Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит" тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, доктор технических наук Бузынин, Александр Николаевич

• Бузынин, Александр Николаевич
• доктор технических наук
• 2008

Оглавление диссертации доктор технических наук Бузынин, Александр Николаевич

Введение

Глава 1 Структуры «полупроводник-фианит» (литературный обзор).:.

1.1. Использование фианита в микроэлектронике.

1.2. Методы получения эпитаксиальных пленок полупроводников на фианите.

1.2.1. Метод молекулярно-лучевой эпитаксии.

1.2.2. Метод металлооранической газофазной эпитаксии.

1.3. Получение функциональных пленок фианита.

1.3.1. Метод м'агнетронного напыления.

1.3.2. Методы электронно-лучевого и лазерного напыления.

1.4. Методы исследования электрически активных дефектов полупроводников.

Глава 2 Получение и свойства эпитаксиальных пленок кремния на фианите и фианита на кремнии и арсениде галлия.

2.1. Установка молекулярно лучевой эпитаксии.

2.2. Изготовление подложек.

2.3. Влияние диффузии кислорода из фианитовой подложки на структуру эпитаксиальных пленок кремния.

2.4. Влияние условий эпитаксии на морфологию и реальную структуру пленок кремния.

2.5. Характеристики структур «кремний на фианите».

2.5.1. Концентрационные профили структур КНФ.

2.5.2. Электрофизические параметры пленок кремния на фианите.

2.6. Получение и структура пленок фианита на подложках кремния и арсенида галлия.

2.6.1. Магнетронное напыление фианита.

2.6.2. Лазерное и электронно-лучевое напыление фианита.

2.6.3. Структурное совершенство пленок фианита на кремнии и арсениде галлия.

2.7. Основные результаты главы 2.

Глава 3 Получение и исследование пленок соединений АШВУ на подложках фианита и эпитаксиальных подложках с буферными слоями фианита.

3.1. Установка МОС\Т) эпитаксии.

3.2. Исследование условий эпитаксии ОаАэ на фианите.

3.3. Особенности механизма роста пленок ОаАэ на фианите при капиллярной эпитаксии.

3.4. Примеси в пленках ОаАв.

3.5. Получение на фианите эпитаксиальных пленок различных соединений АШВУ и их твердых растворов.

3.6. Исследование пленок соединений АШВУ методом рентгеновской дифрактометрии.-:.

3.6.1. Пленки ОаАэ и АЮаАз, 1пАб и 1пОаАз на фианите.

3.6.2. Пленки ОаМ и ОаКхАз1.х на фианите.

3.7. Получение и характеристики эпитаксиальных пленок соединений АШВУ на подложках с буферными слоями.

3.7.1. Структурная и электрическая однородность пленок ОаАБ и 1пОаАз на подложках СаАз с буферным слоем пористого ваАБ.

3.7.2. Характеристики пленок ваЫ на подложках ОаАБ с однослойным и двухслойным буфером.

3.8. Фотоприемники на структурах «полупроводникфианит».

3.8.1. Фотодиоды с барьером Шоттки и фотосопротивления на структурах соединений АШВУ на фианите.

3.8.2. Лавинные фотоприемники на КНФ структурах.

3.8.3. Спектральные характеристики фотоприемников на структурах соединений Ш-У на фианите.

3.9. Основные результаты главы 3.

Глава 4 Управляемое низкотемпературное перераспределение примеси в кремнии под действием ионного облучения.

4.1. Экспериментальное исследование образования инверсныхр-п переходов в кремнии.

4.2. Модель формирования инверсных р-п переходов в 81.

4.2.1. Основные предпосылки.

4.2.2. Начальная стадия снижения концентрации бора.

4.2.3. Продвижение п-р перехода.

4.2.4. Конечное положение п-р перехода.

4.2.5. Протяженная миграция межузельного бора.

4.3. Исследование электрически активных дефектов кристаллов кремния модифицированным методом НТ.

4.3.1. Модифицированный метод НТ в растровом электронном микроскопе.

4.3.2. Микродефекты в кристаллах кремния, выращенных в стандартном режиме.

4.3.3. Микродефекты в кристаллах кремния, выращенных в условиях вариации скорости вытягивания.

4.3.4. Соотношение модифицированного метода НТ с другими методами выявления микродефектов.

4.4. Модели для расчета рекомбинационного контраста МД.

4.4.1. Модель 1.

4.4.2. Модель 2.

4.4.3. Результаты расчета и их интерпретация.

4.5. Влияние высокотемпературного отжига на микродефекты в

4.5.1. Распределение микродефектов в пластинах до и после отжига.

4.5.2. Сравнение экспериментальных и расчетных данных.

4.6. Электрохимическая коррозия слоя металла на кремнии и геттерирование.

4.6.1. Электрохимическая коррозия.

4.6.1. Электрохимическое геттерирование.

4.7. Основные результаты главы 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"»

Актуальность темы.

В последние годы в США, Японии, странах Европы и Юго-Восточной Азии наблюдается резкий рост интереса к различным аспектам применения фианита в микроэлектронике. Фианит - монокристалл кубических твердых растворов на основе диоксидов циркония или гафния 2г02(НГО2),К-20з (где Я - У, 8с, 0(1.Ьи) [1-4]. Его промышленная технология впервые в мире была разработана в 1960-70е годы в Физическом Институте имени П.Н. Лебедева АН СССР (ФИАН), что и дало название кристаллу [1,2]. Благодаря уникальному сочетанию физико-химических свойств фианит является чрезвычайно перспективным многофункциональным материалом новых электронных технологий. Он может использоваться практически во всех основных технологических звеньях создания приборов микроэлектроники: в качестве монолитной подложки и материала буферных слоев при эпитаксии; альтернативного БЮа изолирующего слоя, подзатворного диэлектрика, и наконец, защитного слоя приборных структур [5-16]. Это свидетельствует об актуальности исследований различных аспектов применения фианита в микроэлектронике.

Особое значение имеет использование фианита в качестве монолитной подложки и буферного слоя в технологии «полупроводник на диэлектрике». Данная технология позволяет повысить такие характеристики интегральных схем, как быстродействие, предельная рабочая температура, радиационная стойкость. Благодаря уменьшению токовых утечек и паразитных емкостей, улучшению диэлектрической изоляции элементов снижается потребление энергии, что также актуально. Кроме того, приборы на структурах «полупроводник на диэлектрике» обладают повышенной надежностью, особенно в экстремальных условиях эксплуатации. В настоящее время структуры "кремний - на - изоляторе" представляют в технически передовых странах одно из наиболее динамично развивающихся направлений полупроводникового материаловедения [17]. Однако электрофизические и функциональные параметры приборов, а также их радиационная стойкость и надежность в существенной мере снижаются высокой дефектностью приборных слоев кремния. Для структур "кремний - на - сапфире" эта дефектность обусловлена, в частности различием кристаллографического строения кремния и сапфира, а также автолегированием кремниевой пленки

18 20 3 алюминием из сапфировой подложки до концентраций 10 —10 см" . Фианит, как альтернативная подложка, по своим кристаллохимическим и физическим характеристикам более благоприятен для эпитаксии чем сапфир.

Проблема выбора подложек и буферных слоев является также крайне актуальной для получения совершенных слоев азотосодержащих соединений АШК приборного качества. В настоящее время наиболее распространенным материалом подложек для роста эпитаксиальных слоев СаИ являются сапфир и карбид кремния. Низкое кристаллическое совершенство слоев ваМ, связанное с рассогласованием параметров подложки и слоя и термических коэффициентов линейного расширения, а также отсутствие промышленной технологии получения подложек Оа1чГ, делает очень актуальным поиск альтернативных подложек, одной из которых может быть фианит. Использование фианита в качестве буферного слоя, позволит предложить путь к решению еще одной очень важной проблемы - эпитаксии соединений АШК на подложках 81, имеющих большие размеры, высокое качество и низкую стоимость. Это дает возможность провести интеграцию базирующихся на основе ваЫ оптоэлектронных устройств с отлично развитой кремниевой электроникой.

Для того чтобы в полной мере оценить преимущества и перспективы применения фианита в качестве подложки или буферного слоя необходимо разработать способы, условия и технологию получения структур «полупроводник-фианит» с параметрами, отвечающими современным требованиям микроэлектроники.

Цель работы.

Цель работы состояла в нахождении условий выращивания гетероэпитаксиальных пленок кремния и соединений АШВУ с высокими электрофизическими параметрами на фианитовых подложках и подожках полупроводника с буферным слоем фианита, определении условий получения структурно-совершенных зеркально гладких буферных слоев фианита на полупроводнике, комплексном исследовании полученных структур, в том числе с помощью новых методов, а также оценке перспектив их приборного применения.

