Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Корулин, Александр Викторович

• Корулин, Александр Викторович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Корулин, Александр Викторович

ВВЕДЕНИЕ.:.'.

1 РАДИАЦИОННО-ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ОаИ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ РАЗЛИЧНЫХ ВИДОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ. ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1 Радиационно-физические процессы в ОаМ под воздействием различных видов ионизирующего излучения.

1.2 Ядерное легирование полупроводников.

2 МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1 Методика измерения электрофизических свойств тонкопленочных образцов.1 нитрида галлия.'.:.

2.1.1 Цель измерений.

2.1.2 Сущность метода измерений.:.

2.1.3.Оцениваемые характеристики и нормы для показателей точности

2.1.4 Операции подготовки к измерениям.

2.1.5 Порядок проведения измерения удельного электрического сопротивления, концентрации и подвижности основных носителей заряда на установке "НМв 3000".

2.1.1 Измерение удельного электрического сопротивления высокоомных образцов ваИ двухконтактным методом с помощью электрометра.

2.2 Методика измерения структурных свойств тонкопленочных образцов нитрида галлия.

2.2.1 Выбор условий рентгенографического эксперимента.

2.2.2 Приготовление образцов. Проведение рентгенографических съемок

2.2.3 Расчет параметров элементарных ячеек кристаллов.

2.3 Методика измерения емкостных параметров и спектров глубоких уровней тонкопленочных образцов нитрида галлия.

2.3.1 Общее описание прибора.

2.3.2 Краткое описание модулей.

2.3.3 Главное окно программы.

2.3.4 Основные характеристики емкостного (БЬТБ) спектрометра.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ.

3 ПРОВЕДЕНИЕ РАСЧЕТА КОЛИЧЕСТВА ПЕРВИЧНЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ, ОБРАЗУЮЩИХСЯ В ваМ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ В РЕАКТОРЕ ВВР-ц.'.

3.1 Быстрые нейтроны.

3.2 Тепловые нейтроны.

3.3 Гамма-излучение реактора.

3.4 Полное число смещенных атомов.

4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ.

4.1 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов ОаЫ от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига.

4.1.1 Ядерное легирование.

4.2 Зависимость электрофизических параметров монокристаллов ОаЫ от дозы электронного облучения и температуры отжига.

5 СТРУКТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ.

5.1 Зависимость параметров элементарной ячейки ОаЫ от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и температуры отжига.

6 ЕМКОСТНЫЕ ПАРАМЕТРЫ И СПЕКТРЫ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ

ОБРАЗЦОВ GaN.

6.1 Влияние облучения реакторными нейтронами и температуры отжига на емкостные параметры нитрида галлия.

6.2 Влияние облучения высокоэнергетическими электронами и температуры отжига на емкостные параметры нитрида галлия.

7 ЭЛЕМЕНТЫ ТЕХНОЛОГИИ.

7.1 Характеристики исходного сырья.

7.2 Подготовка образцов к облучению.

7.3 Упаковка и загрузка образцов в облучательное устройство.

7.4 Облучение образцов в реакторе ВВР-ц.

7.5 Разампулировка блок-контейнеров изыгрузка образцов.

7.6 Дезактивация облученных образцов.

7.7 Дозиметрический контроль.

7.8 Подготовка облученных образцов к отжигу.

7.9 Отжиг.

7.10 Измерение электрофизических параметров.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Радиационно-физические процессы и ядерное легирование нитрида галлия»

Актуальность работы определяется, прежде всего, отсутствием законченных представлений о механизмах образования и отжига радиационных дефектов в нитриде галлия, характере взаимодействия радиационных дефектов между собой, с исходными структурными дефектами и вводимой легирующей примесью, как в процессе облучения, так и при последующей термообработке, характере влияния условий облучения и параметров исходного материала на конечные свойства ядерно-легированного ваИ. Выяснение и развитие этих представлений важны для^ понимания процессов образования и отжига радиационных дефектов, а также послужат основой для разработки перспективной-технологии ядерного легирования, которая позволит получить высококачественные однородно-легированные монокристаллические пластины ваК

В последние годы интерес к нитриду галлия значительно возрос в связи с практическими успехами в получении высококачественных эпитаксиальных слоев (ЭС) и реализации на их' основе эффективных светоизлучающих диодов для синей и сине-зеленой областей спектра:, а также синих лазерных диодов, работающих при температуре 20 °С. Результаты этих исследований-' и разработок нашли отражение в большом количестве публикаций, а также' в ряде обзорных работ, освещающих последние достижения в этой области [1-12].

