Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, доктор технических наук Драгунов, Валерий Павлович

• Драгунов, Валерий Павлович
• доктор технических наук
• 2005

Оглавление диссертации доктор технических наук Драгунов, Валерий Павлович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗРАБОТКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ДАТЧИКОВ ПЕРЕМЕННЫХ ДАВЛЕНИЙ.

1.1. Основные понятия, структура и характеристики полупроводниковых датчиков давления.

1.2. Технические характеристики современных датчиков переменных давлений.

1.3. Кинетические эффекты в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки.

1.3.1. Общие свойства германия, кремния и арсенида галлия.

1.3.2. Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках.

1.3.3. Особенности моделирования транспорта дырок.

1.4. Влияние деформации на перенос носителей заряда в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки.

1.4.1. Влияние деформации на энергетический спектр электронов.

1.4.2. Влияние деформации на структуру зоны проводимости в многодолинных полупроводниках с эквивалентными минимумами.

1.4.3. Влияние деформации на структуру валентной зоны Ge, Si и соединений А3В5.

1.4.4. Влияние деформации на электропроводность Ge и Si «-типа.

1.4.5. Влияние деформации на электропроводность Ge и Si/?-типа.

1.5. Перспективы разработки датчиков давления на основе структур наноэлектроники.

1.6. Моделирование механических характеристик упругих элементов.

1.6.1. Упругий элемент круглой формы.

1.6.2. Распределение механических напряжений в квадратном упругом элементе.

1.6.3. Оценка частоты собственных колебаний диафрагмы.

1.6.4. Демпфирование колебаний.

1.7. Размещение тензопреобразователей на упругом элементе.

1.8. Измерительные цепи.

1.9. Идентификация динамических характеристик датчиков давления.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Физические основы и принципы проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений»

Совершенствование и усложнение современной техники, ее высокая насыщенность информационно-измерительными комплексами, системами автоматизированного управления и учета, контроля технологических процессов предопределяют увеличение числа объектов измерения и разработку дат-чиковой аппаратуры. Анализ показывает, что, по крайней мере, четверть соответствующего сектора рынка приходится на датчики давления, включая датчики переменных давлений (ДПД) и ударных волн (ДУВ), разработка которых постоянно стимулируется развитием авиа-, ракето- и машиностроения, химической и газовой отраслей. Существенное расширение рынка систем измерения переменных давлений происходит, в частности, в связи с введением стандарта на допустимый шум для высокоскоростного гражданского транспорта и проведением систематических контрольных замеров, широким применением для нанесения покрытий газовой детонации, разработкой и внедрением микроинжекторов с частотой срабатывания более 30 кГц. Все более широкое применение находит электрический разряд в конденсированных средах, используемый как источник импульсных давлений, под воздействием которых обрабатываемые материалы могут подвергаться разрушению, формообразованию, а также изменять свои структурные и физические свойства.

В настоящее время в системах измерения переменных давлений наибольшее распространение получили датчики на основе пьезоэлектрического эффекта. Они имеют широкий диапазон измеряемых давлений, высокие резонансные частоты и большой температурный диапазон. В то же время их плохая совместимость с интегральными технологиями; высокое выходное сопротивление, заставляющее использовать согласующие устройства, применять высокоомные изолирующие слои и вакуумирование; повышенная чувствительность к ускорениям и невозможность проведения измерений статических давлений заставляют разработчиков искать альтернативные решения. При этом в первую очередь предпочтение отдается интегральным тензорезистивным преобразователям, создаваемым на базе технологий микро- и наноэлектроники.

Тензорезистивные интегральные датчики давления имеют хорошую тензочув-ствительность, низкое внутреннее сопротивление, малую чувствительность к ускорениям, позволяют измерять как переменные, так и статические давления. Согласно оценкам они также могут иметь достаточно высокую резонансную частоту (до десятков МГц). Кроме того, производство тензорезистивных преобразователей хорошо согласуется с технологиями микроэлектроники и микромеханики.

В то же время большая часть разрабатываемых и производимых в России датчиков давления предназначены для измерения квазистатических давлений.

Такое состояние вопроса, на наш взгляд, во многом определяется отсутствием научных основ проектирования и конструирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных давлений, что и определяет актуальность данной работы.

Кроме того, в последнее время с использованием напряженных полупроводниковых структур связывают большие перспективы в совершенствовании элементной базы электроники вообще. Таким образом, исследования, направленные на изучение кинетических эффектов и распределений деформаций в напряженных полупроводниковых структурах, приобретают дополнительную актуальность.

Цель работы. Целью диссертационной работы является разработка и совершенствование теоретических основ и принципов проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных и импульсных давлений, построение математических моделей микромеханических и микроэлектромеханических систем на основе деформируемых сред, разработка соответствующего алгоритмического и программного обеспечения, математическое моделирование зависимостей свойств таких структур от топологических характеристик и параметров компонентов, теоретические и экспериментальные исследования их поведения при различных воздействиях.

Диссертация содержит: введение, семь глав и три приложения.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Драгунов, Валерий Павлович

Основные результаты данной главы изложены в работах [382-385,402,403 ].

7.1. Конструкция измерительного модуля

На рис. 7.1 приведены две базовые конструкции измерительного модуля. В первой конструкции (тип А) закрепление УЭ на основании происходит по планарной поверхности, а внешнее давление прикладывается с обратной стороны, т.е. со стороны глубокого травления. Во второй конструкции (тип В) чувствительный элемент закреплен так, что планарная поверхность УЭ оказывается свободной, и на нее воздействует внешнее давление. Для защиты тензорезисторов от окружающей среды эта поверхность закрывается химически стойким лаком. В базовых модулях соединение УЭ со стеклянной шайбой осуществлялось тремя способами: электростатически, с помощью легкоплавкого стекла и лака (ВЛ-931). Для электрического соединения чувствительного элемента с монтажной платой использовались медные проводники в шелковой изоляции, которые фиксировались клеем на УЭ. В местах соединений УЭ со стеклянной шайбой в последней для пропуска проводников создавались специальные углубления, которые затем герметизировались.

Исследовались два вида чувствительных элементов — на основе кремния и арсенида галлия. Кремниевые чувствительные элементы изготавливались по стандартной технологии с диффузионными тензорезисторами, соединенными по схеме разомкнутого моста первого порядка. Использовались диафрагмы двух типоразмеров 1x1 и 2x2 мм2. На кристалле кроме тензорезисторов u J

Подстроенные резисторы

I -Г ф q Р Ч □

1 1 1 Г с □ а) б)

Рис. 7.1. Конструкции измерительного модуля, а) - типа А, б) - типа В. 1 - стеклянная шайба, 2 - втулка (нерж. сталь), 3 - монтажная плата располагалась и схема подстройки начального разбаланса.

Чувствительные элементы на основе GaAs имели внешние размеры 9x9

2 2 мм , размеры тонкой части (диафрагмы) были 4x4 мм , толщина кольца жесткости составляла 400 мкм, толщина диафрагмы варьировалась от 100 до 260 мкм. Тензорезисторы изготавливались травлением в виде меза-структур. В некоторых случаях одновременно с тензорезисторами изготавливался резистор для подстройки. Травление проводилось до подложки, в качестве которой использовался полуизолирующий (100) GaAs АГП-10. Активные слои выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН. Концентрация акцепторов в активных слоях составляла 5-1018ч-5-1019 см"3. В качестве омических контактов к слоям р-GaAs использовали In, А1 и сплав Zn+Sn. Следует обратить внимание на особенность анизотропного травления GaAs. При формировании тонкой части УЭ прямоугольной формы со сторонами, ориентированными по направлениям [110], на (100) поверхности GaAs с использованием достаточно удобного травителя H2S04:H202:H20=1:8:1 под-травливание взаимно перпендикулярных стенок подложки происходит в разные стороны (см. рис. 7.2). При этом подтравливание под маску происходит примерно на ±0.7Н {Н - глубина травления). В результате, если тензорези-сторы располагать симметрично (как в случае Si диафрагм), возможна потеря тензочувствительности до 45%. Чтобы избежать этого, необходимо либо при разработке технологического маршрута предусматривать операции, связанные с выявлением направления подтравливания, либо использовать травите

110>

W'-^m. а) б)

Рис. 7.2. Зависимость профиля травления от ориентации рисунка фотошаблона на (100) поверхности пластины GaAs ли с меньшими коэффициентами подтравливания в (100) плоскости. Например, 5% раствор Вг2 в СН3ОН с нулевым коэффициентом подтравливания или Н202: H2S04=9:1 и H202:HN03=1:3 с коэффициентом подтравливания в направлении [110] - 0.43 [404, 405]. При использовании GaAs диафрагм необходимо также учитывать их высокую чувствительность к свету.

7.2. Статические характеристики и параметры разработанных датчиков

Исследования характеристик датчиков при статических и квазистатических воздействиях проводились для определения диапазона измеряемых давлений, величины номинального выходного сигнала, нелинейности градуиро-вочной характеристики, максимального значения основной погрешности, влияния изменений температуры.

Коэффициент тензочувствительности датчика Kt рассчитывался по формуле:

Ki=Ui/Pi [мВ/МПа], где Uj = 0.5(AU+i + AUi)\ AU+j,AUj- изменения напряжения при приложении давления />■, соответственно на этапе нагружения и разгружения. При каждой температуре датчик подвергался трем циклам нагружение-разгружение. Перед началом каждого цикла датчик выдерживался в разгруженном состоянии не менее 15 минут.

По полученным значениям Kt вычислялось выборочное среднее значение коэффициента тензочувствительности К и выборочное среднее квадратическое отклонение чувствительности <т(К): п к п (и — vS2 /

Iй vЛ к ; /

По значениям Kt методом наименьших квадратов определялись коэффициенты (ао, aj, bo, bj и Ъ2) аппроксимирующих полиномов

U^ =и-и0 = а0+щР и U(2) = U-U0 =b0+biP + b2P2, рассчитывалось среднее квадратическое отклонение сг(д) для коэффициента а\

1 п — 2 п ( п Л 2 ( п п п ^ 2 /1 nZuf -1 ^ 1 — К 1 1 1 п ст(а) = и отношение коэффициентов квадратичной аппроксимации М = 100% 'Ъ21Ъ\. п ^

Здесь F — n^P2

1 Ч 1 ; п- полное число точек измерения.

Нелинейность определялась как отношение разницы между калибровочными точками и прямой, проведенной по методу наименьших квадратов, к максимальному значению выходного сигнала датчика.

