Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Be-BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Никифоров, Дмитрий Константинович

• Никифоров, Дмитрий Константинович
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Никифоров, Дмитрий Константинович

Введение.

Глава 1. Тонкопленочные структуры как основа холодных катодов газовых лазеров.

1.1. Холодные катоды в газовых лазерах.

1.2. Конструкционные особенности холодных катодов моноблочных He-Ne лазерных датчиков.

1.3. Особенности структуры и физических свойств поверхности холодного катода.

1.3.1. Проводимость оксидной пленки холодных катодов в газовом разряде.

1.3.2. Дефектообразование в оксидных пленках на поверхности холодных катодов.

1.4. Физические причины разрушения холодных катодов в аномальном тлеющем разряде.

1.4.1. Катодное распыление.

1.4.2. Роль объемных дефектов в процессах разрушения оксидных пленок в тлеющем разряде.

1.5. Анализ методов получения тонкопленочных структур для холодных катодов и методов их диагностики.

1.5.1. Физико-технологические основы получения пленочных холодных катодов моноблочных He-Ne лазерных датчиков.

1.5.2. Применение пленок нитридов металлов для создания холодных катодов.

1.5.3. Исследование дефектности металлических пленок методом электронно-флуктуационной диагностики.

1.6. Физические свойства тонкопленочных структур на основе оксидов алюминия и бериллия.

1.7. Свойства материалов, использованных для создания эффективных эмиттеров - тонкопленочных холодных катодов.

Выводы к главе 1 и постановка цели и задач исследований.

Глава 2. Моделирование процессов инжекции и эмиссии носителей заряда в структурах металл-оксид металла.

2.1. Построение энергетических диаграмм тонкопленочных структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО.

2.2. Формирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом, в диэлектрическом слое тонкопленочных структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО.

2.3. Формирование инжекционных токов по механизму Пула-Френкеля в диэлектрическом слое тонкопленочных структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО.

2.4. Формирование туннельных токов в тонкопленочных структурах AI-AI2O3 и

Ве-ВеО.

Выводы к главе 2.

Глава 3. Моделирование физических процессов в структурах металл-оксид металла, инициируемых ионно-электронной бомбардировкой. nilv «/Jivivi^uiinvxi vvmuvoiui• я поверхности и объема оксида металла в структурах А1-А

5ствием ионно-электронной бомбардировки. ие вторичных ионно-электронной и электронной эмисы ща металла в структурах А1-А120з и Ве-ВеО.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эмитирующие тонкопленочные структуры Al-Al2O3 и Be-BeO в условиях ионно-электронной бомбардировки»

В различных областях науки, техники, промышленности широко востребованы устройства электронной техники - вакуумные СВЧ-приборы, фотоэлектронные умножители и газоразрядные лазеры, важнейшим элементом которых является эмиттер электронов - холодный катод [1-3]. В последние годы газоразрядные, в частности, гелий-неоновые лазеры интенсивно используются для создания лазерных систем с большим функциональным спектром применения (хранение информации, средства навигации и локации, печатающие и сканирующие устройства и т.п.).

Одно из важнейших требований, предъявляемым к катодам газовых лазеров - способность сохранять рабочие параметры при соприкосновении его эми-тируюших поверхностей с газовой средой. Этому способствуют защитные свойства тонкой окисной эмиссионной пленки [4]. Особенно широко используются в этом плане тонкие пленки AI2O3 и ВеО.

Сочетание высоких температуры плавления, теплопроводности и диэлектрических параметров, характерные для оксидов алюминия и бериллия, по-прежнему оставляет их оптимальными материалами, несмотря на все перспективы использования нитрида алюминия [5, 6].

В то же время необходимо отметить, что подобные пленки не только выполняют конструктивную «защитную» функцию, а зачастую являются активными элементами электронных структур. В качестве примера можно привести тонкопленочные гетероструктуры Al203-Si [7], многослойные наноструктуры

ТагОг-А^Оз [8] и ЗгТЮз-СеОг-АЬОз [9], металлические одноэлектронные транзисторы на Al(Nb)-Al203-Al(Nb) [10, 11], оптические элементы на основе ВеО для лазерных систем средней ИК-области спектра [12], детекторы СВЧ-излучения на основе ВеО для термостимулированных экзоэмиссионных дозиметров [13, 14]. Особый интерес представляют обладающие уникальными физическими свойствами неуглеродные нанотрубки - предсказанные на основе ВеО [15] и синтезированные на базе А120з [16].

Несомненно, что в случае эмитирующей структуры металл - оксид металла также необходимо рассматривать диэлектрическую пленку оксида как важнейший функциональный элемент, формирующий эмиссионные свойства.

Во-первых, при переходе к тонким пленкам в структуре металл-диэлектрик формируются новые закономерности, которые не проявляются в массивных образцах: в диэлектрике возникают управляемые инжекционные и эмиссионные токи [17-19].

Во-вторых, приложение внешнего электрического поля соответствующей полярности (способствующего инжекции электронов из металла в диэлектрик) к тонкому диэлектрическому слою приводит к многочисленным физическим эффектам, обусловленным «сильным электрическим полем» [17-19].

Однако исследования в этих направлениях тонкопленочных эмитирующих структур металл - оксид металла как основы холодных катодов до настоящего времени, за редким исключением, не проводились, что сводит выбор оптимальных составов и материалов к эмпирическому поиску.

Целью настоящей работы явилось комплексное исследование механизмов формирования инжекционно-эмиссионных токов в тонкопленочных структурах металл - оксид металла А1-А1203 и Ве-ВеО и физико-технических свойств макетов холодных катодов на их основе.

Для достижения поставленной цели предстояло решить следующие задачи:

1. Провести анализ возможностей применения тонкопленочных структур металл - оксид металла в качестве основы холодных катодов газоразрядных устройств.

2. Провести компьютерное моделирование процессов инжекции и эмиссии носителей заряда в тонкопленочных структурах AI-AI2O3 и Ве-ВеО;

3. Провести компьютерное моделирование процессов модификации поверхности и объема тонкопленочных структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО под действием ионно-электронной бомбардировки;

4. Провести экспериментальное исследование физических характеристик тонкопленочных структур А1-А120з и Ве-ВеО при их использовании в качестве холодных катодов He-Ne лазеров, работающих в режиме аномального тлеющего разряда.

Научная новизна работы состоит в том, что впервые проведены комплексные исследования механизмов формирования инжекционно-эмиссионных токов в тонкопленочных структурах AI-AI2O3 и Ве-ВеО, процессов модификации их поверхности и объема под действием ионно-элек-тронной бомбардировки. Предложены зонные диаграммы изученных структур для анион-дефектного диэлектрика и в условиях сильных электрических полей. Изучены инжекционные токи ТОГО, Пула-Френкеля, Фаулера-Нордгейма в зависимости от приложенного электрического поля, толщины диэлектрического слоя, глубины залегания и концентрации ловушек носителей заряда. Исследованы физические процессы, инициируемые ионно-электронной бомбардировкой: селективное распыление поверхности оксида металла, дефектообразование, ионное и электронное внедрения в объем диэлектрического слоя.

