Физико-химические процессы в электролюминесцентных излучателях на основе соединений A2 B6 и их моделирование тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат технических наук Качалов, Олег Викторович

• Качалов, Олег Викторович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Качалов, Олег Викторович

Содержание

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Физико-химическая природа примесных центров свечения в сульфиде цинка

1.2. Состав и физико-химические свойства тонкопленочных электролюминесцентных структур постоянного тока

1.3. Основные типы и физико-химические свойства тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых переменным электрическим полем

1.4. Эквивалентные схемы электролюминесцентных излучателей

1.5. Математические модели процессов, протекающих в

электролюминесцентных излучателях

1.6. Физико-химические свойства диэлектрических материалов для тонкопленочных электролюминесцентных излучателей

1.7. Технология нанесения электролюминесцентных и диэлектрических пленок

1.8. Многоцветные дисплеи на базе тонких пленок электролюминофоров

2.1. Получение порошковых электролюминофоров постоянного тока и измерение их оптических и электрофизических характеристик

2.2. Технология получения тонкопленочных электролюминесцентных структур постоянного тока

2.3. Технология получения тонкопленочных электролюминесцентных структур, возбуждаемых переменным полем

2.4. Измерение спектральных характеристик ЭЛИ

ГЛАВА 3. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

3.1. Физико-химические особенности образования гетероперехода в порошковых электролюминофорах постоянного тока (ЭЛИН) на основе гп8:Мп-Сих8

3.2. Физико-химические процессы формирования барьера в ТПЭЛС и механизм токопрохождения

3.3. Аналитическая модель и эквивалентная схема

ТПЭЛС постоянного тока

3.3.1. Эквивалентная схема и вольт-амперная характеристика ТПЭЛС постоянного тока

3.3.2. Расчет параметров эквивалентной схемы и сравнение полученных результатов с экспериментальными данными

3.4. Аналитическая модель и эквивалентная схема

ТПЭЛС переменного тока

3.4.1. Эквивалентная схема ТПЭЛС переменного тока

3.4.2. Расчет параметров эквивалентной схемы и сравнение полученных результатов с экспериментальными данными для

ТПЭЛС переменного тока

3.5. Использование эквивалентной схемы для анализа зависимостей параметров ТПЭЛС от физико-химических свойств диэлектрических и люминесцентных слоев

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНЫХ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ЗАВИСИМОСТЕЙ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

4.1. Исследование экспериментальных и теоретических зависимостей яркости в электролюминифорах постоянного тока от температуры

4.2. Исследование яркостных и спектральных характеристик ТПЭЛС

4.2.1. Спектральные характеристики ТПЭЛС при разных величинах

возбуждающего напряжения

4.2.1. Спектральные характеристики ТПЭЛС при разных частотах возбуждающего напряжения

4.2.3. Сравнение интенсивности электролюминесценции на разных длинах волн

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

ПРИЛОЖЕНИЯ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физико-химические процессы в электролюминесцентных излучателях на основе соединений A2 B6 и их моделирование»

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время все большее значение приобретают процессы получения, обработки, передачи информации. Для этого создан целый спектр разнообразных измерительных систем, электронно-вычислительных машин, средств управления технологическими, экономическими, социальными и другими процессами. Огромную роль во взаимодействии человека с такими устройствами играют средства визуализации информации, преобразующие цифровые или аналоговые электрические сигналы в изображение.

Наиболее распространенными средствами визуализации информации являются электронно-лучевые трубки, жидкокристаллические индикаторы и экраны. Однако эти устройства обладают рядом существенных недостатков: для электронно-лучевых трубок это высокие потребляемая мощность и напряжение питания, большие габариты, наличие электро-магнитного излучения, вредного для здоровья человека, для жидкокристаллических экранов - большая инерционность отдельной точки изображения, сложность и высокая себестоимость создания больших (диагональ более 20 см) экранов. В связи с этим не прекращаются поиски альтернативных источников излучения, подходящих для создания средств визуализации информации.

Благодаря развитию физической химии, физики полупроводников, появлению новых технологий нанесения электролюминесцентных и диэлектрических тонких пленок, большое внимание уделяется разработке и созданию электролюминесцентных источников излучения (ЭЛИ) [1]. Получены удовлетворительные образцы семисегментных и сигнальных индикаторов на их основе, ведутся исследования по применению электролюминофоров в качестве излучающих элементов в монохромных и цветных дисплеях[2, 3].

