Разработка физико-технологических основ получения пленок сульфида самария для тензорезисторов и исследование их параметров тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат физико-математических наук Ханова, Анна Владиславовна

• Ханова, Анна Владиславовна
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ханова, Анна Владиславовна

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

1.1. Редкоземельные полупроводники, зонная структура, основные свойства, фазовый переход полупроводник-металл

1.2. Методы получения халькогенидов лантаноидов; кристаллическая структура, фазовый состав пленок; химические методы получения пленок полупроводниковых соединений и перспективы использования их для получения пленок SmS

1.3. Электрофизические параметры, тензорезистивный эффект в пленках моносульфида самария

1.4. Обобщенные подходы к решению задачи электропроводности и расчету физических параметров полупроводников

1.5. Выводы

ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК

МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ

2.1. Выбор исходных веществ

2.2. Синтез dtc-комплексов Sm и исследование их свойств

2.3. Исследование условий осаждения и свойств пленок сульфидов самария, полученных из dtc-комплекеов

2.4. Кристаллическая структура и морфология поверхности пленок

2.5. Выводы

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ

ХАРАКТЕРИСТИК ПЛЕНОК МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ

3.1. Методика исследования

3.2. Рекомбинационные параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария

3.3. Параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария при сверхвысоких уровнях инжекции

3.4. Выводы

ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК

МОНОСУЛЬФИДА САМАРИЯ КАК РАБОЧЕГО ТЕЛА

ТЕНЗОДАТЧИКОВ

4.1. Лазерная обработка пленок моносульфида самария 110 /

4.2. Разработка омического контакта к пленкам моносульфида самария

4.3. Разработка инжектирующего контакта к пленкам моносульфида самария

4.4. Основные свойства тензорезистивных пленок на основе моносульфида самария

4.5. Разработка тензочувствительных структур на основе полупроводниковых пленок моносульфида самария

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Разработка физико-технологических основ получения пленок сульфида самария для тензорезисторов и исследование их параметров»

Актуальность темы. Одно из важных направлений современной тензометрии связано с использованием новых материалов, способных повысить выходной сигнал тензорезисторных датчиков при улучшении их метрологических характеристик. В настоящее время при статических и динамических испытаниях, а также для оснащения датчиков механических величин, применяющихся в различных отраслях науки и техники, широко используются металлические тензорезисторы. Применение полупроводниковых тензорезисторов позволяет существенно (более чем на порядок) повысить чувствительность тензорезисторных датчиков. Однако, традиционные полупроводниковые материалы (кремний, германий и т.п.) не находят широкого применения в тензометрии. Это связано, в первую очередь, со значительной нелинейностью характеристик и температурной нестабильностью.

В связи с этим возникает потребность в исследовании новых полупроводниковых материалов, которые могут найти применение в тензорезисторных датчиках механических величин. Одними из таких материалов являются редкоземельные полупроводники и, прежде всего, моносульфид самария. Он обладает наилучшими характеристиками для применения в тензометрии: рекордной тензочувствительностыо, высокой линейностью тензохарактеристики и относительно низким температурным коэффициентом сопротивления (ТКС). Кроме того, материалы на основе SmS очень стойки к воздействию высоких температур, сильных магнитных полей, радиационного излучения.

Таким образом, возникает необходимость разработки методов изготовления чувствительных элементов из материалов на основе SmS и способов контроля их параметров. Наиболее простыми и удобными в изготовлении и применении представляются чувствительные элементы в виде поликристаллических пленок редкоземельных полупроводников на основе SmS.

Основным методом получения пленок моносульфида самария в настоящее время является метод термического испарения в вакууме. Наряду с этим, известно получение пленок редкоземельных соединений термическим разложением хелатных металлоорганических соединений (МОС). Основными достоинствами этого метода являются низкая температура получения пленок (200-^300°С), простота технологического оборудования, универсальность (возможность получать не только полупроводниковые, но и металлические и диэлектрические пленки).

Помимо методов получения пленок на основе SmS, важную роль в создании чувствительного элемента играют материал контактов и методы их формирования, влияющие на характеристики тензорезистивных пленок.

С учетом сказанного, разработку методов получения пленок моносульфида самария и исследования их свойств можно отнести к числу актуальных физико-технологических и научно-технических задач.

