Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Хайрулина, Анна Салиховна

• Хайрулина, Анна Салиховна
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Хайрулина, Анна Салиховна

Введение.

Глава 1. Проблемы создания гетероструктур на основе GaN.

1.1 Преимущества белых СД.

1.2 Вопросы, связанные с повышением яркости в СД с люминофорами.

1.3 Анализ спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, электроотражения гетероструктур на основе GaN.

1.4 Дефекты в пленках нитридов III группы.

1.5 Оптические свойства легированных слоев GaN.

1.6 Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах на основе GaN.

1.7 Внутренние и внешние поля в структурах с квантовыми ямами.

1.8 Выводы по главе:.

Глава 2. Оптические характеристики.

2.1 Спектральные характеристики коэффициента пропускания.

2.2 Экспериментальная установка для измерения спектральных характеристик.

2.3 Коэффициент полезного действия и спектры электролюминесценции светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN белого свечения.

2.4 Выводы по главе.

Глава 3. Вольт - амперные характеристики структуры на основе

InGaN/AlGaN/GaN.

3.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт — амперных характеристик.

3.2 Вольт — амперные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN. Механизмы токопереноса.

3.3 Выводы по главе.

Глава 4. Вольт - фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN

4.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт — фарадных характеристик.

4.2 Вольт — фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец №2).

4.3 Поглощение света в структуре на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец №2).

4.4 Вольт - фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец №1).

4.5 Выводы по главе.

Глава 5. Определение параметров рекомбинационных центров.

5.1 Определение параметров рекомбинационных уровней по приведенной скорости. ^ ^

5.2 Определение параметров рекомбинационных уровней по 122 зависимости dfi Idu

5.3 Теоретическое определение температурных зависимостей энергии активации.

5.4 Выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором»

Широкое применение белых светодиодов (СД) во многом определяется их преимуществами. СД белого свечения на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN представляют как научный, так и практический интерес, поскольку обладают рядом уникальных оптических и электрических свойств. Увеличение внутреннего квантового выхода излучения 77, эпитаксиальных структур с квантовыми ямами (КЯ) зависит от материала подложки, качества буферного слоя, состава и легирования

КЯ. На внешний квантовый выход излучения т]е влияет геометрия кристалла и контактов, показатель преломления, форма фокусирующей линзы и полимерная герметизация. достигает 60%, т]е - 43% [1]. Столь высокие значения квантового выхода открывают возможность создания на основе таких СД источников белого света, способных составить конкуренцию существующим лампам накаливания, флюоресцентным и даже галогеновым лампам. Поэтому вопросы энергосбережения в светотехнике стали приоритетным направлением экономики США [2]. Преимущества СД перед используемыми источниками света достаточно хорошо описаны в литературе. Существенную роль играет долговечность, низкое энергопотребление, а также небольшие размеры. Несколько СД, объединенных в одну форму, могут заменить лампу накаливания, а цветные светодиодные полосы способны испускать интенсивный и однородный свет любого цвета. Обладая такими свойствами, как точная направленность света и возможность управления интенсивностью и цветом излучения, они применяются в архитектурном и декоративном освещении.

Основная проблема при создании ламп высокой яркости на основе СД заключается в эффективности преобразования электричества в свет. Увеличение рабочего тока с целью повысить яркость светодиодной лампы приводит к увеличению тепловыделения, и к повышению температуры активной области светодиодной структуры. Перегрев СД уменьшает квантовый выход света и ограничивает максимальную оптическую мощность, влияет на срок службы. Приборы на основе нитрида галлия являются перспективными для создания осветительных ламп благодаря большой ширине запрещенной зоны и высокой теплопроводности. Это дает возможность повышения рабочих токов, допустимой рабочей температуры и получения высокой яркости. Возникающие при этом задачи состоят в улучшении качества материала, уменьшении плотности дислокаций и точечных дефектов в GaN [3].

При переходе от экспериментальных разработок какого-либо материала к разработке конкретного электронного устройства особое внимание уделяется проблемам интегрирования отдельных элементов, получаемых на базе этого материала, в структуры, сформированные из других материалов, с отличными физическими свойствами. Это объясняется процессами межслоевой диффузии, необходимостью введения буферных слоев и рядом подобных проблем. Таким образом, оптимальным решением в унификации технологии получения стандартных структур, в которые необходимо включать несколько «сменных» элементов (слоев), является использование для «сменных» элементов одного и того же материала с минимальным, или одинаковым количеством легирующих примесей, но разными свойствами. При получении люминофоров важную роль играет минимальное количество легирующих компонент, но с изучением каждого отдельно взятого люминофора в различных спектральных областях. Решение такой задачи требует глубокого понимания процессов, определяющих спектральные характеристики материалов, зависит от правильного выбора легирующих примесей, их количественного соотношения и режимов легирования [4].

