Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца, изученный методом мессбауэровской спектроскопии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Шалденкова, Анна Владимировна

• Шалденкова, Анна Владимировна
• кандидат наук
• 2017

Оглавление диссертации кандидат наук Шалденкова, Анна Владимировна

ВВЕДЕНИЕ 4

1. МЕССБАУЭРОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ИССЛЕДОВАНИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО ОБМЕНА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ (обзор литературы) 13

1.1. Мессбауэровская спектроскопия 13

1.2. Мессбауэровские исследования процессов электронного обмена 21

1.3. Халькогениды свинца 26

1.4. Стеклообразные селениды мышьяка и германия 29

1.5. Модели [/-минус центра олова в халькогенидах свинца и халь-когенидных стеклах 32

1.6. Заключение. Постановка задачи исследования 36

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА 39

2.1. Мессбауэровские исследования 39

2.2. Синтез образцов 43

2.3. Рентгенофлуоресцентный анализ 45

3. ЭЛЕКТРОННЫЙ ОБМЕН МЕЖДУ [Т-МИНУС ЦЕНТРАМИ ОЛОВА В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ РЬ^Зп^КаЛ)^ И РЪ^пСКаДВДе 55

3.1. Введение 55

3.2. Твердые растворы РЬ^-^п^Ка,^)^. ЭМС на изотопах 56

3.2.1. Нейтральные и ионизованные центры олова 56

3.2.2. Релятивистский доплеровский сдвиг 58

3.2.3. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами олова 59

3.3. Твердые растворы РЬ1-лЗпхЗ. ЭМС на изотопах 119$Ь(119и$п) 65

3.4. Твердые растворы РЬ1-х_уЗпх(Ка,Т1)>,Зе. ЭМС на изотопах 68

3.4.1. Нейтральные и ионизованные центры олова 68

3.4.2. Релятивистский доплеровский сдвиг 70

3.4.3. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами олова 70

3.5. Твердые растворы РЬь^пЗе. ЭМС на изотопах 119ЗЬ(119гаЗп) 75

4. ЭЛЕКТРОННЫЙ ОБМЕН МЕЖДУ и-МИНУС ЦЕНТРАМИ ОЛОВА В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ Р^^п^КаЛ)^^!-,. 78

4.1. Нейтральные и ионизованные центры олова 78

4.2. Релятивистский доплеровский сдвиг 82

4.3. Зависимость положения энергетических уровней олова от со-

става твердых растворов PbSzSe1_z 84

4.4. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными

центрами олова 90

4.5. Обсуждение экспериментальных результатов 91

5. [/-МИНУС ЦЕНТРЫ ОЛОВА В СТЕКЛООБРАЗНЫХ СПЛАВАХ GeSe2, As2Se3 И ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ НА ИХ ОСНО-

ВЕ 100

5.1. Введение 100

5.2. Экспериментальные результаты и их обсуждение 102

5.2.1. Стеклообразный диселенид германия GeSe2 102

5.2.2. Стеклообразный триселенид мышьяка As2Se3 103

5.2.3. Стеклообразные сплавы (As2Se3)0.3(GeSe)0.б(SnSe)0.1 105

5.2.4. Обсуждение результатов 107

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ 108

Литература 112

Список публикаций по диссертационной работе 129

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца, изученный методом мессбауэровской спектроскопии»

Актуальность работы

В последние годы наблюдается постоянный интерес к исследованиям двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией (V-минус центров) в кристаллических халькогенидах свинца (PbS, PbSe, РЬТе) (РЬХ, где X = S, Se, Те) с использованием абсорбционной и эмиссионной мессбауэровской спектроскопии ( АМС и ЭМС) [1 - 4].

Двухэлектронным центром называется центр, способный отдавать (принимать) два электрона. Если Е1 и Е2 - энергии ионизации первого и второго электрона соответственно, то величина V = Е2 - Е1 называется корреляционной энергией. При выполнении условия V < 0 такой центр называется двухэлектронным центром с отрицательной корреляционной энергией ([-минус центром). Для таких донорных D или акцепторных А центров устойчивыми состояниями являются состояния D0 и А0 (нейтральные состояния) и D2+ и А2-тогда как состояния D+ и АС распадаются по реакциям диспропорциониро-вания: 2 D+ ^ D0 + D2+ и 2 А" ^ А0 + А2".

Указанный выше интерес к исследованиям [-минус центров в РЬХ объясняется двумя причинами. Во-первых, представления об [-минус центрах были развиты Адерсоном [5], Стритом и Моттом [6] и Кастнером, Адлером и Фритше [7] для халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) типа Ge1-yX>, и As1_vX>, для объяснения закрепление химического потенциала в середине запрещенной зоны легированного полупроводника и отсутствия сигнала электронного парамегнитного резонанса для большинства нелегированных халькогенидных стекол [8]), а позже были использованы Драбкиным и Мойжесом [9] для объяснения свойств кристаллических халькогенидных полупроводников типа РЬХ. Во-вторых, как было показано авторами [10 -41] , мессбауэровская спектроскопия (МС) оказалась эффективным методом идентификации (обнаружения) [-минус центров как в ХСП [10 - 32], так и в РЬХ [33 - 41]. В силу методических особенностей мессбауэровской спектро-

скопии, наибольшее число исследований было посвящено примесным атомам 119Зп (олово, как правило, хорошо растворяется в халькогенидных полупроводниках, а мессбауэровские спектры на изотопе 119Зп могут быть измерены в широкой области температур).

В частности, методами абсорбционной мессбауэровской спектроскопии (АМС) и эмиссионной мессбауэровской спектроскопии (ЭМС) на изотопе 119Зп было установлено, что в кристаллических твердых растворах РЬ1-хЗпхЗ и РЬ1-хЗпхЗе в области составов с х < 0.02 примесные атомы олова стабилизируются в катионной подрешетке в виде шести координированных центров двухвалентного и шести координированных центров четырехвалентного ЗпЦ+ олова, а заселенности указанных состояний контролируется положением химического потенциала в запрещенной зоне полупроводника [положение химического потенциала задается путем дополнительного легования материал либо донорной (сверх стехиометрический свинец, который образует одно-электронные донорные уровни на фоне зоны проводимости кристаллов РЬХ), либо акцепторной примесью (натрий или таллий, которые образуют одно-электронные акцепторные уровни на фоне валентной зоны)] [33 - 41]. В перекомпенсированных электронных материалах РЬ1-хЗпхЗ и РЬ1-хЗпхЗе, когда ^ > 0 (где ^ - концентрации сверх стехиометрического свинца), олово стабизируется только в виде центров . В перекомпенсированных дырочных материалах РЬ1-х_уЗпх(Ка,Т1)>,З и РЬ1-х_уЗпх(Ка,Т1)>,Зе, когда ДА >> 2^п (где ДА - концентрации натрия или таллия, - концентрация олова), олово стабилизируется только в виде центров ЗпЦ+. Наконец, в частично компенсированных материалах, когда ДА ~ ДЗп, олово стабилизируется одновременно в виде центров и ЗпЦ+, и при этом отсутствует трехвалентное состояние олова Зп6+. Учитывая, что два возможных зарядовых состояния примесных атомов олова в РЬХ различаются на два заряда электрона 2е, учи-

тывая, что отсутствует промежуточное зарядовое состояние олова Sn3+, а также учитывая тождественность координационных состояний $п2+ и $п4+, был сделан вывод, что олово в РЬХ образует донорные [-минус центры, так что ионы $п2+ и $п4+ отвечают нейтральному и двукратно ионизованному состояниям [-минус центра [33 - 41].

Отметим также, что методом АМС на изотопе п^п в бинарных халько-генидных стеклах Ge1->X>, и Аэ^Ху было обнаружено, что примесные атомы олова стабилизируются в двух зарядовых состояниях, различающихся на два заряда электрона, однако координационные состояния этих центров различны - образуются структурные группировки трех координированного двухвалентного олова $п2+ и шести координированного четырехвалентного олова $п4+, причем заселенности состояний $п2+ и $п4+ зависят от состава стекол и режима его получения [10 - 31]. Исходя из выше приведенного, а также учитывая, что в мессбауэровских спектрах п^п стекол отсутствует трехвалент-

3+

ное состояние олова Sn , был сделан вывод, что олово в стеклах образуют амфотерные [-минус центры (ионы $п4+ являются однократно ионизованными донорами, а ионы $п2+ - однократно ионизоваными акцепторами).

Было также опубликовано большое число исследований по идентификации [-минус центров традиционными экспериментальными методами. Так, например, обнаружены [-минус центры, образованные атомами, составляющими структурную сетку стекла [42 - 51], идентифицированы [-минус центры в кремнии [52 - 55], карбиде кремния [56 - 58], твердых растворах АЮаК [59 - 62], арсениде галлия [63 - 65], теллуриде кадмия [66], боре [67], сульфиде цинка [68], в оксидах [69 - 77], металлоксидах меди [78 - 88]. Таким образом, можно заключить, что в настоящее время проблема идентификации [-минус центров в полупроводниках (кристаллических и стеклообразных) успешно решена.

Однако остается нерешенной проблема природы электронного обмена между разнозарядовыми состояниями [/-минус центров в полупроводниках. Учитывая, что МС позволяет наблюдать даже процесс бозе-конденсации ку-перовских пар в сверхпроводниках [89 - 106], было сделано несколько попыток использовать МС для исследования процессов электронного обмена между центрами и в халькогенидах свинца [107, 108] и между центрами и в халькогенидных стеклах [109]. Однако из-за трудностей

экспериментального плана (в частности, из-за резкого уменьшения доли без-отдачных гамма-квантов с ростом температуры) удалось исследовать этот процесс только в области температур < 300 К, что явно недостаточно для надежного измерения кинетических параметров электронного обмена и определения его механизма.

