Физические процессы в проводящих пленках металлодиэлектрических структур в волноводе тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат наук Арсеничев, Сергей Павлович

• Арсеничев, Сергей Павлович
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Арсеничев, Сергей Павлович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1 ОБОСНОВАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНКАХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР

1.1 Обоснование использования волноводных методов для исследования физических явлений в тонких проводящих пленках МДС

1.1.1 Методика исследования дифракционных характеристик с МДС в волноводном тракте

1.2 Соотношения, связывающие КСВ и ослабление с дифракционными характеристиками поля

1.3 Метод минимальных автономных блоков и основные положения пакета программ для расчета распределения тока в проводящих пленках МДС

1.4 Выводы по 1 -й главе

ГЛАВА 2 ДИФРАКЦИЯ В ВОЛНОВОДЕ НА МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ С ТОНКИМИ ПРОВОДЯЩИМИ ПЛЕНКАМИ

2.1 Панорамные исследования дифракционных характеристик МДС в волноводе

2.1.1 Зависимости дифракционных характеристик с МДС в волноводе от частоты ЭМП

2.1.2 Влияние материала пленки на дифракционные характеристики МДС в волноводе

2.1.3 Влияние материала подложки и способа напыления на дифракционные свойства МДС в волноводе

2.2 Влияние местоположения МДС в волноводе на дифракционные и резонансные характеристики

2.3 Распределения плотности тока в проводящих пленках МДС

2.4 Выводы по главе 2

ГЛАВА 3 ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ЭМП В НАНОМЕТРОВЫХ ПЛЕНКАХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР

3.1 Особенности структуры поверхностей нанометровых проводящих пленок МДС

3.2 Явление пространственного резонанса в нанометровых проводящих пленках

3.2.1 Влияние материала пленки МДС на оптические коэффициенты

3.2.2 Исследование влияния способа напыления на пространственный резонанс

3.2.3 Пространственный резонанс в нанометровых проводящих пленках в диапазоне частот от 3,0 до 25,5 ГГц

3.3 Экспериментальные исследования воздействия мощных электромагнитных полей на тонкие проводящие пленки МДС

3.3.1 Распределение удельных плотностей мощности в тонких пленках МДС

3.3.2 Воздействие мощных монохроматических СВЧ-полей на МДС в волноводе

3.3.3 Электротепловые и разрядные явления в проводящих пленках МДС на постоянном и переменном токе

3.4 Выводы по главе 3

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ

дБ - децибел

А - коэффициент ослабления ИМС - интегральные микросхемы КСВ - коэффициент стоячей волны

КФУ - Крымский федеральный университет имени В.И. Вернадского

МАБ - метод минимальных автономных блоков

МДС - металлодиэлектрические структуры

МСЭ - микроструктурные элементы

РЭА - радиоэлектронная аппаратура

СВЧ - сверхвысокая частота

ЭМП - электромагнитное поле

Б1пЕЕТ - новое направление в проектировании транзисторов Г - комплексный коэффициент отражения Е - вектор напряженности электрического поля

ЁПАД- комплексные значения напряженности электрического поля падающей волны

Е0тр- комплексные значения напряженности электрического поля отраженной волны

Рпад - мощность падающей волны РПРОШ - мощность прошедшей волны РОТР - мощность отраженной волны РПОГЛ - поглощенная мощность

Я - модуль относительной отраженной мощности Т - модуль относительной прошедшей мощности Ь - модуль относительной поглощенной мощности р - волновое сопротивление волновода Б - сечение канала

т - длительность импульса напряжения БВ - площадь поперечного сечения волновода Боб - площадь наибольшей грани объекта С+ - вектор падающих волны

С - вектор «отклика»

I - вектор, направленный вдоль электрической цепи ю - круговая частота о - удельная проводимость р - коэффициент отражения

в - электрическая проницаемость свободного пространства ^ - магнитная проницаемость свободного пространства в0, - электрическая постоянные ц0 - магнитная постоянные

Л - расстояние (глубина), на котором поле ослабляется в е раз

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические процессы в проводящих пленках металлодиэлектрических структур в волноводе»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. В настоящее время большое внимание уделяется работоспособности радиоэлектронной аппаратуры при воздействии электромагнитных полей (ЭМП), как специального так и природного происхождения. В современной аппаратуре обработка сигналов сосредоточена в интегральных микросхемах (ИМС), поэтому вопросы её надежного функционирования сводятся к исследованию физических явлений в ИМС при воздействии ЭМП.

Основой современной полупроводниковой электроники являются пленочные нанотехнологии. Так на сегодняшний день ведущие фирмы по производству ИМС смогли наладить производство с применением новых 14 и 16 нм FinFET-техпроцессов.

С учетом существующих тенденций развития полупроводниковой электроники естественными являются исследования стойкости нанометровых пленок к ЭМП. Физические явления в нанометровых проводящих пленках (толщиной менее 50 нм) при воздействии таких полей практически не исследованы экспериментально, отсутствует теория, описывающая процессы преобразования энергии электромагнитных и электрических полей в энергии, разрушающие эти пленки.

Тонкие проводящие пленки являются объектом внимания не только в полупроводниковой электронике, но и в области защиты радиотехнических устройств от воздействия внешних СВЧ-излучений.

Современные методы диагностики (электронные, туннельные, атомные микроскопы и т.д.) дают возможность провести детальные исследования свойства проводящих пленок.

Таким образом исследования физических явлений в нанометровых проводящих пленках при воздействии ЭМП являются актуальными и представляют интерес как для разработчиков ИМС так и для разработчиков радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

Вопросам надежности микроструктурных элементов полупроводниковой электроники и микросхем при воздействии (ЭМП) уделялось и уделяется большое внимание. В США и странах Западной Европы в качестве меры стойкости полупроводниковых приборов и составляющих их элементов используется критерий Вунша-Белла [1]. В основе данного критерия положена имитация воздействия: к полупроводниковому диоду, транзистору, металлизации и т.д. прикладывались напряжения и фиксировалось время, в течении которого прибор выходит из строя. В целом, данный критерий связывает удельную мощность, рассеиваемую током рабочего канала (Р^) и время выхода прибора из строя (т), т.е. Р/§ = Д(т). При такого рода имитации учитывается последняя стадия воздействия - работа прибора, элемента и т.д. в напряженном токовом и тепловом режимах, но не учитываются взаимная ориентация элемента цепи и поля (антенный механизм воздействия), возможность множественных путей развития пробоя и т.д. Наиболее полно подобный подход и результаты исследований изложены в монографии X Апйпопе. [2]. Различного рода исследования в данном направлении содержатся в работах [3 - 7]. Ежегодно проводятся международные конференции по ЭМИ, где рассматриваются вопросы воздействия ЭМП на электронную аппаратуру.

