Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов: На примере InSbBi, AlInSbBi тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Баранник, Алексей Анатольевич

• Баранник, Алексей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат технических наук Баранник, Алексей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛА В А 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1.1. Многокомпонентные твердые растворы АШВУ на основе 1пБЬ, их свойства и применение.

1.2. Кристаллогенезис многокомпонентных гетеросистем АШВУ.

1.3. Методы получения и исследования кристаллообразования МТР АШВУ.

1.4. Кинетика градиентной жидкофазной кристаллизации МТР АШВУ.

1.5. Постановка задачи исследования.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ КИНЕТИКИ НАЧАЛЬНОЙ СТАДИИ ОБРАЗОВАНИЯ

ЦЕНТРОВ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ.

2 1. Вероятностные закономерности в кинетике зарождения при постоянном пересыщении и переохлаждении.

2 2. Система дифференциальных уравнений кинетики зародышеобразования и её общее решение.

2.3. Определение скорости зарождения центров кристаллизации по статистическим данным кинетики начальной стадии процесса зарождения.

2.4. Влияние граничных условий на вид закономерностей кинетики зарождения кристаллов.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 3. ТЕХНИКА ИССЛЕДОВАНИЙ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ РОСТА МТР

ИЗ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ

РАСПЛАВОВ АШВУ.

3 1. Аппаратурное оформление выращивания М'ГР в поле температурного градиента.

3.2. Подготовка исходных материалов и методика проведения выращивания ЭС в поле температурного градиента. ф 3.3. Методика исследования кинетики кристаллообразования МТР и движения жидких зон.

3.4. Технологическое оформление статистического термического анализа.

ВЫВОДЫ

ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ МТР ИЗ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ВИСМУТСОДЕРЖАЩИХ РАСПЛАВОВ АШВУ.

4.1. Экспериментальное исследование процессов зародышеобразования твердых растворов на основе 1пБЬ.

4.2. Экспериментальное исследование зависимостей, характеризующих движение зон, от различных факторов.

43. Исследование морфологии и распределения компонентов в эпитаксиальных слоях.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов: На примере InSbBi, AlInSbBi»

Современный рост объема информационных, познавательных и управляющих потоков, охватывающий все области науки, техники и повседневной жизни требует создания соответствующей материально-технической базы для обработки кодированных массивов данных. Общеизвестно, что многие практически важные задачи в микроэлектронике, материаловедении и целом ряде других областей решаются при создании новых монокристаллических материалов, например, многокомпонентных твердых растворов (МТР) полупроводников.

В настоящее время в России и за рубежом[1] значительное внимание уделяется изучению МТР А11^', объемным и низкоразмерным гетероструктурам на их основе, выработке оптимальных технологий их получения и применения, накоплению значительного объема фундаментальных и «практических» статистических данных.

Введение висмута в МТР АШВУ позволяет эффективно формировать заданную энергетическую структуру кристалла и управлять морфологическими и фотоэлектрическими характеристиками как узкозонных, так и широкозонных МТР. Самая высокая подвижность электронов и наименьшая ширина запрещенной зоны (среди бинарных соединений) позволяют значительно повысить пороговую чувствительность и быстродействие фотоприемников, созданных на основе твердых растворов, изопериодных ///Л'Л, а также расширить спектральный диапазон[2].

Из различных технологических методов получения приборов на основе МТР АШВУ в силу ряда преимуществ - относительная простота, многофункциональность, дешевизна -широко распространенными являются методы жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ)[2].

При получении из расплава объемных монокристаллов методами управляемой кристаллизации основной задачей является создание оптимальных технологических режимов, обеспечивающих вероятность зарождения и роста из метастабильного состояния как можно меньшего числа центров кристаллизации во избежание нежелательных роста поликристалла и полиморфизма. Решение данной задачи связано с моделированием кинетики начальных стадий кристаллообразования с участием квантовых объектов, описание которых всегда носит вероятностный характер. Очевидно, при исследовании и описании кристаллогенезиса необходим статистический подход. При построении практически применимых моделей кристаллогенезиса в общем необходим разумный баланс теории и эксперимента с учетом существенных свойств описываемых объектов и влияющих на них факторов, так как построение строгой теории кристаллизации при увеличении числа компонентов в многокомпонентном расплаве с учетом всех факторов математически невозможно.

