Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат

• Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат

Введение

Глава 1. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых 8 растворов (SiC)i.x(AlN)x

1.1. Широкозонные твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x и структуры на 8 их основе.

1.2 Эпитаксия (SiC)i.x(AlN)x на подложках карбида кремния.

1.3 Термодинамический анализ условий кристаллизации твердых 26 растворов (SiC)i.x(AlN)x.

Глава 2. Структура и морфология твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

2.1. Влияние условий кристаллизации на морфологию эпитаксиальных 36 слоев твердых растворов (SiC)!.x(AlN)x.

2.2.Травление карбида кремния и эпитаксиальных ^oeB-(SiC)i.x(AlN)x.

2.3. Изучение однородности эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x.

2.4. Исследование структуры эпитаксиальных слоев (SiC)ix(AlN)x.

Глава 3. Электрические свойства твердых растворов (SiC)ix(AlN)x.

3.1. Электропроводность твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x.

3.2.Вольт-амперные характеристики гетероструктур n-SiC - 88 p-(SiC)i.x(AlN)x

3.3. Вольт-фарадные характеристики гетероструктур.

Глава 4. Оптические свойства твердых растворов (SiC)1.x(AlN)x

4.1. Экспериментальная установка и методика измерения оптических 112 свойств твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x

4.2. Фото - и электролюминесценция SiC и гетероструктур на его 118 основе.

4.3 Катодолюминесценция твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x»

Актуальность темы. Развитие электронной техники диктует необходимость расширения круга материалов применяемых для создания микроэлектронных приборов и устройств. Это вызвано стремлением к расширению областей применения этих приборов, возрастанием требований к их надежности, стабильности параметров и устойчивости к внешним неблагоприятным воздействиям. Одним из путей решения этой проблемы является создание изова-лентных и гетеровалентных твердых растворов на основе уже известных полупроводников. Подбирая соединения и их относительное содержание в твердых растворах можно создавать материалы с заранее заданными свойствами.

Одним из перспективных материалов для создания гетеровалентных твердых растворов, работающих в экстремальных условиях, является карбид кремния SiC. Это связано, в первую очередь, с высокой химической, механической, тепловой и радиационной стойкостью этого полупроводникового материала. Кроме того, существование большого числа политипных модификаций, энергия образования которых мало отличается друг от друга, может облегчить образование твердых растворов SiC с соединениями, имеющими различную кристаллографическую структуру.

В качестве другого компонента твердых растворов наибольший интерес представляют нитриды металлов III группы (AniN) периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Этот интерес обусловлен высокой вероятностью образования твердых растворов в этих системах (SiC-AniN), особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN. Кроме того, минимум зоны проводимости в BN, A1N и GaN находится в центре зоны Бриллюэна, что позволяет прогнозировать существование твердых растворов SiC с указанными нитридами с эквивалентой зоной структурой. Это должно привести к возрастанию эффективности излу-чательной рекомбинации, что позволяет создать на основе этих твердых растворов светодиоды и инжекционные лазеры с большой эффективностью. Одновременно из-за большой ширины запрещенной зоны в соединениях AmN, ширина запрещенной зоны твердых растворов также будет велика, что сместит спектральный рабочий диапазон приборов в коротковолновую область.

В последнее время утвердилось понимание, что в оптоэлектронике, особенно в приборах, использующих коротковолновую область видимого диапазона света и ультрафиолетовую область, перспективны твердые растворы карбида кремния с нитридом алюминия, благодаря тому, что при определенных составах они обладают прямой структурой зон и перекрывают интервал энергий от 3 до 6,2 эВ. Твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x образуются и получают во всем диапазоне концентраций х. Важным свойством этих растворов является то, что в отличие от чистого A1N они могут обладать как n-типом, так и р-типом проводимости. В дополнение к этому, твердые растворы (SiC)i.x(AlN)x могут наследовать уникальные механические, химические и тепловые свойства карбида кремния. Особенно перспективны твердые растворы (SiC)ix(AlN)x в приборах основанных на гетеропереходах (инжекционные лазеры, светодиоды, фотоприемники и т.д.), так как близость параметров решеток SiC и (SiC)i. X(A1N)X позволяет получить гетеропереходы на их основе с малым числом состояний на гетерогранице.

