Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Расматова, Светлана Васильевна

• Расматова, Светлана Васильевна
• кандидат химических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат химических наук Расматова, Светлана Васильевна

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Кристаллическая структура азида свинца

1.2. Физико - химические свойства PbN

1.3. Оптические свойства PbNö

1.4. Фотоэлектрические свойства PbN

1.5. Электрофизические свойства. Тип носителей заряда

1.6. Диаграмма энергетических зон азида свинца

1.7. Фотолиз азида свинца

1.8. Исследование фотоэлектрических свойств гетеросистем

PbNö — металл (полупроводник)»

1.9. Модели фотолиза азидов тяжелых металлов

ГЛАВА 2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Синтез азида свинца и приготовление образцов для исследования

2.2. Масс - спектрометрический метод исследования процесса фотолиза

2.3. Метод инверсионной вольтамперометрии

2.4. Методика измерения спектров диффузного отражения

2.5. Актинометрия источника излучения

ГЛАВА 3. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ

ГАЗООБРАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЫЧб (Аб) И ГЕТЕРОСИСТЕМ «РЬх\6 (Аб) - МЕТАЛЛ (А& РЬ, Си, (Я, N1)», «РЬЛб (Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК (сате, СаБ, СсШе, сао, Си20)>>

3.1. Кинетические закономерности фотохимического разложения РЬЫ6(Аб)

3.2. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем «РЬЫ6(Аб) - металл»

3.3. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем «РЬЫ6(Аб) - полупроводник»

3.4. Исследование темпового пост -газовьщеления

ГЛАВА 4 ИДЕНТИФИКАЦИЯ ТВЕРДОФАЗНОГО ПРОДУКТА ФОТОЛИЗА РЫЧ6(Аб) II ГЕТЕРОСИСТЕМ «РЫЧ6(Аб)

МЕТАЛЛ»; «РЫЧ6(Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК»

4.1. Идентификация твердофазного продукта разложения азида свинца

4.2. Спектрофотометрическое исследование фотолиза РЬК6(Аб)

4.3. Спектрофотометрическое исследование фотолиза гетеросистем «РЬЫ6(Аб) - металл (РЬ, Сё, Си)»,

РЬЫ6(Аб) - полупроводник (СёТе, Сс18, Си20)»

4.4. Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц фотолитического свинца

ГЛАВА 5. ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГЕТЕРОСИСТЕМАХ «РЬГ*б (Аб) - МЕТАЛЛ (РЬ, Си, Сс1, N0»,

РЫЧ6 (Аб) - ПОЛУПРОВОДНИК (СаТе, СсЮ, СаБе, С<Ю, Си20)»

5.1 Диаграммы эгергетических зон «РЬК6(Аб) - металл»

5.2 Фотопрцессы в гетеросистемах «РЬЫб(Аб) - металл»

5.3 Диаграммы эгергетических зон гетеросистем

РЬЫ6(Аб) - полупроводник (СсГГе, СёЭ, Си20)»

5.4 Темновые процессы в гетеросистемах «РЬЫб(Аб) - полупроводник»

5.5 Фотопроцессы в гетеросистемах «РЬМ6(Аб) - полупроводник»

5.6 Расчет кинетических параметров фотолиза РЬК6(Аб) и гетеросистем «РЬИб(Аб) - металл (полупроводник)» 98 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 105 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотолиз азида свинца и гетеросистем на его основе»

В настоящее время в физике и химии твердого тела большое внимание уделяется исследованию физических и физико-химических процессов, протекающих в энергетических материалах, к которым относятся и азиды тяжелых металлов (ATM), а так же в гетеросистемах на их основе при различных энергетических воздействиях, в частности, под действием света. Важной особенностью гетеропереходов, которая представляет интерес для исследователей, изучающих каталитические и физико-химические твердофазные процессы, является изменение узкозонными полупроводниками фотоэлектрической чувствительности широкозонных полупроводников [1, 2-9]. Изучение природы и закономерностей протекания элементарных химических реакций, составляющих сложный многостадийный процесс фотохимического разложения, выяснение механизма фотолиза таких гетеросистем, исследование широкого ряда факторов, влияющих на этот процесс, представляет значительный теоретический и практический интерес, связанный с возможностью направленного регулирования фотохимической чувствительности энергетических материалов.

Среди разнообразных фоточувствительных систем особое место занимают гетеросистемы "PbNe - металл (полупроводник)", один из компонентов которых (PbN6) необратимо разлагается под действием света.