Практическая ценность работы заключается в том, что проведенные автором аналитические и экспериментальные исследования могут быть использованы для научно-обоснованного создания высокоэффективных холодных катодов на основе наноструктур, содержащих в качестве важнейшего функционального элемента диэлектрическую пленку. Предложены физические механизмы управления процессами инжекции и эмиссии электронов в исследованных структурах. Разработана методика электронно-флуктуационной диагностики дефектности тонких металлических пленок. Результаты экспериментального исследования макетов холодных катодов на основе структур А1-А120з и Ве-ВеО показали, что их долговечность выше, чем у известных аналогов. Основные научные положения, выносимые на защиту: 1. Наличие анионных дефектов в диэлектрике приводит к существенному понижению потенциальных барьеров на границе металл-диэлектрик в структурах А1-А120з и Ве-ВеО и усилению процессов инжекции электронов через нее.

2. Наличие глубоких центров - ловушек носителей заряда в диэлектрическом слое структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО приводит к возникновению пространственного заряда и формированию инжекционных токов, ограниченных им (ТОПЗ).

3. В результате малой толщины диэлектрического слоя (не более 50 нм) инжекция электронов в структурах А1-А120з и Ве-ВеО обеспечивается актива-ционным механизмом Пула-Френкеля и туннельным механизмом Фаулера-Нордгейма. Изменение толщины диэлектрического слоя и его дефектности (типа и концентрации ловушек) позволяет варьировать их вклады в результирующие инжекционно-эмиссионные токи.

4. В условиях ионно-электронной бомбардировки поверхности структур А1-А1203 и Ве-ВеО глубина внедрения ионов Не сравнима с толщиной слоя, что приводит к легированию диэлектрического слоя структуры и изменению его электрофизических характеристик.

5. Макеты цилиндрических холодных катодов, созданных на основе исследованных тонкопленочных структур AI-AI2O3 и Ве-ВеО, обладают долговечностью выше 3-104 ч, что превышает соответствующую характеристику известных аналогов.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы докладывались на 16 научных конференциях, в том числе на всероссийских конференциях «Математика в современном мире» (Калуга, 2001, 2004), Международной конференции по материаловедению и физике конденсированного состояния (Кишинев, Молдова, 2001), всероссийских конференциях «Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении» (Москва, Калуга, 2001, 2004, 2005, 2006), международных конференциях по физике электронных материалов (Калуга, 2002, 2005), Международной конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003), Международной конференции «Математическое моделирование в образовании, науке и бизнесе» (Тирасполь, Молдова, 2003), XVI Международном совещании «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, Украина, 2006), Межвузовской научной школе молодых специалистов «Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем» (Москва, 2006), и др. Результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах в Калужском государственном педагогическом университете имени К.Э.Циолковского. По материалам диссертации опубликовано 23 работы.

Личный вклад автора. Автору принадлежит конкретизация решаемых задач, определение методов и подходов к их решению, обработка и обобщение полученных результатов.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Коржавый А.П., Никифоров Д.К. Математическое моделирование 1 If шума в твердом теле со структурными дефектами // Математика и механика в современном мире: Материалы Всеросс. конф - Калуга, 2001. - С.190-201.

2. Бондаренко Г.Г., Дерюгина Е.О., Коржавый А.П., Никифоров Д.К., Яранцев Н.В. Некоторые проблемы создания многослойных структур, эксплуатируемых в условиях воздействия ионной бомбардировки // Межфазная релаксация в полиматериалах: Материалы Межд. научно-техн. конф. - Москва, 2001.-С.244-246.

3. Дерюгина Е.О., Коржавый А.П., Никифоров Д.К. Экологически чистые технологии создания холодных источников электронов // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Труды Все-росс. научно-техн. конф. - Москва, 2001. - С.283-286.

4. Mosina E.V., Nikiforov D.K., Chistyakov G.A. Features of Multilayered Structure Properties Observed in Glow Discharge // Physics of Electronic Materials: Intern. Conf. Proceeds. - Kaluga, Russia, 2002. - P.372-373.

5. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Физические основы электро-флуктуационной диагностики дефектности металлических пленок //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения: Материалы межд. научно-практ. конф. - Москва, 2003. - С. 321-322.

6. Дерюгина Е.О., Никифоров Д.К., Чистяков Г.А. Некоторые электрофизические параметры холодных сэндвич-катодов отпаянных лазеров //Фундаментальные проблемы радиолектронного приборостроения: Материалы межд. научно-практ. конф.-Москва, 2003.-С.212-215.

7. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Моделирование низкочастотных электронных шумов в металлах как стохастических процессов // Математика в современном мире: Материалы 2-й Росс, научно-практ. конф.- Калуга, 2004. -С.212-217.

8. Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Экологически безопасные тонкопленочные материалы для холодных катодов// Прогрессивные техно-логии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всеросс. научно-техн. конф. - Калуга, 2004. - С. 216-217.

9. Nikiforov D.K., Korzhavyi А.Р. Features of Physical Properties of Al-based Hardening Surfaces in Glow Discharge of Inert Gases // Physics of Electronic Materials: 2nd Intern. Conf. Proceeds. - Kaluga, Russia, 2005. - P.216-219.

Ю.Дерюгина E.O, Никифоров Д.К., Чистяков Г.А. Физико-химические свойства материала холодного катода в обеспечении ресурса He-Ne лазерах // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: Материалы Всеросс. научно-техн. конф.-Москва, 2005. - С.88-91.

П.Никифоров Д.К., Коржавый А.П., Марин В.П., Чистяков Г.А. Новые технологии для повышения надежности элементов лазерных систем экологического мониторинга // Наукоемкие технологии. 2006. Т. 7, № 4-5. - С. 64-66.

12.Бондаренко Г.Г., Никифоров Д.К., Стрельченко С.С., Чистяков Г.А. Особенности разрушения тонкопленочных покрытий холодных катодов в газовом разряде // Радиационная физика твердого тела: Труды XVI Межд. совещ., Севастополь, Украина. - Москва: НИИПМТ, 2006. - С.327-330.

П.Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Моделирование процессов инжекции и эмиссии электронов в эмитирующих наноструктурах Ве-ВеО // Электронный журнал «Исследовано в России», 092,2006 г, С.875-881. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2006/092.pdf

Н.Никифоров Д.К., Коржавый А.П. Физические процессы в эмитирующих наноструктурах металл - оксид металла // Вестник Калужского университета. 2006. №2. С.9-16.

Краткое содержание работы.

В главе 1 проведен литературный анализ использования тонкопленочных структур как основы холодных катодов газовых лазеров, для возбуждения которых применяется тлеющий газовый разряд. Показано, что долговременная стабильность параметров He-Ne лазеров обеспечивается использованием цилиндрических металлических катодов, на поверхности которых сформировано оксидное покрытие толщиной 10.30 нм. Анализ литературных данных показал, что оксиды алюминия и бериллия являются оптимальными материалами для этих целей за счет сочетания высоких температуры плавления, теплопроводности и диэлектрических параметров. Рассмотрены имеющие данные о процессах прохождения электрического тока через пленки AI2O3 и ВеО, отмечено, что в исследуемых оксидах металлов имеются собственные дефекты - глубоко-лежащие кислородные вакансии.

