Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Ежлов, Вадим Сергеевич

• Ежлов, Вадим Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ежлов, Вадим Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Поведение германия в кремнии

1.2. Выращивание монокристаллов кремния, легированных германием

1.3. Образование дефектов в легированных германием монокристаллах кремния, облученных электронами с высокими энергиями

1.4. Образование дефектов в легированных монокристаллах кремния после имплантации ионов VB подгруппы Периодической системы Д.И.Менделеева

1.5. Возможности и ограничения метода DLTS при определении параметров дефектов, создающих в запрещенной зоне кремния глубокие уровни

1.6. Цели работы

2. METO ДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Рентгеноспектральный микроанализ

2.2. Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (DLTS)

2.3. Определение концентрации носителей заряда с помощью эффекта Холла; определение удельного сопротивления; расчет подвижности носителей заряда

2.4. Определение содержания кислорода

2.5. Определение времени жизни неосновных носителей заряда

2.6. Селективное травление

2.7. Облучение монокристаллов кремния быстрыми электронами

2.8. Имплантация в монокристаллы кремния ионов элементов

VB подгруппы

2.9. Режимы отжига имплантированных образцов

3. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

4. ИССЛЕДОВАНИЕ И ЕГО РЕЗУЛЬТАТЫ

4.1. Распределение германия в легированных германием монокристаллах кремния, выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов

4.2. Физические свойства монокристаллов кремния после облучения их быстрыми электронами с энергией 6 МэВ

4.3. Физические свойства монокристаллов кремния после имплантации в них элементов VB подгруппы

5. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ 138 ВЫВОДЫ 148 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические свойства и структурные особенности легированных германием монокристаллов кремния, выращенных в условиях жидкостной подпитки»

Важность исследования физических свойств и структурных особенностей монокристаллов кремния определяется тем, что кремний является основным материалом микроэлектроники, силовой электроники, солнечной энергетики. Наряду с исследованием влияния электрически активных добавок на физические свойства кремния, большой интерес представляет изучение влияния изовалентных добавок (ве, Яи) на эти свойства.

Известно /1-9/, что германий - основная изовалентная добавка в кремнии -влияет на энергию образования точечных дефектов, тормозит скорость образования термодоноров в кремнии, влияет на скорость диффузии примесей. Германий способствует созданию внутреннего геттера в объеме монокристаллов кремния, что влияет на их рекомбинационные свойства, в том числе увеличивает время жизни неравновесных неосновных носителей заряда. Германий влияет на радиационную стойкость кремния/10-12/.

В связи с тем, что германий заметным образом влияет на физические свойства монокристаллов кремния, важно изучение распределения его в объеме монокристаллов, выращенных различными методами и разработка процесса выращивания монокристаллов кремния с макро- и микрооднородным распределением германия.

Изучение механизма образования и природы различных точечных дефектов в бездислокационных и малодислокационных монокристаллах кремнии, подвергнутых различным видам воздействия (облучению быстрыми электронами, имплантации ионов различных масс), является важной фундаментальной задачей. Представляет безусловный интерес исследование процессов образования радиационных точечных дефектов в монокристаллах кремния, легированных германием и анализ путей управления типом и концентрацией этих дефектов с помощью изовалентных добавок.

В работе изучали физические свойства и структурные особенности монокристаллов твердых растворов системы кремний-германий; концентрация германия составляла ~(0,5-2) ат.%.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Ежлов, Вадим Сергеевич

ВЫВОДЫ

Исследованы физические свойства, и структурные особенности малодислокационных монокристаллов кремния, легированных германием (в интервале концентраций 5-Ю19 - 5-1020 см"3) и бором (~1015 см"3), выращенных методом Чохральского и методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов.

1. Установлено, что в монокристаллах кремния, легированных германием и выращенных методом жестко закрепленных сообщающихся сосудов, германий распределен макрооднородно. Однако при уменьшении анализируемых объемов монокристалла до -4 мкм, выявлены микронеоднородности в распределении германия. Отклонения концентрации германия от среднего значения (2,8-10 см' ) составляли 4,5-1019 см3. Предположено, что это связано с микроколебаниями скорости роста, а, следовательно, с изменением эффективного коэффициента распределения германия.