Ранее было показано [2 - 9], что создание контактов азида свинца с металлами и полупроводниками приводит к изменению фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азида свинца в области собственного поглощения PbNe и появлению фоточувствительности в длинноволновой области. Было так же установлено, что изменение метода синтеза оказывает влияние на состояние поверхности, положение уровня Ферми [2, 9-14], фотохимические и фотоэлектрические свойства азида свинца. Однако, систематические исследования процесса фотолиза азида свинца и гетеросистем «азид свинца - металл (полупроводник)» были проведены преимущественно для азида одного метода синтеза (Ам) [2- 9], для других же методов синтеза (в частности Аб) имеются данные отдельных экспериментов [2, 5, 10, 11]. Изучение фотолиза азида свинца (гетеросистем на его основе), обладающего иными (чем исследованный) состоянием поверхности и положением уровня Ферми актуально как в практическом, так и теоретическом отношении.

Цель работы Исследование природы и закономерностей процесса фотолиза азида свинца (метод синтеза Аб) и гетеросистем "РЬК6(Аб) - металл (А& РЬ, Си, Сё, №)", "РЫчЦАб) - полупроводник (СёБ, Сс£е, С<1Те, СсЮ, Си20)" при воздействии света X = 380 нм в интервале интенсивностей 7.95x1014 -5.56х 1015 квантхсм^хс*1, при Т= 293К.

В задачи работы входило:

1. Определить качественный и количественный состав продуктов фотолиза азида свинца и гетеросистем "РЫМ6(Аб) - металл (А£, РЬ, Си, Сё, №)", ''РЬЩАб) - полупроводник (СёБ, СаБе, СбТе, СсЮ, Си20)".

2. Исследовать кинетические закономерности фотолиза азида свинца и гетеросистем "РЬК6(Аб) - металл", "РЬЫб - полупроводник" в зависимости от интенсивности падающего света и предварительных световых обработок.

3. Построить диаграммы энергетических зон контактов азида свинца с металлами и полупроводниками. Установить вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела "РЬЫб(Аб) - металл", "РЬМ6(Аб) -полупроводник

4. Оценить эффективные константы скорости фотолиза азида свинца, гетеросистем "РЬЫб(Аб) - металл" и "РЬК6(Аб) - полупроводник".

5. Предложить экспериментально обоснованную модель фотолиза ге-тероситем "РЬЫ6(Аб) - металл", "РЬМ6(Аб) - полупроводник".

Научная новизна:

1. Впервые проведены систематические исследования кинетических закономерностей фотолиза РЬЫ6 (Аб) и гетеросистем "РЬН6(Аб) - металл (А& РЬ, Си, Сё, №)", "РЫчГ6(Аб) - полупроводник (СёБ, СаБе, Сс1Те, СсЮ, Си20)" в зависимости от интенсивности падающего света (А, = 380 нм) и предварительных световых обработок.

2. Впервые установлено, что твердофазным продуктом фотолиза РЬМ6(Аб) и гетеросистем "РЬК6(Аб) - металл", "РЬМ6(Аб) - полупроводник" при X = 380 нм является свинец, а газообразный (азот) и твердофазный (свинец) продукты фотолиза образуются в стехиометрическом соотношении в основном на поверхности образцов.

3. Построены диаграммы энергетических зон гетеросистем "РЬЫб(Аб) -металл" и "РЬЫ6(Аб) - полупроводник".

4. Установлен вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела систем "РЬЫ6(Аб) - металл" и "РЬЫ6(Аб) - полупроводник".

5. Определены эффективные константы скорости фотолиза РЬЫ6(Аб), гетеросистем "РЬЫ6(Аб) - металл (А§, РЬ, Си, Сё, N0" и "РЬК6(Аб) - полупроводник (СёБ, СёЭе, СёТе, СсЮ, Си20)".

6. Впервые методом инверсионной вольтамперометрии проведен качественный и количественный анализ твердофазного продукта фотолиза азида свинца.

7. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза РЬЫ6(Аб) в контакте с металлами и полупроводниками.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученные результаты могут служить основой для создания систем с регулируемым уровнем фоточувствительности. А так же позволят прогнозировать и направленно изменять поведение энергетических материалов. Методы исследования и результаты работы используются в курсе лекций «Методы исследования неорганических материалов».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Твердофазным и газообразным продуктами фотолиза РЬЫ6(Аб) и гетеросистем "РЬКб(Аб) - металл", «РЫМ6(Аб) - полупроводник» являются свинец и азот.

2. Твердофазный и газообразный продукты фотолиза РЬЫ6(Аб) и гетеросистем "РЬЫ6(Аб) - металл (А& РЬ, Си, Сё, №)", "РЬЫ6(Аб) - полупроводник (С<18,

СёБе, СсГГе, С<Ю, Си20)" образуются в стехиометрических соотношениях и в основном на поверхности образцов.