Связь работы с научными программами, планами, темами. Работа велась в соответствии с темами, выполняемыми в Отделении оптоэлектроники Института физики полупроводников НАНУ в рамках научных тем "Физико-технологические и приборные исследования структур и сред для обработки и преобразования оптической информации" (номер государственной регистрации 348 01.86.0 074060) и "Исследование электронно-поляритонных явлений в твердотельных структурах на основе полупроводников А3В5 с микрорельефной поверхностью, разработка новых оптоэлектронных приборов и автоматизированных методов электрофизической диагностики материалов и структур опто- и микроэлектроники" (номер государственной регистрации 0193 U 028658).

Цель работы и задачи исследования. Цель работы состояла в разработке химических методов получения пленок моносульфида самария, отработке вакуумной технологии, обеспечивающей изготовление промышленных образцов тензорезисторов, исследовании их электрофизических и тензорезистивных свойств. Объектом исследования были пленки SmS, полученные вакуумным и химическим методами. Предметом исследования - физико-технологические условия получения таких пленок, а также рекомбинационные и инжекционные процессы в них.

В соответствии с целью работы в ней решались следующие задачи:

- разработка метода получения пленок сульфидов самария химическим методом из МОС, включающая исследование процессов синтеза и пиролиза исходных соединений и исследование их свойств;

- доработка вакуумного метода получения пленок моносульфида самария;

- исследование электрофизических свойств пленок моносульфида самария, включающее определение их рекомбинационных параметров и разработку методов формирования омических и инжектирующих контактов к ним;

- разработка тензочувствительных пленочных структур на основе полупроводниковых пленок моносульфида самария.

Научная новизна полученных результатов. В результате проведенных исследований получены следующие новые результаты:

1. Впервые выбраны, синтезированы и исследованы исходные вещества для получения пленок сульфидов самария химическим методом. Такими веществами являются dtc-комплексы самария Sm(Et2NCS2)3, Sm(Et2NCS2)3 bipy, Sm(Et2NCS2)3 phen. Из них в результате гетерогенного пиролиза МОС получены пленки ряда сульфидов самария. Термическая деструкция дитиокарбамата самария при температуре 150°С - 300°С в зависимости от исходных веществ и условий пиролиза приводит к образованию преимущественно поликристаллических текстурированных пленок ряда сульфида самария от SmS2 до Sm2S. Впервые из группы дитиокарбоматов получены поликристаллические пленки моносульфида самария кубической модификации. Поликристаллические пленки SmS кубической модификации получаются МОС химическим методом при распылении 0,05-^0,1 М раствора МОС в диапазоне температур 200 °Сч-300 °С.

2. Исследованы и отработаны условия вакуумной технологии, обеспечивающей воспроизводимое получение пленок SmS с высокой тензочувствительностыо. Варьирование температуры подложки в диапазоне 400°С - 600°С и температуры испарения в диапазоне 2500°С - 2700°С для вакуумного метода определяет тензочувствительность пленок SmS в диапазоне 40-60.

3. Определены рекомбинационные параметры и механизмы токопрохождения в поликристаллических пленках моносульфида самария. Показано, что рекомбинационный барьер в поликристаллических пленках SmS обусловлен рекомбинационными уровнями £]=0,23эВ; Е2=0,17эВ; с концентрациями

153 п 113 дозаполнения Ni«10 см" , N2~10 см°, сечением захвата ^«10" см /с, п о g

Г2~Ш см /с и временем жизни неосновных носителей на них 10" с, х2«10"10с. При этом в моносульфиде самария реализуется режим двойной инжекции носителей заряда с характерными степенями ВАХ а =1,5 и а= 2, свидетельствующими о бимолекулярной и мономолекулярной рекомбинации носителей соответственно. При увеличении уровня инжекции проявляется влияние непараболичности зоны проводимости, что приводит к увеличению степени ВАХ до 4.

4. Исследовано влияние материала контактов на свойства пленочных структур из моносульфида самария. Показано, что применение двухслойной металлизации (Cr+Co; Ti+Ni) контакта к SmS реализует стабильный, воспроизводимый, с низким сопротивлением омический контакт при Ti+Ni и инжектирующий контакт при Сг+Со.