2. Определен эффективный коэффициент распределения германия в кремнии (Кэфф) при концентрации германия в расплаве ~1 ат.% и следующих параметрах выращивания: скорость роста ~1 мм/мин; скорость вращения кристалла -20 об/мин; скорость вращения тигля -5 об/мин. Эффективный коэффициент распределения равен-0,58.

3. Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено, что в облученных быстрыми электронами (Е=6МэВ, Ф=(1-1014 - МО13) см"2, Гобл.-80/О монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, образуются радиационные дефекты донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: а) ЯгК0,20±0,03)сечение захвата 4-10"16 см2\ б) £"гК0,36+0,03) эВ, сечением захвата МО"13 с/и2.

Сопоставление установленных параметров дефектов с литературными данными позволяет считать, что выявленными дефектами являются дивакансия (У2) и /Лцентр (<9,-С.г^). Введение германия увеличивает концентрацию этих дефектов. Таким образом, германий сцособствует образованию точечных дефектов (или их комплексов), содержащих вакансии.

4. Установлено, что с увеличением флюенса быстрых электронов концентрация выявленных дефектов растет в большей степени в монокристаллах кремния, легированных германием. Так, например, концентрация дивакансий в легированных германием монокристаллах кремния при увеличении флюенса с 1014 до 1015 см-2 увеличивается вдвое по сравнению с нелегированными монокристаллами.

5. При исследовании влияния имплантации донорных примесей с разными массами (Р, БЬ) методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней установлено:

5.1. при имплантации фосфора (£'=250 кэВ, флюенс 10 см'", отж. 550 С, отж=30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в /^-области образуются вторичные радиационные дефекты донорного типа, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: ^

17 0 а) Е]Л{0,2±0,03) эВ, сечение захвата 1 • 10" см"; б) £У+-(0,3±0,03) эВ, сечение захвата 1- Ю"16 см2.

При введении германия концентрация дефектов, связанных с уровнем £У+(0,2±0,03) эВ уменьшается, а связанных с уровнем £>+(0,3±0,03) эВ увеличивается.

5.2. при имплантации сурьмы (7^250 кэВ, флюенс 1012 см'2, ТОГЖ=650 °С, ¿отж.^30 мин.) в монокристаллах кремния, однороднолегированных бором и совместно бором и германием, в /^-области образуются вторичные

150 радиационные дефекты, создающие глубокие уровни; параметры дефектов: а) £V+(0,24±0,05) эВ, сечение захвата 1-Ю"16 см2, донор; б) £V+(0,50±0,05) эВ, сечение захвата 1-Ю"11 см2, донор; тс 9 в) Fc-(0,45±0,05) эВ, сечение захвата 1-10" см , акцептор. Концентрация дефектов £Y+(0,24±0,05) эВ и i?//+(0,5+0,05) эВ не зависит от содержания германия; концентрация дефектов .£'с-(0,45±0,05) эВ с увеличением концентрации германия растет. Высказано предположение, что эти радиационные центры представляют собой комплексы точечных дефектов, в частности уровень Ес-(0,45±0,05) эВ, по-видимому, образован комплексом атомов сурьмы и вакансий.

В заключении считаю своим долгом выразить искреннюю благодарность проф. Дашевскому М.Я. за постановку задачи и научное руководство, постоянную помощь и полезное обсуждение полученных результатов. Автор выражает благодарность сотрудникам кафедры материаловедения полупроводников и других кафедр МИСиС, оказывавшим помощь в проведении эксперимента. •

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ежлов, Вадим Сергеевич, 2000 год

1. М.Г.Кекуа, Э.В.Хуцишвили Твердые растворы полупроводниковой системы германий-кремний. Тбилиси: Мецниереба, 1985.

