Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Щербаков, Валентин Николаевич

• Щербаков, Валентин Николаевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Щербаков, Валентин Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Эволюция светодиодов - от «холодного света» Лосева до освещения улиц и площадей.

1.1. Историческая справка.

1.2. Сравнительный анализ основных типов ламп, применяемых для освещения.

1.3. Прогноз развития рынка белых светодиодов (СД) и светодиодных устройств (СДУ).

Выводы.

ГЛАВА 2. Элементы конструкции и технологии изготовления мощных светодиодов различного типа.

2.1. Расчет внешней эффективности и теплового сопротивления

СД различных конструкций.

2.2. Методы и результаты расчета температуры гетероперехода чипа).

2.3. Технологический процесс производства СД.

2.3.1. Производство кристаллов излучателей.

2.3.2. Производство оснований.

2.3.3. Производство линзовых крышек.

2.3.4. Сборка СД.

2.3.5. Входной контроль кристаллов.

2.3.6. Входной контроль оснований.

2.3.7. Входной контроль линзовых крышек.

2.3.8. Технология сборки для кристаллов. с контактами по обе стороны.

Выводы.

ГЛАВА 3. Принципы создания, элементы конструкции и технологии СД и СДУ белого цвета свечения (полупроводниковых ламп).

3.1. Принципы создания источников белого цвета.

3.2. Колориметрический расчет белого СД, состоящего из синего чипа и фотолюминофора желто-зеленого цвета свечения.

3.3. Элементы конструкции и технологии изготовления белых СД.

Выводы.

ГЛАВА 4. Математическая модель гетероструктуры, излучающей в красной, желтой, зеленой и синей области спектра.

4.1. Введение.

4.2. Электролюминесценция из оптически активной области гетероперехода при малом уровне инжекции в диффузионном приближении.

4.3. Электролюминесценция из квантовых ям в компенсированном слое при высоком уровне инжекции в диффузионном приближении.

4.3. Электролюминесценция из квантовых ям в компенсированном слое при высоком уровне инжекции в дрейфовом приближении теории.

Выводы.

ГЛАВА 5. Исследование надежности СД и светоизлучающих устройств при воздействии внешних факторов и длительной наработки (life time испытания) [30].

5.1. Надежность полупроводниковых изделий.

5.2. Дополнительные испытания на воздействие влаги.

5.2.1. Воздействие деионизированной воды.

5.2.2. Воздействие водопроводной воды.

5.2.3. Воздействие 1% раствора хлористого натрия в воде.

5.3. Испытания на длительную наработку (life time).

Выводы.

ГЛАВА 6. Исследование воздействия нейтронного и гамма облучения на вольт-люмен-амперные характеристики и параметры активной области эффективных (AlxGai.xVshtysP и (AlyGai. YN)/(InxGai.xN)/(GaN) гетероструктур с красным, зеленым и синим цветом свечения [41,42,43].

6.1. Методы облучения и исследования параметров гетероструктур до и после облучения.

6.2. Исследуемые структуры на основе (AlxGai.xVsIn^P с красным цветом свечения.

6.3. Распределение концентрации заряженных центров в гетероструктурах до и после облучения.

6.4. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo^GaojVsIno.sP гетероструктур с красным цветом свечения до и после облучения.

6.5. Обсуждение экспериментальных резцльтатов и оценка константы повреждаемости времени жизни.

6.6. Исследуемые структуры на основе (А1уОа1.уЫ)/(1пхОа х^/(ОаЫ) с зеленым и синим цветом свечения [44, 48].

6.7. Распределение концентрации заряженных центров в гетероструктурах I и II типа с зеленым цветом свечения до и после облучения.

6.8. Вольт-люмен-амперные характеристики (АЬуСА]. у^/(1КхОА1.х^/(ОАМ) структур первого и второго типа с зеленым и синим цветом свечения до и после облучения.

6.9. Обсуждение экспериментальных результатов и расчет констант повреждаемости времени жизни при облучении на основе математической модели гетероструктуры.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света»

Разработанные в 70-80-х гг. светодиоды, цифро-знаковые индикаторы, элементы шкал и экранов на основе бинарных соединений и твердых растворов А3В5 нашли широкое применение в устройствах индикации, контроля и отображения информации малой мощности как гражданского, так и спецприменения. Помимо «грязного» цвета свечения, не соответствующего стандартам, эти светодиоды имели низкую эффективность и силу излучения -единицы или десятки милликанделл, тогда как в обычных светотехнических устройствах этот параметр должен составлять тысячи и десятки тысяч кан-дел.

