Фотоэмиссия поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Амбражей, Антон Николаевич

• Амбражей, Антон Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Амбражей, Антон Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Поляризация. Определение, основные понятия, связанные с поляризацией.

1.2. Механизм оптической ориентации в полупроводниковых кристаллах группы А3В5.

1.3. Создание отрицательного электронного сродства.

1.4. Эмиссия поляризованных электронов из тонких напряженных пленок.

1.5. Эффект ограничения заряда эмиссии.

1.6.Эмиссия электронов из сверхрешеток.

1.6.1. Понятие о сверхрешетках. Их основные типы.

1.6.2 Ненапряженная сверхрешетка АЮаАв-СаАв.

1.6.3. Напряженная сверхрешетка ГпСаАв-СаАя.

1.6.4. Напряженная сверхрешетка ГпСаАв-АЮаАв.

1.6.5. Напряженная СаАя/СаАвР сверхрешетка.

1.7. Эффект ограничения заряда фотоэмиссии в сверхрешетках.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА.

2.1. Конструкция вакуумной установки.

2.2. Система сверхвысоковакуумной откачки.

2.3. Оптическая система.

2.4. Детектор Мотта.

Оглавление

2.5. Компьютерное управление.

2.5.1. Измерение спектра лампы.

2.5.2. Измерение квантового выхода.

2.5.3. Измерение поляризации.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ СВЕРХРЕШЕТОК С МИНИМАЛЬНЫМ РАЗРЫВОМ ЗОНЫ ПРОВОДИМОСТИ.

3.1. Напряженные сверхрешетки АПпОаАв/СаАв.

Образец 3-171.

Образец 3-335.

Образец 3-336.

Образцы 3-382, 3-383.

3.2. Широкозонные напряженные сверхрешетки с минимальным разрывом зоны проводимости.

Образец 3-657.

Образец 3-895.

Образец 3-896.

Образец 3-910.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэмиссия поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых гетероструктур»

Пучки поляризованных по спину электронов (ПЭ) находят широкое применение в различных областях физики [1], например в физике высоких энергий и при исследовании магнетизма поверхностей и тонких пленок. В физике высоких энергий источники поляризованных электронов (ИПЭ) интенсивно используются для исследования зависящей от спина структуры адронов [2,3], для изучения параметров слабого взаимодействия и нейтральных токов [4]. Так в SLAC (Stanford Linear accelerator, Stanford, USA) источник поляризованных электронов на основе напряженного GaAs фотокатода используется для измерения лево-правой асимметрии в рассеянии поляризованных электронов на пучке неполяризованных позитронов.

Эффективные ИПЭ чрезвычайно важны для экспериментов в области ядерной физики и физики элементарных частиц, проводимых на ускорителях электронов высокой энергии. Большинство ныне действующих ускорителей, таких как: MAMI (Mainz Microtron, Mainz, Germany), SLAC или CEBAF (Thomas Jefferson National Laboratory, Newport News, USA) работают с пучками поляризованных электронов. Это же планируется для ускорителей ELSA (Electron Stretcher Accelerator, Bonn, Germany), ELFE (Electron Laboratory For Europe), CLIC (Compact Linear Collider) и NLC (Next Linear Collider).

Эффективность работы ускорителей возрастает квадратично с увеличением степени поляризации пучка. Поэтому, если оптимизация параметров фотокатодов приведет к увеличению поляризации со стандартного на сегодняшний момент значения около 75% до 90%, то продуктивность их работы может быть почти удвоена. Однако не только величину поляризации следует принимать во внимание при оптимизации параметров фотокатодов. Необходимо также учесть другие характеристики, такие как: хороший квантовый выход в точке максимума поляризации, стабильность параметров получаемого пучка, возможность многократной активации катода и большое время жизни. Еще одним важным фактором является сохранение характеристик электронного пучка при обращении направления вектора поляризации.

В физике твердого тела и в физике полупроводников электронная спектроскопия поляризованных электронах оказалась чрезвычайно эффективной для исследования поверхностного магнетизма и магнетизма тонких пленок [5,6,7,8]. Эта методика применялась как к изучению чистых поверхностей, так и границ раздела. Дифракция медленных, поляризованных по спину электронов [9], вторичная электронная эмиссия, стимулированная поляризованными электронами, поляризованная Оже-спектроскопия [10] эффективно используются для изучения поверхностных магнитных фазовых переходов, электронной и магнитной структуры аморфных образцов переходных металлов.