Научная новизна.

• Впервые экспериментально исследованы возможности и условия получения структурно совершенных эпитаксиальных пленок 81, ваАэ и других соединении АШВУ на фианитовых подложках и на подложках 81 и ваАБ с буферным слоем фианита.

• Установлено, что образование на границе фианит-пленка 81 слоя 8Юг на начальных стадиях осаждения 81 препятствует эпитаксиальному росту и приводит к образованию структурных дефектов в пленке. Для получения на фианите пленок 81 с монокристаллической структурой разработаны новые способы предэпитаксиальной подготовки фианитовых подложек. Найдены режимы получения пленок 81 методом молекулярно лучевой эпитаксии: низкотемпературный и сочетающий травление и рост на начальной стадии получения пленки.

• Впервые определены условия эпитаксии ОаАэ и других соединений АШВУ методом металлоорганической газофазной эпитаксии на фианитовых подложках, позволяющие получать структурно совершенные пленки с высокими электрофизическими параметрами.

• Разработан способ капиллярной эпитаксии, позволяющий снизить минимальную толщину сплошной пленки при гетероэпитаксии на разных подложках (в том числе соединений АШВ на фианитовых подложках), улучшить её морфологию, структуру и электрофизические параметры. Этим способом получены в частности монокристаллические, зеркально гладкие пленки GaAs толщиной 0,1 мкм на фианите.

• Обнаружен новый эффект неравновесного низкотемпературного перераспределения легирующей примеси с инверсией типа проводимости в jo-Si при его облучении пучком ионов Аг+ низких энергий (1-5 кэВ). Предложена и обоснована физическая модель эффекта, основанная на гипотезе о быстрой миграции атомов примеси в поле градиента собственных межузельных атомов кремния, создаваемых облучением.

• Предложены и теоретически обоснованы новые модели расчета рекомбинационного контраста изображения микродефектов кристаллов Si в режиме наведенного тока растрового электронного микроскопа. На этой основе разработаны способы определения формы и размеров микродефектов в Si, глубины их залегания и наклона к поверхности.

• Впервые как экспериментально, так и расчетным путем установлено, что скорость расширения свободной бездефектной зоны в пластинах Si при высокотемпературном отжиге определяется диффузией кислорода. Обнаружен новый, вызванный микродефектами в Si, эффект электрохимической микрокоррозии пленки металла на, Si, приводящий к деградации приборов. Обнаружен новый механизм геттерирования примеси в кремнии - электрохимическое геттерирование.

• Изучено влияние особенностей огранения фронта на двойникование и устойчивость роста монокристаллов кремния и соединений АШВУ при их ' выращивании из расплава. На основе анализа новых и ранее известных закономерностей и особенностей двойникования впервые предложены и обоснованы графоэпитаксиальный и двумерный механизмы двойникования.

• Впервые обнаружена и изучена связь особенностей огранения фронта кристаллизации со срывом бездислокационного роста и проливом расплавленной зоны при выращивании кристаллов Si методом бестигельной зонной плавки. Установлено, что стационарная конструкция индуктора противоречит условиям выращивания, необходимым для обеспечения стабильности расплавленной зоны и устойчивости бездислокационного роста.

Практическая ценность.

• Разработана лабораторная технология получения структурно совершенных с высокими электрофизическими параметрами пленок Si и соединении

АШВУ на фианитовых подложках и на подложках Si и GaAs с буферным слоем фианита. Показано, что выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии структуры «кремний на фианите» имеют более высокие электрофизические параметры, чем структуры «кремний на сапфире». Методом металлоорганической газофазной эпитаксии с применением нового разработанного способа капиллярной эпитаксии получены эпитаксиальные пленки ваАБ, 1пАб, 1пхОа]хА5 (х=0-Ч), АЮаАз, ва^ 1пСаЫ и ОаМхА81х(х=0-Ю,01) на фианитовых подложках, а также на подложках 81 и ваАБ с буферным слоем фианита.

• Разработана технология получения методами лазерного, электронного и магнетронного напыления однородных, зеркально гладких буферных слоев фианита, имеющих хорошую адгезию с подложкой 81 и ваАБ.

• На эпитаксиальных структурах соединений АШВУ на фианите изготовлены макеты фотодиодов и фотосопротивлений, спектрально чувствительных в диапазоне от 850 нм до 1500 нм при освещении, как с лицевой, так и с обратной (подложечной) стороны.

• На основе впервые обнаруженного эффекта неравновесного низкотемпературного перераспределения примеси в 81 разработаны принципиально новые низкотемпературные способы формирования р-п переходов в кремнии, а также новые высокочувствительные методики выявления электрически активных дефектов полупроводников в режиме наведенного тока растрового электронного микроскопа. Разработанные способы формирования инверсных р-п переходов опробованы в технологиях ИС и солнечных элементов.

• Обнаружен эффект электрохимической микрокоррозии пленки металла на 81. На его основе предложен способ диагностики металлических загрязнений в 81. Выявлен новый механизм геттерирования примеси в кремнии - электрохимическое геттерирование, применимое в приборных технологиях.

• Разработан комплекс способов и устройств, обеспечивающих повышение устойчивости роста и стабильности расплавленной зоны при выращивании кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки. Управляемость формы теплового поля в процессе роста кристалла достигнута разработанными динамическими конструкциями индукторов: одновитковый «индуктор-диафрагма», многовитковые индукторы с петлевыми удлинителями на токоподводах и подвижными контактными пластинами на удлинителях. Одностороннее разращивание кристалла предотвращено благодаря использованию специально разориентированных затравок, поддержанию таких значений градиента температуры в расплаве у трехфазной линии, которые не допускают бокового огранения, а также благодаря использованию асимметричной конструкции индуктора.

• Разработаны новые способы предотвращения двойникования кристаллов 81 и соединений АШВУ при выращивании из расплава. Способы основаны на создании тепловых условий выращивания, устраняющих возможность выхода граней {111} на трехфазную линию, использовании затравок, обеспечивающих заданную морфологическую структуру фронта кристаллизации, а также предкристаллизационном перегреве расплава для разрушения микрокристалликов — потенциальных зародышей двойников.

Апробация работы. Основные положения диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах и совещаниях с опубликованием в соответствующих тезисах и трудах: Международные конференции по росту кристаллов (Нидерланды, 1995, Израиль, 1998, Франция, 2004); Международные симпозиумы MRS (США, 1995,1998); Европейские Международные симпозиумы E-MRS (Франция, 2001,2002, 2006); Международная конференция «Кристаллогенезис и минералогия» (С.-Петербург, 2001 ^Международные конгрессы по высокотехнологичным материалам, процессам их получения и применению (Германия, Мюнхен, 2000,2001); V Международный симпозиум «Алмазные пленки и пленки родственных материалов» (Харьков, 2002); Международные симпозиумы «Полупроводниковые соединения, приборы и интегральные схемы в Европе» (Англия, 2005, Швеция, 2006); Международная конференция «Кремний-2004» (Иркутск, 2004); Международный симпозиум «Полупроводники III—V для микроэлектронных и оптоэлектронных применений» (Сингапур, 2005); 28 Международная конференция по физике полупроводников (Австрия, Вена, 2006); VI Всесоюзная конференция по росту кристаллов (Цахкадзор, 1985); IX Национальная конференция по росту кристаллов (Москва, 2000); V Российское совещание по технологии кремния (Москва, 2001); VII Всесоюзное совещания по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок (Новосибирск, 1986); IX Всесоюзное и XII Российское совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова (Ленинград, С.-Петербург, 1985,1998); XX и XXI Российские конференции по электронной микроскопии (Черноголовка, 2004,2006); XII, XIII и XIV Российские симпозиумы по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел (Черноголовка, 2001, 2003,2005), а также на научных семинарах ИОФ РАН.

Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 61 печатной работе, включая 18 авторских свидетельств и патентов.

Личный вклад соискателя. Приведенные в диссертации результаты исследований получены лично автором или при его непосредственном участии.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Общий объем диссертации составляет 177 страниц, включая 83 рисунка, 6 таблиц и список литературы из 291 наименования.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Бузынин, Александр Николаевич

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующим:

1. Разработаны основы технологии получения на фианите структурно совершенных с высокими электрофизическими параметрами пленок кремния методом МЛЭ и соединений АшВу(ОаАз, ШАб, 1пСаАз, АЮаАэ, Оа1чГ, ОаАзЫ и ОаАИЧ) МОС-гидридным методом. Подвижность носителей при 300 К в пленках толщиной 500 нм составляет: 280 см~/В-с для р -81 (р = МО17 см"3), 460 см2/В-с для и-^ (п=5-1016 см"3) и до 2800 см2/В-с для /7-ОаАз(п=М017 см'3).

