Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.11.13, кандидат технических наук Рыжиков, Валентин Игоревич

• Рыжиков, Валентин Игоревич
• кандидат технических наук
• 2004

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников»

ж ЛАБА 1. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ H ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВIIA ОСНОВЕ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ И ТВЕРДА РАСТВОРОВ А3В5 (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).9

Выводы.24

ГЛАВА 2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ.26

2.1. ЭЛ из оптически активного слоя р-n- или гетероперехода в режиме малого уровня инжекции.26

2.2. ЭЛ из оптически активного компенсированного слоя в режиме высокого уровня инжекции.28

2.2.1. Излучательная и безызлучательная рекомбинация носителей при дрейфовом механизме переноса электрического тока в несобственном полупроводнике.29

2.2.2. Излучательная и безызлучательная рекомбинация при дрейфовом переносе носителей в изоляторе и собственном полупроводнике.31

2.2.3. Излучательная и безызлучательная рекомбинация носителей в компенсированном слое при преобладании диффузионного переноса.32

2.2.4. ЭЛ из оптически активных р+- и п+- низкоомных областей р+-п -п+-структуры.38 Выводы.41

ГЛАВА 3. МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ И ОЦЕНКИ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ АЛИНГАПОВ И НИТРИДОВ ГАЛЛИЯ.43

3.1. Установки для облучения нейтронами и гамма квантами. Приборы и методы контроля радиационной стойкости.43

3.2. Радиационная деградация и радиационная стойкость светодиодов на основе алингапов (AlxGai.x)o,5lno,5P.46

3.3. Радиационная деградация и радиационная стойкость светодиодов на основе нитридов галлия AlyGauYNAnxGai-xN/GaN Выводы.61

ГЛАВА 4. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, ОЦЕНКИ И ПОВЫШЕНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ СВЕТОДИОДОВ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ .63

4.1. Методы создания и оптимизация параметров светоизлучающих структур из карбида кремния.63

4.2. Исследование оптически активной области вольт-частотно-фарадными методами.64

4.3. Экспериментальные зависимости В АХ и силы света от флюенса нейтронного облучения.70

4.4. Использование токов монополярной и двойной инжекции в качестве метода контроля и оценки радиационной стойкости.75

Выводы.86

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.88

ЛИТЕРАТУРА.89

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СИЛЫ СВЕТА И ПРОСТРАНСТВЕННОГО

РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ (СД).94

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГО СПЕКТРАЛЬНОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ И ОПРЕДЕЛЕНИЯ КООРДИНАТ ЦВЕТНОСТИ СВЕТОДИОДОВ (СД)

СПЕКТРОКОЛОРИМЕТР»).

ВВЕДЕНИЕ

Разработанные в 70-80-х гг. светодиоды, цифро-знаковые индикаторы, табло, экраны и элементы шкалы на основе бинарных соединений и твердых растворов А3В3 нашли широкое применение в устройствах и приборах индикации, сигнализации, ко1проля и отображения информации малой мощности как гражданского, так и спецприменения. Помимо «грязного» цвета свечения, не соответствующего стандартам, эти светодиоды имели низкую эффективность и силу излучения — единицы или десятки милликанделл, тогда как в обычных светотехнических устройствах этот параметр должен составлять тысячи и десятки тысяч канделл.

Ситуация радикальным образом изменилась в 90-х гг., когда за рубежом, в основном в Японии и США, были созданы мощные полупроводниковые источники излучения, способные заменить лампы накаливания и люминесцентные источники в светотехнических приборах большого радиуса действия, таких как шоссейные и железнодорожные светофоры, бакены и маяки, бортовые сигнальные и осветительные огни, дополнительные сигналы торможения, дорожные знаки информационные табло, лампочки для шахтеров и т.д.

Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе AlxGaj.xAs/GaAs, излучающие в красной области спектра (110-180 нм) обладали высоким внешним квантовым выходом (5-8%) при светоотдаче до 5 лм/ватт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия-индия-галлия-фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра квантовая эффективность составила 12-18%. У лабораторных образцов она достигала 40-60%, а светоотдача достигала 150 лм/ватт.

