Динамика изменения механических свойств кремния, индуцированного низкоинтенсивным β-облучением тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Сучкова, Надежда Юрьевна

• Сучкова, Надежда Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Сучкова, Надежда Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР ПРЕДСТАВЛЕНИЙ О ВЛИЯНИИ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ

1.1. Ионизирующее облучение как один из эффективных способов изменения физических свойств реальных кристаллов

1.1.1. Большие, умеренные, малые дозы облучения

1.1.2. Механизмы радиационного дефектообразования

1.1.3. Кремний как функциональный материал

1.1.4. Облучение кремния заряженными частицами различной природы

1.1.5. Основные типы радиационных дефектов в кремнии

1.2. Основные методы исследования физических свойств кремния

1.2.1. Оптические методы

1.2.2. Электрические методы

1.2.3. Методы тестирования механических характеристик

1.3. Формулировка задач исследования

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Образцы

2.2. Источники излучения

2.3. Микро- и наноиндентирование

2.4. Методика НЕСГУ

ГЛАВА 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

3.1. Изменение механических свойств кремния под действием низкоинтенсивного Р-облучения

3.2. Влияние типа и концентрации примеси на динамику изменений микротвердости кремния, индуцируемых низкоинтенсивным Р-облучением

3.3. Изохронный отжиг образцов, на стадиях облучения, соответствующих максимумам разупрочнения и промежуточному восстановлению микротвердости к исходному значению

3.4. Изменение концентрации электрически-активных радиационных дефектов при низкоинтенсивном [3-облучении

3.5. Изменения механических свойств GaAs, индуцируемые низкоинтенсивным Р-облучением

ГЛАВА 4. ВОЗМОЖНЫЕ МЕХАНИЗМЫ ВЛИЯНИЯ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Динамика изменения механических свойств кремния, индуцированного низкоинтенсивным β-облучением»

Актуальность работы. Кремний, оставаясь материалом номер один в современной микроэлектронике, постепенно становится и конструкционным материалом для микромашин, сенсоров, микро- и наноэлектромеханических систем (МЭМС/НЭМС) и других гибридных продуктов нанотехнологий [1]. В связи с этим, даже небольшие изменения его механических свойств под действием различных внешних факторов (в том числе и р-облучения) становятся существенными, а их изучение - актуальным.

Диссертационная работа посвящена исследованию динамики изменения механических свойств кремния, индуцированного низкоинтенсивным (105 cm'V < / < 3-106 cm'V1) Р-облучением.

Известно, что физические, в том числе и механические свойства Si находятся в сильной зависимости от типа и концентрации радиационных дефектов (РД), процесс формирования о которых наилучшим образом исследован в области умеренных (D ~ 1.10 Гр) доз. Область малых доз (£> < 1 Гр) исследована значительно меньше. Вместе с тем существуют данные (правда, не очень многочисленные), что облучение малыми дозами радиации физических и биологических объектов может вызвать специфические отклики, существенно отличающиеся от наблюдаемых при умеренных дозах. Так, например, в различных материалах регистрировали немонотонные зависимости отклика от флюенса с инверсией знака эффекта, которые до сих пор не удается объяснить с позиции теории взаимодействия заряженных частиц с веществом, развитой для больших и умеренных доз.

Воздействие низкоинтенсивного р-облучения на кремний происходит при электроннолучевой литографии [2], при исследовании в электронном микроскопе, при воздействии космического излучения на солнечные батареи и т.п. Глубина проникновения электронов с энергией Е ~ 0,5.1 МэВ в кремнии составляет десятки микрометров [3]. Именно этот слой и представляет наибольший интерес, как для гшанарной микроэлектроники, так и для микросистемной техники. Закономерности и причины изменения механических свойств образцов при малодозовых воздействиях могут быть весьма специфичными и непохожими на таковые при облучении умеренными дозами и большими. До настоящего времени информация о малодозовых эффектах в кремнии весьма скудна, а в отношении механических свойств и вовсе обрывочна и зачастую противоречива. Это делает актуальным систематическое изучение последних (особенно в свете расширяющегося использования кремния в качестве конструкционного материала для микросистемной техники).

