Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Москалев, Сергей Александрович

• Москалев, Сергей Александрович
• кандидат технических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат технических наук Москалев, Сергей Александрович

Введение.

1 Анализ современного состояния разработок и исследований в области создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления. Постановка задач исследования.

1.1 Анализ конструктивно-технологических методов изготовления полупроводниковых МЭМС датчиков давления.

1.2 Анализ тенденций развития датчиков давления на базе полупроводниковых МЭМС.

1.3 Анализ современного состояния разработок датчиков давления на базе полупроводниковых МЭМС.

1.4 Анализ методик расчёта полупроводниковых МЭМС датчиков давления

1.5 Результаты и выводы по главе.

2 Теоретические и экспериментальные исследования функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления.

2.1 Функция преобразования полупроводниковых МЭМС датчиков давления.

2.2 Исследование функционирования полупроводниковых МЭМС при воздействии давления.

2.2.1 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном кристалле с мембраной квадратной формы без жесткого центра.

2.2.2 Моделирование процессов преобразования давления в профилированном кристалле с мембраной квадратной формы и жестким центром.

2.3 Результаты и выводы по главе.

3 Разработка математических моделей профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС датчиков давления.

3.1 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов а областях с максимальными относительными деформациями.

3.2 Определение параметров профилированных кристаллов полупроводниковых

МЭМС, обеспечивающих расположение тензорезисторов в областях с равными по абсолютной величине относительными деформациями.

3.3 Методика расчета полупроводниковых МЭМС, обеспечивающая проектирование датчиков давления повышенной чувствительности, линейности.

3.4 Результаты и выводы по главе.

4 Разработка и экспериментальное исследование полупроводниковых

МЭМС.

4.1 Технические решения полупроводниковых МЭМС датчиков давления, обеспечивающие повышенную точность измерения.

4.2 Сопоставление экспериментальных данных с результатами исследования.

4.3 Результаты и выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками»

Актуальность работы.

Повышение качества и надежности информационно-измерительных и управляющих систем ракетно-космической и авиационной техники, атомной промышленности, автомобилестроения, медицины и других неразрывно связано с совершенствованием датчиков различных физических величин. Особое место среди них занимают датчики давления, поскольку около 60 % измеряемых параметров связано с давлением.

В России действуют более 40 предприятий, выпускающих датчики давления. В числе лидеров такие отечественные предприятия, как ОАО «НИИФИ» (г. Пенза), ПГ «Метран» (г. Челябинск), НПП «Элемер» (г. Зеленоград), ЗАО «НПК ВИП» (г. Екатеринбург), «БД Сенсорс РУС» (г. Москва), ПГ МИДА (г. Ульяновск), ЗАО «Орлэкс» (г. Орел), МИЭТ (г. Москва), ОАО Энгельское опытно-конструк-торское бюро «Сигнал» им. А. И. Глухарева (г. Энгельс, Саратовская обл.). К ведущим зарубежным производителям датчиков давления можно отнести Honeywell International, Inc. (США); Kulite Semiconductor Products (США); Kyowa Electronic Instruments Co., Ltd. (Япония), Motorola (США), Druck (Англия) и ряд других компаний. [1].

История развития полупроводниковых датчиков давления во многом связана с решением задач повышения точности и надежности. Об этом свидетельствует большое количество работ, опубликованных различными авторами и научными коллективами.

Решению проблем улучшения характеристик датчиков посвящены работы Е. М. Белозубова, В. А. Васильева, В. И. Ваганова, И. В. Волохова, 3. Ю. Готры, В. А. Гридчина, В. В. Грищенко, Е. А. Мокрова, А. А. Папко, В. М. Стучебникова, В. А. Тихоненкова, А. И. Тихонова, R. G. Jackson, J. Fraden, A. D. Kurtz и др.

Однако в существующих работах недостаточное внимание уделено вопросам расчета полупроводниковых микроэлектромеханических систем (МЭМС) датчиков давления, повышения точности (чувствительности, линейности) путем оптимизации конструктивных параметров МЭМС. Известные разработки датчиков основаны преимущественно на практическом опыте и интуиции разработчиков, что затрудняет проектирование новых более совершенных датчиков.