В 1996 г. были разработаны эффективные светодиоды (СД) для зеленой (530 нм) и голубой (460 нм) области спектра на основе гетероструктур AlxGai.xN/InxGai-xN/GaN с квантовой эффективностью 7-9%. Совместное использование «синих» светодиодов и желтого люминофора позволило создать источник белого света по светоотдаче превосходящий лампы накаливания. Разработаны мощные светодиоды на ток до 1 А, способные заменить лампы накаливания, люминесцентные и другие источники освещения при напряжении питания не более 5 В и существенной экономии электроэнергии.

В настоящее время данное направление оптоэлектроники бурно развивается. В 1999 г. объем выпуска сверхярких мощных светодиодов составил 100 млн. шт. Ежегодный прирост капиталовложений в эту область, начиная с 1996 г. составляет 40% и к 2006 г. должно достичь 3 млрд. долларов США. Число публикаций превышает 1000 наименований в год [1].

По оценкам специалистов внедрение СД в светотехнику сейчас происходит быстрее, чем в свое время транзисторов в радиоэлектронику [2]. Поэтому сложившееся положение называют промышленной революцией в оп-тоэлектронике.

Однако, несмотря на большой объем публикаций по исследованию и разработке эпитаксиальных гетероструктур и светодиодов на основе алинга-пов и нитридов галлия, в известной нам литературе отсутствуют сведения по радиационной деградации и стойкости мощных светодиодов нового поколения.

Актуальность работы

Маломощные СД, устройства и приборы сигнализации и отображения информации в настоящее время широко применяются как в гражданской, так и бортовой аппаратуре. Анализ заявок потребителей показывает, что существует еще большая потребность применения мощных сверхярких светодиодов в бортовой (включая космическую), военной аппаратуре и ядерной радиоэлектронике. Необходимым условием их использования в этих областях являются исследования воздействия проникающей радиации, особенно быстрых нейтронов и гамма квантов на электрические и светотехнические параметры и характеристики с последующим присвоением группы стойкости. Поэтому исследования в области радиационной стойкости представляют значительный интерес.

Цель работы

Контроль радиационной стойкости и оценка изменения электрических и световых характеристик светодиодов на основе широкозонных полупроводников при воздействии на них проникающей радиации.

Данная цель достигалась постановкой и решением следующих задач:

1) Разработка математической модели влияния проникающей радиации на электрические и световые характеристики светодиодов.

2) Создание методик и аппаратуры для комплексного исследования различных свойств светодиодов под воздействием облучения и оценки их радиационной стойкости.

3) Экспериментальное исследование и выявление аналитических зависимостей влияния различных видов облучения на функциональные характеристики светодиодов.

Научная новизна

1) Математическая модель механизма изменения излучательных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами при облучении.

2) Оригинальные методы изучения вольт-частотно-фарадных (ВЧФХ), вольт-амперных (ВАХ) и люмен-вольт-амперных (JIBAX) характеристик в многослойных светодиодных «чипах».

3) Усовершенствованный метод измерения распределения концентрации заряженных центров (РЗЦ) в активных областях светодиодной структуры на основе анализа динамической барьерной емкости.

4) Экспериментальные результаты исследования деградации, контроля и оценки радиоактивной стойкости светодиодов на основе (AlxGaix)o,5lno,5P/GaN и AlyGai-vN/InxGaiocN/GaN/AbCb при воздействии на них нейтронов и гамма квантов.

Практическая ценность

Практическая ценность заключается в следующем:

1) Разработанная математическая модель и полученные аналитические зависимости позволяют повышать качество разрабатываемых перспективных светодиодов нового поколения.

2) Полученные результаты являются базой при определении квалификационной группы стойкости светодиодов на основе широкозонных полупроводников в соответствии с ГОСТ В.39.404-81 РФ.

Реализация и внедрение результатов работы

Данная работа являлась частью программы по исследованию радиационной стойкости светодиодов, разработке методов ее контроля и прогнозирования. Она выполнялась в МГАПИ по заданию ОАО «Сапфир», ОАО «Оп-трон», ЗАО «Пола» и ЗАО «Корвет». Основные результаты вошли в ТУ, справочники и информационные листы на выпускаемые и вновь разрабатываемые светодиоды.