В связи со всем выше сказанным, целью работы являлось изучение влияния

5 2 1 низкоинтенсивного (интервал 1= (1. 100)-10 см" с"; D < 1 Гр) ионизирующего облучения на механические свойства монокристаллического кремния.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи:

1. Исследовать радиационно-стимулированные изменения микротвердости монокристаллов кремния в зависимости от типа и концентрации примеси, а также от интенсивности облучения в диапазоне интенсивностей I = (1. 100)-105 см"2с"'.

2. Выяснить природу вторичных радиационных дефектов, ответственных за изменение микротвердости кремния на разных стадиях облучения, используя различные взаимодополняющие методы (метод изохронного отжига, метод НЕСГУ -нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS - deep-level transient spectroscopy).

3. Предложить механизмы преобразования структуры вторичных радиационных дефектов под действием низкоинтенсивного ионизирующего облучения.

Научная новизна работы заключается в следующем:

Обнаружено и исследовано немонотонное во времени (W-образное) изменение микротвердости монокристаллов кремния, инициируемое малыми дозами (D < 1 Гр) р-облучения.

В результате проведенных in situ исследований промежуточных стадий формирования вторичных радиационных дефектов в процессе облучения кремния Р-частицами подобраны условия, в которых наблюдались качественно различные отклики материала на радиационное воздействие.

Установлено критические значения длительности облучения (^л = 1,25 час) и флюенса (F= 0,3-Ю10 см'2), при плотности потока частиц /= 106 cm'V1, в окрестности которых меняется знак радиационно-пластического эффекта.

Установлен тип дефектов, ответственных за изменение микротвердости на разных стадиях облучения кремния, а именно - за первый пик разупрочнения отвечает комплекс V2-0-C; за стадию промежуточного восстановления ответственны комплексы Cj-Cs, V2, и/или F3; и за стадию повторного разупрочнения - соответственно А-центры и/или Cj-Oj.

Научная ценность и практическая значимость проделанной работы заключается в выявлении закономерностей радиационно-пластического эффекта в кремнии в области малых

1 "У 1 доз (D < 1 Гр) и флюенсов (F < 10 см') ионизирующего р-облучения. Предложена модель процесса преобразования подсистемы вторичных радиационных дефектов, протекающего при низкоинтенсивном облучении кремния, сопровождающегося немонотонным изменением микротвердости.

Полученные результаты дают возможность в заданных временных интервалах модифицировать механические свойства кремния посредством низкоинтенсивного облучения. Найдены нижние границы флюенса и дозы Р-облучения (со средней энергией электронов Е ~ 0,5 МэВ), не приводящие к заметным изменениям механических свойств (в пределах точности измерения + 3 %). Проведенные исследования открывают перспективу повышения радиационной стойкости и стабилизации механических свойств функциональных материалов, что позволит увеличить точность приборов, создаваемых на базе кремния.

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. Закономерности обнаруженного немонотонного изменения микротвердости монокристаллов кремния, индуцируемого непрерывным действием низкоинтенсивного ионизирующего Р-облучения.

2. Закономерности обнаруженного пострадиационного эффекта - самопроизвольного немонотонного изменения микротвердости, индуцируемого предварительным кратковременным облучением.

3. Идентифицированный набор радиационных дефектов, ответственных за каждую стадию изменения микротвердости.

4. Модель процесса преобразования подсистемы вторичных радиационных дефектов, протекающего при низкоинтенсивном облучении кремния.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на следующих конференциях и семинарах:

- XLII, XLIII, XLIV Международная конференция «Актуальные проблемы прочности» (Калуга-2004, Витебск-2004, Вологда-2005);

- Современная химическая физика. XVI Симпозиум (Туапсе, 2004);

- The XXI International conference on relaxation phenomena in solids (Voronezh, 2004);

- Ill International conference Fundamental problems of physics (Kazan, 2005);

- XVI Петербургские чтения по проблемам прочности. Посвященные 75-летию со дня рождения В.А. Лихачева (Санкт-Петербург, 2006);

- XXXVI, XXXVII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2006,2007);

- ГУ Международная конференция «Фазовые превращения и прочность кристаллов», посвященная памяти академика Г.В. Курдюмова (Черноголовка, 2006);

- Ш Всероссийская конференция «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» (Воронеж, 2006);

8th Biennial International Workshop «Fullerenes and atomic clusters» (St. Peterburg, 2007).

