Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Марченко, Алла Валентиновна

• Марченко, Алла Валентиновна
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Марченко, Алла Валентиновна

1. Введение 4

2. Методика эксперимента 16

2.1. Основы мессбауэровской спектроскопии 16

2.2. Методика измерения мессбауэровских спектров 33

2.3. Рентгенофлуоресцентный анализ

2.4. Приготовление образцов 38

2.5. Измерение физико-химических свойств 44

3. Мессбауэровские и-минус центры в халькогенидах свинца 46

3.1. Введение 46

3.2. Халькогениды свинца (обзор литературы) 47

3.3. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия на изотопе 49

119шт8п(119т8п)

3.4. Модель мессбауэровских и-минус центров олова в халькоге- 54-61 нидах свинца

3.5. Параметры микроскопической модели И-минус центров олова в халькогенидах свинца 61

3.6. Мессбауэровская спектроскопия на изотопе 1198Ь(119т8п) 65

3.7. Мессбауэровская спектроскопия на изотопе 119тТе(119т8п) 68

3.8. Мессбауэровская спектроскопия на изотопе

Аб( ве) 70

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках»

5.2. Халькогенидные стекла, содержащие атомы олова с насыщенными связями 136-140

5.3. Мессбауэровские U-минус центры олова в халькогенидных стеклах 140-145

5.4. Термическая и радиационная устойчивость зарядовых состояний U-минус центров олова в структуре халькогенидных сте- 145-150 кол

5.5. Зарядовые состояния редкоземельных металлов в оксидных и фторидных стеклах 150-156

5.6. Заключение 156-157

6. U-минус центры в высокотемпературных сверхпроводни- 158-186 ках

6.1. Металлоксиды меди (обзор литературы) 158-166

6.2. U-минус центры в решетках La2.xSrxCu04 и Nd2.xCexCu04 167-170

6.3. U-минус центры в решетках УВа2Си307, УВа2Си408 и 170-179 Y2Ba4Cu7015

6.4. U-минус центры в решетках HgBa2Can.iCun02n+2, Tl2Ba2Can.,Cun02n+4 и Bi2Sr2Can.,Cun02n+4 (n = 1, 2, 3) 180-185

6.5. Заключение 185-186

7. Мессбауэровские U-минус центры как инструмент исследования процесса бозе-конденсации в сверхпроводниках и полупроводниках 187-208

7.1. Бозе-конденсация электронных пар в сверхпроводниках (обзор литературы) 187-189

7.2. Бозе-конденсация в сверхпроводящих металлоксидах меди 190-195

7.3. Двухэлектронный обмен между мессбауэровскими U-минус центрами олова в Agi.уSni+yX2 и сверхпроводимость 195-200

7.4. Наблюдение бозе-конденсации в (Pbi.xSnx)1.zInzTe с помощью мессбауэровского U-минус центра 200-203

7.5. Бозе-конденсация в сверхпроводящем соединении Nb3Al 204-207

7.7. Заключение 207-208

8. Основные результаты 209-216

9. Литература 217-243

10. Список публикаций по теме диссертационной работы 244-250

1. Введение

Актуальность работы

В теории полупроводников для точечного дефекта, образующего в запрещенной зоне две полосы локализованных состояний, разделенных на величину корреляционной энергии

U = E2-Ex< 0 (1.1) где Е\ и Е2 —первая и вторая энергии ионизации центра), принят термин «двухэлектронный центр с отрицательной корреляционной энергией» (U-минус центр или U" -центр).

U-минус центры могут существовать в двух зарядовых состояниях. Для до-норных дефектов они обозначаются как М и М , для акцепторных дефектов

2л как М и М , а для амфотерных дефектов - как D и D . Существенной особенностью U-минус центров является неустойчивость их промежуточного (М+, МГ или D0) зарядового состояния. Каждой паре таких центров энергетически выгодно распасться по реакциям:

2М+ —> М° + М2+, 21УГ —► М° + 2М2~ или 2D°^D"+D+. (1.2) В равновесии концентрация U-минус центров в промежуточном зарядовом состоянии экспоненциально, т.е. ~ Gxp(-U/2kT), мала по сравнению с их полной концентрацией.

Андерсон (Anderson P.W.) [1] использовал представление о U-минус центрах в общем виде для объяснения электрических и магнитных свойств халько-генидных стеклообразных полупроводников (ХСП), таких как:

• линейность температурной зависимости удельной электропроводности,

• пиннинг уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны,

• отсутствие сигнала электронного парамагнитного резонанса в большинстве ХСП.

Эти представления были развиты Стритом и Моттом (Street R.A., Mott N.F.) [2], которые приписали U-минус центры в ХСП оборванным связям. Затем Кастнер, Адлер и Фричше (Kastner М., Adler D., Fritzsche Н.) [3] пришли к выводу, что нейтральным состоянием U-Минус центров в ХСП является D3 дефект, а заряженными - D| и DJ" дефекты (здесь D - атом халькогена, нижний индекс обозначает координационное число, а верхний - заряд). Детально механизмы влияния U-минус центров на электрические и оптические свойства ХСП были рассмотрены в коллективной монографии под редакцией Цэндина К.Д. [4]. Проблемы идентификации таких центров в ХСП были проанализированы нами в монографиях [5, 6] (см. список работ, опубликованных по теме диссер

1 3 тации [ " ]) и работах Кастро P.A. [7] .

Никитина А.Г. и Зуев В.В. теоретически исследовали влияние амфотерных центров с положительной и отрицательной корреляционной энергией на концентрацию свободных носителей в кристаллических полупроводниках и выявили особенности термостимулированных токов в полупроводниках в присутствии U-минус центров [8]. Цэндин К.Д. с сотр. провели анализ температурной зависимости концентрации дырок в модели /?-металла с U-минус центрами [9] и предложили модель высокотемпературной сверхпроводимости с участием U-минус центров [10-12]. Мицен К.В. с сотр. предложили альтернативную модель влияния U-минус центров на свойства высокотемпературных сверхпроводников [13-16] (впрочем, ситуация здесь усугубляется отсутствием общепринятых критериев справедливости теории высокотемпературной сверхпроводимости [17-19]).

Теория U-минус центров эффективно объясняла физико-химических свойств аморфных и кристаллических полупроводников и сверхпроводников, но нерешенной оставалась основная проблема - прямыми экспериментальными методами такие центры в полупроводниках и сверхпроводниках обнаружены не были. В частности, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) - один из наиболее информативных методов идентификации заряда примесных атомов в твердых телах - оказался не эффективным методом определения заряда U-минус центров (именно существования U-минус центров в ХСП позволило Андерсону объяснить отсутствие сигнала ЭПР в ХСП [1]).

Наиболее перспективным методом идентификации U-минус центров в полупроводниках и сверхпроводниках (т.е. определение зарядовых состояний центров, симметрии их локального окружения, природы электрической активности) является мессбауэровская спектроскопия. Мессбауэровский U-минус центр представляет собой двухэлектронньгй центр с отрицательной корреляционной энергией, образованный мессбауэровским изотопом.

Первые попытки обнаружить мессбауэровские U-минус центры в узлах халькогенов структурной сетки ХСП не были успешными [20]. Впервые Бор-довский Г.А. с сотр. [21] и Серегин П.П. с сотр. [22] обнаружили мессбауэровские U-минус центры олова в халькогенидных стеклах методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопия на изотопе 119Sn. Однако олово в таких стеклах образовывало собственные структурные единицы и не входило в узлы халькогенов, а именно гипотеза о существовании U-минус центров в узлах халькогенов лежат в основе всех теоретических моделей [1-4]. Также отсутствовали данные о наблюдении мессбауэровских U-минус центров в кристаллических полупроводниках [23]. Исключение составляли лишь примесные атомы олова в халькогенидах свинца, для которых методом абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn такие центры были идентифицированы (однако концентрация олова была слишком велика для примесных атомов, а параметры микроскопической модели таких центров не были определены) [24].

Оставалась открытой и проблема идентификации мессбауэровских U-минус центров в решетках высокотемпературных сверхпроводников. Следует отметить, что, кроме чисто академического интереса, идентификация мессбауэровских U-минус центров в сверхпроводниках открывает принципиальную возможность использования таких центров в качестве инструмента исследования бозе-конденсации электронных пар в решетках сверхпроводников.

Согласно микроскопической теории Бардина-Купера-Шриффера (БКШ) (Bardeen J., Cooper L.N., Schrieffer J.R.) [25, 26] в основе явления сверхпроводимости лежат эффекты возникновения при температуре ниже критической температуры Тс связанных состояний электронов (куперовских пар) и последующего образования бозе-конденсата куперовских пар. Иными словами, переход от нормального к сверхпроводящему состоянию есть переход от системы электронов, описываемой блоховскими волновыми функциями, к системе электронов, описываемых единой когерентной волновой функцией, так что распределение электронной плотности в кристаллической решетке сверхпроводника должно различаться при температурах выше и ниже температуры Тс.

К моменту создания теории БКШ отсутствовали надежные экспериментальные методы наблюдения изменения электронной плотности в узлах кристаллической решетки. Ситуация изменилась после открытия эффекта Мес-сбауэра. Путем измерения центрального сдвига мессбауэровского спектра при температурах выше и ниже температуры перехода вещества в сверхпроводящее состояние Тс можно обнаружить изменение электронной плотности в узле кристалла, содержащего мессбауэровский зонд [27-29].

Является очевидным, что сравнение экспериментальных (данные мессбау-эровской спектроскопии) и теоретических величин изменения электронной плотности при сверхпроводящем фазовом переходе может служить критерием выбора моделей, описывающих явление сверхпроводимости. Особенно это стало актуальным после открытия явления высокотемпературной сверхпроводимости (Тс > 30 К) (сверхпроводимость металл оксидов меди [30], соединение 1У^В2 [31] и оксипниктиды железа [32, 33]), описание которой в рамках традиционной микроскопической теории БКШ не является общепринятым [17-19].

Однако попытки обнаружить бозе-конденсат электронных пар методом мессбауэровской спектроскопии в классическом сверхпроводнике №>38п на изотопе 1|98п [34], а также в оксипниктидах железа на изотопе 57Ре [35-48] не были успешными: температурные зависимости центрального сдвига мессбау-эровских спектров описывались доплеровским сдвигом второго порядка как при Т > Тс, так и при Т < Тс. Эти факты могут быть объяснены тем, что в указанных материалах атомы олова и железа не являются И-минус центрами, а также малой разрешающей способностью мессбауэровской спектроскопии на изотопах 57Fe и 119Sn, т.е. малой величиной R = A/2G (здесь А - максимальная разность изомерных сдвигов мессбауэровских спектров для данного изотопа , G - естественная ширина ядерного уровня мессбауэровского изотопа), которая для изотопов 57Fe и 119Sn не превышает 6.