Вместе с тем следует заметить, что имеется ряд проблем, без решения которых невозможно создание конкурентоспособных изделий, отвечающих всем

требованиям современной электронной техники. Актуальными задачами в данной области являются снижение возбуждающего напряжения и увеличение яркости электролюминесцентных изделий с одновременным увеличением срока службы и улучшением стабильности работы устройств. Для решения этих задач разработан ряд эквивалентных схем и математических моделей, взаимосвязывающих отдельные параметры работы ЭЛИ и условия возбуждения люминесценции. Однако отсутствуют схемы и модели, позволяющие в полной мере отражать весь спектр экспериментальных данных работы реальных устройств, их асимметрию, проводить комплексное исследование влияния свойств и физико-химических процессов, протекающих в отдельных слоях, на рабочие характеристики структуры в целом не только в установившихся, но и в переходных режимах.

Данная работа посвящена исследованию физико-химических и электрофизических процессов в электролюминесцентных излучателях (ЭЛИ) на основе широкозонных полупроводниковых соединений А2Вб и их моделированию путем последовательного физическо-химического и математического описания электрофизических и физико-химических процессов, протекающих в ТПЭЛС, и установлению связей между режимами возбуждения, составом структур и их рабочими характеристиками.

Цель работы состояла в:

- экспериментальном и теоретическом изучении физико-химических и электрофизических процессов в электролюминесцентных излучателях;

- разработке эквивалентных схем тонкопленочных электролюминесцентных структур (ТПЭЛС) постоянного и переменного тока;

- создании математических моделей работы ТПЭЛС и проведении комплексного изучения влияния конструкции структуры, физико-химических свойств входящих в ее состав слоев, режимов возбуждения электролюминесценции на стабильность работы излучателя, пороговое напряжение и другие эксплуатационные характеристики устройства.

Для решения этой проблемы потребовалось:

1. Исследовать физико-химические процессы, протекающие при получении и работе ЭЛИ, и установить основные критерии создания стабильных электролюминесцентных устройств, удовлетворяющих требованиям к средствам отображения информации.

2. Изучить механизм токопрохождения в электролюминофорах постоянного тока на основе широкозонных полупроводниковых соединений с учетом технологии получения и принципов создания излучателей на их основе.

3. Теоретически и экспериментально исследовать вольт-амперные, вольт-яркостные, температурные, спектральные характеристики ЭЛИ постоянного и переменного тока.

4. Разработать эквивалентные схемы ТПЭЛС переменного и постоянного тока, в полной мере отражающие рабочие параметры реальных устройств, и исследовать на их основе методами математического моделирования физико-химические и электрофизические процессы в отдельных слоях.

5. Подтвердить достоверность эквивалентных схем и моделей путем сравнения экспериментальных электрофизических характеристик ТПЭЛС и расчетных данных.

Решение поставленных задач выполнено следующим образом.

Первая глава посвящена изучению современного состояния в области исследования физико-химических и электрофизических процессов в электролюминесцентных излучателях на основе соединений А2В6 и их моделирования. Описана физико-химическая природа примесных центров в сульфиде цинка, отражены имеющиеся в литературе данные по составу, принципах построения, структуре, основных физико-химических и электрофизических свойствах ЭЛИ. Описаны существующие эквивалентные схемы и математические модели ТПЭЛС, раскрыты их достоинства и недостатки. В заключение главы приведены виды многоцветных дисплеев на базе тонких пленок люминофоров.

Во второй главе описаны методика и физико-химические основы получения ЭЛИ постоянного и переменного тока и измерения их основных электрофизических параметров. Приведена блок-схема и изложены основные принципы создания автоматизированного измерительного комплекса на базе монохроматора МДР-23У для получения спектральных характеристик ТПЭЛС.

Третья глава посвящена экспериментальному и теоретическому изучению физико-химических и электрофизических свойств ЭЛИ на основе соединений А2Вб, исследованию эквивалентных схем ТПЭЛС постоянного и переменного тока, созданию на их основе математической модели и изучению влияния физико-химического состава и структуры ЭЛИ на его рабочие характеристики. Проведено комплексное моделирование рабочих характеристик ТПЭЛС при разном составе и свойствах диэлектрических и люминесцентных слоев.

В четвертой главе проведено исследование экспериментальных и теоретических зависимостей яркости в электролюминофорах постоянного тока от температуры, уточнен механизм токопрохождения в ЭЛИ, получены спектральные характеристики ТПЭЛС переменного тока в разных режимах возбуждения, разработан ряд рекомендаций по созданию промышленных источников излучения на основе ЭЛИ.