2. Бугай A.A., Максименко В.М., Неймарк Е.И., Шанина Б.Д., Грачев В.Г., Шаховцов В.И. "Изучение локальных искажений ячеечного потенциала доноров в сплаве Sij.xGex методами ЭПР и спин-решеточной релаксации" //ФТТ, 1984, том 26, вып.11, с.3338-3346.

3. Неймарк Е.И., Шанина Б.Д. "Локальное искажение кристаллического потенциала и примесные состояния в сплаве кремний-германий" //ФТП, 1987, том 21, вып.4, с.757-759.

4. Соловьева Е.В., Мильвидский М.Г. "Особенности дефектообразования в полупроводниках при изовалентном легировании" //ФТП, 1983, том 17, вып.11, с.2022-2024.

5. Горбачева H.H., Курбаков А.И., Мильвидский М.Г., Рубинова Э.Э., Трунов В.А., Туровский Б.М. "Структурное несовершенство монокристаллического кремния, легированного германием" //Кристаллография, 1986, том 31, вып.5, с.994-996.

6. Дашевский М.Я., Лымарь С.Г., Докучаева A.A., Итальянцев А.Г., Антонова H.A. "Влияние германия на поведение кислорода в кремнии" //Неорганические материалы, 1985, том 21, №11, с. 1827-1830.

7. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., АнисимовК.П. "Влияние германия на образование термодоноров в кремнии" // Неорганические материалы, 1986, том 22, №10, с.1599-1601.

8. БабичВ.М., Баран Н.П., Зотов К.И., КирицаВ.Л., Ковальчук В.Б. "Низкотемпературная диффузия кислорода и образование термодоноров в кремнии, легированном изовалентной примесью германия" //ФТП, 1995, том 29, вып. 1, с.58-64.

9. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Ладыгин Е.А., Мусалитин A.M., Шилин Б.А. "Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния" //ФТП, 1990, том 24, вып. 12, с.2073-2079.

10. П.Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., ШпинарЛ.И., Ясковец И.И. "Особенности процессов радиационного дефектообразования в кристаллах Si<Ge>" //ФТП, 1987, том 21, вып.З, с.562-565.

11. Блецкан Н.И., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов A.B. "Особенности образования радиационных дефектов вкремнии, легированном германием" //ФТП, 1988, том 22, вып. 12, с.2223-2226.

12. Мизрухин J1.B., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Яшник В.И. "Межпримесное взаимодействие в кремнии с нейтральными примесями" //ФТП, 1989, том 23, вып.7, с. 186-190.

13. Грехов A.M., ГунькоВ.М., Шаховцов В.И. "Исследование электронной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Атомы С, Ge и их комплексы с вакансиями" //ФТП, 1987, том 21, вып.10, с. 1837-1841.

14. Дашевский М.Я. В сб.: "Научные школы МИСиС - 75 лет". М.: МИСиС, 1996, с.462.

15. Дашевский М.Я., Макеев К.И. /Научные труды Гиредмета, т.102 (1985).

16. Дашевский М.Я., Михненко В.М., Петров В.В. и др. //Петербургский журнал электроники, 1994, №5.

17. Романенко В.Н. Управление составом полупроводниковых кристаллов. М.: Металлургия, 1976.

18. Кекуа М.Г., Пагава М.О., Габричидзе Л.Л., Кобулашвили Н.В. //Неорганические материалы, 1995, том 31, с.716.

19. Туровский Б.М., Горбачева Н.И. "Зависимость эффективного коэффициента распределения германия в кремнии от концентрации германия в расплаве" //Неорганические материалы, 1990, том 26, №5, с.904-906.

20. Горбачева Н.И. "Концентрационные зависимости коэффициента диффузии и эффективного коэффициента распределения примеси германия в кремнии" //Неорганические материалы, 1990, том 27, №10, с.2036-2040.

21. Дашевский М.Я., Петров В.В., Михненко В.М. "Свойства легированных монокристаллов кремция, . выращенных методами Чохральского и жестко закрепленных сообщающихся сосудов" // Неорганические материалы, 1987, том 23, №3, с.357-360.