Во всех упомянутых выше экспериментах основная информация получается в результате измерения зависящей от спина асимметрии эффектов, т.е., малых разностей сигналов, регистрируемых при инверсии направления вектора электронной поляризации Р возбуждающего электронного пучка. При этом необходимым условием для детектирования сигнала является наличие электронного пучка большой интенсивности, с высокой поляризацией и хорошей стабильностью параметров при изменении направления электронной поляризации. ИПЭ, использующие фотоэмиссию из полупроводниковых структур при возбуждении циркулярно поляризованным светом, показали себя как наиболее эффективные для подобных экспериментов.

Поэтому в настоящий момент велик интерес к новым полупроводниковым структурам, которые могут послужить основой для ИПЭ, обеспечивающих пучки с большой интенсивностью, высокой степенью поляризации эмитируемых электронов и хорошей стабильностью. Этим и определяется актуальность настоящей работы, посвященной исследованию новых типов эмиттеров и оптимизации их параметров.

В первом поколении полупроводниковых фотокатодов использовались кристаллы ОаАэ, ОаАэР или АЮаАз. При облучении таких катодов циркулярно поляризованным светом эмитируемые фотоэлектроны оказываются поляризованными по спину. Знак поляризации зависит от спиральности света. Эффективная эмиссия электронов достигается за счет создания на поверхности катода состояния с отрицательным электронным сродством. Для этого на атомно-чистую поверхность фотокатода наносят субмонослои цезия и кислорода или кислорода и фтора. Основным недостатком первого поколения фотокатодов является ограничение предельно достижимой величины степени поляризации в 50%. Типичное значение поляризации пучка электронов от данного типа катодов составляет менее 40%.

Кардинальным образом ситуация изменилась в 1991 года, когда были опубликованы первые работы по исследованию фотоэмиссии из тонких напряженных пленок ГпОаАв на буфере ОаАв [11] и ОаАв на буфере ОаАэР [12]. В них сообщалось о преодолении 50% барьера благодаря внесению в систему напряжения за счет рассогласования постоянных решеток рабочего слоя и буфера. Потенциально, катоды на основе тонких напряженных пленок могут обеспечить поляризацию близкую к 100%, однако транспорт электронов от места рождения и выход их в вакуум сопровождается потерями поляризации в 10-20%. На сегодняшний день для фотокатодов второго поколения стандартным является значение поляризации в 70-75%.

Помимо поляризации второй важной характеристикой фотокатода является квантовый выход, который характеризует число эмитируемых электронов от одного фотона возбуждающего излучения. Фотокатоды на основе тонких напряженных пленок превосходят эмиттеры из толстого ОаАэ по величине поляризации, но уступают им по квантовому выходу. Требование высокой поляризации фотоэлектронов в сочетании с хорошим квантовым выходом является противоречивым. Для получения высокой степени поляризации необходимо создавать сильное напряжение в рабочем слое. Однако слой должен быть достаточно тонким, поскольку при толщине большей критической, напряжение релаксирует за счет появления структурных дефектов. Это позволяет говорить о достижении этим типом эмиттеров предела своего совершенствования.

Дальнейшее развитие источников поляризованных электронов будет связано с более сложными структурами, такими как напряженные полупроводниковые сверхрешетки. Они состоят из чередующихся слоев полупроводников с различными постоянными решетки. Новое поколение фотокатодов имеет ряд привлекательных черт. Каждый из слоев, образующих сверхрешетку, может иметь толщину меньше критической, но суммарная толщина сверхрешетки может превышать это значение. Вследствие многослойной структуры сверхрешеток проще реализуется модульное легирование, что существенно для уменьшения потерь во время транспорта к поверхности и решения проблемы ограничения максимального тока, получаемого от катода. Исследование эмиссии поляризованных электронов из новых типов СР и является целью настоящей работы.