В главе 2 проведено компьютерное моделирование процессов монополярной инжекции и эмиссии носителей заряда в структурах металл-оксид металла на основе системы компьютерной математики Maple 9. Построены энергетические диаграммы структур металл-оксид металла (А1-А120з и Ве-ВеО) для бездефектного и анион-дефектного диэлектрика в равновесном состоянии и в сильных электрических полях. Проведено компьютерное моделирование инжекционных ТОПЗ, токов Пула-Френкеля и Фаулера-Нордгейма в системе металл-диэлектрик-вакуум. Задача решалась для реального диэлектрика, содержащего свободные электроны и моноэнергетические ловушки. Определены диапазоны функционирования механизмов и возможности управления ими.

В главе 3 проведено компьютерное моделирование физических процессов в структурах металл-оксид металла, инициируемых ионно-электронной бомбардировкой, на основе системы компьютерной математики Maple 9. Проведено компьютерное моделирование коэффициентов распыления поверхности диэлектрических слоев исследуемых структур в рамках модели Зигмунда, ионной имплантации в объем диэлектрика структуры металл-оксид металла (глубины проникновения и профиля распределения), дефектообразования. Оценены возможности модификации поверхности и объема структур под действием ионно-электронной бомбардировки.

В главе 4 рассмотрено вопросы получения и исследования физико-технических параметров тонкопленочных холодных катодов на основе структур А1-А120з и Ве-ВеО. Проведены эксперименты на секционных макетах разрядных трубок из стекла и моноблочных макетах газоразрядного лазерного датчика из плавленого кварца. Исследовано распределение разрядного тока по длине макета при различных формах дна катода, распределение катодного потенциала, напряжение зажигания. Показано, что результатом долговременной работы в условиях ионно-электронной бомбардировки является повышение однородности поверхности диэлектрика, а долговечность тонкопленочных холодных катодов на основе исследованных структур выше, чем у известных аналогов.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Никифоров, Дмитрий Константинович

7. Результаты исследования макетов холодных катодов на основе структур А1-А1203 и Ве-ВеО показали, что при давлении газовой He-Ne смеси 250.400 Па и плотности тока 10 А/м2 их долговечность составляет свыше 3-Ю4 ч, что выше, чем у известных аналогов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящей работе проведены комплексные физические исследования эмитирующих тонкопленочных структур А1-АЬ20з и Ве-ВеО, функционирующих в условиях ионно-электронной бомбардировки.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Никифоров, Дмитрий Константинович, 2006 год

1. Ненакаливаемые катоды. / Под ред. М.И. Елинсона. М., 1974.

2. Коржавый А.П., Марин В.П., Сигов А.С. Некоторые аспекты создания технологий и конструкций изделий квантовой электроники // Наукоемкие технологии. 2002. Том 3, № 4. С. 20-31.

3. Семенова В.Б., Коржавый А.П. Методы разработки и конструктивные особенности электродных систем современных газовых лазеров // Обзоры по электронной технике. Сер. Лазерная техника и оптоэлектроника. 1982. Вып. 3(900). 72 с.

4. Киселев А.Б. Металлооксидные катоды электронных приборов. М.: Изд-во МФТИ, 2002. - 240 с.

5. Добрынин А., Казаков Н.П., Найда Г.А., Поддененский Е.Н., Райдин Е.Р., Соколов Е.В. Нитрид алюминия в электронной технике //Зарубежная электроника. 1989. № 4. С. 44-84.

6. Шулаков А.С., Брайко А.П., Букин С.В., Дрозд В.Е. Свойства межфазовой границы Al203/Si //Физика твердого тела. 2004. Том 46, вып. 10. С. 18681872.

7. Ежовский Ю.К., Клусевич А.И. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия // Физика твердого тела. 2003. Том 45, вып. 11. С. 2099-2103.

8. Прудан A.M., Гольман Е.К., Козырев А.Б., Кютт Р.Н., Логинов В.Е. Свойства титаната стронция в многослойной структуре 8гТЮз/Се02/А120з // Физика твердого тела. 1997. Том 39, вып. 6. С. 1024-1029.

9. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Характеристики металлических одноэлектрон-ных транзисторов на различных материалах // Физика и техника полупроводников. 2000. Том 34, вып. 8. С. 1014-1019.

10. Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Характеристики многоостров-ковых одноэлектронных цепочек в зависимости от различных факторов // Физика и техника полупроводников. 2003. Том 37, вып. 10. С. 1231-1234.

11. Makarenko S., Sekirin I. Control of reflectance spectrum of BeO ceramics surface // Intern. Symp. Molecular Spectroscopy Abstr. Columbus, Ohio, USA. 1997.-P. RG103.

12. Кийко B.C., Макурин Ю.Н., Балакирев В.Ф. Состав и свойства промышленной керамики из оксида бериллия // Химическая технология. 2004. № 1. С. 7-9.

13. Сорокин П.Б., Федоров А.С., Чернозатонский JI.A. Структура и свойства нанотрубок ВеО // Физика твердого тела. 2006. Том 48, вып. 2. С. 373-376.

14. Технология тонких пленок (справочник). / Ред. Л.Майселл, Р.Глэнг М.: Сов. Радио, 1977. -Т.1. 664 е.; Том 2. 768 с.

15. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. М.: Мир, 1984. -326 с.

16. Туннельные явления в твердых телах / Ред. Э.Бурштейн, С.Лундквист. -М.: Мир, 1973. 367 с.

17. Беннет В. Газовые лазеры. М., 1964. - 119 с.

18. Хивенс О.С. Оптические квантовые генераторы //Успехи физич. наук. 1963. Том. 81, вып. 3. С. 148-173.

19. Кочмарек Ф. Введение в физику лазеров. М.: Мир, 1981. - 248 с.

20. Грановский В.Л. Электрический ток в газе. Установившийся ток. М., 1971.

21. Браун С. Элементарные процессы в плазме газового разряда. М., 1961.

22. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. М.: Наука, 1987. - 592 с.

23. Лисовский В.А., Яковин С.Д. Характеристики катодного слоя тлеющего разряда низкого давления в аргоне и азоте //Письма в ЖТФ. 2000. Том 26, вып. 19. С. 88-94.

24. Азаров А.В., Очкин В.Н. О роли коэффициента эмиссии в нормальном тлеющем разряде //Препринт ФИАН № 36. М., 2003. - 30 с.

25. Добрецов А.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966.-564 с.

26. Привалов В.Е., Фридрихов С.А. Кольцевой газовый лазер // Успехи фи-зич. наук. 1969. Том. 97, вып. 3. С.377.

27. Померанцев Н.М., Скроцкий Г.В. Физические основы квантовой гиро-скопии // Успехи физич. наук. 1970. Том. 100, вып. 3. С.361.

28. Fein Е., Salisbury W. Integrated construction of low-cost gas lasers // Applied Optics. 1977. V.16, №8. P. 2308-2314.

29. Коржавый А.П., Кристя В.И. Физические процессы в прикатодной области тлеющего разряда и прогнозирование долговечности катодных материалов для отпаянных приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. 1988. Вып.7(1403).-40 с.