В светоизлучающих диодах белого цвета свечения используются люминофоры со структурой граната, активированные церием. По механизму возбуждения белые СД близки к люминесцентным лампам, в которых тлеющий разряд в парах ртути генерирует УФ-излучение, возбуждающее свечение в люминофоре. В газоразрядных лампах и электронно-лучевых трубках энергия возбуждения поглощается в основном матрицей люминофора, а потом передается активатору. В белых СД энергия возбуждения поглощается непосредственно ионом активатора Се3+ в области длинноволновой полосы поглощения. Физические свойства, определяющие эффективность люминофора, при таком виде возбуждения изучены недостаточно.

Современные исследования светоизлучающих диодов направлены на увеличение мощности и квантового выхода, на увеличение световой эффективности диода и люминофора, а также на снижение стоимости готового СД [3]. За последнее десятилетие светодиоды прочно укрепились в секторе освещения. Их актуальность и необходимость позволяют утверждать, что в недалеком будущем белые светодиоды составят серьезную конкуренцию существующим источникам общего освещения, что подтверждает приведенный в работе анализ изучаемых структур.

Цель и задачи исследования

Целью данной работы является изучение механизмов, определяющих эффективность белого свечения, излучательные и безызлучательные рекомбинационные процессы, а также механизмы формирующих прямые вольт-амперные характеристики (ВАХ) светодиодов с квантовыми ямами на основе InGaN/AlGaN/GaN.

Решаемые задачи:

1. Исследование механизмов, формирующих туннельно-рекомбинационные токи в структурах на основе InGaN/AlGaN/GaN.

2. Определение параметров рекомбинационных уровней на основе анализа зависимости приведенной скорости рекомбинации от напряжения R^ = f(u) с учетом туннелирования.

3. Экспериментальное исследование электрических и электролюминесцентных характеристик структур на основе InGaN/AlGaN/GaN. Определение параметров изучаемых структур.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Хайрулина, Анна Салиховна

5.4 Выводы по главе:

Измерены температурные зависимости прямых ВАХ (291+ЗЗЗК). Определены приведенные скорости рекомбинации R^ и их зависимости от напряжения.

Основной механизм токопереноса — туннелирование с участием прыжкового механизма.

На зависимостях R„p=f(U) и 3p/3U =f(U) проявляются одни и те же уровни.

Коэффициенты захвата имеют большую величину.

Заключение

Таким образом, на основании проведенных в работе исследований можно сделать следующие выводы:

1. Исследованы спектры электролюминесценции белых СД с люминофорным покрытием. Вычисленное значение светоотдачи 90.6 лм/Вт превышает световую эффективность ламп накаливания 16 лм/Вт и люминесцентных ламп 85 лм/Вт [2].

2. Изменение размеров зерен люминофора вносит вклад в процессы токопереноса, так как при этом изменяется энергия активации. Присутствие дефектов влияет на транспортные свойства полупроводниковых кристаллов.

3. Определен основной механизм токопереноса в исследуемых структурах — прыжковая проводимость с участием туннелирования. Зависимость энергии активации тока от напряжения на структуре согласуется с характером изменения плотности состояний вблизи уровня Ферми при росте напряжения. Численно рассчитаны условия образования ступенек на профиле концентрации легирующей примеси. Определены энергии квантово — размерных состояний (энергии изменяются в гк ж "J пределах 0.21-^0.60 эВ), концентрация (~10 м" ) и подвижность ij электронов (эффективная подвижность ~ 0.001 см /В с при 300 К).

4. Исследован транспорт электронов в структуре InGaN/AlGaN/GaN с туннельно — связанными КЯ с разной подвижностью. Вычислен параметр Падовани — Страттона Е00 ~ 0.038 эВ, и определен механизм протекания тока. Определены приведенные скорости рекомбинации Rnp их зависимости от напряжения.

5. Рассмотрено поглощение света в структуре InGaN/AIGaN/GaN (в первой КЯ оптическое сечение поглощения составляет 2.57 10"21 м , интегральное сечение равно 3.21'10 м ).

Научная новизна полученных результатов

1. Проведенные исследования показали, что термообработка влияет на реконструкцию излучательных рекомбинационных центров и повышает яркость свечения в СД на основе GaP.

2. Выявлено различное влияние температуры на коэффициенты захвата и энергию активации глубоких уровней в структуре на основе InGaN/AlGaN/GaN.

3. Впервые в структурах на основе InGaN/AlGaN/GaN экспериментально подтверждены модельные представления о влиянии размеров туннельно - связанных квантовых ям на подвижность носителей заряда.