Необходимые потребителям комплексные исследования по влиянию проникающей радиации (нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов) проводились в ограниченном масштабе.

В 90-х гг. за рубежом, в основном в Японии и США, были созданы эффективные полупроводниковые источники излучения второго поколения на основе АИпваР, способные заменить лампы накаливания и люминесцентные источники в светотехнических приборах большого радиуса действия, таких, как шоссейные и железнодорожные светофоры, бакены и маяки, бортовые сигнальные и осветительные огни, дополнительные сигналы торможения, дорожные знаки, информационные табло, лампочки для шахтеров и т.д.

Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе А^Са^Ав/ваЛв, излучающие в красной области спектра, обладали высоким внешним квантовым выходом (5-8%) при светоотдаче до 5 лм/Вт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия индия галлия фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра, квантовая эффективность составила 12-18%. У лабораторных образцов внешняя эффективность достигала 65%.

В 1989 г. Ш.Накамура из фирмы №сЫа начал исследование пленок нитридов галлия и так сумел подобрать легирование (М§ или Ъп) и термоэлектронную обработку, что смог получить эффективную инжекцию гетероперехода в активную Gal.xInxN область, легированную цинком. Спектральные максимумы голубых и зеленых СД лежали около 460 и 520 нм. В 1993 г. фирма №сЫа начала выпуск синих СД.

Дальнейшее использование «синих» светодиодов и желтого люминофора позволило создать источник белого света по светоотдаче превосходящий лампы накаливания. Разработаны мощные светодиоды на ток до 350 мА, способные заменить лампы накаливания, люминесцентные и другие источники освещения при напряжении питания не более 5 В и существенной экономии электроэнергии.

В настоящее время данное направление оптоэлектроники бурно развивается. Начиная с 2000 г. ежегодный прирост капиталовложений в эту область составил 58% и к 2006 г. достиг 3 млрд. долларов США. В 2007 г. объем выпуска сверхярких мощных СД и СДУ достигнет 12 млрд. шт. Число патентов превышает 1000 наименований в год.

По оценкам специалистов внедрение светодиодов в светотехнику сейчас происходит быстрее, чем в свое время внедрение транзисторов в радиоэлектронику. Поэтому сложившееся положение называют промышленной революцией в оптоэлектронике и светотехнике.

Начиная с 2004 г. 50% общего объема выпуска составляют белые СД. По рейтингу они являются лидерами среди альтернативных источников освещения: ламп накаливания и люминесцентных ламп.

Актуальность работы

В настоящее время мощные светодиоды (СД) и светоизлучающие устройства (СДУ) белого цвета являются наиболее быстро развивающимися направлениями оптоэлектроники и светотехники. По эффективности они превзошли лампы накаливания и вплотную подошли к уровню люминесцентных ламп по основному параметру - светоотдаче (60 лм/Вт).

Вследствие малой потребляемой энергии, большого срока службы, превышающего 100 000 ч., высокой эффективности преобразования электрической энергии в излучение, отсутствия ИК и УФ подсветки, экологической безопасности они прочно занимают первое место в рейтинге источников освещения.

В диссертационной работе поставлена актуальная задача улучшения световых и электротехнических параметров излучателей (чипов), фотолюминофоров, иммерсной среды с наполнителем и др. элементов СД с доведением эффективности белых СД и СДУ до 60 лм/Вт.

Цель работы

Систематическая оптимизация параметров излучающих структур (гете-роструктур и фотолюминофоров), а также элементов конструкции и технологии, повышение надежности и радиационной стойкости.

Данная цель достигалась постановкой и решением следующих задач:

1. В контакте с ведущими фирмами-производителями эпитаксиальных структур: Osram Semiconductors, Lumileds lighting, Epistar, Cree по согласованным ТУ организована поставка чипов гетероструктур с одиночными и множественными квантовыми ямами, их всестороннее исследование и передача поставщикам для корректировки и оптимизации процесса изготовления.

2. Проведение анализа энергетической диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами и барьерами с целью уточнения влияния ширины, глубины и высоты квантовых ям и барьеров на эффективность и спектр люминесценции.

3. Выполнение систематических экспериментальных исследований распределения заряженных центров и вольт-люмен-амперных характеристик структур I типа с множественными квантовыми ямами в легированном материале и II типа с одиночными квантовыми ямами в компенсированном нитриде галлия.

