Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Мардамшин, Юрий Петрович

• Мардамшин, Юрий Петрович
• кандидат технических наук
• 2002

Оглавление диссертации кандидат технических наук Мардамшин, Юрий Петрович

ВВЕДЕНИЕ.2

1. ОБЗОР МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ДАТЧИКОВ МАГНИТНОГО ПОЛЯ, СХЕМ И СВОЙСТВ ТРАНЗИСТОРНЫХ АНАЛОГОВ НЕГАТРОНОВ, ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ДИССЕРТАЦИИ.1 2

1.1. Обзор микроэлектронных датчиков магнитного поля.12

1.2. Обзор схем и свойств транзисторных аналогов негатронов.19

1.3. Постановка задач диссертации.31

2. ДАТЧИКИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ НА ОСНОВЕ ТРАДИЦИОННЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.33

2.1. Синтез схем датчиков с частотным выходом на основе аналогов негатронов со встроенными в них резистивными мостами.33

2.2. Синтез схем датчиков с частотным выходом на основе аналогов негатронов со встроенными в них элементами Холла.38

2.3. Датчики с гальваномагниторекомбинационными элементами .45

2.4. Синтез схем датчиков магнитного поля с частотным выходом на основе аналогов негатронов с магнитодиодами и магнитотранзисторами.49

2.5. Свойства транзисторных аналогов негатронов с перекрестными связями.54

2.6. Компьютерное моделирование датчиков магнитного поля на основе аналогов негатронов с элементами Холла.59

2.7. Компьютерное моделирование датчика магнитной индукции с частотным выходом на основе аналога негатрона с магнитодиодами.63

2.8. Моделирование датчика магнитной индукции на основе аналога негатрона с магнитотранзистором.67

ВЫВОДЫ.71

3. ДАТЧИКИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ЧАСТОТНЫМ ВЫХОДОМ НА ОСНОВЕ НЕТРАДИЦИОННЫХ МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.72

3.1. Датчики на основе элементов вакуумной микроэлектроники.72

3.2. Выбор схем аналогов негатронов для датчиков с электромеханическими преобразователями.75

3.3. Датчик с кварцевым резонатором.82

ВЫВОДЫ.95

МИНИСТЕРСТВО ТОПЛИВА И ЭНЕРГЕТИКИ РОССИИ ТРЕСТ ЮЖМОРНЕФТЕГЕОФИЗИКА " ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ

353470, г. Геленджик, Кранодарский край ул. Красногвардейская, тел. 2-14-51, телекс 279718 Поиск

РАДИОГЕОДЕЗИЯ р/с 200907 ГФК Кубаньбанк г. Геленджик, МФО 141130

СПРАВКА об использований результатов диссертационной работы Мардамшина Ю#П. "Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля, приближения и положения".

В ГП "Радиогеодезия" (г. Геленджик) использованы и внедрены следующие результаты работы, выполненные по договору о твоческом содружестве между ТРТУ и ГП "Радиогеодезия" от 26.01.2000 г.:

1. Результаты разработки датчиков приближения для позиционирования судна, при стыковке трубопровода к скваженному глубоководному причалу;

2. Результаты разработки магниточувствительных датчиков естественных физических полей, при сборе магнитометрической информации о структурном и рудном геологическом строении дна акваторий Мирового океана;

Конкретные схемо-технические решения датчиков по п.п. I и 2

Директор Гл. инженер

В.В. Лесков А.В. Скат

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Микроэлектронные автогенераторные датчики магнитного поля»

Актуальность темы. Магнитные поля широко используются в медицине /1-3/, ядерной технике, системах контроля и управления, автоматике, устройствах записи и воспроизведения информации /4-7/, разведке полезных ископаемых /8/. Уровень магнитной индукции необходимо контролировать в окружающей человека среде /9/. На основе микроэлектронных устройств, чувствительных к магнитным полям,ятся датчики различного назначения (датчики давления, силы, приближения, перемещения, массы, скорости, усилия, температуры и т.д.) /] О/, а также кнопочные переключатели и клавиатура /11/.