2. Показано, что диффузия кислорода из фианитовой подложки в наращиваемый эпитаксиальный слой 81 при температурах выше 650°С приводит к трехмерному механизму зарождения, полицентрическому росту и мозаичной структуре пленок 81 на фианите. Разработана лабораторная технология получения пленок 81 на фианите методом МЛЭ, позволяющая получать монокристаллические пленки 81 толщиной от 0,1 мкм с высокими электрофизическими параметрами. Технология основана на новых разработанных способах предэпитаксиальной подготовки подложек (высокотемпературный отжиг в кислороде, плазменная обработка) и эпитаксии (низкотемпературная эпитаксия, использование режима травления подложки потоком 81 малой интенсивности на начальных стадиях процесса).

3. Разработан способ капиллярной эпитаксии соединений А В , Способ позволяет получать сверхтонкие структурно совершенные пленки соединений АШВУ на инородных подложках, которые хорошо смачиваются расплавом одного из компонентов, в частности пленки соединений АШВУ с высокими электрофизическими параметрами толщиной от 0,1 мкм на фианите. Суть способа состоит в первоначальном нанесении тонкой пленки ' металла-компонента соединения, насыщении ее вторым компонентом соединения с образованием сплошной пленки АП1ВУ и доращивании пленки до требуемой толщины при обычных условиях эпитаксии.

4. Обнаружен новый эффект быстрого низкотемпературного перераспределения примеси в 81 под действием облучения образца пучком нелегирующих ионов низких энергий (1^-5 кэВ) с формированием инверсного р-п перехода. Предложена и обоснована физическая модель эффекта. Разработаны практические приложения эффекта для формирования инверсных р-п переходов в планарной технологии интегральных схем, солнечных элементов и других приборов на основе кремния, а также для характеризации электрически активных дефектов в 81.

5. Обнаружен эффект электрохимического взаимодействия примесей элементов, входящих в состав микродефектов в 81 с пленкой металла на его поверхности, приводящий к электрохимической микрокоррозии пленки металла и деградации кремниевых приборов при эксплуатации. На основе его использования предложен способ диагностики металлических загрязнений в 81. Установлен новый механизм генерирования примеси в кремнии -электрохимическое генерирование, применимое в приборных технологиях.

6. Предложены, основанные на решении уравнений диффузии неосновных носителей заряда, модели расчета рекомбинационного контраста изображения микродефектов 81, выявляемых в растровом электронном микроскопе. С помощью этих моделей разработаны способы определения формы и размеров, глубины залегания и наклона к поверхности микродефектов в 81.

7. Установлено, что при выращивании кристаллов кремния из расплава методами Чохральского, Степанова и бестигельной зонной плавки локальный выход грани (111) на трехфазную линию может приводить к нарушению устойчивости роста, проливу расплавленной зоны, образованию двойников, блоков, дислокаций. Разработан комплекс способов и устройств, предотвращающий выход граней {111} на трехфазную линию при выращивании кристаллов из расплава, который повышает стабильность расплавленной зоны, устойчивость бездислокационного роста и предотвращает двойникование.

8. Предложены механизмы графоэпитаксиального и двумерного двойникования при росте кристаллов из расплава и дано их обоснование. На этой основе разработаны технические способы управления двойникованием при выращивании из расплава кристаллов 81 и соединений АШВУ.

9. Показано, что при выращивании кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки ассиметричная форма теплового поля и стационарная конструкция индуктора противоречат условиям стабильности расплавленной зоны и устойчивости бездислокационного роста. Эти условия достигаются с помощью разработанных новых конструкций тарельчатых индукторов: асимметричных, обеспечивающих симметричное тепловое поле за счет локального уменьшенного радиуса в области токоподводов, и динамических, позволяющих изменять в процессе выращивания кристалла величину и распределение тепловой мощности.

Заключение и общие выводы.

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Бузынин, Александр Николаевич, 2008 год

1. Александров В.И., Осико В.В., Прохоров A.M., Татаринцев В.М. Новыйметод получения тугоплавких монокристаллов и плавленых керамических материалов. // Вестник АН СССР, 1973, № 12, с. 29-39.

2. Aleksandrov V.I., Osiko V.V., Prokhorov A.M., Tatarlntsev V.M. Synthesis andcrystal growth of refractory materials by RF melting in a cold container// Current Topics in Materials Science, 1978, v.l, p. 421^-80.

3. Александров В.И., Осико B.B., Прохоров A.M., Татаринцев В.М.

4. Получение высокотемпературных материалов методом прямого высокочастотного плавления в холодном контейнере. // Успехи химии, 1978, т.47, №3, с.385-427.

5. Lomonova Е.Е., Osiko V.V. // In: Crystal Growth Technology. Ed. by H.J.

6. Scheel and T. Fukuda., John Wiley & Sons, Chichester, England, 2003, p. 461484.

7. Кузьминов Ю.С., Ломонова E.E., Осико В.В. Тугоплавкие материалы изхолодного тигля. М.: Наука, 2004, 369 с.

8. Golecki I., Manasevit Н. М., Moudy L. A., Yang J. J., and Мее J. E. Heteroepitaxial Si films on yttria-stabilized, cubic zirconia substrates. // Appl. Phys. Lett., 1983, v.42, No. 6, p. 501-503.

9. Pribat D., Mercandalli L.M., Sierka Y., Perriere J. Interface oxidation of epitaxial silicon deposits on (100) yttria stabilized cubic zirconia. // J. Appl. Phys., 1985, V.58, №> 1, p. 313-320.

10. Mercandalli L.M., Diemegand D., Crose M.~ Sierka Y. Recent progress inepitaxial growth of semiconducting materials on stabilized zirconia single crystals. // Proc. Soc. Photo-Opt. Instr. Eng., 1986, v. 623, p. 183-210;

11. Fukumoto H., Imura T. and Osaka Y. Heteroepitaxial growth of yttria-stabilizedzirconia (YSZ) on silicon // Jpn. J. of Applied Physics, 1988, v.27, No.8, pp. L1404-1405.

12. Бешенков В.Г., Знаменский А.Г., Марченко В.А. Совершенные пленки фианита на кремнии (100). // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 1998, N1, с. 59-63.

13. Lyonnet R., Khodan A., Barthe'lemy A., et al. Pulsed laser deposition of Zri xCex02 and CeixLax02-x/2 for buffer layers and insulating barrier in oxide heterostructures. // J. of Electroceramics, 2000, 4, No. 2/3, p.369-377.

14. Wang S.J., Ong C.K. Xu S.Y. et.al. Electrical properties of crystalline YSZ films on silicon as alternative gate dielectrics. // Semicond. Sci. Technol., 2001, v. 16, p. L13-L16.

15. Nakamura Т., Tokumotoa Y., Katayamaa R., et. al. RF-MBE growth and structural characterization of cubic InN films on yttria-stabilized zirconia (001) substrates. // J. of Crystal Growth, v. 301-302, April 2007, p. 508-512.

16. King P. D. C., Veal T. D., S. Hatfield A., et. al. X-ray photoemission spectroscopy determination of the InN/yttria stabilized cubic-zirconia valence band offset. //Appl. Phys. Lett, 2007, v. 91, No. 11, p. 112103/1 112103/3.

17. Shahidi G.G. SOI technology for the GHz era. // IBM J. of Research and Development, 2002, v.46, No. 2/3, p. 121-132.

18. Esaki L., Chang L. L. Semiconductor superfine structures by computer-controlled molecular beam epitaxy// Thin Solid Films, 1976, v. 36, p. 285.

19. Cho A. Y. Growth of III-V semiconductor by molecular beam epitaxy and their properties//Thin Solid Films, 1983, v. 100, p. 291-317.

20. Ota Y. Silicon molecular beam epitaxy // Thin Solid Films, 1983, v. 106, p. 1.

21. Ploog K. // In: Crystals-growth, properties and applications, v.3 /Ed. H.C. Freyhardt. //Heidelberg: Springer-Verlag, 1980, p. 73.