30. Савельев A.M., Соловьева Т.И. Состояние лазерной гироскопии за рубежом//Зарубежная радиоэлектроника. 1981. №8. С. 77-92.

31. Бычков Н.А. Научно-методическое обеспечение управления качеством холодных катодов на этапе разработки и организации производства // Наукоемкие технологии. 2004. №1. С. 29-34.

32. Korzhavyi А.Р. Advanced metallic materials for vacuum devices // Journal of Advanced Materials. 1994. Vol.l(l). P. 13-15.

33. Chance D.A., Brusio V., Crawford V.S., Macinnes R.D. Cathodes for He-Ne lasers // IBM J. Res. Develop. 1979. Vol.23, №2. P.l 19-127.

34. Ford C.M. Европейский патент 0212463. Gas discharge device // 1986.

35. Ramsey K.J. Патент США 4 595.377. Cold cathode fabrication for ring laser gyroscope// 1986.

36. Коржавый А.П. Материалы с высокой устойчивостью к распылению на основе легких металлов для холодных источников электронов // Наукоемкие технологии. 2001. Т.2, №4. С.29-32.

37. Актон Д.Р., Свифт Д.Д. Газоразрядные лампы с холодным катодом. М.: Энергия, 1965.-480 с.

38. Москалев Б.И. Разряд с полым катодом. М.: Энергия, 1972. - 526 с.

39. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Брыкайло И.Н. Коаксиальный полый катод для гелий-неоновых лазеров // Вестник Киевского университета. Физика. 1983. Вып. 24. С. 85-89.

40. Боярчиков О.А., Соболев В.Д., Шипалов А.С. Выбор оптимальной длины полого цилиндрического разряда // Электронная техника. Сер. Газоразрядные приборы. 1971. Вып. 3(23). С. 18-21.

41. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В., Макосевская JI.H. Исследование тлеющего разряда с секционированными полыми катодами // Украинский физич. журнал. 1972. Т.17, №12. С. 2063-2065.

42. Ткаченко В.М., Тютюнник В.Б. исследование параметров плазмы в разряде с цилиндрическим полым катодом в гелии // Журнал технической физики. 1976. Т.46. С. 1449-1458.

43. Велик В.А., Коржавый А.П., Лазарева Л.В. Особенности конструкций холодных катодов миниатюрных газовых лазеров // Электронная техника. Сер. Материалы. 1977. Вып.4. С. 29-35.

44. Кучеренко Е.Т. Получение окисных пленок алюминия переменной толщины в плазме газового разряда // Вакуумные технологии и оборудование. Харьков, 2001. С. 279-282.

45. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В. Исследование холодных катодов на основе диэлектрических пленок // Вестник Киевского университета. Физика. 1986. Вып.27. С. 73.

46. Кучеренко Е.Т., Зыкова Е.В., Тищенко В.Г. Холодный алюминиевый катод для гелий-неонового лазера // Вюник Кшвского ушверситету. 1971. №12. С. 122.

47. Ананьин B.C., Беляев В.А., Покосовский Л.Н. Поведение окисных пленок алюминия в тлеющем разряде // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1972. Вып.2. С. 54-62.

48. Суховский В.Н., Коржавый А.П., Кочурихин В.Е. Нитриды переходных металлов-перспективные матералы для долговечных пленочных катодов // Электронная техника. Сер. Материалы. 1989. Вып.6. С. 70-71.

49. Прасицкий В.В. Современные катоды для отпаянных приборов // Электронная промышленность. 1996. №3. С. 91-92.

50. Бондаренко Г.Г., Лищук Н.В. Химические и электрохимические способы повышения долговечности холодных катодов // Физика и химия обработки материалов. 1998. №3. С. 96-98.

51. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Айвазов В.Я. Исследование тлеющего разряда с холодным катодом, покрытым диэлектрическими пленками // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №7. С. 1461-1466.

52. Мирзоева С.Д., Звонецкий В.И., Шишков А.В. Влияние активных добавок на эмиссионные свойства композиционных пленочных эмиттеров // Электронная техника. Сер. Материалы. 1980. Вып. 3. С. 67-69.

53. Крютченко О.Н., Маннанов А.В., Носов А.А. Механизмы проводимости оксидного покрытия холодных катодов газоразрядных приборов // Поверхность. Физика. Химия. Механика. 1994. №6. С. 93-99.

54. Крютченко О.Н., Маннанов А.В., Носов А.А. Механизм деградации поверхности холодного катода в гелий-неоновых лазерах // Радиотехника и электроника. 1996. T.l 1, №8. С. 990-994.

55. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. Ионно-плазменное напыление алюминиевых и бериллиевых покрытий на внутренние поверхности полых цилиндрических катодов // Металлы. 1995. №5. С. 167-171.

56. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Кристя В.И., Сигов Д.Н. Влияние рельефа поверхности на ионное распыление материалов катодов газоразрядных лазеров // Металлы. 1993. № 3. С. 97-100.

57. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Кристя В.И., и др. Теоретическое рассмотрение физического распыления материала катода гелий-неонового лазера // Металлы. 1996. № 5. С. 54-60.

58. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Влияние зарядки поверхности на коэффициент вторичной электронной эмиссии композиционных катодов//Радиотехника и электроника. 1995. Вып. 11. С. 1692-1695.

59. Дерюгина Е.О., Пролейко Э.П. Метод создания катодов для датчиков лазерных гироскопов // Наукоемкие технологии. 2002. № 5. С. 6-18.

60. Szapizo В., Rocca J.J., Prabhuzam Т. Electron yield of glow discharge cathode materials under helium ion bombardment // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 53, #5. P. 358-360.

61. Helm H., Experimental measurements of the current balance at the cathode of a cylindrical hollow cathode glow disharge // Beitz. Plasma Phys. 1979. Vol.19, #4. P. 233-257.

62. Ивлев A.M., Коржавый А.П., Москвина А.И. Долговечность алюминиевых катодов при малых давлениях газа // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1979. Вып. 8. С. 67-72.

63. Аитов Д.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Эмиссионные свойства холодных катодов с оксидной пленкой на поверхности для отпаянных газоразрядных приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. 1991. Вып. 5(1612). 47 с.

64. Коржавый А.П., Файфер С.И. Новые методы получения полых цилиндрических катодов // Электронная промышленность. 1980. Вып. 3(87). С. 1517.

65. Бондаренко Г.Г., Бажин А.И., Коржавый А.П. Определение потенциала поверхности диэлектрического слоя на мишени, бомбардируемой ионным пучком // Журн. техн. физики. 1998. Т.68, № 9. с. 126-128.

66. Дефекты и физические свойства многокомпонентных электронных материалов // Никифоров К.Г., Коржавый А.П., Горбачев В.В. и др. / Ред. К.Г.Никифоров. Калуга: Изд-во КГПУ, 1999. - 215 с.

67. Бондаренко Г.Г., Жданов С.М., Коржавый А.П., Тихонов А.Н. Поведение металлических композиций на основе меди и алюминия в условиях длительной ионно-электронной бомбардировки // Перспективные материалы. 1999. №3. с. 29-39.

68. Барышев В.Г., Бычков Н.А., Коржавый А.П. Технические аспекты миниатюризации холодных источников электронов // Прогрессивные технологии, конструкции и системы в приборо- и машиностроении: сб. трудов Всеросс. научно-технич. конф. М., 2000. С. 123-124.

69. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П. Влияние ионной бомбардировки на работоспособность металлических материалов катодов газовых лазеров // Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах: матер. 2-ой Межд. конф. Томск, 2000. С. 23-25.

70. Коржавый А.П. Материалы с высокой устойчивостью к распылению на основе легких металлов для холодных источников электронов // Наукоемкие технологии. 2001. №4. С. 29-32.

71. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Степанов В.А., Чиркин М.В. Оптимизация конструкции катодного узла малогабаритных гелий-неоновых лазеров // Лазерная техника и оптоэлектроника. 1993. Вып. 1-2(68-69). С. 8083.

72. Петров Н.Н., Аброян И.А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: Изд-во ЛГУ, 1977. - 159 с.

73. Шульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. М.: Наука, 1977. - 552 с.

74. Войцеховский А.В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников. Томск: Радио и связь, 1990. - 327 с.

75. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А. Особенности взаимодействия плазмы газового разряда с поверхностью холодного катода // Радиотехника и электроника. 1992. Т. 7, № 1. С. 1716-1718.

76. Лазарев В.Б., Красов В.Г., Шаплыгин И.С. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. М.: Наука, 1979. - 168 с.

77. Ананьин B.C. Исследование физических свойств холодных катодов и разработка технологии изготовления, обеспечивающей долговечность гелий-неоновых лазеров. Дисс. на соискание учен. ст. канд.техн.н. Рязань, 1978.212 с.

78. Коржавый А.П., Файфер С.И., Бажин А.И. Исследование некоторых свойств холодных катодов // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1974. Вып.7. С. 3-9.

79. Васильковская Е.А. Пленочные катоды типа «Сэндвич» //Обзоры по электронной технике. Сер.8. Электроника СВЧ. 1970. Вып. 7(277). 46 с.

80. Крютченко О.Н., Степанов В.А., Чижиков А.Е. Некоторые особенности изготовления холодных катодов из MgO // Электронная техника. Сер. Материалы. 1982. Вып. 12. С. 7-11.

81. Аитов Р.Д., Коржавый А.П., Кристя В.И. Эмиссионные свойства холодных катодов с оксидной пленкой на поверхности для отпаянных газоразрядных приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материалы. 1991. Вып. 5(1612).-47 с.

82. Крютченко О.Н., Маннанов А.Ф., Носов А.А., Чиркин М.В. Исследование динамического потенциала поверхности холодного катода в тлеющем разряде // Электронные приборы: межвуз. сб. научн. трудов. Рязань: РРТИ, 1992. С. 23-26.

83. Коржавый А.П., Кристя В.И., Суховский В.Н. Расчет толщины пленки, получаемой на внутренней стороне цилиндра // Взаимодействие ионов с поверхностью: тез. докл. X Всес. конф. М., 1991. Т. 1. С. 185-186.

84. Авдошин В.П., Василенко Ю.А., Кочурихин В.Е. Исследование пористости пленок нитрида алюминия на металле // Журнал физич. химии. 1984. Т.58, №8. С. 1501-1505.

85. Hall L.N. Lifetimes of cold cathodes for helium-neon gas lasers // J. Appl. Phys. 1988. Vol.64, #5. P. 2631-2637.

86. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой // Ред. Р.Бериш М.: Мир, 1984,336 с.

87. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой // Ред. Р.Бериш М.: Мир, 1986,488 с.

88. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. - 344 с.

89. Шульга В.И. Угловые зависимости и механизмы распыления (машинное моделирование)//Поверхность. 1982. № 3. С. 38-41.

90. Райзер Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов. -М.: Наука, 1980.-416 с.

91. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. -М.: Наука, 1967.-506 с.

92. Коржавый А.П., Кристя В.И., Прасицкий В.В. Модель катодного распыления в смеси газов // Диагностика поверхности ионными пучками: тез. докл. V Всес. совещания-семинара. Донецк, 1988. С. 204.

93. Коржавый А.П., Пролейко Э.П., Файфер С.И. Холодные катоды для ГРП // Электронная промышленность. 1973. №4. С. 23.

94. Мартыненко Т.Н. Распыление пористых материалов // Журн. техн. физики. 1968. Т. 38, № 4. С. 759-760.

95. Морозов В.В., Тесаков B.C., Шлюко В.Я. Катодное распыление пористого гексаборида лантана // Журн. техн. физики. 1977. Т. 47, № 12. С. 25262529.

96. Дозован А.А. Распыление пористых тел с порами сферической формы ускоренными ионами // Диагностика поверхности ионными пучками: тез. докл. V Всес. совещания-семинара. Донецк, 1988. С. 118-119.

97. Диглинский А.Г., Измайлов A.M., Кучинский В.В., Сухомлинов B.C. Нарушение изотропности движения атомов металла в плазме // Журн. техн. физики. 1987. Т. 57, № 9. С. 1741-1745.

98. Коржавый А.П., Кристя В.И., Лищук Н.В., Прасицкий В.В. Распределение распыляемых атомов в объеме тлеющего разряда // Вторичная ионно-фотонная эмиссия: тез. докл. V Всес. семинара. Харьков, 1986. Ч. 2. С. 78-79.

99. Раджабов Т.Д., Искандерова З.А. Взаимодействие газовых ионов с постоянно возобновляемыми поверхностями // Физические явления при бомбардировке твердого тела атомными частицами: матер. Всес. конф. -Ташкент, 1974. Кн.2. С. 13-17.

100. Азаров А.А., Пожарский В.А., Шипалов А.С. К вопросу жестчения газа в приборах тлеющего разряда // Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1986. № 4. С. 42-44.

101. Коржавый А.П., Рожков A.M., Прозоров А.Н. Некоторые вопросы ионно-электронной эмиссии твердых тел и разработки холодных катодов квантовых приборов // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. 1986. Вып. 4(1194). С. 35.

102. Голяев Ю.Д., Дроздов М.С., Коржавый А.П. Расширение областей применения зеемановского лазерного гироскопа ЗЛК-16-1 // Технология ги-роскопии и навигации: матер. Межд. конф. Петербург, 2000. С. 13-24.

103. Валахов Е.П., Ковалев А.С., Рахимов А.Т. Физические явления в газоразрядной плазме. М.: Наука, 1987. - 160 с.

104. Зыкова Е.В., Кучеренко Е.Т., Айвазов В.Я. Исследование тлеющего разряда с холодными катодами, покрытыми диэлектрическими пленками // Радиотехника и электроника. 1979. Т.24, №7. С. 1464-1466.

105. Takeishi Y. Ejection of electrons from barium oxide by noble gas ions // J. Phys. Soc. Jap. 1987. Vol.17, #2. P. 326-341.

106. Бондаренко Г.Г., Бонк О.Г., Кристя В.И. Влияние переосажденных атомов на динамику распределения их потока вдоль поверхности полого катода в тлеющем разряде // Известия РАН. Сер. Физическая. 2000. Т. 64, №4. С. 752-755.

107. Бонк О.Г., Кристя В.И. Моделирование переосаждения распыленного вещества на мишень по ступенчатым поверхностным рельефам, распыляемую в плазме тлеющего разряда // Поверхность. 2001. № 5. С. 40-44.