4. На базе экспериментальных данных по распределению заряженных центров и ВАХ разработана математическая модель СД, содержащего два гетероперехода, компенсированный слой и оптически активную область либо в этом слое, либо на границе с гетеропереходом.

5. Разработано два варианта конструкции и технология изготовления белых СД и СДУ. В первой (RGB) в одном корпусе с фокусирующей линзой смешивались световые потоки гетероструктур с красным, зеленым и синим цветом свечения, которые в итоге давали белый свет. Во второй смешивались световые потоки синего или УФ излучателя и стоксо-вого люминофора на основе алюмогранатов иттрия и гадолиния, акта

3 +3 вированного ионами С1 и Р2 , излучающего в желто-зеленой области спектра.

6. Проведение комплексных механических и климатических испытаний по методикам OCT В11 0563-88 дали положительный результат, a life time испытания на длительную наработку в течение 20 ООО ч. позволили прогнозировать срок безотказной работы AlGalnP СД в течение 100 ООО ч., a AlGalnN СД в значительно большем интервале времени.

7. Результаты воздействия проникающей радиации нейтронов и гамма квантов на чипы и СД с красным, зеленым и синим цветом свечения показали их повышенную стойкость по сравнению с СД первого поколения на основе GaAs, GaP, Alo^Gao^As, GaAso,6Po,4 и даже карбиде кремния.

Направление и методы исследования

У СД и СДУ измеряли вольт-люмен-амперные характеристики (ВЛАХ) на автоматизированной установке с компьютерной обработкой результатов измерений до и после воздействия нейтронов и гамма квантов.

Профили распределения заряженной примеси в активной области определяли на основе анализа параметров динамической барьерной емкости при одновременной подаче на исследуемые структуры постоянного смещения и малого переменного сигнала.

Для определения параметров и концентрации глубоких примесных центров использовали метод термостимулированной емкости.

Измерения проводили до, во время и после облучения светодиодов и структур нейтронами и гамма квантами.

Измерения после проведения испытаний в соответствии с ОСТ В11 0563-88 проводили на стандартной аппаратуре.

Достоверность и обоснованность полученных результатов Гетероструктуры (чипы) для исследования выбирали из одной небольшой части пластины, которые разделялись на 6-7 отдельных частей. Измерения чипов, СД и СДУ проводились на автоматизированной установке, без участия оператора, с компьютерной обработкой результатов измерений по заданной программе.

СД для проведения испытаний на надежность согласно ОСТ В11 056388 и радиационную стойкость выбирались с близкими параметрами из большой партии СД.

Научная новизна работы

1. Проведены комплексные исследования распределения заряженных центров, измерены вольт-люмен-амперные характеристики, которые позволили установить структуру гетероперехода наличие компенсированных слоев шириной 0,02-0,25 мкм и квантовых ям шириной 2530 А.

2. Установлено, что ВАХ гетероструктур с красным, желтым и синим цветом свечения хорошо согласуются с классическими диффузионными и дрейфовыми теориями двойной инжекции Холла, Рашба-Толпыго, Ламперта, Марка и др. исследователей.

3. Разработана математическая модель гетероперехода с одной или несколькими квантовыми ямами, которая позволила рассчитать люмен-амперные и люмен-вольтные характеристики, использованные при анализе надежности и радиационной стойкости СД.

4. Проведенные комплексные испытания на длительную наработку (life time) СД с красным, зеленым, синим и белым цветом свечения позволили установить, что у СД с красным цветом свечения в первые 3001000 ч. наработки сила света необратимо растет (в 1,3-1,4 раза), а затем снижается по логарифмическому закону до 80-73% от первоначального значения за 100 000 ч. непрерывной работы. У СД остальных цветов снижение не превышало 10-15%.

5. Впервые проведенные нами исследования по воздействию нейтронов и гамма квантов на СД с красным, зеленым, синим и белым цветами свечения показали, что для СД, излучающих в красной области спектра, величина (тоКт) = (5±1,8)-1014 см2/н, что примерно соответствует СД из фосфида галлия, излучающего в красной области спектра. Параметры и ширина компенсированной области у InAlGaP СД изменялись при облучении. Вольт-люмен-амперные характеристики гетероструктур II типа с зеленым цветом свечения и I, II типа с синим практически не менялись при облучении нейтронами, пока флюенс не превышал 5-Ю15 л 1 с. л н/см . Величина (хоКт) была менее (0,6±0,2)-10 см /н.