Положения и результаты, выносимые на защиту

1) При моделировании механизма изменения излучательных характеристик светодиодов с множественными квантовыми ямами от облучения необходимо учитывать возникновение на границе инверсии проводимости высокоомного компенсированного слоя.

2) В зависимости от свойств несимметричного р+-п*-п+-гетероперехода с высокоомной областью в области инверсии проводимости возможен переход зависимости I = f(U) от экспоненциальной к степенной с величиной показателя степени от 2 до 4.

3) Измерение характеристик светодиодов с барьерной емкостью, включенной в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя, и подаче нескольких переменных импульсов тока с близкими частотами позволяет достоверно определить распределение концентрации заряженных центров на краю ОПЗ с градиентом до а < 1026 смЛ

4) Светодиоды на основе (AlxGai.x)o,sIno.sP излучающие в красного области спектра, являются более стойкими к облучению, чем все остальные, выпускаемые в настоящее время. Максимальной стойкостью в области зеленого свечения обладают светодиоды на основе InGaN, выращиваемые на подложке из SiC.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на 8, 9 и 10 международной научно-технической конференции «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры» в 2001-2003 гг., г. Севастополь, на международном научно-техническом семинаре «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках» в 2002 г., г. Москва, на Всероссийской научно-технической конференции по радиационной стойкости электронных систем «Стойкость-2002» в 2002 г., г. Лыткарино, на Всероссийской конференции «Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы» в 2001 г., г. Москва.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 14 печатных работ и одна монография.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Основная часть диссертации изложена на 100 страницах машинописного текста, содержит 54 рисунка и 3 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий», Рыжиков, Валентин Игоревич

Выводы

1. Рассмотрены зависимости частоты и силы света от флюенса нейтронного облучения двух типов карбидокремниевых р-п-переходов, изготовленных по стандартной и оптимизированной технологии.

2. Из исследования вольт-частотно-фарадных характеристик было установлено, что светодиоды имели р-п*-п+-структуру с оптически активной компенсированной гГ-областью, причем электрические и световые характеристики определялись шириной этой области и родом легирующей примеси (азотом или кислородом).

В качестве метода контроля и оценки радиационной стойкости использовалась монополярная и двойная инжекция, а также инжекционная электролюминесценция.

У светодиодов на основе относительно сильно легированного материала ширина компенсированного слоя была соизмеримой с размерами кластеров, которые образуются в карбиде кремния при облучении, и шунтируют оптически активный п*-слой.

Снижение уровня легирования донорами и замена азота кислородом позволили увеличить квантовую эффективность и повысить радиационную стойкость за счет компенсации радиационных дырочных ловушек электронными, вводимыми при изготовлении р-п-переходов. В р-n -п+-структурах с широкой компенсированной областью эффекты шунтирования отсутствовали, однако кластеры при малых токах проявились как центры захвата дырок, резко снижая эффективность ЭЛ. При номинальных значениях тока у светодиодов, изготовленных по оптимизированной технологии, эффекты захвата дырок выражены слабее, и компенсированы захватом электронов, что позволило повысить радиационную стойкость примерно в три раза ( константа (тоКх) 1-Ю"15

СМ2'

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Настоящая работа носит комплексный характер. Проведены измерения электрических и светотехнических характеристик гетероструктур на основе алингапов (AlxGai.x)o,5lno,sP с красные и желтым цветом свечения, нитридов галлия-индия-алюминия (AlyGai^NAnxGai^N/GaN) с зеленым и синим цветом свечения и светодиодов из карбида кремния, изготовленных по оптимизированной технологии.

Измерения вольт-частотно-фарадных, вольт-амперных, вольт-люмен-амперных характеристик распределения заряженных центров в оптически активной области проводились в автоматизированном режиме с компьютерной обработкой результатов. По результатам измерений было установлено, что светодиоды имеют р-п*-п+-структуру с шириной высокоомного компенсированного слоя 0,1-0,3 мкм и оптически активная область, состоящая из одной или нескольких квантовых ям расположена либо в этом слое, либо в переменно легированном слое.

