Фазовые превращения в системах сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) и соединений Sm2O3, NiS, H2O, кислород тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 02.00.04, кандидат химических наук Высоких, Александр Сергеевич

• Высоких, Александр Сергеевич
• кандидат химических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат химических наук Высоких, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Физико-химические свойства моносульфида самария (SmS) как материала тензодатчиков, фазовые равновесия в системах Ni-Sm-S, Sm-S-O, свойства фаз.

1.1. Тензометрические датчики на основе моносульфида самария в сравнении с другими датчиками давления, их свойства.

1.2. Свойства моносульфида самария.

1.3. Фазовые переходы в моносульфиде самария.

1.4. Фазовые равновесия в системах Sm- Sm2S3 и Sm- Sm203.

1.5. Фазовые равновесия в системе Sm-S-0.

1.6. Фазовые равновесия в системах Ni-S и Ni-Sm.

1.7. Фазовые равновесия в системе Ni-Sm-S.

1.8. Термодинамические характеристики моносульфида самария и процессов парообразования.

1.9. Выводы по литературному обзору.

ГЛАВА 2. Методы получения и методики физико-химического анализа.

2.1. Методы получения фаз.

2.1.1. Получение фаз в системах Ni-S, Ni-Sm, Ni-Sm-S.

2.1.2. Получение фаз в системах Sm-S, Sm-O, Sm-S-0.

2.1.3. Получение фаз в потоке H2S и CS2.

2.2. Методы физико-химического анализа.

2.2.1. Рентгенофазовый анализ (РФА).

2.2.2. Микроструктурный анализ (МСА).

2.2.3. Дюрометрический анализ (ДМА).

2.2.4. Дифференциально-термический анализ (ДТА).

2.2.5. Визуально-политермический анализ (ВПТА).

2.2.6. ОЖЕ-электронная спектроскопия.

2.2.7. Принципы действия экспериментальных установок электромагнитного и электровзрывного напыления.

2.2.8. Изучение термической устойчивости сульфидов самария в парах воды и в газе с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при повышенной температуре.

ГЛАВА 3. Закономерности в получении моносульфида самария, взаимодействие сульфидов самария (SmS, S1TI2S3, Sm3S4) с парами воды и кислородом.

3.1. Фазовые составы продуктов взаимодействия самария с серой в запаянной ампуле при температурах обработки 670-1320 К.

3.2. Влияние высокотемпературной обработки на фазовый состав и зеренную структуру образцов SmS.

3.3. Фазовый состав поверхностных слоев массивных поликристаллических образцов и пленок SmS.

3.4. Последовательность фазовых превращений при обработке SmS в потоке газа с парциальным давлением О2 0,21 МПа при 300 - 1070 К в течение 1 часа.

3.5. Последовательность фазовых превращений при обработке SmS в парах воды в течение 1 часа при 300 - 1070 К.

3.6. Фазовые превращения при обработке Sm3S4 и Sm2S3 в течение 1 часа в потоке паров воды и в газовой смеси с парциальным давлением 02 0,

МПа при 370-970 К.

ГЛАВА 4. Фазовые равновесия в системе Sm-S-0 и разрезах системы Sm-S-Ni

4.1. Положение коннод в системе Sm-S-0 при 870 К.

4.2. Фазовая диаграмма системы Sm2S3-Sm203.

4.3. Фазовая диаграмма системы SmS-Sm202S.

4.4. Фазовая диаграмма системы Sm3S4-Sm202S.

4.5. Фазовые равновесия в системах NiS-SmS и NiS-Sm3S4 при 1070 К.

4.6. Фазовая диаграмма системы NiS-Sm2S3.

ГЛАВА 5. Получение изделий из БшЗ для электроники.

5.1. Лабораторные инструкции по получению изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей, в виде порошка, таблеток и кубиков.

5.2. Закономерности получения пленочных структур с тензочувствительным материалом ЗшБ.

ВЫВОДЫ.

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фазовые превращения в системах сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) и соединений Sm2O3, NiS, H2O, кислород»

Моносульфид самария (8т8) используется в качестве чувствительного элемента тензодатчиков. БшБ характеризует рекордная чувствительность, незначительный температурный коэффициент сопротивления, линейность характеристик, высокая термическая и радиационная стойкость. В датчиках сульфид самария находится в виде пленки, которую получают методами термовзрывного или электромагнитного напыления, используя поликристаллические зерна БшБ дисперсностью 90-120 мк и таблетки соответственно. Моносульфид самария является также перспективным материалом п-ветви термоэлектробатареи (а = 200 - 300 мкВ/К; а =104 Ом"1 см"1; Х= 1,7Вт/мК;2>1)[1].