Практическая полезность заключается в разработке разных вариантов конструкции и технологии нескольких типов СД и СДУ с силой света 350 Кд в угле 50° при рассеиваемой мощности 5 Вт.

Разработанные конструкции позволяют рассеивать электрическую мощность 1-5 Вт при токе через кристалл площадью 1 мм2 до 350 мА.

Реализация и внедрение результатов работы

Результаты работы внедрены в ЗАО «Пола+» и ООО «Квант+».

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на МНТК «Информационные технологии в науке, технике и образовании», г. Аланья, Турция, 9-14 мая 2004 г., на десятой МНТК «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры», г. Севастополь, 9-17 сентября 2004 г., на МНТК «Информационные технологии и моделирование электронных приборов и техпроцессов в целях обеспечения качества и надежности аппаратуры», Сусс, Тунис, 9-16 октября 2005 г., на П-й Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия» (НГИА), г. Санкт-Петербург, СПГУ, 2-5 февраля

2003 г., на Ш-й Всероссийской конференции НГИА, Москва, МГУ 7-9 июня

2004 г., IV Всероссийской конференции НГИА, Санкт-Петербург, СПГУ, 3-5 июня 2005 г., V Всероссийской конференции НГИА, Москва, МГУ, 31 янва-ря-2 февраля 2007 г.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 6 печатных работ.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Основная часть диссертации изложена на 136 страницах машинописного текста, содержит 73 рисунка и 24 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Щербаков, Валентин Николаевич

Выводы

1. Проведены комплексные исследования структуры, электрофизических параметров материала в активной области распределения концентрации заряженных центров, вольт-амперных и вольт-люмен-амперных характеристик гетероструктур и светодиодов. Излучающих в красной, зеленой и синей области спектра до и после облучения нейтронами и гамма квантами.

2. Исследованы структуры двух типов: у первых ширина компенсированной области не превышала 20 нм, к ней примыкала оптически активная область шириной около 0,1 мкм с четырьмя-пятью квантовыми ямами

17 18 —3 толщиной 5-10 нм, легированными до уровня 10-10 см , разделенных барьерами из более широкозонного материала с содержанием

1 & 10 3 примеси 10 -101У см . Механизмом возбуждения излучения в этих структурах являлась небарьерная инжекция и (или) туннелирование электронов сквозь барьеры, разделяющие квантовые ямы.

3. Структуры второго типа имели два гетероперехода и компенсированный слой шириной 0,15-0,25, содержащий одну-две квантовые ямы шириной 30-40 А. Механизмом возбуждения ЭЛ являлась двойная инжекция, причем в компенсированном слое имел место высокий уровень инжекции. Сила света у гетероструктур I типа была в 1,4-1,6 раз выше, а падение напряжения на 0,5 В меньше, чем у структур II типа.

4. Экспоненциальные вольт-амперные характеристики гетероструктур II типа описывались классическими теориями двойной инжекции Холла, Карагеоргия Алкалаева-Лейдермана, Рашба-Толпыго, Ламперта-Роуза, согласно которым на экспоненциальных участках ВАХ:

1 = 1с1ех р(еи/2кТ), р(еи/1,5кТ),

Чи-и^5, Ии-иХ 1=(и-ик)\

5. Для данных участков ВАХ, используя выведенные в 4 главе расчетные зависимости силы света от электрофизических параметров материала в активной области, тока и напряжения, получены аналитические зависимости изменения ЛВАХ от облучения, которые качественно согласуются с экспериментальными.

6. Используя расчетные и экспериментальные ЛВАХ и считая, что основной причиной их изменения и снижения силы света является деградация времени жизни: х-1 = Tq1 + Ктт0Ф, рассчитаны константы снижения силы света при облучении.

7. Для СД, излучающих в красной области спектра величина (тоКт), полученная из анализа изменения ВАХ и ВЛАХ, составила (5 ± 1,8)-Ю-14 см2/н, что примерно равняется значению для СД из фосфида галлия и на один-два порядка ниже, чем у СД на базе гетероструктур Alo,33Gao,67As и GaAs0,6Po,4

8. Вольт-люмен-амперные гетероструктур II типа практически не изменя

1с л лись пока флюенс не превышал 4,7-10 н/см . По приблизительной jz л оценке величина (тоКт) = (0,6 ± 0,2)-10' см /н, что примерно на порядок лучше, чем та же величина у СД из карбида кремния с желтым и синим цветом свечения.

