Исследование и разработка интегральной технологии формирования планарных эмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Nb-Co-N-(O) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, кандидат наук Ерицян Георгий Спартакович

• Ерицян Георгий Спартакович
• кандидат наук
• 2023

Оглавление диссертации кандидат наук Ерицян Георгий Спартакович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Обзор литературы

1.1. Структура, свойства и области применения УНТ

1.2. Способы получения углеродных нанотрубок

1.2.1. Метод лазерной абляции

1.2.2. Электродуговой метод

1.2.3. Метод химического осаждения из газовой фазы

1.3. Способы создания катализаторов

1.4. Применение УНТ для создания полупроводниковых приборов

1.5. Выводы и постановка задач

ГЛАВА 2. Методика изготовления образцов и проведения исследований

2.1. Методика формирования каталитических пленок

2.2. Методика изготовления образцов на основе катализатора

2.3. Формирование массивов УНТ в полученных структурах

2.4. Методика анализа геометрических параметров и состава

2.5. Методика изготовления образцов для изучения состава и геометрических параметров формируемых пленок, содержащих катализатор

2.6. Методика измерения вольт-амперных характеристик структур

2.7. Методика измерения адгезии УНТ

ГЛАВА 3. Исследование особенностей и закономерностей формирования массивов углеродных нанотрубок на поверхности металлических катализаторов

3.1. Особенности формирования массивов УНТ на сплаве Zr-Co- в зависимости от содержания каталитического металла ^

3.2. Выбор ^-№-N-(0) и оптимизация процесса синтеза УНТ на нем

3.3. Формирование частиц катализатора на поверхности металлической пленки

3.4. Синтез УНТ на наночастицах катализатора

3.5. Создание структур для синтеза массивов УНТ на торце пленки с катализатором

3.6. Исследование адгезии массивов углеродных нанотрубок к поверхности сплава Nb-Co-N-(O)

Выводы по главе

ГЛАВА 4. Разработка и исследование интегральной технология формирования планарных автоэмиссионных диодов

4.1 Разработка технологического маршрута формирования опытного кристалла

4.2 Исследование вольт-амперных характеристик полученной диодной структуры

Выводы по главе

Основные результаты и выводы

Список использованных источников

Приложение 1. Акт об использовании результатов работы

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка интегральной технологии формирования планарных эмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Nb-Co-N-(O)»

Актуальность работы

В современном мире интеллектуальные роботизированные системы используются, практически, во всех отраслях экономики и бурно развиваются. Без их использования невозможно представить современное машиностроение, медицину [1], автоматические космические аппараты [2], беспилотные автомобили и летательные аппараты [3] и другое [4, 5]. Вся работа интеллектуальных роботизированных систем возможна благодаря развитию технологии полупроводниковых интегральных схем (ИС). Известным недостатком полупроводниковой электроники является низкая радиационная стойкость распространенных интегральных схем. Работа полупроводниковой ИС оказываются чувствительной к воздействию высокоэнергетических частиц, что проявляется в возникновении радиационных дефектов и нарушении работы р-п переходов и, как следствие, приводит к выходу из строя ИС [6, 7, 8].

Интегральные автоэмиссионные микроприборы - перспективное направление микроэлектроники, связанное с использованием принципиально новых материалов, которые могут использоваться в качестве низковольтных и высокостабильных автоэлектронных эмиттеров для плоских дисплеев и приборов вакуумной, в том числе СВЧ-микроэлектроники. Привлекательность этих приборов заключается в том, что высокоэнергетические частицы и большой перепад температур не оказывают влияние на работоспособность этих устройств. Относительно малый диаметр углеродных нанотрубок (УНТ) по сравнению с их длиной, приводит к уникальному аспектному отношению, играющему важную роль в эмиссионной электронике. Высокое аспектное соотношение, в сочетании с большой механической прочностью [9] и химической стабильностью [10], делают использование углеродных нанотрубок (УНТ) более привлекательными в качестве эмиссионных катодов электровакуумных устройств по сравнению с другими известными материалами, например, молибденом [11], кремнием [12], алмазом [13], графитом [14]. Однако на сегодняшний день отсутствуют технологии изготовления данных устройств в микронном и интегральном виде, когда в малом объеме сосредоточено множественное количество данных элементов.

В традиционно используемых методах роста углеродных нанотрубок, частицы катализатора образуются на поверхности твердого тела за счет конденсации небольшого количества катализатора. Этот метод трудно включить в интегральную технологию, поскольку слой каталитических частиц может быть неконтролируемо удален при выполнении операции травления. В предыдущих исследованиях уже были получены структуры с УНТ, синтезированными на каталитическом аморфном сплаве [15, 16].

Также была продемонстрирована возможность локального роста углеродных нанотрубок на торцах пленки М-^-^^) [17]. Привлекательность предложенного подхода использования многокомпонентных пленок сплавов позволяет провести операцию травления и затем при термообработке локально сформировать кластеры на поверхности тонкой пленки сплава.

Целью данной диссертационной работы является разработка технологических приемов формирования функциональных слоев планарного микроэлектровакуумного прибора с эмиссионным катодом на основе массива УНТ, полученного методом химического осаждения из газовой фазы на торце тонкой пленки каталитического сплава Co-Nb-N-(O) и разработка на основе этих приемов интегральной технологии формирования эмиссионных устройств.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить следующие задачи:

- исследовать особенности процесса синтеза массива УНТ на пленке сплава Me-Ct-N-(O), где Me - переходный металл, О - каталитический металл в зависимости от содержания О и толщины пленки сплава;

- исследовать процесс синтеза массива из углеродных нанотрубок и разработать режим для их получения на торцах тонких пленок каталитического сплава Co-Nb-N-(O), сформированных методом магнетронного распыления;

- исследовать влияние термического отжига, проводимого в процессе синтеза, на структуру каталитических пленок Co-Nb-N-(O) с низким содержанием каталитического металла - кобальта;

- разработать тестовую конструкцию планарного микроэлектровакуумного диода и технологию его формирования в рамках существующей кремниевой технологии;

- исследовать электрофизические характеристики полученных структур.