7.2.1. Исследование характеристик датчиков с кремниевыми чувствительными элементами

Типичные результаты определения параметров для датчиков типа ДУВ 1 (с диафрагмой 1x1 мм2) и ДУВ 2 (с диафрагмой 2x2 мм2) приведены в таблицах 7.1 - 7.6. Для всех исследованных датчиков максимальное значение основной погрешности определения среднего значения коэффициента тензочувствительности не превышало 5%.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертации впервые представлены комплексные исследования и результаты разработки интегральных полупроводниковых датчиков переменных и импульсных давлений. Развиты научные основы их проектирования:

1. Рассмотрены вопросы оптимального преобразования деформации в изменение сопротивления полупроводниковых структур. Проведены комплексные исследования физических процессов в деформированных структурах на основе Ge, Si и GaAs п- и р-типа. На базе данных исследований впервые разработаны физические модели, с единых позиций описывающие особенности переноса носителей заряда в данных материалах при наличии и отсутствии деформации и позволяющие рассчитать основные характеристики тензопреобразователей и находить наиболее эффективные конструктивные решения. В результате анализа установлены основные факторы, влияющие на температурные, концентрационные и деформационные зависимости проводимости этих материалов, а, значит, и на тензочувствительность, температурный дрейф, стабильность «нуля», нелинейность и начальный выходной сигнал тензочувствительных элементов на их основе. Уточнены и расширены пределы применимости аппроксимационных моделей, основанных на анализе экспериментальных данных, ранее используемых для проектирования Si датчиков квазистатических давлений. Создан научно-обоснованный теоретический и экспериментальный базис, позволяющий проектировать интегральные тензопреобразователи с улучшенными характеристиками не только на основе Si и Ge, но и на основе GaAs, а также твердых растворов Sii.xGex и AlxGai.xAs.

2. Рассмотрены вопросы оптимальной организации тензопреобразователей в измерительную цепь. На основании комплексных теоретических и экспериментальных исследований впервые с единых позиций проведен сравнительный анализ возможностей и основных характеристик балансных измерительных схем, содержащих интегральные тензопреобразователи. В результате проведенных исследований разработаны интегральные тензоре-зистивные измерительные схемы и КМДП-тензомикросхемы с улучшенными характеристиками (до 30 % по тензочувствительности при неизменной величине начального выходного сигнала), защищенные авторскими свидетельствами. Спроектирована и исследована схема стабилизации температуры кристалла на КМДП-транзисторах, позволяющая в несколько раз уменьшить температурные погрешности измерительной тензочувствитель-ной схемы.

3. Проведены комплексные экспериментальные и теоретические исследования характеристик упругих элементов микромеханических и микроэлектромеханических систем при статических и переменных воздействиях. Разработаны теоретические основы проектирования упругих элементов микромеханических и микроэлектромеханических систем с заданными характеристиками:

• разработаны модели, позволяющие в линейном и нелинейном приближении рассчитывать механические характеристики упругих элементов, имеющих форму круга, эллипса или многоугольника;

• обнаружено, что при одновременном воздействии электрического поля и однородного внешнего давления на характеристиках упругих элементов МЭМС возможно появление второй критической точки и гистерезиса. Полученны аналитические выражения для оценки критических параметров МЭМС, позволяющие оптимизировать характеристики системы, варьируя топологию, размеры и материал УЭ;

• разработаны алгоритмы и пакет прикладных программ для расчета и анализа механических характеристик УЭ ММС, используемые на этапе предварительного проектирования чувствительных элементов датчиков;

• создана модель для расчета динамических характеристик УЭ МЭМС с учетом нелинейности возвращающей и электростатической силы. Показано, что в зависимости от величины отношения воздушного зазора d к толщине диафрагмы h увеличение электрического поля может приводить не только к уменьшению, но и к увеличению частоты собственных колебаний УЭ. Найдены условия, при которых в окрестности основного резонанса не проявляются гистерезисные явления;

• исследовано влияние поглощающих покрытий и газодинамического демпфирования на динамические характеристики УЭ. Показано, что применение трехслойных поглощающих покрытий Cu+Ni+Cr позволяет до 2.5 раз увеличить отношение частоты основного резонанса к добротности колебательной системы. Разработаны модели и методика для оценки добротности УЭ ММС с перфорированными основаниями. Выработаны рекомендации по выбору величины воздушного зазора d, длины, радиуса и количества шунтирующих каналов. Рассчитаны зависимости, позволяющие определить необходимое соотношение размеров Si и GaAs диафрагм и воздушного зазора, обеспечивающее максимальную полосу рабочих частот, и уменьшить неопределенность в выборе параметров конструкции датчика на этапе предварительного проектирования;

• проведен анализ влияния профилирования на характеристики УЭ ММС. В случае степенной зависимости толщины диафрагмы от координаты найдены оптимальные параметры профиля, позволяющие расширить частотный диапазон УЭ без потери чувствительности;

• на основании проведенных исследований предложено для обобщенной оценки качества конструкции датчиков переменных давлений использовать четыре обобщенных параметра: Ртах/f0B, PKp/f0B, Sqf0B и PmaxSq, позволяющих оценивать качество разработки (и сопоставлять датчики разных фирм) на основании параметров, приводимых в справочных данных.

4. Разработаны, изготовлены и исследованы датчики переменных и импульсных давлений на основе Si и GaAs интегральных чувствительных элементов:

• разработана методика идентификации динамических характеристик

ДПД, реализованная в виде комплекса программ;

• разработан и создан блок обработки и визуализации сигнала датчиков, позволяющий при измерении квазистатических давлений до 8-10 раз расширить диапазон измеряемых давлений или уменьшить температурную погрешность датчика;

• создана методика проектирования измерительных модулей с газодинамическим демпфированием для датчиков импульсных и ударных давлений. Рассчитаны зависимости, необходимые для объективного выбора параметров УЭ на этапе предварительного проектирования с учетом газодинамического демпфирования;

• на основе проведенных исследований разработаны базовые конструкции измерительного модуля датчиков переменных и импульсных давлений с газодинамическим демпфированием. Спроектированы и изготовлены датчики переменных давлений с уменьшенным временем установления переходной характеристики. В результате их основные динамические характеристики достигли уровня пьезоэлектрических ДПД, а по чувствительности к ускорению и верхнему пределу рабочей длительности существенно их превзошли. Показана работоспособность датчиков ДУВАГ вплоть до температуры 300 С.

Таким образом, в результате выполнения диссертационной работы решена важная научно-техническая проблема - развиты физические основы разработки и проектирования интегральных полупроводниковых датчиков переменных и импульсных давлений, позволившие создать научный базис для повышения качества разрабатываемых датчиков и разработать методику и принципы их проектирования.

Работа представляет собой комплекс научно-технических решений, реализация которых обеспечивает существенное ускорение научно-технического прогресса в области микросистемной техники, входящей в Перечень критических технологий Российской Федерации. В диссертации разработаны научно-методологические основы проектирования широкого класса сенсоров давления и продемонстрирована их реализация на примере разработки ряда тензопреобразователей, а также датчиков переменных и импульсных давлений на их основе. В результате созданы основы для развития в России одного из актуальных разделов микросистемной техники и, соответственно, решения важной народно-хозяйственной задачи - обеспечения отечественными микросенсорными элементами электронных систем, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности, в соответствии с «Основами политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и на дальнейшую перспективу».

433

Список литературы диссертационного исследования доктор технических наук Драгунов, Валерий Павлович, 2005 год

1. Основные термины в области терминологии: Словарь-справочник У М.Ф. Юдин, М.Н. Селиванов, О.Ф. Тищенко, А.И. Скороходов; Под ред. Ю.В. Тарбеева. М.: Изд-во стандартов, 1989. - 112 с.

2. МИ 2247-93 ГСИ. Метрология. Основные термины и определения.

3. ГОСТ Р 51086-97 Датчики и преобразователи физических величин. Электронные. Термины и определения.

4. Нормирование и использование метрологических характеристик средств измерений: Нормативно-технические документы (ГОСТ 8.009-84, Методический материал по применению ГОСТ 8.009-84, РД 50-453-84). М.: Изд-во стандартов, 1982. - 150 с.

5. Проектирование датчиков для измерения механических величин / Под ред. Е.П. Осадчего. М.: Машиностроение, 1979. - 480 с.

6. Датчики измерительных систем: В 2 кн. Кн. 1 /Ж. Аш, П. Андре, Ж. Бофрон и др.; Пер. с франц. М.: Мир, 1992 - 480 с.

7. Алейников А.Ф., Гридчин В.А., Цапенко М.П. Датчики (перспективные направления развития): Учеб. пособие. 2-е изд., перераб. и доп. / Под ред. проф. М.П. Цапенко. - Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2003. - 286 с.

8. Каталог фирмы : "РСВ Piezotronics INC" (США).

9. Каталог фирмы : "Omega" (США/Канада).

10. Каталог фирмы : "Kistler" (Швейцария).

11. Михайлов П.Г., Бутов В.И., Политменцева Т.Н., Гориш А.В. Пьезодат-чики быстропеременных, импульсных и акустических давлений // Радиотехника.-1995.-№10. -С.36-37.

12. Перечень датчиковой аппаратуры, разработок и метрологических услуг НИИ Машиностроения (в области измерения импульсных давлений). -Дзержинск. -1991. -24 с.

13. Каталог фирмы : "Bruel & Kjaer" (Дания).

14. Казарян А.А. Обзор датчиков пульсаций давления // Измерительная техника. -1998. -№ 8. -С.27-32.

15. Бронштейн И.К. Измерение высоких давлений жидких сред с помощью миниатюрного преобразователя давления на основе твердых растворов // Преобразователи для измерения давлений в научном эксперименте: Тр. ЦИАМ. -1979.-№844.-С. 74-80.

16. Бернотас К.Э. Полупроводниковые датчики на основе кристаллов AlxGaixAs // Приборы и системы управления. -1988. -№11. -С. 24-26.

17. Шурман Л.Б. Термокомпенсированный преобразователь давления на основе GaAsixPx // Сб. тез. докл. Всесоюзн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». Новосибирск. -1990. -С.57-59.

18. Бернотас К.Э. Полупроводниковый датчик импульсного давления // Физика горения и взрыва. -1986. -Т.22, №2. -С. 133-135.

19. Шурман Л.Б. Разработка малогабаритного датчика давления на основе эпитаксиального п- GaAsixPx // Автореферат дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. Новосибирск. 1990. -18 с.

20. Блажис А.А., Грицюс А.А., Жиленис С.Г. Полупроводниковый датчик импульсного давления типа «Варизон» // Методы и средства измерения механических параметров в системах контроля и управления: Всесоюзная конф.: Сб. тезис, докл. -Пенза. -1989. -С.22-23.

21. Stankevich V., Simkevichius С. Semiconductor pressure-pulse sensor //Sensors and Actuators A. -1996. -N51. -P. 159-163.

22. Криворотов Н.П., Вяткин А.П., Брудный B.H. и др. Датчик давления на основе арсенид-галлиевых туннельных диодов, облученных электронами // Приборы и техника эксперимента. -1974. -№6. С. 168-170.

23. Криворотов Н.П., Вяткин А.П., Щеголь С.С. Туннельные диоды для измерения давлений // Приборы и техника эксперимента. -1977. -№2. -С.226-227.

24. Вяткин А.П., Калинин Ю.М., Криворотов Н.П. и др. Преобразователь давлениях термостатированным р-п переходом // Приборы и системы управления. -1985. -№8. -С.21-22.

25. Вяткин А.П., Криворотов Н.П., Щеголь С.С. Высокочувствительный быстродействующий датчик давления с туннельным диодом // Приборы и техника эксперимента. -1988. -№1. -С. 186-188.

26. Криворотов Н.П. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия // Автореферат дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. Томск. 2002. -35 с.

27. Каталог фирмы : "Endevco" (США).

28. Слепов В.И. Европейский рынок датчиков давления // Приборы и системы, управление, контроль, диагностика. -2001. -№5. -С.55-57.