22. Дашевский М.Я. Выращивание из расплавов кристаллов полупроводников с заданными свойствами. М.: МИСиС, 1971.

23. Баженов В.К., Фистуль В.И. "Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы" //ФТП, 1984, том 18, вып.8, с.1345-1362.

24. Вавилов B.C., Ухин H.A. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборов. М.: Атомиздат, 1969.

25. Корбет Дж., БургуэнЖ. Точечные дефекты в полупроводниках /Под ред. Б.И.Болтакса, Т.В.Машовец, А.Н.Орлова. М.: Мир, 1979.

26. Итальянцев А.Г., Курбаков А.И., Мордкович В.Н., Рубинова Э.Э., Темпер Э.М., Трунов В.А. "Влияние нейтронного облучения и отжига на свойства кремния, легированного германием" //ФТП, 1988, том 22, вып.5, с.834-838.

27. Дашевский М.Я., Докучаева A.A., Корляков Д.Н., Салманов А.Р., Хашимов Ф.Р. //Неорганические материалы, 1988, том 24, №9, с.1413-1418.

28. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., МиляевВ.А., Никитин В.А. //ФТП, 1988, том 22, вып.6, с. 1146-1149.

29. Голубев В.Г., ЕмцевВ.В., Клингер П.М., Кропотов Г.И., Шмарцев Ю.В. "Процессы образования радиационных дефектови в Si:Ge при 4.2, 78 и 300 К" //ФТП, 1992, том 26, вып.З, с.574-577.

30. Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шумов В.В. "Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении" //ФТП, 1998, том 32, вып.2, с.132-134.

31. Бугай A.A., Максименко В.М., Туровский Б.М., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., Горбачева Н.И. "Исследование радиационных дефектов в сплаве Si-Ge методом ЭПР и ИК спектроскопии" //ФТП, 1984, том 18, вып. 11, с.2020-2023.

32. Атабаев И.Г., СаидовМ.С., Хируненко Л.И., Шаховцов В.И., Шинкаренко В.К., ШпинарЛ.И., ЮсуповА. "О механизме дефектообразования в сплавах Si.¡.xGex при электронном облучении" //ФТП, 1987, том 21, вып.З, с.570-575.

33. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981.

34. ЕмцевВ.В., Клингер П.М., ФистульВ.И., Шмарцев Ю.В. "Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии" //Электронная техника: сер. Материалы., 1991, вып.6(260), с.53-56.

35. Кучинский П.В., Ломако В.М., Рутковский И.З., Счастный В.В., Тарасевич А.Д., Шахлевич Л.Н. "О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии" //ФТП, 1988, том 22, вып.4, с.634-637.

36. Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Салманов А.Р., Цикунов A.B. "Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в p-Si (¡e " //ФШ, 1989, том 23, вып.8, с.1492-1495.

37. Емцев В.В., Клингер П.М., ФистульВ.И., Шмарцев Ю.В. "Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии" //ФТП, 1991, том 25, вып.6, с.997-1003.

38. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н., Кузнецов Е.А. //Неорганическиематериалы, 1985, том 21.

39. Lee Y, CorbettJ.W., Brower K.L. //Phys. St. Sol. (a). 1977, V.41, N2, p.637-647.

40. Лугаков П.Ф., Лукашевич T.A., Шуша B.B. //ФТП, 1979, том 13, вып.2, с.401-404.

41. Ferenczi G., Londos С.А., Pavelka Т. Somogyi M., Mertens A. //Def. Semicond. Trans. Teclm. Publ. Ltd. Switzerland, 1986, p.947-951.

42. Помозов Ю.В., СоснинМ.Г., Хируненко Л.И., Яшник В.И., Абросимов Н.В., Шрёдер В., Хёне М. "Кислородосодержащие радиационные дефекты в Sii.xGex" //ФТП, 2000, том 34, вып.9, с. 1030-1034.

43. Г.А.Гусаков, А.П.Новиков, В.М.Анищик "О температурной зависимости критической дозы аморфизации кремния при ионной имплантации" //ФТП, 1994, том 28, вып.9, с.1672-1678.

44. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Л.С.Смирнова. Новосибирск: Наука, 1977.

45. Вавилов B.C., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988.

46. Жуковский П.В. "Влияние условий ионной имплантации на деф'ектообразование в кремнии" //ФТП, 1992, том 26, вып.1, с. 150-158.

47. Ионная имплантация и лучевая технология /Под ред. Дж.С.Вильямса, Дж.М.Поута. Киев: Наукова думка, 1988.

48. Hove L., Rainville M.N., Harigan Н.К., Thompson D.A. //Ibid. 1980, 170, p.419.

49. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы /Сборник статей пер с англ. под ред. В.С.Вавилова. М.: Мир, 1980.

50. Е.И.Зорин, П.В.Павлов, Д.И.Тетельбаум Ионное легирование полупроводников. М.: "Энергия", 1975.

51. Corbett J.W., Karins J.P., Tan T.Y. //Nucí. Instrum. and Meth., 1981, 182/183, p.457.

52. Tokuyama T. "Nature and Annealing Behavior of Disorders in Ion Implaiited Silicon" //Japanese Journal of Applied Physics, 1978, V.17, N8, p.1301-1315.

53. B.С.Вавилов "Некоторые физические аспекты ионной имплантации" //Успехи физических наук, 1985, том 145, вып.2, с.329-346.

54. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии" //ФТП, 1998, том 32, вып.5, с.523-526. .

55. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов" //ФТП, 1999, том 33, вып,5, е.537-541.

56. М.Ю.Барабаненков, А.В.Леонов, В.Н.Мордкович, Н.М.Омельяновская "Особенности влияния фотовозбуждения p-Si in situ при имплантациималых доз ионов на формирование радиационных дефектов" //ФТП, 1999, том 33, вып.8, с.897-899.

57. В.С.Вавилов "Миграция атомов в полупроводниках и изменения числа и структуры дефектов, инициируемые возбуждением электронной подсистемы" //Успехи физических наук, 1997, том 167, вып.4, с.407-412.

58. Л.С.Берман, А.А.Лебедев Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л : Наука, 1981.

59. D.V.Lang. J. "Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors" //Appl.Phys., 1974, V.45, N7, p.3023-3033.

60. Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.С. "Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)" //ФТП, 1988, том 22, вып.6, с.998-1003.

61. G.L.Miller, D.V.Lang, L.C.Kimerling. "Capacitance transient spectroscopy" //Ann. Rev. Mater. Sci. 1977, 7, p.377-448.

62. Комаров Б.А., Коршунов Ф.П., Мурин Л.И. "Роль полевых эффектов при определении концентрации термодоноров в кремнии методом DLTS" //ФТП, 1994, том 28, вып.З ,с.498-505.

63. Laimoo М. "Theory of deep level defects in semiconductors" //Journal of Applied Physics, 1988, V.59, N6, p.2497-2508.

64. Grimmeiss H.G., Ovren C. "Fundamentals of junction measurements in the study of deep energy levels in semiconductors" // Journal of Physics. Ser. E., Scientific Instrumentation, 1981, V. 14, N10, p.1032-1042.

65. Johnson N.M. " Deep-level transient spectroscopy: characterization and identification of electronic defects" //Optical Engineering, 1986, V.25, N5, p.698-704.

66. Kaniewska M., KaniewskaJ. "Capacitance methods used for the study of deep levels" //Electron Technology, 1985, V. 18, N3-4, p.37-53.

67. Urli N. "Characterization of defects in semiconductors by capacitance methods" //Journal of Experimental and theoretical Physics, 1978, V.8, p.68-70.

68. Morimoto J . "" //Journal of Applied Physics, 1986, V.39A, N3, p.197-202.

69. Singh R.K., Singh V., Corbet J., Das A. "Paired temperature spectroscopy: anovel method to characterize traps in semiconductors " // Journal of Physics. Ser. C; Solid State Physics, 1986, V.19, N13, p.2177-2187.