Получение подобных твердых растворов возможно только на основе полного и детального изучения характера взаимодействия компонентов твердых растворов и при выяснении связи между составом и их свойствами. Помимо этого процессы получения и исследования твердых растворов на основе карбида кремния представляют и теоретический интерес для развития представлений о закономерностях образования гетеровалентных твердых растворов, что пока является малоизученной проблемой. Важным представляется и то, что кристаллизация карбида кремния с соединениями, имеющими структуру вюрцита позволит контролируемо получать объемные монокристаллы и эпитаксиальные слои крайне редко получаемого политипа -2Н.

Цель работы :

• совершенствование технологии выращивания эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x на подложках SiC методом сублимации;

• исследование структуры и морфологии эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x в зависимости от условий получения и стехиометрического состава;

• исследование электрофизических и физико-химических свойств образцов твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x в зависимости от состава;

• исследование люминесцентных свойств твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x

Научная новизна работы заключается в том, что впервые:

• установлена зависимость скорости ионного травления эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x от их состава. Увеличение содержания A1N в твердых растворах приводит к нелинейному уменьшению скорости травления.

• определено, что во всем диапазоне изменения состава твердых растворов (SiC)ix(AlN)x параметры решетки изменяются по линейному закону. Параметр а увеличивается от 3,078А0 до 3,114А°, а параметр с уменьшается 5,046А0 до 4,98А° с увеличением содержания A1N от 0 до 100%мол.

• установлен факт устойчивой стабилизации политипа 2Н твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x при содержании A1N более 18% мол.

• определены технологические условия воспроизводимого получения эпитаксиальных слоев (SiC)j.x(AlN)x с высоким совершенством.

• примесная электропроводность в твердых растворах (SiC)ix(AlN)x до 500К обусловлена наличием мелких доноров азота и акцепторов алюминия с энергиями активации соответственно ОД и 0,25 эВ.

• показано, что при увеличении содержания A1N в твердых растворах (SiC)i. x(AlN)x от 35% мол. до 73% мол. максимум спектра коротковолновой полосы катодолюминесценции (2,82 эВ) смещается в УФ область до 3,28 эВ, а её интенсивность увеличивается в четыре раза при уменьшении температуры от ЗООК до 77К.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. В твердых растворах (SiC)ix(AlN)x наблюдается линейное изменение параметров решетки в зависимости от содержания A1N во всем диапазоне изменения состава.

2. В монокристаллических эпитаксиальных слоях (SiC)ix(AlN)x, полученных сублимационным методом в атмосфере аргона с азотом при х>0,18, наблюдается стабилизация политипной модификации 2Н.

3. Примесная электропроводность в твердых растворах (SiC)i.x(AlN)x до 500К обусловлена наличием мелких доноров азота и акцепторов алюминия с энергиями активации соответственно 0,1 и 0,25 эВ.

4. Коротковолновый сдвиг полос катодолюминесценции эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x в область высоких энергий с ростом содержания A1N обусловлен увеличением ширины запрещенной зоны. С увеличением температуры наблюдается температурное гашение интенсивности катодолюминесценции.

Практическая ценность:

1. Усовершенствована методика выращивания эпитаксиальных слоев (SiC)i. X(A1N)X на подложках карбида кремния методом сублимации.

2. Экспериментально установлено существенное влияние газовой фазы в зоне роста на формирование твердых растворов. Показано, что оптимальной для получения (SiC)i.x(AlN)x является атмосфера, состоящая из смеси газов аргона и азота. При выращивании (SiC)ix(AlN)x в атмосфере гелия с азотом не удается получить совершенные образцы с содержанием A1N более чем 5% мол.

3. Определены оптимальные режимы ионного травления твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x, облегчающие получение различных приборных структур.

4. Результаты исследования твердых растворов (SiC)ix(AlN)x могут быть использованы для создания на их основе оптоэлектронных структур.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Всероссийской конференции по Физической электронике (Махачкала, 1999г.), на III Европейской конференции по высокотемпературной электронике (HITEN) (Берлин, 1999г.), Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (ПЭМ-99) (п.Дивноморское, Россия, 1999г.). Результаты работ также докладывались на ежегодных итоговых научных конференциях Даггоуниверситета (Махачкала, 1996-1999гг.).

Публикации. По теме диссертационной работы автором было опубликовано 6 работ.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат

Выводы к главе 4.

