Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Селезнев, Дмитрий Владимирович

• Селезнев, Дмитрий Владимирович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Селезнев, Дмитрий Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ПРОНИКАЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТЕРИАЛОВ, КАТОДО- И ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ ГОМО- И ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ

ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ А3В5.

Выводы.

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ СТРУКТУРЫ ИЗЛУЧАЮЩЕГО р-п-ПЕРЕХОДА И ПАРАМЕТРОВ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТЕОРИЯ).

2.1. Введение.

2.2. Электролюминесценция из оптически активного слоя р-пили гетероперехода в режиме малого уровня инжекции.

2.3. Электролюминесценция из оптически активного компенсированного слоя в режиме высокого уровня инжекции в диффузионном приближении теории.

2.4. ЭЛ из оптически активных низкоомных р+- и п+-областей р+-р(п)-п+-структуры.

2.5. Электролюминесценция из оптически активного слоя в дрейфовом приближении теории.

2.5.1. Основные положения и расчетные соотношения.

2.5.2. Вольт-люмен-амперные характеристики (ВЛАХ) при преобладании омической релаксации, бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной ремобинации в квантовой яме.

2.5.3. ВЛАХ в случае преобладания омической релаксации, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.

2.5.4. ВЛАХ при преобладании времени пролета бимолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейнойи бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.

2.5.5. ВЛАХ при преобладании времени пролета, мономолекулярной безызлучательной рекомбинации в компенсированном слое, линейной и бимолекулярной излучательной рекомбинации в квантовой яме.

Выводы.

ГЛАВА 3. МЕТОДЫ ОБЛУЧЕНИЯ И КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ СТРУКТУР ДО И ПОСЛЕ ОБЛУЧЕНИЯ.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НЕЙТРОННОГО, ПРОТОННОГО, ЭЛЕКТРОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ AIo,33Ga<,,67As ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ.

4.1. Исследование структуры и методики облучения.

4.2. Экспериментальные результаты по изменению ВАХ и силы света при нейтронном облучении.

4.3. Обсуждение экспериментальных результатов и расчет констант повреждения при нейтронном облучении.

4.4. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами.

4.5. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами.

4.6. Снижение силы света и расчет константы повреждаемости при облучении светодиодов гамма квантами.

Выводы.

ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОННОГО, НЕЙТРОННОГО, ПРОТОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ GaAs0.6P0.4 p+-p(n)-n+-СТРУКТУРЫ.

5.1. Исследуемые приборы, структуры и методика облучения.

5.2. Экспериментальные ВАХ до и после облучения.

5.3. Обсуждение экспериментальных ВАХ и определение констант повреждаемости.

5.4. Экспериментальные вольт-люмен-амперные характеристики до и после облучения.

5.5. Обсуждение экспериментальных вольт-люмен-амперных характеристик и определение констант повреждаемости.

5.6.Статистические исследования влияния электронного, нейтронного, протонного и гамма облучения на силу света.

5.6.1.Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов электронами.

5.6.2. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов нейтронами.

5.6.3. Снижение силы света и расчет констант повреждаемости при облучении светодиодов протонами.

Выводы.

ГЛАВА 6. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НЕЙТРОННОГО И ГАММА ОБЛУЧЕНИЯ НА ВОЛЬТ-ЛЮМЕН-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ АКТИВНОЙ ОБЛАСТИ ЭФФЕКТИВНЫХ СВЕРХЯРКИХ (AlxGa1.x)o,5lno,5P

ГЕТЕРОСТРУКТУР С КРАСНЫМ И ЖЕЛТЫМ ЦВЕТОМ

СВЕЧЕНИЯ.

6.1. Исследуемые гетероструктуры и методика облучения.

6.2. Распределение концентрации заряженных центров в гетероструктурах до и после облучения.

6.3. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo^GaojVsIno.sP гетероструктур с красным цветом свечения до и после облучения.

6.4. Вольт-люмен-амперные характеристики (Alo,4Gao,3)o,5^0,5? гетероструктур с желтым цветом свечения до и после облучения.