Научная новизна. Проведен комплексный анализ физико-химических и электрофизических процессов, протекающих в ЭЛИ на основе соединений А2В6. Исследованы эквивалентные схемы ТПЭЛС постоянного и переменного тока, разработаны физические и математические модели работы ТПЭЛС. При этом получены следующие новые научные результаты, которые могут быть использованы для разработки, создания и применения электролюминесцентных устройств:

Экспериментально исследованы физико-химические особенности образования гетероперехода в порошковых электролюминофорах, возбуждаемых постоянным полем (ЭЛПП), изучено влияние концентрации второй фазы на

крутизну вольт-яркостной характеристики, коэффициент умножения носителей заряда; определены процессы токопрохождения в ЭЛИ постоянного тока; разработаны эквивалентные схемы ТПЭЛС постоянного и переменного тока, которые, в отличие от существующих, в полной мере отражают процессы, возникающие при работе реального устройства; созданы математические модели, взаимосвязывающие рабочие характеристики ТПЭЛС (яркость, ток, напряжение на отдельных слоях, напряжение пробоя структуры) с параметрами возбуждающего напряжения и свойствами составляющих слоев; проанализировано влияние физико-химических свойств и состава слоев ТПЭЛС переменного тока, а также условий возбуждения электролюминесценции на рабочие характеристики ЭЛИ.

Для обоснования достоверности разработанных моделей проведено сравнение расчетных и экспериментальных данных. Показано их совпадение для различных по составу электролюминесцентных устройств.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Исследованы физико-химические особенности формирования гетероперехода в ЭЛПП в зависимости от количества осаждаемой ионно-обменным методом второй фазы Сих8.

2. Проведено комплексное исследование влияния физико-химического состава и электрофизических свойств отдельных слоев ТПЭЛС на рабочие параметры устройства.

3. Определено, что в ЭЛПП зависимость тока от напряжения определяется генерацией свободных носителей путем туннелирования электронов, стимулированного фононами.

4. Разработаны эквивалентные схемы ТПЭЛС постоянного и переменного тока, отражающие реальные процессы в ЭЛИ.

5. Разработаны математические модели, пригодные для исследования влияния режимов возбуждения, физико-химических свойств и состава отдельных слоев на рабочие характеристики ЭЛИ.

Практическая значимость работы заключается в разработке теоретической и практической основы для получения электролюминесцентных устройств с улучшенными характеристиками:

1. Произведена оптимизация процесса нанесения второй фазы на ЭЛПП ионно-обменным методом.

2. Показано, что в рабочем интервале напряжений ЭЛИ постоянного тока на основе соединений А2В6 преобладающим механизмом токопрохождения является туннелирование носителей заряда, стимулированное фононами.

3. Разработана эквивалентная схема ТПЭЛС постоянного тока и методика, позволяющая определять наилучшие эксплуатационные условия таких структур.

4. Созданы эквивалентная схема и математическая модель ТПЭЛС переменного тока, с использованием которых проведено комплексное исследование влияния физико-химического состава отдельных слоев на рабочие характеристики устройства.

5. Разработан ряд рекомендаций по использованию ТПЭЛС переменного тока вида Al203-Y203-ZnS:Mn-Y203-Al203 при создании промышленных источников излучения.

Научные исследования, положенные в основу диссертации, выполнены на кафедре материалов и компонентов твердотельной электроники Ставропольского государственного технического университета в соответствии с планом работ вузов страны по фундаментальным проблемам микроэлектроники, в рамках 3 хоздоговорных и госбюджетных НИР, по которым автор был исполнителем, а также по личной инициативе.

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международной конференции World Ceramics Congress & Forum on New Materials (Флоренция, Италия 1998), Третьей региональной конференции по микроэлектронике (Нижний Новгород, 1996), XXXIII международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс»

(Новосибирск, 1995), Межвузовской научной конференции «Лейбниц - мыслитель, философ, человек» (Ставрополь, 1996), Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации» (Кисловодск, 1996), XXV научно-технической конференции по результатам научно-исследовательской работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов за 1994 г. (Ставрополь, 1995), Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, микроэлектроника, системы связи и управления» (Таганрог, 1997), Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика - 97» (Москва, 1997), Всероссийском симпозиуме «Математическое моделирование и компьютерные технологии» (Кисловодск, 1997).

Автором опубликовано 14 печатных работ, из них 10 по теме диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложений. Она содержит 132 страницы машинописного текста, 50 рисунков, 9 таблиц, библиографию из 116 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Качалов, Олег Викторович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе были получены следующие результаты:

1. Исследованы физико-химические процессы формирования гетероперехода в ЭЛИ постоянного тока вида 2п8:Мп-Сих8 и исследован механизм тос 7 копрохождения в электрических полях с напряженностью 10 -НО В/см. На основе анализа температурных и вольт-амперных характеристик показано, что преобладающим механизмом преодоления электронами потенциального барьера является туннелирование, стимулированное фононами.

2. Проведены комплексные исследования физико-химических и электрофизических процессов, протекающих при нанесении и работе диэлектрических и люминесцентных слоев. На основе полученных результатов даны рекомендации по созданию и эксплуатации ЭЛИ, характеризующихся высокой надежностью, низким рабочим напряжением, уровнем яркости электролюминесценции, достаточным для создания средств отображения информации.