1. Исследовано влияние температуры выращивания твердых растворов (SiC)ix(AlN)x на спектры фотолюминесценции. Обнаружено, что интенсивность коротковолнового пика люминесценции увеличивается, а интенсивность длинноволнового пика уменьшается при повышении температуры выращивания. Это связано с деградацией дефектной люминесценции (длинноволновый пик), которая составляет конкуренцию рекомбинации на донорно-акцепторных парах N- А1.

2. Показано, что гетероструктуры SiC/(SiC)ix(AlN)x обладают эффективной электролюминесценцией при комнатной температуре. Спектры электролюминесценции, как правило, состоят из двух полос, интенсивность и положение максимумов которых зависят от плотности тока и от состава эпитаксиальных слоев.

3. Установлено, что максимумы полос фото-, катодо- и электролюминесценции твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x плавно смещаются в коротковолновую область с увеличением содержания A1N в образцах.

4. Показано, что спектры катодолюминесценции состоят из двух полос излучения. Длинноволновая полоса, вероятно, обусловлена рекомбинацией на дефектах, в то время как коротковолновая полоса связана с донорно-акцепторных парах N-A1 . Интенсивность этих полос по разному зависит от температуры: интенсивность длинноволновой полосы в два раза уменьшается, а интенсивность коротковолновой полосы увеличвается в четыре раза с понижением температуры от 300К до 77К.

заключение.

В итоге проделанной работы можно сделать следующие выводы:

1. Показано, что использование сублимационного травления подложек SiC в парах Si и последующее выращивание эпитаксиальных слоев в едином непрерывном процессе позволяет получать структурно - совершенные эпитаксиальные слои и гетеропереходы SiC-(SiC)ix(AlN)x с малым числом состояний на гетерогранице.

2. Установлено, что наибольшее влияние на состав и скорость растущих слоев (SiC)i.x(AlN)x оказывает соотношение парциальных давлений азота и аргона в зоне роста. При изменении Аг на Не скорость роста увеличивается, а концентрация A1N в эпитаксиальных слоях уменьшается, и оптимальные температуры изменяются. Это связано с изменением градиента температур и при этом структура эпитаксиальных слоев получается несовершенной.

3. Установлено, что состав эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x однозначно определяется составом горячепрессованных источников и соотношением парциальных давлений азота и аргона, что хорошо согласуется с результатами термодинамического расчета. Микроанализ выращенных твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x позволил установить, что эпитаксиальные слои (SiC)i.x(AlN)x, полученные сублимацией из поликристаллических твердых растворов SiC-AIN, достаточно однородны по площади и объему

4. Исследованы особенности морфологии твердых растворов (SiC)i.x(AlN)x в зависимости от условий выращивания и от состава. Определены типы дислокаций и их взаимодействие на разных стадиях роста эпитаксиальных слоев. Установлено влияние грани подложки на дефектность и морфологию эпитаксиальных слоев (SiC)ix(AlN)x. На грани (0001)С эпитаксиальные слои получаются более высокого совершенства.

5. Определены технологические особенности травления твердых растворов (SiC)ix(AlN)x. Обнаружено, что параметры травления зависят от состава твердых растворов. Установлено, что при ионном травлении скорость травления образцов (SiC)i.x(AlN)x уменьшается с ростом содержания нитрида алюминия в твердых растворах. Исследование процессов ионного травления позволило рассчитать коэффициенты распыления материала при различном содержании A1N. Определена зависимость скорости травления эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x от мощности возбуждения разряда.

6. Электроннографические исследования эпитаксиальных слоев (SiC)i.x(AlN)x, полученных при различных условиях и с разными составами показали, что образцы монокристалличны. Кикучи-линии на электронограммах свидетельствуют о том, что эпитаксиальные слои обладают достаточно высоким совершенством структуры. Рассчитаны параметры решеток эпитаксиальных слоев (SiC)ix(AlN)x по электронограммам и рентгеновским дифракто-граммам. Установлено, что при х>0,18, образцы кристаллизуются в поли-типной модификации 2Н.

7. Обнаружено, что примесная электропроводность в твердых растворах (SiC)i.x(AlN)x до 500К обусловлена наличием мелких доноров азота и акцепторов алюминия с энергиями активации соответственно 0,1 и 0,25 эВ.

8. Исследования вольтамперных и вольтфарадных характеристик гетероструктур показали, что в них образуются резкие гетеропереходы, пригодные для практического использования в различных приборных структурах, работающих в экстремальныъх условиях.

