Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Турищев, Сергей Юрьевич

• Турищев, Сергей Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Турищев, Сергей Юрьевич

Введение.

ГЛАВА 1. Электронное строение и свойства полупроводников с наноразмерными структурами.

1.1. Получение, структура, электронное строение и свойства пористых полупроводниковых структур (пористый кремний, пористые А3 В5).

1.2. Получение, структура и свойства полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на 81 и А В.

1.3. Теоретические основы метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.

1.4. Выводы.

ГЛАВА 2. Методика получения образцов. Методика получения ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров, спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения.

2.1. Технология получения пористых кремния и пористых фосфидов, а также их характеристики.

2.2. Характеристики гетероструктур с квантовыми точками.

2.3. Методика получения рентгеновских эмиссионных спектров.

2.4. Методика получения спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения.

2.5. Методика фазового компьютерного анализа по эмиссионным рентгеновским спектрам.

ГЛАВА 3. Электронно-энергетическая структура пористых кремния и фосфидов типа А3В5.

3.1. Особенности энергетического спектра валентных электронов в пористом кремнии.

3.2. Особенности энергетического спектра свободных состояний вблизи дна зоны проводимости пористого кремния.

3.3. Модель фотолюминесценции пористого кремния на основе сопоставления данных УМРЭС и БТСРП в единой энергетической шкале.

3.4. Особенности энергетического спектра валентных электронов в пористых фосфидах.

3.5. Особенности энергетического спектра свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в пористых фосфидах типа А3В5.

ГЛАВА 4. Электронно-энергетическая строение гетероструктур с квантовыми точками.

4.1. Локальная плотность свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в гетероструктурах с квантовыми точками на основе кремния.

4.2. Локальная плотность свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в гетероструктурах с квантовыми точками на основе фосфидов типа А3В5.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5»

Актуальность работы:

Материалы, содержащие наноразмерные структуры, привлекают серьёзное внимание в силу своих уникальных физических свойств. Такие объекты должны характеризоваться квазиатомной энергетической структурой валентных электронных состояний с вытекающими из этого особыми оптическими и электрофизическими свойствами, высокой адсорбционной способностью и химической активностью. Однако, основные закономерности изменения электронного спектра и других физических свойств при переходе к наноразмерным объектам до сих пор детально не исследованы. Специфические особенности взаимодействия между нанокластерами и материалом окружающей их матрицы, которая используется для пассивации этих кластеров и для стабилизации их свойств во времени, также не изучены.

Наибольшее внимание в последнее время привлекают квантово-размерные структуры 81, Се и А3В5. Особенно перспективным оказалось образование самоорганизующихся низкоразмерных полупроводниковых структур на монокристаллах и А3В5 из-за возможности получения пространственного (ЗЭ) ограничения электронов в однородных и устойчивых (без дислокаций) кластерах. В отличии от наноразмерных гетероструктур, образованных при помощи комплекса фотолитографических процедур, самоорганизующиеся гетероструктуры, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и МОС-гидридной (газофазной эпитаксии из металло-органических соединений) характеризуются высокой плотностью состояний из-за трёхмерного квантования, атомоподобной структурой электронно-энергетических уровней в валентной зоне и зоне проводимости и высокой эффективностью излучения из-за малой плотности дефектов.

С другой стороны, пористые структуры на и А3В5, сформированные при помощи достаточно простого электрохимического метода, могут быть использованы как наноразмерные структуры типа квантовых нитей с высокой эффективностью фотолюминесценции, а также для согласования слоев с различными параметрами решётки.

Перечисленные выше перспективные материалы представляют достаточно сложные объекты для исследований. Их структура и свойства находятся в сильной зависимости от технологии получения. Поэтому представляет интерес изучение их электронного строения в зависимости от условий формирования и полученных размерных параметров. Для анализа влияния размерного фактора на свойства исследуемых материалов, интерес представляют методы, позволяющие получать данные о взаимосвязи локальной атомной структуры и энергетического спектра электронов.

