Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Номери Мохамед Абасс Хадия

• Номери Мохамед Абасс Хадия
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Номери Мохамед Абасс Хадия

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1 Кристаллографические, термодинамические, электрофизические, оптические и другие свойства полупроводниковых оксидов металлов 8п02 и 1п203.

1.2 Нитевидные формы оксидных материалов (получение, свойства, применение).

1.3 Особенности свойств наноразмерных материалов. Квантово размерные эффекты и другие характеристические длины в полупроводниковых материалах.

1.4 Морфологические, структурные и оптические свойства квазиодномерных, лентовидных и нитевидных нанокристаллов диоксида олова 8п02, 1п203.

1.5 Цели и задачи работы.

Глава 2. Технология получения нитевидных, пленочных и порошкообразных форм оксидов. Методика оптических экспериментов.

2.1 Синтез нитевидных кристаллов методом газового транспорта.

2.2 Методика получения образцов других форм.

2.3 Растровая электронная микроскопия (РЭМ).

2.4 Электронная просвечивающая микроскопия (ПЭМ).

2.5 Методика дифрактометрических исследований.

2.6 Методика оптических исследований.

Глава 3. Кристаллическая структура полупроводниковых оксидов 8п02 и 1п20з и гетероструктур 1п203/ 8п02, полученных методом газового транспорта.

3.1 Морфология и кристаллография нитевидных образцов 8п02.

3.2 Морфология и кристаллография нитевидных кристаллов 1п

3.3 Морфология и кристаллография нитевидных гетероструктур

In203/Sn02.

3.4 Выводы.

Глава 4. Оптическе свойства различных микро-и наноформ оксидных полупроводников Sn02 и 1п203.

4.1 Нитевидные образцы Sn02.

4.1.1 Оптические характеристики нитевидного материала Sn02, подвергнутого фракционированию.

4.1.2 Фракталоподобный конденсат на кварцевой пластине.

4.2. Пленочные образцы Sn02.

4.2.1 Образцы, полученные окислением тонких слоев металлического олова.

4.2.2 Образцы, полученные химическими методами.

4.3 Порошкообразные образцы Sn02.

4.3.1 Коммерческий крупнокристаллический реактив Sn02 («Вектон»).

4.3.2 Коммерческий прессованный реактив Sn02 (Alfa Aesar -Sintered Lump (metal basis)).

4.3.3 Коммерческий порошкообразный нанокристаллический образец Sn02 (Sigma-Aldrich -20 nm).

4.3.4 Нанокристаллический образец, полученный золь-гель методом.

4.3.5 Нанокристаллический образец, полученный окислением металлического олова азотной кислотой.

4.3.6 Порошкообразный образец, полученный окислением SnO.

4.4 Сравнительные оптические характеристики различных микро- и наноформ Sn02.

4.4.1 Спектры фотолюминесценции Sn02 и схема уровней в запрещенной зоне.

4.5 Оптические свойства нитевидных, пленочных и порошкообразных образцов 1пгОз.

4.6 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3»

Актуальность работы:

Нитевидные формы оксидных полупроводников обладают рядом уникальных физических свойств, которые обусловлены, прежде всего, их совершенным монокристаллическим строением и чрезвычайно выраженной анизотропией кристаллов. Соотношение длины монокристаллов к поперечному размеру достигает 104, при этом диаметр полупроводниковых нитей может быть менее 10 нм, что уже сравнимо с дебройлевской длиной волны электрона в полупроводниках. Таким образом, движение электронов в полупроводниковых нанонитях при определенных условиях может приобретать одномерный квантовый характер. Отсутствие структурных дефектов в нанонитях определяет близкие к предельным характеристики, такие как механическая прочность, подвижность носителей заряда и т.д. Кроме того, отношение площади поверхности к объему в квазиодномерных структурах намного больше, чем в обычных кристаллах, что усиливает их сенсорные свойства, а также позволяет использовать их в различных эмитирующих устройствах. Планируется, что на основе нитевидных кристаллов уже в ближайшее время будут созданы высокотемпературные, радиационностойкие и быстродействующие электронные и оптоэлектронные устройства.