В первой главе диссертации рассмотрены принципы возникновения оптической

3 5 ориентации в полупроводниковых кристаллах группы А В и создание отрицательного электронного сродства на поверхности катода. Обобщены имеющиеся на настоящий момент экспериментальные данные по эмиссии поляризованных электронов из ОаАв, тонких напряженных пленок ОаАэ выращенных на ОаАэР буфере, пленок 1пОаА8 на ОаАэ буфере, ОаьхАвРх на ва^АэРу буфере и сверхрешеток (АЮаАз/ОаАэ, ЬгОаАз/ОаАэ, ¡пОаАз/АЮаАз). Рассмотрена проблема ограничения отбираемого от катода заряда с ростом мощности лазерных импульсов для напряженных слоев и сверхрешеток.

Вторая глава посвящена описанию автоматизированного комплекса для исследования фотоэмиссии поляризованных электронов. Особое внимание уделено блоку компьютерного контроля процесса измерения и калибровке детектора поляризации.

В третьей главе обсуждаются результаты исследования эмиссии поляризованных электронов из нового типа А1хОа] .х.уГпуАз/ОаАэ и А1хОа 1 х-у1пуАз/А12Оа 1 2Аэ напряженных сверхрешехок с минимальным разрывом зоны проводимости и четверным соединением в одном из слоев.

Целью работы является экспериментальное исследование фотокатодов третьего поколения на основе напряженных AlxInyGai.x.yAs/GaAs и AlxbiyGai.x-yAs/AlzGai.zAs сверхрешеток, оптимизация их состава и профиля легирования для получения эмиттеров с высокой степенью поляризации, хорошим квантовым выходом, отсутствием эффекта ограничения заряда и перестраиваемым положением максимума поляризации. Научная новизна работы.

1. Развита методика автоматизации эксперимента в спектроскопии ПЭ, обеспечившая высокую точность результатов измерений.

2. Впервые была исследована эмиссия ПЭ из нового типа напряженных полупроводниковых CP AlxInyGai.x.yAs/GaAs и широкозонных AlxInyGai.x-yAs/AlzGai.zAs CP с минимальным разрывом зоны проводимости.

3. Показана возможность создания ИПЭ с варьируемым энергетическим положением максимума поляризации.

Научная и практическая значимость работы заключается с том, что проведена полная автоматизация комплекса по изучению эмиссии поляризованных электронов из полупроводниковых фотокатодов, что позволило получить более детальную информацию о структуре изучаемых образцов. Полученные данные помогают совершенствовать технологию изготовления эмиттеров ПЭ. Исследованы новые типы напряженных CP и показана перспективность их использования в ИПЭ с высокой степенью поляризации, хорошей эффективностью и позволяющих, в перспективе, преодолеть эффект ограничения заряда при импульсном фотовозбуждении.

Апробация результатов работы. Основные результаты данной работы докладывались на 3-й Российской конференции по физике полупроводников (Москва, Россия, 1997), на международных конференциях: «Low Energy Polarized Electron

Workshop LE-98» (С-Петербург, Россия, 1998), «24th International Conference on the Physics of Semiconductors» (Иерусалим, Израиль, 1998), «7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces» (Гетеборг, Швеция, 1999), «International Workshop on Polarized Sources and Targets» (Эрланген, Германия, 1999), и на межвузовской конференции «Фундаментальные исследования в технических университетах» (С-Петербург, Россия, 1999).

Результаты данной работы содержатся в 7 публикациях:

1. Субашиев А.В., Мамаев Ю.А., Жуков А.Н., Копьев П.С., Устинов В.М., Фалеев Н.Н., Амбражей А.Н., "Припороговая эмиссия поляризованных электронов из полупроводниковых сверхрешеток с нулевым разрывом зоны проводимости", Тезисы докладов Ш Всероссийской конференции по физике полупроводников, ФИАН, Москва, 1997, стр. 260.

2. Subashiev A.V., Mamaev Y.A., Yashin Y. P., Ambrazhei A.N.,. Clendenin J.E, Maruyama Т., Mulhollan G.A., Egorov A.Yu., Ustinov V.M. and Zhukov A.E., "Highly efficient near-threshold spin-polarized electron emission from strained superlattices", The Physics of semiconductors, Proceedings of the 24rd Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 1998, World Scientific, 1999, IV-D-25.

3. Yashin Y.P., Mamaev Y.A. and Ambrazhei A.N., "Polarized Electron Photocathodes research at SPES laboratory", Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia, 1998, edited by Mamaev Y.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p.27.