Очевидно, что для получения надежной экспериментальной информации о процессах бозе-конденсации электронных пар в сверхпроводниках методом мессбауэровской спектроскопии необходимо, чтобы мессбауэровский зонд был U-минус центром (поскольку в этом случае зонд будет наиболее чувствительным к парноэлектронным процессам, реализуемых в процессе образования бо-зе-конденсата сверхпроводника) и имел высокую разрешающую способность (т.е. для него должно выполняться условие R » 10).

Представляемая работа посвящена идентификации методом мессбауэровской спектроскопии двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках и сверхпроводниках, а также обнаружению процесса бозе-конденсации электронных пар при сверхпроводящем фазовом переходе с использованием мессбауэровских U-минус центров.

1о

Проведенный нами анализ [ ] показал, что наиболее перспективными для

67 67 67 67 проведения подобных исследований являются изотопы Cu( Zn), Ga( Zn),

73As(73Ge), 119mm(119mSn), 119Sb(ll9mSn), 119mTe(119mSn), ,29Te(I29I), ,51Sm(151Eu),

155Eu(155Gd), 161Tb(161Dy), 169Er(169Tm) и 197Pt(197Au), а объектами исследований могут служить кристаллические и стеклообразные халькогениды мышьяка и германия (AsyXi.y и GeyXiy, где X = S, Se, Те), многокомпонентные халькогенидные стекла типа (As2Se3)ixy(SnSe)x(Tl2Se)y, халькогениды свинца (PbS, PbSe, РЬТе), металлоксиды меди (Lai 85Sr0 i5Cu04, YBa2Cu3069, YBa2Cu3066, YBa2Cu4Og, Nd, 85Ce0 i5Cu04, Tl2Ba2CaCu208, Tl2Ba2Ca2Cu3Oio, Bi2Sr2CaCu208, Bi2Sr2Ca2Cu3Oio, HgBa2Cu04, HgBa2CaCu206, HgBa2Ca2Cu308), кристаллический и аморфный кремний. Все эти материала являются классическими модельными объектами физики твердого тела.

Исследование 11-минус центров в полупроводниках и сверхпроводниках проводилось нами преимущественно методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии, когда в исследуемый материал вводится радиоактивный материнский изотоп, после распада которого образуется дочерний атом - мессбау-эровский зонд. Эмиссионный вариант спектроскопии позволяет исследовать примесные атомы с предельно низкой концентрацией, что является принципиально важным для понимания природы электрической активности примесных атомов. Кроме того, в зависимости от химической природы материнского изотопа возможно введение дочернего атома в различные узлы кристаллической решетки (структурной сетки стекла), так что возникает возможность проследить за изменением природы электрической активности примесных атомов в данном материале в зависимости от места их локализации. Цель работы:

1. Методом мессбауэровской спектроскопии идентифицировать двухэлектрон-ные центры с отрицательной корреляционной энергией в кристаллических и аморфных полупроводниках и сверхпроводниках (в кристаллических и стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия, в многокомпонентных халько-генидных стеклах, в халькогенидах свинца, в сверхпроводящих металлоксидах меди, в кристаллическом и аморфном кремнии).

2. С использованием мессбауэровских и-минус центров обнаружить влияние бозе-конденсации электронных пар на распределение электронной плотности в кристаллических решетках классических и высокотемпературных сверхпроводников.

Для достижения поставленных целей было необходимо решить следующие задачи:

- разработать и реализовать методологию идентификации и-минус центров как непосредственно путем определения изомерного сдвига мессбауэровских спектров, так и путем сравнения экспериментально определенных и расчетных параметров тензора ядерного квадрупольного взаимодействия; - разработать и реализовать методологию экспериментального исследования процесса бозе-конденсации электронных пар в классических и высокотемпературных сверхпроводниках с использованием мессбауэровских И-минус центров.

Научная новизна:

• идентифицированы амфотерные мессбауэровские И-минус центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия;

• идентифицированы амфотерные мессбауэровские и-минус центры платины в стеклообразном селениде мышьяка;

• идентифицированы амфотерные мессбауэровские и-минус центры олова в многокомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводниках;

• идентифицированы донорные мессбауэровские И-минус центры олова и германия в халькогенидах свинца;

• идентифицированы акцепторные мессбауэровские И-минус центры цинка в кристаллическом кремнии;

• определены параметры энергетических уровней донорных И-минус центров олова в халькогенидах свинца, амфотерных И-минус центров олова в многокомпонентных халькогенидных стеклах, амфотерных И-минус центров платины в селениде мышьяка, акцепторных И-минус центров в кремнии;

• идентифицированы двухатомные И-минус центры меди в сверхпроводящих металлоксидах меди;

• с использование мессбауэровских И-минус центров продемонстрирована зависимость изменения электронной плотности в узлах кристаллической решетки от стандартной корреляционной длины при сверхпроводящем фазовом переходе;

• с использование мессбауэровских И-минус центров для сверхпроводящих металлоксидов меди продемонстрировано что величина стандартной корреляционной длины минимальна для подрешеток цепочечной меди и РЗМ и максимальна для подрешеток плоскостной меди;

• с использование мессбауэровских И-минус центров продемонстрировано отсутствие согласия расчетных и экспериментальных температурных зависимостей эффективной плотности сверхтекучих электронов для цепочечных узлов меди и узлов РЗМ в решетках металлоксидов меди и удовлетворительное согласие этих зависимостей для плоскостной меди; Положения, выносимые на защиту:

1. Методом абсорбционной и эмиссионной мессбауэровской спектроскопии идентифицированы двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией: амфотерные мессбауэровские 11-минус центры олова в структурной сетке стеклообразных халькогенидов мышьяка, германия и в многокомпонентных стеклах, амфотерные мессбауэровские и-минус центры платины в структурной сетке стеклообразного селенида мышьяка, донорные мессбауэровские И-минус центры олова и германия в кристаллических решетках халькогенидов свинца, акцепторные и-минус центры цинка в решетке кремния, двухатомные И-минус центры меди в СиОг-плоскости в кристаллических решетках сверхпроводящих металлоксидов меди.

2. Идентификация и-минус центров олова в узлах структурной сетки стеклообразных халькогенидных полупроводников является подтверждением теоретических представлений о существовании в халькогенидных стеклообразных полупроводниках И-минус центров, объясняющих их электрические и оптические свойства. Идентификация двухатомных и-минус центров меди в решетках сверхпроводящих металлоксидов меди является подтверждением теоретических моделей, предполагающих, что одним из возможных механизмов высокотемпературной сверхпроводимости, является взаимодействие электронов с и-минус центрами.

3. Мессбауэровские и-минус центры являются эффективным инструментом исследования влияния бозе-конденсации электронных пар на распределение электронной плотности в сверхпроводниках и с их помощью для металлоксидов меди продемонстрировано, что величина стандартной корреляционной длины максимальна для подрешеток плоскостной меди и минимальна для подрешеток цепочечной меди и редкоземельных металлов; что изменение электронной плотности в катионных узлах кристаллической решетки при сверхпроводящем фазовом переходе тем больше, чем меньше стандартная корреляционная длина; что экспериментальная температурная зависимость доли сверхпроводящих электронов для узлов плоскостной меди коррелирует с аналогичной зависимостью, следуемой из теории бозе-конденсации системы бозонов с зависящим от температуры числом частиц и наличием щели в энергетическом спектре, однако такая корреляция отсутствует для узлов цепочечной меди, иттрия и лантана. 4. Результаты исследования процесса бозе-конденсации в сверхпроводниках, полученные с помощью мессбауэровских И-минус центров, являются доказательством того, что процессы образования электронных пар и их бозе-конденсация для различных подрешеток оказываются различными, и это должно учитываться в любой теории высокотемпературной сверхпроводимости.

В результате выполненных исследований решена крупная научная проблема - разработаны и реализованы методологические основы идентификации двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией методом мессбауэровской спектроскопии. Перспективность этого нового научного направления продемонстрирована на примере идентификации мессбауэровских и-минус центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и сверхпроводниках, а также при исследовании влияния бозе-конденсации электронных пар на электронную плотность в решетках классических и высокотемпературных сверхпроводников. Теоретическая значимость работы

Идентификация и-минус центров олова, локализованных в узлах структурной сетки стеклообразных халькогенидных полупроводников, является одним из доказательств допустимости привлечения представлений о существовании в халькогенидных стеклообразных полупроводниках И-минус центров для объяснения их электрических и оптических свойств.

Экспериментальное обнаружение двухатомных и-минус центров меди в решетках сверхпроводящих металлоксидов меди является подтверждением теоретических моделей, предполагающих, что одним из механизмов, ответственных за высокотемпературную сверхпроводимость, является взаимодействие электронов с двухэлектронными центрами с отрицательной корреляционной энергией.

Результаты, полученные с помощью мессбауэровских И-минус центров, по определению изменения электронной плотности в решетках сверхпроводников при переводе их в сверхпроводящее состояние, обнаружение пространственной неоднородности бозе-конденсата электронных пар, являются доказательством того, что различие в процессах образования электронных пар и их бозе-конденсации для различных подрешеток, по которым осуществляется перенос сверхтекучих электронов, должны учитываться в любой теории высокотемпературной сверхпроводимости.

Практическая значимость работы и использование полученных результатов

Полученные результаты по использованию метода рентгенофлуоресцентного анализа для определения количественного состава ХСП, влиянию процессов аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка и германия, влиянию термической и радиационной обработки на состояния олова в многокомпонентных халькогенидных стеклах, влиянию примесей редкоземельных металлов на электро-физические свойства аморфного кремния и оксидных и фтороксидных стекол могут быть использованы при разработке технологии получения аморфных материалов с заданным комплексом электрофизических свойств.

Результаты проведенных исследований используются в учебном процессе при подготовке магистров наук по направлению "Физика конденсированного состояния" и выполнении студентами старших курсов факультета физики Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена курсовых и дипломных работ.

