Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Исабекова, Тамила Илахидиновна

• Исабекова, Тамила Илахидиновна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Исабекова, Тамила Илахидиновна

ВВЕДЕНИЕ

1.Широкозонные твердые растворы: получение и свойства

1.1 Твердые растворы соединений А В

1.2. Твердые растворы на основе карбида кремния.

1.3. Основные методы получения карбида кремния и твердых растворов на его основе.

Выводы.

2. Процессы роста и структура эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х.

2.1. Влияние параметров роста на состав и структуру эпитаксиальных слоев.

2.2. Исследование структуры эпитаксиальных слоев (81С)1.Х(АЩ)Х методом фигур травления.

2.3. Изучение структуры молекул эпитаксиальных слоев (81С)1х(АШ)х методом электронно-парамагнитного резонанса.

Выводы.

3. Электрофизические свойства твердых растворов

8!СЫА11Ч)Х.

3.1. Получение и исследование омических контактов.

3.2. Исследование стабильности омических контактов.

3.3. Температурная и концентрационная зависимости электропроводности.

3.4. Влияние сильных электрических полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (81С)1х(АШ)х.

3.5. Характеристики ударной ионизации твердых растворов фСЫАПЯ)*.

Выводы

4. Люминесцентные и электрические свойства гетероструктур 81С/(81С)1.Х(А^)Х.

4.1. Фотолюминесценция.

4.2. Спектральные сдвиги полос фотолюминесценции, обусловленные лазерным отжигом.

4.3. Электрофизические процессы в гетероструктурах.

4.4. Электролюминесценция.

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x»

Актуальность темы.

Развитие электронной техники диктует необходимость расширения круга материалов, применяемых для создания микроэлектронных приборов и устройств. Это вызвано стремлением к расширению областей применения этих приборов, возрастанием требований к их надежности, стабильности параметров и устойчивости к внешним неблагоприятным воздействиям. Одним из путей решения этой проблемы является создание гомовалентных и гетеровалентных твердых растворов на основе уже известных полупроводников. Подбирая соединения и их относительное содержание в твердых растворах, можно создать материалы с заранее заданными свойствами.

Одним из перспективных материалов для создания гетеровалентных твердых растворов, работающих в экстремальных условиях, является карбид кремния SiC. Это связано, в первую очередь, с высокой химической, механической, тепловой и радиационной стойкостью этого полупроводникового материала.

Наибольший интерес в качестве второго компонента для создания твердых растворов на основе карбида кремния представляют нитриды металлов III группы периодической системы Д.И.Менделеева. Этот интерес обусловлен высокой вероятностью образования твердых растворов в этих системах, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN. Кроме того, минимумы зоны проводимости в BN, A1N, и GaN находятся в центре зоны Бриллюэна, что позволяет прогнозировать существование твердых растворов SiC с указанными нитридами с подобной же структурой зон. Это должно привести к возрастанию эффективности излуча-тельной рекомбинации, что позволит создавать на основе таких соединений твердых растворов светодиоды и инжекционные лазеры.

Твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия являются непрерывными и при определенных составах они обладают прямой структурой зон. Важным свойством этих соединений является то, что в отличие от чистого A1N, который обладает преимущественно п-типом проводимости, они могут обладать как n-типом так и р-типом проводимости. К тому же, они могут наследовать уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния. Большая ширина запрещенной зоны, высокие подвижности носителей заряда, благоприятные особенности зонной структуры, а также возможность работы при высокой температуре и их достаточная радиационная устойчивость делает твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x универсальными материалами, пригодными для применения в различных областях полупроводниковой электроники.