4. Subashiev A.V.,. Mamaev Y.A, Yashin Y.P., Ambrazhei A.N., Clendenin J.E., Maruyama Т., Mulhollan G.A., Egorov A.Y., Ustinov V.M., .Zhukov A.E, "Spin-Polarized Electron Emission from Superlattices with Zero Conduction Band Offset", Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia,1998, edited by Mamaev Yu.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p.55.

5. Амбражей А.Н., Яшин Ю.П., Мамаев Ю.А., "Исследование фотоэмиссии поляризованных электронов из напряженных полупроводниковых катодов", тезисы 3-й всероссийской научно-технической конференции «Фундаментальные исследования в технических университетах», 1999, С-Петербург, Россия, стр.87.

6. Ambrajei A.N., Clendenin J.E., Egorov A.Y., Mamaev Y.A., Maruyama Т., Mulhollan G.A., Subashiev A.V., Yashin Y.P., Ustinov V.M., Zhukov A.E., "Spin-polarized electron transport and emission from strained Superlattices", Abstr. of paper 7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 1999, Goteborg, Sweden, p.37.

7. Ambrajei A.N., Clendenin J.E., Mamaev Y.A., Maruyama Т., Mulhollan G.A., Subashiev A.V., Yashin Y.P., "Spin-Polarized Electron Emission from Strained AlInGaAs/AlGaAs Superlattices", Proceedings of International Workshop "Polarized Sources and Targets", 1999, Erlangen, Germany, p. 117.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Автоматизация комплекса для исследования фотоэмиссии поляризованных электронов из полупроводниковых гетероструктур в диапазоне длин волн возбуждающего излучения от 360 до 1200 нм позволяет достаточно быстро получить детальную информацию о свойствах полупроводниковых гетероструктур.

2. Малая величина разрыва зоны проводимости в напряженных полупроводниковых AlxInyGai.x-yAs/GaAs и AlxInyGaix-yAs/AlzGai-zAs CP обеспечивает высокую подвижность фотовозбужденных электронов в направлении перпендикулярном поверхности образца.

3. Профильное легирование CP обеспечивает высокую поляризацию пучка фотоэлектронов при комнатной температуре наряду с большим квантовым выходом.

4. Использование AlxInyGai.x-yAs/Al2Gai.zAs широкозонных напряженных CP с минимальным разрывом зоны проводимости позволяет реализовать ИПЭ с перестраиваемым положением максимума поляризации по энергии возбуждающего света.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Амбражей, Антон Николаевич

Основные результаты настоящей работы заключаются в следующем:

1. Автоматизация комплекса для исследования фотоэмиссии поляризованных электронов из полупроводниковых гетероструктур позволила получить новую и более детальную информацию о свойствах исследуемых структур.

2. Вследствие малой величины разрыва зоны проводимости в напряженных полупроводниковых СР А1х1пуОа 1 „ХУАз/ваАв и А1х1пуОа 1 -Х.УА$/А 12Оа1.2Аэ достигается высокая подвижность фотовозбужденных электронов в направлении перпендикулярном поверхности образца.

3. Использование профильного легирования в СР обеспечивает высокую поляризацию пучка фотоэлектронов при комнатной температуре наряду с большим квантовым выходом.

4. На основе А1х1пуОа1х-уА8/А12Оа1-2Аз широкозонных напряженных СР с минимальным разрывом зоны проводимости возможно создать ИПЭ с перестраиваемым положением максимума поляризации по энергии возбуждающего света, что является актуальным для ИПЭ, используемых в существующих ускорителях электронов.

Заключение 142

Автор выражает большую благодарность своим научным руководителям профессору Мамаеву Ю.А. за большую помощь в работе над данной диссертацией и доценту Яшину Ю.П., чей вклад в создание экспериментальной установки и проведение всех экспериментов трудно переоценить.

Особая благодарность автора профессору Субашиеву A.B., чьи теоретические результаты позволили разработать исследовавшиеся структуры и достичь определенного понимания физики происходящего.