В работах [1 - 4, 110] для целей обнаружения [/-минус центров олова в твердых телах была предложена ЭМС с использованием резонансного детектора, что позволяет расширить температурный интервал измерения спектров вплоть до 1000 К. Поэтому представляется целесообразным провести исследование процессов электронного обмена между разнозарядовыми состояниями донорных [/-минус центров олова в халькогенидах свинца (РЬ1-хЗпхЗ, РЬ1-х$пх$е и твердых растворах и их основе (РЬ1-хЗпхЗ2Зе1-г), а также между разнозарядовыми состояниями амфотерных [/-минус центров олова в стеклообразных полупроводниках ^е1-уХу и Аэ1-уХу) методом ЭМС с материнскими ядрами и9ттЗп и использованием резонансного детектора. Для исследования процесса электронного обмена в области малых концентраций (что является важным для определения механизма обмена) может быть использована ЭМС с материнскими ядрами 119ЗЬ.

Цель работы:

1. Используя метод ЭМС на изотопе п^п с материнскими ядрами 119mmSn и П^Ь определить кинетические параметры и механизм электронного обмена между центрами $п2+ и $п4+ в частично компенсированных твердых растворах РЬ^пЛ Pbi-.Sn.Se и Р^^п^Т^^.

2. Используя метод ЭМС на изотопе п^п с материнскими ядрами 119mmSn и П^Ь обнружить возможность протекания электронного обмена между центрами $п4+ и Sn2+ в стеклообразных сплавах As2Se3 и GeSe2, легированных оловом.

Для достижения поставленных целей были решены следующие задачи:

- реализована методология эмиссионной мессбауэровской спектроскопии (ЭМС) на изотопе п^п с материнскими ядрами 119mmSn и П^Ь и с использованием резонансного детектора для экспериментального исследования электронного обмена между разнозарядовыми состояниями и-минус центров олова в халькогенидах свинца и халькогенидных стеклах;

- реализована методология рентгенофлуоресцентного анализа (РФА) для определения концентрации олова в твердых растворах РЬ^^п^, РЬ^^п^е, РЬ^-^п^Ка,^)^^^ и определения количественного состава стеклообразных сплавов Ge1_y_xSnxSey, Ge1_y_xSnxSey и твердых растворах на их основе. Научная новизна:

1. Методом ЭМС на изотопе п^п с материнскими ядрами 119mmSn и П^Ь для твердых растворов РЬ^^цД РЬ^^п^е, РЬ^^п^Ка^^ь^ег показано, что в области температур 80 - 900 К:

_ в частично компенсированных дырочных твердых растворах в области температур Т < 300 К наблюдаются центры двухвалентного шестикоордини-рованного Sn2+ и четырехвалентного шестикоординированного $п6+ олова, которые отвечают нейтральным и двукратно ионизованным донорным и-минус центрам олова в катионной подрешетке;

- повышение температуры сопровождается сближением в мессбауэровских спектрах линий, отвечающих состояниям и ЗпЦ+, что указывает на протекание в области температур Т > 300 К процесса электронного обмена между центрами и Зп^;

- при этом не реализуется состояние трехвалентного шестикоординирован-ного олова и это указывает на то, что электронный обмен между центрами и Зп6+ осуществляется путем переноса одновременно двух электронов;

- температурная зависимость частоты двух электронного обмена между состояниям и Зп6+ и энергия активации этого процесса не зависит от концентрации центров олова и, следовательно, электронный обмен не может рассматриваться как обмен двумя электронами непосредственно между соседними центрами и ЗпЦ+, и необходимо учитывать вовлечение в процесс обмена делокализованных состояний разрешенных зон;

- энергия активации обмена между центрами и ЗпЦ+ линейно зависит от

состава твердых растворов РЬ1-х-уЗпх(Ка,Т1)уЗ1-гЗег и для г = 0 составляет 0.11(1) эВ (что сравнимо с расстоянием от уровня Ферми до вершины валентной зоны в твердых растворов РЬ1-хЗпхЗ), а для г = 1 энергия активации обмена составляет 0.06(1) эВ эВ (что сравнимо с величиной корреляционной энергии и-минус центров олова в твердых растворах РЬ1-хЗпхЗе) и, следовательно, процесс двухэлектронного обмена между центрами и ЗпЦ+ протекает с использованием разрешенных состояний валентной зоны. 2. Методом ЭМС на изотопе 119Зп с материнскими ядрами 119ттЗп и 119ЗЬ показано, что в области температур 80 - 500 К отсутствует электронный обмен между центрами двухвалентного трех координированного олова и четырехвалентного шести координированного олова ЗпЦ+ (которые представляют собой однократно ионизованные состояния акцепторного и донорного

центров олова) в стеклообразных полупроводниках As2Se3, GeSe2 и твердых растворах на их основе, что объясняется различными координационными состояниями центров двухвалентного и четырехвалентного олова. Положения, выносимые на защиту:

1. Для твердых растворов РЬ^^п^, РЬ^^п^е и РЬ^-^п^Ка,^^^^ в области температур 300 _ 900 К реализуется двухэлектронный обмен между нейтральными (Зп2+) и ионизованными (ЗпЦ+) состояниями донорного и-минус центра олова.

2. Энергия активации электронного обмена линейно изменяется от 0.06(1) эВ для г = 0 до 0.11(1) эВ для г = 1.

3. Электронный обмен осуществляется с использованием делокализованных состояний валентной зоны.

4. Процессы электронного обмена между однократно ионизованными акцепторными (Зп2+) и донорными (ЗпЦ+) и-минус центрами олова в стеклообразных сплавах As2Se3, GeSe2 и твердых растворах на их основе в области температур 80 - 500 К отсутствуют, что объясняется нахождением центров двухвалентного и четырехвалентного олова в различных координационных состояниях.

В результате проведенных исследований решена актуальная научная задача - подтверждено существование электронного обмена между разноза-рядовыми состояниями примесных атомов олова в твердых растворах РЬ1-хБпхБ, РЬ1-хБпхБе и РЬ1-х-^п^а,Т1)^^е—, причем для процесса электронного обмена между центрами Зп2+ и определены энергии активации процесса и показано, что в этот процесс вовлечены делокализованные состояния валентной зоны. Теоретическая значимость работы.

Результаты исследования процесса электронного обмена между нейтральными (Зп2+) и ионизованными (Зп6+) донорными и-минус центрами

олова в твердых растворах РЬ1-хЗпхЗ, РЬ1-хЗпхЗе, РЬ1-х-уЗпх(Ка,Т1)уЗ^е1-г, а также в стеклообразных сплавах Ge1-у-xSnxSeу, Ge1-у-xSnxSeу и твердых растворах на их основе, имеют важное значение для развития теории двухэлек-тронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках, а также являются конкретными доказательствами наличия таких центров в халькогенидных полупроводниках и демонстрируют возможность привлечения модели [/-минус центров для объяснения электрооптических свойств указанных материалов. Практическая значимость работы и использование полученных результатов

Полученные в диссертационном исследовании результаты могут быть использованы в технологии получения полупроводниковых материалов с заданными составом и комплексом электро-оптических свойств.

Результаты диссертационного исследования используются в процессе подготовки магистров наук по направлению "Физика конденсированного состояния" на факультете физики РГПУ им. А.И. Герцена. Достоверность и обоснованность результатов и выводов исследования обеспечиваются как привлечением современных экспериментальных методик (РФА, ЭМС) и современных методов компьютерной обработки данных, так и сопоставлением оригинальных результатов собственных исследований с литературными данными и проведением рассмотрения полученных результатов в рамках современных представлений физики примесных состояний. Апробация работы

Результаты исследований опубликованы в 6 статьях в реферируемых журналах из списка ВАК [1 - 5] и в 5 докладах на международных и всероссийских конференциях [6 - 10], докладывались на Международной конференции «Физика в системе современного образования» (СПб 2015 г.г.), Международной конференции «Физика аморфных и микрокристаллических полупроводников» (СПб, 2014, 2016 г.г.), XV Межгосударственной конференции "Термо-

электрики и их применения - 2016" (СПб, 2016 г.), Международной конференции «Диэлектрики-2017» ( СПб. 2017 г.).

Личный вклад автора заключается в обосновании основных целей исследования, подборе конкретных объектов исследования, постановке и организации основных этапов исследования, в получении экспериментальных данных, обобщении и анализе полученных результатов. Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из Введения, литературного обзора, четырех экспериментальных разделов и раздела Основные результаты. Диссертация изложена на 130 страницах машинопечатного текста, включая 42 рисунка, 4 таблицы и 203 наименований библиографии.

1. МЕССБАУЭРОВСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ И ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В ИССЛЕДОВАНИЯХ ЭЛЕКТРОННОГО ОБМЕНА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1.1. Мессбауэровская спектроскопия [111, 112]

Мессбауэровская спектроскопия основана на эффекте безотдачного испускания и поглощения гамма-квантов ядрами, находящимися в твердом теле (эффекте Мессбауэра). В классическом исполнении эксперимент по наблюдению эффекта Мессбауэра составляется из источника гамма-квантов, испущенных без потери энергии на отдачу гамма-квантов ядерным изомером (в настоящей работе таким изомером является 119тЗп, время жизни т0 ~ 10-8 с), поглотитель гамма-квантов, способный без потери энергии на отдачу поглощать у -кванты (в настоящей работе в качестве поглотителей используются соединения олова с поверхностной плотностью по изотопу ~ 0.5 мг/см ), доп-леровского модулятора (позволяющего за счет механического перемещения источника изменять энергию испущенных гамма-квантов и детектор гамма-квантов. В эмиссиионном варианте мессбауэровской спектроскопии объектом исследований служит источник гамма-квантов (в настоящей работе источниками служили халькогениды свинца, легированные долгоживущими материнскими изотопами 119тт$п (период полураспада ~ 250 дней) или 119ЗЬ (период полураспада ~ 38 часов), после радиоактивного распада которых в кристаллической решетке РЬХ образуется изомер 119тЗп), а в случае абсорбционного варианта мессбауэровской спектроскопии объектом исследований служит поглотитель гамма-квантов.