3. Разработаны эквивалентные схемы ТПЭЛС постоянного и переменного тока, отражающие процессы, происходящие в реальных ЭЛ-устройствах. Эквивалентная схема ТПЭЛС переменного тока разработана с учетом асимметрии диэлектрических слоев.

4. Созданы математические модели ЭЛИ, позволяющие проводить комплексное исследование влияния физико-химического состава отдельных слоев и условий возбуждения электролюминесценции на рабочие параметры структур.

5. Экспериментально исследованы В АХ и ВЯХ ТПЭЛС постоянного и переменного тока при разных параметрах возбуждающего напряжения и показано их хорошее совпадение с расчетами, проведенными с помощью разработанных математических моделей.

6. Изучены спектральные характеристики ЭЛИ переменного тока разного состава и в различных режимах возбуждения, разработан ряд рекомендаций по использованию таких устройств при создании промышленных источников излучения.

Автор выражает признательность и глубокую благодарность научному руководителю работы доктору технических наук, Николаю Ивановичу Карги-ну, сотрудникам кафедры материалов и компонентов твердотельной электроники Ставропольского государственного технического университета во главе с академиком СКО АТН, доктором химических наук Борисом Михайловичем Синельниковым за помощь и постоянную поддержку при проведении исследований и обсуждении полученных результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Качалов, Олег Викторович, 1998 год

ЛИТЕРАТУРА

1 .Верещагин И.К. Об электролюминесцентных свойствах отдельных частиц поликристаллических образцов. - «Оптика и спектроскопия», 1966, т. 20, №6, с. 1066-1074.

2.Kilburn Т., Hoffman G.R., Hayes R.F. An accurate electroluminescent graphical output unit for a digital computer. - «Ргос. 1ЕЕ», 1978, v. 105B, №20, p.136.

3.Iando S. A solid-state display device. - «Ргос. IRE», 1962, v.50, №12, p.2469.

4.Xu Xurong, Wang Yanze, Zhao Guozhang, Xiong Guangnan, Li Changhua, Jin Dongming. On the mutual interaction of Mn and Er centers in the electroluminescence of ZnS-Mn, Er thin films. //J of Lumin., 24/25, 1981, p.905-908.

5.Fisher A. G. Electroluminescent lines in ZnS powder particles. II. Models and comparison with experience. - J. Electrochem. Soc., 1963, v.l 10, №7, p.733-748.

6.Риз. А. Химия кристаллов с дефектами. Пер. с англ. М., ИЛ, 1956.

7.Прикладная электролюминесценция. Под. ред. М.В. Фока. М. - 1974.

8.Wil liams F. Е. Nature of luminescent centers in alkali halides and zinc sulfide phosphors. — «J. Opt. Soc. Am.», 1957, v. 47, № 10, p. 869—876.

9.Центры люминесценции и факторы, влияющие на процессы получения кристаллофосфоров. — «Известия АН СССР. Сер. физ.», 1951, т. 15, № 6, с. 730—736. Авт.: М. А. Горбачев а, М. А. Константинова-Шлезингер, Е. Г. Тере-мецкая, З.А. Трапезникова.

Ю.Черепнев А. А. Дисперсное состояние активатора в люминофорах.— «Известия АН СССР. Сер. физ.», 1951, т. 15, № 6, с. 742—747.

11.Риль Н., Ортман Г. Химизм образования центров свечения в цин-ксульфидных люминофорах. — «ЖОХ», 1955, т. 25, № 7, с. 1289—4303.

12.Electronics, 1982, 31, N17, 78.

13.Electronics, 1984, 57, N 6, 113.

14.Electronics, 1979, 24, N 12, 1081 .

15.Electron Ceram 1981, 12.N 64, 57

16.IEEF Trans 1981,N6, 9

17.3аявка Великобритании, N 21195566, 1983

18.Catell A.F., Inkson J.C., Kirton J. Electroluminescense in copper-free ZnS:Mn thin films. "J. Appl. Phys.", 1987, 61, N 2, 722-733.

19.Хениш Г. Электролюминесценция. Пер. с англ., М., «Мир», 1964.

20.Hasegawa Н. Forming and luminescence in DC-electroluminescense devices of ZnS:Cu, Mn films. "Oyo buturi", 1990, 59,N 5, 653-660.

21.Георгобиани A.H. Влияние типа связи кристаллофосфоров на их способность к электролюминесценции, Опт. и спектр., 1962, т. 12, вып. 6, с. 746749.

22.Inoguchi Т. Retrospect and prospect on research and development of electroluminescent panels, Springer Proc. in Phys. v.38. Electroluminescence. Springer Verlag, Berlin, 1989, p.2-7.

23.Uchiike H. Review, of flat panel displays: electroluminescent displays, liquid crystal displays, plazma displays, etc. — In: Springer Proc. in Phys., 1989, v. 38, Electroluminescence, p. 238-245. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg 1989.