29. Гордиенко В.В., Сакидон П.А., Шварц Ю.М., Дубровин JLJL Пленочные криогенные тензорезисторы // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Методы и средства измерения параметров в системах контроля и управления», Пенза. -1989. -С.48-50.

30. Марьямова И.И., Гортынская И.Д., Лавитская Е.Н., Яцюк Ю.С. Высокочувствительный полупроводниковый датчик уровня // Тезисы докладов н-техн. конференции «Методы и средства измерения параметров в системах контроля и управления», Пенза. -1994. -С. 18.

31. Алексеева З.М., Диамант В.М., Красильникова В.М., Криворотов Н.П., Эффекты анизотропии сжатия в эпитаксиальных слоях GaAs, легированных серой, при всестороннем давлении // ФТП. 1988. - Т. 22, № 10. - С. 1743-1746.

32. Драгунов В.П., Соколов А.В. Датчик давления с расширенным температурным диапазоном на основе арсенида галлия // Тезисы докладов межд. н.-техн. конф. «Датчик-93», Барнаул, -1993, часть 1. -С.34-35.

33. Baranov A.V., Dragunov V.P. Temperature possibilities of GaAs membrane pressure sensor//4th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering (Russia, Novosibirsk, 1998). Proceedings, -V.4. P.94-96.

34. Cankaya G., UcarN., Ayyildiz E. et al. Effect of hydrostatic pressure on the characteristic parameters of Au/«-GaAs Schottky-barrier diodes // Phys. Rev. B. -1999. -V.60. N23. P. 15944-15947.

35. Патент РФ №2141103 МКИ G 01 L 9/00. Чувствительный элемент датчика давления / Н.П. Криворотов, Ю.Г. Свинолупов, А.В. Хан, С.С. Щеголь.-Опубл. 10.11.99.

36. Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. -Киев.: Наукова думка. -1975.-709 с.

37. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. 4.2. -456 с.

38. Humlicek J. Optical functions of the relaxed SiGe alloy and influence of strain. In Properties of strained and relaxed silicon germanium. INSPEC, London, KasperE. 1995.-P.121-131.

39. Weber J., Alonso M.I. Near-band-gap photoluminescence of Si-Ge alloys// Phis. Rev. B. -1989. -V.40. -P.5683-5693.

40. Dismukes J.P., Ekstrom L., Paff R.J. Lattice parameter and density in germanium-silicon alloys //J. Phys. Chem. 1964. -V.68. -P.3021-3027.

41. Ahmad C.N., Adams A.R. Electron transport and pressure coefficients associated with the Lie and A1C minima of germanium //Phys. Rev. B. -1986. -V.34. N4. -P.2319-2328.

42. Milnes A.G. Deep impurities in semiconductors, Wiley. N.Y. -1973. 273 p.

43. Conwell E.M. Properties of silicon and germanium. Part II. // Proc. IRE. -1958, -V.46. —P.1281-1287.

44. Sze S.M., Irvin J.C. Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge and Si at 300 К // Solid State Electronics. -1968. -V.l 1. -P.599-603.

45. Brockhouse B.N., Iyengar P.K. Normal modes of germanium by neutron spectrometry // Prys. Rev. -1958. -V.l 11. -P.747-751.

46. Brockhouse B.N., Lattice N. Vibrations in silicon and germanium // Phys. Rev. Lett. -1959. -V2. -P.256-260.

47. Beer A.C. Galvanomagnetic effect in semiconductors. New York. London: Acad. Press.-1963.-418 p.

48. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. -Киев: Наукова думка. -1977. -270 с.

49. Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В. Теория термоэлектрических и термомагнитных явлений в анизотропных полупроводниках. Киев: Наукова думка. -1987. -272 с.

50. Самойлович А.Г., Коренблит И.Я., Даховский И.В., Искра В.Д. Анизотропное рассеяние электронов на ионизированных примесях и акустических фононах // ФТТ. -1961. -Том 3, №11. С.3285-3298.

51. Андрианов Д.Г., Даховский И.В., Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Анизотропное рассеяние в сильно легированном германии // ФТТ. -1964. -Том 6, №9. -С.2825-2830.

52. Debye P.P., Conwell Е.М. Electrical properties of л-type Ge // Phys. Rev. -1954. -V.93. -P.693-696.

53. Herring C. Transport properties of a many valley semiconductor // Bell System Techn. J. -1955. - V.34. N2. - P. 237-290.

54. Шаховцова С.И. Перенос электронов в твердых растворах Gei.xSix в слабых электрических полях // ФТП. -1996. -Т.30, вып.2. -С.244-255.

55. Гантмахер В.Ф., Левинсон И.Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука. 1984. -350 с.

56. Fischetti M.V., Laux S.E. Band structure, deformation potentials, and carrier mobility in strained Si, Ge and SiGe alloys // J. Appl. Phys. -1996. -V.80. -P.2234-2252.

57. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир. -1977. -615 с.

58. Long D. Scattering of conduction electrons by lattice vibrations in silicon // Phys. Rev. -1960. -V.120, N6. -P.2024-2032.

59. Willardson R., Harman Т., Beer A.C. Transverse Hall and Magnetoresis-tance effects in p-type germanium // Phys. Rev. -1954. -V.96. P. 1512-1521.

60. Бир Г.Л., Пикус Т.Е. Теория деформационного потенциала для полупроводников со сложной структурой зон // ФТТ. -1960. -Т.2. -С.2287-2295.

61. Бир Г.Л., Нормантас Э., Пикус Т.Е. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках с вырожденными зонами // ФТТ. -1962. -Т.4, №5. —С.1180-1195.

62. Tiersten М. Acoustic-mode scattering mobility of holes in diamond type semiconductors // J. Phys. Chem. Sol. -1964. -V.25. -P.l 151-1160.

63. Lawaetz P. Low-field mobility and galvanomagnetic properties of holes in germanium with phonon scattering // Phys. Rev. -1968. -V.174, N3. -P.867-880.

64. Давыдов Б.И., Шмушкевич И.М. Теория электронных полупроводников // УФН. -1940. -Т.24. -С.21-67.

65. Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс. Минтис. - 1971.

66. Erenreich Н.Е., Overhauser А. // Phys. Rev. -1956. -V.104. -Р.649.

67. Harrison J.W. Scattering of electrons by lattice vibrations in nonpolar crystals // Phys. Rev. -1956. -V.104, N5. -P.1281-1290.

68. Толпыго К.Б. // ФТТ. -1962. -T.4. -C. 1765-1772.

69. Lawaetz P. Long-wavelength phonon scattering in nonpolar semiconductors // Phys. Rev. -1969. -V.183, N3. -P.730-739.

70. Asche M. On the temperature dependence of hole mobility in silicon // Phys. Stat. Sol. -1970. -V.37, N1. -P.433-437.

71. Rode D.L., Knight S. Electron transport in GaAs // Phys. Rev. В 3 1971. - P.2534-2541.

72. Kravchenko A.F., Kubalkova S., Morozov B.V., Polovinkin V.G., Skok E.M. The peculiar behaviour of transport coefficients in the presence of inelastic scattering by optical phonons // Phys. Stat. Sol. 1975. -V. 72. - P.221-228.

73. Половинкин В.Г., Скок Э.М. К теории кинетических коэффициентов при неупругом рассеянии на оптических фононах // ФТП. 1974. -Т.8, №6.1. С.1134-1140.

74. Половинкин В.Г. Неупругое рассеяние в полярных полупроводниках // Физика деформируемых полупроводников. Новосибирск. НЭТИ. -1979. -С. 100-110.

75. Wiley J.D. Polar mobility of holes in III-V compounds // Phys. Rev. В -1971. V4, N 8. - P.2485-2493.

76. Costato M., Jacoboni C., Reggjani L. Hole transport in polar semiconductors // Phys. Stat. Sol. (b) -1972. V52. - P.461-473.

77. Smith C.S. Piezoresistanse effect in Ge and Si //Phys. Rev. -1954. V.94, Nl.-P. 42-49.

78. Mason W.P., Thurston R.N. Use of piezoresistive materials in the measurement of displacement, force and torque // J. Acoust. Soc. Amer. 1957. -V.29. -P. 1096-1101.

79. Burns F.P. Piezoresistive semiconductor microphone // J. Acoust. Soc. Amer. 1957. -V.29. - P. 248-253.

80. Hollander L.E., Vick G.L., Diesel T.J. The piezoresistive effect and its applications // Rev. Sci. Instr. 1960. - V.31. - P. 323-327.

81. Geyling F.T., Forst J.J. Semiconductor strain transducers // Bell Sys. Tech. J.- 1960.-V.39.-P. 705-731.

82. Pfann W.G., Thurston R.N. Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezoresistives effect // Appl. Phys. 1961. - V.32. - P. 20082019.

83. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. - 584 с.

84. Herring С., Vogt Е. Transport and deformation-potential theory for many-valley semiconductors with anisotropic scattering //Phys. Rev. -1956. -V.101, N 3. -P.944-962.

85. Копылов A.A. «Двугорбая» структура и параметры ^"-минимума зоны проводимости кубических полупроводников А3В5 // ФТП. 1982. Т. 16, вып.12. - С.2141 - 2145.

86. Латгинжер Дж., Кон В. Движение электронов и дырок в возмущенныхпериодических полях // Проблемы физики полупроводников: Сб. статей. -М.: Иностранная лит., 1957. - С.515 - 539.

87. Kim С.К., Cardona М., Rodriguez S. Effect of free carriers on the elastic constants of p-type silicon and germanium // Phys. Rev. 1976. -V.13, №12. -P.5429 - 5441.

88. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Влияние деформации на энергетический спектр и электрические свойства полупроводников типа InSb // ФТТ. -1961. -Т.З. № 10. -С.3050-3069.

89. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Влияние деформации на энергетический спектр дырок в германии и кремнии // ФТТ. -1959. -Т.1, № 11. -С. 1642-1658.

90. Баранский П.И., Коломоец В.В., Федосов А.В. Отличительные особенности пьезосопротивления германия и кремния л-типа, обусловленные различием механизмов рассеяния электронов в этих кристаллах //ФТП. -1981. -Т.15, №4. -С.698-701.

91. Tufte O.N., Stelzer E.L. Piezoresistive properties of heavily doped n-type silicon // Phys. Rev. 1964. - V.133, N 6A. - P.A1705 - A1717.

92. Макаров E.A. О константе пьезосопротивления Лм в л-кремнии

93. ФТТ. -1966. -Т.8, №12. -С.3636-3637.

94. Королюк С.С. Влияние изменения эффективных масс при одноосной деформации на электропроводность в п-Si // ФТП. -1981. -Т. 15, №4. -С.785-786.

95. Kanda Y., Suzuki К. Origin of the shear piezoresistance coefficient 71'44of л-type silicon // Phys. Rev. B. -1991. -V.43. -No.8. -P.6754-6756.

96. Aubrey I.E., Gubler W., Henningsen Т., Koenig S.H. Piezoresistance and Piezo-Hall-Effect in n-type silicon // Phys. Rev. 1963. - V.130. - P.1667 - 1670.

97. Granveaud M., Malsan P. Piezoresistivite D'Elements Diffuses en Silicium //L'ONDE ELECTRIQUE. 1967. - T. XLVII, N 480-481, - P. 392-401.