Модуляция энергии гамма-квантов осуществляется с помощью про-дольного(линейного, нерелятивистского) эффекта Доплера - источник приводят в движение относительно поглотителя со скоростью ± V, так что энергия у -квантов изменяется на величину

АЕ =± Е0 ^ , (1.1.1)

с

где Е0 - энергия изомерного перехода в ядре-источнике, с - скорость света в вакууме.

Детектор регистрирует гамма-кванты, прошедшие через поглотитель, а зависимость скорости счета детектора от скорости движения источника называется мессбауэровским спектром.

Мессбауэровские спектры, измеренные в настоящей работе, характеризуется параметрами, которые рассмотрены ниже.

1.1.1. Коэффициент Мессбауэра f (он представляет собой произведение

/ ./ист X./пOГЛ, (1Л.2)

где /ист и /погл - доля гамма-квантов, испущенных источником без потери энергии на отдачу и доля гамма-квантов, поглощенных поглотителем без потери энергии на отдачу).

Для кубической решетки доля безотдачных гамма-квантов может быть оценена согласно [111, 112]:

Я

/ = ехр

2

"о

| ^^ ¿V (1.13)

V 2кТ

2кМс

где Ео - энергия гамма-квантов, М - масса ядра, испускающего (или поглощающего) гамма-квант, g(v) - спектральная плотность колебаний мессбау-эровского атома в кристаллической решетке, Т - температура измерения спектра, к - постоянная Планка, к - постоянная Больцмана, с - скорость света.

Таким образом, величина / (т.е. амплитуда мессбауэровского спектра) уменьшается с ростом температуры.

1.1.2. Естественная ширина спектральной линии на полувысоте

определяетсz соотношением [111, 112]

к

G0 = - , (1.1.4)

Тл

где т0 - время жизни ядерного изомера (для мессбауэровского изотопа п^п G = 0.66 мм/с)

Следует отметить, что мессбауэровские спектры в кубческом кристалле для случая бесконечно тонкого поглотителя и при отсутствии самопоглощения в источнике должны иметь имеют ширину на полувысоте Сэксп = 2G0, однако из-за конечной поверхностной плотности поглотителя они уширены, т.е. Gэксп > 2G0. Причиной уширения спектров могут быть плохо разрешенное квадрупольное расщепление, неоднородный изомерный сдвиг и аппаратурное уширение.

1.1.3. Изомерный сдвиг (т.е. отклонение центра тяжести спектра от нулевой скорости) появляется, если химические состояния мессбауэровского атома (например, его валентность) различны в источник и поглотителе. Если температуры источника и поглотителя одинаковы, а также одинаковы их дебаев-ские температуры, изомерный сдвиг может быть рассчитан согласно формуле [111, 112]:

^ = 5 = у 2е2 [рИст - РПогл ](Явозб2 - ^сн2) (1.1.5)

здесь 2е - заряд ядра, RоCн, RвоЗб - радиусы ядра в основном и возбужденном состояниях, рист и рпогл - электронные плотности на ядре-источнике и ядре-поглотителе.

Изомерный сдвиг для мессбауэровских спектров на изотопе п^п позволяет определять валентное состояние мессбауэровского атома: значения изомерных сдвигов мессбауэровских спектров ионных соединений четырехвалентного олова (относительно спектра соединения SnO2) от - 1 до +1.8 мм/с; ковалентных соединий четырехвалентного олова от +1.9 до +2.4 мм/с; ионных соединений двухвалентного олова от +2.6 до 3.8 мм/с; интерметаллических соединений олова от +2.4 до 2.6 мм/с [10 - 12].

1.1.4. Доплеровский сдвиг учитывает изменение энергии гамма-квантов, испущенных атомом в твердом теле, из-за хаотического теплового движения

атомов (релятивистский, квадратичный, «красный») доплеровский сдвиг мес-сбауэровского спектра [111, 112]:

9 кА0 3 кАТ ( АТ Л

D =---^ +--т / - , (1.1.6)

16 Мс2 2 Мс2 V А0 )

( т Л

где М - масса изомера, 0 - температура Дебая, F — - функция Дебая, АТ -

V 0 )

разность температур источника и поглотителя, А0 - разность дебаевских температур источника и поглотителя. Разность температур источника и поглотителя 100 К (при одинаковой величине дебаевской температуры) приводит в случае мессбауэровского изотопа п^п к величине D ~ 0.05 мм/с, а разность дебаевских температур источника и поглотителя 100 К (при одинаковой температуре источник и поглотителя) приводит к величине D ~ 0.01 мм/с.

1.1.5. Центральный сдвиг мессбауэровского спектра появляется, если химическое состояние мессбауэровского атома в источнике и поглотителе различно, температура источника и поглотителя различны, дебаевские температуры источника и поглотителя различны

5 = Ш + D. (1.1.7)

1.1.6. Квадрупольноерасщепление (т.е. расщепление спектральной линии на несколько компонент) появляется в мессбауэровском спектре, если локальная симметрия мессбауэровского атома ниже кубической. Для мессбауэровских спектров на изотопах 57Ре и п^п наблюдается расщепление на две симмет-

ричные линии с расстоянием между ними [111, 112]

1/2

, (1.1.8)

QS = А = 2

1 + £

3

здесь Q - квадрупольный момент мессбауэровского ядра п^п; п

и„ - и

УУ

ив

- параметр асимметрии тензора градиента электрического поля (ГЭП) на ядре мессбауэровского атома; ихх, иуу и игг - компоненты диагонализированно-го тензора ГЭП, причем |ихх| < |ЦУУ| < |и2|, а х, у, г - главные оси диагонали-

зированного тензора ГЭП; и22 - главная компонента тензора ГЭП; С = eQUzz

- постоянная квадрупольного взаимодействия.

1.1.7. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия [3]

Наиболее часто в научных исследованиях используется абсорбционная мессбауэровская спектроскопии (АМС), когда в исследуемый образец вводят стабильный мессбауэровский изотоп (например, п^п, в природной смеси изотопов содержится ~ 8 % этого изотопа). Основной недостаток этого варианта спектроскопии - необходимость введения достаточно больших концентраций изотопа 119^п (> 10-2 ат. %).

Напротив, при импользовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии (ЭМС) чувствительность по изотопу п^п может достигать ~ 10 7 ат.%. Это преимущество ЭМС приводит к тому, что оказывается возможным исследовать «невозмущенную» решетку (введение примеси практически не сказывается на структурных параметрах материал). Кроме того, используя, например, для изотопа п^п материнские ядра 1191п, U9mmSn, П^Ь или 119тТе,

119т

можно вводить дочерний изотоп Sn в несвойственные для него позиции в структуре стекла или кристалла. В частности, при введении в решетку РЬХ

119тто 119т о

материнских атомов Sn, дочерние атомы Sn оказываются в узлах свинца, тогда как при введении материнских атомов П^Ь дочерние атомы 119г^п оказываются как в узлах свинца, так и в узлах халькогена. Аналогичным образом, используя ЭМС на изотопах п^Ь(119^п) в стеклах типа As1->,Se>,, удается ввести дочерние атомы 119г^п в структурную сетку атомов мышьяка.

Основной недостаток ЭМС на изотопе п^п - информация в этом случае относится как к материнскому атому (например, можно определить положение материнских атомов 119mmSn и П^Ь в решетке), так и к дочернему атому (например, можно определить валентное состояние дочернего атома 119г^п и симметрию его локального окружения). Кроме того, радиоактивное превращение материнского атома может привести к смещению дочернего атома, и

он окажется в ином (по сравнению с материнским атомом) координационном состоянии (так называемые «пост-эффекты ядерных превращений»). Естественно, это затрудняет интерпретацию эмиссионных мессбауэровских спектров. Однако, согласно [3] в полупроводниках и диэлектриках отсутствуют пост-эффеты ядерных превращений и параметры эмиссионных мессбауэровских спектров на изотопе п^п относятся к равновесным состояниям дочерних атомов олова.

1.1.8. Определение эффективных зарядов атомов в кристаллических решетках по данным параметров тензора ГЭП

Одна из основных проблем физики твердого тела - определение эффективных зарядов атомов в кристаллических решетках. Она может быть решена путем сравнения экспериментально определенных и рассчитанных параметров тензора градиента электрического поля (ГЭП) для конкретных узлов решетки.

Использование корреляционных соотношений между постоянными квадру-польного взаимодействия на различных зондах ^]

В работе [4] мы проанализировали зависимости между постоянными квадрупольного взаимодействия на ядрах 63Си (ССи), 61№ (См) и 677п (Сгп), что позволило судить о зарядовом состоянии атомов в решетках сверхпроводящих металлоксидах меди. Методами определения ГЭП в узлах меди служат ядерный магнитный резонанс (ЯМР) на изотопе 63Си, а также эмиссионная мессбауэровскую спектроскопию (ЭМС) на изотопах Си(№) и 67Си(67/п).

