Эквиваленты индуктивности и конверторы отрицательного сопротивления во входных цепях микроэлектронных приемников электромагнитного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Татаринцев, Сергей Анатольевич

• Татаринцев, Сергей Анатольевич
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Татаринцев, Сергей Анатольевич

ВВЕДЕНИЕ

1.ОБЗОР СХЕМ ЭКВИВАЛЕНТОВ ИНДУКТИВНОСТИ, АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ, СФЕР ПРИМЕНЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИЕМНИКОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1.1. Обзор схем эквивалентов индуктивности и аналогов негатронов

1.2.Сферы применения микроэлектронных приемников электромагнитного излучения 27 1.3 .Выводы и основные направления исследования

2.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЕМНИКОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

2.1.Основные проблемы и принципы построения приемников электромагнитного излучения

2.2.Приемник электромагнитного излучения промышленной частоты 50Гц

2.3.Микроэлектронные радиопарные датчики 39 2.4.Особенности приемников электромагнитного излучения с конвертором отрицательного сопротивления на операционном усилителе

2.5.Твердотельные приемники электромагнитного излучения

2.6. Выводы

3.ИССЛЕДОВАНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ КОНВЕРТОРОВ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ И ЭКВИВАЛЕНТОВ ИНДУКТИВНОСТИ ДЛЯ ПРИЕМНИКОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

3.1.Исследование высокочастотной схемы устройства с динамическим отрицательным сопротивлением

3.2.Исследование схемы с отрицательным сопротивлением на комплементарных биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эквиваленты индуктивности и конверторы отрицательного сопротивления во входных цепях микроэлектронных приемников электромагнитного излучения»

Актуальность темы. Потребность в миниатюрных приемниках электромагнитного излучения (ПЭМИ) вызвана развитием средств электронной разведки и экологического мониторинга, электронных устройств для управляемых снарядов, внедрением электроники в медицину. Желательно, чтобы ПЭМИ, выполняемые в виде интегральных микросхем, включали в себя не только активные избирательные входные цепи, но и антенну, т. е. антенна должна быть активной. Активные антенны выполняются в виде сочетания собственно антенны с усилителем или конвертором отрицательного сопротивления (ОС) [1, 2]. Если первый вариант хорошо изучен, то сочетанию конвертора отрицательного сопротивления (КОС) с антенной практически не уделялось внимания.

Известно, что антенна представляет собой открытый колебательный контур, состоящий из распределенных или сосредоточенных индуктивных и емкостных элементов [3, 4]. Магнитная антенна содержит ферритовый стержень, на котором помещается катушка входного контура и катушка связи с ним. При уменьшении размеров индуктивных элементов антенн до такой степени, чтобы они были соизмеримы с размерами других компонентов гибридных интегральных микросхем, их добротность понижается. Повысить ее можно включением последовательно или параллельно с катушкой индуктивности конвертора отрицательного сопротивления [5, 6].

Сами конверторы должны отличаться температурной и режимной стабильностью, высокими рабочими частотами, низким уровнем собственных шумов. Микроэлектронные планарные спиральные катушки индуктивности и планарные конденсаторы могут составить открытый колебательный контур, поведение которого в качестве антенны слабо изучено [7, 8]. Применение конверторов отрицательного сопротивления в перестраиваемых контурах не рассматривалось. Конвертор отрицательного сопротивления может быть легко превращен в конвертор импеданса, который обладает некоторой эквивалентной индуктивностью с легко регулируемой добротностью [5]. Такие индуктивности по сравнению с гираторными имеют высокие и легко предсказуемые добротности, их применение во входных цепях МПЭМИ слабо изучено.

Микроэлектронные приемники электромагнитного излучения (МПЭМИ) могут служить основой для радиопарных датчиков давления, приближения, положения, поверхностного удельного сопротивления проводящих пленок. В радиопарных датчиках потребляемая мощность микроэлектронного радиопередатчика сравнима с потребляемой мощностью МПЭМИ, поэтому зона чувствительности МПЭМИ лежит в пределах от единиц миллиметров до нескольких сантиметров. Микроэлектронные радиопарные датчики также ранее не исследованы.