4. Определена ширина запрещенной зоны для прямых и непрямых переходов в структурах на основе InGaN, рассчитаны параметры КЯ в структурах на основе InGaN/AlGaN/GaN'. ширина и высота барьеров, концентрация и подвижность носителей заряда, разрыв зон.

5. Впервые в структурах на основе InGaN/AlGaN/GaN на основании экспериментальных данных проведен анализ динамики заполнения 2D электронами подзон размерного квантования, и детально изучен профиль концентрации легирующей примеси.

Практическая значимость полученных результатов

1. Результаты исследований цветовых характеристик гетероструктур на основе InGaN/AIGaN/GaN могут быть использованы для решения различных задач в секторах освещения, индикации и отображения информации. Проанализированы причины снижения световой эффективности белых СД.

2. Исследование транспорта электронов в структуре InGaN/AIGaN/GaN с туннельно — связанными КЯ с разной подвижностью, имеет большое значение для разработки многих полупроводниковых приборов. Рассчитана световая эффективность: 90.6 лм/Вт при токе 1.36 мА, и цветовые координаты. Светодиоды белого свечения интенсивно исследуются во всем мире, светоотдача зависит от многих факторов и изменяется в пределах от 15 лм/Вт [3] до 135 лм/Вт.

3. При изучении поглощения света в структуре InGaN/AIGaN/GaN, показано наличие больших сечений оптического поглощения, которые повышают эффективность практического применения.

Положения, выносимые на защиту

1. Экспериментально подтверждены модельные представления о транспорте электронов в структурах с туннельно — связанными КЯ, причем подвижность в ямах различных размеров изменяется.

2. Основным механизмом токопереноса в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN является прыжковая проводимость с участием туннелирования.

3. Детальный анализ вольт — фарадных характеристик и применяемые в работе теоретические модели позволяют определить ряд важных параметров: удельную проводимость, коэффициент диффузии, диффузионную длину носителей заряда, время жизни неравновесных носителей заряда, время свободного пробега электронов в квантовых ямах, параметр экранирования, концентрацию и подвижность носителей тока.

4. На интенсивность излучения влияет размер зерен люминофоров, наносимых на поверхность излучающего полупроводникового кристалла СД. С повышением размеров зерен растет энергия активации, при постоянном значении коэффициента поверхностного натяжения. Размеры зерен люминофора оказывают влияние на энергию активации на границе «полупроводниковый кристалл — люминофор», и вносят вклад в процесс излучательной рекомбинации.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Хайрулина, Анна Салиховна, 2008 год

1. Юнович А.Э. Светит больше — греет меньше II Экология и жизнь. 2003. №4(33). С. 61 64.

2. Бачериков Ю.Ю., Кицюк Н.В. Цветовые возможности люминофоров ZnS:(CuCl,Ga) в зависимости от очередности легирования CuCl и галлием И ФТП. 2007. т. 41. вып. 6. С. 746 750.

3. Коган Л.М. Современное состояние полупроводниковых излучающих диодов II Электронные компоненты. 2000. №2. С. 22 — 27.

4. Афанасьев В.Б., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т. Светодиодные осветительные и светосигнальные приборы с увеличенным световым потоком II Светотехника. 2004. №6. С. 52 — 56.

5. Юнович А.Э. Светодиоды как основа освещения будущего II Светотехника. 2003. №3. С. 2-1.

6. Булярский С.В., Грушко Н.С., Казаков Д.В. Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных р-п-переходов на основе фосфида галлия II Микроэлектроника. 2005. т. 34. №1. С. 43 — 50.

7. Маняхин Ф.И., Наими Е.К., Рабинович О.И., Сушков В.П. Деградация светоизлучающих диодов при создании в них ультразвуковых упругих волн //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 162.

8. Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. Влияние пассивации поверхности на собственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью IIФ111. 2007. т. 41. вып. 2. С. 164 — 165.

9. Булярский С.В., Воробьев М.О., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP — светодиодах II ФТП. 1999. т. 33. вып. 6. С. 723 726.

10. Ушаков В.В., Дравин В.А., Мельник Н.Н., Заварицкая Т.В., Лойко Н.Н., Караванский В.А., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю. Ионная имплантация пористого фосфида галлия II ФТП. 1998. т. 32. №8. С. 990-994.

11. Бадгутдинов М.Л., Гальчина Н.А., Коган Л.М., Рассохин И.Т., Сощин Н.П., Юнович А.Э. Мощные светодиоды белого свечения для освещения II Светотехника. 2006. №3. С. 36 — 40.

12. Сокульская Н.Н. Исследование системы Y3Al5.x.ySixMgyOi2:Ce для С ИД «белого» цвета // Тез. докл. Восьмой всероссийскоймежвузовской науч.-технич. конференции студентов и аспирантов. Зеленоград. 2001. С. 54.

