Формирование огранки и кристаллической структуры кремния, выращенного методом бестигельной зонной плавки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Фрицлер, Константин Бернгардович

• Фрицлер, Константин Бернгардович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Фрицлер, Константин Бернгардович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА1. Анализ моделей роста и механизмов формообразования кристаллов кремния, полученных методом БЗП.

1.1. Метод бестигельной зонной плавки.

1.2. Морфология монокристаллов кремния, полученных методом бестигельной зонной плавки.

1.3. Обзор некоторых теорий роста кристаллов.

1.4. Кристаллохимическая модель роста кристаллов С.А Строителева.

Формулировка задач диссертации.

ГЛАВА 2. Морфологические признаки форм роста.

2.1 Реберные выступы октаэдра, ромбического додекаэдра и тетрагонтриоктаэдра.

2.2 Раздвоение и криволинейная форма реберных выступов.

2.3 Взаимодействие основных морфологических элементов, одновременная реализация различных гранных форм.

2.4 Воздействие вибрации на форму реберных выступов.

Выводы по главе 2.

ГЛАВА 3. Взаимосвязь между формами роста и структурным состоянием монокристаллов.

3.1. Переогранка в процессе роста на конической части монокристалла.

3.2. Факторы, способствующие введению дислокаций.

3.3. Двойникование кристаллов БЗП кремния.

3.4. Генерация дислокаций по механизмам скольжения и переползания. Влияние дислокаций на форму реберных выступов.

Выводы по главе 3.

ГЛАВА 4. Влияние условий роста на морфологию поверхности и электрофизические параметры монокристаллов БЗП кремния.

4.1. Образование наростов на поверхности монокристаллов.

4.2. Методика исследования распределения времени жизни неравновесных носителей заряда.

4.3. Измерение времени жизни неравновесных носителей заряда т на кристаллах с наростами.

4.4. Модель возникновения осцилляций времени жизни неравновесных носителей заряда.

Выводы по главе 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование огранки и кристаллической структуры кремния, выращенного методом бестигельной зонной плавки»

Актуальность темы.

В настоящее время наиболее широко используемым полупроводниковым материалом является кремний. Метод бестигельной зонной плавки (БЗП) позволяет получить существенно более чистые, по сравнению с методом Чохральского, бездислокационные монокристаллы кремния. Содержание кислорода и углерода в современном БЗП кремнии не превышает 1016 см"3, а концентрация примесей, образующих глубокие уровни в запрещенной зоне (Бе, Си) - Ю10 - 1012 см"3. Эти характеристики делают БЗП кремний незаменимым в силовой электронике, производстве высокоэффективных солнечных элементов, детекторов радиационных излучений и других полупроводниковых приборов. Для практического применения в данных областях требуются пластины кремния все большего размера.

При увеличении диаметра выращиваемого монокристалла становится более сложным и нестабильным характер распределения важнейших гидрогазодинамических и теплофизических характеристик процесса, определяющих форму, структурное состояние и электрофизические свойства БЗП кремния. На результаты роста влияют гидродинамика расплава, поля температур и термических напряжений, концентрации примесей в жидкой фазе, в растущем кристалле и в окружающей среде. Особенностью метода бестигельной зонной плавки является также высокий, по сравнению с другими способами выращивания монокристаллов кремния, уровень термических напряжений. Так, для монокристалла БЗП диаметром 100 мм он составляет 99 МПа, а для слитка диаметром 300 мм, выращенного по методу Чохральского, всего 30 МПа. Ясного представления о протекании этих процессов при росте монокристаллов большого диаметра ф>40 мм) в литературе нет. Необходимо изучение и понимание особенностей роста монокристаллов БЗП кремния больших диаметров, влияния условий роста на введение дислокаций, захват примесей, образование микродефектов.

Вышеописанные особенности метода бестигельной зонной плавки существенным образом увеличивают риск генерации дислокаций в процессе роста. Это делает актуальным метод надежного и оперативного т^Ци контроля структурного состояния монокристалла. В настоящее время таким методом, разработанным для слитков малого диаметра, является наблюдение за морфологией растущего монокристалла. Для надежного контроля качества монокристаллов, получаемых на современном оборудовании, актуальным является установление закономерностей процесса кристаллизации, определяющих морфологию кристаллов БЗП кремния большого диаметра и ее связь со структурным состоянием слитков.