Получают БшЗ из самария и серы в два этапа. Несмотря на многочисленные исследования, отсутствуют систематические сведения о характеристиках фазового и зеренного состава образцов в зависимости от условий обработки шихты в кварцевой ампуле и танталовом тигле. В процессе получения образцов и пробоподготовки БтБ находится в контакте с кислородом воздуха, парами воды. Состояние поверхностного слоя массивных поликристаллических образцов и пленок ЗшБ не изучалось. Актуально определить устойчивость сульфидов самария на воздухе и в парах воды при комнатной и повышенной температурах. Неизбежное присутствие в образцах моносульфида самария кислородсодержащих примесей определяет необходимость изучения фазовых превращений в системе Бт-Б-О. Для ЗтБ имеются несколько коммутирующих материалов, основным из которых является никель. Фазовые равновесия в системах сульфидов самария и сульфида никеля не рассматривались.

Цель работы состоит в изучении фазовых равновесий по изотермическим и политермическим сечениям в системе Бш-Б-О, в системе - БшгБз, в установлении фазового состава поверхностного слоя БшЗ, в определении последовательности фазовых преврщений при обработке порошков сульфидов самария (SmS, Sm3S4, Sm2S3) в парах воды и кислороде (0,21 МПа) при температурах 300-1070 К. Задачи исследований:

1. Установление зависимости фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой в зависимости от условий обработки шихты в запаянной ампуле при 500-1370 К и в дальнейшем в танталовом тигле при 1300-2450 К.

2. Определение фазового состава поверхностных слоев (0,5-1,0 нм) массивных поликристаллических образцов и пленок SmS, напыленных термовзрывным и электромагнитным методами.

3. Определение последовательности фазовых превращений при обработке сульфидов самария (SmS, S1TI3S4, Sm2S3) в парах воды и газе с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при температурах 300-1070 К.

4. Установление положения коннод в системе Sm-S-0 при 870 К. Изучение фазовых равновесий и построение фазовых диаграмм систем Sm2S3 -Sm203, SmS - Sm202S, Sm3S4 - Sm202S, NiS - Sm2S3.

5. Разработка лабораторных инструкций по получению изделий из SmS.

Установление закономерностей получения пленок методами термовзрывного и электромагнитного напыления. Научная новизна.

1. Впервые построены фазовые диаграммы систем Sm2S3 - Sm203, Sm2S3 -NiS, SmS - Sm202S, Sm3S4 - Sm202S. В системе Sm2S3 - Sm203 образуется два оксисульфида: Smi0Si4O, температура твердофазного распада равна 1500 К; Sm202S, конгруэнтно плавится при 2370 К. В системе NiS - Sm2S3 в равновесии находятся исходные сульфиды. Системы эвтектического типа с координатами эвтектики: SmS - Sm202S, 53 мол. % Sm202S, 2170 К; Sm3S4 - Sm202S, 34 мол. % Sm202S, 1920 К; Sm2S3 - Sm202S, 23 мол. % Sm203, 1850 К; Sm202S - Sm203 80 мол. % Sm203, 2290 К. В системе Sm-S-0 при 870 К в равновесии также находятся фазы разреза Sm2S3-Sm203 с фазами Sm202(S04), Sm2(S04)3, SmS04.

2. Установлено, что в поверхностном слое (0,5 - 1,0 нм) массивных поликристаллических образцов (а), пленок ЗшБ, полученных методами термовзрывного (б) и электромагнитного (в) напыления, следуют слои фаз: 2(8т8), 8т2028, (х-8т2(804)з+(1-х)-8т203) с средними соотношениями (а) - 73, 20, 7; (б) - 18, 45, 37; (в) - 35, 45, 20 мол. % соответственно.

3. Определено, что порошок БшБ дисперсностью 90-120 мк при температурах выше 600 К окисляется водородом воды до 8т2028, который стабилен в парах воды до 1000 К. В потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа порошок окисляется по схеме: ЗшБ—670А" > 8т384 + 8т2028

77°* > 8т2028 + БтзОз 1070Л' )5т203.

Практическая значимость.

Определены условия получения образцов моносульфида самария с необходимыми характеристиками: фазовый состав, примеси, форма, размер зерен, степень кристалличности зерен.

Метрические характеристики фазовых диаграмм позволяют подобрать условия получения плотноспеченных и литых образцов заданных составов. Микроструктура образцов систем позволяет идентифицировать примеси фаз в 8т8.

Окисление на воздухе массивных поликристаллических образцов моносульфида самария и, особенно, напыленных пленок определяет проведение пробоподготовки в инертной атмосфере. Даны рекомендации по увеличению степени защиты пленок моносульфида самария от воздействия кислорода воздуха и паров воды. Термическую обработку пленок после напыления рекомендовано проводить при температуре не выше 470 К, желательно в инертной атмосфере.