3. Лимитирущей стадией процесса фотолиза РЬЫб (Аб) и гетеросистем "РЬЩАб) - металл (А& РЬ, Си, Сё, N0", "РЬЩАб) - полупроводник (СёБ, Сс18е, СсГГе, СсЮ, Си20)" является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру.

4. Модель фотолиза гетеросистем "РЬИб - металл (полупроводник), включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения носителей заряда, образования твердофазного и газообразного продуктов разложения, формирования микрогетерогенных систем азид-металл (продукт фотолиза).

Апробация работы: Основные результаты диссертационной работы обсуждались и докладывались на Международной конференции "Физико - химические процессы в неорганических материалах" (г. Кемерово, 2001); Международной конференции студентов и аспирантов по фундаментальным наукам " Ломоносов -"2002" (г.Москва 2002 г), ХЬ Международной научной студенческой конференции "Студент и научно - технический прогресс" (г. Новосибирск, 2002), XXIX конференция студентов и молодых ученых КемГУ (.Кемерово, 2002); XXX апрельской конференции молодых ученых КемГУ (Кемерово, 2003); Второй областной конференции "Молодые ученые Кузбассу" (Кемерово, 2003); ХЫ Международной научной студенческой конференции "Студент и научно - технический прогресс" (г. Новосибирск, 2003), четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике ( Санкт - Петербург, 2002); 12 - Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов РФХ -12 (Томск, 2003); II - Всероссийской конференции молодых ученых «Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии» (Томск, 2003).

Результаты работы изложены в 18 научных публикациях.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 5 глав, основных результатов и выводов, списка цитируемой литературы из 127 найме

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Расматова, Светлана Васильевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ II ВЫВОДЫ

1. Установлено, что продуктами фотохимического разложения PbN6(A6) и гетеросистем "РЬЫб(Аб) — металл (полупроводник)" являются азот и свинец. Показано, что продукты фотолиза образуются в стехиометрическом соотношении в основном на поверхности образцов.

2. Установлено, что при воздействии на PbN6(A6) и гетеросистемы «PbN6(A6) — металл (полупроводник)» светом А,=380 нм в интервале интенсивностей 7.95х1014 — 5.56х1013 квант х см'2 х с"1 реализуются кинетические кривые, состоящие из четырех участков: I - начального, II - стационарного, III — ускорения, IV - насыщения.

3. Рассчитаны и построены диаграммы энергетических зон гетеросистем «PbN6(A6) - металл (полупроводник)». Установлено, что фототок в гетеро-системах «PbN6(A6) - полупроводник (CdTe, CdS, СщО)» обусловлен над-барьерным прохождением носителей через контакт.

4. Рассчитаны эффективные константы скорости фотолиза PbN6(A6) и гетеросистем «PbNö(A6) - металл (полупроводник)». Установлено, что лимитирующей стадией фотолиза является диффузия анионных вакансий к нейтральному центру.

5. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза гетеросистем «PbN6(A6) - металл» и «PbN6(A6) - (полупроводник)», включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения неравновесных носителей заряда, образования конечных продуктов, формирования микрогетеросгруктур «PbN6(A6) - Pb (продукт фотолиза)».

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Расматова, Светлана Васильевна, 2003 год

1. Свиридов, В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. 4.1. Минск: Высшая школа, 1964. - 390 с.

2. Захаров, Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических соединений: Дис. . доктора хим. наук.-Томск. 1976.-480с.

3. Захаров, Ю.А Сенсибилизация фотолиза азида свинца неорганическими полупроводникам и/Ю. А Захаров, Э.П. Суровой //Физика и техника полупроводников 1974. - Т.8.- №2. - С.385-387.

4. Суровой, Э.П. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствигельности азидов свинца и серебра/ Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров, Д.Г. Кулагин, М.А. Шустов М.А./ ТЛИ. Томск, 1976. - 22с. - Деп. в ВИНИТИ 10.11.77г., № 4203-77.

5. Суровой, Э.П. Катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах свинца и серебра / ТЛИ. Томск, 1981. - 18с. - Деп. ОНИИТЭХИМ 22.02.81г., №169X11-81.

6. Захаров, Ю.А. Сенсибилизация фотолиза азида свинца неорганическими полупроводниками / Ю.А. Захаров, Суровой Э.П. //Физика и техника полупроводников. 1974. - Т.8. №2. - С.385-387.

7. Суровой, Э.П. Сенсибилизация полупроводниками фоточувствительности азидов свинца и серебра/ Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров, Д.Г. Кулагин, М.А. Шустов / ТЛИ. Томск, 1976. - 22с. - Деп. в ВИНИТИ 10.11.77г., № 4203-77.

