Математическое моделирование электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.18, кандидат технических наук Морозов, Сергей Владимирович

• Морозов, Сергей Владимирович
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Морозов, Сергей Владимирович

ВВЕДЕНИЕ

Раздел 1 АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР МОДЕЛЕЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

1.1 Тонкопленочные электролюминесцентные конденсаторы

1.2 Электрические и оптические процессы в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах

1.3 Математические и схемотехнические модели тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов

1.4 Выводы и постановка задач

Раздел 2 МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

2.1 Эквивалентные схемы электролюминесцентных структур

2.2 Математическая модель ТПЭЛ индикатора

2.3 Исследование влияния формы и параметров возбуждающего напряжения на электрические характеристики ТПЭЛ элементов

2.4 Моделирование ТПЭЛ матричных панелей

2.5 Выводы и результаты

Раздел 3 МОДЕЛИРОВАНИЕ СВЕТОТЕХНИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК

ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

3.1 Анализ процессов возбуждения свечения в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов

3.2 Моделирование динамических яркостных характеристик ТПЭЛ источников излучения

3.3 Расчет вольт-яркостных характеристик и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения

3.4 Выводы и результаты

Раздел 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ

4.1 Методика получения тонкопленочных структур

4.2 Методика измерения характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и схема измерительной установки

4.3 Исследование электрических характеристик ТПЭЛ конденсаторов

4.4 Исследование светотехнических характеристик ТПЭЛ конденсаторов

4.5 Выводы и результаты

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Математическое моделирование электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов»

Актуальность проблемы. Математические методы и численное моделирование являются наиболее удобным аппаратом для разработки оптимальных вариантов создания новых технических объектов и процессов их изготовления, поскольку машинное проектирование значительно сокращает расходы на проведение экспериментальных работ, особенно для новых технических средств. К таким новым техническим объектам относятся средства отображения информации на основе плоских твердотельных активных индикаторов. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства в настоящее время являются одними из наиболее перспективных для создания микроэлектронных средств отображения информации, особенно для специальной техники. К их достоинствам относятся: полностью твердотельная конструкция, высокая яркость, надежность, температурная стабильность, быстродействие, большой угол обзора, радиационная стойкость и др. К настоящему времени определены физические основы работы этих приборов, конструкции, материалы и технология изготовления структур, методы контроля параметров материалов и устройств. Однако до сих пор отсутствуют достаточно полные математические модели, описывающие основные функциональные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов, необходимые для разработки индикаторных устройств. Существующие модели являются либо упрощенными, либо характеризующие отдельные эффекты в многослойных системах.

В Ульяновском государственном техническом университете в течение ряда лет проводились работы по исследованию параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и режимов возбуждения электролюминесценции в них, а также разрабатывались методы и устройства управления индикаторными приборами и их применение в средствах отображения информации. Дальнейшее развитие работ обусловило как необходимость теоретического анализа и экспериментальных исследований указанных проблем, так и математического моделирования электрических и светотехнических свойств и характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств, работающих на переменном напряжении.

Цель и задачи исследований. Целью данной диссертационной работы является математическое моделирование электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов для расчетов конструкций, выбора материалов и режимов работы индикаторных устройств в средствах отображения информации.

Для достижения этой цели в ходе выполнения диссертационной работы были поставлены и решены следующие задачи.

1. Теоретический анализ и моделирование электрических процессов в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах при возбуждении знакопеременным импульсным, симметричным пилообразным и гармоническим напряжением.

2. Теоретический анализ и моделирование светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов.

3. Разработка алгоритмов и программ расчета электрических и светотехнических характеристик.

4. Экспериментальные исследования процессов в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах.

Основные положения, выносимые на защиту. Проведенные теоретические и экспериментальные исследования характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволили вынести на защиту следующие основные положения.

1. Разработанная математическая модель тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и соответствующие алгоритм и программная реализация на основании описания электрических эквивалентных схем уравнениями, составленными согласно теории электрических цепей, позволяет рассчитывать основные электрические характеристики электролюминесцентных конденсаторов и индикаторных панелей на их основе.

2. Проведенное математическое моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволяет определить зависимость заряда, напряжения включения и рассеиваемой мощности от конструктивно-технологических факторов, состава схемы управления и условий возбуждения.