6.5. Обсуждение экспериментальных результатов и оценка константы повреждаемости времени жизни.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо- и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех-четырехкомпонентных твердых растворов А3В5»

Разработанные в 70-80-х гг. светодиоды, цифро-знаковые индикаторы, табло, экраны и элементы шкалы на основе бинарных соединений и твердых растворов А3В5 нашли широкое применение в устройствах и приборах индикации, сигнализации, контроля и отображения информации малой мощности как гражданского, так и спецприменения. Помимо «грязного» цвета свечения, не соответствующего стандартам, эти светодиоды имели низкую эффективность и силу излучения - единицы или десятки милликанделл, тогда как в обычных светотехнических устройствах этот параметр должен составлять тысячи и десятки тысяч канделл.

Необходимые потребителям комплексные исследования по влиянию проникающей радиации (нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов) проводились в ограниченном масштабе.

В 90-х гг. за рубежом, в основном в Японии и США, были созданы эффективные полупроводниковые источники излучения второго поколения, способные заменить лампы накаливания и люминесцентные источники в светотехнических приборах большого радиуса действия, таких как шоссейные и железнодорожные светофоры, бакены и маяки, бортовые сигнальные и осветительные огни, дополнительные сигналы торможения, дорожные знаки информационные табло, лампочки для шахтеров и т.д.

Если в светодиодах первого поколения лишь гетероструктуры на основе AlxGai.xAs/GaAs, излучающие в красной области спектра (110-180 нм) обладали высоким внешним квантовым выходом (5-8%) при светоотдаче до 5 лм/ватт, то у светодиодов на основе твердых растворов алюминия-индия-галлия-фосфора, излучающих в красной и желтой области спектра квантовая эффективность составила 12-18%. У лабораторных образцов она достигала 40-60%, а светоотдача достигала 150 лм/ватт.

В 1996 г. были разработаны эффективные светодиоды (СД) для зеленой (530 нм) и голубой (460 нм) области спектра на основе гетероструктур AlxGai.xN/InxGa]xN/GaN с квантовой эффективностью 79%. Совместное использование «синих» светодиодов и желтого люминофора позволило создать источник белого света по светоотдаче превосходящий лампы накаливания. Разработаны мощные светодиоды на ток до 1 А, способные заменить лампы накаливания, люминесцентные и другие источники освещения при напряжении питания не более 5 В и существенной экономии электроэнергии.

В настоящее время данное направление оптоэлектроники бурно развивается. В 1999 г. объем выпуска сверхярких мощных светодиодов составил 100 млн. шт. Ежегодный прирост капиталовложений в эту область, начиная с 1996 г. составляет 40% и к 2006 г. достиг 3 млрд. долларов США. Число публикаций превышает 1000 наименований в год.

По оценкам специалистов внедрение светодиодов в светотехнику сейчас происходит быстрее, чем в свое время транзисторов в радиоэлектронику. Поэтому сложившееся положение называют промышленной революцией в оптоэлектронике.

Несмотря на большой объем публикаций по использованию, разработке и применению эпитаксиальных гомо- и гетероструктур первого и второго поколения, в известной нам литературе отсутствуют данные по систематическому изучению влияния проникающей радиации на светодиоды первого и особенно второго поколения.

Актуальность работы

Маломощные светодиоды, устройства и приборы сигнализации и отображения информации первого поколения в настоящее время широко применяются как в гражданской, так и бортовой аппаратуре. Анализ заявок потребителей показывает, что существует еще большая потребность применения разработанных в последнее время эффективных сверхярких светодиодов в бортовой (включая космическую), военной аппаратуре и ядерной радиоэлектронике. Необходимым условием их использования в этих областях является информация по воздействию проникающей радиации, особенно быстрых нейтронов и гамма квантов на электрические и светотехнические параметры и характеристики с последующим присвоением группы стойкости. Поэтому систематические исследования в области радиационной деградации радиационной стойкости светоизлучающих структур первого и второго поколения являются весьма актуальными.

