Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.18, кандидат технических наук Мишин, Александр Иванович

• Мишин, Александр Иванович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Мишин, Александр Иванович

ВВЕДЕНИЕ

Раздел 1 АНАЛИЗ СВОЙСТВ И ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

1.1 Тонкопленочные электролюминесцентные конденсаторы

1.2 Электрические процессы в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах

1.3 Светотехнические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов

1.4 Рассеяние энергии электрического поля в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и индикаторных устройствах

1.5 Выводы и постановка задач

Раздел 2 РАССЕЯНИЕ ЭНЕРГИИ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРАХ

2.1 Анализ рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах

2.2 Рассеяние энергии в пленке люминофора при возбуждении электролюминесценции знакопеременным импульсным напряжением

2.3 Рассеяние энергии при возбуждении электролюминесценции знакопеременным симметричным линейно изменяющимся напряжением

2.4 Рассеяние энергии при возбуждении электролюминесценции переменным гармоническим напряжением

2.5 Результаты и выводы

Раздел 3 МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК И ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР

3.1 Получение и свойства тонкопленочных электролюминесцентных структур

3.2 Измерение характеристик и расчет параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей

3.3 Исследование электрооптических свойств тонкопленочных электролюминесцентных структур

3.4 Экспериментальные исследования процессов рассеяния энергии в пленке люминофора тонкопленочных структур

3.5 Результаты и выводы

Раздел 4 ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРАХ

4.1 Анализ процессов теплопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах

4.2 Расчет элементов тепловой схемы тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов

4.3 Экспериментальные исследования процессов рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах

4.4 Анализ процессов рассеяния тепла при импульсном возбуждении тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов

4.5 Результаты и выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах»

Актуальность проблемы. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства в настоящее время являются одними из наиболее перспективных для создания микроэлектронных средств отображения информации, особенно для специальной техники. К их достоинствам относятся: полностью твердотельная конструкция, высокая яркость, надежность, температурная стабильность, быстродействие, большой угол обзора, радиационная стойкость и др. К настоящему времени достигнуты значительные успехи в разработке и производстве индикаторов на основе тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов: определены физические основы работы этих приборов, материалы с требуемыми свойствами, разработаны конструкции и технологии получения элементов и устройств, методы контроля параметров материалов и источников излучения. Вместе с тем остаются недостаточно исследованными процессы преобразования и рассеяния энергии электрического поля в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах, необходимые для разработки и проектирования индикаторных устройств на их основе. Вследствие сложности и многообразия явлений в многослойных излучающих системах необходимы исследования математических моделей этих взаимосвязанных процессов и экспериментальные исследования рассеяния энергии в конденсаторных структурах.

Цель и задачи исследований. Целью данной диссертационной работы является математическое моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных элементах и устройствах для различных режимов работы и конструкций приборов.

Для достижения этой цели в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи.

1. Теоретический анализ и моделирование процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах при возбуждении знакопеременным импульсным, симметричным пилообразным и гармоническим напряжением.

2. Моделирование процессов рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах с использованием тепловых схем замещения.

3. Экспериментальные исследования процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах.

4. Экспериментальные исследования процессов рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах.

Основные положения, выносимые на защиту. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволили вынести на защиту следующие основные положения.

1. Математическая модель рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах на основе представлений о квазиизолированной поверхности люминофора и самоэкранирования люминесцентного слоя и полученные аналитические соотношения позволяют определить потребляемую мощность индикаторных элементов и устройств для различных режимов возбуждения.

2. Общие закономерности и особенности экспериментальных зависимостей средней рассеиваемой мощности в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах от конструктивно-технологических факторов и условий измерений, обнаруженные с помощью измерений вольт-зарядовых характеристик.

3. Экспериментальные исследования рассеяния тепла и математическое моделирование с использованием тепловых схем позволили определить тепловое сопротивление и оценить разогрев тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов для различных режимов возбуждения.

4. Показано, что для моделирования неравновесных процессов рассеяния тепла при импульсном возбуждении электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и оценки разогрева пленки люминофора и толщины нагретого слоя применима одномерная модель полупространства, на поверхности которого расположен импульсный источник тепла.

Научная новизна. Впервые детально исследованы процессы рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных конденсаторах при различных условиях возбуждения. При этом получены следующие новые научные результаты.

1. Впервые на основе моделей квазиизолированной поверхности и квазистационарного самоэкранирования люминофора разработан математический аппарат исследования процессов рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах при различных условиях возбуждения электролюминесценции.