Управление свойствами полупроводников путем легирования их нужными примесями до заданных концентраций является основным технологическим приемом при создании любых приборов твердотельной электроники. Атомы примеси создают в запрещенной зоне полупроводника локальные уровни и служат либо поставщиками электронов или ловушками для них, либо центрами излучательной или безизлучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Именно контролируемое введение примесей позволяет в широких пределах менять электропроводность полупроводников, тип проводимости, время жизни неравновесных носителей, подвижность электронов и дырок. Примесные атомы вводятся на разных стадиях технологического процесса в объем слитков или слоев при их росте, в тонкие слои - так, чтобы сформировать нужные структуры. В настоящее время существует множество технологических методов; основные из них: введение примеси в расплав или газовую среду при получении кристаллов и пленок, диффузия примеси из поверхностных источников, внедрение примеси из пучка ускоренных ионов, создание требуемой примеси посредством ядерных превращений атомов вещества при облучении нейтронами и заряженными частицами.

Основные области применения облучения различными частицами в технологических целях: 1) у-кванты, электроны, быстрые нейтроны — направленное изменение параметров полупроводниковых материалов и приборов, имитация повреждений от космического излучения; 2) протоны — локальное введение дефектов с целью изменения оптических свойств материала и характеристик полупроводниковых структур; 3) другие ионы — ионное легирование, синтез, управление оптическими свойствами' материала; 4) медленные нейтроны - ядерное легирование.

Впервые эксперименты по ЯЛ полупроводникового материала проведены на германии, затем последовала очередь кремния и бинарных соединений [13].

В нашей стране практическую реализацию технология ЯЛ кремния получила около 50 лет тому назад на базе реактора ВВР-ц Филиала ФГУП РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" с последующим ее внедрением на ряде исследовательских и промышленных ядерных реакторов (Томск, Киев, Минск, ЛАЭС, ЧАЭС, САЭС и др.) [14 - 23]. Кроме кремния разработана технология ЯЛ арсенида галлия. Технология доведена до выпуска опытных партий пластин диаметром до 4 дюймов [24 - 36].

Применение метода ЯЛ в технологических целях предполагает управление составом образующихся дефектов, с одной стороны, и поиск путей оптимизации радиационного технологического процесса — с другой. Для этого требуется знать свойства радиационных дефектов, возникающих в материале при облучении, их трансформацию при последующей термообработке, характер их влияния на свойства материала. Необходимо уметь использовать установленные зависимости скоростей образования и отжига РД от различных внешних условий: исходного примесного и дефектного состава материала, параметров применяемого излучения (энергия, интенсивность, доза), температуры.

Выбор направления и объектов исследования обусловлен не только исключительно важной практической значимостью полупроводников в современном полупроводниковом приборостроении, но и высокими требованиями, предъявляемыми на мировом уровне к качеству и геометрическим размерам получаемых монокристаллов, а также широким применением радиационных технологий в материаловедении и современном приборостроении.

Знание и понимание физических процессов, происходящих в полупроводниковом материале после облучения реакторными нейтронами и термообработки, необходимы для: определения возможности ЯЛ и радиационного модифицирования свойств материалов; разработки и реализации на практике технологии ядерного' легирования и радиационного модифицирования свойств полупроводниковых соединений оценки радиационной стойкости и работоспособности материалов и приборов на их основе в жестких радиационных полях и в условиях космического пространства; создания материалов с требуемыми физическими и физико-химическими свойствами для микро- и наноэлектроники.

Цель работы - установление закономерностей протекания радиационно-физических процессов в монокристаллах нитрида галлия после облучения электронами, реакторными нейтронами и последующей термообработки, определение характера влияния излучения на свойства материала, оптимальных режимов облучения и отжига, являющихся основой для разработки технологии ядерного легирования нитрида галлия.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие основные задачи:

- разработать методику расчета количества смещенных атомов в ОаЫ при облучении в исследовательском ядерном реакторе с учетом вклада различных составляющих реакторного излучения (нейтроны, гамма-кванты, атомы отдачи);

- исследовать изменение электрофизических, структурных и емкостных параметров образцов ОаЫ с различной исходной концентрацией носителей заряда при облучении, как электронами, так и полным спектром реакторных нейронов, а также в процессе последующей термообработки;

- выяснить механизмы образования и отжига радиационных дефектов в образцах при облучении и последующей термообработке;

- выяснить влияние легирующей примеси в исходном состоянии на характер образования и отжига радиационных дефектов в .облученных монокристаллах ваИ;

- получить расчетную формулу для определения концентрации вводимых в результате ядерного легирования донорных примесей атомов германия в зависимости от флюенса тепловых нейтронов.

Научная новизна:

- проведен расчет значения концентрации вводимых в результате ядерного легирования донорных примесей Ое в КСе = К-Фт, К = 0.126 [см-1];

- впервые комплексно изучены электрофизические, структурные и емкостные свойства ОаЫ, облученного большими флюенсами реакторных

10 0 нейтронов (до 8-10 см" );

- экспериментально определена роль легирующей примеси в исходном состоянии на процесс образования и отжига радиационных дефектов в ОаТЧ;

- на основании исследования электрофизических и структурных характеристик выявлены следующие стадии отжига РД в облученном нитриде галлия - (100*300) °С, (300*700) °С, (700*1000) °С;

- методами РСГУ и адмиттанс-спектроскопии определены параметры глубоких уровней облученного нитрида галлия.