К началу выполнения данной работы в литературе имелась информация о кристаллогенезисе элементарных и бинарных полупроводников, ограниченная для трехкомпонентных ТР (ТТР), разрозненная - для четырех (ЧТР) и пятикомпонентных (ПТР) ТР АШВУ. Для висмутсодержащих МТР АШВУ, получаемых из расплавов методами ЖФЭ подобных сведений нет, поэтому тема данной работы актуальна с научной и прикладной точек зрения.

Цель и задачи исследования

Целью работы является исследование закономерностей процесса роста эпитаксиальных слоев (ЭС) твердых растворов (ТР) 1п$ЬВ1 и АПпЗЬШ методом градиентной жидкофазной кристаллизации (ГЖК).

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

-теоретическое моделирование и экспериментальное исследование закономерностей начальной стадии кристаллизации МТР /«Л'Л/?/, АИпЗЬЫ из висмутсодержащих расплавов А,ПВ*;

- экспериментальное исследование кинетики роста ЭС гетероструктур при подпитке раствора-расплава твердой и жидкой фазами;

- анализ распределения компонентов кристаллизующихся ЭС данных МТР;

- исследование структурного совершенства полученных ЭС;

- разработка технологического оформления исследования закономерностей роста МТР из многокомпонентных висмутсодержащих расплавов А"'ВГ;

- разработка практических рекомендаций по оптимизации технологических режимов получения МТР.

Научная новизна

1. Проведено теоретическое моделирование роста кристаллов из многокомпонентных висмутсодержащих расплавов АШВУ на основании стохастического подхода и экспериментально исследована зависимость кристаллогенезиса в образцах расплавов антимонида индия и некоторых ТР на его основе (/мЛ'й/?/, АПпЗЬШ) от различных технологических факторов при ЖФЭ.

2. Экспериментально получены зависимости скорости роста ЭС от различных факторов в поле температурного градиента.

3. Исследованы технологические особенности метода ГЖК, разработана технологическая оснастка для исследования кинетики роста кристаллов из висмутсодержащих расплавов.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Методика, позволяющая исследовать зависимость кристаллогенезиса висмутсодержащих ТР из расплавов от различных факторов, основывается на экспериментальном определении функции распределения времени ожидания появления первого центра кристаллизации.

2. Кинетика зародышеобразования в висмутсодержащих расплавах AmBv описывается в зависимости от технологических условий получения разного вида экспоненциальной функцией распределения времени ожидания появления центров кристаллизации.

3. Для указанных систем существует дискретный ряд переохлаждений, при которых наиболее вероятно появление зародыша и начало кристаллизации расплавов: для InSb АТ~ = 17.5К;20.5К;25К, которые для InSbfíi и AllnSbfíi изменяются в зависимости от концентрации висмута и алюминия в жидкой фазе.

4. Добавление висмута увеличивает, а алюминия уменьшает скорость роста ЭС в процессах ГЖК при прочих равных условиях.

5. Оптимальное качество и свойства получаемых ЭС достигаются при содержании висмута в расплаве зоны от 30 до 75%, рост содержания висмута свыше 75% в расплаве жидкой зоны увеличивает дефектность структуры, а менее 30% может не обеспечивать формирование требуемых свойств ЭС.

Практическая значимость

1. В рамках используемого стохастического подхода получены экспериментальные зависимости скорости роста от различных факторов, характеризующие кинетику роста кристаллов InSbfíi и AllnSbfíi из расплавов.

2. Получены экспериментальные зависимости скорости роста ЭС висмутсодержащих МТР InSbfíi, AllnSbfíi от различных факторов в поле температурного градиента.

3. Разработаны рекомендации по оптимизации технологических режимов получения МТР InSbfíi и AllnSbfíi.

