Исследование и разработка методики повышения стойкости высоковольтных КМОП микросхем к накопленной дозе радиации тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Нагорнов Алексей Юрьевич

• Нагорнов Алексей Юрьевич
• кандидат наук
• 2022

Оглавление диссертации кандидат наук Нагорнов Алексей Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. МЕТОДЫ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МИКРОСХЕМ

1.1. Радиоэлектронная аппаратура специального назначения

1.2. Анализ типов высоковольтных микросхем

1.3 Исследование механизмов воздействия накопленной дозы радиации на характеристики транзисторов

1.4. Анализ существующих приемов построения микросхем, стойких к специальным факторам

1.5. Выводы

1.6. Постановка задачи

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ В УСЛОВИЯХ НАКОПЛЕНИЯ ДОЗЫ РАДИАЦИИ

2.1. Исследование зависимости ВАХ транзисторов от уровня набранной дозы радиации

2.2. Экспериментальное исследование уровня стойкости КНИ-транзисторов к накопленной дозе радиации в зависимости от электрического режима в процессе облучения

2.3. Выводы

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА СХЕМОТЕХНИЧЕСКИХ ПРИЕМОВ ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СФ БЛОКОВ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ МИКРОСХЕМ

3.1. Схемотехнические приемы повышения стойкости к накопленной дозе радиации

3.1.1. Применение стековой архитектуры транзисторов

3.1.2. Мультиплицирование транзисторных ключей

3.2. Методика разработки высоковольтных КМОП схем с повышенным уровнем стойкости к

накопленной дозе радиации

3.3. Выводы

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МИКРОСХЕМЫ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО АНАЛОГО-ЦИФРОВОГО БМК, ПРЕДНАЗНАЧЕННОГО ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ НА ЕГО ОСНОВЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КМОП СХЕМ С ПОВЫШЕННЫМ УРОВНЕМ СТОЙКОСТИ К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ РАДИАЦИИ

4.1. Разработка схемы высоковольтного аналого-цифрового БМК

4.2. Проектирование СФ блоков высоковольтного аналого-цифрового БМК для апробации

разработанной методики

4.3. Проектирование на основе высоковольтного аналого-цифрового БМК микросхемы

контроллера понижающего импульсного преобразователя напряжения

4.4. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. АКТ О ВНЕДРЕНИИ РЕЗУЛЬТАТОВ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

Введение

По назначению радиоэлектронную аппаратуру (РЭА) подразделяют на коммерческую аппаратуру широкого применения и аппаратуру специального назначения. При этом, аппаратура двойного и специального назначения является многочисленной группой ввиду обширной области применения и узкой направленности решаемых задач. Она предназначена для работы в тяжелых условиях эксплуатации с предъявлением жестких требований по надежности и стойкости к воздействию внешних факторов.

В настоящее время активно осуществляется модернизация существующих и создание новых образцов аппаратуры данного класса. Основой модернизации является замена используемых функциональных узлов, выполненных на микросхемах малой степени интеграции, на современные аналоговые и аналого-цифровые СБИС.

Микросхемы, используемые в РЭА, можно разделить на низковольтные с напряжением питания до 5 В и высоковольтные с напряжением питания от 5 В.

В современной бортовой аппаратуре используется первичный источник питания (аккумулятор) с высоким выходным напряжением (до 100 В). Необходимые уровни питания микросхем получают из первичного с помощью системы преобразователей напряжения. Причем система вторичных источников питания, как правило, является ступенчатой и формирует целый ряд напряжений питания.

Для реализации вторичных источников питания, а также для работы с высоковольтными аналоговыми сигналами необходимо применять микросхемы, произведенные по высоковольтным технологическим процессам. Высоковольтные транзисторы имеют более сложную конструкцию по сравнению с низковольтными и предполагают более сложный маршрут проектирования схем на их основе.

В условиях автономного функционирования РЭА специального назначения в течение долгого времени (может достигать нескольких десятков лет) крайне важным является корректное функционирование высоковольтных микросхем. Нарушение их

работы критически влияет на целый ряд микросхем и системы в целом, так как может вывести их и всю систему из строя.

Таким образом разработка методики повышения стойкости к накопленной дозе радиации высоковольтных микросхем является актуальной и значимой задачей.

В работе исследуются физические механизмы влияния накопленной дозы радиации на характеристики транзисторов, а также технологические и схемотехнические приемы, позволяющие решить эту проблему.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка методики повышения стойкости высоковольтных КМОП микросхем к накопленной дозе радиации»

Цель работы

Целью данной диссертационной работы является разработка методики повышения стойкости сложнофункциональных блоков и микросхем, произведенных по высоковольтному КМОП технологическому процессу.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие научно-технические задачи:

1. Провести исследование влияния накопления дозы радиации на стойкость низковольтных и высоковольтных КМОП транзисторов для различных режимов эксплуатации для базовых технологических процессов.

2. Предложить схемотехнические решения, увеличивающие стойкость КМОП транзисторов к накопленной дозе радиации для базового технологического процесса.

3. Разработать методику повышения стойкости отдельных сложнофункциональных (СФ) блоков, используемых в высоковольтных КМОП интегральных схемах.

4. Разработать конструкцию высоковольтного аналого-цифрового базового матричного кристалла для проектирования на его основе высоковольтных схем с повышенной стойкостью к накопленной дозе радиации.

5. Разработать микросхему контроллера высокоэффективного понижающего импульсного преобразователя напряжения большой мощности, стойкую к уровню накопленной дозы радиации до 100 крад.

Научная новизна работы:

1. На основе экспериментального исследования высоковольтного КМОП КНИ технологического процесса с минимальной топологической нормой 180 нм установлено, что увеличение времени работы транзисторов в открытом состоянии, как и увеличение напряжения сток-исток, во время воздействия ионизирующего излучения приводит к уменьшению стойкости транзисторов к накопленной дозе радиации.