Цель работы

Целью данной работы являлось систематическое исследование воздействия нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов на характеристики и параметры излучающих в красной и желтой области спектра гомо- и гетероструктур: Alo^Ga^As, GaAs0,6Po,4, (AlxGa1.x)o,5lno,5P и оценка радиационной стойкости светодиодов, приборов и устройств отображения информации на основе этих структур.

Данная цель достигалась постановкой и решением следующих задач:

1. Разработкой конструкции и технологии изготовления светодиодов всех основных цветов, пригодных для проведения испытаний на воздействие нейтронов, протонов, электронов и гамма квантов на стандартном оборудовании.

2. Созданием автоматизированной аппаратуры и методик для комплексного измерения параметров и характеристик структур до и после облучения с компьютерной обработкой результатов измерений.

3. Разработкой методик измерения электрофизических параметров материала активной области и структуры светодиода, оценки констант повреждаемости времени жизни (Кх) и снижения силы света (тоКх).

4. Разработкой программ для аппроксимации экспериментальных вольт-люмен-амперных характеристик и их эволюции при облучении.

Научная новизна заключается:

1. В исследовании воздействия протонного облучения на параметры и характеристики структур первого поколения, нейтронного и гамма облучения - на гетероструктуры второго поколения.

2. В усовершенствовании и использовании метода измерения распределения заряженных центров в активной области облученных светодиодов на основе анализа динамической барьерной емкости структур до и после облучения.

3. В разработке математической модели влияния структуры и параметров активной области р-n и р+-р(п)-п+ гомо- и гетеропереходов в диффузионной и дрейфовом приближении теории.

4. В выводе на основе матмодели аналитических зависимостей изменения вольт-люмен-амперных характеристик светодиодов при облучении.

5. В определении на основе экспериментальных данных и расчетных зависимостей констант повреждаемости времени жизни и снижения силы света при облучении гомо- и гетероструктур первого и второго поколения.

Практическая ценность работы заключается:

1. В разработке методов определения констант повреждаемости и снижения силы света, т.е. в количественной оценке радиационной стойкости светодиодов.

2. В расчете коэффициентов относительной эффективности воздействия различных видов облучения на силу света, что позволяет существенно снизить объем и стоимость экспериментальных исследований.

3. В создании базы определения квалификационной группы стойкости светодиодов в соответствии с ГОСТом В.39.404-81 РФ.

Реализация и внедрение результатов работы

Данная работа выполнялась в рамках программы фундаментальных исследований ОИТВС РАН «Организация вычислений с использованием новых физических принципов», которая входила в программу фундаментальных исследований отделения информационных технологий и вычислительных систем РАН и проекта «Разработка теоретических и конструктивно-технологических основ создания эффективных, мощных, надежных и радиационно-стойких светодиодов нового поколения на основе твердых растворов», входящего в вышеуказанные программы. Результаты внедрены в ОАО «Оптрон», ЗАО «Пола +» и ЗАО «Корвет» и использованы при составлении ТУ, конструкторско-технологической документации, справочных и информационных материалов на выпускаемые и вновь разрабатываемые приборы.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на МНТК «Информационные технологии в науке, технике и образовании», Аланья, Турция, 9-14 мая 2004 г., на десятой МНТК «Моделирование электронных приборов и техпроцессов, обеспечение качества, надежности и радиационной стойкости приборов и аппаратуры», г. Севастополь, 9-17 сентября 2004 г., на МНТК «Информационные технологии и моделирование электронных приборов и техпроцессов в целях обеспечения качества и надежности аппаратуры», Сусс, Тунис, 9-16 октября 2005 г.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 7 печатных работ.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы. Основная часть диссертации изложена на 124 страницах машинописного текста, содержит 49 рисунков и 7 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Селезнев, Дмитрий Владимирович

Выводы

1. Проведены комплексные измерения электрических и световых характеристик гетероструктур на основе (AlxGai.x)o,5lno,5P//GaP с красным и желтым цветом свечения в широком интервале токов, п напряжений, доз гамма (до 10 рад) и флюенсов нейтронного

If л облучения (до 4,7-10 н/см). Измерения проводили в автоматизированном режиме с компьютерной обработкой результатов измерений.