4. Результаты работы могут быть использованы для других вариантов ЖФЭ, например, для метода нормальной кристаллизации.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на Восьмой международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Дивноморское, ТРТУ, 2002), VIII Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» (Москва, МЭИ, 2002), Международной Научной

Конференции «Кристаллизация в наносистемах» (Иваново, 2002), Международной конференции «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2002), X Национальной конференции по росту кристаллов (Москва, РАН, Институт Кристаллографии им. A.B. Шубникова, 2002), межвузовских научно-технических конференциях, а также на конференциях, совещаниях, семинарах лаборатории физики полупроводников ВИ ЮРГТУ и кафедры физики ЮРГТУ.

Достоверность результатов обеспечивается использованием хорошо зарекомендовавших себя аналитических и численных методов математики, физики, физической химии, строгой обоснованностью приближений в моделях, согласием результатов работы с результатами других авторов.

Публикации и вклад автора

По результатам исследований опубликовано 15 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав и выводов, содержит 140 печатных страниц текста, 29 иллюстраций. Список литературы включает 130 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Баранник, Алексей Анатольевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Анализ работ, посвященных полупроводниковым соединениям АШВУ, их свойствам и применению, методам получения, показал, что введение висмута в МТР АШВУ позволяет добиться ряда преимуществ: улучшения устойчивости фронта кристаллизации в расплаве, совершенства ЭС, фотоэлектрических характеристик, дополнительного варьирования величины запрещенной зоны, что определило выбор объектов для исследования.

2. Найдены конструкционные решения реализации установки и кассет (тиглей) для создания оптимальных условий исследования кристаллизации МТР из расплавов на основе антимонида индия.

3. Теоретический и экспериментальный анализ закономерностей начальной стадии кинетики зарождения в расплавах и АИпЯЬВ! показывает, что в зависимости от формы энергетического барьера и начальных состояний процесса кинетика гетерогенного зарождения описывается экспоненциальной функцией распределения или суперпозицией экспоненциальных функций распределения времени ожидания появления первого центра кристаллизации.

Показан возможный вид зависимости скорости зарождения центров кристаллизации от времени для одно-, двух-, трех- и многобарьерного процесса зарождения. Для двухбарьерного процесса зарождения зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от времени может быть стационарной, нестационарной, монотонно возрастающей со временем от начального значения 3(0) до стационарной величины Зст, нестационарной, монотонно убывающей со временем от 3(0) до Зст• Для трех- и многобарьерного процессов зарождения зависимость скорости зарождения центров кристаллизации от времени и переохлаждения, помимо изложенных вариантов, может быть также экстремальной с максимумом или минимумом для скорости зарождения центров кристаллизации при некоторой длительности процесса, причем, как показывает эксперимент, таких экстремумов на кривой может быть множество. Проведенные исследования кинетики зарождения ¡пБЬ и твердых растворов 1п8Ь1В1х и А11п1^Ь1Шг из расплава показали наличие дискретного ряда переохлаждений, при которых наиболее вероятно появление зародыша и начало кристаллизации расплавов: для 1п$Ь АТ= 17,5К;20,5К;25К, которые для и АИпЪЬВг изменяются в зависимости от концентрации висмута и алюминия в жидкой фазе. Наличие экстремумов, положение которых зависит от состава, на данных зависимостях можно объяснить характерным для данных соединений изменением (эволюцией) величины и формы энергетического барьера зарождения. Неограниченный рост кривых при больших переохлаждениях объясняется началом ярко выраженной объемной кристаллизацией расплавов.

В поле температурного градиента получены ГС InSbi.xBix.lnSb и А1у1п!.^Ь/,ХВ1Х Ь^Ь (дг<0.05, у<0.08). Метод ЗПГТ позволяет получать МТР на основе 1пЯЬ с высоким кристаллическим совершенством, степень которого определяется составом ЭС и зависит от условий роста и подготовки исходных материалов. Плотность дислокаций в ЭС Alylni.ySbi.xBix 1п$Ь и lflSb/.xBix■ 1/>ЬЪ, выращенных из жидкой фазы в поле температурного градиента, меньше, чем в подложке и зависит от устойчивости фронта кристаллизации и температурных условий процесса.