70. Stievenard D., Lannoo M., Bourgoin J.C. "Transient capacitance spectroscopy in heavily compensated materials" //Physica, 1985, V.129B, N1-3, p.422-425.

71. Васильев А.В., Смагулова С.А., Шаймеев C.C. "К методике обработки спектров DLTS" //ФТП, 1983, том 17, вып.1, с.162-164.

72. Антонова И.В., Шаймеев С.С. "Температурная зависимость амплитуды пика DLTS в кремнии с глубокими центрами" //ФТП, 1993, том 25, вып.5, с.847-851.

73. Комаров Б.А. "Влияние условий эксперимента на результаты обработки 0175'-спектров методом анализа формы линии" //ФТП,1992, том 26, вып.9, с. 1625-1630.

74. Астрова Е.В., Лебедев A.A. "Новый способ обработки спектров DLTS" //ФТП, 1990, том 24, вып.З, с.549-552.

75. Вывенко О.Ф., БазловН.В., Целищев С.Л. "Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS" //ФТП, 1990, том 24, вып.12, с.2208-2210.

76. Берман Л.С., Клингер П.М., Фистуль В.И "Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной проводимости" //ФТП, 1989, том 23, вып.11, с.1947-1950.

77. Шматов A.A. "Обработка спектров релаксационной спектроскопии глубоких уровней методом математического моделирования" //ФТП,1993, том 27, вып.8, с.1282-1285.

78. Лебедев A.A. "Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами" //ФТП, 1997, том 31, вып.4, с.437-440.

79. F.Hasegawa. Japan. J. Appl. Phys. (I), 1985, 24, p. 1356.

80. Берман Л.С. "Анализ сигналов релаксации емкости, состоящих из нескольких экспонент" //ФТП, 1998, том 32, вып.6, с.688-689.

81. Количественный электронно-зондовый микроанализ. /Под ред. В. Скотта, Г. Лава. М.: Мир, 1986

82. Конников С.Г., Сидоров А.Ф. Электронно-зондовые методы исследования полупроводниковых материалов и приборов. М.: Энергия, 1978.

83. Кучис Е.В. Гальвано-магнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.

84. Ильин М.А., Коварский В.Я., Орлов А.Ф. "Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом" //Заводская лаборатория, 1983, №3, с.49.

85. Александрова Г.И., Ильин М.Я., Рашевская Е.П. "О количественном определении содержания кислорода в кремнии" //Электронная техника. Сер. Материалы, 1976, вып.10, с.97-100.

86. ГОСТ 19658-81. "Кремний монокристаллический в слитках" М.: Издательство стандартов, 1990.

87. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. /Под ред З.Ю.Готра. М.: Радио и связь, 1991.

88. Бабич В.М., БлецканН.И., Венгер Е.Ф. "Кислород в монокристаллах кремния" Киев: "Интерпресс ЛТД", 1997.

89. Бургуэн Ж., ЛанноМ. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М.: Мир, 1985.

90. Абдуллин Х.А., Мукашев Б.Н. "Дефекты в p-Si, облученном при 77 К: энергетический спектр и кинетика отжига" //ФТП, 1994, том 28, вып. 10, с. 1831-1841.

91. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. "Дефекты в кремнии и на его поверхности" М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990.

92. Макаренко Л.Ф. "Проверка применимости модели моновалентного дефекта для описания свойств комплекса вакансия-кислород в кремнии "//ФШ, 2000, том 34, вып. 10, с. 1162-1165.

93. Рейви Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир, 1984.

94. Милъвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984.

95. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. /Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987.

96. Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А., Горелкинский Ю.В. "Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии" //УФН, 2000, том 170, №2, с.143-155.

97. Колесников Н.В., ЛомасовВ.Н., Мальханов С.Е. «Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении» //ФТП, 1989, том23, вып.11, с.1921-1926.

98. Технология полупроводникового кремния. /Под ред. Э.С. Фалькевича. М.: Металлургия, 1992.

99. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988.

100. Технология ионного легирования. /Под ред. С.Намбы. М.: Советское радио, 1974.1. ЮЗ.ГОСТ Р 50431-92.

101. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.