Микроэлектронные и оптоэлектронные приборы на основе твердых растворов работают на сравнительно больших уровнях мощности, поэтому металлические контакты являются важными элементами их структуры и определяют параметры, эффективность и надежность работы приборов. В связи с этим, вопрос создание низкоомных, стабильных по характеристикам омических контактов имеет важное значение при конструировании приборов. Имеющиеся в литературе работы по омическим контактам к твердым растворам (SiC)ix(AlN)x носят чисто прикладной характер, хотя исследование электрофизических свойств контактов металл-полупроводник и изучение закономерностей формирования омических контактов к твердым растворам (SiC)ix(AlN)x является весьма актуальным. Особенно перспективны твердые растворы (SiC)i-x(AlN)x в приборах основанных на гетеропереходах (инжекцион-ные лазеры, светодиоды, фотоприемники и т.п.) так как близость параметров решеток SiC и (SiC)ix(AlN)x позволяет получить гетеропереходы на их основе с малым числом состояний на гетерогранице.

Таким образом, изучение процессов роста эпитаксиальных слоев (ЭС) (8Ю)1Х(АМ)Х и исследование их основе представляет большой интерес.

Данная диссертационная работа посвящена изучению процессов роста и исследованию электрофизических свойств ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х и гетероструктур (ГС) на их основе. Особое внимание уделяется получению омических контактов и изучению электропроводности эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х .

Цель работы.

1. Получение ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х.

2. Получение омических контактов к ЭС твердых растворов (81С)1 Х(АШ)Х и исследование их электрических свойств.

3. Исследование электрофизических свойств ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х и гетероструктур на их основе.

Задачи работы.

1. Получение ЭС твердых растворов (81С)1Х(АМ)Х с заданным составом на подложках карбида кремния и исследование их структуры с помощью травления.

2. Получение и исследование электрических свойств омических контактов к карбиду кремния и твердым растворам (81С)] Х(АШ)Х.

3. Изучение электропроводности твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х.

4. Изучение влияния сильных электрических импульсных полей на электропроводность карбида кремния и твердых растворов (8Ю)1.х(АШ)х.

5. Изучение механизмов ударной ионизации в ЭС твердых растворов (81СЫАШ)Х

6. Изучение механизмов излучательной рекомбинации в ГС (8гС)1 х(АШ)х.

Научная новизна заключается в том, что впервые:

1. Получены омические контакты к ЭС твердых растворов ^С)1Х(АШ)Х. Установлено, что наиболее низкие контактные сопротивления и хорошую адгезию имеют контактные системы (БьАи-М) - п8Ю, (8ьА1-№) - р8Ю и (А1-81)-р(81С)Ьх(АШ)х.

2.Установлено влияние состава на величину и тип проводимости удельного сопротивления: для слоев п-типа величина удельного сопротивления лежит выше, чем соответствующее значение для р-типа так как с ростом х структурное совершенство образцов ухудшается, дефекты структуры создают ловушки захвата, что приводит к увеличению удельного сопротивления образцов п-типа.

3. По результатам исследования температурной зависимости электропроводности рассчитаны характеристики терморезисторов на основе твердых растворов (81С)].Х(АШ)Х. Установлено, что, изменяя состав твердого раствора(81С)1х(АШ)х можно управлять основными параметрами терморезистора.

4. Определен механизм пробоя ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х в сильных электрических импульсных полях. Установлено, что имеет место электрический пробой, вызванный ударной ионизацией, связанной с микроскопическими барьерными слоями, локализованными на различных неоднородностях.

5. Предложена модель донорно-акцепторных пар (ДАП) объясняющая спектральный сдвиг полос фотолюминесценции, обусловленный лазерным отжигом. Показано, что увеличение времени отжига ЭС твердых растворов (81С)1Х(АШ)Х приводит к образованию ближайших ДАП А181 - Ыс за счет удаленных ассоциатов, а уровни более тесных ассоциатов смещаются в соответствующие зоны, и в рекомбинацион-ном излучении не проявляются.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Физическое обоснование механизма изменения удельных переходных сопротивлений омических контактов к БЮ и твердым растворам (81С)]х(АШ)х с ростом температуры и последующей термообработки контактной системы.

2. Зависимость типа электропроводности и его величины от состава твердых растворов (8Ю)1Х(АШ)Х.