Для зондов 63Си2+ и 61№2+ в узлах меди ГЭП создается ионами кристаллической решетки (кристаллический ГЭП) и несферической валентной оболочкой атома-зонда (валентный ГЭП), причем, когда ориентация главных осей всех тензоров совпадает, имеем:

= ^(1 - у)Уш + ^(1 - R)WZZ, (1.1.9)

где Р^, Wzz - главные компоненты тензоров суммарного, кристаллическо-

го и валентного ГЭП для зондов 63Си2+ и 61№2+, а у и R —коэффициенты Штернхеймера для этих ионов. Расчет тензора кристаллического ГЭП проводится для модели точечных зарядов (необходимы данные по параметрам элементарной ячейки кристалла), тогда как расчеты тензоров валентного и суммарного ГЭП методами квантовой физики ненадежны из-за внесения большого числа подгоночных параметров.

Если для экспериментального определения параметров тензора ГЭП в узлах меди используется ЭМС на изотопе 67Си(6"^п), то для зонда 67 7п2+ отсутствует вклад в ГЭП от несферических валентных электронов и вместо (1.1.9) имеем:

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Шалденкова, Анна Владимировна, 2017 год

Литература

[1] Серегин П.П., Бордовский Г.А., Марченко А.В. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применение. LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH&Co. KG. Saarbrucken, Deutschland. 2011. 297 с.

[2] Bordovsky G., Marchenko A., and Seregin P. Mossbauer of Negative U Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Applicaton. LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH&Co. KG. Saarbrucken, Deutschland. 2012. 499 pp.

[3] Марченко А., Серегин П. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия. Примеси и радиационные дефекты в полупроводниках Palmarium Academic Publishing. Saarbrucken, Deutschland. 2014. 283 с.

[4] Seregin N., Marchenko A., Seregin P. Emission Mössbauer spectroscopy. electron defects and Bose-condensation in crystal lattices of high-temperature super-comductors.Verlag: LAP LAMBERT. Academic Publishing GmbH & Co. KG Saarbrücken. Deutschland/Germany. 2015. 325 p.

[5] Anderson P.W. Model for electronic structure of amorphous semiconductors // Physical Review Letters. 1975. 34. 953-955.

[6] Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Physical Review Letters. 1975. 35. 1293-1296.

[7] Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Physical Review Letters 1976. 37. 1504-1506.

[8] Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. Цэндина К.Д. - СПб.: Наука. 1996. 485с.

[9] Драбкин И.А., Мойжес Б.Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. Физика и техника полупроводников. 1981. 15. 625-648.

[10] Бoрдовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Добродуб А.А. Свойства и структура стекол (Аs2Sе3)l-x(SnSe)z-x(GеSе)x и (As2Se3)i-x(SnSe2)z-x(GeSe2)x. Физика и химия стекла. 2006. 32. 438-445.

[11] Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово. Физика и техника полупроводников. 2007. 41. 23-26.

[12] Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Марченко А.В., Немов С.А., Серегин П.П. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол стекол (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x. Физика и техника полупроводников. 2007. 41. 1429-1433.

[13] Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Радиационная устойчивость зарядовых состояний олова в стеклах (As2Se3)1-z(SnSe)z-x(GeSe)x. Физика и химия стекла. 2007. 33. 650-654.

[14] Бордовский Г.А., Кастро P.A., Марченко А.В., Серегин П.П. Термическая устойчивость зарядовых состояний олова в структуре стекла (As2Se3)0.4(SnSe)0.3(GeSe)0.3. Физика и химия стекла. 2007. 33. 645-649.

[15] Бордовский Г.А., Марченко A.B., Теруков Е.И., Серегин П.П., Лиходеева Т.В. Свойства и структура стекол As2Se3)i - z(SnSe2)z-x(Tl2Se)x и (As2Se3)i -z(SnSe)z - x(Tl2Se)x. Физика и техника полупроводников. 2008. 42. 1353-1356.

[16] Бордовский Г.А., Теруков Е.И., Анисимова Н.И., Марченко A.B., Серегин П.П. Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур. Физика и техника полупроводников. 2009. 43. 1232-1236.

[17] Бордовский Г.А., Дземидко И.А., Марченко A.B., Серегин П.П. Структура и физико-химические свойства стекол систем (As2Se3)1-z(SnSe2)z_x(Tl2Se)x и (As2Se3)1-z-(SnSe)z_x-(Tl2Se)x. Физика и химия стекла. 2009. 35. 468-474.

[18] Марченко A.B. Локальная структура полупроводниковых стекол систем германий-сера и германий-селен. Физика и химия стекла. 2009. 35. 333-341.

[19] Бордовский r.A., Гладких П.В., Кожокарь М.Ю., Марченко A.B., Серегин П.П., Теруков Е.И. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в стеклообразных халькогенидах мышьяка в результате ядерных превращений. Физика и техника полупроводников. 2010. 44. 1012-1016.

[20] Бордовский B.A., Aнисимова Н.И., Марченко A.B., Лли Х.М., Серегин П.П. Структура стекол германий-сера, германий-селен и германий-теллур. Известия Российского государственного педагогического университета им. A.R Герцена. 2010. 135. 36-44.

[21] Бордовский r.A., Марченко A.B., Серегин П.П., Ali H.M, Гладких ПЗ., Кожокарь М.Ю. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькоге-нидных стеклах в результате ядерных превращений. Физика и химия стекла. 2010. 36. 828-834.

[22] Бордовский r.A., Дашина A.;., Марченко A.B., Серегин П.П., Теруков Е.И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка. Физика и техника полупроводников. 2011. 45. 801-805.

[23] Бордовский r.A., Гладких ПЗ., Кожокарь М.Ю., Марченко A.B., Серегин П.П., Теруков Е.И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия. Физика и техника полупроводников. 2011. 45. 1399-1404.

[24] Бордовский ГА., Марченко A.B., Дашина A.;., Серегин П.П. Примесные центры, образующиеся в результате ядерных превращений в стеклообразных халькогенидах мышьяка. Известия Российского государственного педагогического университета им. A^. Герцена. 2011. 141. 17-25.

[25] Бордовский ГА., Немов СА., Марченко A.B., Серегин П.П. Мёссбау-эровские исследования двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 2012. 46. 3-23.

[26] Бордовский ГА., Кожокарь М.Ю., Марченко A.B., Налетко A.C, Серегин П.П. U- центры олова, образующиеся в результате ядерных превращении

в стеклообразных сульфидах и селенидах мышьяка. Физика твердого тела. 2012. 54. 1276-1280.

[27] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Кожокарь М.Ю., Налетко А.С. Мессбауэровские [/-центры олова в халькогенидах свинца и германия. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2012. 144. 20-29;

[28] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Кожокарь М.Ю., Николаева А.В. Модели U-минус-центра олова в халькогенидных кристаллических и стеклообразных полупроводниках. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2012. 147. 37-50.

[29] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Анисимова Н.И., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. Состояние примесных атомов олова в стеклообразных халькогенидах германия. Физика и химия стекла. 2013. 39. 62-73.

[30] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Бобохужаев К.У. Примесные атомы олова в стеклообразных AsxSi-x и AsxSei-x. Неорганические материалы. 2014. 50. 1254-1258.

[31] Марченко А.В., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П., Жаркой А.Б. и Бобоху-жаев К.У. Состояния примесных атомов платины и золота в стеклообразных селенидах мышьяка. Физика и химия стекла. 2015.

[32] Марченко А.В., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П., Жаркой А. Б., Бобохужаев К.У. Природа электрической активности примесных атомов железа в стеклообразном селениде мышьяка. Физика и химия стекла. 2016. 42. 3.

[33] Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова в PbSe. Физика и техника полупроводников. 2005. 39. 669-672.

[34] Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Статистика электронов в PbS с [/-центрами. Физика и техника полупроводников. 2005. 39. 309-312.

[35] Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1.xSnxS. Физика и техника полупроводников. 2006. 40. 927-929.

[36] Немов С.А., Кастро Р.А., Алексеева А.Ю., Серегин П.П., Добродуб А.А. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1.xSnxSe. Физика и техника полупроводников. 2006. 40. 13351337.

[37] Кастро Р.А., Немов С.А., Серегин П.П., Добродуб А.А. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb1-xSnxS. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2006. 15. 120-131.

[38] Теруков Е.И., Марченко А.В., Зайцева А.В., Серегин П.П. Двухэлек-тронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халь-когенидах свинца. Физика и техника полупроводников. 2007. 41. 1434-1439.

[39] Бордовский Г.А., Немов С.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Зайцева А.В. Мессбауэровские U- - центры как инструмент исследования бозе-кондесации в полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 2008. 42. 1172-1179.

[40] Бордовский Г.А., Немов С.А., Марченко А.В., Зайцева А.В., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. Состояние атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца. Физика и техника полупроводников. 2011. 45. 437-440.

[41] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Анисимова Н.И., Зайцева А.В., Серегин П.П. Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в сульфиде свинца. Физика и химия стекла. 2013. 39. 297-307.

[42] Bogoslovskiy N., Tsendin K.Role of the changing sign of effective electron-electron correlation energy for information recording in PCM. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2015.

[43] Djefaflia F., Mebarkia C., Hafdallah A., Benkhedir M.L., Belfedal A. Photoinduced changes in amorphous selenium. Canadian Journal of Physics. 2014. 92. 663-666.

[44] Bogoslovskiy N. Interpretation of experimental dependencies of the switching effect in GeSbTe. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2013. 250. 1563-1567.

[45] Bogoslovskiy N.A., Tsendin K.D. Multiphonon tunnel ionization of negative-U centers - The origin of switching and memory effects in chalcogenide glasses. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2011. 13. 1423-1428.