2. На основе результатов математического моделирования установлены зависимости характеристик электрических процессов в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах от состава и свойств многослойных структур.

3. Впервые проведены экспериментальные исследования рассеяния мощности электрического поля в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах при различных условиях возбуждения с учетом влияния конструктивного оформления структур.

4. Впервые теоретически и экспериментально детально исследованы процессы рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и созданы тепловые схемы многослойных светоизлучающих структур.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработанные математические модели рассеяния энергии и тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах могут быть использованы для разработки конструкций и режимов работы приборов в лабораториях и конструкторских бюро, занимающихся проектированием и исследованием электролюминесцентных источников излучения.

2. Полученные аналитические соотношения применимы для разработки методик производственного контроля и расчета значений функциональных параметров, характеризующих свойства тонкопленочных электролюминесцентных элементов и индикаторных приборов;

3. Определенные по данным теоретических и экспериментальных исследований и по результатам математического моделирования рекомендации по выбору способов и режимов управления электролюминесцентными излучателями способствуют обеспечению требуемых значений параметров индикаторных устройств.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций обеспечивается адекватностью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, близостью расчетных данных с результатами экспериментальных исследований.

Личный вклад« В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены соискателем лично под научным руководством профессора Самохвалова М.К. Автор разрабатывал методики исследований, проводил теоретические расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Апробаиия работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на 4-й Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2004 г.), 10-й Военной научно-технической конференции "Актуальные вопросы совершенствования техники и систем военной связи на основе современных телекоммуникационных информационных технологий" (Ульяновск, 2004 г.), школах-семинарах «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» (Ульяновск, 2004, 2005, 2006 гг.), Международных научно-технических конференциях «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 2004, 2006 гг.), Международных конференциях «Опта -, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004, 2005, 2006 гг.), Межвузовской научно-практической конференции "Актуальные вопросы развития техники связи и автоматизации на базе современных технологий" (Ульяновск, 2004 г.), Всероссийском научно-практическом семинаре "Сети и системы связи", (Рязань, 2005 г.), Всероссийской научно-технической конференции "Повышение эффективности средств обработки информации на базе математического моделирования", (Тамбов, 2006 г.), а также на ежегодных научно-технических конференциях УлГТУ в 2005-2007 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, из них 2 статьи в журнале, входящем в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка используемых источников. Она изложена на 106 листах, содержит 15 рисунков и 1 таблицу. Библиографический список содержит 76 наименований.

Заключение диссертации по теме «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ», Мишин, Александр Иванович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования по математическому моделированию рассеяния энергии в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах позволили сформулировать следующие основные результаты и выводы:

1. Проведено математическое моделирование процессов рассеяния энергии в пленке люминофора тонкопленочных структур на основе представлений о квазиизолированной поверхности люминофора и самоэкранирования люминесцентного слоя при возбуждении электролюминесценции знакопеременным напряжением.

2. В результате анализа динамики рассеяния энергии с учетом поляризационных явлений получены аналитические выражения для мощности электрического тока и энергии, рассеиваемой в пленке люминофора в течение импульса напряжения и за период при возбуждении знакопеременными импульсами. Определена зависимость величины выделяемой энергии и средней рассеиваемой мощности электрического тока от конструктивных параметров излучателей, параметров границ раздела люминофор-диэлектрик и условий возбуждения.

3. Исследованы основные закономерности процессов рассеяния энергии в тонкопленочных структурах при возбуждении электролюминесценции переменным симметричным пилообразным и гармоническим напряжением. Установлена зависимость рассеиваемой в люминофоре мощности от формы возбуждающего напряжения и конструкции излучателя. Показано, что для квазистационарного режима экранирования в пленке люминофора величина выделяемой энергии и средней рассеиваемой мощности электрического тока не зависит от формы напряжения, а определяется его амплитудой, частотой, свойствами материалов и конструкцией электролюминесцентного конденсатора.

4. Проведены экспериментальные исследования процессов рассеяния энергии в пленке люминофора электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении переменным напряжением. Экспериментальные результаты соответствовали данным теоретического анализа математической модели рассеяния энергии в пленках люминофоров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов в квазистационарном режиме самоэкранирования.

5. Экспериментально обнаружено, что величина рассеиваемой мощности линейно зависит от амплитуды и частоты для возбуждения гармоническим и симметричным пилообразным напряжением и достигает значений 40-50 мВт/мм2. Установлены значения пороговой напряженности электрического поля в люминофоре (7 + 8) • 105 В/см.