3. Ударная ионизация как основной механизм электропроводности монокристаллических твердых растворов (81С) 1 х(А1ТЧ)Х в сильных электрических импульсных полях.

4. Донороно-акцепторная природа сдвига спектров фотолюминесценции ЭС твердых растворов (81С)1.Х(АШ)Х под действием лазерного отжига.

Практическая ценность.

1. Представлены технологические режимы управляемого выращивания эпитаксиальных слоев ЭС (81С)1Х(АМ)Х .

2. Разработана методика получения омических контактов к БЮ и твердым растворам (8Ю)1Х(АШ)Х.

3. Результаты исследования электрических свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов (81С)1Х(А11Ч)Х, позволяют создавать на их основе терморезисторы и другие приборные структуры.

4. Разработана методика импульсного пробоя полупроводников с малым сопротивлением, позволяющая создавать высокие напряженности за короткое время, что исключает возникновение теплового пробоя.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались: на 4т Всероссийском совещании «Физика и технология широкозонных полупроводников» (Махачкала, 1993 г.), на Всероссийской конференции «Состояние и перспективы развития термоэлектрического приборостроения» (Махачкала, 1995г.), на 2Ш Международной конференции по высокотемпературной электронике (Альбуркерк, США, 1996г.), на Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (Новгород, 1997 г.), на Международной конференции по карбиду кремния, нитридам третьей группы и родственным материалам (Стокгольм, Швеция, 1997 г.), на Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск, 1998г.), на Международной конференции, посвященной 250-летию РАН и 50-летию ДНЦ РАН (Махачкала, 1999). Они докладывались также на итоговых научных конференциях Даггосу-ниверситета ( 1994-1998 гг.).

Публикации. Всего по теме диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ.

Структура и объем диссертации.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения, изложенных на 127 страницах машинописного текста, списка литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Исабекова, Тамила Илахидиновна

10. Результаты исследования прямых ветвей вольтамперных характеристик показали, что они являются типичными для ВАХ анизотропных ГП. Анализ ВАХ в широком интервале температур показывает, что основным механизмом прохождения тока при Т=300 К является термоин-жекционная эмиссия носителей заряда с рекомбинацией в слое объемного заряда. При малых смещениях ток определяется рекомбинацией в области обедненного объемного заряда, а при больших смещениях -рекомбинацией в толще полупроводника. При увеличении содержания A1N в эпитаксиальных слоях обратные токи также растут. Пробой ГС до обратных напряжений -20-25В является обратимым и носит лавинный характер по дефектам структуры.

11. Спектры электролюминесценции, при малых токах через гетерограни-цу, состоят из двух полос интенсивность и положение максимумов которых зависят от плотности прямого ток и состава эпитаксиального слоя. С увеличением плотности тока через гетерограницу и с ростом х спектр излучения сдвигается в область больших энергий с одновременным увеличением интенсивности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Исабекова, Тамила Илахидиновна, 1999 год

1. Антипас Дж.А., Мун Р.Д., Джеймс Л.У., Эфиекамб Дж. Четверныессоединения AB . В кн.: Материалы для оптоэлектроники. - М.: Мир.-1976. -С.122-130.

2. Эттинберг М., Макфарлан С.Х., Джимберт С.Д. Выращивание слоев GaAs и AlxGaixAs на GaP из растворов в расплаве и их свойства. -В кн. : Материалы для оптоэлектроники. М.: Мир. -1976. -С. 112121.

3. Долгинов Л.М., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квантовая электроника. -1976. -Т.З. -№7. -С. 1381-1393.

4. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп/Пер. с англ.; Под ред. Б.И.Болтакса. М.: Мир. -1967. -477 С.

5. Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова М.А., Сиповская В.В., Шертнев Ю.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GalnAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава. ФТП. -1998. -Т.32. -№3. -С. 278- 284.

6. Баранов А.Н., Именков Т.И., Рогачев A.A., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. ФТП. -1986. -Т. 20. -С. 2217.