24.Mailer G. 0. Basics ofelectron-impact-excited lHminescence devices, Phys. Stat. Sol., (a), 1984, v. 81, No 2, p. 597-608.

25.Alien J. W. Physical processes in high-field electrolilininescence, J. Lumin., 1984, v. 31/32, p. 665-670.

26.Muller G. 0., Mach R. Physics of electroinminescence devices, J. Ln-min„ 1988, v. 40/41, p. 92-96.

27.Электролюминесцентные источники света. //Под. ред. И.К. Верещагина. -М., Энергоиздат, 1990.

28.Vecht A. A review of electroinminesceilt thin-film fabrication techniques, SID. Digest techn. pap., 1989, v. 20, p. 314.

29.Sana Y., Nunomura K., Koyama N., Utiumi, Sakuma H. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substrate, Internat. Display Research Conf. San Diego 1985, p. 173-176, IEEE Trans. Electron. Dev., 1986, v. 33, No 3, p. 1155-1158

30.Minami T., Onto S., Nanto H., Takata S. A thin-film electrolumines cent device using a conventional dielectrical ceramics sheet, Proceed, of the SID, 1988, v. 29, p. 83-86

31.Minami T., Komano M., Nanto H., Takata S. New DC electroluminescent devices using ZnS:Mn phosphor ceramics, Proceed, of SID, 1988, v. 29, No I, p. 7175

32.R. Parrot, C. Naud, D. Curie. External electric field effects on the zero-phonon lines of the E states of Mn inZnS.

33.Tanaka Sh. Color electroinminescence in alkaline-earth snifide thin-films, J. Lumin., 1988, v. 40-41, p. 20-23

34.0hnifhi H., Okuda T. Blue-green color TFEL device with sputtered SrS:Ce thin films, Proceed, of the SID, 1990, v. 31, No I, p. 31-36

35.Yoshioka T., Sano Y., Nunomura K., Tani 0. Characteristic of red electroluminescent devices asing CaSi-iSe,: En layers, Proceed, of the SID, 1990, v. 31, No I, p. 19-23

36.Tanaka Sh., Ohshio Sh., Niahiura J., Kawakami H., Yothiyama H. Kobay-ashi films, Appl. Phys. Lett., 1988, v. 52, No 25, p. 2101-2104.

37.Tanaka S., Yoshiyama H., Nishiura J., Ohfhio Sh., Kawakami H., Naka-mura K., Kobayafhi H. Excitation mechanism in white-light emitting SrS:Pr, K and SrS:Ce, Eu thin-film electroluminescent devices, Springer Proceed, in Phys., v. 38. Electroinminescence. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, 1989, p. 56-59

38.0komoto Sh., Nakazawa E., Tsuchiya Y. White-emitting thin-film electroluminescence devices with SrS phosphor doubly activated with rare-earth ions, Jap. J. Appl. Phys., 1990, v. 29, No 10, p. 1987-1990.

39.0no Y. A., Fuyama M., Onisawa K., Taguchi K., Kawakami H. White light emitting thin-film electroluminescent cell with stacked SrS:Ce/ CaS:Eu active layers, J. Lumin., 1988, v. 40/41, p. 796-797.

40.0no Y. A., Fuyama M., Onisawa K., Tamura K., Ando M. White light emitting thin-film electroluminescent devices with stacked SrS:Ce/ CaS:Eu active layers, J. Appl. Phys., 1989, v. 66, No II, p. 5564-5571

41.Aoxara M., Kato K., Nakayama T., Ando K. CaS:En, F thin-film elec-trolnminescent devices prepared by RF sputtering with hydrogen-argon mixture gas, Jap. J. Appl. Phys., 1990, v. 29, No 10, p. 1997-2002.

42.Tammura Y., Ohwaki J., Kozawaguchi H., Tsujiyama B. Bright blue electroluminescence in SrSiCeCIa thin films, Jap. J. Appl. Phys., 1986, Pt. 2, v. 25, No 2, p. 1105-1107

43.Ohwaki J., Yamauchi N., Kozawaguchi H., Tsujima B. The role of stacked insulated layers on thin-film electroluminescent devices, Jap. J. Appl. Phys,, v. 26, No 7, p. 1064-1068.

44.Tiku Sh. K., Rustomji S. H. Dielectrics for bright EL displays, Proceed, of the SID, 1989, v. 30, No 2, p. 157-162.

45.R. Stevence., C.B. Thomas, W.M. Cranton. Enchancing the brightness of Thin fim electroluminescent displays by improving the emission process. //IEEE El. Dev. Lett. V.15№3, 1994. p.97.

46.Kobayashi H., Tanaka Sh., Sasakura H., Hamakawa Y. The electron injection mechanism of the electroinminescent ZnS:Tb films, Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 72, No 12, p. 1854-1861.

