Исследование процессов оптической ориентации и деполяризации электронов при вертикальном транспорте в полупроводниковых гетероструктурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Рощанский, Александр Владимирович

• Рощанский, Александр Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рощанский, Александр Владимирович

Оглавление.

Введение.

1. Литературный обзор.

1.1. Поляризация. Определение, основные понятия, связанные с поляризацией.

1.2. Механизм оптической ориентации в полупроводниковых кристаллах группы

1.3. Оптическое выстраивание импульсов электронов в полупроводниках типа арсенида галлия.

1.3.1. Спектр горячей фотолюминесценции.

1.3.2. Оптическая ориентация электронов по спину и циркулярная поляризация ГФЛ.

1.4. Спиновая релаксация носителей при оптической ориентации в полупроводниках.

1.4.1. Зонная структура, механизмы рассеяния и электронно-дырочный обмен в прямозонных кристаллах А3В5.

1.4.2. Механизм спиновой релаксации Эллиота и Яффета.

1.4.3. Механизм спиновой релаксации Дьяконова - Переля.

1.4.4. Механизм спиновой релаксации Бира-Аронова-Пикуса.

1.4.5. Сравнение эффективности различных механизмов спиновой релаксации.

1.4.6. Результаты экспериментальных исследований скорости спиновой релаксации свободных носителей в кристаллах А3В5.

1.4.7. Зависимость скорости спиновой релаксации от концентрации акцепторов.

1.5. Создание отрицательного электронного сродства.

1.6. Эмиссия поляризованных электронов из тонких напряжённых плёнок.

1.7. Эмиссия поляризованных электронов из сверхрешеток.

Глава 2. Экспериментальная установка.

2.1. Конструкция вакуумной установки.

2.2. Система сверхвысоковакуумной откачки.

2.3. Оптическая система.

2.4. Детектор Momma.

2.5. Компьютерное управление.

2.5.1. Измерение спектра лампы.

2.5.2. Измерение квантового выхода.

2.5.3. Измерение поляризации.

Глава 3. Исследование процессов спиновой релаксации при вертикальном транспорте в тонких ненапряжённых слоях арсенида галлия.

3.1. Структура образцов.

3.2. Экспериментальные данные.

3.2.1. Образец толщиной 70 нм.

3.2.2. Образец толщиной 100 нм.

3.2.3. Образец толщиной 150 нм.

3.2.4. Образец толщиной 300 нм.

3.3. Анализ экспериментальных данных.:.

Глава 4. Эмиссия поляризованных электронов из AIInGaAs/GaAs и AIInGaAs/AIGaAs ^ сверхрешёток.

4.1. Эмиссия поляризованных электронов из AIInGaAs/GaAs сверхрешёток с различной чётностью числа атомных слоев.

4.1.1. Структура образцов.

4.1.2. Экспериментальные результаты и их анализ.

4.2. Эмиссия поляризованных электронов из AIInGaAs/AIGaAs сверхрешёток.

4.2.1. Образец с содержанием алюминия х = 0.28.

4.2.2. Образец с содержанием алюминия х = 0.30.

4.2.3. Образец с содержанием алюминия х = 0.36.

4.2.4. Образец с содержанием алюминия х = 0.40.

4.3. Исследование эффекта ограничения заряда эмиссии.

Глава 5. Эмиссия поляризованных электронов из сбалансированных по напряжению сверхрешёток.

5.1. Компенсированные сверхрешётки W58 и W6, проверка идеи компенсации напряжения.

5.2. Компенсированные сверхрешётки с увеличенным напряжением в слоях АПпСаАя.

5.3. Компенсированные сверхрешётки с оптимизированным составом слоев.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов оптической ориентации и деполяризации электронов при вертикальном транспорте в полупроводниковых гетероструктурах»

Пучки поляризованных по спину электронов (ПЭ) находят широкое применение в различных областях физики [1], например в физике высоких энергий и при исследовании магнетизма поверхностей и тонких пленок. В физике высоких энергий источники поляризованных электронов (ИПЭ) интенсивно используются для исследования зависящей от спина структуры адронов [2], для изучения параметров слабого взаимодействия и нейтральных токов [3]. Так в SLAC (Stanford Linear accelerator, Stanford, USA) источник поляризованных электронов на основе напряженного GaAs фотокатода используется для измерения лево-правой асимметрии в рассеянии поляризованных электронов на пучке неполяризованных позитронов. Исследуя сечение образования фермион-антифермионных пар е*е~ -» f f при энергиях, близких к порогу образования W бозонов, можно получить информацию об особенностях слабого взаимодействия и пределах применимости Стандартной Модели [4].