Научная новизна заключается в следующем:

1. Выявлены особенности формирования массивов УНТ на пленке сплава Zr-Co-N-(O) в зависимости от содержания каталитического металла Впервые продемонстрировано, что в зависимости от содержания ^ и толщины пленки сплава при химическом осаждении из газовой фазы происходит не только рост обычного массива УНТ, но и формирование массивов МУНТ с верхним покрывающим слоем и двухуровневых массивов МУНТ.

2. Разработан и изучен процесс формирования массивов из УНТ на исходно аморфной металлической пленки каталитического материала Co-Nb-N-(O). Определены параметры и состав каталитических пленок сплава Со-^-^^), наиболее подходящих для синтеза УНТ с целью использования в микроэлектровакуумном приборе. Установлено, что исходная пленка сплава Со-№-

имеет амфорную структуру. В процессе нагрева пленка сплава Со-^-^^) кристаллизуется, выделяются частицы кобальта, на которых имеет место синтез УНТ.

3. Разработан технологический процесс формирования микроэлектровакуумного диода с массивом УНТ, расположенным на торцах пленки сплава Со-^-^^). Создан технологический маршрут, позволяющий успешно встроить данный технологический процесс в существующую кремниевую планарную технологию. Продемонстрирована возможность формирования опытных интегральных микроэлектровакуумных диодов, включающих в себя эмиссионный катод с углеродными нанотрубками и анод.

4. С помощью проведенного комплексного исследования были получены и проанализированы электрофизические измерения созданных опытных образцов. Результаты анализа вольт-амперных характеристик позволили оценить эмиссионные характеристики сформированного планарного интегрального микроэлектровакуумного прибора.

Практическая значимость полученных в работе результатов состоит в

следующем:

1. Разработан и оптимизирован технологических прием формирования массивов УНТ на поверхности тонких пленок каталитических металлов, включающий в себя термическую обработку для создания наночастиц кобальта на поверхности пленки сплава Со-МЪ-^^). Подобран состав сплава Со-МЪ-^^), позволяющий воспроизводимо синтезировать массивы УНТ с необходимой геометрией на его поверхности.

2. Разработаны топология и технологический маршрут формирования опытных образцов микроэлектровакуумного диода. Данный технологический маршрут отлично встраивается в существующую кремниевую планарную технологию.

3. Создан опытный действующий образец планарного интегрального микроэлектровакуумного диода, включающий в себя эмиссионный катод с углеродными нанотрубками на торцах тонкой пленки сплава Со-МЪ-^^) и анод.

Положения, выносимые на защиту

1. В зависимости от состава и толщины пленки сплава Zr-Co-N-(0) массив МУНТ растет либо традиционным образом, либо с верхним покрывающим слоем, либо двунаправленно, образуя два уровня УНТ, разделенных композиционным материалом, состоящим из металла-катализатора (Со) и графитоподобных листов.

2. Исходное состояние тонкой пленки сплава Co-Nb-N-(O) является аморфным. В процессе нагрева пленка сплава кристаллизуется с выделением частиц кобальта на поверхности, на которых далее при газофазном осаждении в среде ацетилена имеет место каталитический рост УНТ. Данный прием роста на пленке сплава Co-Nb-N-(O) позволяет формировать наночастицы кобальта и синтезировать УНТ на торце пленки сплава.

3. Реализован технологический маршрут формирования планарного интегрального микроэлектровакуумного диода, который успешно встраивается в имеющуюся кремниевую интегральную планарную технологию.

4. Полученные планарные микроэлектровакуумные диоды демонстрируют автоэмиссионный механизм зависимости электрического тока от напряжения с

пороговой напряженностью электрического поля E0 = 1.9* 107 В/м, что вполне характерно для углеродных нанотрубок.

Достоверность полученных результатов обеспечена использованием современных исследовательских методов (аттестованных) и оборудования и подтверждена публикацией основных результатов в рецензируемых отечественных и зарубежных научных журналах.

Публикации

Имеется 6 публикаций, в том числе, 1 статья из перечня ВАК, 2 публикации в изданиях, включенных в системы цитирования Scopus и Web of Science, 3 тезиса/доклада в сборниках трудов конференций, в том числе, международных.

Личный вклад

Автор принимал участие постановке целей и задач исследования, в разработке методик. Личный вклад Ерицяна Г.С. является основополагающим на всех стадиях проведения диссертационных исследований и состоял в непосредственном выполнении работ при создании образцов, проведении измерений, в обработке и интерпретации экспериментальных данных и обобщении полученных результатов. Участие коллег соискателя в исследованиях отражено в виде их соавторства в опубликованных работах. Результаты, выносимые на защиту и составляющие научную новизну работы, были получены автором диссертации лично.

Соответствие паспорту научной специальности

Диссертация полностью соответствует паспорту научной специальности 2.2.3. - «Технология и оборудование для производства материалов и приборов электронной техники», в частности областям исследований: разработка и исследование физико-технологических и физико-химических принципов создания новых и совершенствования традиционных материалов и приборов электронной техники, включая полупроводники, диэлектрики, металлы, технологические среды и приборы микроэлектроники и функциональной электроники; физико-химические исследования технологических процессов получения новых и совершенствования существующих материалов электронной техники.

Апробация работы

Результаты диссертационных исследований докладывались и обсуждались на трех международных и всероссийских научно-технических конференциях: Международная конференция ФизикА.СПб, Санкт-Петербург (2021), Fifth Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials - Vladivostok (2020), II Международная конференция молодых ученых, работающих в области углеродных материалов, Троицк (2019).

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав, общих выводов, списка использованных литературных источников. Изложена на 110 страницах, содержит 3 таблицы и 60 рисунков. Список использованной литературы включает 88 источников.

ГЛАВА 1. Обзор литературы 1.1. Структура, свойства и области применения УНТ

Безусловно, термин «нанотехнологии» является одним их важнейших в 21 веке. Он включает в себя целое направление науки и техники, задачей которого является создание перспективных материалов и структур, имеющих принципиально новые свойства. Особым образом среди подобных материалов выделяются углеродные структуры, в частности, углеродные нанотрубки.

На сегодняшний день объемы производства УНТ составляют порядка нескольких тысяч тонн в год. Порошки на основе УНТ добавляют в широкий ряд коммерческих продуктов: аккумуляторные батареи, автомобильные компоненты, товары для спорта, фильтрующие системы для очистки воды. Важно отметить, что благодаря развитию способов контролируемого направленного роста УНТ, а также их очистки и модификации, возникают новые вариации для их применения, в том числе, в таких высокотехнологичных областях, как микроэлектроника. Популярными являются такие способы применения, как создание композитных материалов, пленок и различных покрытий.