Наиболее распространенный метод изготовления полупроводниковых МЭМС датчиков давления - с применением монокристаллического кремния в качестве воспринимающей давление мембраны, в которой формируется мостовая измерительная схема из тензорезисторов, преобразующая деформацию в электрический сигнал. Изоляция электрической схемы от кремниевой подложки обеспечивается ^-«-переходом или использованием слоя диэлектрика. Основными преимуществами полупроводниковых МЭМС по сравнению, например, с тонкопленочными являются относительно высокая чувствительность, малые габариты и групповая технология изготовления [2-4]. Анализ методов изготовления полупроводниковых датчиков давления показал, что перспективным является создание МЭМС на базе профилированных кристаллов.

Несмотря на большой объем исследований в области создания полупроводниковых МЭМС, проведенных учеными различных стран, многие вопросы по оптимальному построению полупроводниковых МЭМС остаются нерешенными. Известные методики расчета полупроводниковых МЭМС базируются на решениях, разработанных во второй половине прошлого века и предусматривающих в качестве основного параметра, регулирующего диапазоны измерений датчика, изменение толщины воспринимающей давление мембраны. Существующие расчетные соотношения между местоположением тензоэлементов и геометрическими размерами мембраны и жесткого центра получены на основе упрощенных моделей, не учитывающих реальные конструктивно-технологические особенности формирования упругих элементов (УЭ) из монокристаллического кремния.

Для создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками требуются новые более совершенные методики расчета полупроводниковых МЭМС, позволяющие производить расчет с большей точностью. При этом необходимы теоретические и экспериментальные исследования функционирования основных элементов и узлов МЭМС для установления закономерностей влияния их геометрических параметров на выходной сигнал датчиков. На данной основе возможны разработка полупроводниковых МЭМС с улучшенными техническими характеристиками, создание датчиков давления повышенной точности, обладающих высокой чувствительностью, линейностью.

Таким образом, диссертационная работа, посвященная совершенствованию методик расчета полупроводниковых МЭМС и созданию датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками для устройств систем управления, является актуальной.

Цель диссертационной работы - совершенствование теоретической и технической базы средств создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками для устройств систем управления.

Для достижения цели были поставлены и решены следующие задачи:

- изучение и анализ современного состояния разработок и исследований в области создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления для определения направлений их совершенствования;

- теоретическое и экспериментальное исследование функционирования полупроводниковых МЭМС на базе профилированных кристаллов с квадратной мембраной при воздействии давления с целью улучшения технических характеристик датчиков давления;

- разработка методики расчета полупроводниковых МЭМС датчиков давления, обеспечивающих проектирование датчиков давления повышенной точности, обладающих высокой чувствительностью, линейностью;

- разработка алгоритма и программы, реализующих предложенную методику расчета полупроводниковых МЭМС датчиков давления;

- разработка новых технических решений полупроводниковых МЭМС датчиков давления повышенной точности, обладающих высокой чувствительностью, линейностью.

Объектом исследования являются полупроводниковые микроэлектромеханические системы датчиков давления.

Предметом исследования являются методики расчета и оптимизации параметров полупроводниковых микроэлектромеханических систем датчиков давления.

Методы исследования. Теоретические исследования проводились с применением современных систем автоматизированного проектирования и инженерного анализа, метода конечных элементов, теории механики деформируемого тела. Экспериментальные исследования метрологически обеспечены и проводились на экспериментальной базе ОАО «НИИФИ» (г. Пенза).

Научная новизна работы:

1. Установлены зависимости относительных деформаций плоской поверхности упругих элементов полупроводниковых МЭМС от геометрических параметров профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы численным моделированием с использованием программного пакета ЗоЫЖогкз, позволяющие оценить влияние параметров кристаллов на их чувствительность к давлению.

2. Разработаны математические модели профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС для определения местоположения максимальных и равных по абсолютной величине относительных деформаций их плоской поверхности, отличающиеся от традиционных учетом геометрических параметров формы, что позволяет решать задачи повышения чувствительности и уменьшения погрешности датчиков.