13. Давиденко Ю.Н. Высокоэффективные современные светодиоды И Современная электроника. 2004. октябрь. С. 36 — 43.

14. Никифоров С.Г. Теперь электроны можно увидеть: светодиоды делают электрический ток очень заметным II Компоненты и технологии. 2006. №3. С. 96-103.

15. Маняхин Ф.И., Кодак А.С. Образование инверсного слоя в светодиодной структуре AlGaN/InGaN/GaN при длительном протекании прямого тока //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 164.

16. Бочкарева Н.И., Тархин Д.В., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Шретер Ю.Г. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN // ФТП. 2007. т. 41. вып. 1. С. 88 94.

17. Narukawa Y., Narita J., Sakamoto Т., Deguchi К., Yamada Т., and Mukai Т. Ultrta-High Efficiency White Light Emitting Diodes II Japanese Journal of Applied Physics. 2006. V. 45, N 41.- P. L1084-L1086.

18. Yunovich A.E., Kudryashov V.E. Energy Diagram and Recombination Mechanisms in Heterostructures InGaN/AlGaN/GaN with Quantum Wells//Phys. Stat. Solidi (b). 2001. V. 228, N 1. P. 141 145.

19. Сокульская Н.Н., Воробьев В.А., Цюрупа О.В., Голота А.Ф., Фотолюминесценция в гранатах Y3Al5.x.ySixMgy012:Ce // Сборник научных трудов ЗАО НПФ «Люминофор». «Исследования, синтез и технология люминофоров». Ставрополь. 2001. вып. 44. С. 172 — 176.

20. Грузинцев А.Н., Бартхоу К., Берналул П. Люминесцентное свойства светодиодов на основе арсенида галлия с антистоксовым люминофором Y202S: Er, Yb IIФТП. 2008. т. 42. вып. 3. С. 365 369.

21. Гальчина Н.А., Коган Л.М., Сощин Н.П., Широков С.С., Юнович А.Э. Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами II ФТП. 2007. т. 41. вып. 9. С. 1143 1148.

22. Мынбаев К.Д., Мынбаева М.Г., Зубрилов А.С., Середова Н.В. Люминесцентные свойства эпитаксиалъных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC II Письма в ЖТФ. 2007. т. 33. вып. 2. С. 74 79.

23. Смирнов М.Б., Талалаев В.Г., Новиков Б.В., Сарангов С.В., Цырлин Г.Э., Захаров Н.Д. Численное моделирование температурной зависимости спектров фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs И ФТТ. 2007. т. 49. вып. 6. С. 1126 1131.

24. Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson М., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний в GaNxAs.x II ФТП. 2006. т. 40. вып. 10. С. 1192-1195.

25. Сизов Д.С., Сизов B.C., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока П ФТП. 2005. т. 39. вып. 11. С. 1350- 1353.

26. Сизов Д.С., Сизов B.C., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Исследование статистики носителей в светодиодных структурах InGaN/GaN II ФТП. 2005. т. 39. вып. 4. С. 492 — 496.

27. Бадгутдинов М.Л., Юнович А.Э. Спектры излучения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний II ФТП. 2008. т. 42. вып. 4. С. 438-446.

28. Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулировано легированными квантовыми ямами IIФТП. 2003. т. 37. вып. 9. С. 1131 - 1137.

29. Бочкарева Н.И., Zhirnov Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Шретер Ю.Г. Туннелъно — рекомбинационные токи и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов II ФТП. 2005. т. 39. вып. 5. С. 627 632.

30. Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе II ФТП. 1999. т. 33. вып. 2. С. 224 231.

31. Кудряшов В.Е., Золин К.Г., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами //ФТП. 1997. т. 31. №11. С. 1304-1309.

32. Бадгутдинов M.JI., Юнович А.Э. Спектры люминесценции и эффективность синих светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN // Ломоносовские чтения, секция физики. Москва. 2007. С. 55.

33. Смирнов М.Б., Карпов С.В., Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., Заварин Е.Е., Лундин В.В. Колебательные спектры сверхрешеток AIN/GaN: теория и эксперимент И ФТТ. 2005. т. 47. вып. 4. С. 716 — 727.

34. Грехов И.В., Линийчук И.А., Титков И.Е. Лазерное напыление пленок GaNII Письма в ЖТФ. 2006. т. 32. вып. 5. С. 24 27.

35. Комиссарова Т.А., Матросов Н.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р., Жмерик В.Н., Иванов С.В. Особенности электрофизических свойств твердых растворов InxGaj.xN. II ФТП. 2007. т. 41. вып. 5. С. 558 — 560.