Цель диссертационной работы. Разработка и исследование транзисторных КОС на аналогах негатронов, эквивалентов индуктивности и МПЭМИ на их основе для создания микросхем приемников электромагнитных излучений, выполняющих функции активной антенны.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

- провести обзор известных схем эквивалентов индуктивности и КОС, сфер их применения;

- разработать принципы построения активных МПЭМИ;

- исследовать параметры КОС, эквивалентов индуктивности и МПЭМИ на их основе;

- синтезировать новые схемы КОС и эквивалентов индуктивности с улучшенными параметрами;

- исследовать шумовые свойства микроэлектронных высокочастотных транзисторных эквивалентов индуктивности и КОС;

- исследовать радиопарные датчики с МПЭМИ.

Методы исследований и достоверность результатов. Исследование схем КОС и эквивалентов индуктивности проводилось с использованием методов теории цепей. При анализе схем использовалась малосигнальная модель транзистора. Измерения проводились с помощью стандартных электроизмерительных приборов и оборудования, погрешность измерения которых обеспечивает достоверность полученных в диссертационной работе результатов. Для анализа частотных и шумовых свойств исследовавшихся схем применялись следующие программы: MathCad, MapleV, PSpice.

Достоверность результатов диссертации основана также на согласовании теоретических расчетов, выполненных с использованием прикладных программ на ЭВМ, с результатами экспериментальных исследований.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1.Разработаны принципы построения МПЭМИ (в качестве чувствительного элемента, вместо антенны, используется миниатюрная катушка индуктивности с магнитным стержневым сердечником или планарной конструкции, добротность которой повышается с помощью аналога негатрона или конденсатор планарной конструкции в сочетании с эквивалентом индуктивности; катушка индуктивности включается последовательно с контурным конденсатором, аналогом негатрона с S-образной ВАХ и компенсирующим резистором, в этом случае в колебательном контуре активное сопротивление положительно и мало по величине, а полезный сигнал выделяется на большом отрицательном сопротивлении; катушки индуктивности включается параллельно с контурным конденсатором, аналогом негатрона с N-образной ВАХ и компенсирующим резистором, в этом случае полезный сигнал снимается с высокодобротного параллельного колебательного контура с большим эквивалентным сопротивлением). Показано, что на основе МПЭМИ строятся микроэлектронные радиопарные датчики, используемые как датчики давления, силы, датчики для измерения удельного сопротивления тонких металлических пленок и их толщины.

2.Синтезированы и исследованы (с использованием выведенных соотношений для эквивалентного сопротивления) новые схемы КОС и эквивалентов индуктивности для ПЭМИ с повышенными рабочими частотами, особенности характеристик ряда известных схем КОС. Дано сравнение новых и известных схем КОС по стабильности, диапазону рабочих частот.

3. Предложен метод исследования шумовых характеристик транзисторных КОС для МПЭМИ, проведены сравнения КОС по шумовым характеристикам.

Основные положения, выносимые на защиту:

- применение в качестве сенсора электромагнитного излучения пленочной планарной катушки индуктивности, полупроводниковой катушки индуктивности, выполненной методом диффузии примеси, дискретной миниатюрной катушки индуктивности как компонента гибридной ИМС и повышение их добротности с помощью конвертора отрицательного сопротивления позволяет реализовать МПЭМИ для приема сигнала и построения радиопарных датчиков; применение полупроводникового эквивалента колебательного контура на основе КОС позволяет реализовать МПЭМИ с пониженной чувствительностью, пригодные для радиопарных датчиков;