3. Введены и определены коэффициенты деформационной чувствительности профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы, на основе полученной функции преобразования полупроводниковых МЭМС и установленных зависимостей относительных деформаций от геометрических параметров кристаллов, позволяющие с повышенной точностью рассчитывать выходной сигнал датчиков давления.

4. Установлены соотношения между местоположением тензоэлементов и геометрическими размерами мембраны и жесткого центра для профилированных кристаллов, которые позволяют оптимизировать параметры МЭМС по критериям максимума чувствительности или минимума нелинейности выходной характеристики датчика давления.

Практическая значимость.

1. Получены аналитические выражения для расчета геометрических параметров полупроводниковых МЭМС, использование которых позволяет сократить время разработки полупроводниковых датчиков давления.

2. Определены оптимальные соотношения между параметрами полупроводниковых МЭМС, которые позволяют повысить чувствительность и уменьшить погрешность датчиков давления.

3. Разработана инженерная методика расчета полупроводниковых МЭМС на базе профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы, позволяющая снизить длительность разработки и повысить технические характеристики датчиков давления.

4. Разработаны алгоритм и программа для инженерных расчетов на основе предложенной методики, которые на этапе проектирования позволяют осуществить точный расчет полупроводниковых МЭМС на базе профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы.

5. Предложены новые технические решения полупроводниковых МЭМС датчиков давления, реализующие установленные оптимальные соотношения между параметрами МЭМС, обеспечивающие повышенную точность измерения.

6. Разработаны с использованием предложенной инженерной методики расчета новые конструкции полупроводниковых МЭМС датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками: повышенной чувствительностью, линейностью, надежностью, которые могут широко использоваться при создании систем управления различного назначения.

На защиту выносятся:

1. Установленные численным моделированием зависимости между относительными геометрическими параметрами профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы и относительными деформациями плоской поверхности кристаллов полупроводниковых МЭМС, применение которых позволило оценить влияние параметров на чувствительность кристаллов к давлению.

2. Математические модели профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС для определения местоположения максимальных и равных по абсолютной величине относительных деформаций их плоской поверхности, позволяющие оптимизировать размещение тензоэлементов (тензорезисторов) по критериям максимума чувствительности или минимума нелинейности мостовой измерительной цепи датчика.

3. Математические модели полупроводниковых МЭМС для определения основных геометрических параметров профилированных кристаллов, соответствующих заданному (номинальному) измеряемому давлению, учитывающие оптимальный коэффициент деформационной чувствительности и местоположение максимальных или равных по абсолютной величине относительных деформаций, обеспечивающие повышенную точность расчетов МЭМС.

4. Методика расчета полупроводниковых МЭМС датчиков давления, отличающаяся от ранее известных тем, что она основана на полученных математических моделях для определения основных геометрических параметров и позволяет более точно определять геометрические размеры мембраны, жесткого центра и места расположения тензоэлементов по заданному давлению.

Реализация и внедрение результатов исследований. Диссертационная работа выполнялась в рамках аналитической ведомственной целевой программы Министерства образования и науки РФ «Развитие научного потенциала высшей школы (2009-2013)»: мероприятие 1. Проведение фундаментальных исследований в рамках тематических планов (per. № 1.11.09, 7.17382011), наименование проекта: «Комплексные исследования и разработка гетерогенных структур преобразователей информации, устойчивых к воздействию дестабилизирующих факторов»; мероприятие 2. Проведение фундаментальных исследований в области естественных, технических и гуманитарных наук. Научно-методическое обеспечение развития инфраструктуры вузовской науки (per. № 2.1.2/4431, 2.1.2/10274), наименование проекта: «Проведение фундаментальных научных исследований свойств тонкопленочных нано- и микроэлектромеханических систем при воздействии стационарных и нестационарных температур». В рамках федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг.: мероприятие 1.3.1. Поддержка научных исследований, проводимых молодыми учеными - кандидатами наук по научному направлению «Индустрия наносистем» в области «Компьютерное моделирование наноматериалов, наноустройств и нанотехнологий» (Грант № 14.В37.21.0938), наименование проекта: «Компьютерное моделирование наноэлектромеханических систем интеллектуальных датчиков физических величин».