47.Muller G. Basics ofelectron-impact-excited luminescence devices, Phys. Stat. Sol., (a), 1984, v. 81, No 2, p. 597-608.

48.Barrow W. A., Coovert R. E„ King C. N. Strontium sulphide: the host for a new high-effidence thin-film EL bine phosphor, SID Digest techn. papers 1984, No 15, p. 249-250.

49.Б.М. Синельников. Теоретические основы синтеза и эксплуатации неорганических электролюминофоров. Дисс. доктора химических наук, Ставрополь, 1985.

50.Бараненков И.В., Петров В.Н. Электролюминесцентные индикаторные устройства с памятью. //Зарубежная радиоэлектроника. - 1985. - №9. - С.61-69.

51.Турин Н.Т.. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями. //Лазерная техника и оптоэлектроника. - М. -1992- С. 74-77.

52.Smith D.H. Modeling AC thin-film electroluminescent devices. //Journal of luminescence. - 1981. - №23. - p.209-235.

53.Васильченко В.П. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS. //Журнал прикладной спектроскопии. - 1996. - Т.63. №3. -с.461-465.

54.Goldenblum A., Oprea A, Bogatu V. Time behavior of currents in ZnS:Mn metal-insulator-semicondactor-insulator-metal structures. //J. Appl. Phys. - 1994. -75(10).-p.5177-5184.

5 5.Самохвал OB M.K. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур. //ЖТФ. - 1996. - Т.66,№10. -с.139-144.

56.Neyts К.A., Corlatan D., De Visschere p., Van den Bossche J. Observation and simulation of space-charge effects and hysteresis in ZnS:Mn ac thin-film electroluminescent devices. //J.Appl. Phys. - 1994. - 75(10). - p.5339-5346.

57.Howard W.E. - J. Lumin., 1981, V.23, №1/2.

5 8.Ho ward W.E., Sahni O., Alt P.M. - J. Appl. Phys. - 1982. - V.53, №1.

59.Самохвалов М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. - Ульяновск: Из-во УлГТУ, 1997. - С. 54.

60.Но ward W.E. The importance of insulater properties in A thin film electroluminescent device // JEEE Trans. Electron. Devices. - 1977. - Vol. 24, № 7. -P. 903-908.

61.Y.Tsuchiya, S. Miyamoto, S. Okamoto, T. Kuki, T. Suzuki. Research on electroluminescent materials and its application to flat panel displays. //NHK lab. notes, № 4056 1992.

62.Yang K. W., Owen S. J. Mechanism of the negative-resistance characteristics in AC thin-film electroluminescent devices, IEEE Trans. Electr. Devices, 1983, v. 30, No 5, p. 452-468.

63.Данилов В.П. Синтез диэлектрических таблетированных мишеней для ТПЭЛУ переменного тока // Всесоюзная конф. по электролюминесценции: Тез. докл. - Ангарск, 1991. - С. 68.

64.Сухарев Ю.Г., Акулюшин И.Л., Миронов B.C. и др. Электрофизические свойства пленок систем Zn02-Y203, Hf02-Nd03, Hf02-Y203 // Неорганические материалы. - 1994. - Т. 30, № 4. - С. 556-558.

65.Парфенов Н.М., Кокин С.М., Липовецкий А.В. и др. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур // Изв. вузов. Физика. - 1986. - № 4. - С. 119-120.

66.Venghaus Н. Microstructure and light emission of AC-film electroluminescent device // J. Appl. Phys. - 1982. - Vol. 53, № 6. - P. 4146-4751.

67.Каргин Н.И., Синельников Б.М., Данилов В.П. Влияние оксидных диэлектриков на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур // Всероссийская конф. "Физико-химические проблемы создания керамики специального и общего назначения на основе синтетических и природных материалов: Тез. докл. - Сыктывкар, 1997. - С. 25.

68.Abe A., Fujita Y., Tohda T. Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel display // Nat. Techn. Report. - 1984. - Vol. 30, N 1. - P. 186-192.

69.Kozawaguchi H., Tsujiyama В., Murasi K. Thin-film electroluminescent device employing TaO HF Sputterad Insulating film // Jap. J. Appl. Phys. - 1982. -Vol. 21, №7.-P. 1028-1031.

70.Каргин Н.И., Немешаев А.Ю., Бакланов И.С. Получение тонких и металлических и диэлектрических пленок методами термовакуумного резис-тивного напыления и высокочастотного магнетронного распыления // Межвузовская научная конф. "Лейбниц-мыслитель, философ, человек" : Тез. докл. -Ставрополь, 1996. - С. 47-48.

71.Айдла А.К., Таммак A.A. О новом методе изготовления тонкопленочных электролюминесцентных структур // Уч. зап. Тартусского университета. - Тарту, 1983. - Вып. 655. - С. 120-129.