Разработаны лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей в виде порошка, таблеток и кубиков. Получены изделия из моносульфида самария: поликристаллический порошок БшБ со сформировавшейся зеренной структурой, дисперсностью 90- 100 мк, 100 - 110 мк, 90 - 120 мк для получения пленок ЗшБ термовзрывным методом; таблетки из 8т8 диаметром 50 мм, 75 мм, толщиной 3-4 мм для получения пленок БшЗ методом электромагнитного напыления; кубики из БшБ размерами 5><5х5 мм, 10x10x10 мм для п-полупроводниковой ветви термоэлектрических преобразователей. На защиту выносятся:

1. Характеристики фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой, формируемые в зависимости от режимов термической обработки веществ в запаянной ампуле при 500-1370 К, шихты в танталовом тигле при 1300-2450 К.

2. Фазовый состав поверхностных слоев массивных поликристаллических образцов моносульфида самария, пленок БшБ, полученных методами термовзрывного и электромагнитного напыления.

3. Последовательность фазовых превращений при обработке сульфидов самария (БтБ, 8т283, 8т384) в парах воды и в потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа при температурах 300 - 1070 К.

4. Положение коннод в системе Бт-Б-О при 870 К. Фазовые диаграммы систем Бп^з - 8ш203, 8т8 - 8т2028, Бп^ - 8т2028 и N18 - 8ш283.

5. Лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария для электронных устройств и преобразователей в виде порошка, таблеток и кубиков.

Достоверность результатов.

Использованы простые сульфиды, аттестованные на химический состав и фазовую однородность. Определены продолжительности отжигов, обеспечивающие достижение равновесного состояния. Фазовые диаграммы систем построены при условии согласованности данных комплекса независимых методов исследования. Использовано современное оборудование и расчетные программы.

Заключение диссертации по теме «Физическая химия», Высоких, Александр Сергеевич

выводы

1. Впервые построены фазовые диаграммы систем Бп^Бз - 8т203, БшЗ -8т2028, 8т384 - 8т2028, N18 - 8т283. В системе 8ш283 - 8ш203 образуется два оксисульфида: ЗгпюЗнО, температура твердофазного распада равна 1500 К; 8ш2028, конгруэнтно плавится при 2370 К. Координаты эвтектик в подсистемах 8ш283 - 8ш2028, 23 мол. % 8ш203, 1850 К; 8ш2028 - 8ш203 80 мол. % 8ш203, 2290 К. Системы эвтектического типа с координатами эвтектики: 8т8 -8ш2028, 53 мол. % 8ш2028, 2170 К; 8ш384 - 8ш2028, 34 мол. % 8ш2028, 1920 К. В системе 8ш-8-0 при 870 К в равновесии находятся фазы разреза 8т283-8т203 с фазами 8т202(804), 8т2(804)3, 8т804. В системе №8 - 8т283 образуются твердые растворы на основе исходных сульфидов. В №8 при 770 К растворяется 2 мол. % 8т283.

2. Установлено, что при хранении на воздухе в поверхностном слое (0,5 -1,0 нм) массивных поликристаллических образцов (а), пленок 8ш8, полученных методами термовзрывного (б) и электромагнитного (в) напыления образуются фазы 2(8ш8), 8ш2028, (х-8т2(804)3+(1-х)-8т203). Содержание оксисульфидных фаз в образцах равно в мол. %: а - 73 8ш8, 20 8т2028, 7 (х-8т2(804)з+(1-х)-8т20з). Пленки 8т8 более склонны к сорбции молекул кислорода и образованию кислородсодержащих соединений в поверхностном слое: 6-18 8ш8, 45 8ш2028, 37 (х-8т2(804)3+(1-х)-8т203); в - 35 8т8, 45 8т2028, 20 (х-8т2(804)з+(1-х)-8т20з).

3. Порошок 8т8 дисперсностью 90-120 мк при температурах выше 600 К окисляется водородом воды по схеме: 8т8 —шк > 8ш384 + 8ш2028 —шк > 8т2028. Фаза 8ш2028 стабильна в парах воды до 1000 К. В потоке газа с парциальным давлением кислорода 0,21 МПа порошок 8т8 окисляется по схеме: 8ш8 шк > 8ш384 + 8ш2028 770А" > 8ш2028 + 8ш203 1070А" > 8ш203.

4. Установлена зависимость фазового и зеренного состава продуктов взаимодействия самария с серой. Использование мелкодисперсного самария, постепенная обработка шихты в запаяной ампуле от 500 К до 1370 К обеспечивает выход моносульфида самария до 90 мол. %. Обработка шихты в танталовом тигле при 1300-1800 К формирует кристалличность зерен; Sm3S4He образуется в связи с термической диссоциацией SmS.