Первоочередными задачами в области технологии нитевидных материалов являются синтез кристаллов с предсказуемыми геометрическими характеристиками и контролируемое введение примесей, которые обеспечивают их функциональные свойства. Эти задачи в полной мере позволяет решать газотранспортный синтез, основанный на переносе паров оксидного материала в потоке газа-носителя из высокотемпературной зоны в зону роста кристаллов. Оптимизация параметров газотранспортного синтеза позволяет получать совершенные по структуре нитевидные монокристаллы, свободные от нежелательных технологических примесей. Целенаправленное введение в исходную шихту тех или иных примесей позволяет не только контролируемо легировать растущие кристаллы, но и получать оксидные гетероструктуры, что открывает новые перспективы использования этого метода.

Цель работы: Разработка технологии получения нитевидных кристаллов широкозонных полупроводниковых оксидов 3п02 и 1п20з с заданными характеристиками на основе метода газового транспорта; установление закономерностей роста нитевидных и других форм кристаллов; зависимость их морфологии и оптических свойств от условий их получения; установление структуры локализованных электронных состояний в запрещенной зоне 8п02.

Основными задачами исследования, исходя из поставленной цели, являются:

- оптимизация технологических параметров синтеза для получения нитевидных кристаллов с заданными характеристиками.

- синтез нитевидных кристаллов 8п02,1п203 и гетеросгрукгур на их основе.

- исследование особенностей роста нитевидные оксидных полупроводников 3п02,1п20з и гетероструктур на их основе

- исследование оптических свойств нитевидных кристаллов в сравнении с другими кристаллическими формами.

Объекты и методы исследования. Объектами исследований являлись нитевидные кристаллы 8п02, 1п20з и нитевидные гетероструктуры -1п20з/8п02, которые были полученные методом газотранспортного синтеза. Также изучались порошкообразные и пленочные образцы 8п02, 1п2Оз, полученные различными методами (магнетронным распылением, лазерной абляцией, химическими методами).

Исследование морфологии нитевидных кристаллов проводилось на растровом электронном микроскопе (РЭМ) ХЕОЬ 18М-6380. Кристаллографические исследования проводились на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) ЭМВ -100БР методом дифракции электронов. Фазовый состав полученных образцов определяли методом рентгеновской дифракции на дифрактометре ДРОН-4. Размеры кристаллов оценивались по методу Дебая-Шеррера и с помощью электронной микроскопии. Оптические исследования нитевидных и других форм кристаллов были проведены методом спектроскопии в режиме на пропускание и диффузного отражения на двулучевом спектрометре ЗЫп^ги 210А. Спектры фотолюминесценции получены с помощью автоматизированной установки на базе монохроматора МДР23 и импульсного азотного лазера ИНГИ 503.

Научная новизна работы определяется тем, что:

1. Определены технологические режимы газотранспортного синтеза, которые позволяют получать нитевидные кристаллы и нитевидные гетероструктуры с заданными свойствами.

2. Установлены закономерности роста кристаллов различной формы в зависимости от условий синтеза (температуры, газовой среды, состава шихты).

3. Установлены закономерности сопряжения кристаллических решеток при образовании гетероструктур 1п20з/8п02.

4. На основании исследования спектров фотолюминесценции образцов 8п02 различной кристаллической формы, размеров кристаллов и технологии изготовления определена структура локализованных уровней в запрещенной зоне 8п02 и излучательных переходов между ними.

Практическое значение Установленные в работе закономерности, термодинамические параметры и режимы газотранспортного синтеза нитевидных материалов 8п02, 1п203 и гетероструктур 1п20з/8п02, а также выявленные особенности оптических характеристик нитевидных кристаллов, являются необходимым и важнейшим этапом для создания новых функциональных материалов для приборов оптоэлектроники, лазеров и фотонных кристаллов, световодов, полевых транзисторов, газовых сенсоров, резонаторов и кантиливеров для туннельных микроскопов.