Практическая ценность:

- экспериментально определены условия облучения (плотность потока нейтронов, соотношение плотностей потоков тепловых и быстрых нейтронов, среда, температура), режимы последующей термообработки (температура, среда, скорости нагрева и охлаждения) и требования к исходному материалу (концентрация носителей заряда, структура) для разработки технологии ядерного легирования Оа]М;

- полученные в работе экспериментальные результаты имеют практическое значение для прогнозирования свойств материалов и приборов при эксплуатации в условиях повышенной радиации, в космическом пространстве и могут быть использованы как физические основы для дальнейшей разработки технологии ядерного легирования и радиационного модифицирования нитрида галлия на базе действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Корулин, Александр Викторович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведен численный анализ и расчет количества первичных радиационных дефектов, создаваемых в ОаЫ при облучении в реакторе ВВР-ц с учетом вклада быстрых и тепловых нейтронов, гамма-излучения и атомов отдачи. Показано, что основной вклад (85-95%) в создание радиационных дефектов, вносят быстрые нейтроны. Расчеты показывают, что суммарное количество смещенных атомов, возникающих в нитриде галлия в зависимости от полученного флюенса быстрых нейтронов при облучении в различных каналах, равно: N<1 « КгФБ (в канале активной зоны), « Кг-Фв (в периферийном канале), где К] = 340 [см-1], К2= 350 [см"1]. •

Получена расчетная формула, для-;определения концентрации вводимой в • результате ядерного легирования донорной примеси атомов германия в зависимости от флюенса тепловых нейтронов; для - нитрида! галлия:;

К-Фт, где К = 0.126 [см"1].

Экспериментально изучены зависимости электрофизических свойств Оа№ с различной исходной концентрацией носителей заряда: от флюенса нейтронов, электронов и последующей термообработки- Показано, что при облучении как электронами, так и полным спектром реакторных нейтронов; с ростом флюенса удельное электрическое сопротивление материала возрастает. В области „больших" доз материал имеет степень компенсации; близкую к I1, а уровень Ферми закреплен . вблизи Ее-0.8 эВ; При этом уменьшение удельного сопротивления1 материала при больших флюенсах нейтронов можно: связать с появлением прыжковой . проводимости носителей- заряда по состояниям радиационных дефектов в „переоблученном" материале, уровни которых расположены вблизи уровня Рнт. :

При термообработке облученного нейтронами и электронами (птх = 1.4-1017 см"3; Б=1018 см"2) нитрида галлия имеет место появление стадии "обратного" отжига. Поскольку сильно облученный полупроводник всегда является материалом со степенью компенсации, близкой к единице, то в процессе: отжига возможна его частичная раскомпенсация за счет различной температурной стабильности радиационных дефектов. Поэтому стадия "обратного" отжига- может быть обусловлена преимущественным отжигом радиационных дефектов донорного типа, уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны ОаТЧ выше уровня Ферми облученного материала. Отжиг таких доноров может приводить к "повторному" возрастанию удельного электросопротивления облученного материала в процессе отжига вблизи температур 300 — 400 °С.

Выявлены три стадии отжига РД: Г- 100^300 °С; II - 300-700 III -700-^-1000 °С. Термообработка облученных образцов.при температуре 1000 °С не приводит к полному восстановлению; периода кристаллической решётки и электрофизических свойств материала.

Экспериментально -выявлено, что наличие примесей в материале, независимо от способа их введения, влияет на характер образования и отжига радиационных дефектов; в облученных нейтронами и электронами эпитаксиальных пленках ОаЫ.

Экспериментально изучены зависимости структурных характеристик монокристаллов ваН (с исходной концентрацией; носителей заряда 10?5 см!3) и подложки А12Оз от флюенса полного спектра реакторных нейтронов и последующей термообработки. Показано, что с ростом потока, нейтронов постоянная решетки с нитрида галлия возрастает, достигая значения около

О. 1 д о

5.2084 А при Ф = 8-10 см", что составляет общий прирост периода решетки с . . 'О на элементарную ячейку ваИ около 0.0196 А (0.38%). Это заметно контрастирует со сравнительно малым увеличением периода решетки с подложки АГгОз, значение которого после облучения максимальным потоком нейтронов 8-10'9 см"2 составляет всего лишь 0.0087 А (0.07%). При этом параметр решетки а для ваИ и А1203 практически не изменяется (в пределах точности измерений) во всем исследованном диапазоне флюенсов реакторных нейтронов. Таким образом, характер изменения структурных параметров пленки и-баИ; на сапфире указывает на значительное "разбухание" кристалла вдоль оси с при практически неизменном параметре решетки а при облучении структуры «-GaN/Al203 (0001) полным спектром реакторных нейтронов.