5. Разработаны лабораторные инструкции получения изделий из моносульфида самария в виде порошка, таблеток и кубиков. Поликристаллический порошок моносульфида самария со сформировавшейся зеренной структурой использован для получения пленок SmS термовзрывным методом; таблетки использованы для получения пленок SmS методом электромагнитного напыления; кубики применены для п-полупроводниковой ветви термоэлектрических преобразователей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат химических наук Высоких, Александр Сергеевич, 2011 год

1. Интернет-ресурс (http://www.sms-tenzo.ru)

2. Клокова Н.П. Тензорезисторы: Теория, методики расчета, разработки. М.: Машиностроение. - 1990. - 224 с.

3. Кузнецов М.И. Основы электротехники. Под ред. д-ра техн. наук C.B. Страхова. 9-е изд. испр. М.: Высшая Школа. - 1964. - 560 с.

4. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. - 1984. - 456 с.

5. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высш. шк., 1982. 521 с.

6. Голубков A.B. Физические свойства халькогенидов РЗЭ / A.B. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе и др. Л.: Наука, 1973. -304 с.

7. Каминский В.В. Редкоземельные полупроводники в датчиках механических величин / В.В. Каминский, И.А. Смирнов // Приборы и системы управления. -1985. №8.-С. 22-24.

8. Гребинский С.И. Тензорезистивный эффект в поликристаллических пленках SmS / С.И. Гребинский, В.В. Каминский, И.А. Смирнов, С.Г. Шульман // 3-я Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси).- М.: АН СССР.- 1983. С. 46.

9. Каминский В.В. Тензочувствительность и температурный коэффициент сопротивления моносульфида самария / В.В. Каминский, М.В. Романова // Приборы и системы управления.- 1988,- № 8. С. 28-29.

10. Каминский В.В. Перспективы применения редкоземельных полупроводников в высокотемпературных и радиационностойких датчиках температуры / Каминский В.В., Васильев Л.Н., Горнушкина Е.Д., Соловьев С.М., Сосова Г.А.; 1994. с. 25.: Деп. в ВИНИТИ № 2999-В94.

11. Каминский B.B. Датчики внутренних напряжений пластмассовых, композитных и бетонных конструкций на основе сульфида самария / В.В. Каминский, JI.H. Васильев, П.В. Дубровин, С.М. Соловьев, В.В. Шпейзман // Микросистемная Техника, 2001. № 10. С. 7-9.

12. Полупроводниковые материалы для термоэлектрических преобразователей. Тез. докл. Всесоюзного семинара. / Л: ФТИ, 1985. 175 с.

13. Шевельков A.B. Термоэлектрические материалы: фундаментальные основы и направления современных исследований. МГУ, 2003. - 50 с.

14. DiSalvo F. J. Thermoelectric Cooling and PowerGeneration. J. SCIENCE. 1999. -Vol. 285. - № 7. - P. 703-706.

15. Каминский В.В. Влияние у-облучения на электрические параметры тонких пленок SmS /В.В. Каминский, J1.H. Васильев, Е.Д. Горнушкина, С.М. Соловьев, Г.А. Сосова, Н.М. Володин // ФТП, 1995. Т. 29, № 2. С. 306-308.

16. Васильев J1.H. Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS / JI.H. Васильев, В.В. Каминский, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова // ФТП, 2000, Т. 34. В. 9. С. 1066-1068.

17. Драбкин H.A. Термоэлектрики и их применение. СПб., 1997. - С. 132-135.

18. Каминский В.В. Механизм возникновения электродвижущей силы при нагревании монокристалла SmS / В.В. Каминский, JI.H. Васильев, М.В. Романова, С.М. Соловьев // ФТТ. 2001. - Т.43. - №6. - С. 997-999.

19. Каминский В.В. Генерация электродвижущей силы при однородном нагреве полупроводниковых образцов моносульфида самария / В.В. Каминский, С.М. Соловьев, A.B. Голубков // Письма в ЖТФ, 2002. Т. 28. В.6. С. 29-34.

20. Kaminski V.V. Electromotive force generation in SmS based nanostructures / V.V. Kaminski, L.N. Vasil'ev, M.M. Kazanin, S.M. Solov'ev and A.V. Golubkov // Fifth

21. TC scientific Advisory Committee Seminar "Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and biotechnology", St.Petersburg, 27-29.05.2002. P. 131-134.

22. Егоров B.M. Эндотермический эффект при нагревании полупроводникового сульфида самария / В.М. Егоров, В.В. Каминский // ФТТ, 2009. Т. 51. В. 8. С. 15211522.

23. Марков О.И. Об оптимизации концентрации носителей заряда ветви охлаждающего термоэлемента // ЖТФ. 2005. - С. 75-132.

24. Васильев J1.H. О структуре дефектов в SmS / JI.H. Васильев, В.В. Каминский, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова, A.B. Голубков // ФТТ, 2006. Т. 48. В. 10. С. 17771778.

25. Каминский В.В. Дефектные ионы самария и эффект генерации электродвижущей силы в SmS /В.В. Каминский, A.B. Голубков, JI.H. Васильев // ФТТ. 2002. - С. 1474-1501.