6. Обнаружены общие закономерности и различия процессов рассеяния энергии в пленках люминофора для электролюминесцентных конденсаторов различных конструкций.

7. Проведено моделирование процессов рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах и предложена тепловая схема МДЛДМ-структуры на стеклянной подложке, элементы которой отражают составляющие теплового сопротивления конденсаторов при постоянном уровне возбуждения.

8. Экспериментально исследованы процессы рассеяния тепла в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах. Показано, что выделяемая в пленке люминофора тепловая энергия рассеивается в основном через стеклянную подложку и разогрев тонкопленочной структуры не превышает 10-5-15 К. Установлено, что величина теплового сопротивления электролюминесцентного конденсатора составляет 300+350 К/В и тепловая постоянная 150+200 с.

9. Проведено моделирование неравновесных процессов рассеяния тепла при импульсном возбуждении электролюминесценции в тонкопленочных структурах. Проведена оценка разогрева пленки люминофора и толщины нагретого слоя в рамках одномерной модели полупространства, на поверхности которого расположен импульсный источник тепла. Показано, что при кратковременном возбуждении разогрева пленки люминофора и подложки практически не происходит, при длительности возбуждения 1 мс толщина нагретого слоя составляет около 50 мкм и температура люминесцентной пленки не превышает 1 К.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Мишин, Александр Иванович, 2007 год

1. Хениш, Г. Электролюминесценция / Г. Хениш; перевод с англ. под редакцией B.C. Вавилова. М.: Мир, 1964. - 455 с.

2. Верещагин, И.К. Электролюминесценция кристаллов / И.К. Верещагин М.: Наука, 1974. - 280 с.

3. Георгобиани, А.Н., Туннельные явления в люминесценции полупроводников / А.Н. Георбиани, П. А. Пипинис М.: Мир, 1994. - 224 с.

4. Казанкин, О. И., Прикладная электролюминесценция / О.И. Казанкин, И.Я. Лямичев, Ф.В. Соркин; под общ. ред. М.В. Фока. М.: Советское Радио, 1974.-414 с.

5. Деркач, В.П., Электролюминесцентные устройства / В.П. Деркач , В.М. Корсунский Киев: Наукова думка, 1968. - 302 с.

6. Самохвалов, М.К. Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов / М.К. Самохвалов Ульяновск: УлГТУ, 1997.-56 с.

7. Самохвалов, М.К. Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения / М.К. Самохвалов Ульяновск: УлГТУ, 1999. -117 с.

8. Верещагин, И.К. Электролюминесцентные источники света / И.К. Верещагин, Б. А. Ковалев, Л. А. Косяченко, С.М. Кокин М.: Энергоатомидат, 1990. -168 с.

9. Власенко, Н.А. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели / Н.А. Власенко // Физические основы полупроводниковой электроники. Киев: Наукова думка, 1985. - С. 254 - 268.

10. Мозжухин, Д.Д. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства / Д.Д. Мозжухин, И.В. Бараненков // Зарубежная радиоэлектроника. -1985. №7. - С. 81 - 94.

11. Herman, M.A. High-field thin-film electroluminescent displays / M. Herman // Electron. Technol. -1986. v.19. - №1-2. - P. 23 - 58.

12. Рахлин, М.Я. Тонкопленочные электролюминесцентные зеленые излучатели с керамическим диэлектриком / М.Я. Рахлин, В.Е. Родионов, В.П. Бойко // Письма в ЖТФ. 1989. - т. 15. - №17. - С. 67 - 71.

13. Бараненков, И.В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкоплёночных электролюминесцентных устройств / И.В. Бараненков // Зарубежная радиоэлектроника. -1988. С. 60 - 67.

14. Парфенов, Н.М. Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур / Н.М. Парфенов, С.М. Кокин, Б.Г. Беккер и др. // Известия ВУЗов. Физика. -1986. т. 29. - №4. С. 119 -120.

15. Howard, W.E. The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent device / W.E. Howard //JEEE Trans. 1977. - v. ED-24. - №7. - P. 903-908.

16. Бригадное, И.Ю. Получение и свойства диэлектрических и люминесцентных пленок электролюминесцентных композиций на основе сульфида цинка / И.Ю Бригаднов, М.К. Самохвалов // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. -1998. №3. - С. 64 - 68.

17. Kobayashi, Н. Multicolor electroluminescent ZnS thin films doped with rare earth fluorides / H. Kobayashi, S. Tanaka, V. Shanker et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1985. - v.88. - №2. - P.713 - 720.