[46] Bogoslovskij N.A., Tsendin K.D. Electronic-thermal switching and memory in chalcogenide glassy semiconductors. Journal of Non-Crystalline Solids. 2011. 357. 992-995.

[47] Klinger M.I. Soft atomic motion modes in glasses: Their role in anomalous properties. Physics Reports. 2010. 492. 111-180.

[48] Bogoslowsky N.A., Tsendin K.D. Nonlinearity of current-voltage characteristics of chalcogenide glassy semiconductors, caused by multiphonon tunnel ioniza-tion of negative-u-centers. Semiconductors. 2009. 43. 1338-1342.

[49] Benkhedir M.L., Mansour M., Djefaflia F., Brinza M., Adriaenssens G.J. Photocurrent measurements in chlorine-doped amorphous selenium. Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2009. 246. 1841-1844.

[50] Nardone M., Kozub V.I., Karpov I.V., Karpov V.G. Possible mechanisms for 1/f noise in chalcogenide glasses: A theoretical description. Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. 2009. 79. art. no. 165206.

[51] Benkhedir M.L., Brinza M., Adriaenssens G.J., Main C. Structure of the band tails in amorphous selenium. Journal of Physics Condensed Matter. 2008. 20. art. no. 215202.

[52] Corsetti F., Mostofi A.A.Negative-^ properties for substitutional Au in Si. EPL. 2014. 105. art. no. 57006.

[53] Bagraev N., Danilovsky E., Gets D., Klyachkin L., Kudryavtsev A., Kuzmin R., Malyarenko A., Mashkov V. Polarized electroluminescence from silicon nanos-

tructures. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 2012. 9. 1269-1272.

[54] Bagraev N.T., Klyachkin L.E., Koudryavtsev A.A., Malyarenko A.M., Romanov V.V. Superconducting properties of silicon nanostructures. Semiconductors. 43. 1441-1454.

[55] Dobaczewski L., Bernardini S., Kruszewski P., Hurley P.K., Markevich V.P., Hawkins I.D., Peaker A.R. Energy state distributions of the Pb centers at the (100), (110), and (111) SiSiO2 interfaces investigated by Laplace deep level transient spectroscopy. Applied Physics Letters. 2008. 92. art. no. 242104.

[56] Trinh X.T., Szasz K., Hornos T., Kawahara K., Suda J., Kimoto T., Gali A., Janzen E., Son N.T. Identification of the negative carbon vacancy at quasi-cubic site in 4H-SIC by EPR and theoretical calculations. Materials Science Forum. 2014. 778-780. 285-288.

[57] Trinh X.T., Szasz K., Hornos T., Kawahara K., Suda J., Kimoto T., Gali A., Janzen E., Son N.T. Negative-^ carbon vacancy in 4 H -SiC: Assessment of charge correction schemes and identification of the negative carbon vacancy at the quasicubic site. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2013. 88. art. no. 235209.

[58] Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O., Steeds J.W., Furkert S., Hayes J.M., Sullivan W., Wright N.G. Thermally stable carbon-related centers in 6H-SiC: Photoluminescence spectra and microscopic models // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2006. v. 73. № 16. art. № 161201.

[59] Trinh X.T., Nilsson D., Ivanov I.G., Janzen E., Kakanakova-Georgieva A., Son N.T.Stable and metastable Si negative-^ centers in AlGaN and AlN. Applied Physics Letters. 2014. 105. art. no. 162106.

[60] Thang Trinh X., Nilsson D., Ivanov I.G., Janzen E., Kakanakova-Georgieva A., Tien Son N. Negative-U behavior of the Si donor in Al0.77Ga0.23N. Applied Physics Letters. 2013. 103. art. no. 042101.

[61] Orlinskii S.B., Baranov P.G., Bundakova A.P., Bickermann M., Schmidt J. Defects in AlN: High-frequency EPR and ENDOR studies. Physica B: Condensed Matter. 2009. 404. 4873-4876.

[62] Orlinskii S.B., Schmidt J., Baranov P.G., Bickermann M., Epelbaum B.M., Winnacker A. Observation of the triplet metastable dtate of shallow donor pairs in AlN crystals with a negative-^ behavior: A high-frequency EPR and ENDOR study. Physical Review Letters. 2008. 100. art. no. 256404.

[63] Colleoni D., Pasquarello A. The OAs defect in GaAs: A hybrid density functional study. Applied Surface Science. 2014. 291. 6-10.

[64] Kuhnel G. Negative signals of photoinduced current transient and thermally stimulated current spectroscopy in GaAs due to negative-^ properties of oxygen. Journal of Applied Physics. 2008. 104. art. no. 063713.

[65] Kolkovsky Vl., Nielsen K.B., Larsen A.N., Dobaczewski L. Negative-^ property of interstitial hydrogen in GaAs. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2008. 78. art. no. 035211.

[66] Babentsov Y., Franc J., Elhadidy H., Fauler A., Fiederle M., James R.B. De-

0 2+

pendence of the Sn charge state on the Fermi level in semi-insulating CdTe // Journal of Materials Research. 2007. v. 22. № 11. pp. 3249-3254.

[67] Wagner P., Ewels C.P., Suarez-Martinez I., Guiot V., Cox S.F.J., Lord J.S., Briddon P.R. Behavior of hydrogen ions, atoms, and molecules in a-boron studied using density functional calculations // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2011. v. 83. № 2. art. № 024101.

[68] Li P., Deng S., Zhang L., Liu G., Yu J. Native point defects in ZnS: First-principles studies based on LDA, LDA + U and an extrapolation scheme. Chemical Physics Letters. 2012. 531.

[69] Berashevich J., Reznik A. The O interstitials in a-PbO crystal lattice to induce the magnetic properties. Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostruc-tures. 2014. 59. 98-101.

[70] Zwijnenburg M.A., Illas F., Bromley S.T. Long range coupling between defect centres in inorganic nanostructures: Valence alternation pairs in nanoscale silica. Journal of Chemical Physics. 2012. 137. art. no. 154313. SiO2

[71] Shakeri M.S., Rezvani M. Optical properties and structural evaluation of Li2O-Al2O3-SiO2-TiO2 glassy semiconductor containing passive agent CeO2. Spectrochimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy. 2011. 83. 592-597.

[72] Dobaczewski L., Markevich V.P., Kruszewski P., Hawkins I.D., Peaker A.R. Energy state distributions at oxide-semiconductor interfaces investigated by Laplace DLTS. Physica B: Condensed Matter. 2009. 404. 4604-4607.

[73] Lee E.-C., Ju H. Mutual deactivation of electrically active F interstitials and O vacancies into fluorine-oxygen-vacancy complexes in SiO2. Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. 2009. 79. art. no. 193203,

[74] Choi E.-A., Chang K.J. Charge-transition levels of oxygen vacancy as the origin of device instability in HfO2 gate stacks through quasiparticle energy calculations. Applied Physics Letters. 2009. 94. art. no. 122901.

[75] Tüzemen S., Gür E., Doan S. Determination of the transport mechanisms in mixed conduction of reactively sputtered ZnO thin films. Journal of Physics D: Applied Physics. 2008. 41. art. no. 135309.

[76] Frank T., Pensl G., Tena-Zaera R., Zúñiga-Pérez J., Martínez-Tomás C., Mu-ñoz-Sanjosé V., Ohshima T., Meyer B. Energetically deep defect centers in vapor-phase grown zinc oxide // Applied Physics A: Materials Science and Processing. 2007. v. 88. № 1. pp. 141-145.

[77] Shen C., Li M.F., Yu H.Y., Wang X.P., Yeo Y.-C., Chan D.S.H., Kwong D.-L. Physical model for frequency-dependent dynamic charge trapping in metal-oxide-semiconductor field effect transistors with HfO2 gate dielectric // Applied Physics Letters. 2005. v. 86. № 9. art. № 093510.

[78] She J.-H., Balatsky A.V. Negative-^ superconductivity on the surface of topological insulators. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2014. 90. art. no. 104517.

[79] Mitsen K., Ivanenko O. On the possible common ground state of cuprates and pnictides. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2013. 26. 28292830.

[80] She J.-H., Fransson J., Bishop A.R., Balatsky A.V. Inelastic electron tunneling spectroscopy for topological insulators. Physical Review Letters. 2013. 110. art. no. 026802. Сверхпроводимость

[81] Ivanenko O.M., Mitsen K.V. Fermi arcs and pseudogap in cuprate superconductors. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2012. 25. 1259-1262.

[82] Mitsen K.V., Ivanenko O.M. Model for the electron structure of Cu-and Fe-based high-temperature superconductors. Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2012. 25. 1339-1342.

[83] Baryshev S.V., Kapustin A.I., Bobyl A.V., Tsendin K.D. Temperature dependences of YBa2Cu3Ox and La2-xSrxCuO4 resistivity in terms of the negativecenters model. Superconductor Science and Technology. 2011. 24. art. no. 075026.

[84] Mitsen K., Ivanenko O. Fermi arcs as a visible manifestation of pair level of negative-^ centers. Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. 470 (SUPPL.1). S993-S995.

[85] Gavrilkin S.Yu., Ivanenko O.M., Martovitskii V.P., Mitsen K.V., Tsvetkov A.Yu. Percolative nature of the transition from 60 to 90 K-phase in YBa2Cu3O6+5. Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. 470 (SUPPL.1). S996-S997.

[86] Ivanenko O., Mitsen K. Why Tc of LSCO is so low but T* is so high? Journal of Physics: Conference Series. 2009. 150.art. no. 052080.

[87] Mitsen K., Ivanenko O. On the nature of pseudogap anomalies in HTSC. Journal of Physics: Conference Series. 2009. 150. art. no. 052162.