Практическое значение полученных результатов. Практическую ценность имеет большинство полученных в работе результатов. Ряд выводов и результатов являются важными для получения тонкопленочных тензорезисторов нового поколения на основе моносульфида самария с высокой тензочувствительностыо и температурной стабильностью. В частности, разработан химический метод получения тензорезистивных пленок ряда сульфидов самария термическим разложением МОС, а также разработана серийно-пригодная технология, обеспечивающая получение промышленных образцов тензодатчиков на основе пленок SmS. Исследование рекомбинационных и инжекционных процессов в пленках SmS позволило создать омический и инжектирующий контакт к тонкопленочным структурам на основе моносульфида самария, отличающимся высокой воспроизводимостью, стабильностью и большим сроком службы.

Личный вклад соискателя. Диссертант принимала участие в формулировании направления исследований, в расчетах. Она самостоятельно проводила экспериментальные работы по синтезу и исследованию дитиокарбаматов, по получению пленок SmS, измерению вольт-амперных характеристик, параметров тензорезисторов, формированию контактов, расчету параметров пленок SmS и структур на их основе.

Апробация результатов диссертации. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на X Всесоюзной конференции "Методы и средства тензометрии и их применение в народном хозяйстве" (Тензометрия-89), Свердловск, 1989 г. и на V Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Саратов, 1990 г.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 3 статьях в журналах по специальности и в тезисах 4 докладов на конференциях; получено 1 авторское свидетельство СССР и 2 патента России.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Ханова, Анна Владиславовна

4.6. Выводы

В свете применения пленок SmS для изготовления тензорезисторов сформулированы требования для металлов, применяющихся в качестве материалов контакта. Определено влияние контактов из различных металлов на токопрохождение в структурах из SmS. Выбраны металлы для формирования контактов.

С целью легирования приповерхностного слоя проведено лазерное облучение пленок SmS. Измерение вольт-амперных характеристик модифицированных лазерным излучением пленок показало, что в данном случае лазерное облучение не приводит к заметному уменьшению сопротивления, наоборот, поверхностное сопротивление пленки повышается на 5 порядков. Это связано, в первую очередь, с растрескиванием поверхности из-за значительного изменения объёма сульфида самария при изменении его фазового состава в результате выхода при облучении серы, имеющей меньшую энергию связи.

Установлено, что лазерное облучение поверхности SmS не приводит к легированию приповерхностного слоя, а вызывает существенное повышение сопротивления пленки.

Поскольку моносульфид самария очень чувствителен к механическим деформациям, то при формировании контакта необходимо до свести к минимуму механические напряжения, возникающие при осаждении металлической пленки контактного материала. Для решения этой задачи выбран двухслойный контакт с использованием в качестве геттера слоя титана (для омического контакта) и хрома (для инжектирующего контакта), толщиной от 50 нм до 200 нм. В качестве второго слоя контакта были выбраны никель (для омического контакта) и кобальт (для инжектирующего контакта). Они являются пластическими металлами, дают низкое сопротивление при толщинах от 300 нм до 800 нм, не подвержены коррозии. Напыление обоих слоев производится при температурах подложки 100-^200°С.

Полученные контакты отличаются высокой стабильностью и воспроизводимостью. При этом инжектирующий контакт предоставляет возможность управления характеристиками тензорезистора с помощью приложенного напряжения.

Пленки, полученные методом взрывного испарения при температуре подложки от 400°С до 600°С и температуре испарителя от 2500+2700°С имели тензочувствительность К= 40+60. Это позволяет более чем на порядок повысить выходной сигнал датчиков.

Сформулированы основные особенности топологии полупроводниковых тензорезисторов из SmS и показаны некоторые их преимущества перед металлическими тензорезисторами. К их числу можно отнести малые размеры тензорезистора при любой величине сопротивления, равенство продольного и поперечного тензоэффекта, высокую чувствительность и возможность получения пленок с низким ТКС, а также использование фазового перехода полупроводник-металл для балансировки тензомоста.