Проведенные исследования позволили предложить физическую и математическую модель светодиода и на ее основе вывести расчетные соотношения силы света от флюенса нейтронного или дозы гамма облучения. Единственным параметром, который подбирался экспериментально и определял количественную радиационную стойкость, была величина произведения (тоКх). Результаты расчетов и экспериментов легли в основу методики контроля радиационной стойкости. По данному параметру светодиоды нового поколения существенно превосходят ранее разработанные на основе бинарных соединений и твердых растворов А3В5.

89

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Рыжиков, Валентин Игоревич, 2004 год

1. Волков В., Закгейм А., Иткинсон Г., Мизеров М., Пушный Б. Мощные полупроводниковые источники излучения//Электроника: Наука: технология, бизнес. 1999. №3. С.16-20.

2. Kish F.A.//Appl. Phys. Let. 1994. N 64. P.2839.

3. Nakamura et. Japan Journal of Appl. Phys. 1995. #34. РД832.

4. Алферов Ж.И. Письма в журнал технической физики. 1997. №3. С.657.

5. Hodapp M.W. High brightness light emitting diodes// New York. NY. Academic press.1997. P.87.

6. Barnes C.E. Neutron damage in GaP Light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1972.V.22.N3.P.110-112

7. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A. and Herzog A.H. Gamma irradiation and annealing effect in nitrogendoped GaP green and yellow Light-emitting diodes/ЯЕЕЕ Trans Nucl. Scient.//1972 NS19.N6. P.386-390.

8. Уваров Е.Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений А3В5, облученных быстрыми электронами и нейтронами// Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып.9. 68 с.

9. Уваров Е.Ф., Храмцов А.П. Оптические и люминесцентные свойства облученных широкозонных полупроводников А3В5//Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып. 11 72 с.

10. Stanley A.G. Comparison of light emitting diodes in a space radiation en-vironent/ЛЕЕЕ Trans Nucl. Scient. 1970. V.NS. N6. P.234-244.

11. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Herzog A.H. Effect of neutron irradiation on GaAsP electroluminescent diodes.// Appl. Phys. Let. 1973. V.23. N8. P.472-474.

12. Храмцов А.П. Влияние электронного и нейтронного облучения на процессы излучательной рекомбинации в некоторых широкозонных полупроводниках А3В5//Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М.: 1982. 195 с.

13. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Hereog A.H.// IEEE Conference on Nuclear and space radiation Effects//San Diego-California. 1976.

14. Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//Met. Trans. 1970. V.5. P.587-592.

15. Shade H., Nuese C.I. and Herrick D. Defect centers in GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//J. Appl. Phys. 1970. V.41. N9. P.3873-3789.

16. Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsi.xPx electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.// Metal. Trans. 1970. V.l. N3. P.587-591.

17. Kaminski P., Kot W., Nizinski Z. and Roszkiewics K. Deep electron traps in GaAsP:N and GaAsP:N light emitting diodes//Acta Physica Polonica. 1982. V.A7L. N3. P.453-456.

18. Кравченко А.С., Принц В.Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAsP и AlGaAs от состава//ФТП. 1978. Т.12. С.1612-1614.

19. Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaAs and AlGaAs.//Phys. Rev. V. 15. N.10. P.4874-4882.

20. Craford M.G. Properties on electrolum. of the GaAsi-xAsPx ternary sys-tem//Progress in solid state chem. V.8. 1973. P. 127-165.

21. Алферов Ж.И., Чиковани Р.И., Чармакадзе P.А. и др. Высокоэффективные светодиоды в красной области спектра на основе гетеропереходов в системе AlAsGaAsZ/ФТП. 1972. Т.6. Вып.11. С.1189-2291.

22. Селезнев Д.В. Анализ влияния облучения на светоиндикаторы из Alo 33Gao,67As//B сб. «Моделирование и исследование сложных систем». М.:МГАПИ. 2004. С.91-102.