22. Foxon C.T., Joyce B.A. // In: Current topics in material science, v. 7 /Ed. E. Kaldis. North-Holland, 1981, p. 1.

23. Faurie J. P., Boukerche M., Reno J., Sivananthan S., Hsu C. // J. Vacuum Sci. Technol. A, 1985, v. 3, p. 55.

24. Herman M. A. // Vacuum, 1982, v. 32, p. 555.

25. Svensson S. P., Andersson T, G. // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, v. 20, p. 245.

26. Myers Т. H., Schetzina J. F. // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, v. 20, p. 134.

27. Urless J. A. // J. Vacuum Sci. Technol., B. 1985, v. 3, p. 531.

28. Stanchak С. M., Morkoc H., Witkowski L. C., Drummond T. J. // Rev. Sci. Instrum., 1981, v. 52, p. 438.

29. Shchekochikhin Yu. M. // In: Proceedings of the Summer School on Physical and Technical Basis of MBE, Eberswalde GDR, 1979, p. 86.

30. Svensson S. P., Andersson T. G. // J. Phys. E: Sci. Instrum., 1981, v. 14, p. 1076.

31. Стенин С.И., Кантер Б.З., Никифоров А.И. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния. // В кн.: Рост кристаллов, т. 18, М.: Наука, 1990, с. 8190.

32. Collins D. М. // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, v. 20, p. 250.

33. Bosacchi A., Franchi S., Allegri P., Avanzini И // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, v. 21, p. 897.

34. Kubiak R. A., Driscoll P., Parker E. H. C. // J. Vacuum Sci. Technol., 1982, v. 20, p. 252.

35. Lewis B, Anderson J.C. Nucleation and growth of thin films. // N. Y.: Academic Press, 1978.

36. Foxon C.T. and Joyce B.A. Fundamental aspects of molecular beam epitaxy. // Current Topics in Material Science, edited by E. Kaldis, v.7. Chapter 1, 1981, Amsterdam/New-York: North-Holland, p. 15.

37. Arthur J.R. Interaction of Ga and As2 molecular beam with GaAs surface. // J. Appl. Phys., 1968, v.39, №18, p.4032-4034.

38. Foxon C.T. and Joyce B.A. Interaction kinetics of As2 and Ga on (001) GaAs surfaces. // Serf. Sci., 1977, v.64, p.293-296.

39. Schmidt L. D. In: The physical basis for heterogeneous catalysis./Eds. E. Drauglis, R. I. Jaffee. // N. Y.: Plenum Press, 1975, p. 451.

40. Methods of surface analysis. /Ed. A. W. Czanderna. // Amsterdam: Elsevier, 1975.

41. Foxon C.T., Joyce B.A. // Surf. Sci., 1977, v. 64, p. 293.

42. Foxon C.T., Boudry M.R., Joyce RA. // Surf. Sci., 1974, v. 44, p. 69.

43. Foxon C.T., Joyce R.A. // Surf. Sci., 1975, v. 50, p. 434.

44. Foxon C.T. // Acta Electrónica, 1978, v. 21, p. 139.

45. Foxon C.T., Joyce B.A. // J. Cryst. Growth, 1978, v. 44, p. 75.

46. Singi J., Bajaj K.K. // J. Vacuum Sci. Technol, B, 1985, v. 3, p. 520.

47. Larser P. K., Neave J. H., van der Veen J. F., Dobson P. J., Joyce B. A. // Phys. Rev. B, 1983, v. 27, p. 4966.

48. Tong S. Y., Met W. N., Xu G. // J. Vacuum Sci. Technol. B, 1984, v. 2, p. 393.

49. Van der Veen J.F., Larsen P.K., Neave J.H., Joyce B. A. // Solid State Comm., 1984, v. 49, p. 659.

50. Lievin J.L., Alexandra F. // Electronics Lett., 1985, v. 21, p. 413.

51. Harris J.J., Ashenford D.E., Foxon C.T., Dobson P.J., Joyce B.A. // Appl. Phys.1. A, 1984, v. 33, p. 87.

52. Chai Y.G., Chow R., Wood C.E.C. // Appl. Phys. Lett., 1981, v. 39, p. 800.

53. Salmon L.G., D'Haenens I.J. // J. Vacuum Sci. Technol. B, 1984, v. 2, p. 197.

54. Chand N., Fischer R., Klem J., Henderson T., Pearah P., Masselink W.T., Chang Y.C., Morkoc H. // J. Vacuum Sci. Technol. B, 1985, v. 3, p. 644.

55. Briones F., Golmayo D., Gonzalez L., de Miguel J.L. // J. Vacuum Sci.Technol. B, 1985, v. 3, p. 568.

56. Heckingbottom R., Davies C.J., Prior K.A. // Surf. Sci., 1983, v. 132, p. 375.

57. Foxon C.T. MBE growth of GaAs and III-V alloys // J. Vac. Sci. And Technol.

58. B., 1983, v.l, N 2, p. 293-297.

59. Dupuis R.D. // Science, 1984, v. 226, p. 623.

60. Manasevit H.M. // Appl. Phys. Lett., 1968, v. 12, p. 156.

61. Stringfellow G. R // J. Cryst. Growth, 1984, v. 68, p. 111.

62. Balk P., VeuhoffE. //J, Cryst. Growth, 1981, v. 55, p. 35.

63. Dapkus P.D. // J. Cryst. Growth, 1984, v. 68, p. 345.

64. Manasevit H.M. // J. Cryst. Growth, 1974, v. 22, N 2, p. 125-148.

65. Tandon J.L., Yeh Y.C.M. //J. Electrochem. Soc., 1985, v. 132, p. 662.

66. Moss R. H. // J. Cryst. Growth, 1984, -v. 68, p. 78.

67. Coates G. E., Green M. L. H., Wade K. // Organometallic compounds the main group elements, v. 1, 3rd ed. - London: Methuen, 1967, 574 p.

68. Белый A.B., Карпенко Г.Д., Мышкин H.K. Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев. Москва: Машиностроение, 1991.

69. Никитин М.М. Технология и оборудование вакуумного напыления. Москва: Металлургия, 1992, 238 с.

70. Denhoff М.W., McCaffrey J.P. // J. Appl. Phys., 1991. Vol. 70. N 7. P. 39863988.

71. L.T.Romano and J.E.Northrup // Appl. Phys. Lett., 1996, v. 69, 2394.

72. FA.Pouce, D.P. Bour and W.Gotz // Appl.Phys. Lett., 1996, v.68, 57.72.1vis M. Photo- and Juole-displacement microscopy // Phys. Bull., 1987, v. 38, N 4, p. 145-147.

73. Hanoka J.I., Bell R.O. Electron-beam-induced currents in semiconductors //Annu Rev Mater Sci., 1981, v. 2, p. 353-380.

74. Davidson SM., Dimitriadis C.A. Advances in the electrical assessment of semiconductors using the scanning electron microscope. // Microsc., 1980, Vol. 118, N 3, p. 275-290.

75. Leamy H.J. Charge collection scanning electron microscopy. // Appl. Phys., 1982, vol. 53, N6, p. R51-R80.

76. Bresse J.F. Quantitative investigations in semiconductor devices by electron beam induced current mode: A review // Proc. "SEM-1982". Chicago: Scanning electron microsc. inc. 1982, Vol. 4, p. 1487-1500.

77. Holt D., Lesniak M. Recent developments in electrical microcharacterizalion using the charge collection mode of the scanning electron microscope // Proc. "SEM-1985". Chicago: Scanning electron microsc. inc. 1985, Vol. 1, p. 67-86.

78. Johanssen H., Barisch H., Heydenreich J., Lammel B. Comparative charactenzalion of boron-implanted silicon after pulse laser annealing along single traces by SUM (SE, EBIC) and ТЕМ studies // Cryst. Res. and Technol., 1985, Vol. 20, N 4, p. 499-507.

79. Аристов B.B., Лукьянов A.E. Локальная диагностика в микроэлектронике // Электронная промышленность, 1990, № 2, с. 41-44.

80. Воронков В.В., Воронкова Г.И. Зубов Б.В., Калинушкин В.П., Климанов Е.А., Мурина Т.М., Прохоров A.M. Примесные облака в бездислокационном кремнии // ФТТ, 1979, т. 13, вып. 3, с. 846 853.

81. Воронков В.В., Воронкова Г.И., Калинушкин В.П., Мурина Т.М., Назаров Т., Прохоров A.M., Ремизов О.А., Тешабаев А.Т. // ФТП, 1983. т. 17, вып. 12, с. 2137-2142.

82. Гулидов Э.А., Калинушкин В.П., Мурин Д.И., Плоппа М.Г., Прохоров A.M., Шведенко М.В., Эйдельман Б.Л. // Микроэлектроника, 1985, т. 14, вып. 2, с. 130-133.

83. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984, 472 с.

84. Мильвидский М.Г. Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.

85. Wu C.I., Wittry D.B. Investigation of minority-carrier diffusion lengths hy electron bombardment of Shottky barriers // Appl. Phys. 1978. Vol. 49, N 5, p. 2827-2836.

86. Бериш P. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. M.: Мир, 1984. т.1, 336 стр.; т.2, 448 с.

87. Экштейн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995, 319 с.

88. Bondur I.A., Frieser R.G. // Proc. 5th Int. Symp. Dry Processes. Tokyo, Sept. v. 19-20, 1983, p. 63-65.

89. Belkacem A., Andre E., Oberlin I.C. et.al. // Mater. Sci. Eng., 1989, v. B. 4. p. 451^55.

90. Heddleson I.M., Horn M.W., Fonash S.I. // J. Electrochem. Soc., 1990, v. 137, N6, p.1960- 1964.

91. Бузынин A.H., Лукьянов A.E., Осико B.B., Татаринцев В.М. Электрически активные дефекты кристаллов Si. // В кн.: Рост кристаллов, том 19, М.: Наука, 1991, с. 169-180.

92. Luk'yanov А.Е., Buzynin A.N., Butylkin A.I., Butylkina N.A. SEM investigation of p-n junction in homogeneous p-Si. // Scanning, 1992, v. 14, No. 6, p.358-359.

93. Buzynin A.N., Luk'yanov A.E., Osiko V.V., Voronkov V.V. Inversion of conductivity in p-Si after ion treatment. // Defect and Impurity Engineered

94. Semiconductors and Devices. (Mat.Res.Soc.Simp.Proc.1995. Vol.378). Pittsburg, PA, p. 653-658.

95. MRS Spreeng Meeting 98. Call for Papers. Pittsburg, PA, 1997. p. 5.

96. Mohapatra Y.N. and Giri P.K. Evidence of defect migration and clustering in MeV heavy ion damaged silicon. // Abstr. of 1998 MRS Spring Meeting, April 13-17, San-Francisco USA, p.86.

97. Deenapanray P.N.K., Auret F.D., Meyer W.E., et. al. Electrical characterization of 1 keV He—, Ne—, and Ar-ion bombarded и-Si using deep level transient spectroscopy. // Abstr.of 1998 MRS Spring Meeting, April 1317, San-Francisco USA, p.80.

98. Symko M.I., Sopori B.L., Reedy R. et. al. Hydrogen diffusion and defect passivation in silicon by forming GAS anneal. // Abstr.of 1998 MRS Spring Meeting, April 13-17, San-Francisco USA p.87.

99. Способ обработки фианитов. Авт. свидет. СССР № 1558054, 1988 (А.Н.Бузынин, Ю.Н. Бузынин, В.Г.Шенгуров, В.И.Александров, Е.Е. Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев).

100. Способ обработки фианитов. Патент СССР. № 1752125, 1992 (А.Н.Бузынин, Ю.Н.Бузынин, В.Г.Шенгуров, В.И.Александров, Е.Е. Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев).

101. Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н., Бузынин А.Н., Осико В.В., Ломонова Е.Е. Гетероэпитаксиальные кремниевые структуры на фианитовых подложках. //Микроэлектроника, 1996, 6, 204-209.

102. Способ получения эпитаксиальных слоев кремния на фианите. Авт. свидет. СССР, № 1748464, 1991 (А.Н.Бузынин, Ю.Н.Бузынин, В.И.Александров, В.В.Воронов, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев). 1

103. Способ получения слоев кремния на фианитовых подложках. Авт. свидет. СССР. № 1748468, 1992 (А.Н.Бузынин, Ю.Н. Бузынин, В.Г.Шенгуров, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, Е.Е. Ломонова).

104. Бузынин А.Н., Осико В.В., Воронов В.В., Воронько Ю.К., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н, Володин Б.А, Мурель А.В., Дроздов Ю.Н., Парафин А.Е. Эпитаксиальные пленки фианита на кремнии и арсениде галлия. // Изв. РАН, сер. физич., т.67, № 4, 2003, с.586-587.

105. Pincik Е., Jergel М., Mullerova J., Falcony С., Ortega L., Buzynin A. N., Lomonova E. E., R. Brunner, S. Chromik, and M. Hartmanova. On structural properties of Si/Zr(Y)02 and Zr(Y)02/Si system. // Acta physica slovaca, 2004, v.54, N2, p.147-161.

106. Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на фианите. Авт. свидет. СССР № 1725576, 1992 (В.И.Александров, А.Н.Бузынин, Ю.Н.Бузынин, В.В.Воронов, Е.Е.Ломонова, В.В.Осико, В.М.Татаринцев).

107. Способ получения эпитаксиальных слоев соединений AinBv на фианите. Авт. свидет. СССР № 173072, 1992 (А.Н.Бузынин, Ю.Н. Бузынин, В.В.Осико, В.М. Татаринцев).

108. Buzynin A.N., Osiko V.V., Buzynin Yu.N., Pushnyi B.V. Growth of GaN on fianite by MOCVD capillary epitaxy technique. // MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 1998, Vol.4, Article 49. ('http://nsr.mii .mrs.org/4/49/).

109. Бузынин A.H., Осико B.B., Воронько Ю.К., Ломонова Е.Е., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н., Хрыкин О.И., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н. Эпитаксиальиые структуры соединений АШВУ на фианите. // Известия РАН, сер. физич., 2002, т.66, № 9, с. 1345-1350.

110. Шефталь H.H., Бузынин А.Н. Преимущественная ориентация кристаллитов на субстрате и влияние царапин. // Вестник МГУ, сер. 4, 1972,3, с. 102-104.

111. Pouce FA., Bour D.P. and Götz W. // Appl. Phys. Lett., 1996, 68, p.57.

112. Rosner S.J., Car E.C. et. al. // Appl. Phys. Lett., 1997, 70, p.420.

113. Bandic Z., Piguette E.C., et. al. // Appl. Phys. Lett., 1998, 72, p.3166.

114. Weyers M. and Sato M. // Appl, Phys. Lett., 1993, V.62, №12, p. 13961398.

115. Ougazzaden A., Bellego Y. Le, Rao E.V.K, et.al. // Appl. Phys. Lett., 1997, V.70, №21, p. 2861-2863.

116. Buzynin Yu., Belyaev A. Akhsakhalyan A. et al. // Pros, of "MW-2001" Inter. Congress of Advanced Materials 25-28 Sept. 2000, Munich, Germany, Article 672.

117. Бузынин Ю.Н., Востоков H.B., Гапонова Д.М. и др. Буферные слои InGaAs на подложках пористого арсенида галлия. // Изв. РАН, сер. физич., 2003, т.67, № 4, с.579-582.

118. Способ выявления электрически активных неоднородностей полупроводников. Авт. свидет. СССР № 15311766, 1988 (А.Н.Бузынин, Н.А.Бутылкина. И.Б.Гричевский, А.Е.Лукьянов). Опубл. в БИ. 1989. №47.

119. E.I. Rau, A.N. Zhukov and E.B. Yakimov. // Solid-State Phenomena, 1998, v. 53-54, p. 327.

120. Бузынин Ю.Н., Беляев A.B., Бузынин A.H., Pay Э.И., Лукьянов A.E. Электрически активные дефекты слоев GaAs, InGaAs на подложках монолитного и пористого GaAs. // Изв. РАН, сер. физич., 2004, т.68, № 9, с.1370-1373.

121. Buzynin A.N., Buzynin Yu.N., Belyaev A.V., Luk'yanov A.E. and Rau E.I. Growth and defects of GaAs and InGaAs films on porous GaAs substrates. // Thin Solid Films, 2007, v. 515, p. 4445^1449.

122. Бузынин A.H., Осико B.B., Воронько Ю.К., Лукьянов А.Е., Бузынин Ю.Н., Беляев А.В., Дроздов Ю.Н. Пленки GaN и GaNAs на подложках монолитного и пористого Si и GaAs с подслоем фианита.// Изв. РАН, сер. физич., 2005, т.69, № 4, с. 211-217.

123. Бузынин A.H.,'Воронков B.B., Лукьянов A.E. Плазмостимулированное < низкотемпературное перераспределение примеси в Si.// Известия РАН, серия "Поверхность", 2000, N 4, с.88-92.