- применение в КОС с перекрестными коллекторно-базовыми связями биполярных транзисторов, включенных по схеме с общей базой, позволяет повысить рабочие частоты КОС в 5 раз, рабочие частоты некаскодных аналогов негатронов на двух биполярных транзисторах и инжекционно-полевой структуры находятся в нижней части исследуемого диапазона, включение дополнительных катушек индуктивности в истоковые цепи полевых транзисторов КОС позволяет повысить рабочие частоты;

- повышение температурной стабильности КОС в 4-10 раз на транспарантных транзисторных парах и токовых отражателях осуществляется включением дополнительных резисторов в эмиттерные цепи транзисторов;

- предложенный метод анализа собственных шумов аналогов негатронов с использованием компьютерной алгебры позволяет формализовать эту процедуру и уменьшить трудоемкость ее решения.

Практическая ценность работы. Разработанные схемы МПЭМИ, транзисторных КОС и эквивалентов индуктивности для МПЭМИ, а также результаты их экспериментального и математического исследования могут быть использованы для построения радиопарных датчиков силы, давления, ускорения, перемещения и других. Теоретически и экспериментально наработан материал, необходимый для создания микросхем, выполняющих функции активной антенны.

Реализация работы. Результаты, полученные в диссертационной работе, были использованы в гранте РФФИ 01-01-00044, в госбюджетных НИР №11355 и №12300, выполненных по заказу Министерства промышленности, науки и технологий РФ, в учебном процессе в курсе "Микроэлектронная сенсорика" (см. приложение).

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались:

- на международном научном симпозиуме "Природа и человек: взаимодействие и безопасность жизнедеятельности" (Таганрог,1996);

- на 3-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Теория цепей и сигналов" (Таганрог, 1996);

- на 4-й всероссийской научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1997);

- на 5-й всероссийской научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1998).

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором лично и в соавторстве, при этом автор синтезировал некоторые схемы МПЭМИ, экспериментально исследовал все макеты, предложил методы улучшения частотных свойств и повышения температурной стабильности некоторых схем, проводил компьютерное моделирование, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех основных разделов, заключения, списка литературы и 3-х приложений. Материалы работы изложены на 131 странице машинописного текста и содержат 4 таблицы, 57 рисунков, 98 библиографических источников.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Татаринцев, Сергей Анатольевич

4.3.Выводы

Анализ шумов исследовавшихся схем позволяет сделать следующие выводы:

- использование систем компьютерной алгебры позволяет получить уточненные выражения по сравнению с известными в литературе;

108 применение разработанных программ позволяет полностью формализовать процедуру символьного моделирования собственных шумов транзисторных аналогов негатронов, уменьшить трудоемкость ее решения; получение аналитических выражений, устанавливающих связь между параметрами схемы и ее уровнем шумов, позволяет формализовать процедуру параметрического синтеза схем с минимизированным уровнем шумов; в схемах, содержащих токовые зеркала, основной вклад в шумы вносят транзисторы; наименее шумящей из рассмотренных схем АН является схема на комплементарных биполярных транзисторах (рис.3.1), а наиболее шумящей является схема АН на токовом отражателе (рис.2.1); рассмотренные аналоги негатронов обладают малым уровнем шумов (единицы микровольт).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

По результатам проведенных исследований можно сделать следующие основные выводы:

- на аналогах негатронов, используемых в качестве КОС, реализуются МПЭМИ на частоты в диапазоне 20Гц - 100МГц с использованием в качестве сенсора пленочной планарной катушки, полупроводниковой катушки, выполненной методом диффузии примеси, дискретной миниатюрной катушки как компонента гибридной интегральной ИМС; такие МПЭМИ пригодны для приема как сигналов от радиовещательных станций, так и от маломощных передатчиков при построении радиопарных датчиков;

- применение в МПЭМИ КОС ограничивает диапазон перестройки МПЭМИ по частоте (перестройки возможны в пределах ±10%), для устранении этого недостатка необходимо согласование частотных зависимостей активного сопротивления КОС и сопротивления компенсирующего резистора;