Результаты исследований докладывались на X Всесоюзной конференции "Методы и средства тензометрии и их применение в народном хозяйстве "Тензометрия-89" [114] и на V Всесоюзной конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников [115]. Получены патенты РФ [116,117] на способы изготовления контактов к SmS.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Впервые обоснованно выбраны, синтезированы и исследованы исходные вещества для получения пленок сульфидов самария химическим методом. Показано, что термическая деструкция дитиокарбамата самария при температуре 150°0300°С в зависимости от исходных веществ и условий пиролиза приводит к образованию преимущественно поликристаллических текстурированных пленок ряда сульфида самария от SmS2 до SmS.

2. Впервые в результате гетерогенного пиролиза МОС из группы дитиокарбоматов получены пленки ряда сульфидов самария. Показано, что распыление 0,05-4-0,1 М раствора МОС в диапазоне температур 200°С-4-300°С позволяет получить поликристаллические пленки SmS кубической модификации.

3. Исследованы и отработаны условия вакуумной технологии, обеспечивающей воспроизводимое получение пленок SmS с высокой тензочувствительностью. Установлено, что варьирование температуры подложки в диапазоне 400°С-4-600°С, температуры испарения в диапазоне 2500°С-4-2700°С определяет тензочувствительность пленок SmS в диапазоне 40-60.

4. Апробирован комплекс методов определения объемных и контактных параметров полупроводниковых тензорезистивных структур, основанный на дифференциальном анализе статических вольт-амперных характеристик с использованием теории инжекционно-контактных явлений. Показано, что токопрохождение в тонких поликристаллических пленках SmS определяется двойной инжекцией носителей с характерными степенями ВАХ а=1,5 и а=2, а при увеличении уровня инжекции проявляется влияние непараболичности зоны проводимости с а=4.

5. Впервые определены рекомбинационные параметры полупроводниковых пленок моносульфида самария. Показано, что рекомбинационный барьер в поликристаллических пленках SmS обусловлен рекомбинационными уровнями £i=0,23 эВ; Е2=0,17 эВ; с концентрациями дозаполнения Ni«1015 см"3, N2«1017 см"3, сечением захвата «10"11 см3/с, ^»10'13 см3/с и временем жизни неосновных

О 1 Q носителей на них X]» 10" с,т2«10" с.

6. Выявлено влияние материала контактов на свойства пленочных структур из моносульфида самария. В результате созданы омический и инжектирующий контакты к тонкопленочным структурам на основе моносульфида самария. Показано, что применение двухслойной металлизации (Cr+Co; Ti+Ni) контакта к SmS реализует стабильный, воспроизводимый, с низким сопротивлением омический контакт при Ti+Ni и инжектирующий контакт при Сг+Со.

7. Получены и исследованы тонкопленочные тензорезисторы из моносульфида самария с высокой тензочувствительностыо и температурной стабильностью.

Анализируя результаты работы, можно сказать, что полностью подтверждена перспективность применения моносульфида самария в тензометрии и определены направления дальнейших исследований этого материала.

Методом взрывного испарения в вакууме можно получать тензорезисторы, пригодные для практического применения. В то же время химический способ получения пленок SmS из хелатных МОС представляется наиболее перспективным. Необходимы дальнейшие исследования в направлении разработки этого метода.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ханова, Анна Владиславовна, 2000 год

1. Физические свойства халькогенидов РЗЭ / Голубков А.В., Гончарова Е.В.,

2. Жузе В.П. и др. Л.: Наука, 1973. -304 с.

3. Смирнов И.А., Оскотский B.C. Фазовый переход полупроводник-металл вредкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария) // УФН. -1978.- Т.124.- вып. 2. С.241-279.

4. Дагис Р.С. Электронное строение и свойства неметаллических редкоземельныхмонохалькогенидов // Электронная структура и оптические спектры полупроводников. Под. ред. Ю.Пожелы. Вильнюс, - 1987.- С.8-40.

5. Палатник J1.C., Набока М.Н. Тонкие полупроводниковые пленки на основе РЗЭ //

6. Редкоземельные полупроводники Баку: Элм. - 1981.- С.134-182.

7. Смирнов Б.Н., Голубков А.В., Смирнов И.А. Механические свойства SmS //

8. ФТТ,- 1976.- Т.18. №7,- С. 2097-2098.

9. Каминский В.В., Виноградов А.А., Капустин В.А., Смирнов И.А. Определениетипа и деформационного потенциала зоны проводимости в SmS // ФТТ. 1978.- Т.20. №9,- С. 2721-2725.