36. Мамутин В.В., Егоров А.Ю., Крыжановская Н.В., Надточий A.M., Паюсов А.С. Влияние дизайна напряженно — компенсированных сверхрешеток InAs/InGaAsN/GaAsN на их оптические свойства II Письма в ЖТФ. 2008. т. 34. вып. 4. С. 24 31.

37. Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых транзисторов, полученные аммиачной молекулярно — лучевой эпитаксией // Письма в ЖТФ. 2006. т. 32. вып. 22. С. 6-14.

38. Ахметоглы М.А. (Афраилов), Андреев И.А., Куницина Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства изотипных гетеропереходов N^-GaSb/n-GalnAsSb/NGaAlAsSb II типа II ФТП. 2007. т. 41. вып. 2. С. 154- 159.

39. Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Переход от разъединенного гетероперехода II типа к ступенчатому в системе GalnAsSbZInAs(GaSb) II ФТП. 2007. т. 41. вып. 2. С. 166-171.

40. Сошников И.П., Лундин В.В., Усиков А.С., Калмыкова И.П., Леденцов Н.Н., Rosenauer A., Neubauer В., Gerthsen D. Особенности формирования внедрений InxGaj.xN в матрице GaN при выращивании методом MOCVD И ФТП. 2000. т. 34. вып. 6. С. 647 651.

41. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Заварин Е.Е., Константинов О.В., Шмидт Н.М. Термополевой прямой ток в поверхностно — барьерных структурах на основе GaN II ФТП. 2005. т. 39. вып. 6. С. 705 709.

42. Сизов Д.С., Сизов B.C., Заварин Е.Е., Лундин В.В., Фомин А.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н. Кинетика и неоднородная инжекция носителей в нанослоях InGaN И ФТП. 2005. т. 39. вып. 2. С. 264 — 268.

43. Дроздов Ю.Н., Востоков Н.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Хрыкин О.И., Филимонов А.С., Шашкин В.И. Влияние параметров сапфировых подложек на кристаллическое качество слоев GaNII ФТП. 2005. т. 39. вып. 1. С. 5 7.

44. Мынбаева М.Г., Константинов О.В., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Ситникова А.А. Механизм релаксации напряжений несоответствия при эпитаксиальном росте GaN на пористом SiC // Письма в ЖТФ. 2006. т. 32. вып. 33. С. 25-31.

45. Грузинцев А.Н., Редысин А.Н., Barthou С. Излучательная рекомбинация нанокристаллов GaN при большой мощности оптического возбуждения I/ ФТП. 2005. т. 39. вып. 10. С. 1200 1203.

46. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока в сплавном омическом контакте In GaNII ФТП. 2006. т. 40. вып. 10. С. 1204 - 1208.

47. Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф. Влияние водорода на анизотропию скорости роста р — GaN при газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на стенках мезаполосков II ФТП. 2008. т. 42. вып. 2. С. 233 238.

48. Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоров И .Я. Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры кристаллов GaN и BxGaUxN IIФТТ. 2006. т. 48. вып. 4. С. 614 622.

49. Закгейм Д.А., Смирнова И.П., Рожанский И.В., Гуревич С.А., Кулагина М.М., Аракчеева Е.М., Онушкин Г.А., Закгейм A.JL, Васильева Е.Д., Иткинсон Г.В. Высокомощные синие флип — чип светодиодьг на основе AlGalnNИ ФТП. 2005. т. 39. вып. 7. С. 885 889.

50. Абрамов B.C., Никифоров С.Г., Соболь П.А., Сушков В.П. Свойства зеленых и синих InGaN — светодиодов И Светодиоды и лазеры. 2002. №1-2. С. 30-33.

51. Лебедев О.А., Сабинин В.Е., Солк С.В. Полимерная оптика для светоизлучающих диодов // Светотехника. 2001. №5. С. 18 — 19.

52. Агафонов Д.Р., Аникин П.П., Никифоров С.Г. Вопросы конструирования и производства светоизлучающих диодов и систем на их основе // Светотехника. 2002. №6. С. 6 — 11.

53. Пшенай-Северин Д.А., Федоров М.И. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника II ФТТ. 2007. т. 49. вып. 9. С. 1559 1562.

54. Емельянов A.M., Соболев Н.А., Шек Е.И., Лундин В.В., Усиков

55. A.С., Паршин Е.О. Влияние увеличения дозы имплантации ионов эрбия и температуры отжига на фотолюминесценцию в сверхрешетках AlGaN/GaN и эпитаксиальных слоях GaN II ФТП. 2005. т. 39. вып. 9. С. 1080- 1082.