Цель работы: Экспериментальное обнаружение закономерностей формирования энергетического спектра электронов в валентной зоне и зоне проводимости в наноразмерных структурах на монокристаллических подложках кремния и соединений типа А3В5.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются: 1. Получение данных об особенностях строения валентной зоны и зоны проводимости в нанопористых полупроводниках методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (эмиссия и поглощение), в том числе с использованием синхротронного излучения;

2. Установление влияния размерного фактора и фазового состава на структуру энергетических зон пористых полупроводников;

3. Построение модели фотолюминесценции пористого кремния;

4. Установление особенностей энергетического спектра квантово - размерных

Л г структур, выращенных на подложках кремния и фосфидов типа А В . Объекты и методы исследования. Исследовались образцы пористого кремния, полученные методом электрохимического травления при постоянной плотности тока с различными временами травления подложки, и образцы пористых

3 г фосфидов типа А В , полученные методом электрохимического травления в режиме импульсной подачи напряжения в различных электролитах. Также исследовались образцы, содержащие квантовые точки 811хСех в матрице и квантовые точки 1пР в матрице Ino.5Gao.5P, полученные методами сублимационной молекулярно - лучевой эпитаксии и газофазной эпитаксии из металлорганических соединений соответственно.

Для получения данных об электронно-энергетическом спектре валентной зоны и зоны проводимости использовались методы ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (БТСРП) с использованием синхротронного излучения.

Научная новизна работы определяется тем, что: впервые получены экспериментальные данные о характере энергетического распределения электронных состояний в валентной зоне и зоне проводимости пористых полупроводников и наноструктур с квантовыми точками на кремнии и арсениде галлия.

При этом установлено, что уменьшение среднего размера нанокристаллических столбиков (ne-Si) в пористом кремнии приводит к сдвигу дна зоны проводимости и увеличивает ширину запрещённой зоны в результате квантово - размерного эффекта. Поверхность сформированных наноразмерных столбиков покрыта аморфным слоем.

Увеличение числа монослоёв, формирующих квантовые точки может приводить к сдвигу энергетических состояний в зоне проводимости закрывающего слоя и к изменению характера более возбуждённых состояний. Практическая значение результатов работы определяется возможностью использования полученных закономерностей для отработки технологий формирования пористых полупроводников с высоким квантовым выходом фотолюминесценции, а также при разработке технологических направлений по созданию квантово - размерных структур. На защиту выносятся следующие положения:

1. При формировании нанопористого кремния, обладающего видимой фотолюминесценцией, поверхность нанокристаллических столбиков в результате переосаждения покрывается аморфным слоем, в котором образуется субоксид;

2. При увеличении пористости кремния, то есть уменьшении размеров нанокристаллических столбиков, происходит увеличение ширины запрещённой зоны вследствие смещения положения дна зоны проводимости в результате квантово-размерного эффекта;

3 5

3. В результате формирования пористых фосфидов типа А В происходит разупорядочение структуры поверхностных слоев, что сопровождается появлением у дна зоны проводимости состояний, обусловленных наноразмерными структурными элементами типа кластеров или квазимолекул;

4. Особенности строения энергетического спектра квантовых точек, выращенных на подложках кремния и А3В5, проявляются даже на поверхности закрывающих нанослоёв в виде сдвигов дна зоны проводимости и перестройки более возбуждённых состояний.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследований выполнены д.ф.-м.н., профессором Тереховым В.А. Образцы пористого кремния получены лично автором совместно с доцентом Кашкаровым В.М. Впервые, с использованием синхротронного излучения, лично автором и доцентом Кашкаровым В.М. получены спектры БТСРП всех объектов исследования. Эмиссионные Ь2,з спектры кремния и фосфидов получены лично автором. Автором произведены расчеты всех экспериментальных РЭС и спектров БТСРП, их сопоставление в единой энергетической шкале, а обсуждение их проведено совместно с д.ф.-м.н., профессором Тереховым, д.ф.-м.н., профессором Домашевской Э.П. и к.ф.-м.н., доцентом Кашкаровым В.М. Основные результаты и выводы получены лично автором.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на XVI - XVIII научных школах - семинарах «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Ижевск, Екатеринбург, Воронеж, 1998, 1999, 2000 г.), I всероссийской конференции «Химия поверхности и нанотехнология» (Санкт-Петербург, 1999 г., 2002 г.), I и III всероссийской молодёжной научной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт Петербург, 1999 г., 2001 г.), Второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния «Кремний 2000» (Москва, 2000 г.), XVIII школе-семинаре «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Воронеж, 2000 г.), Asia-Pacific Surface and Interface Analysis Conference (Китай, 2000 г.), VUV XIII Int. Conf on Vac. Ultr. Rad. Phys. (Италия, 2001 г.), Ninth international conference on electron spectroscopy and structure (Швеция 2003 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 3 статьи в реферируемых журналах и 13 работ в трудах конференций.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения, изложенных на 135 страницах машинописного текста, включая 54 рисунка, 12 таблиц и список литературы из 97 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Турищев, Сергей Юрьевич