9. Исследовано влияние температуры выращивания твердых растворов (SiC)i-x(AlN)x на спектры фотолюминесценции. Обнаружено, что интенсивность коротковолнового пика люминесценции увеличивается, а интенсивность длинноволнового пика уменьшается при повышении температуры выращивания. Вероятно, это связано с деградацией дефектной люминесценции (длинноволновый пик), которая составляет конкуренцию рекомбинации на донорно-акцепторных парах N-A1

10.Установлено, что максимумы полос фото-, катодо- и электролюминесценции твердых растворов (SiC)ix(AlN)x плавно смещаются в коротковолновую область с увеличением содержания A1N в образцах.

11 .Показано, что спектры катодолюминесценции состоят из двух полос излучения. Длинноволновая полоса обусловлена рекомбинацией на дефектах структуры (вакансии углерода), в то время как коротковолновая полоса связана с рекомбинацией на донорно-акцепторных парах N-A1. Интенсивность этих полос по-разному зависит от температуры: интенсивность длинноволновой полосы в два раза увеличивается, а интенсивность коротковолновой полосы увеличивается в четыре раза с понижением температуры от 300К до 77К.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность научному руководителю профессору Сафаралиеву Г.К., доденту Нурмагомедову Ш.А., доценту Курбанову М.К., науч. сотрудникам Арсланбекову А.Х., Хамидову М.М, на-уч.сотрудникам Исмаилову.М.А и Шахшаеву Ш.М. за ценную помощь оказанную при выполнении данной работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Абдэль-Ваххаб Абдэль-Кадер Базбаз Хийярат, 2000 год

1. .Таиров.Ю.М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований. В кн.: Широкозонные полупроводники Махачкала, 1988 , С.4 .

2. Таиров Ю.М.,Цветков В.Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Сб. ЛИЯФ. Ленинград, 1979. С. 122.

3. Сафаралиев Т.К., Суханек Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния. Изв.АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1986, Т.22. № 11. С.1839

4. Cutler I.B., Miller P.D., Rafaniello W., Thompson D.P., Jack H.K. New materials in the Si-C-Al-0 -N and releted systems. Nature ( London), 1978, v.275, p. 434-435.

5. Rutz R.F. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AIN. US pat. 4382837, 1983.

6. Суханек Г., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Письма в ЖТФ. 1983.Т.9. В.12. С.737.

7. Rafaniello .W., Plichta M.R., Vircar A.V., Investigation of phasa stabiliti in the SiC- A1N J. Amer. Ceram. Soc., 1983, v. 66, N4, p. 272 -276.

8. Ervin G., Jr. Silicon carbide- aluminum nitride refractory composite. US pat. 3492153, North American Rockwell Corp., Jan. 27, 1970.

9. Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4141740, Feb. 27, 1979.

10. Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc., 1988, v. 71, N10, p. 884-890.

11. Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitrideceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N 2 p. 352-357.

12. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Шабанов Ш.Ш., Пащук Е.Г., Офицерова Н.В. Авров Д.Д., Садыков С. А. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. ФТПД993, Т,27, Вып.З, С. 402-408.

13. Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SIC)ix(ALN)x . Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1986, Т.22, Вып. 10, С. 1872-1874.

14. Нурмагомедов Ш.А., Пихтин А.Н., Разбегаев В.Н., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SIC)i.x(AlN)x . Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып 17, с. 1043-1045.

15. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SIC)i.x(AlN)x . Изв. РАН, Неорг. мат-лы, т.6, 1995, с. 1-4.

16. Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Ашурбеков С.А., Курбанов М.К., Нурмагомедов Ш.А., Сафаралиев Г.К., Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ, т. 14, в. 12, 1988, с. 10951098.

17. Safaraliev G.K, Kurbanov М.К, Ofitcerova N.V. Luminescence of heterojunc-tions (SIC)i.x(AlN)x / SIC.// Trans. International Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, Santa-Clara, USA, 1991, p. 114-119.

18. Safaraliev G., Kurbanov M., Isabecova Т., Magomedov A., Ofitcerova N. The growth and electrical properties of heteroepitaxial layers (SiC)ix(AlN)x.// Trans.3.th International High Temperature Electronic Conference, Albuquerque, USA, 1996,v.2,p.251-256

19. Сафаралиев Г.К., Разбегаев B.H., Курбанов M.K. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)iAlN)x / (SIC). Электронная техника. Сер. Материалы, вып. 4 (258), 1991, с. 22-24.