Личное участие соискателя в получении результатов, изложенных в диссертационной работе. В работах, опубликованных в соавторстве, автору принадлежит проведение экспериментов, математическая обработка экспериментальных данных, а также участие в планировании экспериментов, обсуждении результатов и написании статей.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 137 наименований. Полный объем составляет 122 страниц машинописного текста, в том числе 36 иллюстраций и 3 таблицы.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Сучкова, Надежда Юрьевна

Выводы по работе:

1. Обнаружено и исследовано немонотонное изменение микротвердости монокристаллов кремния под действием низкоинтенсивного (/3 ~ 106 см"2с"1) )3-облучения.

2. Показана преимущественная роль неравновесных точечных (собственных и радиационных) дефектов в наблюдаемом изменении микротвердости.

3. Показана многостадийность процесса преобразования подсистемы радиационных дефектов.

4. Установлены значения температур, при которых происходит отжиг дефектов, ответственных за характерные стадии радиационно-стимулированного изменения микротвердости, что позволяет выбрать группу дефектов, ответственных за выделенные стадии изменения микротвердости.

5. Обнаружено, синхронное с изменением микротвердости, изменение концентрации электрически активных дефектов как донорного, так и акцепторного типов, индуцируемые низкоинтенсивным облучением.

6. Идентифицированы радиационные дефекты ответственные за изменения микротвердости на разных стадиях низкоинтенсивного облучения.

7. Предложена модель, описывающая процесс формирования комплексов радиационных дефектов, доминирующих на выделенных стадиях.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Сучкова, Надежда Юрьевна, 2007 год

1. Bhushan Ed. В. Springer Handbook of Nanotechnology / Springer-Verlag. Berlin Heidelberg New York, 2004. - 1222 p.

2. Головин Ю.И. Введение в нанотехнику. М.: Машиностроение, 2007. - 493 с.

3. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1963.-264 с.

4. Герасименко Н., Пархоменко Ю.М. Кремний материал наноэлектроники. -М.: Техносфера, 2007. - 351 с.

5. Распопов В .Я. Механические приборы. М.: Машиностроение, 2007. - 399 с.

6. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. М.: Атомиздат, 1967.

7. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел / Под редакцией д-ра физ.-мат. наук Ю. А. Осипьяна. М.: Атомиздат, 1970. -183 с.

8. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 311 с.

9. Головин Ю.И., Иванова М.А., Лопатин Д.В., Николаев Р.К., Умрихин А.В. Влияние малодозового beta-облучения на проводимость монокристаллов С60 // Физика твердого тела. 2004. - Т. 46. № 11. - С. 2109-2110.

10. Aberg D., Hallen A., Svensson B.G. Low-dose ion implanted epitaxial 4H-SiC investigated by deep level transient spectroscopy // Physica B. 1999. № 273-274. -P. 672-676.

11. Jagadish С., Svensson B.G., Hauser N. Point defects in n-type silicon implanted with low doses of MeV boron and silicon ions // Semicond. Sci. Technol. 1993. - Vol. 8. -P. 481-487.

12. Lalita J., Svensson B.G., Jagadish C., Hallen A. Annealing studies of point defect in low dose MeV ion implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1997. № 127/128. - P. 69-73.

13. Lalita J., Jagadish C., Svensson B.G. Silicon implanted with MeV 12C ions; temperature dependence of defect formation at low doses // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1995. - Vol. 106. - P. 237-241.

14. Makhkamov Sh., Tursunov N.A., Asurov M., Saidov R.P., Khakimov Z.M. Formation of radiation defects in silicon structures under low-intensity electron irradiation // Semicond. Sci. Technol. -2001.-Vol. 16.-P. 543-547.

15. Макара B.A., Новиков H.H. // ФизХОМ. -1973. № 6. С. 137-142.

16. Fujita S., Maeda К., Hyodo S. Dose-rate influence on the defect production in MeV proton-implanted float-zone and epitaxial n-type silicon // Physics of the Solid State (a). 1988. № 109.-P. 383-393.