Принято считать, что первым исследователем, которому удалость получить углеродные нанотрубки, является доктор Сумио Иидзима [18]. Открытые в 1991 году углеродные структуры были многослойными, то есть являлись концентрическими цилиндрами со схожей графитовой структурой. Слабые межмолекулярные силы позволяют этим цилиндрам удерживаться вместе. Чуть позже, в 1993 году были получены и однослойные нанотрубки, причем независимо друг от друга их создали Сумио Иидзима и научные сотрудники из компании IBM [19].

Как правило, подобные трубки обычно изогнуты, в отличие от многослойных, и имеют довольно малый диаметр (порядка 1 нм). Важно отметить, что первые процессы формирования УНТ были проведены с использованием химического осаждения из газовой фазы (CVD-метода). В настоящее время он остается популярным и широко используется.

Углеродная нанотрубка (УНТ) представляет собой массив атомов углерода, выровненных по спирали, диаметр которой находится в диапазоне скольких нанометров. То есть, по сути, это продолговатые углеродные нанокластеры, имеющие цилиндрическую форму. Они являются аллотропными формами углерода. Размер трубок может варьироваться в диапазоне от 1 нм до нескольких десятков и даже сотен микрометров.

Модель идеальной однослойной нанотрубки представляет собой графитовую плоскость без швов, свернутую в цилиндр. При этом она выложена из правильных шестиугольников, а в их вершинах расположены атомы углерода. С обеих сторон подобная трубка ограничена крышками-полусферами. Важным параметром является хиральность - угол ориентации нанотрубки. [20] От этого зависят электронные свойства трубок. С помощью набора символов п) определяется хиральность. Данные символы указывают координаты шестиугольника, совпадающего с другим шестиугольником в результате сворачивания графитовой плоскости. В качестве примера можно привести модификации, в результате реализации которых не происходит изменения структуры гексагональной сетки. Данные симметричные нанотрубки со структурой типа «кресло» и «зигзаг» называют «идеальными». Термины «кресло» и «зигзаг» описывают тип расположения гексагонов в пределах окружности. На Рисунке 1.1 представлены подобные нанотрубки.

Рисунок 1.1 — Идеализированные модели однослойных нанотрубок. (а) структура

типа «зигзаг» (б) структура типа «кресло»

10

Определяют множество типов нанотрубок: однослойные, многослойные (многостенные) и пр. Многостенные УНТ (МУНТ) идеальной структурой не обладают. Как следствие, они отличаются еще большим разнообразием форм, чем одностенные УНТ, в том числе, в зависимости от способа их формирования. На Рисунке 1.2 показаны некоторые из возможных разновидностей МУНТ.

Рисунок 1.2 — Модели поперечных структур многослойных углеродных нанотрубок. а) «русская матрешка», б) шестигранная призма, в) свиток

Первая из показанных структур называется «русская матрешка». Выглядит как совокупность коаксиально внедренных друг в друга одностенных цилиндрических УНТ. Разновидностью этой структуры может быть другая вариация - «шестигранная призма». Как и в случае с «матрешкой» одностенные структуры вложены друг в друга. Разница лишь в том, что эти трубки представлены в виде коаксиальных призм. Последняя из представленных вариаций является «свитком».

Для вышеприведенных структур характерным является расстояние между соседними слоями, приближенное к величине 0,34 нм, что также является расстоянием между соседними плоскостями кристаллического графита. Исследования МУНТ доказали, что расстояния между соседними графеновыми слоями могут варьироваться от стандартной величины в 0,34 нм до 0,68 нм, которое является удвоенным стандартным значением. Данный факт напрямую указывает на существование дефектов в УНТ, когда один из слоев фрагментально отсутствует.

Именно благодаря набору уникальных свойств, на протяжении многих лет УНТ представляют собой большой интерес в ряде областей науки.

Во-первых, их удивительная прочность: значения модуля упругости ОУНТ близки к значению 1 ТПа, а прочность на растяжение -к 100 ГПа. Данные цифры более, чем в 10 раз превосходят прочность любого промышленного волокна.

Во-вторых, УНТ обладают проводимостью, по характеру схожей с металлической.

В-третьих, УНТ могут обладать теплопроводностью до 3500 Втхм"1хК"1 при комнатной температуре, что превышает теплопроводность алмаза.

В-четвертых, УНТ обладают большим отношением длины к диаметру. Вкупе с хорошей электропроводностью вблизи концов УНТ уже при небольших значениях напряжения возникает сильная напряженность электрического поля, что приводит к возникновению автоэлектронной эмиссии. Данный факт в очередной раз доказывает перспективность применения данных материалов. Например, в качестве структур, являющихся основой для низковольтных автоэлектронных эмиттеров. Исследователями из США и Швейцарии были проведены эксперименты, подтверждающие уникальные автоэмиссионные характеристики УНТ [21, 22, 23].

Благодаря возможности синтеза УНТ на поверхности различных форм является доступным способ создания планарных автоэлектронных эмиттеров с массивами, состоящих нанотрубок. На сегодняшний день существует множество работ, в которых исследована автоэлектронная эмиссия из нанотрубок [23, 24, 25, 26].

1.2. Способы получения углеродных нанотрубок

В зависимости от условий и требований при получении углеродных структур, определяется наиболее подходящий способ их синтеза. На РИСУНКЕ показана схема, в которой указаны методы и условия, обозреваемые и используемые в данной работе.

В целом, можно сказать, что основной тенденцией развития способов получения углеродных нанотрубок было снижение температур самого процесса роста. Начиная с метода лазерной абляции, где температура достигала 3500 ^ [27], продолжая электродуговым методом, проводимого при температуре до 2500 ^ [28] и, заканчивая методом химического осаждения из газовой фазы.

Для начала, необходимо определить, какой способ создания углеродных структур будет использоваться. Процессы можно классифицировать на каталитические и не каталитические. То есть по наличию или отсутствию металлических катализаторов роста УНТ (Рисунок 1.3).

Сначала перечислим некаталитические способы. Среди них два основных: электродуговой метод и метод лазерной абляции.