2. На основе установленных зависимостей вольтамперных характеристик КМОП-транзисторов для высоковольтного КНИ технологического процесса с минимальной топологической нормой 180 нм от величины радиационного воздействия предложены схемотехнические решения, заключающиеся в использовании стековых конструкций и мультиплицировании аналоговых ключей, повышающие стойкость КМОП транзисторов к накопленной дозе радиации.

3. Предложена методика повышения стойкости СФ блоков высоковольтных КМОП интегральных схем, заключающаяся в проведении экспериментального исследования стойкости тестовых структур КМОП-транзисторов, определении режимов работы, обеспечивающих требуемый уровень стойкости к накопленной дозе радиации и обеспечении требуемого электрического режима каждого транзистора в составе СФ блока путем применения предложенных схемотехнических решений.

Практическая значимость работы.

1. Предложенные схемотехнические решения позволяют кратно увеличить стойкость к накопленной дозе радиации КМОП-транзисторов для высоковольтного КНИ технологического процесса с минимальной топологической нормой 180 нм.

2. Показано на примере ряда СФ блоков, широко применяемых в высоковольтных КМОП-схемах (драйверы силовых ключей, ИОН, генератор пилообразного напряжения и т.д.), что применение предложенной методики

позволяет разрабатывать микросхемы с уровнем стойкости к накопленной дозе радиации не менее 100 крад.

3. Результаты работы внедрены в процессе разработки и производства высоковольтного аналого-цифрового БМК на основе КНИ КМОП технологического процесса в части конструкции, состава и электрических схем встроенных функциональных блоков и библиотечных элементов.

4. На основе КНИ высоковольтного аналого-цифрового БМК с применением разработанной методики спроектирована микросхема контроллера понижающего импульсного преобразователя напряжения с выходной мощностью до 30 Вт и стойкостью к накопленной дозе радиации не менее 100 крад.

Внедрение результатов.

Результаты работы внедрены в АО «ДИЗАЙН ЦЕНТР «СОЮЗ» при разработке и освоении в производстве микросхемы высоковольтного аналого-цифрового БМК, что подтверждено актом о внедрении.

На защиту выносятся:

1. Установленные закономерности, определяющие зависимость радиационной стойкости высоковольтных и низковольтных КМОП транзисторов от электрического режима в процессе облучения для базового технологического процесса.

2. Предложенные схемотехнические решения, обеспечивающие повышение уровня стойкости микроэлектронных устройств на основе высоковольтного КМОП КНИ технологического процесса с минимальной топологической нормой 180 нм к накопленной дозе радиации.

3. Методика разработки высоковольтных схем с повышенным уровнем стойкости к накопленной дозе радиации.

4. Конструкция высоковольтного АЦ БМК, разработанного на основе предложенной методики повышения радиационной стойкости микроэлектронных устройств к накопленной дозе радиации.

5. Конструкция микросхемы высокоэффективного контроллера понижающего импульсного преобразователя напряжения с выходной мощностью до 30 Вт и стойкостью к накопленной дозе радиации не менее 100 крад на основе высоковольтного АЦ БМК.

Апробация результатов работы.

Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

1. Международная конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника-2017»

2. 24-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2017»

3. 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

4. Международная конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника-2018»

5. 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2018»

6. 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

7. Международная конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника-2019»

8. 26-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2019»

9. 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

10. 27-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2020»

11. 7-я научно-практическая конференция "Инновационные подходы к решению технико-экономических проблем - 2020"

Глава 1. Методы повышения радиационной стойкости высоковольтных микросхем

1.1. Радиоэлектронная аппаратура специального назначения

Радиоэлектронную аппаратуру (РЭА) классифицируют по множеству признаков: конструктивным особенностям, назначению, сложности исполнения. В зависимости от функциональной сложности аппаратуру подразделяют на системы, комплексы, устройства. По назначению ее можно классифицировать, как аппаратуру гражданского назначения (коммерческую аппаратуру широкого применения), военную и аппаратуру специального назначения. Также активно употребляется термин "аппаратура двойного назначения" - аппаратура, которая используется в гражданских целях, но обладает характеристиками, позволяющими применять ее в составе военной или космической техники.

Наиболее многочисленной группой является аппаратура двойного и специального назначения ввиду обширной области применения и узкой направленности решаемых задач. К указанной группе относятся системы управления атомными реакторами, аппаратура наземной и морской военной техники, системы и комплексы связи, навигации, радиолокации, бортовая аппаратуры авиационной, ракетной и космической техники [1].

Активно проводимая модернизация существующих образцов и создание новой аппаратуры требуют разработки микроэлектронных устройств (МЭУ), прежде всего СБИС, пригодных для использования в ее составе. К подобным МЭУ, предназначенным для работы в тяжелых условиях эксплуатации, предъявляются жесткие требования по надежности, температурному диапазону и стойкости к воздействию внешних факторов [2].

Указанные микроэлектронные устройства различны по своему назначению, функциональности, электрическим параметрам, при этом в большинстве своем они являются мелкосерийными изделиями (годовая потребность в отдельных СБИС может исчисляться десятками или даже единицами штук). Эти факторы оказывают

влияние на сложность и длительность разработки, что определяет высокую конечную стоимость таких СБИС.

В литературе [5] принято подразделять интегральные схемы по признаку ориентации на массовое потребление или на конкретный заказ, на стандартные и специализированные. В свою очередь, специализированные СБИС, то есть схемы, разрабатываемые для удовлетворения требований конкретного заказчика (разработчика аппаратуры), классифицируют на заказные и полузаказные. Очевидно, что разработка МЭУ для аппаратуры специального назначения требует разработки именно специализированных СБИС.

Интегральные схемы, применяемые в аппаратуре специального назначения, можно разделить по диапазону рабочих напряжений на 2 категории: низковольтные и высоковольтные. Напряжения, с которыми взаимодействуют низковольтные микросхемы ограничено 5В, для высоковольтных схем - 100В (напряжение питания бортовых батарей). Высоковольтные схемы разрабатываются с использованием специализированных полупроводниковых приборов (для увеличения уровня предельных напряжений).