2. Из измерения профилей распределения заряженных центров в активной области было установлено, что светодиоды представляют собой р+-р(п)-п+-гетероструктуру с шириной компенсированного слоя 0,15-0,30 мкм, в котором содержится одна или несколько квантовых ям.

3. Вольт-амперные характеристики до и после облучения соответствовали известным диффузионным и дрейфовым моделям двойной инжекции, что позволило разработать физическую и математическую модель гетероструктуры и на ее основе вывести аналитические зависимости силы света от тока для основных участков ВАХ.

4. Рассчитанные на основе экспериментальных характеристик и математической модели константы снижения силы света (тОКх) и повреждаемости времени жизни составили (4,2+1,3)-10-14 см2/н и (2,4+1,4)-10-14 см2/н, соответственно из анализа вольт-амперных и люмен-амперных характеристик гетероструктур с красным цветом свечения и (2,1+0,4)-10-14 см2/н - с желтым. Гамма облучение не оказывало существенного влияния на электрические и световые характеристики до дозы 107 рад.

5. По радиационной стойкости гетероструктуры на 1-2 порядка превосходят гомо- и гетероструктуры на основе твердых растворов A10,33Ga0,67As и GaAs0,6P0,4.

118

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. В диссертационной работе впервые проведено комплексное исследование воздействия нейтронов, электронов, протонов и гамма квантов на светоизлучающие р-п-структуры первого поколения на основе Alo,33Gao,67As и GaAs0,6Po,4, нейтронов и гамма квантов на гетероструктуры второго поколения на основе (AlxGa^xVsIno.sP с красным и желтым цветом свечения.

2. На основе экспериментальных данных и расчетов разработана математическая модель гомо (гетеро) структур в диффузионном и дрейфовом приближении теории двойной инжекции.

3. Для анализа экспериментальных результатов, прогнозирования радиационной стойкости, определения констант повреждаемости времени жизни и снижения силы света при облучении на основе матмодели рассчитаны зависимости силы света от параметров материала активной области, тока, напряжения и флюенса (дозы) облучения как для простого гомо- или гетероперехода с оптически активной p-n-областью в режиме малого уровня инжекции, так и более сложной трех-четырехслойной р+-р(п)-п+-структуры, содержащей компенсированный слой, в режиме высокого уровня инжекции.

4. На основании экспериментального исследования ВАХ и IV(U,I)-характеристик Alo^Gao^As структур при разных флюенсах нейтронного, электронного, протонного и гамма облучения установлена зависимость тока и силы света от интегрального потока: ivo/lv)^5"1 = тоКтФ и определены константы повреждаемости: топК„) = (1,4±0,9)-10~12 см2/н; (т0пКп) = (4,5±0,8>10"12 см2/п; юпКэ) = (1,3±0,2)-10~13 см2/е; (т0пКу) = (3,1±0,6>1(Г8 см2/рад.

5. В результате детального анализа изменения ВАХ GaAs0,6Po,4 структур при электронном облучении подтверждена трехслойная р+-р(п)-п+-структура, в которой ширина компенсированного р-слоя до облучения и при малых флюенсах была меньше, а после флюенса б-Ю'МО" э/см2 больше диффузионной длины, что приводило к появлению характерных степенных участков I = A(u-Uk)4 и I=B(U-Uk)2. определенные из температурной зависимости тока на этих участках энергетические уровни и концентрации дырочных и электронных

18 —3 ловушек составили: Et;P = 0,11-0,12 эВ, Nt>p = (0,6-1,0)-10 см , Et>n = 0,15-0,17 эВ, Nt,n = (0,3-2,3)-1014 см-3.