17. Tetelbaum D.I., Kurilchik E.V., Latisheva N.D. Long-range effect at low-dose ion and electron irradiation of metals // Nuclear Instruments and Metods in Physics Research B. -1997.-Vol. 127. № 128.-P. 153-156.

18. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Николаев P.K., Пушнин И.А. Обратимое разупрочнение монокристаллического фуллерита Сбо под действием ультраслабого ионизирующего облучения // ДАН. 2002. - Т. 385. № 1. - С. 1-3.

19. Tetelbaum D.I., Azov A.Yu., Kurilchik E.V., Bayankin V.Ya., Gilmutdinov F.Z. The long-range influence of the ion photon irradiation on the mechanical properties and on the composition of the permalloy-79 // Vacuum. 2003. № 70. - P. 169-173.

20. Тетельбаум Д.И., Баянкин В.Я. Эффект дальнодействия // Природа. Физика. 2005. №4.-С. 9-17.

21. Golovin Yu.I. Low doses in physics of real crystals // Biophysics. 2004. - Vol. 49. № l.-P. 127-154.

22. Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П., Ржанов А.В., Смирнов Л.С., Шаймеев С.С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. 1980. - Т. 14. -С. 2257-2260.

23. Xu Q., Heinisch H.L., Yoshiie T. Effects of damage rate on deffect cluster formation in copper under low dose irradiation // Jornal of computer-aided materials design. 1999. -Vol. 6.-P. 215-223.

24. Пагава Т.А., Башелейшвили З.В., Кутелия Э.Р., Майсурадзе Н.И. Изменение времени жизни неосновных носителей тока в процессах облучения и изохронного отжига в кристаллах p-Si // УФЖ. 2003. - Т. 48. № 5. - С. 435-438.

25. Вавилов B.C. Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках // Успехи физических наук. -1964. Т. 84. № 3. - С. 431 - 450.

26. Newman R.C. Defects in silicon // Rep. Prog. Phys. 1982. - Vol. 45. - P. 1163-1210.

27. Клингер М.И., Лущик Ч.Б., Машовец T.B., Холодарь Г.А., Шейнкман М.К., Эланго М.А. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений // Успехи физических наук. 1985. - Т. 147. № 3. - С. 523-558.

28. Винецкий B.JL, Калнинь Ю.Х., Котомин Е.А., Овчинников А.А. Радиационно-стимулированная агрегатизация дефектов Френкеля в твердых телах // Успехи физических наук. -1990. Т. 160. № 10. - С. 1-33.

29. Емцев В.В., Машовец Т.В., Михнович В.В. Пары Френкеля в германии и кремнии // Физика и техника полупроводников. -1992. Т. 26. № 1. - С. 22-44.

30. Watkins G.D. Intrinsic defects in silicon // Materials science in semiconductor processing. 2000. - № 3. - P. 227-235.

31. Козловский B.B., Козлов B.A., Ломасов B.H. Модифицирование полупроводников пучками протонов // Физика и техника полупроводников. 2000. - Т. 34. № 2. -С. 129-147.

32. Козлов В.А., Козловский В.В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и альфа-частицами // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т. 35. № 7. - С. 769-795.

33. Калинина Е.В. Влияние облучения на свойства SiC и приборы на его основе // Физика и техника полупроводников. 2007. - Т. 41. № 7. - С. 769-805.

34. Corbett J.W., Watkins G.D., Chrenco R.M., McDonald R.S. Defects in irradiated silicon. I (II). Infrared absorption of the Si-A center // Physical review. 1961. - Vol. 121. № 4. -P. 1015-1022.

35. Кожевников В.И., Михнович В.В. Интерпретация зависимости скорости введения А-центров в n-кремнии от интенсивности облучения электронами // Физика и техника полупроводников. 1981. -Т. 15. - С. 1598-1600.

36. Лугаков П.Ф., Лукьяница В.В. Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий и междоузлий в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1984. - Т. 18. № 2. - С. 345-348.

37. Shen D., Chen J., Zhao Q., Wang X. Investigation of interaction between defects in Si by means of monitoring defects fluxes // Applied Surface Science. 1999. - Vol. 148. -P. 79-85.