Результаты проведенных научных исследований были использованы при разработке чувствительных элементов измерительного функционального модуля давления и температуры ИФМДТ ОКР «Сэндвич-Т» - «Разработка распределенного измерительного функционального модуля давления и температуры на основе наноэлектромеханических систем для встраивания в базовые несущие конструкции изделий ракетно-космической техники и объектов наземной космической инфраструктуры» (госконтракт от 04.05.2012 № 783-Б045/12 с Роскосмосом); при выполнении работ по теме НИР «Солярис» -«Разработка технологии изготовления высокотемпературных датчиков давления на базе структур «поликремний-диэлектрик» (госконтракт от 30.11.2011 № 11411.1000400.18.006 с Минпромторгом).

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на международных, всероссийских и межвузовских научно-практических и научно-технических конференциях, семинарах и симпозиумах: «Математическое и компьютерное моделирование естественнонаучных и социальных проблем» (Пенза, 2010-2011); «Микротехнологии в космосе» (Москва, 2010); «Университетское образование»

Пенза, 2011); «Молодежь и наука: модернизация и инновационное развитие страны» (Пенза, 2011); «Методики, техника и аппаратура внутренних и внешних испытаний» (Пенза, 2011); «Датчики и системы» (Пенза, 2011-2012); «Актуальные I проблемы ракетно-космического приборостроения и информационных технологий» (Москва, 2012); «Надежность и качество» (Пенза, 2012), «Проблемы автоматизации и управления в технических системах» (Пенза, 2012-2013).

Публикации. Основные теоретические и практические результаты диссертации опубликованы в 19 статьях, среди которых 2 - в ведущих рецензируемых журналах из перечня ВАК. Новизна технических решений подтверждена 2 патентами РФ на изобретения и 1 свидетельством на топологию интегральной микросхемы.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав с выводами, заключения, списка используемой литературы и 4 приложений. Она изложена на 140 страницах, включает 49 рисунков, 5 таблиц. Список литературы содержит 79 наименований. Приложения представлены на 15 страницах.

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Москалев, Сергей Александрович

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В результате проведенных исследований совершенствована теоретическая и техническая база средств создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления с улучшенными техническими характеристиками для устройств систем управления.

1. Проведено изучение и анализ современного состояния разработок и исследований в области создания полупроводниковых МЭМС датчиков давления. Из анализа следует, что наиболее распространенными технологическими методами изготовления полупроводниковых МЭМС датчиков давления являются объемная микромеханика и поверхностная микромеханика, представленная такими структурами, как «кремний на диэлектрике», «поликремний на диэлектрике», «кремний на сапфире», «карбид кремния на диэлектрике».

2. Выявлено, что наиболее технологичными являются полупроводниковые МЭМС на базе профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы. Перспективно направление совершенствования таких МЭМС по пути улучшения технических характеристик, в частности, повышения чувствительности, линейности.

3. Анализ существующих методик расчета полупроводниковых МЭМС датчиков давления показал, что они не позволяют производить расчёт МЭМС на базе профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы с достаточной точностью. Основным параметром, позволяющим регулировать диапазон измерения, является толщина мембраны. Известные аналитические выражения для определения деформаций поверхности мембраны содержат параметры самой мембраны и не учитывают другие геометрические параметры упругого элемента (профилированного кристалла), такие как угол травления кремния. Отмечено, что нелинейность функции преобразования является наиболее распространенной причиной, снижающей точность датчика давления. Погрешность нелинейности может составлять 3.6 %.

4. Теоретически и экспериментально исследовано функционирование полупроводниковых МЭМС на базе профилированных кристаллов с квадратной мембраной при воздействии давления. Получены функции преобразования полупроводниковых МЭМС датчиков давления на базе профилированных кристаллов с квадратной мембраной (без жесткого центра и с жестким центром). Установлены зависимости относительных деформаций плоской поверхности упругих элементов полупроводниковых МЭМС от относительных геометрических параметров профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы, которые позволили провести оценку влияния параметров на чувствительность кристаллов к давлению.