Основные результаты и выводы.

Впервые методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии и синхротронных исследований спектров рентгеновского поглощения получены данные об особенностях электронно-энергетического строения валентной зоны и зоны проводимости наноразмерных полупроводниковых структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5. Полученные при этом результаты позволяют сделать следующие выводы:

1. В нанопористом кремнии, обладающем фотолюминесценцией, установлено образование на поверхности нанокристаллических столбиков аморфного слоя и слоя субоксида кремния с низкой степенью окисления.

2. Увеличение пористости кремния, приводит к сдвигу дна зоны проводимости и увеличению запрещённой зоны, обусловленных квантово - размерным эффектом.

3. Формирование пористых фосфидов типа А3В5 приводит к разупорядочению структуры поверхностных слоёв с появлением у дна зоны проводимости состояний, обусловленных наноразмерными структурными элементами типа кластеров или квазимолекул.

4. Особенности строения энергетического спектра квантово - размерных структур, выращенных на подложках кремния и А3В5, проявляются на поверхности закрывающих слоёв в виде сдвигов дна зоны проводимости, приводящих к изменению величины запрещённой зоны и в перестройке более возбуждённых состояний.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Турищев, Сергей Юрьевич, 2004 год

1. Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemicaldissolution of wafers / Canham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. - V.57, №10. - P. 1046 - 1048.

2. Roy A., Chainani A., Sarma D.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. - V.61, №14. - P. 1655-1657.

3. Zangooie S. Microstructural control of porous silicon by electrochemical etching in mixed HC1 or HF solutions / S.Zangooie, R.Jansson, H.Arwin // Applied Surface Science 1998.1. V.136,-P. 123-130.

4. Hummel R.E., Chang S. // Appl. Phys. Lett. 1992. - V.61, №16. - P. 1965 - 1967.

5. Kurmaev E.Z. Local structure of porous silicon studied by means of X-ray emission spectroscopy / E.Z. Kurmaev, S.N. Shamin, V.R. Galakhov, V.i. Sokolov, M.H. Ludwig, R.E.Щ

6. Hummel // Appl. Phys. Lett. 1997. - A65. - P. 183 - 189.

7. Бреслер M.C. Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния / М.С. Бреслер, И.Н. Яссиевич // ФТП. 1993. - Т.27, №5. - С. 871 - 883.

8. Зимин С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С.П. Зимин // ФТП. 2000. - Т.34, №3. - С. 359 - 363.

9. Ronkel F. Electrochemical Aspects Of Porous Silicon Formation / F. Ronkel, J.W. Schultze // Journal of Porous Materials. 2000. - №7. - P. 11 - 16.

10. Roy A., Chainani A., Sarma D.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 1992. - V.61, №14. - P. 1655-1657.

11. И. РешинаИ.И., Гук Е.Г. // ФТП.- 1993. Т.27, №5.- С. 728 -735.

12. Mouffak Z., Aourag H., Moreno J.D., Martinez-Duart J.M. // Microelectronic Engineering. 1998. - №43 - 44. - P. 655 - 659.