Характер восстановления периода решетки с нитрида галлия для всех облученных нейтронами образцов GaN/Al203 качественно одинаков. Основные возвратные изменения величины Ас, до 2/3, происходят при относительно низких температурах нагрева, до ~400 °С, хотя период решетки продолжает восстанавливаться вплоть до 1000 °С, не достигая при этом исходного значения.

При облучении электронами параметры с и а GaN не изменяются даже после максимальной дозы облучения (1-1018 см"2).

Изменения электронных свойств «-GaN при облучении связано с захватом свободных электронов глубокими радиационными ловушками. Экспериментальные результаты, настоящих исследований выявляют широкий набор глубоких ловушек в запрещенной зоне облученного электронами и нейтронами «-GaN. Среди них можно отметить "мелкие" электронные ловушки: 0.06 эВ - предположительно доноры связанные с Vn [106], 0.15 эВ - известный дефект в GaN [104, 105], ловушки 0.25 эВ и 0.45 эВ - комплекс на основе мелких доноров и радиационных дефектов [109], ловушки 0.6 эВ и 0.8 эВ -донор' связанный с Ga, [104], ловушка, вблизи 1.0 эВ' — акцептор, предположительно связанный с Nj [104, 107, 109], а также дырочные ловушки с энергиями активации-0.3 эВ, 0.6 эВ, 0.8 эВ и 0.95 эВ в объеме эпитаксиальной пленки «-GaN. В интерфейсном «+-слое вблизи подложки сапфира выявлены дырочные ловушки с энергиями активации' 0.9-1.0 эВ, отличные от соответствующих ловушек пленочного «-GaN.

Спектр глубоких ловушек в «-GaN зависит от свойств исходного материала и дозы облучения. Природа наблюдаемых ловушек в большинстве случаев имеет предположительный характер вследствие неэффективности метода электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в GaN как и в других соединениях группы III-V.

Нейтронное легирование осуществимо в нитриде галлия для невысоких концентраций доноров порядка 1016 см"3. Концентрация доноров близка к расчётной, но и в этом случае введённые центры - это комплексы германия с радиационными дефектами, а не германий в позиции галлия [91]. Концентрация ГУ также остаётся повышенной; по сравнению с исходной даже после отжига при 1000 °С.

Нейтронное легирование на большие концентрации встречается с очень большими затруднениями, связанными со сложностью отжига радиационных нарушений.

На основании- полученных в работе результатовг можно сделать следующие основные выводы:

1. Проведен расчет количества дефектов, возникающих в нитриде галлия в зависимости; от флюенса быстрых нейтронов при облучении в реакторе, а также расчет значения концентрации; вводимых в результате ядерного легирования донорных примесей германия в зависимости от флюенса тепловых нейтронов: NGe — К-Фт, где К = 0.126 [см"1].

2. Изучены зависимрсти электрофизических свойств и-GaN с различной исходной концентрацией носителей заряда от флюенса нейтронов и-электронов, а также последующей термообработки; Показано, что при облучении удельное электрическое сопротивление n-GaN возрастает для обоих видов ¡облучения вследствие смещения, уровня Ферми, в предельное энергетическое положение F[im вблизи Ес - 0.8-0.9 эВ. Выявлены три стадии отжига РД: I - Ю0-К300 °С; II -300^-700 °G; III - 700-И000 °С. Термообработка облученных нейтронами образцов при температуре 1000 °С не приводит к полному восстановлению электрофизических свойств материала.

3. Выявлен широкий набор глубоких ловушек в запрещенной зоне облученного электронами и нейтронами и-GaN. Средш них можно отметить "мелкие" электронные ловушки: 0.06 эВ, 0.15 эВ, ловушки 0.25* эВ, 0.45 эВ, 0.6 эВ и 0.8 эВ, ловушка вблизи 1.0 эВ, а также дырочные ловушки с энергиями активации 0.3 эВ, 0.6 эВ, 0.8 эВ и 0.95 эВ.

4. Показано, что при облучении, с ростом флюенса нейтронов период решетки с GaN возрастает, при практически неизменном параметре а.

При облучении электронами параметры с и a GaN не изменяются даже после максимальной дозы облучения. Основные возвратные изменения величины Ас при термообработке облученного нейтронами GaN происходят при относительно низких температурах нагрева, до ~ 400 °С, хотя период решетки продолжает восстанавливаться вплоть до 1000 °С.

5. Экспериментально определена радиационная стойкость GaN, которая на порядок выше, чем для арсенида галлия, так что в разрабатываемых системах приборы на GaN не будут слабым звеном. Высокая радиационная стойкость позволяет рассматривать нитрид- галлия в качестве перспективного материала для создания радиационно-стойких систем.

6. Полученные в работе экспериментальные результаты имеют практическое значение для прогнозирования свойств нитрида галлия и приборов на его основе при эксплуатации в условиях повышенной» радиации, и могут быть использованы как физические основы для разработки технологии ядерного легирования и радиационного модифицирования нитрида галлия на базе действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов.