10. Масюкова Н.И., Фаберович О.В. Теоретическое исследование электроннойструктуры и электрофизических свойств моносульфида самария // ФТТ. 1993.- Т.35. № 1.- С.138-144.

11. A.Jayaraman, E.Bucher, F.D.Dernier, L.D.Longinotti. Temperature-induced explosivefirst-order electronic phase tranzition in Gd-doped SmS // Phys. Rev. Lett. 1973. -V.31. N 11. - P.700-703.

12. A.Jayaraman, V.Narayamurti, E.Busher, R.G.Maines. Continuous and discontinuoussemiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides under pressure // Phys. Rev. Lett.- 1970.- V.25.- P.1430-1433.

13. Бжалава Т.Л., Жукова Т.Б., Смирнов И.А. и др. Металлическая фаза моносульфида самария, устойчивая при атмосферном давлении // ФТТ. 1974.- Т.16.- № 12,- С.3730-3732.

14. Жузе В.П., Голубков А.В., Гончарова Е.В. и др. Электрические свойства SmS // ФТТ, 1964,- Т.6.- С.268-271.

15. Васильев JI.H., Каминский В.В., Лани Ш. Деформационный механизм возникновения фазового перехода при полировке образцов SmS // ФТТ. 1997.- Т.39. №3,- С.577-579.

16. Шульман С.Г., Бжалава Т.Д., Жукова Т.Б. и др. Фазовый переход полупроводник-металл в тонких пленках SmS // ФТТ. 1975 г. - Т. 17. - № 10.- С. 2989-2992.

17. Погарев С.В., Куликова И.Н., Гончарова Е.В. и др. Исследование тонких пленок SmS с разными параметрами решетки // ФТТ. 1981. - Т. 23. - № 2. -С.434-439.

18. D.W.Pohl, R.Jaggi, K.Gisler, H.Weibel. Optical and electrical properties of metallic SmS films //Solid State Communs. 1975,- V.17.-N6.- P.705-708.

19. Ярембаш Е.И., Елисеев А.А. Халькогениды редкоземельных элементов. M.: Наука, 1975,- 257с.

20. Миронов К.Е., Камарзин А.А., Соколов В.В, Васильева И.Г. Полуторные халькогениды и оксихалькогениды редкоземельных металлов // Физика и химия редкоземельных полупроводников: Химия и технология. Свердловск: УНЦ АН СССР, - 1977.- С.3-27.

21. Елисеев А.А., Кузьмичева Г.М. Кристаллохимия сульфидов редкоземельных элементов // Кристаллохимия М.: ВИНИТИ - 1976. - T.l 1 - С.95-131.

22. R.Suryanarayanan, C.Paparoditis. Preparation, optical and magnetooptical properties of ytterbium chalcogenide thin films // Solid State Communs. 1970. - V.8.1. P.1853-1855.

23. Саровская O.A., Елисеев A.A., Пономарев H.M., Логинова Е.М. Система EuS // Тугоплавкие соединения редкоземельных элементов. Душанбе: Дониш. -1978. - С.195-202.

24. Гордиенко С.П., Феночка Б.Ф., Дроздова С.В. Испарение и термодинамические свойства моносульфидов самария и европия // Халькогениды. Выпуск 3. Киев: Наукова думка. - 1974. - С.49-54.

25. Палатник Л.С., Набока М.Н. Механизм формирования, фазовый состав и структура тонких пленок сульфидов редкоземельных металлов // Всесоюзнаяконференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. Л. -1976.-С.28.

26. Набока М.Н., Мишнева Н.К., Терещенко Л.Д. Изменение фазового состава и структуры при отжиге пленок сульфидов и оксисульфидов церия, самария, тулия // Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. Л. - 1976. - С. 46.

27. Набока М.Н., Терещенко Л.Д. Формирование и структура тонких пленок сульфидов РЗМ // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1980. -Т. 16. -№ 7. - С. 1179-1181.

28. C.Paparoditis, R.Suryanarayanan. Preparation of rare earth chalcogenide thin films by the co-evaporation technique // J. Crys. Growth. 1972. - V.13/14. - P.389-392.