3. Разработанная программа для численного решения нелинейного уравнения кинетики яркости свечения на основе модели прямого ударного возбуждения центров свечения позволяет установить зависимость яркости свечения от условий возбуждения электролюминесценции.

4. Полученные аналитические соотношения для средней яркости излучения и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов на основе модели прямого ударного возбуждения центров свечения в люминофоре определяют их зависимость от условий возбуждения и свойств тонкоплёночной структуры и позволяют установить оптимальные режимы управления индикаторными устройствами.

5. Проведенные экспериментальные исследования электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении при возбуждении переменным синусоидальным и симметричным треугольным напряжением показали соответствие данным математического модели и численных расчетов.

Научная новизна. Впервые детально исследованы электрические и светотехнические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов при различных условиях возбуждения. При этом получены следующие новые научные результаты.

1. Впервые на основе представлений о туннельной перезарядке квазиизолированной поверхности люминофора и прямого ударного возбуждения активаторов разработан математический аппарат исследования электрических и оптических процессов в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах при различных условиях возбуждения электролюминесценции.

2. На основе результатов математического моделирования установлены зависимости характеристик электрических и оптических процессов в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах от состава и свойств многослойных структур.

3. На основе разработанной математической модели дискретного тонкопленочного электролюминесцентного конденсатора предложен алгоритм расчета параметров матричной индикаторной панели, позволяющий формировать систему нелинейных интегральных уравнений, описывающую устройство, в автоматическом режиме, за счет чего упрощен процесс моделирования индикаторных устройств с большим количеством элементов отображения.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в следующем:

1. Разработанные математические модели характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов могут быть использованы для разработки конструкций и режимов работы приборов в лабораториях и конструкторских бюро, занимающихся проектированием и исследованием электролюминесцентных источников излучения.

2. Полученные аналитические соотношения применимы для разработки методик производственного контроля и расчета значений функциональных параметров, характеризующих свойства тонкопленочных электролюминесцентных элементов и индикаторных приборов;

3. Определенные по данным теоретических и экспериментальных исследований и по результатам математического моделирования рекомендации по выбору способов и режимов управления электролюминесцентными излучателями способствуют обеспечению требуемых значений параметров индикаторных устройств.

Достоверность научных положений, выводов и рекомендаций обеспечивается адекватностью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, близостью расчетных данных с результатами экспериментальных исследований.

Личный вклад, В диссертации изложены результаты работ, которые были выполнены соискателем лично под научным руководством профессора Самохвалова М.К. Автор разрабатывал методики исследований, проводил теоретические расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались на 4-й Всероссийской научно-практической конференции (с участием стран СНГ) (Ульяновск, 2004 г.), 10-й Военной научно-технической конференции "Актуальные вопросы совершенствования техники и систем военной связи на основе современных телекоммуникационных информационных технологий" (Ульяновск, 2004 г.), школе-семинар «Актуальные проблемы физической и функциональной электроники» (Ульяновск, 2004 г.), Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (Саратов, 2004 г.), Международных конференциях «Опто наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2004, 2006 гг.), Научно-технической конференции "Информационные технологии в промышленности и учебном процессе" (Арзамас, 2004 г.), Всероссийском научно-практическом семинаре "Сети и системы связи", (Рязань, 2005 г.), Всероссийской научно-технической конференции "Повышение эффективности средств обработки информации на базе математического моделирования", (Тамбов, 2006 г.), а также на ежегодных научно-технических конференциях УлГТУ в 2005-2007 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 15 печатных работ, из них 2 статьи в журнале, входящем в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка используемых источников. Она

Заключение диссертации по теме «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ», Морозов, Сергей Владимирович

4.5 Выводы и результаты

1. Изучена технология получения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов и методика измерения их электрических и светотехнических характеристик и расчета параметров.

2. Проведены экспериментальные исследования электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении переменным напряжением. Экспериментальные результаты соответствовали данным теоретического анализа математической модели и численных результатов.

3. Экспериментально исследованы зависимости перенесенного заряда, напряжения включения, полного тока и удельной электрической мощности, потребляемой ТПЭЛ конденсатором, при возбуждении синусоидальным и симметричным треугольным напряжением. Изучена зависимость данных параметров от частоты возбуждающего напряжения и последовательного сопротивления схемы управления.