5. Введены и определены коэффициенты деформационной чувствительности на основе полученных функций преобразования полупроводниковых МЭМС для учета изменения чувствительности в зависимости от использования в работе профилированных кристаллов с мембранами квадратной формы зоны (типа) деформации. По результатам численного моделирования установлены основные геометрические параметры формы профилированных кристаллов, влияющие на изменение коэффициентов деформационной чувствительности. Определены зависимости коэффициентов деформационной чувствительности от данных параметров. Это позволяет с повышенной точностью рассчитывать выходной сигнал датчиков давления на основе полупроводниковых МЭМС.

6. Разработаны математические модели профилированных кристаллов полупроводниковых МЭМС для определения местоположения максимальных и равных по абсолютной величине относительных деформаций их плоской поверхности, позволяющие оптимизировать размещение тензоэлементов (тензорезисторов) по критериям максимума чувствительности или минимума нелинейности мостовой измерительной цепи датчика и решить задачу повышения чувствительности и уменьшения погрешности датчиков.

7. Установлены соотношения между местоположением тензоэлементов и геометрическими размерами мембраны и жесткого центра для профилированных кристаллов, которые позволили оптимизировать параметры МЭМС по критериям максимума чувствительности или минимума нелинейности датчика давления.

8. Предложены математические модели полупроводниковых МЭМС для определения основных геометрических параметров профилированных кристаллов, соответствующих заданному (номинальному) измеряемому давлению, учитывающие оптимальный коэффициент деформационной чувствительности и местоположение максимальных или равных по абсолютной величине относительных деформаций, обеспечивающие повышенную точность расчетов МЭМС.

9. Разработана методика расчета полупроводниковых МЭМС датчиков давления, обеспечивающая проектирование датчиков давления повышенной точности, обладающих высокой чувствительностью и линейностью для широкого диапазона номинальных давлений (от 0,05 до 140 МПа), позволяющая снизить длительность процесса проектирования датчиков.

10. Разработаны алгоритм и программа для инженерных расчетов на основе предложенной методики. Применение разработанных методик, алгоритма и программы позволило повысить точность расчетов МЭМС более чем в 7 раз (погрешность расчетов снижена с 55 до 6,6 %).

11. Разработаны новые технические решения полупроводниковых МЭМС датчиков давления, реализующие установленные оптимальные соотношения между параметрами МЭМС, обеспечивающие повышенную точность измерения, чувствительность, линейность. Конструкции полупроводниковых МЭМС датчиков давления, созданные с использованием предложенных инженерных методик расчета, обеспечивают повышение чувствительности в 3 раза, значительное уменьшение погрешности нелинейности.

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ МЭМС - микроэлектромеханическая система; УЭ - упругий элемент;

ИФМДТ - измерительный функциональный модуль давления и температуры; КНД - кремний на диэлектрике; КНИ - кремний на изоляторе; КНС - кремний на сапфире;

ПЧЭ - полупроводниковый чувствительный элемент;

ПКНД - поликремний на диэлектрике;

ТКС - температурный коэффициент чувствительности;

ВОИС - Всемирная организация интеллектуальной собственности;

ЧИРП - частотный интегрирующий развертывающий преобразователь.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Москалев, Сергей Александрович, 2013 год

1. Мокров, Е.А. Сенсоры дл бытовой техники. Проблемы развития Электронный ресурс. / Е.А. Мокров, A.B. Блинов, Н.В. Новиков. Режим доступа: http://www.electronics.rU/issue/2005/2/l/ (дата обращения: 15.04.2013).

2. Москалев, С.А. Интегральный датчик давления, ускорения и температуры на базе МЭМС-технологий / С.А. Москалев, A.B. Блинов, А.Е. Мишанин, И.В. Ползунов // Датчики и системы. 2012, № 9. - С. 9 - 12.

3. Сысоева, С. Взгляд на современный рынок автомобильных датчиков. Основные тенденции и важнейшие рыночные фигуры / С. Сысоева // Компоненты и технологии № 7, 2006.

4. Москалев, С.А. Моделирование полупроводниковых чувствительных элементов датчиков давления / С.А. Москалев // Датчики и системы: Сборник докл. XXX межрегион, научно-практич. конф. молодых ученых и специалистов -Пенза: ОАО «НИИФИ», 2011. С. 159-162.