29. R.Suryanarayanan. Optical study of semiconductor to metal transition in SmixLnxS and SmS.xAsx // Physica B+C. 1977. - V.86/88. - Pt 1. - P.227-228.

30. Набока М.Н. Структура и физические свойства тонких пленок на основе соединений редкоземельных элементов // Физика и химия редкоземельных полупроводников. Новосибирск: Наука СО. - 1990.- С.41-45.

31. Айхотжин С.А., Семилетов С.А. К образованию пленок полупроводниковых соединений при дискретном испарении в вакууме // Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. Труды симпозиума, ч.1. -Новосибирск: Наука. - 1967. - С.54

32. Каминский В.В., Смирнов И.А. Редкоземельные полупроводники в датчиках механических величин // Приборы и системы управления. 1985. - №8. -С.22-24.

33. Разуваев Г.А, Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Саламатин Б.А. Металлоорганические соединения в электронике. М.: Наука, 1972. - 479 с.

34. Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений / Под ред. Г.А.Разуваева. М.: Наука. - 1981. - 332 с.

35. Трембовецкий Г.В., Мартыненко Л.И., Муравьева И.А. Твердофазный синтез аддуктов трис-ацетилацетонатов РЗЭ с ацетилацетонимином // Журнал неорганической химии. 1985. - Т.30. - № 5. - С. 1163-1168.

36. Дзюбенко Н.Г., Мартыненко Л.И. Свойства и строение аддуктов трис-ацетилацетонатов редкоземельных элементов с о-фенантролином // Журнал неорганической химии. 1986. - Т.31. -№ 7. - С. 1699-1705.

37. Kato Akira, Katayama Masauki, Mizutani Atsushi et al. ZnS:Sm grown by metalorganic chemical vapor deposition with CI codoping // J. Appl. Phys. 1995. -V.77. - N 9. - P.4616-4622.

38. Жаровский Л.Ф., Завьялова Л.В., Рахлин М.Я., Свечников С.В. Получение фоточувствительных пленок из хелатных металлоорганических соединений // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1979. - вып. 23. - С.64-79.

39. Свечников С.В., Власенко Н.А., Завьялова Л.В., Савин А.К. Элекролюминесцентные излучатели на основе пленок ZnS, полученных изхелатных металлоорганнческих соединений // Журнал техн. физики. 1985. -Т.55. -№ 12. - С.2406-2408.

40. Zharovsky L.F., Zavyalova L.V., Svechnikov G.S. Metal-chalcogenides films prepared from chelate metal-organic compounds // Thin Solid Films. 1985. -V.128. -N 3-4. -P.241-249.

41. Ф.Розотти. Термодинамика образования комплексов ионов металлов в растворах // Современная химия координационных соединений. Под ред. Дж. Люиса и Р.Уилкинса. М.: ИЛ 1963.

42. Виноградов А.А., Каминский В.В., Смирнов И.А. Электрические свойства металлической фазы SmS, устойчивой при атмосферном давлении // ФТТ. -1985. -Т.27. С. 1121-1123.

43. Каминский В.В., Виноградов А.А., Володин Н.М. и др. Особенности электропереноса в поликристаллических пленках SmS // ФТТ. 1989. - Т.31. -№9.- С.153-157.

44. Каминский В.В., Володин Н.М., Жукова Т.Б. и др. Электрические свойства и особенности структуры поликристаллических пленок моносульфида самария // ФТТ, 1991.- Т.31.- № 1. - С.187-191.

45. Васильев J1.H., Каминский В.В., Курапов Ю.М. и др. Электропроводность тонких пленок SmS//ФТТ. 1996,- Т.38,- №3.- С.779-785.

46. Виноградов А.А., Гребинский С.И., Каминский В.В. и др. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монохалькогенидах самария при одноосном сжатии//ФТТ. 1984,- Т.26. - С.402-408.

47. Щенников В.В., Степанов Н.Н., Смирнов И.А., Голубков А.В. Термо-э.д.с. и электросопротивление монохалькогенидов самария при сверхвысоком давлении//ФТТ. 1988,- Т.30. - №10,- С.3105-3110.

48. K.Iwamoto, K.Kimura, S.Takeuchi. Effects of plastic deformation on the electrical conductivity of SmS single crystals // Phil. Mag. B. 1988. V.57. - N 4. -P.467-472.