26. Каминский В.В. Возникновение электродвижущей силы при изменении валентности ионов самария в процессе фазового перехода в монокристаллах SmS / В.В. Каминский, С.М. Соловьев // ФТТ. 2001. - Т.43. -№3. - С. 423-426.

27. Jayaraman A. Temperature-induced explosive first-order electronic phase tranzition in Gd-doped SmS / A.Jayaraman, E.Bucher, F.D.Demier, L.D.Longinotti // Phys. Rev. Lett. 1973. -V.31. N I L. - P. 700-703.

28. Жузе В.П. Электрические свойства SmS / В.П. Жузе, A.B. Голубков, E.B. Гончарова и др. // ФТТ.- 1964,- Т.6. С. 268-271.

29. Соловьев С.М. Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария: Автореф. дис. . канд. физ.-мат. наук: Санкт-Петербург, 2007. - 18 с.

30. Казанин М.М. Аномальная термоэдс в моносульфиде самария / М.М. Казанин, В.В. Каминский, С.М. Соловьев //ЖТФ, 2000. Т. 70. В. 5. С. 136-138.

31. Каминский В.В. Термовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе сульфида самария / В.В. Каминский, М.М. Казанин // Письма в ЖТФ, 2008. Т. 34. В. 8. С. 92-94.

32. Каминский B.B. Влияние эффекта генерации электродвижущей силы на электрические свойства тонких пленок SmS / B.B. Каминский, М.М. Казанин, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова, Н.М. Володин //ФТП. 2006. - Т.40.-№6. - С. 672^675.

33. Iwamoto К. Effects of plastic deformation on the electrical conductivity of SmS single crystals / K. Iwamoto, K. Kimura, S. Takeuchi. // Phil. Mag. B. 1988. V. 57. - N 4. -P. 467-472.

34. Грабов B.M. Неравновесная термодинамика и термоэлектрические явления. /X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. // В.М. Грабов. Киев: Наукова Думка, 2002. - С. 171-175.

35. Смирнов Б.Н. Механические свойства SmS / Б.Н. Смирнов, A.B. Голубков, И.А. Смирнов // ФТТ,- 1976,- Т. 18.- № 7. С. 2097-2098.

36. Каминский В.В. Электрические свойства и особенности структуры поликристаллических пленок моносульфида самария / В.В. Каминский, Н.М. Володин, Т.Б. Жукова и др.//ФТТ.- 1991.-Т. 31.-№ 1. С. 187-191.

37. Васильев JI.H. Электропроводность тонких пленок SmS / JI.H. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов и др. // ФТТ. 1996.- Т. 38. № 3. - С. 779-785.

38. Палатник JI.C. Тонкие полупроводниковые пленки на основе РЗЭ / J1.C. Палатник, М.Н. Набока // Редкоземельные полупроводники. Баку: Элм. - 1981. -С. 134-182.

39. Щенников В.В. Термо-э.д.с. и электросопротивление монохалько-генидов самария при сверхвысоком давлении / В.В. Щенников, H.H. Степанов, И.А. Смирнов, A.B. Голубков // ФТТ. 1988,- Т. 30. - № 10. - С. 3105-3110.

40. Виноградов A.A. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монохалькогенидах самария при одноосном сжатии / A.A. Виноградов, С.И. Гребинский, В.В. Каминский и др. // ФТТ. 1984,- Т. 26. - С. 402-408.

41. Булат JI.П. Рост термоэлектрической добротности при больших градиентах температуры / Л.П. Булат // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. -Киев: Наукова Думка, 2002. С. 271-275.

42. Манык О.Н. О взаимосвязи параметров некоторых термоэлектрических материалов с диаграммами состояния / О.Н. Манык, Д.П. Белоцкий // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. Киев: Наукова Думка, 2002. - С. 203-207.

43. United State Patent. High performance thermoelectric materials and methods of preparation / J.P. Fleurial, T.F.Caillat, P.A.Borshchevsky // 5, 610, 366. 11.03.1997.

44. Miodushevskij P.V.Thermoelement on the basis monosulfide samarium and molybdenum. / P.V. Miodushevskij, A.S. Wjsokih, O.V. Andreev // Advanced Materials and Processing: Proceedings of Russia-Japan Seminar. Novosibirsk 2007. - P. 138-139.

45. Летюченко С.Д. Особенности получения термоэлементов на основе Pb-Те / С.Д. Летюченко // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл. -Киев: Наукова Думка, 2002. С. 311-314.

46. Термена И.С. Генераторные термоэлектрические модули на основе Bi-Te на уровень 30-250 °С и на уровень 30-300 °С / И.С. Термена // X международный форум по термоэлектричеству. Тез. докл.- Киев: Наукова Думка, 2002. С. 409-415.