38. Федина Л.И. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si // Физика и техника полупроводников. 2001. - Т. 35. № 9. - С. 1120-1127.

39. Suezawa М. Electron-dose dependence of concentration of vacancy-oxygen pairs and divacancies in electron-irradiated n-type Si crystals // Physica B. 2003. - Vol. 340-342. -P. 587-591.

40. Бурлакова Е.Б. Особенности действия сверхмалых доз биологически активных веществ и физических факторов низкой интенсивности // Российский химический журнал. Журнал Российского химического общества им. Д.И. Менделеева. 1999. -Т. 43.-С. 3-11.

41. Tsiotsias A., Sawaidis I., Vassila A., Kontominas М., Kotzekidou P. Control of listeria monocytogenes by low-dose irradiation in combination with refrigeration in the soft whey cheese 'Anthotyros" // Food microbiology. 2002. - Vol. 19. - P. 117-126.

42. Бурлакова Е.Б., Кондратов А.А., Мальцева E.J1. Действие сверхмалых доз биологически активных веществ и низкоинтенсивных физических факторов // Химическая физика. 2003. - Т. 22. № 2. - С. 21-40.

43. Ерохин В.Н., Бурлакова Е.Б. Спонтанный лейкоз модель для изучения эффектов малых и сверхмалых доз физических и физико-химическох воздействий на опухолевый процесс // Радиационная биология. Радиоэкология. - 2003. - Т. 43. №2.-С. 237-241.

44. Коломийцева И.К. Немонотонность зависимости доза-эффект в области малых доз ионизирующей радиации // Радиационная биология. Радиоэкология. 2003. - Т. 43. №2.-С. 179-181.

45. Бяков В.Н., Степанов С.В. К механизму первичного биологического действия ионизирующих облучений // Успехи физических наук. 2006. - Т. 176. № 5. -С. 487-506.

46. Слезов В.В., Субботин А.В., Осмаев О.А. Эволюция микроструктуры в облученных материалах // Физика твердого тела. 2005. - Т. 47. № 3. - С. 463-468.

47. Follstaedt D.M., Knapp J.A., Myers S.M. Mechanical properties of ion-implanted amorphous silicon // J. Mater. Res. 2000 - Vol. 19. № 1. - P. 338-346. (200).

48. Птицина Н.Г., Виллоруи Дж., Дорман Л.И., Юччи Н., Тясто М.И. Естественные и техногенные низкочастотные магнитные поля как факторы, потенциально опасные для здоровья // Успехи физических наук. -1998. Т. 168. № 7. - С. 767-791.

49. Sagan L. Electric and magnetic fields: Invisible Risks? / Gordon & Breach Publ., 1996.

50. Ломовской В.А. // ВМС Сер. А. 2000. - Т. 2. № 6. - С. 980.

51. Липсон А.Г., Саков Д.М., Саунин Е.И., Кузнецов В.А. Подавление спонтанной деформации в сегноэлектрических кристаллах K(DxHi.x)2P04 // Журнал Физической химии. 2000. - Т. 74. № 8. - С. 163 8-1642.

52. Трещенкова Ю.А., Голощапов А.Н., Бурлакова Е.Б. Действие малых доз фенозана на биохимические свойства лактатдегидрогеназы и микровязкость мембран микросом мозга мышей // Радиационная биология. Радиоэкология. 2003. - Т. 43. № З.-С. 320-323.

53. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. -144 с.

54. Эланго М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. М.: Наука, 1988.

55. Лущик Ч.Б., Лущик А.Ч. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах. М.: Наука, 1989.

56. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках / Под ред. С.М. Рывкина. М.: Радио и связь, 1981. - 230 с.

57. Гарбер Р.И., Федоренко А.И. // Успехи физических наук. 1964. - Т. 83. - С. 385-.

58. Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хирвич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. -Киев: Наукова думка, 1974. -199 с.

59. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М.: Мир, 1971. — с. 385.

60. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. / Под редакцией канд. физ.-мат. наук С. Н. Горина. М.: Мир, 1984. - 472 с.

61. Козлова О.Г. Рост и морфология кристаллов. Издательство московского университета, 1972. - 303 с.