108. Бондаренко Г.Г., Бонк О.Г., Кристя В.И., Прасицкий В.В. Расчет переосажденного вещества на сетчатый холодный катод в тлеющем разряде // Металлы. 2001. №3. С. 83-84.

109. Vandamme L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliability of electronic devices // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. Vol.41, #11. P. 21762187.

110. Ван дер Зил А. Шум. Источники. Описание. Измерение. М.: Сов. Радио, 1973.-176 с.

111. Бендат Дж., Пирсол А. Измерения и анализ случайных процессов. М.: Мир, 1974.-463 с.

112. Морозов А.И., Сигов А.С. Взаимодействие дефектов и 1 If шум в металлах // Физика твердого тела. 1992. Т. 34, № 2. С. 457-460.

113. Bertotti G., Celasco М., Fiorillo F., Mazetti P. Application of the current noise technique to the investigation on dislocations in metals during plastic deformation // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, # 11. P. 6948-6955.

114. Ralls K.S., Buhrman R.A. Microscopic study of 1 If noise in metal nanobridges // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44, # 11. P. 5800-5817.

115. Hooge F.N., Kedzia J., Vandamme L.K.J. Boundary scattering and 1 If noise // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, # 12. P. 8087-8089.

116. Verbruggen A.H., Koch R.H., Umbach C.P. Correlation between 1/f noise and grain boundaries in thin Au films // Phys. Rev. B. 1987. V.35, # 11. P. 58645867.

117. Koch R.H., Lloyd J.R., Cronin J. 1 If noise and grain-boundary diffusion in A1 and A1 alloys // Phys. Rev. Lett. 1985. Vol. 55, #22. P. 2487-2490.

118. Коган Ш.М. Низкочастотный токовый шум // Успехи физич. наук. 1985. Т. 145, №2. С. 285-328.

119. Weissman М.В. 1 If noise other slow, nonexponential kinetics in condensed matter//Rev. Mod. Phys. 1988. Vol. 60, #2. P. 537-571.

120. Brophy J.J. Low-frequency variance noise // J. Appl. Phys. 1970. Vol. 41, #7. P. 39-43.

121. Greenstein L.J., Brophy J. J. Influence of lower cutoff frequency on measured variance of l//noise // J. Appl. Phys. 1969. Vol.40, # 2. P. 211-214.

122. Hooge F.N., Hoppenbrouwers A.M.F. Contact noise // Physica. 1969. Vol. 45. P. 386-393.

123. Hooge F.N. l//noise modeling // Physica B. 1990. Vol. 162. P. 343-347.

124. Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M, Vandamme L.K.J. Experimental studies of \/f noise // Rep. Prog. Phys. 1981. Vol. 44. P. 481-484.

125. Eberhard J.W., Horn P.M. Excess (1 If) noise in metals // Phys. Rev. B. 1978. Vol. 18, #12. P. 6681-6693.

126. Black R.D., Snow W.M., Weissman M.B. Nonscalar 1 If conductivity fluctuations in carbon, gold and chrome films // Phys. Rev. B. 1982. Vol.25, #4. P. 2955-2958.

127. Voss R.F., Clarke J. Flicker {\IJ) noise: Equilibrium temperature and resistance fluctuations // Phys. Rev. B. 1976. Vol. 13. P. 556-576.

128. Black R.D., Weissman M.B., Fliegel F.M. I If noise in metal films lacks spatial correlation // Phys Rev. B. 1981. Vol. 24, # 12. P. 7454-7456.

129. Карпов Ю.С. Низкочастотные шумы плоскостных транзисторов // Изв. ЛЭТИ. 1963. Вып. 51. С. 32-44.

130. Pelz J., Clarke J. Dependence of 1 If noise on defects induced in copper films by electron irradiation // Phys. Rev. Let. 1985. Vol. 55, #7. P. 738-741.

131. Fleetwood D.M., Giordano N. Effect of strain on the 1 If noise of metal films // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 28, #6. P. 3625-3627.

132. Fleetwood D.M., Giordano N. Experimental study of excess low-frequency noise in tin // Phys. Rev. B. 1982. Vol. 25, #2. P. 1427-1430.

133. Van de Voorde P., Iddings C.K., Love W.F. Structure in the flicker-noise power spectrum of w-InSb // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 19. P. 4121-4124.

134. Vandamme L.KJ. IIf noise in homogeneous single crystals of III-V comipounds // Phys. Let. 1974. Vol. A49. P. 233234.

135. Vandamme L.K.J., Kedzia J. Concentration, mobility and 1/f noise of electrons and holes in thin bismuth films // Thin Sol. Films. 1980. Vol. 65, #3. P. 283292.

136. Calloyanides M.A. Microcycle spectral estimates of 1 If noise in semiconductors // J. Appl. Phys. 1974. Vol. 45, #1. P. 307-316.

137. Андреев В. H., Захарченя Б. П., Капшин Ю.С., Носкин В. А. и др. Высокочастные характеристики и электронный шум в V02 // ЖЭТФ. 1980. Т. 79. С. 1353-1358.

138. Fleetwood D.M., Giordano N. Resistivity dependence of 1 If noise in metal films // Phys. Rev. B. 1983. Vol. 27, #2. P. 667-671.

139. Scofield J.H., Darling D.H., Webb W.W. Exclusion of temperature fluctuations as the source of 1 If noise in metal films // Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24, # 12. P. 7450-7453.

140. Clarke J., Hsiang T. Low-frequency noise in tin and lead films at the superconducting transition // Phys. Rev. В. 1976. Vol. 13, # 11. P. 4790-4800.

141. Williams J.L., Stone I.L. Current noise in thin discontinuous films // J. Phys. C. 1972. Vol. 5,# 16. P. 2105-2116.

142. Dilmi Т., Chovet A., Viktorovich P. Influence of a magnetic field on \lf noise in ambipolar semiconductors: Evidence of its surface origin // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, #8. P. 5348-5351.

143. Voss R.F. 1/f noise and percolation in impurity bands in inversion layers // J. Phys. C. 1978. Vol. 11, # 23. P. L923-L926.

144. Eberhard J.W., Horn P.M. Temperature Dependence of 1 //Noise in Silver and CopperTemperature Dependence of 1 //Noise in Silver and Copper // Phys. Rev. B. 1977. Vol. 39. P. 643-646.

145. Dutta P., Horn P.M. Low-requency fluctuations in solids: 1 If noise // Rev. Mod. Phys. 1981. Vol. 53, #3. P. 497-515.

146. Fleetwood D.M., Beutler D.E., Masden J.T., Giordano N. Role of temperature in sample-to-sample comparisons of the 1 If noise of metal films // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61, #12. P.5308-5313.

147. Жигальский Г.П. Шум вида 1 If и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках. // Успехи физич. наук. 1997. Т. 167, № 6. С.623-646.

148. Beck H.G.E., Spruit W.P. Mf noise in the variance of Johnson noise // J. Appl. Phys. 1978. Vol. 49, # 6. P.3384-3385.