Описанная нестабильность ростовых процессов при получении монокристаллов большого диаметра приводит к неравномерному распределению примесей и изменению электрофизических характеристик, в частности, времени жизни неравновесных носителей заряда. Исследование распределения данного параметра и его связи с изменением условий роста является актуальной задачей для получения максимально однородных кристаллов.

Цель диссертационной работы заключалась в изучении влияния условий роста на реальную структуру, морфологию и электрофизику кристаллов Si большого диаметра, выращенных в направлении [111] методом бестигельной зонной плавки. Она также включала выяснение механизма роста и разработку методов оперативного контроля структурного состояния слитков большого диаметра.

Для достижения цели решались следующие задачи:

1. Оптимизация технологии роста монокристаллов кремния диаметром до 125 мм.

2. Изучение зависимости морфологии монокристаллов БЗП кремния большого диаметра от условий роста.

3. Изучение кристаллической структуры выращенных слитков (отсутствие и возникновение дислокаций, двойников, блоков).

4. Исследование механизма формирования морфологических элементов монокристаллов БЗП кремния большого диаметра.

5. Исследование зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда и кристаллической структуры от условий роста монокристаллов кремния большого диаметра.

Научная новизна

1. Выявлены механизмы формирования морфологических элементов кристаллов Si. В результате комплексного исследования морфологических элементов поверхности монокристаллов БЗП Si большого диаметра установлено, что, в отличие от слитков малого диаметра (до 40 мм), минимальную скорость роста, кроме плотноупакованных плоскостей {111}, могут иметь грани {112} и {110}.

2. Показано, что, рост дислокационных кристаллов кремния протекает только в рамках октаэдрической формы, а рост бездислокационных монокристаллов возможен при реализации форм октаэдра, ромбического додекаэдра и тетрагонтриоктаэдра. Установлено, что существует зависящий от формы и размера индуктора критический диаметр D=Dn бездислокационного слитка Si [111], при котором происходит переход от формы октаэдра к другим формам роста.

3. В кристаллах с большим временем жизни (больше 2 мс) обнаружено осциллирующее распределение времени жизни неравновесных носителей заряда по длине монокристалла тНнз(*)- Установлена связь тНнз с изменениями скорости кристаллизации и образованием наростов (сравнительно крупных образований обтекаемой формы, локализованных в областях возникновения реберных выступов) при минимальной скорости роста граней {110} и {112}.

Практическая значимость

Разработан метод оперативного контроля структурного состояния выращенных монокристаллов кремния по регистрации морфологических элементов поверхности слитка. Метод позволяет оперативно обнаружить введение дислокаций в растущем монокристалле Si и остановить процесс выращивания, что дает существенную экономию поликристаллического кремния, расходных материалов и электроэнергии.

Установлена конфигурация ВЧ индуктора, позволяющая получить максимально однородное распределение времени жизни неравновесных носителей заряда.

Полученные результаты и понимание влияния процессов формирования кристаллической структуры, могут стать основой для усовершенствования технологии роста монокристаллов БЗП кремния большого диаметра.

На защиту вынесены следующие положения.

1) В монокристаллах Si большого диаметра, кроме плотноупакованных плоскостей {111}, минимальную скорость роста могут иметь грани {112} и {110}.

2) Бездислокационные монокристаллы БЗП Б! [111] растут при реализации трех форм роста (октаэдра, ромбического додекаэдра и тетрагонтриоктаэдра), а дислокационные -только в рамках формы октаэдра.

3) В растущих бездислокационных монокристаллах кремния на определенном, критическом диаметре (Б>Оп) происходит переход от формы октаэдра к другим формам роста.

4) Наросты являются морфологическими элементами боковой поверхности БЦШ], которые формируются медленно растущими плоскостями {110} и {112} при колебаниях скорости роста на локальных участках границы раздела фаз. Колебания скорости роста приводят к осцилляциям времени жизни неравновесных носителей заряда по длине слитков.