7. Кюрягин A.C., Лазарева И.К., Стучебников В.М., Юнович А.Э. ФТП. -1972. -Т.6. -С.242.

8. Баранов А.Н., Воронина Т.П., Зимогорова Н.С., Канская Ю.П., Яковлев Ю.П. ФТП. -1985. -Т.19. -С.1672.

9. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М., Технология полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа. -1984. 288 С.

10. Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов радио. -1986. -266 С.

11. Pauling L., J.Am. Chem. Soc. -1932. -54. -P.570.

12. Mulliken D. Chem. Phys. -1934. 2. -P. 782. -1955. 3. -P. 573.

13. Darken L.S., Gurry R.W. Physical chemistry of metals. N.Y. Mc. Grow Hill.-1953.-P. 86-89.

14. Chelicowsky I.R. Solid Solubilities in divalent alloys. Phys. Rev. B. -1979. -V. 19. -№ 2. -P.686.

15. Singh V.A. Zunger A. Phenomenology of Solid Solibilities and ionimplantation sites: An orbital radius aproach. Phys. Rev. B. -1982. -V. 36.-№8.-P.217-221.

16. Johnson O., Schock R.N. The 4H- polytype of Silver jodid. Acta cryst. B. -1975. -V. 31. -Pt. 5. -P. 1482-1485.

17. Simons G., Bloch A.N. Pauli force model potential for solids. - Phys. Rev. B. -1973. -V. 37. -№6. -P. 2754-2758.

18. Hacskaylo M. Ionic radius lattice defect model for the distribution coefficient in Si, Ge, and III-V compounds. - Phys. St. Sol. (a). -1973. -V. 1. -№2. -P. 497-501.

19. Phillips I.C. Bands and Bonds in semiconductors. N.Y. London: Aca-demiaPress. -1973. -P. 288.

20. Карбид кремния. Сб.: под ред. Хениша Г. и Роя Р. М.: Мир. -1972.-349 С.

21. Fiemunt R., Gemoj P., Kohont S. et. al. Optimised Growth Conditions of GaN Epitaxial Layers. Cryst. Res. And Techol. -1981. -16. -№11. -P. 1257-1266.

22. Gabe P., Pade V., Maiv S. X-ray difraction determination of valence - electron ensity in aluminum nitrids. Phys. Rev. B. -1981. 24. -№ 10. -P. 5634-5641.

23. Phillips J.C., Van Vechten J.A. Spectroscopic Analysis of Cohesive Energies and Heats of Formations of Tetrahedral Coordinater Semiconductors. - Phys. Rev. B. -1970. -V. 2. -№ 6. -P. 2147-2160.

24. Соболев B.C., Соболева О.С. Физико-химическая трактовка изоморфизма. Научи, зап. Львов, унив-та. сер. Хим. -1948. -№ 9. -Вып. 1. -С.5.

25. Ормоит Б.Ф. Термодинамика соединений переменного состава. В кн.: Соединения переменного состава. Гл. II. - Л. Химия. -1969.

26. Сирота Н.Н. Физико- химическая природа фаз переменного состава. Минск: Наука и техника. -1970.

27. Funseth S., Selte К. Acta Chem Scand. -1967. -V. 21. -P. 2.

28. Энергия химической связи./ Справочник.- Изв. АН СССР. -1962. -412 -С.

29. Cutler I. В., Vilber P.D., Rafaniello W. et.al. // Nature/. -1978. -V. 275.-№5679.-P. 434-435.

30. Ruts R. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AlN. US. Pat. -1983.-№4, -P.382-837.

31. Нурмагомедов Ш.А. Сафаралиев Г.К. Сорокин Н.Д., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)ix(AlN)x . Изв. АН СССР, сер. Неорганические материалы. -1986. -Т.22. -№ 10. -С. 1672.

32. Zangvil A., Ruh R.// Science and Engineering. 1986. -V. 71. -P. 159164.

33. Maeda К., et. al. Silicon Carbide Electrical Insulator Material of Low Dielectrical Constant. Patent USA. -1982. -№ 363261.