56. Андреев А.А. Собственная и активированная примесями Zn, Се, Tb, Er, Sm и Ей фотолюминесценция псевдоаморфных тонких пленок GaN и InGaNII ФТТ. 2003. т. 45. вып. 3. С. 395 402.

57. Мездрогина М.М., Криволапчук В.В. Влияние дополнительной примеси Zn на вид спектров фотолюминесценции вюрцитных кристаллов GaN, легированных редкоземельным ионом Ей // ФТТ. 2006. т. 48. вып. 7. С. 1182-1186.

58. Андрианов А.В., Некрасов В.Ю., Шмидт Н.М., Заварин Е.Е., Усиков А.С., Зиновьев Н.Н., Ткачук М.Н. Низкотемпературная время — разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN II ФТП. 2002. т. 36. вып. 6. С. 679 684.

59. Карева Г.Г., Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Туннелирование электронов через двойной барьер в структуре металл — окисел — кремний при обратном смещении II ФТП. 2002. т. 36. вып. 8. С. 953-958.

60. Пожела Ю., Пожела К., Юцене В., Балакаускас С., Евтихиев

61. Петров П.В., Иванов Ю.Л., Жуков А.Е. Молекулярное состояние А+ — центров в квантовых ямах GaAs/AlGaAs II ФТП. 2007. т. 41. вып. 7. С. 850-853.

62. Усов С.О., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Сахаров А.В., Заварин Е.Е., Леденцов Н.Н. Фотолюминесценция локализованных экситонов в квантовых точках InGaN II ФТП. 2008. т. 42. вып. 2. С. 187 — 191.

63. Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда в высоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGaj.xAs/GaAs II ФТП. 2007. т. 41. вып. 2. С. 217-220.

64. Каретникова И.Р., Нефедов И.М., Шашкин В.И. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт — фарадных измерений в процессе электрохимического травления II ФТП. 2001. т. 35. вып. 7. С. 801 807.

65. Антонова И.В., Поляков В.И., Руковишников А.И., Мансуров В.Г., Журавлев К.С. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaNII ФТП. 2008. т. 42. вып. 1. С. 53 59.

66. Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaNII ФТП. 2007. т. 41. вып. 2. С. 238 241.

67. Криволапчук В.В., Мездрогина М.М. Влияние миграции энергии на форму линии излучения в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN И ФТТ. 2006. т. 48. вып. 11. С. 2067 2073.

68. Давыдов Д.В., Закгейм А.Л., Снегов Ф.М., Соболев М.М., Черняков А.Е., Усиков А.С., Шмидт Н.М. Локализованные состояния в активной области голубых светодиодов, связанные с системой протяженных дефектов II Письма в ЖТФ. 2007. т. 33. вып. 4. С. 11 — 18.

69. Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т.,

70. Горбунов Р.И., Клочков А.В., Лавринович Д.А., Шретер Ю.Г.

71. Влияние состояний на границах раздела на емкость иэффективность электролюминесценции InGaN/GaN светодиодов

72. ФТП. 2005. т. 39. вып. 7. С. 829 833.

73. Амброзевич А.С., Амброзевич С.А., Грушко Н.С., Потанахина Л.Н. Определение энергии глубоких центров структуры на основе твердого раствора InGaN II Письма в ЖТФ. 2006. т. 32. вып. 4. С. 16-23.

74. Булярский С.В., Грушко Н.С., Лакалин А.В. Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационньгм токам р-п-перехода И ФТП. 1998. т. 32. №10. С. 1193 1196.

75. Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах II ФТП. 2003. т. 37. вып. 1. С. 117-120.

76. Булярский С.В., Грушко Н.С., Сомов А.И., Лакалин А.В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора II ФТП. 1997. т. 31. №9. С. 1146-1150.

77. Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоров И.Я. Рентгеновские спектры и электронная энергетическая структура азота в твердых растворах AlxGai.xNII ФТТ. 2007. т. 49. вып. 8. С. 1369 1372.

78. Смирнова И.А., Суворов Э.В., Шулаков Е.В. Формирование изображения краевой дислокации в поглощающем кристалле II ФТТ. 2007. т. 49. вып. 6. С. 1050 1055.

79. Криволапчук В.В., Лундин В.В., Мездрогина М.М. Роль встроенных электрических полей в формировании излучения квантовых ям InGaN/GaNII ФТТ. 2005. т. 47. вып. 7. С. 1338 1342.

80. Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбаръерных гетероструктурах w-GaN/AlGaN II ФТП. 2006. т. 40. вып. 6. С. 695 700.

81. Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами II ФТП. 2006. т. 40. вып. 6. С. 701 — 706.

82. Ланг И.Г., Коровин Л.И., Павлов С.Т. Волновые функции и энергии магнетополяронов в полупроводниковых квантовых ямах II ФТТ. 2005. т. 47. вып. 9. С. 1704 1710.