Важнейшими характеристиками датчиков магнитных полей кроме чувствительности и стабильности являются надежность, габариты и стоимость. Улучшить эти характеристики можно путем использования технологии микроэлектроники. Уже разработаны и выпускаются промышленностью интегральные магниточувствительные микросхемы /12-23/. У большинства известных микросхем выходным параметром является ток или напряжение, то есть выходная информация представляется в непрерывной форме. Дальнейшая ее обработка производится не только аналоговыми методами, но в основном цифровыми. К достоинствам цифровой формы обработки информации можно отнести возможность исключения инструментальной погрешности вычислений и оперативное изменение алгоритмов обработки информации /24/. Обработка непрерывных сигналов цифровыми методами аппаратно поддерживается аналого-цифровыми и цифро-аналоговыми преобразователями, при этом часто возникает потребность в усилителях сигналов. Упростить аппаратные средства обработки первичной информации возможно применением преобразователей неэлектрических величин с частотным выходом, особенно когда много чувствительных элементов и один обрабатывающий микропроцессор. Кроме того, датчики с частотным выходом позволяют улучшить разрешающую способность измерительного устройства. Можно использовать преобразователи тока или напряжения в частоту, однако эти преобразователи имеют достаточно сложные схемы /24/. Значительно упрощаются аппаратные средства при использовании автогенераторных преобразователей индукции магнитного поля в частоту. Автогенераторные датчики с частотным выходом, реагирующие на изменение индукции магнитного поля, могут служить незаменимым элементом ретрансляционных устройств разведки. Автогенераторные датчики используются давно /25-27/ и в них применяются генераторы Майснера, Колпитца, трехточечные и другие, имеющие внешние цепи положительной обратной связи. Эти цепи содержат катушки индуктивности, конденсаторы, трансформаторы, реализация которых методами микроэлектроники затруднительна. За последние двадцать лет появилось много схем автогенераторов на аналогах негатронов, имеющих внутренние положительные обратные связи /28/. Для реализации автогенераторов на аналогах негатронов к ним достаточно подключить источник питания и частотозадающий элемент (конденсатор, LC-контур, пьезорезонатор). Как известно, сенсором магнитного поля обычно служат магниторезисторы, магнитодиоды, магнитотранзисторы, элементы Холла, гальваномагниторекомбинационные элементы /29-33/. При этом кремниевые сенсоры магнитного поля обладают не лучшими характеристиками. Поэтому магниточувствительные полупроводниковые интегральные микросхемы должны быть дополнены гибридно-пленочными микросхемами, в которых сенсоры повышенного качества используются как бескорпусные компоненты. Магниторезисторы могут быть выполнены из пленок железо-кобальт-никелевых сплавов /7, 34-40/, антимонида индия /41/, элементы Холла - из арсенида галлия, арсенида и антимонида индия /22. 42-44/. Появились сообщения об использовании кремниевой мембраны /45/ с наклеенным на нее микромагнитом и катушкой в качестве микродвигателя /46/. Эту идею можно распространить и на пьезорезонансные датчики магнитного поля с резонаторами как на объемных, так и на поверхностных акустических волнах /47/, на емкостные датчики магнитного поля /48/, а также на датчики магнитного поля с амплитудным выходом, реализованные на основе планарных индуктивных балансных сенсоров (ИБС) /22, 49, 50/. Простейший ИБС состоит из двух планарных катушек индуктивности, сдвинутых друг относительно друга так, что при подаче сигнала на первую катушку сигнал на второй отсутствует и он появляется при приближении к ИБС проводящих предметов

Схемы аналогов негатронов и методы работы с ними описаны в /22, 28/. Аналоги негатронов могут быть построены на биполярных, полевых транзисторах, биполярно-полевых структурах. Поэтому при построении полупроводниковых магниточувствительных автогенераторных преобразователей можно ориентироваться на технологии микросхем на биполярных транзисторах, полевых транзисторах, управляемых р-п-переходом, МДП-полевых транзисторах, биполярно-полевых структурах. Поскольку наиболее простой является технология микросхем на МДП-транзисторах, то может быть поставлена задача разработки новых схем аналогов негатронов на МДП-транзисторах. При реализации магниточувствительных гибридно-пленочных микросхем разумно опираться на типовые технологии изготовления таких микросхем.

Аналоги негатронов содержат транзисторы и резисторы. В сочетании с частотно-задающими элементами они превращаются в генераторы. Менять частоту генератора под действием магнитного поля можно следующими способами:

1. Изменением параметров частотозадающего элемента (конденсатора, пьезорезонатора, с наклеенным на него микромагнитом, электромагнитного или магнитострикционного преобразователя).

2. Изменением сопротивления резисторов, которые отвечают за режим питания транзисторов по постоянному току (применяются магниторезисторы).

3. Изменением сопротивления резистора, ответственного за величину отрицательного дифференциального сопротивления (применяются магниторезисторы).

4. Изменением параметров транзисторов, входящих в схему аналога негатрона (применяются магнитотранзисторы) /51-54/.

5. Изменением параметров введенных в схему дополнительных магнитодиодов, которые под воздействием магнитного поля меняют режим питания транзисторов по постоянному току.

6. Изменением параметров встроенных в схему аналога негатрона элементов Холла или гальваномагниторекомбинационных элементов взамен резисторов /55/.

7. Изменением параметров магниторезисторов, входящих в резистивный мост, встроенных в схему аналога негатрона.