На защиту выносятся следующие положения:

- Закономерности формирования различных микро - и нанокристаллических форм широкозонных полупроводниковых оксидов ЭпОг и 1п20з в процессе газотранспортного синтеза при различных термодинамических параметрах и режимах.

- Кристаллографические характеристики нитевидных кристаллов 8п02, 1п203.

- Характеристики взаимной ориентации роста и сопряжения кристаллических решеток 8п02 и 1п203 на их межфазной границе в гетероструктурах 1п203/8п02.

- Оптические характеристики и их особенности для нитевидных образцов 8п02, синтезированных методом газового транспорта в сравнении с образцами, полученными другими методами.

- Схема локализованных электронных уровней и излучательных переходов между ними, соответствующая экспериментально наблюдаемым спектрам фотолюминесценции образцов БпОг.

Личный вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре физики твердого тела и наноструктур Воронежского госуниверситета и проводилась в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором осуществлено обоснование метода исследования и проведены экспериментальные исследования, совместно с научным руководителем проведен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы основные выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международной конференции «Форум по нанотехнологиям» (Москва, 2008); VI Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводнки» (Санкт-Петербург, 2008); IV Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2008); Международной конференции студентов, аспирантов и молодых учёных по фундаментальным наукам (Воронеж, 2008); VII Всероссийской конференции-школы «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении (индустрия наносистем и материалы)» (Воронеж, 2009); Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи (Белгород, 2009); XI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике физикотехнологического научно-образовательного центра РАН (Санкт-Петербург 2009 и 2010 ).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 17 печатных работ, в том числе 7 статей, из которых 4 в журналах, рекомендуемых перечнем ВАК, 10 работ в трудах конференций.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения, изложенных на 120 страницах машинописного текста, включая 79 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 96 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Номери Мохамед Абасс Хадия

Основные результаты и выводы

Впервые проведены комплексные исследования оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов БпОг и 1п203 и нитевидных гетероструктур 1п203/8п02, которые были полученны методом газотранспортного синтеза. Для сравнения с нитевидными изучались порошкообразные и пленочные образцы 8п02, 1п203, полученные различными методами (магнетронным распылением, лазерной абляцией, химическими методами), методами просвечивающей электронной микроскопии, оптической спектроскопии, рентгеновской дифрактометрии. Полученные результаты позволяют сделать следующие выводы:

1. На основе разработанной конструкция установки газотранспортного синтеза найдены технологические условия (температура, состав газовой среды, скорость потока газа-носителя, состав шихты), которые позволяют получать нитевидные кристаллы с заданными характеристиками, в том числе ультратонкие нити диаметром~20 нм. Определены кристаллографические характеристики полученных нитевидных кристаллов тетрагонального 8п02 и кубического 1п203.

2. Разработана технология газотранспортного синтеза нитевидных гетероструктур 1п203/8п02. Определены характеристики взаимной ориентации роста и сопряжения кристаллических решеток тетрагонального 8п02 и кубического 1п203 на межфазной границе в гетероструктурах.

3. Установлены закономерности роста кристаллов различной формы в зависимости от условий синтеза (температуры, газовой среды, состава шихты).

4. Обнаружена наибольшая интенсивность фотолюминесценции нитевидных кристаллов 8п02 в сравнении с образцами других кристаллических форм.

5. Установлена энергетическая структура локализованных состояний в запрещенной зоне 8п02 и излучательных переходов между ними по спектрам фотолюминесценции образцов 8п02 различных кристаллических форм, размеров кристаллов и технологий изготовления.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Номери Мохамед Абасс Хадия, 2011 год

1. Kilic, C. Origins of Coexistence of Conductivity and Transparency in Sn02 / C. Kilic, A. Zunger // Phys. Rev. Lett. -2002. Vol. 88. -Pp. 045119-1-3.

2. Lewis, B.G. Applications and Processing of Transparent Conducting Oxides / B.G. Lewis, D.C. Paine // MRS Bull. -2000. Vol. 25. - Pp. 22-27.