49. Гребинский С.И., Каминский B.B., Смирнов И.А., Шульман С.Г. Тензорезистивный эффект в поликристаллических пленках SmS // 3-я Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси). М.: АН СССР,- 1983,- С.46.

50. Каминский В.В., Романова М.В. Тензочувствительность и температурный коэффициент сопротивления моносульфида самария // Приборы и системы управления. 1988. - № 8. - С.28-29.

51. Голубков А.В., Гончарова Е.В., Капустин В.А. Уточнение модели электропереноса в полупроводниковом SmS // ФТТ. 1980. - Т.22. - № 12. С.3561-3567.

52. Каминский В.В., Васильев Л.Н., Горнушкина Е.Д. и др. Влияние у -облучения на электрические параметры тонких пленок SmS // ФТП. 1995. - Т.29. - № 2.1. С.306-308.

53. Каминский В.В., Щелых А.И., Дедегкаев Т.Т. и др. Фазовый переход металл-полупроводник в SmS по действием лазерного облучения // ФТТ. 1975. -Т.17. -№5 - С.1546-1548.

54. Грачев А.И., Кухарский А.А., Каминский В.В. и др. Оптическая запись амплитудно-фазовых голограмм на пленках SmS // Письма в ЖТФ. 1976. -Т.2. -№ 14,- С.628-631.

55. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: ИЛ. - 1973. -416 с.

56. Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1981. - 256 с.

57. Стриха В.И. Контактные явления в полупроводниках. Киев: Вища школа. -1982.-256 с.

58. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь. - 1982. -208 с.

59. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. - 1984. - 456 с.

60. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир. - 1984. -350 с.

61. Власкина С.И., Зюганов А.Н., Романенко В.Ф. и др. Исследование электрофизических характеристик и параметров инжекционных светодиодов на основе SiC //ОПТ. 1983.-№ 3. - С.49-56.

62. Завьялова Л.В., Иванов А.И., Свечников С.В. .и др. Исследование процессов токопрохождения в сернистокадмиевых фотоприемниках, полученных химическим методом // УФЖ. 1984. - Т.29. - № 11. - С. 1686-1691.

63. Власкина С.И., Зюганов А.Н., Смертенко П.С. и др. Влияние структуры на электрофизические параметры пленок карбида кремния на кремнии // УФЖ. -1989. Т.34. -N 4. - С.612-615.

64. A.G.Burak, V.K.Dubovoi, P.S.Smertenko et al. Electrophysical properties of silicon depending on thermal processing and neutron transmutation doping effects // Phys.Stat.Sol.(a). 1991. - V.129. - N 2. - P.K45-K49.

65. Горбач Т.Я., Свечников C.B., Смертенко П.С. и др. Эволюция вольт-амперных характеристик фотолюминесцирующего пористого кремния при химическом травлении// ФТП- 1997.-Т.31.-№ 12-С.1414-1418

66. M.Hasan, S.N.Misra, R.N.Kapoor. Substituted phenoxide and thiophenoxide derivatives of samarium // J. Chem. U.A.R. 1970. - V. 13. - № 2. - P.235-242.

67. M.Hasan, S.N.Misra, R.N.Kapoor. Preparation of thiocarboxylate and alkyl thioglycolate derivatives of samarium in nonaqueous medium // J. Chem. U.A.R. -1970.- V.13. -№ 3. P.353-359.

68. K.S.Gharia, M.Singh, S.Mathur et al. Substituted thiophenoxide derivatives of some lanthanides // Synth, and Reactiv. Inorg. and Metal-org. Chem. 1982. - V. 12. - N 4. - P.337-345.

69. H.C.Aspinoll, D.S.Bradley, U.B.Hussthouse et al. Lanthanide thiolate complexes: synthesis of Ln{n(SiMe3)2}(|~i-S Bu').2 (Ln = Eu, Gd, Y) and the X-ray crystal structure of the Gd-complex // Chem. Communs. 1985. -№ 22. - P. 1585-15 86.

70. Бочкарев M.H., Радьков Ю.Ф., Бочкарев Jl.H., Калинина Г.С. Химия элементоорганических соединений. Горький, Горьк.ун-т. - 1983. - С.30-32.