5. Кривченко, Т.П. Полупроводниковые датчики компании Motorola / Т.П. Кривченко, И.Н. Чепурин // Электронные компоненты. № 2, 2003. С. 43.

6. Богданович, Б.Ю. Технологии и методы исследования структур КНИ: Монография / М.: МИЭТ. 2003. 289 с.

7. Гридчин, В.А. Нелинейность пьезорезистивного эффекта в пленках поликристаллического кремния / В.А. Гридчин, В.М. Любимский // Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 2. С. 179 - 185.

8. Ниева, П. Новые тенденции в технологии МЭМС-датчиков для применений в жестких условиях / П. Ниева // Датчики и системы, № 8, 2008. -С. 38-46.

9. Лучинин, В. Отечественный полупроводниковый карбид кремния: шаг к паритету / В. Лучинин, Ю. Таиров // Современная электроника, 2009, № 7. С. 12-15.

10. ГОСТ 15467-79 Управление качеством продукции. Основные понятия. Термины и определения. М.: ИПК издательство стандартов, 2002. - 22 с.

11. Гусаров, В.В. Тенденции в совершенствовании программ и методик испытаний датчиков давления / В.В. Гусаров // Мир измерений. 2002. - № 7-8. -С. 23-27.

12. Маргелов, А. Датчики давления компании Honeywell / А. Маргелов // Chip News 2005-№7 (100). С. 11 - 12.

13. Kulite инновации и лидерство в производстве преобразователей Электронный ресурс. / Двигатель, №65, 2008. - С. 8. - Режим доступа: http://engine.aviaport.ru/issues/65/page08.html (дата обращения: 15.04.2013).

14. Кривченко, Т. П. Полупроводниковые датчики компании Моторола / Т.П. Кривченко, И.Н. Чепурин // Современная электроника, № 3, 2003. С. 34 38.

15. Агеев, O.A., Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. Учебное пособие / O.A. Агеев, В.М. Мамиконова, В.В. Петров, В.Н. Котов, О.Н. Негоденко // Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2000. 153 с.

16. Каталог ОАО НИИФИ за 2012 г. 248 с.

17. Баринов, И.Н. Микроэлектронные датчики физических величин на МЭМС-технологий / И.Н. Баринов, В.Е. Пауткин и др.// Компоненты и технологии, № 1, 2010. С. 24 - 27.

18. Лурье, Г.И. Датчики давления для общепромышленного применения. Часть 1 Электронный ресурс. / Г.И. Лурье // Режим доступа: http://www.manometr.com/lematt/rl74-l .pdf (дата обращения 15.04.2013).

19. Anthony D. Kurtz Ultra High Temperature, Miniature, SOI Sensors for Extreme Environments / Anthony D. Kurtz, Alexander A. Ned, Alan H. Epstein // IMAPS International HiTEC 2004 Conference Santa Fe, New Mexico, May 17-20, 2004.

20. Зацерклянный, О.В. Интеллектуальные датчики давления с элементами диагностики и управления / О.В. Зацерклянный // Датчики и системы, №11, 2008. -С. 19-23.

21. Микроэлектронные датчики давления и устройства. Разработка и производство. Сайт фирмы ПГ МИДА Электронный ресурс. Режим доступа: http://midaus.com/rus/transmitters.htm (дата обращения: 15.04.2013).

22. Преобразователи давления с нормированным сигналом Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.oooproma.ru/ (дата обращения: 15.04.2013).

23. Стучебников, В.М. Измерение давления высокотемпературных сред / В.М. Стучебников // Тезисы докладов IX Международного научно-технического семинара. С.-Пб, ВНИИМ, 2004. С. 54 - 56.

24. Руководство по эксплуатации тензопреобразователей «кремний на сапфире»; тензопреобразователи силы (серия С) и давления (серия Д) Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.zaovip.ru/products/pressure transducers (дата обращения: 15.04.2013).

25. Сайт фирмы Minebea Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.minebea-mcd.com (дата обращения: 15.04.2013).

26. Карман, А.Н. Датчики и переключатели давления / А.Н. Карман, А.С. Келин и др. // ПиКАД, № 2, 2004. С. 14 - 15.