Достоверность

Достоверность полученных результатов и выдвигаемых на защиту научных положений определяется тем, что все результаты получены с использованием современной экспериментальной техники и апробированных методик измерений на большом числе образцов. Разработанный метод т-вйи контроля структурного состояния кристаллов (генерация дислокаций, возникновение блоков) проверен на более чем 500 слитках. Установленные нами признаки бездислокационного, дислокационного и блочного роста кристаллов полностью подтверждены.

Личный вклад соискателя в диссертационную работу состоял в исследовании влияния условий роста на морфологию монокристаллов БЗП кремния большого диаметра, изучении структурного состояния выращенных слитков металлографическими и рентгеновскими методами. Соискатель принимал непосредственное участие в разработке метода оперативного контроля структурного состояния монокристаллов в процессе роста методом бестигельной зонной плавки.

Анализ и интерпретация результатов были выполнены совместно с научным руководителем. Подготовка материалов к публикации осуществлялась совместно с соавторами.

Апробация работы

Результаты работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях:

Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры " Кремний 2002", Новосибирск, (2002); X Национальная конференция по росту кристаллов, Москва с. 78 (2002); Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе (" Кремний 2003"), Москва (2003); Совещание "Кремний 2004, Иркутск 5-9 июля 2004г, (2004); III Российское совещание по росту кристаллов и пленок и исследованию их физических свойств и структурного совершенства (Кремний-2006)". Красноярск (2006); V Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний 2008". Черноголовка (2008); VI Международная конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе "Кремний 2009". Новосибирск (2009); Первый междисциплинарный, международный симпозиум «Свойства вещества при высоких давлениях и температурах. Физика, геология, механика, химия» (Р8НР&Т-2011) , Ростов-на-Дону - пос. Лоо, 13-17 июня , 2011; Первый междисциплинарный, международный симпозиум «Кристаллография фазовых переходов при высоких давлениях и температурах (СРТ НР&Т)-2011» , г.Ростов-на-Дону - пос. Лоо, 9-13 июня , 2011.

Публикации

По теме диссертации опубликованы 6 статей, глава в коллективной монографии и 9 тезисов докладов на Международных и Российских конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 121 наименования. Она содержит 149 страниц, включая 51 иллюстрацию и 4 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Фрицлер, Константин Бернгардович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ

Установлены грани с минимальной скоростью роста, определяющие форму и свойства кристаллов большого диаметра. Обнаружены отличия кристаллической структуры и морфологии слитков большого (0>40мм) и малого диаметра, выращенных в направлении [111]. Зарегистрировано осциллирующее по длине слитка распределение времени жизни неравновесных носителей заряда, коррелирующее с формой роста кристаллов. Разработан метод т-вки контроля структурного качества кристаллов 81[111].

1. На основе модели роста, учитывающей предварительную ассоциацию атомов в расплаве, в диссертации раскрыты механизмы кристаллизации, показывающие влияние форм роста слитков БЗП кремния на структуру морфологических элементов, которые возникают на боковой поверхности БЦШ]. К морфологическим элементам поверхности относятся реберные выступы, полосы наклонных граней и наросты. Разработана классификация признаков данных элементов, позволяющая установить, какая из форм роста определила морфологию кристалла.

2. Морфологические элементы образуются в результате выхода медленнорастущих граней {111}, {110} и {112} на цилиндрическую поверхность слитка. Указанным граням соответствуют свои формы роста, которыми являются, соответственно, октаэдр, ромбический додекаэдр и тетрагонтриоктаэдр.

3. Установлена зависимость морфологии поверхности бездислокационного монокристалла БЗП кремния от диаметра слитка О. Установлено, что существует критическое значение 0=ВП, при котором в бездислокационном кристалле происходит переход от формы октаэдра к другим формам роста. Показано, что величина Эп зависит от размеров и формы индуктора и составляет от 40 до 80 мм.

4. Установлено, что нарост является морфологическим элементом боковой поверхности кристалла, который характеризует формы роста, реализуемые медленно растущими плоскостями {110} и {112}. Высота и ширина наростов достигают, соответственно, 20 и 15 мм.