Как правило, выделяют три основных метода синтеза УНТ: электродуговой, лазерная абляция и каталитическое химическое осаждение из газовой фазы, обычно обозначаемый аббревиатурой CCVD.

Способы получения углеродных нанотрубок

Рисунок 1.3 — Схема со способами получения УНТ

1.2.1. Метод лазерной абляции

В данном методе подразумевается распыление графитовой мишени при воздействии импульсного лазерного излучения в среде инертного газа (гелия или аргона) [29, 30, 31]. Схема аппарата, использующего данный метод, показана на Рисунке 1.4.

Графитовая мишень при этом расположена в кварцевой трубе под воздействием температуры 1200 Система линз позволяет сфокусировать луч для сканирования поверхности графитовой мишени. Это сделано для того, чтобы испарение материала мишени происходило более равномерно. Пар, полученный в результате процесса, попадает в поток, создаваемый инертным газом, и перемещается из области с высокой температурой в низкотемпературную, где происходит осаждение на охлаждаемой подложке из меди. Структура и концентрация УНТ, получаемых в данных процессах, в основном определяется температурой.

?

Рисунок 1.4 — Схема аппарата для производства УНТ способом лазерной абляции: 1 - инертный газ; 2 - печь; 3 - охлаждаемый медный коллектор; 4 - охлаждающая

вода; 5 - графитовая мишень

1.2.2. Электродуговой метод

Изначально, данный метод использовался для получения многостенных нанотрубок. С течением времени, способ подвергся модификации, позволившей производить и одностенные нанотрубки. В процессе происходит термическое распыление электрода, состоящего из графита, в плазме дугового разряда в атмосфере инертных газов (гелия или аргона) [33].

В конце прошлого века, после создания технологии получения фуллеренов, было обнаружено, что при электродуговом испарении электродов, состоящих из графита, помимо фуллеренов образуются еще и протяженные цилиндрические структуры. Именно тогда Сумио Ииджима при использовании просвечивающего электронного микроскопа определил вид этих структур и дал им название, которое применяется и по настоящее время.

Схема установки показана на Рисунке 1.5. Интенсивное распыление материала анода происходит при напряжении между катодом и анодом 20 - 25 В и

при токе дуги 50 - 100 А. Расстояние между электродами, как правило, составляет 0,5 - 2,0 мм. Осаждение продуктов распыления происходит на поверхности катода, который является более холодным по сравнению с анодом. В получаемом осадке присутствуют одно- и многостенные УНТ. Количество получаемых нанотрубок зависит от ряда факторов, ключевыми из которых является давление и ток дуги.

Рисунок 1.5 — Схема установки для синтеза УНТ с помощью дугового способа

Одним из важных недостатков является не только невозможность селективного роста УНТ в требуемых областях, но и состав получаемых структур. В результате синтеза на поверхностях формируется гомогенная пленка, содержащая не только УНТ, но и прочие углеродные структуры, что является критичной проблемой.

к насосу

инертный газ

генератор

Установка для электродугового синтеза в своем составе имеет очень много металла, требует много энергии, но в это же время является достаточно универсальной для получения углеродных материалов различных видов. Важной проблемой является недостаточная стабильность процесса во время горения дуги. Данный способ пришел на смену методу лазерной абляции. И есть несколько оснований для этого. Важно отметить, что процесс проводится при более низкой температуре. Тем не менее, выход УНТ в результате проводимых процессов оставался низким.

Важно отметить, что также существует распространенная разновидность метода лазерной абляции, но уже с применением катализатора. Разница заключается в источнике излучения. Вместо импульсного лазера использовано сфокусированное солнечное излучение. Свет, отраженный от плоского зеркала, формирует плоскопараллельный пучок, который далее падает на параболическое зеркало. Графитовая лодочка, расположенная в фокусе данного зеркала, заполнена смесью графитового и металлического порошков. В качестве теплового экрана выступает графитовая трубка, внутри которой и располагается лодочка. Вся описанная конструкция находится в камере, заполненной инертным газом. Катализаторами в данных процессах выступают различные металлы, в зависимости от выбора которых и определяется конечная структура [32].

Новая глава в истории развития механизмов роста углеродных нанотрубок началась с введения в графит небольших объемов никеля и кобальта. Данное решение дало возможность повысить выход УНТ до 70 - 90 %. Стал очевидным факт того, что катализатором роста является металл [34].

1.2.3. Метод химического осаждения из газовой фазы.

Метод основан на применении процесса разложения применяемых углеводородов в присутствии материала катализатора. В роли катализатора обычно применяются частицы металлов, например, №, Со, Си и Fe. Размеры их при этом составляют несколько нанометров. Суть метода состоит в процессе разложения углеводородного газа (например, ацетилена) на поверхности частиц из перечисленных металлов. Далее происходит освобождение водорода и углерода,

который растворяется в частице. Далее происходит диффузия растворенного углерода и выделение его на другом конце частицы, образуя при этом нанотрубки. Продолжительность проводимого процесса роста определяет длину получаемых нанотрубок. Процесс синтеза производится при температуре, значительно ниже температуры плавления металла, что говорит о твердом состоянии каталитической частицы в течение всего процесса.

В процессах, проводимых методом химического осаждения из газовой фазы (англ. CVD), могут получаться как однослойные [35, 36], так и многослойные нанотрубки [37]. Также возможно получение вертикально ориентированных нанотрубок [38, 39, 40] и нанотрубок с контролируемым диаметром [41] и длиной [42]. Несмотря на тот факт, что трубки, получаемые данным методом, являются более дефектными, в сравнении с предыдущими двумя, важным преимуществом метода CVD является возможность формирования УНТ непосредственно на проводящей подложке.

Многостенные УНТ, полученные данным методом, могут включать в себя графеновые слои, ориентированные параллельно оси нанотрубки. Также существует вероятность формирования конических слоев, образующих угол относительно оси нанотрубки. В целом, следует отметить, что структурные особенности многостенных УНТ существенным образом определяются условиями их синтеза [43, 44, 45].

В случае роста одностенных УНТ ключевым фактором является размер каталитической частицы [45, 46, 47, 48]. Синтез одностенных УНТ происходит лишь при наличии наночастиц довольно малого диаметра (порядка 4 - 8 нм). В ряде исследований был отмечен так называемый «основной механизм роста», в котором частица каталитического металла не растет вместе с УНТ, а остается на поверхности подложки [49, 50, 51]. В отличие от МУНТ, одностенные УНТ имеют крайне малый диаметр (порядка 1 нм) и при этом они слипаются в жгуты вследствие действия сил Ван-дер-Ваальса.