62. Вавилов B.C., Челядииский А.Р. Ионная имплантация примесей в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения // Успехи физических наук. 1995. - Т. 165. № 3. - С. 347-358.

63. Lee Y.-H., Corbett J.W., Brower K.L. EPR of a carbon-oxygen-divacancy complex in irradiated silicon // Phys. Stat. sol. (a). 1977. - Vol. 41. № 637. - P. 637-647.

64. Маркевич В.П., Мурин Л.И. Селективный захват межузельных атомов угдерода в облученном кремнии // Физика и техника полупроводников. 1988. - Т. 22. № 5. -С. 911-914.

65. Емцев В.В., Оганесян Г.А., Шмальц К. Критическая концентрация кислорода в Cz-Si и кластеризация примесных атомов при термообработке // Физика и техника полупроводников. 1993. - Т. 27. № 9. - С. 1549-1555.

66. Барабаненков М.Ю., Леонов A.B., Мордкович B.H., Омельяновская Н.М. Влияние природы бомбардирующих ионов на образование радиационных дефектов в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32. № 5. - С. 523-525.

67. Bergholz W., Gilles D. Impact of research on defects in silicon on the microelectronic industry // Phys. Stat. Sol. (b). 2000. - Vol. 222. № 5. - P. 5-23.

68. Вавилов В.С, Кекелидзе Н.П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Наука, 1998. - 192 с.

69. Пагава Т.А. Исследование рекомбинационных центров в облученных кристаллах p-Si // Физика и техника полупроводников. 2004. - Т. 38. № 6. - С. 665-669.

70. Svensson B.G. Energy levels, structure and properties of point defects induced by ion implantation and electron irradiation of c-Si // Properties of Crystalline Silicon. EMIS Datareviews Series № 20 Series Advisor: B.L. Weiss. 1998. - p. 763-772.

71. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. Кристаллы с дефектами. -М.: Высшая школа, 1993.

72. Власенко Л.С., Власенко М.П., Козлов В.А., Козловский В.В. Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученном протонами кремнии // Физика и техника полупроводников. -1999. Т. 33. № 10. - С. 1164-1167.

73. Bemski G. J //. Appl Phys. -1959. № 30. - P. 1166.

74. Watkins G., Corbett J., Walker R. // Appl J. Phys. 1959. - № 30. - P. 1198.

75. Радиационная дозиметрия. / Под ред. Дж. Хайна, Г. Браунелла. М.: Издательство Иностранной литературы, 1958. - 758 с.

76. Мукашев Б.Н., Абдулин Х.А., Горелкинский Ю.В. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии // Успехи физических наук. 2000. - Т. 170. № 2. -С. 143-155.

77. Абдулин Х.А., Мукашев Б.Н. Дефекты в p-Si, облученном при 77К: энергетический спектр и кинетика отжига // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т. 28. №10.-С. 1831-1841.

78. Громов В.В. Электрический заряд в облученных материалах. М.: Энергоиздат., 1982.-112 с.

79. Витовский Н.А., Мустафакулов Д., Чекмарева А.П. О величине пороговой энергии смещения атомов в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. -1977.-Т. 11. №9. -С. 1747-1753.

80. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теория поля. М.: издательство, 1967. - 460 с.

81. Панов В.И., Смирнов Л.С. Влияние интенсивности облучения на процессы радиационных дефектов в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1973. -№7.-С. 346-348.

82. Смирнов Л.С., Стась В.Ф., Хайновская В.В. Влияние дислокаций на кинетику накопления радиационных дефектов в германии // Физика и техника полупроводников. -1971.-Т. 5. № 1.-С. 85-90.

83. Болотов В.В., Васильев А.В., Смирнов Л.С. Об энергии миграции простейших дефектов в германии и кремнии // Физика и техника полупроводников. 1974. -Т.8.№3.~ С. 518-521.

84. Хайновская В.В., Смирнов Л.С. Взаимодействие радиационных дефектов с дислокациями в германии // Физика и техника полупроводников. 1967. - Т. 9. №7.-С. 2043-2046.