5. Зарегистрировано осциллирующее по длине монокристалла распределение времени жизни т неравновесных носителей заряда (ННЗ). Для измерений использовался бесконтактный метод, основанный на релаксации фотопроводимости, определенной на сверхвысоких частотах. Колебания тннз зарегистрированы вдоль образующих цилиндрической поверхности монокристалла, содержащих наросты. Период колебаний коррелирует с периодом образования наростов. Осцилляции наблюдаются только в кристаллах с высоким временем жизни (более 2 мс), а их амплитуда достигает 6 мс.

6. Разработан метод in-situ контроля генерации дислокаций на основе регистрации форм роста и переходов между ними. Для D>Dn присутствие хотя бы одного морфологического элемента (реберный выступ или нарост) форм роста ромбододекаэдра или тетрагонтриоктаэдра является достоверным признаком выращивания бездислокационного монокристалла. Если при D>Dn регистрируются только формы роста октаэдра (реберные выступы или полосы наклонных граней), то имеет место рост дислокационного монокристалла. Если же на боковой поверхности слитка отсутствуют какие-либо реберные выступы или наросты, то имеет место рост блочного кристалла.

Свою искреннюю признательность автор выражает научному руководителю д.ф.м.-н. Е.М. Труханову и к.ф.-м.н. В.В. Калинину, без помощи которых диссертационная работа не была бы выполнена.

Автор благодарен соавторам включенных в диссертацию работ, и другим сотрудникам ННЦ СО РАН (ИФП, ИТФ) за большую помощь при получении экспериментальных результатов и на различных этапах анализа данных, которые составили основу диссертации, а именно: д.ф.м.-н. О. П. Пчелякову, д.ф.м.-н. В.Я. Принцу, д.ф.м.-н. B.C. Бердникову, к.ф.-м.н. A.B. Колесникову, к.ф.-м.н. A.M. Мясникову, к.ф.-м.н. С.П. Кобелевой, к.ф.-м.н. J1.B. Соколову, к.ф.-м.н. С. Н. Речкунову, к.ф.-м.н. А.Ф. Булдыгину, П. Л. Смирнову, Т. В. Булычевой, A.C. Токареву, А.П. Василенко, С.С. Шаймиеву, A.A. Борисову.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Фрицлер, Константин Бернгардович, 2012 год

1. Современная кристаллография. Т.З: Образование кристаллов. Под ред. Вайнштейн Б.К., Чернов А.А., Шувалов Л.А., М.: Наука, 1980, 408 с.

2. Annual Report 2004/05, Institute for Crystal Growth Berlin, Germany.www.ikz-berlin.de

3. Zulehner W. Historical overview of silicon crystal pulling development. Materials Science and Engineering B, 2000, v.73, № 1-3, p. 7-15.

4. Pfann, W. G. Principles of zone-meiting. J. Metals, Trans. AIME, 1952, v. 194, p. 747-753.

5. Emeis R. Growing silicon single crystals without a crucible. Z. Naturforschung, 1954, v.9a, p. 67.

6. Siemens & Halske: BRD Patents 1.102.117 and 1.140.549, filed 1954, issued 1956.

7. Dash W. C. Growth of silicon crystals free from dislocations. J. Appl. Phys., 1959, v.30, p. 459-475.

8. Keller W., DBP 1.148.525, filed May 29,1959, patented Dec. 27,1963.

9. Crosby L. R., Stewart H. M., USP 3,249,406, filed Jan. 8, 1963, patented May 3,1966.

10. Салли И.В., Фалькевич Э.С. Управление формой роста кристаллов. Киев: "Наукова Думка", 1989, 158 с.

11. М.Г. Мильвидский Полупроводниковые материалы в современной электронике. -Москва: Наука, 1986, 144 с.

12. Voronkov V.V. The mechanism of swirl defects formation in silicon. J. Crystal Growth, 1982, v.59, p. 625-643.

13. Voronkov V.V., Falster R. Vacancy-type microdefect formation in Czochralski silicon. J. Crystal Growth, 1998, v. 194, p. 76 - 88.