8. Суровой, Э.П. Направленное регулирование процесса фотолиза азидов свинца, серебра, таллия металлами и неорганическими полупроводниками: Дис. доктора хим. наук. Кемерово, 2001. - 500 с.

9. Захаров, Ю.А. Сенсибилизация металлами фотохимической и фотоэлектрической чувствительности азидов серебра и свинца/ Ю.А. Захаров, Э.П. Суровой Э.П. // ЖНиПФиК. -1981. Т. 25. - №1. - С. 24-29.

10. Суровой, Э.П. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем "азид свинца металл"/ Э.П. Суровой, С.В. Расматова, Ю.А. Захаров, Л.И. Бугерко//Материаловедение. - 2002. - №9. - С. 27 -33.

11. Иванов, Ф.И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжелых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Автореф. дис. доктора хим. наук. Кемерово, 1997. - 43 с.

12. Урбан, Н.А. Фотохимическое разложение нитевидных кристаллов азидов тяжелых металлов: Автореф. дис. .канд. хим. наук: Новосибирск, НГУ. 1989. -22 с.

13. Колесников, JI.B. Спектры энергетических состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов: Автореф. дис. . канд. хим. наук. Минск, БГУ, 1978. - 21 с

14. Багал, JI.H. Химия и технология взрывчатых веществ. М.: Машиностроение. -1985.-352 с.

15. Hattori, К Lead Azide, Pb(N3)2 (Form I) (Form II)/ K. Hattori, W. Mc. Crone//Analytical chemistry. -1956. V.28. - No. 11. - P. 1791 -1792.

16. Energetic Manerials V. 1. Physics and chemistry of the inorganic azides/ Ed. Fair H.D., Walker R.F./ New-York-London, Plenum Press, 1977. 382 p.

17. Evans, B.L. Structure and stability of inorganic azides/ B.L. Evans, A.D. Yoffe // Proc. Roy. Soc. London A. -1957. V.238. - P.568-580.

18. Gray, P. Chemistry of inorganic azides // Quart. Revs. Chem. Soc. London. -1963. V.17. - P.771-793.

19. Choi, C. Neutron Diffraction Study of a -Pb(N3)2/ C.Choi, H. Boutin// Acta Cryst. 1969. -B.25. -C. 982-985.

20. Iqbal, Z. Infrared and Raman Spectra of Single Crystal a -Lead Azide / Z. Iqbal, W. Garrett, C.W. Brown, S.S. Mitra. //J. Chem. Physics. -1971. - V.55. No. 9. pp. 4528-4535.

21. Varma, S.P. Infrared sbsorbtion spectra of doped and undoped lead azide/ S.P.

22. Varma, F. Williams // J. Chem. Phys. 1973. - V. 59. - No.2. - pp. 912 -913.

23. Varma, S.P. Effect of photodecomposition on the Infrared sbsorbtion spectra of lead azide. I. Far. Infrared/ S.P. Varma, F. Williams //J. Chem. Phys. 1974. V. 60. -No. 12. -pp. 4950-4953.

24. Varma, S.P. Effect of photodecomposition on the Infrared sbsorbtion spectra of lead azide. П. Near Infrared / S.P. Varma, F. Williams. // J. Chem. Phys. 1974. -V. 60. - No. 12. - pp. 4956 -4960.

25. Fair, H. D. Optical and electrical properties of thin films of a lead azide/ H. D. Fair, J.A. Forthyth //J. Phys. Chem. Solids. Pergamon Press. - 1969. - V. 30. - pp. 2259-2570.

26. Deb, S.K. Optical absorption spectra of azides //Trans. Farad. Soc. 1969.- V. 65. -P. 3187-3194.

27. Deb, S.K. Optical absorption spectra of azides //Trans. Farad. Soc. 1970. - V.66. P. 471-476.

28. Иванов, Ф.И. Спектры поглощения HK р азида свинца/Ф.И. Иванов, Ю.А. Захаров, MA. Лукин// Перспективы горно - металлургической индустрии. -Новокузнецк, 1999. - С. 173-181.

29. Захаров, Ю.А. Термостимулированная люминисценция азида свинца /Ю.А. Захаров, С.М. Руколеев, B.C. Лоскутов // Деп ВИНИТИ -1975. № 3276 -75. 9 с.