Эффективные ИПЭ чрезвычайно важны для экспериментов в области ядерной физики и физики элементарных частиц, проводимых на ускорителях электронов высокой энергии. Большинство ныне действующих ускорителей, таких как: MAMI (Mainz Microtron, Mainz, Germany), SLAC или CEBAF (Thomas Jefferson National Laboratory, Newport News, USA) работают с пучками поляризованных электронов.

Эффективность работы ускорителей возрастает квадратично с увеличением степени поляризации пучка. Поэтому, если оптимизация параметров фотокатодов приведет к увеличению поляризации со стандартного на сегодняшний момент значения около 75% до 90%, то продуктивность их работы может быть почти удвоена. Однако не только величину поляризации следует принимать во внимание при оптимизации параметров фотокатодов. Необходимо также учесть другие характеристики, такие как: высокий квантовый выход в точке максимума поляризации, стабильность параметров получаемого пучка, возможность многократной активации катода и большое время жизни. Еще одним важным фактором является сохранение характеристик электронного пучка при обращении направления вектора поляризации электронов.

В физике твердого тела и в физике полупроводников электронная спектроскопия поляризованных электронах оказалась чрезвычайно эффективной для исследования поверхностного магнетизма и магнетизма тонких пленок [5,6]. Эта методика применялась как к изучению чистых поверхностей, так и границ раздела. Дифракция медленных, поляризованных по спину электронов [7], вторичная электронная эмиссия, стимулированная поляризованными электронами, поляризованная Оже-спектроскопия [8] эффективно используются для изучения поверхностных магнитных фазовых переходов, электронной и магнитной структуры аморфных образцов переходных металлов.

Во всех упомянутых выше экспериментах основная информация получается в результате измерения зависящей от спина асимметрии эффектов, т.е., малых разностей сигналов, регистрируемых при инверсии направления вектора электронной поляризации Р возбуждающего электронного пучка. При этом необходимым условием для детектирования спинзависимого сигнала является наличие электронного пучка большой интенсивности, с высокой поляризацией и хорошей стабильностью параметров при изменении направления электронной поляризации. ИПЭ, использующие фотоэмиссию из полупроводниковых структур при возбуждении циркулярно поляризованным светом, показали себя как наиболее эффективные для подобных экспериментов.

В первом поколении полупроводниковых фотокатодов использовались кристаллы ваАБ, ваАзР или АЮаАэ. При облучении таких катодов циркулярно поляризованным светом эмитируемые фотоэлектроны оказываются поляризованными по спину. Знак поляризации зависит от спиральности света. Эффективная эмиссия электронов достигается за счет создания на поверхности катода состояния с отрицательным электронным сродством. Для этого на атомно-чистую поверхность фотокатода наносят субмонослои цезия и кислорода или кислорода и фтора. Основным недостатком первого поколения фотокатодов является ограничение предельно достижимой величины степени поляризации в 50%. Типичное значение поляризации пучка электронов от данного типа катодов составляет менее 40%.

Кардинальным образом ситуация изменилась в 1991 года, когда были опубликованы первые работы по исследованию фотоэмиссии из тонких напряженных пленок ¡пваАз на буфере ваАз [9] и ваАэ на буфере ваАвР [10]. В них сообщалось о преодолении 50% барьера благодаря внесению в систему напряжения за счет рассогласования постоянных решеток рабочего слоя и буфера. Потенциально, катоды на основе тонких напряженных пленок могут обеспечить поляризацию близкую к 100%, однако транспорт электронов от места рождения и выход их в вакуум сопровождается потерями поляризации в 10-20%. На сегодняшний день для фотокатодов второго поколения стандартным является значение поляризации в 70-75%.

Помимо поляризации второй важной характеристикой фотокатода является квантовый выход, который характеризует число электронов, эмитируемых при поглощении одного фотона возбуждающего излучения. Фотокатоды на основе тонких напряженных пленок превосходят эмиттеры из толстого ОаАв по величине поляризации, но уступают им по квантовому выходу. Требование высокой поляризации фотоэлектронов в сочетании с хорошим квантовым выходом является противоречивым. Для получения высокой степени поляризации необходимо создавать сильное напряжение в рабочем слое. Однако слой должен быть достаточно тонким, поскольку при толщине большей критической, напряжение релаксирует за счет появления структурных дефектов.