- полупроводниковый эквивалент колебательного контура на основе КОС обладает пониженной чувствительностью и пригоден для использования в радиопарных датчиках, которые реагируют на изменение параметров среды между МПЭМИ и радиопередатчиком, либо на изменение расстояния между МПЭМИ и передатчиком, причем чем выше рабочая частота МПЭМИ тем выше его чувствительность, наиболее эффективно такие МПЭМИ можно использовать при расстоянии между приемником и передатчиком до 2 см при r/D<3 (при их мощности в десятки мВт);

- на операционных усилителях строятся ПЭМИ только на низкие частоты ввиду того, что они обладают большой эквивалентной емкостью;

- схема высокочастотного МПЭМИ на эмиттерных повторителях позволяет получить рабочие частоты устройства /р выше граничной частоты /ос используемых транзисторов; для данной схемы /р//а<2; при использовании транзисторов с /а=250МГц - МПЭМИ может работать до частот /р=450МГц; данный МПЭМИ можно эффективно использовать при расстоянии между приемником и маломощным излучателем - 40см;

- включение транзисторов по схеме с общей базой в схеме симметричного преобразователя импеданса (U-ПИ) по Линвиллю позволяет поднять рабочие частоты до (0,5-0,7)/а; при таком исполнении МПЭМИ эффективен при расстоянии до маломощного излучателя 40мм;

- рабочие частоты некаскодных аналогов негатронов, построенных на двух комплементарных транзисторах или на двух одинаковых биполярных транзисторах (S- и N-образные ВАХ), находятся в нижней части исследуемого диапазона;

- при малых рабочих токах рабочие частоты МПЭМИ на инжекционно-полевой структуре (S- и N-образные ВАХ) находятся в нижней части исследуемого диапазона;

- увеличение рабочих частот МПЭМИ на полевых транзисторах можно достичь включением дополнительных катушек индуктивности в истоковые цепи транзисторов;

- проблема термостабилизации в каскодных аналогах негатронов на транспарантных транзисторных парах и токовых отражателях разрешается включением дополнительных резисторов в эмиттерные цепи транзисторов, при этом температурная стабильность увеличивается в 4-10 раз;

- эквивалент индуктивности на основе двух индуктивных транзисторов имеет максимальную добротность при а=0,99 на частоте f=0,145fa, причем с увеличением рабочей частоты добротность

Ill эквивалента уменьшается, этот эквивалент нельзя рекомендовать и использовать (без применения дополнительных термостабилизирующих цепей) в связи с высокой температурной нестабильностью;

- использование систем компьютерной алгебры позволяет получить уточненные выражения по сравнению с известными в литературе;

- применение разработанных программ позволяет полностью формализовать процедуру символьного моделирования собственных шумов транзисторных аналогов негатронов, уменьшить трудоемкость ее решения;

- получение аналитических выражений, устанавливающих связь между параметрами схемы и ее уровнем шумов, позволяет формализовать процедуру параметрического синтеза схем с минимизированным уровнем шумов;

- в схемах, содержащих токовые зеркала, основной вклад в шумы вносят транзисторы;

- наименее шумящей из рассмотренных схем АН является схема на комплементарных биполярных транзисторах (рис.3.1), а наиболее шумящей является схема АН на токовом отражателе (рис.2.1);

- рассмотренные аналоги негатронов обладают малым уровнем шумов (единицы микровольт).

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Татаринцев, Сергей Анатольевич, 2002 год

1. Цыбаев Б.Г, Романов Б.О. Антенны-усилители. - М.: Радио и связь, 1980. - 352с.

2. Буянов Ю.И., Смирнов В.П. Активные антенны. Томск, ТГПИ, 1975. - 98с.

3. Драбкин A.JI. и др. Антенны. -2-е изд. М.: Радио и связь, 1995. - 152с.

4. Щелкунов С., Фриис Г. Антенны. М.: Сов. радио, 1950412с.