1.2. Анализ типов высоковольтных микросхем

Для понимания области применения высоковольтных микросхем необходимо выделить их типы. Проведенный анализ позволяет выделить следующие категории высоковольтных микросхем по их функциональному назначению:

- Схемы обработки высоковольтных сигналов. В аппаратуре используется множество аналоговых сигналов, чей диапазон не удовлетворяет требованиям по предельным значениям для низковольтных микросхем. Чтобы обработать такие сигналы для их интеграции в цифровые системы обработки информации, в аппаратуре применяют компараторы, операционные усилители, мультиплексоры и демультиплексоры. Архитектурно такие микросхемы схожи с низковольтными версиями, но существуют некоторые технологические ограничения (предельное напряжение затвор-исток в высоковольтных транзисторах для большинства

технологических процессов ограничено значением 5 В), вынуждающие модифицировать архитектуру таких схем.

- Схемы управления питанием. В аппаратуре в качестве источника энергии используются высоковольтные батареи с выходным напряжением 12-100 В. Для использования низковольтных схем в системе, необходимо сформировать напряжение питания, с которым такие микросхемы могут работать (1 -5 В). Эту функцию выполняют преобразователи напряжения различных архитектур, в которых применяются высоковольтные микросхемы линейных регуляторов и контроллеров импульсных преобразователей напряжения.

- Схемы драйверов внешних силовых ключей. Применяются во всех случаях, где необходимо управлять ключами, коммутирующими большие токи или напряжения. Используются в шаговых двигателях, коммутаторах, а также в составе преобразователей напряжения.

- Комбинированные высоковольтные схемы. В таких схемах объединяются функции вышеперечисленных типов схем. Является общей тенденцией по созданию систем на кристалле высокой степени интеграции. В качестве примеров можно выделить интеллектуальные силовые ключи, драйвера внешних интеллектуальных силовых ключей, тракты обработки и преобразования высоковольтных аналоговых сигналов и т.д.

Анализ конструкции высоковольтных схем показывает, что общей тенденцией является применение входных/выходных блоков с использованием высоковольтных транзисторов. Управление высоковольтными блоками осуществляется низковольтными блоками, т.к. они требуют меньше энергии для своей работы и занимают меньшую площадь на кристалле. Интерфейсом между низковольтными и высоковольтными блоками выступают различного вида трансляторы.

Анализ особенностей конструкции высоковольтных КМОП-транзисторов показал, что их основное отличие от низковольтных заключается в формировании дополнительной технологической области стока/истока с целью уменьшения напряженности поля в ней и использование более толстого подзатворного

диэлектрика. Именно это обеспечивает бОльшее пробивное напряжение. В качестве таких технологических структур могут быть использованы области легирования с пониженной концентрацией носителей, элементы диэлектрической изоляции, а также их комбинации. Высоковольтные транзисторы могут быть как симметричные (высоковольтные пробивные напряжения затвор-исток, сток-затвор и сток-исток), так и, наиболее распространенные в современных технологических процессах -асимметричные (высоковольтные пробивные напряжения сток-затвор и сток-исток). Ассиметричная конструкция высоковольтных транзисторов обеспечивает увеличение крутизны ВАХ транзисторов, уменьшение порогового напряжения и занимаемой площади на кристалле по сравнению с симметричной. Низковольтное же пробивное напряжение затвор-исток не является существенной проблемой при разработке схем, так как для большинства типов высоковольтных схем высоковольтное напряжение подается именно между стоком и истоком транзисторов.

В высоковольтных микросхемах, как правило, используются и низковольтные и высоковольтные транзисторы. Низковольтные транзисторы занимают значительно меньшую площадь на чипе и используются в цепи управления и обработки низковольтного сигнала, а также в цифровых интерфейсах ввода/вывода. Высоковольтные транзисторы используются в качестве силовых ключей в составе и некоторых блоков для обеспечения работы схемы управления (формирование устойчивого внутреннего напряжения питания для схемы управления низким напряжением, датчиков, схемы накачки в преобразователях напряжения и т. д.). Понимание последствий радиационного воздействия на поведение различных транзисторов в цепочке обработки сигналов имеет большое значение, чтобы локализовать проблему и избежать ее путем внесения изменений в конструкцию микросхемы.

1.3 Исследование механизмов воздействия накопленной дозы радиации на характеристики транзисторов

Для понимания природы эффектов, которые накопленная доза радиации оказывает на микросхемы, необходимо понимать эффекты, происходящие в КМОП-транзисторах, из которых строятся микросхемы.

Исследования радиационной стойкости МДП- транзисторов показали, что данные приборы весьма чувствительны к воздействию радиации. Определено, что деградация параметров МДП- приборов обусловлена не объемными эффектами, а эффектами, происходящими в диэлектрике и на границе раздела диэлектрик -полупроводник. Поэтому при облучении МДП- приборов деградация параметров происходит главным образом из-за эффекта ионизации, при этом преобладающее влияние оказывает сильно ионизирующие излучения: у - излучение, электронное, протонное и рентгеновское.

В качестве диэлектрика под затвором используется как правило $>Юг, т.к. это естественный окисел на кремнии. Такие приборы называются также МОП-транзисторами, основным фрагментом которых является МОП-структура.