Экспериментально исследованы условия роста, получены зависимости скорости движения зон для ТР 7/?Л'/>,и А/1п, Л'ЛгШ( установлено, что рост ЭС происходит преимущественно по дислокационному механизму.

Даны рекомендации по получению совершенных ЭС 1п5Ь1В1ж и А11п15Ь1В1г в поле температурного градиента.

Список используемых сокращений

АСЭ - атомно-слоевая эпитаксия; ВЧ - высокочастотный;

ГЖК - градиентная жидкофазная кристаллизация;

ГС - гетероструктура;

ГФЭ - газофазная эпитаксия;

ДГС - двойная гетероструктура;

ЖФЭ - жидкофазная эпитаксия;

ЗГТГТ - зонная перекристаллизация градиентом температуры;

ИК или ик - инфракрасный;

КДС - когерентная диаграмма состояния;

КРС - квантово-размерные структуры;

КРЭ - квантово-размерный эффект;

КСП - контрольно-следящие приборы;

КТР - коэффициент теплового расширения;

МН - молекулярное наслаивание;

МОС - металлоорганические соединения;

МПЭ - молекулярно-пучковая эпитаксия;

МТР - многокомпонентные твердые растворы;

ОП - оптоэлектронные приборы;

ПЖТ - пар-жидкость-твердое (метод получения);

ПТР - пятикомпонентный твердый раствор;

РФД- равновесная фазовая диаграмма,

СР - сверхрешетки;

ТВР - температурно-временной режим;

ТР - твердые растворы;

ТТР - трехкомпонентный твердый раствор;

ФД - фотодиоды (фотодетекторы);

ФР - фазовые равновесия;

ХС - химическая сборка;

ЧТР - четырехкомпонентный твердый раствор; ЭЖЭ - электрожидкостная эпитаксия; ЭС - эпитаксиальные слои;

АШВУ или А3В5 - полупроводниковые соединения элементов третьей (А) и пятой (В) групп периодической таблицы Д И. Менделеева.

133

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Баранник, Алексей Анатольевич, 2003 год

1. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // ФТП. 1998. Т.32. № 1. С. 3-19.

2. Лозовский В.Н, Лунин Л.С., Плагин A.B. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ BIII, 2003. 376 е.: ил.

3. Welker Н. И Zs. Naturforsch., 7а, 744, 1952, Welker H., Zs. Naturforsch., 8a, 248, 1953.

4. Чупрунов E.B., Хохлов А.Ф., Фаддеев M.А. Кристаллография. М.: Изд-во Физико-математической литературы, 2000. 496 е.: ил.

5. Павлов П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высшая школа, 2000. 494 е.: ил.

6. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений AinBv. (Новые материалы оптоэлектроники) Ростов-на-Дону: изд-во РГУ, 1992. 193 е.: ил.

7. Крапухин В.В., Соколов H.A., Кузнецов Г Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. 352 е.: ил.

8. Привалов В.И., Тихоненко О.И. Огттоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Высшая школа, 1981. 391 е.: ил.

9. Дейбук В.Г., Виююк Я.И., Раренко И.М. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi. И ФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289-292.

10. Акчурин Р.Х., Сахарова Т.В. Получение узкозонных твёрдых растворов InAsSbBi методом жидкофазной эпитаксии // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 10. С. 16-20.

11. Акчурин Р.Х., Жегашн В.А., Сахарова Т.В., Серегин C.B. Получение многослойных гетероструктур на основе арсенида-антимонида-висмутида индия методом «капиллярной» жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. №7. С.51-55.

12. Акчурин Р.Х., Комаров Д.В. Формирование многослойных упругонапряженных гетерокомпозиций методом жидкофазной эпитаксии. I. Теоретические аспекты проблемы и расчетная модель. //ЖТФ. 1997. Т.67. №7. С.42-50.