9. Рекордные показатели радиационной стойкости открывают приборам на основе растворов нитрида галлия хорошие перспективы применения в спецтехнике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Анализ литературных источников показал, что ежегодный выпуск све-тодиодов (СД) и светодиодных устройств (СДУ) в промышленно развитых странах (Япония, Китай, Тайвань, Южная Корея, Западная Европа) в 20062007 гг. составлял 9-11 млрд. шт.

Начиная с 2004 г. объем выпуска СД и СДУ с белым цветом составляет 50% от общего объема выпуска.

По оценкам специалистов внедрение белых СД в светотехнику в настоящее время происходит быстрее, чем в свое время внедрение транзисторов в радиоэлектронику.

По рейтингу белые СД занимают лидирующее положение среди других источников освещения - ламп накаливания и люминесцентных ламп.

В настоящей работе основное внимание было посвящено разработке конструкции и технологии мощных источников «белого» цвета и космоцвет-ных светодиодов с потребляемой мощностью 2-25 Вт, напряжением 6 В, силой света 1500-2500 Кд в угле 2-3°, световым потоком 90-120 лм.

При разработке белых СД и СДУ было выбрано два направления:

1) Смешивание (объединение) световых потоков гетероструктур (чипов) красного, зеленого и синего цвета свечения в одном корпусе с фокусирующей линзой.

2) Смешивание световых потоков чипа, излучающего в синей (УФ) области спектра со световым потоком возбуждаемого синим излучением чипа желто-зеленой полосы ЭЛ люминофора.

При разработке RGB конструкции проводился выбор типа и оптимизация параметров активной области гетероструктур, излучающих в красной, зеленой и синей области спектра. Эти исследования представляли также самостоятельный интерес для изучения физики работы гетероструктур разного типа и из разного материала.

В качестве объектов исследования было выбрано две гетероструктуры I и II типа.

В первой оптически активная область шириной 0,10-0,15 мкм, содержащая 4-5 квантовых ям шириной 25-30 А и потенциальных барьеров между ними, примыкала непосредственно к гетеропереходу и механизмом возбуждения ЭЛ являлась надбарьерная инжекция дырок с последующим их захватом и излучательной рекомбинацией в квантовых ямах.

Менее легированные структуры II типа содержали оптически активную компенсированную область (шириной 0,15-0,25 мкм) с одной-двумя квантовыми ямами в середине и два гетероперехода для инжекции электронов и дырок. Механизмом возбуждения ЭЛ являлась двойная инжекция, в компенсированной области имел место высокий уровень инжекции.

На основании разработанной математической модели было проанализировано влияние внешних факторов: механических и климатических воздействий, длительности наработки при различной температуре окружающей среды и гетероперехода, воздействия проникающей радиации.

В результате проведения физико-технологических исследований была выбрана оптимальная структура СДУ, излучающая белый свет силой 350 Кд при рассеиваемой мощности 5 Вт.

Комплексные испытания на длительную наработку (life time) СД всех основных цветов, включая белый, в течение 6-20 тыс. ч. позволили прогнозировать время безотказной работы InAlGaP СД в течение 100 000 ч. при снижении силы света на 20-27%. Коэффициенты MTFB и X равнялись 3820000 ч. и 0,026% соответственно (температура окружающей среды 55°С, ток 80 мА).

Впервые проведенные испытания по воздействию нейтронов и гамма квантов на СД с красным, зеленым, синим и белым цветом свечения показал их значительно более высокую радиационную стойкость по сравнению с СД первого поколения на основе GaP, AlxGai.xAs, GaAso,6Po,4

Величина константы повреждаемости у СД на основе АЮа1пР составляла (5±0,8) • 10"14 см2/н, а на основе АИпваР - (0,6±0,2)* Ю-16 см2/н, что на один-три порядка была ниже, чем у СД первого поколения.

При разработке СД и СДУ белого цвета были использованы чипы разной структуры с синим (450 нм) и УФ (410 нм) излучением. Большое внимание было уделено подбору иммерсионной дисперсионной среды на основе силикагеля, в который для равномерного засвечивания диаграммы излучения добавляли частицы БЮг диаметром 4-6 мкм. Добавление люминофора в иммерсионную среду позволяет не только рассеивать, но и сдвигать спектр излучения в нужный диапазон. Для повышения светоотдачи светодиоды собирались в кластеры или матрицы, три типа которых были разработаны в настоящей работе и отражены в диссертации. Для светодиодов и СДУ белого цвета использовали композиции 81Юе1-612 + люминофор у-12-54-2.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Щербаков, Валентин Николаевич, 2007 год

1. Берг, Дин. Светодиоды. М.: Мир. 1972. 450 с.