72.Пат. 57-41199 МКИ Н05В 33/18 Япония. Тонкопленочный светоиз-лучающий элемент/ Сяно К.К. - Опубл. 01.09.82.

73.Синельников Б.М., Конинская О.П., Постолов C.B., Качалов О.В., Михнев Л.В. Кинетика сушки пленок фоторезистов ФП-27-18БС.: Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». - Кисловодск, 1996.-6с.

74.Франкомб М.Х., Джонсон ДЖ.Е. Физика тонких пленок. - 1972. -Т. 5. -С. 161-186.

75.Коломыцев В.Н., Синельников Б.М., Каргин Н.И. Преимущества и недостатки систем осаждения тонких пленок // Всероссийская научно-тех-н. конф. - Кисловодск, 1996. - С. 12.

76.1307884 СССР. Способ ионно-плазменного нанесения пленок в вакууме/ Коломыцев В.Н.

77.1449999 СССР. Переменный резистор/ Коломыцев В.Н.

78.Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные систе-мы. - М.: Радио и связь, 1982. - С. 72.

79.М. Nakada, Т. Tohma, Inorganic and organic electroluminescence, W&T verlag, Berlin, 1996, p.385

80.Sh. Tanaka, H.Yoshiyama, J. Nishiura, S. Ohshio, H.Kawakami, H.Kobayashi, SID 88 Digest of Technical Papers, Anaheim (1988), p.296.

81.V. Barrow, R. Coovert, E. Dickey, C. King, C. Laakso, S. Sun, R. Tuenge, W. Wentross, J. Kane, SID 1993 Digest, 1993, p.761.

82.B.M. Sinelnikov, N.I. Kargin, V.V. Gavrilov, O.V. Kachalov. Processes of defect formation during synthesis of ZnS tablet targets, activated by rare earth halides.: Abstracts of World Ceramics Congress & Forum on New Materials. -Florence, Italy, 1998.

83.А.Ю. Игнатов, С.Ю. Скибин, O.B. Качалов. Разработка системы автоматического регулирования и контроля работы монохроматора МДР-23У.: Тезисы докладов XXV научно-технической конференции по результатам научно-исследовательской работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов за 1994 г. Том II. - Ставрополь, 1995. - 10с.

84.Синельников Б.М., Кривошеева Л.Н., Скибин С.Ю., Качалов О.В., Михнев Л.В. Исследование спектральных характеристик ЭЛПП на основе тройной системы халькогенидов цинка, активированных марганцем. //Сборник научных трудов Ставропольского государственного технического университета. Серия «Физико-химическая». - 1998. -Вып.1. - с. 41-43.

85.Каргин Н.И., Немешаев А.Ю., Качалов О.В., Михнев Л.В. Измеритель малых токов на базе IBM-совместимой ЭВМ.: Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». - Кисловодск, 1996. - 109с.

86.Немешаев А.Ю., Качалов О.В. Автоматизированный комплекс для измерения малых сигналов в области физики твердого тела. //Тезисы докладов Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов

«Радиоэлектроника, микроэлектроника, системы связи и управления», - Таганрог, 1997,-с.219.

87.Синельников Б.М., Каргин Н.И., Качалов О.В., Володихина И.И., За-харьящева В.В., Михнев JI.B. Статистическая обработка экспериментальных данных, полученных методом мгновенного фиксирования Э.Д.С. в соединениях

AB на ЭВМ.: Тезисы докладов Второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информатика - 97» -М., 1997.-4с.

88.Синельников Б.М., Каргин Н.И., Качалов О.В., Володихина И.И., За-харьящева В.В., Михнев JI.B. Программная реализация статистической обработки данных, полученных методом мгновенного фиксирования э.д.с. в соединениях А В . //Сборник научных трудов «Математическое моделирование и вычислительный эксперимент в естественных, гуманитарных и технических науках, Том 2, - Кисловодск, 1997, - с.32.

89.Синельников Б.М., Захарьящева В.В., Качалов О.В., Волдихина И.И., Михнев JI.B. Методика измерения термодинамических характеристик соединений типа AnBVI.: Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». - Кисловодск, 1996. -108с.

90.Hasegawa Н., Nakagawa S. DC- electroluminescence in ZnS:Cu, Mn preparated by a successive vacuum deposition method. "Proc. SID", 1987, 28, N 1, 27-30.

91.Власенко H.A. Фото- и электролюминесценция пленок, труды по электролюминесценции. Тарту, 1973, 3, 3-68.

92.М. Wager, and S. Kobayashi. "Electrical characterization of atomic layer epitaxy J. Appl. Pins., vol. 74. pp. 5575-5581. 1993.

93 .Алферов Ж.И. Электролюминесценция гетеропереходов в полупроводниках. Тарту, изд. ТГУ, 1968, с. 142- 175.