В автогенераторных преобразователях с амплитудным выходом сигнал от генератора на аналоге негатрона подается либо на мостовую схему, состоящую из резисторов или конденсаторов, либо на цепочки последовательно соединенных резисторов или конденсаторов, либо на первую катушку индуктивного балансного сенсора. В первых двух случаях сенсором может служить магниторезистор или микроэлектронный конденсатор переменной емкости с закрепленным на нем микромагнитом. В третьем случае рядом с катушкой ИБС располагается мембрана из проводящего материала с наклеенным на нее микромагнитом. Вместо микромагнита можно использовать брусок из магнитомягкого материала (феррита, железа, никеля). Сама мембрана может быть выполнена из магнитомягкого материала, тогда микромагнит или брусок не потребуются.

Как уже отмечалось выше, датчики магнитного поля могут быть положены в основу датчиков приближения и положения, которые находят широкое применение в автоматике, робототехнике и в других областях техники

56-59/. Датчики магнитного поля могут быть построены на основе ИБС с использованием аналогов негатронов /60-74/. Здесь в датчике магнитного поля используются датчики положения на ИБС. Поэтому, видимо, необходимо отдельно рассмотреть датчики положения и приближения на ИБС и определить их место в системе микроэлектронных датчиков положения и приближения, построенных на основе других эффектов. Датчики положения и приближения (перемещения) строятся на основе электрических, магнитных, электромагнитных, ультразвуковых, световых эффектов /59, 75-81/. Датчики положения служат для перевода положения конкретного предмета в пространстве в электрический сигнал. Датчики приближения содержа! дополнительное устройство, срабатывающее при достижении контролируемым предметом определенного положения. Автогенераторные датчики положения и приближения относятся к классу электромагнитных датчиков, которые кроме генератора содержат резонансный LC-контур. Контролируемый предмет должен быть выполнен из проводящего материала или иметь определенный участок из такого материала. Индуктивные балансные сенсоры также могут входить в LC-контура, их достоинством с точки зрения технологии микроэлектроники является планарность катушек. На основе датчиков приближения и положения можно построить, как уже упоминалось, датчики магнитного поля, датчики силы, давления, массы, скорости, ускорения, угла поворота, которые имеют массовый спрос.

Таким образом, представляет практический интерес синтез новых электрических схем микроэлектронных датчиков магнитного поля с частотным и амплитудным выходом на основе аналогов негатронов и исследование их характеристик.

Целью работы является разработка и исследование микроэлектронных автогенераторных датчиков магнитного поля с частотным и амплитудным выходом на основе аналогов негатронов с S- и N-образными вольтамперными характеристиками при использовании традиционных и нетрадиционных магниточувствительных элементов.

Для достижения указанной цели предполагается решение следующих задач:

- синтез электрических схем автогенераторных микроэлектронньтх датчиков магнитного поля с частотным выходом на основе аналогов негатронов со встроенными в них резистивными мостами, элементами Холла, гальваномаг-ниторекомбинационными элементами, магнитодиодами, магнитотранзис-торами, микролампами, пьезопреобразователями; исследование макетов данных датчиков и разработка топологий микросхем датчиков магнитного поля с оригинальными характеристиками, реализуемых методами микроэлектроники;

- синтез электрических схем аналогов негатронов для микроэлектронных датчиков магнитного поля с частотным выходом и анализ их свойств;

- синтез моделей элементов Холла, магнитодиодов, магнитотранзисторов и использование их при компьютерном моделировании датчиков магнитного поля с частотным выходом с использованием типовых программ;

- анализ условий минимизации влияния параметров элементов схем аналогов негатронов на частоту автогенераторных датчиков магнитного поля с электромеханическими преобразователями;

- определение степени влияния расстояния между плоскостями катушек индуктивных балансных сенсоров на условия их баланса, поиск методов повышения чувствительности датчиков магнитного поля на основе индуктивных балансных сенсоров, исследование макетов датчиков магнитного поля на основе аналогов негатронов и индуктивных балансных сенсоров.

Научная новизна:

- разработаны модели элементов Холла, магнитодиодов, магнитотранзисторов для компьютерного анализа датчиков магнитного поля с частотным выходом,

- определены условия минимизации влияния параметров элементов схем аналогов негатронов на частоту автогенераторных датчиков магнитного поля с пьезопреобразователем, на который наклеивается микромагнит; показана возможность использования эквивалентной индуктивности аналога негатрона для датчиков, работающих на биениях двух частот;

- оценена степень влияния расстояния между плоскостями катушек индуктивных балансных сенсоров на условия их баланса, найдены методы повышения чувствительности датчиков магнитного поля на основе индуктивных балансных сенсоров.

Практическая ценность работы:

- разработаны топологии микросхем датчиков магнитного поля с частотным выходом;

- показана возможность использования пьезопреобразователей с наклеенным на них микромагнитом для реализации датчиков магнитного поля с частотным выходом;

- выработаны рекомендации по повышению чувствительности датчиков магнитного поля на основе индуктивных балансных сенсоров.