Большое спасибо всем сотрудникам лаборатории спектроскопии поляризованных электронов и особенно Петрову В.Н. и Галактионову М.С. за помощь в наладке детектора Мотта. Также хочется поблагодарить Оскотского Б.Д. за полезные консультации и Драча И.Н. за помощь в настройке электронного оборудования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Амбражей, Антон Николаевич, 1999 год

1. A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, J.E. Clendenin, Phys. Low-Dim. Struct.,1999,1-2, pi.

2. F. Klein et. al., Nucl. Phys.A, 1997, 623, p.323.

3. J. Becker et. al., Proc. of 12-th International Symposium on High-Energy Spin Physics,

4. Amsterdam, 1996, eds. C.W. de Jager, T.J. Ketel et al., World Scientific, 204.

5. K. Abe et al., Phys. Rev. Lett., 1995, v.75, p.4173.

6. H.C. Siegmann, J. Phys.: Cond. Matt., 1992, v.4, p.8395.

7. H.-J. Drouhin, A. J. van der Sluijs, Y. Lassailly, and G. Lampel, J. Appl. Phys., 1996, v.79, p.4734.

8. C. Carbone, and S. Alvarado, Phys. Rev., 1987, B36,2433.

9. J. Ungrius, A. Seiler, R.J. Celotta, D.T. Pierce, P.D. Johnson and N.V. Smith, Phys. Rev. Lett., 1982, v.49, p.1047.

10. Ю.А. Мамаев, B.H. Петров, C.A. Старовойтов, Письма в ЖТФ, 1987, т.13,1. N12, с.642.

11. P. Fuchs, V.N. Petrov, К. Totland, and M. Landolt, Phys. Rev. B, 1996, v.54, p.9304.

12. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zalapac, J.S. Smith, J.D. Walker, Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, p.2376.

13. T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, K. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata, Phys. Lett., 1991, A158, p. 345.

14. G. Lampel, Phys. Rev. Lett, 1968, v.20, p.491.

15. М.И. Дьяконов, В.И. Перель, ЖЭТВ, 1971, 60, № 5, с. 1954.

16. Оптическая ориентация (под ред. Ф.Майера, Б.П. Захарчени), JL: Наука, 1989.

17. D.T. Pierce, F. Meier, P. Zurcher, Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, p. 670.

18. D.T. Pierce, F. Meier, Phys. Rev., 1976, v.13, p. 5484.

19. Ю. Яшин, А. Климин, Ю. Мамаев, В. Петров и др., ФТТ, 1987, т.29, № 5, с.1441.

20. S.F. Alvarado, F. Ciccacci, S. Valeri, M. Campagna, R. Feder, H. Pleyer, Z. Phys., 1981, B44, p.259.

21. Ю.П. Яшин, A.H. Андронов, А.И. Климин, В.И. Майор, Ю.П. Мамаев,

22. A.Е. Роднянский, ЖТФ, т.34,1989, с.621.

23. Т. Maruyama, R. Prepost, E.L. Garwin, Ch.K. Sinclair, В. Dunham, S. Kalem, Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, p.1689.

24. T. Maruyama, E.L. Garwin, R.A. Mair, R. Prepost, J.S. Smith, J.D. Walker, J. Appl. Phys.1993, v.73, p. 5189.

25. P.JI. Белл, Эмиттеры с отрицательным электронным сродством, М.: Энергия, 1978.

26. К. Togawa, Т. Nakanishi et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 1998, A414, p. 431.

27. Г.Л. Бир, Г.В. Пикус, ФТТ, 1959, v.l, p.136.

28. P. Zorabedian, SLAC Report No 248,1982.

29. T. Maruyama, R. Prepost, E.L. Garwin, Ch.K. Sinclar, B. Dunham, S. Kalem, Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, p.5189.

30. F.Ciccacci, H.-J. Drouthin, C. Herman, R. Hourde, G. Lampel, Appl. Phys. Lett., 1989, v.54, p.632.

31. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zalapac, Phys. Rev., 1992, B46, p.4261.

32. F. Meier, A. Vaterlaus, J.C. Grobli, D. Guarisco, H. Hepp, Yu. Mamaev, Yu. Yashin,

33. B. Yavich, I. Kochnev, Proc. NATO Advanced Research Workshop "lonisation of solids by heavy particles", ed. R.Baragiola, Plenum Press, 1993, p.295.