85. Смирнов Л.С. Развитие и проблемы радиационной физики германия. В кн.: Матер. Всесоюзн. совещ. по дефектам структуры в полупроводниках. Ч. 1. Новосибирск, 1969, С. 143 -159

86. Васильев А.В. О кинетике образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах // Физика и техника полупроводников. 1972. - Т. 6. № 4. - С. 603-608.

87. Барабаненков М.Ю., Леонов А.В., Мордкович В.Н., Омельяновская Н.М. Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. № 5.-С. 537-541.

88. Васильев А.В., Рыбакова Л.А., Смирнов Л.С. О влиянии температуры на изменение электрических и фотоэлектрических свойств германия при облучении электронами // Физика и техника полупроводников. 1971. - Т. 5. № 1. - С. 176-178.

89. Болотов В.В., Васильев А.В., Кашников Б.П., Смагулова С.А., Смирнов Л.С. Высокотемпературный отжиг облученного германия // Физика и техника полупроводников. 1976. - № 1. - С. 154-155.

90. Болотов В.В., Васильев А.В. Высокотемпературное облучение кремния и германия. Обзор: Радиационные эффекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979. -224 с.

91. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in Irradiated Silicon. I. Electron Spin Resonance of the Si-A Center // Physical review. 1961. - Vol. 121. № 4. -P. 1001-1014.

92. Стась В.Ф., Антонова И.В., Неустроев Е.П., Попов В.П., Смирнов Л.С. Термоакцепторы в облученном кремнии // Физика и техника полупроводников. -2000. Т. 34. № 2. - С. 162-167.

93. Brelot A., Charlemagne J. Irrad. Semicond. Ed. by J.W. Corbett, G.D. Watkins. N.Y., 1971. P. 161-167.

94. Mooney P.M., Cheng L.J., Suly M., Gerson J.D., Corbett J. W. // Physical review B. -1977. Vol. 15. № 8. - P. 3836-3843.

95. Lee Y.H., Cheng L.J., Gerson J.D., Mooney P.M., Corbett J. W. название // Sol. St. Commun. 1977. - Vol. 21. № 1. - P. 109-111.

96. Trombetta J.M., Watkins G.D. название // Appl. Phys. Lett. 1987. - Vol. 51. -№14. -P. 1103-1105.

97. Davies G.D., Oates A.S., Newman R.C., Wooley R., Lightowlers E.C., Birns M.J., Wilkes J.C. J. // Phys. C. 1986. - Vol. 19. № 6. - P. 841-855.

98. Londos C.A. Japan. J. // Appl. Phys. -1988. Vol. 27. № 11. - P. 2089-2093.

99. Calma A.H., Corelli J.C. // Physical Review. 1968. - Vol. 173. № 3. - P. 734745.

100. Берман Jl.C., Витовский H.A., Ломасов B.H., Ткаченко В.Н. О природе К-центра в кремнии // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т. 24. № 12. -С. 2186-2189.

101. Медведева И.Ф., Макаренко Л.Ф., Макаревич В.П., Мурин Л.И. // Изв. АН БССР, Сер. Физ.-мат. Наук. 1991. - Т. 3. - С. 19.

102. Берман Л.С., Жепко В.А., Ломасов В.Н., Ткаченко В.Н. О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования // Физика и техника полупроводников. 1989. - Т. 23. №1.-С. 2129-2132.

103. Бояркина Н.И., Смагулова С. А. Зависимость температуры отжига диуглерода в облученном n-Si от концентрации кислорода в кристалле // Физика и техника полупроводников. 2004. - Т. 38. № 5. - С. 513-515.

104. Васильев А.В., Смагулова С.А., Смирнов Л.С. Отжиг дивакансий в кремнии, облученном быстрыми нейтронами // Физика и техника полупроводников. 1986. -Т. 20. №3.-С. 561-564.

105. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in irradiated silicon: Electron paramagnetic resonance of the divacancy // Physical Review. 1965. - Vol. 138. № 2A. -P. A543-A555.

106. Svensson B.G., Jagadish C., Hallen A., Lalita J. // Physical Review B. 1998. -Vol. 55. №10.-P. 498.

107. Глазов B.M., Охотин A.C., Боровинкова Р.П., Пушкарский А.С. Методы исследования термо-электрических свойств полупроводников. М.: Атомиздат, 1969.-174 с.