Апробация работы. Основные результаты работы представлялись на Всероссийских научно-технических конференциях "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1998. 1999. 2000 гг.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г. Таганрог, 1998-2001 гг.), на НПК геофизики ВНПО "Южморгеология" (Геленджик, 2001).

По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе девять статей и три тезиса докладов.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Синтезированные электрические схемы датчиков магнитного поля с частотным выходом на основе аналогов негатронов со встроенными в них резистивными мостами, элементами Холла, гальваномагниторекомбинационными элементами, магнитодиодами, магнитотранзисторами, микролампами обладают различной магниточувствительностью, лежащей в пределе 2,3-i-13300 кГц/Тл. Наивысшей магниточувствительностью обладают схемы датчиков на основе аналогов негатронов на биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями.

2. Синтезированная схема аналога негатрона на МДП-транзисторах для датчиков магнитного поля с частотным выходом позволяет значительно упростить топологии датчиков. В зависимости величины отрицательного сопротивления от отношения резисторов схемы наблюдается разрыв. Величина отрицательного сопротивления становится независимой от отношения сопротивлений резисторов схем при больших отношениях номиналов резисторов.

3. Синтезированные модели элементов Холла, магнитодиодов, магнито-транзисторов пригодны для компьютерного моделирования датчиков магнитного поля с частотным выходом с использованием программного модуля OrCAD9.1.

4. Существуют условия минимизации влияния паразитных параметров элементов схем аналогов негатронов и пьезопреобразователей на частоту автогенераторных датчиков магнитного поля с пьезопреобразователями, на которые наклеивается микромагнит. Возможно использование эквивалентной индуктивности аналога негатрона для реализации перестраиваемых по частоте автогенераторов для датчиков, работающих на биениях двух частот.

5. Датчики положения на основе индуктивных балансных сенсоров можно использовать для построения микросистемных датчиков магнитной индукции. Расстояние между плоскостями катушек индуктивных балансных сенсоров влияет на условие их баланса. Повышения чувствительности датчиков магнитного поля на основе индуктивных балансных сенсоров можно добиться настройкой выходного контура в резонанс и увеличением количества входных катушек.

Личный вклад автора. В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве, при этом автор синтезировал большинство схем датчиков, экспериментально исследовал все макеты, предложил методы повышения чувствительности датчиков магнитного поля на основе индуктивных балансных сенсоров, проводил компьютерное моделирование, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка цитируемой литературы из 101 наименования, трех приложений. Общий объем диссертации 132 страницы, включая 100 рисунков, 16 формул, три таблицы.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Мардамшин, Юрий Петрович

ВЫВОДЫ

1. Датчики положения на основе ИБС могут использоваться для построения датчиков магнитной индукции.

2. Расстояния между плоскостями катушек влияют на условия баланса индуктивных балансных сенсоров с катушками различной формы.

3. Индуктивный балансный сенсор может балансироваться при наличии вблизи него проводящей пластины.

4. Чувствительность индуктивных балансных сенсоров можно увеличить настройкой выходного контура в резонанс или увеличением числа входных катушек.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Синтезированные электрические схемы микроэлектронных датчиков магнитной индукции с частотным выходом на основе аналогов негатронов со встроенным в них резистивным мостом, элементом Холла и ГМР-элементом обладают различной магниточувствительностью, которая лежит в пределе 2-И 3300 кГц/Тл. Данные схемы возможно реализовать методами микроэлектроники. Наибольшей магниточувствительностью обладает схема на основе аналога негатрона на биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями. Разработаны топологии датчиков магнитного поля с элементом Холла и ГМР-элементом. Составлена модель элемента Холла и проведен компьютерный анализ одной из схем с использованием программного модуля OrCAD9.1. Магниточувствительность датчика составила 120 кГц/Тл.

2. Синтезированные электрические схемы микроэлектронных датчиков магнитного поля с частотным выходом на основе аналогов негатронов с магнитодиодами и магнитотранзисторами реализуются как на однотипных, так и на комплиментарных транзисторах. Данные схемы возможно реализовать методами микроэлектроники. Составлены модели магнитодиодов и магнитотранзисторов, проведен компьютерный анализ датчиков с использованием программ OrCAD9.1. Магниточувствительность составила 20,0-22,5 кГц/Тл.

3. Проанализированы свойства аналогов негатронов с перекрестными коллекторно-базовыми и сток-затворными связями. Показано, что в графике зависимости величины отрицательного сопротивления от отношения сопротивлений резисторов схемы наблюдается разрыв. Отрицательное сопротивление становится независимым от отношения сопротивлений резисторов схем при больших отношениях сопротивлений. Разработанная топология датчика магнитного поля на МДП-транзисторах с ГМР-элементом отличается простотой.