Рисунок 1.1. Фрагмент активной области МОП-транзистора

Из многочисленных исследований следует, что при воздействии ионизирующей радиации на МОП-структуру возникают два неисчезающих после снятия облучения эффекта: накопление пространственного положительного заряда внутри слоя диэлектрика и увеличение плотности быстрых поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик, что приводит к

увеличению скорости поверхностной рекомбинации, росту рассеяния носителей

13

заряда на поверхности и изменению заряда границы раздела. Эти эффекты приводят к изменению вольтамперных и вольтфарадных характеристик МДП-приборов. [7,8] В настоящее время существует несколько моделей образования пространственного заряда в диэлектрике. Наиболее последовательной и разработанной качественной моделью является модель Митчелла, позволяющая связать величину сдвига порогового напряжения с дозой воздействующего ионизирующего излучения и приложенным смещением. Основное допущение модели состоит в том, что заряд, обусловленный поверхностными состояниями при облучении на границе раздела £702 - £7 существенно меньше, чем в объеме диэлектрика. Таким образом, есть потенциальная возможность захвата положительного заряда в £702 в результате воздействия ионизирующими видами радиации. Однако наряду с генерацией электронов и дырок есть обратный процесс -аннигиляции (их рекомбинации). Поэтому захват положительного заряда на неподвижные ловушки гораздо активнее происходит в условиях, когда свободные электроны сразу удаляются из зоны генерации электрическим полем. Дырки же остаются, т.к. их подвижность в £702 меньше, чем электронов. При этом, в зависимости от полярности приложенного к затвору напряжения и его величины, изменение встроенного заряда в диоксиде кремния происходит по-разному. Для простоты будем считать, что изначально никакого встроенного заряда в £702 нет. Если теперь приложить к затвору относительно подложки положительное смещение (Кзатв>Кпорог), то распределение зарядов и электрического поля в структуре будет иметь вид, изображенный качественно на рис.1.2. В процессе облучения в диэлектрике создаются электронно-дырочные пары. При этом вследствие значительной разности подвижностей электронов и дырок в £702 (ця ~ 20см2/(В с), а [р ~ 10-8см2/(В с)) и внешнего электрического поля возникает разделение зарядов. Относительно "неподвижные" дырки захватываются глубокими дырочными ловушками, обусловленными структурными нарушениями в £702, а электроны дрейфуют в сторону положительного потенциала. Через какой-то момент времени картина распределения зарядов и поля изменится. Где-то вблизи границы

диэлектрик-полупроводник будет накапливаться положительный встроенный заряд. При этом будет происходить экранирование заряда электрода затвора. При продолжении облучения можем дойти до такой ситуации, когда заряд на металлическом электроде станет равным нулю. Соответствующее распределение заряда и поля в структуре показано на рисунке ниже.

Рисунок 1.2. Эпюры плотности объемного заряда (а) и электрического поля (б)

металл

а)

Рисунок 1.3. Эпюры плотности объемного заряда (а) и электрического поля (б) после длительного облучения МОП-структуры

Поле в диэлектрике присутствует только вблизи границы раздела £7-5702, в остальной части £702 поля нет. Следовательно, новые электронно-дырочные пары будут в основном рекомбинировать и встраивание положительного заряда в первом приближении прекратится. На самом деле небольшое встраивание еще будет идти, но практически им можно пренебречь. Если мы, продолжая облучать, приложим больший потенциал к затвору, то процесс встраивания возобновится и остановится на более высоком уровне встроенного заряда. Таким образом, чем меньше положительный потенциал на затворе в процессе облучения, тем меньше встроенный

заряд. Если бы в процессе облучения в диэлектрике не было поля, встраивание заряда происходило бы незначительно из-за контактной разности потенциалов. Следовательно, можно сделать вывод, что радиационные эффекты в МДП-структурах зависят от режима работы прибора. Если бы приложили к затвору отрицательный потенциал, тогда при облучении встраивание заряда шло бы вблизи металла. Следует, однако, иметь в виду, что состояния, где захватываются дырки, в основном находятся вблизи границы раздела £/-£/02, здесь наиболее неравновесная часть системы из-за нарушения стехиометрии. Кроме того, окисление кремния идет при повышенной температуре (порядка 1100ОС). Из-за разности коэффициентов теплового расширения при охлаждении структуры до комнатной температуры на границе раздела возникают механические напряжения, которые способствуют при облучении разрыву связей между 0 и £/, т.е. здесь больше шансов появиться трехвалентному £/. Таким образом, потенциальные ловушки для дырок в основном находятся вблизи границы £/-£/02. Следовательно, когда дырки дрейфуют в сторону металлического затвора встраивание заряда будет происходить менее эффективно. Если встроенный заряд концентрируется вдалеке от кремния, то его влияние на поверхностные свойства £/ существенно меньше, чем в предыдущем случае.

Вернемся к МДП-транзистору. Из сказанного следует, что основной параметр - пороговое напряжение - наиболее чувствителен к облучению. Если считать, как это принято в модели Митчелла, что основные изменения Кпор. связаны с введением положительного заряда в объеме £/02, то при облучении может возникнуть проводящий канал уже в отсутствии смещения на затворе, т.е. транзистор превратится в прибор с встроенным каналом. Теперь на затвор надо подать отрицательное смещение, чтобы канал ликвидировать. Пороговое напряжение за счет введения положительного заряда в £/02 всегда сдвигается в сторону отрицательных смещений, чтобы компенсировать изменения, связанные с появлением встроенного положительного заряда в окисле. Изменение порогового напряжения полностью меняет условие работы прибора в схеме. Достаточно общей количественной теории изменения порогового напряжения с облучением нет, т.к.

необходимо учитывать слишком много неконтролируемых параметров. Ясно, однако, что закономерности этого изменения зависят от знака потенциала на затворе при облучении. Очевидно также, что при длительном воздействии радиации должно происходить насыщение изменения порогового напряжения. Оценим максимальные изменения порогового напряжения.

Рисунок 1.4 Зависимость изменения порогового напряжения от дозы облучения при различных значения напряжения на затворе

Сдвиг порогового напряжения может быть связан не только с зарядом в окисле, но также и с зарядом поверхностных состояний. Как показано в зарубежных и отечественных исследованиях, в МОП-структурах при воздействии облучения может возникнуть не только положительный заряд, но и отрицательный. Причем знак наведенного радиацией заряда зависит от способа выращивания пленки £702, от места локализации радиационных повреждений в МДП- структуре и от типа подложки.