Важно отметить наличие усовершенствованной разновидности данного способа формирования УНТ. Им является химическое осаждение из газовой фазы, усиленное плазмой (PECVD). Он отличается процессами, которые хорошо

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Ерицян Георгий Спартакович, 2023 год

Список использованных источников

1. Wang, J. (2005). Carbon-Nanotube Based Electrochemical Biosensors: A Review. Electroanalysis, 17(1), 7-14.

2. Mochalin, V. N., Shenderova, O., Ho, D., &Gogotsi, Y. (2011). The properties and applications of nanodiamonds. Nature Nanotechnology, 7(1), 11-23.

3. Bakshi, S. R., Lahiri, D., & Agarwal, A. (2010). Carbon nanotube reinforced metal matrix composites - a review. International Materials Reviews, 55(1), 41-64.

4. Hancher, M.D. & Hornby, Greg. (2006). A modular robotic system with applications to space exploration. 8 pp. - 132.

5. Marshall, Joshua & Bonchis, Adrian & Nebot, Eduardo & Scheding, Steven. (2016). Robotics in Mining. 1549-1576.

6. G.I. Zebrev. (2010). Radiation Effects in Silicon High Scaled Integrated Circuits (in Russian). MEPHI.

7. Leroy, C., & Rancoita, P.-G. (2007). Particle interaction and displacement damage in silicon devices operated in radiation environments. Reports on Progress in Physics, 70(4), 493-625.

8. Pease, R. L. (2003). Total ionizing dose effects in bipolar devices and circuits. IEEE Transactions on Nuclear Science, 50(3), 539-551.

9. Zhao, Qingzhong & Buongiorno Nardelli, Marco & Bernholc, J. (2002). Ultimate strength of carbon nanotubes: A theoretical study. Physical Review B. 65. 144105.

10. Hedman, D., Reza Barzegar, H., Rosén, A. et al. On the Stability and Abundance of Single Walled Carbon Nanotubes. Sci Rep 5, 16850 (2015).

11. Yamashita, T., Yokoyama, H. Molybdenum anode: a novel electrode for enhanced power generation in microbial fuel cells, identified via extensive screening of metal electrodes. Biotechnol Biofuels 11, 39 (2018).

12. Hiroyuki Kawano, Progress in Surface Science, 2008. Effective work functions for ionic and electronic emissions from mono- and polycrystalline surfaces. 83 (1-2), 1 - 165

13. Jeske, J., Lau, D., Vidal, X. et al. Stimulated emission from nitrogen-vacancy centres in diamond. Nat Commun 8, 14000 (2017).

14. Gao, S.W., Gong, X.Z., Liu, Y., Zhang, Q.Q., 2018. Energy Consumption and Carbon Emission Analysis of Natural Graphite Anode Material for Lithium Batteries. MSF 913, 985-990.https://doi.org/10.1016/j.jmrt.2021.03.015.

15. Pawel Mierczynski, Sergey V. Dubkov, Sergey V. Bulyarskii, Alexander A. Pavlov, et al. Growth of carbon nanotube arrays on various CtxMey alloy films by chemical vapour deposition method[J]. J. Mater. Sci. Technol., 2018, 34(3): 472-480.

16. Dubkov, Sergey & Trifonov, A. & Kitsyuk, E. & Pavlov, Alexander & Bulyarsky, S & Skorik, S & Maniecki, T. & Mierczynski, Pawel & Gromov, D. & Gavrilov, S. (2017). CVD-growth of MWCNT arrays on Me-Ct-N-(O) thin films. Journal of Physics: Conference Series. 829. 012002.

17. Dubkov, Sergey & Bulyarskii, S. & Pavlov, Alexander & Trifonov, A. & Kitsyuk, E. & Mierczynski, Pawel & Maniecki, T. & Ciesielski, Radoslaw & Gavrilov, S. & Gromov, D. (2016). The features of CNT growth on catalyst-content amorphous alloy layer by CVD-method. 102240L.

18. Iijima S., Ichihashi T. Single-shell carbon nanotubes of 1-nm diameter // 1993. Nature, V. 363, P. 603-605.

19. Bethune D.S., Kiang C.H., de Vries M.S., German G., Savoy R., Vasques J., Beyers R. Cobalt-Catalyzed Growth of Carbon Nanotubes with Single-Atomic Layer Walls // Nature. 1993. V.363, P. 605-607.

20. Елецкий А.В. 1997. Углеродные трубки // УФН, Т.167, №9. С. 945 - 972

21. De Heer W.A., Châtelain A., Ugarte D. A carbon nanotube field-emission electron source // Science. 1995. V.270, P. 1179-1180.

22. Collins P.G., Zettl A. A simple and robust electron beam source from carbon nanotubes //Appl. Phys. Lett. 1996. V.69, P.1969-1971.

23. Wang Q.H., Setlur A.A., Lauerhaas J.M., Dai J.Y., Seelig E.W., Chang R.P.H. A nanotube-based field emission flat panel display //Appl. Phys. Lett. 1998. V.72, №22, P. 2912-2913. Bonard J.M., Kind H., Stockli T., Nilsson L.O. Field emission from carbon nanotubes: the first five years //Solid State Electronics. 2001. V.45, P. 893- 914.

24. Bonard J.M., Croci M., Klinke Ch., Kurt R., Nouri O., Weiss N. Carbon nanotube films as electron field emitters //Carbon. 2002. V.40, P. 1715-1728.

25. Гуляев Ю.В., Косаковская З.Я., Мусатов А.Л., Синицын Н.И., Углеродные нанотрубные структуры - новый материал для эмиссионной электроники / Радиотехника 2003. № 8, C. 36 -41.

26. Елецкий А.В. 2002. Углеродные трубки и их эмиссионные свойства// УФН, Т.172, №4, C. 418.

27. Козлов Г.И., Ассовский И.Г. Синтез одностенных углеродных нанотрубок в расширяющемся парогазовом потоке продуктов лазерной абляции графита с катализатором. // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, № 11. - С. 76-82.