6. Экспериментальные зависимости силы света от напряжения и тока, а также спектры ЭЛ до и после облучения соответствовали предположению, что краевое излучение свободных носителей заряда или экситонов преобладало в компенсированном слое, а примесная ЭЛ электронов на нейтральных центрах цинка в р+-области. На основании экспериментальных данных и расчетов (2 глава диссертации) получена аналитическая зависимость силы света от флюенса:

1уо/1у)2/3"1 = тоКтФ ПРИ заданном токе. Определенные константы повреждаемости составили: (топК„) = (0,95±0,45)-10-13 см2/н; (т0пКп) = (5,0±0,40)-10"13 см2/п; (тОпКэ) = (4,3±2,9>10-15 см2/э; (топКу) = (3,3±0,8>10"8 см2/рад.

7. На основе комплексных измерений распределение заряженных центров в активной области, электрических и световых характеристик (AlxGai.x)o,5ln<),5P светодиодов с красным и желтым цветом свечения было установлено, что они представляют собой р+-р(п)-п+-гетероструктуру с шириной компенсированного слоя 0,15-0,30 мем, которая менялась при облучении.

8. Вольт-амперные характеристики до и после облучения соответствовали классическим диффузионным и дрейфовым моделям двойной инжекции: е1Л . ( eU л

I = IslexP > I = Is2exP 2kTy l,5kT

1=в(и-ик)2Л=с(и-ик)3, что позволило оценить величину произведения (топКп) = (2,4±5,3)-10 14 см2/н для гетероструктур с красным и (2,1±0,4)-10~14 см2/н - с желтым цветом свечения.

9. Экспериментальные зависимости силы света от тока, напряжения и флюенса нейтронного облучения соответствовали расчетным, выведенные в предположении, что излучательная рекомбинация имела место в квантовых ямах, расположенных в компенсированном слое.

10. Зависимость силы света от флюенса выглядела следующим образом:

1у(о)/1у(ф) = (1+топКпФ)П, где п = 0,5, (ТОпКп) = (5,3±2,1>10"14 см2/н для гетероструктур с красным и п = 1,0, (т0пКп) = (2,4± 1,4)-10"

14 см2/н - для гетероструктур с желтым цветом свечения.

11. По силе света, надежности, времени наработки, радиационной стойкости светодиоды второго поколения существенно превосходят светодиоды первого поколения.

121

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Селезнев, Дмитрий Владимирович, 2006 год

1. Barnes С.Е. Neutron damage in GaP Light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1972. V.22.N3.P.110-112

2. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A. and Herzog A.H. Gamma irradiation and annealing effect in nitrogendoped GaP green and yellow Light-emitting diodes//IEEE Trans Nucl. Scient.//1972 NS19.N6. P.386-390.

3. Уваров Е.Ф. Электрофизические свойства полупроводниковых соединений А3В5, облученных быстрыми электронами и нейтронами// Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып.9. 68 с.

4. Уваров Е.Ф., Храмцов А.П. Оптические и люминесцентные свойства облученных широкозонных полупроводников А3В5//Обзор по электронной технике. М.: 1979. Вып. 11. 72 с.

5. Stanley A.G. Comparison of light emitting diodes in a space radiation environent//IEEE Trans Nucl. Scient. 1970. V.NS. N6. P.234-244.

6. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Herzog A.H. Effect of neutron irradiation on GaAsP electroluminescent diodes.// Appl. Phys. Let. 1973. V.23. N8. P.472-474.

7. Храмцов А.П. Влияние электронного и нейтронного облучения на процессы излучательной рекомбинации в некоторых широкозонных полупроводниках А3В5//Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. М.: 1982. 195 с.

8. Epshtein A.S., Share S., Polimadei R.A., Herzog A.H.// IEEE Conference on Nuclear and space radiation Effects//San Diego-California. 1976.

9. Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//Met. Trans. 1970. V.5. P.587-592.

10. Shade H., Nuese C.I. and Herrick D. Defect centers in GaAsP electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.//J. Appl. Phys. 1970. V.41. N9. P.3873-3789.