30. Downs, D.S. Photoeffects in a -Lead Azide / D.S.Downs, M Biais // Bull. Am. Phys. Soc. 1971.-V.16.-p.636.

31. Deb, S.K. Optical and Photoconductivity in Unstable Azides// Trans. Faraday Soc. 1969.-V.65.-p.3187-3194.

32. Dedman, A.J. Photoconductivity in a -PbN<s/ A.J. Dedman, T.J. Lewis // Trans Faraday Soc. 1966. - V. 62. - p. 881-886.

33. Evans, B.L. Physics and chemistry of certain inorganic azides/ B.L. Evans, A.D. Yoffe, P. Grey //Chem. Rev. 1959. - V. 59. - №4. - p. 515 - 568.

34. Кук, M.A. Наука о промышленных взрывчатых веществах. М.: Наука, 1980. — 56 с.

35. Савельев, Г.Г. ФотоЭДС в азидах серебра и свинца/ Г.Г. Савельев, Ю.А. Захаров, Ю.В. Гавршценко //ИзвестияВУЗов. Серия "Физика". 1968. - Т.74. -№7. -С.71-72.

36. Захаров, Ю.А. Сенсибилизация фотопроводимости и фото-ЭДС азидов тяжелых металлов, окрашенных органическими красителями/ Ю.А. Захаров, Ю.В. Гавршценко, Г.Г. Савельев //Изв. ТЛИ. 1970. - Т.185. -С.69-71.

37. Гавршценко, Ю.В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и оптическая сенсибилизация этого процесса органическими красителями: Автореф. дис. .канд. хим. наук. Томск: ТГУ, 1969. 15 с.

38. Савельев, Г.Г. Фотолиз азидов тяжелых металлов и его оптическая сенсибилизация/ Г.Г. Савельев, Ю.А. Захаров Ю.А., Ю.В. Гавршценко, Е.П. Абакумов //ЖНиПФИК.-1969. Т.14. - №6. - С.466-468.

39. Баклыков, С.П. Изучение дырочной и ионной проводимости в поляризационной ячейке Вагнера/ С.П. Баклыков, Ю.А. Захаров //Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр.- Кемерово. КемГУ, 1981.- 4.1. С. 3-13.

40. Шечков, Г.Т., Изучение начальной стадии термолиза а PbNô / Г.Т. Шечков, Ю.А. Захаров, В.А. Каплин // Кинетика и катализ. - 1970. - Т.2. - №3. - С. 623 -627.

41. Verneker P.V.R. Photodecomposition of a -PbN6 in the solid state/ P.V.R. Verneker, J.A. Forthyth//J. Phys. Chem. 1967. - V. 72. - No. 12. -p. -3736 -3741.

42. Verneker, V.R.P. Photodecomposition of Solid Métal Azides //Journal of Physical Chemistry. 1968. - V.72.-No. 5. - P. 1733-1736.

43. Савельев, Г.Г. Влияние добавок Cu2+ и Ag+ на термическое разложение, электропроводность и фотопроводимость PbNô/ Г.Г. Савельев, Ю.А. Захаров, Г.Т. Шечков, Р.А. Васкугкова//Известия ТЛИ. 1966. - Т. 151. - С. 1191-1194.

44. Суровой, Э.П. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия/ Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров, Л.Н. Бугерко //Неорганические материалы. 1996. - Т.32. - № 2. - С. 162-164.

45. Hall, Р.В. Photodecomposition end electron structure of lead azide/ P.B. Hall, F. Williams //Chem. Phys. V. 58. - №3. - P. 1036 -1042.

46. Захаров, Ю.А. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в азиде свинца/ Ю.А. Захаров, Л.В. Колесников, А.Е.Черкашин, С.П. Баклыков // Оптика и спектроскопия. 1978. - Т. 45. -Вып. 4.-С. 725-729.

47. Гордиенко, А.Б. Энергетическая зонная структура и химическая связь в га-логенидах серебра и азидах металлов: Дис. канд .физ-мат наук. Кемерово, КемГУ, 1993. - 191 с.

48. Захаров Ю.А. Процессы возбуждения и переноса электронов в азиде свинца/ Ю.А. Захаров, С.П. Баклыков // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1979. -Т.15. -№ 12. С. 2146-2150.

49. Гавршценко Ю.В. Влияние электрического потенциала поверхности на сенсибилизированный фотолиз азида свинцаЛО.В. Гавршценко, Г.Г. Савельев, Ю.А. Захаров // Изв. ТЛИ. -1969. Т. 199. - С. 112 -115.

50. Боуден Ф. Быстрые реакции в твердых веществах/ Ф. Боуден, А.Ф. Иоффе. -М.: Мир.-1969.-247с.

