Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Арапкина, Лариса Викторовна

• Арапкина, Лариса Викторовна
• кандидат технических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат технических наук Арапкина, Лариса Викторовна

Введение.

Глава I. Термодоноры в монокристаллах кремния.(Обзор литературы)

1.1 .Термодоноры, образующиеся в монокристаллах кремния при отжиге в интервале температур 450-550°С

1.1.1 .Двойные термодоноры в монокристаллах кремния.

1.1.2.0днозарядный мелкий термодонор.

1.1.3.Влияние предварительной термообработки на генерацию кислородных термодоноров.

1.1 АВлияние примеси углерода на образование двойных термодоноров.

1.2.Модели образования двойных термодоноров.

1.3.Диффузия атомов кислорода в кремнии.

1.4.Влияние примеси азота на образование термодоноров.

• 1.5.Термодоноры, образующиеся в монокристаллах кремния при температурах отжига выше 600°С.

1.6.Посгановка задачи исследования.

Глава II. Методика эксперимента

Введение.

2.1.Определение концентраций основных и компенсирующих электрически активных центров в легированных монокристаллах кремния

2.1.1.Эффект Холла.

2.1.2.0пределение удельного сопротивления и холловской подвижности основных носителей заряда.

2.1.3.Метод измерения эффекта Холла.

2.1.4.Определение ошибки расчета концентрации основных и компенсирующих центров.

2.2.Термическая обработка образцов.

2.3.Определение концентраций межузельных атомов кислорода, углерода и азота в исследуемых образцах.

2.4 Изучение картины распределения ростовых микродефектов в пластинах кремния методом медного декорирования.

Глава III. Влияние условий термообработки, собственных точечных дефектов и атомов бора на генерацию кислородных термодоноров в пластинах кремния

Введение.

3.1.Влияние собственных межузельных атомов кремния на генерацию кислородных термодоноров в пластинах кремния

3.1.1.Выбор условий эксперимента и параметров исследуемых образцов.

3.1.2.Влияние условий термообработки на генерацию кислородных термодоноров в пластинах кремния во время отжига 520°С.

3.1.3.Влияние толщины образца на генерацию кислородных термодоноров о время отжига при 400-520°С.

3.1.4,Обсуждение результатов эксперимента.

3.1.5.Некоторые особенности изменение энергии ионизации глубокого уровня двойных термодоноров со временем отжига 520°С.

3.2,Особенности генерации кислородных термодоноров в монокристаллах кремнии с повышенной концентрацией атомов бора.

3.3.0 возможном "старении" при комнатной температуре образцов, прошедших "высокотемпературный" отжиг при 650°С и 900°С.

3.4.Выводы.

Глава IV. Влияние азота на генерацию термодоноров в кремнии при отжиге в интервале температур 400-800°С

Введение.

4.1 .Отжиг в интервале температур 400-800°С.

4.2.Влияние атомов азота на генерацию кислородных термодоноров в процессах отжига при температурах 400-520°С.

4.3. О возможном составе мелкого однозарядного термодонора, образующегося при температурах отжига 600-800°С в монокристаллах кремния, легированных азотом.

4.4.Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие примесных атомов и собственных точечных дефектов при формировании кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллах кремния»

Основным полупроводниковым материалом в современной твердотельной электронике является кремний. Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния осуществляется или методом бестигельной зонной плавки (БЗП), или методом Чохральского. Основной объем монокристаллов кремния производится методом Чохральского. 80-90% полученных этим методом монокристаллов используется в микроэлектронике для производства сверхбольших интегральных схем (СБИС). Технология и производство бездислокационных монокристаллов кремния и СБИС развиваются в направлении увеличения диаметра получаемых слитков, уменьшения топологических размеров и увеличения плотности монтажа элементов СБИС. При этом непрерывно ужесточаются требования к качеству используемых бездислокационных монокристаллов, прежде всего к совершенству их кристаллической структуры, чистоте и однородности распределения электрофизических свойств.

В связи с наличием достаточного количества слабоконтролируемых загрязнений быстродиффундирующими примесями как на стадии изготовления пластин, так и в процессах формирования элементов СБИС, весьма актуальной проблемой является создание эффективных геттерирующих сред, позволяющих очистить активную область приборной структуры от нежелательных примесей и избыточных собственных точечных дефектов (СТД). Для пластин большого диаметра, толщина которых сравнительно велика, эта задача решается путем создания в объеме пластины внутреннего геттера в процессе распада пересыщенного твердого раствора кислорода. На этот процесс влияет достаточно много факторов. К числу основных из них относятся процессы взаимодействия атомов кислорода с сопутствующими примесями и СТД.