Достоверность и обоснованность результатов и выводов исследования обеспечиваются применением современных экспериментальных методик исследования (рентгенофлуоресцентный анализ, мессбауэровская спектроскопия); воспроизводимостью результатов измерений; сопоставлением (когда это возможно) результатов исследования с литературными данными; использованием современных методов математической обработки данных; интерпретацией экспериментальных результатов в рамках современных представлений физики конденсированного состояния. Апробация работы

Результаты исследований опубликованы в монографиях «Идентификация 1Г -центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мессбауэровской спектроскопия» (авторы Бордовский Г.А., Марченко A.B.; СПб, изд. Наука. 2010г. 273 с.) ['], «Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применение» (авторы Серегин П., Бордовский Г., Марченко A.; LAP. Lambert. Academoc Publishing. Berlin. 2012. 297 c.) [ ], «Mössbauer of Negative Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Applicaton» (авторы Bordovsky G., Marchenko A., and Seregin P.; Academic Publishing GmbH & Co. 2012. 499 pp.) [3], 42 статьях в журналах из списка ВАК [4"45], в 13 докладах на международных и всероссийских конференциях [46"58] и в четырех разделах коллективной монографии [59], докладывались на Международной конференции «Физика в системе современного образования» (СПб 2005, 2007, 2009 г.г.), Международной конференции «Физика аморфных и микрокристаллических полупроводников» (СПб, 2006, 2008, 2010, 2012 г.г.), 3-й Международной конференции ИНТЕРНАС'2007 «Актуальные проблемы современного естествознания» (Калуга, 2007 г.), Международной конференции «Физика диэлектриков» (СПб, 2008, 2011 г.г.), 3-й Международной конференции «Физика электронных материалов» (Калуга, 2008г.), Всероссийской научно-практической конференции " Физические явления в конденсированном состоянии вещества" (Чита, 2009г.), Межгосударственном семинаре «Термоэлектрики и их применения» (СПб, 2010, 2012 г.г.). Получен Патент на изобретение [60]. Личный вклад автора заключается в обосновании целей исследования, выборе объектов исследования, постановке и организации всех этапов исследования, в получении основных экспериментальных данных, обобщении и анализе полученных результатов. Диссертантом предложен и реализован новый концептуальный подход к анализу и обобщению научного материала, включенного в диссертационную работу. Этот подход основан на идентификации электронной структуры мессбауэровских Ц-минус центров в полупроводниках и сверхпроводниках и использовании этих центров как инструмента исследования процессов бозе-конденсации в сверхпроводниках.

Финансовая поддержка осуществлялась Российским фондом фундаментальных исследований, 2004-2007 г.г. и Министерством образования и науки Российской Федерации, 2006-2012 г.г. Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из Введения, шести глав и раздела Основные результаты. Диссертация изложена на 250 страницах машинопечатно-го текста, включая 95 рисунков, 10 таблиц и 258 наименований библиографии.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Марченко, Алла Валентиновна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

1. Донорные и-минус центры олова обнаружены в халькогенидах свинца методом эмиссионной 119гшп8п(119ш8п) мессбауэровской спектроскопии: примесные атомы олова в РЬ8 и РЬ8е находятся в регулярных узлах катионной подрешет-ки; центры 8п^+ отвечают нейтральным, а центры 8п4+- двукратно ионизованным состояниям донорного центра олова. На основании полученных данных разработана модель донорных И-минус центров олова в халькогенидах свинца и определены параметры микроскопической модели 11-минус центров олова в халькогенидах свинца.

2. Донорные И-минус центры олова обнаружены в халькогенидах свинца методом эмиссионного варианта мессбауэровской спектроскопии на изотопах 1198Ь(119т8п) и 119тТе(119т8п):

- место локализации материнских атомов 1198Ь в решетках РЬХ зависит от характера нарушения стехиометричности материала (в образцах с избытком свинца сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в образцах с избытком халькогена - преимущественно в катионной подрешетке):

- примесные атомы олова, образовавшиеся после распада П98Ь в катионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е, представляют собой донорные и-минус центры (в электронный образцах мессбауэровский спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра 8п^+, а в дырочных - двукратно ионизованному состоянию 8п^+); наблюдался процесс электронного обмена между нейтральными и двукратно ионизванными И-минус центрами олова с использованием состояний разрешенных зон;

- материнские атомы 119тТе преимущественно стабилизируются в анионной подрешетке РЬХ (хотя всегда присутствует часть дочерних атомов ,19т8п сместившихся за счет энергии отдачи из анионных в катионные узлы решетки);

- примесные атомы олова, образовавшиеся после радиоактивного распада ||9шТе в анионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е представляют собой антиструктурные дефекты и их зарядовое состояние не зависит от положения уровня Ферми;

3. Донорные И-минус центры германия обнаружены в халькогенидах свинца

73 73 методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе Аб( Ое):

73

- материнские атомы Аэ в решетках РЬХ стабилизируются в анионной и кати-онной подрешетках:

- зарядовое состояние атомов германия, возникающих в анионной подрешетке

73

РЬ8 и РЬ8е после радиоактивного превращения Аб, не зависит от положения химического потенциала, тогда как в катионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е примесный атом германия электрически активный центр (в электронных образцах идентифицировано нейтральное состояние донорного центра (ве^), а в дырочных образцах - двукратно ионизованное состояние (ве^) этого центра).

4. Для определения количественного содержания серы, селена, мышьяка и германия в стеклообразных сплавах и пленках Аб^.х, АБ^е^х, Оех8].х, Оех8е1.х и А8х(Оеу8е1у)1.х, методом рентгенофлуоресцентного анализа реализован метод стандарта, что позволяет определить состав стекол и пленок с точность ± 0.0005 для хиу.

5. Амфотерные и-минус центры олова с отрицательной корреляционной энергией обнаружены в стеклообразных халькогенидах мышьяка (Аб^.х, АБ^е^х и А82Те3) с использованием эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 119тт8п(119ш8п), 1198Ь(119т8п), 119тТе(119т8п):

- примесные атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада атомов 119шт^п в СТруКТуре стекол АБхЗ^х, АвхЭв^х и АБ2Тез, имеет в своем локальном окружении только атомы халькогена, проявляют максимальную валентность и для них реализуется модель Губанова-Мотта;

- примесные атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада атомов 1198Ь в структуре стекол АбхЗ^х, АБхЗе^х и А82Те3, локализуются в узлах мышьяка, имеют в своем локальном окружении только атомы халькогена; в стеклах Аб^з и Аз28е3 олово играет роль электрически активных центров (нейтральное состояние центра 8п3+ неустойчиво и распадается на однократно ионизованное состояние донорного центра 8п^+и однократно ионизованное состояние акцепторного центра БПз+, причем центры 8п^+ и Эп^ имеют различную симметрию локального окружения), тогда как в стекле Аз2Те3 олово играет роль электрически неактивного центра;

- большая часть примесных атомов олова, образующихся после радиоактивного распада атомов 119тТе в стеклах Аб^.х, Ав^е^х и Аз2Те3, находится в узлах халькогенов в состоянии 8п° и имеют в своем локальном окружении только атомы мышьяка, тогда как меньшая часть этих атомов за счет энергии отдачи смещаются из узлов халькогена с образованием центров 8п^+ (в Аз^.х, Ав^е^х) или 8пз+ (в Аз2Те3), причем центры 8п° отвечают электрически неактивным примесным атомам олова в структурной сетке стекол.

6. Электрическая активность примесных атомов олова, находящихся в катион-ных узлах и отсутствие таковой для примесных атомов олова, находящихся в анионной подрешетке объясняется тем, что олово в катионной подрешетке образует ионно-ковалентные связи, типичные для полупроводниковых соединений А1УВУ1, и для него реализуются возможность образовывать в запрещенной зоне локальные энергетические уровни, тогда как олово в анионной подрешетке образует интерметаллические химические связи, типичные для металлов и интерметаллических соединений, в которых отсутствуют условия для образования локальных энергетических уровней.

7. Различие природы электрической активности олова в кристаллических и стеклообразных халькогенидных полупроводниках объясняется следующим:

- олово в кристаллических полупроводниках находится в узлах кристаллической решетки и не имеет возможности изменить свое координационное состояние (оба центра 8п^+ и 8п^+ находятся в одном координационном состоянии и, естественно, олово может образовывать только донорные уровни);

- олово в стеклообразных полупроводниках может перестраивать свое координационное состояние из-за податливости структурной сетки стекла, два зарядовых состояния центра оказываются в различных координационных состояниях и, как результат, олово может образовывать только амфотерные и-минус центры.

8. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 129Те(1291) изучено влияние аморфизации и облучения светом на симметрию локального окружения атомов халькогенов в халькогенидах мышьяка (Аб84, Аб283, Аб8, АБ8е4, АБ28е3, АБ8е и АБ2Те3): перевод АБ2Те3 в стеклообразное состояние приводит к понижению локальной симметрии трехкоординированных состояний атомов теллура и к появлению двухкоординированных состояний; перевод аб283 и аб28е3 в стеклообразное состояние не сопровождается изменением локальной симметрии двухкоординированных атомов халькогенов, однако в структуре стекла образуются новые двухкоординированные состояния атомов серы и селена; в результате облучения стекол происходит замена структурных единиц типа (-Аб-Х-Аб-) на структурные единицы типа (-Аб-Х-Х-Аб-); структурные перестроения, сопровождающие аморфизацию халькогенидов мышьяка, объясняются без привлечения моделей, связанных с существование в структуре халькогенидных стекол И-минус центров.

9. Амфотерные и-минус центры олова с отрицательной корреляционной энергией обнаружены в стеклообразных халькогенидах германия с использованием абсорбционного и эмиссионного вариантов мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п:

- продемонстрировано, что зарядовое и координационное состояния атомов олова в стеклах Оеюо-Х8х, Оеюо-х8ех, Оеюо-хТех зависит от содержания халькоге-на в составе стекла (в стеклах Сеюо-х8х, Оеюо-Х8ех, обогащенных халькогеном, наблюдаются центры 8п6+, тогда как в стеклах, обедненных халькогеном, наблюдаются как так и 8пз+);

- центры 8п^+ отвечают ионизованным донорам, а центры 8пз+ - ионизованным акцепторам, тогда как нейтральное состояние центра 8п3+ является нестабильным.

- на основании полученных данных разработана модель и-минус донорных центров олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка и германия.

10. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 129Те(1291) определена локальная структура атомов халькогена в стеклообразных полупроводниках Оеюо-х8х, Ое100-х8ех, Оеюо-хТех: стекла Се1.х8х и Ое].х8ех, обогащенные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих двух-координированные атомы халькогена, тогда как стекла, обедненные халькогеном, построены из структурных единиц, включающих двух- и трехкоордини-рованные атомы халькогена; структурные перестроения, сопровождающие аморфизацию халькогенидов германия, объясняются без привлечения моделей, связанных с существование в структуре халькогенидных стекол и-минус центров.

11. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 197Р1(197Аи) продемонстрировано, что в стеклообразном селениде мышьяка примесные атомы платины образуют двухэлектронные амфотерные центры с отрицательной корреляционной энергией.

12. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 67Оа(672п) продемонстрировано, что в кремнии примесные атомы цинка образуют двухэлектронные акцепторные центры с отрицательной корреляционной энергией.