27. Корляков А.В. Физико-технологические основы формирования базовых элементов микросистемной техники: автореф. дис. . д-ра техн. наук:0527.01 / Корляков Андрей Владимирович. СПб., 2010. - 34 с.

28. Баринов, И.Н. Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития / И.Н. Баринов // Компоненты и технологии, №8, 2010. С. 64 - 71.

29. Баринов, И.Н. Полупроводниковые тензорезистивные датчики давления на основе КНД-структуры / И.Н. Баринов // Компоненты и технологии №5, 2009-С. 12-15.

30. Мокров, Е. А. Полупроводниковые пьезочувствительные элементы микроэлектронных датчиков давлений / Е. А. Мокров, И.Н. Баринов, П.Н. Цибизов // Пенза: Изд-во ПГУ, 2009 104 с.

31. Гридчин, В.А. Тензопреобразователь давления / В.А. Гридчин, В.В. Грищенко, В.М. Любимский, А.В. Шапорин // Пат. 2243517 Российская Федерация, МПК G01L9/04. Заявка 2002115672/28 от 11.06.2002; опубл. 27.12.2004.

32. Стефанович, В. А. Датчик давления / В. А. Стефанович, Г.Б. Лебедев, С.Н. Нелина // Пат. 2392592 Российская Федерация, МПК G01L9/04. Заявка 2009116703/28 от 30.04.2009; опубл. 20.06.2010.

33. Беликов, Л.В. Чувствительный элемент мембранного типа / Л.В. Беликов, В.М. Разумихин // Пат. 93027803 Российская Федерация, МПК G01L9/04. Заявка 93027803/10 от 18.05.1993; опубл. 27.12.1995.

34. Данилова, Н.Л. Микроэлектронный датчик абсолютного давления и чувствительный элемент абсолютного давления / Н.Л. Данилова, В.В. Панков, B.C.

35. Суханов // Пат. 2362133 Российская Федерация, МПК G01L9/04, H01L29/84. Заявка 2007148423/28 от 27.12.2007; опубл. 20.07.2009.

36. Гридчин, В.А. Тензопреобразователь давления / В.А. Гридчин, В.В. Грищенко, В.М. Любимский, А.В. Шапорин // Пат. 2237873 Российская Федерация, МПК G01L9/04. Заявка 2002116176/28 от 19.06.2002; опубл. 10.10.2004.

37. Распопов, В.Я. Микромеханические приборы / В.Я. Распопов Тула: Изд-ва Тульск. Гос. ун-та, 2002. - 392 с.

38. Гридчин, В.А. Физика микросистем. Учебное пособие в 2 частях. Часть 1 / В.А. Гридчин, В.П. Драгунов. Новосибирск: изд-во НГТУ, 2004. - 416 С.

39. Тимошенко, С.П. Пластинки и оболочки / С.П. Тимошенко, С. Войновский-Кригер. М.: Наука, 1966. - 636 с.

40. Андреева, Л.Е. Расчет упругих элементов машин и приборов / С.Д. Пономарев, Л.Е. Андреева. М.: Машиностроение, 1980. - 326 с.

41. Игнатьева, Е.В. О проектировании мембраны с жестким центром кристаллов кремниевых тензопреобразователей на давления от 0,025 до 25 МПа / Е.В. Игнатьева, Ю.А. Махайлов, С.П. Тимошенков // Нано- и микросистемная техника, № 2, 2010. С. 24-31.

42. Осадчий, Е.П. Проектирование датчиков для измерения механических величин»/ Е.П. Осадчий, А.И. Тихонов, В.И. Карпов и др. М.: Машиностроение, 1979.-480 с.

43. Левшина, Е.С. Электрические измерения физических величин: (Измерительные преобразователи). Учеб. пособие для вузов / Е.С. Левшина, П.В. Новицкий Л.: Энергоатомиздат, 1983. - 320 с.

44. Папко, А.А. Статико-динамические акселерометры для ракетно-космической техники / Е.А. Мокров, А.А. Папко. Пенза: ПАИИ, 2004. - 164 с.

45. Готра, З.Ю. Датчики. Справочник / З.Ю. Готра, Л.Я. Ильницкий.

46. Львов, Каменяр, 1995. 312 с.