Известно, что при облучении в кремнии п-типа проводимости на границе раздела появляются дефекты акцепторного типа, а в кремнии р-типа проводимости -дефекты донорного типа. Таким образом, при облучении структур с подложкой п-типа в приповерхностном слое кремния образуется отрицательный заряд, а с подложкой р-типа - положительный. Знак суммарного наведенного заряда и его

величина для облученной структуры, созданной на кремнии р-типа определяется суммой, а для структуры на кремнии я-типа - разностью зарядов в окисле и на подложке. Это положение подтверждается экспериментальными результатами. При облучении МОП-структур с термически выращенным окислом на подложке из кремния я-типа было обнаружено, что с увеличением дозы у -облучения сначала происходит накопление отрицательного заряда, а затем положительного. Это объясняется тем, что скорость образования отрицательного заряда в приповерхностном слое кремния я-типа больше скорости образования положительного заряда в пленке £702. При дальнейшем увеличении дозы облучения заряд на границе раздела уже насыщается, а положительный заряд в £702 продолжает возрастать. На рисунке ниже приведены вольтфарадные характеристики (ВФХ) структур с термическим окислом, выращенным на подложках разного типа проводимости до и после облучения в реакторе.

с/с«,.

В) Ь)

Рисунок 1.5 Вольтфарадные характеристики структур Si-SiO2, облученных в реакторе: а)-подложка п-типа, Ь) - подложка р-типа

Видно, что на подложке я-типа образуется отрицательный заряд, а на. подложке р-типа - положительный. Плотность поверхностных состояний при этом растет. При Я > ^¡02 облучение приводит к интенсивному образованию дефектов в приповерхностном слое кремния. Знак наведенного заряда в этом случае (для подложки я-типа) может быть как положительный, так и отрицательный. Количество

радиационных дефектов в приповерхностном слое и скорость их образования значительно превышает соответствующие величины для остального объема кремния. Уже при небольших дозах облучения, когда не наблюдается изменения объемных свойств кремния, на поверхности образуется значительное количество дефектов. [11]

Знак и величина заряда на границе раздела зависят также от способа выращивания окисла. Проведенные исследования показывают, что в термически выращенных окислах на кремнии я-типа при воздействии ионизирующим облучением появляется отрицательный заряд, а при пиролитическом осаждении £702 - положительный, о чем свидетельствует сдвиг вольтфарадных характеристик.

С/С», СУС«,

а) Ь)

Рисунок 1.6 Влияние ионизирующего излучения на знак заряда на границе раздела SiO2 и Si п-тиш: а) - термический окисел, Ь) - пиролитический окисел

Из приведенной модели следует, что при облучении МОП-структур появление отрицательного заряда возможно лишь тогда, когда используется подложка я-типа. При облучении приборов с подложкой р-типа будет наводиться только положительный заряд.

Поэтому при создании радиационно-стойких МДП -транзисторов следует учитывать, что применяемые методы повышения радиационной стойкости транзисторов с р-каналом могут оказаться неэффективными для транзисторов с я-каналом, и наоборот.

При облучении МДП-приборов различными дозами ионизирующего излучения наблюдается также искажение ВФХ, т.е. расширение области напряжений, при которых происходит изменение емкости. Искажение ВФХ (или изменение их наклона) не зависит от величины смещения и связано с увеличением при воздействии радиации быстрых поверхностных состояний вблизи границы раздела диэлектрик-полупроводник. По мере увеличения дозы облучения как сдвиг ВФХ, так и изменение их наклона стремится к пределу.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Нагорнов Алексей Юрьевич, 2022 год

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И. Белоус, В.А. Солодуха, С.В. Шведов. Космическая электроника. - Москва: Техносфера, 2015. - 514 с.

2. Баканов Г.Ф., Соколов С.С., Суходольский В.Ю. Основы конструирования и технологии радиоэлектронных средств: учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений / под ред. И.Г. Мироненко. - М.: Издательский центр «Академия», 2007. -368 с.

3. Грушвицкий Р. И., Мурсаев А. X., Угрюмов Е. П. Проектирование систем на микросхемах программируемой логики. — СПб.: БХВ -Петербург, 2002. — 608 с.: ил.

4. Стешенко В. Проектирование СБИС. Стили и этапы проекта. // Компоненты и технологии. - 2003. - № 4. - С. 2-5.

5. В. Зубавичус Применение импортных ЭРИ в современной специальной аппаратуре. // Современная электроника - 2006. - № 4. - С. 18.

6. ГОСТ 26883-86 Внешние воздействующие факторы. Термины и определения.

7. РМГ 78-2005 ГСИ Излучения ионизирующие и их измерения. Термины и определения, 2005. - 63 с.

8. Виноградов Ю.А. Ионизирующая радиация: обнаружение, контроль, защита. - М.: СОЛОН-Р, 2002.- 224 с.

9. Ярилов П.А. Обеспечение радиационной стойкости изделий электронной техники. Сборник тезисов докладов XLIV Международной молодёжной научной конференции. 2018 г. - с. 150-151.

10. Марчук В.А., Твердохлебова Е.М., Яковлев М.В. Радиационные и электрофизические эффекты в бортовой аппаратуре космических аппаратов. Космонавтика и ракетостроение. 2021. № 1 (118). С. 131-140.

11. Радиационно-стойкие интегральные схемы. Надежность в космосе и на земле, Журнал «Электроника: Наука, Технология, Бизнес» №5 2007 г. - с. 72-77.

12. Насеткин К.А., Муравьев М.С., Алимирзоев Г.М., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А. Моделирование характеристик субмикронных структур "кремний на изоляторе" с учетом радиационных эффектов. Научно-технический вестник Поволжья. 2019. № 7. С. 127-130.