51. Wiegand, D.A. Photoproduction of disoder in PbNe and TIN3// Phys. Rev. Bui. -1974. V. 10. - No 4. - P. 1241-1247.

52. Todd, Dr. G. Thermal and photolitic decomposition of the lead azide in air/ Dr. G. Todd, E. Parry//Nature.- 1962. -V. 196.-No 4851.-P.250-253.

53. Захаров, Ю.А. Фотолиз азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе / Ю.А. Захаров, Е.П. Абакумов, Э.П. Суровой // Изв. ТЛИ. 1970. - № 251.-С. 373-382.

54. Суровой, Э.П. Формирование под действием света гетеросистем "азид свинца свинец"/ Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров, JI.H. Бугерко, С.М. Сирик, Л.И. Шурыгина, С.В. Расматова // ЖНиПФиК. - 2001. - Т. 46. - № 3. - С. 1-9.

55. Расматова, С.В. Формирование твердофазного продукта фотохимического разложения гетеросистем "азид свинца металл"// XXIX научная конференция студентов и молодых ученых КемГУ: Сб. науч. тр. Кемерово, 2002. -С.337 -339.

56. Захаров, Ю.А. Низкотемпературный фолтолиз и люминисценция азидов1.lсвинца серебра и таллия / Ю.А. Захаров, С.И. Руколеев, B.C. Лоскутов // Химия высоких энергий. 1979. - Т.13. - №1. - С. 61-65.

57. Суровой Э.П. Влияние металлов на фотохимическую и фотоэлектрическуючувствительность азидов свинца и серебра / Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров /ТЛИ: Томск, 1976. - 24с. - Деп. в ВИНИТИ 20.10.1977г., № 4065-77.

58. Garret, W.L. Photodecomposition kinetics of Pb(N3)2 studied by optical extinction and N2 gasevolution / W.L. Garret, D.A. Wiegand // J. Phys. Chem. 1982. - V.86.- №19. P.3884 - 3894

59. Шурыгина, Л.И. Фотолиз гетеросистем "азид таллия металл'7Л.И. Шурыгина, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химическая физика - 2003. - Т.22. - № 6. - С. 17-22.

60. Шурыгина, Л.И. Автокатализ фотолиза азида таллия/ Л.И. Шурыгина, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химия высоких энергий. 1999. - Т.ЗЗ. - №5. - С. 387- 390.

61. Дубовицкий, A.B. Исследование фотохимического разложения азида серебра/ Е.В. Прохорин, В.В. Яковлев, Г.Б. Манелис // Химия высоких энергий. 1976.- Т.10. -№1. С.59-63.

62. Гавршценко, Ю.В. Математическое моделирование реакций фотолиза азидов тяжелых металлов / Ю.В. Гавршценко, Г.Г. Савельев // Известия ТЛИ. 1970. -№251.-С. 255-267.

63. Кригер, В.Г. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов /В.Г. Кригер, A.B. Ханефт, O.A. Колпаков // Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр. Кемерово, 1981. - С.56-58.

64. Колпаков, О.Л. Кинетические особенности фото и радиационных процессов в системах с ростом центров рекомбинации: Автореф. дисс. канд. физ. мат. наук. - Кемерово. - КемГУ. - 1990. -22с.

65. Кригер, В.Г. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов / В.Г. Кригер, A.B. Ханефт, O.A. Колпаков // Химия твердого состояния: Меж. вуз. сб. научн. тр.- Кемерово, 1981. С.56-58.

66. Захаров, Ю.А. Электроника фотохимического разложения неорганических солей / Ю.А. Захаров, С.И. Руколеев, B.C. Лоскутов // 7 Всес. сов. по кинетике и механизму реакций в твердом теле: Тез. докл. Черноголовка. - 1978. - С. 10 -13.

67. Кригер, В.Г. Физико-химические процессы в системах с ростом центров рекомбинации/ В.Г. Кригер, A.B. Каленский, В.В. Вельк// Известия Вузов. Серия "Физика". 2000. - Т. 43. - № 11. - С. 124-129.

68. Кригер, В.Г. Кинетика и механизмы реакций твердофазного разложения неазидов тяжелых металлов: Дис. доктора физ. мат. наук. - КемГУ. Кемерово, 2002.-369 с.

69. Ханефт, A.B. Топохимическая модель автокаталитического разложения азида свинца// Журнал физической химии. 1982. Т. 66. - №7. - С. 1722-1778.

70. Ханефт, A.B. Механизм образования молекулярного азота при разложении азида свинца // Журнал физической химии. 1996. - T.70. - №4. - С.639-642

71. Ханефт, A.B. Оценка нормальной составляющей скорости роста ядер свинца при термическом разложении азида свинца, // Журнал физической химии. -2001.-Т. 75.-№1.-С. 19-23.