23. Lang D.U., Logan R.A. Observation of composition in GaAlAs//J.Phys. 1979. V.42. P.4212-4221.

24. Saxena A.K. Deep levels in GaAlAs alloy and it's conduction band struc-ture.//Phys. Stat.Sol.(b). 1981. V.105. P.777-787.

25. Пронин Б.В., Рыжиков И.В., Титова В.Ф. Исследование вольт-амперных характеристик в прямом направлении р-п-переходов на основе твердых растворов AlxGai.xAs и ОаА51.хРх//Электронная техника. Сер. II. 1972. Вып.4. С.34-42.

26. Рыжиков И.В., Новоселова И.А., Рыкалин В.И., Николаев Ю.Н. Электрические и оптические свойства сильно компенсированных слоев в фосфидогаллиевых светодиодах/ТРадиотехника и электроника. 1968. Т.13. Вып.З. С.514-523.

27. Ryzhikov I.V., Suslikov U.P., Tepaikin Р.Т., Kasatkin I.L. Double injection at p-n junctions based on AlxGai.xAs//Phys.Stat.Sol.(a). 1982. V.69. P.707-718.

28. Рыжиков И.В., Свечников Г.С., Ситникова И.А. Физическая модель GaAsP р-п-перехода, облученного быстрыми электронами //Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1990. Вып. 18. С.9-22.

29. Polimadei R.A., Share S., Epshtein A.S., Lynch R.I. Performance of GaAlAs light emitting diodes in radifition environment// IEEE Trans Nucl. Scient. 1974.Ns-21.N6. P.96-92.

30. ZhoW В/L/. Ploog K. Assessment of persistent photoconductivity centers in MRE AlGaAs using capacitance spectroscope measurements//Appl.Phys.A. 1982. V.A28. P.223-227.

31. Булярский C.B., Грушко H.C. генерационно-рекомбинационные процессы активных элементах//М.: МГУ. 1995. 400 с.

32. Селезнев Д.В. Анализ влияния нейтронного, протонного, электронного и гамма облучения на светоиндикаторы из Alo^Gao^As// В сб. «Моделирование и исследование сложных систем». М.:МГАПИ. 2004. С.81-86.

33. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junctions transistors.//Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.3. P.435-490.

34. Barns C.E. Neutron damage in GaP(ZnO) light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1977.V.48. N5. P.1921-1927.

35. Sah C.T., Noyce R.N., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristic.//Proc. IRE. 1957. V. 56. P.1228-1234.

36. Herring C. Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.401. P.172-181.

37. Rittner E.S. Phys Rev. 1954. V.94. P.l 161-1172.

38. Акимов Ю.С., Рыжиков И.В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники//Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1972. №4. Т.1. С.3-29; Т.2. №4. С.47-76.

39. Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах //ЖТФ. 1956. Т.26. Вып.7. С.1419-1426.

40. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах/Пер. с англ.//М.: Мир. 1973. 146 с.

41. Hall R.N. Power rectifiers and transistors.//Proc/IRE. 1952. P.1512-1518.

42. Адирович Э.И., Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках//М.: Сов. Радио. 1978. 320 с.

43. Холуянов Г.Ф. Электрические и оптические свойства электронно-дырочных переходов и кристаллов карбида кремния и их применение в полупроводниковх приборах//Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. Л.: ЛЭТИ. 1967. 378 с.

44. Лейдерман А.Ю., Рабинович Ф.Я., Карагеоргий-Алкалаев П.М. К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводни-ках//Извести АН УЗССР. Серия физ.-мат.наук. 1969. С.51-57.

45. Осипов В.В., Холодов В.А. теория диодов с излучательной и безызлучательной примесной рекомбинацией//ФТхика и техника Полупроводников. 1970. Т.4. Вып. 12. С.2241-2252.

46. Kleinman D.A. The forward characteristics of the pin-diode.//Bell Sest.Tech.J. 1956. V.35. N.5. P.585-706.

47. Маняхин Ф.И., Калинина Е.В. Особенности распределения заряда, напряженности электрического поля и потенциала в высоковольтных барьерных структурах на основе SiCy/материалы электронной техники. 2003. №2. С.50-55.