13. Амфотерные И-минус центры олова обнаружены в стеклах (А828ез)1.х.у(8п8е)х(Т128е)у и (А828е3)1.х.у(8п8е)х(Ое8е)у с использованием метода абсорбционной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п:

- в структуре стекол обнаружено два зарядовых состояния атомов олова Sn^ и Srig+ с различной симметрией локального окружения, причем центры отвечают ионизованным донорам, а центры Sn]+ - ионизованным акцепторам, а их количественное соотношение определяется составом стекла, скоростью закалки расплава и его температурой;

- химический потенциал оказывается закрепленным между энергетическими уровнями олова и примесная проводимость для стекол не наблюдается;

- монотонные зависимости плотности, микротвердости, температуры стеклования, а также оптической и термической ширины запрещенной зоны от состава стекол объясняется тем, что стекла (As2Se3)i.x.y(SnSe)x(Tl2Se)y и (As2Se3)i.x. y(SnSe)x(GeSe)y представляют собой твердые растворы, построенные из структурных единиц, валентности атомов в которых зависят от состава (перегибы на зависимостях наблюдаются в области составов, где меняется валентность олова).

14. Проведено исследование электрических и фотоэлектрических свойств пленок a-Si(H), легированных редкоземельными металлами (РЗМ): примесные атомы Nd , Sm, Gd, Tb, Dy, Но и Yb образуют в щели подвижности a-Si(H) полосу акцепторного типа, лежащую вблизи середины щели подвижности, и уровень Ферми оказывается локализованный в этой полосе; примесные атомы европия образуют в щели подвижности a-Si (Н) полосу донорного типа, лежащую на 0.25 эВ ниже порога подвижности зоны проводимости, так что проводимость такого материала осуществляется электронами по делокализованным состояниям зоны проводимости; обнаруженное влияние примесных атомов РЗМ на свойства a-Si(H) могут быть объяснены без привлечения моделей, связанных с существование в структуре a-Si(H) двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией.

15. Проведена идентификация зарядовых состояния редкоземельных металлов в структуре силикатных стекол, содержащих оксиды и фториды алюминия и щелочноземельных металлов методом мессбауэровской спектроскопии на изотопах 15IEu, 161Dy и 155Gd: в стеклах, синтезированных в окислительной атмосфере, европий, диспрозий и гадолиний стабилизируются только в состоянии Ме3+; увеличение температуры расплава стекол, содержащих европий, приводит к стабилизации в стеклах части атомов европия в состоянии Еи2+; при замене в исходной шихте А1203 на соответствующее количество A1N, то возможна стабилизация европия и диспрозия в состояниях Eu2+ и Dy2+; структуре стекол атомы трехвалентного гадолиния образуют структурные единицы, характерные для смешанных оксидов гадолиния и алюминия; обнаруженное влияние примесных атомов РЗМ на свойства стекол могут быть объяснены без привлечения моделей, связанных с существованием в структуре стекол двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией.

16. Двухатомные U-минус центры меди обнаружены методом эмиссионной

67 67 67 67 мессбауэровской спектроскопии на изотопах Cu( Zn) и Ga( Zn) в решетках La2.xSrxCu04, Nd,.85Ceo.i5Cu04 , YBa2Cu307, YBa2Cu408, Y2Ba4Cu7015, Tl2Ba2Can.iCun02n+4, Bi2Sr2Can.iCun02n+4 (n = 1, 2,3): на основе сравнения экспериментальных и расчетных параметров тензора кристаллического ГЭП определены эффективные заряды атомов и показано, что полученные результаты находятся в согласии с моделью, предполагающей, что допированные дырки жестко локализованы в Си02-плоскости на ионах кислорода, принадлежащих кислородному октаэдру, окружающих атомы меди (для решеток La2.xSrxCu04, YBa2Cu307, YBa2Cu408 и Y2Ba4Cu7Oi5) или атомы таллия и висмута (для решеток Tl2Ba2Can.iCun02n+4 и Bi2Sr2CaniCun02n+4), тогда как допированнные электроны в решетке Nd] 85Ceo.i5Cu04 локализуются на атомах меди.

17. Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn продемонстрировано существование необычного состояния центров олова Snj!+ - оно реализуется в результате быстрого двухэлектронного обмена между ионам Sn^+n Sn^+ в твердых растворах AgiySni+ySe2, в структуре которых олово образует U" центр (8п^+и отвечают его нейтральному и двукратно ионизованному состоянию); этот механизм ответственен за необычайно высокие значения температуры перехода в сверхпроводящее состояние в AglySnl+ySe2.

73

15. С использованием мессбауэровского И-минус центра Ое обнаружена пространственная неоднородность бозе-конденсата в 1ЧЬ3А1 и (РЬ].х8пх)121п2Те (изменение электронной плотности при переходе от нормального к сверхпроводящему состоянию оказывается существенно большим для катионной подре-шетки по сравнению с анионной подрешеткой) и продемонстрирована корреляция между изменением электронной плотности на ядрах 73Ое и температурой сверхпроводящего перехода Тс (изменение электронной плотности при переходе от нормального к сверхпроводящему состоянию оказывается тем большим, чем выше Тс).

16. Для металлоксидов меди (Ьа2х8гхСи04, Ыё2.хСехСи04, УБа2Си307, УВа2Си408, У2Ва4Си7015, ^Ва2Сап-1Сип02п+2, Т12Ва2Сап1Сип02п+4 и В128г2Сап

67

Сип02п+4, где п = 1, 2, 3) с помощью мессбауэровского и-минус центра Zn:

- показано, что величина стандартной корреляционной длины максимальна для подрешеток плоскостной меди и минимальна для подрешеток цепочечной меди и редкоземельных металлов;

- показано, что изменение электронной плотности в узлах данной подрешетки при сверхпроводящем фазовом переходе тем больше, чем меньше стандартная корреляционная длина для данной подрешетки;

- показано, что отсутствует согласие расчетных и экспериментальных зависимостей для узлов цепочечной меди, иттрия и лантана, но имеется удовлетворительное согласие расчетных и экспериментальных температурных зависимостей эффективной плотности сверхтекучих электронов для узлов плоскостной меди.

7.6. Заключение

Для металлоксидов меди (Ьа2.х8гхСи04, №2хСехСи04, УВа2Си307, УВа2Си408, У2Ва4Си7015, HgBa2Can.lCun02n+2, Т12Ва2Сап.1Сип02п+4 и В128г2Сап. 1Сип02п+4, где п = 1, 2, 3) с помощью мессбауэровского и" - центров 61Ъа установлены соотношения между изменением электронной плотности и стандартной корреляционной длиной: изменение электронной плотности в узлах данной подрешетки при сверхпроводящем фазовом переходе тем больше, чем меньше стандартная корреляционная длина для данной подрешетки. Показано, что в сверхпроводящей фазе для данной подрешетки существует минимально возможное значение стандартной корреляционной длины <^0т|П. Отсутствует согласие расчетных и экспериментальных зависимостей для узлов Си(1), У и Ьа, однако имеется удовлетворительное согласие расчетных и экспериментальных температурных зависимостей эффективной плотности сверхтекучих электронов для узлов Cu(2). Это согласие следует рассматривать, как указание на то, что процессы образования электронных пар и их бозе-конденсация в подрешетках, по которым осуществляется перенос сверхтекучих электронов, должны присутствовать в любой теории высокотемпературной сверхпроводимости.

Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn продемонстрировано, что необычное состояние центров олова Sn63+ может реализоваться в результате быстрого двухэлектронного обмена между ионам Sn62+ и Sn64+ (проявляется для твердых растворов Agi.ySni+ySe2, в структуре которых олово образует U" -центр, a Sn62+ и Sn64+, отвечают его нейтральному и двукратно ионизованному состоянию); последний механизм ответственен за необычайно высокие значения температуры перехода в сверхпроводящее состояние в AgiySni+ySe2. т\ тх

Методом мессбауэровской спектроскопии As( Ge) обнаружена пространственная неоднородность бозе-конденсата (изменение электронной плотности при переходе от нормального к сверхпроводящему состоянию оказывается большим для катионной подрешетки по сравнению с анионной подрешет-кой). Продемонстрирована корреляция между изменением электронной плот

-7-3 ности на ядрах Ge и температурой сверхпроводящего перехода для сплава (Pbo.4Sno.6)o.84lno.i6Te (Тс ~ 4 К) и соединения Nb3Al (Тс ~ 8,6 К) - поскольку стандартная корреляционная длина («размер» куперовской пары при Т —> 0К) для анизотропных сверхпроводников определяется как ~ Тс~', то указанная зависимость отражает зависимость изменения электронной плотности от стандартной корреляционной длины £,0.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Марченко, Алла Валентиновна, 2012 год

1. Anderson P.W. Model for electronic structure of amorphous semiconductors // Physical Review Letters. 1975. v. 34. № 15. pp. 953-955.

2. Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Physical Review Letters. 1975. v. 35. № 19. pp. 1293-1296.

3. Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Physical Review Letters 1976. v. 37, № 22, pp. 1504-1506.

4. Электронные явления в халъкогенидных стеклообразных полупроводниках. Под ред. Цэндина К.Д. СПб.: Наука. 1996. 485с.

5. Бордовский Г.А., Марченко А.В. Идентификация U центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мессбау-эровской спектроскопии. СПб. Наука. 2010. 279 е.;

6. Серегин П.П., Бордовский Г.А., Марченко А.В. Мессбауэровские U-минус центры в полупроводниках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применения. Academic Publishing GmbH & Co. 2011. 297 с.

7. Bordovsky G., Marchenko A., and Seregin P. Mossbauer of Negative Centers in Semiconductors and Superconductors. Identification, Properties, and Applicaton. Academic Publishing GmbH & Co. 2012. 499 pp.

8. Барыгин И.А., Цэндин К.Д. Температурная зависимость концентрации дырок в модели р-металла с U" центрами // Физика твердого тела. 2009. т. 51. № 1. с.28-32.

9. Tsendin K.D., Popov В.Р., Denisov D.V. Similarity in the superconducting properties of chalcogenides, cuprate oxides and füllendes // Physica C: Superconductivity and its Applications, v. 415. № 3. pp. 94-102 (2004).

10. Mitsen K.V., Ivanenko O.M. Possible nature of the pseudogap anomalies in HTSC // Journal of Experimental and Theoretical Physics. 2008. v. 107. № 6. p. 984989.

11. Mitsen K., Ivanenko O. Fermi arcs as a visible manifestation of pair level of negative-U centers // Physica C: Superconductivity and its Applications.2010. v. 470 (SUPPL.l). p. 993-999.

12. Максимов Е.Г., Долгов O.B. О возможных механизмах высокотемпературной сверхпроводимости // Успехи физических наук. 2007. т. 177. № 9. с. 983988.