4. Проведены экспериментальные исследования светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Из полученных линейных участков зависимости светоотдачи от яркости определены параметры активаторных центров свечения в люминофоре, совпадающие с результатами других авторов. Экспериментально измеренные вольт-яркостные характеристики соответствовали расчетным данным.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные теоретические и экспериментальные исследования по математическому моделированию электрических и светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов позволили сформулировать следующие основные результаты и выводы:

1. Разработана математическая модель тонкопленочных излучателей и соответствующие алгоритм и программная реализация на основании описания электрических эквивалентных схем электролюминесцентных структур, уравнениями, составленными согласно теории электрических цепей. Это позволило рассмотреть электролюминесцентные источники света в качестве компонентов электрической цепи и установить необходимые характеристики приборов, а также использовать полученные в результате расчетов данные для моделирования светотехнических характеристик. Созданная математическая модель также пригодна для определения параметров элементов плоского индикаторного устройства на базе матрицы электролюминесцентных конденсаторов.

2. Посредством математического моделирования электрических характеристик ТПЭЛ приборов проведена серия вычислительных экспериментов, по результатам которой найдены зависимости напряжения включения индикаторов и заряда от условий возбуждения. Установлено, что наиболее чувствительный к условиям возбуждения электролюминесценции режим работы тонкопленочных излучателей имеет место при приложении знакопеременного импульсного напряжения.

3. Определено, что при оптимальных условиях высвечивания и использовании импульсного напряжения электрические характеристики ТПЭЛ приборов (в частности, напряжение включения и заряд, переносимый через люминофор) зависят только от амплитудного значения напряжения, причем вид этих зависимостей линейный. В то время как варьирование длительностью импульсов и временем их нарастания/спада не изменяет параметров устройств. Однако, при увеличении суммарного активного сопротивления схемы (свыше 2,5.5 кОм) значимыми оказываются все параметры знакопеременного импульсного напряжения, а зависимости имеют нелинейный характер.

4. На основе разработанной математической модели дискретного ТПЭЛ излучателя предложена методика расчета параметров матричной индикаторной панели, позволяющий формировать систему нелинейных интегральных уравнений, описывающую устройство, в автоматическом режиме, за счет чего упрощен процесс моделирования ТПЭЛ индикаторных устройств с большим количеством элементов отображения.

5. Проведен анализ процессов возбуждения свечения в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов в рамках модели прямого ударного возбуждения активаторных центров в люминофоре. Осуществлено математическое моделирование светотехнических показателей ТПЭЛ источников излучения на основе решения нелинейного обыкновенного дифференциального уравнения, описывающего кинетику изменения плотности возбужденных центров свечения в пленке люминофора. Установлено, что наибольшие значения средней яркости свечения устройств достигаются при приложении к индикаторам знакопеременного импульсного напряжения.

6. Разработана программа для численного решения на ПЭВМ нелинейного уравнения кинетики яркости свечения методом Рунге-Кутта, обеспечивающая более высокую точность, которой полностью оправдывается дополнительный расход машинного времени.

7. Найдено, что длительность переходных процессов, определяемая по волнам яркости, достигает 8. 10 периодов прикладываемого напряжения. Отсюда следует, что для получения высоких уровней яркости электролюминесцентных устройств необходимо обеспечивать высвечивание индикаторных элементов пакетами импульсов знакопеременного напряжения, причем их длительность должна быть не менее времени достижения установившегося режима работы ТПЭЛ источников.

8. На основе модели прямого ударного возбуждения центров свечения в люминофоре получено аналитическое соотношение для средней яркости излучения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов, показывающее зависимость ее величины от условий возбуждения и свойств тонкоплёночной структуры. Установлена зависимость между яркостью излучения и светоотдачей источников излучения, позволяющая определить оптимальные режимы управления индикаторными устройствами.

9. Проведены экспериментальные исследования электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов при возбуждении переменным синусоидальным и симметричным треугольным напряжением. Экспериментальные результаты соответствовали данным теоретического анализа математической модели и численных результатов.

10. Проведены экспериментальные исследования светотехнических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов. Из полученных линейных участков зависимости светоотдачи от яркости определены параметры активаторных центров свечения в люминофоре, совпадающие с результатами других авторов. Экспериментально измеренные вольт-яркостные характеристики соответствовали расчетным данным.