124. Buzynin A.N., Luk'yanov А.Е., Osiko V.V., Voronkov V.V. Non-equilibrium impurity redistribution in Si. // Nuclear Instrum. and Methods in Physics Research, B, 2002, N 186, p. 366-370.

125. Voronkov V.V. Generation of thermal donors in silicon: oxygen aggregation controlled by self-interstitials. // Semicond. Sci. Technol., 1993, v. 8, p. 20372047.

126. Stolwijk N.A., Holzl J., Frank W., Weber E.R., Mehrer H. // Appl.Phys., 1986,. v. A39, p. 37.

127. Zimmermann H., Ryssel H. // Appl.Phys., 1992, v. A55, p.121.

128. Дублицевич B.M., Бузынин A.H., Лукьянов A.E., Бутылкина Н.А. Выявление неоднородностей структуры и электрических свойств кремния электронно-зондовыми методами. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1984, т.48, №12, с. 2444-2446.

129. Бузынин А.Н., Бугылкина Н.А., Лукьянов А.Е. и др. Электрически активная структура V-G- областей кристаллов кремния, полученныхметодом Чохральского // Изв. АН СССР, сер. физич., 1988, т. 52, № 7, с. 1387-1390.

130. Johnson N.M., Hahn S.K. Hydrogen passivation of oxygen-related thermal-donor defects in silicon // Appl. Phys. Lett., 1986, v. 48, N1, p. 709-711.

131. Chanire A., Pearion S.J., Kimerling J,C. el al. Interaction of hydrogen and thermal donor defects in silicon // Appl. Phys. Lett. ,1987, v. 50, N 9, p. 513515.

132. Эйденэон A.M. Пузанов Н.И Влияние скорости выращивания на микродефекты в крупногабаритных бездислокационных кристаллах кремния, полученных методом Чохральского // Кристаллография, 1985, т. 30, № 5, с. 992-998.

133. Пузанов Н.И., Эйденэон A.M. Релаксация в системе точечных дефектов растущего бездислокационного кристалла кремния // Кристаллография, 1986, т. 31, №2, с. 373-379.

134. Voronkov V.V. Microdefecls in dislocation free silicon crystals // J.Crystal Growth. 1982, v. 59, p. 625.

135. Бузынин A.H., Заболотский C.E., Калинушкин В.П. и др Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского. // ФТП, 1990. т.24. № 2, с. 264-270.

136. Милевский Л. С, Сидоров Ю. А., Ткачева Т. М. // Легированные полупроводники. М., 1982. С. 152.

137. Бузынин А.Н., Бутылкина И.А., Гричевский И.Б. и др. Определение характеристик электрически активных дефектов кристаллов кремния // Изв. АН СССР, сер. физич., 1990, т. 53, № 1, с. 288-292.

138. Бузынин А. Н., Лукьянов А. Е., Аль Шаер В., Калмыков Д.В., Харитонова, К.Ю. Расчеты контраста РЭМ-изображений микродефектов кристаллов кремния // Изв. АН СССР, сер. физич., 1992, т. 55, № 3, с. 4549.

139. Капауа К., Okayama S. Penetration and energy loss theory of electron in solid target //Microscopic electronique, 1970. Grenoble: Soc. Franc. Microsc. Electron., 1970, vl. 2, p. 159-160.

140. Donolato C. On the theory of SEM charge collection imaging of localized defects in semiconductors //Optic, 1978, v. 52, N 1, p. 19-36.

141. Leamy H.G., Kimerling L.C., Ferries S.D. Silicon single crystal charactcriyjtion by SEM. // Scanning Electr. Microsc., 1976, v. 1, N 4, p. 529538.

142. Everkart T. E.HoffP. N. // J. Appl. Phys., 1971, v. 42, p. 5837.

143. De Kock A. I. R. Microdefects in dislocation-free silicon.// Phylips Res. Rep. Suppl., 1973, v. 1, p. 1-104.

144. Бузынин А.Н. Дементьев Ю.С. Уразгильдин И.Ф. и др. Образование бездефектной зоны в кремниевых пластинах при отжиге // Изв. АН СССР, сер. физич., 1983, т 47, №6, с. 1136-1140.

145. Foil Н., Gossele B.U., Kolbesen В. О. Formation of swirls under agglomeration of interstitial atoms// J. Cryst. Growth, 1977, v. 40, N 1, p. 90— 108.

146. De Kock A. I. R., van de Wijgert W. M. // J. Cryst. Growth, 1980, v. 49, p. 718.

147. Гегузин Я. И. // Диффузионная зона. М.: Наука, 1978, 344 с.

148. Милевский Л. С., Высоцкая В. В., Сидоров Ю. А. // ФХОМ, 1980, N 1, с. 153.

149. ShirakiH. //Japan J. Appl. Phys., 1977. v. 13. p. 1514.

150. Hu S.M. Defects in silicon. // J. Vacuum Sci. and Technol., 1977, v. 44, N 1, p. 17-31.

151. Болтакс Б. И. // Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972. 384 с.

152. Батавин В. В. II Кристаллография, 1970, т. 15, с. 125.

153. Литвинов Ю. М. и др. // Электронная промышленность, 1980, N 8-9, с. 28.

154. Воронкова Г.И. и др. // В кн.: Методы получения и исследования монокристаллов кремния, вып. 2. М.: Гиредмет, с. 91.

155. Бузынин А.Н., Бувальцев А.И., Бутылкина Н.А., Лукьянов А. Е., Осико В.В. Влияние микродефектов кремния на характеристики приборных структур с металлизацией // Изв. АН СССР, сер. физич., 1991, т 55, № 8, с. 1594-1597.

156. Стриха В.И., Бузанева Е.В. // Физические основы надежности контактов металл полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987, с. 256.

157. Huff H.R. // Solid State Technology, 1983, N 4, p. 2-222.

158. Murray E.M. // J.App. Phys., 1984, V.55, N 2, p. 536-541.

159. Seidel Т.Е. // J. Electrochem. Soc., 1976, v. 76, N 1, p. 163.

160. Lawrence J.E., Huff H.R. // In: VLSI Electronics-Microstructure Science (Einspruch N.G., ed), v. 5, Academic Press, N.J., 1982, p. 51-102.

161. Polignano M.L., Cerofolini G.F., Bender H., Claeys C. Gettering Mechanisms in Silicon // J.Appl.Phys., 1988, v. 64, N 2, p. 869 876.

162. Knize R.J, Cecchi J.L.//J. Appl. Phys., 1983, v. 54, N 6, p. 3183.

163. Tan T.Y., Gardner E.E., Tice W.K. // Appl. Phys. Lett., 1977, v. 30, p. 175.

164. Deithard H. et.al // Solid State Technology, 1983, v. 26, N 8, p. 137-143.

165. Lin W., Benson K.E. The Science and Engineering of Large- Diameter Czochralski Silicon Crystal Growth // Annual Review of Materials Science, August 1987, Vol. 17, Pages 273-298

166. Способ геттерирования быстродиффундирующих примесей в кремнии. Авт. свидет. СССР № 1752125, 1992 (А.Н. Бузынин, Н.А. Бутылкина. И.Б. Гричевский и др.)

167. Yang W.S., Ahn K.Y., Marioton B.P.R. et al. Gold gettering in directly bonded silicon wafers // Japan. J. Appl. Phys., 1989, v. 28, N 5, p. L721-L724.

168. Валиев К. А., Васильев А. Г., Васильев А. П. и др. // Микроэлектроника. 1989, т. 18, с. 241.

169. Mozer А.Р. Silicon wafer technology. Status and overlook at the millennium and a decade beyond. // Solid State Phenomena, v. 69-70, Eds. Gnmmeiss H.G., Kittler M. and Richter H. Sritec Publications Ltd, Switzerland (1999), p. 1-10.

170. Ravi K.V., Materials quality and materials cost-are they on a collision course. // Solid State Phenomena, v. 69-70, Eds. Grimmeiss H.G., Kittler M. and Richter H., Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1999, p. 103-110.

171. Мильвидский М.Г. Полупроводниковый кремний современное состояние, проблемы и перспективы // Известия ВУЗ'ов, сер. Материалы электронной техники, 2001, N 2, с. 15-24.

172. Бузынин А.Н., Королева Е.А. Последние достижения в области получения монокристаллов кремния. // Зарубежная электронная техника, 1985, с. 68-108.

173. Алешин А.А., Бузынин А.Н. Современые проблемы выращивания монокристаллов кремния. // Доклады международной конференции "Кремний 2004", Иркутск, 2004.

174. Suzuki Т., Isava N., Okubo Y. and Hoshi К. In: Semiconductor Silicon 1981. // The Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1981, p. 90-100.