Кислород образует в кремнии твердый раствор типа внедрения (находится в междоузлиях) и в этом состоянии практически не проявляет электрической активности. Концентрация межузельного кислорода в монокристаллах кремния, полученных методом БЗП, достигает ~1016 см 3, а методом Чохральского ~1018 см 3. В последнем случае концентрация кислорода оказывается достаточной для образования в монокристалле пересыщенного твердого раствора, продукты распада которого (оксидные преципитаты и сопутствующие им дефекты) являются эффективными стоками для нежелательных быстродиффундирующих примесей (Fe, Си и др.), попадающих в пластину при формировании элементов СБИС. Процесс распада пересыщенного твердого раствора кислорода в выращенных по методу Чохральского монокристаллах частично протекает уже непосредственно в процессе охлаждения кристалла от температуры кристаллизации с образованием кислородсодержащих микродефектов и ростовых термодоноров. Однако для формирования эффективного внутреннего геттера необходимо проведение специальных многоступенчатых термообработок вырезаемых из монокристалла пластин.

Несмотря на достаточно большое количество работ, посвященных изучению процессов распада пересыщенного твердого раствора кислорода в монокристаллах кремния, механизм происходящих при этом явлений остается еще далеко неясным. Прежде всего остается открытым вопрос о роли СТД и сопутствующих примесей в этих процессах. С этой точки зрения особый интерес представляет изучение закономерностей распада в области сравнительно низких температур (400-600°С), в которой способность атомов кислорода к образованию различных комплексов с СТД и сопутствующими примесями проявляется наиболее отчетливо. Исследования в этом температурном интервале имеют и непосредственное практическое значение, т.к. именно при этих температурах в монокристаллах происходит образование электрически активных кислородсодержащих комплексов, обладающих донорными свойствами, так называемых термодоноров, существенно влияющих на электрофизические свойства монокристаллов и вырезаемых из них пластин. Кроме того, понимание закономерностей преципитации при "низких" температурах очень важно для технологии формирования в пластинах внутреннего геттера, т.к. при этих температурах происходит образование центров преципитации кислородных атомов. Проявление образующимися кислородсодержащими комплексами электрической активности позволяет использовать для изучения закономерностей их образования традиционные электрофизические методы.

Образование термодоноров в монокристаллах кремния было обнаружено более 40 лет назад. За это время накоплен огромный экспериментальный материал. При этом часто данные разных авторов очень сильно расходятся, что, скорее всего, обусловлено очень высокой чувствительностью изучаемых явлений к условиям проведения экспериментов и внутренним особенностям исследуемых образцов. Это сильно осложняет обобщение литературных данных и выработку обоснованной модели образования термодоноров. Поэтому исследования закономерностей образования и поведения термодоноров в монокристаллах кремния остаются актуальными и сегодня.

В последнее время проявляется большой интерес к получению монокристаллов кремния, легированных азотом. Введение в кристалл атомов азота облегчает получение монокристаллов, не содержащих вакансионных пор, и способствует повышению механической прочности пластин большого диаметра (и большого веса) при последующих высокотемпературных термообработках, затрудняя образование и движение в них дислокаций, и тем самым предотвращая появление дислокаций в рабочей области пластины. Растворимость азота в кремнии мала и введение его в кристалл до концентрации более ~1015 см"3 встречает принципиальные затруднения. С точки зрения изучения природы явлений, происходящих при низкотемпературной преципитации кислорода, легирование азотом представляет особый интерес, т.к. атомы азота могут образовывать с атомами кислорода достаточно устойчивые комплексы, что несомненно должно влиять на особенности происходящих процессов. Кроме того, некоторые из комплексов атомов азота с атомами кислорода проявляют электрическую активность, что позволяет использовать электрофизические методы для изучения процессов межпримесного взаимодействия с участием атомов кислорода.

Целью настоящей работы является изучение влияния взаимодействия атомов кислорода с легирующими примесями бора и азота, и влияния собственных межузленных атомов кремния на образование термодоноров в пластинах кремния при термообработках в интервале температур 400-800°С, а также разработка модельных представлений о механизме происходящих процессов. Объектами исследования являются монокристаллы, выращенные методом Чохральского. В качестве основного метода исследования выбраны измерения эффекта Холла в широком интервале температур.

Научная новизна полученных результатов:

1. Впервые показано, что на кинетику образования кислородсодержащих термодоноров, образующихся в пластинах и монокристаллах кремния при их отжиге в интервале температур 450-520°С существенное влияние оказывают собственные межузельные атомы кремния. Экспериментально подтверждена модель образования термодоноров, предложенная В.В.Воронковым, раскрывающая механизм участия собственных межузельных атомов кремния в процессе образования кислородсодержащих термодоноров.