Другим путём развития ИПЭ является использование более сложных структур, таких как напряженные полупроводниковые сверхрешетки. Они состоят из чередующихся слоев полупроводников с различными постоянными решетки. Такие фотокатоды имеют ряд привлекательных черт. Каждый из слоев, образующих сверхрешетку, может иметь толщину меньше критической, но суммарная толщина сверхрешетки может превышать это значение. Вследствие многослойной структуры сверхрешеток проще реализуется модульное легирование, что существенно для уменьшения потерь во время транспорта к поверхности и решения проблемы ограничения максимального тока, получаемого от катода. Однако, расчёт таких структур достаточно сложен и, как показывают современные экспериментальные данные, не всегда согласуется с экспериментом. Процессы спинового транспорта и спиновой релаксации в гетероструктурах имеют свои особенности, которые в настоящее время изучены недостаточно хорошо, что затрудняет оптимизацию фотокатодов на основе полупроводниковых сверхрешёток. Поэтому в настоящее время остро встал вопрос решения задачи оптимизации параметров таких катодов, которая позволила бы подавить механизмы спиновой релаксации на различных стадиях фотоэмиссии ПЭ при сохранении неизменными высокой интенсивности и хорошей стабильности источника.

Таким образом, более глубокое исследование процессов спинового транспорта в сверхрешётках имеет важное значение для дальнейшего усовершенствования ИПЭ. Этим и определяется актуальность настоящей работы, посвященной исследованию механизмов спиновой релаксации при вертикальном транспорте электронов в полупроводнике и выходе в вакуум для различных гетероструктур на основе соединений ОаАэ.

В первой главе диссертации рассмотрены принципы возникновения оптической ч < ориентации в полупроводниковых кристаллах группы А В и создание отрицательного электронного сродства на поверхности катода. Приведены результаты теоретических расчётов скорости деполяризации электронов для различных механизмов спиновой релаксации. Обобщены имеющиеся на настоящий момент экспериментальные данные по эмиссии поляризованных электронов из соединений А3В5, а также тонких напряжённых слоёв и полупроводниковых сверхрешёток.

Вторая глава посвящена описанию автоматизированного комплекса для исследования фотоэмиссии поляризованных электронов.

В третьей главе обсуждаются результаты исследования эмиссии поляризованных электронов из катодов на основе ненапряжённого арсенида галлия с различной толщиной рабочего слоя. Полученные данные позволяют оценить вклад различных механизмов деполяризации на разных этапах фотоэмиссии. Кроме того, получена количественная оценка максимально достижимого значения степени поляризации пучка фотоэлектронов для полупроводниковых эмиттеров на основе соединений А3В5.

В четвёртой главе рассмотрены результаты исследования влияния пониженной симметрии на гетерограницах полупроводниковых СР на оптические свойства структур и спиновый транспорт электронов, а также изложены результаты исследований поляризованной фотоэмиссии из новых структур на основе АИпОаАз/АЮаАэ СР с максимальным разрывом валентной зоны. Показано, что такие структуры позволяют достичь рекордных параметров по отбираемому от катода току и решить проблему ограничения заряда эмиссии, обладая при этом поляризацией, сравнимой с лучшими мировыми результатами. ;

Пятая глава посвящена эмиссии поляризованных электронов из компенсированных полупроводниковых сверхрешёток ОаАзРЛпАЮаАэ. Продемонстрировано, что использование структур, компенсированных по напряжению относительно буфера, является одним из перспективных направлений оптимизации параметров полупроводниковых сверхрешёток.

Целью работы является экспериментальное исследование процессов спинового транспорта и спиновой релаксации в полупроводниковых структурах на основе тонких ненапряжённых слоев ваАв, полупроводниковых сверхрешёток АПпСаАз/АЮаАБ и компенсированных по напряжению полупроводниковых сверхрешёток ОаАзРЛпАЮаАз, а также оптимизация их состава и профиля легирования для получения эмиттеров с высокой степенью поляризации, вьгсоким квантовым выходом и отсутствием эффекта ограничения заряда.

Научная новизна работы.

1. Впервые исследована эмиссия поляризованных электронов из нового типа сбалансированных по напряжению полупроводниковых сверхрешёток А1х1пуСа|.х.уАз/СаАз1гРг.

2. Впервые методом поляризованной фотоэмиссии исследовано влияние пониженной симметрии на гетерограницах полупроводниковых сверхрешёток на оптические свойства структуры и спиновый транспорт электронов.