18. Suyama, T. Multi-coloring of thin-film electroluminescent device/ T. Suyama, N. Sawada, K. Okamoto, Y. Hamakawa // Jap. J. Appl. Phys. 1982. -v.21. - Suppl. 21-1. - P. 383-387.

19. Muller, G.O. Basics of electron impact-excited luminescence devices / G.O. Muller // Phys. Stat. Sol. (a). -1984. -v.81.-P. 597 608.

20. Chen, Y.S. Limitation imposed by field clamping on the efficiency of high-field ac electroluminescence in thin films / Y.S. Chen, D.C. Krupka // J. Appl. Phys. 1972. - v.43. - №10. - P. 4089 - 4096.

21. Smith, D.H. Modeling a.c. thin-film electroluminescent devices/ D.H. Smith // J. Luminescence. -1981. v.23.-№1.- P. 209 - 235.

22. Самохвалов, M.K. Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1994. т.20. - №6. - С. 67 - 71.

23. Самохвалов, М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1997. т. 23. - №6. - С. 1 - 4.

24. Сухарев, Ю.Г. Кинетика электрического поля, волны тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах / Ю.Г. Сухарев, А.В. Андриянов, М.С. // Журнал технической физики. -1994. т.64. - №8. - С. 48 - 54.

25. Ковтонюк, Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик / Н.Ф. Ковтонюк М.: Энергия, 1976. -184 с.

26. Васильченко, В.П. Об эквивалентной схеме электролюминесцентного конденсатора / В.П. Васильченко, Л.Я. Уйбо // Оптика и спектроскопия. 1985. - т.18. - №2. - С.341 - 343.

27. Runyan, W.G. ACTFEL modeling for the electronic drive system designer / W.G. Runyan, G.L. Wick // SPJE Advances in Display Technology, VI. -1986. v. 624. - P. 66 - 72.

28. Самохвалов, M.K. Эквивалентная электрическая схема тонкопленочных электролюминесцентных излучателей / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1993. т.19. -№9. - С.14 -18.

29. Самохвалов, М.К. Электрическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей / М.К. Самохвалов // Микроэлектроника. -1994. т.23. - №1. - С. 70 - 75.

30. Tornqvist, R. Properties and performance of TFEL structures / R. Tornqvist I I J.Cryst. Growth. -1985. v.7. - №1 - 2. - P.538 - 544.

31. Ono, Y.A. Transferred charge in the active layer and EL device characteristics of TFEL cells / Y.A. Ono, H. Kawakami, M. Fuyama, K. Onisava // Jap. J. Appl. Phys. -1987. v.26. - №9. - P. 1482 - 1492.

32. Kuwata, I. Power consumption of thin-film electroluminescent matrix jdisplay /1. Kuwata, E. Ozaki, Y. Fujita at al. // Electroluminescence. Proc. 4 Int. Workshop, Tottori, 1988 Berlin etc. -1989. P.254 - 258.

33. Yang, K.W. Studies of temperature effects in AC thin-film EL devices / K.W. Yang, I.T. Owen, D.H. Smith // IEEE Trans. Electron. Dev. v.28. - №6. - P.703 - 708.

34. Васильченко, В.П. Метод контроля качества тонкопленочных электролюминесцентных экранов / В.П. Васильченко, В.Е. Родионов, Ю.С. Тимошенко // Техника средств связи, серия Радиоизмерительная техника. -1988. -вып. 4.-С. 65-70.

35. Апостолов, А.И. Анализ типов отказов тонкопленочных электролюминесцентных экранов / А.И. Апостолов, В.В. Новиков, В.Е. Родионов, Ю.С. Тимошенко // Техника средств связи, серия Радиоизмерительная техника. 1988. - вып. 4. - С. 31 - 36.

36. Bardeen, J. Sur face states and rectification at a metal-semiconductor contact / J. Bardeen // Phys. Rev. -1947. v.71. - №10. - P. 717 - 727.

37. Волькенштейн, Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Волькенштейн Ф.Ф. М: Наука, 1987. -432 с.

38. Гуро, Г.М. Механизм поляризационной электролюминесценции / Г.М. Гуро, Н.Ф. Ковтонюк // Физика и техника полупроводников. 1968. -т.2.-№3.-С. 300 - 305.