98. Берлинский A.C. Исследование методов температурной стабилизации чувствительности кремниевых интегральных тензопреобразователей. -Новосибирск, НЭТИ. Диссерт. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. 1976.

99. Backenstoss G. Evaluation of the surface concentration of the diffused layers in silicon //The Bell System. Techn. J. -1958. -V. 37. N. 3. P. 812-818.

100. Adams E.N. Elastoresistance in p-type Ge and Si // Phys. Rev. -1954. -V.96, N3. -P.803-804.

101. Пикус Г.Е., Бир Г.Л. Влияние деформации на электрические свойства дырочного германия и кремния // ФТТ. -1959. -Т.1, № 12. -С. 1828-1840.

102. Елизаров А.И., Коломоец В.В., Митин В.В. Пьезосопротивление одноосно деформированногор-Ge //ФТП. -1975. -Т.9, вып.7. -С.1388-1390.

103. Антипов С.А., Батаронов И.А., Дрожжин А.И. и др. Изменение электросопротивления тензорезисторов при изгибе // ФТП. -1993. -Т.27, вып.6. -С.937-943.

104. Горбачук Н.Т., Митин В.В., Тхорик Ю.А. и др. Об определении констант деформационного потенциала полупроводников типа р-германия из температурной зависимости пьезосопротивления // ФТП. -1981. -Т. 15, вып.4. -С.649-653.

105. Morin F.J., Geballe Т.Н., Herring С. Temperature dependence of pie-zoresistance of high-purity silicon and germanium // Phys. Rev. -1957. -V.105, N2. -P.525-539.

106. Bir G.L., Bloom A.I., Ilisavsky U.V. The effect of uniaxial strain on the transport phenomena in p-Si // Proc. VII. Int. Conf. Phys. Semicond., Paris. -1964. -P.529-531.

107. Tufte O.N., Stelzer E.L. Piezoresistive properties of silicon diffused layers // J. Appl. Phys. -1963. V. 34. - P.313-318.

108. Драгунов В.П. Исследование особенностей зонного спектра электронов методом одноосной деформации. Новосибирск. ИФП. Диссерт. на со-иск. уч. ст. к.ф-м.н. 1974.

109. Hess К. Effect of uniaxial stress on energy loss and scattering mechanizm in p-type silicon // J. Phys. and Chem. Solids. -1972. -V. 33. N 1. -P. 139-143.

110. Гридчин В.А. Нелинейное пьезосопротивление в /?-кремнии // Известия вузов. Физика. -1980. -Т.23. №.10. -С.3-7.

111. Lenkkeri J.T. Nonlinear effects in the piezoresistivity of p-type silicon //

112. Phys. Stat. Sol. (b) -1986. -V.136. -P.373-385.

113. Ohmura Y. Piezoresistance effect in p-type Si // Phys. Rev. В -1990. -V.42. N14. -P.9178-9180.

114. Ohmura Y. Third-order piezoresistance coefficients in p-type Si // Jpn. J. Appl. Phys. -1994. -V.33. -P.3314-3318.

115. Matsuda K., Kanda Y., Yamamura K, Suzuki K. Second-order piezoresistance coefficients in p-type Si // Jpn. J. Appl. Phys. -1990. V.29. N11 -P.L1941-L1942.

116. Matsuda K., Suzuki K., Yamamura K, Kanda Y. Nonlinear piezoresistance effect in silicon //J. Appl. Phys. -1993. -V.73. N4. -P.l838-1847.

117. Гридчин В.А. Физические вопросы проектирования кремниевых интегральных тензопреобразователей // Новосибирск. НЭТИ. Сб. научн. трудов. Физические основы полупроводниковой тензометрии -1981. -С.48-80.

118. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. // Под ред. J1. Ченга и К. Плога М.: Мир. -1989. -584 с.

119. Зенкевич А.В., Хабелашвили И.Д., Неволин В.Н. Физические особенности импульсного лазерного осаждения металлов. // Известия вузов Электроника, М.: МИЭТ. -1997. -№2. С.3-24.

120. Дрозд В.Е., Барабан А.П., Никифорова И.О., Алесковский В.Б., Корольков Д.В. Молекулярное наслаивание прецизионный метод синтеза диэлектрических пленок для микроэлектроники. // Известия вузов Электроника, М.: МИЭТ, 1996, №1-2, с.33-36.

121. Gridchin V.A., Pucklyakov Y.A., Shurman. Variband GaAsxxPx: a material for pressure sensors. // Sensor and Actuators A. -1992. -V.30. -P.139-142.

122. Бимберг Д., Ипатова И.П., Копьев П.С., Леденцов Н.Н., Малышкин В.Г., Щукин В.А. Спонтанное упорядочение полупроводниковых наноструктур. // УФН. -1997. -Т. 167, №5. -С.552-555.

123. Максимов С.К. Неравновесное упорядочение при эпитаксиальной кристаллизации. // Электронная промышленность. -1995. -№4-5. С. 55-58.

124. Герасименко Н.Н., Вернер И.В. Радиационные методы в микроэлектронике. // Электронная промышленность. -1995. -№4-5. С. 79-81.

125. Trzeciakowski W., Perlin P., Teisseyre H. Optical pressure sensors based on semiconductor quantum wells. // Sensors and Actuators A. -1992. -№32 -P.632-638.

126. Lyapin S.G., Eremets M.I., Krasnovski O.A., Shirokov A.M. et. al. Pho-toluminescence study of InGaAs/GaAs quantum wells. //4th Int.Conf. High Pressure Semiconductor Phys., Porto Carras, Greece. -1990. -P.59-62.

127. Jimenez J.L.,Mendez E.E., Li X.,Wang W.I. Resonant tunneling of L-valley electrons in GaSb-based double-barrier heterostructures. //Phys.Rev. B, -1995. -V.51, N12. P.7938-7941.

128. Jimenez J.L., Li X.,Wang W.I. Resonant tunneling in AlSb-GaSb-AlSb and AlSb-InGaSb-AlSb double-barrier heterostructures. // Appl.Phys .Lett. -1994. -64(16). -P.2127-2129.

129. Драгунов В.П. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ВАХ ДБКС на основе слоев GaSb-AlSb. //IV Межденародная конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-98). Новосибирск. 1998. -Т.З. -С.91-95.

130. Baranov A.V., Dragunov V.P. Intrinsic charge bistability in double barrier resonant tunneling structure with many-valley electron transport. /The First Korea-Russia International Symposium on Science and Technology, Ulsan, -1997, -P. 159.

131. Jimenez J.L.,Mendez E.E., Li X.,Wang W.I. Resonant tunneling and intrinsic bistability in GaSb-based double-barrier heterostructures. // 7th International Conference on Modulated Semiconductor Structures. Madrid, Spain. -1995, workbook 2.-P.888-893.

132. Gassort P., Dmowski L., Aristone F. et al. Short period superlattices under hydrostatic pressure. // Sixth International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Garmisch-Partenkirchen, Germany. -1993. -P.293-301.

133. Гриняев C.H., Чернышов B.H. Рассеяние электронов в многобарьерных структурах GaAs/Al,.xGaxAs // ФТП. -1992. -Т.26, вып. 12. С.2057-2067.

134. Гриняев С.Н., Чернышов В.Н., Караваев Г.Ф. Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетерограницами в GaAs/AlAs (001).

135. ФТП. -1994. -Т.28, вып.8. -С.1393-1402.

136. Караваев Г.Ф., Чернышев В.Н., Воронков А.А. Эффекты ГХ- взаимодействия в GaAs/AlAs- структурах с различным числом слоев. //Известия вузов. Физика. —1997. .№11. —С.63-69.

137. Brugger Н., Meiners U., Diniz R., Suski Т., Gornik E. Hydrostatic pressure sensors on solid state tunneling devices. // Sixth International Conference on Modulated Semiconductor Structures, Garmisch-Partenkirchen, Germany. 1993. -P.377-382.

138. Pritchard R., Austing D.G., Klipstein P.C., Roberts J.S., Higgs A.W., Smith G.W. // J.Appl. Phys. 68 (1), (1990), p.205-211.

139. Fobelets K., Vounckx R., Borghs G. A GaAs pressure sensor based on resonant tunnelling diodes // J. Micromech. Microeng-1994. -N4. P123-124.

140. Wu J.S., Chang C.Y., Lee C.P. et al. Electrical characteristics of double-barrier resonant tunneling structures with different electrode doping concentrations // Solid-State Electronics. -1991. V.34, N4. -P.403-411.

141. Carlo A.Di, Lugli P. Valley mixing in resonant tunneling diodes with applied hydrostatic pressure // Semicond. Sci. Technol. -1995. -V.10. -P. 1673-1679.

142. Albrecht J.D., Cong L., Ruden P.P., Nathan M.I., Smith D.L. Resonant tunneling in (001)- and (1110-oriented Ш-V double barrier heterostructures under transverse and longitudinal stresses // J. Appl. Phys. -1996. -V.79, N. 10. -P.7763-7769.

143. Mutamba K., Vogt A., Sigurdardottir A. et al. Uniaxial stress dependence of AlGaAs/GaAs RTD characteristics for sensor applications // Proc. Microme-chanics Europe MME'96 conference. Barcelona. Spain. -1996. -P.85-89.

144. Agrait N.,Rodrigo I.G., Vieira S. Conductance steps-and quantizations in atomic size contact. // Phys.Rev. B, -1993. -V.47, N18. -P. 12345-12348.

145. Горбацевич A.A., Капаев B.B., Копаев Ю.В., Кремлев В.Я. Квантовые приборы на основе передислокации волновых функций в гетерострукту-рах. // Микроэлектроника. 1994. - Т.23, вып.5. -С. 17-26.

146. Горбацевич А.А., Капаев В.В., Копаев Ю.В. Управляемая эволюция электронных состояний в наноструктурах. // ЖЭТФ. -1995. .107, вып.4. -С.1320-1349.

147. Минкевич J1.M. Прикладная механика: Учебное пособие / Новосибирск. НГТУ. -1990. -76 с.

148. Бидерман B.JI. Механика тонкостенных конструкций. Статика. М.: Машиностроение. -1977. 488 с.

149. Гридчин В.А., Драгунов В.П. Физика микросистем. Часть I. Новосибирск. Изд-во. НГТУ. -2004. -416 с.

150. Гридчин В.А., Алексеев В.В., Осинцева JI.A., Шадрин B.C. Кремниевый упругий элемент мембранного типа с диффузионными тензорезисторами // Новосибирск. НЭТИ. Сб. научн. трудов. Физика и техника полупроводников -1970. -С.3-8.

151. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энерго-фтомиздат. 1983. - 136 с.

152. Гридчин В.А., Минкевич JI.M. Расчет напряжений квадратного кремниевого упругого элемента интегрального тензопреобразователя // Новосибирск. НЭТИ. Сб. научн. трудов. Физические основы полупроводниковой тензометрии -1984. С.130-137.

153. Тимошенко С.П., Войновский-Кригер С. Пластинки и оболочки. -М.: Изд-во физ. мат. лит. 1963. - 470 с.

154. Гридчин В.А. Проектирование кремниевых интегральных тензопреобразователей с квадратным упругим элементом // Новосибирск. НЭТИ. Сб. научн. трудов. Полупроводниковые тензорезисторы. -1985. С.97-108.