3. Впервые исследована эмиссия поляризованных электронов из нового типа полупроводниковых сверхрешёток АЦСа^хАз/АуПгСаьу-гАБ с увеличенным разрывом валентной зоны.

4. Впервые произведена количественная оценка потерь поляризации при нахождении электронов в области изгиба зон на границе полупроводник-вакуум и при выходе в вакуум через активационный слой для полупроводниковых гетероструктур с приповерхностным слоем арсенида галлия.

Научная и практическая значимость работы заключается с том, что полученные данные помогают совершенствовать методы проектирования эмиттеров поляризованных электронов. Исследованы новые типы напряженных и компенсированных по напряжению сверхрешёток и показана перспективность их использования в источниках поляризованных электронов с высокой степенью поляризации, хорошей эффективностью и позволяющих преодолеть эффект ограничения заряда при импульсном фотовозбуждении.

Апробация результатов работы. Основные результаты данной работы докладывались и обсуждались на Всероссийских и международных конференциях и симпозиумах: 7 международном симпозиуме «New approaches to High-Tech: Nondestructive Testing and computer simulations in Science and Engineering» (Санкт-Петербург, Россия, 2003), международном симпозиуме «Наноструктуры: Физика и Технологии» (Санкт-Петербург, Россия, 2001), международном симпозиуме SPIN 2002 (Бостон, США, 2002), 9 международном симпозиуме «Polarized Sources and Targets» (Блумингтон, США, 2001) и пятой Российской конференции по физике полупроводников (2001). Результаты данной работы содержатся в 9 публикациях:

1. Kinetics of highly spin-polarized electron photoemission from InGaAlAs strained layer by energy and spin-resolved measurements / Yu. Mamaev, H.-J.Drouhin, G.Lampel, A. Subashiev, Yu. Yashin and A.Rochansky // Journal of Applied Physics.- 2003.- v. 93.- p. 9620-9632

2. Новые сверхрешетки на основе GalnP для эмиссии спин-поляризованных электронов / Ю. А. Мамаев, А. В. Субашиев, А.Д.Андреев, Ю.П. Яшин, А.В. Рощанский // Тезисы докладов 5 Всероссийской конференции по физике полупроводников,- Нижний Новгород, 2001.- т. 2.- с. 117-118

3. Polarized electron photoemission studies of spin relaxation in thin GaAs epitaxial films / Yu. A. Mamaev, A. V. Subashiev, A.N. Ambrajei, A.V. Rochansky // Proceedings of 9th International Symposium "Nanostructures: physics and technology".- St.-Petersburg, Ioffe institute, 2001.-p. 234-237

4. Polarized emission from strained superlattices / A.D. Andreev, A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, A.N. Ambrajei, A.V. Rochansky // 9-th International Workshop on Polarized Sources and Targets, eds. V.P.Derenchuk and B. von Przewoski- Word Scientific, 2002 - p.161-163.

5. Strain-compensated Superlattices for Highly-polarized Electron Emission / L.G. Gerchikov, A.N. Ipatov, Yu.A. Mamaev, A.V. Subashiev, A.V. Rochansky Yu.P. Yashin, J.S. Roberts and P.A. Houston // SPIN 2002 proceedings - AIP, Melville, New York, 2003.- p. 905-909.

6. Optical orientation in strained-barrier GaAs-AlInGaAs superlattices with controlled parity of atomic layers / L.G. Gerchikov, A.V. Subashiev, Yu. A. Mamaev, A.V. Rochansky и др. // Proceedings of SPAS.- The St.-Petersburg Academy of Sciences on Strength Problems, 2002-v. 6.- p. A6-A9

7. Spin-polarized electron transport and emission from strained Superlattices / Yu. A. Mamaev, A. V. Subashiev, A. N. Ambrajei, A.V. Rochansky // Proceedings of SPIE, Ed. A.I.Melker,.-Bellingham USA, 2001 - v.4348.-p. 39-43

8. Spin polarized field assistant emission / Yu. Mamaev, H.-J.Drouhin, G.Lampel, A. Subashiev, Yu.Yashin and A. Rochansky // Proceedings of SPAS- The St.-Petersburg Academy of Sciences on Strength Problems, 2002.- 6- p. A17-A20.