28. Алексеев Н.И., Изотова С.Г., Осипов Ю.Г., и др. Получение углеродных нанотрубок в реакциях самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖТФ. - 2006. - Т. 76, № 2. - С. 84-89.

29. Tess A., Lee R., Nikolaev P., Dai H., Petit P., Robert J., Xu C., Lee Y.H., Kim S.G. Rinzler A.G., Colbert, D.T. Scuseria, G.E. Tomanek, D. Fischer J.E. Smalley R.E. Crystalline Ropes of Metallic Carbon Nanotubes // Science. 1996. V.273, № 5274, P.483-487.

30. Guo T., Nikolaev P., Tess A., Colbert D.T., and Smalley R.E. Catalytic growth of single-walled nanotubes by laser vaporation //Chem. Phys. Lett. 1995. V. 243, P.49- 52.

31. Yudasaka M., Tomatsu T., Ichihashi T., Iijima S. Single-wall carbon nanotube formation by laser ablation using double-targets of carbon and metal //Chem. Phys. Lett. 1997. V278, P.102-106.

32. Kataura H., Kumazawa Y., Maniwa Y., Ohtsuka Y., Sen R., Suzuki S., Achiba Y. Diameter control of single-walled carbon nanotubes // Carbon. 2000. V.38, P.1691- 1697

33. Journet C, Maser W.K. Bernier P., Loiseau A., Lamy de la Chapelle M., Lefrant S. Deniard P., Lee R., Fischer J. E. Large-scale production of single-walled carbon nanotubes by the electric-arc technique // Nature. 1997. V.388, P.756-758.]

34. V. Ivanov at all. «Catalytic production and purification of nanotubules having fullerene-scale diameters». Carbon 33, 12, (1995) 1727—1738.

35. Kong J., Cassell A.M., Dai H.J. Chemical vapor deposition of methane for singlewalled carbon nanotubes // Chem. Phys. Lett. 1998. V.292, P.567-574.

36. Hafner J.H., Bronikowski M.J., Azamian B.R., Nikolaev P., Rinzler A.G., Colbert D.T., Smith K.A., Smalley R.E. Catalytic growth of single-wall carbon nanotubes from metal particles // Chem. Phys. Lett. 1998, V. 296, P.195-202.

37. Fan S.S., Chapline M.G., Franklin N.R., Tombler T.W., Cassell A.M. Dai H.J. Self-oriented regular arrays of carbon nanotubes and their field emission properties // Science. 1999. V.283, P.512-514.

38. Ren Z.F., Huang Z.P., Xu J.W., Wang J.H., Bush P., Siegal M.P., Provendo P.N. Synthesis of Large Arrays of Well-Aligned Carbon Nanotubes on Glass // Science. 1998. V.282, P. 1105-1107.

39. Li W.Z., Xie S.S., Qian L.X., Chang B.H., Zou B.S., Zhou W.Y., Zhao R.A., Wang G. Large-scale synthesis of aligned carbon nanotubes // Science. 1996. V.274, P.1701-1703.

40. Terrones M., Grobert N., Olivares J., Zhang J.P., Terrones H., Kardatos K., Hsu W.K., Hare J.P., Townsend P.D., Prassides K., Cheetham A.K., Kroto H.W. Walton D.R.M. Controlled production of aligned-nanotube bundles // Nature. 1997.V.388, P.52-55.

41. An L., Owens J.M., McNeil L.E., Liu J. Synthesis of nearly uniform single-walled carbon nanotubes using identical metal-containing molecular nanoclusters as catalysts // J. Am. Chem. Soc. 2002. V.124, P.13688-13689.

42. Dai H.J., Kong J., Zhou C.W., Franklin N., Tombler T., Cassell A., Fan S.S. Chapline M. Controlled Chemical Routes to Nanotube Architectures, Physics and Devices // J. Phys. Chem.B. 1999. V.103, P.11246-11255.

43. Rodriguez N.M., Chambers A., Baker R.T.K. Catalytic engineering of carbon nanostructures // Langmuir. 1995. V.11, P.3862-3867.

44. Rodriguez N.M. A review of catalytically grown carbon nanobers // J. Mater Res. 1993. V.8, P.3233-3250.

45. Nolan P.E., Lynch D.C. Cutler A.H. Carbon Deposition and Hydrocarbon Formation on Group VIII Metal Catalysts // J. Phys. Chem. B.1998. V.102, P.4165-4175

46. Li Y.M., Kirn W., Zhang Y.G., Rolandi M., Wang D.W. Dai H.J. Growth of Single Walled Carbon Nanotubes From Discrete Catalytic Nanoparticles of Various Sized // J. Phys. Chem.B. 2001. V.105, №46, P.11424 - 11431. 106

47. Cheung C.L., Kurtz A., Park H., Lieber C.M. Diameter-controlled synthesis of carbon nanotubes // J. Phys. Chem. B. 2002. V.106, P.2429-2433.

48. Li Y., Liu J., Wang Y.Q., Wang Z.L. Preparation of monodispersed Fe-M0 nanoparticles as the catalyst for CVD synthesis of carbon nanotubes // Chem. Mater. 2001. V.13, P.1008-1014.

49. Kong J., Cassell A.M., Dai H.J. Chemical vapor deposition of methane for singlewalled carbon nanotubes // Chem. Phys. Lett. 1998. V.292, P.567-574.

50. Li Y.M., Kirn W., Zhang Y.G., Rolandi M., Wang D.W. Dai H.J. Growth of Single Walled Carbon Nanotubes From Discrete Catalytic Nanoparticles of Various Sized // J. Phys. Chem.B. 2001. V.105, №46, P.11424 - 11431.

51. Kong J., Soh H.T., Cassell A.M., Quate C.R. Dai H.J. Synthesis of individual singlewalled carbon nanotubes on patterned silicon wafers //Nature. 1998. V.395, P. 878-881

52. Chhowalla M., Teo K.B.K., Ducati C., Rupesinghe N.L., Amaratunga G.A.J., Fenari A.C., Roy D.,. Robertson J., Milne W.I. Growth process conditions of vertically aligned carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2001. V. 90, P. 5308-5317.

53. Ducati C., Alexandrou I., Chhowalla M., Amaratunga G.A.J. Robertson J. Temperature selective growth of carbon nanotubes by chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 2002. V.92, P.3299-3303.