13. Деревянко Ю.Б., Деревянко Д.Ю., Романенко А.А. Учет эффекта низкой интенсивности излучения при определении радиационной стойкости некоторых кмоп ис. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 3. С. 5-10.

14. Пострадиационный эффект в ИС./ В. Попов, Журнал «Электроника: Наука, Технология, Бизнес» №4 2002 г. - с. 36-39.

15. Гамзатов Н.Г., Руднев Г.П., Литвицкий К.В. К вопросу об оптимизации обеспечения радиационной стойкости космической аппаратуры по ионизационным дозовым эффектам. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 3. С. 51-54.

16. Ватуев А.С., Емельянов В.В., Зольников В.К., Кулай А.Ю., Максименко Т.А., Яковлев С.А. Одиночные радиационные эффекты в диодах шоттки при воздействии тяжелых заряженных частиц. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2018. № 1. С. 17-23.

17. Панюшкин Н.Н. Прогнозирование дозовых эффектов в кмоп интегральных схемах с целью определения показателей радиационной стойкости. Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2017. № 4. С. 15-19.

18. Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники: Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2008. — 288 с.

19. Асеев А.Л., Попов В.А., Володин В.П., Марютин В.Н. Перспективы применения структур кремний-на-изоляторе в микро-, наноэлектронике и микросистемной технике // Нано- и микросистемная техника. От исследований к разработкам / Сборник статей под ред. П.П. Мальцева. - М.: Техносфера, 2005. - С. 305-314.

20. У. Шумахер. Полупроводниковая электроника: Техническая информация, технологии и характеристики. - Изд-во Infineon - 2004 г. - 588 с.

21. Бакеренков А.С., Морунов В.А., Новиков С.А., Пузиков А.Д. Схемотехнический метод оценки и повышения радиационной стойкости бортовой радиоэлектронной аппаратуры космического назначения. Хроники объединенного фонда электронных ресурсов Наука и образование. 2013. № 4 (47). С. 76.

22. R. Piz, A. Johnston, J. Azarevich // Radiation tests of semiconductor devices for space electronics. - TIIER. - №11, 2015 - pp. 126-145.

23. Попо Р.А. Методы обеспечения гарантированной надежности и радиационной стойкости микросхем. Актуальные проблемы и перспективы развития радиотехнических и инфокоммуникационных систем. сборник научных трудов III Международной научно-практической конференции. Московский технологический университет (МИРЭА). 2017. С. 239-244.

24. Хамидуллина Н.М. Методы проектного расчета радиационных условий полета космических аппаратов и радиационной стойкости бортовой аппаратуры. ПРОЕКТИРОВАНИЕ АВТОМАТИЧЕСКИХ КОСМИЧЕСКИХ АППАРАТОВ ДЛЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ НАУЧНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Москва, 2014. С. 948-961.

25. Claeys, C. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices / C. Claeys, E. Simoen. - Berlin: Springer, 2002. - 402 p.

26. Э.Н. Вологдин, А.П. Лысенко. Радиационные эффекты в некоторых классах полупроводниковых приборов // Москва. - 2001 - c. 29.

27. Интернет-ресурс: http://www.triadsemi.com/services/rad-hard-vcas/

28. Воробьев А.Д., Трудновская Е.А., Васюнин Д.А., Качина Е.М., Лагун А.М., Лукьянова Е.В. Аналого-цифровой базовый матричный кристалл АЦМ2 // Современные наукоемкие технологии., № 3 -2005., С 56-57.

29. Воробьев А.Д. Реализация радиоэлектронной аппаратуры на основе аналого-цифровых базовых матричных кристаллов // Успехи современного естествознания. -2005. - № 1 - С. 89-90.

30. Интернет-ресурс: http://www. angstrem.ru/products/Integrated-schemes-bmk/Analog-digital-basic-matrix-crystals/5515XT 1U.html

31. С. Аленин, В. Иванов, В. Полевиков, Е. Трудновская Реализация специализированных аналогово-цифровых устройств на основе БиКМОП БМК типа Н5515ХТ1. // Chip News. 2000, - №2.

32. Полевиков В.В., Шагурин И.И., Шиллер В.А. БМК «Рапира»: особенности конструкции и характеристики библиотеки функциональных элементов // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. М., 1998. № 2. С. 57-65.

33. Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Влияние параметров измерительного сигнала на погрешность измерений емкости р-п-перехода и определения его радиационной стойкости. Микроэлектроника. 2017. Т. 46. № 6. С. 472-480.

34. Интернет-ресурс: http://okb-nzpp.chat.ru/i300.htm

35. Greig, Thomas; Stefanov, Konstantin; Holland, Andrew; Clarke, Andrew; Burt, David, and Gow, Jason (2013). Total ionizing dose effects on I-V and noise characteristics of MOS transistors in a 0.18 m CMOS Image Sensor process. In: 2013 14th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS). 2013 - pp. 156-158.

36. US5691664 - Programmable analog array and method for establishing a feedback loop therein.

37. US7969186 - Apparatus and method for forming a mixed signal circuit with fully customizable analog cells and programmable interconnect.

38. E. G. Stassinopoulos, G. J. Brucker, O. Van Gunten, A. R. Knudsen, and T. M. Jordan, "Radiation effects on MOS devices: Dosimetry, annealing, irradiation sequence and sources," IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. NS-30, p. 1880, 1983.

39. Zhiyuan Hu, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 58, 2011, pp. 1332-1337.

40. Кагирина К.А., Марфин В.А. Расширение аппаратно-программного комплекса для исследования радиационной стойкости сложно-функциональных сбис прибором реконфигурируемого ввода/вывода. XVIII международная телекоммуникационная конференция молодых ученых и студентов "молодежь и наука". Тезисы докладов. Ответственный редактор О.Н. Голотюк. 2015. С. 104-105.