20. Safaraliev G.K, Kurbanov M.K, Nurmagomedov Sh.A., Ofitcerova N.V. Het-erojunctions on basis wide-gap solid solutions (SiC)ix(AlN)x. // 2-nd European High Temperature Electronic Conference, Manchester (England), 1997

21. Дмитриев А.П., Евлахов H.B., Фурман. A.C., Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала. ФТП, т.ЗО, в.1, 1996, с. 106-116.

22. Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю.В., ПасынковаВ.В., ТарееваБ.М. Т.З, Д., Энергоатомиздат. 1988. 726 с.

23. Дмитриев В.А., Иванов П.А., Корнев И.В., Морозенко Я.В., Попов И.В., Сидорова Г.А., Стрельчук A.M., Челноков В.Е., Письма в ЖТФ. 1985, т. 11, N4, с.238.

24. Таиров Ю.М., Левин В.И., Траваджян М.Г., Цветков В.Ф., Чернов М.А., изв. АН СССР. сер. Неорганические материалы 1978. т. 14., стр. 1062-1066.

25. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D., Cryst. and Techn. 1979. v 14,N6, p. 729.

26. Mokhov E.N., Shulpina J.I., Tregubova A.S., Vodakov Yu.A. Ciyst. Res. and Techn., 1981, v.16, N8, p.879-886.

27. Нурмагомедов Ш.А,.Сафаралиев Г.К., Исследование процесса кристаллизации эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)ix(AlN)x в книге:

28. Тез. докл. 6 Всесоюзной конференции по росту кристаллов. Цахкад-зор. 1985, стр.116-117.

29. Нурмагомедов Ш.А. Твердые растворы нитрид алюминия карбид кремния.: Диссерт. на соиск. уч.степени канд. физ.-мат. наук - Д., ЛЭТИ, 1986.

30. Ильин В.А., Карачинов В.А., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Упрочнение кристаллической решетки 6H-SiC при легировании изовалентными примесями Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, вып. 12, с.749-752.

31. Лилов С.К., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Способ определения градиента и распределения температуры в высокотемпературных печах для выращивания кристаллов карбида кремния Авт. свидетельство N 758831, 1980.

32. Мохов Е.Н., Водаков Ю.А., Ломакина Г.А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния. В кн.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников, Ленинград 1979 г. стр. 136-149.

33. Adachi S., Mokhri М., Yomashima Т. // Surt. Sci, 1985. v. 165 N2-3, p.479.

34. Цветков В.Ф. Термодинамический анализ фазовых равновесий при диссо-тиативном испарении политипов карбида кремния. -Изв.ЛЭТИ. Научн. тр Ленингр. электротехн. ин-та им.В.И.Ульянова(Ленина), 1983, вып.322, с.39-46.

35. Чепмен .С., Каулинг Т. Математическая теория неоднородных газов. М., «Мир», 1968.

36. Мохов Е.Н. Получение гомо- и гетероэпитаксиальных слоев SiC: состояние и перспективы. //В кн. "Широкозонные полупроводники", Махачкала, 1988, с.44-53.

37. Мохов Е.Н., Усманов М.М., Юлдашев Г.Ф., Махмудов Б.С. Легирование карбида кремния элементами третьей подгруппы при росте кристаллов из паровой фазы. // Изв. АН СССР., сер. Неорганические материалы, т.20 N8, 1984, с.1383-1386.

38. Енохович .А .С.Справочник по физике Москва «просвещение» .1990.

39. Forty A.J., Phil.Mag.43,481.(1952).

40. Варма А. Рост кристаллов и дислокации. Пер. с англ. под ред.ШефталяН.Н. // М., «Иностранная литература», 1958, 216с.

41. Tolansky S. Wilcock W.L, Nature, 157, 583,(1946) M.A.10-135.

42. Tolansky S. Wilcock W.L, Proc.Roy.Soc. A 191, 182, (1947) 10-325.

43. Edit by Gullan G.W., Wang C.C. Heteroepitaxial semiconductors for electronic devise//New-York. Springer-Verlag, 1971,30, P.301.

44. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б., Столяров О.Г., Шифрин С.С. Дефекты в полупроводниках.// сб.статьей . Из-во институт физики полупроводников СО АН СССР. Новосибирск. 1973. с.42.

45. Карклина М.И., Саидбеков Д.Т. Травление карбида кремния. Неорганические материалы, том 8, 1972г.

46. Vakimova R., Hylon A.L., M.Syvajarvi М., E.Janzen. Preferential etching of SiC crystals. Vol.6. № 10, August 1997, p.1456-1458.