5. Серьезнов А.Н., Степанова Л.Н., Гариянов С.А., Гагин С.В., Негоденко О.Н. и др. Негатроника// Под ред. Степановой Л.Н. Новосибирск: Наука. 1995. 315с.

6. Бенинг Ф. Отрицательные сопротивления в электронных схемах. Берлин, 1971. Пер. с нем. Под ред. Д.П.Линде. Москва: Сов. Радио, 1975, 288с.

7. Гречихин А. Электрически малые антенны: возможности и заблуждения// Радио, 1992, - №11, - с.8-10.

8. Уэллер Л., Гош Д. Дискуссия вокруг сверхминиатюрных интегральных антенн. Электроника, 1967, №12, с.51-55.

9. Гариянов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением.-М.: Энергия, 1970.-319с.

10. Серьезнов А.Н., Степанова Л.Н., Негоденко О.Н., Путилин В.П. Полупроводниковые аналоги реактивностей. М.: Знание. Сер. "Радиоэлектроника и связь" №7, 1990. - 64с.

11. Липко С.П., Негоденко О.Н., Серьезнов А.Н., Степанова Л.Н. Интегральные полупроводниковые аналоги индуктивности // Электрон, техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1990,- Вып. 5 - С. 8-13.

12. Кононов В.Н., Наумов Ю.Е. Применение обратных связей -метод создания индуктивностей и емкостей для твердых схем //

13. Вопросы радиоэлектроники. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1965. Вып.1. - с. 122-123.

14. Серьезнов А.Н., Степанова JI.H. Электронные устройства на элементах с отрицательным сопротивлением. М. Радио и связь,1992,- 202с.

15. Гаврилюк Г.И., Ковальчук Б.М., Прушинский А.К. Анализ свойств полупроводниковых аналогов индуктивности / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М., 1980. - Вып. 4 (139). -С. 3-10.

16. П.Степанова J1.H. Расчет полупроводникового аналога индуктивности на основе структуры p-n-p-n-типа // Электрон, техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988. - Вып. 3 9127). - С. 11-13.

17. Негоденко О.Н., Липко С.И., Прокопенко В.Г., Мирошниченко С.П. Транзисторные эквиваленты катушек индуктивности на основе конверторов импеданса // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1990. - №5. С.86.

18. Арефьев А.А., Баскаков Е.Н., Степанова Л.Н. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах р-п-р-п-структуры,- М.: Радио и связь, 1982. 102с.

19. Степанова Л.Н. Интегральные радиоэлектронные устройства на эквивалентах р-п-р-п-структуры// Радиотехника.1993. -№Ю-12. с.77-82.

20. Горошков Б.И. Радиоэлектронные устройства. Справочник. М.: Радио и связь,1984, 400с.

21. Степанова JI.H., Серьезнов А.Н. Расчет эквивалентной индуктивности преобразователя импеданса на двухполюснике р-п-р-п-структуры// Радиотехника. -1988,- №12,- с.13-15.

22. Пат. 2.602.380 Франция, Н 03 HI 1/42; Н 04 N 5/14. Circuit gyrateur simulant une inductance / V. Pauker. Опубл. 30.07.86.

23. Rathore T.S. Singhi B.M. A family of inductance simulations JE(J) Journal ET Inst. Eng. (India). Electron, and Telecommun. Enf. Div. 1980, 61. -№2.

24. Пат. Японии №56-48091. Высокочастотный индуктивный элемент/ Накамура Масатаки, Такаяма Итио. 13.11.1981. (Япон.).

25. Стэдлер X. Использование транзистора для получения аналога стабилитрона с нулевым дифференциальным сопротивлением// Электроника. (США). - 1969. - №7. -с.30-31.

26. Пат. 3.009.118 ФРГ, НОЗР 11/48. Schaltungsanordung zur simulation einer induktivitat / H. Jacson. Опубл. 17.09.81.