47. Погарев C.B. Исследование тонких пленок SmS с разными параметрами решетки / C.B. Погарев, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова и др. // ФТТ. 1981. - Т. 23.-№2.-С. 434-439.

48. Виноградов A.A. Электрические свойства металлической фазы SmS, устойчивой при атмосферном давлении / A.A. Виноградов, В.В. Каминский, И.А. Смирнов // ФТТ. -1985.-Т. 27. С. 1121-1123.

49. Каминский B.B. Исследование температурной зависимости параметра кристаллической решетки SmS / B.B. Каминский, H.B. Шаренкова, JI.H. Васильев, С.М. Соловьев // ФТТ, 2005. Т. 47. В. 2. С. 217-219.

50. Шаренкова Н.В. Особенности структуры металлической фазы, возникающей под действием механической полировки поликристаллических образцов SmS / H.B. Шаренкова, B.B. Каминский, JT.H. Васильев, Г.А. Каменская //ФТТ. 2005. -С. 547-598.

51. Смирнов И.Д. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария) / И.Д. Смирнов, B.C. Оскотский // УФН. -1978.- Т. 124.-ВЫП. 2. С. 241-279.

52. Дагис P.C. Электронное строение и свойства неметаллических редкоземельных монохалькогенидов // Электронная структура и оптические спектры полупроводников. Под. ред. Ю.Пожелы. Вильнюс- 1987. - С. 8-40.

53. Улашкевич Ю.В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности / Ю.В. Улашкевич, В.В. Каминский, А.В Голубков. // ФТП, 2009. Т. 43. В. 3. С. 324-328.

54. Масюкова Н.И. Теоретическое исследование электронной структуры и электрофизических свойств моносульфида самария / Н.И. Масюкова, О.В. Фаберович//ФТТ. 1993. -Т.35.-№ 1. - С. 138-144.

55. Бжалава Т.Л. Металлическая фаза моносульфида самария, устойчивая при атмосферном давлении / Т.Л. Бжалава, Т.Б. Жукова, И.А. Смирнов и др. // ФТТ.1974. Т.16,- № 12. - С. 3730-3732.

56. Васильев Л.Н. Деформационный механизм возникновения фазового перехода при полировке образцов SmS / Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ш. Лани // ФТТ. -1997. Т.39." № 3. - С. 577-579.

57. Jayaraman A. Continuous and discontinuous semiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides under pressure / A.Jayaraman, V.Narayamurti, E.Busher, R.G.Maines // Phys. Rev. Lett. -1970,- V.25.- P. 1430-1433.

58. Каминский В.В. Фазовый переход металл-полупроводник в SmS под действием лазерного облучения / В.В. Каминский, А.И. Щелых, Т.Т. Дедегкаев и др. // ФТТ.1975. -Т. 17.-№ 5. С. 1546-1548.

59. Као К. Перенос электронов в твердых телах / Као К., Хуанг В. М.: Мир. -1984.-350 с.

60. Голубков A.B. Уточнение модели электропереноса в полупроводниковом SmS / A.B. Голубков, Е.В. Гончарова, В.А. Капустин // ФТТ. 1980. - Т. 22. - № 12. - С. 3561-3567.

61. Каминский В.В. Особенности электропереноса в поликристаллическнх пленках SmS / В.В. Каминский, A.A. Виноградов, Н.М. Володин и др. // ФТТ. -1989.-Т. 31.-№9.-С. 153-157.

62. Каминский В.В. Определение типа и деформационного потенциала зоны проводимости в SmS / В.В. Каминский, A.A. Виноградов, В.А. Капустин, И.А. Смирнов // ФТТ. 1978. - Т.20.- № 9. - С. 2721-2725.

63. Халдояниди К.А. Фазовые диаграммы гетерогенных систем. Часть 1. Фазовые диаграммы одно и двухкомпонентных систем. Новосибирск: ИНХ, 1991. - 133 с.

64. Васильева И.Г. Диаграмма плавкости системы SmS S1112S3 / И.Г. Васильева, ЯМ. Гибнер, JI.H. Курочкина и др. // Неорг. материалы. - 1983. - Т. 18. - № 3. - С. 360-362.

65. Голубков A.B. О существовании областей гомогенности монохалькогенидов редкоземельных элементов / Голубков A.B., Сергеева В.М. // Журн. ВХО им. Д.И.Менделеева. М. 1981. - Т. 26, № 6. - С. 645-653.

66. Миронов К.Е. Фазовая диаграмма системы лантан-сера / К.Е. Миронов, И.Г. Васильева, A.A. Камарзин и др.// Неорг. материалы. 1978. - Т. 14. - № 4. - С. 641-644.

67. Андреев О.В. Диаграммы состояния систем Sc S, Lu - S / O.B. Андреев, H.H. Паршуков // V Всесоюз. конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников: тез. докл. 29-31.05.1990. - Саратов: СГУ, 1990. - С. 20.