14. De Kock A.J.R., Poksnoer P.J., Boonen P.G.T. The introduction of dislocations during the growth of floating -zone silicon crystals as a result of point defect condensation. J. Cryst. Growth, 1975, v.30, № 3, p.279-294.

15. Ciszek T. F. and Wang Т.Н. Silicon Float-zone crystal growth as a tool for the study of defects and impurities. J. Cryst. Growth, 2002, v. 237-239, p. 1685-1691.

16. Abe Т., Takahashi Т. Intrinsic point defect behavior in silicon crystals during growth from the melt: a model derived from experimental results. J. Cry. Growth, 2011, v. 334, p. 1636.

17. Ammon W.von, Holzl R., Virbulis J., Dornberger E., Schmolke R., Graf D. The impact of nitrigen on the defect agregation in Si. J. Cryst. Growth, 2001, v. 226 (1), p. 19-30.

18. Ammon W.v., Holzl R., Wetzel Т., Zemke D., Raming G., Blietz M. Formation of stacking faults in nitrogen-doped silicon single crystal. Microelectronic Engineering, 2003, v. 66, p. 234-246

19. Sumino K., Yonenaga I., Imai M., Abe T. Effects of nitrogen on dislocation behavior and mechanical strength in silicon crystals. J. Appl. Phys., 1983, v. 54, p. 5016-5020.

20. Keller W., Muhlbauer A. Floating-Zone Silicon. New Jork and Basel: Marcel Dekker Inc., 1981, 298 p.

21. Фалькевич Э. С. Технология полупроводникового кремния. Москва: Металлургия, 1992, 408 с.

22. Collins R. L. Growth parameters for large diameter float zone silicon crystals. J. Cryst. Growth, 1977, v. 42, p. 490-492.

23. Keller W. Experimental influence of some growth parameters upon the shape of the melt interfaces and the radial phosphorus distribution during float-zone growth of silicon single crystals. J. Cryst. Growth, 1976, v. 36, p. 215 -231.

24. Реньян В.P. Технология полупроводникового кремния. Москва: Металлургия, 1969, 336 с.

25. Фалькевич Э. С., Елецкая Н. И., Неймарк К. Н., Осовский М. И. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния. в кн.: Рост кристаллов, ред. Шефталь Н.Н., М.: Наука, 1972, т. 2., с. 189-192.

26. Бевз В. Е., Осовский М. И., Фалькевич Э. С. Влияние условий роста на внешнюю форму монокристаллов. в кн.: Рост кристаллов, ред. Шефталь Н.Н., М.: Наука, 1974, т. 10, с. 221-225.

27. Бевз В. Е., Осовский М. И., Фалькевич Э. С., Неймарк К. И. Внешняя форма дислокационных и бездислокационных монокристаллов при выращивании из расплава.

28. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок, Новосибирск : Наука, 1975, с. 39-41.

29. Фалькевич Э. С. Особенности внешнего вида бездислокационных монокристаллов кремния и германия. Физика кристаллизации, Калинин.: Калининю гос. ун-т, 1978, с.69-76.

30. Wilcox W. R. The influence of a temperature gradient on crystal faceting. J. Cryst. Growth, 1970, v. 7, p. 203-208.

31. Ciszek T. F. Non Cylindrical Growth habbit of float zoned dislocation -free 111. silicon crystals. - J. Cryst. Growth, 1971, v. 10, p.263-268.

32. Abe T. The growth of Si single crystals from the melt and impurity incorporation mechanisms. J. Cryst Growth, 1974, v. 24, № 2, p.463-467.

33. Лодиз P., Паркер P. Рост монокристаллов. M.: Мир, 1974, 542 с.

34. Herring С. Some Theorems on the Free Energies of Crystal Surfaces. Phys. Rev., 1951, v. 82, p. 87 - 93 .

35. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов. М.: Издательство иностранной литературы, 1961, 234 с.

36. Козлова О. Г. Рост кристаллов. М.: Издательство Московского Университета, 1967, 238 с.

37. Burton W. К., Cabrera N., Frank F. С. Role of dislocations in crylal growth. Nature, 1949, v. 103, №4141, p. 398-399.