Из работ по воздействию ЭМП на электронную аппаратуру в России и СНГ необходимо отметить следующие [8 - 23].

Проводящие пленки являются объектом внимания не только в полупроводниковой электронике, но и в области экранирования изделий и радиотехнических устройств от воздействия внешних электромагнитных полей [24].

Физические явления в тонких проводящих пленках целесообразно исследовать с помощью металлодиэлектрических структур (МДС), представляющих собой диэлектрические подложки с нанесенными на их поверхность проводящими пленками. Свойства проводящих пленок существенно зависят от различных параметров, в частности, от их толщины и материала, которые определяет механизмы преобразования энергии электромагнитных полей в другие виды энергий. При толщинах проводящих пленок более 50 нм (условно) основным механизмом взаимодействия являются омические потери (скин-эффект), при этом происходит преобразование энергии электромагнитных полей в тепловую энергию. На развитие электротепловых процессов в проводящих пленках сильно влияет их пространственная и омическая неоднородность, в особенности это относится к контактным площадкам, прожог которых является основной причиной выхода из строя ИМС [2, 12].

Явления в нанометровых проводящих пленках (толщиной менее 50 нм) при воздействии электромагнитных полей практически не исследованы экспериментально и теоретически.

Явления сильного поглощения электромагнитных волн оптического диапазона в нанометровых пленках были известны еще в конце 19-го века. Феноменологическая теория подобного явления была разработана Вудом, Максвелл-Гарнетом и другими известными учеными [25, 26]. Проводящие пленки представлялись слоем коллоида с заполнением проводящими шариками [25, 26]. Данная теория качественно описывала дифракционные явления. Последующие теории сводились к увеличению количества слоев, т.е. к

увеличению количества варьируемых параметров, однако существенных прорывов в теории при таком подходе сделано не было [27 - 30].

Нанометровые проводящие пленки по своим характеристикам и структуре отличаются от пленок, у которых свойства близки к таковым для металлов в справочной литературе [31 - 40]. В публикациях при исследовании свойств нанометровых пленок, кроме работы [33], приводятся результаты исследований отражающих свойств пленок или их проводимости.

С учетом изложенного выше исследования физических процессов в проводящих пленках являются своевременными и представляют интерес в научном и прикладном аспектах.

Целью диссертационной работы являются теоретические и экспериментальные исследования физических явлений в тонких проводящих пленках при воздействии ЭМП.

Для достижения данной цели были решены следующие задачи:

- экспериментальные исследования по определению влияния материала и толщины пленок на коэффициенты отражения, прохождения и поглощения МДС в волноводе;

- исследования влияния местоположения МДС в волноводе на дифракционные характеристики, в частности, на резонансные явления системы «МДС-волновод»;

- исследования влияния параметров проводящих пленок и МДС на характеристики пространственного резонанса;

- исследования свойств пространственного резонанса в диапазоне частот от 3,0 до 25,5 ГГц;

- численный расчет интегральных дифракционных характеристик МДС в волноводе с использованием метода минимальных автономных блоков;

- разработка модели распределения плотностей токов в проводящих пленках МДС;

- исследования особенностей развития необратимых процессов и пробоя в нанометровых проводящих пленках при воздействии мощного СВЧ-излучения, постоянного и низкочастотного переменного напряжения;

- сравнительный анализ расчетных интегральных дифракционных характеристик МДС в волноводе с экспериментальными данными;

- обоснование физической модели пробоя тонких проводящих пленок МДС.

Научная новизна диссертационной работы определяется поставленными задачами и впервые полученными результатами:

1) Выявлено явление резонансного поглощения энергии электромагнитных волн нанометровыми проводящими пленками в диапазоне частот от 3,0 до 25,5 ГГц.

2) Определены значения толщин для нанометровых проводящих пленок, при которых происходит преобразование энергии ЭМП в акустическую энергию в диапазоне частот от 3,0 до 25,5 ГГц.

3) Обоснована возможность использования нанометровых проводящих пленок в качестве диапазонного поглощающего покрытия.

4) Исследованы влияния поляризационного фактора, способа напыления и материала пленок на пространственный резонанс.

5) Экспериментально исследованы резонансные свойства системы «МДС-волновод». Полученные данные совпадают с расчетами численной модели.

6) Проведены расчеты распределения плотности тока в металлизации МДС, которые позволяют объяснить динамику развития необратимых процессов и пробоя в пленках перпендикулярно вектору напряженности электрической компоненты ЭМП.

7) Проведены исследования физических процессов пробоя нанометровых проводящих пленок при воздействии мощного СВЧ-излучения, постоянного и низкочастотного переменного напряжений, на основании

которых установлен характер разрушения пленок и его зависимость от параметров МДС и воздействующего фактора.

Практическая значимость результатов работы, полученных в диссертации, заключается в определении значения толщин нанометровых проводящих пленок с преобразованием энергии ЭМП в акустическую, что представляет интерес как для разработчиков ИМС, так и для разработчиков РЭА. Предложено использовать нанометровые проводящие пленки в качестве поглощающего покрытия электронной аппаратуры от воздействия внешних СВЧ-излучений. Результаты исследований позволяют дать рекомендации по созданию диапазонных поглощающих покрытий с проводящими пленками нанометровых толщин. Показана возможность использования МДС, расположенной вблизи узкой стенки волновода, в качестве фильтров и аттенюаторов.

Методология и методы исследований.

Основными методами исследований являлись:

- экспериментальные исследования дифракционных характеристик электромагнитного поля в волноводном тракте с МДС панорамными измерителями;

- экспериментальные исследования необратимых процессов и пробоев нанометровых пленок МДС мощными ЭМП, постоянным и переменным низкочастотным напряжениями;

- методы компьютерного моделирования распределения плотностей тока в проводящих пленках МДС;

- численное моделирование интегральных дифракционных характеристик МДС в волноводе с использованием метода минимальных автономных блоков;

- сопоставление и анализ расчетных дифракционных характеристик с экспериментальными данными и результатами других авторов.

Теоретическая база включает законы распространения и поглощения электромагнитных волн, уравнения электродинамики.

Экспериментальная база включает стандартную измерительную аппаратуру, сканирующий зондовый микроскоп атомно-силовой микроскопии, специальную установку по воздействию мощных ЭМП на МДС, разработанную автором лично.