9. A.B Рощанский, Д.А. Васильев.- Спиновая релаксация электронов в тонких плёнках GaA // Материалы VI Всероссийской конференции по проблемам науки и высшей школы «Фундаментальные исследования в технических университетах».- Издательство СПбГПУ, 2002.- с. 137-138

Основные положения, выносимые на защиту:

1. При поляризованной фотоэмиссии из полупроводниковых гетероструктур с приповерхностным слоем арсенида галлия потери поляризации в области приповерхностного изгиба и при выходе в вакуум через активационный слой составляют 6-8% по относительной величине и ограничивают максимально возможную поляризацию электронов, эмитируемых из таких структур на уровне 92-94%.

2. Компенсированные по напряжению полупроводниковые сверхрешётки AlxInyGai-x-yAs/GaAsizPz могут быть использованы в качестве фотокатодов для источников поляризованных электронов и имеют хороший потенциал для дальнейшей оптимизации параметров.

3. Пониженная симметрия интерфейсов на гетерограницах полупроводниковых сверхрешёток не влияет на максимальное значение поляризации в главном поляризационном максимуме, однако оказывает существенное влияние на положение второго максимума и минимума в поляризационном спектре.

4. Использование AlylnzGai-y-zAs/AlxGai-xAs широкозонных напряженных сверхрешёток с увеличенным расщеплением валентной зоны позволяет реализовать источники поляризованных электронов с высокой поляризацией и отсутствием эффекта ограничения заряда фотоэмиссии. К

1. Литературный обзор.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Рощанский, Александр Владимирович

Основные результаты настоящей работы заключаются в следующем:

Показано, что:

1. При поляризованной фотоэмиссии из полупроводниковых гетероструктур с приповерхностным слоем арсенида галлия потери поляризации в области приповерхностного изгиба и при выходе в вакуум через активационный слой составляют 6-8% по относительной величине и ограничивают максимально возможную поляризацию электронов, эмитируемых из таких структур на уровне 92-94%.

2. Компенсированные по напряжению полупроводниковые сверхрешётки АЦпуСаих-уАз/СаАз^Рг могут быть использованы в качестве фотокатодов для источников поляризованных электронов и имеют хороший потенциал для дальнейшей оптимизации параметров.

3. Пониженная симметрия интерфейсов на гетерограницах полупроводниковых сверхрешёток не влияет на максимальное значение поляризации в главном поляризационном максимуме, однако оказывает существенное влияние на положение второго максимума и минимума в поляризационном спектре.

4. Использование AlyInzGaiyzAs/AlxGaixAs широкозонных напряженных сверхрешёток с увеличенным расщеплением валентной зоны позволяет реализовать источники поляризованных электронов с высокой поляризацией и отсутствием эффекта ограничения заряда фотоэмиссии.

Автор выражает благодарность своему научному руководителю профессору Мамаеву Ю.А. за большую помощь в работе над данной диссертацией, а также доценту Яшину Ю.П., чей вклад в создание экспериментальной установки и проведение всех экспериментов трудно переоценить.

Особая благодарность автора профессору Субашиеву A.B., чьи теоретические исследования позволили разработать и оптимизировать исследовавшиеся структуры.

Также хочется поблагодарить Драча И.Н. за помощь в настройке электронного оборудования и сотрудников лаборатории по исследованию поляризованных фотокатодов Стэндфордского линейного ускорительного центра Джеймса Кленденина и Такаши Маруяму за помощь и поддержку в проведении измерений в США.

Заключение

Прведённые исследования фотоэмиссии поляризованных электронов из тонких ненапряжённых слоёв арсенида галлия позволили получить оценку максимально достижимого значения поляризация для ИПЭ, использующих фотоэмиссию из фотокатодов с поверхностным слоем арсенида галлия.

Впервые методами поляризованной фотоэмиссии было исследовано влияние эффектов понижения симметрии на гетерограницах полупроводниковых структур на оптические свойства катодов, а также влияние чётности числа атомных монослоёв на процессы спинового транспорта в полупроводниковых сверхрешётках.

Впервые были исследованы полупроводниковые сверхрешётки AlxInyGai.-x.yAs/AlzGai.zAs с увеличенным расцеплением валентной зоны. Полученные после оптимизации состава и профиля легирования параметры фотоэмиттеров на основе широкозонных сверхрешеток, такие как поляризация в 80-81% при соответствующем квантовом выходе около 1% и отсутствие эффекта ограничения заряда, находятся на уровне высших мировых достижений в этой области. В целом такие сверхрешетки представляются достойными кандидатами для того чтобы заменить традиционно использующиеся в настоящее время источники на основе напряженных СэАб пленок и ОаАэР сверхрешёток.