38. Каишев P. О некоторых вопросах молекулярно-кинетической теории образования и роста кристаллов,- Рост кристаллов, т. 3,. М.: Изд-во АН СССР, 1961, с.26-51.

39. Джексон К. А. Механизм роста кристаллов Жидкие металлы и их затвердевание.-М: Металлургиздат, 1962, с. 200-214.

40. Джексон К. А., Ульманн Д., Хант Дж. О механизме роста кристаллов из расплава. -Проблемы роста кристаллов, М.: Мир, 1968, с. 27-86.

41. Van der Eerden J.P. Surface roughening, surface melting and crystal quality Faraday Discuss, 1993, v. 95, p. 65 -74.

42. Регель А.Р., Глазов В.М. Периодический закон и физические свойства электронных расплавов М.: Наука, 1978, 309 с.

43. Глазов В.М. Айвазов А.А. Энтропия плавления металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1980, 172 с.

44. Глазов В.М. Лазарев В.Б., Жаров В.В. Фазовые диаграммы для простых веществ. -М.: Наука, 1980,270 с.

45. Sangwal К. On the estimation of surface entropy factor, interfacial tension, dissolution enthalpy and metastable zone width for substances crystallizing from solution J. Cryst. Growth, 1989, v.97, p. 393-405.

46. Таран Ю.Н. Мазур В.И. Структура эвтектических сплавов. М.: Металлургия, 1978, 312 с.

47. Кидяров Б.И. Термодинамические и теплофизические критерии морфологической устойчивости роста кристаллов. Теплофизика и аэромеханика, 2009, т. 16, с. 777 - 782.

48. Olshanetsky B.Z., Solovyov А.Е., Dolbak А.Е., Maslov A.A. Structures of clean and nickel-containing high Miller index surfaces of silicon Surface Science, 1994, v. 306, p. 327-341.

49. Voronkov V.V. Theory of crystal surface formation in the pulling process. J. Crys. Growth, 1981, v.52, p. 311-318.

50. Баковец В.В. Актуальные проблемы капиллярности в электронном материаюведении. Часть 3, Новосибирск: Институт неорганической химии СО РАН, 1994, 196 с.

51. Vasiliev Ya V., Borovlev Yu.A., Shlegel V.N., Akhmetshin R.R., Grigorev D.N., Smakhtin V.P., Gusev V.A. BGO crystals grown by a low-thermal gradient Czochralski technique. Nucl. Instrum. Meth., 1996, a379, p.533-535.

52. Френкель Я. И. Собрание избранных трудов, т. III. М.: Изд-во АН СССР, 1959, 358 с.

53. Шефталь Н.Н. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. Рост кристаллов, т. 10, М.: Наука, 1974, с. 195-220.

54. Шефталь Н.Н. К вопросу о реальном кристаллообразовании. Рост кристаллов, т. 3, М.: изд-во АН СССР, 1961, с. 9-21.

55. Строителев С. А. Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. -Новосибирск: Наука, 1976, 193 с.

56. Строителев С.А., Изергин А. П., Павленко Ю. С. Влияние вибраций на форму кристаллов, выращенных из расплава по методу Чохралъского. Изв. вузов. Физика, 1959, № 1, с. 107-109.

57. Строителев С. А. О причинах образования пластинчатых и игольчатых кристаллов полупроводников, В кн.: Кристаллизация и фазовые переходы, Минск: Изд. АН БССР, 1962, с. 183-187.

58. Строителев С. А. О причинах образования комбинационной штриховки кристаллов.-Зап. Всес. минерал, об-ва, 1961', ч. 90, с. 709-714.

59. Строителев С. А. Образование двойников роста кристаллов германия, кремния и полупроводниковых соединений А"'ВУ.- Изв. СиС. ОТД АН СССР. Серия хим. наук, 1966, №3, вып. 1, с. 57-60.

60. Строителев С.А. Кристаллохимический аспект представлений о зарождении и росте кристаллов,- В кн.: Механизм и кинетика кристаллизации. Минск: Наука, и техника, 1969, с. 47-54.

61. Строителев С. А. О зарождении ростовых дефектов структуры кристаллов,- В кн.: Матер Всес. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках, ч. 1, Новосибирск, 1969, с. 31-39.