Основные положения, выносимые на защиту:

- приведены результаты экспериментальных исследований дифракционных характеристик поля с МДС в волноводном тракте;

- выявлено явление резонансного поглощения энергии электромагнитных волн нанометровыми проводящими пленками;

- получена связь толщины проводящей пленки с преобразованием энергии ЭМП в акустическую энергию;

- обоснована возможность создания диапазонных поглощающих покрытий с проводящими пленками нанометровых толщин;

- приведены результаты экспериментальных исследований по развитию необратимых процессов и пробою нанометровых проводящих пленок МДС мощными ЭМП в волноводе, постоянными и низкочастотными переменными напряжениями;

- получены распределения плотностей тока в проводящих пленках МДС и специфика пробоя при воздействии ЭМП;

- разработана физическая модель пробоя в тонких проводящих пленках МДС.

Личный вклад автора.

В процессе выполнения работы автором разработаны измерительные схемы для проведения экспериментальных исследований, изготовлена установка по воздействию мощных ЭМП на МДС. Получены

экспериментальные данные по дифракционным характеристикам поля с МДС в волноводе с использованием панорамных измерителей. Автором проведены исследования по пробою нанометровых проводящих пленок мощными ЭМП, постоянным и низкочастотным переменным напряжениями. С использованием численной компьютерной модели, автором были получены интегральные дифракционные характеристики МДС в волноводе и распределения плотности токов в проводящих пленках.

Достоверность результатов работы обеспечивается использованием стандартной измерительной аппаратуры. Математические модели и расчеты, использованные в ходе работы, базируются на апробированных математических и численных методах. Ряд численных результатов, полученных в настоящей работе, хорошо согласуются с данными, полученными экспериментально.

Апробация работы.

Основные результаты работы обсуждались и докладывались на:

- 21 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2011 г. (1 доклад);

- 22 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2012 г. (2 доклада);

- 23 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2013 г. (2 доклада);

- 24 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2014 г. (1 доклад);

- 25 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2015 г. (2 доклада);

- 26 Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Севастополь, 2016 г. (1 доклад).

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы 15 печатных работах, в том в журналах из перечня ВАК - 2 статьи, в журналах из перечня ВАК Украины (до 01 января 2015 г.) - 3 статьи, в наукометрической базе Scopus - 1 статья и 5 материалов конференций, 4 доклада на международных конференциях. Получены 4 патента Российской Федерации. Список публикаций приведен в конце автореферата.

Структура диссертационной работы.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованной литературы. Работа содержит 129 страниц, 92 рисунка, 1 таблицу и список использованной литературы из 106 наименований.

ГЛАВА 1 ОБОСНОВАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНКАХ МЕТАЛЛОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СТРУКТУР

На кафедре радиофизики и электроники КФУ им. В.И. Вернадского более 20 лет занимаются вопросами воздействия электромагнитных полей на интегральные микросхемы (ИМС) и их микроструктурные элементы (МСЭ). Под МСЭ микросхем понимаются активные полупроводниковые приборы и пассивные элементы - диэлектрические и проводящие пленки. При воздействии любого фактора на объект различают характеристики воздействующего фактора и объекта, механизм воздействия и результат воздействия - изменение характеристик объекта. Электромагнитное поле характеризуется плотностью потока мощности или, очень часто, напряженностью электрической компоненты поля. Считается, что при воздействии электромагнитных полей (ЭМП) на объект проявляется «антенный» механизм [11 - 23], суть которого

сводится к тому, что к проводящим структурам кристалла микросхемы и её

—> -> ^

выводам прикладывается дополнительное напряжение U = Е • I , где E -вектор

напряженности электрической компоненты воздействующего поля, - вектор, направленный вдоль электрической цепи, поэтому важной характеристикой ЭМП является поляризационный фактор. Можно связать значения напряженности электрической компоненты поля с пробоем микросхем, отдельных полупроводниковых приборов или МСЭ, включая металлизацию [20 - 23]. Для оценки стойкости полупроводниковых приборов используется критерий Вунша-Белла [1, 2]: Р/S = _/(х), где Р - мощность, рассеиваемая током,

проходящим через рабочий канал сечением S, т - длительность импульса питающего напряжения, при котором происходил отказ прибора. Но данный критерий не учитывает ряд факторов, в частности поляризационный (взаимную ориентацию цепи пробоя и поля), хотя он связывает мощность в импульсе, электротепловые возможности токового канала, длительность импульса и стойкость прибора или МСЭ. Критерий Вунша-Белла [1, 2] был установлен для полупроводниковых диодов: при пошаговом повышении напряжения питания фиксировалось время жизни прибора т. В дальнейшем данный подход был реализован для транзисторов и микросхем. Результаты исследований обобщены в монографии Дж. Антинона [2]. Для ИМС статистика выхода МСЭ из строя при имитации внешнего воздействия такова [2]: более 60% ИМС выходят из строя по причине «прожога» металлизации, 30% - вследствие отказа п/п приборов, 10% - по другим причинам. Из этих 60% более половины ИМС выходят из строя вследствие прожога контактных площадок. Эти статистические данные близки к полученным нами при воздействии на ИМС в волноводе [12]. Однако оценивать стойкость электронной аппаратуры по стойкости ИМС при воздействии ЭМП достаточно сложно: корпус прибора, подводящие проводники и т.д. могут на порядок и более изменить предельные значения воздействующих полей, при которых ИМС выходят из строя. Подобного рода исследования ИМС или МСЭ оправданы и имеют смысл, если они направлены на исследование физических процессов в них при напряженных токовых и тепловых режимах.

Из приведенного выше следует практическая значимость исследования физических процессов в проводящих пленках МДС. Наиболее удобным объектом для исследования физических процессов в проводящих пленках являются металлодиэлектрические структуры (МДС).

Исследования физических процессов в проводящих пленках актуальны не только в привязке к надежной работе электронных приборов, но и представляют

большой интерес как структуры, являющиеся перспективными для создания диапазонных поглощающих покрытий.

В данной главе приводится обоснование использования волноводных методов исследования дифракционных свойств МДС с проводящими пленками из различных металлов, приводится описание методики волноводных исследований дифракционных характеристик, а также численной модели, позволяющей исследовать дифракцию и распределение плотностей тока в проводящих пленках металлодиэлектрических структур.