155. Гридчин В.А. Проектирование тензопреобразователей на эффекте поперечной пьезоэдс с учетом размеров потенциальных контактов // Новосибирск. НЭТИ. Сб. научн. трудов. Полупроводниковые тензорезисторы -1984. С.109-119.

156. Francais О., Dufour I. Normalized abacus for the global behavior of diaphragms: pneumatic, electrostatic, piezoelectric or electromagnetic // J. of Modeling and Simulation of Microsystems. -1999. -V.l, No.2, P. 149-160.

157. Chouaf A., Malhaire Ch., Le Berre M et al. Stress analysis at singular points of micromachined silicon membranes // Sensors and Actuators A. 2000. N.84.-P.109-115.

158. Соколов JI.B., Школьников B.M. Интегральный кремниевый муль-тисенсор давления температуры с оптимизированной трехмерной микромеханической структурой и топологией на базе созданных матричных кристаллов // Микросистемная техника. - 2003. -№3. - С.3-7.

159. Батуев Г.С., Голубков Ю.В. и др. Инженерные методы исследования ударных процессов. -М.: Машиностроение. -1977. -239.с.

160. Долицкий И.Н., Федоренко Т.А. Расчет предельно допустимых собственных частот упругих элементов электромеханических преобразователей давления // Измерительная техника. -1972. -№7. -С.42-44.

161. Буканов Е.Г. Оценка погрешности тензорезисторных датчиков давления при измерениях переходных процессов. В кн. Основные направления и проблемы создания испытательных машин, весо- и силоизмерительных приборов. -М.: -1976. -С.154-159.

162. Приборы и системы для измерения вибрации, шума и удара: Справочник //Под ред. В.В. Клюева. -М.: Машиностроение. -1978. Кн. 1. -448 с.

163. Филиппов А.П. Колебания деформируемых систем. М.: Машиностроение. -1970. - 736 с.

164. Лассан В.Л., Пеллинец B.C. О влиянии демпфирования на динамическую погрешность пьезоэлектрических ударных акселерометров // Измерительная техника. 1978. -№1. - С.23-28.

165. Пелых Н.А. Дрейф нуля пьезоэлектрических измерительных преобразователей при больших ускорениях и температурах // Метрология. -1975. -№4. -С.31-37.

166. Александров Л.Н., Зотов М.И. Применение метода внутреннего трения для исследования полупроводников. М.: Электроника. Обзоры по электронной технике. Серия: Полупроводниковые приборы. 1970. -Вып. 7 (215). -22 с.

167. Освеновский В.Б., Холодный Л.П., Мильвидский М.Г. Внутреннеетрение в монокристаллах GaAs // Изв. АН СССР. Неорг. Материалы. -1972. -Т.8, №5. -С.802-807.

168. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // ФТТ. -1984. -Т.26, №7. -С.2228-2229.

169. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Свиридов В.В., Ярославцев Н.П. Воздействие оптического излучения на внутреннее трение в пьезополупроводниках с глубокими центрами //ФТП. -2002. -Т.36, вып. 2. -С. 138-143.

170. Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк А.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М. Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода // ФТП. -2002. -Т.36, вып. 9. -С.1035-1039.

171. Yasumura К., Stowe T.D., Chow Е.М., et al. Quality factors in micron- and submicron-thick cantilevers // J. ofMicroelectromechanical systems. -V.9, N.l. -P.l 17-125.

172. Stowe T.D., Yasumura K., Kenny T.W. et al. Attonewton force detection using ultrathin silicon cantilevers // Appl. Phys. Lett. -1997. -V.71. -P288-290.

173. Cleland A.N., Roukes M.L. Fabrication of high frequency nanometer scale mechanical resonators from bulk Si crystals // Appl. Phys. Lett. -1996. -V.69. -P2653-2655.

174. Stowe T.D., Yasumura K., Kenny T.W. et al. Ultrasensitive vertical force probe for magnetic resonance force microscopy // Solid-State Sens. Actuator Workshop. -1996. Hilton Head, SC. -P.225-230.

175. Wago K., Zuger O., Kendrick R. et al. Low temperature magnetic resonance force detection // J. Vac. Sci. Technol. B, Microelectron. Process. Phenom. -1996. -V.14, N.2.-P.l 197-1201.

176. Mihailovich R.E. Low temperature properties of boron doped silicon //Phys. Rev. Lett. -1992. -V.68. -P.3052-3055.

177. McGuigan D.F., Lam C.C., Gram R.Q. et al. Measurements of the mechanical Q of single-crystal silicon at low temperatures // J. Low Temp. Phys. -1978. -V.30. -P.621-629.

178. Zener C. Internal friction in solids I: Theory of internal friction in reeds// Phys. Rev. -1937. -V.52. -P.230-235.

179. Zener С. Internal friction in solids II: General theory of thermoelastic internal friction // Phys. Rev. -1938. -V.53. -P.90-99.

180. Roszhart T.V. The effect of thermoelastic internal friction on the Q of mi-cromachined silicon resonators // Tech. Dig. Solid-State Sens. Actuator Workshop. Hilton Head, SC. -1990. -P. 13-16.

181. Матвеев B.B. Демпфирование колебаний деформируемых тел. -Киев. Наукова думка. -1985. -640с.

182. Полуянов В.А., Соболев М.Д. Конструктивная схема датчика ударных ускорений // Приборы и системы управления. -1995. -№ 3. -С.20-23.

183. ОСТ 38 03238-81. Герметики кремнийорганические.

184. ГОСТ 14791-79. Мастика герметизирующая нетвердеющая строительная «Бутепрол».

185. ГОСТ 13303-86. Полиизобутилен высокомолекулярный: Технические условия.

186. Сергель О.С. Прикладная гидрогазодинамика. -М.: Машиностроение. -1981.-374 с.

187. Pedersen М., Olthuis W., Bergveld P. A silicon condenser microphone mith polyamide diaphragm and back plate // Sensors and Actuators A. -1997. -V.63. -P.97-104.

188. Goldsmith C.L., Malczewski A., Yao Z.J. et al. RF MEMs variable capacitors for tunable filters // Int. J. RF and Microwave CAE. -1999. -V.9 -P.362-374.

189. Dec A., Suyama K. Micromachined electro-mechanically tunable capacitors and their application to RF Ics // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. -1998. -V.46, N.12. -P.2587-2596.

190. Mattila Т., Hakkinen P., Jaakkola O. et al. Air damping in resonant micro-mechanical capacitive sensors // 14th European Conference on Solid-State Transducers, Eurosensors XIV, Copenhagen. -2000. -P.221-224.

191. Поздяев В.И. Оптимизация параметров механической системы интегральных акселерометров // Изв. Вузов. Приборостроение. -1997. -Т.40, №5. -С.56-59.

192. Starr J. Squeeze-film damping in solid state accelerometers // Solid-State Sens. Actuator Workshop. Hilton Head, SC. -1990. -P.44-47.

193. Yang Y.J., Senturia S.D. Numerical simulation of compressible squeezedfilm damping // Solid-State Sensor and Actuator Workshop IEEE. Hilton Head. -1996.-P.76-79.

194. Veijola Т., Ryhanen Т., Kuisma H., Lahdenpera J. Circuit simulation model of gas damping in microstructures with nontrivial geometries // Proceedings of Trans-ducers'95 and Eurosensors IX. -1995. -V.2. -P.36-39.

195. Schrag G., Wachutka G. Physically based modeling of squeeze film damping by mixed-level system simulation // Sensors and Actuators A. -2002. -V.97-98. -P. 193-200.

196. Gabrielson T. Mechanical-termal noise in micromechined acoustic and vibration sensors //IEEE Trans, on Electron Devices. -1993. -V.40. -P.903-909.

197. Skvor Z. On the acoustic resistance due to viscous losses in air gap of electrostatic transducers // Acoustica. -1967. -V.l9. -P.295-299.

198. Veijola Т., Mattila T. Compact squeezed-film damping model for perforated surface // Proceedings of Transducers'01. Munchen. -2001. -P.1506-1509.

199. Bao M., Yang H., Sun Y., French P.J. Modified Reynolds' equation and analytical analysis of squeeze-film air damping of perforated structures // J. Micro-mech. Microeng. -2003. -V.13. -P.795-800.

200. Da Silva M.G., Deshpande M., Greiner K., Gilbert J.R. Gas damping and spring effects on MEMS devices with multiple perforations and multiple gaps // Proceedings of Transducers'99. Sendai. -1999. -V.l. -P.l 148-1151.

201. Sharipov F., Seleznev V. Data on internal rarefied gas flows // J. Phys. Chem. -1997. -V.27, N.3. -P.657-706.

202. Козеев E.B., Макаров E.A. Поперечная пьезоэдс в кубических кристаллах // Физика и техника полупроводников. Новосибирск. НЭТИ. -1968. -С.3-8.

203. Заседателев С.М., Беликов Л.В., Бердников В.Б. и др. О проектировании датчиков давления с интегральными тензопреобразователями // Приборы и системы управления. -1971. -№11. -С.45-48.

204. Ваганов В.И., Пономарев К.М. Кремниевый манометрический элемент для интегральных преобразователей давления // Физическая электроника. Каунас. КПИ. -1972. -Т. 1. -С. 125-130.

205. Gieles А.С.М., Somers G.H.J. Miniature pressure transducers with a silicondiaphragm // Philips Techn. Rev. -1973. -V.33, N.l. -P. 14-20.

206. Алехин B.A., Локоть C.C., Сарапин Я.Н. К расчету монолитных тензочувствительных элементов датчика давления // Электронная промышленность. -1973. -№.2. -С.34-36.

207. Пивоненков Б.И., Стучебников В.М. Проектирование полупроводниковых интегральных тензочувствительных структур // Приборы и системы управления. -1976. -№7. -С.35-36.

208. Гридчин В.А. Критериальный подход к выбору размещения тензорезисто-ров в интегральных тензопреобразователях // Известия северо-кавказского научного центра высшей школы. Технические науки. -1978. -№2. -С.12-15.

209. Ваганов В .И., Носкин А.Б. Проектирование оптимальной топологии интегральных тензорезисторных преобразователей // Материалы конф. М.: МДНТП им Ф.Э. Дзержинского. -1980. -С.37-46.

210. Беликов Л.В. Проектирование топологии тензорезистивного моста Уитстона, расположенного на монокристаллической кремниевой мембране, ориентированной по (111) // Микросистемная техника. -2001. -№8. -С. 14-18.

211. Kanda Y., Yasukawa A. Optimum design considerations for silicon pie-zoresistive pressure sensors // Sensors and Actuators A. -1997. -V.62. -P.539-542.

212. Грановский B.A. Динамические измерения: основы метрологического обеспечения. -Л.: Энергоатомиздат. -1984. -220 с.

213. Алексеев К.А., Задача идентификации полных и частных динамических характеристик высокочастотных пьезоэлектрических датчиков переменных давлений // Приборы и системы, управление, контроль, диагностика. -2000. -№ 7. -С.58-61.

214. Багдатьев Е.Е., Ефимова А.А. Идентификация преобразователей переменных давлений // Измерительная техника. -1986. -№6. -С. 17-18.