2. Мешков С.П. Основы светотехники. М.: Техническая литература. 1960. Т. 1,2. 230 с.

3. Абрамов B.C., Щербаков Н.В., Рыжиков И.В., Сушков В.П., Юнович А.Э. «Светодиоды и лазеры». № 1-2. 2002. с. 25-30.

4. LumiLeds. Preminary Application Note Р01/ Lumileds custom Luxeon. 2002. # 1-2. P. 1-20.

5. M.George Craford. Visible light-emitting diodes: past, present and very bright future//MRS bulletin. 2000. № 1. P.27-31.

6. Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г., Мизеров М., Пушный Б. Мощные полупроводниковые источники излучения//Электроника: Наука: технология, бизнес. 1999. №3. С. 16-21

7. Верещагин И.К. Предпробойная люминесценция. М.: Физматтиз. 1978.

8. Шмаков П.В. Телевидение. М.: Связьиздат. 1965.

9. Абрамов B.C., Сушков В.П. Авторское свидетельство СССР. (?)

10. Abramov V., Scherbakov V. et and. Patent W0 2006 006 002.

11. И.Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов//«Электронные компоненты». 2000. № 2. с.22-27.

12. Сукач Г.А., Сыпко Н.И., Сушков В.П., Абрамов B.C. «Способ определения температуры активной области светоизлучающих приборов». Авторское свидетельство № 1473554 с приоритетом от 11.05.1987 г.

13. З.Ермаков О.Н., Сушков В.П. Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы. М.: «Радио и связь». 1990. 321 с.

14. Кейси X., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах, М.: «Мир». 1981.13 с.

15. Abramov V., Scherbakov V. et and. US Patent 2006 006336A.

16. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектро-ники. М.: Физматкнига. 2006. 495 с.

17. Акимов Ю.С., Рыжиков И.В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники//Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. №4. Т.1. С.3-29; Т.2. №4. С.47-76.

18. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junctions transistors.//Bell Sest.TechJ. 1949. V.28. N.3. P.435-490

19. Barns C.E. Neutron damage in GaP(ZnO) light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1977.V.48. N5. P.1921-1927.

20. Herring C. Bell Sest.TechJ. 1949. V.28. N.401. P.172-181.

21. Rittner E.S. Phys Rev. 1954. V.94. P.l 161-1172.

22. Hall R.N. Power rectifiers and transistors.//Proc/IRE. 1952. P.1512-1518.

23. Paramenter R.H., Ruppel W.S. Appl. Phys. 1959. V.39. P. 1548-1555.

24. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах/Пер. с англ.//М.: Мир. 1973. 146 с.

25. Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах //ЖТФ. 1956. Т.26. Вып.7. С. 1419-1426.

26. Lampert М.А., Rose A. Phys. Rev/1961. V.121. Р, 26-31.

27. Agilent Technologies/ Projected Long term HTOL light Output degradation of precision optical performance AlInGaP LeDs. 2004. P. 1-2.

28. Lumileds custom luxeon power light source design. Copiright с 2000 Lunileds Lighting publicstion. 2001. P. 1-20.

29. Long term reliability data for AlInGaP technjlogy T-VA LED lamps/Application brief 1-021. 2001. P. 1-9.

30. Yunovich A.E., Kudryashov V.E., Turkin A.N., Kovalev A.N., Manyakhin F.I. Spectra and quantum efficiency of light emitting diodes based on GaN-heterostructures with quantum wells//Physika Status Solidi. Vol. 176. N1. P. 125.

31. Вавилов B.C. Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной под-системы//Успехи физических наук. 1997. Т. 167. № 4, с. 407-412.

32. Маняхин Ф.И., Ваттана А.Б., Рыжиков В.И., Абрамов B.C. Влияние внешних факторов на избыточные токи в светодиодах с гетерострукту-рами//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем», ISBN-8068-0228-0, М.: МГАПИ. 2001. Т.1. С. 3-7.

33. Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем», М.: МГАПИ. ISBN-8068-0197-7, 2004. Т.1.С.З-7.