2. Показано, что в кристаллах с относительно высоким содержанием легирующей примеси бора (£1х1015 см'3) существенное влияние на генерацию термодоноров в пластинах кремния в процессе их отжига при температурах 480-530°С оказывает взаимодействие атомов кислорода с атомами легирующей примеси с образованием электрически нейтральных бор-кислородных комплексов. Реакции образования таких комплексов и двойных термодоноров являются конкурирующими. Собственные межузельные атомы атомы кремния ускоряют процесс образования электрически нейтральных бор-кислородных комплексов.

3. Установлено, что в процессе выдержки при комнатной температуре образцов, подвергнутых кратковременной термообработке при температурах 650°С или 900°С с целью отжига "ростовых" термодоноров, в них происходят закономерные изменения концентрации носителей заряда, связанные, скорее всего, с разрушением присутствующих в образцах электрически нейтральных борсодержащих комплексов. Длительность этого своеобразного процесса "старения" составляет в среднем 5-7 суток, после чего достигаются стабильные значения концентрации носителей.

4. Изучено влияние легирующей примеси азота на генерацию термодоноров в пластинах при их отжиге в интервале температур 400-800°С. Установлено, что при отжиге в интервале температур 400-520°С атомы азота взаимодействуют с атомами кислорода с образованием электрически нейтральных азот-кислородных комплексов, что приводит к снижению скорости генерации кислородсодержащих двойных термодоноров. Показано, что атомы азота образуют электрически активные донорные комплексы с атомами кислорода при отжиге пластин в интервале температур 600-800°С. Предложена модель, описывающая процесс комплексообразования, и определен состав образующихся комплексов.

Практическая значимость работы:

1. Установленный в работе эффект уменьшения концентрации электрически активных атомов бора за счет образования электрически нейтральных бор-кислородных комплексов в процессе кратковременных отжигов при температурах 480-530°С можно использовать для получения пластин кремния с высоким (более 103 Ом см) удельным сопротивлением без дополнительного введения в них компенсирующих примесей.

2. В связи с обнаруженным эффектом "старения" при комнатной температуре образцов, прошедших термообработку с целью отжига "ростовых" термодоноров, были внесены изменения в методику определения концентрации атомов бора в легированных им монокристаллах кремния путем измерения концентрации носителей заряда в термообработанных пластинах дополнение, предусматривающее предварительную выдержку образцов перед измерением в течение 5-7 суток.

3. Кратковременные отжиги при температуре 600°С, приводящие к образованию в пластинах электрически активных азот-кислородных комплексов, могут быть использованы для создания методики определения концентрации атомов азота в слаболегированных азотом монокристаллах кремния, путем измерения температурной зависимости концентрации основных носителей заряда методом Холла в тер мообработанных образцах.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. На кинетику образования кислородсодержащих термодоноров при отжиге пластин в интервале температур 450-520°С существенное ускоряющее влияние оказывают присутствующие в пластинах собственные межузельные атомы кремния. Условия термообработки, определяющие природу и концентрацию в пластинах стоков для межузельных атомов кремния, оказывают существенное влияние на кинетику образования термодоноров.

2. При отжиге борсодержащих пластин в интервале температур 480-900°С атомы бора образуют электрически нейтральные комплексы с атомами кислорода. При температурах отжига 480-530°С такое комплексообразование оказывает существенное влияние на генерацию термодоноров.

3. При отжиге легированных азотом пластин в интервале температур 400-520°С атомы азота образуют с атомами кислорода электрически нейтральные комплексы, что приводит к снижению скорости генерации кислородсодержащих двойных термодоноров.

Диссертация состоит из введения, четырех глав основного текста, заключения; приложения, изложена на 172 страницах машинописного текста; содержит 90 рисунков, 10 таблиц и список литературы из 102 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Арапкина, Лариса Викторовна

В настоящей работе методом измерения температурной зависимости эффекта Холла изучены закономерности образования и аннигиляции кислородсодержащих термодоноров в бездислокационных монокристаллических пластинах кремния, вырезанных из выращенных по методу Чохральского монокристаллов, в процессе их проведенных исследований получен ряд новых научных результатов:

1. Наряду с содержанием кислорода и температуры отжига, существенное влияние на кинетику генерации кислородсодержащих термодоноров оказывают структурные особенности исходных образцов и их толщина; среда отжига, определяющая состояние поверхности образцов; а также скорость охлаждения образцов от температуры отжига до комнатной. Установлено, что собственные межузельные атомы кремния оказывают существенное влияние на процесс генерации кислородсодержащих термодоноров.Продемонстрировано хорошее согласие полученных экспериментальных данных с теоретической моделью В.В.Воронкова, раскрывающей механизм участия собственных межузельных атомов кремния в происходящих процессах.2. Установлена существенная роль межузельных атомов кремния в процессах аннигиляции "ростовых" термодоноров. С использованием положений модели В.В.Воронкова предложена схема процесса, учитывающая возможность одновременного протекания реакций аннигиляции "ростовых" термодоноров и образования новых термодоноров.3. Показано, что в кристаллах с относительно высоким содержанием легирз^ощей примеси бора (^IxlO'* см'^ ) существенное влияние на генерацию термодоноров в взаимодействие атомов кислорода с атомами легирующей примеси с образованием электрически нейтральных бор-кислородных комплексов. Реакции образования таких комплексов и двойных термодоноров являются конкурирующими. Собственные межузельные атомы атомы кремния ускоряют процесс образования электрически нейтральных бор-кислородных комплексов.4. Установлено, что в процессе выдержки при комнатной температуре образцов, целью отжига "ростовых" термодоноров, в них происходят закономерные изменения концентрации носителей заряда, связанные, скорее всего, с разрушением присутствующих в образцах электрически нейтральных борсодержащих комплексов.Длительность этого своеобразного процесса "старения" составляет в среднем 5—7 суток, после чего достигаются стабильные значения концентрации носителей.влияет на процесс генерации мелких однозарядных термодоноров в кремнии. Атомы

1вота оказывают влияние на процесс генерации кислородсодержащих двойных термодоноров, взаимодействуя с атомами кислорода с образованием электрически нейтральных азот-кислородных комплексов и тем самым уменьшая концентрацию атомов кислорода, участвующих в реакции образования двойных термодоноров. Реакции образования двойных кислородсодержащих термодоноров и электрически нейтральных азот-кислородных комплексов протекают параллельно и являются конкурирующими.6. Установлено, что легирование азотом приводит к образованию в пластинах кремния в малыми энергиями ионизации. На основании полученных экспериментальньпс данных предложена модель образования и проведено определение состава таких комплексов.Показано, что семейство мелких однозарядных термодоноров, образующихся в пластинах преимущественно из комплексов с составом NO2, МОз и N04- Показано, что количество атомов азота, вступающих в реакцию образования таких мелких однозарядных термодонорных комплексов, определяется соотношением величин полной концентрации атомов азота и константы равновесия реакции образования этих комплексов, которая зависит от концентрации межузельных атомов кислорода как степенная функция типа С''.Установленные в работе новые закономерности в образовании кислородсодержащих термодоноров позволяют высказать ряд важных практических рекомендаций:

1. Эффект уменьшения концентрации электрически активных атомов бора в процессе получения пластин кремния с высоким (более 10^ Ом см) удельным сопротивлением без дополнительного введения в них компенсирующих примесей.2. В связи с обнаруженным эффектом "старения" при комнатной температуре образцов, прошедших термообработку с целью отжига "ростовых" термодоноров, необходимо внести в методику определения концентрации атомов бора в легированных им монокристаллах кремния путем измерения концентрации носителей заряда в термообработанных пластинах дополнение, предусматривающее предварительную вьщержку образцов перед измерением в течение 5-7 суток.3. В связи с образованием азотсодержащих электрически активных донорных комплексов методики определения концентрации атомов азота в слаболегированных азотом монокристаллах кремния, путем измерения температурной зависимости концентрации основньк носителей заряда методом Холла в термообработанных образцах.Благодарю научного руководителя Мильвидского М.Г., Воронкову Г.И., Воронкова В.В. и коллектив лаборатории №37 института ГИРЕДМЕТ за помощь в организации и проведении экспериментов и за участие в обсуждении, полученных результатов, за ценные советы и замечания.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Арапкина, Лариса Викторовна, 2004 год

1. Сальник З.Н. 'Термодоноры в кремнии, содержащем кислород" Неорган, матер. 1995, том 31,№11,стр 1393-1399.

2. Вавилов B.C. из кн. "Дефекты в кремнии",М.Наука 1990.

3. P.Wagner, J.Hage "Thermal double donors in silicon" Appl.Phys.A49,1989,123-138.

4. Воронков B.B. "Система кислород-собственные межузельные атомы и генерация термодоноров в кремнии" Кристаллография 1993, том 38, №1, 150-169.