62. Строителев С. А. Образование двойников роста алмаза,- «Минерал, сб.», Львов, 1967, т. 21, № 4, с. 392-394; К вопросу образования двойников роста кристаллов минералов.-«Минерал, сб.», Львов, 1969, т. 23, № 3, с. 321-323.

63. Строителев С. А. Влияние примесей в растворе на форму кристаллов при их росте. -Геол. и геофиз., 1961, № 6, с. 31-39.

64. Строителев С. А. О двух типах дендритов полупроводников и механизме их роста,-Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1968, т. 4, № 9, с. 1411-1415.

65. Строителев С. А. Габитусное профилирование кристаллов. Кинетика и механизм кристаллизации, Минск, 1973, с. 242-247.

66. Строителев С. А. О ростовых точечных дефектах структуры,- Матер. III Всес. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск, 1973, с. 38-40.

67. Хартман П. Зависимость морфологии кристалла от кристаллической структуры.-Рост кристаллов, т. 7, М.: Наука, 1967, с. 8-24.

68. Губенко А.Я. Фазовые превращения в твердом и жидком кремнии -Кристаллография, 2001, т. 46, №16 с.88.

69. Gubenko A. Effect of the structural state of the melt on the properties of silicon crystals -Microelectronic Engineering, 1999, v. 45, p. 161-168.

70. Ginkin V., Kartavykh A., Zabudko M. A melt clusterization within the interfacial boundary layer and its hydrodynamics modeling at the microgravity semiconductor single crystal growth. J. Cryst. Growth, 2004, v. 270, p. 329-339.

71. Картавых A.B., Гинкин В.П. Структурная самоорганизация расплавов в переходном слое при росте кристаллов в условиях микрогравитации. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2009, № 2, с. 49-57.

72. Waseda Y., Shinoda К. Sugiyama К., Takeda S., Terashima К., Toguru J. M. High Temperature X-ray Diffraction Study of Melt Structure of Silicon Jpn. Appl. Phys, 1995, vol. 34, p. 4124-4128.

73. Кожемякин Г.Н Крюков М.О. Воздействие ультразвуковых волн на нанокластеры в расплавах. Вюник СНУ iM. В. Даля, 2010, №12, ч.2, с. 84- 88.

74. Асеев A.JI., Голобоков Ю.Н., Стенин С.И. Микромеханизмы пластической деформации кремния и германия при температурах от 0.5 до 0.95 Тт. В кн.: Матер. III Всес. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках, Новосибирск, 1973, с. 131133.

75. Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Калинин В.В., Смирнов П.Л., Колесников А.В., Василенко А.П. In situ контроль структуры кристаллов бестигельного Si (111) на основе поведения реберных выступов Письма в ЖТФ, 2007, т.ЗЗ, вып.12, с. 55-60.

76. Фридель Ж. Дислокации. Москва, "Мир", 1967, 644 с.

77. Trukhanov Е. М., Stenin S.I. Equilibrium dislocation configurations in heterostructures. -Phys. Stat. Sol (a), 1981, v.66, p.591-596.

78. Trukhanov E.M., Stenin S.I., Noskov A.G. Dislocation interactions in germanium covered with dielectric films Phys. Stat. Sol (a), 1979, v.56, p.443-450.

79. Trukhanov E.M., Stenin S.I., Noskov A.G. Dislocations and stresses in a crystal with an island film Phys. Stat. Sol (a), v.53,1979, p.433-440.

80. Trukhanov E.M., Stenin S.I. Initial stage of plastic deformation of substrates in heterostructures. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.66, p.125-131.

81. Trukhanov E.M. Accomodation of misfit in heterostructures with continous and island films. Phys. Stat. Sol.(a), 1983, v.16, p.437-445.

82. Горохов Е.Б., Носков А.Г., Стенин С.И., Труханов Е.М. Напряженное состояние и дефекты кристаллического строения в системах полупроводник-аморфная диэлектрическая пленка.- Микроэлектроника, 1983,т. 12, №3, с.200-209.

83. Trukhanov Е.М., Zsoldos L. Some Features of Generation of Misfit Dislocations in SI during В diffusion. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.66, p. 157-164.

84. Бабенкова С.Л., Труханов E.M. Возникновение дислокаций в полупроводниковой подложке вблизи прямолинейного края пленки- Поверхность. Физика, химия, механика,1989, №8, с.59-65.

85. Труханов Е.М., Тришункин В.Ф., Грачев К.В., Стенин С.И. Влияние формы и размера островков пленки на начало пластической деформации подложек. Поверхность, 1991, №5, с.50-58.

86. Fitzgerald Е.А. Dislocations in strained-layer epitaxy: theory, experiment and applications. -Materials Sci. Reports, 1991, v. 7, № 3, p. 87-143.

87. Jain S. C., Willis J. R., Bullough R. A review of theoretical and experimental work on the structure of GeSi strained layers and superlattices, with extensive bibliography. Advances in Physics, 1990, v. 39, № 2, p. 127-190.

88. Matthews J. W. The observation of dislocations to accommodate the misfit between crystals with different lattice parameters. Phil. Mag., 1961, v.6, № 71, p. 1347-1349.

89. Jesser W.A., Matthews J. W. Evidence for Pseudomorphic growth of iron on copper. Phil. Mag., 1967, v.15, № 138, p. 1097-1106.

90. Trukhanov E.M., Fritzler K.B., Lyubas G.A., Kolesnikov A.V. Evolution of Film Stress with Accumulation of Misfit Dislocations at Semiconductor Interfaces Applied Surface Science, 1998, v. 123/124, p.664-668.

91. Matthews J.W., Blakeslee A.E.J., Mader S. Use of misfit strain to remove dislocations from epitaxial thin film. Thin Solid Films, 1976, v. 33, p. 253-266.

92. Тхорик Ю.А., Хазан JI.C. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиалъных системах. Киев: Наукова Думка, 1983, 135с.

93. Muiznieks A., Raming G., Muhlbauer A., Virbulis J., Hanna В., Amnion W.v., Stress-induced dislocation generation in large Fz- and Cz-silicon single crystals numerical model and qualitative considerations. - J. Cryst. Growth, 2001, v. 230, p. 305-313.

94. Muhlbauer A., Muiznieks A., Virbulis J., Ludge A., Riemann H. Interface shape, heat transfer and fluid flow in th floating zone silicon crystals with the needle-eye technique. J. Cryst. Growth, 1995, v. 151, p. 66-79.

95. Muhlbauer A., Muiznieks A., Virbulis J. Análisis of the dopant segregation effects at the floating zone growth of large silicon crystals. J. Cryst. Growth,1997, v. 180, p. 372-380.

96. G. Raming, A. Muiznieks, A. Muhlbauer. Numerical investigations of the influence of EM fields on fluid motion and resistivity distribution during floating-zone growth of large silicon single crystals.- J. Cryst. Growth, 2001, v. 230, p. 108-117.

97. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С. Определение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках кремния по релаксации фотопроводимости измеренной на сверхвысоких частотах. ФТП, 2004, т. 36, № 9, с. 1043 - 1049.

98. Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Токарев А.С., Чернявский Е.В. Исследование СВЧ метода измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в слитках слаболегированного кремния. Микроэлектроника, 2005, т. 34, № 5, с. 375 - 384.

99. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984, 472 с.

100. Родес Р. Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М: Металлургия, 1968, 372 с.

101. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М: Металлургия, 1984, 256 с.

102. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974, 464 с.

103. Осипьян Ю.А. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. М: Эдиториал УРСС, 2000, 315 с.

104. Burton J. A., Prim R.C., Sclichter W.P. The Distribution of Solute in Crystals Grown from the Melt. Part I. Theoretical. J.Chem. Phys., 1953, v. 21, № 11, p. 1987-1991.

105. Труханов Е.М., Фрицлер К.Б., Калинин В.В. Взаимосвязь явлений, обусловливающих морфологию поверхности слитка и возникновение дефектов структуры в БЗП монокристаллах кремния Тезисы докладов Совещания "Кремний 2004", Иркутск, 2004, с. 156.