108. Ильин И.В., Мохов Е.Н., Баранов П.Г. Парамагнитные дефекты в гамма-облученных кристаллах карбида кремния // Физика и техника полупроводников. -2001.-Т. 35.-№ 12.-С. 1409-1416.

109. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // Journal of Applied Physics. 1974. - Vol. 45. -№ 7. P. 3023-3032.

110. Day D.S., Tsai M.Y., Streetman B.G., Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: System effects and data analysis // J. Appl. Phys. 1979. - Vol. 50. - № 8. P. 5093-5098.

111. Johnson N.M., Bartelink D.J., Gold R.B., Gibbons J.F. Constant-capacitance DLTS measurement of defect-density profiles in semiconductors // J. Appl. Phys. 1979. -Vol. 50.-№7. P. 4828-4833.

112. Doyle J.P., Limmarsson M.K., Pellegrino P., Keskitalo N., Svensson B.G., Schoner A., Nordell N., Lindstr6m J.L. Electrically active point defects in n-type 4H-SiC //J. Appl. Phys. 1998.-Vol. 84.-№3. P. 1763-1768.

113. Колмаков А.Г., Головин Ю.И., Терентьев В.Ф., Бакиров М.Б. Методы определения твердости металлических материалов. Воронеж: Издательство Воронежского государственного технического университета, 2000. - 79 с.

114. Федосов С.А., Пешек JI. Определение механических свойств материалов микроиндентированием. Современные зарубежные методики. М.: Физический факультет МГУ, 2004. - 99 с.

115. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Сучкова Н.Ю., Бадылевич М.В. Многостадийное радиационно-стимулированное изменение микротвердости монокристаллов Si, индуцируемое малоинтенсивным Р-облучением // Физика твердого тела. 2005. - Т. 47. №7. - С. 1237-1240.

116. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Сучкова Н.Ю. Структура комплексов, ответственных за радиационно-стимулированное разупрочнение монокристаллов кремния // Физика твердого тела. 2006. - Т. 48. №2. - С. 262-265.

117. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Сучкова Н.Ю. Влияние типа и концентрации легирующей примеси на динамику бета-индуцированного изменения микротвердости кремния // Физика твердого тела. 2008. - Т. 50. № 1. - С. 26-28.

118. Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев

119. Gridneva I.V., Milman Yu.V., Trefiliv V.I. Phase transition in diamond-structure crystals during hardness measurements // Phys. Stat. sol. (a). 1972. - Vol. 14. № 177. -P. 177-182.

120. Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Изменения микротвердости кремния, индуцируемые слабоинтенсивным потоком электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. №4. - С. 34-36.

121. Скворцов А.А., Орлов A.M., Фролов В.А., Гончар Л.И., Литвиненко О.В. Влияние магнитного поля на акустическую эмиссию в дислокационном кремнии при токовых воздействиях // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42. № 10. -С. 1814-1817.

122. Орлов A.M., Скворцов А.А., Соловьев А.А. Динамика поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45. № 4. - С. 613-617.

123. Орлов А.М., Соловьев А.А., Скворцов А.А. Поведение дислокаций в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // ЖЭТФ. 2003. -Т. 123. №3,-С. 590-598.

124. Бадылевич М.В., Иунин ЮЛ., Кведер В.В., Орлрв В.И., Осипьян Ю.А. Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии // ЖЭТФ. 2003. - Т. 124. № 3(9). -С. 664-669.

125. Акчурин М.Ш., Васев Е.Н., Михина Е.Ю., Регель В.Р. О роли массопереноса материала за счет премещений точечных дефектов в процессе микровдавливания // Физика твердого тела. -1988. Т. 30. № 3. - С. 760-764.

126. Акчурин М.Ш., Галстян В.Г., Регель В.Р. Формирование нанокристаллическго состояния при действии состредоточенной нагрузки JJ Физика твердого тела. -1995. Т. 37. № 3. - С. 845-851.

127. Головин Ю.И., Тюрин А.И. Недислокационная пластичность и ее роль в массопереносе и формировании отпечатка при динамическом индентировании // Физика твердого тела.-2000.-Т. 42. № 10.-С. 1818-1820.