1.1 Обоснование использования волноводных методов для исследования физических явлений в тонких проводящих пленках МДС

Исследовать свойства проводящих пленок в составе интегральных микросхем крайне сложно, особенно с наноструктурами. Поэтому для подобных исследований лучше использовать более простые объекты -металлодиэлектрические структуры, представляющие собой диэлектрическую подложку с нанесенным слоем проводника. При проведении исследований физических процессов в проводящих пленках выбран диапазон СВЧ. Это обусловлено тем, что в этом диапазоне, как правило, осуществляется преднамеренное воздействие на электронную аппаратуру, да и большинство ЭА работает на достаточно высоких частотах.

При проведении исследований как в свободном пространстве (безэховой камере), так и в волноводном тракте свои преимущества и недостатки. В свободном пространстве нет особых ограничений на размеры объектов, однако имеются сложности тестирования работоспособности объектов (подводящие проводники).

В волноводе необходимо, чтобы выполнялось условие SОБ/SВ << 1, где Боб - площадь наибольшей грани объекта, SВ - поперечное сечение волновода.

При использовании волноводных методов просто определяются коэффициенты отражения, поглощения и прохождения. В то же время найти подобные характеристики в безэховой камере довольно сложно. В случае использования волноводных методов достаточно просто производится верификации экспериментальных и расчетных данных (существует достаточно много пакетов программ и методов решения волноводных задач). Одной из важнейших характеристик проводящих пленок являются коэффициенты отражения, поглощения и прохождения, которые позволяют судить о физических явлениях в тонких пленках при воздействии ЭМП [33-35, 41-45]. С учетом этого для проведения соответствующих исследований предпочтительными являются волноводные методы.

1.1.1 Методика исследования дифракционных характеристик с МДС в

волноводном тракте

Исследования проводились на панорамных измерителях коэффициента стоячей волны (КСВ) и ослабления Р2-56 f= 3,0...4,0 ГГц), Р2-61 (8,15...12,05 ГГц) и Р2-66 (диапазон частот 17,5.25,5 ГГц).

МДС представляли собой структуры с подложкой из стекла или ситалла и тонкими пленками из алюминия, меди, нихрома и титана, нанесенными посредством магнетронного или ионного напыления. Толщина пленки определялась исходя из времени напыления. Поверхности подложек с проводящими пленками имели базовые размеры 18x18мм, 15x15мм или меньшие размеры. Основное количество измерений коэффициента стоячей волны (КСВ) и ослабления (А) для МДС в волноводе было проведено на стандартном панорамном измерителе Р2-56 (полоса частот f = 3,0.4,0 ГГц, волновод сечением 34x72 мм). МДС фиксировались в пенопластовой вставке в

одном из характерных положений в измерительной секции (рисунок 1.1). Общий вид установки с Р2-56 приведен на рисунке 1.2.

1 1

/

/

/

/

#

У

х-1

а Ь с

Рисунок 1.1 - Характерные ориентации МДС в волноводном тракте

Рисунок 1.2 - Общий вид установки на панорамном измерителе Р2-56 по измерению КСВ и ослабления А для МДС в волноводе

1.2 Соотношения, связывающие КСВ и ослабление с дифракционными

характеристиками поля

КСВ при измерениях определились по известным соотношениям [41-45]:

К

СВ

Е ЕПАД + Е ЕОТР

Е Е

ЕПАД ЕОТР

(1.1)

или

К

СВ

1+ г

1 - г

(1.2)

где Е и ЕОТР - комплексные значения напряженности электрического поля падающей и отраженной волн;

Г = Ёотр/ЁПАД - комплексный коэффициент отражения.

Поглощающие свойства неоднородностей в волноводе характеризуются с помощью ослабления [41 - 49]:

А = 10 • ^

Р„

пад .

(1.3)

прош у

где Рпад - мощность падающей волны; РПРОШ - мощность прошедшей волны. Следует отметить, что в панорамном измерителе на индикаторе выдается значение ослабление в виде А = Ю-^РпюЩР^д) - отрицательные значения ослабления. Это правильное определение ослабления, однако, для наглядности мы в дальнейшем будем использовать выражение (1.3) на графиках соответствующих зависимостей.

Для определения рабочих соотношений между волнами запишем выражение для КСВ в удобной для дальнейшей работы форме:

_ 1 + л/ ротр / -\/рпад

КСВ =

Е епад + Е ЕОТР 1 + Е ЕОТР / Е епад

Е ЕПАД — Е ЕОТР 1 — Е ЕОТР / Е епад

1 л/ротр/ч]^

(1.4)

ПАД

где РПАД - мощность падающей волны; РОТР - мощность отраженной

волны.

При записи выражения (1.4) учтено, что Р = а- Е , где а - коэффициент

пропорциональности (в случае волновода а = а - Ъ/4 - р, а и Ь - размеры широкой и узкой стенок волновода, р - волновое сопротивление волновода). При отношении мощностей отраженной и падающей волн коэффициенты а сокращаются.

Из соотношения (1.4) можно выразить отношение мощностей РОТР /Рпад через Ксв:

ротр = (КСВ ~ О (15)

РПАД (КСВ + 1)2

Из формулы для ослабления (1.3) найдем отношение мощности прошедшей волны к мощности падающей волны:

Р

Р прош 1 г>0,1а

Р

рпад

= 100,1А . (1.6)

Баланс мощностей при воздействии электромагнитных полей на ИМС записывается в виде [22, 23]:

РПАД = РОТР + РПОГЛ + РПРОШ, (1.7)

откуда

1 = РОТР/РПАД + РПОГЛ/ РПАД +РПРОШ/ РПАД

или

R + T + L = 1. (1.8)

Из (1.7), (1.8) следует

РОТр/РПАД = 1 _ РПОГл/РПАД _ РПРОш/РПАД (1.9)

и

РПОГл/РПАД = 1 _ РОТр/РПАД _ РПРОш/РПАД ■ (1.10)

Соотношения (1.7), (1.8) представляют собой выражения для закона сохранения мощностей. В (1.8) R = Ротр / Рпад, Т = Рпрош / Рпад и L = Рпогл /Рпад - модули относительных мощностей отраженной, прошедшей и поглощенной волн. В оптике их называют оптическими коэффициентами. Непосредственно вычисляются по измеренным значениям КСВ и А относительные мощности отраженной (И) и прошедшей (Т) волн. Значения относительной поглощенной мощности всегда вычисляются из баланса мощностей, т.е. из соотношений (1.8) или (1.10).