34. Киркинский В.А. Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизме. В кн.: Материалы по геомтриче-ской и экспериментальной минералогии. - Новосибирск: Наука. -1972.-Т.7.-С.150.

35. Hietala J. Alkali halide Solid Solutions. 2. Heat of formation of the Sodium chloride type Ann. Acad. Sci. Fenn. -1963. -AVI. -№ 122.

36. Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости. M.: Наука. -1972. -С.251.

37. Rafaniello W., Cko К., Virkar A.// Fabrication and characterization of SiC-AIN alloys. J. Mater. Sci. -1981. -V. 16, -№12. -P. 3479-3488.

38. Ruh R. ,Zangvil A. Composition and properties of ot-pressed SiC-AIN solid solution. J. Amer. Ceram. Soc. -1982. -№ 65. -V. 5. -P. 260-265.

39. Maeda K., Miycshi T.// Patent № 4544642. USA. -1985.

40. Maeda K. et.al.// Additives and Interfaces Electron. Ceram. Proc. Spec. Conf. Cincinnati, Chic. -1982. -P. 260-280. .

41. Сафаралиев Г.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния. Изв.АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1986. -Т.22 . -№ И.-С. 18-36.

42. Ervin G., Jr. Silicon carbide aluminum nitride refractory composite. US pat. 3492153, North American Rockwell Cor-P., Jan. 27, 1970.

43. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин A.H., Разбегаев B.H., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпи-таксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X. Письма в ЖТФ. -1986. -Т.12. -Вып. 17. -С. 1043-1045.

44. Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Сафаралиев Г.К. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов

45. SiC)i-x(AlN)x. В сб. статей студентов, аспирантов и преподавателей Даггосуниверситета. Махачкала. -1992.

46. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x. Изв. РАН, Неорган, мат-лы. -1995. -Т.6. -С. 14.

47. Дмитриев В.А., Елфимов Л.Б., Линьков И.Ю., Морозенко Я.В., Никитина И.П., Челноков А.Е., Черенков А.Е., Чернов М.А. Твердые растворы SiC-AIN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксией. Письма ЖТФ. -1991.-Т. 17. -Вып. 6. -С. 50-53.

48. Дмитриев А.П., Евлахов Н.В., Фурман A.C. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала. ФТП. -1996.-Т. 30. -Вып. 1. -С. 106-116.

49. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Сб. ЛИЯФ. Ленинград. -1979.1. С.122.51.

50. Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds -P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitride ceramics using organometallic precursors // J. Am. Ceram. Soc. -1990. -V.73. -№ 2. -P. 352-357.

51. Таиров Ю.М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований

52. Межвузовский науч. тема-т. сб. статей. "Широкозонные полупроводники"- Махачкала. -1988. -С.4 -13.

53. Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф.// Письма в ЖТФ. -1983.-Т.9 -Вып. 12. -С.737.

54. Rafaniello W., Plichta M.R., Vircar A.V. Investigation of phasa stability in the SiC- A1N // J. Amer. Ceram. Soc. -1983. -V. 66. -№4. -P. 272 -276.

55. Нурмагомедов Ш.А, Сафаралиев Г.К. Исследование процесса кристаллизации эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i. X(A1N)X // 6 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. -Цахкадзор. -1985. -С.116-117.

56. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Офицерова Н.В., Магомедов А.Г. Исабекова Т.И. Гетеропереходы в сис-TeMe(SiC)ix(AlN)x // Тез. Международного семинара: "Карбид кремния и родственные материалы" . -Новгород. -1997. -С.55.

57. Сафаралиев Г.К., Палчаев Д.К., Курбанов М.К., Келин Ю.И. Способ получения поликристаллического изделия из карбида кремния // Авт. свидетельство N 1506843 от 08.05.1989.

58. Баранов П.Г., Ильин И.В., Мохов E.H. Электронный парамагнитный резонанс акцепторов глубокого бора в кристаллах 4H-S1C и 3C-SiC.<DTn. -1998. -С. 36-40.