Прведённые исследования поляризованной фотоэмиссии из скомпенсированных по напряжению сверхрешёток показали, что такие структуры могут быть использованы в качестве фотокатодов для источников поляризованных электронов. Поскольку имеются широкие возможности по дальнейшей оптимизации параметров таких сверхрешёток, с их развитием может быть связан значительный прогресс в области разработки эффективных фотокатодов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рощанский, Александр Владимирович, 2003 год

1. A.V. Subashiev, Yu.A. Mamaev, Yu.P. Yashin, J.E. Clendenin, Phys. Low-Dim. Struct., 1999,1-2, p. 1.

2. F. Klein et. al., Nucl. Phys.A, 1997,623, p.323.

3. K. Abe et al., Phys. Rev. Lett., 1995, v.75, p.4173.

4. Morris L. Swartz, Physics with Polarized Electron Beams, SLAC-PUB-4656, p. 47.

5. H.C. Siegmann, J. Phys.: Cond. Matt., 1992, v.4, p.8395.

6. II.-J. Drouhin, A. J. Van der Sluijs, Y. Lassailly, and G. Lampel, J. Appl. Phys., 1996, v.79, p.4734.

7. Ю.А. Мамаев, B.H. Петров, C.A. Старовойтов, Письма в ЖТФ, 1987, т.13, N12, с.642.

8. P. Fuchs, V.N. Petrov, К. Totland, and M. Landolt, Phys. Rev. B, 1996, v.54, p.9304.

9. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zalapac, J.S. Smith, J.D. Walker, Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, p.2376.

10. T. Nakanishi, H. Aoyagi, II. Horinaka, K. Kamiya, T. Kato, S. Nakamura, T. Saka, M. Tsubata, Phys. Lett., 1991, A158, p. 345.

11. G. Lampel, Phys. Rev. Lett, 1968, v.20, p.491.

12. М.И. Дьяконов, В.И. Перель, ЖЭТВ, 1971,60, № 5, с. 1954.

13. Оптическая ориентация, ред. Ф.Майера, Б.П. Захарчени, JL: Наука, 1989.

14. D.T. Pierce, F. Meier, P. Zurcher, Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, p. 670.

15. S.F. Alvarado, F. Ciccacci, S. Valeri, M. Campagna, R. Feder, II. Pleyer, Z. Phys., 1981, B44, p.259.

16. Ю.П. Яшин, A.H. Андронов, А.И. Климин, В.И. Майор, Ю.П. Мамаев, А.Е. Роднянский, ЖТФ. 1989. т.34, с.621.

17. Земский В.И., Захарченя Б.П., Мирлин Д.Н., Письма в ЖЭТФ, 1976, Т.24, с 96.

18. Дымников В.Д., Дьяконов М.И., Перель В.И., ЖЭТФ, 1976, Т. 71, с. 2373.

19. Дьяконов М.И., Перель В.И., // «Оптическая ориентация», ред. Захарченя Б.П., Майер Ф. JL: Наука, 1989.

20. Дымников В.Д., ФТТ, 1977, Т. 11, с. 1850

21. Данишевский А.М., Ивченко ЕЛ., Кочегаров С.Ф., Субашиев В.К., ФТТ, 1985, Т. 27, с. 710.

22. Bell R.L. Negative Electron affinity devices. Oxford: Clarendon Press, 1973.

23. Pierce D. T. Celotta R. J. Wang G.-C. "Rev. Sci. Instrum." 1980, v. 51, p. 478.

24. Lampel G. Eminyan M. "J. Phys. Soc. Japan." 1980, v. 49, Suppl. A. P. 6358.

25. Y. Yabet, Metals Solid State Phys., ed. F. Seits and B.Tumbull, 1963,14, p.l.

26. Г.Л. Бир, А.Г. Аронов, Г.В. Пикус, ЖЭТФ, 1975, т.69, с.1382.

27. Дьяконов М.И., Перель, ФТТ, 1971, т.13, с.3581.

28. Kane Е. О. J. Phys. Chem. Sol. 1957, Vol. 1. P 182.

29. Kane E. O. J. Phys. Chem. Sol. 1957, Vol. 1. P 249.

30. Пикус Г.Е. Бир ГЛ. ЖЭТФ, 1971, T. 60, с. 195.

31. Elliott P.J. Phys.Rev. 1954, Vol. 96, P. 266.

32. Yafet Y. Solid State Physics, 1963, Vol 14, P. 1

33. Павлов C.T., Фирсов Ю.А., ФТТ, 1965, T. 7, С. 2634

34. Абакумов В.Н., Яссиевич И.Н., ЖЭТФ, 1971, Т. 61, С. 251.