3. Hartnagel H.L. Semiconducting Transparent Thin Films / H.L. Hartnagel, A.L. Dewar, A.K. Jain. Bristo : IOP Publishing Ltd, Bristol. 2002. - 358 c.

4. Mandelis, A. Chemistry and Technology of Solid State Gas Sensor Devices / A. Mandelis, C. Christofides. New York: Wiley, New York. 1993.- 125 c.

5. Gopel, W. Sn02 sensors: current status and future prospects / W. Gopel, K. D. Shierbraum // Sensors and Actuators B. -1995. Vol. 26. -Pp. 1-12.

6. Wang, W. Preparation of Sn02 nanorods by annealing Sn02 powder in NaCl flux / W. Wang, C. Xu, X. Wang // journal of material chemistry.-2002.-Vol. 12.-Pp. 1922-1925.

7. Zhu, W. Fabrication of ordered Sn02 nanotube arrays via a template route / W. Zhu, W. Wang // Materials Chemistry and Physics. 2006. - Vol. 99. - Pp. 127-130.

8. Kim, K. W. Preparation of Sn02 whiskers via the decomposition of tin oxalate / K.W. Kim, P.S. Cho, J.H. Lee et al. // Journal of Electroceramics. 2006. -Vol. 17.-Pp. 895-898.

9. Ma, X. L. Growth mode of the Sn02 nanobelts synthesized by rapid oxidation / X. L. Ma, Y. Li, Y. L. Zhu // Chin. Phys. Lett. 2003. - Vol. 367. - Pp. 794798.

10. Pan, Z.W. Nanobelts of semiconducting oxides / Z.W. Pan, Z.R. Dai, Z.L. Wang // Science. -2001. Vol. 291. -Pp. 1947-1949.

11. Hamberg, I. Evaporated Sn-doped In203 films: Basic optical properties and applications to energy-efficient windows / I. Hamberg, C.G. Granqvist //Journal of Applied Physics. 1986. - Vol. 60. - Pp. 123-159.

12. Hopra, K.L. Transparent Conductors-A Status Review / K.L. Hopra, S.

13. Major, D.K. Pandya // Thin Solid Films. -1983. Vol. 102. - Pp. 1-46.

14. Han, Y. Tin-doped indium oxide (ITO) film deposition by ion beam sputtering / Y. Han, D. Kim, J.S. Cho, S.K. Koh, Y.S. Song // Solar Energy Material and Solar Cells. 2000. - Vol. 65. - Pp. 211-218.

15. Sueva, D. A neutron detector based on an ITO/p-Si structure / D. Sueva, S.S. Georgiev, N. Nedev et al. // Vacuum. 2000. - Vol. 58. - Pp. 308-314.

16. Brannon, J.H. Micropatterning of Surfaces by Excimer Laser Projection / J.H.

17. Brannon // Journal of Vacuum Science and Technology B. 1989. - Vol. 7.58.-Pp. 1064-1071.

18. Marezio, M. Refinement of the crystal structure of ln203 at two wavelengths / M. Marezio // Acta Crystallographica. 1966. - Vol. 20. 58. - Pp. 723-728.

19. Физико-химические свойства окислов / Под ред. Г.В. Самсонова. М. : Металлургия, 1978. - 472 с.

20. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах / С. Зи. М : Мир,книга 1, 1984.-325с.

21. Микроструктура и физические свойства тонких пленок Sn02 / С.И. Рембеза, Т.В. Свистов, Е.С. Рембеза, О.И. Борсякова // Физика и техника полупроводников. Воронеж - Т.35. Выпуск 7 - 2001. - 796 с.

22. Houston, J.E. Photoelectronic analysis of imperfections in grown stannic oxide single crystals / J.E. Houston, E.E. Kohnke // J. Appl. Phys. 1965. -Vol. 36.-Pp. 3931-3938.

23. Богданов, К.П. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова / К.П. Богданов, Д.Ц. Димитров, О.Ф. Луцкая, Ю.М. Таиров // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32, № 10. - С. 11581160.

24. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. -М.: Наука.-1978.- 168с.