48. Абдуллаев О.З., Павличенко В.И., Рыжиков И.В. Электролюминесценция и двойная инжекция в тонких карбидокремниевых структурах, легированных алюминием и бором// В сб.: Электролюминесценция твердых тел. Наукова думка. 1974. С.21-30.

49. Перель В.И., Эфрос A.JI. Емкость р-п-перехода с глубокими примеся-ми//ФТП. 1967. Т.1. Вып. 11. С.1693-1701.

50. Лисица М.П., Краснов Ю.С. Комплексное исследование ФД, ТСЛ и ТСП в кристаллах a-SiC// ФТТ. 1970. Т.12. №9. С.1290-1298.

51. Halperin A., Zacks Е. and Silbery Е. Thermoluminescence, phosphorecence and cryoluminescence of n-type a-SiC(6B).//J.Lumines. 1973.V.6. P.307-319.

52. Горбань И.С., Сулейманов Ю.М. Релаксация свечения и процессы прилипания в кристаллах карбида кремния//ФТТ. 1965. Т.7. №4. С.1276-1278.

53. Холуянов Г.Ф., Водаков Ю.А., Виолин Э.Е., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. Роль кислорода в голубой и «борной» люминесценции карбида крем-ния//ФТП. 1971. Т.5. Вып.1. С.39-43.

54. Таиров Ю.М., Цветков Л.Ф. О влиянии кислорода на электрофизические свойства карбида кремния//ФТП. 1971. Т.5. Вып.2. С.317-318.

55. Gossick B.R. Disorbered regions in semiconduction bombarded neu-trons//J.Appl.Phys. 1959. V.30. P.1214-1279.

56. Stein H.I., Gereth R. Introduction rates of electrically activity in n and p-type silicon by electron and neutron irradiation.// J.Appl.Phys. V.39. P.2890-2995.

57. Cheng L.I., Lori I. Characteristics of neutron damage in silicon./ZPhys.Rev. 1968. V.171. P.856-869.

58. Cheng L.I., Swanson M.L. Photoconductivity in neutron irradiated p-type Si.// J.Appl.Phys. 1970. V.40. P.2627-2635.

59. Ильин В.А., Таиров Ю.М. Исследование термодефектов в карбиде кремния методом ЭПР//ФТП. 1979. Т.13. Вып.5. С.2366-2370.

60. Лаппо М.Т., Ткачев В.Д. ИК поглощение в кремние, облученном быстрыми нейтронами//Рад.физ.немет.кристалл.//Наукова думка. 1971. Киев. С.269-273.

61. Kalma А.Н., Corelli I.C. Radiation effects in Semiconductors.//Snanum Press. N4. 153 p.

62. Kolchenko T.I., Lomako I.M. Remuved and scattering charge carriers by deffects clusters in Semiconductors.//Phys.Stat.Solidi. 1971. V.3(a). P.263

63. Vaidyomathah R.V., Watt L.A., Swansen М/L/ Optical prorerties of electron and neutron irradiations gallium arsenide./ZPhys.Stat.Solidi. 1983. V.10. N1. P.127-131.

64. Mc Nichols I.L., Berg N.I. Neutron-induced metallic spike zones in GaAs// IEEE Trans Nucl. Scient. 1974. V.S-18. N6. P.21-30.

65. Patrick L. Structure and characteristics of silicon carbide light-emitting junctions.//J.Appl.Phys. 1957. V.28. N7. P.765-776.

66. Fletcher N.H. The high current limit, semicond. junction.//proc. IRE. 1957. V. 45. P.862-872.

67. Лейдерман А.Ю., Карагеоргий-Алкалаев П.М. К теории полупроводникового диода с антизапорным тыловым контактом//Радиотехника и электроника. 1965. Т.9. №4. С.720-726.

68. Рыжиков В.И. Методы оценки и повышения радиационной стойкости светодиодов на основе карбида кремния//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем» ISBN-8068-0197-7. М.:МГАПИ. 2004. Т.1. С.103-127.