109

41 G.C. Messenger, Milton Ash, Single Event Phenomena, Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 1461560438, p. 12-13

42. Armstrong S.E. Single-event characterization and mitigation in high-speed CMOS communications devices. Chapter VII. Radiation-hardened-by-design techniques. -Dissertation, submitted to the Faculty of the Graduate School of Vanderbilt University in partial fulfillment of the requirement for the degree of DOCTOR OF PHILOSOPHY in Electrical Engineering. Dec. 2011, Nashville, Tennessee.

43. Normand, Eugene; Dominik, Laura (20-23 July 2010). Cross Comparison Guide for Results of Neutron SEE Testing of Microelectronics Applicable to Avionics. 2010 IEEE Radiation Effects Data Workshop

44. V. Goiffon et al., "Toward Multi-MGy / Grad Radiation Hardened CMOS Image Sensors for Nuclear Applications," in Proc. IISW, 2015.

45. A. Nagornov, V. Guschin, R. Mikheev. Radiation Hard Increasing Methods for SOI HV CMOS. IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus-2019)

46. Калашников О.А., Артамонов А.С., Бобровский Д.В., Бойченко Д.В., Кессаринский Л.Н., Некрасов П.В., Уланова А.В. Статистический разброс показателей радиационной стойкости интегральных схем иностранного производства. Спецтехника и связь. 2011. № 4-5. С. 45-47.

47. Мишин Г. Универсальные аналоговые программируемые ИС: выбор элементарных функциональных узлов // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес 4/2004

48. R. Fossum and D. B. Hondongwa, "A Review of thePinned Photodiode for CCD and CMOS Image Sensors," IEEE J Electron Devices Soc, 2014.

49. A Continuous-Time Laser Programmable Analog Array for Radiation Environments Anthony L. Wilson ATK Mission Research

50. ГОСТ 25467-82 Изделия электронной техники. Классификация по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам.

51. M. Pons, F. Moll, A. Rubio, J. Abella, X. Vera, and A. Gonzalez, "VCTA: A Via-Configurable Transistor Array Regular Fabric," 18th IEEE/IFIP International Conference on VLSI and System-on-Chip, VLSI-SoC, pp. 541-547, 2010.

52. Marc Pons, Francesc Moll, Antonio Rubio, Jaume Abella, Xavier Vera and Antonio González. Design of Complex Circuits Using the Via-Configurable Transistor Array Regular Layout Fabric. In 24th IEEE International SoC Conference , Poster Session, pp. 14, Taipei (Taiwan), Sep 2011.

53. T.R. Oldham and F.B. McLean // Total Ionizing Dose Effects in MOS Oxides and Devices, IEEE. 50, 3, p.483 - 499 (2003).

54. Сотсков Д.И., Назарова Г.Н., Усачев Н.А., Чуков Г.В., Елесин В.В., Телец В.А. Показатели радиационной стойкости ис-генераторов, управляемых напряжением свч-диапазона. Научная сессия НИЯУ МИФИ-2015. Аннотации докладов: в 3-х томах. Ответственный редактор О.Н. Голотюк. 2015. С. 89a.

55. Gerardin, S., Nuclear Science, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vo1.60, 2013, pp. 1953 - 1969.

56. Полевиков В.В. Методы и средства проектирования аналого-цифровых базовых матричных кристаллов и микроэлектронных устройств на их основе: диссер. к. т. н. : 05.13.05 Москва, 2003, 160 c. : 61 04-5/155-3.

57. Жигальский А.А. Проектирование и конструирование микросхем: Учебное пособие. - Томск: ТУСУР, 2007. - 195 с.

58. Yajun Ran, Malgorzata Marek-Sadowska: An integrated design flow for a via-configurable gate array. ICCAD 2004: 582-589 p.

59. Gaillardin, M.; Goiffon, V.; Girard, S.; Martinez, M.; Magnan, P.; Paillet, P., "Enhanced Radiation-Induced Narrow Channel Effects in Commercial 0.18^m Bulk Technology," Nuclear Science, IEEE Transactions on , vol.58, no.6, pp.2807,2815, Dec. 2011.

Electronics Specialists Conference, 2007. PESC 2007. IEEE. - 17-21 June 2007. - P. 1491 - 1495.

62. Kishore Penmetsa, Kenneth V. Noren, Herbert L. Hess, Kevin V. Buck . "High Voltage Operational Amplifiers in SOI Technology", 12th NASA Symposium on VLSI Design, Coeur d'Alene, Idaho, USA, Oct. 4 - 5, 2005.

63. S. Mandegaran, A. Hajimiri "A Breakdown Voltage Multiplier for High Voltage Swing Drivers", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 42, No 2, February 2007, P 302 - 312.

64. E. Mentze, H. Hess, K.M. Buck, and T. Windley, A Scalable High-Voltage Output Drive for Low-Voltage CMOS Technologies, IEEE Trans. VLSI Systems, vol.14, no.12, pp. 1347-1353, Dec 2006.

65. V. Sukumar, S. Subramanium, P. Don, K. Buck, H. Hess, Harry W. Li, D. Cox. "High voltage bandgap reference design using SO1 Technology". 2004 - 51-56 p.

66. An integrated high-voltage buck converter realized with a low-voltage CMOS process / Bradburn, S.R.; Hess, H.L. Circuits and Systems (MWSCAS), 2010 53rd IEEE International Midwest Symposium on 1-4 Aug. 2010, P 1021 - 1024

67. High-voltage switching circuit for nanometer scale CMOS technologies / Jennifer E., Herbert L. Hess, Erik J. Mentze, Kevin M. Buck, and Margaret E. Richardson. 2017. - P. 149 - 152.

68. Кириллова Е. Методология проектирования прецизионных аналоговых блоков. Компоненты и технологии, №11, 2006 - c. 32-36.

69. R. Baumann, " Single-Event Effects in Advanced CMOS Technology", ," IEEE Short Course presented at the 2005 NSREC Conference, Seattle, WA, July 11-15, 2005.