11. Полученные соотношения для расчета электрических и светотехнических характеристик могут использоваться для экспериментального определения параметров люминофоров в тонкопленочных структурах, для выбора материалов и разработки конструкций электролюминесцентных источников излучения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Морозов, Сергей Владимирович, 2007 год

1. Хениш Г., Электролюминесценция. Перевод с английского под редакцией B.C. Вавилова.- М.: Мир, 1964.- 455 с.

2. Верещагин И.К., Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974.280 с.

3. Георгобиани А.Н., Пипинис П.А., Туннельные явления в люминесценции полупроводников. -М.: Мир, 1994. 224 с.

4. Казанкин О. И., Лямичев И.Я., Соркин Ф.В., Прикладная электролюминесценция. Под редакцией М.В. Фока. М.: Советское Радио ,1974.-414 с.

5. Деркач В.П., Корсунский В.М., Электролюминесцентные устройства. -Киев: Наукова думка, 1968. 302 с.

6. Самохвалов М.К., Конструкции и технология тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов. Ульяновск: УлГТУ, 1997. - 56 с.

7. Самохвалов М.К., Тонкопленочные электролюминесцентные источники излучения. Ульяновск: УлГТУ, 1999. - 117 с.

8. Верещагин И.К., Ковалев Б.А., Косяченко Л.А., Кокин С.М., Электролюминесцентные источники света. М.: Энергоатомиздат, 1990168 с.

9. Власенко Н.А., Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели // Физические основы полупроводниковой электроники. Киев: Наукова думка, 1985.-с. 254-268.

10. Мозжухин Д.Д., Бараненков И.В., Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства. Зарубежная радиоэлектроника, 1985, №7, с. 81-94.

11. Herman М.А., High-field thin-film electroluminescent displays. Electron. Technol., 1986, v.19, №1-2, p.23-58.

12. Рахлин М.Я., Родионов В.Е., Бойко В.П., Тонкопленочные электролюминесцентные зеленые излучатели с керамическим диэлектриком. Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, №17, с. 67-71.

13. Бараненков И.В., Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкоплёночных электролюминесцентных устройств. Зарубежная радиоэлектроника, 1988, с. 60-67.

14. Парфенов Н.М., Кокин С.М., Беккер Б.Г. и др., Влияние диэлектрика на параметры тонкопленочных электролюминесцентных структур. Известия ВУЗов. Физика, 1986, т. 29, №4, с. 119-120.

15. Howard W.E., The importance of insulator properties in a thin-film electroluminescent devices. IEEE Trans, on Electron Devices, 1977, v.ED-24, №7, p.903-908.

16. Бригаднов И.Ю., Самохвалов M.K., Получение и свойства диэлектрических и люминесцентных пленок электролюминесцентных композиций на основе сульфида цинка. Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1998, №3, с. 64-68.

17. Kobayashi Н., Tanaka S., Shanker V. et al., Multicolor electroluminescent ZnS thin films doped with rare earth fluorides. -Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.88, №2, p.713-720.

18. Suyama Т., Sawada N., Okamoto K., Hamakawa Y., Multi-coloring of thin-film electroluminescent device. Jap. J. Appl. Phys, 1982, v.21, Suppl. 21-1, p. 383-387.

19. Muller G.O., Basics of electron impact-excited luminescence devices. Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v.81, p. 597-608.

20. Chen Y.S., Krupka D.C., Limitation imposed by field clamping on the efficiency of high-field ac electroluminescence in thin films. J. Appl. Phys., 1972, v.43, № 10. - p.4089-4096.

21. Smith D.H., Modelling a.c. thin-film electroluminescent devices. J. Luminescence, 1981, v.23, №1, p.209-235.

22. Самохвалов M.K., Кинетика токопереноса в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях при возбуждении переменным напряжением. Письма в ЖТФ, 1994, т.20, №6, с. 67-71.

23. Самохвалов М.К., Электрические характеристики тонкопленочных излучателей при возбуждении электролюминесценции переменным напряжением. Письма в ЖТФ, 1997, т.23, №6, с. 1-4.

24. Сухарев Ю.Г., Андриянов А.В., Миронов B.C., Кинетика электрического поля, волны тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах. Журнал технической физики, 1994, т.64, №8, с. 48-54.

25. Mach R., Muller G.O., Efficiency and saturation in AC thin film EL structures. -Phys. stat. sol.(a), 1984, v.81, №2, p.609-623.