68. Елисеев A.A. Кристаллохимия сульфидов редкоземельных элементов / A.A. Елисеев, Г.М. Кузьмичева // Кристаллохимия М.: ВИНИТИ - 1976. - Т. 11. - С. 95-131.

69. Кузьмичева Г.М. Кристаллохимический подход к изучению фазовых диаграмм на примере халькогенидов редкоземельных элементов / Г.М. Кузьмичева, С.Ю. Хлюстова // Журн. неорг. химии. 1990. - Т. 35. - № 9. - С. 2351-2358.

70. Бандуркин Г.А. Особенности кристаллохимии соединений редкоземельных элементов / Г.А. Бандуркин, Б.Ф. Джуринский, И.В. Тананаев. М.: Наука, 1984. -232 с.

71. Елисеев A.A. Кристаллохимия редкоземельных элементов / A.A. Елисеев, Г.М. Кузьмичева // Кристаллохимия: сб. ст. М.,1976. - Т. 2. - С. 9 -131.

72. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. - 400 с.

73. Васильева И.Г. Физико-химический аспект материаловедения сульфидов редкоземельных элементов: Автореф. дис. . д-ра хим. наук: Новосибирск, 1992. -49с.83. Картотека PDF-2

74. Ярембаш Я.И. Халькогениды редкоземельных элементов / Я.И. Ярембаш, A.A. Елисеев. М.: Наука, 1975. - 260 с.

75. Гшнайднер К.: Физика и химия редкоземельных элементов: Справочник / К. Гшнайднер, J1. Айринг. М.: Металлургия, 1982. - 336 с.

76. Гордиенко С.П. Термодинамика соединений лантаноидов / С.П. Гордиенко, Б.В. Феночка, Г.М. Виксман. Киев: Наукова Думка, 1979. - 376 с.

77. Рустамов П.Г. Хальколантанаты редких элементов / П.Г. Рустамов, О.М. Алиев, A.B. Эйнуллаев. М.: Наука, 1989. - 284 с.

78. Высоких A.C. Фазовые равновесия системы Sm2S3 Sm203 / Высоких A.C., Ваулин В.Г., Киселев С.А. // Сборник материалов конференции «Полифункциональные химические материалы и технологии».- Томск, ТГУ, 2007, 23-25 мая. - С. 308-311.

79. Андреев О.В. Фазовая диаграмма системы Sm2S3 Sm203 / O.B. Андреев, A.C. Высоких, В.Г. Ваулин // Журнал неорганической химии. - 2008, № 8. Т. 53. - С. 1414-1418.

80. Андреев О.В. Фазообразование в системах SmS Sm202S, SmS - Sm203 / O.B. Андреев, A.C. Высоких, A.B. Матигоров // 7-й семинар СО РАН - УрО РАН. Термодинамика и материаловедение. Тезисы докладов. Новосибирск, 2-5.02.2010. - С. 90.

81. Вест А. Химия твердого тела. М.: Мир, 1988. - Т. I. - 558 с.

82. Дидик В.А. Диффузия никеля в сульфиде самария / В.А. Дидик, В.В. Каминский, Е.А. Скорятина, В.П. Усачева, Н.В. Шаренкова, A.B. Голубков // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32. -№ 13.-С. 1-5.

83. Голубков A.B. Исследование диффузии самария в сульфиде самария / A.B. Голубков, В.В. Каминский // Письма в ЖТФ, 2008. Т. 34. В.13. С. 91-94.

84. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. - 360 с.

85. Воронин Г.Ф. Основы термодинамики. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1987. - 192 с.

86. Браун M. Реакции твердых тел / М. Браун, Д. Доллимор, А. Галвей.- М.: Мир, 1983.-360 с.

87. Ванюков A.B. Термическая диссоциация сульфидов металлов / A.B. Ванюков, P.A. Исакова, В.П. Быстрое. Алма-Ата: Наука, 1978. - 271 с.

88. Гордиенко С.П. Испарение и термодинамические свойства моносульфидов самария и европия / С.П. Гордиенко, Б.Ф. Феночка, C.B. Дроздова // Халькогениды. Выпуск 3. Киев: Наукова думка. - 1974. - С. 49-54.

89. Федоров П.П. Определение продолжительности отжигов при изучении фазовых равновесий в твердом состоянии бинарных систем // Журн. неорг. химии.- 1992. Т. 37. - Вып. 8. - С. 1891-1894.

90. Елисеев A.A. Синтез и кристаллохимия редкоземельных полупроводников / A.A. Елисеев, O.A. Садовская, Г.М. Кузьмичева // Журн. ВХО им. Д.И.Менделеева. 1981. - Т. 26. -№ 6. - С.612-621.