13. Мищенко Ф.С. Электрон-фононное взаимодействие в недодопированных высокотемпературных сверхпроводниках // Успехи физических наук. 2009. т. 179. № 12. с. 1259-1280.

14. Гантмахер В.Ф., Долгополов В.Т. Квантовый переход сверхпроводник-изолятор // Успехи физических наук. 2010. т. 180. № I.e. 3-53.

15. Серегин П.П., Андреев A.A. Применение эффекта Мессбауэра в исследовании стеклообразных материалов (обзор). В кн.: Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов. 1998. М.: Мир. 399с.

16. Регель A.A., Серегин П.П. Исследование халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // Физика и химия стекла. 1981. т. 7. № 2. с. 154158.

17. Регель А.Р., Серегин П.П. Мессбауэровские исследования примесных атомов в полупроводниках (обзор) // Физика и техника полупроводников. 1984. т. 18. №7. с.1153-1172.

18. Насрединов Ф.С., Немов С.А., Мастеров В.Ф., Серегин П.П. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров олова с отрицательной корреля-ционой энергией в халькогенидах свинца (обзор) // Физика твердого тела. 1999. т. 41. № 11. с. 1897-1917.

19. Bardeen J., Cooper L.N., Schrieffer J.R. Microscopic Theory of Superconductivity // Physical Review. 1957. v. 106. pp. 162-164. Theory of Superconductivity // Physical Review. 1957. v. 108. p. 1175-1204.

20. Шриффер Дж. Теория сверхпроводимости. M. Наука. 1970.

21. Murad E., Cashion J. Mossbauer Spectroscopy of Environmental Materials and Their Industrial Utilization. Kluwer Academic. 2004.

22. Chen Y.-L., Yang D.-P. Mossbauer Effect in Lattice Dynamics. Wiley-VCH Verlag. 2007.

23. Bednorz J.G., Muller K.A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 system//Z.Phys.B. 1986. V. 64. № 1. p. 189-195.

24. Nagamatsu J., Nakagawa N., Muranaka T., Zenitani Y., Akimitsu J. Superconductivity at 39 K in magnesium diboride// Nature. 2001. v. 410. pp. 63-64.

25. Yoichi Kamihara, Takumi Watanabe, Masahiro Hirano, and Hideo Hosono. Iron-Based Layered Superconductor LaOixFx.FeAs (x= 0.05-0.12) with Tc = 26 K // Journal American Chemical Society. 2008. v. 130. № 11. pp. 3296-3297.

26. Hiroki Takahashi, Kazumi Igawa, Kazunobu Arii, Yoichi Kamihara, Masahiro Hirano, Hideo Hosono. Superconductivity at 43 K in an iron-based layered compound LaOixFxFeAs//Nature. 2008. v. 453. pp. 376-378.

27. Lingam, L.S., Shrivastava, K.N. Mossbauer second-order Doppler shift and the recoilless fraction of 119Sn in superconductors // Modern Physics Letters. 1996. v. B10, p.1491-1495.

28. Tegel M., Schellenberg I., Pottgen R., Johrendt D. A 57Fe Mossbauer spectroscopy study of the 7 K superconductor LaFePO // Zeitschrift fur Naturforschung -Section B Journal of Chemical Sciences. 2008. v. 63. № 9. pp. 1057-1061.

29. Nowik I., Felner I., Awana V.P.S., Vajpayee A., Kishan H. 57Fe Mossbauer spectroscopy and magnetic measurement studies of oxygen deficient LaFeAsO // Journal of Physics Condensed Matter. 2008. v. 20. № 29. art. no. 292201.

30. Luetkens H., Klauss H.-H., Kraken M., Litterst F.J., Dellmann T., Klingeler R., Hess C., Buchner B. The electronic phase diagram of the LaOixFxFeAs superconductor // Nature Materials. 2009. V. 8. № 4. pp. 305-309.

31. Prakash J., Singh S.J., Das D., Patnaik S., Ganguli A.K. New oxypnictidesuperconductors: PrOFei.xCoxAs // Journal of Solid State Chemistry. 2010. v. 183. pp.338-343.

32. Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Серегин П.П. Ядерное квадрупольное взаимодействие в высокотемпературных сверхпроводниках на основе метал-локсидов меди (обзор) // Физика твердого тела. 1995. т. 37. № 5. с.1265-1292.

33. Прокофева Л.В., Виноградова М.Н., Зарубо С.В. Легирующий эффект олова в твердых растворах Pbi.xSnxSe и Pb.xSnxS // Физика и техника полупроводников. 1980. т. 14. № 10. с. 2201-2204.

34. Прокофьева Л.В., Насрединов Ф.С., Никулин Ю.А., Серегин П.П. Наблюдение методом Мессбауэра перезарядки атомов олова в твердых растворах халькогенидов олова и свинца // Физика твердого тела. 1982. т. 24. № 6. с. 16301634.

35. Мастеров В.Ф., Насрединов Ф.С., Немов C.A., Серегин П.П. Идентификация одно- и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом мес-сбауэровской спектроскопии // Физика и техника полупроводников. 1996. т. 30. №5. с. 840-851.

36. Мастеров В,Ф., Насрединов Ф.С., Немов С.А., Серегин П.П. Двухэлектрон-ные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. Определение энергии Хаббарда // Физика и техника полупроводников. 1997. т. 31. №2. с. 291-295.

37. Немов С.А., Серегин П.П., Иркаев С.М., Серегин Н.П. Положение примесных атомов мышьяка в решетке РЬТе // Физика и техника полупроводников. 2003. т. 37. №3. с. 279-281.

38. Немов С.А., Кожанова Ю.В., Серегин П.П., Серегин Н.П., Шамшур Д.В. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (PbixSnx)i.zInzTe // Физика и техника полупроводников. 2003. т. 37. № 9. с. 10851086.

39. Seregin N.P., Nemov S.A., Stepanova T.R., Seregin P.P. Local symmetry and electronic structure of atoms in the Pbi.xSnxTe lattices in the gapless state // Semicond. Sei. Technol. 2003. v. 18. p. 334-336.

40. Кастро P.A., Немов С.А., Серегин П.П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Pb.xSnxS // Физика и техника полупроводников. 2006. т.40. № 8. с.927-929.

41. Бордовский Г.А., Кастро P.A. Состояние атомов железа и олова в стеклообразных полупроводниках Ge28 5Pi5S56 5 и Ge27P17Se56 // Физика и химия стекла. 2006. т. 32. №3. с. 431-437.

42. Хужакулов Э.С. Мессбауэровское исследование донорных центров европия в PbS // Физика и техника полупроводников. 2006. т. 40. № 1. с.38-40.

43. Пашкеев Д.А. , Селиванов Ю.Г., Felder F., Засавицкий И.И. Зависимость спектров фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pbi. xEuxTe от условий выращивания // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44(7). с. 891-896.

44. Садовников С.И., Кожевникова Н.С., Ремпель A.A. Структура и оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца // Физика и техника полупроводников. 2010. т. 44. № 10. с. 1394-1400.

45. Дарчук Л.А., Дарчук С.Д., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г. Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице РЬТе // Физика и техника полупроводников. 2007. т. 41. № 2. с. 144-148.

46. Прокофьева Л.В., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин А.А.Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe< Na+ Те> // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. № 9. с. 1195-1198.

47. Ахмедова Г.А., Багиева Г.З., Агаев З.Ф., Абдинов Д.Ш. О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов РЬТе // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. № 11. с. 14561459.

48. Прокофьева Л.В., Равич Ю.И., Пшенай-Северин Д.А., Константинов П.П., Шабалдин A.A. Легирование полупроводников AIVBVI и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний // Физика и техника полупроводников. 2010. т.44. №6. с.742-748.

49. Ахмедова Г.А., Абдинова Г.Дж., Абдинов Д.Ш. Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов РЬТе, легированных таллием // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 2. с. 149-151.

50. Немов С.А., Равич Ю.И., Корчагин В.И. Энергия примесных резонансных состояний в теллуриде свинца с различным содержанием примеси таллия. Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 6. с.740-742.

51. Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия в сплавах PbixSnxTe // Физика и техника полупроводников. 2006. т. 40. № 8. с. 922-926.

52. Кожанов А.Е., Никорич А.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Проводимость твердых растворов Pb.xSnxTe(In) в переменном электрическом поле // Физика и техника полупроводников. 2006. т. 40. № 9. с. 1047-1050.

53. Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb.xSnxTe под давлением. Физика и техника полупроводников. 2007. т. 41. №2. с.149-153.

54. Шамшур Д.В., Немов С.А., Парфеньев Р.В., Конончук М.С., Nizhankovskii V.I. Низкотемпературная проводимость и эффект Холла в полупроводниковых твердых растворах (PbzSni.z)0.84no.i6Te // Физика твердого тела. 2008. т. 50. №11. с.1948-1952.

55. Дембовский С.А., Чечеткина Е.Д. Стеклообразование. М. Наука. 1990. 278с.

56. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М. Мир. 1986. 558 с.

57. Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. М. Изд. Наука. 1984; Борисова З.У. Халъкогенидные полупроводниковые стекла. JI. Изд. ЛГУ. 1983.

58. Le Roux S., Jund P. Influence of the cooling rate on the glass transition temperature and the structural properties of glassy GeS2: An ab initio molecular dynamics study // Journal of Physics Condensed Matter. 2007. v. 19. № 19. art. № 196102.

59. Abdel-Aziz M.M. Effect of thallium on the crystallization kinetics of the chalcogenide glasses GeSe2 and GeSe4 // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2005. v. 79. №3.pp. 709-714.

60. Singh R., Tripathi S.K., Kumar S. Role of Pb additive in the density of localized states in a-Ge2oSe8o glassy alloy // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. v. 9. № 7. pp. 1974-1978.

61. Gunti S.R., Asokan S. Thermal and electrical switching studies on Ge2oSe8o-xBix (1 < x < 13) ternary chalcogenide glassy system // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 33-34. pp. 1637-1643.

62. Shaaban E.R., Tomsah I.B.I. The effect of Sb content on glass-forming ability, the thermal stability, and crystallization of Ge-Se chalcogenide glass // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2011. pp. 1-8.

63. El-Kabany N. Effect of tellurium addition on the optical and physical properties of germanium selenide glassy semiconductors // Vacuum. 2010. v. 85. № 1. pp. 5-9.

64. Moharram A.H., Abdel-Baset A.M. Structural correlations of Ge20Se80-xTex glasses based on reverse Monte Carlo simulation // Journal of Alloys and Compounds. 2010. v. 508. № 1. pp. 37-41.

65. Moharram A.H., Hefni M.A., Abdel-Baset A.M. Short and intermediate range order of Ge20Se80-xTex glasses // Journal of Applied Physics. 2010. v. 108. № 7. art. № 073505.