35. Chazalviel J. Phys.Rev. В. 1975, Vol. 11, P. 1555.

36. ДьяконовМ.И., Марущак В.А., Перель В.И.,, ЖЭТФ, 1986, Т. 90, с. 1023.

37. ДьяконовМ.И., Перель В.И. ЖЭТФ, 1971, Т. 60, с. 1954.

38. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е., Такунов Л.В., ФТТ, 1978, Т. 20, С. 2598.

39. Бир Г.Л. Аронов А.Г. Пикус Г.Е. ЖЭТФ, 1975, Т. 69, с. 1382.

40. Марущак В.А., Степанова М.Н., Титков А.Н, ФТТ, 1983, Т. 25, с. 3537.

41. Дьяконов М.И., Марущак В.А., Перель В.И., ЖЭТФ, 1986, Т. 90, с. 1123.

42. Parsons R.R. Can. J. Phys. 1971, Vol. 49. P. 1850.

43. Захарченя Б.П., Ивченко Е.Л., Рыскин A.H., Варфоломеев A.B., ФТТ, 1976, т. 18, с. 230.

44. Марущак В.А., Степанова М.Н., Титков А.Н, Письма в ЖЭТФ, 1983, Т. 37, с. 337.

45. Екимов А.И., Гарбузов Д.З., Сафаров В.И., Письма в ЖЭТФ, 1971, Т. 13, с. 36.

46. Benoit a La Guiolaume С. Lavallard Р., Bichard R. JJ Proc 12th ICPS. Stuttgart, 1974, p. 766.

47. Clark A.H., Burnham R.D., Chadi D.J., White R.IL, Solid State Commun. 1976, Vol. 20, P. 385.

48. Аронов А.Г., Пикус Г.Е., Титков A.H. ЖЭТФ, 1983, T. 82, с. 1170.

49. Гореленок А.Т., Груздов В.Г., Марущак В.А., ФТП, 1986, Т. 20, с. 347.

50. Екимов А.И., Сафаров В.И., Письма в ЖЭТФ, 1971, Т. 13, с. 700.

51. Джиоев Р.И., Захарченя Б.П. Флейшер В.Г., Письма в ЖЭТФ, 1971, Т. 14, с. 553.

52. Christensen N.E., Cardona M., Fásol G., Phys. Rev. В. 1988, Vol. 87, P. 306.

53. Берковиц В.Л., Екимов А.И., Сафаров В.И., ЖЭТФ, 1973, Т. 65, с. 346.

54. Ивченко ЕЛ., Такунов Л.В., ФТП, 1976, Т. 10, С. 1334.

55. Пикус Г.Е., Бир ГЛ., ЖЭТФ, 1974, Т. 67, с. 788.

56. Левинсон И.Б., Левинский Б.Н., ЖЭТФ, 1976, Т. 71, с. 300.

57. Picus G.E., Ivchenko E.L., //Excitons. Amsterdam: North-Holland, 1982. P. 585.

58. Р.Л. Белл, Эмиттеры с отрицательным электронным сродством, М.:Энергия, 1978.

59. К. Togawa, Т. Nakanishi et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research 1998, A414, p. 431.

60. Г.Л. Бир, Г.В. Пикус, ФТТ, 1959, v.l, p.136.

61. P. Zorabedian, SLAC Report No 248, 1982.

62. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, G.H. Zalapac, Phys. Rev., 1992, B46, p.4261.

63. T. Maruyama, E.L. Garwin, R. Prepost, GJL Zalapac, J.S. Smith, J.D. Walker, Phys. Rev. Lett., 1991, v.66, p.2376.

64. J.C. Grobli, A. Vaterlaus, D. Guarisco, H. Hepp, F. Meier, Yu. Yashin, Yu. Mamaev, B. Yavich, I. Kochnev, Helv. Phys. Acta, 1993, v.66, p.75.

65. Г. Meier, A. Vaterlaus, J.C. Grobli, D. Guarisco, H. Hepp, Yu. Mamaev, Yu. Yashin, B. Yavich, I. Kochnev, Proc. NATO Advanced Research Workshop "lonisation of solids by heavy particles", ed. R.Baragiola, Plenum Press, 1993, p.295.

66. T. Maruyama, R. Prepost, E.L. Garwin, Ch.K. Sinclar, B. Dunham, S. Kalem, Appl. Phys. Lett., 1989, v.55, p.5189.

67. Л.В. Келдыш, ФТТ, 1962, т.4 с. 2265.