149. Hooge F.N. Discussion of recent experiments on 1// noise // Physica B. 1972. Vol. 60, # l.P. 130-144.

150. Scofield J.H., Mantese J.V., Webb W.W. Temperature dependence of noise processes in metals//Phys. Rev. B. 1986. Vol. 34, # 2. P. 723-731.

151. Stephany J.F. Origin of \lf noise in metallic conductors and semiconductors // Phys. Rev. 1992. Vol. 46, # 19. P. 12175-12180.

152. Бочков Г.Н., Кузовлев Ю.Е. Новое в исследованиях 1 If шума // Успехи физич. наук. 1983. Т. 141, № 1. С. 157-177.

153. Weissman М.В. 1 If noise other slow, nonexponential kinetics in condensed matter // Rev. Mod. Phys. 1988. Vol. 60, #2. P. 537-571.

154. Zimmerman N.M., Scofield J.H., Mantese J.V., Webb W.W. Volume versus surface origin of 1//noise in metals // Phys. Rev. 1986. Vol. 34, # 2. P. 773777.

155. Voss R.F., Clarke J. \lf noise from system in thermal equilibrium // Phys. Rev. Let. 1976. Vol. 36,#l.P. 42.

156. Orlov V.B., Yakimov A.V., Fluctuations in hot charge carriers mobility and 1/f noise in semiconductors // Physica B. 1989. Vol. 154, # 2. P. 175-180.

157. Fleetwood D.M., Giordano N. Direct link between Mf noise and defects in metal films//Phys. Rev. B. 1985. Vol. 31, # 2. P. 1157-1160.

158. Dilmi Т., Chovet A., Viktorovich P. Influence of a magnetic field on 1 If noise in ambipolar semiconductors: Evidence of its surface origin // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, #8. P. 5348-5351.

159. Zimmerman N.M., Webb W.W. Microscopic scatterer displacements generate the \/f resistance noise of H in Pd // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61, # 7. P. 889892.

160. Johnson W.C. Study of Electronic Transport and Breakdown in thin insulating films // Princeton Univ. Techn. Rep. 1978. # 7. 21 p.

161. Specht M., Stadele M., Jakschik S., Schroder U. Transport mechanisms in atomic-layer-deposited A1203 dielectrics //Applied Phys. Lett. 2004. Vol. 84, #3. P.3076-3078.

162. Шулаков A.C., Брайко А.П., Букин C.B., Дрозд В.Е. Рентгеноспектраль-ный анализ межфазовой границы тонкой пленки А120з, синтезированной на кремнии методом молекулярного наслаивания //Физика твердого тела. 2004. Том 46, вып. 6. С. 1111-1114.

163. Brewer J.C., Walters R.J., Bell L.D., Farmer D.B., Gordon R.G., Atwater H.A. Determination of Energy Barrier Profiles for High-k Dielectric Materials Utilizing Bias-dependent Internal Photoemission //Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. P. 4133-4135.

164. Hickmott T.W. Polarization and Fowler-Nordheim Tunneling in Anodized Al-A1203-Au Diodes / J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87, # 11. P. 7903-7912.

165. Hickmott T.W. Voltage-dependent dielectric breakdown and voltage-controlled negative resistance in anodized AI-AI2O3-A11 /J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88, #5. P. 2805-2812.

166. Lee M.B., Hahm S.H., Lee J.H., Song Y.H, Emission behavior of nm-thick AI2O3 film-based planar cold cathodes for electronic cooling //Applied Phys. Lett. 2005. Vol. 86, # 12. P. 3511-3513.

167. Mazur U., Wang X.D., Hipps K.W. Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy of Infused A1-A1203-M-Au Junctions. // Anal. Chem. 1992. Vol. 64. P. 18451850.

168. Kim J.S., Hoshi Т., Sawada K., Ishida M. Planar MIS Type Field Emitter Fabricated on Epitaxial Al/Al203/Si(l 11) Structure // Vacuum Microelectronics: 16th Intern. Conf. Proceeds. Osaka, Japan. 2003. P. 2-38.

169. Mahdjoub A., Bouredoucen H., Djelloul. PL characterization of Al/A1203/InP MIS Structures Passivated by Anodic Oxidation //Semicond. Phys. Quant. Optics & Optoel. 2004. Vol. 7, # 4. P. 436-440.

170. Simmons J.G., Unterkofler G.H., Allen W.W. Temperature characteristics of BeO tunneling structures // Appl. Phys. Lett. 1963. Vol. 2, # 4. P. 78-80.

171. Григорьев И.С., Мелихов Е.З. Физические величины: Справочник. М.: ЭАИ, 1991.- 1232 с.

172. Лазарев В.Б., Соболев В.В., Шаплыгин И.С. Химические и физические свойства простых окислов металлов. М.: Наука, 1983. - 239 с.

173. Физико-химические свойства окислов / Ред. Г.В. Самсонов. М.: Металлургия, 1978.-472 с.

174. Беляев Р.А. Окись бериллия. М.: Атомиздат, 1980. - 224 с.

175. Химическая энциклопедия, том 1. / Ред. И.Л. Кнунянц. М., Сов. Энц.: 1988.-623 с.

176. Самсонов А.В., Кореньков А.Ю., Габис И.Е., Курдюмов А.А. Лимитирующая роль десорбции в транспорте водорода через напыленную пленку бериллия // Журнал технич. физики. 1998. Том 68, № 1. С. 128-130.

177. Торопов Н.А., Барзаковский В.П., Бондарь И.А., Удалов Ю.П. Диаграммы состояния силикатных систем. Л.: Наука, 1970.

178. Кислов А.Н., Мазуренко В.Г., Корзов К.Н., Кортов B.C. Динамика решетки кристаллов корунда с вакансиями в различных зарядовых состояниях // Физика твердого тела. 2003. Том 45, вып. 9. С. 1696-1699.

179. Зацепин Д.А., Черкашенко В.М., Кумаев Э.З., Шамин С.Н., Федоренко

180. B.В., Скориков Н.А., Пластинин С.В., Гаврилов Н.В., Медведев А.И., Чо-лах С.О. Рентгеноэмиссионное исследование электронной структуры на-нокристаллического А120з // Физика твердого тела. 2004. Том 46, вып. 11.1. C. 2064-2068.

181. Breval Е., Aghajanian М.К., Biel J.P., Antolin S. Structure of A1N/A1 and AI2O3/AI composites obtained by direct A1 oxidation //J. Amer. Cer. Soc. 1993. Vol. 76, #7. P. 1865-1868.

182. Погребняк А.Д., Тюрин Ю.Н. Структура и свойства покрытия из А120з и А1 осажденных микродуговым оксидированием на подложку из графита // Журнал технической физики. 2004. Том 74, вып. 8. С. 109-112.

183. Погребняк А.Д., Тюрин Ю.Н., Иванов Ю.Ф., Кобзев А.П., Кульментьева О.П., Ильяшенко М.И. Получение и исследование структуры и свойств плазменно-детонационных покрытий из А120з // Письма в ЖТФ. 2000. Том 26, вып. 21. С. 53-60.

184. Горбунов С.В., Зацепин А.Ф., Пустоваров В.А., Чолах С.О., Яковлев В.Ю. Электронные возбуждения и дефекты в наноструктурном А120з // Физика твердого тела. 2005. Том 47, вып. 4. С. 708-712.

185. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров С.В. Особенности кинетики тер-мостимулированной люминесценценции кристаллов а-А120з с дефектами // Физика твердого тела. 1997. Том 39, вып. 9. С. 1538-1544.

186. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров С.В., Пеленев В.Е. Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия // Физика твердого тела. 2003. Том 45, вып. 7. С. 1202-1208.

187. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров С.В., Моисейкин Е.В., Овчинников М.М. Фототрансферная термолюминесценценция в анион-дефектных кристаллах а-А1203 // Физика твердого тела. 2004. Том 46, вып. 12. С. 2143-2147.

188. Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С., Кортов B.C. Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3.0 eV в монокристаллах а-А120з // Письма в ЖТФ. 2006. Том 32, вып. 2. С. 21-27.

189. Пустоваров В.А., Иванов В.Ю., Кирм М., Кружалов А.В., Коротаев А.В., Циммерер Г. Релаксация электронных возбуждений в оксиде бериллия: время-разрешенная ВУФ-спектроскопия // Физика твердого тела. 2001. Том 43, вып. 7. С. 1189-1195.

190. Горбунов С.В., Яковлев В.Ю. Возбуждение люминесценции автолокали-зованных экситонов при рекомбинации френкелевских дефектов в ВеО // Физика твердого тела. 2005. Том 47, вып. 4. С. 603-607.

191. Горбунов С.В., Баутин К.В., Яковлев В.Ю., Кружалов А.В. Метастабиль-ное оптическое поглощение релаксированных электронных возбуждений в кристаллах BeO-Zn // Физика твердого тела. 1999. Том 41, вып. 4. С. 601-605.

192. Баутин К.В., Горбунов С.В., Яковлев В.Ю., Кружалов А.В. Метастабиль-ное оптическое поглощение возбужденных ^-центров в кристаллах ВеО // Физика твердого тела. 2000. Том 42, вып. 4. С. 652-654.

193. Белых Т.А., Огородников И.Н., Поротников А.В., Нешов Ф.Г. Кружалов А.В. Изменение свойств монокристаллов ВеО и LiB3Os при облученииионами гелия //Физика и химия обработки материалов. 1997. № 6. С. 2732.

194. Czerski К., Schiwietz G., Roth М., Staufenbiel F., Grande P., Bhattacharyya S.R. Non-equilibrium emission of secondary ions from BeO films sputtered by swift gold ions // Nuclear Instr. Meth. in Phys. Res. B. Vol. 225, # 1-2. P. 7277.

195. Адирович Э.В. Эмиссионные токи в твердых телах и диэлектрическая электроника // Микроэлектроника. Вып. 3. / Ред. Ф.В. Лукин. М., 1969. -С. 393-412.

196. Кравченко А.Ф. Физические основы функциональной электроники. Новосибирск: Изд-во НГУ, 2000. - 444 с.

197. Гуртов В.А. Электронные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Петрозаводск: Изд-во ПГУ, 1984. - 68 с.

198. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.-435 с.

199. Соболев В.В., Смирнов С.В., Соболев В.Вал. Вероятность оптических переходов в кристалле А120з в области 9-30 eV // Физика твердого тела. 2001. Том 43, вып. 11. С. 1980-1983.

200. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров С.В., Моисейкин Е.В. Механизм формирования нелинейности дозового выхода термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов а-А120з // Физика твердого тела. 2006. Том 48, вып. 3. С. 421-426.

201. Simmons J.G. Tunneling in metal-insulator-metal structure // J. Phys. Chem. Sol. 1971. Vol. 32. P. 2581-3.

202. Тагиев Б.Г., Касумов У.Ф., Мусаева H.H., Джаббаров Р.Б. Анализ механизмов переноса заряда в монокристаллах Ca4Ga2S7: Eu3+, определяющих форму вольт-амперных характеристик // Физика твердого тела. 2003. Том. 45, вып. 3. С. 403-408.

203. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники. М.: Сов. Радио, 1971.-376 с.

204. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: ГИФМЛ, 1958.-272 с.

205. Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. М.: Наука, 1971.-215 с.

206. Модинос А. Авто-, термо- и вторично-электронная спектроскопия. М.: Наука, 1990.-320 с.

207. Simmons J.G. Low-Voltage Current-Voltage Relationship of Tunnel Junctions //J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34, # 1. P. 238-239.

208. Simmons J.G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar Electrodes Separated by a Thin Insulating Film //J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34, #6. P. 1793-1803.

209. Франц В. Пробой диэлектриков. М.: ИЛ, 1961. - 207 с.

210. Гуртов В.А., Райерус П.А., Малиненко В.П. Физика окисных пленок. -Петрозаводск: Изд-во ПГУ, 1988. 88 с.

211. Afanas'ev V.V., Stesmans A. Electron Energy Barriers between (100) Si and Ultrathin Stacks of Si02, A1203 and Zr02 Insulators //Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78, # 20. P. 3073-3075.

212. Новиков Ю.Н. Эффект Пула-Френкеля с учетом многофононной ионизации глубоких центров в аморфном нитриде кремния // Физика твердого тела. 2005. Том 47, вып. 12. С. 2142-2145.

213. Зенгуил Э. Физика поверхности. М.: Мир, 1990. - 536 с.

214. Велик В.А., Коржавый А.П., Лазарева Л.В. Особенности конструкций холодных катодов миниатюрных газовых лазеров // Электронная техника. Сер. Материалы. 1977. Вып.4. С.29-35.

215. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. - 407 с.

216. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1995. -495 с.

217. Термодинамические свойства неорганических веществ / Ред. А.П. Зефиров. М.: Атомиздат, 1965. - 460 с.

218. Bunnik B.S., Carin de Hoog, Haddeman E.F.C., Thijsse B.J. Molecular dynamics study of Cu deposition on Mo and the effects of low-energy ion irradiation // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. B. 2002. Vol. 187. P. 57-65.

219. Бохан А.П., Бохан П.А., Закревский Дм.Э. Эмиссия электронов в условиях легирования поверхности катода быстрыми частицами рабочего газа // Журнал технич. физики. 2005. Том 75, вып.9. С. 126-128.

220. Патент № 2175804 РФ. Газовый лазер на тлеющем разряде / Коржавый А.П., Фомичев А.А., Чистяков Г.А.

221. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Чистяков Г.А. Поведение композиционных холодных катодов на основе алюминия в тлеющем разряде // Металлы. 2005. № 3. С. 90-94.

222. Бондаренко Г.Г., Коржавый А.П., Лалаян Ю.Г. Экологически нормированная технология получения источников электронов из бериллия // Радиационная физика твердого тела: Труды XI межд. совещ. Севастополь, Украина, 2001. -М.: НИИ ПМТ, 2001. С. 317-321.

223. Koehler J.S. Vacancies and Interstitials in Metals. Amsterdam: North-Holland, 1970.-182 p.

224. Martin J.B. Electrical Resistivity Due to Structural Defects // Philos. Mag. 1971. Vol. 24. P. 555-566.

225. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. Москва: Мир, 1966. -291с.

226. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. М.: Высш. школа, 1986. - 367 с.