215. Багдатьев Е.Е., Ефимова А.А., Санина Э.Б. Импульсная установка дляидентификации датчиков переменных давлений // Измерительная техника. -1989. -№3. -С.18-19.

216. Мясникова Н.В. Способы и средства определения динамических характеристик датчиков переменных давлений // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. -Пенза. -1990.

217. Кузнецов Е.А. Автоматизированный комплекс для определения стати-ко-динамических характеристик датчиков давления в широком диапазоне температур // Измерительная техника. -1993. -№6. -С.40-43.

218. Stankevich V., Shimkevichius С. Use of a shock tube in investigations of silicon micromachined piezoresistive pressure sensors // Sensors and Actuators A. -2000. -V.86. -P.58-65.

219. Ольшевский B.B. Статистические методы в гидролокации. —Jl.: Судостроение. -1973. -180 с.

220. Осадчий Е.П., Алексеев К.А. Идентификация импульсных характеристик датчиков переменных давлений с использованием матриц двумерных нестационарных передаточных функций // Датчики и системы. -1999. -№6. -С.16-19.

221. Алексеев К.А., Алексеева М.Б. Идентификация динамических характеристик датчиков в базисе функций Уолша // Информационно-измерительная техника: Межвуз. сб. научн. тр. Пенза: Пенз. гос. ун-т. -2000. -Вып. 25. -С.62-70.

222. Алексеев К.А. Метрологическая аттестация датчиков переменныхдавлений с позиций идентификации их частных динамических характеристик // Микросистемная техника. -2001. -№7. -С.18-22.

223. Иосифов В.П., Алексеев К.А. Алгоритм Берга в задачах спектрального оценивания коротких откликов датчиков // Приборы и системы управления. -1999. -№7. -С.32-35.

224. Alexeev С.А. Spectral estimation of short responses of sensors measuring pressure // Systems science: Proceedings of Wroclaw University of Technology. -1999. -V.25, N3. -P.99-110.

225. Иосифов В.П. Способы и средства аттестации датчиков переменных давлений в условиях массового производства // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. -Пенза. -1992.

226. Маркова С.В. Разработка и исследование алгоритмов идентификации систем и сигналов на основе метода экспоненциальной аппроксимации Прони // Автореф. дисс. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. -Новосибирск. -1996.

227. Кей С.М., Марпл C.JI. мл. Современные методы спектрального анализа. Обзор. // ТИИЭР. -1981. -Т.69, №11. -С.5-52.

228. Grimmeiss H.G. Silicon-germanium a promise into the future // ФТП. -1999. -T.33, вып.9. -C.1032-1034.

229. Якимов А.И., Двуреченский A.B., Степина Н.П., Никифоров А.И. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек Ge/Si // ЖЭТФ. -2001. -Т.119, вып.З. -С.574-589.

230. Currie М.Т., Leitz C.W., Langdo Т.А. et al. Carrier mobilities and process stability of strained Si n- and p-MOSFETs on SiGe virtual substrates //J. Vac. Sci. Technol. B. -2001. -N.19(6). -P.2268-2279.

231. Washio K., Ohue E., Shimamoto H. et al. A 0.2-pm lSO-GHz-/^ 6.7-ps-ECL SOI/HRS self-aligned SEG SIGE HBT/CMOS technology for microwave and high-speed digital applications // IEEE Transactions on electron devices. -2002. -V.49, N.2. -P.271-278.

232. Huang L., Chu J.O., Goma S.A. et al. Electron and hole mobility enhancement in strained SOI by wafer bonding // IEEE Transactions on electron devices. -2002. -V.49, N.9. -P. 1566-1570.

233. Драгунов В.П., Щербаков В.В., Шадрин B.C. Анизотропия удельного сопротивления германия и кремния при больших деформациях // Электронное и полупроводниковое приборостроение, Новосибирск, Сб. НЭТИ. -1980.- С.47-50.

234. Драгунов В.П., Щербаков В.В., Шадрин B.C. Исследование примесных состояний в кремнии «-типа методом больших одноосных упругих деформаций // Электронное и полупроводниковое приборостроение, Новосибирск, Сб. НЭТИ. 1980.- С.152-159.

235. Щербаков В.В., Драгунов В.П. Исследование электропроводности электронного кремния при больших одноосных деформациях // Физические основы полупроводниковой тензометрии. Новосибирск, Сб. НЭТИ. 1981. - С.190-197.

236. Драгунов В.П., Шадрин B.C., Щербаков В.В. Электропроводность кремния при больших одноосных деформациях // Известия вузов. Физика. -1982.- N5. С.7-11.

237. Щербаков В.В., Драгунов В.П., Шадрин B.C., Исследование эффекта Холла в электронном кремнии при больших одноосных деформациях // Физические основы полупроводниковой тензометрии. Новосибирск, Сб. НЭТИ. -1982. С.31-35.

238. Драгунов В.П., Драгунова JI.C. Определение коэффициента анизотропии подвижности в кремнии «-типа // В кн. «Физические основы полупроводниковой тензометрии». Новосибирск, НЭТИ. 1982. -С.84-88.

239. Щербаков В.В., Драгунов В.П., Шадрин B.C. Междолинное рассеяние в одноосно деформированном кремнии «-типа // ФТП. 1983. - Т. 17, вып.6. - С.1165.

240. Щербаков В.В., Драгунов В.П., Шадрин B.C. Влияние междолинного рассеяния на пьезосопротивление электронного кремния // Известия вузов. Физика. 1983. - N8. - С.108-110.

241. Щербаков В.В., Драгунов В.П., Шадрин B.C. Влияние температурных изменений механизмов рассеяния на кинетические коэффициенты электронного кремния

242. Полупроводникокая тензометрия. Новосибирск, Сб. НЭТИ- 1983.-С.11-16.

243. Козеев Е.В., Кравченко А.Ф., Драгунов В.П., Холявко В.Н. Исследование пьезосопротивления в и-GaAs // ФТП. -1973. Т.7, вып 8. - С. 1466-1469.

244. Драгунов В.П., Кравченко А.Ф. Исследование дополнительных минимумов зоны проводимости в арсениде галлия и-типа // Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума по генерации СВЧ колебаний с использованием эффекта Ганна, Новосибирск. 1973.

245. Драгунов В.П., Кравченко А.Ф. Исследование дополнительных минимумов в n-GaAs// ФТП-1974.-Т.8, вып.2. -С.413-416.

246. Драгунов В.П., Власов B.C., Щербаков В.В. Исследование энергетического спектра электронов в арсениде галлия «-типа методом одноосной деформации // Тезисы докладов XX областной научно-технической конференции, ГПНТБ СО АН СССР, Новосибирск. 1977.

247. Драгунов В.П., Щербаков В.В. Исследование энергетического спектра электронного арсенида галлия методом пьезосопротивления // Физика деформируемых полупроводников. Новосибирск. Сб. НЭТИ. 1979 -С.20-26.

248. Драгунов В.П., Драгунова JI.C. Влияние изотропной и одноосной деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGai.xAs и-типа //Полупроводниковые приборы. Новосибирск. Сб. НЭТИ. 1983 -С.40-47.

249. Козеев Е.В., Кравченко А.ф., Драгунов В.П., Холявко В.Н. Влияние упругой деформации на термоэдс в дырочных полупроводниках // Материалы IV-конференции по полупроводниковой тезометрии, Львов 1970. -С.278-284.

250. Козеев Е.В., Драгунов В.П., Холявко В.Н. Установка для изучения кинетических коэффициентов при воздействии на образец динамической нагрузки //Приборы и техника эксперимента, М. 1972. - N4. - С.210-212.

251. Драгунов В.П. Пьезосопротивление в р-германии // Физика и техника полупроводников. Новосибирск, Сб. НЭТИ. 1974. - С.32-34.

252. Драгунов В.П., Кравченко А.Ф., Половинкин В.Г. Анализ подвижности вр-германии // Микроэлектроника. М. Т.З, вып.5. - 1974. - С.463-465.

253. Драгунов В.П., Шишков А.А. Моделирование нелинейных коэффициентов пьезосопротивления в p-Ge II Сборник научных трудов НГТУ. -2001. №4. - С.29-37.

254. Драгунов В.П. Моделирование переноса носителей заряда в напряженных слоях на основе Ge и Si // Научный вестник НГТУ. 2003. - №2(15). - С.71-84.

255. Dragunov V.P., Boldyrev D.V. Low-field mobility and piezoresistivity of holes in germanium and silicon //5-th International conf. on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. (APEIE-2000). -V1. P.14-17.

256. Драгунов В.П., Шишков А.А. Рассеяние дырок в германии и кремнии в трехзонной модели спектра // Доклады Сибирского отделения академии наук высшей школы. 2002. -№2(6). - С.30-41.

257. Dragunov V.P., Shishkov А.А. Modeling of the piezoresistance effect nonlinearity in p-Si // Proceedings of the 6th Russian-Korean international symposium on science and technology KORUS 2002, Novosibirsk, -V. 1. -P. 271-274.

258. Dragunov V.P., Shishkov A.A. Simulation of the strain effect in the p-Gei.xSix of kinetic factors//IEEE Siberian student workshop on electron devices & materials. EDM'2001. P.21-23.

259. Dragunov V.P., Shishkov A.A. The linear piezoresistance in p-GeSixalloys // Proceedings 3 Siberian Russian workshop on electron devices and materials. Novosibirsk. -2002. -V.l. - P. 77-79.

260. Ramdas A.K., Lee P.M., Fisher P. Splitting of donor levels in multi-valley semiconductors in the presence of external fields // Phys.Lett. -1963.-V.7, N2. P.99-101.

261. Бейнихес И.Л., Коган Ш.М. Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса // ЖЭТФ. -1987. -Т.93, вып. 1(7). -С.285-301.

262. Ning Т.Н., Sah С.Т. Multivalley effective-mass approximation for donor states on silicon. I. Shallow-level group-V impurities // Phys. Rev. B. -1971. -V4. N 10. -P.3468-3481.

263. Зубкова C.M., Изюмов В.А., Русина Л.Н., Смелянская Е.В. Многодолинное расщепление энергетического спектра мелкого донора в полупроводниках со структурой типа алмаза и сфалерита //ФТП. -2000. -Т.34, вып.З. -С.278-282.

264. Бассани Ф., Пастори Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах М.: Наука. -1982. 392 с.

265. Baldereschi A. Valley-orbit interaction in semiconductors // Phys. Rev. В -1970. V.l. N12. -P.4673-4676.

266. Баранский П.И. Определение степени компенсации в л-Si // ФТП. -1975. -Т.9, вып.4. -С.810-814.

267. Costato М., Reggiani L. Lattice-scattering ohmic mobility of electrons in silicon // Phys. Stat. Sol. -1970. -V.38. -P.665-673.

268. Пол В., Варшауэр Д. Твердые тела под высоким давлением -М.: Мир.-1966.-524 с.

269. Baneijee К. Simulation and optimization of strained Sii.xGex buried channel p-MOSFETs //Solid State Electronics. 2000. - V.44. - P. 1223-1228.

270. Орлов Л.К., Рубцова P.A., Орлова Н.Л. Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово-размерных гетероструктур Ge/GeSi // ФТП. 1999. -Т.ЗЗ, вып.З. -С. 311-315.