70. В.И. Эннс, Ю.М. Кобзев. Проектирование аналоговых КМОП-микросхем. Краткий справочник разработчика. Горячая линия - Телеком, М.: - 2005 г., 454 с.

71. Cхемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. 3-е изд. стер. / Волович Г. И. — М. : Додэка-XXI, 2011. — 528 с. : ил.

72. Микроэлектронные устройства для обработки непрерывной информации / P.P. Бабаян; Ин-т проблем управления им. В.А. Трапезникова. - М.: Наука, 2003. - 207 с.

73. Панюшкин Н.Н. Моделирование показателей радиационной стойкости кремниевых интегральных схем. автореферат дис. доктора технических наук / Воронеж. гос. техн. ун-т. Воронеж, 2016

74. A. Shar. Design of a high-speed CMOS comparator. //Master Thesis in Electronics System at Linkoping Institute of Technology, 30 p., 2007.

75. ANALOG INTEGRATED CIRCUIT DESIGN DAVID JOHNS and KEN MARTIN , Univ. of Toronto, ISBN: 0-471-14448-7, 706 p., 1997

76. Ahmad Shar Design of a high-speed CMOS comparator. Master Thesis in Electronics System at Linkoping Institute of Technology 30 p., 2007

77. Иванов А.О., Кохановский А.Г., Кремез Г.В., Лачугин В.П. Экспериментальные исследования радиационной стойкости элементной базы бортовой аппаратуры космических аппаратов. Труды Военно-космической академии имени А.Ф.Можайского. 2013. № 641. С. 12-18.

78. Ю.М.Кобзев, Д.П,Фролов, А.В.Эннс, В.И.Эннс, С.А.Осокин Радиационно-стойкий аналого-цифровой КНС БМК К1451БК1У: состав и возможности проектирования // Труды ФГУП "НПЦ АП" Системы и приборы управления, 2010. №4. С. 17- 23.

79. Кобзев Ю.М., Фролов Д.П., Эннс В.И., Осокин С.А. Проектирование схем на базе КМОП КНИ/КНС технологии для обработки аналоговых сигналов с напряжением, превышающим номинальное напряжение питания // Труды ФГУП "НПЦ АП" Системы и приборы управления, 2012, №3. С. 10- 20.

80. A.-J. Annema, G. Geelen, and P. de Jong, 5.5 V I/O in a 2.5 V in a 0.25 um CMOS technology, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36, no. 3, pp. 528 - 538, Mar. 2001.

81. B. Serneels, T. Piessens, M. Steyaert, W. Dehaene, A high-voltage output driver in a 2.5-V 0.25um CMOS technology, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 40, no. 3, pp. 576 - 583, Mar. 2005.

82. Интернет-ресурс: http://dcsoyuz.com/index.php/bazovye-matrichnye-kristally

83. Peter S. Winokur, "Total-Dose Radiation Effects (From the Perspective of the Experimentalist)', IEEE NSREC Short Course, Measurement and Analysis of radiation effects on MOSFET thin and ultra-thin gate oxides; pp. 473-476.

84. Нагорнов А.Ю. Разработка и исследование микросхемы контроллера понижающего импульсного преобразователя напряжения. // Международная конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника». Сборник трудов. с. 16.

85. Нагорнов А.Ю. Исследование и разработка микросхемы контроллера синхронного понижающего импульсного преобразователя напряжения. // 24-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2017». Сборник тезисов докладов. с. 184.

86. A. Nagornov, V. Timoshenkov. Dependense of HV MOS Transistor I-V characteristics from Total Ionizing Dose Effects. // 2018 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

87. Нагорнов А.Ю., Тимошенков В.П. Сравнительный анализ стойкости высоковольтных МОП- транзисторов к накопленной радиации. // Международная научно-практическая конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника»

88. Нагорнов А.Ю. Разработка и исследование схемы драйвера силового ключа с повышенным уровнем надежности. // 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2018». Сборник тезисов докладов.

89. A. Nagornov, V. Guschin, R. Mikheev. Radiation Hard Increasing Methods for SOI HV CMOS // 2019 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

90. Нагорнов А.Ю., Гущин В.О. Сравнительный анализ механизмов потери энергии и степени их влияния на эффективность импульсных преобразователей

напряжения // 26-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2019». Сборник тезисов докладов.

91. Нагорнов А.Ю., Тимошенков В.П. Исследование приемов повышения эффективности драйверов силовых ключей // Международная научно-практическая конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника»

92. A. Nagornov, R. Mikheev. Circuitry Methods for Increasing the Pulse-Voltage Converter's Radiation Resistance by Accelerating Relaxation Effects // 2020 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering

93. Нагорнов А.Ю., Тимошенков В.П. Повышение радиационной стойкости преобразователей напряжения с помощью адаптивного изменения времени включения силовых ключей. // 7-я научно-практическая конференция "Инновационные подходы к решению технико-экономических проблем - 2020". Сборник трудов

Приложение 1. Акт о внедрении результатов диссертационной работы

об использовании результатов, днссергацвоквой работы Нш припм А. 10. «Иослсдоннпе и ра1работ*а методики повышения стойкости високовопывих К МОП микросхем к накопленной дозе ралианннн

Настоящим актом подтверждается. чтч метали повышении стойкости йысои<1и^тьтны\ КМОП микросхем к накопленной дом радиации, получении нрн выполнении кандидатский днееерпацнн Пагорпова Л.Ю. «Исследование к разработки методики повышения стойкости высоновольттШХ КМОП микросхем к накопленной доек ради ¡щи и >), исиолькимни н АО Дкчий ы центр «СОЮЗ» при разработке СсриЙКГО выпускаемых микросхем 1393ЬУ0]4 и 5400ТРО&5.

УТПКГЖДЛЮ у^мЫЙ директор

ыЫггр *СиЮЗ» Г/ 20Цг.

ЛК!

Заместитель генерала кою директора по науке