[88] Barygin I.A., Kapustin A.I., Tsendin K.D. Parameters of the model of negative-^ centers according to the Hall effect data for YBa2Cu3O x in the normal state. Technical Physics Letters. 2008. 34. 225-227.

[89] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Сайфулина А. Двух-электронные центры с отрицательной корреляционной энергией в решетках La2-xSrxCuO4, Nd2-xCexCuO4 и YBa2Cu3O7-x. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2008. 64. 25-37.

[90] Бордовский Г.А., Теруков Е.И., Марченко А.В., Серегин П.П. Идентификация двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках. ФТТ. 2009. 51. 2094-2098.

[91] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Эффективные заряды атомов в решетках YBa2Cu4O8 и Y2Ba4Cu7Oi5. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2009. 95. 96-105.

[92] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Заряды атомов в керамических образцах YBa2Cu3O7, YBa2Cu4O8 и Y2Ba4Cu7O15. Физика и химия стекла. 2009. 35. 848-859.

[93] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. Зарядовые состояния атомов в керамических сверхпроводниках HgBa2Can-1CunO2n+2, Tl2Ba2Can-1CunO2n+4 и Bi2Sr2Can-1CunO2n+4 (n = 1-3). Физика и химия стекла. 2010. 36. 510-519.

[94] Бордовский Г.А., Марченко А.В. Определение зарядовых состояний атомов в решетках Tl2Ba2Can-1CunO2n+4 и Bi2Sr2Can-1CunO2n+4 (n = 1, 2, 3) методом мессбауэровской спектроскопии. Известия российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2010. 122. 63-73.

[95] Доронин В.А., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П. Сверхтонкие взаимодействия в узлах меди решеток высокотемпературных сверхпроводников, изученные методом мёссбауэровской спектроскопии. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2013. 157. 4049.

[96] Бордовский Г.А., Анисимова Н.И., Марченко А.В., Рабчанова Т.Ю., Серегин П.П., Томильцев Е.А. Сверхтонкие взаимодействия ионов меди в структурах высокотемпературных сверхпроводников. Физика и химия стекла. 2014. 40. 438-446.

[97] Seregin N.P. Electron density variation at copper sites at the supercoducting transiyion in cuprates. Physica of the Solid State. 2003. 45. 11-15; Серегин Н.П. Изменение электронной плотности в узлах меди при сверхпроводящем переходе в металлоксидах меди. Физика твердого тела. 2003. 45. 12-16.

[98] Серегин Н.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П., Серегин П.П., Троицкая Н.Н. Влияние перехода порядок-беспорядок в электронной подсистеме кристалла на электронную плотность в узлах решетки. Физика и техника полупроводников. 2003. 37. 830-834.

[99] Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Волков В.П., Серегин Н.П., Иркаев С.М., Шамшур Д.В. Наблюдение методом мессбауэровской спектроскопии процесса бозе-конденсации в полупроводниковых твердых растворах (Pb0.4Sn0.6)0.84In0.16Te. Физика твердого тела. 2003. 45. 1938-1940.

[100] Немов С.А., Серегин П.П., Волков В.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (Pb1-xSnx)1-zInzTe. Физика и техника полупроводников. 2004. 38. 190-193.

[101] Немов С.А., Серегин П.П., Кожанова Ю.В., Троицкая Н.Н., Волков В.П., Серегин Н.П., Шамрай В.Ф. Изменение электронной плотности при сверхпроводящем фазовом переходе в Nb3Al. Физика твердого тела. 2004. 46. 228-230.

[102] Марченко А.В., Волков В.П., Серегин П.П. Изменение электронной плотности в узлах кристаллической решетки при сверхпроводящем фазовом

переходе. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2007. 26. 58-69.

[103] Теруков Е.И., Серегин П.П., Марченко А.В. Экспериментальное определение температурной зависимости эффективной плотности сверхтекучих электронов в высокотемпературных сверхпроводниках. Письма в "Журнал технической физики". 2007. 33. 1-6.

[104] Бордовский Г.А., Немов С.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Зайцева А.В. Мессбауэровские U- - центры как инструмент исследования бозе-кондесации в полупроводниках. Физика и техника полупроводников. 2008. 42. 1172-1179.

[105] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Сайфулина А. Двух-электронные центры с отрицательной корреляционной энергией в решетках La2-xSrxCuO4, Nd2-xCexCuO4 и YBa2Cu3O7-x. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2008. 64. 25-37.

[106] Бордовский Г.А., Зайцева А.В., Кастро Р.А., Марченко А.В., Серегин П.П. Мессбауэровские U-центры как инструмент исследования сверхпроводящего фазового перехода. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2009. 79. 7-18.

[107] Насрединов Ф.С., Прокофьева Л.В., Серегин П.П. Идентификация нейтрального и ионизованного состояний донорного центра олова и наблюдение двухэлектронного обмена между центрами олова в твердых растворах на основе PbS и PbSe. Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1984. 87. 951-959

[108] Насрединов Ф.С., Прокофьева Л.В., Курмантаев А.Н., Серегин П.П. Двухэлектронный обмен между центрами олова в твердых растворах Pb1-xSnxSe. Физика твердого тела. 1984. 26. 862-866.

[109] Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П. Исследование одно- и двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии. Физика и техника полупроводников. 1996. 30. 884-893.

[110] Теруков Е.И., Серегин П.П., Марченко А.В. Температурная зависимость частоты двухэлектронного обмена между примесными U-минус центрами олова в сульфиде свинца. Письма в Журнал технической физики. 2014. Т. 40. № 5. С. 22-26; Бордовский Г.А., Марченко А.В., Николаева А.В., Бобо-хужаев К.У. Марченко А.В., Жилина Д.В., Бобохужаев К.У., Николаева А.В.,Теруков Е.И., Серегин П.П. Электронный обмен между примесными центрами олова в халькогенидах свинца. Физика твердого тела. 2015. 57. 10. 1928-1933; Бордовский Г.А., Марченко А.В., Николаева А.В., Бобохужаев К.У. Двухэлектронный обмен между нейтральными и ионизованными U-минус центрами олова в селениде свинца. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2015. 173. 16-23; Жаркой А.Б., Марченко А.В., Николаева А.В., Серегин Н.П. Электронный обмен между примесными центрами олова в кристаллических и стеклооб-

разных халькогенидах свинца, германия и мышьяка. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2015 176 51-61; Марченко А.В., Теруков Е.И., Серегин П.П., Раснюк А.Н., Киселев В.С. Электронный обмен между примесными и--центрами олова в твердых растворах PbSzSe1-z. Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, вып. 7. С. 893-899; Марченко А.В., Бобохужаев К. У., Жаркой А. Б., Николаева А.

B., Серегин П. П. Двухэлектронный обмен между нейтральными и ионизованными U-минус-центрами олова в халькогенидах свинца. Неорганические материалы. 2016. том 52. № 5. с. 498-504

[111] Ovchinnikov V.V. Mossbauer analysis of the atomic and magnetic structure of alloys. Cambridge International Science Publishing. Cambridge, UK. 2006.

[112] Gutlich P., Bill E., and Trautwein A.X. Mossbauer spectroscopy and transition metal chemistry. Fundamentals and applications. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg. 2011].

[113] Pandey A., C. Mazumdar, R. Ranganathan, R.V. Raghavendra , A.Gupta. Valence behavior of Eu-ions in intermetallic compound Ce0.5Eu0.5Pd3B0.5. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2011. 323. 3281-3284.

[114] Rowan-Weetaluktuk W.N., D.H. Ryan , A.O. Sushkov, S. Eckel , S.K. Lam-oreaux , O.P. Sushkov, J.M.Cadogan , A.J. Studer. Phonon mode softening at the ferroelectric transition in Eu0.5Ba0.5Ti03. Hyperfine Interactions. 2010. 198. 1-4.

[115] Tsutsui S., Y. Kobayashi , S. Higashitaniguchi,Y. Yoda , M. Seto, T.Takabatake. Eu charge and atomic dynamics in Eu3Pd20Ge 6 investigated by 151Eu Mossbauer effect. Journal of Physics: Conference Series. 2010. 217. art. no. 012123.

[116] Harmening T., W. Hermes , M. Eul , R. Pottgen. Mixed valent stannide Eu-RuSn3 - Structure, magnetic properties, and Mossbauer spectroscopic investigation. Solid State Sciences. 2010. 12. 284-290.

[117] Grossholz H., I. Hartenbach , G. Kotzyba , R. Pottgen , H.Trill , B.D. Mosel, T. Schleid. Eu3F4S2: Synthesis, crystal structure, and magnetic properties of the mixed-valent europium(II,III) fluoride sulfide EuF2(EuFS). Journal of Solid State Chemistry. 2009. 182. 3071-3075.

[118] Zeuner M., S. Pagano , P. Matthes , D. Bichler , D. Johrendt , T. Harmening, R. Pottgen , W. Schnick. Mixed valence europium nitridosilicate Eu2SiN3. Journal of the American Chemical Society. 2009. 131. 11242-11248.

[119] Seregin P.P., Nasredinov F.S., Bakhtiyarov A.Sh. Study of the charge exchange process of iron impurity atoms in GaAs and GaP by Mossbauer spectroscopy. Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics. 1979. 91. 35-41.

[120] Серегин П.П., Степанова Т.Р., Кожанова Ю.В., Волков В.П. Мессбау-эровское исследование примесных атомов железа в арсениде галлия. Физика и техника полупроводников. 2003. 37. 917-921.