Используя соотношения (1.5) - (1.10), выразим отношение РпОГЛ /Рпад через КСВ и ослабление:

Рт

^ _ ПОГЛ

Р

рпад

1 _ 1001а (ксв 1)

(1.11)

(Ксв +1)2

Считая падающую мощность известной, а также зная значения КСВ и ослабления, можно найти значения мощностей отраженной, поглощенной и прошедшей волн. В панорамном измерителе коэффициент стоячей волны КСВ и ослабление А находятся по значениям отраженной и прошедшей волн в дальней зоне.

При воздействии мощных СВЧ-полей на МДС в волноводе и, зная мощность падающей волны, можно воспользоваться соотношениями (1.5), (1.6) и (1.10) для нахождения мощностей падающей, отраженной и поглощенной волн. Однако чаще используется схема волноводных исследований при воздействии мощных ЭМП на объекты, когда конечным элементом тракта установки является калориметрическая секция ваттметра, которая одновременно служит согласованной нагрузкой. В этом случае значения падающей, отраженной и поглощенной мощностей находятся по измеренным значениям прошедшей мощности:

Рпад = 10_0,1'А • РПРОШ , (1.11)

Р = 10_01А (Ксв _1) Р (1 12)

РОТР 10 \2 РПРОШ, (1.12)

^СВ

Р

Р ПОГЛ

(Ксв +1)2

( (тг Л2 \

РПРОШ. (113)

(Ксв _ 1)2

10_0'1А ^ СВ

v (ксв ' v у

(Ксв +1)2

Напряженность электрического поля в прямоугольном волноводе в приближении основной волны можно определить по следующему соотношению [41-45]:

Е = Ж • ^ = 92^(Т/ги) • Рпщ (В/м), (1.14)

V1 _ (Члкр)

где а, Ь - поперечные размеры волновода;

Т - период огибающей радиоимпульса;

тИ - длительность радиоимпульса;

X - длина волны радиочастоты;

Хр - критическая длина волновода;

в0, ц0 - электрическая и магнитная постоянные;

РПАД - средняя мощность падающей волны.

Напряженность электрической компоненты поля падающей волны, при известных значениях ослабления А и значениях мощности прошедшей волны (измеренной ваттметром) находятся из следующего соотношения:

Еп = 92фУГ) •10_0'1А • РпроШ . (1.15)

Нахождение коэффициента стоячей волны КСВ и ослабления А по существу решает дифракционную задачу для МДС в волноводе, так как с помощью КСВ и А и соотношений (1.5) - (1.10) находятся R = Ротр/Рпад, Т = Рпрош/Рпад и L = Рпогл/Рпад - модули относительных мощностей отраженной, прошедшей и поглощенной волн.

Достоверность и обоснованность результатов исследований обеспечивается использованием стандартной измерительной аппаратуры. Математические модели и расчеты, использованные в ходе работы, базируются на апробированных методиках и численных методах. Часть численных результатов, полученных в настоящей работе, хорошо согласуются с данными, полученными экспериментально. Некоторые расхождения в этих данных объясняются погрешностью, заложенной в аппаратуре: так диапазон измерений КСВ Р2-56 составляет от 1,05 до 5, а диапазон измерения ослабления от 0 до 35 дБ. Допустимая погрешность измерений зависит от значений измеряемых параметров и составляет:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Арсеничев, Сергей Павлович, 2017 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Wunsch D. C. Determination Of Threshold Failure Of Semiconductor Diodes And Transistors Due To Pullse Voltages / D. C. Wunsch and R.R Bell // IEEE Trans. -1968. - Vol. NS-15, № 6. - P. 244-259.

2. Antinone J. Electrical Overstress Protection for Electronic Devices / J. Antinone.

- New York : издательство,1986. - 387 p.

3. Dwyer V. M. Electromagnetic discharge thermal failure in semiconductor devices / V. M. Dwyer, A. J. Franklin, A. J. Campbell // IEEE Trans. on Electr. Dev. -1990. - Vol. 37, № 11. - P. 2381-2387.

4. Jenkins C. R. EMP susceptibility of integrated circuits /C. R. Jenkins, D. L Durgin // IEEE Trans. - 1975. - Vol. NS-22, № 6. - P. 2494-2499.

5. Antinone R. J. HPM Testing of Electronic Components / R. J. Antinone ; Technical Report UCID-21687, Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, 94551. - Washington DC (USA) : - 1990. - P. 542-549.

6. Wong K. L. Effects of electromagnetic interference for electromagnetic pulses incident on microstrip circuits / K. L.Wong // IEEE Proceedings. - 1990. -Vol.137, № 1. - P. 75-77.

7. Wunsch-Bell Criteria Dependence for Si and GaAs Schottky-Barrier Field-Effect Transistors / G. I. Churyumov [et al.] ; S.A. Zuev // EUROEM 2008. European Electromagnetics: Swiss Federal Institute of Technology (EPFL), Lausanne, Switzerland. - Book of Abstracts, - 2008 . - Р. 38-39.

8. Чернышев А. А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. А. Чернышев. - Москва : Радио и связь, 1988.

- 256 с.

9. Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств и систем / В. И. Владимиров, А. А. Докторов и др. ; под ред. Н. М. Царькова. - Москва : Радио и связь, 1985. - 272 с.

10. Электромагнитное экранирование : монография / Д. Н. Шапиро -Долгопрудный : Издат. дом «Интеллект», 2010. - 120 с.

11. Кравченко В. И. Электромагнитное оружие / В. И. Кравченко. - Харьков : ХНТУ ХПИ, 2008. - 344 с.

12. Воздействие электромагнитных полей на интегральные микросхемы / В. В. Старостенко [и др.] // Измерительная техника. - 1998. - № 4. - С. 6567.

13. Генерация мощного импульсного СВЧ излучения и его воздействие на электронные приборы / С. П. Блудов [и др.] // Физика плазмы. - 1994. - Т. 20, № 7/8. - С. 643-647.

14. Гадецкий Н. П. Исследование воздействия электромагнитных излучений ультракороткой длительности импульса на радиоэлектронную аппаратуру СВЧ диапазона // Материалы 6-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» : труды конф. (6; 1996 г.; Севастополь). - Севастополь, 1996. - С. 441-446.

15. Влияние поляризации электромагнитной волны на соотношение между волнами при воздействии на интегральные микросхемы / В. В. Старостенко [и др.] // Радиоэлектроника и информатика. - 2002. - Вып. 129. - С.107-110.

16. Поле в ближней зоне микросхемы при воздействии на нее электромагнитной волной в волноводе / В. В. Старостенко [и др.] // Письма в Журнал технической физики. - 2003. - Т. 29, вып.1. - С. 62-68.

17. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и микросхемы / В. В. Антипин [и др.] // Зарубежная радиоэлектроника. - 1995. - Вып.1. - С. 37-53.

18. Исследование воздействия мощного импульсного СВЧ-излучения на GaAs цифровые интегральные схемы / Д. В. Громов [и др.] // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2000» : тезисы докл. российской научн. конф. - Москва, 2000. - Вып. З. - С.105-107.

19. Бадалов А. Л. Нормы на параметры электромагнитной совместимости радиоэлектронных средств : справочник / А. Л. Бадалов, А. С. Михайлов. -Москва : Радио и связь, 1990. - 272 с.

20. Горлов М. И. Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру / М. И. Горлов, А.В. Андреев, И. В. Воронцов. - Воронеж : Изд-во ВГУ, 1997. - 158 с.

21. Вольдман С. Громоотводы для наноэлектроники / С. Вольдман // В мире науки. Компьютеры. - 2003. - № 2. - С. 5-12.

22. Васильев К. В. Наводки в радиоэлектронных цепях в интенсивном электромагнитном поле / К. В. Васильев, А. В. Ключник, А. Р. Солодов // Материалы докладов 1 0-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (10; 2000 г.; Севастополь). -Севастополь, 1996. - С. 480-481.

23. Магда И. И. Стендовая база для испытаний радиоэлектронной аппаратуры на электромагнитную совместимость и стойкость к излучениям сверхкороткой длительности / И. И. Магда // Материалы докладов 17-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». - Севастополь, 2007. - С. 626-629.

24. Воробьев Е.А. Экранирование СВЧ конструкций / Е. А. Воробьев. - Москва : Сов. радио, 1979. - 137 с.

25. Wood R. W. Philosophical Magazine. -1902. - Vol. 3. - Р. 396; - 1902. - Vol.4. -Р.492; - 1903. - Vol.6. - Р.292; Proceedings of the Physical Society - 1902. -Vol.18A. - Р.166, - Р.276; - 1903. - Vol.19A. - Р.515.

26. Maxwell-Garnett. Phil. Trans. Roy. Soc. - 1904. - 203A. - Р. 385; - 1906, - 205A, - Р. 237.

27. Розенберг Г. В. Оптика тонкослойных покрытий / Г. В. Розенберг. - Mосква : Физматгиз, 1958. - 570 с.

28. Розенберг Г. В. Mноголучевая интерферометрия и интерференционные светофильтры / Г. В. Розенберг // Успехи физических наук. - 1952. - XLVII, вып.1. - С. 5- 50.

29. Розенберг Г. В. Вектор-параметр Стокса / Г. В. Розенберг // Успехи физических наук. - 1955. - Т. 56, № 1. - С. 77-110

30. Розенберг Г. В. Современное состояние теории оптических свойств полупрозрачных металлических покрытий / Г. В. Розенберг // Успехи физических наук. - 1956. - LVIII, вып. 3. - С. 487-518.

31. Бреховских Л. M. Волны в слоистых средах / Л. M. Бреховских. - Mосква : Наука, 1973. - 343 с.

32. Быков Ю. А. О некоторых особенностях структуры и свойств металлических "тонких" плёнок / Ю. А. Быков, С. Д. Карпухин, Е. И. Газукина // MиТОM. -2000. - № 6. - С. 45-47.

33. Вдовин В. А. Нанометровые металлические пленки в датчиках мощных СВЧ импульсов / В. А. Вдовин // Mатериалы III Всероссийской конференции «Радиолокация и радиосвязь». - ИРЭ РАН, 26-30 октября 2009 г. - С. 832835.

34. Metal Based Thin Films for Electronics / Ed. K. Wetzig, C. M. Shneiker. Ch.2. Thin Films System: Basic Aspects. Wiley - VCX, 2003. - 378 p.

35. Thin Solid Films / I. H. Kazi [at al.] - 2003. - Vol. 433. - P. 337-343.

36. Особенности наноструктур и удельной проводимости тонких пленок различных металлов / И. В. Антонец [и др.] // Журнал технической физики. -2004. - Т. 74, вып. 3. - С. 24-27.

37. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок / И. В. Антонец [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, вып.11. - С. 102-106.

38. Механизмы воздействия электромагнитных полей на проводящие пленочные структуры [Электронный ресурс] / С. П. Арсеничев [и др.] // Журнал радиоэлектроники. - 2014. - № 5. - Режим доступа : http://jre.cplire.rU/jre/may14/4/text.html - Загл. с экрана.

39. Антонец И. В. Распространение волн через тонкие слои и пленки / И. В. Антонец, В. И. Щеглов. - Сыктывкар : Изд-во Сыктывкарского гос. унта, 2010. - С. 132.

40. Проводящие и отражающие свойства пленок нанометровых толщин из различных металлов / И. В. Антонец [и др.] // Радиотехника и электроника. -2006. - Т. 51, № 12. - С. 1394-1401.

41. Кураев А. А. Электродинамика и распространение радиоволн / А. А. Кураев, Т. Л. Попкова, А. К. Синицын. - Минск : Бестпринт, 2004. - 378 с.

42. Лебедев И. В. Техника и приборы СВЧ. Т. 1 / И. В. Лебедев. - Техника сверхвысоких частот. - Москва : Высшая школа, 1970. - 440 с.

43. Винокуров В. И. Электрорадиоизмерения / В. И. Винокуров, С. И. Каплин, И. Г. Петелин. - Москва : Высшая школа, 1996. - 351.

44. Григорьев А. Д. Электродинамика и техника СВЧ. - Москва : Высшая школа, 1990. - 335 с.

45. Заргано Г. Ф. Волноводы сложных сечений / Г. Ф. Заргано [и др.]. - Москва : Радио и связь, 1986. - 124 с.

46. Богданов Ф. Г. Дифракция волны Н10 на симметричных диэлектрических стержнях конечной длины / Ф. Г. Богданов // Известия вузов СССР. Серия Радиофизика. - 1983. - Т. 26, № 2. - С. 246-250.

47. Резонансно-дифракционные свойства диэлектрического параллелепипеда в прямоугольном волноводе / В. В. Глазун [и др.] // Известия вузов. Радиофизика. - 1986. - Т. 26, № 12. - С. 1509-1511.

48. Бондарев В. П. Рассеяние электромагнитных волн на пластине с изменяющейся диэлектрической проницаемостью, расположенной в волноводе / В. П. Бондарев, С. С. Самойлик // Математическое моделирование. - 2008. - Т. 20, № 2. - С.122-128.