54. Delzeit L., McAninch I., Cruden B.A., Hash D., Chen, B. Han J. Meyyappan M. Growth of multiwall carbon nanotubes in an inductively coupled plasma reactor // J. Appl. Phys. 2002. V.91, P.6027-6033.

55. Hills, Gage & Bardon, Marie & Doornbos, Gerben & Yakimets, Dmitry et. al. (2018). Understanding Energy Efficiency Benefits of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors for Digital VLSI. IEEE Transactions on Nanotechnology. PP. 1-1.

56. S.J. Tans, A.R. M. Vershueren, C. Dekker Room temperature transistor based on a single carbon nanotubes. // Nature (London). - 1998. - V. 393. - P. 49- 51

57. C.Wang, J. Zhang, K. Ryu, A. Badmaev, L. G. D. Arco, C. Zhou. WaferScale Fabrication of Separated Carbon Nanotube Thin-Film Transistors for Display Applications. // Nano Lett. -2009.- Т.9, №12.- P. 4285-4291

58. C. Masarapu, J. T.Ok, B. Wei. Thermal Stability of Carbon-Nanotube-Based Field Emission Diodes // J Phys. Chem. C. - 2007. - V.111, № 32. - С.12112 - 12115

59. M. Rinkio, A. Johansson, G.S. Paraoanu, P.Torma. High-Speed Memory from Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with High-K Gate Dieletric.// Nano Lett. -2009. - V. 9, №2, P. 643-647 5.

60. А.В.Елецкий. Углеродные нанотрубки и их эмиссионные свойства. / А.В.Елецкий. //УФН. - 2002.- Т.172, № 4.- С.401-438

61. Hills, Gage & Lau, Christian & Wright, Andrew & Fuller, Samuel & Bishop, Mindy & Srimani, Tathagata & Kanhaiya, Pritpal & Ho, Rebecca & Amer, Aya & Stein, Yosi &

Murphy, Denis & Arvind, Arvind & Chandrakasan, Anantha & Shulaker, Max. (2019). Modern microprocessor built from complementary carbon nanotube transistors. Nature. 572. 595-602.

62. K. Jensen, Kwanpyo Kim, A. Zettl. An atomic-resolution nanomechanical mass sensor // Nature Nanotechnology. -2008.-V. 3.- P. 533-537.

63. Forbes, Richard. (2013). Development of simple quantitative test for lack of field emission orthodoxy. Royal Society of London Proceedings Series A. 469. 210130271.

64. E.O Popov, A.G. Kolosko, S.V. Filippov. (2020). Test for compliance with the cold field emission regime using the Elinson-Schrodnick and Forbes-Dean approximations (Murphy-Goode coordinates). Journal of Technical Physics. 46. 6.

Попов, Е.О & Колосько, А.Г & Филиппов, С.В. (2020). Тест на соответствие режиму холодной полевой эмиссии с применением приближений Элинсона-Шредника и Форбса-Дина (координаты Мерфи-Гуда). Журнал технической физики. 46. 6.

65. Келдыш Л.В. О влиянии колебаний решетки кристалла на рождение электронно-дырочных пар в сильном электрическом поле // ЖЭТФ. - 1958. - Т. 34, № 2. - С. 962-967.

Keldysh L.V. On the effect of crystal lattice vibrations on the generation of electron-hole pairs in a strong electric field // JETP. - 1958. - Vol. 34, № 2. - pp. 962-967.

66. Гергель В.А., Ильичёв Э.А., Полторацкий Э.А., Родионов А.В., Тарнавский С.П., Федоренко А.В. Частотная дисперсия крутизны в полевых транзисторах на основе 8 -легированных структур // ФТП. - 1991. - Т.25, 311. - С.1870-1876; Gergel' V.A., Il'ichev Eh.A., Poltoratskij Eh.A., Rodionov A.V., Tamavskiy S.P., Fedorenko A.V. Frequency dispersion of steepness in field-effect transistors based on 8-doped structures // PhTP. - 1991. - Vol.25, 311. - pp.1870-1876.

67. Mierczynski, Pawel & Dubkov, Sergey & Bulyarskii, Sergey & Pavlov, Alexander & Skorik, Sergey & Trifonov, A. & Mierczynska-Vasilev, Agnieszka & Kitsyuk, E. & Gavrilov, S. & Maniecki, T. & Gromov, D.. (2017). Growth of Carbon Nanotube Arrays on Various CtxMey Alloy Films by Chemical Vapour Deposition Method. Journal of Materials Science & Technology.

68. Mierczynski, Pawel & Dubkov, Sergey & Vasilev, K. & Maniecki, T. & Kitsyuk, E. & Yeritsyan, G. & Szynkowska, Malgorzata & Trifonov, A. & Gavrilov, S. & Gromov,

D.. (2021). Unidirectional and bi-directional growth of carbon nanotubes on the catalytic Co-Zr-N-(O) material. Journal of Materials Research and Technology.

69. Булярский С.В., Басаев А.С. Катализаторы роста углеродных нанотрубок. LAP LAMBERT Academic Publishing, 2015. 117 с;

Bulyarskiy S.V., Basaev A.S. Carbon Nanotube Growth Catalysts. LAP LAMBERT Academic Publishing, 2015. 117 p.

70. S.V. Bulyarskiy, E.V. Zenova, A.V. Lakalin, M.S. Molodenskii, A.A. Pavlov, A.M. Tagachenkov, A.V. Terent'ev, Influence of a Buffer Layer on the Formation of a Thin-Film Nickel Catalyst for Carbon Nanotube Synthesis, Tech. Phys. 63 (2018) 1834-1839.

71. С.А. Гаврилов, Э.А. Ильичев, Э.А. Полторацкий, Г.С. Рычков, В.В. Дворкин, Н.Н. Дзбановский, Н.В. Суетин. Эмиттеры из углеродных нанотрубок для планарной эмиссионной вакуумной микро- и наноэлектроники // Письма в ЖТФ. 2004, Т. 30, № 14. - С.75-81;

S.A. Gavrilov, Eh.A. Il'ichev, Eh.A. Poltoratskij, G.S. Rychkov, V.V. Dvorkin, N.N. Dzbanovskiy, N.V. Suetin. Emitters from Carbon Nanotubes for Planar Emission Vacuum Micro- and Nanoelectronics // JTP Letters. - 2004, - Vol. 30, № 14. - pp. 75-81.