13. Морозов Г.К. К вопросу о механизме формирования пористого кремния / Г.К. Морозов, А.В. Жерздев // Российская академия наук. 1994. - Т.28, №6.

14. Lehmann V. Porous silicon formation: A quantum wire effect / V. Lehmann, U. Gosele // Appl. Phys. Lett. 1991. - V.58, №8.

15. K.M. Yung, S. Shin, and D.L. Kwong // J. Electrochem. Soc. 1993. - V.140, №10. - P. 3046 - 3064.

16. Образцов A.H. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02 / A.H. Образцов, В.Ю. Тимошенко, X. Окуши, X. Ватанабе // ФТП. 1999. - Т.ЗЗ, №3. - С. 322 - 326.

17. Salonen J. The room temperature oxidation of porous silicon / J. Salonen, V.-P. Lehto, E. Laine // Applied Surface Science. 1997. - V. 120. - P. 191 - 198.

18. Michael Kelly T. Mechanisms of photoluminescent quenching of oxidezed porous silicon / Michael T. Kelly, Andrew B. Bocarsly // Applications to chemical sensing. Coordination Chemistry Reviews. 1998. - V. 171. - P. 252 - 259.

19. Bao X. Oxygen-related surface states and their role in photo luminescence from porous Si / Xi-Mao Bao, Xiang He, Ting Gao, et. al. // Solid State Communications. 1999. - V.109. -P. 169-172.

20. Debajyoti D. Quantum confinement effects in nano-silicon thin films / Debajyoti Das // Solid State Communications. 1998. -V. 108, №12. - P. 983 - 987.

21. Hong K.H. Density-of-states in a rough quantum wire / K.H. Hong, K.W. Tse and P.Y. Foo // Solid State Communication. 1998. - V.105, №6. - P. 363 - 365.

22. Киреев П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев // 1975. М.

23. Шалимова К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова // Энергоатомиздат. — 1971.-М.-С. 392.

24. Кашкаров П.К. Люминесценция пористого кремния / П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко // Природа. 1995. -№12. - С. 12-20.

25. Мосс Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис // М. -^ 1976.-Мир.-С. 431.

26. George С. John and Vijai A.Singh // Physical Review B. 1994. - V.50, №8. - P.5329 -5334.

27. Андриянов A.B. Время-разрешенная фотолюминесценция пористого кремния / А.В. Андриянов Д.И., Ковалев, В.Б. Шуман и др. // ФТП. 1993. -Т.27, №.1. - С. 136 - 140.

28. Henglein А 1988 Top. Current Chem. 143. 113.

29. Заварицкая Т.Н. Исследования структуры пористого фосфида галлия / Т.Н. Зава-рицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник // ФТП. 1998. - Т.32, №2. - С. 235-240.

30. Anneda A., Sepri A., Karavanskii V.A., Tiginyanu I.M., Ichizli V.M. // Appl. Phys. Lett. 1995.-№67.-C. 3316.

31. Sarual A. Frohlich modes in porous III-V semiconductors / A. Sarual, J. Moneckel, G. Irmerl, I. M. Tiginyanu, G. G. Eartner, and H. L. Hartnagel // J. Phys.: Condens. Matter. -2001.-№13.-P. 6687-6706.

32. Ушаков B.B. Ионная имплантация пористого фосфида галлия / В.В. Ушаков, В.А. Дравин, Н.Н. Мельник и др. // ФТП. 1998. - Т.32, №8. - С. 990 - 994.

33. А.Э. Юнович «Излучательная рекомбинация в полупроводниках» М., 1972, с. 302.

34. Foil H. Porous III-V compound semiconductors: formation, properties, and comparison to silicon / H. Foil, J. Carstensen, S. Langa, M. Christophersen, and I. M. Tiginyanu // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. - V. 197, № 1. - P. 61 - 70.

35. И.Н. Арсентьев, M.B. Байдакова, A.B. Бобыль, Jl.C. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова и др. // Письма в ЖЭТФ. 2002. - Т.28, №17. - С. 57-66.