11. Nuese C.I., Shade H. and Herrick D. Effiency degradation of GaAsi.xPx electroluminescent diodes due to high-energy electron irradiation.// Metal. Trans. 1970. V.l. N3. P.587-591.

12. Kaminski P., Kot W., Nizinski Z. and Roszkiewics K. Deep electron traps in GaAsP:N and GaAsP:N light emitting diodes//Acta Physica Polonica. 1982. V.A7L. N3. P.453-456.

13. Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaAs and AlGaAs.//Phys. Rev. V. 15.N.10. P.4874-4882.

14. Селезнев Д.В. Анализ влияния облучения на светоиндикаторы из Alo,33Gao,67As//B сб. «Моделирование и исследование сложных систем».'М.:МГАПИ. 2004. С.91-102.

15. Рыжиков В.И. Методы контроля радиационной деградации и оценки радиационной стойкости светодиодов на основе нитрида галлия//В сб. «Моделирование и исследование сложных систем», М.: МГАПИ. ISBN-8068-0197-7,2004. Т.1. С.3-7.

16. Kalma А.Н., Corelli I.C. Radiation effects in Semiconductors.//Snanum Press. N4. 153 p.

17. Kolchenko T.I., Lomako I.M. Remuved and scattering charge carriers bydeffects clusters in Semiconductors.//Phys.Stat.Solidi. 1971. V.3(a). P.263-269.

18. Mc Nichols I. L.,Berg N. I. Newtron-induced metallic spike zones in GaAs/ЛЕЕЕ Trans on Nuclear Scientific, 1974. V.S. 18. #6, P.21-30.

19. Shockley W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junctions transistors.//Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.3. P.435-490.

20. Barns C.E. Neutron damage in GaP(ZnO) light-emitting diodes.// Appl. Phys. Let. 1977.V.48. N5. P.1921-1927.

21. Herring C. Bell Sest.Tech.J. 1949. V.28. N.401. P. 172-181.

22. RittnerE.S. Phys Rev. 1954. V.94. P.l 161-1172.

23. Hall R.N. Power rectifiers and transistors // Proc. IRE. 1952. P. 1512-1518.

24. Адирович Э. И., Карагеоргий-Алкалаев П. М., Лейдерман А. 10. Токидвойной инжекции в полупроводниках. М.: Сов. Радио. 1978. 320 с.

25. Акимов Ю. С., Рыжиков И. В. Инжекция электронов и дырок в изоляторы и полупроводники //Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1972. № 4. Т. 1. С. 3-29; Т. 2. № 4. С.47-76.

26. Лейдерман А. Ю., Рабинович Ф. Я., Карагеоргий-Алкалаев П. М. Ктеории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках. //Изв.АН УзбССР. Сер.Физ.Мат.Наук. 1969. №6. С.51-57.

27. Осипов В.В., Холоднов В.А. Теория диодов с излучательной и безызлучательной примесной рекомбинацией//Физика и техника Полупроводников. 1970. Т.4. Вып. 12. С.2241-2252.

28. Paramenter R.H., Ruppel W.S. Appl. Phys. 1959. V. 39. P.1548-1555.

29. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах/Пер. с англ.//М.: Мир. 1973. 146 с.

30. Рашба Э.И., Толпыго К.Б. Прямая вольт-амперная характеристика плоскостного выпрямителя при значительных токах //ЖТФ. 1956. Т.26. Вып.7. С.1419-1426.

31. Lampert М.А., Rose A. Phys. Rev/1961. V. 121. Р, 26-31.

32. Горюнов Н.Н., Клебанов Н.П., Лукашов Н.В., Маняхин Ф.И. импульсный трехчастотный метод измерения параметров заряженных центров в области пространственного заряда полупроводниковых структур//«Приборы и системы управления». 1999. № 10. С.34-42.

33. Маняхин Ф.И., Кодак А. Метод контроля технологии светодиодных структур//«Компоненты и технология». 2005. № 6. С. 236-238.

34. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках//Л.: Наука. 1981. 176 с.

35. Булярский С.В., Радаууан С.Н. Определение параметров глубоких центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости//ФТП. 1981. Т. 15. № 7. С. 1443-1446.

36. Булярский С.В. Глубокие центры безызлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах/Кишинев: Штинда, 1987. 103 с.

37. Крамер-Агеев Е.А., Трошин В.С„ Тихонов Е.Г. Активационные методы спектроскопии нейтронов//М.: Атомиздат. 1976. С. 194-199.

38. Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //ФТП. 1988. Т. 32, № 1. С.3-18.

39. Алферов Ж.И., Чиковани Р.И., Чармакадзе Р.А. и др. Высокоэффективные светодиоды в красной области спектра на основе гетеропереходов в системе AlAsGaAs//OTTI. 1972. Т.6. Вып.И. С. 1189-2291.

40. Алферов Ж.И. Письма в журнал технической физики. 1997. №3. С.657.

41. Craford M.G. Properties on electrolum. of the GaAsi.xAsPx ternary system//Progress in solid state chem. V.8. 1973. P. 127-165.

42. Munoz E., Snyder W.L., Moll J.L. Effect of arsenic pressure on heat treatment of liquid epitax. GaAs//Appl. Phys. Lett. 1970/ V.16. # 2. P. 262273.

43. Pegler P.L., Grimshaw J.A. Electrical measurement on electron irradiation n- and p-GaAs//Radiat. Eff. 1972. V.15. № 2. P.183-193.

44. Кравченко A.C., Принц В.Я. Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAsP и AlGaAs от состава//ФТП. 1978. Т.12. С.1612-1614.

45. Lang D.V., Logan R.A. and Kimerling L.C. Identification of the defect state, associated with a gallium vacancy in GaAs and AlxGai.xAs.//Phys. Rev. 1977. V. 13. № 10. P.4874-4882.

46. Рыжиков В.И. Контроль радиационной стойкости мощных светодиодов на основе широкозонных полупроводников//Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М.: 2004. 100с.

47. CORVETTE-LIGHTS HIGH BRIGHTNESS LEDS & LIGHT SIGNALING SYSTEMS1. CORVETTE1. Ь ft » VL ¥ ¥ <t I & Г I~1. К О 1* Ь tT Л Л Й Т С.1. АКТвнедрения диссертационной работы аспиранта МГУПИ Селезнева Д.В.

48. Исследование радиационной деградации и оценка радиационной стойкости светодиодов на основе гомо-и гетероструктур первого и второго поколения на базе трех- четырехкомпонентных твердых растворов А3В5»

49. В ЗАО «Корвет-Лайте» внедрены следующие результаты диссертационной работы Селезнева Д.В.

50. Алгоритмы и программы для компьютерной обработки результатов измерений электрических и светотехнических характеристик мощных сверхярких светодиодов.

51. Результаты испытаний на длительную наработку (life-time) и ускоренных испытаний.

52. Методы исследования радиационной деградации сверхярких светодиодов нового поколения с красным и желтым цветом свечения и оценки их радиационной стойкости.1. Генеральный директор1. Долин Е.В./105058, Russia, Moscow, Mironovskaya st, bid. 10 A.

53. Tel.: [phone]. Fax: [phone] E-mail: [e-mail]. WWW: http://www.corvette-liqhts.ru.

54. В ЗАО ПОЛА+ внедрены следующие результаты диссертационной работы Селезнева Д.В.

55. Оптимизация установок и разработка методов диагностики и ускоренных испытаний на надежность светодиодов на основе (AlxGa1.x)o,5Ino,5P/GaP

56. Оценка гамма ресурса по результатам испытаний на длительную наработку до 10 ООО ч.

57. Передача результатов испытаний светодиодов на воздействие проникающей радиации для использования в технической документации и присвоения соответствующей группы стойкости.

58. Генеральный директор А ЙЦербаков Н.В./