27. Высококачественный полупроводниковый эквивалент катушки индуктивности // Электроника (США). -1972. №25. - с. 16.

28. Пат. 4.788.461 США, НОЗН 11/48. Solid-state inductance simulator/ G.Snyder. Опубл. 29.11.88.

29. Негоденко О.Н., Липко С.И., Сурков О.Ю. Генераторы линейно изменяющегося напряжения на ограничителях тока // Электросвязь. - 1984. - №6. - с.47.

30. Негоденко О.Н. и др. Эквиваленты катушек индуктивности на конверторах отрицательного сопротивления во входных цепях радиоприемников// Известия ТРТУ. 1995. - №2. - с.50-52.

31. Негоденко О.Н., Генте М.Ю. Эквиваленты незаземленной индуктивности на конверторах импеданса// Известия ТРТУ. 1995. -№2. - с.56-59.

32. Пат. 55 41432 Япония, МКИ3 G 03 G 15/10. Высокочастотные схемы преобразователя с отрицательным импедансом / X. Эцуро, Н. Кэнити. - Опубл. 20.12.84.

33. Пат. 2.094.582 Великобритания, МКИ Н 03 Н 11/52; НОЗ В5/12, Negative resistance / G. Gawler. Опубл. 15.09.82.

34. Пат. 3.384.844 США, МКИ Н 03 И 11/46. Negative impedance device / A. Larned, L. Meacham. Опубл. 21.07.75.

35. Пат. 59-52570 Япония, НОЗ HI 1/44. Высокочастотный преобразователь отрицательного импеданса / X. Эцуро, Н. Кэнити. -Опубл. 20.12.84.

36. Арефьев А.А., Серьезнов А.Н., Степанова Л.Н. Эквиваленты приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением. М., 1987. - 62с. (Знание. Сер. Радиоэлектроника и связь; №2).

37. Пат. 60-1967 Япония, МКИ Н 03 Н 11/46. Емкостная схема / И. Каваками, Т. Комасаки, С. Имаи. Опубл. 18.01.85.

38. Негоденко О.Н., Липко С.И., Пилипенко А.В. Микроэлектронные компенсаторы затухания в линии передачи сигналов // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. -Таганрог: ТРТИ, 1985. Вып. 7. - С.42.

39. Портной Г.Я., Болотин О.А., Борбот С.В., Старков С.А. Разработка, создание и освоение новой серии датчиков измерения тока и напряжения// Известия вузов. Электромеханика. 1997. - №6.- с.79-81.

40. Яковлев Н.И. Бесконтактные электроизмерительные приборы для диагностирования электронной аппаратуры. Л.: Энергоатомиздат, 1990. - 256с.

41. Лупичев Н.Л. Электроакупунктурная диагностика, гомеопатия и феномен дальнодействия. М.: НПК "Икарус", - 1990.- 138с.

42. Шустов М.А. Устройства для диагностики биологически активных точек// Радиолюбитель. 1997. -№11. - с. 30-31.

43. Донцов В.И. Биоэнергетика человека: Энциклопедия. М.: Медицина. - 1994. - 144 с.

44. Барабашов Б.Г., Настаченко А.С. Облучение населения г. Ростова-на-Дону сигналами телевизионных и радиовещательных станций// Известия вузов. Северо-Кавказский регион. 1998. - №4. -с.38-41.

45. Рудометов Е.А., Рудометов В.Е. Схемотехника средств коммерческой разведки. СПб: ООО «Издательство Полигон», 2000. - 96 с.

46. Схемотехника. Спецтехника. Справочное издание, Вып. 2. СПб, НИПП «Рапид Лтд», 1997.

47. Рудометов Е. А, Рудометов В. Е. Электроника и шпионские страсти. Электронные устройства двойного применения. Изд. 3-е, доп., С.-Петербург, Пергамент, 1998.

48. Андрианов В. И., Бородин В. А., Соколов А. В. «Шпионские штучки» и устройства для защиты объектов и информации. Справочное пособие. СПб., Лань, 1996.