36. Liu A. Microstructure and photoluminescence spectra of porous InP / Aimin Liu // Nanotechnology. 2001. - №. 12. - P. LI - L3.

37. Schmuki P, Santinacci L, Djenizian T. and Lockwood D. J. // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. -V.51.-P. 182.

38. Романов С.Г. Интерфейсные эффекты и формирование оптических свойств ансамблей структурно изолированных квантовых нитей InP / С.Г. Романов, Н.М. Йатс и др. // ФТТ. - 1997. - Т.39, №4. - С. 727 - 734.

39. Белогорохов А.И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HC1:HF:C2H50H / А.И. Белогорохов, Л.И. Белогорохова // ФТП. 1999. - Т.ЗЗ, №2. - С. 198 - 204.

40. Леденцов Н.Н. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры / Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг // ФТП. 1998. - Т.32, №4. - С. - 385 - 410.

41. Nunzio M. Self-assembling and ordering of Ge/Si (111) quantum dots: scanning microscopy probe studies / Nunzio Motta // J. Of Phys.: Cond. Matt. 2002. - №14. - P. 83538378.

42. Макаров А.Г. Исследования оптических свойств структур со сверхплотными массивами квантовых точек Ge в матрице Si / А.Г. Макаров, H.H. Леденцов, А.Ф. Ца-цульников и др. // ФТП. 2003. - Т.37, №2. - С. 219 - 223.

43. Мильвидский М.Г. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев / ФТП. - 1998. - Т.32,№5. - С. 531 - 522.

44. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, A.B. Двуреченский и др. // ФТП. 2000. - Т.34 -С. 1281.

45. N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop.ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. Appl. Phys. Lett., 69, 1343 (1996).

46. N.N. Ledentsov, I.L. Krestnikov, M.V. Maximov, S.V. Ivanov, S.L. Sorokin, P.S. Kop.ev, Zh.I. Alferov, D. Bimberg, C.M. Sotomayor Torres. // Appl. Phys. Lett. 1997. -№70. P.-2766.

47. I.L. Krestnikov, N.N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg. // Phys. St. Sol. (a). 2001. -№183.-P.-207.

48. N.N. Ledentsov, M. Grundmann, F. Heinrichsdorff,D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, Zh.I. Alferov, J.A. Lott. // IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. -2000.-№6.-P.-439.

49. Орлов Л.К. Особенности фотолюминесценции монокристаллических и пористых слоев кремния, легированных эрбием / Л.К. Орлов, C.B. Ивин, Д.В. Шенгуров, Э.А. Штейнман // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т.25, №10. - С. 31 - 34.

50. Przybylinska H., Jantsch W., Suprun-Belevitch Yu., Stepikhova M., Palmetshofer L., Hendorfer G., Kozanecki A., Wilson R.J., Sealy B.J. // Phys. Rev. 1996. - В. 54. P. 2532.

51. Винокуров Д.А. Оптические исследования квантовых точек InP / ДА. Винокуров, В.А. Капитонов и др. // ФТП. 2001. - Т.35, №2. - С. 242 - 244.

52. Домашевская Э.П. Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе АЗВ5 / Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, В.М. Кашкаров, С.Ю. Турищев и др. // ФТП. 2003. - Т.37, №8. - С. 1017 - 1022.

53. М.К. Zundel, N.Y. Jin-Phillipp, F. Phillipp et. al. // Appl. Phys. Lett. 1998. - №73. -P. 1784.

54. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, O.B. Коваленков и др. // ФТП. 1999. - С. 858.

55. ДА. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков и др. / Письма в ЖЭТФ. 1998. -Т.24, №16.-С. 1-7.

56. Eberl К. Self-assembling InAs and InP quantum dots for optoelectronic devices / K. Eberl, M. Lipinski, Y.M. Manz, et. al. // Thin Solid Films. 2000. - №380. - P. 183 - 188.

57. Немошкаленко В.А. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии / В.А. Немошкаленко, В.Г. Алешин // Наукова думка. 1974. - Киев. - С. 376.

58. Зимкина Т.М. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия / Т.М. Зимкина, В.А. Фомичев // Изд-во ЛГУ. 1971. - Ленинград. - С. 132.