5. T.Gregorkiewicz, H.H.P.Th.Bekman "Thermal donors and oxygen-related complexes in silicon" Mater. Sci.Eng.B4,1989,291 -297.

6. M.Claybourn, R.C.Newman "Activation energy for thermal donor formation in silicon" Appl.Phys.Lett.51 (26)1987,2197-2199.

7. M.Claybourn, R.C.Newman "Thermal donor formation and the loss of oxygen from solution in silicon heated at 450°C" Appl.Phys.Lett.52(25),1988,2139-2141.

8. C.ALondos, M.J.Binns, A.R.Brown, S.A.McQuid, R.C.Newman "Effect of oxygen concentration on the kinetics of thermal donor formation in silicon at temperatures between 350 and 500°C" Appl.Phys.Lett.58(19),1993,1525-1526.

9. N.Meilwes, J-M.Spaeth, W.Gotz, G.Pensl "Thermal donors in silicon: an investigation of their structure with electron nuclear double resonance" Semicond.Sci.Technol. 9(1994)1623-1632.

10. Маркевич В.П., Мурин Л.И. "О центрах зарождения термодоноров в кремнии" ФТП,1991,том 25,№2,262-266.

11. Бабич В.М., Баран Н.П., Доценко Ю.П., Зотов К.И., Ковальчук В.Б., Максименко В.М. "Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550°С в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского" ФТП, 1992,том 26,№3,447-453.

12. D.Goth, H.-U.Habermeier, A.Breitschwerdt "Correlation of thermal history and thermal donor formation" Mater.Sci and Engineering B4,1989,223-229

13. Бабицкий Ю.М., Васильева M.B., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Ремизов О.А. "О влиянии термической предыстории на образование кислородных доноров в кремнии" ФТП,1991,том 25, №5, 838-840.

14. C.D.Lamp, B.D.Jones "Changes in silicon thermal donor energy as a function of anneal time" Appl.Phys.Lett.58(19)1991,2114-2116.

15. Емцев B.B., Машовец T.B., Оганесян Г.А., Шмальц К. "Образование двойных термодоноров в Cz-Si с различной концентрацией кислорода" ФТП, 1993,том 27,№9,1545-1548.

16. Мурин Л.И., Маркевич В.П. "О механизме подавления генерации термодоноров в кремнии примесными атомами углерода" ФТП,1993,том 27,№2,193-199.

17. Y.Kamiura, Y.Uno, F.Hashimoto "Carbon-induced rapid annihilation of thermal double donors in Czochralski silicon studied by infrared absorption spectroscopy" Jpn.J.Appl.Phys.vol.32(1993),L1715-L1717,Pt 2,№12A.

18. M.Reiche, J.Reichel "Correlations between TD annihilation and oxygen precipitation in Czochralski-grown silicon" Mater.Sci.Forum vol.3 8-41, 1989, Pt.2,643-648.

19. V.V.Voronkov "Generation of thermal donors in silicon: oxygen aggregation controlled by self-interstitials" Semicond.Sci.Technol. 8, 1993, 2037-2047.

20. A.Hara "Hydrogen-like ultrashallow thermal donors in silicon crystals" Jpn.J. Appl.Phys.vol.34 (7A), 1995, 3418-3425,Pt 1.

21. Y.Kamiura, F.Hashimoto, M.Yoneta "Formation of several kinds of oxygen-related donors around 500°C and effects of carbon in Czochralski silicon" J.Appl.Phys.68(4)1990,1921-1923.

22. Y.Kamiura, F.Hashimoto, M.Yoneta "Generation of several kinds of oxygen-related thermal donors around 520°C in Czochralski silicon" J.Appl.Phys. 66(8)1989,3926-3929.

23. Y.Kamiura, F.Hashimoto, M.Yoneta "A new family of thermal donors generated around 450°C in phosphorus-doped Czochralski silicon" J.Appl.Phys. 65(2)1989,600-605.

24. Y.Kamiura, F.Hashimoto, M.Yoneta "Formation of new donors and structural defects during low-temperature oxygen precipitation in CZ-grown silicon" Phys.Stat.Sol.(a) v.123, 1991, 357368.

25. Y.Kamiura, M.Suezawa, K.Sumino, F.Hashimoto "Optical properties of new kinds of thermal donors in silicon" Jpn.J.Appl.Phys. 29(11)1990,L1937-L1940.

26. Бринкевич Д.И., Петров B.B., Тужик Ю.Т. "Влияние преципитатов кислорода на процессы генерации термодоноров в кремнии" ФТП,1993,том 27,№1,16-18.