175. Cohen C., // Electronics, 1980, v.53, N 15, p. 83-84.

176. Watanabe M., Usami Т., Takashi S., et.al. // Jap. J. Appl. Phys., 1983, v.22, N l,p. 185-189.

177. Hashikawa K. // Jap. J. Appl. Phys., 1982, v.21, N 9, p. L545-L547.

178. Hurle D.U.I. // J. Phys. Mag., 1966, v. 13, p. 305-310.

179. Utech H.P. and Flemings M.C. // J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N 5, p.2021-2024.

180. Witt A.F., Herman C.J., Gatos H.C. // Mater. Sci., 1970, v. 5, N 9, p.822-825.

181. Sugano T.J. // Vac. Sci. Technol., 1982, v. 18, N 7, p.804-809.

182. Patel J.L. In: Semiconductor Silicon 1981 // The Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1981, p. 189-207.

183. Green R. E. // J. Appl. Phys. 1964, v. 35, p. 1297.

184. Фогель А. А. Индукционный метод удержания жидких металлов во взвешенном состоянии. Д.: Машиностроение, 1969, 104 с.

185. Салли И.С., Фалькевич Э.С. Производство полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1970, 149 с.

186. Kramer H.J. // Solid State Technol., 1983, N 1, p. 137-142.

187. Kepn I.L., et.al. In: Semiconductor Silicon 1977 // The Electrochem. Soc., Pennington, N.Y., 1977, p. 52.

188. Воронков B.B. Агрегация точечных дефектов в кристаллах кремния, растущих из расплава. // В кн.: Рост кристаллов, т. 18, М.: Наука, 1990, с. 183-197.

189. Puzanov N.I., Eidenzon A.M. Microdefect in Chochralsky silicon single crystals. // J. Crystal Growth, 1997, v. 178, p.459-467.

190. Мильвидский М.Г., Особенности дефектообразования в бездислокационных монокристаллах полупроводников //Известия ВУЗ'ов, сер. Материалы электронной техники, 1998, N 3, с.4-13.

191. Furuya Н., Harada К., Park J.G., Cz single-crystal silicon without grown-in defects. // Solid State Technol., November 2000, p. S25-S28.

192. Voronkov V.V., Falster R., Grown-in microdefects, residual vacancies and oxygen precipitation bands in Czochralski silicon. // J. Crystal Growth, 1999, v.204, p.462-474.

193. Suhren M., Grof G., Lambert U., et. al. Microdefects in heavily B-doped Cz silicon single crystals. // Electrochemical Soc. Proc. v.96-13, Eds. Kolbesen B.O., Clayes C.L., The Electrochemical Soc. Inc., Pennnigton, USA, (1996), p.132-1378.

194. Леммлейн Г.Г. Морфология и генезис кристаллов. М.: Наука, 1973, 327с.

195. Шафрановский И.И. Лекции по кристалломорфологии. М.: Высшая школа, 1968, 174 с.

196. Хонигман Б. Рост и форма кристаллов. М., изд-во ИЛ, 1961, 210 с.

197. Шефталь Н.Н. Акцессории роста кристаллов. // Труды Института кристаллографии АН СССР, 1947, 3, 55.

198. Петров Д.А, Буханова А.А. Переохлаждение расплава и рост кристаллов по Чохральскому. // ДАН СССР, 1961, т. 139, № 4. с.933-935.

199. Siszek Т.Е. Non cilindrical growth habit of flout zoned dislocation-free (111) silicon crystals. // J. Cryst. Growth, 1971, 10, 3. p.263-268.

200. Любалин М.Д. Морфология кристаллов, вытягиваемых из расплава. // В кн.: Рост кристаллов, т.9, М.: Наука, 1972, с. 121-126.

201. Фалькевич Э.С.,Блецкан Н.И., Неймарк К.Н., Осовский М.И. Особенности внешнего вида бездислокационных кристаллов кремния. // В кн.: Рост кристаллов, т.9, М.: Наука, 1972, с. 189-192.

202. Воронков В.В. Процессы на границе фронта кристаллизации. // Кристаллография, 1974, т.19, №5, с. 922-929.

203. Barle W.N., Ragai R.K., Seth G.L. Morphology of diamond structure crystals (Si, Ge) grown from the melt. // Indian J. Pure Appl. Phys., 1976, v. 14, 5. p.394-395.

204. Бузынин A.H., Блецкан Н.И., Заичко B.B., Шефталь Н.Н. Вынужденная форма роста и совершенство монокристаллов. // В кн.: Процессы реального кристаллообразования. М.: Наука, 1977,с.52-60.

205. Антонов П.И. Изучение капиллярных явлений в процессе роста кристалла. // В кн.: Рост кристаллов, т.6, М.: Наука, 1965, с. 158-160.

206. Pohl R.G. // J. Appl. Phys., 1954, v. 25, p.668.

207. Воронков В. В. О термодинамическом равновесии на линии раздела трех фаз. // ФТТ, 1963, т. 5, №2, с. 571.

208. Surec Т. and Chalmers В. The direction of growth of the surface of a crystal in contact with its melt. // J. Cryst. Growth, 1975, v.29, N 1, p. 1-11.

209. Surec T. The meniscus angle in Germanium crystal growth from the melt. // Scr. met., 1976, N 10, p. 425.

210. Татарченко B.A., Сает А.И., Степанов A.B. К расчету высоты столба жидкости при получении изделий из расплава. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1969, т. 33, № 12, с. 1954-1959.

211. Баландин Г.Ф. Литье намораживанием. М., Машгиз, 1962, 263 с.

212. Татарченко В.А. и Бренер Е.А. Устойчивость процесса кристаллизации из расплава при капиллярном формообразовании. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1976, т. 40, № 7, с. 1456-1467.

213. Татарченко В.А., Сатункин Г.А. Исследование капиллярных условий при кристаллизации из расплава сапфировых стержней. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1976, т. 40, № 7, с. 1488-1491.

214. Татарченко В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.: Наука, 1988, 240 с.

215. Surek Т. Theory of shape stability in crystal growth from the melt. // J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 10, p. 4384-4393.

216. Сурек Т., Кориел С., Чалмерс Б. Устойчивость формы кристалла в процессах роста, определяемого формой мениска. // В кн.: Рост кристаллов, т. 13, М.: Наука, 1980, с. 180-190.

217. Чалмерс Б. Теория затвердевания. М.: Металлургия, 1968, 288 с.

218. Лодис Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974.

219. Brice С. // J. Cryst. Growth, 1970, v. 6, N 2, р.205.

220. Чернов А.А. Кристаллография, 1971, т. 16, № 4, с. 842.

221. Тиман Б.Л, и Колотий О.Д. Влияние тепловых условий на эффект грани. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1980, 44, 2, с.284-285.

222. Любов Б.Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975, 256 с.

223. Мильвидский М.Г., Беркова A.B. Некоторые особенности распределения примесей в монокристаллах полупроводников при выращивании по методу Чохральского. // ФТТ, 1963, 5, с.709-716.

224. Флеминге М. Процессы затвердевания // М.: Мир, 1977. 423 с.

225. Пфанн В.Дж. Зонная плавка. М.: Мир, 1970, 272 с.

226. Бузынин А.Н., Алешин A.A., Блецкан Н.И. Особенности морфологии кристаллов кремния, выращиваемых из расплава в неосесимметричных направлениях//Электрон, техника. Сер. Материалы. 1983, № 4, с. 45-49.

227. Воронков Б.В., Панков В.М. Рост кристаллов кремния с одной дислокацией. Кристаллография, 1975, 20, 6, с.1145-1151.

228. Стейман А., Цииммерли У. Особенности роста монокристаллов арсенида галлия // Технология полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1967, с. 219-237.

229. Строителев С.А. // Кристаллохимический аспект технологии полупроводников. Новосибирск: Наука, 1970. 192 с.

230. Антонов П.И. и др. // Получение профилированных монокристаллов и изделий способом Степанова. Л.: Наука, 1980. 280 с.

231. Демьянов Я А. // Кристаллография, 1970, т. 15, с. 808.

232. Носов Ю. Г., Антонов П. И. и др. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1972, т, 35, с. 495.

233. Антонов П. И., Бахолдин С. И. Влияние анизотропии физических свойств на форму и дефектную структуру профилированных монокристаллов // В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1983, т. 14, с. 164 — 170.

234. Блецкан Н.И., Березенко Л.Е., Веселкова H.A. К вопросу о двойниковании при выращивании монокристаллов кремния. // Сб. Кремний и германий, ч. 1, М.: Металлургия, 1971, с. 54-62.