72. Сирик, С.М. Фотолиз азида серебра и гетеросистем "азид серебра металл", "азид серебра - полупроводник": Автореф. дис. канд. . хим. наук. Кемерово: КемГУ, 1999.-20 с.

73. Шурыгина, Л.И. Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе: Автореф. дис. канд. хим. наук. Кемерово: КемГУ, 2000.-20 с.

74. Мейкляр, П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М.: Наука, 1972. - 399 с

75. Смит, Р. Полупроводники. -М.: Мир, 1982. 560с.

76. Бонч-Бруевич В.А., Физика полупроводников/ В.А. Бонч-Бруевич С.Г. Калашников М.: Наука, 1977. - 672с.

77. Киреев, П.С. Физика полупроводников. М: Высшая школа, 1975. - 583 с.

78. Фоменко, B.C. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов / B.C. Фоменко, И.А. Подчерняева/ Справочник. М.: Атомиздат, 1975

79. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1988. Т.1. -С. 116, 379.

80. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1990. Т.2. - С. 443, 551,558.

81. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1992. Т.З. - С. 4.

82. Пипко, А.И. Конструирование и расчет вакуумных систем/А.И. Пипко, B.JI. Плесковский, Е.П. Пенчко. М.: Энергия, 1979. -504 с.

83. Суровой, Э.П. Определение количественных характеристик газового потока методом полного разложения /Э.П. Суровой, С.М. Сирик, JI.H. Бугерко/ Кем-ГУ. Кемерово, 1996. - 15с. - Деп. в ВИНИТИ 24.01.96г., №1677-96.

84. Шустов, М.А. Определение квантового выхода фотолиза по оптическим данным методом полного разложения / М.А. Шустов, Ю.А. Захаров // Изв. ВУЗ. "Хим. и хим. технол." 1979. - Т.22, №7. - С.827-830.

85. Брайнина, Х.З. Инверсионная вольтамперометрия твердых фаз. -М.: Химия, 1972. -С.44-47.

86. Выдра, Ф. Инверсионная вольтамперометрия /Ф. Выдра, К. Штулик, Э. Кулакова М.: Мир, 1980. - 240 с.

87. Полянский, Н.Г. Свинец. М.: Наука, 1986. 357 с.

88. Коренман, И.М. Органические реагенты в неорганическом анализе. М.: Химия, 1980.-448 с.

89. Умланд, Ф. Комплексные соединения в аналитической химии/ Ф. Умланд, А. Янсен, Д. Тиринг, Г. Вюнш М.: Мир, 1975.-530 с.

90. Мохов, А.И. Кинетика и механизм циклообразования этанол амина в комплексных соединениях платины (П): Дис. . канд. хим. наук. Ленинград: ЛХТИ, 1972-118 с.

91. Сирик, С.М Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра/ С.М Сирик, Э.П. Суровой, JI.H. Бугерко// Химическая физика. -2000. -Т.19. -№10. С. 68-71.

92. Сирик, С.М. Закономерности образования твердофазного продукта фотолиза азида серебра/ С.М. Сирик, Э.П. Суровой, J1.H. Бугерко// Химическая физика -2001.-Т. 20.-№12.-С. 15-18.

93. Рабек, Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. М.: Мир, 1985.-Т. 2.-544 с.

94. Барщевсий, Б.У. Связь эффекта Гершеля с электронной фотоэмиссией/ Б.У. Барщевсий, Ю.Я. Гуревич // Доклады Академии наук СССР. 1970. - Т. 191. №1. С. 115-118.

95. Барщевский, Б.У. Частицы металла в диэлектриках / Б.У. Барщевский, Ю.Я. Гуревич//Физика твердого тела. -1970. -Т.12. С.3380-3382.

96. Бродский, A.M. Теория электронной эмиссии из металлов/ А.М. Бродский, Ю.Я. Гуревич -М: Наука, 1973. 265с.

97. Расматова, C.B. Формирование твердофазного продукта фотолиза азида свинца/ C.B. Расматова, В.В. Романова, Е.В. Благун // XXIX научная конф. студентов и молодых ученых КемГУ: Сб. науч. тр. Кемерово, 2002. С. 335 -337.

98. Расматова, C.B. Изучение закономерностей формирования продуктов фотолиза азида свинца// "Студент и научно технический прогресс": Тез. докл. XLI Международ, конф. - Новосибирск, 2003. - С 119 -120.

99. Расматова, C.B. Образование продуктов при фотохимическом разложении азида свинца// "Материаловедение, технологии и экология в третьемтысячелетии": Тез. Докл. II Всеросс. конф. молодых ученых - Томск, 2003. -С. 152.