27. A.Hara, M.Aoki, M.Koizuka, T.Fukuda "Model for NL10 thermal donors formed in annealed oxygen-rich silicon crystals" J.Appl.Phys. 75(6)1994,2929-2934.

28. A.Hara, T.Fukuda, T.Miyabo, I.Hirai "Electron spin resonance of oxygen-nitrogen complex in silicon" Jpn.J.Appl.Phys. 28(1)1989,Pt 1,142-143.

29. Y.Kamiura, F.Hashimoto, M.Yoneta "Strong correlation between new donors and rodlike defects formed at 650°C in phosphorus-doped, carbon-lean Czochralski silicon preannealead at 450°C" J.Appl.Phys. 68(3)1990,1358-1361.

30. J.J.Qian, Z.G.Wang, S.K.Wan, L.Y.Lin "A novel model of "new donors" in Czochralski-grown silicon" J.Appl.Phys. 68(3)1990,954-957.

31. C.Y.Kung "Influence of oxygen precipitates on silicon resistivity in the 650°C range" J.Appl.Phys. 61 (8)1987,2817-2821.

32. A.Bourret, J.Thibault-Desseaux, D.N.Seidman "Early stages of oxygen segregation and precipitation in silicon" J.Appl.Phys. 55(4)1984,825-836.

33. K.Holzlein, G.Pensl, M.Schulz, N.M.Johnson "Hydrogenation of the "new oxygen donor" trap in silicon" Appl.Phys.Lett. 48(14)1986,916-918.

34. K.Holzlein, G.Pensl, M.Schulz "Trap spectrum of the "new oxygen donor" in silicon" Appl.Phys. A 34(6) 1984,155-161.

35. Батавин В.В. "Механизм образования термодоноров в кремнии, содержащем кислород" Неорган.мат-лы 1985, том 21, №5, 734-738.

36. V.Cazcarra, P.Zunino "Influence of oxygen on silicon resistivity" J.Appl.Phys. 51(8)1980,4206-4211.

37. A.Kanamori, M.Kanamori "Comparison of two kinds of oxygen donors in silicon by resistivity measurements" J.Appl.Phys. 50(12)1979,8095-8110.

38. R.C.Newman "Oxygen aggregation phenomena in silicon" Mat.Res.Soc.Symp.Proc. vol. 104,1988,25-36.

39. Бабицкий Ю.М., Гринштейн П.М., Ильин M.A., Мильвидский М.Г., Орлова Е.В., Рытова Н.С. "Влияние углерода на образование термодоноров и преципитацию кислорода в бездислокационном кремнии" Неорган.мат-лы 1985, том 21, №5, 744-748.

40. V.M.Babich, N.P.Baran, A.A.Bugai, A.A.Konchits, V.B.Kovalchuk, V.M.Maksimenko, B.O.Shanina "Electrical and paramagnetic properties of thermal donors-11 in silicon" Phys.stat.sol.(a) vol.179,1988, 537-547.

41. Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М., Ильин М.А., Кузнецов В.П., Мильвидский М.Г., Туровский Б.М. "Кинетика генерации низкотемпературных кислородных доноров в кремнии с изовалентными примесями" ФТП, 1988, том 22, №2, 307-312.

42. W.Kaiser, H.L.Frisch, H.Reiss "Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon" Phys.Rev. 112(5)1958,1546-1554.

43. A.Ourmazd, W.Schroter, A.Bourret "Oxygen-related thermal donors in silicon: a new structural and kinetic model" J.Appl.Phys. 56(6)1984,1670-1681.

44. J.J.Borenstein, D.Peak, J.W.Corbett "Oxygen-related thermal donors in silicon: a new structural and kinetic model" Mat.Res.Soc.Symp.Proc. vol. 59,1986,173.

45. D.K.Schroder, C.S.Chen, T.S.Kang, X.D.Song "Number of oxygen atoms in a thermal donor in silicon" J.Appl.Phys. 63(1)1988,136-141.

46. P.Deak, L.C.Snyder, J.W.Corbett "Theoretical studies on the core structure of the 450°C oxygen thermal donors in silicon" Phys.Rev.B 45(20)1992,11612-11626.

47. R.C.Newman "Thermal donors in silicon: oxygen clusters or self-interstitial aggregates" J.Phys.C: Solid State Phys. 18(30)1985,L967-L972.

48. S.A.McQuaid, M.J.Binns, C.A.Londos, J.H.Tucker, A.R.Brown, R.C.Newman "Oxygen loss during thermal donor formation in Czochralski silicon: new insights into oxygen diffusion mechanisms" J.Appl.Phys. 77(4)1995,1427-1442.