[121] Мастеров В.Ф.,Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П., Иркаев

C.М., Мелех Б.Т., Троицкая Н.Н. Нестандартные состояния атомов олова в

смешанных халькогенидах серебра и олова со структурой типа NaCl. Физика твердого тела. 1996. 38. 3308-3311;

[122] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Зайцева А.В., Николаева А.В. Механизмы электронного обмена в твердых растворах Ag1-xSn1 xSe2 и Ag1-xSn1+xTe2. Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. 2013. № 154. С. 49-53.

[123] Александрова О.А., Максимов А.И., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Халькогениды и оксиды элепментов IV группы. Получение, исследование, применение. Изд. Технолит. СПб. 2008. 240 с.

[124] Садовников С.И., Кожевникова Н.С., Ремпель А.А. Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44. с.1394-1400.

[125] Пашкеев Д.А. , Селиванов Ю.Г., Felder F., Засавицкий И.И. Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pbi-xEuxTe от условий выращивания // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44. с. 891-896.

[126] Артамкин А.И., Добровольский А.А., Винокуров, В.П.Зломанов, Гав-рилкин С.Ю., Иваненко О.М., Мицен К.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44. с. 1591-1595.

[127] Ахмедова Г.А., Абдинова Г.Дж., Абдинов Д.Ш. Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов PbTe, легированных таллием // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. с.149-151.

[128] Немов С.А., Равич Ю.И., Корчагин В.И. Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия. Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. с.740-742.

[129] Шамшур Д.В., Немов С.А., Парфеньев Р.В., Конончук М.С., Nizhank-ovskii V.I. Низкотемпературная проводимость и эффект Холла в полупроводниковых твердых растворах (PbzSn1-z)0.84In0.16Te // Физика твердого тела. 2008. т. 50. с.1948-1952.

[130] Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe под давлением. Физика и техника полупроводников. 2007. т. 41. с.149

[131] Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Изд. ЛГУ. Л. 1982. 344 с.

[132] Виноградова Г.3. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькоге-нидных системах. M.: Наука, 1984. 174с.

[133] Дембовский С.А., Чечеткина Е.А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990. 278 с.

[134] Shpotyuk O., Hyla M., Boyko V. Compositionally-dependent structural variations in glassy chalcogenides: The case of binary As-Se system. Computational Materials Science. 2015. 110 , pp. 144-151.

[135] Golovchak R., Bureau B., Shpotyuk O., Boyko V., Hyla M. Bond-changing structural rearrangement in glassy As3Se 7 associated with long-term physical aging/ Journal of Non-Crystalline Solids. 2013. 377 , pp. 43-45.

136. Kozyukhin S. , Golovchak R., Kovalskiy A., Shpotyuk O., Jain H. Valence band structure of binary chalcogenide vitreous semiconductors by highresolution XPS // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 4. с.433-436.

137. Yang G., Bureau B., Rouxel T., Gueguen Y., Gulbiten O., Roiland C., Soig-nard E., Lucas P. Correlation between structure and physical properties of chalcogenide glasses in the AsxSe1-x system // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2010. v. 82. № 19. art. № 195206.

138. Prasad N., Furniss D., Rowe H.L., Miller C.A., Gregory D.H., Seddon A.B. First time microwave synthesis of As40Se60 chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 41-42. pp. 2134-2145.

139. Golovchak R., Kozdras A., Shpotyuk O. Optical signature of structural relaxation in glassy As10Se90 // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 23-24. pp. 1149-1152.

140. Trunov M.L., Lytvyn P.M., Nagy P.M., Dyachyns'Ka O.M. Real-time atomic force microscopy imaging of photoinduced surface deformation in Asx Se100-x chalcogenide films // Applied Physics Letters. 2010. v. 96. № 11. art. № 111908.

141. Taylor P.C., Su T., Hari P., Ahn E., Kleinhammes A., Kuhns P.L., Moulton W.G., Sullivan N.S. Structural and photostructural properties of chalcogenide glasses: Recent results from magnetic resonance measurements // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. v. 326-327. pp. 193-198.

142. Корнева И.П., Синявский Н.Я., Ostafin M., Nogaj B. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2006. т.40. № 9. с. 1120-1122.

143. Korneva I., Ostafin M., Sinyavsky N., Nogaj B., Mackowiak M. Determina-

75

tion of the electric field gradient asymmetry from 2D nutation NQR spectra of As nuclei in oriented samples of As2Se3 semiconductor // Solid State Nuclear Magnetic Resonance. 2007. v. 31. № 3. pp. 119-123.

144. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Vlek M., Bureau B., Kovalskiy A., Jain H. Long-term physical ageing in As-Se glasses with short chalcogen chains // Journal of Physics Condensed Matter. 2008. v. 20. № 24. art. № 245101.

145. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A. On the reversibility window in binary As-Se glasses // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. 2007. v. 370. № 5-6. pp. 504-508.

146. Kozyukhin, S.A., Kupriyanova, T.A., Vargunin, A.I. Molecular structure of Asx Se100- x glasses studied by x-ray spectroscopy // Inorganic Materials. 2007. v. 43. № 8. pp. 897-900.

147. Golovchak R., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H., Shpotyuk O. Structure of Se-rich As-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2007. v. 76. № 12. art. № 125208.

148. Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И. Исследование процессов переноса и накопления заряда в слоях As2Se3, полученных разными методами // Физика и химия стекла. 2009. т. 35. № 1. с. 54-57.

149. Бордовский Г.А., Кастро Р.А. Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3 // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. 2002. № 2 (4). с. 17-22.

150. Castro R.A., Bordovsky G.A., Bordovsky V.A., Anisimova N.I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. v. 352. № 9-20. pp. 1560-1562.

151.Golovchak R., Shpotyuk O., Kovalskiy A., Miller A.C., Cech J., Jain, H. Coordination defects in bismuth-modified arsenic selenide glasses: High-resolution x-ray photoelectron spectroscopy measurements // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2008. v. 77. № 17. art. № 172201.

152. Кастро Р.А., Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Грабко Г.И. Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3(Bi}x // Физика твердого тела. 2009. т. 51. № 6. c. 1062-1064.

153. Iovu M.S., Kamitsos E.I., Varsamis C.P.E., Boolchand P., Popescu M. Raman spectra of AsxSe100-x glasses doped with metals // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. v. 7 . № 3. pp. 1217-1221.

154. Кастро Р.А., Грабко Г.И. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As2Se3)1-xBix // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 5. с.622-624.

155. Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Грабко Г.И., Кастро Р.А. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселе-нида мышьяка, модифицированных висмутом // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44. № 8. с.1038-1041.

156. Trnovcova V., Furar I. Physical properties of vitreous As2Se3 doped with lead // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v. 12. № 10. pp. 2092-2096.

157. Kozmidis-Petrovic A.F., Lukic S.R., Strbac G.R. Calculation of non-isothermal crystallization parameters for the Cu15(As2Se3)85 metal-chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. pp. 2151-2155.

158. Chen G., Jain H., Vlcek M., Ganjoo A. Photoinduced volume change in arsenic chalcogenides by band-gap light // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. 2006. v. 74. № 17. art. no. 174203.

159. Любин В.М., Клебанов А.В. Новые результаты фундаментальных и прикладных исследований халькогенидных стеклообразных полупроводников // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. Физика. 2006. № 6(15). c. 143-151.

160. Тверьянович А.С., Борисов Е.Н., Волобуева О., Мамедов С.Б., Михайлов М.Д. Фотоиндуцированное просветление стеклообразных пленок Ga-Ge-S(Se) // Физика и химия стекла. 2006. т. 32. № 6. с. 930-935.

161. Kalyva M., Siokou A., Yannopoulos S.N., Nemec P., Frumar M. Electronic and structural changes induced by irradiation or annealing in pulsed laser deposited As50Se50 films. An XPS and UPS study // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2007. v. 68. № 5-6. pp. 906-910.

162. Shpotyuk O.I., Golovchak R.Ya., Jain H., Kozdras A. Radiation-induced physical ageing of the structure of an arsenic-selenide glass // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2007. v. 68. № 5-6. pp. 901-905.

163. Yang G., Jain H., Ganjoo A., Zhao D., Xu Y., Zeng H., Chen G. A photostable chalcogenide glass // Optics Express. 2008. v. 16. № 14. pp. 10565-10571.

164. Márquez E., Jiménez-Garay R., González-Leal J.M. Light-induced changes in the structure and optical dispersion and absorption of amorphous As40S20Se40 thin films // Materials Chemistry and Physics. 2009. v. 115. № 2-3. pp. 751-756.

165. Focsa C., Nemec P., Ziskind M., Ursu C., Gurlui S., Nazabal V. Laser ablation of AsxSei00-x chalcogenide glasses: Plume investigations // Applied Surface Science. 2009. v. 255. № 10. pp. 5307-5311.

166. Abdel-Aziz M.M. Effect of thallium on the crystallization kinetics of the chalcogenide glasses GeSe2 and GeSe4 . // Journal of Thermal Analysis and Calo-rimetry. 2005. V. 79. № 3. pp. 709-714.

167. Singh R., Tripathi S.K., Kumar S. Role of Pb additive in the density of localized states in a-Ge20Se80 glassy alloy. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. V. 9. № 7. pp. 1974-1978.

168. Gunti S.R., Asokan S. Thermal and electrical switching studies on Ge20Se80 - XBix (1 < x < 13) ternary chalcogenide glassy system. // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356 (33-34). pp. 1637-1643.

169. Shaaban E.R., Tomsah I.B.I. The effect of Sb content on glass-forming ability, the thermal stability, and crystallization of Ge-Se chalcogenide glass. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2011. pp. 1-8.

170. El-Kabany N. Effect of tellurium addition on the optical and physical properties of germanium selenide glassy semiconductors. // Vacuum. 2010. v. 85 (1). pp. 5-9.

171. Moharram A.H., Abdel-Baset A.M. Structural correlations of Ge20Se80-xTex glasses based on reverse Monte Carlo simulation. // Journal of Alloys and Compounds. 2010. v. 508 (1). pp. 37-41.

172. Moharram A.H., Hefni M.A., Abdel-Baset A.M. Short and intermediate range order of Ge20Se 80-xTex glasses. // Journal of Applied Physics. 2010. v. 108 (7), art. no. 073505.

173. Lucas P., King E.A., Doraiswamy A. Comparison of photostructural changes induced by continuous and pulsed laser in chalcogenide glass. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2006. V. 8. № 2. pp. 776-779.

174. Golovchak R., Kozdras A., Kozyukhin S., Shpotyuk O. High-energy y-irradiation effect on physical ageing in Ge-Se glasses. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 2009. V. 267. №17. pp. 2958-2961.

175. Gueguen Y., Sangleboeuf J.C., Keryvin V., Lepine E., Yang Z., Rouxel T., Point C., Lucas P. Photoinduced fluidity in chalcogenide glasses at low and high intensities: A model accounting for photon efficiency. // Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. 2010. v. 82 (13). art. no. 134114.

179. Moharram A.H., Abdel-Baset A.M. Reverse Monte Carlo simulation of GexSe100-x glasses. // Physica B: Condensed Matter. 2010. v. 405 (19). pp. 42404244.

177. de Moura P.R., Almeida D.P., de Lima J.C. Photo-induced effects in chalcogenide thin films under irradiation by synchrotron light. // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2007. V. 155. № 1-3. pp. 129-135.

178. Shatnawi M.T.M., Farrow C.L., Chen P., Boolchand P., Sartbaeva A., Thorpe M.F., Billinge S.J.L. Search for a structural response to the intermediate phase in GexSe1-x glasses. // Physical Review B - Condensed Matter and Materials. 2008. V. 77. art. no. 094134

179. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozyukhin S., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H. Structural paradigm of Se-rich Ge-Se glasses by high-resolution x-ray photo-electron spectroscopy. // Journal of Applied Physics. 2009. V. 105. № 10. art. no. 103704.

180. Fayek S.A., Ibrahim M.M. Calorimetric studies on Ge(Se1-xSx)2 chalcogenide glasses. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v.12 (2). pp. 370-374.

[181] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теру-ков Е.И. Определение состава стекол и пленок As-Se методом рентгенофлуо-ресцентного анализа. Письма в Журнал технической физики. 2009. 35. 15-22.

[182] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теру-ков Е.И. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа. Физика и техника полупроводников. 2010. 44. 26-29.

[183] Бордовский В.А., Марченко А.В., Насрединов Ф.С., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. Определение количественного состава стекол и пленок As—Se и Ge—Se методом рентгенофлуоресцентного анализа. Физика и химия стекла. 2010. 36. 504-509.

[184] Бордовский Г.А., Гладких П.В., Еремин И.В., Марченко А.В., Серегин П.П., Смирнова Н.Н., Теруков Е.И. Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As-Ge-Se. Письма в Журнал технической физики. 2011. 37. 15-20.

[185] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Кожокарь М.Ю., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. Определение состава многокомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников методом рентгенофлуоресцентного анализа. Физика и химия стекла. 2013. 39. 545-552.

[186] Бордовский Г.А., Марченко А.В., Николаева А.В., Серегин П.П., Теру-ков Е.И. Определение состава многокомпонентных халькогенидных полупроводников методом рентгенофлуоресцентного анализа. Физика и техника полупроводников. 2014. 48. 272-277.

[187] Блохин М.А., Швейцер И.Г. Рентгеноспектральный справочник. М. Наука. 1982. 376 с.

[188] Вайнштейн Л.А., Собельман И.И., Юков Е.А. Возбуждение атомов и уширение спектральных линий. М. Наука. 1979. 318 с.

[189] Кастро А.Р.А. Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2006.

[190] Марченко А.В. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках // Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2012.

[191] Алексеева А.В. Микроскопические параметры двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2008.

[192] Кожокарь М.Ю. Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2013.

[193] Дашина А.Ю. Идентификация U-центров олова в стеклообразных

халькогенидах мышьяка методом мессбауэровской спектроскопии // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2012.

[194] Гладких П.В. Мессбауэровские [/-минус центры олова в стеклообразных халькогенидах германия // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2012.

[195] Дземидко И.А. Валентные состояния олова и физико-химические свойства оловосодержащих халькогенидных стекол на основе селенида мышьяка // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена. СПб. 2012.

[196] Watkins G. D. Negative-U properties for defects in solids // Festkoerperprobleme. 1984. V. 24. № 1. P. 163-189.

[197] Бордовский Г.А., Немов С.А., Марченко А.В., Зайцева А.В., Кожокарь М.Ю., Серегин П.П. Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца // ФТП. 2011. Т. 45. № 4. С. 437-440.

[198] Марченко А.В., Николаева А.В., Серегин П.П., Шалденкова А.В., Бобо-хужаев К.У. Двухэлектронный обмен между [/-минус центрами олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках // Физ. и хим. стекла. 2016. Т.42.

[199] Горичок И.В. Энтальпия образования дефектов в полупроводниках // ФТТ. 2012. Т. 54. № 7. С. 1373-1376.

[200] Alexandrov A.S., Mott N.F. Bipolarons // Rep. Prog. Phys. 57. 1197 (1994).

[201] Simanek E. Superconductivity at disordered interfaces // Solid State Communions. 1979. V.32. № 9 P.731-734.

[202] Asayama, K., Kitaoka, Y., Zheng, G.-Q., Ishida, K., Magishi, K. NMR study of high-TC superconductors // Physica B: Condensed Matter. 1996. v. 223-224. № 1-4. pp. 478-483

[203] Shaked H., Keane P. M., Rodriguez J. C., Owen F. F., Hitterman R. L., Jorgensen J. D. Crystal Structures of the High-Tc Superconducting Copper-Oxides. Elsevier Science. Amsterdam, 1994)

Публикации по теме диссертации

[1] Шалденкова, А.В. Двухэлектронный обмен между примесными центрами олова в твердых растворах PbSzSe1-z. [Текст] / А.В.Марченко, А.Ю.Егорова, Е.Н.Раснюк, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Физика и химия стекла. - 2017. - т. 43. - Вып. 1. - С. 76-89. (0.88 п.л./0.31 п.л.)

[2] Шалденкова, А.В. Двухэлектронный обмен между U-минус центрами олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках. [Текст] / А.В.Марченко, А.В.Николаева, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова, К.У.Бобохужаев // Физика и химия стекла. - 2016.

- т. 42. - Вып. 2. - C. 232-243. (0.75 п.л./0.44 п.л.)

[3] Шалденкова, А.В. Электрическая активность примесных атомов железа в стеклообразных селенидах мышьяка. [Текст] / К.У.Бобохужаев, Т.Ю.Рабчанова, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена.

- 2015. - № 176. - С. 61-71. (0.63 п.л./0.38 п.л.)

[4] Шалденкова, А.В. Атомные заряды в решетках сверхпроводников YBa2Cu3O7 и YBa2Cu4O8. [Текст] / К.У.Бобохужаев, А.В.Марченко, Н.П.Серегин, А.В.Шалденкова. // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2014. - № 168.

- С. 28- 37. (0.56 п.л./0.31 п.л.)

[5] Shaldenkova, A.V. Correlations of the 63Cu NMR data with the 67Cu(67Zn) and the 61Cu(61Ni) emission Mössbauer data for ceramic superconductors. [Текст] / P.P/Seregin, A.V.Shaldenkova // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2014.

- № 168. - С. 10-16. (0.38 п.л./0.25 п.л.)

[6] Шалденкова, А.В. Электронный обмен между примесными центрами олова в PbS и PbSe. [Текст] / А.В.Марченко, К.У.Бобохужаев, А.Н.Раснюк, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Доклады XV Межгосударственной конференции "Термоэлектрики и их применения - 2016". Издательство СПбГУ.

- 2016. - С. 229-230. (0.13 п.л./0.06 п.л.)

[7] Шалденкова, А.В. Электронный обмен между [/-минус центрами олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках. [Текст] / Е.И.Теруков, А.В.Марченко, А.Н.Раснюк, Е.Н.Раснюк, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Сборник трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники - 2016". Издательство СПбГУ. - 2016. - С. 107-108. (0.13 п.л./0.03 п.л.)

[8] Шалденкова, А.В. Электрическая активность примесных атомов железа в стеклообразном селениде мышьяка. [Текст] / А.В.Марченко, Е.И.Теруков, К.У.Бобохужаев, А.Н.Раснюк, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Сборник трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники - 2016". Издательство СПбГУ. - 2016. - С. 162-163. (0.13 п.л./0.06 п.л.)

[9] Шалденкова, А.В. Электронный обмен между центрами железа в стеклообразных пленках селенида мышьяка. [Текст] / А.В.Марченко, Е.И.Теруков, А.Ю.Егорова, Н.П.Серегин, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Сборник трудов X Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники - 2016". Издательство СПбГУ. - 2016. - С. 164-165. (0.13 п.л./0.05 п.л.)

[10] Шалденкова, А.В. Модель U-минус центров олова в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. [Текст] / К.У.Бобохужаев, А.В.Марченко, А.В.Николаева, П.П.Серегин, А.В.Шалденкова // Сборник трудов IX Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники - 2014". Издательство СПбГУ. - 2014. - С. 232-233. (0.13 п.л./0.05 п.л.)