34. H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, T. Kosugoh, S. Nakamura, T. Nakanishi, S. Okumi, T. Saka, M. Tawada, M. Tsubata, Phys. Lett., 1992, A167, p.415.

35. F. Meier, J.-C. Grobli, D. Guarisco, A. Vaterlaus, Yu.P. Yashin, Yu.A. Mamaev, B.S. Yavich, I.V. Kochnev, Physika Scripta, v. 49,1993, p.574.

36. Yu. Mamaev, J.C. Grobli, B. Yavich, Yu. Yashin, F. Meier, A. Subashiev, N. Faleev, M. Galaktionov, D. Guarisco. I. Kochnev, S. Starovoitov, A. Vaterlaus, E. Reichert, S. Plutzer, SLAC-432,1993, p.157.

37. J.C. Grobli, A. Vaterlaus, D. Guarisco, H. Hepp, F. Meier, Yu. Yashin, Yu. Mamaev, B. Yavich, I. Kochnev, Helv. Phys. Acta, 1993, v.66, p.75.

38. Yu. Mamaev, Yu. Yashin, A. Subashiev, M. Galaktionov, B. Yavich, O. Kovalenkov, D. Vinokurov, N. Faleev, Phys. Low-Dim. Struct., 1994, v.7, p.27.

39. H.C. Casey, M.B. Panish, Heterestructure laser, Academic Press, New York, 1978.

40. T. Nakanishi, H. Aoyagi, H. Horinaka, Y. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka and M. Tsubata, Phys. Letters, 1991, A 158, p. 345.

41. G. Vegara, A. Herrera-Gomez, W.E. Spicer, Proceedings of SPIE, 1995. v.2550, p.142.

42. Y. Yabet, Metals Solid State Phys., ed. F. Seits and B.Tumbull, 1963,14, p.l.

43. Г.Л. Вир, А.Г. Аронов, Г.В. Пикус, ЖЭТФ, 1975, т.69, с.1382.

44. Дьяконов М.И., Перель, ФТТ, 1971, т.13, с.3581.

45. Yu.P. Yashin, Yu.A. Mamaev,A.N. Ambrazhei,. Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia, 1998, edited by Mamaev Y.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p.27.

46. B.D. Oskotskij, A.V. Subashiev, Y.A. Mamaev, Low-Dim.Struct.,1997 v.1-2, p.77.

47. L.G. Gerchikov and A.V. Subashiev, J. Appl. Phys., 1996, v.80, p.6008.

48. L.G. Gerchikov, B.D. Oskotsky, and A.V. Subashiev, Proceedings of 12th International Simposium on High-Energy Spin Physics, edited by C.W. de Jager, T.J. Ketel, P.J. Mulders et al., World Scientific, Singapore, 1997, p.746.

49. A.V. Subashiev, Proceedings of 12th International Symposium on High-Energy Spin Physics, edited by C.W. de Jager, T.J. Ketel, P.J. Mulders et al., World Scientific, Singapore, 1997, p.749.

50. A.S. Jaroshevich, М.А. Kirillov, D.A. Orlow, A.G. Paulish, H.E. Sheibler, A.S. Terechov, Proc. of 7-th fnt. Workshop on Polarized Gas Targets and Polarized Beams, Urbana, 1997, p.485.

51. Y.B. Bolkovityaninov, A.M. Gilinsky, C.W. de Jager et al. Proc. 12-th Intern. Symp. on High-Energy Spin Physics, ed. by C.D.W. de Jager et al., Word Scientific, Singapore, 1997, p.700

52. H. Tang, R.K. Alley, H. Aoyagy, J.E. Clendcnin et al., Proc. of the Workshop on Photocathodes for Polarized Electron Sources for Accelrators, SLAC-432,1994, p. 344.

53. M.Woods et al., J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.8531.

54. Л.В. Келдыш, ФТТ, 1962, т.4 с. 2265.

55. A .Я. Шик, Двумерные квантовые структуры, СПб., 1993, с. 7.

56. L. Esaki, R. Tsu, IBM J.Res. and Develop., 1970, v.14, p.145.

57. G.C.Osborn, Proc. of the Thin films and interfaces symposium, Boston, USA, 1984.

58. А.П. Силин, УФН том 147, вып.3,1985.