49. D.Mathiot "A self-interstitial related model for the formation of thermal donors in silicon" Mat.Res.Soc.Symp.Proc. vol. 104,1988,189-196.

50. Ильчишин В.А., Степченков В.И., Голубенков Б.Ю. "Исследование процессов охлаждения монокристаллов кремния большого диаметра" Электронная техника, Сер.Материалы, 1982,вып. 11 (172),сгр 16-20.

51. Светухин В.В., Приходько О.В. "Центры зарождения кислородных преципитатов в кремнии" Учен.зап. Ульян. Гос. Ун-та, Сер. Физ.,1998, №2, стр.56-57.

52. Приходько О.В., Светухин В.В." Кинетика распада раствора кислорода в кремнии" Учен.зап. Ульян. Гос. Ун-та, Сер. Физ.,1998, №2, стр. 61-63.

53. Мильвидский М.Г. "Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников" Материаловедение 1997, №5, стр.36-40.

54. Yamanaka Н. "Coexistence of two types of nucleation sites for oxygen precipitates in Czochralski silicon" Jpn.J.Appl.Phys.31(8)1992,Ptl,2519-2536.

55. Tajima M.,Warashina M.,Takeno H.,Abe T. "Effect of point defects on oxygen aggregation in Si at 450°C"Appl.Phys.Lett.65(2)l994,222-224.

56. Yang D.,Lu J.,Li L.,Yao H.,Que D. "Thermal acceptor formation in nitrogen-doped silicon"Appl.Phys.Lett. 59(10)1991,1227-1229.

57. NATO ASI Ser.,Ser.3,1996,17, 208-212.

58. Ewels C.P.,Jones R.,Oberg R. "Oxygen-carbon, oxygen-nitrogen and oxygen-dimer defect in silicon" NATO ASI Ser.,Ser.3,1996,17,141-146.

59. Gosele U.,Schroer E.,Werner P.,Tan T.Y. "Low temperature diffusion and agglomeration of oxygen in silicon" NATO ASI Ser.,Ser.3,1996,17,243-261.

60. Kumar Т., Singh S. "Thermal donor formation and oxygen precipitation in Cz-silicon" Bull. Of Electrochemistry 10(11-12) 1994, p.518-521.

61. Markevich V.P., Makarenko L.F., Murin L.I. Mater.Sci.Forum 1989,vol.38-41, Pt.2,p.589.

62. Yang D., Que D., Sumimo K. "Nitrogen effects on thermal donor and shallow thermal donor in silicon" J.Appl.Phys. 77(2), 1995,p.943-944.

63. Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А. "Ускорение генерации термодоноров в монокристаллах кремния, выращенных в атмосфере азота" Неорган, мат-лы 1996,том 32, №10, стр.1159-1161

64. Yang D.,Que D., Sumino К. "Nitrogen-oxygen complexes in silicon" Phys.Stat.Sol.(b) 210(2), 1998,p.295-299.

65. Нага A., Fukuda Т., Miyabo Т., Hirai I. "Oxygen-nitrogen complexes in silicon formed by annealing in nitrogen" Appl.Phys.Lett. 54(7), 1989,p.626-628.

66. Itoh Т., Abe T."Diffusion coefficient of a pair of nitrogen atoms in float-zone silicon" Appl.Phys.Lett. 53(1), 1998,p.39-41.

67. Ewels C.P., Jones R., Oberg S., Miro J., Deak P. "Shallow thermal donor defects in silicon" Phys.Rev.Lett. 77(5),1996,p.865-868.

68. Chen C.S., Li C.F., Ye H.J., Shen S.C., Yang D.R. "Formation of nitrogen-oxygen donors in N-doped Czochralski-silicon crystal" J.Appl.Phys. 76(6), 1994,p.3347-3350.

69. Griffin J.A., Hartung J., Weber J., Navarro H., Genzel L. "Photothermal ionisation spectroscopy of oxygen-related shallow defects in crystalline silicon" Appl.Phys.A 48,1989,p.41-47.

70. Steele A.G., Lenchyshyn L.C., Thewalt M.L.W. "Photoluminescence study of nitrogen-oxygen donor in silicon" Appl.Phys.Lett. 56(2),1990,p.148-150.

71. Wagner P., Oeder R., Zulehner W. "Nitrogen-oxygen complexes in Czochralski-silicon" Appl.Phys.A 46,1988,p.73-76.

72. Fuma N., Tashiro K., Kakumoto K., Takano Y. "Diffused nitrogen-related deep level in n-type silicon" Jpn.J.Appl.Phys. 35(4A),Pt.l,1996,p.l993-1999.