59. Cavell R.J. X-ray photoemission cross section modulation in diamond, silicon, germanium, methane, silane, germane // R.J. Cavell, S.P. Kowalczyk, L. Ley / Phys. Rev. B. -1973. V.7, №12. - P. - 5313 - 5316.

60. Виноградов A.C. Спектр отражения кремния вблизи L23 порога ионизации / А.С. Виноградов, Е.О. Филатова, Т.М. Зимкина// ФТТ. 1982. -Т.24, №6. - С. - 1718-1723.

61. Морозов Г.К. К вопросу о механизме формирования пористого кремния / Морозов Г.К., Жерздев А.В. // Российская академия наук. 1994. - Т.28, №6.

62. Балагуров JI.A. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения / J1.A. Балагуров // Материаловедение. 1998. -№1-3.

63. Taguena М. Carrier transport mechanisms in porous silicon in contact with a liquid phase: a diffusion process / Taguena Martinez, Yury G. Rubo, M. Cruz, M.R. Beltran, C. Wang, B. Gelloz, A. Bsiesy// Applied Surface Science. 1998. -V. 135. - P. 15-22.

64. Naokatsu Y. Inverse-percolation model for investigating a mechanism of formation and photoluminescence of porous silicon / Naokatsu Yamamoto, Hiroshi Takai // Journal of Luminescence. 1999. - V.82. P. - 85 - 90.

65. Raminder G. Electron transport in porous silicon / Raminder G. Mathur, Vivechana R.M. Mehra, P.C. Mathur, V.K. Jain // Thin Solid Films. V. 312. - P. 254 - 258.

66. Ying K. Photoelectrochemical dissolution of N-type silicon / Ying Kang and Jacob Jorné // Electrónica Acta. 1998. - V.43. - P. 2389-2398.

67. Горячев Д.Н. Механизм переноса и инжекции носителей в пористый кремний при его электролюминесценции в электролитах / Д.Н. Горячев, Г. Полисский, О.М. Сресе-ли // ФТП. 2000. - Т.34, №2. - С. 227 - 233.

68. Ashruf С.М.А. Galvanic porous silicon formation without external contact / C.M.A. Ashruf, P.J. French, P.M.M.C. Bressers, J.J. Kelley// Sensors and actuators. 1999. -V.74.-P. 118-122.

69. Zeitschel A. Breaking the isotropy of porous silicon formation by means of current focusing /A.Zeitschel, A.Friedberger, W.Welser, G.Muller//Sensors and actuators. -V.74. -P. 113-117.

70. HF solutions / S. Zangooie, R. Janson, H. Arwin / Microstructural control of porous silicon by electrochemical etching in mixed HC1 //Applied Surface Science, v. 136,1998, -P. 123-130.

71. Мануковский Э.Ю. Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния / Э.Ю. Мануковский / Дисс.: к-та физ.-мат. наук. 2000. Воронеж.

72. James Gole L. Origin of porous silicon photoluminescence: Evidence for a surface bound oxyhydride-like emitter / James L. Gole, Frank P. Dudel, David Grantier and David A Dixon // Phys. Rev. B. 1997. - V.56, №4. - P. 2137 - 2153.

73. James Gole L. Chloride salt enhancement and stabilization of the photoluminescence from a porous silicon surface / James L. Gole, Julie A. DeVincentis, and Lenward Seals et. al. // Phys. Rev. B. 2000. - V.61, № 8. - P. 5615 - 5631.

74. Yamamoto N. Inverse-percolation model for investigating a mechanism of formation and photoluminescence of porous silicon / Naokatsu Yamamoto, Hiroshi Takai // Journal of Luminescence. 1999. - № 82. - P. 85 - 90.

75. Peng L. Origin of the blue and red photoluminescence from aged porous silicon / Peng Li, Guanzhong Wang, Yurong Ma and Rongchuan Fang // Phys. Rev. B. 1998. - V.58, №7.-P. 4057-4065.