83. Коровин Л.И., Ланг И.Г., Павлов С.Т. Влияние аномальной дисперсии на оптические характеристики квантовой ямы II ФТТ. 2006. т. 48. вып. 12. С. 2208-2216.

84. Коровин Л.И., Ланг И.Г., Павлов С.Т. Влияние пространственной дисперсии на форму светового импульса при его прохождении сквозь квантовую яму II ФТТ. 2007. т. 49. вып. 10. С. 1893 — 1899.

85. Коровин Л.И., Ланг И.Г., Павлов С.Т. Резонансное прохождение электромагнитного импульса сквозь квантовую яму II ФТТ. 2008. т. 50. вып. 2. С. 328 334.

86. Николюк В.А., Игнатьев И.В. Энергетическая структура квантовых точек, индуцированных неоднородным электрическим полем в квантовых ямах II ФТП. 2007. т. 41. вып. 12. С. 1443 1450.

87. Аверкиев Н.С., Силов А.Ю. Циркулярная поляризация люминесценции, обусловленная током в квантовых ямах II ФТП. 2005. т. 39. вып. 11. С. 1370-1374.

88. Бенеманская Г.В., Лапушкин М.Н., Тимошнев С.Н. Аккумуляционный зарядовый слой ультратонких интерфейсов Cs, Ва/п-GaN(OOOl): электронные и фотоэмиссионные свойства II ФТТ. 2007. т. 49. вып. 4. С. 613-617.

89. Зубков В.И. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами InxGai-xAs/GaAs методом вольт — фарадных характеристик разрывы зон, уровни квантования, волновые функции II ФТП. 2007. т. 41. вып. 3. С. 331 — 337.

90. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Особенности влияния отжига на спектры пропускания светодиодов GaP:N//OnTHKa и спектроскопия. 2007. т. 102. №06. С. 980-982.

91. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Влияние отжига на спектры пропускания светодиодов GaP:N I группы //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 167.

92. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Электрические и оптические характеристики светодиодов GaP:N под влиянием отжига в I группе //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 168.

93. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Спектры dpidu во второй группе образцов светодиодов GaP:N и влияние на них отжига //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 169.

94. Грушко Н.С., Потанахина JI.H., Хайрулина А.С. Спектры электролюминесценции структур на основе твердого раствора InGaN/Юптика и спектроскопия. 2006. т. 101. вып. 3. С. 423 427.

95. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Коэффициент полезного действия и спектры электролюминесценции светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN белого свечения // Естественные и технические науки. 2008. №4(36). С. 48 50.

96. Маняхин Ф.И. Причины спада выходной мощности излучения и внешнего квантового выхода светодиодных структур AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами при больших напряжениях прямого смещения// Материалы электронной техники. 2004. №1. С. 45 — 49.

97. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. — М.: Высш. школа., 2001. — 573 с.

98. Савельев И. В. Курс общей физики: Учебное пособие для втузов, т. 4 Волны. Оптика. М.: Наука: Физматлит, 1998. 256 с.

99. Никифоров С.Г. Проблемы, теория и реальность светодиодов для современных систем отображения информации высшего качества // Компоненты и технологии. 2005. №5. С. 176—185.

100. Меркушев О.М., Дедов В.П. Анатомия белого светодиода или опыт разработки белых светодиодов с люминофором. 2004. http://www.wplus.net/pp/infor/wledanatomy.htm

101. Дедов В.П. Три пика или светодиодные спектры. 2004. http://www.wplus.net/pp/infor/led spectra.htm

102. Щербаков В.Н. Физико — технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света: Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. Москва. 2007. 18 с.

103. Солонин А.П., Грушко Н.С. Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. С-Петербург. 2006. С. 106.

104. Булярский С.В., Грушко Н.С., Типикин В.В. Труды международной конференции ОПТИКА-, ОПТОЭЛЕКТРОНИКА, И ТЕХНОЛОГИИ. Ульяновск. 2001. С. 17.

105. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Полупроводниковые фотоэлектропреобразователи для ультрафиолетовой области спектра. Обзор И ФТП. 2003. т. 37. вып. 9. С. 1025 1055.

106. Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э., Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами //ФТП. 1999. т. 33. вып. 4. С. 445-450.

107. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Николаев А.Е., Фомин А.В., Черенков А.Е. Механизм протекания тока вомическом контакте Pd —сильно легированный р-Л1х Gaj.x N// ФТП. 2001. т. 35. вып. 5. С. 550 553.

108. Каган В.Д. Влияние кулоновской корреляции на прыжковую проводимость // ФТП. 2000. т. 42. вып. 5. С. 805 808.