39. Гохфельд, Ю.И. Зависимость поляризационной электролюминесценции от поля / Ю.И. Гохфельд, Г.М. Гуро, Н.Ф. Ковтонюк // Физика и техника полупроводников. -1968. т.2. - №12. - С. 1752 - 1757.

40. Самохвалов, М.К. Анализ рассеяния электрической мощности в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах / М.К. Самохвалов,

41. А.И. Мишин // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды 6-й Междунар. конф. / Ульяновск, гос. тех. ун-т. Ульяновск, 2004. -С.65.

42. Мишин, А.И. Анализ рассеяния мощности в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах / А.И. Мишин // Актуальные проблемы физической и функциональной электроники: мат. школы -семинара / Ульяновск, гос. тех. ун-т. Ульяновск, 2004. - С. 9.

43. Самохвалов, М.К. Перенос заряда в тонкопленочных электролюминесцентных структурах / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1995. т.21. - №15. - С. 78 - 82.

44. Самохвалов, М.К. Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1997. т.23. - №6. - С. 1 - 42.

45. Самохвалов, М.К. Зависимость релаксационных процессов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях от свойствдиэлектрических пленок / М.К. Самохвалов // Электронная техника, сер.6. Материалы 1989. - №1. - С. 39 - 42.

46. Бригаднов, И.Ю. Получение и свойства диэлектрических и люминесцентных пленок электролюминесцентных композиций на основе сульфида цинка / И.Ю. Бригаднов, М.К. Самохвалов // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. -1998. №3. - С. 64 - 68.

47. Бригаднов, И.Ю. Диэлектрические свойства пленок оксида циркония-иттрия / И.Ю. Бригаднов, В.Н. Жуков, Е.Б. Рябинов, М.К. Самохвалов // Электронная техника, сер.6, Материалы. -1990. №9. - С. 5 - 6.

48. Верещагин, И.К. Влияние толщины диэлектрических слоев на характеристики электролюминесцентных пленочных излучателей / И.К. Верещагин, В.Г. Колотилова, И.Е. Острый, А.В. Пауткина // Известия ВУЗов. Физика. 1989. - №9. - С. 117 -118.

49. Самохвалов, М.К. Эффективность электролюминесценции в тонкопленочных структурах при возбуждении переменным напряжением / М.К. Самохвалов // Электронная техника, сер. 2, Полупроводниковые приборы. -1990. №3. - С. 86 - 89.

50. Васильченко, В.П. Механи ческие колебания в тонкопленочных электролюминесцентных устройствах / В.П. Васильченко, М.А. Войханский, JUL Матизен // Известия ВУЗов. Физика. -1987. №12. - С. 91 - 92.

51. Родионов, В.Е. Акустоэлектролюминесценция тонкопленочных структур на основе ZnS:Mn / В.Е. Родионов, С.Ф. Терехова, Н.С. Черная // Письма в ЖТФ. 1988. - т.14. - №23. - С. 2157 - 2160.

52. Дульнев, Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре / Г.Н. Дульнев М.: Высшая школа, 1984. - 247 с.

53. Чернышев, А.А. Обеспечение тепловых режимов изделий электронной техники / А.А. Чернышев, В.И. Иванов, А.И. Аксенов, Д.Н. Глушкова-М.: Энергия, 1980.-216 с.

54. Корицкий, Ю.В. Справочник по электротехническим материалам / Ю.В. Корицкий и др. М.: Энергоатомиздат, 1986. - т. 2. - 463 с.

55. Самохвалов, М.К. Вольт яркостная характеристика тшкопленочных электролюминесцентных структур / М.К. Самохвалов // Письма в ЖТФ. -1996.-т. 66.-№10.-С. 139-144.

56. Рябинов, Е.Б. Выход электролюминесценции в различных условиях возбуждения тонкопленочных конденсаторов / Е.Б. Рябинов, М.К. Самохвалов // Журнал прикладной спектроскопии. -1992. т.56. - №5 - 6. - С. 851 - 853.

57. Валыгина, М.А. Тонкопленочные электролюминесцентные элементы для матричного экрана / М.А. Валыгина, Ю.М. Князев, В.А. Леонов, Е.П. Мартьянов // Электронная промышленность. -1979. №10. - С. 25 - 27.

58. Забудский, Е.Е. Устройство управления тонкопленочной электролюминесцентной индикаторной панелью / Е.Е. Забудский, М.К. Самохвалов // Известия ВУЗов. Электроника. 2000. - №3. - С. 85 - 92.

59. Лыков, А.В. Теория теплопроводности / А.В. Лыков М.: Высшая школа, 1967. - 599 с.