76. Тростянский C.H. Электронное строение ионно-имплантированного и гидрированного кремния / Тростянский С.Н. // Дисс.: к-та физ.-мат. наук. 1990. Воронеж.

77. Шулаков А.С. Глубина генерации ультрамягкого рентгеновского излучения в Si02 и поверхность / А.С. Шулаков, А.П. Степанов // Физ. Хим. Тех.-1988.-№.10-С. 146-148.

78. А.И. Машин, А.Ф. Хохлов, Э.П. Домашевская, В.А. Терехов, Н.И. Машин. // ФТП. 2001. - Т.35, №8. - С. 995.

79. Domashevskaya E.P. XPS, USXS and PLS investigations of porous silicon / E.P. Do-mashevskaya, V.M. Kashkarov, E.Yu. Manukovskii, A.V. Schukarev, V.A. Terekhov // J. Electr. Spectr. and Rel. Phen. 1998. - V.88-91. - P. 969 - 972.

80. П.С. Светлов, В.Ю. Чалков , В.Г. Шенгуров. // ПТЭ 4. 2000. - С. 141.

81. Спектрометр монохроматор рентгеновский РСМ-500. / Техническое описание и инструкция по эксплуатации.83 .Russian German Laboratory at BESSYII. General layout, etc. www.bessy.de/usersinfo/02.beamlines/linespdCDl 61 A.pdf

82. Fedoseenko S.I. Development and present status of the Russian German soft X-ray beamline at BESSY II / S.I. Fedoseenko, I.E. Iossifov, S.A. Gorovikov et. al. // Nucl. Instr. And Meth. in Phys. Res. A. - 2001. - №. 470. P. 84-88.

83. Домашевская Э.П. Природа межатомного взаимодействия и закономерности строения энергетического спектра валентных электронов в полупроводниках / Э.П. Домашевская // Дисс.: д-ра физ.-мат. наук. 1979. - Воронеж.

84. Терехов В.А. Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках / В.А. Терехов // Дисс.: д-ра физ.-мат. наук. 1994. - Воронеж.

85. Gorbach Т. Ya. Simultaneous changes in the photoluminescence, infrared absorption and morphology of porous silicon during etching by HF / T. Ya. Gorbach, G. Yu. Rudko, P. S. Smertenko et. al. // Semicond. Sci. Technol. 1996. - №11. - P. 601 - 606.

86. Зимин С. П. Электрофизика пористого кремния и структур на его основе. Автореферат на соискание ученой степени доктора физико — математических наук / С. П. Зимин // Ярославль. 2003. - С. 32.

87. L.M. Peter, D.J. Blackwood, S. Pons. // Phys. Rev. Lett. 1989. - №62. - P. 308.

88. Горячев Д.Н. О механизме образования пористого кремния / Д.Н. Горячев, J1.B. Беляков, О.М. Сресели // ФТП. 2000. - Т.34, №9. - С. 1130 - 1134.

89. Т. van Buuren, L.N. Dinh, L.L. Chase et al / Soft X-Ray emission studies of the electronic structure in silicon nanoclusters // http://www-als.lbl.gov/als/compendiurn/AbstractManager/uploads/ACFE24.pdf

90. Ромащенко Ю.Н. Рентгеноспектральное исследование оксианионов аллюминия и кремния в составе окислов и минералов. Автореферат на соискание учёной степени кандидата физико математических наук / Ромащенко Ю.Н. // Ростов - на - Дону. -1978.

91. Zhang S.L. Multiple Source Quantum Well Model of Porous Silicon Light Emission / S.L. Zhang, Y. Chen, L. Jia, J.J. Li et. al. //J. Electrochem. Soc. -1996.-V.143,№4. P. 1394-1398.

92. Wang C.S. First principles electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS and ZnSe. I. Self-consistent energy bands, charge densities, and effective masses / C.S. Wang, B.M. Klein // Phys. Rev. B. 1981. - V.24, №6. P. 3393 - 3416.

93. D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, О. V. Kovalenkov, D. A. Livshits, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, and Zh. I. Alferov // Semiconductors. 1997. - V.33, №7. - P. 788.