26. Singh V.P., Sivacumar P., Aguilera A. et al., An analytical model for electron transport and luminance in SrS: Cu,Ag ACTFEL display devices. IEEE Trans, on Electron Devices, 2004, v.51, №3, p.357-363.

27. Howard W.E., Sahni 0., Alt P.M., A simple model for the hysteretic behavior of thin-film ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices. J. Appl. Phys., 1982, v.53, №1, p.632-647.

28. Jarem J.M., Singh V.P., A computionally simple model for histeretic thin-film electroluminescent devices. IEEE Trans, on Electron Devices, 1988, v.35, №11, p.1834-1841.

29. Neyts K.A. and De Visschere P., Analitical model for thin-film electroluminescent devices. J. Appl. Phis., 1990, v.68, №8, p. 4163-4171.

30. Alt P.M., Thin film EL devices: Device characteristics and performance. -Proc. of the SID, 1984, v.25, №2, p. 123.

31. Васильченко В.П., Уйбо JI.Я., Об эквивалентной схеме электролюминесцентного конденсатора. Оптика и спектроскопия, 1985, т. 18, №2, с.341-343.

32. Runyan W.G., Wick G.L., ACTFEL modeling for the electronic drive system designer. SPJE Advances in Display Technology, VI, 1986, v.624, p.66-72.

33. Самохвалов M.K., Эквивалентная электрическая схема тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. Письма в ЖТФ, 1993, т.19, №9, с.14-18.

34. Самохвалов М.К., Электрическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей. Микроэлектроника, 1994, т.23, №1, с.70-75.

35. Самохвалов М.К., Гусев А.И., Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства. Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. Военные электронные технологии, 2002, т.45, №3-4, с. 58-63.

36. Самохвалов М.К., Гусев А.И., Переходные электрические процессы в тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторах с последовательным сопротивлением цепи в схемах управления. -"Электронная техника", сб. научн. трудов, Ульяновск, УлГТУ, 2003, с. 7983.

37. Забудский Е.Е., Самохвалов М.К., Моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств. Микроэлектроника, 1999, т.28, №2, с. 117-125.

38. Bringuier Е. Charge transfer in ZnS-type electroluminescence // J. Appl. Phys. 1989. - Vol. 66, № 3. - P. 1314-1325.

39. Neyts K.A. et al. Observation and simulation of space-charge effects and hysteresis in ZnS:Mn ac thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. -1994. Vol. 75, № 10. - P. 5339-5346.

40. Keir P.D., Ang W.M., Wager J.F. Modeling space charge in ACTFEL devices using a single-sheet-charge model // SID Conf. Digest. 1995. - P. 476-479.

41. Бараненков И.В., Петров В.Н. Электролюминесцентные индикаторные устройства с памятью//3аруб. радиоэлектроника.- 1985. -19. С. 61-69.

42. Davidson J.D. et al. Electrical characterization and modeling of alternating current thin-film electroluminescent devices // IEEE Transactions on Electron Devices. 1992. - Vol. 39,15. - P. 1122-1128.

43. Schmachtenberg R. et al. A large area 1024x864 line ACTFEL display // SID Conf. Digest. 1989. - P. 58-60.

44. Aberg M. et al. Modeling and simulation of an ACTFEL display // SID Conf. Digest.- 1990.-P. 242-245.

45. Забудский E.E., Самохвалов M.K. Математическое моделирование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств //Вестник Ульян, гос. техн. ун-та. Сер. Информ. технологии. 1998. - № 1. - с. 95-104.

46. Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. -М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с.

47. Douglas А.А., Wager J.F. Electrical characterization and modeling of ZnS:Mn ACTFEL devices with various pulse waveforms // SID Conf. Digest. -1992.-P. 356-359.

48. Aberg M. An electroluminescent display simulation system and its application for developing grey scale driving methods // Acta Polytechnica Scandinavica. Electrical Engineering Series. 1993. - № 74,76 p.

49. Самохвалов M.K, Морозов C.B. Математическое моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов // Материалы всероссийского научно-практического семинара "Сети и системы связи".- Рязань: РВВКУС, 2005.- с. 139-142.

50. Расчет электрических цепей и электромагнитных полей на ЭВМ / Под ред. JI.B. Данилова и Е.С. Филиппова. М.: Радио и связь, 1983. - 343 с.

51. Шуп Т. Прикладные численные методы в физике и технике: Пер. с англ. / Под ред. С.П. Меркурьева. М.: Высш. шк., 1990. - 255 с.

52. Мак-Кракен Д., Дорн У. Численные методы и программирование на фортране: Пер. с англ. М.: Мир, 1977. - 583 с.

53. Численные методы в инженерных исследованиях / В.Е. Краскевич, К.Х. Зеленский, В.И. Гречко. Киев: Вища шк., 1986. - 263 с.

54. Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров: Пер. с фр. М.: Наука, 1967.-779 с.

55. Демидович Б.П., Марон И.А., Шувалова Э.З. Численные методы анализа. М.: Наука, 1967. - 368 с.

56. Хемминг Р.В. Численные методы для научных работников и инженеров: Пер. с англ. М.: Наука, 1972. - 400 с.

57. Самохвалов М.К., Перенос заряда в тонкопленочных электролюминесцентных структурах. Письма в ЖТФ, 1995, т.21, №15, - с. 78-82.

58. Васильченко В.П. и др. Выбор длительности возбуждающих импульсов электролюминесцентной тонкопленочной матрицы // Изв. вузов. Физика. 1987. №12. с. 59-62.

59. Власенко Н.А. и др. Влияние амплитуды и длительности возбуждающего импульса на кинетику электролюминесценции пленок ZnS:Mn // Вопросы физики электролюминесценции.- Днепропетровск, 1979. с. 88-96.

60. Brunei С., Pecile D., Poinsard P. EL display module modeling // Conf. Rec. Int. Display Res. Conf. 1985. - P. 150-152.

61. Hope L.L. et al. Fabrication of very large electroluminescent displays // Proc. of Soc. Photo-Opt. Instrum. Eng. 1983. - Vol. 386. - PP. 58-62.

62. Забудский E.E., Гайтан B.B. Методы управления тонкопленочными электролюминесцентными панелями переменного тока. Приборы и системы управления. - 1997. - № 11. - С. 56-63.

63. Забудский Е.Е. Моделирование параметров матричных электролюминесцентных панелей // Современные проблемы создания и эксплуатации радиотехнических систем: Тез. докл. Всерос. науч.-практ. конф. Ульяновск: УлГТУ, 1998. - С. 133-134.

64. Власенко Н.А., Гурьянов С.Н. Электролюминесценция тонких пленок. Состояние исследований и нерешенные проблемы // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1985. - Т. 49, № ю. - С. 1909-1915.

65. Самохвалов М.К. Исследование свойств цинк-сульфидных люминофоров в тонкопленочных структурах // Журн. прикл. спектроскопии. 1995. - Т. 62, Вып. 3. - С. 182-185.

66. Allen J.W. Impact excitation and ionization // J. of Luminescence. 1981. -Vol. 23,4-2.-P. 127-139.

67. Miiller G.O., Mach R. Physics of electroluminescence devices // J. of Luminescence. 1988. - Vol. 40&41. - P. 92-96.

68. Самохвалов М.К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ. 1996. - Т. 66, Вып. 10.-С. 139-144.

69. Neyts К.А. et al. Transient measurements on AC thin-film electroluminescent devices // Proc. of 6th Int. Workshop on Electroluminescence. -1992.-P. 140-145.

70. Zeinert A. et al. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin-film electroluminescent devices // Jap. J. of Appl. Phys. 1996. - Vol. 35, №7.-P. 3909-3913.

71. Морозов C.B., Гусев А.И. Моделирование динамических яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения // Сборник научных трудов Ульяновского высшего военного инженерного училища связи Ульяновск, 2007.- С.66-70.

72. Самохвалов М.К, Давыдов P.P., Определение параметров активаторов в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Письма в ЖТФ, 2002, т.28, №24, с. 58-62.

73. Miiller G.O. et al. Measuring on thin film devices // Phys. Stat. Sol. (a). -1988.-Vol. 110.-P. 657-669.

74. Бригаднов И.Ю., Самохвалов М.К. Влияние условий получения сульфида цинка на характеристики тонкопленочныхэлектролюминесцентных конденсаторов // Лазер, техн. и оптоэлектрон. -1993.-№1-2.-С.48-50.

75. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. -М.: Радио и связь, 1991.-528 с.

76. Фокин О.С., Забудский Е.Е. Погрешности измерений характеристик тонкопленочных электролюминесцентных источников излучения // Тез. докл. 30 науч.-техн. конф. Ульяновск: УлГТУ, 1996. - Ч. 1. - С. 82.

77. Wager J.F., Keir P.D. Electrical characterization of thin-film electroluminescent devices // Annu. Rev. Mater. Sci. 1997. - Vol. 27. - P. 223248.

78. Myers R., Wager J.F. Transferred charge analysis of evaporated ZnS:Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1997. -Vol. 81, №1.-P. 506-510.

79. Забудский E.E., Фокин O.C. Расчет мощности рассеивания электролюминесцентных конденсаторов // Тез. докл. 32 науч.-техн. конф. -Ульяновск: УлГТУ, 1998. Ч. 2. - С. 4-5.

80. Ono Y.A. et al. Transferred charge in the active layer and EL device characteristics of TFEL cell//Jap.J.of Appl. Phys. 1987. - Vol. 26,1 9. - P. 14821492.

81. Max P. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники: Физические свойства и применения: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. - 344 с.

82. Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. Internal charge-phosphor field characteristics of alternating current thin-film electroluminescent devices // Appl. Phys. Lett. 1993. - Vol. 62, № 7. - P. 744-746.

83. Забудский E.E. Влияние элементов схемы управления на работу электролюминесцентных индикаторов // Тез. докл. молодеж. науч. конф. -М.: МГАТУ, 1996. Ч. 4. - С. 129-130.

84. Забудский Е.Е. Зависимость электрических характеристик электролюминесцентных индикаторов от схемотехнических факторов // Тез. докл. 30 науч.-техн. конф. Ульяновск: УлГТУ, 1996. - Ч. 1. - С. 83-84.

85. Neyts К.А., De Visschere P. Measuring the current-voltage characteristics of thin-film electroluminescent devices // Acta Polytechnica Scandinavica: Appl. Phys. Series. -1990. № 170. - P. 291-294.

86. Singh V.P., Krishna S., Morton D.C. Electric field and conduction current in ac thin-film electroluminescent display devices // J. Appl. Phys. 1991. - Vol. 70, №3.-P. 1811-1819.

87. Ogawa M. et al. Luminescence and conduction charge in thin-film electroluminescent devices //J. of Luminescence. 1984. - Vol. 29. - P. 11-29.

88. Perry T.S. From lab to lap // IEEE Spectrum. 1985. - Vol. 22, № 7. -P. 53-59.

89. Westaim makes technological breakthrough' with flat panel displays. Westaim Corp. Press Release. Sep. 15,1997.

90. Apt Ch. M. Perfecting the picture // IEEE Spectrum. 1985. - Vol. 22, 1 7. -P. 60-66.

91. VALUES *cur, *curl, *cur2, *cur3, *cur4;1.--------------------------------------------------------------------------fastcall TFMain: :TFMain(TComponent* Owner)1. TForm(Owner)

92. ColColumn=100; My = new floatColColumn.; SizeX=2;

93. Application->CreateForm(classid(TFOptions), &FOptions);

94. ChartFX->Width=ClientWidth;

95. ChartFX->Height=ClientHeight-Panell->Height-ProgressBarl->Height;

96. Xel. = atof(sxy); sxy[0] = 0; e = 0; continue;if(s1.==Y) {

97. Yel. = atof(sxy); sxy[0] = 0; e = 0; el++; continue;sxye. = s1.; sxy[e+l] = 0; e++;if (e == 48 | el>count) {cnt = 0; delete X; delete Y; X = NULL; X = NULL;1. Application->MessageBox(

98. ChartFX->OpenDataEx(CODVALUES ,1, FMain->ColColumn/FMain->KoefMedian); counter=l;1. ChartFX->Visible=false;len = new floatFMain->ColColumn.;

99. ZeroMemory(len, sizeof(float)*(FMain->ColColumn));for (ii=0;ii<10;ii++){xxii.=0; yy[ii]=0;}for (ii=0;ii<ChartFX->NValues;ii++) ChartFX->Valueii.=0;

100. FMain->ProgressBarl->Visible=true;

101. FMain->ProgressBarl->Max=cur 1->max;if (FMain->R2) {1. FMain->SizeX=X0.;

102. Application->ProcessMessages();