94.Н.Горбань, А.П.Дорбун, М.Фок. Механизм электролюминесценции пленочных структур Сих8-2п8:Си, Мп, С1-А1, работающих на постоянном токе. Труды по электролюминесценции. XVI, Тарту, 1988, с. 37.

95.Каргин Н.И., Качалов О.В. Математическое моделирование электрофизических процессов, протекающих в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на постоянном токе. //Материалы третьей региональной конференции по микроэлектронике, - Нижний Новгород, 1996, - с.70-77.

96.Каргин Н.И., Качалов О.В. Математическое моделирование электрофизических процессов, протекающих в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на постоянном токе.: Тезисы докладов Межвузовской научной конференции «Лейбниц - мыслитель, философ, человек». - Ставрополь, 1996. -41с.

97.Каргин Н.И., Качалов О.В. Математическое моделирование электрофизических процессов, протекающих в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе 2п8:Мп на постоянном токе.: Материалы XXXIII международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс». - Новосибирск, 1995. - с.37

98.Кокин С.М. Электродиффузионные процессы и другие явления, определяющие характеристики электролюминесцентных источников света: Автореф. докт. дис. - 1996. - С. 38.

99.Синельников Б.М. Теория образования барьера в электролюминофорах возбуждаемых электрическим полем (ЭЛЛП). 4.1. Экспериментальные проявления процессов "формовки" ЭЛПП. Модель барьера // Изв. вузов. Радиофизика. Материалы III региональной конференции по микроэлектронике. - Нижний Новгород, 1996.

100.Ю.А. Берлин. Вывод уравнения для описания кинетики реакции туннельного захвата локализованного в матрице электрона акцептором и построение его общего решения.//Докл. академии наук СССР, Т. 2336 №66 1975.

101.Каргин Н.И., Качалов O.B. Оптимизация вольт-амперной характеристики ТПЭЛС переменного тока и разработка методики определения для последней наилучших эксплуатационных условий.: Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Перспективные материалы и технологии для средств отображения информации». - Кисловодск, 1996. - 65с.

102.Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М:Высшая школа, 1971. - С. 336.

103.Ylilammi. Analytycal circuit model for thin film device. // Transaction of electron devices, Vol.2, No7, 1995

104.Curie O. Libres parcours des electrons dans les cristaux // J. Phys. Rad. -1952. - Vol. 13, № 6. - P. 317-325.

105.Bar V., Alexander E., Brada J., Steinberder I. The effect of electric fields on the luminescence and conductivity of ZnS singlecrystals // J. Phys. Chem. solids. -1964. - Vol. 25, № 12. - P. 1317-1328.

106.Lenz P., Riehl N. Tief temperatur versuche uber Ausleuctung von ZnS -Phosphorend durch electriche felder // Z. Angew. Phys. - 1972. - Vol. 32. - P. 366371.

107.Киверис А.Ю., Куджмаускас Ш.П., Пипинис П.А. Механизм ионизации центров захвата электрическим полем в кристаллофосфорах // Лит. физ. сб. - 1978. - Т. 18, № 4. - С. 531-539.

108.Pipinys P., Rimeik A. Current pulses in ZnS:Cu crystals stimulated by electric field at low temperatures // Phys. Stat. Sol.(a). - 1978. - Vol. 45, № 2. - P. K113-K116.

109.Далидчик Ф.И. Многофонные туннельные процессы в однородном электрическьом поле // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -1978. - Т. 74, вып. 2. - С. 472-482.

1 Ю.Киверис А.Ю., Пипинис П.А. Эффект Гуддена-Поля в кристаллах ZnSe // Лит. физ. сб. - 1979. - Т. 19, № 1.- С. 145-149.

111.Пипинис П.А., Киверис А.Ю., Римейка А.К. Электролюминесценция пленок фторида кадмия, активированных редкоземельными элементами // Лит. физ. сб. - 1986. - Т. 26. - С. 748-758.

112.Пипинис П.А., Пипинис A.B., Васильченко В.П., Матизен Л.Л. Влияние центров захвата на электролюминесценцию тонких пленок на основе ZnS:Mn // Лит. физ. сб. - 1988. - Т. 28, № 2. - С. 244-253

113.Куджмаускас Ш.П. Теория туннелирования электронов из глубоких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических полях с учетом многофононных процессов // Лит. физ. сб. - 1976. - Т. 16, № 4. - С. 459467.

114.Синельников Б.М. Электролюминофоры постоянного тока. -Ставрополь, 1996. - С. 225.

115.Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в люминсцен-ции полупроводников, - М.: «Мир», 1994. - с.218.

116.G.Schmieder, K.Kempf, K.Bohnert, G.Kobbe, V.Lyssenko, A.Kreissl, C.Klingshirn. Renormalization with increasing excitation of the dielectric function in II-VI semiconductors. //J. of Lumin., 24/25, 1981, p.613-616.