59. Левин В.И., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Люминесценция карбида кремния с отклонениями от стехиометрии //Физика и техника полупроводников. -1984. -Т. 18. -Вып. 7. -С. 1194-1198.

60. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов E.H., Рамм М.Г., Соколов В.И. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром Di-SiC //Физика и техника полупроводников. -1986. -Т.20. -Вып.12. -С. 2153 2158.

61. Таиров Ю.М., ЦветковВ.Ф. Контроль газовой среды при выращива-нии кристаллов карбида кремния. -ПТЭ. -1971. -№5. -С. 229-232.

62. Таиров Ю.М. Исследование влияния различных факторов на процесс роста кристаллов карбида кремния. В кн.: Рост кристаллов. -Л.-Т.6.-1965.-С. 199-202.

63. Эмиров Ю.Н., Сафаралиев Г.К., Ашурбеков С. А. Курбанов М.К. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)ix(AlN)x SiC //Физика и техника полупроводников. -1994. -Т. 28. -Вып.11. -С.1991-1994.

64. Бережной A.C. Кремний и его бинарные системы. // Киев. Изд-во АН УССР.-1958.

65. Венгер А.И., Водаков Ю.А., Примесное состояние бора в карбиде кремния //Письма в журнал технической физики. -1981. -Т.6. -Вып. 21. -С.1319-1323.

66. Srinivasan К., Srinivasan R. Strain dependence of the static and high frequency dielectric constants of the some cubic crustals //Proc. Nucl.Phys. and Solid State Phys. Sym-P.Bombay. -1972. -V.14. 273276. Discuss 276.

67. Сафарапиев Г.К., Таиров Ю.М. и др. / Гетеропереходы в системе карбид кремния твердый раствор (SiC)iX(A1N)X.// Изв. Вузов, Электроника. -1996. -№ 1-2. -С. 87-90.

68. Пшеничнов Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник. М., Металлургия. -1974. -С. 528.

69. Таиров Ю.М., ЦветковВ.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М., Высшая школа. 1988.

70. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф./ Широкозонные твердые растворы (SiC)ix(AlN)x. //Физика и техника полупроводников. -1991. -Т. 25. -Вып. 8. -С. 1881-1886.

71. Glass R.C., Pallmour J.W., Davie R.F., Porter L.M. Platinum cohmic contacts to Silicon Carbide, U.S. Patent, № 07/943, 043.

72. Papanicolaou N.A., Christou A.A., Gipe M.L. Pt and PtSix Schottky contacts top-SiC.//J. Appl.Phys. -1989. -V. 65 (9).-P. 2526-3530.

73. Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J., Carpenter R.W. Chemical and electrical mechanisms in titanium, platinum and hafnium contacts to a( 6H)-SiC.// Mat/ Res/ Soc., Proc. -1993. -V. 282. -P. 471-477.

74. Porter L.M., Glass R.C., Davis R.F., Bow J.S., Kim M.J., Carpenter R.W. Chemistry, microstructure and electrical propeties of interfaces between thin films titanium and a( 6H)-SiC(0001).// J. Mat. Res. -1994.

75. Tung R.T. Electron transport at metal-semiconductor interfaces: general theory.//Phys. Rev. -1981. -B45(23); -P.13509-13523.

76. Saxena V., Steckl A.K., Vichare M. et. al. Temperature effects in the operation of high voltage Ni/6H-SiC Schottky rectifiers.// Second International Conf. On high temperature electronic. Charlotte, North Caroline, J. 5-10, -1996. -V. 1. VII-15.

77. Lundberg N., Tagtstrom P., Jansson U. CVD-based tunsten Carbide Schottky contacts to 6H SiC for very high temperature operation.// First European conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6-9, -1996. -P.54.

78. Constantinidis G., Tsadaraki K., Androulidaki M. Schottky barrier contacts on reactive ion etched 6H-SiC.// First European conference on SiC and related materials. -Greece, oct. 6-9, -1996. -P.67.