13. Волошин А.Э., Вермке А., и др. Влияние условий эпитаксиального роста на характер твёрдого раствора, образующегося в слоях InSb<Bi> И Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1991. Т.27. № з. С.451-456.

14. Марончук И.Е., Шутов C.B., Кумоткгша Т.Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута // Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1995. Т.31. №12. С.1520-1522.

15. Фалъковскгш Л.А. Физические свойства висмута. // УФН. 1968. Т.94. №1. С. 3-41.

16. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. / под ред. B.C. Земскова. - М.: Наука, 1978. 197 е.: ил.

17. Onabe К. Thermodinamics of type A.xBxC}.yDy III-V qurternary solid solutions // J. Phis. Chem. Solids. 1982. 43.11. p. 1071 -1086.

18. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.H., XumoeaJI. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. М.: Металлургия, 1987.

19. Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра. М.: Изд-во МФТИ, 1999. 320 е.: ил.

20. Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука, 1989. 310 е.: ил.

21. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. СПб.: Лань, 2002. 480 с. ил.

22. Jordan A.S., Ilegems M. Solid-Liquid Equilibria for Quaternary Solid Solution Involving Compound Semiconductors // J. Phys. and Chem. Solids. 1975. V.36. №4. P.329-342.

23. ЗайманД. Модели беспорядка II пер. с англ. M.: Мир, 1978, 658 е.: ил.

24. Литвак A.M., 1 ¡арыков H.A. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. // Известия РАН. Серия Неорганические материалы. 1991. Т.27. №2. С.225-230.

25. Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991, 175 е.: ил.

26. Акчурин Р.Х., Акимов О.В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsi.x. ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров. // ФТП. 1995. Т.29. Вып.2. С.362-369.

27. Frank F.C., Van Der Merve J.A. //Proc. Roy. Soc. Edinburgh. A. 1949. V.198. №1052. P.205-225.

28. Тхорик Ю.А., Хажт Jl.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983, 304 е.: ил.

29. Уманский В.Е. Исследование деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений AinBv с помощью электронного зонда: автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Л., 1983.

30. Ван-дер-Мерве Дж. X. //Монокристаллические пленки: Сб. статей. -М.: Мир, 1966. С. 172-201.

31. BrebnckR. F. // Met. Trans. 1971. V.2. P. 1657-1663, 3377-3381.

32. Труфманов А.П. Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов A3B5 и А4В6, формируемых в поле температурного градиента: Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 2001.

33. Stringfelhw O.G. Calculation of Ternary and Quarternary III-V-Phase Diagrams // J. Crystall Growth. 1974. V.27. P.21-27.

34. Лозовский В.H., Лунин Л.С., Аскарян Т.А. Термодинамический анализ устойчивости пятикомпонентных твердых растворов соединений AmBv // Изв. АН СССР. Серия Неорганические материалы. 1989. Т.25. JV»4. С. 540-546.

35. Сорокин B.C., Рубцов Э.Р. Расчет спинодальных изотерм в пятикомпонентных твердых растворах А3В5. // Изв. РАН. Серия Неорганические материалы. 1993. Т.29. №1. С. 28-32. 42.1'иббс Д.В. Термодинамические работы. M-JI: Гостехиздат, 1950.

36. Volmer M. Kinetik der Phasenbilding, Dresden-Leipzig, 1933 (Фольмер M. Кинетика образования новой фазы. / пер. с нем. K.M. Горбуновой под ред. A.A. Чернова, предисловие Р. Каишева. М.: Наука, 1986. 204 е.: ил.).

37. Becker R., Döring W. // Ann Phys. 1935. 24. C.719.

38. Kaischew R., Stranski J.N. UZ PhysChem. 1934. B26. S.1001 (УФН. 1939. T.21. №4.1. С.408).

39. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. / Собр. избран, тр. М: Изд-во АН СССР, 1959 ( - Л.: Наука, 1975).

40. Зельдович Я.Б. П ЖЭТФ. 1942. №12. С.525.

41. VolmerМ, Veber А. HZ. Phys. Chem. 1929. 119. S.227.

42. Turnball D., Fischer J. C. HJ. Phys. Chem. 1949. 17. P.74.

43. Холломон Д.Н., Торнбалл Д. Н Успехи физики металлов. Т.1. М.: Металлургиздат, 1959. С.304.

44. Lothe J., Pound GM. Hl. Phys. Chem. 1968. 48. P.1849.

45. Овсиенко Д.Е. Зарождение и рост кристаллов из расплава. / АН Украины, Институт металлофизики. Киев: Наукова Думка, 1994. 254 е.: ил.

46. Kossei W. //Naturwis. 1930. 18. S.901.

47. KaischewR., StranskiJ.N. //Z.Phys Chem. 1934. B26. S.100.

48. Turnball D. II J. Phys. Chem. 1950. 18. №2. P.198.

49. Кукуитш C.A., Осипов A.B. Рост, структура и морфологическая устойчивость зародышей, растущих из расплавов эвтектического состава. // ФТТ. 1997. Т.39. №8. С. 1464-1469.

50. Слезав В.В., Шмельцер Ю.П. Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава. // ФТТ. 2001. Т.43. Вып.6. С.1101-1109.

51. Павлов В.В. О «кризисе» кинетической теории жидкости и затвердевания: (Необходимость изменения традиционной молекулярной модели жидкости и твердого тела). / Урал. гос. горно-геол. акад. Екатеринбург: УПТА, 1997. 391 с.

52. Слезав В.В. Фазовые превращения в конденсированных средах при конечной скорости образования метастабильного состояния. // ФТТ. 2003. Т.45. Вып.2. С.317-320.

53. Петухов Б.В. Кинетика распада метастабильных состояний разупорядоченной линейной системы//ФТТ. 1999. Т.41. Вып.11. С.1988-1993.

54. Кидяров Б.И. Кинетика образования кристаллов из жидкой фазы. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1979. 134 е.: ил.

55. Слезав В.В. Метод виртуальных сред в теории фазовых превращений первого рода. // ФТТ. 2000. Т.42. Вып 4. С.733-740.

56. Воронков В.В. Теория роста кристаллов из расплава; послойный рост и формообразование: автореф. дис. на соиск. уч. степ. докт. физ.-мат. наук. М., 1983. 32 с.

57. Алфинцев Г.А. Кинетика, механизм и формы роста кристаллов из расплава: автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. К., 1981.

58. Чалмерс Б. Теория затвердевания. / пер. с англ. В.А. Алексеева, под ред. д.т.н. hi.В. Приданцева. М.: Металлургия, 1968.

59. Скрипов В.П. Метастабильная жидкость. М.: Наука, ГРФМЛ, 1972.

60. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974. 540 е.: ил.

61. Ежовскгш Ю.К. Поверхностные наноструктуры перспективы синтеза и использования//Химия. Соросовский образовательный журнал. 2000. Т.6. №1. С.56—63.

62. Хеерман М. Полупроводниковые сверхрешетки / пер. с англ. М.: Мир, 1989. 582 е.: ил.

63. Alferov Zh., Andreev V.M., Konnikov S.G., Larionov V.R., Pushny В. V. New LPE Method of Obtaining AlGaAs Heterostructures. // Kristall und Techni. 1976. V.U. №10. P. 1013-1020.

64. RezekE., ShichijoH., VojakB.A., HolonyakN. //Jr. Appl. Phys. Lett. 1977. 31. P.534.

65. Кулюткина Т.Ф., Марончук И.Е., Шорохов A.B. Выращивание субмикронных слоев при импульсном охлаждении насыщенного раствора-расплава // Письма в ЖТФ. 1995. Т.21. Вып 20. С.1-5.

66. Пфанн В.Дж. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. 366 е.: ил.

67. Лозовский В.II., Константинова Г.С. Изотермический вариант метода движущегося растворителя // Кристаллография. 1978. Т.23. Вып.1. С.288-229.

68. Лозовский В.II., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987.

69. Киреев Е.И. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах кремний-золото, кремний-алюминий, кремний-алюминий-золото: Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1974. 192 с.

70. Геворкян В.А., Голубев JI.В., Хачатрян А.Е., Шмарцев Ю.В. К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии //ЖТФ. 1983. Т.53. Вып.З. С.545-549.

71. Колмогоров А.Н. ИИгв. АН СССР. Сер. матем. 1937. №3. С.355.

72. ZiabickiA. II J Chem Phys. 1968. 48. P.4368, 4374.

73. KashchievD. //SurfSei. 1969. 14. P.209.

74. KashchievD. // Surf.Sei. 1969. 18. P.293.

75. Паунд Г.М. В сб. «Жидкие металлы и их затвердевание». ГИТЛ по Ч. и Ц. Металлургии. М., 1962. С. 107.

76. Гнеденко Б.В., Беляев Ю.К., Соловьев А.Д. Математические методы в теории надежности. М.: Наука, 1965.

77. Чернов А.А. О движении включений в твердых телах // ЖЭТФ. 1956. Т.31. №5. С.709-804.

78. Тиллер В.А. Перемещение жидкой зоны через твердое тело I, II // Зонная плавка. М.: Металлургия, 1966. С.110-130.

79. Tiller W.A. Migration of liquid zone through a solid. Part III // J. Appl. Phys. 1965. V.36. №1. P.261-264.

80. Hurle D.T.J., Mullin J.B., Pike E.R. Thin alloy zone critallization // J.Mat. Science. 1967. V.2. №1. P.46-62.

81. Гегузин Я.Е., Кривоглаз M.A. Движение микроскопических включений в твердых телах. -М.: Металлургия, 1971. 344 е.: ил.

82. Cline Н.Е., Anthony T.R. The interaction of liquid droplets with a grain boundary in large accelerational fields // Phil. Mag 1971. V.24. №189. P.695-703.

83. Лозовский B.H. К теории движения жидких включений в кристаллах под действием градиента температуры// Изв. вузов. Физика. 1971. №12. С.24-29.

84. Лозовский В.Н., Константинова Г.С. Теория зонной перекристаллизации градиентом температуры в двухкомпонентной системах // В сб. Кристаллизация и свойства кристаллов Новочеркасск. 1972. Т.259. С.35-49.

85. Lozovski V.N., Popov V.P. Temperature gradient zone melting // Prog. Cryst. Growth Charact. 1983. V.6. №1. P. 1-23.

86. Лозовский B.H., Марьев В.Б. Кинетика роста эпитаксиальных слоев фосфида галлия при зонной перекристаллизации градиентом температуры // Изв. вузов. Физика. 1974. №7. С.115-118.

87. Kleinknecht Н.Р. Lateral traveling solvent growth in indium arsenid // J. Appl. Phys. 1966. V.37. №6. P.2116-2122.

88. Wright M.A. The growth of a-SiC from varions chromium alloys by a traveling solvent method // J. Electrochem Soc. 1965. V. 112. № 1. P. 1114-1117.

89. Лозовский B.H., Колесниченко А.И. Рост кремния из слоя движущегося растворителя, обогащенного редкоземельными металлами // Изв. вузов. Физика. 1982. №1. С.13-17.

90. Губенко Н.Я. Влияние степени упорядоченности расплава на кинетику кристаллизации // В кн.: Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1984. С.34-43.

91. Лозовский В.Н., Зурнаджян B.C. Эффект вынужденной конвекции при зонной перекристаллизации и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1978. Вып.5. С. 110-115.

92. Лозовский В.Н., Зурнаджян B.C., Князев С.Ю. Влияние вынужденной конвекции на скорость роста при зонной перекристаллизации градиентом температуры И В сб.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1981. С.3-9.

93. Гершанов В.Ю., Гермаиюв С.И. К методике исследования кинетики кристаллизации методом ЗПГТ при снижении температуры с постоянной скоростью // В сб.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1981. С.66-72.