91. Орлова И.Г. Взаимодействие тербия с халькогенами, кристаллохимические и физико-химические свойства халькогенидов тербия: Автореф. . канд. хим. наук:- М.: МИТХТ, 1984.-17с.

92. Миронов К.Е. Сульфиды редкоземельных металлов / К.Е. Миронов, A.A. Камарзин, В.В.Соколов и др. // Редкоземельные полупроводники. Баку: ЭЛМ -1981.-С. 52-92.

93. Андреев О.В. Взаимодействие самария с серой / О.В. Андреев, O.A. Садовская, Е.Ю. Шабалина // ЖНХ, 1990. Т. 35. В. 3. С. 575-577.

94. Бамбуров В.Г. Простые и сложные сульфиды щелочноземельных и редкоземельных элементов / В.Г. Бамбуров, О.В. Андреев // ЖНХ, 2002. Т. 47. № 4. С. 676-683.

95. Андреев О.В. Химия простых и сложных сульфидов в системах с участием s-(Mg, Ca, Sr, Ba), d- (Fe, Cu, Ag, Y), f- (La-Lu) элементов: Дис. . д-ра хим. наук: -Тюмень, 1999.-430 с.

96. Набока М.Н. Изменение фазового состава и структуры при отжиге пленок сульфидов и оксисульфидов церия, самария, тулия / М.Н. Набока, Н.К. Мишнева,

97. Л.Д. Терещенко // Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. J1. - 1976. - С. 46.

98. ПО.Высоких A.C. Оптимизация условий получения моносульфида самария / Высоких A.C., Ваулин В.Г. // Сборник материалов конференции «Полифункциональные химические материалы и технологии». Томск, ТГУ, 2007, 23-25 мая.-С. 311-314.

99. Ш.Третьяков Ю.Д. Химические принципы получения металлоксидных сверхпроводников / Ю.Д. Третьяков, Е.А. Гудилин // Успехи Химии, 2000. - Т. 69.-№1.-С. 3-40.

100. Besancon P. Teneur en Oxygéné et formule exacte d'une famille de composes habituellement Appeles "variété ß" on "phase complexe" des sulfures des terres rares // J. of Solid State Chem. 1973. V. 7. P. 232 - 240.

101. Горбунова Л.Г. Физико-химический анализ систем Ln-S (Ln = Nd, Er): Дис. . канд. хим. наук: Новосибирск, 1990. - 212 с.

102. Аносов В.Я. Основы физико-химического анализа / В.Я. Аносов, М.И. Озерова, Ю.А. Фиалков. М.: Наука, 1976. - 503 с.

103. Леонов В.В. Микротвердость одно- и двухфазных сплавов. Красноярск: Красноярский университет, 1990. - 160 с.

104. Пб.Колмаков А.Г. Методы измерения твердости: Справоч. издание, серия специалиста материаловеда / А.Г. Колмаков, В.Ф. Тереньтев, М.Б. Бакиров. М.: Интермет инжиниринг, 2000. - 125 с.

105. Еловиков С.С. ОЖЕ-электронная спектроскопия // Соросовский Образовательный Журнал. 2001. Т. 7. № 2. С. 82-88.

106. Палатник Л.С. Механизм формирования, фазовый состав и структура тонких пленок сульфидов редкоземельных металлов / Л.С. Палатник, М.Н. Набока // Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. -Л.-1976,- С. 28.

107. Набока М.Н. Формирование и структура тонких пленок сульфидов РЗМ / М.Н. Набока, Л.Д. Терещенко // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1980. -Т. 16. -№7,- С. 1179-1181.

108. Набока М.Н. Структура и физические свойства тонких ' пленок на основе соединений редкоземельных элементов // Физика и химия редкоземельных полупроводников.- Новосибирск: Наука СО. 1990. - С. 41-45.

109. Андреев О.В. Физикохимия наукоемких материалов / Андреев О.В., Высоких A.C., Левен И.П. //Учебное пособие. Тюмень: изд-во ТюмГУ. 88 с.

110. Андреев О.В. Взаимодействие моносульфида самария с парами воды при 300 -1000 К / Андреев О.В., Высоких A.C., Головина Л.А. // Вестник Тюменского государственного университета. 2007 г. - № 3. - С. 124- 129.

111. Высоких A.C. Изделия из SmS для электроники / A.C. Высоких, П.В. Миодушевский, П.О. Андреев // Вестник Тюменского государственного университета. 2011. - № 5. - С. 179 - 185.

112. Миодушевский П.В. Фазовый состав поверхностного- слоя образцов моносульфида самария / П.В. Миодушевский, A.C. Высоких, П.О. Андреев // Вестник Омского государственного университета. 2011. - № 4. - С. 116-120.

113. Высоких A.C. Изучение области гомогенности на основе фазы Sm202S / A.C. Высоких, О.В. Андреев // Синтез и свойства химических соединений: Сборник статей. Тюмень. 2007. - С. 91-96.