79. Anghel L., Ouisse Т., Billon T. Low frequency noise in Silicon Carbide Schottky diods.// First European conference on SiC and related materials. -Greece. Oct. 6-9, -1996. -P.72.

80. Ballandovich V.V., Bogachev S.V., Ilin V.A. et.al. Silicon Carbide temperature sensors.// Trans. Of the Third International Temperature Conference. USA. -1996. -P. 201.

81. Иванов П.А., Челноков B.E. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборыю. // ФТП. -1996. -Т. 29. -Вып. 11. -С.1921-1940.

82. Андреев А.Н., Лебедев A.A., Растогаева М.Г. и др. Высота барьера в диодах Шоттка, сформированных на основе nSiC-6H. // ФТП. -1995. -Т. 29. -Вып. 10. -С. 1833-1843.

83. Веренчикова Р.Г., Санкин В.И., Исследование контактов металл-SiC. // Письма в ЖТФ. -1988. -Т. 14. -С. 1742.

84. Санкин В.И., Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А. и др. Свойства выпрямляющих контактов набН-SiC .//ФТП. -1982. -Т. 16. -С. 1325.

85. Waldrop J.R. Barrier height of contact metal-silicon carbamide.// Appl. Phys. -1994. -V. 75. -P. 4548.

86. Аникин М.М., Андреев А.А., Лебедев А.А. и др. Высота барьера систем металл-SiC. // ФТП. -1991. -Т. 25. -С.328.

87. Нисков В.Я. Разработка методик исследования омических контактов металл-полупроводник. Дис. кандидата технич. наук. М.: МИСиС. -1970. -214С.

88. Мадоян С.Г., Гусейханов М.К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводников.// Изв. ВУЗов , «Физика». -1976. -№ 6. -С. 80-83.

89. Sulway D.V., Kyaw Н., Thornton P.R. Some factors affecting the of GaP crystal lamps.// Solid state electronics. -1967. -V.10, -№ 6. -P. 545-553.

90. Мадоян С.Г., Коган Л.М., Гусейханов M.K., Гофштейн-Гардт и др. Исследование отражающей способности металлических контактов к фосфиду галлия. // Электронная техника, сер. 2 , « Полупроводниковые приборы». -1976.-Вып. 6 (108). -С. 83-88.

91. Porter L.M., Davis R. Issues and status of ohmic contacts of p-type silicon carbide.// Second International confer. On high temperature electronics.- Charlotte, North California, J.5-10, -1994. -V. 1. -XIII-3.

92. Liu S., Reinhardt K., Severt C. et. al. Long-thermal stability Ni/C2/W ohmic contacts on n-type SiC. .- Charlotte, North California, J.5-10, -1994. -V. 1. -XIII-9.

93. Proderick E.H. Williams R.H. Metal-semiconductor contacts.// Second edition, Clarendon Press. -1987. -P.170.

94. Васильев И.Г., Боева Г.Г. Омические контакты к широкозонным полупроводникам GaAs, GaP, SiC.// Обзор по электронной технике. М.: Электроника, сер. «Полупроводниковые приборы». -1970. -Вып. 19(212). -С.10.

95. Chata К.К., Ogama М. Degragation of Au-Ge ohmic contact to n-GaAs.// 12 Ann.Pros. Realibility Phys. -1974. -P. 278-283.

96. Crofton J., Barnes P.A. A comparison of two and three band calculation of contact resistance for GaAs contact using the WKB approximation and numerical solution of the Schrodinger Equation.// Appl.Phys. Lett. -1991.-V. 69. -P.7660-7764.

97. Lui S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J. Presented at workshop on high temperature .// Power electronics for vehicles. Fort Monmounth, MJ, USA, apr. 26-27, -1995.

98. Lui S., Reinhardt K., Severt C., Scofield J.Long term thermal sta,ility of Ni/Cr/W ohmic contacts to n-SiC.// 6 Int. Conf. On Si and Related Materials.- Kyoto, Japan, sept. 18-21,-1995.