59. T.Omori et al., Phys. Rev. Lett., 1991, т.67, с.3294.

60. T.Omori et al, Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v.33, p.5670.

61. T. Nakanishi, S. Okumi, K. Togawa et. al, Proc of Polarized Gas Targets and Polarized Beams: Seven International Workshop, 1998, p.300.

62. T. Nakanishi, S. Okumi, K. Togawa et. al,. Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia, 1998, edited by Mamaev Y.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p. 118.

63. Yu. Mamaev, A. Subashiev, Yu. Yashin, Phys. Low-Dim. Srtuct., 1995, v.10/11, p.61.

64. И. А. Меркулов, В.И. Перель, M.E. Портной, ЖЭТФ, 1991, т.99, с.1202.

65. Л.Г. Герчиков, Г.В. Рожнов, A.B. Субашиев, ЖЭТФ, 1992, т.101, с. 286.

66. М.Е,Компан, Б.П.Захарченя, Письма в ЖЭТФ, 1974, т.19, с.734.

67. М.Е,Компан, В.Г.Флейшер, ПТЭ, 1975, No3, с. 223.

68. И. Кесслер, Поляризованные электроны, М:.,Мир,1988.

69. N. Jasperson, R.J. Schatterly, Rev. Sei. Instr., 1969, v.90, p.761.

70. D.M. Campbell, C. Hermann, G. Lampel, R. Owen, J.Phys.E.: Sei. Instrum., 1985, v.18, p.664.

71. Fink M., Yates A.C., At.Data, 1970, v.l, p385.

72. G. Mulhollan, Proc. of the Workshop on Photocathodes for Polarized Electron Sources for Accelerators, SLAC-432,1994, p.211.

73. M.J.Snelling et al, J. Luminescense, 1990, v.45, p.208.

74. P.Baumgart et al., Appl. Phys. Lett., 1994, v.64(5), p.592.

75. A.B. Субашиев, Ю.А. Мамаев, A.H. Жуков, П.С. Копьев, В.М. Устинов,

76. H.H. Фалеев, А.Н. Амбражей, Тезисы докладов III Всероссийской конференции по физике полупроводников, ФИАН, Москва, 1997, стр. 260.

77. A.V. Subashiev, Y.A Mamaev., Y.P. Yashin, A.N. Ambrazhei,. J.E. Clendenin,

78. Т. Maruyama, G. A. Mulhollan, A.Y. Egorov, V.M. Ustinov and A.E. Zhukov, The Physics of semiconductors, Proceedings of the 24rd Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Jerusalem, Israel, August 1998, World Scientific, 1999, IV-D-25.

79. A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, A.N. Ambrazhei, E. Clendenin,

80. T. Maruyama, G.A. Mulhollan, A.Yu. Egorov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia,1998, edited by Mamaev Y.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p.55.

81. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Proc. of the Low energy Polarized Electron Workshop LE98, St. Petersburg, Russia,1998, edited by Mamaev Y.A. et al., SPES-Lab-Pub., 1998, p.157.

82. C.P. Krijn, Semicond. Sei. Technol, 1991, v.6, p. 27.

83. D.J. Arent et al., Appl. Phys., 1998, v.66, p.1739.

84. G.Ji. Huang et al., J. Vac. Sei. Technol., 1998, B5, p.1346.1. Литература 148

85. Л.Г. Герчиков, Г.В. Рожнов, A.B. Субашиев, ЖЭТФ, 1992, т.74, с.77.

86. А.Н. Амбражей, Ю.П. Яшин, Ю.А. Мамаев, тезисы 3-й всероссийской научно-технической конференции Фундаментальные исследования в технических университетах, 1999, С-Петербург, Россия, с.87.

87. A.N. Ambrajei, J.E. Clendenin, A.Y. Egorov, Y.A. Mamaev, Т. Maruyama,

88. G.A. Mulhollan, A.V. Subashiev, Y.P. Yashin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Abstr. of paper 7th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, 1999, Goteborg, Sweden, p.37.

89. A.N. Ambrajei, J.E. Clendenin, Y.A. Mamaev, T. Maruyama, G.A. Mulhollan,

90. A. V. Subashiev, Y.P. Yashin, Proc. of International Workshop от Polarized Sources and Targets, 1999, Erlangen, Germany, p.117.