271. Tsaur B-Y., Chen C.K. and Marino S.A. Long-Wavelength Si,.xGex/Si Heterojunction Infrared Detectors and 400x400 Element Imager Arrays // IEEE Electron Device Lett. -1991. -V.l2. - P. 293-296.

272. Lin T-L., Ksendozov A., Dejewski S.M., Jones E.W. et al. SiGe/Si Heterojunction Internal Photoemission Long-Wavelength Infrared Detectors Fabricated by Molecular Beam Epitaxy // IEEE Transaction on Electron Devices. -1991. -V.38. N.5. -P.l 141-1144.

273. Ismail K. Si/SiGe CMOS: Can it Extend the Lifetame of Si? // IEEE Int. Silid-St. Circuts Conf. -1997. -P.l 16.

274. Rucker Н., Heinemann В. Tailoring dopant diffusion for advanced SiGe:C heterojunction bipolar transistors // Solid State Electronics. 2000. - V.44. - P.783-789.

275. Chattopadhyay S., Bose P.K., Maiti C.K. Photoresponse of Si.xGex het-eroepitaxial p-i-n photodiodes // Solid State Electronics. 1999. -V.43. - P. 1741-1745.

276. Ершов A.B., Машин A.M., Хохлов А.Ф. Легирование и компенсация примеси при имплантации ионов в пленки a-SiGe // ФТП. -1998. -Т.32, №10. С.1260-1262.

277. Yousif M.Y.A., Friesel М. et al. On the performance of in situ B-doped P+ poly-Si.xGex gate matirial for nanometer scale MOS technology // Solid State Electronics. 2000. - V.44. - P. 1425-1429.

278. Wijngaards D.D.L., Kong S.H., Bartek M., Wolffenbuttel R.F. Design and fabrication of on-chip integrated poly-SiGe and poly-Si Peltier devices // Sensors and Actuators A. -2000. N.85. P.316-323.

279. Rieger M.M., Vogl P. Electronic-band parameters in strained Si.xGex alloys on Sii.yGey substrates // Phys/ Rev. 1993. -V.48, №19. - P.14276 - 14286.

280. Landolt-Bornstein. Zahlenwerte und Funktionen aus Natutwissenshaftenund Technik, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, N.Y., 1987). V.5, III, Part 22 A.

281. Караваев Г.Ф., Чернышев B.H. Резонансное туннелирование X-электронов в структурах AlAs/GaAs(lll). Псевдопотенциальный расчет и модель // ФТП. -2001. -Т.З5, вып. 1. -С.105-109.

282. Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф. Туннелирование электронов через тонкий барьер с плавным потенциалом на гетерограницах GaAs/AlAs (001) // ФТТ. -2000. -Т.42, вып. 4. С.752-758.

283. Shyu J-S., Chiang J-C. Room-temperature current-voltage characteristics in AlAs-GaAs-AlAs double-barrier structures: Calculations using a bond-orbital model // Phys. Rev. B. -1999. -V.60, N.3. -P.1799-1806.

284. Sladek RJ. Stress-induced donor deionization in GaAs // Phys. Rev. -1965. -V.140. -P.A1345-A1352.

285. Craford M.G., Stillman G.E., Rossi J.A. Effect of Те and S donor levels on the properties of GaAsi.xPx near the direct-indirect transition // Phys. Rev. -1968. -V.168. -P.867-873.

286. Hutson A.R., Jayraman A., Coriel А. Влияние высокого одноосного давления и температуры на электропроводность в «-GaAs // Phys. Rev. -1967. -V.155, N3.-P.786-797.

287. Жиленис С.Г., Пожела Ю.К., Шимкявичус Ч.И., Шимулите Е.А. Исследование электропроводности варизонных кристаллов при гидростатическом и одноосном сжатии // Литовский физический сборник. -1981. -Т. 21, №2. -С.67-71.

288. Кейси X. Даниш М. Лазеры на гетероструктурах. М. :Мир. -1981, -222 С.

289. Beer А .С., Wilardson R.K. // Phys. Rev. -1958. -VI10. P. 1286-1297.

290. Goldberg С., Adams E.H., Davis R.E. // Phys. Rev. 1957. - V105. -P.865-871.

291. Kay L.E., Tang T.W. Monte Carlo calculation of strained and unstrained electron mobilities in using an improved ionized-impurity model // J. Appl. Phys. -1991. -V.70. -P.1483-1488.

292. Bennett H.S., Lowney J.R. Calculated majority- and minority-carrier mobilities in heavily doped silicon and comparisons with experiment // J. Appl. Phys. -1992. -V.72. -P.2285-2296.

293. Glicksman M. Mobility of electrons in germanium-silicon alloys // Phys. Rev. -1958. -V.l 11. -P.125-128.

294. Никитин K.E. // ФТТ. -1994. -T.36. -C.3587

295. Скворцов A.A., Литвиненко O.B., Орлов A.M. Определение констант деформационного потенциала п-Si, р-Si по концентрационному ангар-монизму // ФТП. -2003. -Т.37, вып. 1. -С. 17-21

296. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. Искусственные подложки GeSi для гетероэпитаксии достижения и проблемы: Обзор // ФТП. - 2003. - Т.37, вып. 5. - С.513-538.

297. Prinz V.Ya., Grutzmacher D., Preobrazhenskii V.V. et al. A new technique for fabricating three-dimensional micro- and nanostructures of various shapes super-lattices // Nanotechnology. 2001. -V. 12. -P.399-402.

298. Головко В.Г., Семенов А.И. Термо-эдс кремния р-типа при одноосном сжатии // Электронная техника. Серия 12. -Вып.4(10). -С.37-40.

299. Блат Ф.А. Теория подвижности электронов в твердых телах. -М.: Физ-мат. лит. -1963. -224 С.

300. Драгунов В.П., Кравченко А.Ф., Холявко В.Н. Пьезосопротивление в и-канальных кремниевых МОП-структурах // Микроэлектроника, М., -Т.4, вып.1, -1975, -с.50-55.

301. Холявко В.Н., Драгунов В.П., Морозов Б.В., Скок Э.М., Велчев Н.В. Изучение размерного квантования в р-типе инверсионных слоев кремния с помощью магнетосопротивления // Phys.Stat.Sol.(b), -V.75, N2, -1976, -р.423-432.

302. Драгунов В.П. Особенности энергетического спектра электронов в размерноквантованных пленках кремния гс-типа // Полупроводниковые тензо-резисторы. Новосибирск, Межвуз. сб. н. трудов, НЭТИ. 1985. - С.29-34.

303. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Анализ схем термостабилизации на

304. КМДП-транзисторах // Полупроводниковая тензометрия. Новосибирск, Межвуз. сб. научн. Трудов, НЭТИ 1988. -С.60-65.

305. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Интегральный тензочувствительный элемент // А.с. N1453162, от 22.09.88. G 01 В 7/16.

306. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Кольцевой счетчик // А.с. N1415438, от 08.04.88. Н 03 К 23/54.

307. Холявко В.Н., Драгунов В.П., Лерке В.В. Пьезосопротивление в (111) инверсионных р-каналах кремниевых МДП-транзисторов // Физическая электроника. Республиканский межведомстенный н.-техн. сб. Львов, -1989. вып. 39. - С.76-80

308. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Оценка параметров тензочувствительных микросхем методом статистических испытаний // Полупроводниковая микроэлектроника. Новосибирск, Межвуз. сб. научн. Трудов, НЭТИ. -1989. -С.106-111.

309. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Счетное устройство с исправлением сбоев // А.с. N1598164, от 08.06.90. Н 03 К 21/40.

310. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Интегральный тензочувствительный элемент // А.с. N1610243, от 01.08.90. G 01 В 7/16.

311. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Распределенный тензочувствительный элемент//А.с. N1634989, от 15.11.90. G 01 В 7/16.

312. Драгунов В.П., Ильенков А.И. Тензочувствительный мост // А.с. N1642231, от 15.12.90. G 01 В 7/16.

313. Драгунов В.П. Проектирование тензочувствительных ИС на МДП-транзисторах // Полупроводниковая тензометрия. Новосибирск, Межвуз. сб. научн. Трудов, НЭТИ. -1991. -С.30-38.

314. Драгунов В.П. , Ильенков А.И. Интегральный тензочувствительный элемент //А.с. N1648897, от 15.01.91. G 01 В 7/16.

315. Драгунов В.П. Анализ характеристик многоэлементных тензопреобразователей // Электронное приборостроение. Новосибирск, НЭТИ. -1992. -С.131-139.

316. Драгунов В.П., Козлов М.В., Петров П.С. Анализ работы тензочувствительных схем на высоких частотах // Труды Межд. н.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП-94, Новосибирск, Т.5. Сенсорная электроника. -1994. -С. 122-127.

317. Холявко В.Н., Драгунов В.П. Аномальное магнитосопротивление в двумерном дырочном газе Si-МДП структур // Информатика и проблемы телекоммуникаций. Тез. докл. Межд. науч.-технич. конф.- Новосибирск. -1998. -С.117-118.

318. Драгунов В.П. Сравнительный анализ тензорезистивных преобразователей // Научный вестник НГТУ. 2003. - №2(15). - С.85-92.

319. Драгунов В.П. Тензочувствительные ИС на МДП-транзисторах // Микроэлектроника. 2005.-Т.34, №1. С.65-71.

320. Иноземцев С.П., Рахманов В.Ф., Трухачев Б.С. Цепочечные схемы с полупроводниковыми тензорезисторами // Полупроводниковая тензометрия: Материалы IV конф. по полупроводниковой тензометрии. Львов, 1971. -С.136-140.

321. Беляков Ю.Н., Курмаев Ф.А., Баталов Б.В. Методы статистических расчетов микросхем на ЭВМ -М.: Радио и связь. 1985. -232 с.

322. Кобзев Ю.В. Полупроводниковый тензопреобразователь давления, содержащий многократную мостовую схему // Датчики на основе технологии микроэлектроники. -М., 1983. -С. 168-169.

323. Королев М.А., Чаплыгин Ю.А. Интегрированные микросистемы -перспективные элементы микросистемной техники // Тезисы докладов IV Международной научно-технической конференции «Электроника и информатика 2002».Часть 2. - М. МИЭТ. - 2002. -С.39-40.

324. Dragunov V.P., Voroshilov V.P. Mechanical behaviour of membranes' micromachined sensor under uniform pressure // Proceedings the 3 Russian-Korean International Symposium on Science and Technology, Novosibirsk, Russia. -1999.-V.2.-P. 657-660.

325. Dragunov V.P. A simple technique for the simulation of capacitive pressure transducers // 6th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. -2002. V.l. -P. - 11-15.

326. Драгунов В.П. Микромеханические системы с электростатическим управлением //Научный вестник НГТУ. 2003. -№1(14). - С. 61-72.

327. Драгунов В.П. Влияние формы упругого элемента на характеристики микроэлектромеханических систем // Микросистемная техника. 2004. -№1. - С.20-26.

328. Драгунов В.П. Нелинейность упругих элементов микромеханиче-скихсистем // Микросистемная техника. 2004. - №5. - С.7-13.

329. Драгунов В.П. Нелинейная модель упругого элемента МЭМС // Микросистемная техника. 2004. - №6. - С. 19-24.