49. Прозоровский В.Е., Колесов Л.Н., Афанасьев К.Л. Стабильность добротности цепи с индуктивным эффектом, выполненной на основе р-п-переходов// Известия вузов СССР. Радиотехника. М.: Наука. 1964. -Том 7. - №3. - с.316-321.

50. Прозоровский В.Е., Семенцов В.И. Анализ индуктивных свойств двухбазового диода// Известия вузов СССР. Радиотехника и электроника. М.: Наука. 1970. - Том15. - №3. - С.639-641.

51. Влах И., Сингкхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем: Пер. с англ. М.: Радио и связь, -1988. - 560с.

52. Серьезнов А.Н., Степанова JI.H. Термокомпенсация дрейфа параметров ВАХ S-типа в несимметричном эквиваленте р-п-р-п-структуры // Радиотехника. 1987. - №5. - С. 24-26.

53. Негоденко О.Н., Румянцев К.Е., Татаринцев С.А., Кошелев С.Г. Малогабаритные датчики электромагнитных полей// Датчики и системы. 2000. - №10. - с. 53-56.

54. Пономарев М.Ф. Конструкции и расчет микросхем и микроэлементов ЭВА: Учебник для вузов. М.: Радио и связь, 1982. —288с.

55. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

56. Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем: Учеб. пособие для радиотехн. спец. вузов. Минск: Высшая школа, 1985. -207с.

57. Татаринцев С.А., Негоденко О.Н. Датчик электромагнитного поля промышленной частоты// Тезисы докладов международного научного симпозиума "Природа и человек: взаимодействие и безопасность жизнедеятельности". Таганрог: ТРТУ, 1996. -С.45-46.

58. Негоденко О.Н., Мирошниченко С.П. / Каскодные аналоги негатронов// Полупроводниковая электроника в технике связи. -1986.-Вып.26.-с.29-33.

59. Негоденко О.Н., Липко С.И., Мирошниченко С.П., Ткачев К.И./ Конверторный полосовой фильтр на двух транспарантных парах// Радиотехника.-1984.-№9.-с.92-94.

60. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Кошелев С.Г. Микроэлектронные радиопарные датчики// Известия вузов. Электроника., -1998. №6. - с.91-92.

61. Румянцев К.Е., Негоденко О.Н., Семенцов В.И./ Датчики на основе индуктивных балансных сенсоров// Известия вузов. Электромеханика. -1995.-№4.-с.99-101.

62. Расчет и проектирование линейных аналоговых ARC-устройств/ Под ред. проф. Ланнэ Л.А,- М.:Наука,1980 с.280.

63. Негоденко О.Н., Данилин Р.Г., Татаринцев С.А. Особенности применения конвертора отрицательного сопротивления на операционном усилителе. Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 1998,- 6 е.: -Рус. Деп. ВИНИТИ №1656-В98 от 29.05.98.

64. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А. Твердотельные сенсоры электромагнитных полей// Тезисы докладов конференции "Теория цепей и сигналов", Таганрог : ТРТУ, 1996,- с.58.

65. Chua L., Ju J.+ Ju J." Negative resistance devices// Circuit theory and application. 1983. - Vol.12, №11. - p. 161-186.

66. Филинюк H.A. Анализ механизма появления отрицательного активного динамического сопротивления в транзисторах // Методы анализа и синтеза нелинейных цепей. Киев: Наук, думка, 1982. - С. 143-151.

67. Harley N.P., Poulette A., Zakvzewski J.Т. A high stability transistor oscillator for 400 megacycles // Electronic Engineering,- 1962,-V.34.-N410.

68. Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов.-Киев:Техника,1975,- с.380.

69. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Зинченко J1.A. Микросхема высокочастотной узкополосной активной антенны. Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 1997 7 е.: -Рус. Деп. ВИНИТИ № 2594 -В97 от 04.08.97.