25. Tien, L.C. Synthesis and applications of metal oxide nanowires / L.C. Tien. -«University of Florida », 2008. 189 p.

26. Кочергинская, П. Б. Особенности Роста и анализ сенсорных свойствнитевидных кристаллов Sn02 / П. Б. Кочергинская, Д. М. Иткис, Е. А. Гудилин, Ю. Д. Тритьяков // Международный журнал « Альтернативная энергетика и экология » 2007. - Т. 9, № 53. С. 11-15.

27. Румянцева, М.Н. Синтез нитевидных кристаллов Sn02 из пара / М.Н. Румянцева, А. А. Жукова, Ф.М. Спиридонов // Неорганические материалы. 2007. - Т. 8, № 44. С. 1-5.

28. Lu, W. One-dimensional hole gas in germaniumsilicon nanowire heterostructures / W. Lu, J. Xiang, B.P. Timko et al. // PNAS. 2005. -Vol. 102, no. 29.-Pp. 10046-10051.

29. Frank, S. Carbon Nanotube Quantum Resistors / S. Frank, P. Poncharal, Z.L. Wang et al. // Science. 1998. - Vol. 280. - Pp. 1744-1746.

30. Zhou, X. Direct observation of ballistic and drift carrier transport regimes in InAs nanowires / X. Zhou, S.A. Dayeh, D. Aplin et al. // Apl. Phys. Lett. -2006.-Vol. 89.-Pp. 053113- 1-3.

31. Duan, X. Single-nanowire electrically driven lasers / X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal et al. // Nature. 2003. - Vol. 421. - Pp. 241-245.

32. Andrew, B. Semiconductor nanowire laser and nanowire waveguide electro-optic modulators / B. Andrew, C. Greytak, J. Barrelet, et al. // Appl. Phys. Lett.-2005.-Vol. 87.-Pp. 151103-1-3.

33. Law M. Nanoribbon Waveguides for Subwavelength Photonics Integration / M. Law, D. J. Sirbuly, J.C. Johnson et al. // Science. 2004. - Vol. 305. - Pp. 1269-1272.

34. Kolmakov, A. Chemical sensing and catalysis by one-dimensional metal-oxide nanostructures / A. Kolmakov, M. Moskovits // Annu. Rev. Mater. Res. 2004. - Vol. 34. - Pp.151-180.

35. Zhou, J. Nanowire as pico-gram balance at workplace atmosphere / J. Zhou, C.S. Lao, P. Gao et al. // Solid State Communications. 2006. - Vol. 34. - Pp. 151-180.

36. Coey, J.M.D, Donor impurity band exchange in dilute ferromagnetic oxides / J.M.D Coey, M. Venkatesan, C.B. Fitzgerald // Nature materials. 2005. -Vol. 4.-Pp. 173-179.

37. Radovanovic, P.V. General Synthesis of Manganese-Doped II-VI and III-V Semiconductor Nanowires / P.V. Radovanovic, C.J. Barrelet, S. Gradecak, et al.//Nano Letters.-2005.-Vol. 5, no. 5.-Pp. 1407-1411.

38. Li, Y. Nanowire electronic and optoelectronic devices / Y Li, F. Qian J. Xiang et al. // Materials today. 2006. - Vol. 9, no. 10. - Pp. 18-27.

39. Brushan B. Handbook of Nanotechnology : Chapter 4. Nanowires / B. Brushan. Springer. Berlin : Berlin Heidelberg, - 2007 - Pp. 113-160.

40. Shankar, K.S. Fabrication of nanowires of multicomponent oxides / K.S. Shankar, A.K. Raychaudhuri // Materials Science and Engineering . C. -2005. Vol. 25. - Pp. 73 8-751.

41. Wang, Z.L. Functional oxide nanobelts: Materials, Properties and Potential Applications in Nanosystems and Biotechnology / Z.L. Wang // Annu. Rev. Phys. Chem.-2004.-Vol. 55.-Pp. 159-196.