Наряду с HiF. КолнныМ'И автором диссертации в выполнении некоторых разделов работы от Филиала ФГУП" "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" принимали участие: к.ф.-м.н., с.н.с. Меркурисов Д.И., к.ф.-м.н., с.н.с. Бойко В.М., к.ф.-м.н., в.н.с. Кузьмин И.И., н.с. Кухто O.JL, к.ф.-м.н., вед. инженер Чевычелов В.А. Работы по измерению емкостных параметров и спектров глубоких уровней выполнялись в ОАО «ГИРЕДМЕТ» Смирновым Н.Б. и Говорковым A.B. под руководством к.ф.-м.н. Полякова А.Я. Считаю своим приятным долгом выразить всем им благодарность. Я признателен сотрудникам отдела радиационного и космического материаловедения неорганических материалов филиала ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" за полезные советы и содействие в работе. Я благодарен научному руководителю, заведующему отделом д.ф.-м.н. Колину Н.Г. - за предложение темы, совместную экспериментальную и творческую работу при его постоянном внимании и поддержке диссертанта.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Корулин, Александр Викторович, 2011 год

1. R.F. Davis, Z. Sitar, В.Е. Williams et al. Mater. Sci. and Eng. B. v. 1, n. 1, p. 77-104(1988).

2. R.F. Davis. Proc. IEEE. v. 79, n. 5, p. 702-712 (1991).

3. S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol. B. v. 10, n. 4, p. 1237-12661992).

4. T. Matsuoka. J. Cryst. Growth, v. 124, p. 433-438 (1992).

5. S. Strite, M.E. Lin, H. Morkoc. Thin Solid Films, v. 231, n. 1-2, p. 197-2081993).

6. H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao et al. J. Appl. Phys. v. 76. n. 3. p. 1363-13981994).

7. S.N. Mohammad, A.A. Salvador, H. Morkoc. Proc. IEEE. v. 83, n. 10, p. 1307-1355 (1995).

8. M. Razeghi, A. Rogalski. J. Appl. Phys. v. 79, n. 10, p. 7433-7455.

9. I. Akasaki, H. Amano. J. Cryst. Growth, v. 163, n. 1/2, p. 86-98 (1996).

10. Юнович А.Э. Светотехника. № 5/6, с. 2-7 (1996).

11. S. Nakamura, G. Fasol. The blue laser diodes GaN based light emitters and lasers. Berlin; Heidelberg et al.: Springer., p. 343 (1997).

12. I. Akasaki. J. Cryst. Growth, v. 195, p. 248-251 (1998).

13. Арсенид галлия в микроэлектронике. Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. Москва, "Мир", 1988 г. 555 с.

14. JI.C. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, "Наука", 1981 г. 181 с.

15. В.А. Харченко, С.П. Соловьев, И.Н. Воронов, И.И. Кузьмин, Б.В. Смирнов. Исследование методом травления дефектной структурыкремния, облученного быстрыми нейтронами. ФТП, т. 5, вып. 4, 730 (1971).

16. В.А. Харченко, С.П. Соловьев. Радиационное легирование кремния. Изв. АН СССР. Неорганич. матер., т. 7, № 12, 2137 (1971).

17. И.М. Греськов, О.Н. Ефимович, С.П. Соловьев, В.А. Харченко, В.Г. Шапиро. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами и быстрыми электронами. Физ. и химия обработки матер., №5,31 (1976).

18. В.Н. Мордкович, С.П. Соловьев, Э.М. Темпер, В.А. Харченко. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению и отжигу. ФТП, т. 8, вып. 1, 210 (1974).

19. И.М. Греськов, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. Влияние ростовых дефектов на изменение проводимости кремния, облученного нейтронами. ФТП, т. 11, вып. 8, 1598 (1977).

20. Г.М. Березина, Н.Ф. Каструбай, Н.Г. Колин, Л.И. Мурин, A.A. Стук. Дефекты в ядерно-легированном кремнии, облученном быстрыми электронами. Изв. Ан. СССР. Неорганические материалы, т. 24, №9, 1419(1988).

21. Н.Г. Колин, П.Ф. Лугаков, В.В. Лукьяница, A.A. Стук. Образование и отжиг радиационных дефектов в ядерно-легированном Si (Ge). Изв. ВУЗов СССР, серия Физика, № 11, 98 (1990).

22. Н.Г. Колин, С.П. Соловьев, A.A. Стук. Легирование полупроводников в ядерных реакторах. Известия вузов. Ядерная энергетика, №2-3, 98 (1994).

23. Н.Г. Колин, В.Н. Брудный, Д.И. Меркурисов, В.А. Новиков. Изменение спектров оптического поглощения ядерно-легированного GaAs при отжиге. ФТП, т. 35, вып. 6, 739 (2001).

24. Н.Г. Колин, Г.И. Айзетигаг, М.В. Ардышев, Д.И. Меркурисов, А.И. Потапов, О.П. Толбаков, С.С. Хлудков. Детекторы на основе радиационно-модифицированного. арсенида галлия, ж. Электронная промышленность, наука, технологии, изделия, 2/3; с. 69, 2002.

25. Н.Г. Колин, A.B. Марков, В.Б. Освенский, С.П. Соловьев, В.А. Харченко. Дефекты структуры в облученных монокристаллах арсенида галлия. Физ. ХОМ, №1,3 (1985).

26. JI.H. Колесник, Н.Г. Колин, A.M. Лошинский, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции. ФТП, т. 19, вып. 7, 1211 (1985).

27. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, В.В. Токаревский, В.А. Харченко, С.М. Иевлев. Свойства арсенида галлия легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне реактора. ФТП, т. 19, вып. 9, 1558 (1985).

28. Н.Г. Колин, В.Т. Бублик,' В.Б. Освенский, Н.И. Ярмолюк. Дефектообразование в ядерно-легированном арсениде галлия. Физ. ХОМ, №3,28 (1987).

29. Н.Г. Колин, Т.Н. Колоченко, В.М. Ломако. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 21, вып. 2, 327 (1987).

30. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Е.С. Юрова, И.М. .Юрьева. О природе формирования неоднородности в ядерно-легированных образцах GaAs и InAs. Физ. ХОМ, № 4, 4 (1987).

31. Р.И. Глорнозова, Л.И. Колесник, Н.Г. Колин, В.Б. Освенский. Поведение глубоких центров в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 22, вып. 3, 507 (1988).

32. Н.Г. Колин, JI.B. Куликова, В.В. Освенский. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах. ФТП, т. 22, вып. 6, 1025 (1988).

33. Ф.П. Коршулов, Н.Г. Колин, Н.А. Соболев, Е.А. Кудрявцева, Т.А. Прохоренко. Импульсный отжиг ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 22, вып. 10, 1850 (1988).

34. Н.Г. Колин, И.А. Королева, А.В. Марков, В.В. Освенский. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 24, вып. 1, 187 (1990).

35. В.Н. Брудный, Н.Г. Колин, В.В. Пешев, В.А. Новиков, А.И. Нойфех. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование . GaAs, облученного реакторными нейтронами. ФТП, т. 31, вып. 7, 811 (1997).

36. R.X. Wang, S.J. Xu, S. Fung, C.D. Beling, K. Wang, S. Li, Z.F. Wei, T.J. Zhou, J.D. Zhang, and Ying Huang. Micro-Raman and photoluminescence studies of neutron-irradiated gallium nitride epilayers. J. Appl. Phys., 87, p. 031906(2005).

37. P.X. Акчурин, А.А. Мармалюк. Нитрид галлия перспективный материал электронной техники. Часть I. Фундаментальные свойства нитрида галлия. УДК 537.311.33; 538.9.

38. Neugebauer J., Van de Walle C.G. // Phys. Rev. В., v. 50, n. 11, p. 80678070, 1994.

39. K. Kuriyama, M. Ooi, A. Onoue, K. Kushida, M. Okada and Q.Xu. Thermally stimulated current studies on neutron irradiation induced defects in GaN. Applied Physics Lett., vol. 88, 132109 (2006).

40. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S J. Pearton, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, Cheul-Ro Lee and In-Hwan Lee. Fast neutron irradiation effects in n-GaN. J. Vac. Sci. Technol. B 25(2), p. 436, Mar/Apr 2007.

41. E. Gaubas, K. Kazlauskas, J. Vaitkus and A. Zukauskas. Role of radiation defects in photoconductivity transients and photoluminescence spectra of epitaxial GaN layers. Phys. Stat. Sol. (c) 2, No. 7, 2429-2432 (2005).

42. W.H. Sun, J.C. Zhang, L. Dai, K.M. Chen and G.G. Qin. Gamma-ray irradiation effects on Fourier transform infrared grazing incidence reflection-absorption spectra GaN films. J. Phys.: Condens. Matter 13 (2001), pp. 5931-5936.

43. W.H. Sun, L.S. Wang, S.J. Chua, K.M. Chen and G.G. Qin. Local vibrational modes in Gamma-irradiated GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition. Material Science in Semiconductor Processing 4 (2001), pp. 559-562.

44. D.C. Look, G.C. Farlow, P.J. Drevinsky, D.F. Bliss, J.R. Sizelove, On the nitrogen vacancy in GaN, Applied Physics Lett., vol. 83, № 17, 23 October 2003.

45. K. Saarinen, T. Suski, I. Grzegory, D.C. Look. Thermal stability of isolated and complexed Ga vacancies in GaN bulk crystals. Phys. Rev. B, Vol. 64 (2001), p. 233201.

46. Qing Yang, Henning Feick, and Eicke R. Weber. Observation of a hydrogenic donor in the luminescence of electron-irradiated GaN. Applied Physics Lett., vol. 82, № 18, 5 May 2003.

47. O. Gelhausen, H.N. Klein, M.R. Phillips, E.M. Goldys. Low-energy electron-beam irradiation and yellow luminescence in activated Mg-doped GaN. Applied Physics Lett., vol. 83, № 16, 23 October 2003.

48. Leonid Chernyak, William Burdett, Mikhail Klimov, Andrei Osinsky. Cathodoluminescence studies of the electron injection-induced effects in GaN. Applied Physics Lett., vol. 82, № 21, 26 May 2003.

49. O. Lopatik-Tirpak, L. Chernyak, Y.L. Wang, F. Ren, S.J. Pearton, K. Gartsman, Y. Feldman. Cathodoluminescence studies of carrier concentration dependence for the electron-irradiation effects in p-GaN. Applied Physics Lett., vol. 90, 172111 (2007).

50. S.X. Li, R.E. Jones, E.E. Haller, K.M. Yu, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, Z. Liliental-Weber, Hai Lu and William J. Schaff. Photoluminescence of energetic particle-irradiated InxGaixN alloys. Applied Physics^ Lett., vol. 88, 151101 (2006).

51. A. Ionascut-Nedelcescu, C. Carlone, A. Houdayer, H.J. von Bardeleben, J.-L. Cantin, and S. Raymond. Radiation Hardness of Gallium Nitride. IEEE Transactions on nuclear science, vol. 49, No. 6, December 2002.

52. S.M. Khanna, J. Webb, H. Tang, A.J. Houdayer, and C. Carlone. 2-MeV proon radiation damage studies of gallium nitride films through low temperature photoluminescence spectroscopy measurements, IEEE Trans. Nucl. Sci., vol. 47, pp. 2322-2328, Dec. 2000.

53. F. Gaudreau, C. Carlone, A. Houdayer, and S.M. Khanna. Spectral properties of proton irradiated gallium nitride blue diodes, IEEE Trans. Nucl. Sci, vol. 48, pp. 1778-1784, Dec. 2001.

54. S.M. Khanna, F. Gaudreau, P. Fournier, C. Carlone, H. Tang, J. Webb and A. Houdayer, Effect of proton irradiation on the transport properties of a AlGaN/GaN 2-deg system, in Proc. NSREC 2002, PA-4.

55. D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky, J.R. Sizelove, R.L. Jones and R.J. Molnar, Defect donor and acceptor in GaN, Phys. Rev. Lett.,vol. 79, pp. 2273-2276, 1997.

56. B. Lehmann, M. Briere, D. Braunig and A.L. Barry, Displacement threshold energy in GaAs determined by electrical and optical investigation, in Proc. ESA Electronic Components Conf., Mar. 1991, pp. 287-292.

57. JI.C. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, "Наука", 1981 г. 181 с.

58. J.P. Grant. GaN Radiation Detectors for Particle Physics and Synchrotron Applications. Thesis for a Doctor's degree. University of Glasgow. 274 (2007).

59. А.Я. Нашельский. Производство полупроводниковых материалов. Москва, "Металлургия", 1989 г. 271 с.

60. Д.Ж. Хьюдж, Р.Б. Шварц. Атлас нейтронных .сечений. Изд-е 2-е, исправленное и дополненное, "Атомиздат", 1959 г. 373 с.

61. Дж. Дине, Дж. Винйард. Радиационные эффекты в твердых телах. Перевод с английского А.Х. Брегера под редакцией Г.С. Жданова. Москва, "Иностранная литература", 1960 г. 244 с.

62. Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Москва, "Атомиздат", 1971 г. 176 с.

63. Kinchin G.H., Pease R.S. The Displacement of Atoms in Solids by Radiation, Rep Progr. Phys., 18, 1 (1955) перевод: Усп. физич. Наук, 60, 590 (1956)].

64. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. Успехи физ. наук, т.99, вып.2, с. 247-296 (1969).

65. Т.М. Агаханян, Е.Р. Аствацатурьян, П.К. Скоробогатов. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. Москва, "Энергоатомиздат", 1989 г. 256 с.

66. К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Перевод с английского Г.И. Бабкина." Москва, "Атомиздат", .1979 г. 296 с.

67. М.А. Кумахов, Г. Ширмер. Атомные столкновения в кристаллах. Москва, "Атомиздат", 1980 г. 192 с.

68. Ф.Ф. Комаров, А.П. Новиков, B.C. Соловьев, С.Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск, "Университетское", 1990 г. 320 с.

69. Tetsuya Kawakubo. Electrical and Optical Properties of Neutron Irradiated GaAs and GaP Crystals. Annu. Rep. Res. Reactor Inst:, Kyoto Univ. Vol. 23, 97-123 (1990).

70. И.В. Меднис. Сечения ядерных реакций, применяемых в нейтронно-активационном анализе. Справочник, Рига, "Зинатне", 1991 г. 119 с.

71. Л.С. Смирнов, С.П. Соловьев, В.Ф. Стась, В.А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, "Наука", 1981 г. 181 с.

72. Физические величины: Справочник / А.П. Бабичев, Н.А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.; Под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. -М.; Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

73. У.А. Улманис. Радиационные явления в ферритах. Москва, "Энергоатомиздат", 1984 г. 160 с.

74. Varley F. Sears. Neutron scattering lengths and cross sections. Neutron News, Vol. 3, No. 3, 26 (1992).

75. О.И. Лейпунский, Б.В. Новожилов, B.H. Сахаров. Распределение гамма-квантов в веществе. М.: Государственное из-во физико-математической литературы. 1960 г. 207 с.

76. McKinly W.A., Feschbach H. Phys. Rev., Vol. 74, No. 12, 1759 (1948).

77. B.C. Вавилов, H.A. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, "Атомиздат", 1969 г. 312 с.

78. Kahn F. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 8, 1310 (1959).

79. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, Á.V. Govorkov et. Al. J. Vac. Sei. Technol. В., 25(2), p. 436 (2007).

80. B.H. Брудный. A.B. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП, 43 (10), с. 1312 (2009).

81. В.Н. Брудный, А.И. Потапов. ФТП, 35 (12), с. 1423 (2001).

82. Н.Г. Колин. Известия вузов. Физика. 6, с. 12 (2003).

83. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V.'Markov, S.J. Pearton, M.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, M. Slcowronskii, In-Hwan Lee, PhysicaB, 376-377, 523 (2006). .

84. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, S.J. Pearton, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko. J. Appl. Phys., 98, p. 033529-1 (2005).

85. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, V.M. Boiko, D.I. Merkurisov, S.J. Pearton J. Vac. Sei. Technol. В., 24(3), p. 1094 (2006).

86. V.M. Boyko, V.T. Bublik, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, K.D. Shcerbachev, M.I. Voronova. Physica B, 373, p. 82 (2006).

87. K. Kuriyama, T. Tokumasu, H. Sano, M. Okada. Solid State Communications, 131, p. 31 (2004).

88. H. Wang and A.B. Chen. J. Appl. Phys. 87, p. 7859 (2000).

89. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. JI.C. Смирнова. (Новосибирск, Наука СО, 1980, 294 с.

90. Брудный В.Н., Колин Н.Г., Смирнов Л.С. ФТП Т.41, №9, с. 1031-1040,(2007).

91. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. PhysicaB 348, 213 (2004).

92. B.H. Брудный, A.B. Кособуцкий, Н.Г. Колин. Известия вузов. Физика 51(12), 25 (2008).

93. B.H. Брудный, A.B. Кособуцкий, Н.Г. Колин. ФТП 43(10), 1312 (2009).

94. J.C. Marques, К. Lorenz, N. Franco, Е. Alives. Nucl. Instrum. Meth. В, 249 (1-2), 358 (2006).

95. I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen. Phys. Rev. B, 60 (11), 8147 (1999).

96. F. Gao, E.J. Bylaska, W.J. Weber. Phys. Rev. B, 70 (24), 245 208 (2004).

97. Cris G. Van de Walle, Jorg Neugebaer. J. Appl. Phys., 95 (8), 3851 (2004).

98. K.H. Chow, G.D. Watkins, Akira Usui, M. Mizuta. Phys. Rev. Lett., 85 (13), 2761 (2000).

99. B.M. Бойко, В.Т. Бублик, М.И. Воронова, Н.Г. Колин, Д.И. Меркурисов, К.Д. Щербачев. ФТП, 40 (6), 641 (2006).

100. М.А. Reschikov, Н. Morkoc, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005).'

101. L. Polenta, Z-Q. Fang, D.C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 2086 (2000).

102. S.A. Goodman, F.D. Auret, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart, Mat. Sci. & Engineering B71, 100 (2000).

103. D.C. Look, D.C. Reynolds, J.W. Hemsky, J.R. Sizelove, R.L. Jones, R.J. Molnar, Phys. Rev. Lett. 79 2273 (1997).

104. J. Neugebauer and C.G. Van de Walle, Phys. Rev. B50, 8067 (1994).

105. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, A.V. Markov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, K.D. Shcherbatchev, V.T. Bublik, M.I. Voronova, I-H. Lee, C.R. Lee, J. Appl. Phys. 100, 093715 (2006).

106. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, V.M. Boiko, A.V. Korulin, S.J. Pearton, J. Vac. Sci. Technol. B28, 608(2010).

107. С. Зи. Омические контакты. в кн. : Физика полупроводниковых приборов. Москва, "Мир", 1984 г. с. 318.

108. А.Н.Пихтин, В.А. Попов, Д.А. Яськов. Получение омических контактов к полупроводникам. ПТЭ, №2, 238 (1970).