70. Негоденко О.Н., Липко С.И., Голощапов В.И. Аналоги негатронов на биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями и особенности их применения // Актуальные проблемы микроэлектроники. Вып. 1.-Таганрог: ТРТУ, 1990. с.112.

71. Гарицын А.Г., Негоденко О.Н. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением на двух биполярных транзисторах// Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Вып.6. Таганрог: ТРТУ, 1982,- с. 18-23.

72. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Стрижаков П.И., Гуков А.С. Использование транзисторных аналогов негатронов в качестве конверторов импеданса. Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 1998,- 6 е.: -Рус. Деп. ВИНИТИ №1655-В98 от 29.05.98

73. J.A.Porter. JFET-transistor gields device with negative resistance//IEEE Transactions on Electron Devices .- 1976, V.23, №9. -pl098.

74. Галузо B.C. Инжекционно-полевые структуры// Зарубежная электронная техника. -1981, №10.-с. 345.

75. Липко С.И., Негоденко О.Н., Наумченко А.С., Мирошниченко С.П. Микросхема универсального высокочастотного конвертора отрицательного сопротивления // Электронная промышленность. -1991, №1.-с.6.

76. Негоденко О.Н., Обломий А.В., Татаринцев С.А. Частотные свойства устройств на основе транзисторного аналога инжекционно-полевой структуры. Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 1997.— Юс.: -Рус. Деп. ВИНИТИ №2596-В97 от 04.08.97.

77. Г.Кано, Х.Иваза, Х.Такаги, И.Терамото. Лямбда-диод-многофункциональный прибор с отрицательным сопротивлением// Электроника(русск. перевод с англ.).-1975.-т.48, №13.-с.48-53.

78. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Сулимов В.В., Зинченко Л.А., Холостов А.А. Частотные свойства аналогов негатронов на полевых транзисторах. Таганрог, гос. радиотех. ун-тет, Таганрог, 1997,- 6 е.: -Рус. Деп. ВИНИТИ №2597-В97 от 04.08.97.

79. Липко С.И., Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Зинченко Л.А. Аналоги негатронов с повышенной температурной стабильностью/ Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог. 1997. - с. 102.

80. Прозоровский В.Е., Колесов Л.Н., Семенцов В.И., Афанасьев К.Л. Анализ некоторых параметров индуктивного и реактивного транзисторов// Известия вузов СССР-Радиоэлектроника,- 1963,- т.6,- № 6,- с.616 622.

81. Липко С.И., Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Зинченко Л.А. Эквиваленты индуктивности на двух комплементарных биполярных транзисторах// Известия ТРТУ. Спец. Выпуск "Материалы 43 научно-технической конференции". Таганрог: ТРТУ, 1998. -№3. - 279с.

82. Богданович Б.М. Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах. М.: Связь, 1980. 280с.

83. Разевиг И.В. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат DESING CENTER 6.2 (PSpice). М.: Знание, - 1996. - 270с.

84. Бухбергер Б. и др. Компьютерная алгебра. М.: Мир, 1986. 392с.

85. Ван дер Зил А. Шум. Источники, описание, измерение. М. Сов Радио, 1973. 126 с.

86. Ван дер Зил А. Шумы при измерениях./ Перев. с англ. М.: Мир, 1979. 196 с.

87. Сухо доев И.В. Шумы электрических цепей. (Теория.) М.: Связь, 1975. 352 с.

88. Букенгем М. Шумы в электронных приборах и системах: Пер. с англ.- М.: Мир, 1986. 399 с.

89. Жалуд В., Кулешов В.Н. Шумы в полупроводниковых устройствах. М.: Сов. Радио, 1977. 416 с.

90. Чуа Л.О., Пен Мин Лин. Машинный анализ электронных схем. М.: Энергия, 1980. 640 с.

91. Прохоров Г.В., Леденев М.А., Колбеев В.В. Пакет символьных вычислений Maple V. М.: Компания "Петит", 1997. 200с.