99. Берг A.A., Дин П. Светодиоды. М.: Мир. -1979. -550 С.

100. Гусейханов М.К., Сафаралиев Г.К., Исабекова Т.И., Исмаилова Н.П. Свойства контактов на основе никеля к карбиду кремния.// Изв. ВУЗов (Северокавказский регион), сер. Естественные науки. -1997. -№ 4. -С. 41-44.

101. Crofton N.J. Barness J.R., Williams J.R. Contacts resistance measurement on p-type 6H-SiC.// J. Appl. Phys. Lett. -1993. -V. 62(4). -P.384-386.

102. Dmitriev V.A. Irvin K., Spenser M. Low resistivity («10~5 Qcm )ohmic contacts to 6H silicon carbide fabricated using cubic silicon cabide contact layr.// J. Appl. Phys. Lett. -1994. -V. 64(3). -P.318.

103. Cho N.J., Hwang C.S., Bang W., Kim H.J. Effect of reaction products in monocrystalline (3-SiC/metal contact on contact resistivity.// Silicon carbide and related materials. Washington. -1996. -P.376.

104. Hagen S.H. Surface barriers of contact metal-silicon carbide.// J. Appl. Phys. 1968. -V. 39. -P.1458.

105. Соколов A.B. Оптические свойства металлов,- M. -1961. -360 С.

106. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пашук Е.Г., Офицерова Н.В., Садыков С.А., Авров Д.Д. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. ФТП. -Т.21. -Вып. 3. -1993. -С. 402-408.

107. Нурмагомедов Ш.А., Разбегаев В. Н., Пихтин А. Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В. Ф. Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)ix(AlN)x. ФТП. -1989. -Т. 23.-Вып.1. -С. 162- 164.

108. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Ащурбеков С.А., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К. Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ. -1988. -Т. 14. -Вып. 12. -С. 1095-1098.

109. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов, М., Радио и связь. -1990. -264 С.

110. Резисторы: Справочник. Под ред. И.И. Четвертакова и В.М. Терехова. М.: Радио и связь. -1991. -528 С.

111. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений: Справочник/ Под ред. Косолаповой Т.Я., М.: Металлургия. -1986. -928 С.

112. Справочник по электротехническим материалам./ Под ред. Ко-рицкого Ю.В., Л.: Энергоатомиздат. -1988. -Т. 3. -728 С.

113. Андреева Т.В., Горячев Ю.М.// Порошковая металлургия. -1981.-№3. -С.73.

114. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов .радио. -1979. 235 С.

115. Курбанов М.К., Шабанов Ш.Ш., Эфендиев А.З., Эфендиев К.А., Камара А. Поведение карбида кремния в сильных электрических полях. ДГУ. 40-ое ВС ФТШП. -1993. -С.7.

116. Кюрегян A.C. Об ударной ионизации в полупроводниках в сильных электрических полях. ФТП. -1976. -Т. 10.

117. Пасынков В.В., Чиркин JI.K., Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы. М.: Изд. «Высшая школа». -1981. -С. 95.

118. Верещагин И.К. Электролюминесценция твердых тел. М.: Знание. -1981. -С.23.

119. Woods M.N., Sohson W.C., Lampert М.А.// Sol.St. Electronics. -1973.-V. 16.№ 3. -P.381.

120. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Корнев И.В., Морозенко Я.В., Попов И.В., Сидорова Г.А. и др. Письма в ЖТФ. -1985. -Т. 11. -№4,-С.238.

121. Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Озеров Ю.В., Тигиняну И.М. Применение методов модуляционной спектроскопии для исследования дефектов в широкозонных полупроводниках. Труды ФИАН СССР.-1985. -Т. 163. -С. 39 100.

122. Дубровский Г., Лепнева A.A. Энергетическая зонная структура и оптические спектры кристаллов. ФТП. -1977. -Т. 19. -С. 12521257.