47. Horn F.H, Fullam E.F., Kasper J.S. Nature, 169,927,1952.

48. Gevers R.,Amulinckx S., Dekeyser W. Naturwiss 39, 448,1952.

49. Gatos H.C., Lavine M.C. Journ. Electro Chem. Soc., 107,427, 1960.

50. Madar R., Anikin M., Milita S., J.Baruchel. Defects formation in sublimation groun 6H-SiC single crystal boules. Vol.6. № 10, August 1997, p. 1249-1261.

51. Matsui S., Misuki S., Yamato Т., Aritome H., Namba S. Reactive ion-beametching of Silicon Carbide, -Jpn. J. Appl.Phys., 1981,v.20,Nl, p.L38-L40

52. Попов И.В., Сыркин A.Jl., Челноков B.E. Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния. Письма в ЖТФ, т.12,вып.4,с.240-243

53. Гудков В.А., Крысов Г.А. Плазменное травление карбида кремния. Электронная техника, сер.1, Электроника СВЧ, 1984,вып.7(367), с.60-61

54. Winters H.F.,Cjburn J.W., Chuang T.J. Surface processes in plasma assisted eatching environments. J.Vac. Sci. and Technol. B,1983,v.l,Nl, p.469-480

55. Ponce F.A., Van de Walfe C.G., Northrup G.E. Atomic arrangment at the AIN/SiC interface.// Physical Review B, v.53.,№l 1, 7473-7478,1996.

56. Данилин B.C., Киреев В.Ю., Назаров Д.А. Реактивное ионное травление. -Обзоры по электронной технике, сер.З, Микроэлектроника, 1984, вып.1 (1010),71с.

57. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М: Ф-М. .Л, 1961,863с

58. Эндрюс К. , Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация . перевод с англ. языка из-во Мир, Москва, 1971г.

59. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов, перевод с англ. языка, из-во Мир, Москва, 1968г.

60. Франк Каменецкий В.А. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов . Ленинград, из-во "Недра" , 1975г.

61. Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Разбегаев В.Н., Таиров Ю.М. , Цветков. В.Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)/ (SiC)i.x(AlN)x. Электронная техника. Сер. Материалы, вып. 4 (258), 1991, с. 22-24.

62. Pawrich. L., J. Appl. Phys., 28, 765 (1957).

63. Greebe. С.A.A., J. Phil. Res. Rep. Suppl., 1,1,(1963).

64. Павличенко В.И., Рыжиков. И.В. , В сб: "Физика электронно- дырочных переходов и полупроводниковых приборов. Л., 1969, с. 326.

65. Калинина Е.В., Суворов А .В., Холуянов Г.Ф., Проблемы физики широкозонных полупроводников. Л., 1979. С. 333-339.

66. Стрельчук.А,М., Времена жизни и диффузионные длины неравновесных носителей заряда в SiC р-п-структурах. ФТП, Т.29. В.7. 1995. С. 1190-1204.

67. Веленчикова Р.Г., Водаков Ю.А., Литвин Э.П., Мохов Е.Н. , Рамм М.Г., Санкин В.И.,.Остроумов А.Г,.Соколов В.И. Электрофизические характеристики 6H-SiC р-n- переходов с эпитаксиальным р+(А1) слоем. ФТП, Т16, В11, 1982, С.2029-2032.

68. Newman Р.С., Electron lett. 1, 265 (1965).

69. Евстропов В.В., Петрович И.Л., Царенков. Б.В. , ФТП, 1981, Т.15, Вып.11, с. 2152-2158.

70. Вуль А .Я., Каряев В.Н., Петросян П.Г., Полянская Т. А., Сайдашев И.И., Шмарцев Ю.В., Р-n- переходы в твердых растворах GaAs GaSb. ФТП, Т.16,В.Ю, 1982, С.1838-1842.

71. Muench W.V., Pfaffender J., j. Appl. Phys. 1977, v.48, N11, p. 4831-4833.82.1keda M., Hayakawa Т., Yamagiwas S., Matsunami H., Tanaka T. j. Appl.,

72. Phys., 1979. V.50, N112, p. 8215-8225.

73. Константинов A.O., Литвин Д.П., Санкин В.И., Резкие структурно-совершенные карбидокремниевые р п - переходы. - Письма в ЖТФ. 1981, т.7, в.21, с.1335-1337.

74. Аникин М.М., Лебедев А.А., Попов И.В., Растегаев В.П., Сыркин А.Л., Царенков Б.В., Челноков В.Е. Электростатические свойства 6Н SiC структур с резким р - п - переходом - ФТП, 1987, т. 22, в.1, с. 133-136.

75. Веренчиков Р.Г,. Водаков Ю.А, Литвин Д.П., Мохов Е.Н., Рашт М.Г., Санкин В.И. , Остроумов А.Г., Соколов В.И., Электрофизические характеристики 6H-SiC р-п-переходов с эпитаксиальным р+ (А1) слоем. ФТП, 1982 , т. 16, в. 11, с. 2029-2032.

76. Лебедев А.А., Давыдов Д.В., Игнатьев К.И. Исследование контактной разности потенциалов 6Н SiC р-n - структур, сформированных по различным технологиям. ФТП, 1996, т.30, в.10, с. 1865-1869.

77. Gray P.E., Adler R.B. A simple method for determining the impurity distribution near a p n - junction. IEEE Transact on Electron Devices, 1965, ED - 12, 8, p. 475 -477.

78. Meyer N.J., Guldbransen T. Method for measuring impurity distribution in semiconductor crystals. Proc. IEEE, 1963, 51,11, p. 1631 1637.

79. Павлов Л.П., Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М., "Высшая школа", 1987, с. 239.

80. Милнс. А., Фойхт. Д , Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник, М., "Мир", 1975, с. 53.

81. Пихтин А.Н., Яськов Д.А., Край основной полосы поглощения SiC-6H. //ФТП, 1986, т. 12, В. 6, с. 1597-1604.

82. James J.F. On the use of aphotomultiplier as aphoton counter. Mot.Not R.Astor Soc. 1967, v. 137,p.l5.

83. Totnill A.A., W. Measurement of very low spectral intensities. EMI. Ltd. Document. Ref. R/P029Z70.

84. Макаров B.B. //ФТП. 1977. T.13. N8. -C. 2357-2363.

85. Tairov Y.M., Vodakov Y.A. //Topics in Appl. Phys. 1977. V.17. Elektroluminiscense. -P.31-61.

86. Балландович B.C., Виолин Г.И. Распределение эффективности фотолюминесценции по глубине диффузионных слоев карбида кремния легированных бором // Изд. ЛЭТП. Научные труды. 1984. В.338. -С. 12-15.

87. Аникин М.М., Кузнецов Н.И., Лебедев А.А., Полетаев Н.К., Стрельчук A.M., Сыркин А.Л., Челноков В.Е. О зависимости положения максимума электролюминесценции в диодах на основе 6H-SiC от плотности прямого тока//ФТП. 1994. Т.28. В.З. -С.443-448.

88. Авраменко С.Ф., Бойко С.И.Гусева О.А., Кисилев B.C.// ФТП. 1985.

89. Brander R.W., Sutton R.P. // J. Phys. D. 2.

90. Ikeda M., Yayakawa T. Yamagiwa S. Matsunami H., Tanaka T. //J.Appl. Phys. 50. 8215. 1979.

91. Muench W., Kuzzinger W. // Sol.St.Electron. 21. 1129 (1978).

92. Nishino S., Ibakari A., Matsunami H. //Japan. J.Appl. Phys. 19 L353 . 1980.

93. Дмитриев B.A.,.Иванов П.А, Морозенко Я.В., Попов И.В., Челноков В.Е. Письма в ЖТФ, 11, 246 (1985).

94. Аникин М.М., Стрельчук A.M., Сыркин А.Д., Челноков В.Е., Черенков А.Е. Характер температурной и тепловой зависимости интенсивности краевой инжекционной электролюминесценции SiC р-п-структур // ФТП. 1994. Т.22. В.2. -С.284-289.

95. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Широкозонные твердые растворы (SiC)ix(AlN)x //ФТП. 1991. Т. 25. В. 8. -С.1437-1446.

96. Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Офицерова Н.В., Морозенко Я.В., Абилова Н.А.// Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, В.З, с. 493496.

97. Шалимова. К.В, Физика полупроводников. М. Энергоатомиздат, 1985,392с.

98. Водаков Ю.А., Ломакина Г.А., Мохов Е.Н. В сб.; Широкозонные полупроводники (Махачкала, Изд-во ДГУ,1988) с.23.1. РСССККСКрЯfOC УДА:-', Г,4-{,*