4. Синтезированы две электрические схемы микроэлектронных датчиков магнитной индукции с частотным выходом на основе аналогов негатронов с вакуумными лампами как элементами вакуумной микроэлектроники. Данные схемы возможно реализовать методами микроэлектроники. Датчик положения реализованный на основе такого датчика обладает чувствительностью 15 кГц/мм.

5. Показано, что для работы ненагруженного пьезопреобразователя на частоте последовательного резонанса можно использовать аналоги негатронов как с N, так и с S- образной ВАХ, но в первом случае необходима дополнительная катушка индуктивности. При использовании кварцевых преобразователей с наклеенными на них микромагнитами в качестве микроэлектронных датчиков магнитного поля рекомендуется использовать аналоги негатронов с S-образной ВАХ, построенных на высокочастотных транзисторах.

6. Показано, что для работы электромагнитного или магнито-стрикционного преобразователя на частоте параллельного резонанса можно использовать аналоги негатронов как с N, так и с S- образной ВАХ, однако в первом случае следует использовать высокочастотные транзисторы и преобразователи с малой индуктивностью обмотки, во втором случае требуется дополнительный разделительный конденсатор с определенной емкостью.

7. Для придания магниточувствительности пьезопреобразователю на него необходимо наклеить микромагнит, брусочек из магнитомягкого материала или поместить каплю из смеси порошка феррита с клеем; при этом пьезопластина должна быть тонкой и закреплена так, чтобы при воздействии силы, возникающей в результате взаимодействия микромагнита с внешним магнитным полем, пластина изгибалась.

8. Выведены условия работы ненагруженного пьезопреобразователя на частоте последовательного резонанса с учетом паразитных реактивностей аналога негатрона и пьезопреобразователя. Определены условия минимизации

117 влияния паразитных параметров элементов схемы аналога негатрона и пьезопреобразователя на частоту датчика магнитного поля с пьезоэлементом.

9. Эквивалентная индуктивность аналога негатрона как конвертора импеданса может быть использована для реализации перестраиваемых по частоте генераторов для микроэлектронных датчиков, работающих на биениях двух частот.

10. Датчики положения на основе ИБС могут использоваться для построения датчиков магнитной индукции как микросистемы.

11. Расстояния между плоскостями катушек влияют на условия баланса индуктивных балансных сенсоров с катушками различной формы.

12. Индуктивный балансный сенсор может балансироваться при наличии вблизи него проводящей пластины.

13. Чувствительность индуктивных балансных сенсоров можно увеличить настройкой выходного контура в резонанс или увеличением числа входных катушек.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Мардамшин, Юрий Петрович, 2002 год

1. Райгородский Ю.М. и др. Применение магнитных полей в экспериментальной и клинической медицине // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1987.- Вып. 4-5 (1279-1253).

2. Приборы и устройства для магнитотерапии // Обзоры по электронной технике. Часть 3. -М.: ЦНИИ "Электроника", 1989.

3. Caputa К. е.с. Computer Controlled System for Producing Uniform Magnetic Fields and it's Application in Biomedical Research // IEEE Transaction on Instrum. and Measurement. 1996,- Vol. 45, N 3,- P. 701.

4. Каперко А.Ф. Анализ состояния, тенденции развития и новые разработки датчиков преобразователей информации систем измерения, контроля и управления // Измерительная техника. 1998.- № 1. - С. 3-7.

5. Абакумов А.А. Перспективы применения матричных полупроводниковых преобразователей магнитного поля для систем слежения за развитием трещин газопроводов // Известия вузов. Электроника. 1998.- № 3.- С. 91-95.

6. Касаткин С.И. и др. Тонкопленочные многослойные магниторе-зистивные датчики и магнитные интроскопы на их основе // Приборы и системы управления. 1998. -№ 8.- С. 20-23.

7. Хомерики O.K. Гальваномагнитные элементы и устройства автоматики и вычислительной техники. -М.: Энергия, 1975.- 176 с.

8. Электромагнитные методы разведки нефти и газа // ТИИЭР. 1989.2.

9. Kjell Hanson Mild е.с. Measured 50 Hz Electric and Magnetic Fields in Swedish and Norwegian Residential Building // IEEE Transaction on Instrum. and Measurement. 1996.-Vol. 45, N3.-P. 710-715.

10. Бараночников M.A. Микромагнитоэлектроника. Т. 1. M.: ДМК Пресс, 2001,- 544 с.

11. Розенблат М.А. Кнопочные переключатели и клавиатура для систем управления и ЭВМ // Автоматика и телемеханика. 1989,- № 3.- С. 3-12.

12. Марченко A.M. Магнитоуправляемые интегральные схемы // Электрон, техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1986.- Вып. 3 (182). - С. 7782.

13. Марченко A.M. К1116КП серия магнитоуправляемых интегральных схем на эффекте Холла // Электронная промышленность. - 1985,- № 6,- С. 1 113.

14. Касимов Ф.Д. и др. Магниточувствительная гибридно-пленочная интегральная схема // Приборы и системы управления. 1986,- № 7.- С. 34-35.

15. Амеличев В.В. и др. Интегральная магниточувствительная матрица с высоким уровнем разрешения // Известия вузов. Электроника. 2000.- № 1С. 45-50.

16. Вениг С.Б. и др. Измеритель индукции магнитного поля на основе магниточувствительных интегральных схем // Приборы и системы управления. 1998. -№ 5,-С. 34-37.

17. Абрамзон Г.В. и др. Магнитоуправляемые интегральные схемы с повышенной чувствительностью // Приборы и системы управления. 1991.- № 11.-С. 12-15.

18. Амеличев В.В. и др. Интегральный датчик магнитного поля // Электронная промышленность. 1992.- №3.- С. 58-57.

19. Демченко А.И. и др. Магниточувствительная гибридная ИМС на основе преобразователей Холла // Приборы и системы управления. 1992.- № 2,- С. 26-27.

20. Гуменюк С.В., Подлепецкий Б.И. Интегральные полупроводниковые магниточувствительные датчики // Зарубежная электронная техника. 1989.-№9,- С. 3-12.

21. Галушков А.И., Чаплыгин Ю.А. Интегральные магниточувствительные микросхемы // Известия вузов. Электроника. 2000.- № 4-5.- С. 124-127.

22. Агеев О.А. и др. Микроэлектронные преобразователи неэлектрических величин. -Таганрог: ТРТУ, 2000.- 153 с.

23. Шубин С.В. Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля // Автореферат диссертации. -Москва: МИЭТ,-2000.

24. Бабаян P.P. Преобразователи неэлектрических величин с частотным выходом // Приборы и системы управления. 1996.- № 11.- С.24-27.

25. Арш Э.И. Авто генераторные методы и средства измерений. -М.: Машиностроение, 1979.- 256 с.

26. Новицкий П.В., Кнорринг В.Г., Гутников B.C. Цифровые приборы с частотными датчиками. —Л.: Энергия, 1970.- 424 с.

27. Карпова Г.Ф. и др. Датчик магнитного поля с частотным выходом. А.С. SU №1686940 Al. G01R 33/6. Бюллетень изобретений № 45.46, 1999.

28. Негатроника / А.Н. Серьезное и др. Новосибирск: Наука, 1995,- 315 с.

29. Розенблат М.А. Гальваномагнитные датчики. Состояние и перспективы развития // Автоматика и телемеханика. 1997,- № 1.- С. 3-46.

30. Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1989.- 104 с.

31. Кобус А., Тушинский Я. Датчики Холла и магниторезисторы. М.: Энергия, 1971.- 352 с.

32. Егизарян Г.А., Стафеев В.И. Магнитодиоды, магнитотранзисторы и их применение. М.: Радио и связь, 1988.- 106 с.

33. Балтес Г.П., Попович Р.С. Интегральные полупроводниковые датчики магнитного поля // ТИИЭР.- 1986.- Т. 74, № 8,- С.60-65.

34. Карпенков С.И. Магниторезистивные материалы // Электроника: НТБ. 2000.- № 1.-С. 50-54.

35. Касаткин С.И. и др. Тонкопленочные многослойные датчики магнитного поля на основе анизотропного магниторезистивного эффекта // Микроэлектроника. 2000.- Т. 29, № 2,- С. 149-152.

36. Левашов В.И. и др. Квазимонодоменный магниторезистивный датчик // Микроэлектроника. 1999,- Т. 28, № 2.- С. 131-135.

37. Васильева Н.П. и др. Магниторезистивные датчики на тонких ферромагнитных пленках // Приборы и системы управления. 1994. -№ 8.- С. 20-25.

38. Ленц Дж.Э. Обзор магнитных датчиков // ТИИЭР. 1990.- Т. 18, № 6,-С. 87-92.

39. Vieth М., et. al. Magnetoresistive permalloy sensors with increased sensitivity // IEEE Trans. Magnetics. 1994,- Vol. 30, № 3.- p. 939-941.

40. Васильева Н.П. и др. Разработка тонкопленочных двухслойных магниторезистивных датчиков // Приборы и системы управления. 1995.- № 2,-С. 24-29.

41. Марченко A.M. Полупроводниковые магниторезисторы на основе антимонида индия // Электрон, техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1986.- Вып. 2(182).- С. 67-77.

42. Добринске Н.И. и др. Датчики Холла на арсениде галлия // Микроэлектроника. 1991.- Т. 20, Вып. 2,- С. 183-187.

43. Mathieu N., et. al. New GaAs integrated magnetic field sensors with high sensitivities // Sensors and actuators. 1991,- Vol. A27, N 1-3,- P. 741-749.

44. Mosser V. at. al. High sensitivity hall sensors with low thermal drift using AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures // Sensors and actuators. 1994,- Vol. A43, N 1-3,-P. 135-141.

45. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатом-издат, 1983.- 136 с.

46. D. de Bhailis at. al. Modeling and analysis of magnetic microactuator // Sensors and actuators. 2000,- Vol. A81, N 1-3.- P. 285-289.

47. Малов В.В. Пьезорезонансные датчики. М.: Энергоатомиздат, 1989.272 с.

48. Казарян А.А. Тонкопленочные емкостные датчики давления, работающие в условиях деформации изгиба // Измерительная техника. 2000,- № 1.-С. 27.

49. Румянцев К.Е., Негоденко О.Н., Семенцов В.И. Датчик на основе индуктивных балансных сенсоров // Известия вузов. Электромеханика. 1995.-№ 4,- С. 99.

50. Негоденко О.Н., Семенцов В.И., Кошелев С.Г. Технические возможности индуктивных балансных сенсоров // Известия вузов. Электромеханика. 1999,- № 2.- С. 45.

51. Викулин И.М. и др. Магниточувствительные транзисторы. Обзор // Физика и техника полупроводников. -2001.- Т. 35, № 1,- С. 3.

52. Викулин И.М. и др. Шумовые свойства двухколлекторного магнито-транзистора // Радиотехника и электроника. 1992.- Т. 37, № 4,- С. 761.

53. Concetta Riccobeni at. al. Operating principle of dual collector magnetotransistor studied by two dimensional simulators // IEEE Transaction of electron devices. 1994,- Vol. 40, N 1.- P. 32.

54. Амеличев B.B. и др. Моделирование биполярного двухколлекторного магнитотранзистора и определение режима изменения чувствительности // Датчики и системы. 1999.- № 6.- С. 38.

55. Тревис Б. Интегральные датчики Холла // Инженерная микроэлектроника. 1998.- № 7.- С. 39.

56. Юров А.С. Бесконтактные датчики // Электроника: НТБ. 1999.- № 5.-С. 46.

57. Абакумов А.А. и др. Полупроводниковые системы распределенного магнитного поля // Известия вузов. Электроника. 1997.- № 3-4,- С. 117-126.

58. Clark J.J. Split-drain MOSFET magnetic sensor arrays // Sensors and actuators. 1990,- Vol. А24,- N 7,- P. 107-117.

59. Reiger G. at. al. Sensor for contactless position detection // Sensors and actuators.-2001,-Vol. A91.-N 1-2,-P. 7-11.

60. Негоденко О.Н., Ковалев А.В., Халявко А.Н. Исследование планарного аналога однопереходного транзистора в области малых токов // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Вып. 2,-Таганрог: ТРТИ, 1974,- С. 56.

61. Негоденко О.Н., Христофоров В.Н., Ерохин А.В. Транзисторные аналоги динисторов в высокочастотных кварцевых генераторах // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Вып. З.Таганрог: ТРТИ, 1976,- С. 90.

62. Капустин С.Б., Негоденко О.Н. Аналог динистора на КМОП-транзисторах // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Вып. 4.- Таганрог: ТРТИ, 1978.- С. 62.

63. Негоденко О.Н., Липко С.И., Мирошниченко С.П. Каскодные аналоги негатронов // Полупроводниковая электроника в технике связи. 1986.- Вып. 26,-С. 29.

64. Spenser R.R., Angell J.В A voltage-controlled duty-cycle oscillator // IEEE Journal of Solid-State circuit. 1990. - Vol. 25, - № 1. - P. 274.

65. Негоденко O.H., Липко С.И., Голощапов В.И. Аналоги негатронов на биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями // Актуальные проблемы микроэлектроники. 1990.- Вып. 1.- С. 117.

66. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Зинченко Л.А. Схема с отрицательным сопротивлением на комплиментарных биполярных транзисторах с перекрестными коллекторно-базовыми связями // Деп. ВИНИТИ. № 2595-В97.

67. Гарицын А.Г., Негоденко О.Н. Двухполюсники с отрицательным сопротивлением на двух биполярных транзисторах // Функциональные микроэлектронные устройства и их элементы. Вып. 6.- Таганрог: ТРТИ, 1982,-С. 18.

68. Sharma C.K., Dutta Roy C.S. A versatile design giving both N-type and S-type of negative-resistance // Microelectronics and reliability. 1972.- Vol. 11, N 6.-P. 499.

69. Негоденко O.H., Татаринцев C.A., Обломий A.B. Частотные свойства устройств на основе транзисторного аналога инжекционно-полевой структуры // Деп. ВИНИТИ. № 2596-В97.

70. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Сулимов А.В., Холостов А.А., Зинченко JI.A. Частотные свойства аналогов негатронов на полевых транзисторах // Деп. ВИНИТИ. № 2597-В97.

71. Негоденко О.Н., Татаринцев С.А., Стрижаков П.И., Гуков А.С. Использование транзисторных аналогов негатронов в качестве конверторов импеданса // Деп. ВИНИТИ,- № 1655-В98.

72. Бенинг Ф. Отрицательное сопротивление в электронных схемах. М.: Сов. Радио, 1975.- 287 с.

73. Арефьев А.А., Баскаков Е.Н., Степанова J1.H. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах р-п-р-п структуры. М.: Радио и связь, 1982,- 104 с.

74. Серьезное А.Н., Степанова JI.H. Электронные устройства на элементах с отрицательным сопротивлением. М.: Радио и связь, 1992,- 200 с.

75. Экспресс информация. Приборы и элементы автоматики и вычислительной техники. Датчики перемещения. Обзор. Часть 1и 2. 1987.- № 3,- С. 1.

76. Экспресс информация. Приборы и элементы автоматики и вычислительной техники. Современные индуктивные датчики близости. -1990,-№45,-С. 4.

77. Экспресс информация. Приборы и элементы автоматики и вычислительной техники. Новые датчики для измерения перемещения и расстояний. 1990,- № 44,- С. 8.

78. Шаманип В.А. и др. Электромагнитные датчики перемещения // Приборы и системы управления. 1991.- № 8.- С. 2.

79. Мурашкина Т.И. Оптические бесконтактные датчики перемещения // Приборы и системы управления. 1991.- № 7.- С. 18.

80. Марахонов В.М. и др. Чувствительные элементы датчиков перемещений на основе оптопар с открытым каналом // Приборы и системы управления. 1991.- № 9.- С. 27.

81. Hans U. Meyer An integrated capacitive position sensor // IEEE Transaction on instrumentation and measurement. 1996.- Vol. 45, N 2,- P. 521.

82. Негоденко O.H., Липко С.И., Прокопенко В.Г., Каскодные преобразователи сенсоров в частоту // Сообщение НПОКИ. Баку: ЭЛМ,-1990,-Вып. 6,-С. 49.

83. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Микроэлектронные датчики с частотным выходом на основе аналогов негатронов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2000.- № 5-6.- С. 19-22.

84. Негоденко О.Н., Шумилов О.В., Мардамшин Ю.П Преобразователи сопротивления резистивного сенсора в частоту на основе аналогов негатронов со встроенными мостами // Деп. ВИНИТИ,- № 2217-В99 от 8.07.99.

85. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Датчики магнитного поля с частотным выходом на элементах Холла и аналогах негатронов // Деп. ВИНИТИ,- № 3590-В98 от 7.12.98.

86. Абдулаев А.Г., Касимов Ф.Д., Мамиконова В.М. Интегральный магниторекомбинационный преобразователь на основе локальных пленок моно- и поликристаллического кремния // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1988.- Вып. 3,- С. 71.

87. Негоденко О.Н., Шумилов О.В., Мардамшин Ю.П. Датчик аммиака и дыма с частотным выходом // Тезисы докладов научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Таганрог: ТРТУ, 1999 ПЭМ-99.- С. 73.

88. Разевиг В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD. -М.: Солон-Р, 2000.- 237 с.

89. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Ламповый аналог негатрона и его применение // Деп. ВИНИТИ,- № 3591-В98 от 7.12.98.

90. Львович А.А., Гейсман Ю.В. Высокочастотные кварцевые генераторы на туннельных диодах. М.: Связь, 1970.- 168 с.

91. Филатов Г.А. Малогабаритные низкочастотные механические фильтры. М: Сов. радио, 1974,- 290 с.

92. Негоденко О.Н., Мардамшин Ю.П. Использование эквивалентной индуктивности аналога негатрона в перестраиваемом автогенераторе для пьезорезонансного датчика // Приборы и системы. Управление, контроль, диагностика. 2000.- № 12.- С. 63-64.

93. Калантаров П.Л., Цейтлин Л.А. Расчет индуктивностей: справочная книга. Л.: Энергоатомиздат, 1986.- 488 с.130

94. Кошелев С.Г., Негоденко О.Н., Семенцов В.И. Индуктивные балансные сенсоры и возможности их применения // Приборы и системы управления. -1999,-№3,-С. 35.

95. Кошелев С.Г., Негоденко О.Н., Семенцов В.И. Особенности характеристик индуктивного балансного сенсора // Метрология. 1998.- № 12,- С. 23.

96. Негоденко О.Н., Кошелев С.Г., Семенцов В.И., Мардамшин Ю.П. Микроэлектронные индуктивные балансные сенсоры с катушками квадратной и треугольной формы // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002,- № 1.- С. 47-48.

97. Негоденко О.Н., Семенцов В.И., Мардамшин Ю.П. Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2001.- № 4-5,-С.53-55.

98. Негоденко О.Н., Воронин В.А., Заруба Д.В. Генераторы с электромеханическими преобразователями на аналогах негатронов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2002.- № 2.- С. 2-8.