109. Технология тонких пленок под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Справочник. — М.: Советское радио, 1977. 767 с.

110. Грушко Н.С., Потанахина Л.Н., Хайрулина А.С. Средняя длина прыжка в структурах на основе InGaN/GaN// Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург. 2006. С. 51.

111. Берман Л.С. Ёмкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972. — 104 с.

112. Кузнецов Н.И., Irvine K.G. Вольт — амперные характеристики GaNuAlGaN р- i- п-диодов // ФТП. 1998. т. 32. №3. С. 369 372.

113. Кадушкин В.И. Особенности распределения 2D электронов по подзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода // ФТП. 2006. т. 40. вып. 12. С. 1443 1448.

114. Борздов В.М., Мулярчик С.Г., Хомич А.В. Расчет методом Монте-Карло низкотемпературной подвижности двумерных электронов в квантовой яме селективно—легированной гетероструктуры на основе GaAs // Письма в ЖТФ. 1997. т. 23. № 23. С. 77-83.

115. Бирюлин П.И., Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В., Трофимов В.Т. Аналог эффекта Ганна при туннельном переносе междуквантовыми ямами с разной подвижностью II ФТП. 2001. т. 35. вып. 11. С. 1356-1360.

116. Батенков В.А. Электрохимия полупроводников. Учеб. пособие. Изд. 2-е, допол. Барнаул.: Изд-во Алт. Ун-та, 2002. — 162 с.

117. Савельев И.В. Курс общей физики: Учеб. пособие для втузов. В 5 кн. Кн. 5: Квантовая оптика. Атомная физика. Физика твердого тела. Физика атомного ядра и элементарных частиц. — М.: ООО «Изд-во Астрель»: ООО «Изд-во ACT», 2001.-368 с.

118. Яворский Б.М., Детлаф А.А. Справочник по физике: 3-е изд., испр. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990. - 624 с.

119. Покутний С.И. Поглощение и рассеяние света на одночастичных состояниях носителей заряда в полупроводниковых квантовых точках // ФТП. 2006. т. 40. вып. 2. С. 223 229.

120. Звонков Б.Н., Малкина И.Г., Линькова Е.Р., Алешкин В.Я., Карпович И.А., Филатов Д.О. Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками II ФТП. 1997. т. 31. №9. С. 1100- 1105.

121. Евтихиев В.П., Константинов О.В., Матвеенцев А.В., Романов А.Е. Излучение света полупроводниковой структурой с квантовой ямой и массивом квантовых точек II ФТП. 2002. т. 36. вып. 1. С. 79 — 86.

122. Грушко Н.С., Логинова Е.А., Потанахина Л.Н. Процесс туннельной рекомбинации в пространственно неоднородных структурах II ФТП. 2006. т. 40. вып. 5. С. 584 588.

123. Булярский С.В., Грушко Н.С. Обобщённая модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах// ЖЭТФ. 2000. т. 118. № 11. С. 1222-1229.

124. ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВНЫ В РАБОТАХ:

125. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Особенности влияния отжига на спектры пропускания светодиодов GaP:N //Оптика и спектроскопия. 2007. т. 102. №06. С. 980 982.

126. Грушко Н.С., Потанахина Л.Н., Хайрулина А.С. Спектры электролюминесценции структур на основе твердого раствора InGaN //Оптика и спектроскопия. 2006. т. 101. вып. 3. С. 423 426.

127. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Коэффициент полезного действия и спектры электролюминесценции светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN белого свечения // Естественные и технические науки. 2008. №4(36). С. 48 50.

128. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Параметры центров рекомбинации структур InGaN/AlGaN/GaN с люминофорным покрытием // Прикладная физика. 2008. №5. С. 112 116.

129. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Влияние отжига на спектры пропускания светодиодов GaP:N I группы //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 167.

130. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Электрические и оптические характеристики светодиодов GaP:N под влиянием отжига в I группе //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 168.

131. Грушко Н.С., Хайрулина А.С., Казаков Д.В. Спектры dpidu во второй группе образцов светодиодов GaP:N и влияние на них отжига //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2005. С. 169.

132. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Влияние отжига на край коэффициента поглощения у светодиодов GaP:N //Труды международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2006. С. 179.

133. Потанахина Л.Н., Хайрулина А.С., Грушко Н.С. Средняя длина прыжка в структурах на основе InGaN/GaN // Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, С-Петербург. 2006. С. 51.

134. Грушко Н.С., Хайрулина А.С. Параметры белых светодиодов InGaN/AIGaN/GaN: светоотдача, КПД, координаты цветности // Труды X международной конференции ОПТО-, НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОТЕХНОЛОГИИ и МИКРОСХЕМЫ. Ульяновск. 2008. С. 22.