235. Бузынин Ю. Н., Бузынин А. Н., Блецкан Н. И., Соколов Е. Б. Особенности двойникования в лентах кремния // Изв. АН СССР, сер. физич., 1979, т. 43, с. 1997-2000.

236. Антонов В.А., Селин В.В. Особенности роста и свойств объемных монокристаллов фосфида индия.//Электронная промышленность, 1980, №8-9, с. 15-17.

237. Мюллер Р.Л., Джекобсон Р. Двойники в антимониде индия. // В кн.: технология полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1967, с.235-240.

238. Блецкан Н.И., Бузынин А.Н., Волков А.Ф. и др. Пути повышения однородности промышленных монокристаллов кремния // Электронная промышленность, 1980, № 8-9, с. 6-14.

239. Gottshalk Н., Patzer G., Alexander Н. // Phys. Stat. Sol. (a), 1978, v. 45, p. 207.

240. Teller G. W. // J. Ciyst. Growth. 1981, v. 51, p. 418.

241. Антонов П.И., Бахолдин С. И., Носов Ю. Г., Калитина Е. С. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1983, т. 47, с. 315.

242. Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А., Дементьев Ю.С., и др. Применение РЭМ для определения условий образования неоднородностей в кристаллах антимонида индия. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1987, т. 51, №3, с.361-367.

243. Блецкан Н.И., Бузынин А.Н., Бутылкина Н.А. и др. Неустойчивость монокристаллического роста дислокационных кристаллов кремния большого диаметра. // Изв. АН СССР, сер. физич.,1984, т. 48, с. 2350-2355.

244. Cahn R. W. // Adv. Phys. 1954. v. 9, p. 363.

245. Абросимов H.B. Ерофеева C.JI., Татарченко В.А. // Изв. АН СССР, сер. физич.,1985, т. 49, № 12, с. 2361.

246. Алешин А.А., Блецкан Н.И., Богатырев С.Ф., Бузынин А.Н., Любалин М.Д. Развитие структуры кремниевых труб, получаемых на затравку— формообразователь. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1985, т. 49, № 12, с. 2375-2379.

247. Бузынин А.Н., Заичко В.В., Осико В.В. Татаринцев В.М. Условия нарушения бездислокационного роста и стабильности расплавленной зоны при выращивании кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки. // Кристаллография, 989, т. 33, с. 208-214.

248. Антонов П.И., Григорьев Н.С., Степанов А.В. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1975, с. 268.

249. Бузынин АЛТ Блецкан Н.И., Кузнецов Ю.Н., Шефталъ Н.Н. Ростовые дефекты полупроводниковых кристаллов // В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980, т. 13, с. 251-260.

250. Swarts J.C., Surek В.Т., Chalmers B.J. // Electronic Materials, 1975, v. 4, N 2, p.255.

251. Schwuttke G.H. // Phys. status solidi (a), 1977, v.43, N 1, p. 43.

252. Ravi K.V. // J. Crystal Growth, 1977, v. 39, p. 1.

253. Surek Т., Hari Rao C.B., Swartz J.C., Garone L.G. Surface morphology and shape stability in silicon ribbons growth by the edge-defined, film-fed growth process. // J. Electrochem. Soc., 1977, v. 124, N 1, p. 112-123.

254. Ciszek T. F. Edge-defined, film-fed growth of silicon ribbons. // Mat. Res. Bull., 1972, v. 7, p. 731-738.

255. Блецкан H. И., Бузынин A. H., Заичко В. В., Селин В. В. Выращивания лент кремния методом Степанова // Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы, 1978, т. 14, №4, с. 603-606.

256. Галактионов Е.В., Крымов В.М., Колесникова Э.Н., Бахолдин С.И. и др. // Тез. докл. V Всесоюзн. совещ. по росту кристаллов, Тбилиси, 1977, т. 2, с. 240.

257. Бузынин Ю.Н., Орлов Ю.Н., Бузынин А.Н. и др. Исследования в РЭМ монокристаллических лент кремния // Поверхность. Физика, химия, механика, 1983, № 7, с. 62-67.

258. Регель А. Р., Глазов В.М. // ФТТ, 1983, т. 17, с. 1729.

259. Дементьев Ю.С. Бузынин А.Н., Блецкан Н.И., Соколов Е.Б., Федоров В.А. Морфология и механизм роста кристаллов фосфида галлия из газовой фазы //Кристаллография. 1980, т. 25, с. 1267-1272.

260. Бузынин А. Н., Антонов В. А., Осико В. В., Татаринцев В. М. Общие черты двойникования кристаллов кремния и соединений AinBv // Изв. АН СССР, сер. физич., 1988, т. 52, № 10, с. 1889-1894.

261. Воронков В.В. // Изв. АН СССР, сер. физич., 1985, т. 49, с. 2467.

262. Hurle D.T.J., et. al. The mechanism of growth-twin formation in zincblende crystals: new insights from a study of magnetic liquid encapsulated Czochralski-grown InP single crystals. // J. Crystal Growth, 1998, v. 187, N 1, p. 9-17.

263. Шефталь H.H. Искусственная эпитаксия Диатаксия (графоэпитаксия) // Материалы электронной техники, ч. 1 - Физико-химические принципы методов синтеза, Новосибирск: Наука, 1983, с. 83— 102.

264. Givargizov E.I. Artificial epitaxy (graphoepitaxy) // Ch. 21 in: Handbook of Crystal Growth, part 3b, ed. D.T.J.Hurle, Thin Films and Epitaxy // Elsevier, Amsterdam, 1994, pp.941-995.

265. Шефталь H.H., Клыков В.И. Особенности и механизм явления искусственной эпитаксии. // Рост кристаллов, М.: Наука. 1980, т. 13, с. 8084.

266. Шефталь Н.Н. К вопросу о реальном кристаллообразовании. // В кн.: Рост кристаллов, М., изд-во АН СССР, 1961, т. 3, с. 9-21.

267. Френкель Я. И. Кинетическая теория жидкости, Л.: Наука, 1975, 592с.

268. Глазов В. Н., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники, М.: Наука, 1967.

269. Бузынин А.Н., Заичко В.В., Осико В.В., Татаринцев В.М. Условия нарушения бездислокационного роста и стабильности расплавленной зоны при выращивании кристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки // Кристаллография, 1989, т. 34, №1, с. 208-214.

270. Способ получения кристаллов соединений АШВУ. Авт. свидет. СССР №1452220, 1988 (А.Н. Бузынин, В.В.Осико, В.В.Воронков, В.М.Татаринцев, В.Г.Марков, А.М.Соколов).

271. Способ получения лент кремния. Авт. свидет. СССР №1082074, 1984 (А.Н Бузынин, Ю.Н.,Бузынин, Ю.Н.Орлов, Н.И.Блецкан, Ю.С.Дементьев, Е.Б.Соколов).

272. Способ выращивания монокристаллов соединений АШВУ. Авт. свидет. СССР. № 1522795, 1989 (А.Н Бузынин, В.В. Осико, В.М.Татаринцев, Ю.С.Дементьев, В.Г.Марков, А.М.Соколов).

273. Горшков В.Г., Данилейко Ю.К., Осико В.В., Сидорин В.В. // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Физические методы исследования материалов электронной техники». Кишинев, 1986, с. 113.

274. Способ получения монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР №1365743, 1987 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, В.В.Воронков).

275. Способ выращивания монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР № 1422728, 1988 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, В.В.Заичко, Н.И.Блецкан, И.Ф.Червоный).

276. Бузынин А.Н. Субсекториальные особенности строения кристаллов, выращиваемых из расплава // Материалы IX Сов. по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова, Л., 1982, с.284-290.

277. Индуктор для бестигельной зонной плавки. Авт. свидет. СССР №1429604, 1988 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, И.Б.Гричевский, В.В.Заичко, В.С.Клочков, И.Ф.Червоный, Н.И.Казимиров).

278. Способ и устройство для получения монокристаллов кремния. Авт. свид. СССР №1422727, 1988 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, В.В.Заичко, А.А.Кравцов, И.Ф.Червоный).

279. Устройство для получения монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР. № 1508613, 1989 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, В.В.Заичко, А.А.Кравцов, И.Ф.Червоный).

280. Способ и устройство для получения монокристаллов кремния. Авт. свидет. СССР № 1603843, 1990 (А.Н Бузынин, В.В.Осико, В.М.Татаринцев, В.В.Заичко, А.А.Кравцов, И.Ф.Червоный).