330. Богонин М.Б. Моделирование жидкостного анизотропного травления кремния // Микросистемная техника. -2003. №11. -С.30-32.

331. Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, П. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. В. JI. Кустова, В.М. Петрова, О.В. Селляховой. Под ред. профессора Р.А. Суриса. М.: Радио и связь, 1988.

332. Sato К., Shikida М., Matsushima Y., Yamashiro Т. Characterization of orientation-dependent properties of single-crystal silicon: affects of KOH concentration // Sensors and Actuators A. -1998. N 64. -P.87-93.

333. Shikida M., Sato K., Shikida M., Tokoro K., Uchikawa D. Difference in anisotropic etching properties of KOH and TMAH // Sensors and Actuators A.-2000. N 80. -P/179-188.

334. Sato K., Shikida M., Yamashiro Т., Asaumi K. et al. Anisotropic etching rates of single-crystal silicon for TMAH water solution as a function of crystallo-graphic orientation // Sensors and Actuators A.-1999. N 73. -P. 131-137.

335. Steinsland E., Finstad Т., Hannedorg A. Etch rates (100), (111) and (110) single-crystal silicon in TMAH measured in situ bu laser reflectance interferometry // Sensors and Actuators A.-2000. N 86. -P.73-80.

336. Zubel I., Baiycka I., Kotowska K., Kramkowska M. Silicon anisotropicetching in alkaline solutions IV. The effect of organic and inorganic agents on silicon anisotropic etching process // Sensors and Actuators A.-2001. N 87. -P. 163-171.

337. Chou B.C.S., Chen C.N., Shie J.S. Micromachining on (11 l)-oriented silicon // Sensors and Actuators A.-1999. N 75. -P.271-277.

338. Gerasimenko N.N., Golishnikov А.А., Platonov V.V., Putrya M.G., Saurov A.N., Verner I.V. Implementation of High-density plasma reactors in VLSI technology // Problems of submicron technology, M. Nauka, V.16, Proceedings of IPT, -2000.-P. 17-24.

339. Сауров A.H. Специальные методы плазменного травления в технологии самоформирования // Известия вузов, «Электроника». 1997. №6. - С.60-68.

340. Пономарев С.Д., Андреева JI.E. Расчет упругих элементов машин и приборов. М.: Машиностроение. 1980 . - 363 с.

341. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. - 240.

342. Коренев Б.Г. Некоторые задачи теории упругости и теплопроводности решаемые в бесселевых функциях. М.: Изд. Физ-мат. литературы. 1960. 459 с.

343. Дятлов В.Л., Коняшкин В.В., Потапов Б.С. Электромеханические емкостные среды в интегральном исполнении // Пленочная электромеханика, Новосибирск, 1991. -Вып. 143. -С.19-45.

344. Драгунов В.П. Моделирование влияния внешних воздействий на резонансную частоту полупроводниковых мембран // Материалы междун. н.-техн. конф. «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск, Т.2, 1995. С.167-170.

345. Драгунов В.П. Исследование динамических характеристик полупроводниковых мембран // Труды Межд. н.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП-94, Новосибирск, Т.5. Сенсорнаяэлектроника. 1994. С.53-57.

346. Драгунов В.П. Оценка высокочастотных параметров чувствительных элементов полупроводниковых датчиков давления // Доклады 3 Международной конференции «Измерения, контроль и автоматизация производственных процессов» (ИКАПП-94), Барнаул. 1994. С.97-98.

347. Драгунов В.П. Расчет передаточной характеристики прямоугольного упругого элемента интегрального тензопреобразователя // «Радиотехника, электроника, физика», Сб. научн. трудов, Новосибирск, Hi ГУ, -1996. С.93-99.

348. Драгунов В.П. Моделирование динамических характеристик микромеханических устройств // Сборник научных трудов НГТУ, Новосибирск. -1995. №1,- С.85-91.

349. Драгунов В.П., Исупов В.В. Исследование динамических характеристик интегральных зеркал большого диаметра // Тезисы докладов Российской н.-техн. конф. «Информатика и проблемы телекоммуникаций», Новосибирск. -1996. -Т.2. С.32-33.

350. Драгунов В.П. Динамическая модель упругого элемента микромеханических систем // Научный вестник НГТУ. 2004. - №1(16). - С.93-103.

351. Голосков Е.Г., Филиппов А.П. Нестационарные колебания деформируемых систем. Киев: Наукова думка, 1977. -338 с.

352. Яковлев О.В. Вибрационно-частотный преобразователь давления // Датчики на основе технологии микроэлектроники / МД НТП им. Ф.Э. Дзержинского. -М. -1989. -С. 102-105.

353. Драгунов В.П. Нелинейная динамическая модель упругого элемента ММС // Микросистемная техника. -2004. -№.10 С.23-29.

354. Thomas О., Touze С., Chaigne A. Asymmetric non-linear forced vibrations of free-edge circular plates. Part II: experiments // J. of Sound and Vibratio. -2003.-N 265.-P.1075-1101.

355. Nayfeh A. H., Mook D. T. Nonlinear oscillations. -New York. Wiley classics library edition published. -1995. -704 p.

356. Gui C., Legtenberg R., Tilmans H.A.C., Fluitman J.H.J., Elwenspoek M. Nonlinearity and hysteresis of resonant strain gauges // J. of Microelectromechanical systems. 1998. -V.7, N.l. -P. 122-127.

357. Драгунов В.П. Демпфирование колебаний упругих элементов микромеханических систем // Научный вестник НГТУ. 2004. - №2(17). - С.189-192.

358. Комарова Э.И., Романова Т.С., Шабалина Т.В., Драгунов В.П. Полупроводниковый преобразователь для регистрации параметров быстропроте-кающих процессов // Полупроводниковая тензометрия. Новосибирск, Межвуз. сб. научн. Трудов, НЭТИ. 1991. - С.70-73.

359. Драгунов В.П. Проектирование быстродействующих датчиков давления // Труды Межд. н.-техн. конф. «Актуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП-92, Новосибирск, Т.4. Сенсорная электроника. -1992. С.61-66.

360. Драгунов В.П. Полупроводниковый датчик для измерения быстро-изменяющегося давления газа // Приборы и системы управления. 1993. -№5. - С.23-24.

361. Драгунов В.П. Вопросы проектирования высокочастотных датчиков давления // Тезисы докладов межд. н.-техн. конф. «Методы и средства измерения механических параметров в системах контроля и управления», Пенза, ПДНТЛ -1994. С. 19-21.

362. Драгунов В.П. Влияние деформации на энергетический спектр и перенос носителей заряда в 20-системах. / Новосибирск. Препринт «Микросенсорика и микромеханика». НГТУ. -2000. -С. 11-14.

363. Dragunov V.P., Shishkov А.А. Influence of pressure on intrinsic Instability in GaSb/AlSb double-barrier quantum structures: simulation model and qualitative results // IEEE Siberian student workshop on electron devices & materials. EDM'2000. P.38-42.

364. Драгунов В.П. Анализ вольт-амперных характеристик туннельно-резонансного диода с учетом накопления заряда // Электронная техника. Серия 7, ТОПО. -1993. №2(3). - С.33-36.

365. Dragunov V.P., Boldyrev D.V. Calculations of electrical characteristics of resonant tunneling strustures // 4th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering. Russia, Novosibirsk, 1998. Proceedings. V.l. -P.442-446.

366. Драгунов В.П., Шишков A.A. Влияние давления на транспорт электронов в GaAs/AlAs многобарьерных гетероструктурах // IV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск. ИФП. -1999. -С.65.

367. Драгунов В.П. Влияние деформации на характеристики туннельно-резонансного диода // Труды 3 Межд. н.-техн. конф. «Аюуальные проблемы электронного приборостроения». АПЭП-96, Новосибирск, Т.2 Сенсорная электроника. -1996.-С103-Ю5.

368. Драгунов В.П., Шишков A.A. Влияние давления на транспорт электронов в гетероструктурах на основе GaAs/AlAs // Сб. науч. тр. НТГУ. Новосибирск, 2000. -Вып.2. -С.96-101.

369. Драгунов В.П., Шишков А.А Изменение знака эффективных масс в размерноквантованных пленках р-типа с учетом спин-орбитальных поправок // Сб. науч. тр. НТГУ. Новосибирск. -2000. -Вып.4. - С.77-84.

370. Dragunov V.P. Spin-orbit-coupling effects on the valence-band structureof Sii.xGex/CaF2 quantum wells // 3-rd International conference "Physics of low-dimensional structures-3". Abstracts. 2001. - P. 91-92.

371. Драгунов В.П. Влияние спин-орбитального взаимодействия на энергетический спектр дырок в системе CaF2/Sii.xGex/CaF2 // Доклады Сибирского отделения академии наук высшей школы. 2001. - №2(4). - С.20-30.

372. Dragunov V.P. Effect spin-orbit interaction on energy spectrum of holes in Sii.xGex system // 2002 6th International conference on actual problems of electronic instrument engineering proceedings. -2002. V.2. - P.20-26.

373. Berdinsky A.S., Fink D., Yoo J.B., Dragunov V.P. et al. Electronic conduction properties of Аи/Сбо/p-Si and C60/Au/ p-Si sandwich structures: I-V and transducer characteristics I I Solid State Commun. -2004. -N130. -P.809-814.

374. Драгунов В.П., Парлюк A.B. Применение методов дискриминации для идентификации интегральных датчиков // Сборник научных тр. НГТУ. -Новосибирск. 2001. - №3. - С.15-20.

375. Драгунов В.П., Парлюк А.В. Идентификация динамических характеристик датчиков давления с использованием метода максимального правдоподобия // Научный вестник НГТУ. 2001. - №2(11). - С. 43-52.

376. Готра З.Ю. Справочник по технологии микроэлектронных устройств. Львов, Камерян. - 1986. -287 с.

377. Чистяков Ю.Л., Булатов О.С. Локальное травление в процессах изготовления полупроводниковых приборов на арсениде галлия. Обзоры по электронной технике. Сер.2. «Полупроводниковые приборы». - 1980. -Вып.З. -С.49-53.

378. Алексеев К.А. Задача идентификации полных и частичных динамических характеристик высокочастотных пьезоэлектрических датчиков переменных давлений // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика, №7.-2000,-С. 58-61.

379. Кобзев Ю.В., Лизин А.И., Ташкинов Г.Д. Исследование динамических и прочностных характеристик кремниевых преобразователей давления // Приборы и системы управления. 1985. - №3. -С.20-21.

380. Гриняев С.Н., Щеголь С.С., Криворотов Н.П. Тензоэлектросопротив-ление эпитаксиальных пленок AlxGajxAs «-типа проводимости // Материалы 7-й Российской конф. «Арсенид галлия (GaAs-99)». Томск, 1999, - С.27-29.

381. Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. -448 с.

382. Марпл -мл. C.JI. Цифровой спектральный анализ и его приложения. -М.: Мир, 1990.-584 с.

383. Ивченко Г.И. Медведев Ю.И. Математическая статистика. М.: "Высшая Школа", 1984 248 с.

384. Mehra R. К. Optimal inputs for linear system identification // IEEE Transaction on automatic control. -1974. -V.AC-19, N 3. P. 192-200.