100. Расматова, C.B. Фотолиз гетеросистем "PbN6(A6) Cu20"// Сб. научн. труд. II - областной научн. конф. "Молодые ученые Кузбассу": - Кемерово, 2003. -С. 175 - 177.

101. Расматова, C.B. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза гетеросистем "азид свинца -металл (Cd, Ni, Pb)// "Студент и научно технический прогресс": Тез. докл. XL Международ, конф.- Новосибирск, 2002-С 184.

102. Расматова C.B. Исследование закономерностей формирования продуктов фотолиза гетеросистем азид свинца оксид меди (I) / C.B. Расматова, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко // Материаловедение. № 7. 2003. С. 18 - 24.

103. Расматова, C.B. Формирование продуктов фотолиза гетеросистем азид свинца оксид меди (I). // Сб. научн. тр. Второй областной научн. конф. "Молодые ученые Кузбассу": - Кемерово, 2003. - С. 170 -172.

104. Расматова, C.B. Фотолиз гетеросистем "PbN6 (Аб) CdTe"// "Ломоносов -2002": Тез. докл. Международ, конф. - М.: МГУ, 2002. - Т.2. - С.-284.

105. Лысов, В.Ф. Практикум по физике полупроводников М.: Просвящение, 1976.-207с.

106. Милне А., Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник /А. Милне, Д. Фойхт М.: Мир, 1966. - 432с.

107. Шарма Б.Л., Полупроводниковые гетеропереходы / Б.Л. Шарма, Р.К. Пуро-хит М: Советское радио, 1979. - 266с.

108. Шалимова, К.В. Физика полупроводников. М. : Энергия, 1976. - 415 с.

109. Ржанов, А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. -М.: "Наука", 1971-480 с.

110. Джеймс, Т. Теория фотографического процесса Л.: Химия, 1973 - 512 с.

111. Бьюб, Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ, 1962. - 558с.

112. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М: Физмат-гю, 1963 - 494 с.

113. Шурыгина, Л.И. Закономерности формирования микрогетерогенных систем при фотолизе азида таллия/ Л.И. Шурыгина, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугер-ко//Химическая физика. 2003. - Т. 22. - № 9. - С. 24 - 28.

114. Сирик, С.М. Катализ фоторазложения азида серебра продуктами реакции/ С.М. Сирик, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Химическая физика. 1999. - Т. 18. -№2.-С. 44-46.

115. Сирик, С.М. Фотолиз гетеросистем AgN3(Aj) металл/ С.М. Сирик, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко// Химическая физика. - 2000. - Т. 19. - №8. - С. 20-23.

116. Сирик, С. М. Кинетика фотолиза гетеросистем азида серебра с теллуридом кадмия и оксидом меди (I)/ С.М. Сирик, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Журнал физической химии. 2000. - Т.74. - №5. - С. 927 - 933.

117. Шурыгина, Л.И. Фотолиз гетерогенных систем азид таллия полупроводник/ Л.И. Шурыгина, Э.П. Суровой, Л.Н. Бугерко//Химическая физика. -2003. -Т. 22.- №6. - С. 17 - 22.

118. Сирик, С.М. Фотолиз гетеросистем азид серебра оксид меди (1)/ С.М. Сирик, Э.П. Суровой, Ю.А. Захаров, Л.Н. Бугерко// ЖНиПФиК- 2002. - Т. 47. -№5. с. 19-27

119. Расматова, C.B. Исследование фотолиза систем на основе "PbN6(A6) -полупроводник"/ C.B. Расматова, И.В. Шахова // XXX апрельская конф. молодых ученых КемГУ: Тез. докл.- Кемерово, 2003. вып. 3. - Т.2. - С. 155-156.

120. Расматова, С.В Фотолиз гетеросистем "азид свинца полупроводник (Си20, CdTe)"// IV -Всеросс. молодежной конф. по физике полупроводников и полупроводниковой опто - и наноэлектронике: Тез. докл.- Санкт - Петербург, 2002. С. 34.

121. Расматова, C.B. Исследование процесса фотолиза гетеросистем "PbNö (Аб)

122. Cu20" // "Материаловедение, технологии и экология в третьем тысячелетии": Тез. докл. П -Всеросс. конф. молодых ученых Томск, 2003. -С. 150.

123. Розовский, А.Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм. -М.: Наука, 1980.-264 с.

124. Расматова, C.B. Определение кинетических параметров фотолиза азида свинца / C.B. Расматова, Л.И. Шурыгина// Сб. научн. трудов II областной научн. конф. "Молодые ученые Кузбассу". - Кемерово, 2003. - С. 174 -175.