66. Lucas P., King E.A., Doraiswamy A. Comparison of photostructural changes induced by continuous and pulsed laser in chalcogenide glass // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2006. v. 8. № 2. pp. 776-779.

67. Moharram A.H., Abdel-Baset A.M. Reverse Monte Carlo simulation of

68. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozyukhin S., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H. Structural paradigm of Se-rich Ge-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Journal of Applied Physics. 2009. v. 105. № 10. art. № 103704.

69. Fayek S.A., Ibrahim M.M. Calorimetric studies on Ge(SeixSx)2 chalcogenide glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v. 12. № 2. pp. 370-374.

70. Zavadil J., Kostka P., Pedlikova J., Ivanova Z.G., Zdansky K. Investigation of Ge based chalcogenide glasses doped with Er, Pr and Ho // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. №44-49. pp. 2355-2359.

71. Zhu J., Dai S.-X., Wang X.-S., Shen X., Xu T.-F., Nie Q.-H. 2.9 цт luminescence properties of Pr3+/Ho3+ codoped Ge-Ga-Se glasses // Acta Physica Sinica. 2010. v. 59. № 8. pp. 5803-5807.

72. Zhang P.-J., Dai S.-X., Le F.-D., Peng B., Xu T.-F., Nie Q.-H., Zhang X.-H. Mid-infrared emission and multiphonon relaxation in Tm3+-doped Ge-Ga-Se glasses // Spectroscopy and Spectral Analysis. 2010. v. 30. № 6. pp. 1464-1468.

73. Zhu J., Dai S.-X., Peng B., Xu T.-F., Wang X.-S., Zhang X.-H. Mid-infrared emission properties of Ho3+-doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Journal of Inorganic Materials. 2010. v. 25. № 5. pp. 546-550.

74. Dai S.-X., Peng B., Le F.-D., Wang X.-S., Shen X., Xu T.-F., Nie Q.-H. Mid-infrared emission properties of Dy3+-doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Acta Physica Sinica. 2010. v. 59. № 5. pp. 3547-3553.

75. Cao Y., Dai S., Zhang P., Li Y. Mid-infrared luminescence properties of Yb3+/Ho3+ codoped Ge25Ga5S7o chalcogenide glasses // Journal of the Chinese Ceramic Society. 2010. v. 38. № 4. pp. 700-703.

76. Zhang P., Dai S., Peng B., Xu T., Nie Q., Zhang X., Wang X. Near- and mid-infrared spectroscopic properties of Tm -doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Chinese Journal of Lasers. 2010. v. 37. № 2. pp. 554-559.

77. Murthy C.N., Ganesan V., Asokan S. Electrical switching and topological thresholds in Ge-Te and Si-Te glasses // Applied Physics A: Materials Science and Processing. 2005. v. 81. № 5. pp. 939-942.

78. El-Kabany N. Compositional dependence of the optical properties of the amorphous GexTeix system // Physica B: Condensed Matter. 2008. v. 403. № 18. pp. 2949-2955.

79. Zhang S.N., Zhu T.J., Zhao X.B. Crystallization kinetics of Sii5Te85 and Se2oTe8o chalcogenide glasses // Physica B: Condensed Matter. 2008. v. 403. № 1920. pp. 3459-3463.

80. El-Korashy A., Bakry A., Abdel-Rahim M.A., Abd El-Sattar M. Annealing effects on some physical properties of Ge5Se25Te7o chalcogenide glasses // Physica B: Condensed Matter. 2007. v. 391. № 2. pp. 266-273.

81. Bhanu Prashanth S.B., Asokan S. Composition dependent electrical switching in GexSe35.xTe65 (18 < x < 25) glasses-the influence of network rigidity and thermal properties // Solid State Communications. 2008. v. 147. № 11-12. pp. 452-456.

82. Sharma P., Katyal S.C. Effect of tellurium addition on the physical properties of germanium selenide glassy semiconductors // Physica B: Condensed Matter. 2008. v. 403. № 19-20. pp. 3667-3671.

83. Hegab N.A., Afifi M.A., Atyia H.E., Farid A.S. ac conductivity and dielectric properties of amorphous Se8oTe2o-xGex chalcogenide glass film compositions // Journal of Alloys and Compounds. 2009. v. 477. № 1-2. pp. 925-930.

84. Zavadil J., Kostka P., Pedlikova J., Zdansky K., Kubliha M., Labas V., Kaluzny J. Electro-optical characterization of Ge-Se-Te glasses // Journal of Non-Crystalline Solids. 2009. v. 355. pp. 2083-2087.

85. Фекешгази И.В., Май KB., Мателешко Н.И., МицаВ.М., Боркач Е.И. Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As2S3 // Физика и техника полупроводников. 2005. т. 39. Вып. 8. с. 986-999.

86. Popescu M., Sava F., Lorinczi A. A new model for the structure of chalcogenide glasses: The closed cluster model // Journal of Non-Crystalline Solids. 2009. v. 355. pp. 1815-1819.

87. Abu-Sehly A. A. Kinetics of the glass transition in As22S78 chalcogenide glass: Activation energy and fragility index // Materials Chemistry and Physics. 2011. v. 125. №3. pp. 672-677.

88. Niu Y.-F., Guin J.-P., Abdelouas A., Rouxel Т., Troles, J. Durability of an As2S3 chalcogenide glass: Optical properties and dissolution kinetics // Journal of Non-Crystalline Solids. 2011. v. 357. № 3. pp. 932-938.

89. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Riley B.J., Sundaram S.K., McCloy J.S. Radiation effects in physical aging of binary As-S and As-Se glasses // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2011. v. 103. № 1. pp. 213-218.

90. Iovu M., Andriesh A., Culeac, I. Fluorescence properties of As2S3 glass doped with rare-earth elements // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. v. 7. №5. pp. 2323-2331.

91. Petkov K., Todorov R., Kind M., Tichy L. Effect of thallium on the optical properties and structure of As-S-TI films // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. v. 7. № 5. pp. 2587-2594.

92. Babaev A.A., Kamilov I.K., Sultanov S.B., Askhabov A.M., Khokhlachev P.P. Anomalous conductivity in Au-doped chalcogenide glassy semiconductors // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. v. 7. № 4. pp. 2013-2016.

93. Petrovic V., Stojanovic N., Slankamenac M.P., Lukic S.R. Amplifying characteristics Er-doped chalcogenide glass As-S-Ge // Hemijska Industrija. 2010. v. 64. № 3. pp. 183-186.

94. Kozyukhin S., Golovchak R., Kovalskiy A., Shpotyuk O., JainH. Valence band structure of binary chalcogenide vitreous semiconductors by high-resolution XPS // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 4. с.433-436.

95. Prasad N., Furniss D., Rowe H.L., Miller C.A., Gregory D.H., Seddon A.B. First time microwave synthesis of As40Se60 chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 41-42. pp. 2134-2145.

96. Golovchak R., Kozdras A., Shpotyuk O. Optical signature of structural relaxation in glassy Asl0Se90 // Journal ofNon-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 2324. pp. 1149-1152.

97. Trunov M.L., Lytvyn P.M., Nagy P.M., Dyachyns'Ka O.M. Real-time atomic force microscopy imaging of photoinduced surface deformation in Asx Se 100-x chalcogenide films // Applied Physics Letters. 2010. v. 96. № 11. art. № 111908.

98. КорневаИ.П., Синявский Н.Я., OstafinM., Nogaj В. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2006. т.40. № 9. с. 1120-1122.

99. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Vlek M., Bureau В., Kovalskiy A., Jain H. Long-term physical ageing in As-Se glasses with short chalcogen chains // Journal of Physics Condensed Matter. 2008. v. 20. № 24. art. № 245101.

100. Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A. On the reversibility window in binary As-Se glasses // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. 2007. v. 370. № 5-6. pp. 504-508.

101. Kozyukhin, S.A., Kupriyanova, T.A., Vargunin, A.I. Molecular structure of Asx Seioo-x glasses studied by x-ray spectroscopy // Inorganic Materials. 2007. v. 43. № 8. pp. 897-900.

102. Golovchak R., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H., Shpotyuk O. Structure of Serich As-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Physical Review В Condensed Matter and Materials Physics. 2007. v. 76. № 12. art. № 125208.

103. Кастро P.A., Бордовский B.A., Грабко Г.И. Исследование процессов переноса и накопления заряда в слоях As2Se3, полученных разными методами // Физика и химия стекла. 2009. т. 35. № 1. с. 54-57.

104. Бордовский Г.А., Кастро Р.А. Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3 // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. 2002. № 2 (4). с. 17-22.

105. Castro R.A., Bordovsky G.A., Bordovsky V.A., Anisimova N.I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. v. 352. № 9-20. pp. 1560-1562.

106. Кастро P.A., Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Грабко Г.И. Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3(Bi)x // Физика твердого тела.2009. т. 51. №6. с. 1062-1064.

107. Iovu M.S., Kamitsos E.I., Varsamis C.P.E., Boolchand P., Popescu M. Raman spectra of AsxSeioo-x glasses doped with metals // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. v. 7 . № 3. pp. 1217-1221.

108. Кастро P.А., Грабко Г.И. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As2Se3)i.xBix // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. № 5. с.622-624.

109. Анисимова Н.И., Бордовский В.А., Грабко Г.И., Кастро Р.А. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом // Физика и техника полупроводников.2010. т. 44. №8. с.1038-1041.

110. Trnovcova V., Furar I. Physical properties of vitreous As2Se3 doped with lead // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v. 12. № 10. pp. 2092-2096.

111. Kozmidis-Petrovic A.F., Lukic S.R., Strbac G.R. Calculation of non-isothermal crystallization parameters for the Cul5(As2Se3)85 metal-chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. pp. 2151-2155.

112. Chen G., Jain H., Vlcek M., Ganjoo A. Photoinduced volume change in arsenic chalcogenides by band-gap light // Physical Review В Condensed Matter and Materials Physics. 2006. v. 74. № 17. art. no. 174203.

113. Тверьянович А.С., Борисов Е.Н., Волобуева О., Мамедов С.Б., Михайлов М.Д. Фотоиндуцированное просветление стеклообразных пленок Ga-Ge-S(Se) // Физика и химия стекла. 2006. т. 32. № 6. с. 930-935.

114. Shpotyuk O.I., Golovchak R.Ya., Jain H., Kozdras A. Radiation-induced physical ageing of the structure of an arsenic-selenide glass // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2007. v. 68. № 5-6. pp. 901-905.

115. Yang G., Jain H., Ganjoo A., Zhao D., Xu Y., Zeng H., Chen G. A photo-stable chalcogenide glass // Optics Express. 2008. v. 16. № 14. pp. 10565-10571.