49. Панорамные измерители КСВ и ослабления Р2-56, Р2-61 Р2-66: Инструкции по эксплуатации.

50. Лисицын Б. М. Проекционные и проекционно-сеточные методы / Б. М. Лисицын. - Киев : Высшая школа, 1991. - 170.с.

51. Никольский В. В. Вариационные методы для внутренних задач электродинамики / В. В. Никольский. - Москва : Наука, 1967. - 460 с.

52. Вычислительные методы в электродинамике / под. ред. Р. Митры. - Москва : Мир, 1977. - 485 с.

53. Стренг Г. Теория методов конечных элементов / Г. Стренг, Дж. Фикс ; пер. с англ. - Москва : Мир, 1980. - 348 с.

54. Волков Е. А. Численные методы / Е. А. Волков. - Москва : Наука, 1987. -248 с.

55. Писсанецки С. Технология разреженных матриц / С. Писсанецки ; пер. с англ. - Москва : Мир, 1988. - 410 с.

56. Albani M. A numerical method based on the discretization of Maxwell equations in integral form / M. Albani, P. Bernardi // IEEE Trans. - 1974. - Vol. 22, № 4. -P. 446-449.

57. Марчук Г. И. Введение в проекционно-сеточные методы / Г. И. Марчук, В. И. Агошков. - Москва : Наука, 1981. - ...с.

58. Никольский В. В. Декомпозиционный подход к задачам электродинамики / В. В. Никольский, Т. И. Никольская. - Москва : Наука, 1983. - 304 с.

59. Hahn W. C. A new method for the calculation of cavitty resonators / W. C. Hahn // J. Appl. Phys. - 1941. - Vol. 12, № 1. - P. 62-68.

60. Никольский В.В. Метод минимальных автономных блоков и его реализация для волноводных задач дифракции / В. В. Никольский, Т. И. Лаврова // Радиотехника и электроника. - 1978. - Т. 23, № 2. - С. 241-251.

61. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ / под. ред. В. В. Никольского. - Москва : Радио и связь, 1982. - 272.с.

62. Самарский А. А. Теория разностных схем / А. А. Самарский. - Москва : Наука, 1977. -656 с.

63. Малишевский С. В. Использование «сенсорных датчиков» для численного решения задачи дифракции электромагнитных полей на металлодиэлектрических неоднородностях в волноводе / С. В. Малишевский, В. В. Старостенко, Е. П. Таран // Вестник ХНУ. Радиофизика и электроника. - 2002. - Вып. 570. - С. 146-149.

64. Никольский В. В. Электродинамика и распространение радиоволн / В. В. Никольский, Т. И. Никольская. - Москва : Наука, 1989. - 288 с.

65. Гольдштейн Л. Д. Электромагнитные поля и волны / Л. Д. Гольдштейн, Н. В. Зернов. - Москва : Советское радио, 1971. - 664 с.

66. Баскаков С. И. Основы электродинамики / С. И. Баскаков. - Москва : Советское радио, 1973. - 248 с.

67. CST STUDIO SUITE - моделирование и измерения [Электронный ресурс]. -Режим доступа : https://www.youtube.com/watch?v=1-VaUuMSRJ0.- Загл. с экрана.

68. Дифракция на металлодиэлектрических структурах в волноводе / Н. И. Слипченко [и др.] // Радиотехника. - 2012. - № 168. - С. 113-119.

69. Ерюхин А.В. Основы вакуумных измерений / А. В. Ерюхин. - Москва : Машиностроение, 1977. - С. 40.

70. Технология тонких пленок .Т. 1 : справочник / под ред.: Л. Майссела, Р. Глэнга. - Москва : Советское радио, 1977. - 664 с.

71. Данилин Б. С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин, В. К. Сыргин. - Москва : Радио и связь, 1982. - 72 с.

72. Кеменов В. Н. Вакуумная техника и технология / В. Н. Кеменов, С. Б. Нестеров. - Москва : Издательство МЭИ, 2002. - 84 с.

73. Палатник Л. С. Структура и свойства конденсированных плёнок / Л. С. Палатник // Структура и свойства металлических плёнок : сборник ст. -Киев : Наукова думка, 1966. - С. 4-9.

74. Борзяк П. Г. Электронные процессы в островковых металлических плёнках. / П. Г. Борзяк, Ю. А. Кулюпин. - Киев : Наукова думка, 1980. - 240 с.

75. Карпухин С. Д. Сканирующая туннельная микроскопия. Аппаратура, принцип работы, применение / С. Д. Карпухин, Ю. А. Быков, М. А. Щёкотов. - Москва : МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1999. - 25 с.

76. Анциферов В. Н. Порошковая металлургия и напыление покрытий : учебник для вузов / В. Н. Анциферов, Г. В. Бобров, Л. К. Дружинин. - Москва : Металлургия, 1987. - 792 с.

77. Точицкий Т. А. Влияние подложки на формирование структуры переходных слоёв в электролитических плёнках никеля / Т. А. Точицкий // Поверхность. - 1998. - № 10. - С. 68-72.

78. Арсеничев С.П. Экспериментальное исследование дифракционных свойств тонких проводящих пленок в волноводе / С. П. Арсеничев [и др.] // Радиотехника. - 2013. - Вып. 175. - С. 82-88.

79. Arsenichev S.P. Experimental research of diffraction properties of thin conducting films in a waveguide / S. P. Arsenichev [et al.] // Telecommunications and radioengineering. - 2014. - Vol. 73, № 14. - P. 1241-1250.

80. Арсеничев С.П. Механизмы воздействия электромагнитных полей на проводящие пленочные структуры микросхем [Электронный ресурс] / С. П. Арсеничев [и др.] // Журнал радиоэлектроники. - 2014. - № 5. - С. 1-11. -Режим доступа : http://jre.cpHre.ru/jre/may 14/4/text.html. - Загл. с экрана.

81. Арсеничев С.П. Резонансные свойства металлодиэлектрической пластины в волноводе / С. П. Арсеничев [и др.] // Радиотехника. - 2012. - Вып. 70. -С.149-153.

82. Арсеничев С.П. Электротепловые процессы в проводящих пленках металлодиэлектрических структур при воздействии мощных электромагнитных полей / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы докладов 21-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2011) (21; 2011 г.; Севастополь). - Севастополь. -2011. - Т. 2. - С. 863-864.

83. Арсеничев С.П. Распределение токов при дифракции на металлодиэлектрических структурах в волноводе / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы 22-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2012) (22; 2012 г.; Севастополь). - Севастополь, 2012. - С. 518-519.

84. Арсеничев С.П. Волноводный фильтр на металлодиэлектрической пластине / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы 22-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2012) (22; 2012 г.; Севастополь). - Севастополь, 2012. - С. 541-542.

85. Таран Е.П. Модель тепловых процессов в пространственно-неоднородных пленочных структурах при воздействии электромагнитного излучения СВЧ -диаппазона / Е. П. Таран [и др.] // Материалы 23-й Междунар. крымской

конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2013) (23; 2013 г.; Севастополь). - Севастополь, 2013. - С. 920921.

86. Таран Е.П. Модель дифракции электромагнитных полей на пространственно-неоднородных пленочных структурах при воздействии электромагнитных полей СВЧ-диапазона / Е. П. Таран [и др.] // Материалы 23-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2013) (23; 2013 г.; Севастополь). - Севастополь,

2013. - Т. 2. - С. 916- 917.

87. Арсеничев С.П. Особенности деградационных процессов в нанометровых пленочных проводящих структурах при воздействии мощных электромагнитных полей / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы 24-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2014) (24; 2014 г.; Севастополь). - Севастополь,

2014. - С. 1087-1088.

88. Арсеничев С.П. Преобразование энергии электрического поля в энергию акустических волн в нанометровых проводящих пленках / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы 25-й Междунар. крымской конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2015) (25; 2015 г.; Севастополь). - Севастополь, 2015. - С. 844-845.

89. Старостенко В. В. Способ и устройство для визуализации электротепловых процессов в металлодиэлектрической структуре / В. В. Старостенко [и др.] // Материалы 25-й Междунар. крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2015) (25; 2015 г.; Севастополь). - Севастополь, 2015. - С. 838 -839.

90. Арсеничев С.П. Влияние технологических факторов на характеристики нанометровых проводящих пленок / С. П. Арсеничев [и др.] // Материалы 26-й Междунар. крымской конф. "СВЧ-техника и телекоммуникационные

технологии" (КрыМиКо'2016) (26; 2016 г.; Севастополь). - Севастополь, 2016 . - С. 1786 -1791.

91. Пат. 150124 Российская Федерация, МПК H04N1/00, G03B41/00. Устройство для визуализации электротепловых процессов в пленочных металлодиэлектрических структурах / Полетаев Д. А., Шадрин А. А., Таран Е. П., Арсеничев С. П. ; заявитель и патентообладатель Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского. - № 2014149438/93 ; заявл. 08.10.2014 ; опубл. 27.01.2015, Бюл. № 3.

92. Пат. 150123 Российская Федерация, МПК G01R19/00, G01R33/00. Устройство для измерения токов на поверхности пленочной металлодиэлектрической структуры при воздействии мощных электромагнитных полей / Таран Е. П., Шадрин А. А., Арсеничев С. П., Полетаев Д. А. ; заявитель и патентообладатель Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского. - № 2014149436/93 ; заявл. 08.10.2014 ; опубл. 27.01.2015, Бюл. № 3.

93. Пат. 150127 Российская Федерация, МПК H01P1/20. СВЧ фильтр / Таран Е. П., Шадрин А. А., Арсеничев С. П., Полетаев Д. А., Григорьев Е. В., Глумова М. В. ; заявитель и патентообладатель Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского. - № 2014149443/93 ; заявл. 08.10.2014 ; опубл. 27.01.2015, Бюл. № 3.

94. Пат. 150138 Российская Федерация, МПК H01P1/20. Сверхвысокочастотный аттенюатор / Таран Е. П., Шадрин А. А., Арсеничев С. П., Полетаев Д. А., Григорьев Е. В., Глумова М. В. ; заявитель и патентообладатель Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского. - № 2014150194/93 ; заявл. 08.10.2014 ; опубл. 27.01.2015, Бюл. № 3.

95. Курушин А.А., Пластиков А.Н. Проектирование СВЧ устройств в среде CST Microwave Studio / А.А. Курушин, А.Н. Пластиков - М. Издательство МЭИ, - 2011 , - 155 с.

96. Слипченко Н. И. Необратимые процессы в проводящих пленках металлодиэлектрических структур при воздействии мощных электромагнитных полей / Н. И. Слипченко, В. В. Старостенко, Е. П. Таран // Радиотехника. - 2011. - Вып. 167. - С. 209-216.

97. Емельянов О. Е. Локальное разрушение тонких металлических пленок при электродинамических нагрузках / О. Е. Емельянов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, вып. 7. - С. 48-56.

98. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл-полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения / Усанов Д. А. [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, вып. 5. - С. 112-117.

99. Резонансное отражение электромагнитного излучения от структур с нанометровыми металлическими слоями / Усанов Д. А. [и др.] // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2006 - Т. 9, № 3. -С. 59-63.

100. Dielectric, ferroelectric, magnetic, and magnetoelectric properties of multiferroic laminated composites / N. Cai [et al.] // Physical Review B. - 2003. -Vol. 68. - ID. 224103.

101. (95) Состав, структура и свойства наноструктурных плёнок боридов тантала / А. А. Гончаров [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, № 10. - С. 87-90.

102. Cochrana, J. F. Ferromagnetic resonance in very thin films / J. F. Cochrana, V. Kambersky // Journal of Magnetism, and Magnetic Materials. - 2006. - Vol. 302. - P. 348-361.

103. Бучельников В. Д.. Коэффициент отражения электромагнитных волн от поверхности пластины феррита кубической симметрии / В. Д. Бучелвников, А. В. Бабушкин, И. В. Бычков // Физика твердого тела. - 2003. - Т. 45, № 4. -С. 663-672.

104. Миронов В. Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии : учебное пособие для студентов старших курсов высших учебных заведений / В. Л. Миронов ; Институт физики микроструктур РАН. - Н. Новгород, - 2004. -114 с.

105. Арсеничев, С.П. Дифракция электромагнитного излучения на тонких проводящих пленках металлодиэлектрических структур в прямоугольном волноводе // С.П. Арсеничев, Е.В. Григорьев, С.А. Зуев,, В.В. Старостенко, Е.П. Таран, И.Ш. Фитаев. - Электромагнитные волны и электронные системы, - 2017 г., - т. 22, № 2. - С.48-53.

106. Зверев Б. В. Электродинамические характеристики ускоряющих резонаторов / Б. В. Зверев, Н. П. Собенин. - Москва : Энергоатомиздат, 1993. - 240 с.