94. Удянская А.И. Исследование зонной плавки с градиентом температуры в системе кремний-алюминий // В кн.: Зонная плавка с градиентом температуры. Новочеркасск. 1967. Т. 170. С.31—40.

95. Петросян С.Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. К теории жидкостной эпитаксии с градиентом температуры//ФТТ. 1974. Т. 16. Вып.2. С.392-397.

96. Никишин С.А. К анализу массопереноса при электрожидкостной эпитаксии арсенида галлия//ЖТФ. 1983. Т.53. Вып.З. С.538-544.

97. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 е.: ил.

98. Вольф Г.А., Млавский А.И. Зонная плавка с растворителем // В кн.: Рост кристаллов. -М.: Мир, 1977. Т.1. С.244-292.

99. Лозовский В.Н., Константинова Г.С., Качинюк А.И. Термодинамический аспект зонной перекристаллизации градиентом температуры // В сб.: Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1977. Вып 4. С. 13-26.

100. Taxa А.X. Введение в теорию операций. / пер. с англ. В.И. Тюпти, A.A. Минько. М -СПб-Киев: Изд. дом «Вильяме», 2001. 912 е.: ил.

101. Ван Кампен Н.Г. Стохастические процессы в физике и химии. / пер. с англ. Г.А. Хоменко, под ред. проф. С.С. Моисеева. М.: Высшая школа, 1990. 376 е.: ил.

102. Волков И.К, Зуев СМ., Цветкова Г.М. Случайные процессы. М.: Изд-во МГТУ им. Баумана, 2000. 448 е.: ил.

103. Роберте Ф.С. Дискретные математические модели с приложениями к социальным биологическим и экологическим задачам. / пер. с англ. A.M. Раппопорта, С.И. Травкина. -М: Наука, ГРФМЛ, 1986. 496 е.: ил.

104. Козлов Б. А., Ушаков И. А. Краткий справочник по расчету надежности радиоэлектронной аппаратуры. М.: Сов. радио, 1966.

105. Гумбелъ Э. Введение в теорию порядковых статистик. М.: Статистика, 1970.

106. Саати Т. Элементы теории массового обслуживания и ее приложения. М.: Сов. радио, 1965 (Saaty Т. Elements of queueing theory with applications, Dover, New York, 1983 ).

107. Боровков A.A. Вероятностные процессы в теории массового обслуживания. — М.: Наука, 1972.

108. Барлоу Р., Прошан Ф. Математическая теория надежности. М.: Сов. радио, 1969.

109. Козлов Б.А. Резервирование с восстановлением. М.: Сов. радио, 1969.

110. Курош А Г. Курс высшей алгебры. М.: Физматгиз, 1963. 432 е.: ил.

111. Гнеденко Б.В., Коваленко И.Н. Введение в теорию массового обслуживания. М.: Наука, 1966.

112. Бокун Г.С., Вихренко B.C., Наркевич И.И., Ротт Л.А. К статистической теории фазовых переходов кристалл-жидкость, жидкость-газ и кристалл-газ. // Докл. АН СССР. -1973. Т.212. №6. С.54-61.

113. Герасименко B.C., Любое Б.Я. Механизм и кинетика кристаллизации. Минск: Наука и техника, 1969,

114. Гнеденко Б.В. Курс теории вероятностей. М.: ГИФМЛ, 1961.

115. Разумовский П.И. Разработка физико-химических основ получения пятикомпонентных твердых растворов InGaAsSbP в поле температурного градиента: Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 2000.

116. Horn L., Masing А. //Z Elektrochem. 1940. 46. S.109.

117. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных соединений АШВ1'\ Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 1993.

118. Физическое металловедение. / под ред. Р. Кана. М.: Мир, 1968. Вып. 11.

119. Hilsum С., Rees Н. D. Three-level oscillator: a new for transferred-electron device. -"Electron letters", 1970. V.6. JV«9. P.277-278.

120. Лунина О.Д. Варизонные гетероструктуры AIxGai.xAs GaAs, выращенные в поле температурного градиента, и их свойства: Дис на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. -Новочеркасск, 1982.