116. Márquez E., Jiménez-Garay R., González-Leal J.M. Light-induced changes in the structure and optical dispersion and absorption of amorphous As4oS2oSe4o thin films // Materials Chemistry and Physics. 2009. v. 115. № 2-3. pp. 751-756.

117. Focsa C., Nemec P., Ziskind M., Ursu C., Gurlui S., Nazabal V. Laser ablation of AsxSe10o-x chalcogenide glasses: Plume investigations // Applied Surface Science. 2009. v. 255. № 10. pp. 5307-5311.

118. Petkov K., Vlaeva I., Tasseva J., Yovcheva T., Sainov S. Optical and holographic characteristic of As-S-Se thin films // AIP Conference Proceedings. 2010. v. 1203. pp. 650-655.

119. Delaizir G., Dussauze M., Nazabal V., Lecante P., Dollé M., Rozier P., Kamitsos E.I., Bureau B. Structural characterizations of As-Se-Te glasses // Journal of Alloys and Compounds. 2011. v. 509. № 3. pp. 831-836.

120. Petrovic V., Stojanovic N., Slankamenac M.P., Lukic S.R. Amplifying characteristics Er-doped chalcogenide glass As-S-Ge // Hemijska Industry a. 2010. v. 64. № 3. pp. 183-186.

121. Spurny M., O'Faolain L., Bulla D.A.P., Luther-Davies B., Krauss T.F. Fabrication of low loss dispersion engineered chalcogenide photonic crystals Ge33Asi2Se55 // Optics Express. 2011. v. 19. №3.pp. 1991-1996.

122. Benea V., Iovu M., Colomeico E., Iovu M., Cojocaru I., Shpotyuk O.Optical properties of GexAsxSei.2x glasses // Proceedings of SPIE. The International Society for Optical Engineering. 2010. v. 7821. art. № 782109.

123. Sen S., Gjersing E.L., Aitken B.G. Physical properties of GexAs2xTe.0o 3x glasses and Raman spectroscopic analysis of their short-range structure // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356. № 41-42. pp. 2083-2088.

124. Gai X., Madden S., Choi D.-Y., Bulla D., Luther-Davies B. Dispersion engineered Gel 1.5As24Se64.5 nanowires with a nonlinear parameter of 136W-lm-l at 1550 nm//Optics Express. 2010. v. 18. № 18. pp. 18866-18874.

125. Легин A.B., Байдаков Л.А., Озерной М.И., Власов Ю.Г., Школьников Е.В. Исследование состава пленок CuI-As2Se3 и CuI-PbI2-As2Se3 методом рентгеновской флуоресценции // Физика и химия стекла. 2002. т. 28. № 2. с. 117-122.

126. КорневаИ.П., Синявский Н.Я., OstafinM., Nogaj В. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2006. т. 40. № 9. с. 1120-1122.

127. Zink B. L., Islam R., Smith David J., Hellman F. Excess modes and enhanced scattering in rare-earth-doped amorphous silicon thin films // Physical Review B. 2006. v. 74. art. № 205209.

128. Prucnal S., Sun J. M., Skorupa W., Helmb M. Switchable two-color electroluminescence based on a Si metal-oxide-semiconductor structure doped with Eu // Applied Physics Letters. 2007. v. 90. 181121.

129. Kamiura Y., Ishiyama Т., Yoneyama S., Fukui Y., Inoue K., Yamashita Y. Observation of photo- and electro-luminescence at 1.54(im of Er in strained Si and SiGe // Materials Science and Engineering B. 2008. v. 146. p. 135-140.

130. Figueira D.S. L., Frateschia N.C. Evidences of the simultaneous presence of bow-tie and diamond scars in rare-earth doped amorphous silicon microstadium resonators // Journal of Applied Physics. 2008. v. 103. art. № 063106.

131. Tuccia M., Serenelli L., Salzaa E., Pirozzia L., Cesareb G. De, Caputob D., Cec-carelli M. Bragg reflector and laser fired back contact in a-Si:H/c-Si heterostructure solar cell // Materials Science and Engineering B. 2009. v. 159-160. pp. 48-52.

132. Minissale S., Vinh N. Q., van der Meer A. F. G., Bresler M. S., Gregorkiewicz T. Terahertz electromagnetic transitions observed within the 4/15X2 ground multiplet of Er3+ ions in Si // Physical Review B. 2009. v. 79. art. № 115324.

133. Bagraev N.T. Field-dependent negative-U properties for zinc-related centre in silicon // Solid State Commun. 1995. v. 95. pp. 365-371.

134. Кастро Р.А. Исследование состояния примесных атомов железа и олова в стеклообразных Ge28.5Pbi5S56.5 и Ge27Pbi7Se56 // Известия Российского государственного педагогического университета имени А.И.Герцена. 2006. № 6(15). с. 43-52.

135. Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Насрединов Ф.С. Природа структурных перестроений стекол Gei.x„ySnyTex // Известия РГПУ им. А.И. Герцена. Естественные и точные науки 2006. № 6 (15). с. 52-58.

136. Abdel-Wahab F. Observation of phase separation in some SeTeSn chalco-genide glasses // Physica B: Condensed Matter. 2011. v. 406 (5). pp. 1053-1059.

137. Sharma A., Mehta N., Kumar A. Dependence of activation energy and pre-exponential factor on audio frequency in glassy Se8o-xTe2oSnx alloys // Journal of Alloys and Compounds. 2011. v. 509. № 8. pp. 3468-3472.

138. Kumar S., Singh K. Dielectric relaxation in Se80-xTe2oSnx chalcogenide glasses // Journal of Materials Science. 2011. pp. 1-8

139. Al-Bati S.N., Lafi O.A., Imran M.M.A., Shaderma M.M. Electrical studies on bulk Se96Sn4 semiconducting glass before and after gamma irradiation // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2010. v. 71. № 11. pp. 1534-1539.

140. Sharma J., Kumar S. Composition dependent of dielectric properties in SelOO-xSn x glassy alloys // Journal of Alloys and Compounds. 2010. v. 506. № 2. pp. 710714.

141. Shaheen A.A., Imran M.A., Lafi O.A., Awadallah M.I., Abdullah M.K. Optical properties of a-Se90Inl0-x Snx chalcogenide thin films before and after gamma irradiation // Radiation Physics and Chemistry. 2010. v. 79. № 9. pp. 923-928

142. Al-Ewaisi M.A., Imran M.M.A., Lafi O.A., Kloub M.W. Effect of gamma irradiation on some electrical properties and optical band gap of bulk Se92Sn8 chalcogenide glass // Physica B: Condensed Matter. 2010. v. 405. № 12. pp. 2643-2647.

143. Chander R., Thangaraj R. Thermal and optical analysis of Te-substituted Sn-Sb-Se chalcogenide semiconductors // Applied Physics A: Materials Science and Processing . 2010 . v. 99. № 1. pp. 181-187.

144. Lafi O.A., Imran M.M.A. The effect of gamma irradiation on glass transition temperature and thermal stability of Se96Sn4 chalcogenide glass // Radiation Physics and Chemistry. 2010. v. 79. № 1. pp. 104-108.

145. Skordeva E., Pamukchieva V., Arsova D., Lippens P.-E., Womes M., Jumas J.-C., Guimon M.-F., Gonbeau D. Mossbauer and XPS structural study of (Ge, Sn)-As-S glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. v. 9. № 8. pp. 2516-2520.

146. Boolchand P., Chen P., Jin M., Goodman В., Bresser W.J. 129I and 119Sn Moss-bauer spectroscopy, reversibility window and nanoscale phase separation in binary GexSei.x glasses // Physica B: Condensed Matter. 2007. v. 389. № 1. pp. 18-28.

147. Беднорц И. Г., Мюллер К. А. Оксиды перовскитного типа — новый подход к высокотемпературной сверхпроводимости (Нобелевские лекции по физике, 1987г.) // Успехи физических наук. 1988. т. 156. № 2. с. 323-346.

148. Садовский M.B. Высокотемпературная сверхпроводимость в слоистых соединениях на основе железа // Успехи физических наук. 2008. т. 178. № 12. с. 1243-1272.

149. Ивановский A.JI. Новые высокотемпературные сверхпроводники на основе оксиарсенидов редкоземельных и переходных металлов и родственных фаз: синтез, свойства и моделирование // Успехи физических наук. 2008. т. 178. № 12. с. 1273-1306.

150. Изюмов Ю.А. , Курмаев Э.З. Новый класс высокотемпературных сверхпроводников в FeAs-системах // Успехи физических наук. 2008. т. 178. № 12. с. 1307-1334.

151. Аскерзаде И.Н. Исследование слоистых сверхпроводников в рамках теории с электрон-фононным механизмом спаривания // Успехи физических наук. 2009. т. 179. № ю. с. 1033-1045.

152. Каширина Н.И., Лахно В.Д. Биполярон большого радиуса и взаимодействие поляронов // Успехи физических наук. 2010. т. 180. № 5. с.449-473.

153. Devreese J.T. and Alexandrov A.S. Frohlich polaron and bipolaron: recent developments // Rep. Prog. Phys. 2009. v. 72. Art № 066501.

154. Hardy Т. M., Hague P., Samson J. H., Alexandrov A. S. Superconductivity in a Hubbard-Frohlich model and in cuprates // Physical Review B. 2009. v. 79. Art № 212501.

155. Alexandrov A. S., Beanland J. Superconducting Gap, Normal State Pseudogap, and Tunneling Spectra of Bosonic and Cuprate Superconductors // Physical Review Letters. 2010. v. 104. Art № 026401.

156. Seregin N.P., Masterov V.F., Nasredinov F.S., Saidov Ch.S., Seregin P.P. Parameters of the electric field gradient tensor determined by 57Co(57mFe) andf\ 7 f\l

157. Shaked H., Keane P. M., Rodriguez J. C., Owen F. F., Hitterman R. L., Jorgensen J. D. Crystal Structures of the High-Tc Superconducting Copper-Oxides. Elsevier Science. Amsterdam, 1994.

158. Asayama, K., Kitaoka, Y., Zheng, G.-Q., Ishida, K., Magishi, K. NMR study of high-TC superconductors // Physica B: Condensed Matter. 1996. v. 223-224. № 1-4. pp. 478-483.

159. Драбкин И.А., Мойжес Б .Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния // Физика и техника полупроводников (Обзор). 1981. т. 15. № 4. с.625-648.

160. Viscor P., Vedde J. Electrical impedance spectroscopy of silicon surface states // Surface Science. 1993. v. 287-288 (PART 1). pp. 510-513.

161. Fearn M., Jefferson J.H., Pettifor D.G. Atomistic study of boron-doped silicon // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1996. v. 408. pp. 551-556.