72. С.А. Гаврилов, Э.А. Ильичев, А.И. Козлитин, Э.А. Полторацкий, Г.С. Рычков, Н.Н. Дзбановский, В.В. Дворкин, Н.В. Суетин. Латеральный эмиттер как базовый элемент интегральной эмиссионной электроники // Письма в ЖТФ. 2004, Т. 30, № 11. - С.48-53;

S.A. Gavrilov, Eh.A. Il'ichev, A.I. Kozlitin, Eh.A. Poltoratskij, G.S. Rychkov, V.V. N.N. Dzbanovskiy, Dvorkin, N.V. Suetin. Lateral Emitter as a Basic Element of Integrated Emission Electronics // JTP Letters. 2004, Vol. 30, № 11. - pp. 48-53.

73. Патент № 2250526 C1 Российская Федерация, МПК H01J 19/02. Эмиттер для интегральных приборов: № 2003122969/28: заявл. 21.07.2003: опубликовано 20.04.2005 / Гаврилов С.А., Ильичев Э.А., Полторацкий Э.А., Рычков Г.С.; заявитель ФГУП Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. — 9 с.

Patent RU 2250526 C1, Int. Cl. H01J 19/02. Emitter for Integrated Device: № 2003122969/28: effective date for property rights 21.07.2003: date of publication 20.04.2005 Bull. 11 / Gavrilov S.A., Il'ichev Eh.A., Poltoratskij Eh.A., Rychkov G.S.;

proprietor FGUP Nauchno-issledovatel'skij institut fizicheskikh problem im. F.V. Lukina. - 9 p.

74. Nico C., Monteiro T., Gra?a M.P.F. Niobium oxides and niobates physical properties: Review and prospects. Progress in Materials Science, 2016, Vol. 80, Pp 1-37.

75. Д.Г. Громов, Г.С. Ерицян, Е.П. Кицюк, А.И. Савицкий, С.Н. Скорик и др.. Интегральная технология формирования планарных эмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Nb-Co-N-(O). Известия высших учебных заведений. Электроника (2022), 27 (6).

76. Zeng, Bo & Gao, Min & Liu, Shenghua & Pan, Taisong & Huang, Zhenlong & Lin, Yuan. (2013). Thermal chemical vapor deposition of layered aligned carbon-nanotube films separated by graphite layers. physica status solidi (a). 210.

77. Rodriguez-Manzo, Julio & Terrones, Mauricio & Terrones, Humberto & Kroto, Harold & Sun, Litao & Banhart, Florian. (2007). In situ nucleation of carbon nanotubes by the injection of carbon atoms into metal particles. Nature nanotechnology. 2. 307-11.

78. Gromov, D. & Mochalov, A.I. & Pugachevich, V.P. & Sorokin, I.N.. (2000). Interaction between binary alloy thin films and silicon substrate: the conditions of bilayer formation and the effect of additional component. Applied Physics A. 70. 333-340.

79. Balluffi RW. Grain boundary diffusion mechanisms in metals. Metallurgical Transactions B 1982; 13:527-53.

80. Mierczynski, Pawel & Dubkov, Sergey & Bulyarskii, Sergey & Pavlov, Alexander & Skorik, Sergey & Trifonov, A. & Mierczynska-Vasilev, Agnieszka & Kitsyuk, E. & Gavrilov, S. & Maniecki, T. & Gromov, D.. (2017). Growth of Carbon Nanotube Arrays on Various CtxMey Alloy Films by Chemical Vapour Deposition Method. Journal of Materials Science & Technology.

81. Nico, Claudio & Monteiro, T. & Gra?a, M.P.F.. (2016). Niobium Oxides and Niobates physical properties: review and prospects. Progress in Materials Science. 80.

82. Susan M, Lichtman D. Calculated Auger sensitivity factors compared to experimental handbook values. Surf Sci 1983;131:159-66.

83. Pavlyak F. Modified relative sensitivity factors for Auger spectra. Appl Surf Sci 1994;81:351-6.

84. Hofmann S. Auger- and X-ray photoelectron spectroscopy in materials science. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg; 2013.

85. Cheng, Yuan & Zhou, Otto. (2003). Electron Field Emission from Carbon Nanotubes. C. R. Physique. 4. 1021-1033.

86. Popov, Eugeni & Kolosko, Anatoly & Filippov, Sergey. (2019). Electrical field admissible values for the classical field emitter regime in the study of large area emitters. AIP Advances. 9. 015129.

87. Bocharov, Grigorii & Eletskii, Alexander. (2013). Theory of Carbon Nanotube (CNT)-Based Electron Field Emitters. Nanomaterials. 3. 393-442.

88. Gromov D.G., Mochalov A.I., Pugachevich V.P., Sorokin I.N. Interaction between binary alloy thin films and silicon substrate: the conditions of bilayer formation and the effect of additional component. Appl Phys Mater Sci Process 2000;70:333-40.

Приложение 1. Акт об использовании результатов работы

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

федеральное государственное бюджетное научное учреждение «Научно-производственный комплекс

УТВЕРЖДАЮ

«ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР» (НПК «Технологический центр»)

Теп. (499)734-45.21,факс [phone] www.iceri.ru нпктц.рф е-та!1: [e-mail]

12449В, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, стр. 7, к. 7237

ИНН 7735096480 КПП 773501081 ОГРН 1027700428480 ОКНО 52657749

«

»

20_г. №

На №

от

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук Ерицниа Г.С.

Результаты диссертационной работы на соискание ученой степени кандидата технических наук Ерицяна Георгия Спартаковича на тему «Исследование и разработка интегральной технологии формирования планарных эмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве МЬ-Со-]М-(0)» используются в НПК «Технологический центр» в научно-исслсдоватсльской лаборатории перспективных процессов для формирования массивов УНТ с заданными геометрическими параметрами и элементов на их основе. Результаты работы были использованы при проведении исследований по проекту «Исследование возможности создания микро- и наноструктур с использованием уникальных электрофизических и оптоэлектронных свойств наноматериалов», выполняемого в рамках государственного задания на 2022 г.

Начальник ПИЛ ПП

Исп. Кицкж Е.П. тел [phone]