71. Бочкарев М.Н., Федорова У.А., Радьков Ю.Ф. и др. Присоединение двуокиси углерода к алкокси- и тиопроизводным лантаноидов // ДАН СССР. 1984. -Т.279. -№ 6. - С.1386-1389.

72. Радьков Ю.Ф., Федорова Е.А., Хорошев С.Я. и др. Взаимодействие БИС (бутилселенолята) иттербия и родственных соединений с двуокисью углерода // ЖОХ. 1985. - Т.55. - №10. - С.2153-2157.

73. B.Brzyska, G.Hubiska. Preparation and properties of yttrium, lanthanum and light lanthanide complexes with thiodiglicolic acid // Polish. J. Chem. 1987. - V.61. -N 7-12. -P.667-673.

74. Бырько В.М. Дитиокарбаматы. М.: Наука. - 1984. - 341с.

75. R.Bonati, R.Ugo. Organotin (IV) N,N-disubstituted dithiocarbamates //J. Organometal. Chem. 1967. - V.10.-N10. - P.257-268.

76. D.Brawn, S.Fietcher. The preparation and crystallographic properties of sertain lanthanide and actinide tribromides and tribromide hexahydrates // J. Chem. Soc. A. -1968. -N.8. P. 1889-1894.

77. Практикум по неорганической химии. Пер. с нем. М.: Мир. - 1979. -376 с.

78. Бочкарев М.Н, Каткова М.А., Хорошев С.Я, Макаренко Н.П. Эрбийорганические соединения с дендримерными лигандами // Известия РАН, сер. хим. 1996.-№1.-с.163-166.

79. Свечшков С.В., Смертенко П.С., Смирнов А.В., Спичак I.O. Диференцшний метод анал1зу штегральних характеристик // Украшський ф!зичний журнал. -1998. Т.43. - N 3. - С.374-377.

80. N.H.Fletcher. The high current limit for semiconductor junction devices // Proc.IRE.- 1967. V.45. - P.862-872.

81. E.O.Kane. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Sol. 1957. - V.l. -P.249-261.

82. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука. - 1978.616 с.

83. Галкин Г.Н. Междузонные процессы рекомбинации в полупроводниках при высоких уровнях возбуждения // Труды ФИАН. 1981. - Т. 128. - С.3-64.

84. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Кидаев. Е.В., Смирнов JI.C. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. М.: Наука. - 1982 г. - 208 с.

85. Моин М.Д. Кинетика образования дефектов и испарения твердого тела под действием лазерного излучения // ФТТ. 1984. - Т.26. - № 9. - С.26-29.

86. Быоб Р. Фотопроводимость твердых тел. М.: ИЛ. - 1962. - 558 с.

87. Стриха В.И., Попова Г.Д., Бузанова Е.В. Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник. I. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1976. - вып. 19. - С. 82-86.

88. Стриха В.И., Попова Г.Д., Бузанова Е.В. Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник. II. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. - 1976. - вып. 20. - С. 20-35.

89. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Сов. радио. - 1975. - 328 с.

90. Пат. 238434 ЧССР, МКИ Н 01 L 23/00. Омический контакт / Лани Ш. (ЧССР), Каминский В. (Россия).-№PV9300-83 от 16.04.85; Опубл. 15.05.87. 3 с. ил.

91. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Наукова думка. -1970.- 148 с.

92. Пат. 2024989 РФ, МКИ Н01 L 21/02. Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым резисторам на основе моносульфида самария / Володин Н.М., Каминский В.В. -№ 4875406/21 Заявлено 22.10.90 ; Опубл. 15.12.94, Бюл. №23.

93. Смитлз К.Дж. Металлы. М.: Металлургия. - 1980. - 448 с.

94. Вагатов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиздат. -1983.- 136 с.

95. Тензометрия в машиностроении. Под. ред. Р.А.Макарова. М.: Машиностроение. - 1975. - 228 с.

96. А.с. 1384933 СССР, МКИ G 01 В 7/18. Способ балансировки резистивного моста электромеханического датчика / Володин Н.М., Девяткин С.И., Карягин В.П. и др. -№ 32357/25-28; Заявлено 9.01.81; Опубл. 30.03.88. Бюл. № 12. 2с. ил.