162. Markevich V.P., Murin L.I., Sekiguchi Т., Suezawa M. Emission and capture kinetics for a hydrogen-related negative-U center in silicon: Evidence for metastable neutral charge state. Materials Science Forum. 1997. v. 258-263 (PART 1). pp. 217222.

163. Harrison W.A. Diffusion and carrier recombination by interstitials in silicon. Physical Review В Condensed Matter and Materials Physics. 1998. v. 57. № 16. pp. 9727-9735.

164. Andersen O., Peaker A.R., Dobaczewski L., Nielsen K.B., Hourahine B., Jones R., Briddon P.R., Oberg S. Electrical activity of carbon-hydrogen centers in Si // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 2002. v. 66. № 23. art. № 235205.

165. Vainonen-Ahlgren E., Ahlgren T., Likonen J., Lehto S., Keinonen J., Li, W., Haapamaa J. dentification of vacancy charge states in diffusion of arsenic in germanium // Applied Physics Letters. 2000. v. 77. № 5. pp. 690-692.

166. Hemmingsson C.G., Son N.T., Ellison A., Zhang J., Janzen E. Negative-U centers in 4H silicon carbide // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1998. v. 58. № 16. pp. R10119-R10122.

167. Hemmingsson C.G., Son N.T., Janzen E. Observation of negative-U centers in 6H silicon carbide // Applied Physics Letters. 1999. v. 74 (6). pp. 839-841.

168. Pensl G., Frank T., Krieger M., Laube M., Reshanov S., Schmid F., Weidner M. Implantation-induced defects in silicon carbide // Physica B: Condensed Matter. 2003. v. 340-342. pp. 121-127.

169. Weidner M., Pensl G., Nagasawa H., Schöner A., Ohshima T. Negative-U-centers in 4H- and 6H-SiC detected by spectral light excitation // Materials Science Forum. 2004. v. 457-460. pp. 485-488.

170. Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O. Structure and vibrational spectra of carbon clusters in SiC // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 2004. v. 70. №23. pp. 1-15.

171. Li M.F., Jia Y.B., Yu P.Y., Zhou J., Gao J.L. Negative-U property of the DX center in AlxGa,.xAs:Si // Physical Review B. 1989. v. 40. № 2. pp. 1430-1433.

172. Alt H.Ch. Experimental evidence for a negative-U center in gallium arsenide related to oxygen // Physical Review Letters. 1990. v. 65. № 27. pp. 3421-3424.

173. Neild S.T., Skowronski M., Lagowski J. Signature of the gallium-oxygen-gallium defect in GaAs by deep level transient spectroscopy measurements // Applied Physics Letters. 1991. v. 58. № 8. pp. 859-861.

174. Alatalo M., Nieminen R.M., Puska M.J., Seitsonen A.P., Virkkunen R.Phospho-rus vacancy in InP: A negative-U center // Physical Review B. 1993. v. 47. № 11. pp. 6381-6384.

175. Bosin Andrea, Fiorentini Vincenzo, Vanderbilt David. Hydrogen, acceptors, and H-acceptor complexes in GaN // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1996. v. 395. pp. 503-508.

176. Schmidt T.M., Fazzio A., Caldas M.J. Germanium negative-U center in GaAs // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1996. v. 53. № 3. pp. 1315-1321.

177. Taguchi A., Kageshima H. Atomic configuration of oxygen negative-U center in GaAs // Materials Science Forum. 1997. v. 258-263 (Part 2). pp. 873-878.

178. Taguchi A., Kageshima H. First-principles investigation of the oxygen negative-U center in GaAs // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics.1998. v. 57. № 12. pp. R6779-R6782.

179. Wang C., Zhang Q.-M. Amphoteric charge states and diffusion barriers of hydrogen in GaAs // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics.1999. v. 59. № 7. pp. 4864-4868.

180. Orellana W., Ferraz A.C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs // Applied Physics Letters. 2001. v. 78. № 9. pp. 1231-1233.

181. Gil B., Morel A., Taliercio T., Lefebvre P., Foxon C.T., Harrison I., Winser A.J., Novikov S.V. Carrier relaxation dynamics for As defects in GaN // Applied Physics Letters. 2001. v. 79. № 1. pp. 69-71.

182. Gitlin D., Karp J., Moyzhes B. Dangling bonds with "negative Hubbard U": Physical model for degradation of Si02 gate dielectric under voltage stress // Journal of Applied Physics. 2002. v. 92. № 12. pp. 7257-7260.

183. Karp J., Gitlin D., Jeong S., Moyzhes B. Understanding degradation and breakdown of Si02 gate dielectric with "negative Hubbard U" dangling bonds // Journal of Applied Physics. 2004. v. 95. № 5. pp. 2490-2494.

184. Moyzhes B., Geballe T.H., Jeong S., Gitlin D., Karp J. Current through Si02 gate oxide and its low frequency fluctuations: Trapping on charged dangling bonds with negative Hubbard U.//Journal of Applied Physics. 2005. v.97. № 7. art. № 074104.

185. Lee E.-C., Ju H. Mutual deactivation of electrically active F interstitials and O vacancies into fluorine-oxygen-vacancy complexes in Si02 // Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. 2009. v. 79. № 19. art. № 193203.

186. Babentsov Y., Franc J., Elhadidy H., Fauler A., Fiederle M., James R.B. Dependence of the Sn0/2+ charge state on the Fermi level in semi-insulating CdTe // Journal of Materials Research. 2007. v. 22. № 11. pp. 3249-3254.

187. Мотт H. Электроны в неупорядоченных структурах. М.Мир, 1969.

188. Губанов А. И. Квантовоэлектронная теория аморфных проводников. М. Л. Изд. АН СССР, 1963.

189. Cohen М.Н. Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys// Phys. Rev. Lett. 1969. v. 22. pp.1065-1069.

190. Блинов Л.Н. ЭПР спектроскопия халькогенидных стекол // Физика и химия стекла. 2003. т. 29. № 3. с. 203-223.

191. Лосев Н. Ф., Смагунова А. Н., Основы рентгеноспектрального флуоресцентного анализа. М., 1982; Рентгенофлуоресцентный анализ. Ред. Лосева Н.Ф. Новосибирск. 1991.

192. Публикации по теме диссертационной работы1. Монографии:

193. Статьи в журналах из списка ВАК:

194. Марченко A.B. Влияние разупорядочения электронной подсистемы на распределение электронной плотности в металлоксидах меди, изученное методом мессбауэровской спектроскопии // Физика и химия стекла. 2007. т. 33. Вып. 2. С. 229 234. (0.2п.л.)

195. Теруков Е.И., Марченко A.B., Серегин П.П. Наблюдение эффекта Мес-сбауэра на примесных атомах олова в жидком галлии // Письма в Журнал технической физики. 2007. т. 33. Вып. 20. с. 50-56. (0.3п.л./0.2п.л.)

196. Бордовский Г.А., Кастро P.A., Марченко A.B., Немов С.А., Серегин П.П. Термическая и радиационная устойчивость валентных состояний олова в структуре полупроводниковых стекол стекол (As2Se3)i.z(SnSe)z.x(GeSe)x //

197. Немов С.А., Марченко A.B., Серегин П.П. Степень окисления диспрозия в алюмосиликатных и фторалюминатных стеклах // Физика и химия стекла. 2008. т. 34. Вып. 3. с. 443-446. (0.2п.л./0.1п.л.)

198. Немов С.А., Марченко A.B., Серегин П.П. О локальной структуре центров Gd3+ в стеклах (BaGe03)ix.y(Al203)x(0.45CaF2.0.55MgF2)y // Физика и химия стекла. 2008. т. 34. Вып. 3. с. 447-450. (0.2п.л./0.1п.л.)

199. Бордовский Г.А., Немов С.А., Марченко A.B., Серегин П.П., Зайцева A.B. Мессбауэровские U" центры как инструмент исследования бозе-кондесации в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 2008. т. 42. вып. 10. с. 1172-1179. (0.4п.л./0.3п.л.)

200. Марченко A.B. Фононные спектры селена и галлия, диспергированные в пористом стекле // Физика и химия стекла. 2008. Т. 34. № 3. С. 336-342. (0.2п.л.)

201. Немов C.A., Марченко A.B., Серегин П.П. Параметры люминесценции и локальная структура центров Еи3+ во фторгерманатных стеклах // Физика и химия стекла. 2008. т. 34. Вып. 1. с. 61-65. (0.2п.л./0.1п.л.)

202. Бордовский Г.А., Марченко A.B., Серегин П.П., Смирнова H.H., Теруков Е.И. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методомрентгенофлуоресцентного анализа // Физика и техника полупроводников.2010. т. 44. Вып. 1. с. 26-29. (0.2п.л./0.1п.л.)

203. Бордовский Г.А., Дашина А.Ю., Марченко A.B., Серегин П.П., Теруков Е.И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка // Физика и техника полупроводников. 2011. т. 45. Вып. 6. с. 801-805. (0.2п.л./0.1п.л.)

204. Бордовский Г.А., Гладких П.В., Кожокарь М.Ю., Марченко A.B., Серегин П.П., Теруков Е.И. Примесные центры олова в стеклообразных халь-когенидах германия // Физика и техники полупроводников. 2011. т. 45. Вып. 10. с. 1399-1404. (0.2п.л./0.1п.л.)

205. Bordovsky G.A., Marchenko A.V., Rabchanova T.Yu., Seregin P.P., Teru-kov E.I., Ali H.M. Study of platinum impurity atom state in vitreous arsenic selenide // Физика и техника полупроводников. 2012. т. 46. Вып. 7. с. 901-904. (0.15п.л./0.1п.дл.)

206. Бордовский Г.А., Марченко A.B., Мездрогина М.М.,Серегин П.П., Да-шина А.Ю.Примесные центры редкоземельных металлов в a-Si(H) // Физика и химия стекла. 2012. т. 38. Вып. 2. с. 259-267. (0.4п.л./0.3п.л.)

207. Доклады и тезисы докладов на конференциях:

208. Marchenko A.V., Seregin P.P. Experimental observation of Bose condensation in superconductors // Актуальные проблемы современного естествознания. Материалы 3-й Международной конференции ИНТЕРНАС'2007. Калуга.2007. с.225-229. (0.2п.л./0.1п.л.)

209. Марченко A.B. Бозе-конденсация в металлоксидах меди. Физика диэлектриков. Материалы XI Международной конференции. СПб. 2008. т.1. с.72-75. (0.1п.л.)

210. Marchenko A., Kozhokar М., Seregin P. Impurity Centers of Tin in Glassy Arsenic Chalcogenides // Сборник трудов VIII международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб. 2012. с. 231-232. (0.15п.л./0.1п.л.)

211. Разделы в коллективной монографии: