ в лекционных материалах и лабораторных практикумах по курсам «Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем», «Гибридные нанокомпозиты в нанотехнологии», а также при выполнении бакалаврских и магистерских выпускных работ студентами, обучающимися по направлениям «Материаловедение и технологии материалов» и «Электроника и наноэлектроника» (22.03.01, 22.04.01, 11.03.04 и 11.04.04).

Зав. каф. «МФЭ», д.т.н., проф.

__Гаврилов С.А.

шаавии, ■ш^ии

чц/V»" ^^инмэ4*-'

РАН

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук _(ИНМЭ РАН)_

УТВЕРЖДАЮ

Заместитель директора по научной работе, д.ф.-м.н.

Благов Е.В.

2015 г.

V

Л- 1- й •

АКТ О ВНЕДРЕНИИ

результатов диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук Пятиловой О.В. на тему «Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники»

Образцы наноструктурированного кремния, сформированные химическим травлением с использованием кластеров серебра в качестве катализатора, были использованы в Институте нанотехнологий микроэлектроники РАН при выполнении государственного задания на проведение научных исследований в рамках реализации Программы фундаментальных научных исследований в Российской Федерации.

Начальник отдела разработок и исследований микро- и наносистем

Павлов А.А.

АКТ

об использовании результатов диссертационной работы Пятиловой О.В.

«Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники»

Настоящим подтверждается, что результаты диссертационной работы Пятиловой О.В. «Исследование особенностей формирования массива кластеров серебра и структур на их основе для создания элементов функциональной электроники» использовались при выполнении четырех проектов:

- № 83-ИПП-Гр.асп-МФХ «Изучение кинетики распада и испарения тонких пленок серебра на поверхности 8Ю2», проводимого по заданию министерства образования и науки РФ;

- № 1194 «Исследование методов формирования и физико-химических свойств нанодисперсных систем», выполняемого вузом в рамках государственного задания на оказание услуг (выполнения работ);

- № 11.2551.2014/К «Исследование процесса самоформирования массивов нитевидных нанокристаллов кремния с использованием металл-стимулированного химического травления» в рамках проектной части государственного задания в сфере научной деятельности;

- №13-08-01159 «Разработка физико- технологических принципов создания сверхплотных запоминающих сред на основе массивов периодически расположенных наночастиц А§/А§28» в рамках грантов РФФИ.

Проф. каф. «МФЭ»,

д.т.н.

Белов А.Н.