68. А.Я. Шик, Двумерные квантовые структуры, СПб., 1993, с.7.

69. L. Esaki, R. Tsu, IBM J.Res. and Develop., 1970, v.14, p.145.

70. G.C.Osborn, Proc. of the Thin films and interfaces symposium, Boston, USA, 1984.

71. А.П. Силин, УФН, 1985, том 147, вып.З.

72. M.E. Компан, Б.П.Захарченя, Письма в ЖЭТФ, 1974, т.19, с.734.

73. М.Е. Компан, В.Г.Флейшер, ПТЭ, 1975, No3, с. 223.

74. И. Кесслер, Поляризованные электроны, М:.,Мир,1988.

75. D.M. Campbell, С. Hermann, G. Lampel, R. Owen, J. Phys. E.: Sci. Instrum., 1985, v.18, p.664.

76. Fink M., Yates A.C., At.Data, 1970, v.l, p385.

77. G. Mulhollan, Proc. of the Workshop on Photocathodes for Polarized Electron Sources for Accelerators, SLAC-432,1994, p. 211.

78. H.-J. Drouhin, C. Hermann, and G. Lampel, Phys. Rev. B, 1985, v. 31, p. 3859.

79. Yuri A. Mamaev, Yuri. P. Yashin, Arsen V. Subashiev, Temperature Dependence of Ф Electron Spin Dynamics // International Workshop "Polarized Electron Sources

80. PES2000", Nagoya, Japan, 2001, p.

81. М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ЖЭТФ, 60 (5), 1954 (1971).

82. К. Aulenbacher, J. Schuler, D. v. Harrach, E. Reichert, J. Roethgen, A. Subashev, V. Tioukine, and Y. Yashin, J. Appl. Phys. 2002, v. 90, p. 7536.

83. E.I. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rossler.- Exchange splitting of the exciton levels in type 1 and type II superlattices // Phys. Rev. B, 1996, v. 54,8, p. 5852

84. Yu. Fu, M. Willander, E.I. Ivchenko, and A.A. Kiselev, Valley mixing in GaAs/ALAs mulilayer structures in the effective mass method, Phys. Rev. B, 1993, v. 47, 20, p. 13498.

85. Spin-polarized electron transport and emission from strained superlattices / A.N. Ambrazhey, J.E. Clendenin, A.Yu. Egorov, Yu.A. Mamaev T. Maruyama, et al., // Applied Surface Science, 2000, v. 166, p. 40.

86. C.P. Krijn, Semicond. Sei. Technol, 1991, v.6, p. 27.

87. G.Ji. Huang et al., J. Vac. Sei. Technol., 1998, B5, p.1346.

88. D.J. Arent et al., Appl. Phys., 1998, v.66, p.1739.

89. E.I. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rossler.- Exchange splitting of the exciton levels in type 1 and type II superlattices // Phys. Rev. B, 1996, v. 54,8, p. 5852.

90. Yu. Fu, M. Willander, E.I. Ivchenko, and A.A. Kiselev, Valley mixing in GaAs/AIAs mulilayer structures in the effective mass method // Phys. Rev. B, 1993, v. 47, 20, p. 13 498.

91. R. A. Mair, R. Prepost, H. Tang, E. L. Garwin, T. Maruyama, and G. Mulhollan, Anisotropics in strain and quantum efficiency of strained GaAs grown on GaAsP // Phys. Lett. A, 1996, v. 212, p. 231.

92. A.S. Jaroshevich, M.A. Kirillov, D.A. Orlow, A.G. Paulish, H.E. Sheibler, A.S. Terechov, Proc. of 7-th fnt. Workshop on Polarized Gas Targets and Polarized Beams, Urbana, 1997, p.485.

93. Y.B. Bolkovityaninov, A.M. Gilinsky, C.W. de Jager et al. Proc. 12-th Intern. Symp. on High-Energy Spin Physics, ed. by C.D.W. de Jager et al., Word Scientific, Singapore, 1997, p.700.

94. M.Woods et al., J. Appl. Phys., 1993, v.73, p.8531.

95. H. Tang, R.K. Alley, H. Aoyagy, J.E. Clendcnin et al., Proc. of the Workshop on Photocathodes for Polarized Electron Sources for Accelrators, SLAC-432,1994, p. 344.

96. A.D. Andreev, A.V. Subashiev, Physica E, 2002, v. 13, p. 556.