42. Lu, W. Semiconductor nanowires / W. Lu, C. M. Lieber // J. Phys. D: Appl. Phys. -2006. Vol. 39. - Pp. R387-R406.

43. Bjork, L.M.T. One-dimensional heterostructures in Semiconductor nanowhiskers / L M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass et al. // Appl. Phys. Lett. -2002.-Vol. 80.-Pp. 1058-1-3.

44. Lu, W. Nanoelectronics from the bottom up / W. Lu, C. M. Lieber. // Nature materials. -2007. Vol. 6. - Pp. 841-850.

45. Eriksson, M.A. Nanowires charge towards integration / M.A. Eriksson, M. Friesen // Nature nanotechnology. 2007. - Vol. 2. - Pp. 595-596.

46. Ju, S. Fabrication of fully transparent nanowire transistors for transparent and flexible electronics / S. Ju, A. Faccehetti, Y. Xuan et al. // Nature nanotechnology. 2007. - Vol. 2. - Pp. 378-384.

47. Duan, X. High-performance thin-film transistors using semiconductor nanowires and nanoribbons / X. Duan, C. Niu, V. Sahi et al. // Nature. -2003. Vol. 425. - Pp. 274-278.

48. Pearton, S.J. ZnO Spintronics and Nanowire Devices / S.J. Pearton, D.P. Norton, Y.W. Heo et al. // J. Electronic Materials. -2006. Vol. 5, no. 5. -Pp. 862-868.

49. Ronning, C. Manganese-doped ZnO nanobelts for spintronics / C. Ronning, P. X. Gao, Y. Ding et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. - Vol. 84, no. 5. - Pp. 783-785.

50. Tanase, M. Magnetic trapping and self-assembly of multicomponent nanowires / M. Tanase, D. M. Silevitch, A. Hultgren et al. // J. Appl. Phys. -2002.-Vol. 91, no. 10.-Pp. 8549-8551.

51. Kulkarni, J. S. Dilute magnetic semiconductor nanowires / J.S. Kulkarni, O. Kazakova, J.D. Holmes. // Appl. Phys. A. 2006. - Vol. 85. - Pp. 277-286.

52. Agarwal, R. Semiconductor nanowires: optics and optoelectronics / R. Agarwal, C.M. Lieber // Appl. Phys. A. 2006. - Vol. 85. - Pp. 209-215.

53. Duan, X. Single-nanowire electrically driven lasers / X. Duan, Y. Huang, R. Agarwal et al. // Nature. 2003. - Vol. 421. - Pp. 241-245.

54. Duan, X. Indium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and optoelectronic devices / X. Duan, Y. Huang, Y. Cui et al. // Nature. 2001. - Vol. 409. - Pp. 66-69.

55. Wang, Z.L. Functional oxide nanobelts: Materials, Properties and Potential Applications in Nanosystems and Biotechnology / Z. L.Wang // Annu. Rev. Phys. Chem. -2004. Vol. 55. - Pp. 159-196.

56. Choi, Y.J. Fabrication of an Sn02 nanowire gas sensor with high sensitivity / Y.J. Choi, I.S. Hwang, J.G. Park et al. // Nanotechnology. 2008. - Vol. 19. -Pp. 1-4.

57. Kolmakov, A. Enhanced Gas Sensing by Individual Sn02 Nanowires and Nanobelts Functionalized with Pd Catalyst Particles // A. Kolmakov, D.O.

58. Klenov, Y. Lilach et al. // Nano Letters. 2005. - Vol. 5, no. 4. - Pp. 667673.

59. Bismuto, A. Room-temperature gas sensing based on visible photoluminescence properties of metal oxide nanobelts / A Bismuto, S Lettieri, P Maddalena et al. // J. Opt. A: Pure Appl. Opt. 2006. - Vol. 8. -Pp. 585-588.

60. Kolmakov, A. Chemical sensing and catalysis by one-dimensional metal oxide nanostructures / A. Kolmakov, M. Moskovits // Annu. Rev. Mater. Res. 2004. - Vol. 34. - Pp. 151-180.

61. Comini, E. Oxide Nanobelts as Conductometric Gas Sensors/ E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri et al. // Material and Manufacturing Processes. 2006. -Vol. 21.-Pp. 229-232.

62. Comini E., Faglia G., Sberveglieri G., Calestani D., Zanotti L., Zha M. Tin oxide nanobelts electrical and sensing properties / E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri // Sensors and Actuators B: Chemical. 2005. - Vol. N:111-2. -Pp. 2-6.

63. Batzill, M. The surface and materials science of tin oxide / M. Batzill, U. Diebold // Progress in Surface Science. 2005. - Vol. 79. - Pp. 47-154.

64. Granqvist C.G. Transparent conductors as solar energy materials / C.G.

65. Granqvist // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2007. - Vol. 91. - Pp. 1529-1598.

66. Боченков B.E. Наноматериалы для сенсоров / B.E Боченков, Г.Б. Сергеев // Успехи химии. 2007. - Т. 76, № 12. - С. 1084-1093.

67. Pianaro, S.A. A new Sn02 -based varistor system / S.A. Pianaro, P.R. Bueno, E. Longo et al. // J. of Mater. Sci. Letters. 1995. - Vol. 14. - Pp. 692-694.

68. Vecchio-Sadus A.M. Tin dioxide-based ceramics as inert anodes for aluminium smelting: a laboratory study / A.M. Vecchio-Sadus, D.C. Constable, R. Dorin at al. // Light metals. 1996. - Vol. 14. - Pp. 259-265.

69. Wagner, R.S. Vapor-liquid-solid mechanisms of single crystal growth / R.S. Wagner, W.C. Ellis // Appl. Phys. Lett. 1964. - Vol. 4, no. 5. - Pp. 89-90

70. Wagner R.S., Whisker Technology / Wiley : Wiley New York. -1970

71. Гиваргизов, Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара / Е.И. Гиваргизов. -М.: «Наука», 1977,-303 с.

72. Гиваргизов Е.И., Чернов А.А. // Кристаллография. 1973. - Т. 18. - С. 147-149.

73. Givargizov, E.I. // J. Crystal Growth. 1973. - Vol. 20. - Pp. 217-226.

74. Kashchiev, D. Nucleation: Basic Theory with Applications / D. Kashchiev. -Oxford : Oxford. Butterworth Heinemann, 2000.

75. Дубровский, В.Г. О минимальном диаметре нитевидных нанокристаллов / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев // ПЖТФ. 2006. - Т. 32, № 24. С. 1017.

76. Дубровский, В.Г. О роли поверхностной диффузии адатомом при формировании нанометровых нитевидных кристаллов / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис и др. // ФТП. 2006. - Т. 40, № 10. С. 1103-1110.

77. Дубровский, В.Г. Нуклеация на боковой поверхности и ее влияние наформу нитевидных кристаллов / В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин и др. // ФТП. 2007. - Т. 41, № 10. С. 1257-1264.

78. Дубровский, В.Г. О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов / В.Г. Дубровский, И.П. Сошников, Н.В. Сибирев и др. // ФТП. 2007. - Т. 41, № 7. С. 888-896.

79. Dubrovskii, V.G. Diffusion-induced growth ofGaAs nanowhiskers during molecular beam epitaxy: Theory and experiment / V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov et al. // Phys. Rev. B. 2005. - Vol. 71. - P. 205325.

80. Bryllet, T. Vertical wrap-gated nanowire transistors / T. Bryllet, L.E. Wernerson, T. Lowgren // Nanotechnology. 2006. - Vol. 17, no. 11. - P. S227.

81. M.C. Plante, M.C. Growth mechanisms of GaAs nanowires by gas sourcemolecular beam epitaxy / M.C. Plante, R.R. LaPierre //J. Cryst. Growth. -2006. Vol. 286. - Pp. 394 - 399.

82. Dubrovskii, V.G. Theoretical analysis of the vapor-liquid-solid mechanism of nanowire growth during molecular beam epitaxy / V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin et al. // Phys. Rev. E. 2006. -Vol. 73.-P. 21603.

83. Dubrovskii V.G. General form of the dependences of nanowire growth rate on the nanowire radius / Dubrovskii V.G., Sibirev N.V // Journal of Crystal Growth. 2007. - Vol. 304. - Pp. 504 - 513.

84. Huang, M. H.Catalytic Growth of Zinc Oxide Nanowires by Vapor Transport / M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick et al. // Adv. Mater. 2001. - Vol. 13, no. 2. -Pp. 113-116.

85. Wang, X. Large-Scale Synthesis of Six-Nanometer-Wide ZnO Nanobelts / X. Wang, Y. Ding, V. Summers et al. // J. Phys.Chem. B. 2004. - Vol. 108. -Pp. 8773 - 8777.

86. Кейси X. Лазеры на гетероструктурах / X. Кейси, М. Паниш -М.: Мир,1981.-300 с.

87. Calestani, D. Morphological, structural and optical study of quasi-ID Sn02 nanowires and nanobelts / D. Calestani, L. Lazzarini, G. Salviati et al. // Cryst. Res. Technol. 2005. - Vol. 40, no. 10-11. - Pp. 937-941.

88. Gu, F. Synthesis and Luminescence Properties of Sn02 Nanoparticles / F. Gu, S.F. Wang, C.F. Song et al. // Chem. Phys. Lett. 2003. - Vol. 372, no. 3. -Pp. 451-454.

89. Kar, A. Growth and properties of tin oxide nanowires and the effect of annealingcondition / A. Kar, M.A. Stroscio , M. Dutta // Semicond. Sci. Technol. 2010. -Vol. 25.-Pp. 024012-1-9.

90. Dolbec, R. Microstructure and physical properties of nanostructured tin oxide thin films grown by means of pulsed laser deposition / R.Dolbec, M.A. El Khakani, A.M. Serventi et al. // Thin Solid Films. 2002. - Vol. 419.-Pp. 230-236.

91. Feng Y.S., Preparation and Optical Properties of Sn02/Si02 Nanocomposite / Y.S. Feng, Y.R. Sheng, L.D. Zhang // Chin.Phys.Lett. 2004. - Vol. 21, no. 7.-Pp. 1374—1376.

92. Ховив, A.M. Особенности структуры края собственного поглощения плёнок олова, оксидированных в потоке кислорода / A.M. Ховив, А.Н. Лукин, В.А. Логачёва и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2005. - Т.7, №1. С. 89 - 97.

93. Васильев, Р.Б. Sn02 методами вольтамперометрии и импеданс-спектроскопии / Р.Б. Васильев, М. Н. Румянцеваб, Л. М. Рябова // Физика и техника полупровдников. 2009. - Т. 43, № 2. С. 167-169.

94. Licznerski, B.W. Characterisation of electrical parameters for multilayer Sn02 gas sensors / B.W. Licznerski, K. Nitsch, H. Teterycz et al. // Sensors and Actuators B. 2004. - Vol. 103. - Pp. 69-75.

95. Dow, J.D. Effective-impurity model of optical absorption edges / J. D. Dow, J. J. Hopfield // J. Non-Crystalline Solids. 1972. - Vol. 8-10. - Pp. 664 - 669.

96. Wang, J.X. Synthesis and characterization of In203/Sn02 hetero-junction beaded nanowires / .X. Wang, H.Y. Chen, Y. Gao // J. Crystal Growth. -2005. Vol. 284. - Pp. 73 - 79.

97. Suito, К. High pressure synthesis of orthorhombic Sn02 / K. Suito, N. Kawai, Y. Masuda et al. // Mater. Res. Bull. 1975. - Vol. 10. - Pp. 677 - 680.

98. Samson, S. Defect structure and electronic donor levels in stannic oxide crystals / S. Samson, C. G. Fonstad // J. Appl. Phys. 1973. - Vol. 44. - Pp. 4618-4621.

99. Prades, J.D. Defect study of Sn02 nanostructures by cathodoluminescence analysis: Application to nanowires / J.D. Prades, J. Arbiol, A. Cirera et al. // Sens. Actuators B Chem. 2007. - Vol. 126. - Pp. 6 - 12.