73. Newman R.C., Ashwin M.J., Pritchard R.E., Tucker J.H. "Shallow thermal donors in silicon: the role of Al, H, N, and point defects" Phys.stat.sol.(b) 210(2),1998,p.519-525.

74. Yang D., Ma X., Fan R., Zhang J., Li L., Qu D. "Oxygen precipitation in nitrogen-doped Czochralski silicon" Physics В 273-274,1999,p.308-311.

75. Li L., Yang D. "Transmission electron microscopic observation of oxygen precipitates in nitrogen-doped silicon" Microelectronic Eng. vol.56,200l,p.205-220.

76. Yang D., Fan R., Que D., Sumino K. "Effect of nitrogen-oxygen complex on electrical properties of Czochralski silicon" Appl.Phys.Lett. 68(4), 1996,p.487-489.

77. Yang D., Fan R., Li L., Que D., Sumino K. "Donor formation in nitrogen doped silicon" J.Appl.Phys. 80(3), 1996,p.1493-1498.

78. Dirksen R., Gregorkiewicz Т., Ammerlaan C.A.J. "Individual thermal donor species studied with high-field magnetic resonance" Phys.stat.sol.(b) vol.210, 1998,p.539-543.

79. Gotz W., Pensl G., Zulehner W., Newman R.C., McQuaid S.M. "Thermal donor formation and annihilation at temperatures above 500°C in Czochralski-grown silicon" J.Appl.Phys. 84(7),1998,p.3561-3568.

80. Takeno H., Hayamizu Y., Miki K. "Diffusivity of oxygen in Czochralski silicon at 400-750°C" J.Appl.Phys. 84(6),1987,p.3113-3117.

81. Voronkov V.V., Falster R. "Vacancy-type microdefect formation in Czochralski silicon" J. Cry st. Growth 194(1), 1998,p.76-88.

82. Falster R., Voronkov V.V., Quast F. "On the properties of the intrinsic point defects in silicon: a perspective from crystal growth and water processing" Phys.stat.sol.(b) 222(1),2000,p.219-244.

83. Newman R.C. "Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon" J.Phys.:Condens.Matte. 12(25), 2000, p.R335-R365.

84. Воронков B.B., Воронкова Г.И., Батунина A.B., Головина В.Н., Мильвидский М.Г., Гуляева А.С., Тюрина Н.Б., Арапкина JI.B. "Генерация термодоноров в кремнии: влияние собственных межузельных атомов" ФТТ 42(11) 2000, стр. 1969-1975.

85. Неймаш В.Б., Пузенко Е.А., Кабалдин А.Н., Крайчинский А.Н., Красько Н.Н. "О природе зародышей для образования термодоноров в кремнии (или еще один вариант ускоренной диффузии кислорода)" ФТП 33(12) 1999,стр. 1423-1427.

86. Murin L.I., Hallberg Т., Markevich V.P., Lindstrom J.L. "Experimental evidence of the oxygen dimer in silicon" Phys.Rev.Lett. 80(1) 1998, p.93-96.

87. Селищев П. А. "Кинетика образования кислородсодержащих термодоноров в кремнии и формирования их неоднородного распределения: аналитическое решение" ФТП 35(1) 2001, стр.11-14.

88. Voronkov V.V. "Mechanism of swirl defect formation in silicon" J.Cryst.Growth 59(3), 1982, p.625-643.

89. Воронков B.B., Воронкова Г.И., Батунина A.B., Головина В.Н., Арапкина Л.В., Тюрина Н.Б., Гуляева А.С., Мильвидский М.Г. "Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом" ФТТ 44(4), 2002, стр.700-704.

90. Aberg D., Hallberg Т., Svensson B.G., Lindstrom J.L., Kleverman M. "Formation of ultra shallow donors in silicon by long-term-annealing at 470°C" Mater. Science Forum 258-263, 1997, p.385-390.

91. Cheung J., Messoloras S., Rycroft S., Stewart R.J., Binns M.J. "Oxygen precipitation in Czochralski grown silicon heat treated at 550°C" Semicond.Sci.Technol. 15(7), 2000, p.782-788.

92. Sawada H., Kawakami K. "First principles calculation of the interaction between nitrogen atoms and vacancies in silicon" Phys.Rev.B 62(3), 2000, p. 1851-1858.

93. Kageshima H., Taguchi A., Wada K. "Theoretical investigation of nitrogen-doping affect on vacancy aggregation processes in Si" Appl.Phys.Lett. 76(25), 2000, p.3718-3720.

94. Kitano T. "Indentification of vacancy clusters in FZ-Si crystals" Physica St. Solidi A 127 (2),1991,p.341-347.