47. Ваганов, В.И. Интегральные тензопреобразователи / В.И. Ваганов. -М.: Энергоатомиздат, 1983. 136 с.

48. Тесленко, В.А. Что следует знать о тензорезисторах / В.А. Тесленко // ПиКАД, № 1, 2006. С. 48 - 52.

49. Stephen Beeby MEMS Mechanical Sensors / Stephen Beeby, Graham Ensell, Michael Kraft, Neil White // Boston, London, 2004: Artech House, Inc. p. 128.

50. Кпокова, Н.П. Тензорезисторы / Клокова Н.П. М.: Машиностроение, 1990.-224 с.

51. Любимский, В.М. Особенности передачи деформации от подложки к резистору в виде мезаструктуры // В.М. Любимский / Микроэлектроника, 2007, том 36, №5, с. 351 -358.

52. Баринов, И.Н. Высокотемпературные тензорезистивные датчики давлений на основе карбида кремния. Состояние разработок и тенденции развития / И.Н. Баринов // Компоненты и технологии № 8, 2010.

53. Москалев, С.А. Моделирование и расчёт деформаций полупроводникового кристалла квадратной формы с центральной тонкой частью / С.А. Москалев // Университетское образование: Тр. XV Междунар. науч.-методич. конф. Пенза, 2011. - С. 432 - 434.

54. Алямовский, A.A. COSMOSWorks. Основы расчета конструкций на прочность в среде SolidWorks / A.A. Алямовский. М.: ДМК Пресс, 2011. - 784 с.

55. Алямовский, A.A. Инженерные расчеты в SolidWorks Simulation / A.A. Алямовский. М.: ДМК Пресс, 2011. - 464 с.

56. Москалев, С.А. Топология полупроводниковых квадратных кристаллов для датчиков давления / С.А. Москалев // Университетское образование : Тр. XV Междунар. науч.-методич. конф. Пенза, 2011. - С. 434 - 436.

57. Москалев, С.А. Компьютерное моделирование чувствительных элементов датчиков давления / С.А. Москалев // Молодежь и наука: модернизация и инновационное развитие страны: Тр. Междунар. науч.-практич. конф. Пенза: Изд-во ПГУ, 2011. 2 ч. - С. 250-251.

58. Богуш, М.В. Исследование технических характеристик пьезоэлектрических датчиков методом конечных элементов // М.В. Богуш, A.B. Гориш / М.: науч. тр. «Информационно-измерительная техника, экология и мониторинг» Вып.6, 2003. С. 229 - 242.

59. Москалев С.А., Васильев В.А., Громков Н.В. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом // Пат. 2430342 Российская Федерация, МПК G01L 9/00. / Заявка 2010133556/28, от 10.08.2010; опубл. 27.09.2011 10 с.

60. Москалев С.А., Васильев В.А., Громков Н.В. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходом повышенной чувствительности // Инновационные информационные технологии. 2012. № 1. С. 383 - 385.

61. Москалев, С.А. Частотные преобразователи параметров резистивных датчиков для автоматизированных систем контроля // В.А. Васильев, И.Р. Вергазов, Н.В. Громков, С.А. Москалев / Новые промышленные технологии. -2010.-№ 1.-С. 33-38.

62. Москалев, С.А. Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности // С.А. Москалев, В.А. Васильев, Н.В. Громков / Пат. 2451270 Российская Федерация, МПК G01L9/04. Заявка 2011113209/28 от0504.2011, опубл. 20.05.2012.

63. Москалев, С.А. Датчик абсолютного давления повышенной точности и надежности на основе полупроводникового чувствительного элемента с жестким центром // С.А. Москалев, В.А. Васильев / Заявка на патент №2012144906 от2210.2012.

64. Москалев, С.А. Термокомпенсационный измерительный преобразователь 41 // С.А. Москалев, И.В. Ползунов, E.H. Ползунова / ТИМС № 2012630123. Заявка № 2012630094 от 03.07.2012, опубл. 27.08.2012.

65. Москалев, С.А. Термокомпенсационный измерительный преобразователь 42 // С.А. Москалев, И.В. Ползунов, A.A. Родионов / Заявка на государственную регистрацию топологии интегральной микросхемы. Исх. От 25.04.2013 №14/67.